KR101707240B1 - Contact Tip Attach Probe Substrate, method of manufacturing the Contact Tip Probe Substrate thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이장치의 평판표시패널을 검사하는 프로브블록의 접촉팁이 부착되는 프로브기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 프로브기판을 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로서, 협소피치로 된 디스플레이장치의 평판표시패널를 정확하게 검사할 수 있고, 프로브블록을 분해 없이 프로브기판에 접촉팁을 탈부착이 용이한 것이다.
상기 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100) 제조방법은 상기 선정된 부도체기판(10)의 양면에 전도촉진층(15)을 형성하는 a단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 상부시그널 배선패턴(23)을 형성하는 b단계; 상기 부도체기판(10)의 하면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 하부시그널 배선패턴(25)을 형성하는 c단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 잔류한 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)과 하면에 잔류한 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)을 제거하는 d단계; 상기 부도체기판(10)의 양면에 형성된 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)의 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층(15)을 제거하는 e단계; 상기 부도체기판(10)에 상면시그널 배선패턴(23)과 하면시그널 배선패턴(25)이 형성된 부도체기판(10)을 개별로 절단하는 f단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에 출력 접촉팁(33)을 부착하는 g단계; 및 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부 (25a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25a)에 입력 접촉팁(35)을 부착하는 h단계; 를 포함한다.
상기 부도체기판(10)을 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조하면 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)이 형성되는 것이다.
상부시그널 배선패턴, 하부시그널 배선패턴, 부도체기판, 실리콘기판
[0001] The present invention relates to a probe substrate to which a contact tip of a probe block for inspecting a flat panel display panel of a display device is attached, and more particularly to a probe substrate which is manufactured by microelectromechanical system (MEMS) The flat panel display panel of the apparatus can be accurately inspected and the contact tip can be easily detached and attached to the probe substrate without disassembling the probe block.
The method for manufacturing a probe substrate 100 to which the contact tip is attached includes the steps of: a) forming a conduction promoting layer 15 on both sides of the selected nonconductor substrate 10; B) forming an upper signal wiring pattern (23) on the conductivity facilitating layer (15) formed on the upper surface of the nonconductive substrate (10); Forming a lower signal wiring pattern (25) on the conductivity facilitating layer (15) formed on the lower surface of the nonconductor substrate (10); D) removing the adhesive template (17a) of the upper signal wiring pattern (23) remaining on the upper surface of the nonconductor substrate (10) and the adhesive template (19a) of the lower signal wiring pattern (25) remaining on the lower surface; Removing the conduction promoting layer 15 formed between the pitches of adjacent signal wiring patterns of the upper signal wiring pattern 23 and the lower signal wiring pattern 25 formed on both sides of the nonconductor substrate 10; Cutting the nonconductive substrate 10 on which the upper surface signal wiring pattern 23 and the lower surface signal wiring pattern 25 are formed on the nonconductive substrate 10; G) attaching an output contact tip (33) to an upper signal wiring pattern output terminal portion (23a) formed on an upper surface of the nonconductor substrate (10) and a lower signal wiring pattern output terminal portion (25a) formed on a lower surface; A step h of attaching an input contact tip 35 to an upper signal wiring pattern input terminal 25a formed on the upper surface of the nonconductor substrate 10 and a lower signal wiring pattern input terminal 25a formed on the lower surface thereof; .
When the nonconductive substrate 10 is manufactured by the steps a to h, the probe substrate 100 to which the contact tip is attached is formed.
An upper signal wiring pattern, a lower signal wiring pattern, an insulating substrate, a silicon substrate
Description
본 발명은 평판표시패널을 검사하는 프로브블록의 접촉팁이 부착되는 프로브기판과 그의 프로브기판 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 미소전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System) 기술에 의해서 프로브기판을 제조한 후, 상기 프로브기판의 시그널 배선패턴 단자부에 접촉팁을 부착하여 프로브블록에 조립되여 평판표시패널의 정상 유무를 검사하는 것에 관한 것이다.The present invention relates to a probe substrate to which a contact tip of a probe block for inspecting a flat panel display panel is attached and a method of manufacturing the probe substrate. More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a probe substrate by a microelectromechanical system And then attaching a contact tip to the signal wiring pattern terminal portion of the probe substrate and inserting the contact tip into the probe block to inspect whether the flat panel display panel is normal or not.
본 발명은 프로브블록 및 이를 포함하는 프로브유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a probe block and a probe unit including the probe block.
최근에 차세대 평판표시패널은 LCD(Liquid Crystal Display), 유기EL(Organic Electro-Luminescence)와 동영상 응답속도와 평판표시패널의 두께와 무게가 가벼고 BCU(백라이트유닛)이 필요 없는 유기발광다이오드(AMOLED), 등과 같은 디스플레이장치의 평판표시패널의 제조는 최종 검사 공정에서 평판표시패널의 시그널 배선패턴 단자들에 전기신호를 인가함으로써 평판표시패널의 정상 유무를 검사하기 위한 프로브블록의 접촉팁이 부착되는 프로브기판에 관한 것이다.Recently, the next-generation flat panel display panel has been widely used as an organic light-emitting diode (AMOLED), which is a liquid crystal display (LCD), organic EL (organic electro-luminescence) ) Is manufactured by applying an electrical signal to the signal wiring pattern terminals of the flat panel display panel in the final inspection process so that the contact tip of the probe block for checking the flatness of the flat panel display panel is attached To a probe substrate.
상기 평판표시패널의 정상 유무를 검사하는 프로브블록은 니들(Needle)프로브팁, 블레이드(Blade)프로브팁, 필름(Film)프로브팁 및 멤스(MEMS)프로브팁 등과 같이 다양한 형태로 제공되여 프로브유닛에 조립되고 있다The probe block for checking whether the flat display panel is normal may be provided in various forms such as a needle probe tip, a blade probe tip, a film probe tip, and a MEMS probe tip, Be assembled
상기 블레이드 프로브팁의 프로브블록은 프로브팁이 전체가 블레이드로 되어 있어 수백개의 블레이드 프로브팁을 연결봉과 정열바에 개별로 조립되여 블레이드 프로브팁을 교체시에는 프로브블록의 연결봉과 정열바에서 분해하여 교체함으로 수리가 매우 어렵다.The probe block of the blade probe tip is composed of a blade as a whole, so that hundreds of blade probe tips are individually assembled to the connecting rod and the alignment bar. When the blade probe tip is replaced, the probe block is disassembled and replaced at the connecting rod and the alignment bar of the probe block Repair is very difficult.
또한, 정열바에 형성된 블레이드 프로브팁의 정열 슬릿이 브리클하여 슬릿이 파손이 잘되여 평판표시패널의 개별 시그널 배선패턴 단자에 접촉성이 일정하지 않아 평판 표시패널 검사의 정확성이 떨어지는 문제점 있다.In addition, since the slit of the slit is easily broken due to the brittle slit of the blade probe tip formed on the alignment bar, the accuracy of the inspection of the flat panel display panel deteriorates because the contactability with the individual signal wiring pattern terminals of the flat panel display panel is not constant.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안되는 것으로서, 본 발명의 목적은 접촉팁이 탈부착 되는 프로브기판을 제공하여 시그널 배선패턴 단자가 협소피치로 된 평판표시패널을 검사할 수 있고, 일체형으로 형성된 프로브핀을 분리형으로 형성하여 프로브핀을 교체시 프로브블록을 분해 없이 해당 프로브팁을 탈착과 부착이 용이하여 교체를 쉽게 할 수 있는 접촉팁이 부착되는 프로브기판 제조방법.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a probe substrate on which a contact tip is detachably attached so that a signal wiring pattern terminal can be inspected for a flat panel display panel having a narrow pitch, Wherein a probe tip is detachably attached to the probe pin so that the probe tip can be easily detached and attached without disassembling the probe block when the probe pin is replaced.
도 1은 종래의 블레이드형 프로브팁으로 조립된 프로브블록의 예시도이다.1 is an exemplary view of a probe block assembled with a conventional blade-type probe tip.
상기 종래의 블레이드형 프로브핀이 조립된 프로브블록은 프로브팁이 전체가 일체형의 블레이드로 되어있으며 또한 프로브블록은 수개 내지 수백개의 블레이드 형 프로브팁을 연결봉과 정열바에 조립하여 블레이드형 프로브팁을 교체시에는 프로브블록의 연결봉과 정열바에서 분해하여 교체함으로 수리가 용이하지 문제가 있다.The probe block having the conventional blade-type probe pin assembled therein has a probe tip integrally formed with a blade, and the probe block includes several to several hundreds of blade-type probe tips assembled into the connecting rod and the heat- There is a problem in that repair is difficult because the probe block is disassembled and replaced at the connecting rod and the regulation bar.
또한, 정열바에 형성된 블레이드 프로브팁의 정열 슬릿이 브리틀(brittle)하여 슬릿이 파손이 잘되여 연결봉과 정열바가 없는 프로브블록을 제공할 수 있는 것.Also, it is possible to provide a probe block in which the slit of the blade probe tip formed on the alignment bar is brittle and the slit is broken so that the connecting rod and the alignment bar are not provided.
본 발명은 상기에서 문제점으로 지적되고 있는 사항을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 부도체기판 또는 실리콘기판의 양면에 시그널 배선패턴을 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 형성하여 상기 시그널 배선패턴의 단자부에 분리형의 접촉팁이 부착과 탈착이 용이하고 협소피치로 된 평판표시패널를 검사할 수 있는 것.A signal wiring pattern is formed on both surfaces of an insulating substrate or a silicon substrate by using a microelectromechanical system (MEMS) technique, and a signal wiring pattern is formed on a terminal portion of the signal wiring pattern. The contact tip of which can be easily attached and detached, and capable of inspecting a flat panel display panel having a narrow pitch.
본 발명의 실시예1은 부도체기판 양면에 시그널 배선패턴을 형성하여 상기 시그널 배선패턴 단자부에 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)을 제공하는 것이다.Embodiment 1 of the present invention provides a
상기 접촉팁은 출력접촉팁(33)과 입력접촉팁(35)으로 분리형으로 형성하여 프로브기판(100)에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에 출력접촉팁(33)이 부착되고 상부시그널 배선패턴 입력단자부(23b)와 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25b)에 입력접촉팁(35)을 탈부착하는 것이 바람직하다.The contact tip is separated into an
본 발명의 실시예1에 따른 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)의 바람직한 베이스 부도체기판은 세라믹기판 또는 글라스기판으로 이루어지는 것이다.A preferred base non-conductive substrate of the
상기 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100) 바람직한 제조방법은 상기 선정된 부도체기판(10)의 양면에 전도촉진층(15)을 형성하는 a단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 상부시그널 배선패턴(23)을 형성하는 b단계; 상기 부도체기판(10)의 하면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 하부시그널 배선패턴(25)을 형성하는 c단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 잔류한 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)과 하면에 잔류한 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)을 제거하는 d단계; 상기 부도체기판(10)의 양면에 형성된 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)의 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층(15)을 제거하는 e단계; 상기 부도체기판(10)의 양면에 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)이 형성된 부도체기판(10)을 개별로 절단하는 f단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에 출력접촉팁(33)을 부착하는 g단계; 및 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(25a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25a)에 입력접촉팁(35)을 부착하는 h단계; 를 포함한다.A preferred method of manufacturing the
상기 실리콘기판(10)을 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조하면 도 2와 같은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)이 형성되는 것이다.When the silicon substrate 10 is manufactured in steps a to h, a
본 발명의 실시예2은 실리콘기판의 양면에 시그널 배선패턴을 음각으로 요홈을 형성하여 상기 음각의 요홈에 형성된 시그널 배선패턴 단자부에 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)을 제공하는 것이다.The second embodiment of the present invention provides a
본 발명의 실시예2에 따른 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)의 바람직한 제조방법은 실리콘기판(110)의 상면에 상부시그널 배선패턴(123)을 노광과 현상하는 a단계; 상기 실리콘기판(110)의 하면에 하부시그널 배선패턴(125)을 노광과 현상하는 b단계; 상기 실리콘기판(110)의 양면에 상부시그널 배선패턴(123)이 패턴된 점착제(117)층과 하부시그널 배선패턴(125)이 패턴된 점착제(119)층에 에칭으로 음각요홈을 형성하는 c단계; 상기 실리콘기판(110)의 양면에 절연막(113)을 형성하는 d단계; 상기 실리콘기판(110)의 양면에 형성된 절연막(113) 상에 전도촉진층(115)을 형성하는 e단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴(123)의 점착제 주형(117a)과 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴(125)의 점착제 주형(119a)에 전도성이 우수한 구리, 니켈 또는 구리합금, 니켈합금 등과 같은 금속을 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 f단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 잔류한 점착제 주형(117a)과 하면에 잔류한 점착제 주형(119a)을 제거하는 g단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴(123)과 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴(125)의 인접한 시그널 배선패턴 피치 사이에 형성된 전도촉진층(115)을 제거하는 h단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 상부시그널 배선패턴(123)과 하면에 하부시그널 배선패턴(125)이 형성된 실리콘기판(110) 어레이를 개별로 절단하는 i단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(123a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(125a)에 출력접촉팁(133)을 부착하는 j단계; 및 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(123b)와 하면에 형성된 하부시그널 배 선패턴 입력단자부(125b)에 입력접촉팁(35)을 부착하는 k단계; 를 포함하는 것이다.A preferred method of manufacturing the
상기 실리콘기판(110)을 상기 a단계 내지 상기 k단계로 제조하면 도 6와 같은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)이 형성되는 것이다.When the silicon substrate 110 is manufactured in steps a to k, a
본 발명의 접촉팁이 부착되는 프로브기판은 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로서, 협소피치 간격과 점유면적이 미세한 시그널 배선패턴 단자를 갖는 평판표시패널를 정확히 검사할 수 있고, 상기 시그널 배선패턴 단자부에 별도의 접촉팁을 부착과 탈착이 용이하여 교체가 쉬운 접촉팁이 부착되는 프로브기판을 제공하는 효과가 있다.Since the probe substrate to which the contact tip of the present invention is attached is manufactured by the microelectromechanical system (MEMS) technology, it is possible to accurately inspect the flat panel display panel having the signal wiring pattern terminals having a narrow pitch interval and occupied area, There is an effect of providing a probe substrate to which a separate contact tip is attached to a terminal portion and a contact tip which is easily detachable and easy to replace is attached.
또한, 접촉팁이 부착되는 프로브기판의 양면에 시그널 배선패턴을 형성하여 상기 양면이 시그널 배선패턴에 별도의 접촉팁을 부착함으로 블레이드 프로브팁을 조립하는 연결봉과 정열바가 없는 프로브블록을 제공하는 효과가 있다.Further, there is provided an effect of forming a signal wiring pattern on both surfaces of a probe substrate to which a contact tip is attached and attaching a separate contact tip to the signal wiring pattern on both sides thereof, thereby providing a connecting rod for assembling the blade probe tip and a probe block having no alignment bar have.
본 발명의 실시예1의 구성 상태 와 제조방법 및 이로부터 얻게 되는 특유의 효과 등에 대하여 첨부 도 2 내지 도 5을 참조하여 상세하게 설명한다.The configuration state and the manufacturing method of the first embodiment of the present invention and the unique effects obtained therefrom will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 5. FIG.
실시예1Example 1
본 발명의 실시예1은 부도체기판 양면에 시그널 배선패턴을 형성하여 상기 시그널 배선패턴 단자부에 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)을 제공하는 것이다.Embodiment 1 of the present invention provides a
본 발명의 실시예1에 따른 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)은 부도체기판 (10)으로 제조하여 상기 부도체기판(10)의 상면에 상부시그널 배선패턴(23)을 형성하고 하면에 하부시그널 배선패턴(25)을 형성하여 상면과 하면의 시그널 배선패턴 단자부에 접촉팁을 부가하여 프로브블록에 조립되는 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)을 제공하는 것이다.The
상기 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)의 제조방법은 베이스 부도체기판(210)은 세라믹기판 또는 글라스기판으로 이루어지는 것이다.In the method of manufacturing the
상기 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100) 제조방법은 상기 부도체기판(10)의 양면에 전도촉진층(15)을 형성하는 a단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 상부시그널 배선패턴(23)을 형성하는 b단계; 상기 부도체기판(10)의 하면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 하부시그널 배선패턴(25)을 형성하는 c단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 잔류한 상부시그널배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)과 하면에 잔류한 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)을 제거하는 d단계; 상기 부도체기판(10)의 양면에 형성된 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)의 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층(15)을 제거하는 e단계; 상기 부도체기판(10)의 양면에 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)이 형성된 프로브기판(100)을 개별로 절단하는 f단계; 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에 출력접촉팁(33)을 부착하는 g단계; 및 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(23b)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25b)에 입력접촉팁(35)을 부착하는 h단계; 를 포함한다.The method for fabricating a
부도체기판(10)을 실시예1의 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조하면 도 2a와 같은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)이 형성되는 것이다.When the non-conductive substrate 10 is manufactured by the steps a to h of Embodiment 1, the
상기 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)은 부도체기판(10)의 상면에는 수백개 내지 수천개의 상부시그널 배선패턴(23)이 형성되며 상기 상부시그널 배선패턴(23)은 출력단에 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 입력단에 상부시그널 배선패턴 입력단자부(23b)가 형성되어 상기 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)에는 출력접촉팁(33)이 부착되며 상부시그널 배선패턴 입력단자부(23b)에는 입력접촉팁(35)이 부착되는 것이다.The
또한, 부도체기판(10)의 하면에는 수백개 내지 수천개의 하부시그널 배선패턴(25)이 형성되며 상기 하부시그널 배선패턴(25)은 출력단에 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)와 입력단에 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25b)가 형성되어 상기 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에는 출력접촉팁(33)이 부착되며 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25b)에는 입력접촉팁(35)이 부착되는 것이다.In addition, several hundred to several thousand lower signal wiring patterns 25 are formed on the lower surface of the non-conductive substrate 10. The lower signal wiring pattern 25 has a lower signal wiring pattern output terminal 25a at its output end, A wiring pattern input terminal portion 25b is formed and an
상기 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)의 출력단자부(23a,25a)에 부착되는 출력접촉팁(33)은 출력접촉부(33a)와 출력빔부(33b)와 출력접합부(33c)가 구비되며 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에 출력접촉팁(33)의 출력접합부(33c)에 형성된 고정접합암으로 고정하는 것이다.The
도 2b와 같이 출력접촉팁(33)은 캔틸레버 형상으로 출력접촉부(33a)는 출력 빔부(33b)의 시작단에서 하향으로 구비되며 출력접합부(33c)은 출력빔부(33b) 끝단에 구비되며 상기 출력접합부(33c)은 고정편(34a)과 고정접합암으로 형성되는 것이다.The output contact portion 33a is disposed downward at the start end of the output beam portion 33b and the
상기 출력접합부(33c)에 형성된 고정편(34a)에는 원형 또는 사각형의 홀이 형성되고, 상기 고정편(34a)에서 수평선상으로 연장하는 고정접합암은 " ㄷ " 자와 같이 상부암(34b)과 하부암(34c)으로 형성되여 상부암(34b)과 하부암(34c)이 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에 접합되어 고정되는 것이다.Has a fixing piece (34a) formed in the output junction (33c) is hole of circular or square are formed, fixed joint arm (34b) the upper arm, such as "c" character extending in the horizontal line at the engagement piece (34a) And the lower arm 34c and the upper arm 34b and the lower arm 34c are fixed to the upper signal wiring pattern
상기 고정편(34a)에서 수평선상으로 연장하는 " ㄷ " 자의 고정접합암의 형상은 상부암(34b)과 하부암(34c)은 수평선상으로 형성되거나 또는 상부암(34b)은 "
상기 출력접촉팁(33)의 출력접촉부(33a)는 평판표시패널에 형성된 시그널 배선패턴 단자(미도시됨)에 접촉되는 것이다.The output contact portion 33a of the
상기 부도체기판(10)에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에 부착된 출력접촉팁(33)은 수리가 필요할 때에 프로브블록(미도시됨)을 분해하지 않고 즉시 교체가 가능하다.An
상기 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)의 입력단자부(23b,25b)에 부착되는 입력접촉팁(35)은 입력접촉부(35a)와 입력빔부(35b)와 입력 접합부(33c)가 구비되며 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(23b)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25b)에 입력접촉팁(35)의 입력접합부(33c)에 형성된 고정접합암으로 고정하는 것이다.The
도 2c와 같이 상기 입력접촉팁(35)은 캔틸레버 형상으로 입력접촉부(35a)는 입력빔부(35b)의 시작단에서 하향으로 구비되며 입력접합부(35c)은 입력빔부(35b) 끝단에 구비되며 상기 입력접합부(35c)은 고정편(36a)과 고정접합암으로 형성되는 것이다.The
상기 입력접합부(35c)에 형성된 고정편(36a)에는 원형 또는 사각형의 홀이 형성되고, 상기 고정편(36a)에서 수평선상으로 연장하는 고정접합암은 " ㄷ " 자와 같이 상부암(36b)과 하부암(36c)으로 형성되여 상부암(36b)과 하부암(36c)이 상부시그널 배선패턴 입력단자부(23b)와 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25b)에 접합되어 고정되는 것이다.Has a fixing piece (36a) formed in the input junction (35c) is hole of circular or square are formed, fixed joint arm (36b) the upper arm, such as "c" character extending in the horizontal line at the engagement piece (36a) And the upper arm 36b and the
상기 고정편(36a)에서 수평선상으로 연장하는 " ㄷ " 자의 고정접합암의 형상은 상부암(36b)과 하부암(36c)은 수평선상으로 형성되거나 또는 상부암(36b)은 "
상기 입력접촉팁(35)의 입력접촉부(35a)는 TCP 블록 연결부에 형성된 배선패턴 단자(미도시됨)에 접촉되는 것이다.The input contact portion 35a of the
상기 부도체기판(10)에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(23b)와 하면 에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25b)에 부착된 입력접촉팁(35)은 수리가 필요할 때에 프로브블록(미도시됨)을 분해하지 않고 즉시 교체가 가능하다.The
도 3은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)의 제조방법을 상기 a단계 내지 상기 h단계의 순서도를 참조하여 상세하게 설명한다.3 illustrates a method of manufacturing the
도 4은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100) 제조방법 b단계의 b-1과정 에서 b-5과정의 세부적인 순서도이다.4 is a detailed flowchart of step b-5 in the step b-1 of the method b) for manufacturing the
도 5은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100) 제조방법 c단계의 c-1과정 에서 c-5과정의 세부적인 순서도이다.5 is a detailed flowchart of step c-5 in the step c-1 of the method of manufacturing the
먼저, 상기 부도체기판(10)의 양면 상에 전도촉진층(15)을 형성하는 a단계는 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성되는 상부시그널 배선패턴(23)과 하면에 형성되는 하부시그널 배선패턴(23)이 전해도금시 부도체기판(10)의 양면과 접착력이 양호하게 하기 위해서 스퍼터링(Sputtering) 증착 및 전자빔(E-beam) 증착으로 부도체기판(10)의 양면 상에 형성된 절연막(13) 상에 전도촉진층(15)을 증착하는 것이다.First, a step of forming a conduction promoting layer 15 on both surfaces of the nonconductor substrate 10 includes a step of forming an upper
상기 부도체기판(10)의 양면에 증착하는 전도촉진층(15)은 구리(Cu), Cr(크롬), Ni(니켈), Ti-Au(티타늄-금) 중에서 어느 하나의 금속을 선정하여 1000Å(옹스트롬) 내지 5000Å(옹스트롬) 두께로 증착으로 형성하는 것이다.The conduction promoting layer 15 deposited on both surfaces of the nonconductive substrate 10 may be formed of any one of copper (Cu), chromium (Cr), nickel (Ni), and titanium (Ti) (Angstrom) to about 5000 angstroms thick.
다음으로, 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 상부시그널 배선패턴(23)을 형성하는 b단계는 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 점착제(17)를 도포하는 b-1과정을 실시한다.Next, a step b of forming an upper
계속해서, 상부시그널 배선패턴(23)이 패턴된 마스크로 상기 점착제(17)층 상에 노광장치를 이용하여 상부시그널 배선패턴(23)의 패턴을 상기 점착제(17)층에 노광하는 b-2과정을 실시한다.Subsequently, a pattern of the upper
계속해서, 상부시그널 배선패턴(23)이 노광된 점착제(17)층을 현상장치를 이용하여 상부시그널 배선패턴(23)의 패턴을 현상하는 b-3과정을 실시한다.Subsequently, the upper
계속해서, 에칭으로 상부시그널 배선패턴(23)이 패턴된 점착제(17)층을 패터닝하여 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)을 형성하는 b-4과정 실시하는 것이다.Subsequently, the b-4 process of forming the pressure-sensitive adhesive template 17a of the upper
상기 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제(17)층에 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)을 형성하는 노광과 현상은 포토리소그래픽공정으로 실시하는 것이다.The exposure and development for forming the pressure-sensitive adhesive template 17a of the upper
그리고, 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)에 전도성이 우수한 구리, 니켈 또는 구리합금, 니켈합금 등과 같은 금속을 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 b-5과정을 포함하는 것이다.A metal such as copper, nickel, a copper alloy, a nickel alloy, or the like, which is excellent in conductivity, is electroplated or electroless-plated to the pressure-sensitive adhesive template 17a of the upper
다음으로, 상기 부도체기판(10)의 하면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 하부시그널 배선패턴(25)을 형성하는 c단계는 상기 부도체기판(10)의 하면에 형성된 전도촉진층(15) 상에 점착제(19)를 도포하는 c-1과정을 실시한다.Next, a step c of forming a lower signal wiring pattern 25 on the conductivity facilitating layer 15 formed on the lower surface of the nonconductive substrate 10 includes a step of forming a conductivity facilitating layer 15 formed on the lower surface of the nonconductive substrate 10, A c-1 process of applying a pressure-sensitive adhesive 19 is carried out.
계속해서, 하부시그널 배선패턴(25)이 패턴된 마스크로 상기 점착제(19)층 상에 노광장치를 이용하여 하부시그널 배선패턴(25)의 패턴을 상기 점착제(19)에 노광하는 c-2과정을 실시한다.Subsequently, a c-2 process of exposing the pattern of the lower signal wiring pattern 25 to the pressure sensitive adhesive 19 using an exposure apparatus on the pressure sensitive adhesive 19 layer with a patterned mask of the lower signal wiring pattern 25 .
계속해서, 하부시그널 배선패턴(25)이 노광된 점착제(19)층을 현상장치를 이용하여 하부시그널 배선패턴(25)의 패턴을 현상하는 c-3과정을 실시한다.Subsequently, the lower signal wiring pattern 25 is subjected to the c-3 process of developing the pattern of the lower signal wiring pattern 25 by using the developing apparatus on the exposed adhesive 19 layer.
계속해서, 에칭으로 하부시그널 배선패턴(25)이 패턴된 점착제(19)층을 패터닝하여 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)을 형성하는 c-4과정 실시하는 것이다.Subsequently, the c-4 process of forming the pressure-sensitive adhesive mold 19a of the lower signal wiring pattern 25 by patterning the pressure-sensitive adhesive layer 19 patterned with the lower signal wiring pattern 25 by etching is performed.
상기 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제(19)층에 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)을 형성하는 노광과 현상은 포토리소그래픽공정으로 실시하는 것이다.The exposure and development for forming the adhesive template 19a of the lower signal wiring pattern 25 on the adhesive 19 layer of the lower signal wiring pattern 25 are performed by a photolithographic process.
그리고, 상기 부도체기판(10)의 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)에 전도성이 우수한 구리, 니켈 또는 구리합금, 니켈합금 등과 같은 금속을 전해도금 충전 또는 무전해도금 충전을 실시하는 c-5과정을 포함하는 것이다.A metal such as copper, nickel, a copper alloy, a nickel alloy, or the like, which is excellent in conductivity, is electroplated or electrolessly charged to a pressure-sensitive adhesive template 19a of a lower signal wiring pattern 25 formed on the lower surface of the non- And a step c-5 for executing the step c-5.
상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)과 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)에 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진하는 금속이 구리, 니켈 일 경우에는 평탄화공정을 생략할 수 있고, 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성되는 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)과 하면에 형성되는 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)에 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진하는 금속이 구리합금, 니켈합금으로 충전할시는 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 등의 방법으로 평탄화하여 희망하는 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)의 두께 를 형성하는 것이다.The pressure sensitive adhesive mold 19a of the lower signal wiring pattern 25 formed on the lower surface of the adhesive mold 17a of the upper
상기 평탄화공정을 수행하면 부가적으로 세정공정을 더 수행함으로서 부도체기판(10)에 잔류한 유기물과 파티클을 제거하는 것이 바람직하다.When the planarization process is performed, it is preferable to further perform the cleaning process to remove the organic substances and particles remaining on the nonconductive substrate 10. [
상기 부도체기판(10)의 상면에 형성되는 상부시그널 배선패턴(23)과 하면에 형성되는 하부시그널 배선패턴(25)은 서로 다른 선상으로 형성하여 각시그널 배선패턴(23,25)의 폭을 넓게 확보하여 출력접촉팁(33)과 입력접촉팁(35)을 각시그널 배선패턴 단자부에 안정하게 부착할 수 있는 것이다.The upper
다음으로, 상기 부도체기판(10)의 상면과 하면에 잔류한 점착제 주형(17a)과 점착제 주형(19a)을 제거하는 d단계는 상기 상부시그널 배선패턴(23)의 점착제 주형(17a)과 하부시그널 배선패턴(25)의 점착제 주형(19a)을 애셔(Asher) 장치 또는 포토레지스트 스트리퍼 장치로 제거하는 것이다.The step d for removing the adhesive template 17a and the adhesive template 19a remaining on the upper and lower surfaces of the nonconductor substrate 10 is performed by using the adhesive mold 17a of the upper
다음으로, 상기 부도체기판(10)의 양면에 형성된 상부시그널 배선패턴(23)과 하부시그널 배선패턴(25)의 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층(15)을 제거하는 e단계는 상기 전도촉진층(15)을 전용화학약품을 사용하여 에칭으로 제거하는 것이다.Next, step e for removing the conductivity facilitating layer 15 formed between the pitches of the adjacent signal wiring patterns of the upper
다음으로, 상기 부도체기판(10)의 상면에 상부시그널 배선패턴(23)과 하면에 하부시그널 배선패턴(25)이 형성된 부도체기판(10)을 개별로 절단하는 f단계는 다이싱으로 절단 하는 것이다.Next, the step of cutting the non-conductive substrate 10 on which the upper
다음으로, 상기 부도체기판(10)의 양면에 출력접촉팁(33)을 부착하는 g단계는 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(23a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(25a)에 출력접촉팁(33)을 부착하는 것이다.Next, a step g of attaching the
마지막으로, 상기 부도체기판(10)의 양면에 입력접촉팁(35)을 부착하는 h단계는 상기 부도체기판(10)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(23b)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(25b)에 입력접촉팁(35)을 부착하는 것이다.The step h of attaching the
상기 부도체기판(10)은 대면적의 베이스 부도체기판에 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조되여 복수의 접촉팁이 부착되는 프로브기판(100)이 형성되는 것이다.The non-conductive substrate 10 is formed on the base non-conductive substrate having a large area by the steps a to h, and a
상기 부도체기판(10) 어레이를 다이싱절단 등으로 개별로 절단하여 프로브블록(미도시됨)과 개별 프로브기판(100)이 조립되는 것이다.The array of the nonconductive substrate 10 is cut by dicing or the like so that a probe block (not shown) and an
실시예2Example 2
본 발명의 실시예2의 구성 상태와 제조방법 및 이로부터 얻게 되는 특유의 효과 등에 대하여 첨부 도 6 내지 도 9을 참조하여 상세하게 설명한다.The configuration state and manufacturing method of the second embodiment of the present invention and the specific effects obtained therefrom will be described in detail with reference to FIGS.
본 발명의 실시예2는 실리콘기판의 양면에 음각으로 요홈을 형성하여 상기 음각의 요홈에 형성된 시그널 배선패턴 단자부에 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)을 제공하는 하는 것이다.Embodiment 2 of the present invention is to provide a
본 발명의 실시예2에 따른 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)은 실리콘기판(110)으로 제조하여 상기 실리콘기판(110)의 상면과 하면에 요홈을 형성하고 상기 상면의 요홈에 상부시그널 배선패턴(123)을 형성하고 하면의 요홈에 하부시그널 배선패턴(125)을 형성하여 상면과 하면의 시그널 배선패턴 단자부에 접촉팁을 부가하 여 프로브블록에 조립되는 접촉팁이 부착되는 프로브판(200)을 제공하는 것이다.The
상기 접촉팁이 부착되는 프로브판(200)의 제조방법은 베이스 프로브판은 실리콘기판으로 이루어지는 것이다.In the method of manufacturing the
상기 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200) 제조방법은 실리콘기판(110)의 상면에 상부시그널 배선패턴(123)을 노광과 현상하는 a단계; 상기 실리콘기판(110)의 하면에 하부시그널 배선패턴(125)을 노광과 현상하는 b단계; 상기 실리콘기판(110)의 양면에 상부시그널 배선패턴(123)이 패턴된 점착제(117)층과 하부시그널 배선패턴(125)이 패턴된 점착제(119)층에 에칭으로 음각요홈을 형성하는 c단계; 상기 실리콘기판(110)의 양면에 절연막(113)을 형성하는 d단계; 상기 실리콘기판(110)의 양면에 형성된 절연막(113) 상에 전도촉진층(115)을 형성하는 e단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴(123)의 점착제 주형(117a)과 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴(125)의 점착제 주형(119a)에 전도성이 우수한 구리, 니켈 또는 구리합금, 니켈합금 등과 같은 금속을 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 f단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 잔류한 점착제 주형(117a)과 하면에 잔류한 점착제 주형(119a)을 제거하는 g단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴(123)과 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴(125)의 인접한 시그널 배선패턴 피치 사이에 형성된 전도촉진층(115)을 제거하는 h단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 상부시그널 배선패턴(123)과 하면에 하부시그널 배선패턴(125)이 형성된 실리콘기판(110) 어레이를 개별로 절단하는 i단계; 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부 (123a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(125a)에 출력접촉팁(133)을 부착하는 j단계; 및 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(123b)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(125b)에 입력접촉팁(35)을 부착하는 k단계; 를 포함하는 것이다.The method for fabricating a probe substrate 200 to which the contact tip is attached includes the steps of: a) exposing and developing the upper signal wiring pattern 123 on the upper surface of the silicon substrate 110; B) exposing and developing the lower signal wiring pattern 125 to the lower surface of the silicon substrate 110; Step c) of forming an intaglio groove by etching on the adhesive layer 117 in which the upper signal wiring pattern 123 is patterned on both surfaces of the silicon substrate 110 and the adhesive layer 119 in which the lower signal wiring pattern 125 is patterned ; A step d of forming an insulating film 113 on both sides of the silicon substrate 110; A step e of forming a conductivity facilitating layer 115 on the insulating film 113 formed on both surfaces of the silicon substrate 110; Nickel or copper alloy (Cu), which is excellent in conductivity, is applied to the adhesive template 119a of the upper signal wiring pattern 123 formed on the upper surface of the silicon substrate 110 and the adhesive template 119a of the lower signal wiring pattern 125 formed on the lower surface , A step of performing electroplating or electroless plating of a metal such as a nickel alloy or the like; G) removing the remaining adhesive agent mold 117a on the upper surface of the silicon substrate 110 and the adhesive agent template 119a remaining on the lower surface of the silicon substrate 110; A step h of removing the conductive promoting layer 115 formed between adjacent signal wiring pattern pitches of the upper signal wiring pattern 123 formed on the upper surface of the silicon substrate 110 and the lower signal wiring pattern 125 formed on the lower surface thereof; An i step of separately cutting an array of the silicon substrate 110 having the upper signal wiring pattern 123 on the upper surface of the silicon substrate 110 and the lower signal wiring patterns 125 on the lower surface thereof; A j step of attaching an output contact tip 133 to an upper signal wiring pattern output terminal part 123a formed on an upper surface of the silicon substrate 110 and a lower signal wiring pattern output terminal part 125a formed on a lower surface of the silicon substrate 110; A step k of attaching an input contact tip 35 to a lower signal wiring pattern input terminal part 125b formed on a lower surface and an upper signal wiring pattern input terminal part 123b formed on an upper surface of the silicon substrate 110; .
상기 실리콘기판(110)을 상기 a단계 내지 상기 k단계로 제조하면 도 6a와 같은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)이 형성되는 것이다.When the silicon substrate 110 is manufactured in steps a to k, a
상기 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)은 실리콘기판(110)의 상면에는 수백개 내지 수천개의 상부시그널 배선패턴(123)이 형성되며 상기 상부시그널 배선패턴(123)은 출력단에 상부시그널 배선패턴 출력단자부(123a)와 입력단에 상부시그널 배선패턴 입력단자부(123b)가 형성되어 상기 상부시그널 배선패턴 출력단자부(123a)에는 출력접촉팁(133)이 부착되며 상부시그널 배선패턴 입력단자부(123b)에는 입력접촉팁(135)이 부착되는 것이다.In the
또한, 실리콘기판(110)의 하면에는 수백개 내지 수천개의 하부시그널 배선패턴(125)이 형성되며 상기 하부시그널 배선패턴(125)은 출력단에 하부시그널 배선패턴 출력단자부(125a)와 입력단에 하부시그널 배선패턴 입력단자부(125b)가 형성되어 상기 하부시그널 배선패턴 출력단자부(125a)에는 출력접촉팁(133)이 부착되며 하부시그널 배선패턴 입력단자부(125b)에는 입력접촉팁(135)이 부착되는 것이다.The lower
상기 상부시그널 배선패턴(123)과 하부시그널 배선패턴(125)의 출력단자부(123a,125a)에 부착되는 출력접촉팁(133)은 출력접촉부(133a)와 출력빔부(133b)와 출력접합부(133c)가 구비되며 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(123a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(125a)에 출력접촉팁(133)에 형성된 고정접합암으로 고정하는 것이다.The
도 6b와 같이 상기 출력접촉팁(133)은 캔틸레버 형상으로 출력접촉부(133a)는 출력빔부(133b)의 시작단에서 하향으로 구비되며 출력접합부(133c)은 출력빔부(133b) 끝단에 구비되며 상기 출력접합부(133c)은 고정편(134a)과 고정접합암으로 형성되는 것이다.The output contacting portion 133a is disposed downward at the starting end of the output beam portion 133b and the output connecting portion 133c is provided at the end of the output beam portion 133b, The output joint 133c is formed of a fixed piece 134a and a fixed joint arm.
상기 출력접합부(133c)에 형성된 고정편(134a)에는 원형 또는 사각형의 홀이 형성되고, 상기 고정편(134a)에서 수평선상으로 연장하는 고정접합암은 " ㄷ " 자와 같이 상부암(134b)과 하부암(134c)으로 형성되여 상부암(134b)과 하부암(134c)이 상부시그널 배선패턴 출력단자부(123a)와 하부시그널 배선패턴 출력단자부(125a)에 접합되어 고정되는 것이다.Said output junction (133c) fixing piece (134a), the holes of round or square formed in is formed in the fixed joint arm (134b) the upper arm, such as "c" character extending in the horizontal line at the engagement piece (134a) And the lower arm 134c and the upper arm 134b and the lower arm 134c are fixed to the upper signal wiring pattern output terminal 123a and the lower signal wiring pattern output terminal 125a.
상기 고정편(134a)에서 수평선상으로 연장하는 " ㄷ " 자의 고정접합암의 형상은 상부암(134b)과 하부암(134c)은 수평선상으로 형성되거나 또는 상부암(134b)은 "
상기 출력접촉팁(133)의 접촉부(133a)는 평판표시패널에 형성된 시그널 배선패턴 단자(미도시됨)에 접촉되는 것이다.The contact portion 133a of the
상기 실리콘기판(110)에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(123a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(125a)에 부착된 출력접촉팁(133)은 수리가 필요할 때에 프로브블록(미도시됨)을 분해하지 않고 즉시 교체가 가능하다.The
상기 상부시그널 배선패턴(123)과 하부시그널 배선패턴(125)의 입력단자부(123b,125b)에 부착되는 입력접촉팁(135)은 입력접촉부(135a)와 입력빔부(135b)와 입력접합부(133c)가 구비되며 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(123b)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(125b)에 입력접촉팁(135)의 입력접합부(135c)에 형성된 고정접합암으로 고정하는 것이다.The
도 6c와 같이 상기 입력접촉팁(135)은 캔틸레버 형상으로 입력접촉부(135a)는 입력빔부(135b)의 시작단에서 하향으로 구비되며 입력접합부(135c)은 입력빔부(135b) 끝단에 구비되며 상기 입력접합부(135c)은 고정편(136a)과 고정접합암으로 형성되는 것이다.6C, the
상기 입력접합부(135c)에 형성된 고정편(136a)에는 원형 또는 사각형의 홀이 형성되고, 상기 고정편(136a)에서 수평선상으로 연장하는 고정접합암은 " ㄷ " 자와 같이 상부암(136b)과 하부암(136c)으로 형성되여 상부암(136b)과 하부암(136c)이 상부시그널 배선패턴 입력단자부(123b)와 하부시그널 배선패턴 입력단자부(125b)에 접합되어 고정되는 것이다.Has a fixing piece (136a) formed in the input junction (135c) the holes of round or rectangular is formed, fixed joint arm (136b) the upper arm, such as "c" character extending in the horizontal line at the engagement piece (136a) And the upper arm 136b and the lower arm 136c are fixedly connected to the upper signal wiring pattern input
상기 고정편(136a)에서 수평선상으로 연장하는 " ㄷ " 자의 고정접합암의 형상은 상부암(136b)과 하부암(136c)은 수평선상으로 형성되거나 또는 상부암(136b)은 "
상기 입력접촉팁(135)의 입력접촉부(135a)는 TCP 블록 연결부에 형성된 배선패턴 단자(미도시됨)에 접촉되는 것이다.The input contact 135a of the
상기 실리콘기판(110)에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(123b)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(125b)에 부착된 입력접촉팁(135)은 수리가 필요할 때에 프로브블록(미도시됨)을 분해하지 않고 즉시 교체가 가능하다.An
도 7은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)의 제조방법을 상기 a단계 내지 상기 k단계의 순서도를 참조하여 상세하게 설명한다.7 illustrates a method of manufacturing the
도 8은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200) 제조방법 a단계의 a-1과정 에서 a-3과정의 세부적인 순서도이다.8 is a detailed flowchart of the step a-3 in the step a-1 of the method a) of the
도 9은 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200) 제조방법 b단계의 b-1과정 에서 b-3과정의 세부적인 순서도이다.9 is a detailed flowchart of step b-3 in the step b-1 of the method b) for manufacturing the
먼저, 실리콘기판(110)의 상면에 상부시그널 배선패턴(123)을 노광과 현상하는 a단계는 상기 실리콘기판(110)의 상면에 점착제(117)를 도포하는 a-1과정을 실시한다.First, in a step of exposing and developing the upper
계속해서, 상부시그널 배선패턴(123)이 패턴된 마스크를 상기 점착제(117) 상에 노광장치를 이용하여 상부시그널 배선패턴(123)의 패턴을 상기 점착제(117)층에 노광하는 a-2과정을 실시한다.Subsequently, an a-2 process of exposing the upper
계속해서, 노광된 상부시그널 배선패턴(123)의 점착제(117)층을 현상장치를 이용하여 상부시그널 배선패턴(123)의 패턴을 현상하는 a-3과정을 실시한다.Subsequently, the a-3 process of developing the pattern of the upper
다음으로, 상기 실리콘기판(110)의 하면에 하부시그널 배선패턴(125)을 노광과 현상하는 b단계는 상기 실리콘기판(110)의 하면에 점착제(119)를 도포하는 b-1과정을 실시한다.Next, in step b of exposing and developing the lower
계속해서, 하부시그널 배선패턴(125)이 패턴된 마스크를 상기 점착제(119) 상에 노광장치를 이용하여 하부시그널 배선패턴(125)의 패턴을 상기 점착제(119)층에 노광하는 b-2과정을 실시한다.Subsequently, a mask in which the lower
계속해서, 노광된 하부시그널 배선패턴(125)의 점착제(119)층을 현상장치를 이용하여 하부시그널 배선패턴(125)의 패턴을 현상하는 b-3과정을 실시한다.Subsequently, a step b-3 of developing the pattern of the lower
상기 실리콘기판(110) 상면에 상부시그널 배선패턴(123)과 하면에 하부시그널 배선패턴(125)을 형성하는 노광과 현상은 포토리소그래픽공정으로 실시하는 것이다.The upper
다음으로, 상기 실리콘기판(110)의 양면에 상부시그널 배선패턴(123)이 패턴된 점착제(117)층과 하부시그널 배선패턴(125)이 패턴된 점착제(119)층에 에칭으로 음각요홈을 형성하는 c단계는 상기 상부시그널 배선패턴(123)의 점착제(117)층에 상부시그널 배선패턴(123)의 점착제 주형(117a)과 상기 하부시그널 배선패턴(125)의 점착제(119)층에 하부시그널 배선패턴(125)의 점착제 주형(119a)을 형성하기 위하여 에칭으로 상부시그널 배선패턴(123)이 패턴된 점착제(117)층과 하부시그널 배선패턴(125)이 패턴된 점착제(119)층을 애셔(Asher) 장치 또는 포토레지스트 스트리퍼 장치로 음각요홈을 에칭으로 실시하는 것이다.Next, etching is performed on the adhesive layer 117 in which the upper
다음으로, 상기 실리콘기판(110)의 양면에 절연막(113)을 형성하는 d단계는 상기 실리콘기판의 양면에 절연막(113)을 증착하여 실리콘기판(110)의 양면에 형성되는 상부시그널 배선패턴(123)과 하부시그널 배선패턴(125)이 실리콘기판(110)과 절연되는 것이다.Next, in step d, an insulating film 113 is formed on both surfaces of the silicon substrate 110. An insulating film 113 is deposited on both surfaces of the silicon substrate 110 to form an upper signal wiring pattern (not shown) formed on both surfaces of the silicon substrate 110 123 and the lower
상기 절연막(113)은 화학적기상증착(Chemical Vapor Deposition)공정, 물리적기상증착(Phisycal Vapor Deposition), 진공챔버증착 및 스퍼터링증착 중에서 하나를 선정하여 실리콘기판(110)의 양면 상에 절연막(113)을 증착하는 것이다.The insulating layer 113 may be formed by one of a chemical vapor deposition process, a physical vapor deposition process, a vacuum chamber deposition process, and a sputtering deposition process, and an insulating film 113 may be formed on both surfaces of the silicon substrate 110 Lt; / RTI >
상기 실리콘기판(110)의 양면 상에 증착으로 형성되는 절연막(113)은 산화막, 질화막, 폴라스막, 절연성폴리머 중에서 어느 하나을 선정하여 5000Å(옹스트롬) 내지 10000Å(옹스트롬) 두께로 증착으로 형성하는 것이다.The insulating layer 113 formed on both surfaces of the silicon substrate 110 may be formed by depositing an oxide layer, a nitride layer, a polar layer, or an insulating polymer layer to a thickness of 5000 Å to 10000 Å.
다음으로, 상기 실리콘기판(110)의 양면에 형성된 절연막(113) 상에 전도촉진층(115)을 형성하는 e단계는 상기 실리콘기판(110)의 양면에 형성된 절연막(113)과 상기 실리콘기판(110)의 양면에 형성되는 상부시그널 배선패턴(123)과 하부시그널 배선패턴(125)이 전해도금시 실리콘기판(110)의 양면과 접착력이 양호하게 하기 위해서 스퍼터링(Sputtering) 증착 또는 전자빔(E-beam) 증착으로 실리콘기판(110)의 양면에 형성된 절연막(113) 상에 전도촉진층(115)을 증착하는 것이다.Next, in step e, the conductive layer 115 is formed on the insulating layer 113 on both sides of the silicon substrate 110. The insulating layer 113 is formed on both surfaces of the silicon substrate 110, The upper
상기 실리콘기판(110)의 양면에 형성된 절연막(113) 상에 증착하는 전도촉진층(115)은 구리(Cu), Cr(크롬), Ni(니켈), Ti-Au(티타늄-금) 중에서 어느 하나의 금속을 선정하여 1000Å(옹스트롬) 내지 5000Å(옹스트롬) 두께로 증착으로 형성하는 것이다.The conductivity facilitating layer 115 that is deposited on the insulating layer 113 formed on both surfaces of the silicon substrate 110 may be any of copper (Cu), chromium (Cr), nickel (Ni), and titanium (Ti) One metal is selected and formed by vapor deposition at a thickness of 1000 angstroms to 5000 angstroms.
다음으로, 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴(123) 의 점착제 주형(117a)과 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴(125)의 점착제 주형(119a)에 전도성이 우수한 구리, 니켈 또는 구리합금, 니켈합금 등과 같은 금속을 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 f단계는 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴(123)의 점착제 주형(117a)과 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴(125)의 점착제 주형(119a)에 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진하는 금속이 구리, 니켈 일 경우에는 평탄화공정을 생략할 수 있고, 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성되는 상부시그널 배선패턴(123)의 점착제 주형(117a)과 하면에 형성되는 하부시그널 배선패턴(125)의 점착제 주형(119a)에 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진하는 금속이 구리합금, 니켈합금으로 충전할시는 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 등의 방법으로 평탄화하여 희망하는 상부시그널 배선패턴과(123)과 하부시그널 배선패턴(125)의 두께를 형성하는 것이다.Next, the adhesive mold 119a of the upper
상기 평탄화공정을 수행하면 부가적으로 세정공정을 더 수행함으로서 실리콘기판(110)에 잔류한 유기물과 파티클을 제거하는 것이 바람직하다.When the planarization process is performed, it is preferable to further perform the cleaning process to remove the organic substances and particles remaining on the silicon substrate 110.
상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성되는 상부시그널 배선패턴(123)과 하면에 형성되는 하부시그널 배선패턴(125)은 서로 다른 선상으로 형성하여 각시그널 배선패턴(123,125)의 폭을 넓게 확보하여 출력접촉팁(133)과 입력접촉팁(135)을 각시그널 배선패턴 단자부에 안정하게 부착할 수 있는 것이다.The upper
다음으로, 상기 실리콘기판(110)의 상면과 하면에 잔류한 점착제 주형(117a)과 점착제 주형(119a)을 제거하는 g단계는 상기 상면 점착제 주형(117a)과 하면 점 착제 주형(119a)을 애셔(Asher) 장치 또는 포토레지스트 스트리퍼 장치로 제거하는 것이다.The step g for removing the adhesive template 117a and the adhesive agent template 119a remaining on the upper and lower surfaces of the silicon substrate 110 may be carried out by using the upper adhesive agent mold 117a and the lower surface adhesive agent mold 119a, (Asher) device or photoresist stripper device.
다음으로, 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 시그널 배선패턴(123)과 하면에 형성된 시그널 배선패턴(125)의 인접한 시그널 배선패턴 피치 사이에 형성된 전도촉진층(115)을 제거하는 h단계는 전도촉진층(115)을 전용화학약품을 사용하여 에칭으로 제거하는 것이다.The step h of removing the conduction promoting layer 115 formed between the adjacent signal wiring pattern pitches of the
상기 실리콘기판(110)의 상면에 상부시그널 배선패턴(123)과 하면에 하부시그널 배선패턴(125)이 형성된 실리콘기판(110) 어레이를 개별로 절단하는 i단계는 다이싱으로 절단 하는 것이다.An i step of cutting the array of the silicon substrate 110 in which the upper
다음으로, 상기 실리콘기판(110)의 양면에 출력접촉팁(133)을 부착하는 j단계는 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 출력단자부(123a)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 출력단자부(125a)에 출력접촉팁(133)을 부착하는 것이다.The step j of attaching the
마지막으로, 상기 실리콘기판(110)의 양면에 입력접촉팁(135)을 부착하는 k단계는 상기 실리콘기판(110)의 상면에 형성된 상부시그널 배선패턴 입력단자부(123b)와 하면에 형성된 하부시그널 배선패턴 입력단자부(125b)에 입력접촉팁(135)을 부착하는 것이다.The step k of attaching the
상기 실리콘기판(110)은 대면적의 베이스 실리콘기판에 상기 a단계 내지 상기 k단계로 제조되여 복수의 접촉팁이 부착되는 프로브기판(200)이 형성되는 것이다.The silicon substrate 110 is formed on the large-area base silicon substrate in steps a to k, and a
상기 실리콘기판(110) 어레이를 다이싱절단 등으로 개별로 절단하여 프로브블록(미도시됨)과 개별 프로브기판(200)이 조립되는 것이다.The array of the silicon substrate 110 is cut by dicing or the like so that a probe block (not shown) and an
본 발명의 기술적 사상과 범위 내에서 당업자에 의해 시그널 배선패턴이 형성된 프로브기판 제조방법의 단계 순서를 변경하여 실시하는 것은 첨부된 특허청구범위에 속하는 것은 당연한 것이다.It should be understood that the scope of the appended claims is intended to be embraced by the scope of the present invention as defined by the appended claims.
도 1은 종래의 블레이드형 프로브핀이 조립된 프로브블록의 상태를 나타내는 예시도이다.1 is an exemplary view showing a state of a probe block in which a conventional blade-type probe pin is assembled.
도 2a은 본 발명의 실시예1에 의한 출력접촉팁과 입력접촉팁이 부착된 상태의 프로브기판을 나타내는 사시도이다.2A is a perspective view showing a probe substrate with an output contact tip and an input contact tip according to Embodiment 1 of the present invention.
도 2b 및 도 2c은 본 발명의 실시예1에 의한 출력접촉팁과 입력접촉팁의 상태를 나타내는 예시도이다.FIGS. 2B and 2C are views illustrating states of the output contact tip and the input contact tip according to the first embodiment of the present invention. FIG.
도 3은 본 발명의 실시예1에 따른 접촉팁이 부착되는 프로브기판 제조방법 순서도를 도시한 것이다.3 is a flowchart of a method of manufacturing a probe substrate to which a contact tip according to the first embodiment of the present invention is attached.
도 4은 본 발명의 실시예1에 의한 접촉팁이 부착되는 프로브기판 제조방법 b단계의 b-1과정 에서 b-5과정의 세부적인 순서도이다.4 is a detailed flowchart of step b-5 in the step b-1 of the method of manufacturing the probe substrate to which the contact tip is attached according to the first embodiment of the present invention.
도 5은 본 발명위 실시예1에 의한 접촉팁이 부착되는 프로브기판 제조방법 c단계의 c-1과정 에서 c-5과정의 세부적인 순서도이다.5 is a detailed flowchart of step c-5 in the step c-1 of the method of manufacturing the probe substrate with the contact tip according to the first embodiment of the present invention.
도 6a은 본 발명의 실시예2에 의한 출력접촉팁과 입력접촉팁이 부착된 상태의 프로브기판을 나타내는 사시도이다.6A is a perspective view showing a probe substrate with an output contact tip and an input contact tip according to a second embodiment of the present invention.
도 6b 및 도 6c은 본 발명의 실시예2에 의한 출력접촉팁과 입력접촉팁의 상태를 나타내는 예시도이다.FIGS. 6B and 6C are exemplary views showing states of the output contact tip and the input contact tip according to the second embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 실시예2에 따른 접촉팁이 부착되는 프로브기판 제조방법 순서도를 도시한 것이다.7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe substrate to which a contact tip according to a second embodiment of the present invention is attached.
도 8은 본 발명의 실시예2에 의한 접촉팁이 부착되는 프로브기판 제조방법 a 단계의 a-1과정 에서 a-3과정의 세부적인 순서도이다.FIG. 8 is a detailed flowchart of a-3 process in a-1 process of a process step a of a probe substrate to which a contact tip is attached according to a second embodiment of the present invention.
도 9은 본 발명의 실시예2에 의한 접촉팁이 부착되는 프로브기판 제조방법 b단계의 b-1과정 에서 b-3과정의 세부적인 순서도이다.9 is a detailed flowchart of step b-3 in step b-1 of step b) of the probe substrate manufacturing method with the contact tip according to the second embodiment of the present invention.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞Description of the Related Art
10…부도체기판 15…전도촉진층 17…점착제10 ... The non-conductive substrate 15 ... The conduction promoting layer 17 ... adhesive
17a…점착제 주형 19…점착제 19a…점착제 주형17a ... Adhesive mold 19 ... The adhesive 19a ... Adhesive mold
23…상부시그널 배선패턴 23a…상부시그널 배선패턴 단자부23 ... The upper
25…하부시그널 배선패턴 25a…하부시그널 배선패턴 단자부25 ... The lower signal wiring patterns 25a ... The lower signal wiring pattern terminal portion
33…출력접촉팁 33a…출력접촉부 33b…출력빔부33 ... Output contact tip 33a ... Output contact 33b ... Output beam portion
33c…출력접합부 34a…고정편 34b…상부암33c ... The output junctions 34a ... Fixing pieces 34b ... Upper arm
34c…하부암 35…입력접촉팁 35a…입력접촉부34c ... The
35b…입력빔부 35c…입력접합부 36a…고정편35b ... The input beam portion 35c ... The
36b…상부암 36c…하부암 100…접촉팁이 부착되는 프로브기판36b ... The
110…실리콘기판 113…절연막 115…전도촉진층110 ... Silicon substrate 113 ... The insulating film 115 ... Conduction promoting layer
117…점착제 117a…점착제 주형 119…점착제117 ... Adhesive 117a ... Adhesive mold 119 ... adhesive
119a…점착제 주형 123…상부시그널 배선패턴119a ...
123a…상부시그널 배선패턴 단자부 125…하부시그널 배선패턴123a ... Upper signal wiring
125a…하부시그널 배선패턴 단자부 133…출력접촉팁125a ... Lower signal wiring pattern
133a…출력접촉부 133b…출력빔부 133c…출력접합부133a ... Output contact 133b ... Output beam portion 133c ... Output junction
135…입력접촉팁 135a…입력접촉부 135b…입력빔부135 ... Input contact tip 135a ...
135c…입력접합부 200…접촉팁이 부착되는 프로브기판135c ... The
Claims (12)
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| KR100902080B1 (en) | 2008-07-11 | 2009-06-15 | 주식회사 엠아이티 | Insulator electric conduction plate, method of manufacturing the insulator electric conduction plate |
| KR100963369B1 (en) | 2010-02-25 | 2010-06-14 | 송광석 | Electric Conduction pin, method of manufacturing the Electric conduction pin |
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2010
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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