KR100875092B1 - Probe and Probe Manufacturing Method for Testing Flat Panel Display - Google Patents

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KR100875092B1 KR1020070036878A KR20070036878A KR100875092B1 KR 100875092 B1 KR100875092 B1 KR 100875092B1 KR 1020070036878 A KR1020070036878 A KR 1020070036878A KR 20070036878 A KR20070036878 A KR 20070036878A KR 100875092 B1 KR100875092 B1 KR 100875092B1
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Abstract

평판표시장치를 검사하기 위한 프로브는 실리콘 기판, 절연층, 시드층, 다수의 접촉체들 및 보강 부재를 포함한다. 절연층은 실리콘 기판의 상부면에 구비되며, 시드층은 절연층 상에 구비된다. 접촉체들은 시드층 상에 서로 이격되도록 구비되며, 양단이 시드층으로부터 돌출된다. 보강 부재는 접촉체들의 양단이 노출되도록 시드층 및 접촉체들 상에 구비된다. 프로브 제조 방법은 실리콘의 상부면에 절연층을 형성한다. 절연층의 상부면에 시드층을 형성한다. 시드층의 상부면에 서로 이격되는 다수의 접촉체들을 형성한다. 접촉체들의 양단이 노출되도록 시드층 및 접촉체들의 상부면에 보강 부재를 형성한다. 접촉체들의 양단이 돌출되도록 기판, 절연층 및 시드층을 각각 선택적으로 제거한다. 따라서, 접촉체들의 위치 정렬이 용이하므로, 프로브의 정밀도를 향상시킬 수 있고, 프로브 제조 공정을 단순화할 수 있다. The probe for inspecting a flat panel display device includes a silicon substrate, an insulating layer, a seed layer, a plurality of contacts, and a reinforcing member. The insulating layer is provided on the upper surface of the silicon substrate, and the seed layer is provided on the insulating layer. The contacts are provided on the seed layer so as to be spaced apart from each other, and both ends protrude from the seed layer. The reinforcing member is provided on the seed layer and the contacts so that both ends of the contacts are exposed. The probe manufacturing method forms an insulating layer on the upper surface of the silicon. A seed layer is formed on the upper surface of the insulating layer. A plurality of contacts are formed on the top surface of the seed layer spaced apart from each other. A reinforcing member is formed on the seed layer and the top surface of the contacts so that both ends of the contacts are exposed. The substrate, insulating layer and seed layer are selectively removed so that both ends of the contacts protrude. Therefore, since the alignment of the contacts is easy, the accuracy of the probe can be improved, and the probe manufacturing process can be simplified.

Description

평판표시장치를 테스트하기 위한 프로브 및 프로브 제조 방법{Probe for testing a flat panel display device and method of manufacturing the probe}Probe for testing a flat panel display device and method of manufacturing the probe

도 1a 내지 도 1f는 종래의 프로브의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.1A to 1F are cross-sectional views illustrating a conventional method for manufacturing a probe.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브를 설명하기 위한 사시도이다.2 is a perspective view illustrating a probe according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3j는 도 2에 도시된 프로브의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A to 3J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the probe shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브를 설명하기 위한 사시도이다.4 is a perspective view for explaining a probe according to an embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5j는 도 4에 도시된 프로브의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.5A through 5J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the probe shown in FIG. 4.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 프로브 110 : 기판100: probe 110: substrate

120 : 절연층 130 : 시드층120: insulating layer 130: seed layer

135 : 시드 패턴 140 : 제1 몰딩 패턴135 seed pattern 140 first molding pattern

142 : 제1 개구 150 : 접촉체142: first opening 150: contact

160 : 제2 몰딩 패턴 162 : 제2 개구160: second molding pattern 162: second opening

170 : 보강 부재 180 : 마스크 패턴170: reinforcing member 180: mask pattern

본 발명은 프로브 및 프로브 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평판표시장치를 검사하기 위한 프로브 및 프로브 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe and a method for manufacturing the probe, and more particularly, to a probe and a method for manufacturing the probe for inspecting a flat panel display.

일반적으로, 평판표시장치의 하나인 액정표시장치는 두 개의 어레이 기판과 컬러 기판이 액정을 사이에 두고 합착된 구조로서, 외부에서 인가되는 전압에 의해 액정의 전기 광학적인 특성을 이용하여 영상을 표시하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device, which is one of flat panel displays, is a structure in which two array substrates and a color substrate are bonded to each other with a liquid crystal interposed therebetween, and display an image by using an electro-optical characteristic of the liquid crystal by a voltage applied from the outside. Device.

상기 액정표시장치의 패드 전극에 검사 장치의 프로브를 접촉하여 전기신호를 인가함으로써 액정표시패널의 정상 유무를 확인하여 불량 표시패널을 조기에 제거하는 검사 공정을 수행하게 된다.The inspection process of removing the defective display panel early by checking whether the liquid crystal display panel is normal by applying an electrical signal by contacting the pad electrode of the liquid crystal display device with the probe of the inspection device.

상기 검사 공정은 상기 검사 장치에 의해 수행되고, 상기 검사 장치의 프로브는 다양한 형태로 개발되어 사용되고 있다. The inspection process is performed by the inspection apparatus, and the probe of the inspection apparatus is developed and used in various forms.

도 1a 내지 도 1f는 종래의 프로브의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.1A to 1F are cross-sectional views illustrating a conventional method for manufacturing a probe.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 실리콘을 포함하는 희생 기판(10) 상에 증착 공정에 의하여 시드층(seed layer;11)을 형성하고, 상기 시드층(11) 상에 소정의 두께로 접촉체의 형성 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 제1 포토레지스트 패턴(12)을 형성한 후, 상기 제1 포토레지스트 패턴(12)이 형성된 시드층(11)상에 도전성 물질을 도금 공정을 통해 도전막(20)을 형성한다. 1A and 1B, a seed layer 11 is formed on a sacrificial substrate 10 including silicon by a deposition process, and a contact member is formed on the seed layer 11 at a predetermined thickness. After the first photoresist pattern 12 having an opening exposing the formation region of the conductive layer is formed, a conductive material is plated on the seed layer 11 on which the first photoresist pattern 12 is formed. 20).

도 1c를 참조하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(12)을 제거한 후, 상기 희생 기판(10) 상에 소정의 두께로 접촉체의 중심 영역을 노출시키는 개구부(22)를 갖는 제2 포토레지스트 패턴(21)을 형성한다. 상기 제2 포토레지스트 패턴(21)의 개구부(22) 내에 절연성 물질을 매립하여 제1 보강판(30)을 형성한다.Referring to FIG. 1C, after the first photoresist pattern 12 is removed, a second photoresist pattern having an opening 22 exposing the center region of the contact member on the sacrificial substrate 10 to a predetermined thickness. 21 is formed. The first reinforcing plate 30 is formed by filling an insulating material in the opening 22 of the second photoresist pattern 21.

도 1d 및 도 1e를 참조하면, 상기 희생 기판(10) 후면에 상기 제1 보강판(30)과 대응하도록 소정의 두께로 제3 포토레지스트 패턴(31)을 형성한다. 상기 제3 포토레지스트 패턴(31)을 식각 마스크로 이용하여 상기 희생 기판(10) 상에 트렌치(32)를 형성한다. 이 때, 상기 제3 포토레지스트 패턴(31)을 이용하여 상기 시드층(11)도 제거되어, 상기 도전막(20)은 상기 트렌치(32)에 의해 노출된다. 상기 트렌치(32) 내부는 접착체로 사용되는 에폭시층(40)과 상기 에폭시층(40) 상부에는 세라믹을 포함하는 제2 보강판(50)이 매립된다. 1D and 1E, a third photoresist pattern 31 is formed on the back surface of the sacrificial substrate 10 to a predetermined thickness so as to correspond to the first reinforcing plate 30. The trench 32 is formed on the sacrificial substrate 10 using the third photoresist pattern 31 as an etching mask. In this case, the seed layer 11 is also removed using the third photoresist pattern 31, and the conductive layer 20 is exposed by the trench 32. Inside the trench 32, an epoxy layer 40 used as an adhesive and a second reinforcement plate 50 including ceramic are embedded in the epoxy layer 40.

도 1f를 참조하면, 상기 제2 및 제3 포토레지스트 패턴(21, 31)들을 제거하고, 상기 희생 기판(10)을 습식 식각 공정에 의하여 제거한다. 이리하여, 상기 접촉체(20) 하부에는 상기 제1 보강판(30)이 형성되고, 상기 접촉체(20) 상부에는 상기 에폭시층(40) 및 상기 제2 보강판(50)이 형성되어 상기 접촉체(20)를 지지한다.Referring to FIG. 1F, the second and third photoresist patterns 21 and 31 are removed, and the sacrificial substrate 10 is removed by a wet etching process. Thus, the first reinforcement plate 30 is formed below the contact body 20, and the epoxy layer 40 and the second reinforcement plate 50 are formed on the contact body 20, thereby Support the contact 20.

종래의 프로브의 제조 방법에 의하면, 상기 희생 기판(10)의 후면은 상기 제3 포토레지스트 패턴(31)을 식각 마스크로 이용하여 식각되고, 상기 에폭시층(40)이 매립된다. 이 후, 상기 에폭시층(40) 상부에 매립된 세라믹이 경화되어 상기 제2 보강판(50)이 형성될 때, 상기 에폭시층(40)이 경화됨에 따라 상기 접촉체들(20) 사이의 간격이 줄어드는 현상이 발생하는 문제점이 있다.According to the conventional method for manufacturing a probe, the back surface of the sacrificial substrate 10 is etched using the third photoresist pattern 31 as an etching mask, and the epoxy layer 40 is embedded. Thereafter, when the ceramic embedded in the epoxy layer 40 is cured to form the second reinforcement plate 50, the gap between the contacts 20 as the epoxy layer 40 is cured. There is a problem that this shrinking phenomenon occurs.

또한, 상기 희생 기판(10)에는 여러 번의 식각 공정들이 수행되게 되고, 프로브의 제조 공정은 복잡하며 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.In addition, a plurality of etching processes are performed on the sacrificial substrate 10, and a manufacturing process of the probe is complicated and productivity is low.

본 발명은 전기적 노이즈를 방지하고 균일한 크기의 접촉체를 갖는 프로브를 제공한다.The present invention prevents electrical noise and provides a probe having a contact of uniform size.

본 발명은 상기 프로브를 제조하기 위한 프로브 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a method for producing a probe for producing the probe.

본 발명에 따른 프로브는 기판과, 상기 기판의 상부면에 구비되는 절연층과, 상기 절연층 상에 서로 이격되도록 구비되는 다수의 시드 패턴들과, 상기 시드 패턴들 상에 각각 구비되며, 양단이 상기 기판으로부터 돌출되는 다수의 접촉체들 및 상기 접촉체들의 양단이 노출되도록 상기 절연층, 상기 시드 패턴들 및 상기 접촉체들의 상에 구비되는 보강 부재를 포함한다.The probe according to the present invention includes a substrate, an insulating layer provided on an upper surface of the substrate, a plurality of seed patterns provided on the insulating layer so as to be spaced apart from each other, and provided on the seed patterns, respectively. And a plurality of contacts protruding from the substrate and reinforcement members provided on the insulating layer, the seed patterns, and the contacts so that both ends of the contacts are exposed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판은 반도체 기판이며, 상기 반도체 기판은 실리콘 기판, 게르마늄 기판 또는 실리콘 게르마늄 기판일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the substrate may be a semiconductor substrate, and the semiconductor substrate may be a silicon substrate, a germanium substrate, or a silicon germanium substrate.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 시드 패턴들은 상기 절연층 상에 구비되며, 접착을 위한 제1 금속 패턴들 및 상기 제1 금속 패턴 상에 구비되며, 시드로 작용하는 제2 금속 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속 패턴들은 티타늄 또는 크롬을 포함하며, 상기 제2 금속 패턴은 구리 또는 금을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the seed patterns are provided on the insulating layer, and include first metal patterns for adhesion and second metal patterns provided on the first metal pattern and act as seeds. can do. The first metal patterns may include titanium or chromium, and the second metal pattern may include copper or gold.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 접촉체들은 동일한 길이를 가질 수 있고, 상기 접촉체들은 동일한 길이만큼 돌출될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the contacts may have the same length, and the contacts may protrude by the same length.

본 발명에 따른 프로브 제조 방법은 기판의 상부면에 절연층을 형성한다. 상기 절연층의 상부면에 시드층을 형성한다. 상기 시드층의 상부면에 서로 이격되는 다수의 접촉체들을 형성한다. 상기 접촉체들의 의해 노출된 상기 시드층을 제거하여 다수의 시드 패턴을 형성한다. 상기 접촉체들의 양단이 노출되도록 상기 절연층, 상기 시드 패턴들 및 상기 접촉체들의 상에 보강 부재를 형성한다. 상기 접촉체들의 양단이 돌출되도록 상기 기판, 상기 절연층 및 상기 시드 패턴들을 각각 선택적으로 제거한다. The probe manufacturing method according to the present invention forms an insulating layer on the upper surface of the substrate. A seed layer is formed on an upper surface of the insulating layer. A plurality of contacts spaced apart from each other is formed on the top surface of the seed layer. The seed layer exposed by the contacts is removed to form a plurality of seed patterns. Reinforcement members are formed on the insulating layer, the seed patterns, and the contacts so that both ends of the contacts are exposed. The substrate, the insulating layer, and the seed patterns are selectively removed to protrude both ends of the contacts.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판은 반도체 기판이며, 상기 반도체 기판은 실리콘 기판, 게르마늄 기판 또는 실리콘 게르마늄 기판일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate may be a semiconductor substrate, and the semiconductor substrate may be a silicon substrate, a germanium substrate, or a silicon germanium substrate.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 시드층을 형성하는 공정은 상기 절연층 상에 접착을 위한 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층 상에 시드로 작용하는 제2 금속층을 형성할 수 있다. 상기 제1 금속층은 티타늄 또는 크롬을 포함하며, 상기 제2 금속층은 구리 또는 금을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the forming of the seed layer may form a first metal layer for adhesion on the insulating layer, and form a second metal layer serving as a seed on the first metal layer. . The first metal layer may include titanium or chromium, and the second metal layer may include copper or gold.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 보강 부재를 형성하는 공정은 상기 절연층, 상기 시드 패턴들 및 상기 접촉체들 상에 상기 접촉체들의 중심 영역을 노출시키는 개구를 갖는 몰딩 패턴을 형성하고, 상기 몰딩 패턴의 개구를 절연성 물질로 매립하고, 상기 몰딩 패턴을 제거할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the process of forming the reinforcing member forms a molding pattern having an opening exposing the central region of the contacts on the insulating layer, the seed patterns and the contacts and The opening of the molding pattern may be filled with an insulating material, and the molding pattern may be removed.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 접촉체는 니켈(Ni) 또는 니켈 합금을 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the contact may include nickel (Ni) or a nickel alloy.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 기판을 선택적으로 제거하는 공정은 상기 기판의 하부면에 상기 기판의 하부면 양측면을 노출시키는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판, 상기 절연층 및 상 기 시드 패턴들을 순차적으로 식각할 수 있다. 상기 기판을 선택적으로 제거하는 공정은 상기 마스크 패턴을 형성하기 전에 상기 기판의 두께를 감소시킬 수 있다. 상기 기판의 두께 감소는 상기 기판의 다이싱 또는 상기 기판의 연마에 의해 이루어질 수 있다. 상기 마스크 패턴은 불소 수지를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the step of selectively removing the substrate to form a mask pattern to expose both sides of the lower surface of the substrate on the lower surface of the substrate, the mask pattern as an etching mask In some embodiments, the insulating layer and the seed patterns may be sequentially etched. The process of selectively removing the substrate may reduce the thickness of the substrate before forming the mask pattern. The thickness reduction of the substrate may be achieved by dicing the substrate or polishing the substrate. The mask pattern may include a fluororesin.

이와 같이 구성된 본 발명의 프로브 및 프로브 제조 방법은 기판을 접촉체들의 하부 보강 부재로 이용하므로, 상기 하부 보강 부재를 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 상기 프로브 제조 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 상기 접촉체들을 상기 기판 상에 형성하므로, 상기 접촉체들의 위치를 용이하게 정렬할 수 있고, 에폭시 수지를 포함하는 보강 부재의 경화 과정에서 상기 접촉체들 사이의 간격이 줄어드는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 프로브의 정밀도를 향상시킬 수 있다.The probe and probe manufacturing method of the present invention configured as described above use a substrate as the lower reinforcing members of the contacts, and thus the process of forming the lower reinforcing members can be omitted. Thus, the probe manufacturing process can be simplified. In addition, since the contacts are formed on the substrate, the positions of the contacts can be easily aligned, and the gap between the contacts is reduced during the curing of the reinforcing member including the epoxy resin. Can be. Therefore, the precision of the said probe can be improved.

본 발명에 따른 다른 프로브는 기판과, 상기 기판 상에 서로 이격되도록 구비되는 다수의 시드 패턴들과, 상기 시드 패턴들 상에 각각 구비되며, 양단이 상기 기판으로부터 돌출되는 다수의 접촉체들 및 상기 접촉체들의 양단이 노출되도록 상기 기판, 상기 시드 패턴들 및 상기 접촉체들 상에 구비되는 보강 부재를 포함한다.Another probe according to the present invention includes a substrate, a plurality of seed patterns provided on the substrate to be spaced apart from each other, a plurality of contacts respectively provided on the seed patterns, and both ends protruding from the substrate; And a reinforcing member provided on the substrate, the seed patterns, and the contacts so that both ends of the contacts are exposed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판은 절연 기판일 수 있다. 상기 절연 기판은 투명할 수 있다. 상기 절연 기판은 글래스 기판, 아크릴 기판 또는 세라믹 기판일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the substrate may be an insulating substrate. The insulating substrate may be transparent. The insulating substrate may be a glass substrate, an acrylic substrate, or a ceramic substrate.

본 발명에 따른 다른 프로브 제조 방법은 기판의 상부면에 시드층을 형성한 다. 상기 시드층의 상부면에 서로 이격되는 다수의 접촉체들을 형성한다. 상기 접촉체들에 의해 노출된 상기 시드층을 제거하여 다수의 시드 패턴을 형성한다. 상기 접촉체들의 양단이 노출되도록 상기 기판, 상기 시드 패턴들 및 상기 접촉체들의 상에 보강 부재를 형성한다. 상기 접촉체들의 양단이 돌출되도록 상기 기판 및 상기 시드 패턴들을 각각 선택적으로 제거한다. Another probe manufacturing method according to the present invention forms a seed layer on the upper surface of the substrate. A plurality of contacts spaced apart from each other is formed on the top surface of the seed layer. The seed layer exposed by the contacts is removed to form a plurality of seed patterns. Reinforcement members are formed on the substrate, the seed patterns, and the contacts so that both ends of the contacts are exposed. The substrate and the seed patterns are selectively removed to protrude both ends of the contacts.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판은 절연 기판일 수 있다. 상기 절연 기판은 투명할 수 있다. 상기 절연 기판은 글래스 기판, 아크릴 기판 또는 세라믹 기판일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the substrate may be an insulating substrate. The insulating substrate may be transparent. The insulating substrate may be a glass substrate, an acrylic substrate, or a ceramic substrate.

이와 같이 구성된 본 발명의 다른 프로브 및 프로브 제조 방법은 투명 절연 기판을 상기 기판으로 사용하므로, 절연층을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 상기 프로브의 구조 및 상기 프로브 제조 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 상기 기판이 투명하므로, 상기 접촉체들 사이에 시드 패턴의 잔류물이나 이물질의 존재 여부를 용이하게 확인할 수도 있다.Another probe and probe manufacturing method of the present invention configured as described above uses a transparent insulating substrate as the substrate, it is possible to omit the step of forming an insulating layer. Therefore, the structure of the probe and the manufacturing process of the probe can be simplified. In addition, since the substrate is transparent, it may be easy to check whether a residue of a seed pattern or a foreign material exists between the contacts.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 프로브 및 프로브 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a probe and a method for manufacturing a probe according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따름 프로브(100)를 설명하기 위한 사시도이다.2 is a perspective view for explaining the probe 100 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 프로브(100)는 기판(110), 절연층(120), 다수의 시드 패턴들(135), 다수의 접촉체들(150) 및 보강 부재(170)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the probe 100 includes a substrate 110, an insulating layer 120, a plurality of seed patterns 135, a plurality of contacts 150, and a reinforcing member 170.

상기 기판(110)은 평판 형태를 갖는다. 예를 들면, 상기 기판(110)은 직사각 평판 형태를 가질 수 있다. 상기 기판(110)의 예로는 반도체 기판을 들 수 있다. 상기 반도체 기판의 예로는 실리콘 기판, 게르마늄 기판, 실리콘 게르마늄 기판 등을 들 수 있다.The substrate 110 has a flat plate shape. For example, the substrate 110 may have a rectangular flat plate shape. Examples of the substrate 110 may include a semiconductor substrate. Examples of the semiconductor substrate include a silicon substrate, a germanium substrate, a silicon germanium substrate, and the like.

상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상부면에 구비된다. 상기 절연층(120)은 산화물, 질화물 또는 고분자 화합물을 포함할 수 있다. 상기 산화물의 예로는 실리콘 산화물(SiO2)을 들 수 있다. 상기 질화물의 예로는 실리콘 질화물(SiN)을 들 수 있다. 상기 고분자 화합물의 예로는 파릴렌(parylene)을 들 수 있다. 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)과 상기 시드 패턴들(135) 또는 상기 접촉체들(150) 사이의 전기적 접촉을 차단한다. The insulating layer 120 is provided on the upper surface of the substrate 110. The insulating layer 120 may include an oxide, nitride, or a high molecular compound. Examples of the oxide include silicon oxide (SiO 2). Examples of the nitride include silicon nitride (SiN). Examples of the polymer compound may include parylene. The insulating layer 120 blocks electrical contact between the substrate 110 and the seed patterns 135 or the contacts 150.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 산화물 또는 질화물을 포함하는 절연층(120)은 약 1.5㎛ 내지 2.0㎛의 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 평판표시장치를 검사하기 위한 테스트 신호 인가시 상기 기판(110)에 의해 발생되는 전기적 노이즈(noise)를 방지할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the insulating layer 120 including the oxide or nitride may be formed to a thickness of about 1.5㎛ to 2.0㎛. Therefore, when the test signal is applied to inspect the flat panel display, electrical noise generated by the substrate 110 may be prevented.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 파릴렌을 포함하는 절연층(120)은 약 0.5㎛ 내지 0.8㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 파릴렌을 포함하는 절연층(120) 은 우수한 전기 저항도를 가지므로, 상대적으로 얇은 두께를 갖더라도 상기 테스트 신호 인가시 상기 기판(110)에 의해 발생되는 전기적 노이즈(noise)를 방지할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the insulating layer 120 including the parylene may be formed to a thickness of about 0.5㎛ 0.8㎛. Since the insulating layer 120 including the parylene has excellent electrical resistance, it is possible to prevent electrical noise generated by the substrate 110 when the test signal is applied even though the insulating layer 120 has a relatively thin thickness. have.

상기 시드 패턴들(135)은 상기 절연층(120)의 상부면에 서로 이격되도록 구비된다. 예를 들면, 상기 시드 패턴들(135) 사이의 간격은 평판표시장치의 패드들 사이의 간격과 동일할 수 있다. The seed patterns 135 are provided on the top surface of the insulating layer 120 to be spaced apart from each other. For example, the spacing between the seed patterns 135 may be the same as the spacing between pads of the flat panel display.

각각의 시드 패턴(135)은 제1 금속 패턴과 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속 패턴은 점착력이 우수하다. 상기 제1 금속 패턴은 상기 제2 금속 패턴을 상기 절연층(120)에 접착시킨다. 상기 제2 금속 패턴은 시드로 작용한다. 상기 제1 금속 패턴은 티타늄 또는 크롬을 포함하며, 상기 제2 금속 패턴은 구리 또는 금을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속막의 두께는 약 500Å일 수 있으며, 상기 제2 금속층의 두께는 약 5,000Å일 수 있다.Each seed pattern 135 may include a first metal pattern and a second metal pattern. The first metal pattern is excellent in adhesion. The first metal pattern adheres the second metal pattern to the insulating layer 120. The second metal pattern serves as a seed. The first metal pattern may include titanium or chromium, and the second metal pattern may include copper or gold. The thickness of the first metal film may be about 500 kPa, and the thickness of the second metal layer may be about 5,000 kPa.

상기 접촉체들(150)은 각각 양단이 뾰족한 바 형태를 갖는다. 상기 접촉체들(150)은 서로 동일한 길이를 갖는다. 상기 접촉체(150)들은 상기 시드 패턴들(135) 상에 각각 구비된다. 상기 접촉체들(150)의 양단은 상기 기판(110)으로부터 돌출된다. 이때, 각 접촉체들(150)은 동일한 길이만큼 돌출된다. Each of the contacts 150 has a bar shape having sharp ends. The contacts 150 have the same length as each other. The contacts 150 are provided on the seed patterns 135, respectively. Both ends of the contacts 150 protrude from the substrate 110. At this time, each of the contacts 150 protrudes by the same length.

상기 접촉체들(150)은 금속을 포함한다. 상기 금속의 예로는 니켈 또는 니켈 합금을 포함할 수 있다. 상기 니켈 합금의 예로는 니켈-코발트 합금 또는 니켈-텅스텐-코발트 합금을 들 수 있다.The contacts 150 include metal. Examples of the metal may include nickel or a nickel alloy. Examples of the nickel alloys include nickel-cobalt alloys and nickel-tungsten-cobalt alloys.

상기 보강 부재(170)는 상기 절연층(120), 상기 시드 패턴들(135) 및 상기 접촉체들(150)을 부분적으로 덮도록 구비된다. 구체적으로, 상기 보강 부재(170)는 상기 절연층(120)의 상부면, 상기 시드 패턴들(135)의 양측면 및 상기 접촉체들(150)의 상부면 중앙 부위를 덮는다. 상기 보강 부재(170)가 구비되더라도 상기 접촉체들(150)의 양단은 노출된다. 상기 보강 부재(170)의 상부면은 평탄하다. 따라서, 상기 보강 부재(170) 상에 다른 프로브의 기판을 용이하게 부착할 수 있다.The reinforcing member 170 is provided to partially cover the insulating layer 120, the seed patterns 135, and the contacts 150. In detail, the reinforcing member 170 covers the upper surface of the insulating layer 120, both side surfaces of the seed patterns 135, and a central portion of the upper surface of the contacts 150. Even when the reinforcing member 170 is provided, both ends of the contacts 150 are exposed. The upper surface of the reinforcing member 170 is flat. Therefore, the substrate of another probe may be easily attached onto the reinforcing member 170.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 보강 부재(170)는 상기 기판(110)과 동일한 폭을 가질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 보강 부재(170)는 상기 기판(110)보다 크거나 작은 폭을 가질 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the reinforcing member 170 may have the same width as the substrate 110. According to another embodiment of the present invention, the reinforcing member 170 may have a width larger or smaller than that of the substrate 110.

상기 보강 부재(170)는 절연 물질을 포함한다. 상기 절연 물질의 예로는 에폭시 수지 또는 세라믹을 들 수 있다.The reinforcing member 170 includes an insulating material. Examples of the insulating material include epoxy resins or ceramics.

상기 프로브(100)는 상기 기판(110)이 상기 접촉체들(150)의 하부면을 지지하므로, 상기 접촉체들(150)의 하부면에 별도의 보강 부재가 불필요하다. Since the probe 100 supports the lower surfaces of the contacts 150, a separate reinforcing member is unnecessary on the lower surfaces of the contacts 150.

도 3a 내지 도 3i는 도 2에 도시된 프로브의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A to 3I are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the probe shown in FIG. 2.

도 3a를 참조하면, 기판(110)상에 절연층(120)을 형성한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판(110)은 반도체 기판일 수 있다. 상기 반도체 기판의 예로는 실리콘 기판, 게르마늄 기판, 실리콘 게르마늄 기판 등을 들 수 있다. 상기 절연층(120)은 산화물, 질화물 또는 고분자 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 산화물의 예로는 실리콘 산화물(SiO2)을 들 수 있다. 상기 질화물의 예로는 실리콘 질화물(SiN)을 들 수 있다. 상기 고분자 화합물의 예로는 파릴렌을 들 수 있 다. Referring to FIG. 3A, an insulating layer 120 is formed on the substrate 110. According to an embodiment of the present invention, the substrate 110 may be a semiconductor substrate. Examples of the semiconductor substrate include a silicon substrate, a germanium substrate, a silicon germanium substrate, and the like. The insulating layer 120 may be formed using an oxide, nitride, or a high molecular compound. Examples of the oxide include silicon oxide (SiO 2). Examples of the nitride include silicon nitride (SiN). Examples of the polymer compound include parylene.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 산화물 또는 질화물을 사용하여 절연층(120)을 형성하는 경우, 상기 절연층(120)은 약 1.5㎛ 내지 2.0㎛의 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 평판표시장치를 검사하기 위한 테스트 신호 인가시 상기 기판(110)에 의해 발생되는 전기적 노이즈(noise)를 방지할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, when the insulating layer 120 is formed using the oxide or nitride, the insulating layer 120 may be formed to a thickness of about 1.5㎛ to 2.0㎛. Therefore, when the test signal is applied to inspect the flat panel display, electrical noise generated by the substrate 110 may be prevented.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 파릴렌을 사용하여 상기 절연층(120)을 형성하는 경우, 상기 절연층(120)은 약 0.5㎛ 내지 0.8㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 파릴렌을 포함하는 절연층(120)은 우수한 전기 저항도를 가지므로, 상대적으로 얇은 두께를 갖더라도 상기 테스트 신호 인가시 상기 기판(110)에 의해 발생되는 전기적 노이즈(noise)를 방지할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, when the insulating layer 120 is formed using the parylene, the insulating layer 120 may be formed to a thickness of about 0.5㎛ 0.8㎛. Since the insulating layer 120 including the parylene has excellent electrical resistance, it is possible to prevent electrical noise generated by the substrate 110 when the test signal is applied even though the insulating layer 120 has a relatively thin thickness. have.

상기 절연층(120)은 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자층 적층(ALD) 공정, 케미컬 처리 공정, 스프레이 코팅(apray coating) 공정, 스핀 코팅(spin coating) 공정, 딥코팅(dip coating) 공정 등을 사용하여 형성된다.The insulating layer 120 may include a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, a chemical treatment process, a spray coating process, a spin coating process, and a dip coating process. And the like.

상기 절연층(120)의 상부면에 시드층(130)을 형성한다. 상기 시드층(130)은 스퍼터링 공정에 의해 형성된다. 구체적으로, 상기 절연층(120) 상에 점착력이 우수한 제1 금속막을 형성하고, 상기 제1 금속막 상에 시드로 작용하는 제2 금속막을 형성하여 상기 시드층(130)을 형성한다. 상기 제1 금속막은 상기 제2 금속막을 상기 절연층(120)에 접착시킨다. 상기 제1 금속막은 티타늄 또는 크롬을 포함하며, 상기 제2 금속막은 구리 또는 금을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속막은 약 500Å의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 제2 금속층은 약 5,000Å의 두께로 형성될 수 있 다. The seed layer 130 is formed on the upper surface of the insulating layer 120. The seed layer 130 is formed by a sputtering process. Specifically, the seed layer 130 is formed by forming a first metal film having excellent adhesion on the insulating layer 120, and forming a second metal film serving as a seed on the first metal film. The first metal film adheres the second metal film to the insulating layer 120. The first metal film may include titanium or chromium, and the second metal film may include copper or gold. The first metal layer may be formed to a thickness of about 500 kPa, and the second metal layer may be formed to a thickness of about 5,000 kPa.

도 3b를 참조하면, 상기 시드층(130) 상에 접촉부들이 형성될 영역을 정의하는 제1 개구들(142)을 갖는 제1 몰딩 패턴(140)을 형성한다. 상기 제1 개구들(142)은 서로 이격되는 바 형태를 가지며, 양단이 뾰족한 형태이다.Referring to FIG. 3B, a first molding pattern 140 is formed on the seed layer 130 having first openings 142 defining regions in which contact portions are to be formed. The first openings 142 have a bar shape spaced apart from each other, and both ends thereof have a pointed shape.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 시드층(130) 상에 포토레지스트 조성물을 도포하가나 포토레지스트 필름을 부착하여 포토레지스트층을 형성하고, 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 시드층(130) 상에 상기 제1 몰딩 패턴(140)을 형성할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 시드층(130) 상에 산화물 또는 질화물을 포함하는 절연층을 형성하고, 상기 절연층을 패터닝하여 상기 제1 몰딩 패턴(140)을 형성할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the photoresist composition is coated on the seed layer 130 or a photoresist film is attached to form a photoresist layer, and the photoresist layer is exposed and developed to expose the seed layer ( The first molding pattern 140 may be formed on the 130. According to another embodiment of the present invention, an insulating layer including an oxide or nitride may be formed on the seed layer 130, and the insulating layer may be patterned to form the first molding pattern 140.

도 3c를 참조하면, 전기 도금(electro plating)에 의해 상기 제1 몰딩 패턴(140)에 의해 노출된 상기 시드층(130) 상에 접촉체들(150)을 형성한다. 즉, 상기 제1 개구들(142)을 채우도록 상기 접촉체들(150)을 형성한다. 상기 접촉체들(150)은 금속을 포함한다. 상기 금속의 예로는 니켈 또는 니켈 합금을 포함한다. 상기 니켈 합금의 예로는 니켈-코발트 합금 또는 니켈-텅스텐-코발트 합금을 들 수 있다.Referring to FIG. 3C, contacts 150 are formed on the seed layer 130 exposed by the first molding pattern 140 by electroplating. That is, the contacts 150 are formed to fill the first openings 142. The contacts 150 include metal. Examples of such metals include nickel or nickel alloys. Examples of the nickel alloys include nickel-cobalt alloys and nickel-tungsten-cobalt alloys.

이후, 상기 제1 몰딩 패턴(140)의 표면이 노출될 때까지 평탄화공정을 수행한다. 상기 평탄화 공정의 예로는 화학적 기계적 연마(cemical mechanical polishing), 에치백, 그라인딩 등을 들 수 있다. Thereafter, the planarization process is performed until the surface of the first molding pattern 140 is exposed. Examples of the planarization process include chemical mechanical polishing, etch back, grinding, and the like.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 접촉체들(150)은 물리 기상 증착 공 정 또는 화학 기상 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 시드층(130)을 형성하는 공정은 생략될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the contacts 150 may be formed through a physical vapor deposition process or a chemical vapor deposition process. In this case, the process of forming the seed layer 130 may be omitted.

도 3d를 참조하면, 상기 제1 몰딩 패턴(140)을 제거한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 몰딩 패턴(140)이 상기 포토레지스트 조성물 또는 상기 포토레지스트 필름을 포함하는 경우, 상기 제1 몰딩 패턴(140)은 애싱 및/또는 스트립 공정에 의해 제거된다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 몰딩 패턴(140)이 상기 산화물 또는 질화물을 포함하는 경우, 상기 제1 몰딩 패턴(140)은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정에 의해 제거된다.Referring to FIG. 3D, the first molding pattern 140 is removed. According to an embodiment of the present invention, when the first molding pattern 140 includes the photoresist composition or the photoresist film, the first molding pattern 140 is removed by an ashing and / or strip process. do. According to another embodiment of the present invention, when the first molding pattern 140 includes the oxide or nitride, the first molding pattern 140 is removed by a dry etching process or a wet etching process.

도 3e를 참조하면, 상기 접촉체들(150)에 의해 노출된 시드층(130)을 제거하여 상기 접촉체들(150)의 하부에 시드 패턴들(135)을 형성한다. 상기 시드층(130) 제거 공정으로는 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 들 수 있다.Referring to FIG. 3E, seed patterns 135 are formed under the contacts 150 by removing the seed layer 130 exposed by the contacts 150. The seed layer 130 may be removed by a dry etching process or a wet etching process.

도 3f를 참조하면, 상기 시드 패턴들(135) 및 상기 접촉체들(150)이 형성된 상기 절연층(120) 상에 보강 부재가 형성될 영역을 정의하는 제2 개구(162)를 갖는 제2 몰딩 패턴(160)을 형성한다. 상기 제2 개구(162)는 상기 절연층(120)을 가로질러 상기 접촉체들(150)의 중앙 부위를 노출시킨다. Referring to FIG. 3F, a second opening having a second opening 162 defining a region in which the reinforcing member is to be formed on the seed layer 135 and the insulating layer 120 on which the contacts 150 are formed. The molding pattern 160 is formed. The second opening 162 exposes central portions of the contacts 150 across the insulating layer 120.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 시드 패턴들(135) 및 상기 접촉체들(150)이 형성된 상기 절연층(120) 상에 포토레지스트 조성물을 도포하거나 포토레지스트 필름을 부착하여 포토레지스트층을 형성하고, 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 제2 몰딩 패턴(160)을 형성할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 시드 패턴들(135) 및 상기 접촉체들(150)이 형성된 상기 절연 층(120) 상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층을 패터닝하여 상기 제2 몰딩 패턴(160)을 형성할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a photoresist layer may be formed by applying a photoresist composition or attaching a photoresist film on the insulating layer 120 on which the seed patterns 135 and the contacts 150 are formed. The second molding pattern 160 may be formed by exposing and developing the photoresist layer. According to another embodiment of the present invention, an insulating layer is formed on the insulating layer 120 on which the seed patterns 135 and the contacts 150 are formed, and the insulating layer is patterned to form the second molding. The pattern 160 may be formed.

도 3g를 참조하면, 상기 제2 몰딩 패턴(160)의 제2 개구(162)를 절연 물질로 매립하여 보강 부재(170)를 형성한다. 상기 절연 물질의 예로는 에폭시 수지 또는 세라믹을 들 수 있다. 상기 보강 부재(170)는 화학 기상 증착(CVD) 공정, 원자층 적층(ALD) 공정, 스프레이 코팅(apray coating) 공정, 스핀 코팅(spin coating) 공정, 딥코팅(dip coating) 공정 등을 사용하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3G, the reinforcing member 170 is formed by filling the second opening 162 of the second molding pattern 160 with an insulating material. Examples of the insulating material include epoxy resins or ceramics. The reinforcing member 170 may be formed using a chemical vapor deposition (CVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, a spray coating process, a spin coating process, a dip coating process, or the like. Can be formed.

이후, 상기 제1 몰딩 패턴(140)의 표면이 노출될 때까지 상기 보강 부재(170)에 대한 평탄화공정을 수행한다. 상기 평탄화 공정의 예로는 화학적 기계적 연마(cemical mechanical polishing), 에치백, 그라인딩 등을 들 수 있다. Thereafter, the planarization process is performed on the reinforcing member 170 until the surface of the first molding pattern 140 is exposed. Examples of the planarization process include chemical mechanical polishing, etch back, grinding, and the like.

도 3h를 참조하면, 상기 제2 몰딩 패턴(160)을 제거한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 몰딩 패턴(160)이 상기 포토레지스트 조성물 또는 상기 포토레지스트 필름을 포함하는 경우, 상기 제2 몰딩 패턴(160)은 애싱 및/또는 스트립 공정에 의해 제거된다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 몰딩 패턴(160)이 상기 산화물 또는 질화물을 포함하는 경우, 상기 제2 몰딩 패턴(160)은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정에 의해 제거된다.Referring to FIG. 3H, the second molding pattern 160 is removed. According to an embodiment of the present invention, when the second molding pattern 160 includes the photoresist composition or the photoresist film, the second molding pattern 160 is removed by an ashing and / or strip process. do. According to another embodiment of the present invention, when the second molding pattern 160 includes the oxide or nitride, the second molding pattern 160 is removed by a dry etching process or a wet etching process.

도 3i를 참조하면, 상기 기판(110)의 하부면에 상기 기판(110)의 하부면 양측을 노출시키는 마스크 패턴(180)을 형성한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 마스크 패턴(180)은 상기 보강 부재(170)와 대응하며, 상기 마스크 패턴(180)은 상기 보강 부재(180)와 동일한 폭을 갖도록 형성된다. 본 발명의 다른 실시예에 따 르면, 상기 마스크 패턴(180)은 상기 보강 부재(170)와 대응하며, 상기 마스크 패턴(180)은 상기 보강 부재(180)보다 크거나 또는 작은 폭을 갖도록 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 3I, a mask pattern 180 is formed on the bottom surface of the substrate 110 to expose both sides of the bottom surface of the substrate 110. According to one embodiment of the present invention, the mask pattern 180 corresponds to the reinforcing member 170, and the mask pattern 180 is formed to have the same width as the reinforcing member 180. According to another embodiment of the present invention, the mask pattern 180 corresponds to the reinforcing member 170, and the mask pattern 180 is formed to have a larger or smaller width than the reinforcing member 180. It may be.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 마스크 패턴(180)은 테프론(teflon)과 같은 불소 수지를 상기 기판(110)의 하부면에 테이핑하여 형성할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 마스크 패턴(180)은 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트층을 형성하고, 상기 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 형성할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the mask pattern 180 may be formed by taping a fluorine resin such as teflon on the lower surface of the substrate 110. According to another embodiment of the present invention, the mask pattern 180 may be formed by applying a photoresist composition to form a photoresist layer, and exposing and developing the photoresist layer.

다음으로, 상기 마스크 패턴(180)을 식각 마스크로 하여 상기 기판(110), 상기 절연층(120) 및 상기 시드 패턴들(135)을 순차적으로 식각하여 상기 접촉체들(150)의 양단을 노출시킨다.Next, the substrate 110, the insulating layer 120, and the seed patterns 135 are sequentially etched using the mask pattern 180 as an etch mask to expose both ends of the contacts 150. Let's do it.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 마스크 패턴(180)을 형성하기 전에, 상기 기판(110)에 대해 다이싱(dicing) 공정 또는 연마 공정을 수행하여 상기 기판(110)의 두께를 감소시킨다. 또한, 상기 다이싱 공정 또는 연마 공정을 통해 상기 기판(110)의 하부면을 거칠게 가공된다. 따라서, 상기 기판(110)의 식각 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, before forming the mask pattern 180, a thickness of the substrate 110 is reduced by performing a dicing process or a polishing process on the substrate 110. In addition, the bottom surface of the substrate 110 is roughened through the dicing process or polishing process. Therefore, the time required for the etching process of the substrate 110 can be reduced.

도 3j를 참조하면, 상기 마스크 패턴(180)을 제거하여 프로브(100)를 완성한다. 상기 마스크 패턴(180)의 제거 공정으로는 애싱, 스트립, 화학적 기계적 연마, 에치백, 그라인딩 등을 들 수 있다. Referring to FIG. 3J, the mask pattern 180 is removed to complete the probe 100. The mask pattern 180 may be removed by ashing, strip, chemical mechanical polishing, etch back, grinding, or the like.

한편, 상기 프로브(100)가 완성되면, 다수의 프로브들(100)을 접착물질을 이 용하여 적층할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 각 프로브들(100)의 접촉체들(150)이 동일한 위치에 동일한 돌출 길이를 갖도록 상기 프로브들(100)이 적층될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 각 프로브들(100)의 접촉체들(150)이 서로 다른 위치에 동일한 돌출 길이를 갖도록 상기 프로브들(100)이 적층될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 각 프로브들(100)의 접촉체들(150)이 서로 다른 위치에 서로 다른 돌출 길이를 갖도록 상기 프로브들(100)이 적층될 수 있다. Meanwhile, when the probe 100 is completed, the plurality of probes 100 may be stacked using an adhesive material. According to one embodiment of the present invention, the probes 100 may be stacked such that the contacts 150 of the respective probes 100 have the same protruding length at the same position. According to another embodiment of the present invention, the probes 100 may be stacked such that the contacts 150 of each probe 100 have the same protruding length at different positions. According to another embodiment of the present invention, the probes 100 may be stacked such that the contacts 150 of the respective probes 100 have different protrusion lengths at different positions.

상기 기판(110)은 상기 접촉체들(150)의 하부 보강 부재로 이용되므로, 하부 보강 부재를 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 상기 프로브 제조 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 상기 접촉체들(150)을 상기 기판(110) 상에 형성하므로, 상기 접촉체들(150)의 위치를 용이하게 정렬할 수 있고, 상기 보강 부재(170)로 에폭시 수지를 사용하더라도 경화 과정에서 상기 접촉체들(150) 사이의 간격이 줄어드는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 프로브의 정밀도를 향상시킬 수 있다.Since the substrate 110 is used as a lower reinforcement member of the contacts 150, the process of forming the lower reinforcement member may be omitted. Thus, the probe manufacturing process can be simplified. In addition, since the contacts 150 are formed on the substrate 110, the positions of the contacts 150 can be easily aligned, and even when an epoxy resin is used as the reinforcing member 170, the resins may be cured. In the process, the gap between the contacts 150 may be reduced. Therefore, the precision of the said probe can be improved.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브(200)를 설명하기 위한 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a probe 200 according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 상기 프로브(200)는 기판(210), 다수의 시드 패턴들(235), 다수의 접촉체들(250) 및 보강 부재(270)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the probe 200 includes a substrate 210, a plurality of seed patterns 235, a plurality of contacts 250, and a reinforcing member 270.

상기 기판(210)은 평판 형태를 갖는다. 예를 들면, 상기 기판(210)은 직사각 평판 형태를 가질 수 있다. 상기 기판(210)의 예로는 절연성 기판을 들 수 있다. 상기 절연성 기판의 예로는 글래스 기판, 아크릴 기판 또는 세라믹 기판 등을 들 수 있다. 상기 아크릴 기판은 식각 용액 또는 식각 가스 등의 화학 물질에 대한 내화학성을 가질 수 있다. 특히, 투명 글래스 기판 또는 투명 아크릴 기판은 상기 접촉체들(250) 사이에 상기 시드 패턴들(235)이나 이물질의 잔류 여부를 용이하게 확인할 수 있다. 또한, 상기 기판(210)이 절연성이므로, 상기 기판(210) 상에 별도의 절연층을 구비할 필요가 없다. 따라서, 상기 프로브(200)의 구조를 단순화할 수 있다.The substrate 210 has a flat plate shape. For example, the substrate 210 may have a rectangular flat plate shape. An example of the substrate 210 may be an insulating substrate. Examples of the insulating substrate include a glass substrate, an acrylic substrate or a ceramic substrate. The acrylic substrate may have chemical resistance to chemical substances such as an etching solution or an etching gas. In particular, the transparent glass substrate or the transparent acrylic substrate may easily check whether the seed patterns 235 or the foreign matter remain between the contacts 250. In addition, since the substrate 210 is insulating, it is not necessary to provide a separate insulating layer on the substrate 210. Therefore, the structure of the probe 200 can be simplified.

상기 시드 패턴들(235), 상기 접촉체들(250) 및 상기 보강 부재(270)에 대한 설명은 도 2에 도시 및 설명된 시드 패턴들(135), 접촉체들(150) 및 보강 부재(170)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.The seed patterns 235, the contacts 250, and the reinforcement member 270 may be described in detail with reference to the seed patterns 135, the contacts 150, and the reinforcement member illustrated in FIG. 2. It is substantially the same as the description for 170).

도 5a 내지 도 5j는 도 4에 도시된 프로브의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.5A through 5J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the probe shown in FIG. 4.

도 5a를 참조하면, 기판(210)상에 시드층(230)을 형성한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판(210)은 절연성 기판일 수 있다. 상기 절연성 기판의 예로는 글래스 기판, 아크릴 기판 또는 세라믹 기판 등을 들 수 있다. 특히, 투명 글래스 기판 또는 투명 아크릴 기판은 추후 형성되는 접촉체들(250) 사이에 시드 패턴들(235)이나 이물질의 잔류 여부를 용이하게 확인할 수 있다. 또한, 상기 기판(210)이 절연성이므로, 상기 기판(210) 상에 절연층을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 상기 프로브 제조 공정을 단순화할 수 있다.Referring to FIG. 5A, the seed layer 230 is formed on the substrate 210. According to an embodiment of the present invention, the substrate 210 may be an insulating substrate. Examples of the insulating substrate include a glass substrate, an acrylic substrate or a ceramic substrate. In particular, the transparent glass substrate or the transparent acrylic substrate may easily check whether the seed patterns 235 or the foreign matter remain between the contacts 250 formed later. In addition, since the substrate 210 is insulative, a process of forming an insulating layer on the substrate 210 may be omitted. Thus, the probe manufacturing process can be simplified.

상기 기판(210) 상에 직접 시드층(230)을 형성한다는 점을 제외하면, 도 5b 내지 도 5j에 도시된 프로브 제조 공정은 도 3b 내지 도 3j에 도시된 프로브 제조 공정과 실질적으로 동일하다.Except for forming the seed layer 230 directly on the substrate 210, the probe manufacturing process shown in Figures 5b to 5j is substantially the same as the probe manufacturing process shown in Figures 3b to 3j.

구체적으로, 도 5b를 참조하면, 상기 시드층(230) 상에 접촉부들이 형성될 영역을 정의하는 제1 개구들(242)을 갖는 제1 몰딩 패턴(240)을 형성한다. 도 5c를 참조하면, 전기 도금(electro plating)에 의해 상기 제1 몰딩 패턴(240)에 의해 노출된 상기 시드층(230) 상에 접촉체들(250)을 형성한다. 도 5d를 참조하면, 상기 제1 몰딩 패턴(240)을 제거한다. 도 5e를 참조하면, 상기 접촉체들(250)에 의해 노출된 시드층(230)을 제거하여 상기 접촉체들(250)의 하부에 시드 패턴들(235)을 형성한다. 도 5f를 참조하면, 상기 시드 패턴들(235) 및 상기 접촉체들(250)이 형성된 상기 기판(210) 상에 보강 부재가 형성될 영역을 정의하는 제2 개구(262)를 갖는 제2 몰딩 패턴(260)을 형성한다. 도 5g를 참조하면, 상기 제2 몰딩 패턴(260)의 제2 개구(262)를 절연 물질로 매립하여 보강 부재(270)를 형성한다. 도 5h를 참조하면, 상기 제2 몰딩 패턴(260)을 제거한다. 도 5i를 참조하면, 상기 기판(210)의 하부면에 상기 기판(210)의 하부면 양측을 노출시키는 마스크 패턴(280)을 형성한다. 도 5j를 참조하면, 상기 마스크 패턴(280)을 제거하여 프로브(200)를 완성한다.Specifically, referring to FIG. 5B, a first molding pattern 240 is formed on the seed layer 230 having first openings 242 defining a region in which contact portions are to be formed. Referring to FIG. 5C, the contacts 250 are formed on the seed layer 230 exposed by the first molding pattern 240 by electro plating. Referring to FIG. 5D, the first molding pattern 240 is removed. Referring to FIG. 5E, seed patterns 235 are formed under the contacts 250 by removing the seed layer 230 exposed by the contacts 250. Referring to FIG. 5F, a second molding having a second opening 262 defining a region in which the reinforcement member is to be formed on the substrate 210 on which the seed patterns 235 and the contacts 250 are formed. Pattern 260 is formed. Referring to FIG. 5G, the reinforcing member 270 is formed by filling the second opening 262 of the second molding pattern 260 with an insulating material. Referring to FIG. 5H, the second molding pattern 260 is removed. Referring to FIG. 5I, a mask pattern 280 is formed on the bottom surface of the substrate 210 to expose both sides of the bottom surface of the substrate 210. Referring to FIG. 5J, the mask pattern 280 is removed to complete the probe 200.

상기 프로브(200)의 제조 방법은 투명한 절연 기판을 상기 기판(210)으로 사용하므로, 절연층을 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 또한, 상기 기판(210)을 접촉체(250)들의 하부 보강 부재로 이용하므로, 상기 하부 보강 부재를 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 상기 프로브(200) 제조 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 상기 접촉체(250)들을 상기 기판(210) 상에 형성하므로, 상기 접촉체(250)들 의 위치를 용이하게 정렬할 수 있고, 에폭시 수지를 포함하는 보강 부재(270)의 경화 과정에서 상기 접촉체(250)들 사이의 간격이 줄어드는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 프로브(200)의 정밀도를 향상시킬 수 있다.Since the method of manufacturing the probe 200 uses a transparent insulating substrate as the substrate 210, the process of forming the insulating layer may be omitted. In addition, since the substrate 210 is used as the lower reinforcing members of the contacts 250, the process of forming the lower reinforcing members may be omitted. Therefore, the manufacturing process of the probe 200 can be simplified. In addition, since the contact members 250 are formed on the substrate 210, the contact members 250 may be easily aligned, and in the curing process of the reinforcing member 270 including an epoxy resin. The gap between the contacts 250 may be prevented from being reduced. Therefore, the accuracy of the probe 200 can be improved.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 프로브 및 프로브의 제조 방법은 기판을 프로브의 하부 보강 부재로 이용하므로, 상기 하부 보강 부재를 형성하는 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 상기 프로브 제조 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 접촉체들을 상기 기판 상에 형성하므로, 상기 접촉체들의 위치를 용이하게 정렬할 수 있고, 에폭시 수지를 포함하는 보강 부재의 경화 과정에서 상기 접촉체들 사이의 간격이 줄어드는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 프로브의 정밀도를 향상시킬 수 있다.As described above, the probe and the method of manufacturing the probe according to the embodiments of the present invention use a substrate as a lower reinforcing member of the probe, and thus the process of forming the lower reinforcing member may be omitted. Thus, the probe manufacturing process can be simplified. In addition, since the contacts are formed on the substrate, the positions of the contacts can be easily aligned, and a phenomenon in which the gap between the contacts is reduced during curing of the reinforcing member including the epoxy resin can be prevented. have. Therefore, the precision of the said probe can be improved.

투명 절연 기판을 상기 기판으로 사용하는 경우, 상기 하부 보강 부재를 형성하는 공정을 생략할 수 있을 뿐만 아니라 절연층을 형성하는 공정을 생략할 수 다. 따라서, 상기 프로브의 구조 및 상기 프로브 제조 공정을 단순화할 수 있다. 또한, 상기 기판이 투명하므로, 상기 접촉체들 사이에 시드 패턴의 잔류물이나 이물질의 존재 여부를 용이하게 확인할 수도 있다.When using a transparent insulating substrate as the substrate, not only the step of forming the lower reinforcing member can be omitted, but the step of forming the insulating layer can be omitted. Therefore, the structure of the probe and the manufacturing process of the probe can be simplified. In addition, since the substrate is transparent, it may be easy to check whether a residue of a seed pattern or a foreign material exists between the contacts.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (24)

평탄한 상부면을 갖는 기판; A substrate having a flat top surface ; 상기 기판의 상부면에 구비되는 절연층;An insulating layer provided on an upper surface of the substrate; 상기 절연층 상에 서로 이격되도록 구비되는 다수의 시드 패턴들;A plurality of seed patterns provided on the insulating layer to be spaced apart from each other; 상기 시드 패턴들 상에 각각 구비되며, 양단이 상기 기판으로부터 돌출되는 다수의 접촉체들; 및A plurality of contacts provided on the seed patterns, respectively, wherein both ends protrude from the substrate; And 상기 접촉체들의 양단을 노출하며 상기 접촉체들의 상부면과 측면 및 상기 시드 패턴들의 측면을 감싸도록 상기 절연층 상에 구비되는 보강 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브. And a reinforcing member disposed on the insulating layer to expose both ends of the contacts and surround the top and side surfaces of the contacts and the side surfaces of the seed patterns . 제1항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 프로브.The probe of claim 1 wherein said substrate is a semiconductor substrate. 제2항에 있어서, 상기 반도체 기판은 실리콘 기판, 게르마늄 기판 및 실리콘-게르마늄 기판으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 프로브.The probe of claim 2, wherein the semiconductor substrate is any one selected from the group consisting of a silicon substrate, a germanium substrate, and a silicon-germanium substrate. 제1항에 있어서, 상기 시드 패턴들은,The method of claim 1, wherein the seed patterns, 상기 절연층 상에 구비되며, 접착을 위한 제1 금속 패턴들; 및First metal patterns on the insulating layer and attached to each other; And 상기 제1 금속 패턴 상에 구비되며, 시드로 작용하는 제2 금속 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브.And a second metal pattern provided on the first metal pattern and serving as a seed. 제1항에 있어서, 상기 접촉체들은 동일한 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 프로브.The probe of claim 1 wherein said contacts have the same length. 제5항에 있어서, 상기 접촉체들은 동일한 길이만큼 돌출되는 것을 특징으로 하는 프로브.6. The probe of claim 5 wherein said contacts protrude the same length. 기판의 상부면에 절연층을 형성하는 단계;Forming an insulating layer on an upper surface of the substrate; 상기 절연층의 상부면에 시드층을 형성하는 단계;Forming a seed layer on an upper surface of the insulating layer; 상기 시드층의 상부면에 서로 이격되는 다수의 접촉체들을 형성하는 단계;Forming a plurality of contacts spaced apart from each other on an upper surface of the seed layer; 상기 접촉체들에 의해 노출된 상기 시드층을 제거하여 다수의 시드 패턴을 형성하는 단계;Removing the seed layer exposed by the contacts to form a plurality of seed patterns; 상기 접촉체들의 양단이 노출되도록 상기 절연층, 상기 시드 패턴들 및 상기 접촉체들의 상에 보강 부재를 형성하는 단계; 및Forming a reinforcing member on the insulating layer, the seed patterns and the contacts such that both ends of the contacts are exposed; And 상기 접촉체들의 양단이 돌출되도록 상기 기판, 상기 절연층 및 상기 시드 패턴들을 각각 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.Selectively removing the substrate, the insulating layer, and the seed patterns so that both ends of the contacts protrude. 제7항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.8. The method of claim 7, wherein said substrate is a semiconductor substrate. 제8항에 있어서, 상기 반도체 기판은 실리콘 기판, 게르마늄 기판 또는 실리콘-게르마늄 기판인 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.The method of claim 8, wherein the semiconductor substrate is a silicon substrate, a germanium substrate, or a silicon-germanium substrate. 제7항에 있어서, 상기 시드층을 형성하는 단계는,The method of claim 7, wherein forming the seed layer, 상기 절연층 상에 접착을 위한 제1 금속층을 형성하는 단계; 및Forming a first metal layer for adhesion on the insulating layer; And 상기 제1 금속층 상에 시드로 작용하는 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.And forming a second metal layer acting as a seed on the first metal layer. 제7항에 있어서, 상기 보강 부재를 형성하는 단계는The method of claim 7, wherein forming the reinforcing member 상기 절연층, 상기 시드 패턴들 및 상기 접촉체들 상에 상기 접촉체들의 중심 영역을 노출시키는 개구를 갖는 몰딩 패턴을 형성하는 단계;Forming a molding pattern on the insulating layer, the seed patterns and the contacts, the molding pattern having an opening that exposes a central region of the contacts; 상기 몰딩 패턴의 개구를 절연성 물질로 매립하는 단계; 및Filling the opening of the molding pattern with an insulating material; And 상기 몰딩 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.Probe manufacturing method comprising the step of removing the molding pattern. 제7항에 있어서, 상기 접촉체는 니켈(Ni) 또는 니켈 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법. 8. The method of claim 7, wherein said contact comprises nickel (Ni) or a nickel alloy. 제7항에 있어서, 상기 기판을 선택적으로 제거하는 단계는,The method of claim 7, wherein selectively removing the substrate, 상기 기판의 하부면에 상기 접촉체들이 연장되는 방향에 위치하는 상기 기판 하부면의 양측면을 노출시키는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a mask pattern on the lower surface of the substrate, the mask pattern exposing both side surfaces of the lower surface of the substrate positioned in a direction in which the contacts extend; And 상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판, 상기 절연층 및 상기 시드 패턴들을 순차적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.And sequentially etching the substrate, the insulating layer, and the seed patterns by using the mask pattern as an etch mask. 제13항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하기 전에 상기 기판의 두께를 감소시키는 단계를 더 포함하는 프로브 제조 방법.The method of claim 13, further comprising reducing the thickness of the substrate before forming the mask pattern. 제14항에 있어서, 상기 기판의 두께 감소는 상기 기판의 다이싱 또는 상기 기판의 연마에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.The method of claim 14, wherein the thickness reduction of the substrate is performed by dicing the substrate or polishing the substrate. 제13항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 불소 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.The method of claim 13, wherein the mask pattern comprises a fluororesin. 평탄한 상부면을 갖는 기판;A substrate having a flat top surface; 상기 기판 상에 서로 이격되도록 구비되는 다수의 시드 패턴들;A plurality of seed patterns provided on the substrate to be spaced apart from each other; 상기 시드 패턴들 상에 각각 구비되며, 양단이 상기 기판으로부터 돌출되는 다수의 접촉체들; 및A plurality of contacts provided on the seed patterns, respectively, wherein both ends protrude from the substrate; And 상기 접촉체들의 양단을 노출하며 상기 접촉체들의 상부면과 측면 및 상기 시드 패턴들의 측면을 감싸도록 상기 기판 상에 구비되는 보강 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브. And a reinforcing member disposed on the substrate to expose both ends of the contacts and to surround the top and side surfaces of the contacts and the side surfaces of the seed patterns . 제17항에 있어서, 상기 기판은 절연 기판인 것을 특징으로 하는 프로브.18. The probe of claim 17 wherein said substrate is an insulated substrate. 제18항에 있어서, 상기 절연 기판은 투명한 것을 특징으로 하는 프로브.19. The probe of claim 18 wherein said insulated substrate is transparent. 제18항에 있어서, 상기 절연 기판은 글래스 기판, 아크릴 기판 및 세라믹 기판으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 프로브.The probe of claim 18, wherein the insulating substrate is any one selected from the group consisting of a glass substrate, an acrylic substrate, and a ceramic substrate. 기판의 상부면에 시드층을 형성하는 단계;Forming a seed layer on the top surface of the substrate; 상기 시드층의 상부면에 서로 이격되는 다수의 접촉체들을 형성하는 단계;Forming a plurality of contacts spaced apart from each other on an upper surface of the seed layer; 상기 접촉체들에 의해 노출된 상기 시드층을 제거하여 다수의 시드 패턴을 형성하는 단계;Removing the seed layer exposed by the contacts to form a plurality of seed patterns; 상기 접촉체들의 양단이 노출되도록 상기 기판, 상기 시드 패턴들 및 상기 접촉체들의 상에 보강 부재를 형성하는 단계; 및Forming a reinforcement member on the substrate, the seed patterns and the contacts so that both ends of the contacts are exposed; And 상기 접촉체들의 양단이 돌출되도록 상기 기판 및 상기 시드 패턴들을 각각 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.Selectively removing each of the substrate and the seed patterns such that both ends of the contacts protrude. 제21항에 있어서, 상기 기판은 절연 기판인 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.The method of claim 21, wherein the substrate is an insulated substrate. 제22항에 있어서, 상기 절연 기판은 투명한 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.23. The method of claim 22, wherein said insulating substrate is transparent. 제22항에 있어서, 상기 절연 기판은 글래스 기판, 아크릴 기판 및 세라믹 기판으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 프로브 제조 방법.The method of claim 22, wherein the insulating substrate is any one selected from the group consisting of a glass substrate, an acrylic substrate, and a ceramic substrate.
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