KR101718924B1 - 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은, 내구성이 우수하고 반사 방지 기능의 구현이 용이한 유리 기판의 표면 처리 방법을 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 유리 기판의 표면을 연삭숫돌로 깎아내어 유리 기판의 헤이즈 값을 높이는 유리 표면 연삭 단계(S1); 유리 표면 연삭 단계(S1)에서 발생한 유리의 미세 분말을 제거하는 미세 분말 제거 단계(S2); 유리 기판의 연삭되는 면의 반대편 배면이 이후의 식각 단계에서 식각되지 않도록 하기 위한 마스크를 유리 기판의 배면에 형성하는 배면 마스킹 단계(S3); 상기 배면 마스킹 단계(S3)가 완료된 유리 기판을 식각액으로 식각하여 상기 유리 표면 연삭 단계에서 물리적으로 처리되어 높은 헤이즈 값을 갖는 유리 기판의 표면을 식각액을 이용하여 화학적으로 식각함으로 유리 기판의 전체 헤이즈 값을 원하는 헤이즈 값까지 낮추는 식각 단계(S4); 및 식각이 완료된 유리 기판에서 식각액을 씻어내는 세척 단계(S5)를 포함하는 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법을 제공한다.

Description

반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법{Method of surface treatment for anti-reflection}
본 발명은 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 필름 접착 방식이나 코팅 방식이 아닌 표면 처리 방법에 의해 유리 기판에 반사 방지 기능을 부여할 수 있는 새로운 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법에 관한 것이다.
표면에 투명 패널이 사용되는 디스플레이 기기를 포함하는 PDA, 스마트폰, 패드, 노트북, 모니터 등의 전자 기기들이 일반화 되어 있고 이러한 전자 기기들을 다양한 조명 상황에서 사용하다보면, 실외 태양광이나 실내조명 등이 디스플레이 기기의 투명 패널 표면에 반사되어 디스플레이 기기가 구현하는 화상의 시인성이 감소하는 경우가 많다. 이에 따라 디스플레이 기기의 품질을 향상시키기 위해서는 빛의 반사에 의한 디스플레이 이미지의 시인성과 해상도 저하를 막을 방안을 마련하는 것이 중요한 과제가 되고 있다.
이를 위해 디스플레이 장치의 유리 기판 표면에 굴절률을 조절 할 수 있는 유기물이나 무기물을 코팅 하는 방법이나 굴절률이 다른 광학 필름을 붙여 반사 방지의 성능을 구현하는 방법이 사용될 수 있다.
그러나 코팅과 필름 부착을 통한 반사 방지 성능 구현은 반사 방지 성능 구현의 자체에 한계가 있고, 코팅이 갖는 마찰에 대한 내구성이 약한 문제 때문에, 강한 햇빛에 노출되고 장기간의 안정적인 사용이 요구되는 전기 자동차용 디스플레이나 옥외 광고용 대형 디스플레이에는 적용하기 어려운 단점이 있다.
다른 방법으로 유리 기판 표면에 비드 등 요철 면을 포함하는 필름 필터를 부착하여 반사 방지 기능을 구현하는 방법이 사용될 수 있다. 또는 광학 소자를 투과하는 광의 파장의 몇 분의 1 정도의 미세한 간격으로, 원추형상 등의 돌기를 광학 면에 밀집시켜 형성함으로써 광의 반사를 억제하도록 할 수 있다. 이 경우 광파가 광학 소자에 입사할 때의 공기 경계면에서의 굴절률 변화를, 종래의 광학 소자와 같이 1로부터 매체 굴절률까지 순간적으로 변화시키는 것이 아니라, 완만하게 변화시킴으로써 광의 반사를 억제할 수 있다. 형상에 차이가 있더라도 요철 면을 형성하는 것 자체는 빛의 확산 반사를 통하여 디스플레이의 해상도 저하를 방지하는데 대단히 유용하다.
이러한 요철 면을 사용하는 반사 방지 기능도 지금까지는 요철 면이 형성된 필름을 부착하는 방식으로 이루어져서 내구성에 한계가 있는 단점이 있어왔고 이를 해결할 방안을 모색할 필요성이 매우 크다.
일본 공개특허공보 평8-309910호
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 내구성이 우수하고 반사 방지 기능의 구현이 용이한 유리 기판의 표면 처리 방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는
유리 기판의 표면을 연삭숫돌로 깎아내어 유리 기판의 헤이즈 값을 높이는 유리 표면 연삭 단계(S1);
유리 표면 연삭 단계(S1)에서 발생한 유리의 미세 분말을 제거하는 미세 분말 제거 단계(S2);
유리 기판의 연삭되는 면의 반대편 배면이 이후의 식각 단계에서 식각되지 않도록 하기 위한 마스크를 유리 기판의 배면에 형성하는 배면 마스킹 단계(S3);
상기 배면 마스킹 단계(S3)가 완료된 유리 기판을 식각액으로 식각하여 상기 유리 표면 연삭 단계에서 물리적으로 처리되어 높은 헤이즈 값을 갖는 유리 기판의 표면을 식각액을 이용하여 화학적으로 식각함으로 유리 기판의 전체 헤이즈 값을 원하는 헤이즈 값까지 낮추는 식각 단계(S4); 및
식각이 완료된 유리 기판에서 식각액을 씻어내는 세척 단계(S5)를 포함하는 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법을 제공한다.
여기서, 상기 유리 표면 연삭 단계(S1)에서 상기 연삭숫돌에 의해 상기 유리 기판의 표면이 깎이는 두께는 상기 유리 기판 두께의 10% 이내에서 0.1mm 내지 0.5mm의 범위 이내일 수 있다.
여기서, 상기 미세 분말 제거 단계(S2)는,
미세 분말 스프레이 제거 단계(S21)와 미세 분말 침적 제거 단계(S22)를 포함하고,
상기 미세 분말 스프레이 제거 단계(S21)는 1차 비이온 계면활성제가 첨가된 디아이 워터를 세정액으로 하여 스프레이 방식으로 유리 표면에 분사하여 진행하고,
상기 미세 분말 침적 제거 단계(S22)는 디아이 워터가 담긴 수조에 가공 중인 유리 기판을 침적하여 진행할 수 있다.
여기서, 상기 식각 단계(S4)에서 사용되는 식각액은 불산 10.0중량% 내지 20.0중량%, 염산 3.0중량% 내지 5.0중량%, 암모늄염 1.0중량% 내지 5.0중량%, 그리고 전체 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함하고, 상기 암모늄염은 산성불화 암모늄, 불화 암모늄을 포함하며, 식각은 식각액의 온도를 40℃ 내지 60℃에서 수행할 수 있다.
여기서, 상기 식각 단계(S4)에서의 식각 시간은 요구되는 헤이즈 값에 따라 10분에서 20분까지 진행되고, 3분에서 5분 간격으로 식각 단계에서 발생한 슬러리들을 디아이 워터를 유리 기판 표면에 분사하거나 또는 유리 기판 표면을 브러시로 쓸어서 제거한 후 식각을 진행할 수 있다.
여기서, 상기 세척 단계(s5)는 박리 단계(S51), 알칼리 세척액 세척 단계(S52) 및 디아이 워터 세척 단계(S53)를 포함하고,
상기 박리 단계(S51)는 유리 기판을 박리제가 담긴 박리조에 침적하여 유리 기판의 배면을 보호하기 위해 사용된 마스크를 제거하는 단계이고,
상기 알칼리 세척액 세척 단계(S52)는 수산화칼륨 7중량% 내지 9중량%, 계면활성제 1.0중량% 내지 3.0중량%, 그리고 전체 알칼리 세척액 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함하는 알칼리 세척액을 유리 기판 표면에 분사압력 40psi 내지 50psi, 분사 유량 10L/Min로 스프레이 분사하여 유리 기판을 세척하는 단계이며,
상기 디아이 워터 세척 단계(S53)는 디아이 워터가 담긴 수조에 가공 대상 유리 기판을 침적하여 세정하는 단계인 것일 수 있다.
본 발명의 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법에 의하면 필름을 유리 기판에 부착하는 방식을 사용하는 경우에 비해 내구성이 우수하다는 장점이 있다. 즉, 필름을 부착하는 경우에는 사용 환경과 사용 시간의 경과에 따라 필름이 박리되어 반사 방지 기능을 상실하게 되는데, 본 발명에 의하여 처리된 유리 기판은 유리 기판 자체에 요철 면이 형성되어서 사용 시간 경과에 따라 반사 방지 기능이 소실되는 일이 발생하지 않는다.
또한, 본 발명의 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법에 의하는 경우에는 유리 기판 표면에 형성되는 요철의 크기와 분포를 반사 방지 기능의 구현에 적합하게 제어하기 용이하다.
도 1은 본 발명에 따른 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 표면 처리 방법에 세부 단계를 포함하여 보여주는 도면.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
도 1에는 본 발명에 따른 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있고, 도 2에는 도 1에 도시된 표면 처리 방법에 세부 단계를 포함하여 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법은 유리 표면 연삭 단계(S1), 미세 분말 제거 단계(S2), 배면 마스킹 단계(S3), 식각 단계(S4) 및 세정 단계(S5)를 포함한다.
상기 유리 표면 연삭 단계(S1)는, 유리의 표면을 연삭 도구를 이용하여 표면을 거칠게 가공함으로 헤이즈 값을 높여주는 단계이다. 연삭은 연삭숫돌을 사용하여 이루어질 수 있고, 예를 들어 GC-200-H-9.5-V 사양의 숫돌이 사용될 수 있다.
이 단계에서 유리 기판은 정반에 놓인 상태로 수평을 유지하고 연삭숫돌이 유리 기판의 표면을 연삭 하면서 이동하도록 할 수도 있다. 또는 연삭숫돌을 한 위치에 고정하고 유리 기판을 이송하여 유리 기판 표면을 가공할 수도 있는데, 이 경우 유리가 투입되는 방향과 연삭숫돌의 회전 방향을 서로 반대가 되도록 하여 빠른 시간 내에 유리에 충격을 줄이면서 연삭을 수행하는 것이 바람직하다.
이 단계를 통해 유리 기판의 표면이 연삭으로 제거되는 두께는 0.1mm 내지 0.5mm의 범위이면서 유리 기판 두께의 10%이내인 것이 바람직하다. 본 발명에서는 유리 표면을 연삭하는 이유는 헤이즈 값을 거의 100이 되도록 높인 후에 식각을 통해 원하는 헤이즈 값을 구현하기 위한 것이어서 표면이 연삭에 의해 제거되는 두께가 0.5mm 이상으로 클 필요는 없고 0.1mm보다 작게 되는 경우에는 이후의 식각 공정이 원활하게 이루어지기 어렵게 될 수 있어 바람직하지 않다. 또한, 유리 기판의 두께에 대해 10% 이상으로 두께를 감소시키게 되면 유리 기판 자체의 물리적 강도가 약해질 우려가 있어 바람직하지 않다. 연삭 공정 후의 유리의 상태는 헤이즈(haze) 값 기준으로는 80% 이상(Minolta Chromameter, CR-410 측정), 조도(Roughness)는 1.0㎛ 이상 250㎛ 이하의 범위(Elecometer社, E22C 측정)가 된다.
실제의 공정에서 유리 기판을 처리할 때에는 예를 들어 47cmⅩ37cm 사이즈의 유리 기판을 연삭숫돌을 구비한 연삭기에 연속적으로 투입하여 유리의 표면에 거칠기를 부여한다. 이때 투입되는 유리 기판과 연삭숫돌의 간격(피드 또는 간섭량)은 유리의 두께를 고려하여 설정을 하되 연삭숫돌과 유리 기판 사이의 충격력이 유리에 전달되는 것을 최소화하도록 제어 한다. 연삭 공정은 최대한 짧은 시간에 진행 되는 것이 바람직하며 이를 위하여 연삭숫돌의 회전 방향을 고려하여 유리 원판을 역방향으로 투입하여 연삭의 효율을 높일 수도 있다. 다만, 이 경우에도 한번에 깎아내는 두께(피드, feed)를 작게 설정하여 연삭숫돌과 유리 기판 사이의 충격력이 유리에 전달되는 것을 최소화하도록 제어 한다.
상기 미세 분발 제거 단계(S2)는 그 다음 단계인 식각 단계의 준비 단계로서, 높은 헤이즈 값을 갖는 유리 기판을 비이온계 계면활성제가 포함된 디아이 워터(DeIonized water, 탈이온수)로 세정함으로 연마된 유리의 미세 분말들을 모두 제거하도록 한다.
상기 미세 분발 제거 단계(S2)는 미세 분말 스프레이 제거 단계(S21)와 미세 분말 침적 제거 단계(S22)의 두 단계로 이루어진다. 상기 미세 분말 스프레이 제거 단계(S21)에서는 1차로 비이온 계면활성제가 첨가된 디아이 워터를 세정액으로 하여 스프레이 방식으로 유리 표면에 분사하여 진행한다. 사용되는 세정액은 비이온계 계면활성제가 2중량% 내지 5중량%가 포함된 디아이 워터이고, 분사 압력은 40psi 내지 50psi, 유량은 10L/Min 정도가 바람직하다.
상기 미세 분말 침적 제거 단계(S22)에서는 디아이 워터가 담긴 수조에 가공 중인 유리 기판을 침적하여 유리 분말 및 비이온 계면활성제가 포함된 세정액을 약식으로 제거하도록 한다. 여기서 약식으로 제거한다고 표현하는 것은 계면 활성제 성분이 남는 것을 허용한다는 의미이다.
계면활성제는 거친 표면 틈에 잔류할 수 있는 미세 유리 분말을 효과적으로 제거하기 위해 포함하는 것인데, 이에 더하여 침적 단계 이후 잔류된 계면활성제 성분들은 유리의 표면 에너지를 낮추어, 이후 진행되는 식각 단계에서 불규칙한 표면이 고른 식각율로 식각될 수 있도록 하는데 기여할 수 있다.
상기 배면 마스킹 단계(S3)는 유리 기판의 연삭되는 면의 반대편 배면이 이후의 식각 단계에서 식각되지 않도록 하기 위해 마스크를 유리 기판의 배면에 형성하는 단계이다. 이 단계는 반드시 상기 유리 표면 연삭 단계(S1)나 상기 미세 분말 제거 단계(S2)가 완료된 이후에 행해질 필요는 없고, 이후의 식각 단계(S4) 이전에 행해지기만 하면 된다.
상기 식각 단계(S4)에서는, 물리적으로 처리되어 높은 헤이즈 값을 갖는 유리 기판의 표면을 식각액을 이용하여 화학적으로 식각함으로 유리 기판의 전체 헤이즈 값을 낮춘다. 여기서 사용되는 식각액은 불산 10.0중량% 내지 20.0중량%, 염산 3.0중량% 내지 5.0중량%, 암모늄염 1.0중량% 내지 5.0중량%, 그리고 전체 식각액 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함하여 만들어진다. 상기 암모늄염은 산성불화 암모늄 또는 불화 암모늄을 포함하며, 암모늄염은 식각 공정에서 글라스 전면이 고르게 식각 될 수 있도록 도와준다.
식각은 상온에서 진행하되, 빠른 식각이 요구되는 경우에는 식각액의 온도를 40℃ 내지 60℃까지 높여 식각을 진행한다.
이때 식각액 탱크는 PTFE(polytetrafluoroethylene, 테프론)가 라이닝된 PVC(polyvinyl chloride) 탱크로 하고, 순환 펌프를 통하여 식각조로 공급하는 방식이 바람직하다.
유리 기판의 식각은 식각액이 담겨 있는 식각조에 유리 기판을 침적시켜 진행하며, 한 개의 식각조에는 10개 내지 15개의 유리를 놓을 수 있는 카세트를 둘 수 있다. 이때 식각하고자 하는 유리 기판의 반대 면을 UV 경화 수지를 이용하여 마스킹 하여 반대 면이 식각되지 않도록 하는 것이 중요하다.
식각조에 투입된 유리 기판을 식각조의 진동(shaking)과 식각액의 순환으로 효과적으로 유리의 표면이 식각될 수 있도록 한다. 이때 식각조의 진동은 분당 50회(50 RPM)로 하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 식각조의 사이즈는 가로 2m, 세로 1.5m, 높이 1m으로 할 수 있고, 외부 재질은 PVC로, 내부는 PTFE 라이닝 하여 식각액에 대한 내식성을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
식각액의 순환 펌프는 유량 최대 9㎥/hour, 토출압 10Bar의 성능을 갖는 내산성 펌프를 사용하는 것이 바람직하다.
식각 시간은 요구되는 헤이즈 값에 따라 10분에서 20분까지 진행된다. 이때 3분에서 5분 간격으로 식각 단계에서 발생한 슬러리들을 제거하기 위해 디아이 워터로 식각된 유리 기판 표면을 세정한다. 이는 유리 기판 표면 식각 후 남은 슬러리들이 유리 표면 쌓여 식각 효율을 떨어뜨리는 것을 방지하기 위함이다. 또한 세정조에 설치된 브러시로 유리 식각면을 닦아 냄으로 유리 슬러리를 효과적으로 제거할 수 있다. 브러시는 식각액에 견딜 수 있는 폴리프로필렌(PP) 브러시를 사용하며, 모의 굵기는 Φ=0.08을 사용하여 최대한 유리 표면에 물리적 영향을 미치지 않도록 하는 것이 바람직하다.
상기 식각 단계(S4)에서 슬러리 제거 작업 중간 중간 진행하면서 식각액을 사용하여 추가로 유리 기판 표면을 식각하여 원하는 최종적인 헤이즈 값을 구현한다.
상기 세척 단계(S5)는 식각 공정을 마친 유리 기판을 세정하는 단계로 디아이 워터와 알칼리성 세정제를 사용하여 유리 기판 표면의 슬러리와 잔류 하는 계면 활성제를 모두 제거한다. 상기 세척 단계(s5)는 박리 단계(S51), 알칼리 세척액 세척 단계(S52) 및 디아이 워터 세척 단계(S53)의 3단계로 이루어 질 수 있다.
먼저, 상기 박리 단계(S51)는 유리 기판의 보호용으로 사용된 마스크를 제거하는 단계이다. 이 단계에서는 박리제로 PGME(Propylene Glycol Monomethyl Ether)/PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)를 사용하여 박리공정을 진행하는데, 유리 기판을 PGMEA/PGME가 담긴 박리조에 침적하여 박리를 진행한다. 박리 시간은 최대 15분을 넘기지 않는 것이 바람직하다.
상기 알칼리 세척액 세척 단계(S52)는 박리를 마친 유리 기판의 표면에 알칼리 세척액을 스프레이 분사하여 세척하는 단계이다. 상기 알칼리 세척액 세척 단계에서 사용되는 세척액은 수산화칼륨 7중량% 내지 9중량%, 계면활성제 1.0중량% 내지 3.0중량%, 그리고 전체 알칼리 세척액 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함하며, 분사조건은 분사압력 40psi 내지 50psi, 분사 유량 10L/Min로 하는 것이 바람직하다.
상기 디아이 워터 세척 단계(S53)는 상기 알칼리 세척액 세척 단계(S52)를 거친 유리 기판을 디아이 워터가 담긴 수조에 침적하여 세정하는 단계이다. 이러한 침적 세척을 3회 이상 반복 수행하는 것이 바람직하다. 상기 디아이 워터 세척 단계(S53)가 완료되면 건조하여 최종 반사 방지 기능을 갖는 유리 기판이 완성된다.
본 발명의 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법은 기본적으로 유리 기판 자체에 요철 면을 형성하는 방법으로 필름을 사용하는 경우에 비해 내구성이 우수하다는 장점이 있다.
또한, 요철 면을 형성하여 유리 기판의 반사 방지 기능을 구현할 때 요철면의 크기나 분포를 조절하는 것이 반사 방지 기능의 확보와 이미지 왜곡을 피하기 위해 매우 중요하다. 즉, 요철의 크기와 분포 등을 제어하지 못하여 요철의 크기 나 간격이 빛의 파장의 1/20배 이하이면 빛의 확산 반사 효과가 거의 없고, 요철의 크기가 너무 커지면 본래 디스플레이 이미지의 왜곡이 발생할 수 있기 때문에 요철의 형상 및 크기를 제어하는 것이 매우 중요하다. 본 발명의 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법에 의하는 경우에는 요철의 크기와 분포를 반사 방지 기능의 구현에 적합하게 제어할 수 있다.
지금까지 본 발명을 설명함에 있어, 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해짐이 자명하다.

Claims (1)

  1. 유리 기판의 표면을 연삭숫돌로 깎아내어 유리 기판의 헤이즈 값을 높이는 단계로서, 상기 연삭숫돌에 의해 상기 유리 기판의 표면이 깎이는 두께는 상기 유리 기판 두께의 10% 이내에서 0.1mm 내지 0.5mm의 범위 이내인 유리 표면 연삭 단계(S1);
    유리 표면 연삭 단계(S1)에서 발생한 유리의 미세 분말을 제거하는 미세 분말 제거 단계(S2);
    유리 기판의 연삭되는 면의 반대편 배면이 이후의 식각 단계에서 식각되지 않도록 하기 위한 마스크를 유리 기판의 배면에 형성하는 배면 마스킹 단계(S3);
    상기 배면 마스킹 단계(S3)가 완료된 유리 기판을 식각액으로 식각하여 상기 유리 표면 연삭 단계에서 물리적으로 처리되어 높은 헤이즈 값을 갖는 유리 기판의 표면을 식각액을 이용하여 화학적으로 식각함으로 유리 기판의 전체 헤이즈 값을 원하는 헤이즈 값까지 낮추는 식각 단계(S4); 및
    식각이 완료된 유리 기판에서 식각액을 씻어내는 세척 단계(S5)를 포함하고,
    상기 미세 분말 제거 단계(S2)는,
    미세 분말 스프레이 제거 단계(S21)와 미세 분말 침적 제거 단계(S22)를 포함하고,
    상기 미세 분말 스프레이 제거 단계(S21)는 1차 비이온 계면활성제가 첨가된 디아이 워터를 세정액으로 하여 스프레이 방식으로 유리 표면에 분사하여 진행하고,
    상기 미세 분말 침적 제거 단계(S22)는 디아이 워터가 담긴 수조에 가공 중인 유리 기판을 침적하여 진행하는 것이며,
    상기 식각 단계(S4)에서 사용되는 식각액은 불산 10.0중량% 내지 20.0중량%, 염산 3.0중량% 내지 5.0중량%, 암모늄염 1.0중량% 내지 5.0중량%, 그리고 전체 식각액 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함하고, 상기 암모늄염은 산성불화 암모늄 또는 불화 암모늄을 포함하며, 식각은 식각액의 온도를 40℃ 내지 60℃에서 수행되는 것이고,
    상기 식각 단계(S4)에서의 식각 시간은 요구되는 헤이즈 값에 따라 10분에서 20분까지 진행되고, 3분에서 5분 간격으로 식각 단계에서 발생한 슬러리들을 디아이 워터를 유리 기판 표면에 분사하거나 또는 유리 기판 표면을 브러시로 쓸어서 제거한 후 식각을 진행하는 것이며,
    상기 세척 단계(s5)는 박리 단계(S51), 알칼리 세척액 세척 단계(S52) 및 디아이 워터 세척 단계(S53)를 포함하고,
    상기 박리 단계(S51)는 유리 기판을 박리제가 담긴 박리조에 침적하여 유리 기판의 배면을 보호하기 위해 사용된 마스크를 제거하는 단계이고,
    상기 알칼리 세척액 세척 단계(S52)는 수산화칼륨 7중량% 내지 9중량%, 계면활성제 1.0중량% 내지 3.0중량%, 그리고 전체 알칼리 세척액 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함하는 알칼리 세척액을 유리 기판 표면에 분사압력 40psi 내지 50psi, 분사 유량 10L/Min로 스프레이 분사하여 유리 기판을 세척하는 단계이며,
    상기 디아이 워터 세척 단계(S53)는 디아이 워터가 담긴 수조에 가공 대상 유리 기판을 침적하여 세정하는 단계인 것을 특징으로 하는 반사 방지를 위한 유리 기판의 표면 처리 방법.
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