JP2008128882A - Contact probe and manufacturing method therefor - Google Patents

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JP2008128882A JP2006315551A JP2006315551A JP2008128882A JP 2008128882 A JP2008128882 A JP 2008128882A JP 2006315551 A JP2006315551 A JP 2006315551A JP 2006315551 A JP2006315551 A JP 2006315551A JP 2008128882 A JP2008128882 A JP 2008128882A
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Kazunori Kawase
和典 川瀬
Yoshihiro Hirata
嘉裕 平田
Koji Nitta
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact probe of a multilayer structure that moves smoothly during inspection and which is less apt to cause displacement with respect to electrode. <P>SOLUTION: The contact probe includes a tip part brought into contact with a surface to be measured; a spring part connected to the tip part; and a support part connected to the spring part and supporting the tip part and the spring part. The tip part, the spring part, and the support part are constituted so that when the support part is fixed and the tip part is pressed against the surface to be measured; the tip part is elastically deformed by the spring part while abutting against the surface to be measured; and the tip part includes a part, comprising a multilayer structure in which a plurality of plate-like bodies are laminated, wherein the plurality of laminated plate-like bodies are aligned in the direction of pressing against the surface to be measured. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ICチップまたは液晶デバイスなどの電子部品の電極に接触させて、電気的な検査を行なうために使用するコンタクトプローブおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a contact probe used for electrical inspection by contacting an electrode of an electronic component such as a semiconductor IC chip or a liquid crystal device, and a manufacturing method thereof.

ICおよびLSIが高密度で実装された電子部品の電気的な検査をするために、多数のコンタクトプローブを配置したプローブカードが使用される。図6に、従来のカンチレバー型コンタクトプローブの基本構造を示す。図6(a)は、側面図であり、図6(b)は、平面図である。コンタクトプローブは、図6に示すように、先端部61と、バネ部62と、支持部63と、配線部64を有し、支持部63によりプローブカードに保持される。検査に際しては、コンタクトプローブの先端部61を電子部品の電極に押し付けて、電子部品から各種のデータを収集する。コンタクトプローブの先端部61は尖っており、電極の表面に形成された酸化被膜を破り、電気的な導通が得られる。また、検査対象である電子部品の反りおよび電極の高さのばらつきを吸収し、電極との確実な接触を得るため、バネ構造を有する。   In order to electrically inspect electronic components on which IC and LSI are mounted at high density, a probe card having a large number of contact probes is used. FIG. 6 shows a basic structure of a conventional cantilever type contact probe. FIG. 6A is a side view, and FIG. 6B is a plan view. As shown in FIG. 6, the contact probe has a tip portion 61, a spring portion 62, a support portion 63, and a wiring portion 64, and is held on the probe card by the support portion 63. In the inspection, the tip 61 of the contact probe is pressed against the electrode of the electronic component, and various data are collected from the electronic component. The tip 61 of the contact probe is sharp, breaks the oxide film formed on the surface of the electrode, and provides electrical conduction. Moreover, in order to absorb the curvature of the electronic component which is a test object, and the dispersion | variation in the height of an electrode, and to obtain a reliable contact with an electrode, it has a spring structure.

カンチレバー型コンタクトプローブを取付けるプローブカードの基本構造を図7に例示する。図7(a)は、斜視図であり、VIIB−VIIBで切断した断面図が図7(b)である。図7(a)に示すように、プローブカードの上表面には、多数の配線などが半径方向に配列している。図7(a)には、その一部を示す。また、図7(b)に示すように、プローブカード70は、円板状の基板72と、基板72に組み込まれた針押え部74と、針押え部74に片持ち梁状に支持される複数のカンチレバー型コンタクトプローブ76とからなる。したがって、カンチレバー型コンタクトプローブは、バネ部が基板72に沿って横長に配置するため、プローブ同士が干渉しやすく、集積化が容易ではない。   The basic structure of a probe card for mounting a cantilever contact probe is illustrated in FIG. FIG. 7A is a perspective view, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along VIIB-VIIB. As shown in FIG. 7A, a large number of wirings are arranged in the radial direction on the upper surface of the probe card. FIG. 7A shows a part thereof. Further, as shown in FIG. 7B, the probe card 70 is supported in a cantilevered manner by the disc-shaped substrate 72, the needle pressing portion 74 incorporated in the substrate 72, and the needle pressing portion 74. It consists of a plurality of cantilever contact probes 76. Therefore, since the spring part of the cantilever-type contact probe is disposed horizontally along the substrate 72, the probes easily interfere with each other and are not easily integrated.

今日、ICおよびLSIの高集積化が進行し、被検査対象である電極の配置密度が高くなるにつれて、コンタクトプローブの集積化および微細化が要求され、そのような情勢下、垂直型コンタクトプローブが開発されている。従来の垂直型コンタクトプローブとその実装状態を図5に例示する(特許文献1参照)。図5(a)は被検査対象である電極に接触するプランジャー51を示し、図5(b)はバネ52を示す。また、図5(c)はプランジャー51とバネ52とからなる垂直型コンタクトプローブを実装している状態を示す。図5(c)に示すように、多数の貫通孔53を形成した絶縁性のピン保持基板56に、配線57aを施した底蓋57を固着し、貫通孔53内にプランジャー51とバネ52を挿入した後、貫通孔53より少し小さめの孔を開けた上蓋55を接合する。この垂直型コンタクトプローブは、ピッチ80μm程度の集積化が可能であると紹介されているが、プランジャー(接触部分)51とバネ(弾性部分)52を別々に製造し、実装するため、コンタクトプローブ全体を一体成形する場合に比べて、部品コストおよび組み立てコストが高く、微細化も容易ではない。   Today, as the integration of ICs and LSIs progresses and the arrangement density of electrodes to be inspected increases, integration and miniaturization of contact probes are required. Under such circumstances, vertical contact probes are Has been developed. A conventional vertical contact probe and its mounting state are illustrated in FIG. 5 (see Patent Document 1). FIG. 5A shows the plunger 51 in contact with the electrode to be inspected, and FIG. 5B shows the spring 52. FIG. 5C shows a state where a vertical contact probe composed of a plunger 51 and a spring 52 is mounted. As shown in FIG. 5C, a bottom cover 57 provided with wiring 57 a is fixed to an insulating pin holding substrate 56 in which a large number of through holes 53 are formed, and a plunger 51 and a spring 52 are placed in the through holes 53. Then, the upper lid 55 having a hole slightly smaller than the through hole 53 is joined. This vertical contact probe has been introduced as being capable of integration with a pitch of about 80 μm. However, since the plunger (contact portion) 51 and the spring (elastic portion) 52 are separately manufactured and mounted, the contact probe Compared with the case where the whole is integrally molded, the component cost and the assembly cost are high, and miniaturization is not easy.

微細なコンタクトプローブを一体成形する従来の製造方法として、リソグラフィと電鋳を組合わせた、図4に示すような方法が実用化している(特許文献2と3参照)。まず、図4(a)に示すように、ステンレス製基板などの導電性基板41上に、ポリメタクリル酸メチルなどのレジスト42を形成する。つぎに、レジスト42上にマスク43を配置し、マスク43を介してUVまたはX線44などを照射する。マスク43は、コンタクトプローブの形状に応じて形成したUVまたはX線44などの吸収層43aと、透光性基材43bとからなるため、X線44などを照射すると、吸収層43aによりレジスト42のうちレジスト42aのみ露光される。このため、ポジ型レジストの場合、露光により変質(分子鎖が切断)した42aのみが現像で除去され、図4(b)に示すような樹脂型42bが得られる。   As a conventional manufacturing method for integrally forming a fine contact probe, a method as shown in FIG. 4 combining lithography and electroforming has been put into practical use (see Patent Documents 2 and 3). First, as shown in FIG. 4A, a resist 42 such as polymethyl methacrylate is formed on a conductive substrate 41 such as a stainless steel substrate. Next, a mask 43 is disposed on the resist 42, and UV or X-ray 44 is irradiated through the mask 43. The mask 43 is composed of an absorbing layer 43a such as UV or X-ray 44 formed according to the shape of the contact probe and a translucent base material 43b. Therefore, when the X-ray 44 is irradiated, the resist 42 is formed by the absorbing layer 43a. Of these, only the resist 42a is exposed. For this reason, in the case of a positive resist, only 42a that has been altered by exposure (molecular chain is cut) is removed by development, and a resin mold 42b as shown in FIG. 4B is obtained.

つぎに、電鋳を行ない、図4(c)に示すように、樹脂型42bに金属材料層45aを堆積する。電鋳とは、金属イオン溶液を用いて導電性基板上に金属材料層を形成することをいう。導電性基板41をめっき電極として電鋳を行なうことにより、樹脂型42bに金属材料層45aを堆積することができる。電鋳後、研磨または研削により所定の厚さに揃えると、図4(d)に示すような金属構造体45が得られる。その後、図4(e)に示すように、エッチングなどにより樹脂型を除去する。つづいて、ウェットエッチングなどにより導電性基板41を除去すると、図4(f)に示すような微細金属構造体45からなるコンタクトプローブが得られる。しかし、この方法により得られるコンタクトプローブは、単層構造であり、先端部とバネ部と支持部の厚さが同一となるため、被検査電極の割れを抑えるために電極への押し付け圧を低くしつつ、電極表面の酸化被膜を破り、電気的導通を得るために、先端部における電極との当接部を研磨などの別工程により尖らせる必要がある。
特開2001−21583号公報 特開2001−254193号公報 特開2001−316862号公報
Next, electroforming is performed, and a metal material layer 45a is deposited on the resin mold 42b as shown in FIG. 4 (c). Electroforming refers to forming a metal material layer on a conductive substrate using a metal ion solution. By performing electroforming using the conductive substrate 41 as a plating electrode, the metal material layer 45a can be deposited on the resin mold 42b. After electroforming, when a predetermined thickness is obtained by polishing or grinding, a metal structure 45 as shown in FIG. 4D is obtained. Thereafter, as shown in FIG. 4E, the resin mold is removed by etching or the like. Subsequently, when the conductive substrate 41 is removed by wet etching or the like, a contact probe made of a fine metal structure 45 as shown in FIG. However, the contact probe obtained by this method has a single-layer structure, and the tip part, the spring part, and the support part have the same thickness. Therefore, in order to suppress cracking of the electrode to be inspected, the pressure applied to the electrode is lowered. However, in order to break the oxide film on the electrode surface and obtain electrical conduction, it is necessary to sharpen the contact portion of the tip portion with the electrode by another process such as polishing.
JP 2001-21583 A JP 2001-254193 A JP 2001-316862 A

本発明の課題は、被検査対象である電極に接触する先端部が、別途、先端加工を施すことなく、薄く鋭利な形状を有するコンタクトプローブを提供することにある。また、検査時にスムーズに動き、電極に対するズレが生じにくい多層構造のコンタクトプローブの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a contact probe having a thin and sharp shape in which a tip portion contacting an electrode to be inspected is not subjected to tip processing separately. It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a multi-layer contact probe that moves smoothly during inspection and is less likely to be displaced from an electrode.

本発明のコンタクトプローブは、被測定面に接触する先端部と、先端部に接続するバネ部と、バネ部に接続して先端部とバネ部を支持する支持部とを備え、先端部とバネ部と支持部とは、支持部を固定して先端部を被測定面に押し当てると、先端部が被測定面に当接したままバネ部により弾性変形するように構成され、先端部は、複数の板状体を積層した多層構造体からなる部分を有し、積層した複数の板状体が、被測定面に押し当てる方向に沿って配向する。   The contact probe of the present invention includes a tip portion that contacts the surface to be measured, a spring portion that is connected to the tip portion, and a support portion that is connected to the spring portion and supports the tip portion and the spring portion. The portion and the support portion are configured such that when the support portion is fixed and the tip portion is pressed against the surface to be measured, the tip portion is elastically deformed by the spring portion while being in contact with the surface to be measured. It has the part which consists of a multilayer structure which laminated | stacked the several plate-shaped object, and the several laminated | stacked plate-shaped body orients along the direction pressed against a to-be-measured surface.

多層構造体は、中心部に積層した板状体の幅w1に比べて、周辺部に積層した板状体の幅w2が狭い態様が好ましい。また、先端部は、さらにその先端において被測定面に直接接触する当接部を有し、当接部が単層の板状構造体からなる態様が好ましい。さらに、先端部とバネ部と支持部とが直線状に配置した垂直型プローブにおいて特に本発明は有効である。 The multilayer structure preferably has an aspect in which the width w 2 of the plate-like body laminated at the peripheral portion is narrower than the width w 1 of the plate-like body laminated at the central portion. Further, it is preferable that the distal end portion further has an abutting portion that directly contacts the surface to be measured at the distal end, and the abutting portion is formed of a single layer plate-like structure. Furthermore, the present invention is particularly effective in a vertical probe in which a tip portion, a spring portion, and a support portion are linearly arranged.

本発明のコンタクトプローブの製造方法は、上述したコンタクトプローブの製造方法であって、リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、導電性基板上で、樹脂型に金属材料層を電鋳により形成する工程と、研磨または研削により平坦化する工程とを備える第1層目の板状体を形成した後、第1層目の板状体上に、リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料層を電鋳により形成する工程と、研磨または研削により平坦化する工程とを備える板状体形成工程を1回実施し、または複数回繰返して実施し、第1層目の板状体上に2層目以降の板状体を積層する工程と、樹脂型を除去する工程と、導電性基板を除去する工程とを備えることを特徴とする。   The contact probe manufacturing method of the present invention is the above-described contact probe manufacturing method, a step of forming a resin mold by lithography, and a step of forming a metal material layer on the resin mold by electroforming on a conductive substrate. And a step of flattening by polishing or grinding, a step of forming a resin mold by lithography on the plate layer of the first layer, and a step of forming a resin mold A plate-shaped body of the first layer is formed by performing a plate-like body forming step including a step of forming a metal material layer by electroforming and a step of flattening by polishing or grinding once or repeatedly. It is characterized by comprising a step of laminating a plate-like body of the second and subsequent layers thereon, a step of removing the resin mold, and a step of removing the conductive substrate.

本製造方法において、導電性基板は、TiまたはCuまたはAl製のコート層を有する金属製の基板が好適である。かかる導電性基板を使用して、コート層をエッチングすることにより基板を除去する態様、またはコート層を境にして機械的に引き剥がすことにより基板を除去する態様が好ましい。   In this manufacturing method, the conductive substrate is preferably a metal substrate having a coating layer made of Ti, Cu, or Al. An embodiment in which such a conductive substrate is used to remove the substrate by etching the coat layer, or an embodiment in which the substrate is removed by mechanically peeling off the coat layer as a boundary is preferable.

先端加工を別途施すことなく、薄く鋭利な先端部を有するコンタクトプローブを提供することができる。また、検査時にスムーズに動き、電極に対するズレが生じにくいコンタクトプローブを提供することができる。   A contact probe having a thin and sharp tip can be provided without subjecting the tip to processing separately. In addition, it is possible to provide a contact probe that moves smoothly during inspection and is less likely to be displaced from the electrode.

(コンタクトプローブ)
本発明のコンタクトプローブの斜視図を図1に例示する。図1に示すように、本発明のコンタクトプローブは、被測定面に接触する先端部1と、先端部1に接続するバネ部2と、バネ部2に接続して先端部1とバネ部2を支持する支持部3とを備え、先端部1とバネ部2と支持部3とは、支持部3を固定して先端部1を被測定面に押し当てると、先端部1が被測定面に当接したままバネ部2により弾性変形する。先端部1は、複数の板状体1a,1b,1cを積層した多層構造体からなる部分を有し、積層した複数の板状体が、被測定面に押し当てる方向(図1における矢印の方向)に沿って配向していることを特徴とする。図1には、先端部1とバネ部2と支持部3とが直線状に配置する垂直型コンタクトプローブを例示する。
(Contact probe)
A perspective view of a contact probe of the present invention is illustrated in FIG. As shown in FIG. 1, the contact probe of the present invention includes a tip 1 that contacts the surface to be measured, a spring 2 connected to the tip 1, and a tip 1 and a spring 2 connected to the spring 2. The tip 1, the spring 2, and the support 3 fix the support 3 and press the tip 1 against the surface to be measured. The spring portion 2 is elastically deformed while being in contact with the spring. The tip portion 1 has a portion made of a multilayer structure in which a plurality of plate-like bodies 1a, 1b, and 1c are laminated, and the direction in which the plurality of laminated plate-like bodies press against the measurement surface (indicated by arrows in FIG. 1). Direction). FIG. 1 illustrates a vertical contact probe in which a tip portion 1, a spring portion 2, and a support portion 3 are arranged in a straight line.

垂直型コンタクトプローブを実装するプローブカードの断面図を図2に例示する。図2に示すように、プローブカードの絶縁基板21には、被検査対象である回路24における電極25の配列ピッチに合わせて、複数のガイド孔22が形成され、各ガイド孔22にコンタクトプローブ20が挿入される。コンタクトプローブ20の先端部20aは、絶縁基板21における被検査基板24に対向する側の面から突出している。絶縁基板21における被検査基板24と反対側の面には、リード線としてフレキシブルプリント回路(flexible print circuit:FPC)23などを配設し、コンタクトプローブ20の支持部20bと接続し、層26により固定する。本発明は、垂直型コンタクトプローブに適用することができ、垂直型コンタクトプローブは、プローブカードの基板に対して、縦長で直線状に配置し、また、ガイド孔に挿入することにより実装するため、カンチレバー型コンタクトプローブに比べて、高密度実装が容易である。また、垂直型コンタクトプローブは、耐高周波性が大きく、針立てレイアウトの自由度が高い点でも有利である。   A cross-sectional view of a probe card for mounting a vertical contact probe is illustrated in FIG. As shown in FIG. 2, a plurality of guide holes 22 are formed in the insulating substrate 21 of the probe card in accordance with the arrangement pitch of the electrodes 25 in the circuit 24 to be inspected, and the contact probe 20 is formed in each guide hole 22. Is inserted. The tip 20 a of the contact probe 20 protrudes from the surface of the insulating substrate 21 that faces the substrate to be inspected 24. A flexible printed circuit (FPC) 23 or the like is disposed as a lead wire on the surface of the insulating substrate 21 opposite to the substrate to be inspected 24, and is connected to the support portion 20 b of the contact probe 20. Fix it. The present invention can be applied to a vertical contact probe, and the vertical contact probe is mounted on the probe card substrate by placing it vertically and linearly and inserting it into a guide hole. Compared with cantilever contact probes, high-density mounting is easy. In addition, the vertical contact probe is advantageous in that it has high resistance to high frequencies and a high degree of freedom in the needle stand layout.

図2(a)において、IIB−IIBで先端部20aを切断したときの、1個の先端部の断面図を図2(b)に示す。本発明のコンタクトプローブの先端部は、多層構造であるため、図2(b)に示すような3段構造の場合、ガイド孔の内壁22aとの接点が8個ある。これに対して、図2(c)に示す単層構造の場合、ガイド孔の内壁22aとの接点は4個しかない。したがって、本発明のコンタクトプローブでは、ガイド孔の内壁との接点数が多いため、被検査対象である電極に先端部を押し当てたとき、先端部がガイド孔内をスムーズに摺動することができる。また、ガイド孔の内壁との接点数が多いため、先端部の太さに比べてガイド孔の直径が大きい場合でも、電極との接触時においてコンタクトプローブのズレが生じにくい。このような観点から、図2(b)に示すように、先端部における多層構造は、中心部に積層した板状体の幅w1に比べて、周辺部に積層した板状体の幅w2が狭い態様が好ましい。 FIG. 2B shows a cross-sectional view of one tip when the tip 20a is cut by IIB-IIB in FIG. Since the tip of the contact probe of the present invention has a multilayer structure, in the case of a three-stage structure as shown in FIG. 2B, there are eight contacts with the inner wall 22a of the guide hole. On the other hand, in the case of the single layer structure shown in FIG. 2C, there are only four contacts with the inner wall 22a of the guide hole. Therefore, since the contact probe of the present invention has a large number of contacts with the inner wall of the guide hole, when the tip is pressed against the electrode to be inspected, the tip can slide smoothly in the guide hole. it can. Further, since the number of contacts with the inner wall of the guide hole is large, even when the diameter of the guide hole is larger than the thickness of the tip portion, the contact probe is hardly displaced at the time of contact with the electrode. From this point of view, as shown in FIG. 2 (b), the multilayer structure at the tip has a width w 1 of the plate-like body laminated at the peripheral portion as compared with the width w 1 of the plate-like body laminated at the central portion. A mode in which 2 is narrow is preferred.

単層構造のコンタクトプローブをリソグラフィと電鋳により形成すると、前述のとおり、先端部とバネ部と支持部の厚さが同一となる。したがって、被検査電極の割れを抑えるために電極への押し付け圧を低くしつつ、電極表面の酸化被膜を破り、電気的導通を得るために、先端部における電極との当接部を、研磨などの別工程により尖らせる必要がある。本発明のコンタクトプローブの先端部は、多層構造体からなる部分を有するが、先端部のさらにその先端において被測定面に直接接触する当接部を単層の板状構造とすることにより、研磨などの別工程によることなく、薄く、鋭利な形状とすることができる点で有用である。   When a contact probe having a single layer structure is formed by lithography and electroforming, the tip portion, the spring portion, and the support portion have the same thickness as described above. Therefore, in order to break the oxide film on the electrode surface and obtain electrical continuity while reducing the pressing pressure to the electrode in order to suppress cracking of the electrode to be inspected, the contact portion with the electrode at the tip portion is polished, etc. It is necessary to sharpen by another process. The tip of the contact probe of the present invention has a portion made of a multilayer structure, and polishing is achieved by making the contact portion that directly contacts the surface to be measured at the tip of the tip into a single-layer plate structure. It is useful in that it can be formed into a thin and sharp shape without using another process such as.

(コンタクトプローブの製造方法)
本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前述のコンタクトプローブを製造する方法であって、リソグラフィと電鋳により第1層目の板状体を形成した後、同様にリソグラフィと電鋳により、第1層目の板状体上に、1層または2層以上の板状体を積層し、その後、樹脂型と導電性基板を除去する方法である。かかる方法により、多層構造のコンタクトプローブを容易に製造することができ、先端部とバネ部と支持部との間で板状体の積層数を変更することができる。このため、たとえば、先端部における当接部だけを薄く鋭利な単層構造とし、バネ部と支持部では板状体の積層数を増やし、弾性力と機械的強度を高めることができる。
(Contact probe manufacturing method)
The contact probe manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing the above-described contact probe. After the first layer plate is formed by lithography and electroforming, the first method is similarly performed by lithography and electroforming. This is a method of laminating one or two or more layers on a layered plate, and then removing the resin mold and the conductive substrate. By this method, a contact probe having a multilayer structure can be easily manufactured, and the number of stacked plate-like bodies can be changed among the tip portion, the spring portion, and the support portion. For this reason, for example, only the contact portion at the tip portion has a thin and sharp single-layer structure, and the number of stacked plate-like bodies can be increased in the spring portion and the support portion, so that the elastic force and the mechanical strength can be increased.

さらに、リソグラフィと電鋳により製造するため、当接部を自在に成形でき、アセンブリの容易な形状のコンタクトプローブを提供することができる。一方、先端部とバネ部と支持部を±1μmの高精度で一体成形できるから、部品点数を減らし、部品コストと組み立てコストを低減することが可能である。また、本発明のコンタクトプローブは、複数の板状体を積層した多層構造体からなる部分を有し、積層した板状体が、被測定面に押し当てる方向に沿って配向しているため、リソグラフィと電鋳により容易に製造することができる。   Furthermore, since it is manufactured by lithography and electroforming, the contact portion can be freely formed, and a contact probe with an easy assembly shape can be provided. On the other hand, the tip portion, the spring portion, and the support portion can be integrally formed with high accuracy of ± 1 μm, so that the number of components can be reduced, and the component cost and assembly cost can be reduced. Further, the contact probe of the present invention has a portion composed of a multilayer structure in which a plurality of plate-like bodies are laminated, and the laminated plate-like bodies are oriented along the direction of pressing against the surface to be measured. It can be easily manufactured by lithography and electroforming.

本発明のコンタクトプローブの製造方法を図3に例示する。まず、第1層目の板状体を形成する。第1層目の板状体の形成方法は、リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、導電性基板上で、樹脂型に金属材料層を電鋳により形成する工程と、研磨または研削により平坦化する工程とを備える。リソグラフィにより樹脂型を形成する工程は、図3(a)に示すように、導電性基板36上にレジスト33を形成する。導電性基板として、たとえば、Cu、Ni、ステンレス鋼などからなる金属製基板を使用することができる。また、Ti、Crなどの金属をスパッタリングしたSi基板などを用いることもできる。レジストには、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)などのポリメタクリル酸エステルを主成分とする樹脂、または紫外線(UV)もしくはX線に感受性を有する化学増幅型樹脂などを用いる。レジストの厚さは、形成しようとする構造体の大きさに合せて任意に設定することができ、たとえば、40μm〜500μmとする。   A method for manufacturing the contact probe of the present invention is illustrated in FIG. First, a first layer plate-like body is formed. The method for forming the first layer plate-shaped body includes a step of forming a resin mold by lithography, a step of forming a metal material layer on the resin mold by electroforming on a conductive substrate, and flattening by polishing or grinding And a step of performing. In the step of forming a resin mold by lithography, a resist 33 is formed on a conductive substrate 36 as shown in FIG. For example, a metal substrate made of Cu, Ni, stainless steel, or the like can be used as the conductive substrate. Alternatively, a Si substrate on which a metal such as Ti or Cr is sputtered can be used. As the resist, a resin mainly composed of polymethacrylate such as polymethyl methacrylate (PMMA) or a chemically amplified resin sensitive to ultraviolet rays (UV) or X-rays is used. The thickness of the resist can be arbitrarily set according to the size of the structure to be formed, and is, for example, 40 μm to 500 μm.

つぎに、レジスト33上にマスク34を配置し、マスク34を介してUVまたはX線35などを照射する。厚さが100μmを超え、高いアスペクト比を有する構造体が必要な場合、または±2μm程度の高精度の構造体が必要な場合は、UV(波長200nm)より短波長であるX線(波長0.4nm)を使用するのが好ましい。また、X線の中でも指向性の高いシンクロトロン放射のX線(以下、「SR」という。)を使用する態様がより好ましい。SRを用いるLIGA法は、ディープなリソグラフィが可能であり、厚さ数100μmの構造体をミクロンオーダの高精度で大量に製造することができる。一方、UVを用いると、コスト面でメリットを追求することができる。   Next, a mask 34 is placed on the resist 33, and UV or X-rays 35 are irradiated through the mask 34. When a structure having a thickness exceeding 100 μm and having a high aspect ratio is required, or when a highly accurate structure of about ± 2 μm is required, X-rays having a wavelength shorter than UV (wavelength: 200 nm) (wavelength: 0 .4 nm) is preferred. Further, it is more preferable to use synchrotron radiation X-ray (hereinafter referred to as “SR”) having high directivity among X-rays. The LIGA method using SR enables deep lithography, and can produce a large number of structures having a thickness of several hundreds of micrometers with high accuracy on the order of microns. On the other hand, when UV is used, a merit can be pursued in terms of cost.

マスク34は、製造する構造体の形状に応じて形成した、UVまたはX線35などの吸収層34aと、透光性基材34bとからなる。透光性基材34bには、X線用マスクでは、窒化シリコン、シリコン、ダイヤモンド、チタンなどを用い、UV用マスクでは、石英ガラスなどを用いる。また、吸収層34aには、X線用マスクの場合は、金、タングステン、タンタルなどの重金属またはその化合物などを用い、UV用マスクの場合は、クロムなどを用いる。ポジレジストを使用する場合、X線35またはUVを照射すると、吸収層34aによりレジスト33のうちレジスト33aのみが露光して変質するため、現像によりレジスト33aが除去され、図3(b)に示すように、樹脂型33bが得られる。一方、ネガ型レジストを使用する場合は、逆に露光部が残り、非露光部が除去されるので、ポジ型レジストの場合とは逆のマスクパターンを使用する。   The mask 34 includes an absorption layer 34a such as UV or X-ray 35 formed according to the shape of the structure to be manufactured, and a translucent substrate 34b. As the translucent substrate 34b, silicon nitride, silicon, diamond, titanium, or the like is used for the X-ray mask, and quartz glass or the like is used for the UV mask. In the case of an X-ray mask, the absorbing layer 34a is made of heavy metal such as gold, tungsten, or tantalum or a compound thereof, and in the case of a UV mask, chromium or the like is used. In the case of using a positive resist, when the X-ray 35 or UV is irradiated, only the resist 33a of the resist 33 is exposed and deteriorated by the absorbing layer 34a, so that the resist 33a is removed by development, as shown in FIG. Thus, the resin mold 33b is obtained. On the other hand, when a negative resist is used, the exposed portion remains and the non-exposed portion is removed. Therefore, a mask pattern opposite to that of the positive resist is used.

つぎに、図3(c)に示すように、導電性基板36上で、樹脂型33bに金属材料層31aを電鋳により形成し、研磨または研削により平坦化し、たとえば、30μm〜200μmの厚さの板状体に調製する。金属材料層の材質は、製造するコンタクトプローブに高い靭性および硬度が要求される場合には、NiまたはNi系合金が好ましく、NiまたはNi系合金は、LIGA法による製造に適している点でも好ましい。Ni系合金としては、NiMn,NiFe,NiCo,NiW,NiPdが好ましく、Ni系合金の中でも、製造するコンタクトプローブに高い耐熱性が要求される場合には、Ni−Mnが好適であり、Mnの含有量は3質量%以下がより好ましい。一方、電気的な特性が求められる場合には、CuまたはCu系合金が好ましく、CuおよびCu系合金もLIGA法による製造に適している。Cu系合金としては、Cu−SnまたはCu−Znなどがある。なお、本明細書において、M系合金とは、金属元素Mを40質量%以上含有する合金をいう。先端部のうち、被測定面に直接接触する当接部は、導電性に優れ、接触抵抗が小さく、摩耗しにくく、さらに、硬度と融点が高い点で、Pt、Ir、Ni−Pd、Pd−CoまたはRhが好適である。   Next, as shown in FIG. 3C, on the conductive substrate 36, a metal material layer 31a is formed on the resin mold 33b by electroforming, and is flattened by polishing or grinding, for example, a thickness of 30 μm to 200 μm. To a plate-like body. The material of the metal material layer is preferably Ni or Ni-based alloy when the contact probe to be manufactured requires high toughness and hardness, and Ni or Ni-based alloy is also preferable in that it is suitable for manufacturing by the LIGA method. . As the Ni-based alloy, NiMn, NiFe, NiCo, NiW, and NiPd are preferable. Among Ni-based alloys, Ni-Mn is preferable when the contact probe to be manufactured requires high heat resistance. The content is more preferably 3% by mass or less. On the other hand, when electrical characteristics are required, Cu or a Cu-based alloy is preferable, and Cu and a Cu-based alloy are also suitable for production by the LIGA method. Examples of the Cu-based alloy include Cu—Sn and Cu—Zn. In the present specification, the M-based alloy refers to an alloy containing 40% by mass or more of the metal element M. Of the tip, the contact portion that directly contacts the surface to be measured is excellent in electrical conductivity, has low contact resistance, is not easily worn, and has high hardness and melting point, Pt, Ir, Ni-Pd, Pd -Co or Rh is preferred.

このようにして、第1層目の板状体を形成した後、第1層目の板状体の上に、第2層目以降の板状体を積層する。第2層目以降の板状体の形成方法は、リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料層を電鋳により形成する工程と、研磨または研削により平坦化する工程とを備え、製造するコンタクトプローブにより、2層目以降の板状体形成工程を1回だけ実施して2層構造体を得、また複数回繰返して実施し、3層以上の構造体を得ることができる。   In this way, after the first layer plate is formed, the second and subsequent plate members are laminated on the first layer plate. A method for forming a plate-like body after the second layer includes a step of forming a resin mold by lithography, a step of forming a metal material layer on the resin die by electroforming, and a step of flattening by polishing or grinding. By the contact probe to be manufactured, the plate-like body forming process for the second and subsequent layers is performed only once to obtain a two-layer structure, and it is repeated a plurality of times to obtain a structure having three or more layers. .

図3(h)に示すように、金属材料層31aよりも幅の広い金属材料層31bを形成するときは、樹脂型33bを保護するために、マスク層37を形成する(図3(d))。マスク層37には、Al,SiO2などが好ましく、厚さは0.05μm〜0.3μmが好ましい。その後、図3(a)と同様に、レジストを形成した後、リソグラフィによりUVなどを照射し(図3(e))、現像して樹脂型33cを形成する(図3(f))。その後、図3(g)に示すように、樹脂型33cの空孔内にあるマスク層37aをエッチングにより除去する。マスク層37aのエッチングは、Cl2,CF4,F2などを用いた、RIE(Reactive Ion Etching)またはECR(Electron Cyclotron Reasonance)励起により発生したプラズマにより行なうことができる。図3(f)に示すように、マスク層上には樹脂型33cが形成されているから、RIEなどのエッチングに際して、樹脂型33cがマスクとして機能し、マスク層37aが選択的にエッチングされる(図3(g))。 As shown in FIG. 3 (h), when forming a metal material layer 31b wider than the metal material layer 31a, a mask layer 37 is formed to protect the resin mold 33b (FIG. 3 (d)). ). The mask layer 37 is preferably made of Al, SiO 2 or the like, and the thickness is preferably 0.05 μm to 0.3 μm. Thereafter, as in FIG. 3A, after forming a resist, irradiation with UV or the like is performed by lithography (FIG. 3E), and development is performed to form a resin mold 33c (FIG. 3F). Thereafter, as shown in FIG. 3G, the mask layer 37a in the pores of the resin mold 33c is removed by etching. The mask layer 37a can be etched by plasma generated by RIE (Reactive Ion Etching) or ECR (Electron Cyclotron Reasonance) excitation using Cl 2 , CF 4 , F 2 or the like. As shown in FIG. 3 (f), since the resin mold 33c is formed on the mask layer, the resin mold 33c functions as a mask and the mask layer 37a is selectively etched during etching such as RIE. (FIG. 3 (g)).

つぎに、図3(h)に示すように、金属材料層31a上で、樹脂型33cに金属材料層31bを電鋳により形成し、研磨または研削により平坦化する。2層構造のコンタクトプローブが必要なときは、その後、ウェットエッチングまたはプラズマエッチングにより樹脂型33b,33cとマスク層37bを除去し、酸もしくはアルカリを用いたウェットエッチングにより、または機械的に引き剥がすことにより基板36を除去して、目的のコンタクトプローブを得る。   Next, as shown in FIG. 3H, the metal material layer 31b is formed on the resin mold 33c by electroforming on the metal material layer 31a, and is flattened by polishing or grinding. When a contact probe having a two-layer structure is required, the resin molds 33b and 33c and the mask layer 37b are then removed by wet etching or plasma etching, and then removed by wet etching using acid or alkali or mechanically. Then, the substrate 36 is removed to obtain a target contact probe.

図3には、3層構造のコンタクトプローブを製造する例を示す。図3(i)に示すように、リソグラフィにより樹脂型33dを形成する(図3(j))。つぎに、図3(k)に示すように、樹脂型33dに金属材料層31cを電鋳により形成し、研磨または研削により平坦化する。つぎに、図3(l)に示すように、樹脂型33b,33c,33dとマスク層37bを除去し、図3(m)に示すように、基板36を除去すると、目的のコンタクトプローブ31が得られる。TiまたはCuまたはAl製のコート層を有する金属製の基板を用いると、基板上のコート層をエッチングすることにより基板を容易に除去でき、また、基板上のコート層を境にして機械的に引き剥がすことにより基板を容易に除去することができる。コート層の厚さは、0.1μm〜2μmが好適である。   FIG. 3 shows an example of manufacturing a contact probe having a three-layer structure. As shown in FIG. 3I, a resin mold 33d is formed by lithography (FIG. 3J). Next, as shown in FIG. 3 (k), a metal material layer 31c is formed on the resin mold 33d by electroforming, and is flattened by polishing or grinding. Next, as shown in FIG. 3 (l), the resin molds 33b, 33c, 33d and the mask layer 37b are removed, and as shown in FIG. 3 (m), the substrate 36 is removed. can get. When a metal substrate having a coating layer made of Ti, Cu, or Al is used, the substrate can be easily removed by etching the coating layer on the substrate, and mechanically with the coating layer on the substrate as a boundary. The substrate can be easily removed by peeling. The thickness of the coat layer is preferably 0.1 μm to 2 μm.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

検査時にスムーズに動き、電極に対するズレが生じにくい多層構造のコンタクトプローブを提供することができる。   It is possible to provide a contact probe having a multilayer structure that moves smoothly during inspection and hardly causes displacement with respect to the electrodes.

本発明のコンタクトプローブを例示する斜視図である。It is a perspective view which illustrates the contact probe of this invention. 垂直型コンタクトプローブを実装するプローブカードの断面図である。It is sectional drawing of the probe card which mounts a vertical type contact probe. 本発明のコンタクトプローブの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the contact probe of this invention. 従来のコンタクトプローブの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the conventional contact probe. 従来の垂直型コンタクトプローブとその実装状態を例示する断面図である。It is sectional drawing which illustrates the conventional vertical contact probe and its mounting state. 従来のカンチレバー型コンタクトプローブの基本構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the basic structure of the conventional cantilever type | mold contact probe. カンチレバー型コンタクトプローブを実装するプローブカードの基本構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the basic structure of the probe card which mounts a cantilever type contact probe.

符号の説明Explanation of symbols

1 先端部、1a,1b,1c 板状体、2 バネ部、3 支持部、31a,31b,31c 金属材料層、33b,33c,33d 樹脂型、34 マスク、36 基板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Tip part, 1a, 1b, 1c Plate body, 2 Spring part, 3 Support part, 31a, 31b, 31c Metal material layer, 33b, 33c, 33d Resin type, 34 Mask, 36 Substrate.

Claims (8)

被測定面に接触する先端部と、該先端部に接続するバネ部と、該バネ部に接続して前記先端部とバネ部を支持する支持部とを備え、前記先端部とバネ部と支持部とは、支持部を固定して先端部を被測定面に押し当てると、先端部が被測定面に当接したままバネ部により弾性変形するように構成され、前記先端部は、複数の板状体を積層した多層構造体からなる部分を有し、積層した前記複数の板状体が、前記被測定面に押し当てる方向に沿って配向するコンタクトプローブ。   A tip portion that contacts the surface to be measured, a spring portion connected to the tip portion, and a support portion connected to the spring portion and supporting the tip portion and the spring portion, the tip portion and the spring portion being supported The portion is configured such that when the support portion is fixed and the tip portion is pressed against the surface to be measured, the tip portion is elastically deformed by the spring portion while being in contact with the surface to be measured. A contact probe having a portion made of a multilayer structure in which plate-like bodies are laminated, and oriented in a direction in which the laminated plate-like bodies are pressed against the surface to be measured. 前記多層構造体は、中心部に積層した板状体の幅w1に比べて、周辺部に積層した板状体の幅w2が狭い請求項1に記載のコンタクトプローブ。 2. The contact probe according to claim 1, wherein the multilayer structure has a width w 2 of a plate-like body laminated at a peripheral portion thereof is narrower than a width w 1 of a plate-like body laminated at a central portion. 前記先端部は、さらにその先端において前記被測定面に直接接触する当接部を有し、該当接部が、単層の板状構造体からなる請求項1に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the tip further includes a contact portion that directly contacts the measurement surface at the tip, and the contact portion is formed of a single-layered plate-like structure. 前記コンタクトプローブは、先端部とバネ部と支持部とが直線状に配置した垂直型プローブである請求項1に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the contact probe is a vertical probe in which a tip portion, a spring portion, and a support portion are linearly arranged. 請求項1に記載のコンタクトプローブの製造方法であって、
リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、
導電性基板上で、前記樹脂型に金属材料層を電鋳により形成する工程と、
研磨または研削により平坦化する工程と
を備える第1層目の板状体を形成する工程と、
前記板状体上に、リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、
前記樹脂型に金属材料層を電鋳により形成する工程と、
研磨または研削により平坦化する工程と
を備える板状体形成工程を1回実施し、または複数回繰返して実施して、第1層目の前記板状体上に板状体を積層する工程と、
前記樹脂型を除去する工程と、
前記導電性基板を除去する工程と
を備えるコンタクトプローブの製造方法。
It is a manufacturing method of the contact probe according to claim 1,
Forming a resin mold by lithography;
Forming a metal material layer on the conductive mold by electroforming on a conductive substrate;
Forming a first layer plate-like body comprising a step of flattening by polishing or grinding;
Forming a resin mold by lithography on the plate-like body;
Forming a metal material layer on the resin mold by electroforming;
A step of forming a plate-like body comprising a step of flattening by polishing or grinding, or a step of repeatedly performing a plurality of times, and laminating the plate-like body on the plate-like body of the first layer; ,
Removing the resin mold;
And a step of removing the conductive substrate.
前記導電性基板は、TiまたはCuまたはAl製のコート層を有する金属製の基板である請求項5に記載のコンタクトプローブの製造方法。   The method of manufacturing a contact probe according to claim 5, wherein the conductive substrate is a metal substrate having a coating layer made of Ti, Cu, or Al. 前記導電性基板上のコート層をエッチングすることにより基板を除去する請求項6に記載のコンタクトプローブの製造方法。   The method of manufacturing a contact probe according to claim 6, wherein the substrate is removed by etching the coat layer on the conductive substrate. 前記導電性基板上のコート層を境にして機械的に引き剥がすことにより基板を除去する請求項6に記載のコンタクトプローブの製造方法。   The method of manufacturing a contact probe according to claim 6, wherein the substrate is removed by mechanically peeling the coating layer on the conductive substrate.
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