JP6918452B2 - Substrate and module for light emitting element - Google Patents

Substrate and module for light emitting element Download PDF

Info

Publication number
JP6918452B2
JP6918452B2 JP2016162503A JP2016162503A JP6918452B2 JP 6918452 B2 JP6918452 B2 JP 6918452B2 JP 2016162503 A JP2016162503 A JP 2016162503A JP 2016162503 A JP2016162503 A JP 2016162503A JP 6918452 B2 JP6918452 B2 JP 6918452B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
substrate
resin
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016162503A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017069546A (en
Inventor
松浦 大輔
大輔 松浦
貴之 駒井
貴之 駒井
柴崎 聡
聡 柴崎
山中 直人
直人 山中
勝又 雅昭
雅昭 勝又
池田 智宏
智宏 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Nichia Corp
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp, Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Nichia Corp
Priority to US15/280,312 priority Critical patent/US10199545B2/en
Publication of JP2017069546A publication Critical patent/JP2017069546A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6918452B2 publication Critical patent/JP6918452B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、発光素子用基板及びモジュールに関する。 The present invention relates to a light emitting element substrate and a module.

近年、従来のブラウン管型のモニターに代わるものとして、低消費電力化、機器の大型化と薄型化の要請に応え得るものとして、LED等の発光素子をバックライト光源として用いた液晶テレビ等、各種の発光表示装置の普及が急速に進展している。 In recent years, as an alternative to conventional CRT-type monitors, various types such as LCD TVs that use light-emitting elements such as LEDs as a backlight source can meet the demands for lower power consumption, larger and thinner devices. The spread of light-emitting display devices is rapidly advancing.

これらの表示装置において発光素子を光源として実装するためには、通常、支持基板と配線部とからなる各種の発光素子用基板が用いられている。そして、これらの基板上に発光素子を実装した積層体(本明細書では、このような構成の積層体のことを「モジュール」と言う)が、上記の各種LED表示装置の光源として広く用いられている。 In order to mount a light emitting element as a light source in these display devices, various light emitting element substrates including a support substrate and a wiring portion are usually used. A laminate in which a light emitting element is mounted on these substrates (in the present specification, a laminate having such a configuration is referred to as a "module") is widely used as a light source for the above-mentioned various LED display devices. ing.

発光素子用基板として、従来は、可撓性を有さない硬質のガラスエポキシ板等からなるリジット基板に発光素子を実装したリジット基板が広く採用されていた。しかし、LED表示装置の大型化や表示画面の形態の多様化が進む近年、可撓性を有する樹脂基板に金属回路を形成した所謂フレキシブル回路基板の開発が進んでいる(特許文献1参照)。可撓性を有するフレキシブル回路基板は、リジット基板と比較して、設計の自由度が高く生産性も高いため、今後の更なる普及拡大が見込まれている。 Conventionally, as a substrate for a light emitting element, a rigid substrate in which a light emitting element is mounted on a rigid substrate made of a hard glass epoxy plate or the like having no flexibility has been widely adopted. However, in recent years, as the size of LED display devices has increased and the form of display screens has diversified, so-called flexible circuit boards in which metal circuits are formed on flexible resin substrates have been developed (see Patent Document 1). Flexible circuit boards, which have flexibility, have a higher degree of freedom in design and higher productivity than rigid boards, and are expected to become more widespread in the future.

しかしながら、このフレキシブル回路基板に発光素子を実装した発光素子用基板においては、発光素子からの光に対する優れた耐光性が要求される。耐光性が低い発光素子用基板の場合には、発光素子からの光を受けることで発光素子用基板が劣化し、場合によっては穴が発生する場合もあるからである。特に、低波長の青色の光を発光する青色発光素子を実装する場合、発光素子用基板には特に高い耐光性が求められる。 However, in a light emitting element substrate in which a light emitting element is mounted on this flexible circuit board, excellent light resistance to light from the light emitting element is required. This is because, in the case of a light emitting element substrate having low light resistance, the light emitting element substrate is deteriorated by receiving light from the light emitting element, and holes may be generated in some cases. In particular, when a blue light emitting element that emits blue light having a low wavelength is mounted, a substrate for the light emitting element is required to have particularly high light resistance.

このような問題に対し、特許文献2では、金属配線部を接着する接着層に発光素子からの光を遮光する遮光部材を含有した発光素子用基板が開示されている。この特許文献2の実施例においては、接着剤にカーボンブラックを3wt%含有させて10μmの厚さで接着層を形成した例が開示されている。 In response to such a problem, Patent Document 2 discloses a substrate for a light emitting element, which includes a light shielding member that blocks light from the light emitting element in an adhesive layer for adhering a metal wiring portion. In the examples of Patent Document 2, an example is disclosed in which an adhesive contains 3 wt% of carbon black to form an adhesive layer with a thickness of 10 μm.

特開2012−59867号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-59867 特開2015−12206号公報JP 2015-12206

特許文献2に開示されている発光素子用基板のように、接着層に遮光部材を含有させる場合、接着層の厚さや遮光部材の含有量に限度があるので、遮光が不十分になって基材劣化を有効に防止できない。まず、接着層の厚さは、上記の実施例の記載からも明らかなように、厚さは10μm程度が限度であり、これ以上の厚さになると接着層が凝集破壊して接着性が低下してしまう。又、フィラーの含有は接着機能を阻害するため、含有可能な遮光部材の量も、上記の実施例のように数wt%と限度があり、これ以上の量になると、樹脂基材への密着性が大幅に低下して接着層と樹脂基材との界面で剥離を生じてしまう。 When a light-shielding member is contained in the adhesive layer as in the substrate for a light emitting element disclosed in Patent Document 2, the thickness of the adhesive layer and the content of the light-shielding member are limited, so that the light-shielding is insufficient. Material deterioration cannot be effectively prevented. First, as is clear from the description of the above-mentioned examples, the thickness of the adhesive layer is limited to about 10 μm, and if the thickness is larger than this, the adhesive layer is coagulated and broken, and the adhesiveness is lowered. Resulting in. Further, since the content of the filler hinders the adhesive function, the amount of the light-shielding member that can be contained is also limited to several wt% as in the above embodiment, and if the amount is more than this, it adheres to the resin base material. The property is significantly reduced and peeling occurs at the interface between the adhesive layer and the resin base material.

このように、接着層への遮光部材の含有では、発光素子からの光、特に青色の光を十分に遮光することができず、結果として基材の劣化が生じてしまう。 As described above, the inclusion of the light-shielding member in the adhesive layer does not sufficiently block the light from the light emitting element, particularly the blue light, resulting in deterioration of the base material.

上記の課題に鑑み、本発明は、金属配線部を接着する接着層の接着強度を好ましい範囲に維持しながら、発光素子からの光に対する優れた耐光性を有する発光素子用基板を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention provides a substrate for a light emitting element having excellent light resistance to light from a light emitting element while maintaining the adhesive strength of the adhesive layer for adhering the metal wiring portion within a preferable range. The purpose.

本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、樹脂基板と接着層との間に反射層を備えた発光素子用基板であれば、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of diligent research, the present inventors have found that a substrate for a light emitting element having a reflective layer between a resin substrate and an adhesive layer can solve the above problems, and have completed the present invention. rice field.

(1) 可撓性を有する樹脂基板と、該樹脂基板の少なくとも一方の面側に接着層を介して形成されている金属配線部と、を有し、前記樹脂基板と前記接着層との間に、反射層が配置されていて、該反射層は、熱硬化性樹脂と、光反射性充填材と、を含有してなり、該光反射性充填材の含有量が、10質量%以上85質量%以下であって、波長450nmにおける反射率が80%以上である、発光素子用基板。 (1) It has a flexible resin substrate and a metal wiring portion formed on at least one surface side of the resin substrate via an adhesive layer, and is between the resin substrate and the adhesive layer. A reflective layer is arranged therein, and the reflective layer contains a thermosetting resin and a light-reflecting filler, and the content of the light-reflective filler is 10% by mass or more 85. A substrate for a light emitting element having a mass% or less and a reflectance of 80% or more at a wavelength of 450 nm.

(2) 前記反射層の厚さが5μm以上250μm以下である、(1)に記載の発光素子用基板。 (2) The substrate for a light emitting element according to (1), wherein the thickness of the reflective layer is 5 μm or more and 250 μm or less.

(3) 前記接着層は、光反射性充填材が含有されていないか、又は、光反射性充填材の含有量が40質量%以下である(1)又は(2)に記載の発光素子用基板。 (3) The light emitting element according to (1) or (2), wherein the adhesive layer does not contain a light-reflecting filler or has a content of the light-reflecting filler of 40% by mass or less. substrate.

(4) (1)から(3)のいずれかに記載の発光素子用基板に発光素子が実装されてなる、モジュール。 (4) A module in which a light emitting element is mounted on the light emitting element substrate according to any one of (1) to (3).

(5) 前記発光素子が青色発光素子である、(4)に記載のモジュール。 (5) The module according to (4), wherein the light emitting element is a blue light emitting element.

(6) 前記発光素子の発光波長のピークが、430nm以上470nm以下である、(4)又は(5)に記載のモジュール。 (6) The module according to (4) or (5), wherein the peak of the emission wavelength of the light emitting element is 430 nm or more and 470 nm or less.

(7) 前記接着層と前記発光素子との間に、アンダーフィルが配置されている、(4)から(6)のいずれかに記載のモジュール。 (7) The module according to any one of (4) to (6), wherein an underfill is arranged between the adhesive layer and the light emitting element.

(8) 前記樹脂基板上に前記発光素子を封止する封止部材が配置され、前記封止部材は、エポキシ樹脂、変成エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及び変成シリコーンより選択される一つ以上の材料を含んでなる、(4)から(7)のいずれかに記載のモジュール。 (8) A sealing member for sealing the light emitting element is arranged on the resin substrate, and the sealing member is one or more materials selected from epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, and modified silicone. The module according to any one of (4) to (7), comprising.

本発明の発光素子用基板は、金属配線部を接着する接着層の接着強度を好ましい範囲に維持しながら、発光素子からの光に対する優れた耐光性を有するものとした発光素子用基板である。 The substrate for a light emitting element of the present invention is a substrate for a light emitting element which has excellent light resistance to light from the light emitting element while maintaining the adhesive strength of the adhesive layer for adhering the metal wiring portion within a preferable range.

本発明のモジュールの部分断面図であり、本発明のモジュールにおける発光素子の実装態様の説明に供する模式図である。It is a partial cross-sectional view of the module of this invention, and is the schematic diagram which provides for the explanation of the mounting mode of the light emitting element in the module of this invention. 本発明のモジュールを用いてなる画像表示装置の層構成の概略を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the layer structure of the image display device which comprises the module of this invention typically. 実施例1,2及び比較例1の透過率の測定結果を表したグラフである。It is a graph which showed the measurement result of the transmittance of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1. 本発明の他の実施形態のモジュールの部分断面図である。It is a partial cross-sectional view of the module of another embodiment of this invention.

以下、本発明の発光素子用基板、モジュール、及び表示装置の各実施形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されず、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。 Hereinafter, embodiments of the light emitting element substrate, module, and display device of the present invention will be described. The present invention is not limited to the following embodiments, and can be carried out with appropriate modifications within the scope of the object of the present invention.

<発光素子用基板>
本発明の発光素子用基板について説明する。本発明に係る発光素子用基板1は、図1に示す通り、可撓性を有する樹脂基板11の表面に、反射層18が配置されている。そして、反射層18の表面には、接着層12を介して、金属層等からなる導電性の金属配線部13が形成されている。又、発光素子用基板1は、発光素子2が実装される領域を除く部分を覆う態様で、その最表面に更に、表面反射材16を備えるものであってもよい。
<Substrate for light emitting element>
The substrate for a light emitting element of the present invention will be described. In the light emitting element substrate 1 according to the present invention, as shown in FIG. 1, the reflective layer 18 is arranged on the surface of the flexible resin substrate 11. Then, on the surface of the reflective layer 18, a conductive metal wiring portion 13 made of a metal layer or the like is formed via the adhesive layer 12. Further, the light emitting element substrate 1 may be provided with a surface reflective material 16 on the outermost surface thereof in a manner of covering a portion other than a region where the light emitting element 2 is mounted.

[反射層]
反射層18は、熱硬化性樹脂と、光反射性充填材と、を含有してなり光反射性を有する樹脂層である。反射層18の光反射性は、具体的には、波長450nmにおける反射率が80%以上であればよく、好ましくは85%以上である。波長450nmにおける反射率が80%以上、好ましくは85%以上であることによって、発光素子2からの光のうち、少なくともエネルギーが高くて樹脂基板損傷のリスクが高い波長450nm程度の青色の光が、樹脂基板11に到達することを抑制することができるため、これにより、発光素子2からの光による樹脂基板11の穴あき等の損傷のリスクを十分に低減することができる。尚、波長450nmにおける反射率は、例えば、JIS K7375−2008(プラスチック−全光線透過率及び全光線反射率)に準じる測定方法により、紫外可視分光光度計(島津製作所製紫外可視分光光度計UV−2550)を用いて、光を入射したときの光の反射率(%)により求めることができる。
[Reflective layer]
The reflective layer 18 is a resin layer containing a thermosetting resin and a light-reflecting filler and having light reflectivity. Specifically, the light reflectivity of the reflective layer 18 may be as long as the reflectance at a wavelength of 450 nm is 80% or more, preferably 85% or more. When the reflectance at a wavelength of 450 nm is 80% or more, preferably 85% or more, among the light from the light emitting element 2, blue light having a wavelength of about 450 nm, which has at least high energy and a high risk of damage to the resin substrate, is produced. Since it is possible to suppress the arrival at the resin substrate 11, the risk of damage such as holes in the resin substrate 11 due to the light from the light emitting element 2 can be sufficiently reduced. The reflectance at a wavelength of 450 nm is determined by, for example, an ultraviolet-visible spectrophotometer UV- 2550) can be used to determine the reflectance (%) of light when light is incident.

又、反射層18は、熱硬化性樹脂を主剤樹脂とし、以下に記す各種の白色顔料等の光反射性充填材を所定量範囲で含有する。反射層18の波長450nmにおける反射率を80%以上好ましくは85%以上とするために、反射層18中における光反射性充填材の含有量は、10質量%以上85質量%以下であればよく、30質量%以上85質量%以下であることがより好ましい。反射層18に含有させる光反射性充填材としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム及びガラスフィラー等の白色顔料から選ばれる少なくとも1種類以上の顔料を用いることができる。又、これらのうちでも、主剤樹脂との間における屈折率差がより大きい方が好ましいという観点から、屈折率2.5程度の酸化チタンを最も好ましく用いることができる。 Further, the reflective layer 18 uses a thermosetting resin as a main resin, and contains a light-reflective filler such as various white pigments described below in a predetermined amount range. In order to make the reflectance of the reflective layer 18 at a wavelength of 450 nm 80% or more, preferably 85% or more, the content of the light-reflecting filler in the reflective layer 18 may be 10% by mass or more and 85% by mass or less. , 30% by mass or more and 85% by mass or less is more preferable. The light-reflecting filler contained in the reflective layer 18 is white such as titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, titanium oxide, magnesium oxide, antimony oxide, aluminum hydroxide, barium sulfate, magnesium carbonate, barium carbonate and glass filler. At least one or more pigments selected from the pigments can be used. Further, among these, titanium oxide having a refractive index of about 2.5 can be most preferably used from the viewpoint that it is preferable that the difference in refractive index between the resin and the main resin is larger.

反射層18に用いる熱硬化性樹脂としては、例えば、フッ素樹脂とアクリル系樹脂との混合物又はシリコーン系樹脂、エポキシ樹脂等を挙げることができる。接着層12との密着性の熱硬化性樹脂はガラス転移温度(TG)が高いものが好ましい。 Examples of the thermosetting resin used for the reflective layer 18 include a mixture of a fluororesin and an acrylic resin, a silicone resin, an epoxy resin, and the like. The thermosetting resin having adhesiveness to the adhesive layer 12 preferably has a high glass transition temperature (TG).

上記のフッ素樹脂とアクリル系樹脂との混合物に用いられるフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレンとヒドロキシル基含有ビニルエーテルとの共重合物、クロロトリフルオロエチレンとヒドロキシル基含有ビニルエーテルとの共重合物等が例示される。これらの中でも、クロロトリフルオロエチレンとヒドロキシル基含有ビニルエーテルとの共重合物が好適に使用される。このような樹脂の一例として、質量平均分子量1000以上30000以下、水酸基価5mg/g以上200mg/g以下のクロロトリフルオロエチレンとジエチレングリコールモノアリルエーテルと酪酸ビニルとの共重合物が挙げられる。 Examples of the fluororesin used in the above-mentioned mixture of the fluororesin and the acrylic resin include a copolymer of tetrafluoroethylene and a hydroxyl group-containing vinyl ether, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and a hydroxyl group-containing vinyl ether, and the like. Will be done. Among these, a copolymer of chlorotrifluoroethylene and a hydroxyl group-containing vinyl ether is preferably used. Examples of such resins include copolymers of chlorotrifluoroethylene, diethylene glycol monoallyl ether, and vinyl butyrate having a mass average molecular weight of 1,000 or more and 30,000 or less and a hydroxyl value of 5 mg / g or more and 200 mg / g or less.

上記のフッ素樹脂とアクリル系樹脂との混合物に用いられるアクリル樹脂としては、アクリル酸−2−ヒドロキシエチル、アクリル酸−2−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル等のヒドロキシル基を有するアクリル化合物と、アクリル酸若しくはアルキル基としてメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基等を有するアルキルアクリレート系モノマーと、を共重合させたものが挙げられる。又、共重合のために使用されるモノマーとして、更に、アクリルアミド、N−アルキルアクリルアミド、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、2−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる)、N−アルコキシアクリルアミド、N,N−ジアルコキシアクリルアミド(アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基等が挙げられる)、N−メチロールアクリルアミド、N−フェニルアクリルアミド等のアミド基含有モノマー、グリシジルアクリレート、アリルグリシジルエーテル等のグリシジル基含有モノマー、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、マレイン酸、アルキルマレイン酸モノエステル、フマル酸、アルキルフマル酸モノエステル、イタコン酸、アルキルイタコン酸モノエステル、アクリロニトリル、塩化ビニリデン、エチレン、プロピレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ブタジエン等のエチレン性不飽和結合を有する各種の化合物を使用してもよい。これらの中でもアクリル酸メチルとアクリル酸2−エチルヘキシルとの共重合体、アクリル酸メチルとアクリル酸2−エチルヘキシルとアクリル酸ヒドロキシエチルとの共重合体が好適に使用される。又、このような樹脂の好ましい質量平均分子量としては、1000以上300000以下が挙げられる。 Examples of the acrylic resin used in the mixture of the above fluororesin and the acrylic resin include hydroxyl groups such as -2-hydroxyethyl acrylate, -2-hydroxypropyl acrylate, and -2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate. As acrylic acid or alkyl group, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group Examples thereof include those obtained by copolymerizing an alkyl acrylate-based monomer having a above-mentioned property and the like. Further, as the monomer used for copolymerization, acrylamide, N-alkylacrylamide, N, N-dialkylacrylamide (as the alkyl group, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-Butyl group, i-butyl group, t-butyl group, 2-ethylhexyl group, cyclohexyl group, etc.), N-alkoxyacrylamide, N, N-dialkoxyacrylamide (alkoxy groups include methoxy group and ethoxy). Groups, butoxy groups, isobutoxy groups, etc.), amide group-containing monomers such as N-methylolacrylamide and N-phenylacrylamide, glycidyl group-containing monomers such as glycidyl acrylate and allyl glycidyl ether, styrene, α-methylstyrene, vinyl. Methyl ether, vinyl ethyl ether, maleic acid, alkyl maleic acid monoester, fumaric acid, alkyl fumarate monoester, itaconic acid, alkyl itaconic acid monoester, acrylonitrile, vinylidene chloride, ethylene, propylene, vinyl chloride, vinyl acetate, butadiene Various compounds having an ethylenically unsaturated bond such as, etc. may be used. Among these, a copolymer of methyl acrylate and 2-ethylhexyl acrylate, and a copolymer of methyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate and hydroxyethyl acrylate are preferably used. Moreover, a preferable mass average molecular weight of such a resin is 1000 or more and 300,000 or less.

反射層18は、例えば、これらの樹脂と硬化剤とを含有するコーティング液を塗布し乾燥することで形成することができる。例えば、複数の架橋性置換基を有する樹脂化合物とNCO基を有するポリイソシアネート化合物とを反応させ硬化することで形成することができる。 The reflective layer 18 can be formed, for example, by applying a coating liquid containing these resins and a curing agent and drying the coating liquid. For example, it can be formed by reacting a resin compound having a plurality of crosslinkable substituents with a polyisocyanate compound having an NCO group and curing the compound.

反射層18の厚さは5μm以上250μm以下であることが好ましく、10μm以上100μm以下であることがより好ましく、20μm以上50μm以下であることが特に好ましい。反射層18の厚さが5μm未満である場合、可撓性を有する樹脂基板11の変形に十分に追随できずに反射層18に剥がれや欠けが生じる場合があるため好ましくない。一方、反射層の厚さが250μmを超えると、発光素子用基板1の十分な可撓性を保持することが難しくなり、又、重量増大によるハンドリング性の低下にもつながるおそれがある。 The thickness of the reflective layer 18 is preferably 5 μm or more and 250 μm or less, more preferably 10 μm or more and 100 μm or less, and particularly preferably 20 μm or more and 50 μm or less. If the thickness of the reflective layer 18 is less than 5 μm, the reflective layer 18 may be peeled off or chipped because it cannot sufficiently follow the deformation of the flexible resin substrate 11, which is not preferable. On the other hand, if the thickness of the reflective layer exceeds 250 μm, it becomes difficult to maintain sufficient flexibility of the light emitting element substrate 1, and there is a possibility that the handleability may be lowered due to the increase in weight.

以上説明した反射層18は、波長450nmにおける反射率が80%以上である。よって、これを備える発光素子用基板1は、青色発光素子用の基板として特に有用である。 The reflective layer 18 described above has a reflectance of 80% or more at a wavelength of 450 nm. Therefore, the light emitting element substrate 1 provided with this is particularly useful as a substrate for a blue light emitting element.

[樹脂基板]
樹脂基板11は、可撓性を有するフィルム状又はシート状のものである限り特に限定されないが、熱可塑性樹脂が用いられることが好ましい。本明細書において「可撓性を有する」とは、「曲率半径を通常1m、好ましくは50cm、より好ましくは30cm、更に好ましくは10cm、特に好ましくは5cmに曲げることが可能であることをいう。
[Resin substrate]
The resin substrate 11 is not particularly limited as long as it is in the form of a flexible film or sheet, but it is preferable to use a thermoplastic resin. As used herein, the term "flexible" means that the radius of curvature can be bent to a radius of curvature of usually 1 m, preferably 50 cm, more preferably 30 cm, still more preferably 10 cm, and particularly preferably 5 cm.

但し、樹脂基板11の材料には、使用目的に応じた所定の耐熱性及び絶縁性を有するものであることは求められる。このような樹脂として、耐熱性と加熱時の寸法安定性、機械的強度、及び耐久性に優れるポリイミド樹脂(PI)や、ポリエチレンナフタレート(PEN)を用いることができる。中でも、アニール処理等の耐熱性向上処理を施すことによって耐熱性と寸法安定性を向上させたポリエチレンナフタレート(PEN)を好ましく用いることができる。又、難燃性の無機フィラー等の添加によって難燃性を向上させたポリエチレンテレフタレート(PET)も樹脂基板11の材料樹脂として選択することができる。 However, the material of the resin substrate 11 is required to have predetermined heat resistance and insulating properties according to the purpose of use. As such a resin, a polyimide resin (PI) having excellent heat resistance, dimensional stability during heating, mechanical strength, and durability, or polyethylene naphthalate (PEN) can be used. Among them, polyethylene naphthalate (PEN) whose heat resistance and dimensional stability are improved by subjecting it to a heat resistance improving treatment such as an annealing treatment can be preferably used. Further, polyethylene terephthalate (PET) whose flame retardancy is improved by adding a flame-retardant inorganic filler or the like can also be selected as the material resin of the resin substrate 11.

樹脂基板11は、熱収縮開始温度が100℃以上のもの、又は、上記のアニール処理等によって、同温度が100℃以上となるように耐熱性を向上させたものを用いることが好ましい。通常発光素子から発せられる熱により同素子周辺部は90℃程度の温度に達する。この観点から、基板樹脂を形成する熱可塑性樹脂は、上記温度以上の耐熱性を有するものであることが好ましい。 As the resin substrate 11, it is preferable to use one having a heat shrinkage start temperature of 100 ° C. or higher, or one having improved heat resistance so that the same temperature becomes 100 ° C. or higher by the above annealing treatment or the like. Normally, the heat generated from the light emitting element causes the temperature around the element to reach a temperature of about 90 ° C. From this point of view, it is preferable that the thermoplastic resin forming the substrate resin has heat resistance equal to or higher than the above temperature.

尚、本明細書における「熱収縮開始温度」とは、TMA装置に測定対象の熱可塑性樹脂からなるサンプルフィルムをセットし、荷重1gをかけて、昇温速度2℃/分で120℃まで昇温し、その時の収縮量(%表示)を測定し、このデータを出力して温度と収縮量を記録したグラフから、収縮によって、0%のベースラインから離れる温度を読みとり、その温度を熱収縮開始温度としたものである。又、本明細書における「熱硬化温度」とは、測定対象の熱硬化型樹脂を加熱した際の熱硬化反応の立ち上がり位置の温度を測定算出し、その温度を熱硬化温度としたものである。 The "heat shrinkage start temperature" in the present specification means that a sample film made of a thermoplastic resin to be measured is set in a TMA device, a load of 1 g is applied, and the temperature rises to 120 ° C. at a heating rate of 2 ° C./min. Warm, measure the amount of shrinkage (% display) at that time, output this data and read the temperature away from the 0% baseline due to shrinkage from the graph that recorded the temperature and amount of shrinkage, and heat shrink that temperature It is the starting temperature. Further, the "thermosetting temperature" in the present specification is calculated by measuring and calculating the temperature at the rising position of the thermosetting reaction when the thermosetting resin to be measured is heated, and that temperature is taken as the thermosetting temperature. ..

又、発光素子用基板1には、例えば、LED表示装置のバックライト等としての一体化時に、発光素子用基板に必要とされる絶縁性を付与し得る絶縁性を有する樹脂であることが求められる。一般的には、基板は、その体積固有抵抗率が1014Ω・cm以上であることが好ましく、1018Ω・cm以上であることがより好ましい。尚、体積固有抵抗率の測定は、例えばエーディーシー製デジタル超高抵抗/微少電流計5450/5451等を用いることによって測定することができる。 Further, the light emitting element substrate 1 is required to be a resin having an insulating property capable of imparting the insulating property required for the light emitting element substrate when integrated as a backlight of an LED display device or the like, for example. Be done. In general, the volume resistivity of the substrate is preferably 10 14 Ω · cm or more, and more preferably 10 18 Ω · cm or more. The volume resistivity can be measured by using, for example, a digital ultra-high resistance / micro ammeter 5450/5451 manufactured by ADC.

樹脂基板の厚さは、特に限定されないが、可撓性を有する樹脂基板とする場合には、耐熱性及び絶縁性と、製造コストのバランスとの観点から、概ね10μm以上100μm以下程度であることが好ましい。又、ロール・トゥ・ロール方式による製造を行う場合の生産性を良好に維持する観点からも上記厚さ範囲であることが好ましい。 The thickness of the resin substrate is not particularly limited, but in the case of a flexible resin substrate, it should be about 10 μm or more and 100 μm or less from the viewpoint of the balance between heat resistance and insulation and manufacturing cost. Is preferable. Further, from the viewpoint of maintaining good productivity in the case of manufacturing by the roll-to-roll method, the above thickness range is preferable.

[接着層]
反射層18の表面への金属配線部13の形成は、接着層12を介したドライラミネート法によって行われることが好ましい。接着層12には、光反射性充填材が含有されていないか、又は、光反射性充填材が含有される場合、その含有量が40質量%以下であることが好ましい。又、接着層12は、全可視光線の85%以上を透過する光透過性の薄膜層であることが好ましい。このような接着層12を形成する接着剤として、公知の樹脂系接着剤を適宜用いることができる。それらの樹脂系接着剤のうち、ウレタン系、ポリカーボネート系、又はエポキシ系の接着剤等を特に好ましく用いることができる。
[Adhesive layer]
The formation of the metal wiring portion 13 on the surface of the reflective layer 18 is preferably performed by a dry laminating method via the adhesive layer 12. When the adhesive layer 12 does not contain a light-reflecting filler or contains a light-reflecting filler, the content thereof is preferably 40% by mass or less. Further, the adhesive layer 12 is preferably a light-transmitting thin film layer that transmits 85% or more of all visible light. As an adhesive for forming such an adhesive layer 12, a known resin-based adhesive can be appropriately used. Among these resin-based adhesives, urethane-based adhesives, polycarbonate-based adhesives, epoxy-based adhesives, and the like can be particularly preferably used.

接着層12は、接着強度の観点からは、光反射性充填材が含有されていないことが好ましいが、上記範囲内で光反射性充填材を含有させたものであってもよい。これにより、接着層12の接着強度を必要な範囲に維持しながら樹脂基板11への光の到達を低減することができる。接着層12に含有させることができる光反射性充填材としては、反射層18に含有させることができるものと同様の酸化チタン等の各種の白色顔料を用いることができる。 From the viewpoint of adhesive strength, the adhesive layer 12 preferably does not contain a light-reflecting filler, but may contain a light-reflective filler within the above range. As a result, it is possible to reduce the arrival of light on the resin substrate 11 while maintaining the adhesive strength of the adhesive layer 12 within a required range. As the light-reflecting filler that can be contained in the adhesive layer 12, various white pigments such as titanium oxide similar to those that can be contained in the reflective layer 18 can be used.

[金属配線部]
金属配線部13は、金属層等の導電性基材によって形成される配線パターンである。金属配線部13は、図1に示す通り、その一の部分と、当該一の部分と離間して形成される他の部分との間に、発光素子2が実装可能となるような形状で形成される。尚、このような発光素子用基板1においては、樹脂基板11の表面における発光素子2が実装されることが想定される領域内に、金属配線部13が形成されていない部分が存在する。この発光素子2の実装が想定される領域内であって、金属配線部13が存在しない水平領域のことを発光素子用基板1における金属配線部非存在領域17というものとする。反射層18は、少なくとも、この金属配線部非存在領域17において形成されていることが発光素子用基板1において必須である。
[Metal wiring part]
The metal wiring portion 13 is a wiring pattern formed by a conductive base material such as a metal layer. As shown in FIG. 1, the metal wiring portion 13 is formed in a shape so that the light emitting element 2 can be mounted between one portion thereof and another portion formed apart from the one portion. Will be done. In such a light emitting element substrate 1, there is a portion on the surface of the resin substrate 11 where the metal wiring portion 13 is not formed in the region where the light emitting element 2 is expected to be mounted. The horizontal region in which the metal wiring portion 13 does not exist within the region where the light emitting element 2 is expected to be mounted is referred to as the metal wiring portion non-existing region 17 in the light emitting element substrate 1. It is essential for the light emitting element substrate 1 that the reflective layer 18 is formed at least in the region 17 where the metal wiring portion does not exist.

金属配線部13の配置は、発光素子2を実装することができる配置であれば特定の配置等に限定されない。但し、発光素子用基板1においては、基板の一方の表面の少なくとも80%以上、好ましくは90%、より好ましくは95%以上の範囲が、この金属配線部13によって被覆されていることが好ましい。これにより金属配線部13が形成されてなる発光素子用基板1において求められる放熱性の向上に寄与することができる。 The arrangement of the metal wiring portion 13 is not limited to a specific arrangement or the like as long as the arrangement can mount the light emitting element 2. However, in the light emitting element substrate 1, it is preferable that at least 80% or more, preferably 90%, more preferably 95% or more of one surface of the substrate is covered with the metal wiring portion 13. This can contribute to the improvement of heat dissipation required in the light emitting element substrate 1 in which the metal wiring portion 13 is formed.

金属配線部13を構成する金属の熱伝導率λは200W/(m・K)以上が好ましく、300W/(m・K)以上がより好ましい。金属配線部13を構成する金属の電気抵抗率Rは3.00×10−8Ω・m以下が好ましく、2.50×10−8Ω・m以下がより好ましい。ここで、熱伝導率λの測定は、例えば、京都電子工業社製の熱伝導率計QTM−500を用いることができ、電気抵抗率Rの測定は、例えば、ケースレー社製の6517B型エレクトロメータを用いることができる。これによれば、例えば、銅の場合、熱伝導率λは403W/(m・K)であり、電気抵抗率Rは1.55×10−8Ω・mとなる。これにより、放熱性と電気伝導性の両立を図ることができる。より具体的には、発光素子2からの放熱性が安定し、電気抵抗の増加を防げるので、発光素子間の発光バラツキが小さくなって発光素子の安定した発光が可能となり、又、発光素子の寿命も延長される。更に、熱による基板等の周辺部材の劣化も防止できるので、発光素子用基板1をバックライトとして組み込んだ画像表示装置自体の製品寿命も延長できる。 The thermal conductivity λ of the metal constituting the metal wiring portion 13 is preferably 200 W / (m · K) or more, and more preferably 300 W / (m · K) or more. The electrical resistivity R of the metal constituting the metal wiring portion 13 is preferably 3.00 × 10-8 Ω · m or less, and more preferably 2.50 × 10-8 Ω · m or less. Here, for the measurement of the thermal conductivity λ, for example, a thermal conductivity meter QTM-500 manufactured by Kyoto Denshi Kogyo Co., Ltd. can be used, and for the measurement of the electrical resistivity R, for example, a 6517B type electrometer manufactured by Caseley Co., Ltd. can be used. Can be used. According to this, for example, in the case of copper, the thermal conductivity λ is 403 W / (m · K), and the electrical resistivity R is 1.55 × 10 −8 Ω · m. As a result, both heat dissipation and electrical conductivity can be achieved at the same time. More specifically, since the heat dissipation from the light emitting element 2 is stable and the increase in electrical resistance can be prevented, the light emission variation between the light emitting elements is reduced, and stable light emission of the light emitting element becomes possible. Life is also extended. Further, since deterioration of peripheral members such as a substrate due to heat can be prevented, the product life of the image display device itself incorporating the light emitting element substrate 1 as a backlight can be extended.

尚、金属配線部13の表面抵抗値は、500Ω/□以下が好ましく、300Ω/□以下がより好ましく、更に100Ω/□以下が好ましく、特に50Ω/□以下が好ましい。下限は0.005Ω/□程度である。 The surface resistance value of the metal wiring portion 13 is preferably 500 Ω / □ or less, more preferably 300 Ω / □ or less, further preferably 100 Ω / □ or less, and particularly preferably 50 Ω / □ or less. The lower limit is about 0.005Ω / □.

金属配線部13の材料として用いられる金属としては、アルミニウム、金、銀、銅等の金属層が例示できる。金属配線部13の厚さは、発光素子用基板に要求される耐電流の大きさ等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されないが、一例として厚さ10μm以上50μm以下が挙げられる。放熱性向上の観点から、金属配線部13の厚さは、10μm以上であることが好ましい。又、金属層厚みが上記下限値に満たないと、基板の熱収縮の影響が大きく、はんだリフロー処理時に処理後の反りが大きくなり易いため、この観点からも金属配線部13の厚さは10μm以上であることが好ましい。同厚さが、50μm以下であることによって、十分な可撓性を保持することができ、重量増大によるハンドリング性の低下等も防止できる。 Examples of the metal used as the material of the metal wiring portion 13 include metal layers such as aluminum, gold, silver, and copper. The thickness of the metal wiring portion 13 may be appropriately set according to the magnitude of the withstand current required for the light emitting element substrate and the like, and is not particularly limited, but an example thereof is a thickness of 10 μm or more and 50 μm or less. From the viewpoint of improving heat dissipation, the thickness of the metal wiring portion 13 is preferably 10 μm or more. Further, if the thickness of the metal layer does not reach the above lower limit value, the influence of heat shrinkage of the substrate is large, and the warp after the treatment tends to be large during the solder reflow processing. Therefore, from this viewpoint as well, the thickness of the metal wiring portion 13 is 10 μm. The above is preferable. When the same thickness is 50 μm or less, sufficient flexibility can be maintained, and deterioration of handleability due to weight increase can be prevented.

[ハンダ層]
発光素子用基板においては、金属配線部13と発光素子2との接合については、ハンダ層14を介した接合を行うことが好ましい。このハンダによる接合は、例えば、リフロー方式、或いは、レーザー方式によって行うことができる。
[Solder layer]
In the light emitting element substrate, it is preferable that the metal wiring portion 13 and the light emitting element 2 are joined via the solder layer 14. This soldering can be performed by, for example, a reflow method or a laser method.

[絶縁保護膜]
絶縁性保護膜15は、本発明においては必須の構成要件ではないが、絶縁性保護膜を設ける場合には、上述の通り、熱硬化型インキ、UV硬化性インキ又はカバーレイフィルムによって、金属配線部13と発光素子用基板の表面上の電気的接合が必要となる一部分を除いた他の部分に、主として発光素子用基板の耐マイグレーション特性を向上させるために形成される。
[Insulation protective film]
The insulating protective film 15 is not an indispensable constituent requirement in the present invention, but when the insulating protective film is provided, as described above, the metal wiring is made by using a thermosetting ink, a UV curable ink or a coverlay film. It is formed mainly in order to improve the migration resistance of the light emitting element substrate, except for a part that requires electrical bonding between the portion 13 and the surface of the light emitting element substrate.

熱硬化型インキとしては、熱硬化温度が100℃以下程度のものであれば、公知のインキを適宜好ましく用いることができる。具体的には、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、エポキシ系及びフェノール系樹脂、エポキシアクリレート樹脂、シリコーン系樹脂等、を其々ベース樹脂とする絶縁性インキを好ましく用いることができるインキの代表例として挙げることができる。又、これらのうちでも、ポリエステル系の熱硬化型の絶縁インキは、可撓性に優れる点から、発光素子用基板1の絶縁性保護膜15を形成するための材料として特に好ましい。 As the thermosetting ink, known inks can be appropriately and preferably used as long as the thermosetting temperature is about 100 ° C. or lower. Specifically, as a representative example of an ink that can preferably use an insulating ink having a polyester resin, an epoxy resin, an epoxy resin, a phenol resin, an epoxy acrylate resin, a silicone resin, or the like as a base resin. Can be mentioned. Among these, the polyester-based thermosetting insulating ink is particularly preferable as a material for forming the insulating protective film 15 of the light emitting element substrate 1 from the viewpoint of excellent flexibility.

又、絶縁性保護膜15を形成する熱硬化型インキ又はUV硬化性のインキは、例えば、二酸化チタン等の無機白色顔料を更に含有する白色のインキであってもよい。絶縁性保護膜15を白色化することで、反射性の向上並びに意匠性の向上を図ることができる。 The thermosetting ink or UV curable ink that forms the insulating protective film 15 may be, for example, a white ink that further contains an inorganic white pigment such as titanium dioxide. By whitening the insulating protective film 15, it is possible to improve the reflectivity and the design.

尚、以上の絶縁性の熱硬化型インキによる絶縁性保護膜15の形成は、スクリーン印刷等公知の方法によって行うことができる。 The insulating protective film 15 can be formed by the above insulating thermosetting ink by a known method such as screen printing.

カバーレイフィルムを用いる場合には、例えばポリイミド樹脂等の耐熱性の高い樹脂フィルムに接着剤を塗布し、樹脂基板11上に貼り付けることで形成することができる。 When a coverlay film is used, it can be formed by applying an adhesive to a resin film having high heat resistance such as a polyimide resin and sticking it on the resin substrate 11.

[表面反射材]
図1に示すように、発光素子用基板1は、更に、表面反射材16を備えるものであってもよい。表面反射材16は、必要に応じて、以下に詳細を説明するモジュール10において、発光能力を向上させることを目的として、発光素子用基板1の発光面側の最表面に、発光素子2の実装部分を除いて積層される。発光素子の発光を反射し、所定の方向へ導くための反射面を持つ部材であれば特に限定されないが、白色ポリエステル発泡タイプの白色ポリエステル、白色ポリエチレン樹脂、銀蒸着ポリエステル等を、最終製品の用途とその要求スペック等に応じて適宜用いることができる。
[Surface reflector]
As shown in FIG. 1, the light emitting element substrate 1 may further include a surface reflector 16. The surface reflector 16 mounts the light emitting element 2 on the outermost surface of the light emitting element substrate 1 on the light emitting surface side for the purpose of improving the light emitting ability in the module 10 described in detail below, if necessary. It is laminated except for the part. The material is not particularly limited as long as it is a member having a reflecting surface for reflecting the light emitted from the light emitting element and guiding it in a predetermined direction. It can be appropriately used according to the required specifications and the like.

[発光素子]
発光素子2は、発光素子用基板1上に配置される。発光素子2は、一方の面に一対の電極を有し、一対の電極を介して金属配線部13と電気的に接続している。ここで用いられる発光素子2は形状や大きさ等が特に限定されない。発光素子2の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができるが、青色に発光する発光素子を用いることができる。青色発光素子とは波長430nm以上500nm以下の光を放出可能な発光素子を意味するが、例えば、430nm以上470nm以下に発光波長のピークを持つ青色発光の発光素子を用いることが好ましい。発光素子2としては、GaN系やInGaN系を用いることができる。InGaN系としては、InAlGa1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y<1)等を用いることができる。
[Light emitting element]
The light emitting element 2 is arranged on the light emitting element substrate 1. The light emitting element 2 has a pair of electrodes on one surface, and is electrically connected to the metal wiring portion 13 via the pair of electrodes. The shape, size, and the like of the light emitting element 2 used here are not particularly limited. As the emission color of the light emitting element 2, an arbitrary wavelength can be selected depending on the intended use, but a light emitting element that emits blue light can be used. The blue light emitting element means a light emitting element capable of emitting light having a wavelength of 430 nm or more and 500 nm or less. For example, it is preferable to use a blue light emitting element having a peak of an emission wavelength of 430 nm or more and 470 nm or less. As the light emitting element 2, a GaN system or an InGaN system can be used. As the InGaN system, In X Al Y Ga 1-XY N (0 ≦ X ≦ 1, 0 ≦ Y ≦ 1, X + Y <1) or the like can be used.

[アンダーフィル]
図4は、本発明の他の実施形態のモジュールの部分断面図である。図4の実施形態のモジュールのように接着層12と発光素子2との間にアンダーフィル21を配置することもできる。アンダーフィル21は、発光素子2と接着層12との接合強度を高めることができる。アンダーフィル21はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましい。又、アンダーフィル21は接着層12との接合強度を高める材質が好ましく、アンダーフィル21と接着層12とは同一種類の材料を用いることが好ましいが、異なる材料であってもよい。
[Underfill]
FIG. 4 is a partial cross-sectional view of the module of another embodiment of the present invention. The underfill 21 can also be arranged between the adhesive layer 12 and the light emitting element 2 as in the module of the embodiment of FIG. The underfill 21 can increase the bonding strength between the light emitting element 2 and the adhesive layer 12. The underfill 21 is preferably a thermosetting resin such as an epoxy resin or a silicone resin. Further, the underfill 21 is preferably made of a material that enhances the bonding strength with the adhesive layer 12, and the underfill 21 and the adhesive layer 12 are preferably made of the same type of material, but may be different materials.

[封止部材]
樹脂基板11の上には、発光素子2を封止する封止部材19が配置されていることが好ましい。発光素子2を埃や水分から保護することができるからである。封止部材19は、エポキシ樹脂、変成エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又は変成シリコーン樹脂であることが好ましい。
[Sealing member]
It is preferable that a sealing member 19 for sealing the light emitting element 2 is arranged on the resin substrate 11. This is because the light emitting element 2 can be protected from dust and moisture. The sealing member 19 is preferably an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, or a modified silicone resin.

[蛍光体]
封止部材19中には、蛍光体20を含有させてもよい。蛍光体20は発光素子2からの光を吸収し、異なる波長の光を放出するものであり、緑色、黄色、赤色等の光を放出する。蛍光体20は、YAG、シリケート等の酸化物蛍光体、CASN、SCASN等の窒化物蛍光体、KSF等のフッ化物蛍光体等を用いることができる。
[Fluorescent material]
The fluorescent substance 20 may be contained in the sealing member 19. The phosphor 20 absorbs light from the light emitting element 2 and emits light having different wavelengths, and emits light such as green, yellow, and red. As the phosphor 20, oxide phosphors such as YAG and silicate, nitride phosphors such as CASN and SCASN, and fluoride phosphors such as KSF can be used.

<発光素子用基板の製造方法>
発光素子用基板1の製造方法は特に限定されない。適宜、従来公知の電子基板の製造方法によって製造することができる。発光素子用基板1は、例えば、以下に記載したエッチング工程を経ることによって製造することができる。又、選択する材料樹脂に応じて、予め当該樹脂にアニール処理による耐熱性向上処理を施すことが好ましい。
<Manufacturing method of substrate for light emitting element>
The method for manufacturing the light emitting element substrate 1 is not particularly limited. As appropriate, it can be produced by a conventionally known method for producing an electronic substrate. The light emitting element substrate 1 can be manufactured, for example, by undergoing the etching steps described below. Further, depending on the material resin to be selected, it is preferable that the resin is previously subjected to a heat resistance improving treatment by an annealing treatment.

[アニール処理]
本発明において必須ではないが、アニール処理を行う場合には、従来公知の熱処理手段を用いることができる。アニール処理温度の一例としては、樹脂基板がPENである場合には、ガラス転移温度から融点の範囲、更に具体的には160℃から260℃、より好ましくは180℃から230℃の範囲である。アニール処理時間としては、10秒から5分程度が例示できる。このような熱処理条件によれば、一般的に80℃程度であるPENの熱収縮開始温度を、100℃程度に向上させることができる。
[Annealing process]
Although not essential in the present invention, conventionally known heat treatment means can be used when performing the annealing treatment. As an example of the annealing treatment temperature, when the resin substrate is PEN, it is in the range of the glass transition temperature to the melting point, more specifically, 160 ° C. to 260 ° C., more preferably 180 ° C. to 230 ° C. The annealing treatment time can be exemplified by about 10 seconds to 5 minutes. According to such heat treatment conditions, the heat shrinkage start temperature of PEN, which is generally about 80 ° C., can be improved to about 100 ° C.

[エッチング工程]
アニール処理を経た樹脂基板の表面に、金属配線部の材料とする金属層の金属配線部13を積層して発光素子用基板の材料とする積層体を得ることができる。積層方法としては、金属層を接着剤によって樹脂基板の表面に接着する方法を挙げることができる。コストや生産性の面からは、金属層をウレタン系の接着剤によって樹脂基板の表面に接着する方法が有利である。
[Etching process]
A laminated body used as a material for a light emitting element substrate can be obtained by laminating a metal wiring part 13 of a metal layer used as a material for a metal wiring part on the surface of a resin substrate that has undergone an annealing treatment. Examples of the laminating method include a method of adhering a metal layer to the surface of a resin substrate with an adhesive. From the viewpoint of cost and productivity, the method of adhering the metal layer to the surface of the resin substrate with a urethane-based adhesive is advantageous.

次に、上記の積層体の金属層の表面に、金属配線部13の形状にパターニングされたエッチングマスクを形成する。エッチングマスクは、将来、金属配線部13となる金属層の配線パターン形成部分がエッチング液による腐食を免れるために設けられる。エッチングマスクを形成する方法は特に限定されず、例えば、フォトレジスト又はドライフィルムを用いる際、フォトマスクを通して感光させた後で現像することにより積層シートの表面にエッチングマスクを形成してもよいし、インクジェットプリンター等の印刷技術により積層シートの表面にエッチングマスクを形成してもよい。 Next, an etching mask patterned in the shape of the metal wiring portion 13 is formed on the surface of the metal layer of the laminated body. The etching mask is provided so that the wiring pattern forming portion of the metal layer, which will be the metal wiring portion 13 in the future, is prevented from being corroded by the etching solution. The method for forming the etching mask is not particularly limited. For example, when a photoresist or a dry film is used, the etching mask may be formed on the surface of the laminated sheet by exposing it to light through the photomask and then developing it. An etching mask may be formed on the surface of the laminated sheet by a printing technique such as an inkjet printer.

次に、エッチングマスクに覆われていない箇所における金属層を浸漬液により除去する。これにより、金属層のうち、金属配線部13となる箇所以外の部分が除去される。 Next, the metal layer in the portion not covered by the etching mask is removed by the immersion liquid. As a result, the portion of the metal layer other than the portion that becomes the metal wiring portion 13 is removed.

最後に、アルカリ性の剥離液を使用して、エッチングマスクを除去する。これにより、エッチングマスクが金属配線部13の表面から除去される。 Finally, an alkaline stripper is used to remove the etching mask. As a result, the etching mask is removed from the surface of the metal wiring portion 13.

[絶縁性保護膜及び表面反射材形成工程]
金属配線部形成後、必要に応じて絶縁性保護膜15及び表面反射材16を更に積層する。これらの積層は公知の方法によって行うことができる。採用する材料によりスクリーン印刷等の印刷法或いは、ドライラミネーション、熱ラミネーション法等、各種のラミネート処理方法によることができる。
[Insulating protective film and surface reflector forming process]
After forming the metal wiring portion, the insulating protective film 15 and the surface reflective material 16 are further laminated as needed. These laminations can be carried out by a known method. Depending on the material used, a printing method such as screen printing or various laminating methods such as a dry lamination method and a thermal lamination method can be used.

<モジュール>
モジュール10は、上述の発光素子用基板1に、発光素子2を実装することにより、得ることができる。
<Module>
The module 10 can be obtained by mounting the light emitting element 2 on the above-mentioned light emitting element substrate 1.

発光素子用基板1を用いたモジュール10の製造方法について説明する。金属配線部13への発光素子2の接合は、ハンダ加工により好ましく行うことができる。このハンダによる接合は、リフロー方式、或いは、レーザー方式によることができる。リフロー方式は、金属配線部13にハンダを介して発光素子2を搭載し、その後、発光素子用基板をリフロー炉内に搬送して、リフロー炉内で金属配線部13に所定温度の熱風を吹きつけることで、ハンダペーストを融解させ、発光素子2を金属配線部13にハンダ付けする方法である。又、レーザー方式とは、レーザーによってハンダを局所的に加熱して、発光素子2を金属配線部13にハンダ付けする手法である。尚、ハンダ材料は樹脂基板11の耐熱性に合わせSn−Bi系、Sn−Cu系、Sn−Ag−Cu系等のハンダを用いてもよい。 A method of manufacturing the module 10 using the light emitting element substrate 1 will be described. The light emitting element 2 can be preferably bonded to the metal wiring portion 13 by soldering. The soldering can be performed by a reflow method or a laser method. In the reflow method, the light emitting element 2 is mounted on the metal wiring portion 13 via solder, and then the substrate for the light emitting element is conveyed into the reflow furnace, and hot air at a predetermined temperature is blown to the metal wiring portion 13 in the reflow furnace. This is a method of melting the solder paste and soldering the light emitting element 2 to the metal wiring portion 13. The laser method is a method in which the solder is locally heated by a laser and the light emitting element 2 is soldered to the metal wiring portion 13. The solder material may be Sn-Bi-based, Sn-Cu-based, Sn-Ag-Cu-based or the like, depending on the heat resistance of the resin substrate 11.

金属配線部13への発光素子2のハンダ接合を行う際は、発光素子用基板1における裏面側からのレーザー照射によって、ハンダのリフローを行う方法とすることが好ましい。これにより、加熱によるハンダの有機成分の発火とそれに伴う基材の損傷をより確実に抑制することが可能となる。 When soldering the light emitting element 2 to the metal wiring portion 13, it is preferable to use a method of reflowing the solder by irradiating a laser from the back surface side of the light emitting element substrate 1. This makes it possible to more reliably suppress the ignition of the organic component of the solder due to heating and the resulting damage to the base material.

<表示装置>
図2は、モジュール10を用いた表示装置100の層構成の概略を模式的に示す斜視図である。表示装置100は、所定の間隔でマトリクス状に配列された複数のLED素子等の発光素子2を駆動(発光)することによって、文字や映像等の情報(画像)をモニター3に表示する。発光素子2は、発光素子用基板1の金属配線部13に実装されている。又、モジュール10から放熱される熱を更に効率よく外部に放射するための放熱構造4が樹脂基材の裏面側に設置されていることが更に好ましい。本発明のモジュール10を用いることにより画面サイズ(対角線の長さ)が65インチ以上の大型の表示装置を従来よりも低コストで且つ品質の安定性を向上させて製造することができる。
<Display device>
FIG. 2 is a perspective view schematically showing an outline of the layer structure of the display device 100 using the module 10. The display device 100 displays information (images) such as characters and images on the monitor 3 by driving (light emitting) light emitting elements 2 such as a plurality of LED elements arranged in a matrix at predetermined intervals. The light emitting element 2 is mounted on the metal wiring portion 13 of the light emitting element substrate 1. Further, it is more preferable that the heat radiating structure 4 for more efficiently radiating the heat radiated from the module 10 to the outside is installed on the back surface side of the resin base material. By using the module 10 of the present invention, it is possible to manufacture a large display device having a screen size (diagonal length) of 65 inches or more at a lower cost than before and with improved quality stability.

<発光素子用基板の奏する効果>
樹脂基材からなる樹脂基板は、発光素子からの光、なかでも、短波長で高エネルギーの青色の光によって劣化が促進し易い。これに対し、発光素子用基板1は、樹脂基板11、波長450nmにおける反射率が80%以上という高い反射率を有する反射層18、及び接着層12とを、この順で積層する構成としたことにより、接着層12の接着強度を保持したまま、発光素子2からの青色の光を有効に遮蔽できるという優れた効果を有するものである。又、更に加えて、以下の効果も奏するものである。
<Effects of the light emitting element substrate>
A resin substrate made of a resin base material is likely to be deteriorated by light from a light emitting element, particularly blue light having a short wavelength and high energy. On the other hand, the light emitting element substrate 1 has a configuration in which a resin substrate 11, a reflective layer 18 having a high reflectance at a wavelength of 450 nm of 80% or more, and an adhesive layer 12 are laminated in this order. As a result, it has an excellent effect that the blue light from the light emitting element 2 can be effectively shielded while maintaining the adhesive strength of the adhesive layer 12. In addition, the following effects are also achieved.

まず、樹脂基板11上の層構成を、反射層18と接着層12という2層構成によって形成することにより、反射層18のみならず、所定の屈折率を持つ接着層12においても反射が生じるので、多層にすることで反射率を向上することができる。この点からは、接着層を構成する樹脂としては、高屈折率(すなわち高反射率)の観点から、ウレタン樹脂(n=1.43)に比べて、ポリカーボネート樹脂(n=1.59)やエポキシ樹脂(n=1.55以上1.612以下)が好ましく用いられ、これにより、更なる反射率の向上を図ることができる。 First, by forming the layer structure on the resin substrate 11 with a two-layer structure of the reflective layer 18 and the adhesive layer 12, reflection occurs not only in the reflective layer 18 but also in the adhesive layer 12 having a predetermined refractive index. , The reflectance can be improved by forming multiple layers. From this point of view, the resin constituting the adhesive layer includes a polycarbonate resin (n = 1.59) and a polycarbonate resin (n = 1.59) as compared with the urethane resin (n = 1.43) from the viewpoint of high refractive index (that is, high reflectance). An epoxy resin (n = 1.55 or more and 1.612 or less) is preferably used, whereby the reflectance can be further improved.

尚、反射層18と接着層12とで熱収縮率差が存在すると、発光素子2を実装するためのハンダ接合の際に生じる熱(例えば樹脂基板11がPETの場合には150℃程度)によって、シワ等の不具合が生じることになるので、反射層18と接着層12との熱収縮率(JIS K7133、150℃×30分)の差が、10%以下であることが好ましい。
If there is a difference in heat shrinkage between the reflective layer 18 and the adhesive layer 12, the heat generated during solder bonding for mounting the light emitting element 2 (for example, about 150 ° C. when the resin substrate 11 is PET) causes , Wrinkles and the like will occur, so the difference in heat shrinkage (JIS K7133, 150 ° C. x 30 minutes) between the reflective layer 18 and the adhesive layer 12 is preferably 10% or less.

以下、実施例を示して、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

<試験用試料の作成>
下記の各材料を用いて、本発明の発光素子用基板の効果を確認するための試験用の試料を作成した。
<Preparation of test sample>
Using each of the following materials, a test sample for confirming the effect of the light emitting device substrate of the present invention was prepared.

[樹脂基板]
実施例及び比較例の試料を作成するための樹脂基板として以下の2種類の樹脂フィルムを用意し、それぞれ下記表1に記載の通りに各試料毎に使い分けた。
樹脂フィルムA:ポリエチレンナフタレート樹脂フィルム(帝人社製「QFグレード」)50μm。この樹脂フィルムAは、特に難燃性を向上させる処理が行われた特殊グレードのPENフィルムである。
樹脂フィルムB:ポリエチレンナフタレート樹脂フィルム(帝人社製「テオネックス」)50μm。この樹脂フィルムBは、汎用的に用いられる透明性の高い一般グレードのPENフィルムである。
[Resin substrate]
The following two types of resin films were prepared as resin substrates for preparing the samples of Examples and Comparative Examples, and were used properly for each sample as shown in Table 1 below.
Resin film A: Polyethylene naphthalate resin film (“QF grade” manufactured by Teijin Limited) 50 μm. This resin film A is a special grade PEN film that has been particularly treated to improve flame retardancy.
Resin film B: Polyethylene naphthalate resin film (“Theonex” manufactured by Teijin Limited) 50 μm. This resin film B is a general-grade PEN film with high transparency that is used for general purposes.

[反射層]
反射層を形成するためのコーティング液として以下の3種類のコーティング液を調合して、それぞれ下記表1に記載の通りに各試料毎に使い分けた。
コーティング液A:複数の架橋性置換基を有するフッ素樹脂(ゼッフル:ダイキン社製、製品名:GK−570)と、複数の架橋性置換基を有するアクリル樹脂(質量平均分子量50,000、Tg40℃、水酸基価8.9mg/g)との混合樹脂に対して、光反射性充填材として酸化チタン(堺化学工業株式会社製、製品名R−5N:平均粒径0.25μm、アルミナ処理)を、樹脂100質量部に対して30質量部、則ち、硬化後の反射層中における光反射性充填材の含有量が23.1質量%となるように添加した。又、溶剤として酢酸エチル:酢酸ブチル=1:1の混合液を使用した。フッ素樹脂:アクリル樹脂=1:3の割合で樹脂主剤を調整した。主剤の固形分濃度は、43質量%以上45質量%以下とした。この混合物に対して、ペイントシェーカーを使用して60分間の撹拌を行った。又、ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)とイソホロンジイソシアネート(IPDI)をNCO/OH比1.0に調整し、これを各コーティング液における硬化剤とした。これら主剤及び硬化剤は、使用(塗布)の直前に混合し、コーティング液Aとした。これを、上記各樹脂フィルムに塗布し硬化膜を作製することによって各試料の反射層を形成した。各試料毎の反射層の膜厚については表1に記載の通りの膜厚となるように塗布量を調整した。
コーティング液B:ポリフェニルシロキサン樹脂(商品名XE14−C2508:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ)とポリジメチルシロキサン樹脂(商品名IVSM4500:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)を用いて、これに対して、アナターゼ型酸化チタン(商品名A−950:堺化学工業株式会社製)とルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)と酸化アルミニウム(商品名AES12:住友化学株式会社製)を、樹脂100質量部に対して各々200質量部、則ち、硬化後の反射層中における光反射性充填材の含有量が80.0質量%となるように添加し、コーティング液Bとした。これを、上記各樹脂フィルムに塗布し硬化膜を作製することにより、反射層を形成した。各例毎の反射層の膜厚については表1に記載の通りの膜厚となるように塗布量を調整した。
コーティング液C:上記コーティング液Aと同材料を用いてコーティング液Cを調合した。コーティング液Cは、白色顔料として添加する上記の酸化チタンの添加量を樹脂100質量部に対して7質量部、則ち、硬化後の反射層中における光反射性充填材の含有量が6.5質量%となるように添加し、その他の調合はコーティング液1と同様の調合とした。
[Reflective layer]
The following three types of coating liquids were prepared as coating liquids for forming the reflective layer, and each of them was used properly for each sample as shown in Table 1 below.
Coating liquid A: A fluororesin having a plurality of crosslinkable substituents (Zeffle: manufactured by Daikin Co., Ltd., product name: GK-570) and an acrylic resin having a plurality of crosslinkable substituents (mass average molecular weight 50,000, Tg 40 ° C.) , Titanium oxide (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., product name R-5N: average particle size 0.25 μm, alumina treatment) as a light-reflecting filler in a mixed resin with a hydroxyl value of 8.9 mg / g). , 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin, that is, the content of the light-reflecting filler in the cured reflective layer was 23.1% by mass. Moreover, a mixed solution of ethyl acetate: butyl acetate = 1: 1 was used as a solvent. The resin main agent was adjusted at a ratio of fluororesin: acrylic resin = 1: 3. The solid content concentration of the main agent was 43% by mass or more and 45% by mass or less. The mixture was stirred for 60 minutes using a paint shaker. Hexamethylene diisocyanate (HDI) and isophorone diisocyanate (IPDI) were adjusted to an NCO / OH ratio of 1.0, and this was used as a curing agent in each coating liquid. These main agent and curing agent were mixed immediately before use (coating) to prepare a coating liquid A. This was applied to each of the above resin films to prepare a cured film, thereby forming a reflective layer for each sample. Regarding the film thickness of the reflective layer for each sample, the coating amount was adjusted so as to have the film thickness as shown in Table 1.
Coating liquid B: Polyphenylsiloxane resin (trade name XE14-C2508: Momentive Performance Materials) and polydimethylsiloxane resin (trade name IVSM4500: Momentive Performance Materials) were used. Anatase-type titanium oxide (trade name A-950: manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.), rutile-type titanium oxide (trade name GTR-100; manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.) and aluminum oxide (trade name AES12: manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) ) Was added in an amount of 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin, that is, the content of the light-reflecting filler in the cured reflective layer was 80.0% by mass, and the coating liquid B and the coating liquid B were added. did. A reflective layer was formed by applying this to each of the above resin films to prepare a cured film. Regarding the film thickness of the reflective layer for each example, the coating amount was adjusted so as to have the film thickness as shown in Table 1.
Coating liquid C: A coating liquid C was prepared using the same material as the coating liquid A. In the coating liquid C, the amount of the above-mentioned titanium oxide added as a white pigment is 7 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin, that is, the content of the light-reflecting filler in the reflective layer after curing is 6. It was added so as to be 5% by mass, and the other formulations were the same as those of the coating liquid 1.

[接着層]
実施例4の試料については、反射層上に更に接着層を形成した。接着剤としては、ウレタン系接着剤を用いて、同層の厚さが10μmとなるようにこれを塗布した。
[Adhesive layer]
For the sample of Example 4, an adhesive layer was further formed on the reflective layer. As the adhesive, a urethane-based adhesive was used and applied so that the thickness of the same layer was 10 μm.

<反射率測定試験>
各実施例及び比較例について、各波長域における反射層の反射率を測定した。但し、実施例4の反射率については、接着層の上から光を照射して、接着層も含む積層体の表面の反射率を測定した。又、比較例1については、参考値として、樹脂フィルム自体の表面の反射率を測定した。測定には、紫外可視分光光度計(島津製作所製紫外可視分光光度計UV−2550)を用いた。各実施例及び比較例の波長450nmにおける反射率の測定結果を表1に、実施例1、2及び比較例1についての波長375nm〜500nmの範囲における上記測定結果を図3に示す。
<Reflectance measurement test>
For each Example and Comparative Example, the reflectance of the reflective layer in each wavelength range was measured. However, regarding the reflectance of Example 4, the reflectance of the surface of the laminate including the adhesive layer was measured by irradiating light from above the adhesive layer. Further, for Comparative Example 1, the reflectance of the surface of the resin film itself was measured as a reference value. An ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-2550 manufactured by Shimadzu Corporation) was used for the measurement. Table 1 shows the measurement results of the reflectance of each Example and Comparative Example at a wavelength of 450 nm, and FIG. 3 shows the measurement results of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 in the wavelength range of 375 nm to 500 nm.

<耐光性試験>
青色発光素子に対する耐光性試験として、実施例1〜3及び比較例2については反射層上から、実施例4については接着剤層上から、比較例1については樹脂フィルム上から、青色レーザー(日亜化学製レーザーダイオード、波長450nm、出力0.5W)を照射し、フィルムに穴が開いた時間を測定した。試験結果を下記表1に示す。
<Light resistance test>
As a light resistance test for a blue light emitting element, a blue laser (Nichia) was used as a light resistance test for Examples 1 to 3 and Comparative Example 2 from the reflective layer, Example 4 from the adhesive layer, and Comparative Example 1 from the resin film. A laser diode manufactured by Nichia Corporation, wavelength 450 nm, output 0.5 W) was irradiated, and the time for which a hole was formed in the film was measured. The test results are shown in Table 1 below.

Figure 0006918452
Figure 0006918452

表1より、波長450nmにおける反射率が90%以上である反射層がその表面に形成された樹脂基板は、穴あきまでの所要時間が十分に長くなっていることが確認された。又、実施例1と実施例3及び4の結果の比較より、表面の光反射率が異なることが推認される樹脂基板の種類によって、反射層自体の反射率と穴あき防止効果の結果は、実質的に変動しないことが分かる。又、接着材層の有無が上記効果に与える影響についてもほぼ上記同様である。これに加えて比較例2の結果を加味することにより、波長450nmにおける反射率が80%以上である反射層が配置されている本発明の発光素子用基板は、発光素子からの光に対する耐光性を有する発光素子用基板であることが分かる。 From Table 1, it was confirmed that the resin substrate on which the reflective layer having a reflectance of 90% or more at a wavelength of 450 nm was formed had a sufficiently long time required for drilling. Further, from the comparison of the results of Examples 1 and 3 and 4, the result of the reflectance of the reflective layer itself and the effect of preventing perforation is different depending on the type of resin substrate on which the light reflectance of the surface is presumed to be different. It can be seen that there is virtually no fluctuation. Further, the influence of the presence or absence of the adhesive layer on the above effect is almost the same as the above. In addition to this, by taking into account the results of Comparative Example 2, the substrate for a light emitting element of the present invention on which a reflective layer having a reflectance of 80% or more at a wavelength of 450 nm is arranged has light resistance to light from the light emitting element. It can be seen that it is a substrate for a light emitting element having.

1 発光素子用基板
2 発光素子
3 モニター
4 放熱構造
11 樹脂基板
12 接着層
13 金属配線部
14 ハンダ層
15 絶縁性保護膜
16 表面反射材
17 金属配線部非存在領域
18 反射層
19 封止部材
20 蛍光体
21 アンダーフィル
10 モジュール
100 表示装置
1 Substrate for light emitting element 2 Light emitting element 3 Monitor 4 Heat dissipation structure 11 Resin substrate 12 Adhesive layer 13 Metal wiring part 14 Solder layer 15 Insulating protective film 16 Surface reflective material 17 Metal wiring part non-existent area 18 Reflective layer 19 Sealing member 20 Phosphor 21 Underfill 10 Module 100 Display

Claims (8)

可撓性を有する樹脂基板と、該樹脂基板の少なくとも一方の面側に接着層を介して形成されている金属配線部と、を有し、
前記樹脂基板と前記接着層との間に、反射層が配置されていて、
該反射層は、熱硬化性樹脂と、光反射性充填材と、を含有してなり、該光反射性充填材の含有量が、10質量%以上85質量%以下であって、波長450nmにおける反射率が80%以上であり、
前記金属配線部は、前記樹脂基板の一方の表面の80%以上の範囲を被覆していて、
前記接着層は、光反射性充填材が含有されていないか、又は、光反射性充填材の含有量が40質量%以下であって、前記樹脂基板の表面における前記金属配線部の部分間の離間部分である金属配線部非存在領域にも存在する、
発光素子用基板。
It has a flexible resin substrate and a metal wiring portion formed on at least one surface side of the resin substrate via an adhesive layer.
A reflective layer is arranged between the resin substrate and the adhesive layer.
The reflective layer contains a thermosetting resin and a light-reflecting filler, and the content of the light-reflecting filler is 10% by mass or more and 85% by mass or less at a wavelength of 450 nm. The reflectance is 80% or more,
The metal wiring portion covers a range of 80% or more of one surface of the resin substrate.
The adhesive layer does not contain a light-reflecting filler, or the content of the light-reflective filler is 40% by mass or less, and is between the metal wiring portions on the surface of the resin substrate. It also exists in the area where the metal wiring part does not exist, which is a separated part.
Substrate for light emitting element.
前記反射層の厚さが5μm以上250μm以下である、請求項1に記載の発光素子用基板。 The substrate for a light emitting element according to claim 1, wherein the thickness of the reflective layer is 5 μm or more and 250 μm or less. 前記反射層と前記接着層との熱収縮率(JIS K7133、150℃×30分)の差が、10%以下である、請求項1又は2に記載の発光素子用基板。 The substrate for a light emitting element according to claim 1 or 2, wherein the difference in heat shrinkage (JIS K7133, 150 ° C. × 30 minutes) between the reflective layer and the adhesive layer is 10% or less. 請求項1から3のいずれかに記載の発光素子用基板発光素子が実装されている、モジュールであって、
前記発光素子用基板は、前記金属配線部の一の部分と、当該一の部分と離間して形成される他の部分と、の間に前記金属配線部非存在領域が設けられていて、
前記発光素子は、前記金属配線部非存在領域を跨いで、前記金属配線部の一の部分と、前記他の部分と、に実装されている、モジュール。
A module in which a light emitting element is mounted on the light emitting element substrate according to any one of claims 1 to 3.
The light emitting element substrate is provided with a region in which the metal wiring portion does not exist between one portion of the metal wiring portion and another portion formed apart from the one portion.
A module in which the light emitting element straddles a region in which the metal wiring portion does not exist and is mounted on one portion of the metal wiring portion and the other portion.
前記発光素子が青色発光素子である、請求項4に記載のモジュール。 The module according to claim 4, wherein the light emitting element is a blue light emitting element. 前記発光素子の発光波長のピークが、430nm以上470nm以下である、請求項4又は5に記載のモジュール。 The module according to claim 4 or 5, wherein the peak of the emission wavelength of the light emitting element is 430 nm or more and 470 nm or less. 前記接着層と前記発光素子との間に、アンダーフィルが配置されている、請求項4から6のいずれかに記載のモジュール。 The module according to any one of claims 4 to 6, wherein an underfill is arranged between the adhesive layer and the light emitting element. 前記樹脂基板上に前記発光素子を封止する封止部材が配置され、
前記封止部材は、エポキシ樹脂、変成エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及び変成シリコーンより選択される一つ以上の材料を含んでなる、請求項4から7のいずれかに記載のモジュール。
A sealing member for sealing the light emitting element is arranged on the resin substrate.
The module according to any one of claims 4 to 7, wherein the sealing member comprises one or more materials selected from an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, and a modified silicone.
JP2016162503A 2015-09-30 2016-08-23 Substrate and module for light emitting element Active JP6918452B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/280,312 US10199545B2 (en) 2015-09-30 2016-09-29 Substrate for light emitting element and module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015195495 2015-09-30
JP2015195495 2015-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017069546A JP2017069546A (en) 2017-04-06
JP6918452B2 true JP6918452B2 (en) 2021-08-11

Family

ID=58495262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016162503A Active JP6918452B2 (en) 2015-09-30 2016-08-23 Substrate and module for light emitting element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6918452B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11468832B2 (en) 2019-11-08 2022-10-11 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Array substrate and method for manufacturing same, display panel, and display device
KR102272672B1 (en) * 2020-09-16 2021-07-05 대성앤텍 주식회사 Substrate Array for Light Source and Manufacturing Method Thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5488326B2 (en) * 2009-09-01 2014-05-14 信越化学工業株式会社 White thermosetting silicone epoxy hybrid resin composition for optical semiconductor device, method for producing the same, pre-mold package and LED device
JPWO2011118449A1 (en) * 2010-03-26 2013-07-04 株式会社クラレ Light reflective film, light reflective laminate, and light reflective circuit board
JP2011228602A (en) * 2010-04-23 2011-11-10 Toray Ind Inc Led light-emitting device and manufacturing method thereof
CN103031075B (en) * 2011-09-30 2014-07-30 达迈科技股份有限公司 Polymer film and use thereof in light-emitting devices
JP6209874B2 (en) * 2012-08-31 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2014123609A (en) * 2012-12-20 2014-07-03 Hitachi Cable Ltd Method of manufacturing substrate for mounting light-emitting element, method of manufacturing light-emitting package, and substrate for mounting light-emitting element
JP6255747B2 (en) * 2013-07-01 2018-01-10 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
US9437793B2 (en) * 2014-02-21 2016-09-06 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. Package support, fabrication method and LED package

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017069546A (en) 2017-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008023605A1 (en) Light-reflecting body and light source comprising the same
TWI500362B (en) Transparent flexible printed wiring board and method of manufacturing the same
US8710539B2 (en) Metal foil laminate, substrate for mounting LED, and light source device
KR102349395B1 (en) Top substrate for ultra-small LED components, ultra-small LED components, and ultra-small LED display devices
US20180212129A1 (en) Heat dissipation circuit board and method for producing heat dissipation circuit board
US10199545B2 (en) Substrate for light emitting element and module
JP6918452B2 (en) Substrate and module for light emitting element
WO2013118752A1 (en) Coverlay film, printed wiring board to be equipped with light-emitting element, and light source device
JP2019016631A (en) Method of manufacturing led module
JP2006201794A (en) Heat dissipation sheet for flat display apparatus, and flat display apparatus including the same
JP6572083B2 (en) Light emitting element substrate, module, and method for manufacturing light emitting element substrate
JP6556009B2 (en) Light emitting element substrate, module, and method for manufacturing light emitting element substrate
KR100926283B1 (en) Flexible printed circuit board and manufacturing method thereof
JP2017152108A (en) Substrate for LED element and LED display device
TW201633513A (en) Led-mounted module and led display device
JP6528503B2 (en) LED BACKLIGHT AND LED DISPLAY USING THE SAME
JP2019016629A (en) LED module
JP6543998B2 (en) LED BACKLIGHT AND LED DISPLAY USING THE SAME
WO2016104609A1 (en) Led element substrate, led-mounted module and led display device using these
JP7005967B2 (en) LED module
JP2012054164A (en) Light source device and electronic equipment
JP6458492B2 (en) LED element substrate and manufacturing method of LED mounting module using the same
JP2017174806A (en) Flexible substrate for led edge light
WO2024070281A1 (en) Display device and display device manufacturing method, and connecting film and connecting film manufacturing method
JP5625637B2 (en) Light source device and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200407

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201201

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210629

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210721

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6918452

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250