KR101725996B1 - White heat-curable silicone/epoxy hybrid resin composition for optoelectronic use, making method, premolded package, and led device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (A) 열경화성 실리콘 수지, (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물, (C) 백색 안료, (D) 무기 충전제(단, 백색 안료는 제외함), (E) 경화 촉진제, (F) 산화 방지제를 함유하고, (F) 성분의 산화 방지제가 화학식 1로 표시되는 포스파이트 화합물이며, (A) 성분과 (B) 성분의 배합 비율이 질량비로 5:95 내지 95:5인 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물을 제공한다.
<화학식 1>

Figure 112010056350105-pat00017

(R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 이상의 유기기이다)
본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물은 경화성이 우수하고, 양호한 강도를 가짐과 동시에, 장기간에 걸쳐 내열성, 내광성을 유지하여, 균일하고 황변이 적은 경화물을 제공한다.(A) a thermosetting silicone resin, (B) a triazine derivative epoxy resin composition, (C) a white pigment, (D) an inorganic filler (except for a white pigment), (E) a curing accelerator, Wherein the antioxidant of the component (F) is a phosphite compound represented by the general formula (1), and the mixing ratio of the component (A) to the component (B) is 5:95 to 95: And a thermosetting silicone epoxy resin composition for forming a thermosetting silicone epoxy resin.
&Lt; Formula 1 >
Figure 112010056350105-pat00017

(R 1 and R 2 are the same or different organic groups having 6 or more carbon atoms)
The white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention is excellent in curability, has good strength and maintains heat resistance and light resistance for a long period of time and provides a uniform and less yellowish cured product.

Description

광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물 및 그의 제조 방법, 및 프리몰드 패키지 및 LED 장치 {WHITE HEAT-CURABLE SILICONE/EPOXY HYBRID RESIN COMPOSITION FOR OPTOELECTRONIC USE, MAKING METHOD, PREMOLDED PACKAGE, AND LED DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a white thermosetting silicone epoxy hybrid composition for forming a photosemiconductor substrate, a method for producing the same, a preformed package and an LED device,

본 발명은 백색성, 내열성, 내광성을 유지하고, 강도가 우수한 경화물을 제공하는 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물 및 그의 제조 방법 및 상기 조성물의 경화물을 포함하는 LED(Light Emitting Diode)용 등의 프리몰드 패키지 및 LED 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a photosemiconductor substrate which maintains whiteness, heat resistance and light fastness and provides a cured product excellent in strength, a process for producing the same, and an LED (Light Emitting Diode and the like, and a LED device.

LED 등의 광 반도체 소자는, 소형이고 효율적으로 선명한 색을 발광하며, 반도체 소자이기 때문에 전구 끊어짐이 없고, 구동 특성이 우수하며, 진동이나 ON/OFF 점등의 반복에 강하다. 이 때문에, 여러가지 인디케이터나 광원으로서 이용되고 있다. 이러한 광 반도체 소자를 이용한 광 반도체 장치의 기판재 중 하나로서, 폴리프탈아미드 수지(PPA)가 현재 널리 사용되고 있다.The optical semiconductor element such as an LED is small and efficiently emits a vivid color. Since it is a semiconductor element, it does not break a bulb, has excellent driving characteristics, and is resistant to repetition of vibration or ON / OFF lighting. Therefore, it is used as various indicators and light sources. As one of substrate materials of optical semiconductor devices using such optical semiconductor elements, polyphthalamide resin (PPA) is widely used today.

그러나 오늘날 광 반도체 기술의 비약적인 진보에 의해, 광 반도체 장치의 고출력화 및 단파장화가 현저하기 때문에, 특히 무착색·백색의 재료로서 종래의 PPA 수지를 이용한 광 반도체 소자 밀봉 및 기판에서는, 장기간 사용에 의한 열화가 현저하고, 색 불균일의 발생이나 박리, 기계적 강도의 저하 등이 발생하기 쉬우며, 이러한 문제를 효과적으로 해결하는 것이 요망되고 있다.However, due to the remarkable progress of the optical semiconductor technology today, the optical semiconductor device is remarkably high-output and short-wavelength. Therefore, in the optical semiconductor device sealing and the substrate using the conventional PPA resin as the uncolored / white material, Deterioration is remarkable, occurrence of color irregularity, peeling, and deterioration of mechanical strength are likely to occur, and it is desired to effectively solve such a problem.

더욱 상술하면, 일본 특허 제2656336호 공보(특허문헌 1)에는, 밀봉 수지가 에폭시 수지, 경화제 및 경화 촉진제를 구성 성분으로 하는 B 스테이지상 광 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물로서, 상기 구성 성분이 분자 수준으로 균일하게 혼합되어 있는 수지 조성물의 경화체로 구성되는 광 반도체 장치가 기재되어 있다. 여기서는 에폭시 수지로서 비스페놀 A형 에폭시 수지 또는 비스페놀 F형 에폭시 수지가 주로 이용되고, 트리글리시딜이소시아네이트 등을 사용할 수 있는 것도 기재되어 있다. 그러나 실시예에서는 트리글리시딜이소시아네이트가 비스페놀 A 또는 F형 에폭시 수지에 소량 첨가되어 사용되고 있는 것으로, 본 발명자들의 검토에 따르면, 이 B 스테이지상 광 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물은, 특히 고온·장시간의 방치로 황변한다는 문제가 있다.More specifically, Japanese Patent No. 2656336 (Patent Document 1) discloses a B-stage epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation in which the sealing resin comprises an epoxy resin, a curing agent and a curing accelerator, And a cured product of the resin composition which is uniformly mixed with the cured product. It is also described that a bisphenol A type epoxy resin or a bisphenol F type epoxy resin is mainly used as an epoxy resin, and that triglycidyl isocyanate or the like can be used. However, in the examples, triglycidyl isocyanate is added to a small amount of bisphenol A or F type epoxy resin and is used. According to the studies of the present inventors, the epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation on the B- There is a problem of yellowing.

또한, 일본 특허 공개 제2000-196151호 공보(특허문헌 2), 일본 특허 공개 제2003-224305호 공보(특허문헌 3), 일본 특허 공개 제2005-306952호 공보(특허문헌 4)에는, LED 발광 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에서의 트리아진 유도체 에폭시 수지의 사용에 대해서 기재되어 있지만, 모두 고온·장시간의 방치로 황변하는 문제를 해결하기에 충분하지 않았다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-196151 (Patent Document 2), Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-224305 (Patent Document 3), Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-306952 (Patent Document 4) The use of a triazine derivative epoxy resin in an epoxy resin composition for sealing a device has been described, but all of them are not sufficient to solve the problem of yellowing due to high temperatures and long time left to stand.

또한, 일본 특허 공개 제2006-77234호 공보(특허문헌 5)에는, 중량 평균 분자량이 5×103 이상인 오르가노폴리실록산 및 축합 촉매를 함유하는 LED 소자 밀봉용 수지 조성물이 기재되어 있다. 그러나, 이 오르가노폴리실록산은 투명성을 가지는 상온에서 액상이어야 하기 때문에, 트랜스퍼 성형이나 압축 성형에 적합하지 않다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-77234 (Patent Document 5) discloses a resin composition for encapsulating an LED element containing an organopolysiloxane having a weight average molecular weight of 5 10 3 or more and a condensation catalyst. However, this organopolysiloxane is not suitable for transfer molding or compression molding because it must be liquid at room temperature having transparency.

일본 특허 제2656336호 공보Japanese Patent No. 2656336 일본 특허 공개 제2000-196151호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-196151 일본 특허 공개 제2003-224305호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-224305 일본 특허 공개 제2005-306952호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-306952 일본 특허 공개 제2006-77234호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-77234

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 실리콘 수지와 에폭시 수지의 혼성 재료이기 때문에 실리콘 수지의 강도를 개선하고, 장기간에 걸쳐 내열성, 내광성을 유지하여, 균일하고 황변이 적은 경화물을 제공하는 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물 및 그의 제조 방법 및 상기 조성물의 경화물로 성형한 LED용 등의 프리몰드 패키지 및 LED 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a cured product which is a hybrid material of a silicone resin and an epoxy resin and which improves the strength of the silicone resin, maintains heat resistance and light resistance for a long period of time, It is an object of the present invention to provide a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a semiconductor substrate, a process for producing the same, and a preformed package such as an LED and the like molded with a cured product of the composition and an LED device.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 열경화성 실리콘 수지, 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물, 백색 안료, 무기 충전제(단, 백색 안료는 제외함), 경화 촉진제 및 특정한 산화 방지제를 이용한 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물이, 경화성이 우수하고, 내열성, 내광성이 우수함과 동시에, 양호한 강도를 가지는 경화물이 될 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors have intensively studied in order to achieve the above object and as a result have found that the use of a thermosetting silicone resin, a triazine derivative epoxy resin composition, a white pigment, an inorganic filler (except for a white pigment), a curing accelerator and a specific antioxidant It has been found that a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a semiconductor substrate can be a cured product having excellent curability, heat resistance, light resistance and good strength, and has completed the present invention.

따라서, 본 발명은 하기에 나타내는 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물 및 그의 제조 방법 및 내광성이 양호한 프리몰드 패키지 및 LED 장치를 제공한다.Accordingly, the present invention provides the following white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a photosemiconductor substrate, a method of producing the same, and a pre-molded package and an LED device having excellent light resistance.

청구항 1:Claim 1:

(A) 열경화성 실리콘 수지, (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물, (C) 백색 안료, (D) 무기 충전제(단, 백색 안료는 제외함), (E) 경화 촉진제, (F) 산화 방지제를 함유하고, (F) 성분의 산화 방지제가 하기 화학식 1로 표시되는 포스파이트 화합물이고, (A) 성분과 (B) 성분의 배합 비율이 질량비로 5:95 내지 95:5인 것을 특징으로 하는 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.(A) a thermosetting silicone resin, (B) a triazine derivative epoxy resin composition, (C) a white pigment, (D) an inorganic filler (except for a white pigment), (E) a curing accelerator, , Wherein the antioxidant of the component (F) is a phosphite compound represented by the following formula (1), and the mixing ratio of the component (A) to the component (B) is from 5:95 to 95: 5 A white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a semiconductor substrate.

Figure 112010056350105-pat00001
Figure 112010056350105-pat00001

(식 중, R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 이상의 유기기이다)(Wherein R 1 and R 2 are the same or different organic groups having 6 or more carbon atoms)

청구항 2: Claim 2:

제1항에 있어서, (F) 성분의 산화 방지제가 R1, R2 중 어느 하나 또는 모두가 탄소수 6 이상의 알킬기인 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.The white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition according to claim 1, wherein any one or both of R 1 and R 2 is an alkyl group having 6 or more carbon atoms as the antioxidant of the component (F).

청구항 3: [Claim 3]

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (A) 성분의 열경화성 실리콘 수지가 하기 평균 조성식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.The white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition according to claim 1 or 2, wherein the thermosetting silicone resin of component (A) is represented by the following average composition formula (2).

<평균 조성식 2>&Lt; Average composition formula 2 &

Figure 112010056350105-pat00002
Figure 112010056350105-pat00002

(식 중, R3은 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, R4는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 유기기를 나타내고, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤0.5, 0.801≤a+b+c<2를 만족시키는 수이다)(Wherein, R 3 is the same or a different organic group having 1 to 20, R 4 represents an organic group of the same or different C 1 -C 4, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤ 0.5, 0.801? A + b + c < 2)

청구항 4: Claim 4:

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 성분의 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물이 (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지 및 (B-2) 산 무수물을 포함하는 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.4. The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the triazine derivative epoxy resin composition as the component (B) is a thermosetting white resin composition comprising (B-1) a triazine derivative epoxy resin and (B- Silicone epoxy hybrid resin composition.

청구항 5: [Claim 5]

제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 성분의 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물이 (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지와 (B-2) 산 무수물을 에폭시기 당량/산 무수물기 당량 0.6 내지 2.0으로 배합하고 반응시켜 얻어진 고형물의 분쇄물을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the triazine derivative epoxy resin composition (B) is a triazine derivative epoxy resin (B-1) And an equivalent weight of the anhydride group of 0.6 to 2.0, and reacting the resultant mixture with the solid matter to obtain a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition.

청구항 6:[Claim 6]

제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 백색 안료가 평균 입경이 0.05 내지 5.0 ㎛인 이산화티탄, 평균 입경이 각각 0.1 내지 3.0 ㎛인 티탄산칼륨, 산화지르코늄, 황화아연, 산화아연, 알루미나, 산화마그네슘으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이고,6. The white pigment according to any one of claims 1 to 5, wherein the white pigment of component (C) is titanium dioxide having an average particle diameter of 0.05 to 5.0 占 퐉, potassium titanate having an average particle diameter of 0.1 to 3.0 占 퐉, zirconium oxide, , Zinc oxide, alumina, and magnesium oxide,

(D) 성분의 무기 충전제가 평균 입경이 각각 4 내지 50 ㎛인 실리카, 알루미나, 산화마그네슘, 수산화알루미늄, 산화아연, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.Wherein the inorganic filler of the component (D) is at least one selected from silica, alumina, magnesium oxide, aluminum hydroxide, zinc oxide, silicon nitride, aluminum nitride and boron nitride each having an average particle size of 4 to 50 탆 White thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition.

청구항 7: [Claim 7]

제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (D) 성분의 무기 충전제와 상기 (C) 성분의 백색 안료의 합계량이 조성물 전체의 50 내지 95 질량%의 범위이고, (C) 성분의 백색 안료의 배합량이 조성물 전체의 5 내지 40 질량%이며, (D) 성분의 무기 충전제의 배합량이 (A), (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 100 내지 1,000 질량부인 것을 특징으로 하는 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.The composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the total amount of the inorganic filler of the component (D) and the white pigment of the component (C) is in the range of 50 to 95 mass% (B) is 100 to 1,000 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B), wherein the amount of the white pigment to be incorporated in the composition is 5 to 40% White thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition.

청구항 8:Claim 8:

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, (E) 경화 촉진제의 배합량이 조성물 전체의 0.05 내지 5 질량%이고, (F) 산화 방지제의 배합량이 조성물 전체의 0.01 내지 10 질량%인 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.The positive resist composition according to any one of claims 1 to 7, wherein the amount of the curing accelerator (E) is 0.05 to 5% by mass of the whole composition, (F) the amount of the antioxidant is 0.01 to 10% Thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition.

청구항 9:Claim 9:

(B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지와 (B-2) 산 무수물을 에폭시기 당량/산 무수물기 당량 0.6 내지 2.0으로 배합하고 반응시켜 얻어진 고형물의 분쇄물을 포함하는 (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물 및 (A) 열경화성 실리콘 수지를 혼합하되, (A) 성분과 (B) 성분의 배합 비율을 질량비로 5:95 내지 95:5의 비율로 하여 혼합하고, 동시에 (C) 백색 안료, (D) 무기 충전제, (E) 경화 촉진제 및 (F) 산화 방지제로서 하기 화학식 1로 표시되는 포스파이트 화합물과 혼합하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 제조 방법.(B) a triazine derivative epoxy resin (B) comprising a pulverized solid obtained by compounding (B-1) a triazine derivative epoxy resin and (B-2) an acid anhydride at an epoxy equivalent / anhydride group equivalent of 0.6 to 2.0, (C) a white pigment, (D) a thermosetting silicone resin, (A) a mixture of components (A) and (B) in a mass ratio of 5:95 to 95: 5, ) Inorganic filler, (E) a curing accelerator, and (F) an antioxidant as a phosphite compound represented by the following formula (1).

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

Figure 112010056350105-pat00003
Figure 112010056350105-pat00003

(식 중, R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 이상의 유기기이다)(Wherein R 1 and R 2 are the same or different organic groups having 6 or more carbon atoms)

청구항 10: Claim 10:

(E) 경화 촉진제 및/또는 (F) 산화 방지제로서 하기 화학식 1로 표시되는 포스파이트 화합물의 존재하에 (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지와 (B-2) 산 무수물을 에폭시기 당량/산 무수물기 당량 0.6 내지 2.0으로 배합하고 반응시켜 얻어진 고형물의 분쇄물을 포함하는 (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물과 (E) 성분 및/또는 (F) 성분과의 혼합물 및 (A) 열경화성 실리콘 수지를 혼합하되, (A) 성분과 (B) 성분의 배합 비율을 질량비로 5:95 내지 95:5의 비율로 하여 혼합하고, 동시에 (C) 백색 안료, (D) 무기 충전제, 및 (E) 성분과 (F) 성분 중 어느 하나를 상기 반응에 이용하지 않은 경우는 그 이용하고 있지 않은 성분과 혼합하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 제조 방법.(B-1) a triazine derivative epoxy resin and (B-2) an acid anhydride in the presence of a phosphite compound represented by the following formula (1) as an antioxidant (E) (B) a triazine derivative epoxy resin composition comprising a pulverized product of a solid obtained by compounding at a base equivalent of 0.6 to 2.0 and a mixture of the component (E) and / or the component (F) and the thermosetting silicone resin (C) a white pigment, (D) an inorganic filler, and (E) component (B) are mixed in a ratio of 5: 95 to 95: And the component (F) is not used in the reaction, the component is mixed with a component that is not used. The method for producing a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a photosemiconductor substrate according to claim 1,

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

Figure 112010056350105-pat00004
Figure 112010056350105-pat00004

(식 중, R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 이상의 유기기이다)(Wherein R 1 and R 2 are the same or different organic groups having 6 or more carbon atoms)

청구항 11:Claim 11:

제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물로 성형하여 이루어지는 프리몰드 패키지.A pre-molded package formed by molding a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a photosemiconductor substrate according to any one of claims 1 to 8.

청구항 12:Claim 12:

제11항에 기재된 프리몰드 패키지를 이용하여 조립한 LED 장치.An LED device assembled using the pre-molded package according to claim 11.

본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물은 경화성이 우수하고, 양호한 강도를 가질 뿐 아니라, 장기간에 걸쳐 내열성, 내광성을 유지하여, 균일하고 황변이 적은 경화물을 제공하는 것이다. 이 때문에, 본 발명의 조성물의 경화물로 성형한 프리몰드 패키지는 특히 고휘도 LED용이나 태양 전지용으로서 산업상 특히 유용하다. 또한, LED 소자의 언더필재로서도 유효하다.The white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention is excellent in curability, has not only good strength, but also maintains heat resistance and light resistance for a long period of time, thereby providing a uniform and less yellowing cured product. Therefore, the pre-mold package formed by the cured product of the composition of the present invention is particularly useful in industry especially for high-luminance LED and solar battery. It is also effective as an underfill material for an LED element.

도 1은 본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물을 이용한 광 반도체 기판(LED 반사경)의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물을 이용한 포토커플러(photocoupler)의 일례를 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing an example of a photosemiconductor substrate (LED reflector) using the white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an example of a photocoupler using the white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention.

본 발명의 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물은, 하기 성분을 필수 성분으로서 함유한다.The white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a photosemiconductor substrate of the present invention contains the following components as essential components.

(A) 열경화성 실리콘 수지(A) a thermosetting silicone resin

(B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물(B) Triazine derivative epoxy resin composition

(C) 백색 안료(C) a white pigment

(D) 무기 충전제(단, 백색 안료는 제외함)(D) Inorganic filler (except for white pigment)

(E) 경화 촉진제(E) Curing accelerator

(F) 산화 방지제(F) Antioxidant

(A) 열경화성 실리콘 수지(A) a thermosetting silicone resin

본 발명에 따른 (A) 성분의 열경화성 실리콘 수지는 실라놀기 함유 오르가노폴리실록산인 것이 바람직하고, 특히 하기 화학식 2로 표시되는 실리콘 중합체이다.The thermosetting silicone resin of the component (A) according to the present invention is preferably a silanol group-containing organopolysiloxane, particularly a silicone polymer represented by the following formula (2).

<화학식 2>(2)

Figure 112010056350105-pat00005
Figure 112010056350105-pat00005

(식 중, R3은 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, R4는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 유기기를 나타내고, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤0.5, 0.801≤a+b+c<2를 만족시키는 수이다)(Wherein, R 3 is the same or a different organic group having 1 to 20, R 4 represents an organic group of the same or different C 1 -C 4, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤ 0.5, 0.801? A + b + c < 2)

여기서 R3에서의 유기기로는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아랄킬기 등의 탄소수 1 내지 20의 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기를 들 수 있고, 상기 알킬기로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 보다 바람직하며, 직쇄상, 분지상 및 환상 중 어느 하나일 수도 있고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 옥틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.Examples of the organic group at R 3 include an unsubstituted or substituted group having 1 to 20 carbon atoms such as an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, A monovalent hydrocarbon group, and the alkyl group is more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and may be any of linear, branched and cyclic, and examples thereof include a methyl group, ethyl group, n- Propyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group.

상기 알케닐기로는 탄소수 2 내지 10의 알케닐기가 보다 바람직하고, 예를 들면 비닐기, 아릴기, 프로페닐기 등을 들 수 있다.The alkenyl group is more preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an aryl group and a propenyl group.

상기 아릴기로는 탄소수 6 내지 10의 것이 보다 바람직하고, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.The aryl group is more preferably a C6-C10 aryl group, and examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, and a naphthyl group.

상기 아랄킬기로는 탄소수 7 내지 10의 것이 보다 바람직하고, 예를 들면 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다.The aralkyl group is more preferably a group having 7 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, and a naphthylmethyl group.

또한, 상기 비치환의 1가 탄화수소기의 수소 원자 중 하나 또는 그 이상을 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환한 치환 1가 탄화수소기일 수도 있다.Further, a substituted monovalent hydrocarbon group in which one or more hydrogen atoms of the unsubstituted monovalent hydrocarbon group are substituted with a halogen atom, cyano group, or the like may be used.

상기 화학식 2의 R3은, 이들 중에서도, 특히 메틸기 또는 페닐기인 것이 바람직하다.Among them, R 3 in the formula (2) is preferably a methyl group or a phenyl group.

상기 화학식 2 중, R4는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 유기기이고, 예를 들면 알킬기 또는 알케닐기를 들 수 있다. 또한, OR4는 실록산 수지의 말단기 중, 실라놀기(Si-OH) 이외의 부분을 나타내고, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기 등을 들 수 있으며, 원료의 입수가 용이한 메톡시기, 이소프로폭시기가 바람직하다.In Formula 2, R 4 is the same or different organic group having 1 to 4 carbon atoms, and examples thereof include an alkyl group or an alkenyl group. OR 4 represents a portion other than the silanol group (Si-OH) in the terminal groups of the siloxane resin, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group and a butoxy group , A methoxy group and an isopropoxy group which are easily available for raw materials are preferable.

상기 화학식 2 중, a, b 및 c는 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤0.5, 0.801≤a+b+c<2를 만족시키는 수이고, 보다 바람직하게는 0.9≤a≤1.3, 0.001≤b≤0.2, 0.01≤c≤0.3, 0.911≤a+b+c≤1.8이다. R3의 함유량 a가 0.8 미만이면 딱딱해지고, 균열 방지성이 저하되며, 1.5를 초과하면 유기기가 많아져 소수성이 높아지고, 부드러워지기 때문에, 균열 방지 효과가 없어질 뿐 아니라, 크레이터링 등의 개관 불량이 발생한다. OR4의 함유량 b가 0.3을 초과하면 말단기량이 많아지고, 분자량이 작아지는 경향이기 때문에, 균열 방지 성능이 발현되지 않게 된다. OH의 함유량 c가 0.5를 초과하면 가열 경화시의 축합 반응에 관여하는 비율이 높아지고, 고경도이기는 하지만, 균열 내성이 부족해진다. c가 0.001 미만이면 융점이 높아지는 경향이 있고, 작업성에 문제가 발생한다. c를 제어하는 조건으로는, 알콕시기의 완전 축합률을 86 내지 96 %로 하는 것이 바람직하고, 86 % 미만이면 융점이 낮아지며, 96 %를 초과하면 융점이 너무 높아지는 경향이 있다.Wherein a, b and c are numbers satisfying 0.8? A? 1.5, 0? B? 0.3, 0.001? C? 0.5, 0.801? A + b + c <2, a? 1.3, 0.001? b? 0.2, 0.01? c? 0.3, and 0.911? a + b + c? 1.8. When the content a of R 3 is less than 0.8, the hardness becomes poor and the anti-cracking property is deteriorated. If it exceeds 1.5, the organic groups are increased to increase the hydrophobicity and soften. Lt; / RTI &gt; If the content b of OR 4 exceeds 0.3, the amount of terminal groups increases and the molecular weight tends to be small, so that the crack preventing performance is not exhibited. When the content c of OH is more than 0.5, the proportion involved in the condensation reaction at the time of heat curing becomes high, and crack resistance becomes poor although it is high in hardness. If c is less than 0.001, the melting point tends to be high, and there is a problem in workability. As a condition for controlling the c, the complete condensation ratio of the alkoxy group is preferably 86 to 96%, and when it is less than 86%, the melting point is lowered. When it exceeds 96%, the melting point tends to become too high.

이러한 상기 화학식 2의 (A) 성분은, 일반적으로 4관능 실란 유래의 Q 단위[SiO4/2], 3관능 실란 유래의 T 단위[R3SiO3/2(R3은 상기한 바와 같고, 이하 동일함)], 2관능 실란 유래의 D 단위[R3SiO2/2], 1관능 실란 유래의 M 단위[R3SiO1/2]의 조합으로 표현할 수 있지만, (A) 성분을 이 표기법으로 나타냈을 때, 전체 실록산 단위의 총 몰수에 대하여, R3SiO3/2로 표시되는 T 단위의 함유 몰수의 비율이 70 몰% 이상, 바람직하게는 75 몰% 이상, 특히 바람직하게는 80 몰% 이상인 것이 바람직하다. T 단위가 70 몰% 미만이면, 경도, 밀착성, 개관 등의 종합적인 균형이 무너지는 경우가 있다. 또한, 잔부는 M, D, Q 단위이면 좋고, 이들 합이 30 몰% 이하인 것이 바람직하다. 융점에 대해서는, Q 및 T 단위가 많아질수록 융점이 높아지고, D, M 단위가 많아질수록 융점이 낮아지는 경향이 있다. R3SiO3/2로 표시되는 T 단위의 함유 몰수의 비율이 70 몰% 이상, 나머지 30 몰% 이하가 D 단위인 것이 보다 바람직하다.The component (A) of the above-mentioned formula (2) is generally a Q unit derived from a tetrafunctional silane [SiO 4/2 ], a T unit derived from a trifunctional silane [R 3 SiO 3/2 (R 3 is as defined above, R 3 SiO 2/2 ] derived from a bifunctional silane, and an M unit [R 3 SiO 1/2 ] derived from a monofunctional silane, the component (A) may be represented by the following formula The ratio of the number of moles of T units represented by R 3 SiO 3/2 to the total number of moles of all siloxane units is 70 mol% or more, preferably 75 mol% or more, particularly preferably 80 mol% or more, Mol% or more. If the T unit is less than 70 mol%, the overall balance of hardness, adhesion, overview and the like may be disrupted. The balance may be an M, D or Q unit, and the sum thereof is preferably 30 mol% or less. With respect to the melting point, the higher the Q and T units, the higher the melting point, and the higher the D and M units, the lower the melting point. It is more preferable that the ratio of the molar amount of the T unit represented by R 3 SiO 3/2 is 70 mol% or more and the remaining 30 mol% or less is the D unit.

(A) 성분의 융점은 40 내지 130 ℃이고, 바람직하게는 70 내지 80 ℃이다. 40 ℃ 미만인 경우에는, 고체상이 아니게 되고, 고체 표면의 끈적임이 많아져 트랜스퍼 성형이 어려워지고, 130 ℃를 초과하는 경우는 유동성이 없어져 트랜스퍼 성형이 곤란해진다.The melting point of the component (A) is 40 to 130 캜, preferably 70 to 80 캜. If the temperature is lower than 40 ° C, the solid phase is not formed, and the solid surface becomes more sticky to make the transfer molding difficult. If the temperature exceeds 130 ° C, the fluidity is lost and transfer molding becomes difficult.

이러한 (A) 성분은 하기 화학식 3으로 표시되는 오르가노실란의 가수분해 축합물로서 얻을 수 있다.The component (A) can be obtained as a hydrolysis-condensation product of an organosilane represented by the following general formula (3).

Figure 112010056350105-pat00006
Figure 112010056350105-pat00006

(식 중, R3은 상기한 바와 같다. X는 염소 등의 할로겐 원자 또는 알콕시기, 특히 탄소수 1 내지 4의 알콕시기이고, n은 1, 2 또는 3이다)(Wherein, R 3 is as defined above. X is a halogen atom or an alkoxy group, especially an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as chlorine, n is 1, 2 or 3)

이 경우, X로는 고체상의 오르가노폴리실록산을 얻는다는 점에서는, 할로겐 원자, 특히 염소 원자인 것이 바람직하다.In this case, X is preferably a halogen atom, particularly a chlorine atom, from the viewpoint of obtaining a solid organopolysiloxane.

또한, 상기 화학식 3에서의 n은 1 내지 3의 정수를 나타낸다. n이 2 또는 3인 경우, 즉 R3이 복수개 있는 경우, 각 R3은 서로 동일하거나 상이할 수도 있다. n은, 고형상의 폴리실록산을 얻을 수 있다는 점에서 n=1인 것이 바람직하다.In the above formula (3), n represents an integer of 1 to 3. when n is 2 or 3, that is, if there is a plurality of R 3, each R 3 may be the same or different from each other. n is preferably n = 1 in that a solid polysiloxane can be obtained.

상기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물로는, 예를 들면 메틸트리클로로실란, 에틸트리클로로실란, 페닐트리클로로실란, 메틸비닐디클로로실란, 비닐트리클로로실란, 디페닐디클로로실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 오르가노트리클로로실란 및 오르가노트리알콕시실란; 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 메틸비닐디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 메틸페닐디에톡시실란 등의 디오르가노디알콕시실란 등을 들 수 있다. 특히 메틸트리클로로실란을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이것에 페닐트리클로로실란을 병용하는 것도 유효하다.Examples of the silane compound represented by the general formula (3) include methyltrichlorosilane, ethyltrichlorosilane, phenyltrichlorosilane, methylvinyldichlorosilane, vinyl trichlorosilane, diphenyldichlorosilane, methyltrimethoxysilane, Organotrichlorosilanes such as methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, and phenyltriethoxysilane, and organotrialkoxysilanes; And diorganoalkoxysilane such as dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, methylvinyldimethoxysilane, methylphenyldimethoxysilane, methylphenyldiethoxysilane, and the like. It is particularly preferable to use methyltrichlorosilane. It is also effective to use phenyltrichlorosilane in combination.

또한, 이들 실란 화합물은 T 단위를 70 몰% 이상 포함하는 실라놀기 함유 오르가노폴리실록산을 얻는다는 점에서, 트리클로로실란이나 트리알콕시실란의 사용량을 선정하는 것이 바람직하다.The amount of trichlorosilane or trialkoxysilane to be used is preferably selected from the viewpoint of obtaining a silanol group-containing organopolysiloxane containing 70 mol% or more of T units.

상기 가수분해성기를 가지는 실란 화합물의 가수분해 및 축합은, 통상의 방법으로 행하면 되지만, 예를 들면 아세트산, 염산, 황산 등의 산 촉매, 또는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄히드록시드 등의 알칼리 촉매의 존재하에서 행하는 것이 바람직하다. 예를 들면 가수분해성기로서 염소기를 함유하는 실란을 사용하는 경우는, 수소 첨가에 의해서 발생하는 염산을 촉매로 하여, 목적으로 하는 적절한 분자량의 가수분해 축합물을 얻을 수 있다.The hydrolysis and condensation of the silane compound having a hydrolysable group may be carried out by a conventional method. For example, an acid catalyst such as acetic acid, hydrochloric acid, or sulfuric acid, or an alkali such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or tetramethylammonium hydroxide It is preferably carried out in the presence of a catalyst. For example, when a silane containing a chlorine group is used as the hydrolyzable group, a desired hydrolysis condensate having a desired molecular weight can be obtained using hydrochloric acid generated by hydrogenation as a catalyst.

가수분해 및 축합시에 첨가되는 물의 양은, 상기 가수분해성기를 가지는 실란 화합물 중 가수분해성기(예를 들면 염소기의 경우)의 합계량 1 몰당, 통상 0.9 내지 1.6 몰이고, 바람직하게는 1.0 내지 1.3 몰이다. 이 첨가량이 0.9 내지 1.6 몰의 범위를 만족시키면, 후술하는 조성물은 작업성이 우수하고, 그의 경화물은 강인성이 우수한 것이 된다.The amount of water to be added at the time of hydrolysis and condensation is usually 0.9 to 1.6 mol, preferably 1.0 to 1.3 mol, per mol of the total amount of the hydrolyzable group (for example, a chlorine group) in the silane compound having the hydrolysable group to be. When the added amount satisfies the range of 0.9 to 1.6 moles, the composition described later is excellent in workability and the cured product thereof is excellent in toughness.

상기 가수분해성기를 가지는 실란 화합물은, 통상 알코올류, 케톤류, 에스테르류, 셀로솔브류, 방향족 화합물류 등의 유기 용제 중에서 가수분해하여 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 이소부틸알코올, n-부탄올, 2-부탄올 등의 알코올류, 방향족 화합물로서 톨루엔, 크실렌이 바람직하고, 조성물의 경화성 및 경화물의 강인성이 우수한 것이 되기 때문에, 이소프로필알코올, 톨루엔 병용계가 보다 바람직하다.The silane compound having a hydrolysable group is preferably hydrolyzed and used in an organic solvent such as an alcohol, a ketone, an ester, a cellosolve or an aromatic compound. Specific examples thereof include alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, isobutyl alcohol, n-butanol and 2-butanol, and aromatic compounds such as toluene and xylene. The curing property of the composition and the toughness , It is more preferable to use isopropyl alcohol or a combination of toluene.

이 경우, 가수분해 및 축합의 반응 온도는, 바람직하게는 10 내지 120 ℃, 보다 바람직하게는 20 내지 100 ℃이다. 반응 온도가 이러한 범위를 만족시키면 겔화하지 않고, 다음 공정에 사용 가능한 고체의 가수분해 축합물이 얻어진다.In this case, the reaction temperature for the hydrolysis and condensation is preferably 10 to 120 캜, more preferably 20 to 100 캜. When the reaction temperature satisfies this range, a hydrolysis-condensation product of a solid which can be used in the subsequent step is obtained without gelation.

구체적 합성 방법으로서 메틸트리클로로실란을 이용하는 경우, 톨루엔에 용해된 메틸트리클로로실란에 물 및 이소프로필알코올을 첨가하여 부분 가수분해(반응 온도 -5 내지 100 ℃)하고, 그 후 잔존하는 염소기의 전량을 가수분해하는 물을 첨가하여 반응시킴으로써, 융점 76 ℃의 고체 실리콘 중합체가 얻어진다.When methyltrichlorosilane is used as a specific synthesis method, water and isopropyl alcohol are added to methyltrichlorosilane dissolved in toluene to partially hydrolyze (reaction temperature is -5 to 100 ° C), and then the remaining chlorine group And a solid silicone polymer having a melting point of 76 캜 is obtained by adding water for hydrolyzing the whole amount and reacting.

이와 같이 해서 목적으로 하는 오르가노폴리실록산이 얻어진다. 이 오르가노폴리실록산의 융점은 50 내지 100 ℃이고, 바람직하게는 70 내지 80 ℃이다. 50 ℃ 미만 및 100 ℃를 초과한 경우에는, 후속 공정의 혼합 작업성으로 혼련이 어려워지는 문제가 발생한다.Thus, an aimed organopolysiloxane is obtained. The melting point of the organopolysiloxane is 50 to 100 캜, preferably 70 to 80 캜. When the temperature is lower than 50 DEG C and higher than 100 DEG C, there is a problem that kneading becomes difficult due to the mixing workability of subsequent steps.

(B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물(B) Triazine derivative epoxy resin composition

본 발명에서 이용되는 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물은, 하기 (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지와 (B-2) 산 무수물을 포함하는 것이 바람직하다.The triazine derivative epoxy resin composition used in the present invention preferably contains the following (B-1) triazine derivative epoxy resin and (B-2) acid anhydride.

(B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지(B-1) triazine derivative epoxy resin

본 발명에서 이용되는 트리아진 유도체 에폭시 수지로는 1,3,5-트리아진 핵 유도체 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 특히 이소시아누레이트환을 가지는 에폭시 수지는 내광성이나 전기 절연성이 우수하고, 1개의 이소시아누레이트환에 대하여 2개, 보다 바람직하게는 3개의 에폭시기를 가지는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트, 트리스(α-메틸글리시딜)이소시아누레이트, 트리스(α-메틸글리시딜)이소시아누레이트 등을 사용할 수 있다.The triazine derived epoxy resin used in the present invention is preferably a 1,3,5-triazine nucleus derivative epoxy resin. Especially, an epoxy resin having an isocyanurate ring is preferable because it has excellent light resistance and electrical insulation, and has two epoxy groups, more preferably three epoxy groups, per one isocyanurate ring. Specifically, tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate, tris (? -Methyl glycidyl) isocyanurate, tris (? - methylglycidyl) isocyanurate and the like can be used .

본 발명에서 이용하는 트리아진 유도체 에폭시 수지의 연화점은 90 내지 125 ℃인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서, 이 트리아진 유도체 에폭시 수지로는 트리아진환을 수소화한 것은 포함하지 않는다.The softening point of the triazine derived epoxy resin used in the present invention is preferably 90 to 125 캜. In the present invention, the triazine derivative epoxy resin does not include hydrogenated triazine rings.

또한, 필요에 따라서 상기 이외의 에폭시 수지를 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 일정량 이하, 바람직하게는 트리아진 유도체 에폭시 수지 100 질량부에 대하여 30 질량부 이하, 특히 10 질량부 이하에서 병용할 수 있다. 이 에폭시 수지의 예로서, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-비페놀형 에폭시 수지 또는 4,4'-비페놀형 에폭시 수지와 같은 비페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌디올형 에폭시 수지, 트리스페닐올메탄형 에폭시 수지, 테트라키스페닐올에탄형 에폭시 수지 및 페놀디시클로펜타디엔노볼락형 에폭시 수지의 방향환을 수소화한 에폭시 수지나 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지 중에서도 내열성이나 내자외선성으로부터 방향환을 수소화한 에폭시 수지나 지환식 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 그 밖의 에폭시 수지의 연화점은 70 내지 100 ℃인 것이 바람직하다.If necessary, epoxy resins other than those described above may be used in a certain amount within the range not to impair the effects of the present invention, preferably 30 parts by mass or less, particularly 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the triazine derivative epoxy resin . Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-biphenol type epoxy resin or 4,4'-biphenol Phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, trisphenylol methane type epoxy resin, tetrakisphenyl An epoxy resin obtained by hydrogenating an aromatic ring of an all ethane-type epoxy resin and a phenol dicyclopentadiene novolak-type epoxy resin, and an alicyclic epoxy resin. Of these epoxy resins, epoxy resins obtained by hydrogenating aromatic rings from heat resistance and ultraviolet ray resistance and alicyclic epoxy resins are preferred. The other epoxy resin preferably has a softening point of 70 to 100 캜.

(B-2) 산 무수물(B-2) acid anhydride

본 발명에서 이용되는 (B-2) 성분의 산 무수물은, 경화제로서 작용하는 것이고, 내광성을 제공하기 위해서 비방향족이며, 탄소-탄소 이중 결합을 가지지 않는 것이 바람직하고, 예를 들면 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산, 수소화메틸나드산 무수물 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도 메틸헥사히드로 무수 프탈산이 바람직하다. 이들 산 무수물계 경화제는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 병용할 수도 있다.The acid anhydride of the component (B-2) used in the present invention acts as a curing agent and is preferably non-aromatic in order to provide light resistance and does not have a carbon-carbon double bond. Examples thereof include hexahydrophthalic anhydride Methylhexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride and hydrogenated methylnadonic anhydride, among which methylhexahydrophthalic anhydride is preferable. These acid anhydride-based curing agents may be used singly or in combination of two or more kinds.

산 무수물계 경화제의 배합량으로는, 상기한 트리아진 유도체 에폭시 수지의 에폭시기 1 당량에 대하여, 산 무수물기가 0.6 내지 2.0 당량이고, 바람직하게는 1.0 내지 2.0 당량, 더욱 바람직하게는 1.2 내지 1.6 당량이다. 0.6 당량 미만이면 경화 불량이 발생하고, 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 2.0 당량을 초과하는 양이면 미반응 경화제가 경화물 중에 남아, 얻어지는 경화물의 내습성을 악화시키는 경우가 있다.The compounding amount of the acid anhydride-based curing agent is 0.6 to 2.0 equivalents, preferably 1.0 to 2.0 equivalents, more preferably 1.2 to 1.6 equivalents, of the acid anhydride group per one equivalent of the epoxy group of the above-mentioned triazine derivative epoxy resin. If the amount is less than 0.6 equivalents, the curing defects may occur and the reliability may be lowered. If the amount is more than 2.0 equivalents, the unreacted curing agent remains in the cured product to deteriorate the moisture resistance of the obtained cured product.

또한, 본 발명에서는 (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지와 (B-2) 산 무수물을 에폭시기 당량/산 무수물기 당량 0.6 내지 2.0, 더욱 바람직하게는 1.2 내지 1.6으로 배합하고, 바람직하게는 하기의 (F) 산화 방지제 및/또는 (E) 경화 촉진제의 존재하에서 반응하여 얻어진 고형물의 분쇄물을 수지 성분으로서 사용할 수도 있다. 0.6 당량 미만이면 경화 불량이 발생하고, 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 2.0 당량을 초과하는 양이면 미반응 경화제가 경화물 중에 남아, 얻어지는 경화물의 내습성을 악화시키는 경우가 있다. 경화성 수지 조성물로는 상기 고형물을 사용한 것이 작업성이 양호한 고형의 열경화성 수지로서 사용할 수 있기 때문에 바람직하다.In the present invention, the triazine-derivative epoxy resin (B-1) and the acid anhydride (B-2) are mixed in an equivalent weight of epoxy group / acid anhydride group of 0.6 to 2.0, more preferably 1.2 to 1.6, In the presence of (F) an antioxidant and / or (E) a curing accelerator may be used as the resin component. If the amount is less than 0.6 equivalents, the curing defects may occur and the reliability may be lowered. If the amount is more than 2.0 equivalents, the unreacted curing agent remains in the cured product to deteriorate the moisture resistance of the obtained cured product. As the curable resin composition, it is preferable to use the solid material because it can be used as a solid thermosetting resin having good workability.

상세한 반응 조건으로는, 상기한 (B-1), (B-2) 성분, 바람직하게는 (B-1), (B-2) 성분에 (F) 성분의 산화 방지제를 가하고, 미리 70 내지 120 ℃, 바람직하게는 80 내지 110 ℃에서 4 내지 20 시간, 바람직하게는 6 내지 15 시간 동안 반응시키거나, 또는 (B-1), (B-2) 성분에 (E) 성분의 경화 촉진제를 가하고, 또는 (B-1), (B-2) 성분에 (F), (E) 성분을 가하고, 미리 30 내지 80 ℃, 바람직하게는 40 내지 60 ℃에서 10 내지 72 시간, 바람직하게는 36 내지 60 시간 동안 반응시켜, 연화점이 50 내지 100 ℃, 바람직하게는 60 내지 90 ℃인 고형물로 하고, 이를 분쇄하여 배합하는 것이 바람직하다. 반응하여 얻어지는 물질의 연화점이 50 ℃ 미만이면 고형물이 되지 않고, 100 ℃를 초과하는 온도에서는 유동성이 저하될 우려가 있다.As the detailed reaction condition, the antioxidant of the component (F) is added to the components (B-1) and (B-2), preferably the components (B-1) (B-1) to the component (B-2) at 120 to 120 ° C., preferably 80 to 110 ° C. for 4 to 20 hours, preferably 6 to 15 hours, Or the components (F) and (E) are added to the components (B-1) and (B-2) and the mixture is preliminarily heated at 30 to 80 ° C, preferably 40 to 60 ° C for 10 to 72 hours, For 60 hours to obtain a solid having a softening point of 50 to 100 占 폚, preferably 60 to 90 占 폚, and pulverizing and mixing the resultant mixture. When the softening point of the substance obtained by the reaction is less than 50 캜, it does not become a solid, and when the temperature exceeds 100 캜, the fluidity may decrease.

상기 고형물 [(B) 성분]은, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물이 예시된다.The solid [component (B)] is exemplified by a compound represented by the following formula (4).

Figure 112010056350105-pat00007
Figure 112010056350105-pat00007

(식 중, R은 산 무수물 잔기이고, m은 0 내지 200의 수이다)(Wherein R is an acid anhydride residue and m is a number of 0 to 200)

(A) 성분의 열경화성 실리콘 수지와 (B) 성분의 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물의 배합 비율 (A)/(B)는 5 질량부/95 질량부 내지 95 질량부/5 질량부의 범위가 바람직하다. (A)/(B)가 5 질량부/95 질량부 미만이면 내후성이 불충분해지고, 95 질량부/5 질량부를 초과하면 강도가 부족하고, 프리몰드 패키지의 신뢰성이 불충분해진다. 보다 바람직하게는 (A)/(B)는 10 질량부/90 질량부 내지 90 질량부/10 질량부, 더욱 바람직하게는 20 질량부/80 질량부 내지 80 질량부/20 질량부의 범위이다.(A) / (B) of the thermosetting silicone resin as the component (A) and the triazine derivative epoxy resin composition as the component (B) is preferably in the range of 5 parts by mass / 95 parts by mass to 95 parts by mass / 5 parts by mass . When the amount of the component (A) / (B) is less than 5 parts by mass / 95 parts by mass, the weatherability becomes insufficient, and when exceeding 95 parts by mass / 5 parts by mass, the strength is insufficient and the reliability of the preformed package becomes insufficient. More preferably, (A) / (B) is in a range of 10 parts by mass / 90 parts by mass to 90 parts by mass / 10 parts by mass, more preferably 20 parts by mass / 80 parts by mass and 80 parts by mass / 20 parts by mass.

(C) 백색 안료(C) a white pigment

본 발명에 따른 (C) 성분의 백색 안료는, 백색 착색제로서 백색도를 높이기 위해서 배합하는 것이고, 특히 LED용 프리몰드 패키지에 본 발명 조성물을 사용하는 경우는, 이산화티탄을 백색 착색제로서 백색도를 높이기 위해서 배합한다. 이 이산화티탄의 단위 격자는 루틸형, 아나타스형 중 어느 것이나 관계없다. 또한, 평균 입경이나 형상도 한정되지 않지만 소량으로 백색도를 높이기 위해서는 미분인 것이 바람직하다. 상기 이산화티탄은 수지나 무기 충전제와의 상용성, 분산성, 내광성을 높이기 위해서, Al이나 Si 등의 함수 산화물이나 실란 등으로 미리 표면 처리한 루틸형의 것을 이용하는 것이 좋다.The white pigment of the component (C) according to the present invention is added to enhance whiteness as a white colorant. In particular, when the composition of the present invention is used in a preformed package for an LED, titanium dioxide is used as a white colorant . The unit lattice of the titanium dioxide is not related to either the rutile type or the anatase type. In addition, the average particle size and shape are not limited, but it is preferable to be a derivative in order to increase whiteness with a small amount. The titanium dioxide is preferably a rutile type surface treated in advance with a hydrous oxide such as Al or Si, silane or the like in order to improve the compatibility with the resin or the inorganic filler, the dispersibility and the light resistance.

또한, 평균 입경이나 형상도 한정되지 않지만, 평균 입경은 통상 0.05 내지 5.0 ㎛, 바람직하게는 0.1 내지 3.0 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 1.0 ㎛이다.The average particle diameter and shape are not limited, but the average particle diameter is usually 0.05 to 5.0 mu m, preferably 0.1 to 3.0 mu m, more preferably 0.1 to 1.0 mu m.

또한, 평균 입경은 레이저 광 회절법에 의한 입도 분포 측정에서의 질량 평균값 D50(또는 메디안 직경)으로서 구할 수 있다.The average particle size can be obtained as a mass average value D 50 (or median diameter) in the particle size distribution measurement by the laser diffraction method.

또한, 백색 안료(백색 착색제)로서, 이산화티탄 이외에 각각 평균 입경 0.05 내지 5.0 ㎛, 특히 0.1 내지 3.0 ㎛의 티탄산칼륨, 산화지르콘, 황화아연, 산화아연, 알루미나, 산화마그네슘 등을 단독으로 또는 이산화티탄과 병용하여 사용할 수도 있다.As the white pigment (white colorant), potassium titanate, zirconium oxide, zinc sulfide, zinc oxide, alumina, magnesium oxide and the like having an average particle size of 0.05 to 5.0 mu m, particularly 0.1 to 3.0 mu m, Can also be used in combination.

백색 안료의 충전량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여 3 내지 200 질량부, 특히 5 내지 150 질량부, 특히 10 내지 120 질량부가 바람직하고, 또한 조성물 전체의 5 내지 40 질량%, 특히 10 내지 30 질량%가 바람직하다. 5 질량% 미만이면 충분한 백색도가 얻어지지 않는 경우가 있고, 40 질량%를 초과하면 유동성이 저하되고, 성형성에 문제점이 발생하여, 미충전이나 공극 등이 발생하는 경우가 있다.The amount of the white pigment to be added is preferably 3 to 200 parts by mass, particularly 5 to 150 parts by mass, particularly preferably 10 to 120 parts by mass, based on 100 parts by mass of the component (A), more preferably 5 to 40% by mass, 30% by mass is preferable. If it is less than 5% by mass, sufficient whiteness may not be obtained. If it is more than 40% by mass, the fluidity may be lowered and problems may occur in the formability, resulting in uncharged or voids.

(D) 무기 충전제(D) Inorganic filler

본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물에 배합되는 (D) 성분의 무기 충전제로는, 통상 에폭시 수지 조성물이나 실리콘 수지 조성물에 배합되는 것을 사용할 수 있지만, 상기 (C) 백색 안료는 제외된다. 예를 들면, 용융 실리카, 결정성 실리카 등의 실리카류, 알루미나, 산화마그네슘, 수산화알루미늄, 산화아연, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소, 추가로 유리 섬유, 규회석(Wollastonito) 등의 섬유상 충전제, 삼산화안티몬 등을 들 수 있다. 이들 무기 충전제는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 병용할 수도 있다.As the inorganic filler of the component (D) to be blended in the white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention, those blended in an epoxy resin composition or a silicone resin composition can be used, but the white pigment (C) is excluded. Examples of the filler include silica such as fused silica and crystalline silica, fibrous fillers such as alumina, magnesium oxide, aluminum hydroxide, zinc oxide, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, glass fibers and wollastonite, And the like. These inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명에서는, 특히 용융 실리카, 용융 구상 실리카가 바람직하게 이용되고, 그의 입경은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 성형성, 유동성으로부터 볼 때 평균 입경은 4 내지 50 ㎛, 특히 7 내지 45 ㎛가 바람직하다. 또한, 고유동화를 얻기 위해서는, 3 ㎛ 이하의 미세 영역, 4 내지 8 ㎛의 중입경 영역, 10 내지 50 ㎛의 조(粗)영역의 것을 조합하여, 평균 입경 4 내지 50 ㎛의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 협부를 가지는 프리몰드 패키지를 성형하는 경우나 언더필재로서 사용하는 경우는, 협부의 두께에 대하여 평균 입경이 1/2인 무기 충전제를 사용한 것이 좋다.In the present invention, particularly, fused silica and fused spherical silica are preferably used, and the particle size thereof is not particularly limited, but an average particle diameter is preferably 4 to 50 μm, more preferably 7 to 45 μm in view of moldability and fluidity. In addition, in order to obtain high fluidity, it is preferable to use a material having an average particle diameter of 4 to 50 mu m in combination with a fine region of 3 mu m or less, a medium-diameter region of 4 to 8 mu m, and a rough region of 10 to 50 mu m desirable. In the case of molding a preformed package having a shoulder or as an underfill material, it is preferable to use an inorganic filler having an average particle diameter of 1/2 of the thickness of the shoulder.

상기 무기 충전제는, 수지와 무기 충전제와의 결합 강도를 강하게 하기 위해서, 실란 커플링제, 티타네이트 커플링제 등의 커플링제로 미리 표면 처리한 것을 배합할 수도 있다.The inorganic filler may be blended with a surface-treated with a coupling agent such as a silane coupling agent or a titanate coupling agent in order to strengthen the bonding strength between the resin and the inorganic filler.

이러한 커플링제로는, 예를 들면 γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시 관능성 알콕시실란, N-β(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노 관능성 알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등의 메르캅토 관능성 알콕시실란 등을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 표면 처리에 이용하는 커플링제의 배합량 및 표면 처리 방법에 대해서는 특별히 제한되는 것은 아니다.Examples of such a coupling agent include epoxy compounds such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, Amino functional alkoxysilanes such as functional alkoxysilanes, N-β (aminoethyl) - γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane and N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane , mercapto functional alkoxysilane such as? -mercaptopropyltrimethoxysilane, and the like. The amount of the coupling agent used in the surface treatment and the surface treatment method are not particularly limited.

무기 충전제의 충전량은 (A) 열경화성 실리콘 수지, (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물의 총량 100 질량부에 대하여 100 내지 1,000 질량부, 특히 200 내지 900 질량부가 바람직하다. 100 질량부 미만이면 충분한 강도를 얻을 수 없을 우려가 있고, 1,000 질량부를 초과하면 증점에 의한 미충전 불량이나 유연성이 상실됨으로써, 소자 내의 박리 등의 불량이 발생하는 경우가 있다. 또한, 이 무기 충전제는 조성물 전체의 45 내지 90 질량%, 보다 바람직하게는 50 내지 90 질량%의 범위에서 함유하는 것이 바람직하다. 또한, (C) 성분과 (D) 성분의 합계량이 조성물 전체의 50 내지 95 질량%인 것이 바람직하다.The amount of the inorganic filler to be filled is preferably 100 to 1,000 parts by mass, particularly preferably 200 to 900 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of (A) the thermosetting silicone resin and (B) the triazine derivative epoxy resin composition. If the amount is less than 100 parts by mass, sufficient strength may not be obtained. If the amount is more than 1,000 parts by mass, defective filling or flexibility due to thickening may be lost, resulting in peeling or the like in the element. The inorganic filler is preferably contained in an amount of 45 to 90% by mass, more preferably 50 to 90% by mass, of the entire composition. The total amount of the component (C) and the component (D) is preferably from 50 to 95 mass% of the entire composition.

(E) 경화 촉진제(E) Curing accelerator

이 (E) 성분의 경화 촉진제로는, 에폭시 수지 조성물의 경화 촉진제로서 공지된 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 제3급 아민류, 이미다졸류, 이들의 유기 카르복실산염, 유기 카르복실산 금속염, 금속-유기 킬레이트 화합물, 방향족 술포늄염, 유기 포스핀 화합물류, 포스포늄 화합물류 등의 인계 경화 촉매, 이들 염류 등의 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 이미다졸류, 인계 경화 촉매, 예를 들면 2-에틸-4-메틸이미다졸 또는 메틸-트리부틸포스포늄-디메틸포스페이트, 제4급 포스포늄브로마이드가 더욱 바람직하다.As the curing accelerator for the component (E), those known as curing accelerators for the epoxy resin composition can be used, and although not particularly limited, tertiary amines, imidazoles, organic carboxylic acid salts thereof, organic carboxylic acid Phosphorus-based curing catalysts such as metal salts, metal-organic chelate compounds, aromatic sulfonium salts, organic phosphine compounds and phosphonium compounds, and salts thereof. Among them, imidazoles, phosphorus-based curing catalysts such as 2-ethyl-4-methylimidazole or methyl-tributylphosphonium-dimethylphosphate and quaternary phosphonium bromide are more preferable.

경화 촉진제의 사용량은, 조성물 전체의 0.05 내지 5 질량%, 특히 0.1 내지 2 질량%의 범위 내에서 배합하는 것이 바람직하다. 상기 범위를 벗어나면, 조성물의 경화물의 내열성 및 내습성의 균형이 악화될 우려가 있다.The curing accelerator is preferably used in an amount of 0.05 to 5% by mass, particularly 0.1 to 2% by mass, based on the entire composition. Outside of the above range, the balance between heat resistance and moisture resistance of the cured product of the composition may deteriorate.

(F) 산화 방지제(F) Antioxidant

본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물에 이용되는 (F) 성분의 산화 방지제로는, 고온하에서의 장기간 내열성, 내후성을 유지한다는 점에서는 인계 산화 방지제를 이용한다.As the antioxidant of the component (F) used in the white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention, a phosphorus-based antioxidant is used in view of maintaining long-term heat resistance and weather resistance at a high temperature.

이 인계 산화 방지제로는, 하기 화학식 1로 표시되는 것을 사용한다.As the phosphorus-containing antioxidant, those represented by the following general formula (1) are used.

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

Figure 112010056350105-pat00008
Figure 112010056350105-pat00008

(식 중, R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 이상의 유기기이고, 특히 탄소수 6 내지 20, 특히 8 내지 16의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기가 바람직하지만, 광에 대한 안정성의 측면에서 R1, R2 중 어느 하나 또는 모두가 알킬기인 것이 바람직하다)(Wherein R 1 and R 2 are the same or different organic groups having 6 or more carbon atoms and particularly preferably an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms, particularly 8 to 16 carbon atoms and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, It is preferable that either one or both of R 1 and R 2 is an alkyl group)

인계 산화 방지제로는 트리옥틸포스파이트, 디옥틸모노데실포스파이트, 디데실모노옥틸포스파이트, 트리데실포스파이트, 디페닐모노옥틸포스파이트, 디페닐모노데실포스파이트, 디(p-크레실)모노(트리데실)포스파이트, 트리스(2-에틸헥실)포스파이트, 디페닐모노(트리데실)포스파이트 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 트리데실포스파이트가 바람직하다.Examples of the phosphorus antioxidant include trioctyl phosphite, dioctyl monodecyl phosphite, didecyl mono octyl phosphite, tridecyl phosphite, diphenyl monooctyl phosphite, diphenyl monodecyl phosphite, di (p-cresyl) Mono (tridecyl) phosphite, tris (2-ethylhexyl) phosphite, diphenylmono (tridecyl) phosphite and the like. Among them, tridecyl phosphite is preferable.

산화 방지제의 배합량은, 조성물 전체의 0.01 내지 10 질량%, 특히 0.03 내지 5 질량%로 하는 것이 바람직하다. 배합량이 지나치게 적으면 충분한 내열성이 얻어지지 않고, 변색되는 경우가 있으며, 지나치게 많으면 경화 저해를 일으켜, 충분한 경화성, 강도를 얻을 수 없는 경우가 있다.The blending amount of the antioxidant is preferably 0.01 to 10% by mass, particularly 0.03 to 5% by mass, based on the whole composition. If the blending amount is too small, sufficient heat resistance can not be obtained and discoloration may occur. When the blending amount is excessively large, curing hindrance may occur and sufficient curability and strength may not be obtained.

(G) 그 밖의 첨가제(G) Other additives

본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물에는, 필요에 따라서 하기의 실리콘 수지용 경화 촉매 등 각종 첨가제를 더 배합할 수 있다.The white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention may further contain various additives such as the following curing catalyst for silicone resin, if necessary.

경화 촉매Curing catalyst

본 발명에 따른 경화 촉매는 열경화성 실리콘 수지를 경화시키는 축합 경화 촉매이다. 이 축합 경화 촉매로는, 예를 들면 트리메틸벤질암모늄히드록시드, 테트라메틸암모늄히드록시드, n-헥실아민, 트리부틸아민, 디아자비시클로운데센(DBU), 디시안디아미드 등의 염기성 화합물류; 테트라이소프로필티타네이트, 테트라부틸티타네이트, 티탄아세틸아세토네이트, 알루미늄트리이소부톡시드, 알루미늄트리이소프로폭시드, 지르코늄테트라(아세틸아세토네이트), 지르코늄테트라부티레이트, 코발트옥틸레이트, 코발트아세틸아세토네이트, 철아세틸아세토네이트, 주석아세틸아세토네이트, 디부틸주석옥틸레이트, 디부틸주석라우레이트 등의 금속 함유 화합물류, 알루미늄트리스아세틸아세토네이트, 알루미늄비스에틸아세토아세테이트·모노아세틸아세토네이트, 디이소프로폭시비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디이소프로폭시비스(에틸아세토아세테이트)티탄 등의 유기 티탄킬레이트 화합물 등을 들 수 있다. 이 중에서 특히 옥틸산아연, 벤조산아연, p-tert-부틸벤조산아연, 라우르산아연, 스테아르산아연, 알루미늄트리이소프로폭시드가 바람직하다. 그 중에서도 벤조산아연, 유기 티탄킬레이트 화합물이 바람직하게 사용된다.The curing catalyst according to the present invention is a condensation curing catalyst for curing a thermosetting silicone resin. Examples of the condensation curing catalyst include basic compounds such as trimethylbenzylammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, n-hexylamine, tributylamine, diazabicyclo-undecene (DBU) and dicyandiamide ; Tetrabutyl titanate, tetrabutyl titanate, titanium acetylacetonate, aluminum triisobutoxide, aluminum triisopropoxide, zirconium tetra (acetylacetonate), zirconium tetrabutyrate, cobalt octylate, cobalt acetylacetonate, Metal-containing compounds such as iron acetylacetonate, tin acetylacetonate, dibutyltin octylate and dibutyltin laurate, aluminum trisacetylacetonate, aluminum bisethylacetoacetate monoacetylacetonate, diisopropoxybis (Ethyl acetoacetate) titanium, diisopropoxybis (ethylacetoacetate) titanium, and the like. Of these, zinc octylate, zinc benzoate, zinc p-tert-butylbenzoate, zinc laurate, zinc stearate and aluminum triisopropoxide are particularly preferable. Among them, zinc benzoate and an organic titanium chelate compound are preferably used.

에폭시 수지 조성물과 실리콘 수지를 거의 동시에 경화시키기 위해서는, 이들 촉매와 (E) 경화 촉진제를 병용하거나, 경우에 따라서는 1종의 촉매로 양쪽 조성물을 경화시킬 수도 있다.In order to harden the epoxy resin composition and the silicone resin substantially at the same time, these catalysts and (E) curing accelerator may be used in combination or, in some cases, both compositions may be cured with one type of catalyst.

경화 촉매의 배합량은 (A) 성분 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 6 질량부이다.The blending amount of the curing catalyst is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 6 parts by mass based on 100 parts by mass of the component (A).

또한, 필요에 따라서, 상기 이외의 에폭시 수지를 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 일정량 이하 병용할 수 있다. 이 에폭시 수지의 예로서, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-비페놀형 에폭시 수지 또는 4,4'-비페놀형 에폭시 수지와 같은 비페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌디올형 에폭시 수지, 트리스페닐올메탄형 에폭시 수지, 테트라키스페닐올에탄형 에폭시 수지 및 페놀디시클로펜타디엔노볼락형 에폭시 수지의 방향환을 수소화한 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 그 밖의 에폭시 수지의 연화점은 70 내지 100 ℃인 것이 바람직하다.If necessary, an epoxy resin other than the above may be used together with a certain amount or less within the range not to impair the effect of the present invention. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-biphenol type epoxy resin or 4,4'-biphenol Phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, trisphenylol methane type epoxy resin, tetrakisphenyl An epoxy resin obtained by hydrogenating an aromatic ring of an olefin type epoxy resin and a phenol dicyclopentadiene novolak type epoxy resin, and the like. The other epoxy resin preferably has a softening point of 70 to 100 캜.

그 밖에, 예를 들면 수지의 성질을 개선시키는 목적으로 여러가지 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머, 유기 합성 고무, 실리콘계 등의 저응력제, 왁스류, 실란이나 티탄계의 커플링제, 할로겐트랩제 등의 첨가제를 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 첨가 배합할 수 있다.In addition, additives such as various thermoplastic resins, thermoplastic elastomers, organic synthetic rubbers, silicone-based low stress agents, waxes, silane or titanium-based coupling agents, and halogen trap agents may be added for the purpose of improving the properties of the resin It can be added and added in a range that does not impair the effect of the present invention.

본 발명의 (A) 내지 (F)를 필수 성분으로 하는 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물을 경화시킨 경화물의 380 내지 750 nm에서의 반사율은, 초기값으로 70 % 이상, 180 ℃, 24 시간 동안 열화 테스트 후 반사율이 70 % 이상인 것이 바람직하다. 반사율이 70 % 미만이면, LED용 반도체 소자 케이스용으로서, 사용상 사용 기간이 짧아지는 문제가 발생한다.The reflectance at 380 to 750 nm of the cured product obtained by curing the silicone epoxy hybrid resin composition containing the essential components (A) to (F) of the present invention was 70% or more as an initial value, and after deterioration test at 180 占 폚 for 24 hours It is preferable that the reflectance is 70% or more. If the reflectance is less than 70%, there arises a problem that the use period for the semiconductor element case for LEDs is shortened in use.

본 발명의 조성물을 통상의 반도체용 밀봉재나 차량 탑재용 각종 모듈 등의 밀봉에 사용하는 경우, 착색제로서 카본 블랙 등을 이용한다. 카본 블랙으로는 시판되어 있는 것이면 어떠한 것도 사용할 수 있지만, 바람직하게는 알칼리 금속이나 할로겐을 많이 포함하지 않는 순도가 양호한 것이 바람직하다.When the composition of the present invention is used for sealing a usual semiconductor sealing material or various modules for vehicle mounting, carbon black or the like is used as a coloring agent. As the carbon black, any commercially available carbon black can be used, but preferably it is preferable that the carbon black contains a large amount of an alkali metal or a halogen and a good purity.

본 발명 조성물의 제조 방법으로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉매, 충전제, 그 밖의 첨가물을 소정의 조성비로 배합하고, 이를 믹서 등에 의해서 충분히 균일하게 혼합한 후, 열 롤, 혼련기, 익스트루더 등에 의한 용융 혼합 처리를 행하고, 이어서 냉각 고화시켜 적당한 크기로 분쇄하여 에폭시 수지 조성물의 성형 재료로 할 수 있다.As the method for producing the composition of the present invention, a silicone resin, an epoxy resin, a curing agent, a curing catalyst, a filler, and other additives are compounded in a predetermined composition ratio and sufficiently uniformly mixed by a mixer or the like, Truing and the like, followed by cooling and solidifying and pulverizing to an appropriate size to obtain a molding material for an epoxy resin composition.

이와 같이 하여 얻어진 본 발명의 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물은 성형성, 내열성이나 내광성, 특히 내자외선성이 우수하기 때문에 백색이나 청색, 또한 자외 LED용 프리몰드 패키지용에 바람직할 뿐 아니라, 태양 전지용 패키지 재료로서도 최적인 것이다.The silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention thus obtained is excellent in moldability, heat resistance and light fastness, particularly excellent in ultraviolet ray resistance, and therefore is preferable not only for white and blue, but also for preformed packages for ultraviolet LEDs, .

또한, 리드부나 패드부가 형성된 매트릭스 어레이형의 금속 기판이나 유기 기판 상에서, LED 소자 탑재 부분만을 비운 상태로 본 재료를 이용하여 일괄 밀봉하는 프리몰드 패키지도 본 발명의 범주에 포함된다.Also included in the scope of the present invention is a matrix-type metal substrate or an organic substrate on which a lead portion or a pad portion is formed, in which only the LED element mounting portion is not occupied and the package is sealed with this material.

또한, 통상의 반도체용 밀봉재나 차량 탑재용 각종 모듈 등의 밀봉에도 사용할 수 있다.It can also be used for sealing of ordinary semiconductor sealing materials and various modules for vehicle mounting.

여기서, 본 발명의 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물을 이용한 반도체 소자의 일례인 LED 반사경의 단면도를 도 1에 나타낸다. 도 1에서 표시되는 LED는, 화합물 반도체로 이루어지는 반도체 소자 (1)이 리드 프레임 (2a)에 다이본드되고, 추가로 본딩 와이어 (3)에 의해 별도의 리드 프레임 (2b)에 와이어본드되어 있다. 이들 소자는 투명 밀봉 수지 (4)에 의해 피복되어 있다. 또한, 이 밀봉 수지 (4)에 의해 피복된 반도체 소자는 본 발명의 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 경화물(백색 반사경으로서의 광 반도체 케이스) (5)에 의해 유지(수지 밀봉)되어 있다. 또한, (6)은 렌즈이다.Here, FIG. 1 shows a cross-sectional view of an LED reflector, which is an example of a semiconductor device using a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming a photosemiconductor substrate of the present invention. In the LED shown in Fig. 1, a semiconductor element 1 made of a compound semiconductor is die-bonded to a lead frame 2a and further wire-bonded to a separate lead frame 2b by a bonding wire 3. These elements are covered with a transparent sealing resin 4. The semiconductor element covered with the sealing resin 4 is held by a cured product (optical semiconductor case 5 as a white reflector) of the white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for forming an optical semiconductor substrate of the present invention ). (6) is a lens.

본 발명의 조성물을 이용한 반도체 소자의 일례인 포토커플러의 단면도를 도 2에 나타낸다. 도 2에서 표시되는 포토커플러는, 화합물 반도체로 이루어지는 반도체 소자 (11)이 리드 프레임 (12)에 다이본드되고, 추가로 본딩 와이어 (13)에 의해 별도의 리드 프레임(도시하지 않음)에 와이어본드되어 있다. 또한, 이 반도체 소자 (11)과 대향하도록 수광용의 반도체 소자 (14)가 리드 프레임 (15) 상에 다이본드되고, 추가로 본딩 와이어 (16)에 의해 별도의 리드 프레임(도시하지 않음)에 와이어본드되어 있다. 이들 반도체 소자 사이는 투명 밀봉 수지 (17)에 의해 충전되어 있다. 또한, 이 밀봉 수지 (17)에 의해 피복된 반도체 소자는 본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물 (18)에 의해 수지 밀봉되어 있다.Fig. 2 shows a sectional view of a photocoupler which is an example of a semiconductor device using the composition of the present invention. 2, a semiconductor element 11 made of a compound semiconductor is die-bonded to a lead frame 12 and further bonded to a separate lead frame (not shown) by a bonding wire 13, . The semiconductor element 14 for light reception is die-bonded on the lead frame 15 so as to face the semiconductor element 11 and further bonded to a separate lead frame (not shown) by the bonding wire 16 It is wire-bonded. These semiconductor elements are filled with the transparent sealing resin 17. The semiconductor element covered with the sealing resin 17 is resin-sealed with the white thermosetting silicone epoxy resin composition 18 of the present invention.

이 경우, 본 발명의 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 밀봉 중 가장 일반적인 방법으로는 저압 트랜스퍼 성형법을 들 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 성형 온도는 150 내지 185 ℃에서 30 내지 180 초간 행하는 것이 바람직하다. 후경화는 150 내지 185 ℃에서 2 내지 20 시간 동안 행할 수도 있다.In this case, the most common method for sealing the white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention is a low pressure transfer molding method. The molding temperature of the silicone epoxy hybrid resin composition of the present invention is preferably from 150 to 185 DEG C for 30 to 180 seconds. Post curing may be performed at 150 to 185 캜 for 2 to 20 hours.

<실시예><Examples>

이하, 합성예, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of Synthesis Examples, Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

사용한 원료를 이하에 나타낸다.The raw materials used are shown below.

(A) 열경화성 실리콘 수지(A) a thermosetting silicone resin

[합성예 1][Synthesis Example 1]

메틸트리클로로실란 100 질량부, 톨루엔 200 질량부를 1 ℓ의 플라스크에 넣고, 빙냉하에서 물 8 질량부, 이소프로필알코올 60 질량부의 혼합액을 액중 적하하였다. 내온은 -5 내지 0 ℃에서 5 내지 20 시간에 걸쳐 적하하고, 그 후 가열하여 환류 온도에서 20 분간 교반하였다. 그로부터 실온까지 냉각하고, 물 12 질량부를 30 ℃ 이하, 30 분간 적하하고, 20 분간 교반하였다. 추가로 물 25 질량부를 적하한 후, 40 내지 45 ℃에서 60 분간 교반하였다. 그 후 물 200 질량부를 넣어 유기층을 분리하였다. 이 유기층을 중성이 될 때까지 세정하고, 그 후 공비 탈수, 여과, 감압 스트립을 함으로써, 하기 화학식 5로 표시되는 무색 투명의 고체(융점 76 ℃) 36.0 질량부의 열경화성 실리콘 수지 (A-1)을 얻었다.100 parts by mass of methyltrichlorosilane and 200 parts by mass of toluene were placed in a 1 liter flask, and a mixture of 8 parts by mass of water and 60 parts by mass of isopropyl alcohol was added dropwise in an ice bath. The inner temperature was dropped from -5 to 0 占 폚 over 5 to 20 hours, and then the mixture was heated and stirred at a reflux temperature for 20 minutes. The mixture was cooled to room temperature, and 12 parts by mass of water was added dropwise at 30 DEG C or lower for 30 minutes, followed by stirring for 20 minutes. Further, 25 parts by mass of water was added dropwise, followed by stirring at 40 to 45 ° C for 60 minutes. Then, 200 parts by mass of water was added to separate the organic layer. The organic layer was washed with water until neutral, and then subjected to azeotropic dehydration, filtration and vacuum stripping to obtain 36.0 parts by mass of a thermosetting silicone resin (A-1) represented by the following formula 5 as a colorless transparent solid .

Figure 112010056350105-pat00009
Figure 112010056350105-pat00009

[합성예 2] [Synthesis Example 2]

메틸트리클로로실란 80 질량부, 테트라에톡시실란 20 질량부, 톨루엔 200 질량부를 1 ℓ의 플라스크에 넣고, 빙냉하에서 물 8 질량부, 이소프로필알코올 60 질량부의 혼합액을 액중 적하하였다. 내온은 -5 내지 0 ℃에서 5 내지 20 시간에 걸쳐 적하하고, 그 후 가열하여 환류 온도로 20 분간 교반하였다. 그로부터 실온까지 냉각하고, 물 12 질량부를 30 ℃ 이하, 30 분간 적하하고, 20 분간 교반하였다. 추가로 물 25 질량부를 적하한 후, 40 내지 45 ℃에서 60 분간 교반하였다. 그 후 물 200 질량부를 넣어 유기층을 분리하였다. 이 유기층을 중성이 될 때까지 세정하고, 그 후 공비 탈수, 여과, 감압 스트립을 함으로써, 하기 화학식 6으로 표시되는 무색 투명의 고체(융점 76 ℃) 36.0 질량부의 열경화성 실리콘 수지 (A-2)를 얻었다.80 parts by mass of methyltrichlorosilane, 20 parts by mass of tetraethoxysilane and 200 parts by mass of toluene were placed in a 1 liter flask, and a mixed solution of 8 parts by mass of water and 60 parts by mass of isopropyl alcohol was added dropwise in an ice bath. The inner temperature was dropped from -5 to 0 占 폚 over 5 to 20 hours, and then the mixture was heated and stirred at a reflux temperature for 20 minutes. The mixture was cooled to room temperature, and 12 parts by mass of water was added dropwise at 30 DEG C or lower for 30 minutes, followed by stirring for 20 minutes. Further, 25 parts by mass of water was added dropwise, followed by stirring at 40 to 45 ° C for 60 minutes. Then, 200 parts by mass of water was added to separate the organic layer. The organic layer was washed with water until neutral, and then subjected to azeotropic dehydration, filtration and vacuum stripping to obtain 36.0 parts by mass of a thermosetting silicone resin (A-2) represented by the following formula 6 as a colorless transparent solid .

Figure 112010056350105-pat00010
Figure 112010056350105-pat00010

(B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지(B-1) triazine derivative epoxy resin

트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아네이트(TEPIC-S: 닛산 가가꾸 고교(주) 제조 상품명, 에폭시 당량 100)Tris (2,3-epoxypropyl) isocyanate (TEPIC-S: trade name, epoxy equivalent weight 100, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.)

(B-2) 산 무수물(B-2) acid anhydride

비탄소-탄소 이중 결합 산 무수물; 메틸헥사히드로 무수 프탈산(리카시드 MH: 신닛본 케미컬(주) 제조 상품명)Non-carbon-carbon double bond acid anhydrides; Methylhexahydrophthalic anhydride (Ricaside MH: trade name, manufactured by Shin-Nippon Chemical Co., Ltd.)

탄소 함유-탄소 이중 결합 산 무수물; 테트라히드로 무수 프탈산(리카시드 TH: 신닛본 케미컬(주) 제조 상품명)Carbon-containing double bond acid anhydrides; Tetrahydrophthalic anhydride (ricaside TH: trade name, manufactured by Shin-Nippon Chemical Co., Ltd.)

(C) 백색 안료(C) a white pigment

이산화티탄: 루틸형 R-45MTitanium dioxide: Rutile type R-45M

(사카이 가가꾸 고교(주) 제조 상품명: 평균 입경 0.29 ㎛)            (Trade name: average particle diameter 0.29 mu m, manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.)

(D) 무기 충전제(D) Inorganic filler

용융 구상 실리카: MSR-4500TNMolten spherical silica: MSR-4500TN

((주)료모리 제조 상품명: 평균 입경 45 ㎛)                  (Average particle diameter: 45 mu m, trade name, manufactured by Ryomori Co., Ltd.)

(E) 경화 촉진제(E) Curing accelerator

인계 경화 촉매: 메틸-트리부틸포스포늄-디메틸포스페이트Phosphorus cure catalyst: methyl-tributylphosphonium-dimethyl phosphate

(PX-4MP: 닛본 가가꾸 고교(주) 제조 상품명)                (PX-4MP: trade name, manufactured by NIPPON KAGAKU KOGYO CO., LTD.)

(F) 산화 방지제(F) Antioxidant

(F-1) 트리데실포스파이트(F-1) tridecyl phosphite

(아데카 스타브 3010: 아데카(ADEKA)(주) 제조 상품명)      (Adekastab 3010: trade name of ADEKA)

(F-2) 트리페닐포스핀(F-2) triphenylphosphine

(G) 기타 첨가제(G) Other additives

(i) 축합 경화 촉매 (i) condensation curing catalyst

실리콘 수지용 경화 촉매: 벤조산아연(쥰세이 가가꾸(주) 제조)Curing catalyst for silicone resin: zinc benzoate (manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.)

(ii) 이형제(ii)

스테아르산칼슘(와코 준야꾸 고교(주) 제조)Calcium stearate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

[합성예 3] 에폭시 수지 예비 중합체의 제조[Synthesis Example 3] Preparation of epoxy resin prepolymer

하기 표 1에 나타내는 비율로 각종 성분을 배합하고, 소정의 반응 조건으로 가열함으로써 에폭시 수지와 산 무수물을 반응시켰다.Various components were compounded in the ratios shown in Table 1 below and heated under predetermined reaction conditions to react the epoxy resin with the acid anhydride.

Figure 112010056350105-pat00011
Figure 112010056350105-pat00011

[실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3][Examples 1 to 3, Comparative Examples 1 to 3]

하기 표 2에 나타내는 비율로 각종 성분을 배합하고, 균일하게 혼합한 후, 열 2축 롤로 혼련함으로써 백색의 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물을 얻었다.Various components were mixed in the ratios shown in Table 2 below, uniformly mixed, and then kneaded with a heat biaxial roll to obtain a white silicone epoxy hybrid resin composition.

얻어진 조성물에 관하여, 하기 측정 방법에 의해 각종 물성을 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 성형은 전부 트랜스퍼 성형기로 행하였다.With respect to the obtained composition, various physical properties were measured by the following measurement methods. The results are shown in Table 2. All molding was performed with a transfer molding machine.

《나선형 플로우값》"Spiral flow value"

EMMI 규격에 준한 금형을 사용하여 175 ℃, 6.9 N/㎟, 성형 시간 120 초의 조건으로 측정하였다.Using a mold conforming to the EMMI standard, at 175 DEG C, 6.9 N / mm &lt; 2 &gt; and a molding time of 120 seconds.

《용융 점도》"Melt viscosity"

고화식 플로우 테스터를 이용하여 25 kgf의 가압하에 내경 1 mm의 노즐을 이용하고, 온도 175 ℃에서 점도를 측정하였다.Using a flow rate flow tester, a nozzle having an inner diameter of 1 mm was used under a pressure of 25 kgf, and the viscosity was measured at a temperature of 175 ° C.

《굽힘 강도》"Bending strength"

EMMI 규격에 준한 금형을 사용하여 175 ℃, 6.9 N/㎟, 성형 시간 120 초의 조건으로 측정하였다.Using a mold conforming to the EMMI standard, at 175 DEG C, 6.9 N / mm &lt; 2 &gt; and a molding time of 120 seconds.

《광 반사율》&Quot; Light reflectance &quot;

175 ℃, 6.9 N/㎟, 성형 시간 90 초의 조건으로 직경 50 mm×두께 3 mm의 원반(경화물)을 성형하고, 성형 직후 180 ℃에서 24 시간 동안 방치한 후, UV 조사(365 nm 피크 파장의 고압 수은등 60 mW/cm) 24 시간 후의 파장 450 nm에서의 광 반사율을 SDG(주) 제조 X-rite 8200을 사용하여 측정하였다.(Cured product) having a diameter of 50 mm and a thickness of 3 mm was molded under conditions of 175 ° C, 6.9 N / mm 2 and a molding time of 90 seconds. (High-pressure mercury lamp of 60 mW / cm) 24 hours later, the optical reflectance at a wavelength of 450 nm was measured using X-rite 8200 manufactured by SDG Corporation.

Figure 112010056350105-pat00012
Figure 112010056350105-pat00012

표 2의 실시예 1 내지 3에 따르면, 180 ℃에서 24 시간 동안 방치한 후, UV 조사 24 시간 후에도 높은 광 반사율을 유지한 경화물을 제공하는 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물을 얻을 수 있다. 따라서, 상기 조성물의 경화물로 LED용 반사경이 밀봉된 반도체 장치는 유용하다는 것을 확인할 수 있었다.According to Examples 1 to 3 in Table 2, it is possible to obtain a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition which is allowed to stand at 180 占 폚 for 24 hours and provides a cured product having a high light reflectance even after 24 hours of UV irradiation. Therefore, it has been confirmed that a semiconductor device in which a reflector for an LED is sealed as a cured product of the composition is useful.

1, 11, 14: 반도체 소자
2: 리드 프레임(Ag 도금 Cu 프레임 또는 NiPdAu 도금 Cu 프레임)
3, 13, 16: 본딩 와이어
4, 17: 투명 밀봉 수지
5: 백색 반사경(백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 경화물)
6: 렌즈
12, 15: 리드 프레임
18: 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 경화물
1, 11, 14: Semiconductor device
2: Lead frame (Ag plated Cu frame or NiPdAu plated Cu frame)
3, 13, 16: bonding wire
4, 17: Transparent sealing resin
5: White reflector (cured product of white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition)
6: Lens
12, 15: Lead frame
18: A cured product of a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition

Claims (12)

(A) 열경화성 실리콘 수지, (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물, (C) 백색 안료, (D) 무기 충전제(단, 백색 안료는 제외함), (E) 산화 방지제를 함유하고, (A) 성분의 열경화성 실리콘 수지가 하기 평균 조성식 2로 표시되는 것이며, (B) 성분의 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물이 (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지 및 (B-2) 산 무수물을 포함하고, (B-1) 성분과 (B-2) 성분을 에폭시기 당량/산 무수물기 당량 0.6 내지 2.0으로 배합하고 반응시켜 얻어진 고형물의 분쇄물을 포함하는 것이며, (E) 성분의 산화 방지제가 하기 화학식 1로 표시되는 포스파이트 화합물이고, (A) 성분과 (B) 성분의 배합 비율이 질량비로 5:95 내지 95:5이며, (D) 성분의 배합량이 (A), (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 100 내지 1,000 질량부이고, (E) 성분의 배합량이 조성물 전체의 0.01 내지 10 질량%인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.
<평균 조성식 2>
Figure 112016105403420-pat00020

(식 중, R3은 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, R4는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 유기기를 나타내고, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤0.5, 0.801≤a+b+c<2를 만족시키는 수이다)
<화학식 1>
Figure 112016105403420-pat00013

(식 중, R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 내지 20의 알킬기이다)
(A) a thermosetting silicone resin, (B) a triazine derivative epoxy resin composition, (C) a white pigment, (D) an inorganic filler (except for a white pigment) (B-1) a triazine derivative epoxy resin and (B-2) an acid anhydride, wherein the triazine derivative epoxy resin composition comprises (B-1) Wherein the antioxidant of the component (E) is at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (1), (2) and (3) (A) and the component (B) is in a mass ratio of 5:95 to 95: 5, the amount of the component (D) is less than 100 parts by mass (E) is contained in an amount of from 0.01 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the whole composition, % By weight of the white heat-curable silicone for the optical semiconductor device according to claim epoxy hybrid resin composition.
&Lt; Average composition formula 2 &
Figure 112016105403420-pat00020

(Wherein, R 3 is the same or a different organic group having 1 to 20, R 4 represents an organic group of the same or different C 1 -C 4, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤ 0.5, 0.801? A + b + c < 2)
&Lt; Formula 1 >
Figure 112016105403420-pat00013

(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and each is an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms)
제1항에 있어서, (C) 성분의 백색 안료가 평균 입경이 0.05 내지 5.0 ㎛인 이산화티탄, 평균 입경이 각각 0.1 내지 3.0 ㎛인 티탄산칼륨, 산화지르코늄, 황화아연, 산화아연, 알루미나, 산화마그네슘으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이고,
(D) 성분의 무기 충전제가 평균 입경이 각각 4 내지 50 ㎛인 실리카, 알루미나, 산화마그네슘, 수산화알루미늄, 산화아연, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.
The white pigment according to claim 1, wherein the white pigment of component (C) is titanium dioxide having an average particle size of 0.05 to 5.0 탆, potassium titanate having an average particle size of 0.1 to 3.0 탆, zirconium oxide, zinc sulfide, zinc oxide, And at least one kind selected from the group consisting of
Wherein the inorganic filler of the component (D) is at least one selected from silica, alumina, magnesium oxide, aluminum hydroxide, zinc oxide, silicon nitride, aluminum nitride and boron nitride each having an average particle size of 4 to 50 탆 White thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition.
제1항에 있어서, 상기 (D) 성분의 무기 충전제와 상기 (C) 성분의 백색 안료의 합계량이 조성물 전체의 50 내지 95 질량%의 범위이고, (C) 성분의 백색 안료의 배합량이 조성물 전체의 5 내지 40 질량%인 것을 특징으로 하는 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.The composition according to claim 1, wherein the total amount of the inorganic filler of the component (D) and the white pigment of the component (C) is in the range of 50 to 95 mass% of the total composition, and the amount of the white pigment of the component (C) Of the total weight of the white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로 (F) 경화 촉진제를 조성물 전체의 0.05 내지 5 질량% 배합한 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물.The white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition according to any one of claims 1 to 3, further comprising (F) a curing accelerator in an amount of 0.05 to 5 mass% of the entire composition. (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지와 (B-2) 산 무수물을, 에폭시기 당량/산 무수물기 당량 0.6 내지 2.0으로 배합하고 반응시켜 얻어진 고형물의 분쇄물을 포함하는 (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물 및 (A) 하기 평균 조성식 2로 표시되는 열경화성 실리콘 수지를 혼합하되, (A) 성분과 (B) 성분의 배합 비율을 질량비로 5:95 내지 95:5의 비율로 하여 혼합하고, 동시에 (C) 백색 안료, (D) 무기 충전제를 (A), (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 100 내지 1,000 질량부, 및 (E) 산화 방지제로서 조성물 전체의 0.01 내지 10 질량% 양의 하기 화학식 1로 표시되는 포스파이트 화합물과 혼합하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 제조 방법.
<평균 조성식 2>
Figure 112016105403420-pat00021

(식 중, R3은 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, R4는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 유기기를 나타내고, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤0.5, 0.801≤a+b+c<2를 만족시키는 수이다)
<화학식 1>
Figure 112016105403420-pat00022

(식 중, R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 내지 20의 알킬기이다)
(B) a triazine derivative epoxy resin (B) comprising a pulverized solid obtained by compounding (B-1) a triazine derivative epoxy resin and (B-2) an acid anhydride in an epoxy equivalent / anhydride group equivalent of 0.6 to 2.0, (A) and a thermosetting silicone resin represented by the following average composition formula (2), wherein the mixing ratio of the component (A) to the component (B) is from 5:95 to 95: 5 (C) a white pigment, (D) 100 to 1,000 parts by mass of the inorganic filler per 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B), and (E) 0.01 to 10% by mass Is mixed with a phosphite compound represented by the following formula (1): < EMI ID = 1.0 >
&Lt; Average composition formula 2 &
Figure 112016105403420-pat00021

(Wherein, R 3 is the same or a different organic group having 1 to 20, R 4 represents an organic group of the same or different C 1 -C 4, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤ 0.5, 0.801? A + b + c &lt; 2)
&Lt; Formula 1 &gt;
Figure 112016105403420-pat00022

(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and each is an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms)
(E) 산화 방지제로서 조성물 전체의 0.01 내지 10 질량% 양의 하기 화학식 1로 표시되는 포스파이트 화합물의 존재하에 (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지와 (B-2) 산 무수물을 에폭시기 당량/산 무수물기 당량 0.6 내지 2.0으로 배합하고 반응시켜 얻어진 고형물의 분쇄물을 포함하는 (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물과 (E) 성분의 혼합물 및 (A) 하기 평균 조성식 2로 표시되는 열경화성 실리콘 수지를 혼합하되, (A) 성분과 (B) 성분의 배합 비율을 질량비로 5:95 내지 95:5의 비율로 하여 혼합하고, 동시에 (C) 백색 안료 및 (D) 무기 충전제를 (A), (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 100 내지 1,000 질량부로 혼합하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 제조 방법.
<화학식 1>
Figure 112016105403420-pat00023

(식 중, R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 내지 20의 알킬기이다)
<평균 조성식 2>
Figure 112016105403420-pat00024

(식 중, R3은 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, R4는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 유기기를 나타내고, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤0.5, 0.801≤a+b+c<2를 만족시키는 수이다)
(B-1) a triazine derivative epoxy resin and (B-2) acid anhydride in the presence of a phosphite compound represented by the following formula (1) in an amount of 0.01 to 10 mass% (A) a thermosetting silicone resin (A) represented by the following average compositional formula (2), and (B) a mixture of a triazine derivative epoxy resin composition (B) containing a ground product of a solid obtained by mixing and reacting (A), (B), and (C) the white pigment and (D) the inorganic filler in an amount of from 5:95 to 95: (B) is 100 to 1,000 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the component (B).
&Lt; Formula 1 >
Figure 112016105403420-pat00023

(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and each is an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms)
&Lt; Average composition formula 2 &
Figure 112016105403420-pat00024

(Wherein, R 3 is the same or a different organic group having 1 to 20, R 4 represents an organic group of the same or different C 1 -C 4, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤ 0.5, 0.801? A + b + c < 2)
제5항 또는 제6항에 있어서, 추가로 (F) 경화 촉진제를 혼합하는 제조 방법.7. The process according to claim 5 or 6, further comprising (F) a curing accelerator. (F) 경화 촉진제 또는 (F) 경화 촉진제 및 (E) 산화 방지제로서 조성물 전체의 0.01 내지 10 질량% 양의 하기 화학식 1로 표시되는 포스파이트 화합물의 존재하에 (B-1) 트리아진 유도체 에폭시 수지와 (B-2) 산 무수물을 에폭시기 당량/산 무수물기 당량 0.6 내지 2.0으로 배합하고 반응시켜 얻어진 고형물의 분쇄물을 포함하는 (B) 트리아진 유도체 에폭시 수지 조성물과 (F) 성분 또는 (E) 성분 및 (F) 성분의 혼합물을 (A) 하기 평균 조성식 2로 표시되는 열경화성 실리콘 수지와 혼합하되, (A) 성분과 (B) 성분의 배합 비율을 질량비로 5:95 내지 95:5의 비율로 하여 혼합하고, 동시에 (C) 백색 안료, (D) 무기 충전제를 (A), (B) 성분의 총량 100 질량부에 대하여 100 내지 1,000 질량부, 및 (E) 성분을 상기 반응에 이용하고 있지 않은 경우는 상기 (E) 성분과 혼합하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물의 제조 방법.
<화학식 1>
Figure 112016105403420-pat00025

(식 중, R1, R2는 동일하거나 상이한 탄소수 6 내지 20의 알킬기이다)
<평균 조성식 2>
Figure 112016105403420-pat00026

(식 중, R3은 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, R4는 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 4의 유기기를 나타내고, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤0.5, 0.801≤a+b+c<2를 만족시키는 수이다)
(B) a triazine derivative epoxy resin (B) in the presence of 0.01 to 10 mass% of a total amount of the composition as a curing accelerator (F) or a curing accelerator (F) as an antioxidant in the presence of a phosphite compound represented by the following formula (B) a triazine derivative epoxy resin composition comprising (B) a crushed solid product obtained by compounding (B-2) an acid anhydride with an epoxy group equivalent / an acid anhydride group equivalent of 0.6 to 2.0, (A) is mixed with the thermosetting silicone resin represented by the following average composition formula (2), wherein the mixing ratio of the component (A) to the component (B) is from 5:95 to 95: 5 100 to 1,000 parts by mass of 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B), and the component (E) are used in the reaction Is mixed with the component (E) The method of manufacturing an optical semiconductor device, the white heat-curable silicone epoxy hybrid resin composition.
&Lt; Formula 1 >
Figure 112016105403420-pat00025

(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and each is an alkyl group having 6 to 20 carbon atoms)
&Lt; Average composition formula 2 &
Figure 112016105403420-pat00026

(Wherein, R 3 is the same or a different organic group having 1 to 20, R 4 represents an organic group of the same or different C 1 -C 4, 0.8≤a≤1.5, 0≤b≤0.3, 0.001≤c≤ 0.5, 0.801? A + b + c < 2)
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 광 반도체 장치용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물로 성형하여 이루어지는 프리몰드 패키지.A pre-molded package formed by molding a white thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 3. 제9항에 기재된 프리몰드 패키지를 이용하여 조립한 LED 장치.A LED device assembled using the pre-molded package according to claim 9. 삭제delete 삭제delete
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5218298B2 (en) * 2008-07-02 2013-06-26 信越化学工業株式会社 Thermosetting silicone resin-epoxy resin composition and premolded package molded with the resin
JP5108825B2 (en) * 2009-04-24 2012-12-26 信越化学工業株式会社 Silicone resin composition for optical semiconductor device and optical semiconductor device
JP2011074355A (en) * 2009-09-07 2011-04-14 Nitto Denko Corp Resin composition for optical semiconductor device, optical semiconductor device lead frame obtained using the same, and optical semiconductor device
JP2011202154A (en) * 2010-03-01 2011-10-13 Yokohama Rubber Co Ltd:The Heat-curable optical semiconductor-encapsulating silicone resin composition and optical semiconductor-encapsulated product using the same
JP5647071B2 (en) 2011-05-24 2014-12-24 日東電工株式会社 Epoxy resin composition for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same
FR2976946B1 (en) * 2011-06-24 2014-01-24 Arkema France COMPOSITION COMPRISING A SEMI-AROMATIC POLYAMIDE AND USES THEREOF, IN PARTICULAR FOR AN ELECTROLUMINESCENT DIODE REFLECTOR
JP5764423B2 (en) * 2011-08-02 2015-08-19 日東電工株式会社 Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device or substrate for optical semiconductor device obtained by using the same, and optical semiconductor device
JP5545601B2 (en) * 2011-11-07 2014-07-09 信越化学工業株式会社 Phosphor highly-filled wavelength conversion sheet, method for manufacturing light-emitting semiconductor device using the same, and light-emitting semiconductor device
JP5650097B2 (en) * 2011-11-09 2015-01-07 信越化学工業株式会社 Thermosetting epoxy resin composition and optical semiconductor device
KR101591134B1 (en) * 2011-11-25 2016-02-02 주식회사 엘지화학 Curable composition
TW201326245A (en) * 2011-12-26 2013-07-01 kai-xiong Cai Packaged LED with high transmittance
JP5917137B2 (en) * 2011-12-27 2016-05-11 株式会社カネカ Resin molded body for surface mount type light emitting device and light emitting device using the same
CN103208575B (en) * 2012-01-13 2017-02-08 蔡凯雄 High-transmittance packaged LED (light emitting diode)
JP5940325B2 (en) * 2012-03-12 2016-06-29 東レ・ダウコーニング株式会社 Thermally conductive silicone composition
KR20130109759A (en) * 2012-03-28 2013-10-08 삼성전자주식회사 Light emitting device package
JP5756054B2 (en) * 2012-04-16 2015-07-29 信越化学工業株式会社 Thermosetting resin composition for LED reflector, LED reflector and optical semiconductor device using the same
JP5814175B2 (en) 2012-04-16 2015-11-17 信越化学工業株式会社 Thermosetting silicone resin composition for LED reflector, LED reflector and optical semiconductor device using the same
KR101905834B1 (en) * 2012-05-31 2018-10-08 엘지이노텍 주식회사 Epoxy resin composition and light emitting apparatus
JP2014135473A (en) * 2012-12-11 2014-07-24 Renesas Electronics Corp Optical coupling element
JP6010455B2 (en) * 2012-12-27 2016-10-19 信越化学工業株式会社 Concentrating solar cell module
KR102007194B1 (en) * 2013-02-14 2019-08-05 엘지이노텍 주식회사 Epoxy resin composite and light emitting apparatus using the same
WO2014132646A1 (en) * 2013-02-27 2014-09-04 株式会社朝日ラバー Ink for white reflective film, powder coating for white reflective film, production method for white reflective film, white reflective film, light source mount, and lighting device shade
US9450158B2 (en) * 2013-05-28 2016-09-20 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for optical semiconductor device, and lead frame for optical semiconductor device, encapsulation type optical semiconductor element unit and optical semiconductor device each obtainable by using the epoxy resin composition
JP6048367B2 (en) * 2013-10-21 2016-12-21 信越化学工業株式会社 White thermosetting epoxy / silicone hybrid resin composition for LED reflector, and pre-mold package comprising a molded cured product of the resin composition
CN104830024B (en) 2014-01-15 2018-02-06 财团法人工业技术研究院 Organic-inorganic hybrid resin, molding composition containing same, and photovoltaic device
MX2016015219A (en) * 2014-05-19 2017-03-23 Valspar Sourcing Inc Polyethers containing non-bisphenolic cyclic groups.
CN105778506B (en) * 2014-12-25 2019-04-30 广东生益科技股份有限公司 A kind of organosilicon resin composition and prepreg, laminate, copper-clad plate and aluminum substrate using it
US9617373B2 (en) * 2015-02-13 2017-04-11 LCY Chemical Corp. Curable resin composition, article, and method for fabricating the same
JP6517043B2 (en) * 2015-02-25 2019-05-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Optical coupling device, method of manufacturing optical coupling device, and power conversion system
JP6439616B2 (en) * 2015-07-14 2018-12-19 信越化学工業株式会社 Thermosetting epoxy resin composition for optical semiconductor element sealing and optical semiconductor device using the same
JP6918452B2 (en) * 2015-09-30 2021-08-11 大日本印刷株式会社 Substrate and module for light emitting element
TWI570187B (en) 2015-12-17 2017-02-11 財團法人工業技術研究院 Optical solid state prepolymer and molding composition
US10557596B2 (en) 2016-02-12 2020-02-11 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package having a black epoxy molding compound (EMC) body and lighting apparatus including the same
WO2018011904A1 (en) * 2016-07-13 2018-01-18 三菱電機株式会社 Thermally curable resin composition, stator coil obtained using same, and dynamo-electric machine
CN110800118B (en) * 2017-06-29 2022-10-28 京瓷株式会社 Circuit board and light-emitting device provided with same
KR102367879B1 (en) 2017-11-17 2022-02-25 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 Silicone_based reflective composition and optical device manufactured by using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006241230A (en) 2005-03-01 2006-09-14 Nitto Denko Corp Hardened article of epoxy resin composition, its manufacturing process and optical semiconductor device using the same
JP2006274249A (en) * 2005-03-01 2006-10-12 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for photosemiconductor element encapsulation and photosemiconductor device produced by using the same
WO2007015427A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermosetting epoxy resin composition and semiconductor device
US20080187762A1 (en) 2007-02-06 2008-08-07 Masaki Hayashi Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2656336B2 (en) 1989-01-18 1997-09-24 日東電工株式会社 Optical semiconductor device and epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor used therein
JP3618238B2 (en) 1998-12-25 2005-02-09 日亜化学工業株式会社 Light emitting diode
US6924596B2 (en) * 2001-11-01 2005-08-02 Nichia Corporation Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same
JP4250949B2 (en) 2001-11-01 2009-04-08 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2005036085A (en) * 2003-07-18 2005-02-10 Hitachi Chem Co Ltd Epoxy resin molding material for sealing and electronic part device
JP2005306952A (en) 2004-04-20 2005-11-04 Japan Epoxy Resin Kk Epoxy resin composition as sealing material for light-emitting element
US20060035092A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resin composition for sealing LED elements and cured product generated by curing the composition
JP2006077234A (en) 2004-08-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd Resin composition for sealing led device, and cured product of the composition
JP5422121B2 (en) * 2005-08-04 2014-02-19 日亜化学工業株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, MOLDED BODY, AND SEALING MEMBER
US20080255283A1 (en) * 2007-02-06 2008-10-16 Takayuki Aoki Thermosetting epoxy resin composition and semiconductor device
JP2008189827A (en) * 2007-02-06 2008-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd Thermosetting epoxy resin composition and semiconductor apparatus
CN100590168C (en) * 2007-04-24 2010-02-17 中国科学院广州化学研究所 Composite epoxy type electron packaging material and preparation method thereof
JP2010021533A (en) * 2008-06-09 2010-01-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd White heat-curable silicone resin composition for forming optical semiconductor case, and optical semiconductor case
JP5218298B2 (en) * 2008-07-02 2013-06-26 信越化学工業株式会社 Thermosetting silicone resin-epoxy resin composition and premolded package molded with the resin

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006241230A (en) 2005-03-01 2006-09-14 Nitto Denko Corp Hardened article of epoxy resin composition, its manufacturing process and optical semiconductor device using the same
JP2006274249A (en) * 2005-03-01 2006-10-12 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for photosemiconductor element encapsulation and photosemiconductor device produced by using the same
WO2007015427A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermosetting epoxy resin composition and semiconductor device
US20080187762A1 (en) 2007-02-06 2008-08-07 Masaki Hayashi Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part

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