JP5625637B2

JP5625637B2 - Light source device and electronic apparatus

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Publication number: JP5625637B2
Application number: JP2010197061A
Authority: JP
Inventors: 丸山　豊太郎; 豊太郎丸山; 飛澤　晃彦; 晃彦飛澤
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2010-09-02
Filing date: 2010-09-02
Publication date: 2014-11-19
Anticipated expiration: 2030-09-02
Also published as: JP2012054166A

Description

本発明は、光源装置および電子機器に関する。 The present invention relates to a light source device and an electronic apparatus.

発光素子として例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）素子を用いた光源装置が知られている（例えば特許文献１参照）。このような光源装置では、一般に、ＬＥＤチップ（ＬＥＤ素子）を備える表面実装型の発光装置が基板の一方の面側に搭載されている。 For example, a light source device using a light emitting diode (LED) element as a light emitting element is known (for example, see Patent Document 1). In such a light source device, generally, a surface mount type light emitting device including an LED chip (LED element) is mounted on one surface side of a substrate.

そして、このような光源装置は、ＬＥＤ素子を搭載した基板（搭載基板）をＬＥＤ素子ごとハウジング内に収納した状態で、例えば、照明器具や液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる。 Such a light source device is used for, for example, a lighting fixture or a backlight of a liquid crystal display in a state where a substrate (mounting substrate) on which LED elements are mounted is housed in the housing together with the LED elements.

このような光源装置では、ＬＥＤ素子の発光に伴う発熱により、ＬＥＤ素子の劣化や搭載基板との接続信頼性の低下等が生じる場合があるため、搭載基板には高い放熱性が要求される。 In such a light source device, the heat generated by the light emission of the LED element may cause deterioration of the LED element, a decrease in connection reliability with the mounting board, and the like, so that the mounting board is required to have high heat dissipation.

ところで、比較的放熱性の高い基板として、不織布に樹脂材料を含浸させた中材層と、その中材層の両面にそれぞれ接合された表面材層とを有する、いわゆるＣＥＭ−３タイプと称される基板が知られている。 By the way, as a substrate having relatively high heat dissipation, it is called a so-called CEM-3 type having a middle material layer in which a nonwoven fabric is impregnated with a resin material and a surface material layer bonded to both surfaces of the middle material layer. There are known substrates.

しかし、従来のＣＥＭ−３タイプの基板は、各表面材層の厚さが中材層の厚さよりも極めて薄く、かつ、中材層の面方向での熱膨張係数が大きいので、基板全体の熱膨張係数が大きくなってしまう。そのため、基板の両面に設けられた金属層の残存率の差に起因して、温度変化に伴って基板に反りが生じるという問題がある。特に、かかる問題は、大面積の基板や長尺な基板を用いた場合に顕著となる。 However, in the conventional CEM-3 type substrate, the thickness of each surface material layer is extremely smaller than the thickness of the intermediate material layer and the coefficient of thermal expansion in the surface direction of the intermediate material layer is large. A thermal expansion coefficient will become large. Therefore, there is a problem that the substrate is warped with a temperature change due to the difference in the remaining ratio of the metal layers provided on both surfaces of the substrate. In particular, such a problem becomes prominent when a large-area substrate or a long substrate is used.

特開２００９−９３９２６号公報JP 2009-93926 A

本発明の目的は、搭載基板の熱伝導性を優れたものとしつつ、温度変化に伴う搭載基板の反りを防止することができる光源装置、および、かかる光源装置を備える電子機器を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a light source device that can prevent the mounting substrate from warping due to a temperature change, and an electronic device including the light source device, while improving the thermal conductivity of the mounting substrate. is there.

このような目的は、下記（１）〜（２０）に記載の本発明により達成される。
（１）発光素子を有する少なくとも１つの発光装置と、
板状をなし、その一方の面に前記発光装置が搭載される搭載基板とを備え、
前記搭載基板は、第１の繊維基材に第１の樹脂材料を含浸してなる第１の基材層と、
前記第１の基材層の両面にそれぞれ形成され、第２の繊維基材に第２の樹脂材料を含浸してなる第２の基材層とを有し、
前記搭載基板の面方向に沿って互いに直交するＸ方向およびＹ方向を設定したとき、前記各第２の繊維基材は、前記Ｘ方向での熱膨張係数が前記Ｙ方向での熱膨張係数よりも小さく、
前記搭載基板は、前記Ｘ方向を長手方向とする長手形状をなしていることを特徴とする光源装置。 Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to ( 20 ).
(1) at least one light emitting device having a light emitting element;
It has a plate shape and includes a mounting board on which the light emitting device is mounted on one surface thereof,
The mounting substrate includes a first base material layer formed by impregnating a first fiber base material with a first resin material;
A second base material layer formed on both surfaces of the first base material layer and impregnated with a second resin material in a second fiber base material,
When the X direction and the Y direction perpendicular to each other are set along the surface direction of the mounting substrate, each of the second fiber base materials has a thermal expansion coefficient in the X direction that is greater than the thermal expansion coefficient in the Y direction. also rather small,
The light source device , wherein the mounting substrate has a longitudinal shape with the X direction as a longitudinal direction .

（２）前記各第２の繊維基材は、前記搭載基板の前記Ｘ方向に延在する複数のＸ方向繊維と、前記搭載基板の前記Ｙ方向に延在する複数のＹ方向繊維とが織り込まれてなる織布である上記（１）に記載の光源装置。 (2) Each of the second fiber base materials weaves a plurality of X direction fibers extending in the X direction of the mounting substrate and a plurality of Y direction fibers extending in the Y direction of the mounting substrate. The light source device according to (1), wherein the light source device is a woven fabric.

（３）前記Ｘ方向繊維の前記Ｙ方向での単位長さ当たりに配設される本数をＡ［本／ｃｍ］とし、前記Ｙ方向繊維の前記Ｘ方向での単位長さ当たりに配設される本数をＢ［本／ｃｍ］としたとき、
０．６＜Ｂ／Ａ＜１なる関係を満たす上記（２）に記載の光源装置。 (3) The number of the X direction fibers arranged per unit length in the Y direction is A [lines / cm], and the Y direction fibers are arranged per unit length in the X direction. When the number is B [lines / cm],
The light source device according to (2), wherein a relationship of 0.6 <B / A <1 is satisfied.

（４）前記Ｘ方向繊維の繊維径は、前記Ｙ方向繊維の繊維径と同じかそれよりも太い上記（２）または（３）に記載の光源装置。 (4) The light source device according to (2) or (3), wherein a fiber diameter of the X-direction fiber is the same as or thicker than a fiber diameter of the Y-direction fiber.

（５）前記Ｘ方向繊維の繊維長は、前記Ｙ方向繊維の繊維長と同じかそれよりも長い上記（２）ないし（４）のいずれかに記載の光源装置。 (5) The light source device according to any one of (2) to (4), wherein a fiber length of the X direction fibers is equal to or longer than a fiber length of the Y direction fibers.

（６）前記第１の繊維基材および前記第２の繊維基材は、それぞれ、ガラス繊維である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の光源装置。 ( 6 ) The light source device according to any one of (1) to ( 5 ), wherein each of the first fiber base and the second fiber base is a glass fiber.

（７）前記第１の繊維基材は、不織布である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の光源装置。 ( 7 ) The light source device according to any one of (1) to ( 6 ), wherein the first fiber base material is a nonwoven fabric.

（８）前記第１の繊維基材は、その表面がシラン化合物で処理されたものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の光源装置。 ( 8 ) The light source device according to any one of (1) to ( 7 ), wherein the surface of the first fiber base is treated with a silane compound.

（９）前記第１の基材層中における前記第１の繊維基材の占める体積の割合は、０．１ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の光源装置。 ( 9 ) The volume ratio of the first fiber base material in the first base material layer is 0.1 vol% or more and 30 vol% or less, according to any one of (1) to ( 8 ). Light source device.

（１０）前記第２の基材層中における前記第２の繊維基材の占める体積の割合は、４０ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下である上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の光源装置。 ( 10 ) The light source device according to any one of (1) to ( 9 ), wherein a ratio of a volume occupied by the second fiber base material in the second base material layer is 40 vol% or more and 65 vol% or less. .

（１１）前記第１の樹脂材料および前記第２の樹脂材料は、それぞれ、熱硬化性樹脂である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の光源装置。 ( 11 ) The light source device according to any one of (1) to ( 10 ), wherein each of the first resin material and the second resin material is a thermosetting resin.

（１２）前記第１の樹脂材料には、シラン化合物が添加されている上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の光源装置。 ( 12 ) The light source device according to any one of (1) to ( 11 ), wherein a silane compound is added to the first resin material.

（１３）前記第１の基材層の平均厚さは、０．１ｍｍ以上１．４ｍｍ以下である上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の光源装置。 ( 13 ) The light source device according to any one of (1) to ( 12 ), wherein an average thickness of the first base material layer is 0.1 mm or more and 1.4 mm or less.

（１４）前記第２の基材層の平均厚さは、０．０４ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の光源装置。 ( 14 ) The light source device according to any one of (1) to ( 13 ), wherein an average thickness of the second base material layer is 0.04 mm or more and 0.3 mm or less.

（１５）前記第１の樹脂材料には、無機フィラーが添加されている上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載の光源装置。 ( 15 ) The light source device according to any one of (1) to ( 14 ), wherein an inorganic filler is added to the first resin material.

（１６）前記第１の樹脂材料に対する前記無機フィラーの添加量は、５０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下である上記（１５）に記載の光源装置。 ( 16 ) The light source device according to ( 15 ), wherein an amount of the inorganic filler added to the first resin material is 50 wt% or more and 80 wt% or less.

（１７）前記無機フィラーの平均粒径は、０．５μｍ以上５０μｍ以下である上記（１５）または（１６）に記載の光源装置。 ( 17 ) The light source device according to ( 15 ) or ( 16 ), wherein the inorganic filler has an average particle size of 0.5 μm or more and 50 μm or less.

（１８）前記無機フィラーは、その表面がシラン化合物で処理されたものである上記（１５）ないし（１７）のいずれかに記載の光源装置。 ( 18 ) The light source device according to any one of ( 15 ) to ( 17 ), wherein the inorganic filler has a surface treated with a silane compound.

（１９）液晶表示装置のバックライトとして用いられる上記（１）ないし（１８）のいずれかに記載の光源装置。 ( 19 ) The light source device according to any one of (1) to ( 18 ), which is used as a backlight of a liquid crystal display device.

（２０）上記（１）ないし（１９）のいずれかに記載の光源装置を備えることを特徴とする電子機器。 ( 20 ) An electronic apparatus comprising the light source device according to any one of (1) to ( 19 ).

本発明の光源装置によれば、搭載基板の一方向（Ｘ方向）での熱膨張量を抑え、搭載基板の熱膨張に伴う反りを防止または抑制することができる。 According to the light source device of the present invention, the amount of thermal expansion in one direction (X direction) of the mounting substrate can be suppressed, and warpage associated with the thermal expansion of the mounting substrate can be prevented or suppressed.

また、第１の基材層の熱伝導性を高め、搭載基板の放熱性を向上させることができる。
また、本発明の電子機器によれば、反りが抑えられ、かつ、放熱性に優れた光源装置を備えるので、光源装置が長期に亘り優れた発光特性を発揮し、信頼性に優れる。 Moreover, the thermal conductivity of the first base material layer can be increased, and the heat dissipation of the mounting substrate can be improved.
In addition, according to the electronic apparatus of the present invention, since the light source device is provided with a light source device that is less warped and excellent in heat dissipation, the light source device exhibits excellent light emission characteristics over a long period of time and is excellent in reliability.

本発明の光源装置の第１実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 1st Embodiment of the light source device of this invention. 図１に示す光源装置の発光装置およびその周辺の拡大詳細図である。FIG. 2 is an enlarged detail view of a light emitting device of the light source device shown in FIG. 1 and its surroundings. 図２中のＡ−Ａ線断面図である。It is the sectional view on the AA line in FIG. 本発明の光源装置の第２実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the light source device of this invention. 本発明の光源装置の第３実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 3rd Embodiment of the light source device of this invention. 図１に示す光源装置を内蔵した液晶テレビの斜視図である。It is a perspective view of the liquid crystal television which incorporated the light source device shown in FIG. 図６に示す液晶テレビの概略部分断面図である。It is a schematic fragmentary sectional view of the liquid crystal television shown in FIG.

以下、本発明の光源装置を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の光源装置の第１実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す光源装置の発光装置およびその周辺の拡大詳細図、図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図、図６は、図１に示す光源装置を内蔵した液晶テレビの斜視図、図７は、図６に示す液晶テレビの概略部分断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図３中（図４についても同様）の上側を「上」、「上方」または「表」、下側を「下」、「下方」または「裏」と言い、図７の左側を「表」、右側を「裏」と言う。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a light source device of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of a light source device of the present invention, FIG. 2 is an enlarged detailed view of a light emitting device and its periphery of the light source device shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 6 is a perspective view of a liquid crystal television incorporating the light source device shown in FIG. 1, and FIG. 7 is a schematic partial sectional view of the liquid crystal television shown in FIG. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 3 (the same applies to FIG. 4) is “upper”, “upper” or “front”, and the lower side is “lower”, “lower” or “back”. The left side of FIG. 7 is called “front”, and the right side is called “back”.

図６に示すように、光源装置１は、液晶表示装置である液晶テレビ１００に内蔵されており、そのバックライトとして用いることができるものである。 As shown in FIG. 6, the light source device 1 is built in a liquid crystal television 100 which is a liquid crystal display device, and can be used as a backlight thereof.

液晶テレビ１００は、光源装置１と、光源装置１の表側に配置されたディスプレイ部（液晶セル）１０１と、光源装置１およびディスプレイ部１０１を収納する筐体１０２と、筐体１０２を支持する脚部（スタンド）１０３とを備えている。 The liquid crystal television 100 includes a light source device 1, a display unit (liquid crystal cell) 101 disposed on the front side of the light source device 1, a housing 102 that houses the light source device 1 and the display unit 101, and legs that support the housing 102. Part (stand) 103.

図７に示すように、ディスプレイ部１０１は、表側から順に、偏光板１０４、ガラス基板１０５、カラーフィルタ１０６、保護膜１０７、液晶部１０８、ガラス基板１０９、偏光板１１０が配置されたものである。さらに、偏光板１１０と光源装置１の間には、拡散板、拡散シート、プリズムシート、輝度上昇フィルム、反射型偏光板等の各種光学フィルム（図示せず）を備えていてもよい。液晶部１０８は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor（ＴＦＴ））と、擬等方性液晶材料等で構成された液晶層とを有するものである。そして、このディスプレイ部１０１は、薄膜トランジスタに電界を発生させ、この電界で液晶層中の液晶材料の配向状態を変化させることで、視認される色調が変化する。そして、バックライトである光源装置１からの光がディスプレイ部１０１を透過することにより、当該ディスプレイ部１０１で表示される画像を視認することができる。 As shown in FIG. 7, the display unit 101 includes a polarizing plate 104, a glass substrate 105, a color filter 106, a protective film 107, a liquid crystal unit 108, a glass substrate 109, and a polarizing plate 110 in order from the front side. . Furthermore, between the polarizing plate 110 and the light source device 1, various optical films (not shown) such as a diffusion plate, a diffusion sheet, a prism sheet, a brightness enhancement film, and a reflective polarizing plate may be provided. The liquid crystal unit 108 includes a thin film transistor (TFT) as a switching element and a liquid crystal layer made of a quasi-isotropic liquid crystal material or the like. The display unit 101 generates an electric field in the thin film transistor and changes the alignment state of the liquid crystal material in the liquid crystal layer by the electric field, thereby changing the color tone to be visually recognized. And the light from the light source device 1 which is a backlight permeate | transmits the display part 101, and the image displayed on the said display part 101 can be visually recognized.

図１、図２示すように、光源装置１は、複数の発光装置４と、これらの発光装置４が一括して搭載される搭載基板（基板）２とを備えている。以下、各部の構成について説明する。 As shown in FIGS. 1 and 2, the light source device 1 includes a plurality of light emitting devices 4 and a mounting substrate (substrate) 2 on which these light emitting devices 4 are mounted together. Hereinafter, the configuration of each unit will be described.

各発光装置４は、それぞれ、同じ構成であるため、以下、１つの発光装置４について代表的に説明する。 Since each light-emitting device 4 has the same configuration, one light-emitting device 4 will be representatively described below.

発光装置４は、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）効果による発光と、蛍光による発光とを生じるものである。 The light emitting device 4 generates light emission by electroluminescence (EL) effect and light emission by fluorescence.

図３に示すように、発光装置４は、凹部４１１を有するパッケージ４１と、パッケージ４１の凹部４１１の底面上に設けられた発光ダイオード（発光素子）４２と、発光ダイオード４２を覆うように凹部４１１内に封入された透光性樹脂部４３と、パッケージ４１の底部に設けられた１対の外部端子４４とを有する。 As shown in FIG. 3, the light emitting device 4 includes a package 41 having a recess 411, a light emitting diode (light emitting element) 42 provided on the bottom surface of the recess 411 of the package 41, and a recess 411 so as to cover the light emitting diode 42. It has a translucent resin portion 43 enclosed therein and a pair of external terminals 44 provided at the bottom of the package 41.

パッケージ４１は、樹脂材料やセラミックス材料等の絶縁性材料で構成された小片である。また、パッケージ４１には、発光ダイオード４２と１対の外部端子４４とを電気的に接続する配線（図示せず）が設けられている。 The package 41 is a small piece made of an insulating material such as a resin material or a ceramic material. The package 41 is provided with wiring (not shown) that electrically connects the light emitting diode 42 and the pair of external terminals 44.

発光ダイオード４２は、パッケージ４１にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものである。本実施形態では、発光ダイオード４２として、後述する透光性樹脂部４３に含まれる蛍光体材料を励起し得る波長の光を発するものが用いられる。より具体的には、発光ダイオード４２としては、青色の光を発するものが用いられる。 The light emitting diode 42 is formed by forming a semiconductor such as GaAlN, ZnS, ZnSe, SiCGaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP, InGaN, GaN, and AlInGaN in the package 41 as a light emitting layer. In the present embodiment, a light emitting diode that emits light having a wavelength that can excite a phosphor material contained in a light-transmitting resin portion 43 described later is used. More specifically, a light emitting diode that emits blue light is used.

透光性樹脂部４３は、透明性を有するエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料を主材料として構成されている。 The translucent resin portion 43 is composed mainly of a resin material such as an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, an acrylate resin, a urethane resin, or a polyimide resin having transparency.

また、本実施形態では、透光性樹脂部４３は、前述した発光ダイオード４２からの光により励起されて黄色に発光する蛍光体材料を含んでいる。 In the present embodiment, the translucent resin portion 43 includes a phosphor material that emits yellow light when excited by the light from the light emitting diode 42 described above.

また、透光性樹脂部４３は、発光ダイオード４２を外力や埃、水分等から保護する機能を有する。 The translucent resin portion 43 has a function of protecting the light emitting diode 42 from external force, dust, moisture, and the like.

１対の外部端子４４は、導電性材料を主材料として構成されており、その一方の外部端子４４は、アノード電極（陽極）であり、他方の外部端子４４は、カソード電極（陰極）である。各外部端子４４は、それぞれ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料を主材料として構成される。また、各外部端子４４は、それぞれ、半田（図示せず）により、搭載基板２に設けられた回路パターン２３１（第１の金属層２３）に電気的に接続されて（接触して）いる。さらに、回路パターン２３１は、電源（図示せず）と電気的に接続されている。 The pair of external terminals 44 is composed of a conductive material as a main material. One external terminal 44 is an anode electrode (anode), and the other external terminal 44 is a cathode electrode (cathode). . Each external terminal 44 is composed mainly of a metal material such as Al, Ti, Fe, Cu, Ni, Ag, Au, and Pt. Each external terminal 44 is electrically connected (contacted) to a circuit pattern 231 (first metal layer 23) provided on the mounting substrate 2 by solder (not shown). Furthermore, the circuit pattern 231 is electrically connected to a power source (not shown).

このような発光装置４においては、１対の外部端子４４を介して発光ダイオード４２に電圧を印加すると、発光ダイオード４２でエレクトロルミネッセンス効果に基づく発光が起こる。この発光により、光は、透光性樹脂部４３を透過して、外部に放出される。このとき、その光の一部は、パッケージ４１の凹部４１１の内壁面に反射した後に、透光性樹脂部４３を透過して、外部に放出される。 In such a light emitting device 4, when a voltage is applied to the light emitting diode 42 via the pair of external terminals 44, the light emitting diode 42 emits light based on the electroluminescence effect. By this light emission, the light is transmitted through the translucent resin portion 43 and emitted to the outside. At this time, a part of the light is reflected on the inner wall surface of the recess 411 of the package 41, then passes through the translucent resin portion 43 and is emitted to the outside.

また、発光装置４は、発光ダイオード４２のＥＬ効果により青色に発光するとともに、その青色の光の一部により透光性樹脂部４３が励起されて蛍光により黄色に発光し、補色関係にあるこれら青色光と黄色光との混合により白色発光する。 In addition, the light emitting device 4 emits blue light by the EL effect of the light emitting diode 42, and the translucent resin portion 43 is excited by a part of the blue light and emits yellow light by fluorescence. White light is emitted by mixing blue light and yellow light.

なお、発光ダイオード４２は、上述したものに限定されず、例えば、赤、青、緑等の単色の発光ダイオードであってもよい。この場合、透光性樹脂部４３から蛍光体材料を省略してもよい。また、発光装置４は、複数の発光ダイオードを有してもよく、この場合、発光色は互いに同じであっても異なっていてもよい。 Note that the light emitting diode 42 is not limited to the above-described one, and may be a single color light emitting diode such as red, blue, or green. In this case, the phosphor material may be omitted from the translucent resin portion 43. The light emitting device 4 may have a plurality of light emitting diodes. In this case, the light emission colors may be the same or different from each other.

このような発光装置４は、搭載基板２上に搭載される。図１に示すように、搭載基板２は、長尺な板状をなすものである。そして、発光装置４は、搭載基板２の長手方向に沿って等間隔に配置される。なお、以下では、搭載基板２の長手方向を「Ｘ方向」、短手方向を「Ｙ方向」とも言う。また、「Ｘ方向」および「Ｙ方向」は、搭載基板２の面方向に沿って互いに直交する。 Such a light emitting device 4 is mounted on the mounting substrate 2. As shown in FIG. 1, the mounting substrate 2 has a long plate shape. The light emitting devices 4 are arranged at equal intervals along the longitudinal direction of the mounting substrate 2. Hereinafter, the longitudinal direction of the mounting substrate 2 is also referred to as “X direction”, and the short direction is also referred to as “Y direction”. The “X direction” and the “Y direction” are orthogonal to each other along the surface direction of the mounting substrate 2.

図３に示すように、搭載基板２は、第１の基材層（基材層）２１と、第１の基材層の両面にそれぞれ形成された第２の基材層（基材層）２２ａおよび２２ｂと、第２の基材層２２ａの上面（一方の面）に形成された第１の金属層（金属層（表側金属層））２３と、第２の基材層２２ｂの下面（他方の面）に形成された第２の金属層（裏側金属層）２４とを有する積層板である。この搭載基板２は、いわゆるガラスコンポジット基板「ＣＥＭ−３」を用いたものの例である。 As shown in FIG. 3, the mounting substrate 2 includes a first base material layer (base material layer) 21 and a second base material layer (base material layer) formed on both surfaces of the first base material layer. 22a and 22b, the first metal layer (metal layer (front side metal layer)) 23 formed on the upper surface (one surface) of the second base material layer 22a, and the lower surface of the second base material layer 22b ( This is a laminate having a second metal layer (back side metal layer) 24 formed on the other surface. This mounting substrate 2 is an example using a so-called glass composite substrate “CEM-3”.

第１の基材層２１は、第１の繊維基材に第１の樹脂材料を含浸してなる層である。また、第２の基材層２２ａおよび２２ｂも、それぞれ、第２の繊維基材に第２の樹脂材料を含浸してなる層である。 The first base material layer 21 is a layer formed by impregnating a first fiber base material with a first resin material. The second base material layers 22a and 22b are layers formed by impregnating the second fiber base material with the second resin material, respectively.

第１の繊維基材および第２の繊維基材としては、それぞれ、特に限定されず、例えば、ガラス織布、ガラス不織布、ガラスペーパー等のガラス繊維基材、紙（パルプ）、アラミド、ポリエステル、フッ素樹脂等の有機繊維からなる織布や不織布、金属繊維、カーボン繊維、鉱物繊維等からなる織布、不織布、マット類等が挙げられる。これらの基材は単独又は混合して使用してもよい。特に、第１の繊維基材としてガラス不織布を用い、第２の繊維基材としてガラス織布を用いるのが好ましい。 The first fiber base material and the second fiber base material are not particularly limited, respectively. For example, glass fiber base materials such as glass woven fabric, glass nonwoven fabric, and glass paper, paper (pulp), aramid, polyester, Examples thereof include woven fabrics and nonwoven fabrics made of organic fibers such as fluororesin, woven fabrics made of metal fibers, carbon fibers, mineral fibers, nonwoven fabrics, mats and the like. These substrates may be used alone or in combination. In particular, it is preferable to use a glass nonwoven fabric as the first fiber base material and a glass woven fabric as the second fiber base material.

ガラス繊維は、熱膨張係数が小さい。そのため、第１の繊維基材および第２の繊維基材がそれぞれガラス繊維であると、第１の基材層２１および第２の基材層２２ａ、２２ｂの面方向での熱膨張係数をそれぞれ効果的に抑えることができる。また、ガラス繊維は機械的強度に優れるので、第１の基材層２１および第２の基材層２２ａ、２２ｂの剛性を高めることができる。 Glass fiber has a small coefficient of thermal expansion. Therefore, when the first fiber base material and the second fiber base material are glass fibers, respectively, the thermal expansion coefficients in the surface direction of the first base material layer 21 and the second base material layers 22a and 22b are respectively set. It can be effectively suppressed. Moreover, since glass fiber is excellent in mechanical strength, the rigidity of the 1st base material layer 21 and the 2nd base material layers 22a and 22b can be improved.

また、不織布は、織布よりも多くの量の樹脂材料（および無機フィラー）を担持することができる。そのため、第１の繊維基材が不織布であると、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を効果的に抑えることができる。また、樹脂材料に添加される無機フィラーの熱伝導性が高い場合、不織布に多くの樹脂材料を担持させることにより、第１の基材層２１の熱伝導性を優れたものとすることができる。 In addition, the nonwoven fabric can carry a larger amount of resin material (and inorganic filler) than the woven fabric. Therefore, when the first fiber base material is a nonwoven fabric, the thermal expansion coefficient in the surface direction of the first base material layer 21 can be effectively suppressed. Moreover, when the thermal conductivity of the inorganic filler added to the resin material is high, the thermal conductivity of the first base material layer 21 can be made excellent by supporting a large amount of the resin material on the nonwoven fabric. .

また、織布は、不織布よりも剛性（強度）を高めることができる。そのため、第２の繊維基材が織布であると、第２の基材層２２ａ、２２ｂの剛性を高め、搭載基板２の反りを効果的に防止することができる。 In addition, the woven fabric can have higher rigidity (strength) than the non-woven fabric. Therefore, when the second fiber base material is a woven fabric, the rigidity of the second base material layers 22a and 22b can be increased, and the warpage of the mounting substrate 2 can be effectively prevented.

また、各第２の繊維基材は、Ｘ方向での熱膨張係数がＹ方向での熱膨張係数よりも小さいのが好ましい。 In addition, each second fiber base material preferably has a smaller thermal expansion coefficient in the X direction than the thermal expansion coefficient in the Y direction.

特に、各第２の繊維基材は、搭載基板２のＸ方向に延在する複数のＸ方向繊維と、搭載基板２のＹ方向に延在する複数のＹ方向繊維とが織り込まれてなる織布であるのが好ましい。 In particular, each second fiber base material is a woven fabric in which a plurality of X-direction fibers extending in the X direction of the mounting substrate 2 and a plurality of Y-direction fibers extending in the Y direction of the mounting substrate 2 are woven. A cloth is preferred.

そして、第２の繊維基材のＸ方向繊維のＹ方向での単位長さ当たりに配設される本数（配設密度）をＡ［本／ｃｍ］とし、第２の繊維基材のＹ方向繊維のＸ方向での単位長さ当たりに配設される本数（配設密度）をＢ［本／ｃｍ］としたとき、０．６＜Ｂ／Ａ＜１なる関係を満たすのが好ましく、０．７＜Ｂ／Ａ＜０．９９なる関係を満たすのがより好ましい。 And the number (arrangement density) arranged per unit length in the Y direction of the X direction fibers of the second fiber base material is A [lines / cm], and the Y direction of the second fiber base material When the number (arrangement density) of fibers arranged per unit length in the X direction is B [lines / cm], it is preferable that the relationship of 0.6 <B / A <1 is satisfied. It is more preferable that the relationship of 7 <B / A <0.99 is satisfied.

これにより、第２の基材層２２ａ、２２ｂのＸ方向（すなわち長手方向）での熱膨張係数を小さくすることができる。その結果、搭載基板２全体のＸ方向での熱膨張量を抑え、搭載基板２の熱膨張に伴う反りを防止または抑制することができる。 Thereby, the thermal expansion coefficient in X direction (namely, longitudinal direction) of 2nd base material layers 22a and 22b can be made small. As a result, the amount of thermal expansion in the X direction of the entire mounting substrate 2 can be suppressed, and warpage associated with the thermal expansion of the mounting substrate 2 can be prevented or suppressed.

また、第２の基材層２２ａ、２２ｂのＸ方向での熱膨張係数を効果的に抑えるという観点から、Ｘ方向繊維の繊維径は、Ｙ方向繊維の繊維径と同じかそれよりも太いのが好ましい。 Further, from the viewpoint of effectively suppressing the thermal expansion coefficient in the X direction of the second base material layers 22a and 22b, the fiber diameter of the X direction fiber is equal to or larger than the fiber diameter of the Y direction fiber. Is preferred.

なお、第１の繊維基材および第２の繊維基材の具体的な繊維径は、特に限定されないが、例えば、ガラス繊維を用いる場合、５μｍ以上２０μｍ以下であるのが好ましく、８μｍ以上１５μｍ以下であるのがより好ましい。ガラス繊維の太さが５μｍ未満では、第１の繊維基材や第２の繊維基材を製造する際の製造コストが高くなり、また、ガラス繊維の太さが２０μｍを越えると、繊維径が太くなるため、打抜き加工性が低下し好ましくない。 The specific fiber diameters of the first fiber base and the second fiber base are not particularly limited. For example, when glass fiber is used, it is preferably 5 μm or more and 20 μm or less, and 8 μm or more and 15 μm or less. It is more preferable that If the thickness of the glass fiber is less than 5 μm, the production cost for producing the first fiber substrate and the second fiber substrate will be high. If the thickness of the glass fiber exceeds 20 μm, the fiber diameter will be Since it becomes thick, punching workability falls and it is not preferable.

また、第１の繊維基材は、その表面が、１分子中にアルコキシ基と、アルキル基、エポキシ基、ビニル基、フェニル基、スチリル基、等の有機官能基を有するシラン化合物で処理されたものであるのが好ましい。これにより、第１の繊維基材と第１の樹脂材料との密着性を高めることができる。その結果、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を効果的に抑えることができる。 Moreover, the surface of the first fiber substrate was treated with a silane compound having an alkoxy group and an organic functional group such as an alkyl group, an epoxy group, a vinyl group, a phenyl group, or a styryl group in one molecule. It is preferable. Thereby, the adhesiveness of a 1st fiber base material and a 1st resin material can be improved. As a result, the thermal expansion coefficient in the surface direction of the first base material layer 21 can be effectively suppressed.

このシラン化合物としては、例えば、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシランなどのアルキル基を有するシラン（アルキルシラン）、フェニルトリエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシランなどのフェニル基を有するシラン、スチリルトリメトキシシラン、スチリルトリエトキシシラン等のスチリル基を有するシラン、ブテニルトリエトキシシラン、プロペニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニル基を有するシラン（ビニルシラン）、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン等のメタクリル基を有するシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のアミノ基を有するシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、 β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基を有するシラン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the silane compound include silane having an alkyl group such as ethyltriethoxysilane, propyltriethoxysilane, and butyltriethoxysilane (alkylsilane), phenyltriethoxysilane, benzyltriethoxysilane, and phenethyltriethoxysilane. Silane having a vinyl group such as silane having a phenyl group, silane having a styryl group such as styryltrimethoxysilane, styryltriethoxysilane, butenyltriethoxysilane, propenyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ Silane having a methacrylic group such as-(methacryloxypropyl) trimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, -Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, silane having an amino group such as γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane Examples include silanes having an epoxy group such as silane, silanes having a mercapto group such as γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, and the like, and one or more of these can be used in combination.

このようなシラン化合物は、第１の樹脂材料に添加することもできる。これにより、無機フィラーや第１の繊維基材と第１の樹脂材料との密着性を高めることができる。その結果、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を効果的に抑えることができる。 Such a silane compound can also be added to the first resin material. Thereby, the adhesiveness of an inorganic filler or a 1st fiber base material and a 1st resin material can be improved. As a result, the thermal expansion coefficient in the surface direction of the first base material layer 21 can be effectively suppressed.

また、第１の基材層２１中における第１の繊維基材の占める体積の割合は、０．１ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下であるのが好ましく、１ｖｏｌ％以上１０ｖｏｌ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１の基材層２１の寸法精度を優れたものとしつつ、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を効果的に抑えることができる。 Moreover, it is preferable that the ratio of the volume which the 1st fiber base material occupies in the 1st base material layer 21 is 0.1 to 30 vol%, and it is more preferable that it is 1 to 10 vol%. . Thereby, the thermal expansion coefficient in the surface direction of the first base material layer 21 can be effectively suppressed while improving the dimensional accuracy of the first base material layer 21.

前記第２の基材層中における前記第２の繊維基材の占める体積の割合は、４０ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下であるのが好ましく、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下であるのがより好ましい。これにより、第２の基材層２２ａ、２２ｂの寸法精度を優れたものとしつつ、第２の基材層２２ａ、２２ｂの面方向での熱膨張係数を効果的に抑えることができる。 The proportion of the volume occupied by the second fiber base material in the second base material layer is preferably 40 vol% or more and 65 vol% or less, and more preferably 45 vol% or more and 60 vol% or less. Thereby, the thermal expansion coefficient in the surface direction of 2nd base material layer 22a, 22b can be suppressed effectively, making the dimensional accuracy of 2nd base material layer 22a, 22b excellent.

第１の樹脂材料および第２の樹脂材料としては、それぞれ、熱硬化性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル（不飽和ポリエステル）樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができ、これらの中でも特にエポキシ樹脂がより好ましい。 Each of the first resin material and the second resin material is preferably a thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin, a urea resin, a melamine resin, a polyester (unsaturated polyester) resin, a polyimide resin, or a silicone resin. , Polyurethane resins, and the like, and one or more of these can be mixed and used. Of these, epoxy resins are particularly preferred.

第１の樹脂材料および第２の樹脂材料がそれぞれ熱硬化性樹脂であると、第１の基材層２１および第２の基材層２２ａ、２２ｂの面方向での熱膨張係数をそれぞれ効果的に抑えることができる。また、第１の基材層２１および第２の基材層２２ａ、２２ｂの耐熱性を高めることができる。 When the first resin material and the second resin material are thermosetting resins, respectively, the thermal expansion coefficients in the surface direction of the first base material layer 21 and the second base material layers 22a and 22b are effective. Can be suppressed. Moreover, the heat resistance of the 1st base material layer 21 and the 2nd base material layers 22a and 22b can be improved.

また、第１の樹脂材料には、無機フィラーが添加されているのが好ましい。これにより、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を抑えることができる。その結果、搭載基板２全体の面方向での熱膨張量を抑え、搭載基板２の熱膨張に伴う反りを防止または抑制することができる。ここで、無機フィラーは、第１の基材層２１の熱膨張係数を低減する添加材である。また、無機フィラーは、粒子状をなす。 Moreover, it is preferable that an inorganic filler is added to the first resin material. Thereby, the thermal expansion coefficient in the surface direction of the first base material layer 21 can be suppressed. As a result, the amount of thermal expansion in the surface direction of the entire mounting substrate 2 can be suppressed, and warpage associated with the thermal expansion of the mounting substrate 2 can be prevented or suppressed. Here, the inorganic filler is an additive that reduces the thermal expansion coefficient of the first base material layer 21. The inorganic filler is in the form of particles.

このような無機フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等の酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ベーマイト等の水酸化物、炭酸カルシウム（軽質、重質）、炭酸マグネシウム、ドロマイト、ドーソナイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、タルク、マイカ、クレー、ガラス繊維、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト等のケイ酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、硫化モリブデン、ボロン繊維、チタン酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of such inorganic fillers include oxides such as silica, alumina, diatomaceous earth, titanium oxide, zinc oxide and magnesium oxide, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and boehmite, calcium carbonate (light , Heavy), carbonates such as magnesium carbonate, dolomite, dosonite, sulfates or sulfites such as calcium sulfate, barium sulfate, ammonium sulfate, calcium sulfite, talc, mica, clay, glass fiber, calcium silicate, montmorillonite, bentonite Silicates such as zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate, sodium borate, etc., molybdenum sulfide, boron fiber, potassium titanate, lead zirconate titanate, boron nitride, Aluminum nitride, silicon nitride, charcoal Silicon and the like, can be used singly or in combination of two or more of them.

中でも、第１の樹脂材料に添加する無機フィラーとしては、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を効果的に抑え、かつ熱伝導性を高めることができるという観点から、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、ベーマイト、タルク、窒化ホウ素のうちの１種または２種以上を組み合わせてなるものを用いるのが好ましい。 Among these, as the inorganic filler added to the first resin material, alumina can be effectively suppressed from the viewpoint that the thermal expansion coefficient in the surface direction of the first base material layer 21 can be effectively suppressed and the thermal conductivity can be increased. , Silica, aluminum hydroxide, boehmite, talc, and boron nitride are preferably used in combination of one or more.

また、第１の樹脂材料に対する無機フィラーの添加量は、５０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下であるのが好ましく、５５ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を十分に抑えることができる。また、第１の基材層２１に必要な機械的強度を確保し得る量の第１の樹脂材料を第１の繊維基材に担持させることができる。 Further, the amount of the inorganic filler added to the first resin material is preferably 50 wt% or more and 80 wt% or less, and more preferably 55 wt% or more and 75 wt% or less. Thereby, the thermal expansion coefficient in the surface direction of the first base material layer 21 can be sufficiently suppressed. Further, the first fiber base material can be loaded with an amount of the first resin material that can ensure the mechanical strength necessary for the first base material layer 21.

また、無機フィラーの平均粒径は、０．５μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、粒径の異なる複数のものを組み合わせるのがより好ましい。これにより、第１の基材層２１中における無機フィラーの充填率を高め、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を好適に抑えることができる。 The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.5 μm or more and 50 μm or less, and more preferably a plurality of inorganic fillers having different particle diameters are combined. Thereby, the filling rate of the inorganic filler in the 1st base material layer 21 can be raised, and the thermal expansion coefficient in the surface direction of the 1st base material layer 21 can be suppressed suitably.

これに対し、かかる平均粒径が小さすぎると、搭載基板の製造時における無機フィラーの取り扱い性が悪化する傾向を示す。一方、かかる平均粒径が大きすぎると、第１の繊維基材の形態によっては、第１の繊維基材内に無機フィラーを配置させることが難しく、第１の基材層２１中における無機フィラーの充填率を高めることができない場合がある。 On the other hand, when this average particle diameter is too small, the handleability of the inorganic filler during the production of the mounting substrate tends to deteriorate. On the other hand, if the average particle size is too large, it is difficult to dispose the inorganic filler in the first fiber base material depending on the form of the first fiber base material, and the inorganic filler in the first base material layer 21. In some cases, the filling rate cannot be increased.

また、無機フィラーは、シラン化合物で処理されたものであるのが好ましい。これにより、無機フィラーと第１の樹脂材料との密着性を高めることができる。その結果、第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数を効果的に抑えることができる。 The inorganic filler is preferably treated with a silane compound. Thereby, the adhesiveness of an inorganic filler and 1st resin material can be improved. As a result, the thermal expansion coefficient in the surface direction of the first base material layer 21 can be effectively suppressed.

このシラン化合物としては、前述した第１の繊維基材の処理に用いるシラン化合物と同様のものを用いることができる。 As this silane compound, the thing similar to the silane compound used for the process of the 1st fiber base material mentioned above can be used.

このような各基材層を有する搭載基板２では、各発光装置４が発光するのに伴って生じた熱は、第１の金属層２３から第２の基材層２２ａ、第１の基材層２１、第２の基材層２２ｂの順に、すなわち、当該発光装置４から遠ざかる方向（搭載基板２の面方向および厚さ方向）に向かって確実に伝達され、第２の金属層２４で放熱される。従って、搭載基板２（光源装置１）は、放熱性に優れたものとなっている。 In the mounting substrate 2 having each base material layer, the heat generated as each light emitting device 4 emits light is transmitted from the first metal layer 23 to the second base material layer 22a, the first base material. The heat is reliably transmitted in the order of the layer 21 and the second base material layer 22 b, that is, in the direction away from the light emitting device 4 (the surface direction and the thickness direction of the mounting substrate 2). Is done. Therefore, the mounting substrate 2 (light source device 1) is excellent in heat dissipation.

第２の基材層２２ａ上には、第１の金属層２３が積層され、第２の基材層２２ｂ上には、第２の金属層２４が積層されている。第１の金属層２３と第２の金属層２４とは、それぞれ、金属材料で構成された層である。 A first metal layer 23 is laminated on the second base material layer 22a, and a second metal layer 24 is laminated on the second base material layer 22b. Each of the first metal layer 23 and the second metal layer 24 is a layer made of a metal material.

第１の金属層２３を構成する金属材料としては、特に限定されず、例えば、銅、鉄、アルミニウム、インジウム、スズ、鉛、銀、亜鉛、ビスマス、アンチモンからなる群から選択される１種または２種以上を組み合わせた導電性材料が挙げられ、これらの中でも特に、銅が好ましい。銅は、熱伝導性にも優れ、各発光装置４からの熱を第１の金属層２３の下層の第２の基材層２２ａに確実に伝えることができる。 The metal material constituting the first metal layer 23 is not particularly limited, and for example, one type selected from the group consisting of copper, iron, aluminum, indium, tin, lead, silver, zinc, bismuth, and antimony or Examples thereof include conductive materials obtained by combining two or more kinds, and among these, copper is particularly preferable. Copper is also excellent in thermal conductivity, and can reliably transfer the heat from each light emitting device 4 to the second base material layer 22 a under the first metal layer 23.

第２の金属層２４を構成する金属材料としては、特に限定されず、例えば、第１の金属層２３を構成する金属材料の他、アルミニウムも用いることができる。アルミニウムや銅は、熱伝導性に優れ、表側から第２の基材層２２ｂを介して伝わった熱を確実に放熱することができる。 The metal material constituting the second metal layer 24 is not particularly limited. For example, in addition to the metal material constituting the first metal layer 23, aluminum can also be used. Aluminum and copper are excellent in thermal conductivity and can reliably dissipate heat transmitted from the front side via the second base material layer 22b.

なお、第１の金属層２３と第２の金属層２４とは、同じ金属材料で構成されていてもよいし、異なる金属材料で構成されていてもよい。同じ金属材料で構成されている場合には、例えば第１の金属層２３および第２の金属層２４をそれぞれ銅で構成することができ、異なる金属材料で構成されている場合には、例えば第１の金属層２３を銅で構成し、第２の金属層２４をアルミニウムで構成することができる。 The first metal layer 23 and the second metal layer 24 may be made of the same metal material or may be made of different metal materials. In the case where the first metal layer 23 and the second metal layer 24 are made of the same metal material, for example, each of the first metal layer 23 and the second metal layer 24 can be made of copper. One metal layer 23 can be made of copper, and the second metal layer 24 can be made of aluminum.

また、第１の金属層２３、第２の金属層２４の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、金属箔の接合（接着）、金属メッキ、蒸着、スパッタリング、印刷等の方法が挙げられる。 Further, the method for forming the first metal layer 23 and the second metal layer 24 is not particularly limited, and examples thereof include metal foil bonding (adhesion), metal plating, vapor deposition, sputtering, and printing. .

図２に示すように、第１の金属層２３は、所定形状にパターニングされている。これにより、第１の金属層２３を、電気回路として機能する回路パターン２３１と、放熱するための放熱機能（伝熱機能）を有する放熱用パターン２３２とに分けることができる。回路パターン２３１は、各発光装置４の外部端子４４と例えば半田を介して電気的に接続されている。これにより、回路パターン２３１を介して電力が供給される。放熱用パターン２３２は、各発光装置４のパッケージ４１の裏面に当接して（接触して）いる。これにより、各発光装置４で発生した熱は、放熱用パターン２３２に伝わって、その面方向に広がり、当該放熱用パターン２３２から外方に放出される。また、放熱用パターン２３２に伝わった熱の一部は、当該放熱用パターン２３２の下層の第２の基材層２２ａにも確実に伝わる。そして、その熱は、前述したように第２の金属層２４で放熱される。 As shown in FIG. 2, the first metal layer 23 is patterned into a predetermined shape. Thereby, the 1st metal layer 23 can be divided into the circuit pattern 231 which functions as an electric circuit, and the heat radiation pattern 232 which has the heat radiation function (heat transfer function) for radiating heat. The circuit pattern 231 is electrically connected to the external terminal 44 of each light emitting device 4 via, for example, solder. Thereby, power is supplied via the circuit pattern 231. The heat radiation pattern 232 is in contact with (in contact with) the back surface of the package 41 of each light emitting device 4. Thereby, the heat generated in each light emitting device 4 is transmitted to the heat radiation pattern 232, spreads in the surface direction, and is released to the outside from the heat radiation pattern 232. Further, part of the heat transmitted to the heat radiation pattern 232 is reliably transmitted also to the second base material layer 22 a under the heat radiation pattern 232. Then, the heat is dissipated in the second metal layer 24 as described above.

なお、第１の金属層２３へのパターニング方法としては、特に限定されず、例えば、エッチング、印刷、マスキング等の方法を用いることができる。このようなパターニング方法により、回路パターン２３１および放熱用パターン２３２を一括して形成することができる。 In addition, it does not specifically limit as a patterning method to the 1st metal layer 23, For example, methods, such as an etching, printing, masking, can be used. By such a patterning method, the circuit pattern 231 and the heat radiation pattern 232 can be formed in a lump.

通常、このような第１の金属層２３は、その存在率（面積占有率）が第２の金属層２４よりも小さくなる。そのため、搭載基板２が熱収縮したとき、搭載基板２が第１の金属層２３側を凹にして反りやすい。しかし、本発明に係る光源装置１では、搭載基板２の面方向での熱膨張係数が抑えられているので、搭載基板２の熱膨張量および熱収縮量が抑えられ、前述したような搭載基板２の反りを防止または抑制することができる。 Usually, the first metal layer 23 has a smaller abundance (area occupancy) than the second metal layer 24. Therefore, when the mounting substrate 2 is thermally contracted, the mounting substrate 2 tends to warp with the first metal layer 23 side being concave. However, in the light source device 1 according to the present invention, since the thermal expansion coefficient in the surface direction of the mounting substrate 2 is suppressed, the thermal expansion amount and the thermal contraction amount of the mounting substrate 2 can be suppressed, and the mounting substrate as described above. 2 warpage can be prevented or suppressed.

また、第１の金属層２３は、例えば、その搭載基板２の上面全体に対する占有率が５０％以上であるのが好ましく、８０％以上９９％以下であるのがより好ましい。これにより、各発光装置４で発生した熱を確実に放熱することができるとともに、第１の金属層２３から下側の層に確実に伝えることができる程度に、放熱用パターン２３２の面積を確保することができる。また、第１の金属層２３へのパターニング方法としてエッチングを用いた場合、当該エッチングで第１の金属層２３の除去すべき部分が比較的少ないため、エッチング液の使用量をできる限り少なくすることができる。 Further, for example, the occupation ratio of the first metal layer 23 with respect to the entire upper surface of the mounting substrate 2 is preferably 50% or more, and more preferably 80% or more and 99% or less. Thereby, the area of the heat radiation pattern 232 is secured to such an extent that the heat generated in each light emitting device 4 can be reliably radiated and can be reliably transmitted from the first metal layer 23 to the lower layer. can do. Further, when etching is used as a patterning method for the first metal layer 23, the portion of the first metal layer 23 to be removed by the etching is relatively small. Can do.

以上のような構成の積層体である搭載基板２全体の厚さ（総厚）ｔ_totalとしては、特に限定されず、例えば０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であるのが好ましく、０．４ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であるのがより好ましい。 The total thickness (total thickness) t _total of the mounting substrate 2 that is a laminate having the above-described configuration is not particularly limited, and is preferably 0.1 mm or more and 2.0 mm or less, for example, 0.4 mm or more. More preferably, it is 1.6 mm or less.

また、第１の基材層２１の平均厚さｔ_１、第２の基材層２２ａおよび２２ｂの各平均厚さｔ_２、第１の金属層２３の平均厚さｔ_３、第２の金属層２４の平均厚さｔ_４の大小関係は、熱伝導の観点から、ｔ_１＞ｔ_２＞ｔ_３であるのが好ましい。 Further, the average thickness _{t 1} of the first substrate layer 21, the average thickness of the second substrate layer 22a and 22b _{t 2,} the average thickness _{t 3} of the first metal layer 23, the second metal The magnitude relation of the average thickness t ₄ of the layer 24 is preferably t ₁ > t ₂ > t ₃ from the viewpoint of heat conduction.

また、搭載基板２の反りを抑制する観点から、発光装置４に近位の第２の基材層２２ａの平均厚さをｔ_２ａとし、発光装置４に遠位の第２の基材層２２ｂの平均厚さをｔ_２ｂとしたときに、（ｔ_２ａ＋ｔ_２ｂ）／２ｔ_１が、０．１以上２以下であるのが好ましく、０．１５以上１以下であるのがより好ましい。 Further, from the viewpoint of suppressing the warpage of the mounting substrate 2, the average thickness of the second base material layer 22 a proximal to the light emitting device 4 is t _{2 a} and the second base material layer 22 b distal to the light emitting device 4 is used. (T _2a + t _2b ) / 2t ₁ is preferably 0.1 or more and 2 or less, and more preferably 0.15 or more and 1 or less, where t _2b is the average thickness.

これにより、各第２の基材層２２ａ、２２ｂの面方向での熱膨張係数が第１の基材層２１の面方向での熱膨張係数よりも小さい場合に、搭載基板２全体の面方向での熱膨張量を抑え、搭載基板２の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。 Thereby, when the thermal expansion coefficient in the surface direction of each 2nd base material layer 22a, 22b is smaller than the thermal expansion coefficient in the surface direction of the 1st base material layer 21, the surface direction of the mounting substrate 2 whole It is possible to suppress the amount of thermal expansion, and to prevent or suppress warping associated with the thermal expansion or thermal contraction of the mounting substrate 2.

ここで、ｔ_２ａおよびｔ_２ｂは、同じであっても異なっていてもよいが、異なる場合、ｔ_２ａ／ｔ_２ｂは、０．８以上１．２以下であるのが好ましく、０．９以上１．１以下であるのがより好ましい。
また、搭載基板２の反りを抑制する観点からｔ_３＝ｔ_４であることが好ましい。 Here, t _2a and t _2b may be the same or different, but when they are different, t _2a / t _2b is preferably 0.8 or more and 1.2 or less, and 0.9 or more More preferably, it is 1.1 or less.
Moreover, it is preferable that t ₃ = t ₄ from the viewpoint of suppressing the warpage of the mounting substrate 2.

厚さｔ_１としては、特に限定されず、例えば、０．１ｍｍ以上１．４ｍｍ以下であるのが好ましく、０．２ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であるのがより好ましい。 The thickness t ₁ is not particularly limited, and is preferably 0.1 mm or more and 1.4 mm or less, and more preferably 0.2 mm or more and 1.2 mm or less.

厚さｔ_２としては、特に限定されず、例えば、０．０４ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であるのが好ましく、０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下であるのがより好ましい。 The thickness _{t 2,} not particularly limited, for example, is preferably at 0.3mm less than 0.04 mm, and more preferably 0.1mm or more 0.2mm or less.

厚さｔ_３としては、特に限定されず、例えば、０．００８ｍｍ以上０．２１ｍｍ以下であるのが好ましく、０．０１２ｍｍ以上０．１０５ｍｍ以下であるのがより好ましい。 The thickness _{t 3,} not particularly limited, for example, is preferably less than 0.008 mm 0.21 mm, and more preferably at least 0.012 mm 0.105 mm or less.

厚さｔ_４としては、特に限定されず、例えば、０．００８ｍｍ以上２ｍｍ以下であるのが好ましく、０．０１２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であるのがより好ましい。 The thickness _{t 4,} is not particularly limited, for example, is preferably at 2mm less than 0.008 mm, and more preferably 1.5mm or less than 0.012 mm.

第１の基材層２１、第２の基材層２２ａおよび２２ｂ、第１の金属層２３、第２の金属層２４がそれぞれこのような大きさの厚さに設定されていることにより、搭載基板２上に部品（例えば発光装置４）を搭載したときの強度と、熱伝導と、搭載基板２の軽量化と、搭載基板２の加工性と、層間絶縁信頼性を両立することができる。また、厚さｔ_totalが比較的大きいと軽量化が困難となり好ましくなく、小さいと絶縁信頼性が悪化し好ましくない。厚さｔ_１が比較的大きいと軽量化が困難となり好ましくなく、小さいと熱伝導が十分でなく好ましくない。厚さｔ_２が大きいと熱伝導が十分でなく好ましくなく、小さいと強度が低下し好ましくない。厚さｔ_３が大きいと搭載基板２の加工性が悪化し好ましくなく、小さいと熱伝導が十分でなく好ましくない。 Since the first base material layer 21, the second base material layers 22a and 22b, the first metal layer 23, and the second metal layer 24 are each set to such a thickness, mounting is performed. It is possible to achieve both strength, heat conduction, weight reduction of the mounting substrate 2, workability of the mounting substrate 2, and interlayer insulation reliability when a component (for example, the light emitting device 4) is mounted on the substrate 2. On the other hand, if the thickness _ttotal is relatively large, it is difficult to reduce the weight, and if it is small, the insulation reliability is deteriorated. The thickness t ₁ is relatively large and lighter undesirably becomes difficult, less heat conduction is not preferable not sufficient. The thickness t ₂ is greater and the thermal conductivity is not preferable not sufficient, small and strength undesirably drops. The thickness t ₃ is undesirably deteriorated workability of the mounting substrate 2 and the large, small and thermal conduction is not preferable not sufficient.

以上説明したような光源装置１によれば、搭載基板２の面方向での熱膨張係数を抑えることができるので、搭載基板２の熱膨張または熱収縮に伴う反りを防止または抑制することができる。 According to the light source device 1 as described above, since the thermal expansion coefficient in the surface direction of the mounting substrate 2 can be suppressed, warpage associated with thermal expansion or thermal contraction of the mounting substrate 2 can be prevented or suppressed. .

また、光源装置１では、第１の基材層２１が優れた熱伝導性を有するので、搭載基板２全体が優れた放熱性を発揮することができる。 Moreover, in the light source device 1, since the 1st base material layer 21 has the outstanding heat conductivity, the mounting substrate 2 whole can exhibit the outstanding heat dissipation.

＜第２実施形態＞
図４は、本発明の光源装置の第２実施形態を示す断面である。 Second Embodiment
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the light source device of the present invention.

以下、この図を参照して本発明の光源装置の第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。 Hereinafter, the second embodiment of the light source device of the present invention will be described with reference to this drawing, but the description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.

本実施形態は、光源装置が放熱部材をさらに備えること以外は前記第１実施形態と同様である。 This embodiment is the same as the first embodiment except that the light source device further includes a heat dissipation member.

図４に示すように、光源装置１Ａでは、搭載基板２の裏面に対しヒートシンク（放熱部材）３が固定されている。なお、ヒートシンク３の固定方法としては、特に限定されず、例えば、接着（接着剤や溶媒による接着）による方法、融着（熱融着、高周波融着、超音波融着等）による方法、ネジ止めによる方法等が挙げられる。 As shown in FIG. 4, in the light source device 1 </ b> A, a heat sink (heat radiating member) 3 is fixed to the back surface of the mounting substrate 2. The method for fixing the heat sink 3 is not particularly limited. For example, a method using adhesion (adhesion with an adhesive or a solvent), a method using fusion (thermal fusion, high frequency fusion, ultrasonic fusion, etc.), screws, and the like. Examples include a method by stopping.

ヒートシンク３は、平板状をなす本体３１と、本体３１の裏面から突出形成された複数枚の放熱フィン３２とで構成されている。本体３１は、その上面が搭載基板２の裏面（第２の金属層２４）に当接している。各放熱フィン３２は、それぞれ、小片で構成され、搭載基板２の長手方向に沿って等間隔に配置されている。これにより、熱を確実に放熱することができる程度に、ヒートシンク３の表面積を十分に確保することができる。そして、第２の金属層２４まで伝わった発光装置４からの熱を、ヒートシンク３で効率よく放熱することができる。 The heat sink 3 includes a flat main body 31 and a plurality of heat radiation fins 32 protruding from the back surface of the main body 31. The upper surface of the main body 31 is in contact with the back surface (second metal layer 24) of the mounting substrate 2. Each of the radiation fins 32 is composed of a small piece, and is arranged at equal intervals along the longitudinal direction of the mounting substrate 2. Thereby, the surface area of the heat sink 3 can be sufficiently secured to the extent that heat can be reliably radiated. Then, the heat from the light emitting device 4 transmitted to the second metal layer 24 can be efficiently radiated by the heat sink 3.

なお、ヒートシンク３は、放熱フィン３２が省略されたものであってもよい。
このような第２実施形態に係る光源装置１Ａにおいても、前述した第１実施形態の光源装置１と同様、搭載基板２の反りを防止または抑制することができる。 The heat sink 3 may be one in which the heat radiating fins 32 are omitted.
Also in the light source device 1A according to the second embodiment, warping of the mounting substrate 2 can be prevented or suppressed as in the light source device 1 of the first embodiment described above.

また、搭載基板２の反りを防止または抑制することができるので、ヒートシンク３が搭載基板２から剥がれるのを防止することができる。これにより、光源装置１Ａは長期に亘り優れた放熱性を発揮することができる。 Further, since the warpage of the mounting substrate 2 can be prevented or suppressed, the heat sink 3 can be prevented from being peeled off from the mounting substrate 2. Thereby, 1 A of light source devices can demonstrate the heat dissipation excellent over the long term.

＜第３実施形態＞
図５は、本発明の光源装置の第３実施形態を示す平面図である。 <Third Embodiment>
FIG. 5 is a plan view showing a third embodiment of the light source device of the present invention.

以下、この図を参照して本発明の光源装置の第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、発光装置の配置が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。 Hereinafter, the third embodiment of the light source device of the present invention will be described with reference to this figure, but the description will focus on the differences from the above-described embodiment, and the description of the same matters will be omitted.
This embodiment is the same as the first embodiment except that the arrangement of the light emitting devices is different.

図５に示すように、光源装置１Ｂでは、搭載基板２上に２行２列の行列状に並ぶ４つの発光装置４が複数組配置されている。対角上の２つの発光装置４は、それぞれ、緑色の単色光を発光するものである。また、残りの２つの発光装置４のうち、一方の発光装置４は、赤色の単色光を発光するものであり、他方の発光装置４は、青色の単色光を発光するものである。そして、これらの発光装置４が発光することにより、光源装置１Ｂは、全体として白色光を発光することができるとともに、色温度を調整することが可能である。 As shown in FIG. 5, in the light source device 1 </ b> B, a plurality of sets of four light emitting devices 4 arranged in a matrix of 2 rows and 2 columns are arranged on the mounting substrate 2. The two light emitting devices 4 on the diagonal side emit green monochromatic light. Of the remaining two light emitting devices 4, one light emitting device 4 emits red monochromatic light, and the other light emitting device 4 emits blue monochromatic light. When the light emitting device 4 emits light, the light source device 1B can emit white light as a whole and adjust the color temperature.

また、光源装置１Ｂでも光源装置１と同様に、各発光装置４からの熱は、第２の金属層２４に伝わり、当該第２の金属層２４で確実に放熱されることとなる。 Further, in the light source device 1 </ b> B, as in the light source device 1, the heat from each light emitting device 4 is transmitted to the second metal layer 24 and is surely radiated by the second metal layer 24.

このような第３実施形態に係る光源装置１Ｂにおいても、前述した第１実施形態の光源装置１と同様、搭載基板２の反りを防止または抑制することができる。 Also in the light source device 1B according to the third embodiment, warping of the mounting substrate 2 can be prevented or suppressed as in the light source device 1 of the first embodiment described above.

以上、本発明の光源装置および電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、光源装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。 As described above, the light source device and the electronic apparatus according to the present invention have been described with respect to the illustrated embodiments. However, the present invention is not limited to this, and each unit constituting the light source device can exhibit any function that can exhibit the same function. It can be replaced with that of the configuration. Moreover, arbitrary components may be added.

また、本発明の光源装置は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。 Further, the light source device of the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above embodiments.

また、本発明の光源装置が内蔵可能な液晶表示装置としては、液晶テレビの他に、デスクトップ型やノート型のパーソナルコンピュータのモニタ、携帯電話機、ディジタルカメラ、携帯情報端末等が挙げられる。また、本発明の光源装置が組み込まれる電子機器としては、液晶表示装置には限定されず、光源を必要とするあらゆる電子機器に適用可能である。さらに、本発明の光源装置は、このような液晶表示装置の他に、電球（照明器具）にも適用することができ、その場合、例えば、街灯（電灯）、信号機、看板の照明、電光掲示板等の発光光源に適用することができる。 In addition to the liquid crystal television, examples of the liquid crystal display device in which the light source device of the present invention can be built include a desktop or notebook personal computer monitor, a mobile phone, a digital camera, and a portable information terminal. In addition, the electronic device in which the light source device of the present invention is incorporated is not limited to a liquid crystal display device, and can be applied to any electronic device that requires a light source. Furthermore, the light source device of the present invention can be applied to a light bulb (lighting fixture) in addition to such a liquid crystal display device. It can be applied to a light emitting source such as.

また、搭載基板は、第２の金属層が省略されたものであってもよい。
また、搭載基板には、その厚さ方向に貫通し、各発光装置で発生した熱を搭載基板の下面側へ、すなわち、第２の金属層まで伝熱させる機能を有するサーマルビア（伝熱部）が多数配置されていてもよい。 The mounting board may be one in which the second metal layer is omitted.
Further, the mounting substrate penetrates in the thickness direction and has a function of transferring heat generated in each light emitting device to the lower surface side of the mounting substrate, that is, to the second metal layer (heat transfer portion). ) May be arranged in large numbers.

以下、本発明の具体的に実施例を説明する。なお、本発明は、これに限定されるものではない。 Hereinafter, specific examples of the present invention will be described. Note that the present invention is not limited to this.

（搭載基板の製造）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とジシアンジアミド（Ｄｉｃｙ）系硬化剤とを含有する熱硬化性樹脂ワニスの熱硬化性樹脂分１００質量部に対して、無機フィラーとしてタルク（日本タルク社製、平均粒径Ｄ５０：２３μｍ）６０質量部を配合し、均一に分散させた。無機フィラーが添加された樹脂ワニスを、目付け５０ｇ／ｍ^２のガラス不織布（バイリーン（株）製のガラス不織布）に含浸させ第１の基材層（中材層）用のプリプレグを得た。 (Manufacturing of mounting board)
For 100 parts by mass of the thermosetting resin content of the thermosetting resin varnish containing the bisphenol A type epoxy resin and the dicyandiamide (Dicy) type curing agent, talc (manufactured by Nippon Talc Co., Ltd., average particle diameter D50): 23 μm) 60 parts by mass were blended and dispersed uniformly. The resin varnish to which the inorganic filler was added was impregnated into a glass nonwoven fabric (glass nonwoven fabric manufactured by Vilene Co., Ltd.) having a basis weight of 50 g / m ² to obtain a prepreg for the first base material layer (medium material layer).

一方、ガラス織布（日東紡社製、厚み１８０μｍ）に、硬化剤含有エポキシ樹脂ワニスを充填材を配合せずに含浸させることにより、第２の基材層（表面材層）用のプリプレグを得た。 On the other hand, by impregnating a glass woven fabric (manufactured by Nittobo Co., Ltd., thickness 180 μm) with a curing agent-containing epoxy resin varnish without blending a filler, a prepreg for the second base material layer (surface material layer) Obtained.

そして、第１の基材層用のプリプレグを２枚重ね、その両外表面それぞれに、第２の基材層用のプリプレグ１枚と厚さ０．０１８ｍｍの銅箔（金属層）を順に載せて積層体を得た。この積層体を２枚の金属プレート間に挟み、温度１８０℃、圧力３０ｋｇ／ｍ^２の条件で加熱成型することにより、厚さ１．０ｍｍの配線基板（銅箔張コンポジット積層板）を得た。 Then, two prepregs for the first base material layer are stacked, and one prepreg for the second base material layer and a copper foil (metal layer) having a thickness of 0.018 mm are sequentially placed on both outer surfaces thereof. To obtain a laminate. The laminate was sandwiched between two metal plates and heat molded under conditions of a temperature of 180 ° C. and a pressure of 30 kg / m ² to obtain a wiring board (copper foil-clad composite laminate) having a thickness of 1.0 mm. .

さらに、配線基板の一方の面側の銅箔の一部を、エッチングにより、残銅率７０％となるように互いに平行で等間隔な幅２ｍｍの複数のライン状に除去した。これにより、パターンニング済みの配線基板を得た。 Further, a part of the copper foil on one surface side of the wiring board was removed by etching into a plurality of lines having a width of 2 mm and parallel to each other so as to have a residual copper ratio of 70%. As a result, a patterned wiring board was obtained.

ここで、配線基板の大きさは縦の長さ（Ｘ方向での長さ）が６０ｃｍ、横の長さ（Ｙ方向での長さ）が３ｃｍであった。また、第１の基材層の第１の繊維基材のＸ方向繊維のＹ方向での単位長さ当たりに配設される本数（打込み本数）は、４４本／２５ｍｍ、Ｙ方向繊維のＸ方向での単位長さ当たりに配設される本数（打込み本数）は、３２本／２５ｍｍであった。 Here, as for the size of the wiring board, the vertical length (length in the X direction) was 60 cm, and the horizontal length (length in the Y direction) was 3 cm. In addition, the number of the first base material layer disposed per unit length in the Y direction of the first fiber base of the first fiber base (the number of driving) is 44/25 mm, and the X of the Y direction fibers The number (number of driving) arranged per unit length in the direction was 32/25 mm.

（評価）
得られた搭載基板を以下の評価方法に従い、熱伝導性および熱膨張または熱収縮による反りを評価した。 (Evaluation)
The obtained mounting substrate was evaluated for thermal conductivity and warpage due to thermal expansion or contraction according to the following evaluation method.

［熱伝導性］
得られた搭載基板（パターンニング前、エッチングにより第１および第２の金属層を全て除去したもの）の密度を水中置換法により測定し、また、比熱をＤＳＣ（示差走査熱量測定）により測定し、さらに、レーザーフラッシュ法により熱拡散率を測定した。 [Thermal conductivity]
Measure the density of the resulting mounting board (before patterning, with all of the first and second metal layers removed by etching) by underwater displacement, and measure the specific heat by DSC (differential scanning calorimetry). Further, the thermal diffusivity was measured by a laser flash method.

そして、熱伝導率を以下の式から算出した。
熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）＝
密度（ｋｇ／ｍ^３）×比熱（ｋＪ／ｋｇ・Ｋ）×熱拡散率（ｍ^２／Ｓ）×１０００
その結果、配線基板の熱伝導率は、１（Ｗ／ｍ・Ｋ）であった。 And thermal conductivity was computed from the following formula | equation.
Thermal conductivity (W / m · K) =
Density (kg / m ³ ) × Specific heat (kJ / kg · K) × Thermal diffusivity (m ² / S) × 1000
As a result, the thermal conductivity of the wiring board was 1 (W / m · K).

［熱膨張または熱収縮による反り］
得られた配線基板（パターンニング後）を平らなステージ上に配置した状態で、オーブンで２００℃に加熱し、その後冷却し、その間、配線基板の反りを目視により観察した。
その結果、配線基板に反りは生じなかった。 [Warpage due to thermal expansion or contraction]
With the obtained wiring board (after patterning) placed on a flat stage, it was heated to 200 ° C. in an oven and then cooled, and during that time, the warping of the wiring board was visually observed.
As a result, the wiring board was not warped.

１、１Ａ、１Ｂ光源装置
２搭載基板（基板）
２１第１の基材層（基材層）
２２ａ、２２ｂ第２の基材層（基材層）
２３第１の金属層（金属層（表側金属層））
２３１回路パターン
２３２放熱用パターン
２４第２の金属層（裏側金属層）
３ヒートシンク（放熱部材）
３１本体
３２放熱フィン
４発光装置
４１パッケージ
４１１凹部
４２発光ダイオード（発光素子）
４３透光性樹脂部
４４外部端子
１００液晶テレビ
１０１ディスプレイ部（液晶セル）
１０２筐体
１０３脚部（スタンド）
１０４偏光板
１０５ガラス基板
１０６カラーフィルタ
１０７保護膜
１０８液晶部
１０９ガラス基板
１１０偏光板
ｔ_total、ｔ_１、ｔ_２、ｔ_３、ｔ_４平均厚さ 1, 1A, 1B Light source device 2 Mounting substrate (substrate)
21 1st base material layer (base material layer)
22a, 22b Second base material layer (base material layer)
23 1st metal layer (metal layer (front side metal layer))
231 circuit pattern 232 heat dissipation pattern 24 second metal layer (back side metal layer)
3 Heat sink (heat dissipation member)
31 Body 32 Radiating fin 4 Light emitting device 41 Package 411 Recess 42 Light emitting diode (light emitting element)
43 Translucent resin part 44 External terminal 100 Liquid crystal television 101 Display part (liquid crystal cell)
102 Housing 103 Leg (stand)
104 Polarizing plate 105 Glass substrate 106 Color filter 107 Protective film 108 Liquid crystal part 109 Glass substrate 110 Polarizing plate t _total , t ₁ , t ₂ , t ₃ , t ₄ average thickness

Claims

At least one light emitting device having a light emitting element;
It has a plate shape and includes a mounting board on which the light emitting device is mounted on one surface thereof,
The mounting substrate includes a first base material layer formed by impregnating a first fiber base material with a first resin material;
A second base material layer formed on both surfaces of the first base material layer and impregnated with a second resin material in a second fiber base material,
When the X direction and the Y direction perpendicular to each other are set along the surface direction of the mounting substrate, each of the second fiber base materials has a thermal expansion coefficient in the X direction that is greater than the thermal expansion coefficient in the Y direction. also rather small,
The light source device , wherein the mounting substrate has a longitudinal shape with the X direction as a longitudinal direction .

Each of the second fiber base materials includes a plurality of X-direction fibers extending in the X direction of the mounting substrate and a plurality of Y-direction fibers extending in the Y direction of the mounting substrate. The light source device according to claim 1, wherein the light source device is a woven fabric.

The number of the X direction fibers arranged per unit length in the Y direction is A [lines / cm], and the number of the Y direction fibers arranged per unit length in the X direction is When B [book / cm]
The light source device according to claim 2, satisfying a relationship of 0.6 <B / A <1.

4. The light source device according to claim 2, wherein a fiber diameter of the X-direction fiber is equal to or larger than a fiber diameter of the Y-direction fiber.

5. The light source device according to claim 2, wherein a fiber length of the X-direction fiber is equal to or longer than a fiber length of the Y-direction fiber.

Said first fibrous base material and the second fiber substrate, respectively, a light source device according to any one of 5 claims 1 glass fibers.

Wherein the first fiber substrate to a light source device according to any of claims 1 a nonwoven fabric 6.

The light source device according to any one of claims 1 to 7 , wherein a surface of the first fiber base is treated with a silane compound.

The light source device according to any one of claims 1 to 8 , wherein a ratio of a volume occupied by the first fiber base material in the first base material layer is 0.1 vol% or more and 30 vol% or less.

The ratio of the volume occupied by the second fiber substrate in the second substrate layer, a light source device according to any one of claims 1 or less than 40vol% 65vol% 9.

The first resin material and the second resin material, respectively, the light source device according to any one of claims 1 to 10 is a thermosetting resin.

Wherein the first resin material, a light source device according to any one of claims 1 to 11 silane compound is added.

The average thickness of the first substrate layer claims 1 is 0.1mm or more 1.4mm or less 12 light source device according to any one of.

The average thickness of the second substrate layer, a light source device according to any one of claims 1 is 0.3mm or less than 0.04 mm 13.

Wherein the first resin material, claims 1 inorganic filler is added light source device according to any one of 14.

The light source device according to claim 15 , wherein an amount of the inorganic filler added to the first resin material is 50 wt% or more and 80 wt% or less.

The light source device according to claim 15 or 16 , wherein the inorganic filler has an average particle size of 0.5 µm or more and 50 µm or less.

The inorganic filler, a light source device according to any one of claims 15 to 17 the surface is one that was treated with a silane compound.

The light source device according to any one of claims 1 is used as a backlight of a liquid crystal display device 18.

An electronic apparatus comprising: a light source device according to any one of claims 1 to 19.