KR101795806B1 - Face Contact Probe Sheet, method of manufacturing the Face Contact Probe Sheet thereof - Google Patents

Face Contact Probe Sheet, method of manufacturing the Face Contact Probe Sheet thereof Download PDF

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Abstract

본 발명은 피검사체를 검사하는 프로브블록의 접촉돌기 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판을 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로서, 협소피치로 된 피검사체를 정확하게 검사할 수 있는 것이다.According to the present invention, a surface contact probe plate for inspecting an object to be inspected by a contact projection surface contact of a probe block to be inspected is manufactured by a micro electromechanical system (MEMS) technique, so that a subject having a narrow pitch can be accurately inspected.

상기 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판 제조방법은 희생기판 위에 금속판을 제조하는 a단계; 상기 금속판의 단면에 절연막을 형성하는 b단계;The method of manufacturing a surface-contact probe plate for inspecting by surface contact includes the steps of: a) preparing a metal plate on a sacrificial substrate; B) forming an insulating film on an end surface of the metal plate;

상기 금속판의 단면에 형성된 절연막 위에 전도촉진층을 형성하는 c단계;Forming a conduction promoting layer on an insulating film formed on a cross section of the metal plate;

상기 금속판의 단면에 형성된 전도촉진층 위에 시그널 배선패턴부을 형성하는 d단계;A step d of forming a signal wiring pattern part on a conduction promoting layer formed on an end face of the metal plate;

상기 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부의 주형에 전도성금속을 충진하는 e단계;A step e of filling the metal of the contact protrusion formed on the upper end of the co-linear wiring pattern of the signal wiring pattern part formed on the end face of the metal plate with a conductive metal;

상기 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 점착제의 주형과 접촉돌기부의 점착제의 주형을 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층을 제거하는 f단계;Removing a mold of a pressure-sensitive adhesive in a signal wiring pattern portion formed on an end face of the metal plate and a mold of a pressure-sensitive adhesive in a contact protrusion portion, and then removing a conduction promoting layer formed between pitches of the signal wiring pattern adjacent to the signal wiring pattern;

상기 희생기판에서 금속판을 분리하고 세정하는 g단계; 및 상기 금속판의 배면에 절연필름을 부착하는 h단계;를 포함한다.G) separating and cleaning the metal plate from the sacrificial substrate; And attaching an insulating film to the back surface of the metal plate.

상기 금속판을 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조하면 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판이 형성되는 것이다.When the metal plate is manufactured from the step a to the step h, the surface contact probe plate is inspected by surface contact.

금속판, 시그널 배선패턴, 접촉돌기, 면접촉 프로브판 Metal plate, signal wiring pattern, contact protrusion, surface contact probe plate

Description

면접촉 프로브판, 그의 면접촉 프로브판 제조방법{Face Contact Probe Sheet, method of manufacturing the Face Contact Probe Sheet thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a surface contact probe plate,

본 발명은 피검사체를 검사하는 프로브블록의 접촉돌기 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판과 그의 면접촉 프로브판 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 미소전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System) 기술에 의해서 금속판을 제조한 후, 상기 금속판의 단면 또는 양면에 시그널 배선패턴과 접촉돌기를 형성하여 접촉돌기의 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판을 제공하여 피검사체의 정상 유무를 검사하는 것에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a surface contact probe plate for inspecting an object to be inspected by contacting a contact projection surface of a probe block to be inspected, To a surface contact probe plate for inspecting the surface of a contact protrusion by forming a signal wiring pattern and a contact protrusion on the end surface or both surfaces of the metal plate to inspect whether the test object is normal or not.

본 발명은 프로브블록에 조립되는 면접촉 프로브판에 관한 것이다.The present invention relates to a surface contact probe plate to be assembled to a probe block.

피검사체를 검사하는 프로브블록은 반도체 패키지와 차세대 평판표시패널의 유기발광다이오드(AMOLED), 등과 같은 디스플레이장치의 평판표시패널의 제조는 최종 검사 공정에서 평판표시패널의 시그널 배선패턴 단자들에 전기신호를 인가함으로써 평판표시패널과 반도체 패키지의 정상 유무를 검사하기 위한 프로브블록의 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판에 관한 것이다.A probe block for inspecting an object is fabricated by manufacturing a flat panel display panel of a display device such as a semiconductor package and an organic light emitting diode (AMOLED) of a next generation flat panel display panel in the final inspection process, To a surface contact probe plate which is inspected by surface contact of a probe block for inspecting whether or not the flat display panel and the semiconductor package are normal.

상기 평판표시패널의 정상 유무를 검사하는 프로브블록은 니들(Needle)프로브형, 블레이드(Blade)프로브형, 필름(Film)프로브형 및 멤스(MEMS)프로브형 등과 같이 다양한 형태로 제공되여 프로브유닛에 조립되고 있으며 또한, 반도체 패키지 테스트소켓에 조립되고 있다.The probe block for inspecting whether the flat display panel is normal may be provided in various forms such as a needle probe type, a blade probe type, a film probe type, and a MEMS probe type, And is also being assembled into a semiconductor package test socket.

상기 필름(Film)프로브형의 프로브블록은 필름만을 베이스필름으로 사용하기 때문에, 평판표시패널에 잔재하는 표면 이물질에 취약하여 필름파손이 많고, 평판표시패널의 개별 시그널 배선패턴 단자에 접촉성이 일정하지 않아 평판표시패널 검사의 정확성이 떨어지는 문제점 있으며 또한, 베이스필름의 수축으로 반도체 패키지의 범프에 접촉성이 일정하지 않아 반도체 패키지의 범프의 데미지(Demage)가 발생하고 문제점이 있다.Since the probe block of the film probe type is used only as a base film, it is susceptible to surface foreign substances remained on the flat panel display panel, causing many film breaks. The precision of the inspection of the flat panel display panel deteriorates. Also, the bump of the semiconductor package is not uniformly contacted with the bumps of the semiconductor package due to shrinkage of the base film.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안되는 것으로서, 베이스판이 금속판으로 된 면접촉 프로브판을 제공하여 평판표시패널에 잔재하는 표면 이물질에 취약하여 필름파손이 많고, 평판표시패널의 개별 시그널 배선패턴단자에 접촉성이 일정하지 않아 평판 표시패널 검사의 정확성이 떨어지는 문제점과 또한, 베이스필름의 수축으로 반도체 패키지의 범프에 접촉성이 일정하지 않아 반도체 패키지의 범프의 데미지가 발생하는 문제점을 해결하고자 하는 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a surface contact probe plate in which a base plate is made of a metal plate and is susceptible to surface foreign substances remaining on the flat panel display panel, There is a problem that the accuracy of inspection of the flat panel display panel is low because the contactability with the terminal is not constant and also the problem that the bump of the semiconductor package is damaged due to the constant contact property with the bump of the semiconductor package due to shrinkage of the base film There is a purpose.

본 발명은 상기에서 문제점으로 지적되고 있는 사항을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 희생기판 위에 금속판(110)을 제조하여 상기 금속판(110)의 단면에 시그널 배선패턴(123)과 접촉돌기(127)를 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 형성하여 협소피치로 된 평판표시패널를 검사할 수 있는 것이다.A metal plate 110 is fabricated on a sacrificial substrate to form a signal wiring pattern 123 and a contact protrusion 127 on the end face of the metal plate 110. [ It is possible to inspect a flat panel display panel having a narrow pitch by using a micro electromechanical system (MEMS) technology.

본 발명에 따른 금속판의 단면에 시그널 배선패턴과 동일선상 배선패턴 상단부에 접촉돌기를 형성하여 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판(100)을 제공하는 것이다.The present invention provides a surface contact probe plate (100) that forms contact protrusions at the upper end of a wiring line pattern, which is identical to a signal wiring pattern, on an end surface of a metal plate according to the present invention,

본 발명에 따른 접촉돌기의 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판의 바람직한 제조방법은 희생기판 위에 금속판(110)을 제조하는 a단계; 상기 금속판(110)의 단면에 절연막(113)을 형성하는 b단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 절연막(113) 위에 전도촉진층(115)을 형성하는 c단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 전도촉진층(115) 위에 시그널 배선패턴부(123)을 형성하는 d단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부(127)의 주형에 전도성 금속을 충진하는 e단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 제1 점착제(117a)의 주형과 접촉돌기부(127)의 제2 점착제(117b)의 주형을 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층(115)을 제거하는 f단계; 희생기판에서 상기 금속판(110)을 분리하고 세정하는 g단계; 및 상기 금속판(110)의 배면에 절연필름(141)을 부착하는 h단계; 를 포함하는 단계로 실시하여 면접촉 프로브판(100)으로 제조하는 것이 바람직하다.A preferred method of manufacturing the surface-contact probe plate for surface-contact inspection of the contact protrusions according to the present invention includes the steps of: a) preparing a metal plate 110 on a sacrificial substrate; B) forming an insulating film (113) on the end face of the metal plate (110); A step c of forming a conduction promoting layer 115 on the insulating film 113 formed on the end face of the metal plate 110; D) forming a signal wiring pattern part (123) on the conductivity facilitating layer (115) formed on the end face of the metal plate (110); A step e of filling a mold of the contact protruding part 127 formed on the upper end of the co-linear wiring pattern of the signal wiring pattern part 123 formed on the end face of the metal plate 110 with a conductive metal; After removing the template of the first adhesive 117a of the signal wiring pattern part 123 formed on the end face of the metal plate 110 and the template of the second adhesive 117b of the contact protruding part 127, Removing the conduction promoting layer 115 formed between the pitches of the signal wiring patterns; G) separating and cleaning the metal plate (110) from the sacrificial substrate; And h) attaching an insulating film (141) to a back surface of the metal plate (110); It is preferable to fabricate the surface contact probe plate 100 by performing the step including the step of forming the surface contact probe plate 100.

상기 금속판(110)을 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조하면 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판(100)이 형성되는 것이다.When the metal plate 110 is manufactured from the step a to the step h, the surface contact probe plate 100 is inspected by surface contact.

본 발명의 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판은 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로서, 협소피치 간격과 점유면적이 미세한 시그널 배선패턴 단자를 갖는 평판표시패널과 반도체 패키지를 정확히 검사할 수 있고, 검사하는 프로브판이 손상이 적은 면접촉 프로브판을 제공하는 효과가 있다.The surface contact probe plate to be inspected by the surface contact of the present invention can be manufactured by the microelectromechanical system (MEMS) technology, so that the flat panel display panel and the semiconductor package having the signal wiring pattern terminals having the narrow pitch interval and the occupied area can be accurately inspected And the probe plate to be inspected is less damaged.

이하, 본 발명의 구성상태 및 이로부터 얻게 되는 특유의 효과 등에 대하여 첨부 도 1 내지 도 5을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the configuration of the present invention and specific effects obtained therefrom will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5. FIG.

도 1은 본 발명에 따른 면접촉 프로브판의 구성된 상태를 도시한 것이다.1 shows a configuration of a surface contact probe plate according to the present invention.

먼저, 베이스기판은 미세한 두께를 갖는 금속판(110)을 제조하여 상기 금속판(110)의 단면에 시그널 배선패턴을 형성하여 프로브블록(미도시됨)에 조립되는 면접촉으로 검사하는 면접촉 프로브판(100)을 제공하는 것이다.First, the base substrate is manufactured by forming a metal plate 110 having a fine thickness, forming a signal wiring pattern on the end face of the metal plate 110, and inspecting the surface of the metal plate 110 by surface contact assembled to a probe block 100).

상기 금속판(110)의 단면에 형성되는 시그널 배선패턴은 동일 배선패턴 선상에 시그널 배선패턴부(123)와 접촉돌기부(127)가 형성되는 것이다.The signal wiring pattern formed on the end face of the metal plate 110 has the signal wiring pattern part 123 and the contact protruding part 127 formed on the same wiring pattern line.

상기 금속판(110)의 배면에는 외부로 노출된 금속판(100)을 보호와 절연을 위하여 절연필름(141)이 적층되는 것이다.An insulating film 141 is laminated on the back surface of the metal plate 110 for protecting and insulating the metal plate 100 exposed to the outside.

상기 면접촉 프로브판(100)의 제조방법은 희생기판을 선정하여 희생기판 위에 베이스기판이 되는 금속으로 전해도금 충진으로 금속판(110)을 희망하는 두께로 제조하는 것이다.In the method of manufacturing the surface-contact probe plate 100, the sacrificial substrate is selected and the metal plate 110 is formed into a desired thickness by electrolytic plating with metal serving as a base substrate on the sacrificial substrate.

이하, 도 2은 면접촉 프로브판(100)의 제조방법을 a단계 내지 h단계의 순서도를 참조하여 설명하는 것이다.Hereinafter, FIG. 2 will be described with reference to the flowcharts of steps a to h in the method of manufacturing the surface-contact probe plate 100.

상기 면접촉 프로브판(100) 제조방법은 희생기판 위에 금속판(110)을 형성하는 a단계; 상기 금속판의 단면에 절연막(113)을 형성하는 b단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 절연막(113) 위에 전도촉진층(115)을 형성하는 c단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 전도촉진층(115) 위에 시그널 배선패턴부(123)을 형성하는 d단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 상단부에 형성된 접촉돌기부(127)의 주형에 전도성금속을 충진하는 e단계; 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴의 제1 점착제(117a)의 주형과 접촉돌기의 제2 점착제(117b)의 주형을 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층(115)을 제거하는 f단계; 상기 희생기판에서 금속판(110)을 분리하고 세정하는 g단계; 및 상기 금속판(110)의 배면에 절연필름(141)을 부착하는 h단계; 를 포함한다.The method for manufacturing the surface-contact probe plate 100 includes the steps of: a) forming a metal plate 110 on a sacrificial substrate; B) forming an insulating film (113) on an end surface of the metal plate; A step c of forming a conduction promoting layer 115 on the insulating film 113 formed on the end face of the metal plate 110; D) forming a signal wiring pattern part (123) on the conductivity facilitating layer (115) formed on the end face of the metal plate (110); A step e of filling the mold of the contact protruding part 127 formed on the upper end of the signal wiring pattern part 123 formed on the end face of the metal plate 110 with a conductive metal; After the template of the first adhesive 117a of the signal wiring pattern formed on the end face of the metal plate 110 and the template of the second adhesive 117b of the contact protrusion are removed and then the pitch of the signal wiring pattern adjacent to the signal wiring pattern Removing the formed conductivity facilitating layer 115; G) separating and cleaning the metal plate 110 from the sacrificial substrate; And h) attaching an insulating film (141) to a back surface of the metal plate (110); .

이하, 면접촉 프로브판(100)의 제조방법을 상기 a단계 내지 상기 h단계의 순서도를 참조하여 상세하게 설명하는 것이다.Hereinafter, the method of manufacturing the surface-contact probe plate 100 will be described in detail with reference to the flowcharts of steps a to h.

도 3은 본 발명의 희생기판 위에 금속판을 형성하는 a단계의 a-1과정 내지 a-5과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.FIG. 3 is a detailed flowchart of steps a-1 to a-5 of step a for forming a metal plate on the sacrificial substrate of the present invention.

도 4은 본 발명의 금속판의 단면에 시그널 배선패턴부를 형성하는 d단계의 d-1과정 내지 d-5과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.4 is a detailed flowchart of steps d-1 to d-5 of step d for forming a signal wiring pattern part in the cross section of the metal plate of the present invention.

도 5은 본 발명의 금속판의 단면에 접촉돌기부를 형성하는 e단계의 e-1과정 내지 e-3과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.5 is a detailed flowchart of steps e-1 through e-3 of step e for forming contact protrusions on the cross section of the metal plate of the present invention.

먼저, 희생기판 위에 금속판(110)을 형성하는 a단계는 상기 희생기판 위에 산화막을 증착하는 a-1과정, 상기 희생기판 위에 증착된 산화막 위에 전도층(seed layer)을 증착하는 a-2과정, 상기 전도층(seed layer) 위에 희망하는 두께를 갖는 금속판을 전해도금으로 실시하는 a-3과정, 상기 전해도금으로 형성된 금속판을 화학적기계연마로 평탄화하는 a-4과정, 및 상기 금속판을 세정공정을 실시하는 a-5과정을 포함하는 것이다.First, a-1 process for depositing an oxide film on the sacrificial substrate, a-2 process for depositing a seed layer on the oxide film deposited on the sacrificial substrate, An a-3 process in which a metal plate having a desired thickness is formed on the seed layer by electrolytic plating, a-4 process in which the metal plate formed by the electrolytic plating is planarized by chemical mechanical polishing, and the a- And an a-5 process to be carried out.

상기 금속판(110)은 니켈, 니켈합금, 구리, 구리합금 중에서 어느 하나의 금속을 선정하여 전해도금으로 희망하는 두께를 갖는 금속판(110)을 제조하는 것이다.The metal plate 110 is made of any one of nickel, nickel alloy, copper, and copper alloy, and is manufactured by electrolytic plating to have a desired thickness.

상기 희생기판 위에 금속판(110)을 전해도금 하기 전에 희생기판 표면을 폴리싱 연마를 실시하고, 금속이 희생기판 위에 전해도금시 밀착력을 강화시키는 크리닝을 수행하는 것이 바람직하다.It is preferable that the surface of the sacrificial substrate be subjected to polishing polishing before electroplating the metal plate 110 on the sacrificial substrate to perform cleaning to strengthen the adhesion when electroplating the metal on the sacrificial substrate.

상기 금속판(110)의 단면에 절연막(113)을 형성하는 b단계는 상기 금속판(110)의 단면에 절연막(113)을 증착하여 금속판(110)의 단면에 형성되는 시그널 배선패턴(123)과 금속판(110)이 절연되는 것이다.The step b of forming the insulating film 113 on the end face of the metal plate 110 includes depositing an insulating film 113 on the end face of the metal plate 110 to form a signal wiring pattern 123 formed on the end face of the metal plate 110, (110) is insulated.

상기 절연막(113)은 화학적기상증착(Chemical Vapor Deposition)공정, 물리적기상증착(Phisycal Vapor Deposition), 진공챔버증착 및 스퍼터링증착 중에서 하나를 선정하여 금속판(110)의 단면 위에 절연막(113)을 증착하는 것이다.The insulating layer 113 is formed by depositing an insulating layer 113 on the end face of the metal plate 110 by selecting one of a chemical vapor deposition process, a physical vapor deposition process, a vacuum chamber deposition process, and a sputtering deposition process will be.

상기 금속판(110)의 단면 위에 증착으로 형성되는 절연막(113)은 산화막, 질화막, 폴라스막, 절연성폴리머 중에서 어느 하나을 선정하여 1000Å(옹스트롬) 내지 10000Å(옹스트롬) 두께로 증착으로 형성하는 것이다.The insulating layer 113 formed by vapor deposition on the end face of the metal plate 110 may be formed by depositing an oxide layer, a nitride layer, a polar layer, or an insulating polymer layer to a thickness of 1000 angstroms to 10,000 angstroms.

다음으로, 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 절연막(113) 위에 전도촉진층(115)을 형성하는 c단계는 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 절연막(113)과 시그널 배선패턴(123)이 접착력이 양호하게 하기 위해서 스퍼터링(Sputtering) 증착 또는 전자빔(E-beam) 증착으로 금속판(110)의 단면의 형성된 절연막(113) 위에 전도촉진층(115)을 증착하는 것이다.The step c of forming the conductivity facilitating layer 115 on the insulating film 113 formed on the end face of the metal plate 110 may include forming the insulating film 113 and the signal wiring pattern 123 formed on the end face of the metal plate 110 The conduction promoting layer 115 is deposited on the insulating film 113 formed on the end face of the metal plate 110 by sputtering deposition or electron beam (E-beam) deposition in order to improve the adhesion.

상기 금속판(110)의 절연막(113) 위에 형성된 전도촉진층(115)은 금(Au), 구리(Cu), Cr(크롬), Ni(니켈), Ti(티타늄) 중에서 어느 하나의 금속을 선정하여 1000Å(옹스트롬) 내지 5000Å(옹스트롬) 두께로 증착으로 형성하는 것이다.The conductivity facilitating layer 115 formed on the insulating layer 113 of the metal plate 110 may be formed of any one selected from gold (Au), copper (Cu), chromium (Cr), nickel (Ni) To a thickness of 1000 Å (angstrom) to 5000 Å (angstrom).

다음으로, 상기 금속판(110)의 절연막(113) 위에 형성된 전도촉진층(115) 위에 시그널 배선패턴을 형성하는 d단계는 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 전도촉진층(115) 위에 제1 점착제(117a)를 도포하는 d-1과정을 실시한 후, 시그널 배선패턴부(123)가 패턴된 마스크를 상기 제1 점착제(117a) 위에 노광장치를 이용하여 시그널 배선패턴(123)부를 상기 제1 점착제(117a) 위에 노광하는 d-2과정을 실시하는 것이다.D is a step of forming a signal wiring pattern on the conductivity facilitating layer 115 formed on the insulating film 113 of the metal plate 110. The step d of forming a signal wiring pattern on the conductive adhesion promoting layer 115 may include forming a signal line pattern on the conductivity facilitating layer 115 formed on the end face of the metal plate 110, The signal wiring pattern part 123 is patterned on the first pressure sensitive adhesive 117a by using an exposure apparatus so as to cover the signal wiring pattern 123 with the first pressure sensitive adhesive 117a, (D-2) process of exposing the photoresist layer 117a.

계속해서, 노광된 시그널 배선패턴(123)부의 제1 점착제(117a) 만을 현상장치를 이용하여 현상하는 d-3과정을 실시하는 것이다.Subsequently, a d-3 process of developing only the first pressure-sensitive adhesive 117a of the exposed signal wiring pattern 123 using a developing apparatus is performed.

계속해서, 에칭으로 시그널 배선패턴(123)부가 형성된 제1 점착제(117a)를 패터닝하여 시그널 배선패턴(123)부의 점착제주형(Mold)을 형성하는 d-4과정 실시하는 것이다.Subsequently, the first pressure-sensitive adhesive 117a on which the signal wiring pattern 123 is formed by etching is patterned to form a pressure-sensitive adhesive mold of the signal wiring pattern 123, and the process d-4 is performed.

계속해서, 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 제1 점착제(117a) 주형에 전도성이 우수한 구리, 니켈 또는 구리합금, 니켈합금 등과 같은 금속을 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 d-5과정을 실시하는 것이다.Subsequently, a metal such as copper, nickel or a copper alloy, a nickel alloy or the like, which is excellent in conductivity, is electroplated or electroless-plated to a mold of the first adhesive 117a of the signal wiring pattern portion 123 formed on the end face of the metal plate 110 It is the d-5 process which carries out the filling of the gold.

상기 제1 점착제(117a) 위에 시그널 배선패턴부(123)의 점착제주형(Mold)을 형성하는 노광과 현상은 포토리소그래픽공정으로 실시하는 것이다.Exposure and development for forming a pressure-sensitive adhesive mold of the signal wiring pattern part 123 on the first pressure sensitive adhesive 117a are performed by a photolithographic process.

상기 금속판(110)의 단면에 형성되는 시그널 배선패턴부(123) 금속이 구리합금, 니켈합금 등으로 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진할 시는 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 방법으로 평탄화를 실시하여 시그널 배선패턴부(123)의 두께를 형성하고, 세정하는 d-6과정을 포함하는 것이다.When the metal of the signal wiring pattern 123 formed on the end face of the metal plate 110 is filled with electroplating or electroless plating using a copper alloy, a nickel alloy or the like, planarization is performed by a chemical mechanical polishing And a step d-6 for forming the thickness of the signal wiring pattern part 123 and cleaning it.

다음으로, 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴(123)의 동일선상 배선패턴 상단에 형성된 접촉돌기부(127)의 점착제주형(Mold)에 전도성금속을 충진하는 e단계는
상기 시그널 배선패턴부(123) 상단에 접촉돌기부(127)를 형성하기위하여 제2 점착제(117b)를 도포하고 접촉돌기부(127) 패턴을 노광하는 e-1과정을 실시하고, 상기 접촉돌기부(127) 패턴이 노광된 형상을 현상장치를 이용하여 현상하는 e-2과정을 실시하는 것이다.Next, an e step of filling the adhesive mold of the contact protrusion 127 formed on the upper end of the co-linear wiring pattern of the signal wiring pattern 123 formed on the end face of the metal plate 110 with a conductive metal
A second adhesive 117b is applied to form a contact protrusion 127 on the upper surface of the signal wiring pattern part 123 and an e-1 process of exposing the contact protrusion 127 pattern is performed, and the contact protrusions 127 2) process of developing the exposed pattern by using the developing apparatus.

계속해서, 에칭공정으로 접촉돌기부(127)의 패턴이 노광된 접촉돌기부(127)의 제2 점착제(117b)을 패터닝하고, 접촉돌기부의 점착제주형(Mold)을 형성하는 e-3과정을 실시하는 것이다.Subsequently, the second pressure-sensitive adhesive 117b of the contact protruding part 127 exposed by the pattern of the contact protruding part 127 is patterned by the etching process, and the step e-3 of forming the pressure-sensitive adhesive mold of the contact protruding part is performed will be.

계속해서, 상기 시그널 배선패턴부(123)의 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부(127)의 점착제주형에 구리, 니켈, 구리합금, 니켈합금 중에서 어느 하나 금속을 선정하여 접촉돌기부(127)를 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 e-4과정을 실시하고, 상기 접촉돌기부(127)의 점착제주형에 충진된 금속을 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 방법으로 형성된 접촉돌기부(127)를 평탄 화하고 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 점착제주형과 접촉돌기부의 점착제주형을 제거하는 e-5과정을 실시하는 것이다.Nickel, copper alloy, or nickel alloy is selected as a pressure-sensitive adhesive template for the contact protruding portion 127 formed at the upper end portion of the wiring pattern of the signal wiring pattern portion 123, and the contact protruding portion 127 is electrolytically plated The contact protruding portion 127 formed by the chemical mechanical polishing method is flattened by performing the e-4 process of performing filling or electroless plating, and the metal filled in the pressure-sensitive adhesive mold of the contact protruding portion 127 is flattened And performing an e-5 process of removing the adhesive template of the signal wiring pattern portion formed on the end face of the metal plate and the adhesive template of the contact projection portion.

상기 금속판(110)의 2차전도촉진층(115b) 위에 도포된 점착제의 시그널 배선패턴부(123)는 제1 점착제(117a)이고 접촉돌기부(127)는 제2 점착제(117b)로 구분되는 것이다.The signal wiring pattern portion 123 of the adhesive applied on the second conductivity facilitating layer 115b of the metal plate 110 is the first adhesive 117a and the contact protruding portion 127 is divided into the second adhesive 117b .

상기 제2 점착제(117b) 위에 접촉돌기부(127)의 점착제주형(Mold)을 형성하는 노광과 현상은 포토리소그래픽공정으로 수행하는 것이다.Exposure and development for forming a pressure-sensitive adhesive mold of the contact protrusion 127 on the second adhesive 117b are performed by a photolithographic process.

상기 d단계의 제1 점착제(117a)(adhesive) 및 상기 e단계에서 사용되는 제2 점착제(117b)(adhesive)은 점착성 폴리머(adhesive Polymer), 플렉시블폴리머(Flexible Polymer), 열적리플로우폴리머(Thermal reflow Polymer), 폴리디메틸실록산(PDMS:Polydimethylsilioxine), 감광액(Photo Resist), 감광필름(Dry Film Resist) 중에서 어느 하나를 선정하여 핫프레스(Hot press) 또는 라미네이팅(Laminating)으로 압착으로 적층하거나 또는 스핀코터장치를 이용하여 도포할 수 있는 것이다.The first adhesive 117a in step d and the second adhesive 117b used in step e may be formed of an adhesive polymer, a flexible polymer, a thermal reflow polymer, a hot press or a laminating process is selected from the group consisting of a reflow polymer, a polydimethylsiloxane (PDMS), a photo resist and a dry film resist, It can be coated by using a coater apparatus.

상기 금속판(110)의 일면에 형성된 시그널 배선패턴(123)의 동일선상 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기(127)패턴의 점착제주형에 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진하는 금속이 구리, 니켈 일 경우에는 평탄화공정을 생략할 수 있고, 상기 금속판(110)의 일면에 형성된 시그널 배선패턴부(123)의 동일선상 배선패턴 상단부에 접촉돌기부(127) 패턴의 점착제주형에 전해도금 충진 또는 무전해도금으로 충진하는 금속이 구리합금, 니켈합금으로 충진할 시는 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 등의 방법으로 평탄화하여 접촉돌기(127)을 형성하는 것이다.When the metal which is filled with the electroplating or electroless plating in the adhesive mold of the pattern of the contact protrusion 127 formed on the upper end portion of the signal wiring pattern 123 formed on one surface of the metal plate 110 is copper or nickel And the adhesive pattern of the pattern of the contact protruding portion 127 is formed by electroplating or electroless plating on the upper end portion of the signal wiring pattern portion 123 formed on one surface of the metal plate 110 When the filling metal is filled with a copper alloy or a nickel alloy, the contact protrusions 127 are formed by planarizing by a method such as chemical mechanical polishing.

상기 평탄화공정을 수행하면 부가적으로 세정공정을 더 수행함으로서 금속판(110)에 잔류한 유기물과 파티클을 제거하는 것이 바람직하다.When the planarization process is performed, it is desirable to further perform a cleaning process to remove organic substances and particles remaining on the metal plate 110.

삭제delete

다음으로, 상기 금속판(110)의 단면에 잔재한 제1 점착제(117a)와 제2 점착제(117b) 주형을 제거한 후, 시그널 배선패턴 피치 사이에 형성된 전도촉진층(115b)을 제거하는 f단계는 상기 금속판(110)의 단면에 형성된 인접한 시그널 배선패턴부의 제1 점착제(117a) 주형과 접촉돌기부(127) 패턴의 제2 점착제(117b) 주형을 플라스마 애셔(Asher) 장치 또는 포토레지스트 스트리퍼 장치로 제거한 후, 상기 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층(115b)을 제거하는 것이다.Next, the step of removing the conductive promoting layer 115b formed between the pitches of the signal wiring patterns after removing the first adhesive agent 117a and the second adhesive agent 117b remaining in the cross section of the metal plate 110 The mold of the first pressure sensitive adhesive 117a and the second pressure sensitive adhesive 117b of the pattern of the contact protrusion 127 formed in the adjacent signal wiring pattern portion formed on the end face of the metal plate 110 are removed by a plasma asher device or a photoresist stripper device The conduction promoting layer 115b formed between the pitch of the signal wiring pattern adjacent to the signal wiring pattern is removed.

상기 금속판(110)의 단면에 형성된 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도촉진층(115)은 전용화학약품을 사용하여 에칭으로 제거하는 것이다.The conductivity facilitating layer 115 formed between the pitch of the signal wiring pattern adjacent to the signal wiring pattern formed on the end face of the metal plate 110 is removed by etching using a special chemical.

다음으로, 희생기판에서 금속판(110)을 분리하는 g단계는 전용화학약품을 사용하여 산화막을 제거하여 희생기판에서 금속판(110)을 분리하는 것이다.Next, in step g for separating the metal plate 110 from the sacrificial substrate, an oxide film is removed using a special chemical to separate the metal plate 110 from the sacrificial substrate.

마지막으로, 상기 금속판(110)의 배면에 절연필름(141)을 적층하는 h단계를 포함한다.Finally, step h of laminating the insulating film 141 on the back surface of the metal plate 110 is included.

상기 h단계는 상기 금속판(110)의 배면 위에는 절연필름(141)을 라미네이팅(Laminating)공정으로 희망하는 두께의 절연필름(141)을 적층하는 것이다.In step h, the insulating film 141 is laminated on the back surface of the metal plate 110 with a desired thickness by a laminating process.

상기 금속판(110)의 배면에 적층되는 절연필름(141)은 폴리머필름 (Polymer Film), 커버레이어필름(Cover Layer Film), 페릴린필름(Parylene Film), 루버 (Rubber Film) 중에서 어느 하나를 선정하여 희망하는 두께의 절연필름(141)을 라미네이팅 공정으로 적층하는 것이다.The insulating film 141 stacked on the back surface of the metal plate 110 may be formed of any one selected from a polymer film, a cover layer film, a parylene film, and a rubber film And an insulating film 141 having a desired thickness is laminated by a laminating process.

상기 금속판(110)은 대면적의 베이스 금속판(110)에 상기 a단계 내지 상기 h단계로 제조되여 복수개의 면접촉 프로브판(100)이 금속판(110)에 형성되는 것이다.The metal plate 110 is manufactured by the steps a to h in a large-area base metal plate 110, and a plurality of surface-contact probe plates 100 are formed on the metal plate 110.

상기 복수개의 면접촉 프로브판(100) 어레이를 레이저절단 또는 다이싱절단 등으로 면접촉 프로브판(100)을 개별로 절단하여 블록버디(미도시됨)에 개별로 형성된 면접촉 프로브판(100)이 조립되어 프로브블록으로 되는 것이다.The surface contact probe plate 100 is individually cut into a plurality of surface contact probe plate arrays 100 by laser cutting or dicing cutting or the like to form a surface contact probe plate 100 individually formed in a block buddy (not shown) Is assembled into a probe block.

본 발명의 금속판(110)의 베이스금속판으로 선정되는 니켈, 니켈합금, 구리, 구리합금으로 한정하는 것이 아니고 연성과 경도가 있는 금속은 베이스 금속판으로 적용하여 시그널 배선패턴이 형성된 면접촉 프로브판으로 제조할 수 있는 것이다.The metal of the metal plate 110 of the present invention is not limited to nickel, nickel alloy, copper, or copper alloy selected as the base metal plate. The metal having softness and hardness is used as a base metal plate to make a surface contact probe plate having a signal wiring pattern. You can do it.

본 발명의 기술적 사상과 범위 내에서 당업자에 의해 시그널 배선패턴이 형성된 면접촉 프로브판 제조방법의 단계를 변경하여 실시하는 것은 첨부된 특허청구범위에 속하는 것은 당연한 것이다.It should be understood that it is obvious that the scope of the present invention should be construed as being within the scope of the appended claims as a matter of course as long as those skilled in the art change the steps of the method of manufacturing a surface contact probe plate in which a signal wiring pattern is formed.

도 1은 본 발명에 따른 면접촉 프로브판의 구성된 상태를 도시한 것이다.1 shows a configuration of a surface contact probe plate according to the present invention.

도 2은 본 발명에 따른 면접촉 프로브판 제조방법 순서도를 도시한 것이다.2 is a flowchart of a method of manufacturing a surface contact probe plate according to the present invention.

도 3은 본 발명의 희생기판 위에 금속판을 형성하는 a단계의 a-1과정 내지 a-5과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.FIG. 3 is a detailed flowchart of steps a-1 to a-5 of step a for forming a metal plate on the sacrificial substrate of the present invention.

도 4은 본 발명의 금속판의 단면에 시그널 배선패턴부를 형성하는 d단계의 d-1과정 내지 d-5과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.4 is a detailed flowchart of steps d-1 to d-5 of step d for forming a signal wiring pattern part in the cross section of the metal plate of the present invention.

도 5은 본 발명의 금속판의 단면에 접촉돌기부를 형성하는 e단계의 e-1과정 내지 e-3과정의 세부과정 순서도를 도시한 것이다.5 is a detailed flowchart of steps e-1 through e-3 of step e for forming contact protrusions on the cross section of the metal plate of the present invention.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞Description of the Related Art

100…면접촉 프로브판 110…금속판 111…산화막100 ... Surface contact probe plate 110 ... Metal plate 111 ... Oxide film

113…절연막 115…전도촉진층113 ... The insulating film 115 ... Conduction promoting layer

117a…제1 점착제117a ... The first adhesive

117b…제2 점착제 123…시그널 배선패턴부 127…접촉돌기부117b ... The second pressure sensitive adhesive 123 ... Signal wiring pattern part 127 ... Contact protrusion

141…절연필름141 ... Insulating film

Claims (8)

면접촉 프로브판 제조방법은,A method for manufacturing a surface contact probe plate, 희생기판 위에 금속판을 형성하는 a단계;A step of forming a metal plate on the sacrificial substrate; 상기 a단계는,In the step a, 희생기판 위에 산화막을 증착하는 a-1과정,An a-1 process for depositing an oxide film on a sacrificial substrate, 상기 산화막 위에 전도층(seed layer)을 증착하는 a-2과정,An a-2 process for depositing a seed layer on the oxide film, 상기 전도층(seed layer) 위에 니켈, 니켈합금, 구리, 구리합금 중에서 어느 하나 금속을 선정하여 금속판을 전해도금으로 형성하는 a-3과정,A-3 process in which a metal is selected from nickel, nickel alloy, copper, and copper alloy on the seed layer to form a metal plate by electrolytic plating, 상기 전해도금으로 형성된 금속판을 화학적기계연마로 평탄화하는 a-4과정,A-4 process of planarizing the metal plate formed by the electrolytic plating by chemical mechanical polishing, 상기 금속판을 세정공정을 실시하는 a-5과정을 실시하는 것,Performing a-5 process of performing the cleaning process on the metal plate, 금속판의 단면에 절연막을 증착하는 b단계;B) depositing an insulating film on the end face of the metal plate; 상기 금속판의 단면에 증착된 절연막 위에 전도촉진층을 형성하는 c단계;C) forming a conduction promoting layer on the insulating film deposited on the end face of the metal plate; 상기 금속판의 단면에 형성된 전도촉진층 위에 시그널 배선패턴부을 형성하는 d단계;A step d of forming a signal wiring pattern part on a conduction promoting layer formed on an end face of the metal plate; 상기 d단계는,The step (d) 금속판의 단면에 형성된 전도촉진층 위에 제1 점착제(117a)를 도포하는 d-1과정,A d-1 process of applying the first pressure-sensitive adhesive (117a) on the conduction promoting layer formed on the end surface of the metal plate, 시그널 배선패턴부와 접촉돌기부가 패턴된 마스크를 상기 제1 점착제(117a) 위에 노광장치를 이용하여 시그널 배선패턴부를 상기 제1 점착제(117a) 위에 노광하는 d-2과정,A step d-2 of exposing a signal wiring pattern part and a contact protruding part to a pattern of the signal wiring pattern part on the first pressure sensitive adhesive layer 117a using an exposure apparatus on the first pressure sensitive adhesive layer 117a, 노광된 시그널 배선패턴부의 제1 점착제(117a)를 현상장치를 이용하여 현상하는 d-3과정,A d-3 process of developing the first adhesive 117a of the exposed signal wiring pattern portion using a developing apparatus, 에칭으로 시그널 배선패턴부가 형성된 제1 점착제(117a)를 패터닝하여 시그널 배선패턴부의 점착제 주형을 형성하는 d-4과정,A step d-4 of forming a pressure-sensitive adhesive template of a signal wiring pattern part by patterning a first pressure-sensitive adhesive 117a on which a signal wiring pattern part is formed by etching, 상기 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 점착제주형에 구리, 니켈, 구리합금, 니켈합금 중에서 어느 하나 금속을 선정하여 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 d-5과정,A d-5 process of performing electroless plating or electroless plating by selecting any one of copper, nickel, copper alloy, and nickel alloy as a pressure-sensitive adhesive template of a signal wiring pattern portion formed on an end face of the metal plate, 상기 시그널 배선패턴부의 점착제주형에 충진된 금속을 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 방법으로 평탄화를 실시하여 시그널 배선패턴부의 두께를 형성하고 세정하는 d-6과정과,A step d-6 of forming and cleaning the thickness of the signal wiring pattern portion by performing planarization of the metal filled in the adhesive mold of the signal wiring pattern portion by a chemical mechanical polishing method, 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴의 동일선상 배선패턴 상단에 형성된 접촉돌기부 주형에 전도성금속을 충진하는 e단계;Filling the contact protrusion mold formed on the top of the co-linear wiring pattern of the signal wiring pattern formed on the end face of the metal plate with a conductive metal; 상기 e단계는,The step (e) 시그널 배선패턴부 위에 접촉돌기부를 형성하기위하여 제2 점착제(117b)를 도포하고 접촉돌기부 패턴을 노광하는 e-1과정,An e-1 process of applying a second adhesive 117b to form a contact protrusion on the signal wiring pattern portion and exposing the contact protrusion pattern, 상기 접촉돌기부 패턴을 노광된 형상을 현상장치를 이용하여 현상하는 e-2과정,An e-2 process of developing the exposed projection pattern by using a developing apparatus, 에칭공정으로 접촉돌기부의 패턴이 노광된 접촉돌기부의 제2 점착제(117b)를 패터닝하고 접촉돌기부의 점착제주형(Mold)을 형성하는 e-3과정,An e-3 process of patterning the second pressure-sensitive adhesive 117b of the contact protruded portion exposed in the pattern of the contact protruding portion by an etching process and forming a pressure-sensitive adhesive mold of the contact protruding portion, 상기 시그널 배선패턴부의 배선패턴 상단부에 형성된 접촉돌기부의 점착제주형에 구리, 니켈, 구리합금, 니켈합금 중에서 어느 하나 금속을 선정하여 접촉돌기를 전해도금 충진 또는 무전해도금 충진을 실시하는 e-4과정,E-4 process of performing electroless plating or electroless plating of the contact protrusions by selecting any one of copper, nickel, copper alloy, and nickel alloy as a pressure-sensitive adhesive for the contact protrusions formed on the upper portion of the wiring pattern of the signal wiring pattern portion , 상기 접촉돌기부의 점착제주형에 충진된 금속을 화학적기계연마(Chemical Mechanical Polishing) 방법으로 접촉돌기부를 평탄화하고 금속판의 단면에 형성된 시그널 배선패턴부의 점착제주형(Mold)과 접촉돌기부의 점착제주형(Mold)을 제거하는 e-5과정과,The contact protrusions are planarized by a chemical mechanical polishing method and the adhesive mold of the signal wiring pattern portion formed on the cross section of the metal plate and the adhesive mold of the contact protrusion portion E-5 < / RTI > 시그널 배선패턴과 인접한 시그널 배선패턴의 피치 사이에 형성된 전도층을 제거하는 f단계;Removing the conductive layer formed between the signal wiring pattern and the pitch of the adjacent signal wiring pattern; 희생기판에서 금속판을 분리하고 세정하는 g단계; 및G) separating and cleaning the metal plate from the sacrificial substrate; And 상기 금속판의 배면에 절연필름을 부착하는 h단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.A step h of attaching an insulating film to the back surface of the metal plate; Wherein the surface-contacting probe plate is formed of a metal. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 d단계의 제1 점착제(117a) 위에 시그널 배선패턴부의 점착제주형(Mold)을 형성하는 점착제도포와 노광 및 현상은 포토리소그래픽 공정으로 실시하는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.The surface contact probe according to claim 1, wherein the application of the pressure sensitive adhesive for forming the adhesive mold of the signal wiring pattern part on the first pressure sensitive adhesive (117a) in step d, and the exposure and development are performed by a photolithographic process. Plate manufacturing method. 제1항 있어서, 상기 d단계의 제1 점착제(117a)는 점착성폴리머, 플렉시블폴리머, 열적리플로우폴리머, 폴리디메틸실록산, 감광액, 감광필름 중에서 어느 하나를 선정하여 핫프레스 또는 라미네이팅으로 압착으로 적층하거나 또는 스핀코터장치를 이용하여 도포할 수 있는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.The method of claim 1, wherein the first adhesive (117a) in step d is selected from a pressure sensitive adhesive polymer, a flexible polymer, a thermal reflow polymer, a polydimethylsiloxane, a photosensitive liquid and a photosensitive film and laminated by hot pressing or laminating Or by using a spin coater apparatus. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 제1항에 있어서, 상기 e단계의 제2 점착제(117b) 위에 접촉돌기부의 점착제주형을 형성하는 점착제도포와 노광 및 현상은 포토리소그래픽공정으로 실시하는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.2. The method according to claim 1, wherein the application of the pressure sensitive adhesive to form the pressure-sensitive adhesive mold of the contact protrusion on the second pressure sensitive adhesive (117b) in step e, and the exposure and development are performed by a photolithographic process. 제1항 있어서, 상기 e단계의 제2 점착제(117b)는 점착성폴리머, 플렉시블폴리머, 열적리플로우폴리머, 폴리디메틸실록산, 감광액, 감광필름 중에서 어느 하나를 선정하여 핫프레스 또는 라미네이팅으로 압착으로 적층하거나 또는 스핀코터장치를 이용하여 도포할 수 있는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법.The method according to claim 1, wherein the second adhesive (117b) in step e) is selected from a pressure sensitive adhesive polymer, a flexible polymer, a thermal reflow polymer, a polydimethylsiloxane, a photosensitive liquid and a photosensitive film and laminated by hot pressing or laminating Or by using a spin coater apparatus. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 제1항 있어서, 상기 h단계의 절연필름은 폴리머필름 (Polymer Film), 커버레이어필름(Cover Layer Film), 페릴린필름(Parylene Film), 루버(Rubber Film) 중에서 어느 하나를 선정하여 희망하는 두께의 절연필름을 라미네이팅 공정으로 적층하는 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판 제조방법. The method according to claim 1, wherein the insulation film of the step (h) is selected from the group consisting of a polymer film, a cover layer film, a parylene film, and a rubber film, Is laminated by a laminating process. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 제 1항의 면접촉 프로브판 제조방법으로 제조되는 면접촉 프로브판이 금속판인 것을 특징으로 하는 면접촉 프로브판.A surface contact probe plate according to claim 1, wherein the surface contact probe plate manufactured by the method for manufacturing a surface contact probe plate is a metal plate.
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