JP2005127952A - Contact probe and its manufacturing method - Google Patents

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Takeshi Haga
剛 羽賀
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contact probe which is fine, accurate and having a good spring property and to provide the contact probe which is easy in an implementation. <P>SOLUTION: The contact probe is used in an inspection probe card and having a cantilever type spring part and a U shape type spring part. And it is characterized that an edge part of the cantilever type spring part and an arm part of the U shape type spring part are oriented in an opposite direction mutually. In the contact probe, the arm part of the U shape type spring part and the edge part of the cantilever type spring part are used for the electrical connection between a conductor electrode of the probe card and an electrode of an object to be tested, and an aspect fixed by one arm part of the U shape type spring part is desirable. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ICチップまたは液晶デバイスなどの電子部品の電極に接触させて、電気的な試験を行なうためのコンタクトプローブに関する。   The present invention relates to a contact probe for performing an electrical test by contacting an electrode of an electronic component such as a semiconductor IC chip or a liquid crystal device.

LSIのような高密度で高速の電子部品を検査するために、多数のコンタクトプローブを有するプローブカードが使用される。検査に際しては、コンタクトプローブを電子部品の電極に押し付けて、コンタクトプローブを介して電子部品の各種のデータが収集される。したがって、検査対象である電子部品の電極との確実な接触が得られるとともに、電極に損傷を与えないようにするため、コンタクトプローブにはバネ機能が必要である。   In order to inspect high-density and high-speed electronic components such as LSI, a probe card having a large number of contact probes is used. In the inspection, the contact probe is pressed against the electrode of the electronic component, and various data of the electronic component is collected through the contact probe. Therefore, a reliable contact with the electrode of the electronic component to be inspected is obtained, and the contact probe needs a spring function so as not to damage the electrode.

電子部品の高集積化および高速化が進行する中、電子部品の電極に対応して形成されるコンタクトプローブも集積化が進行している。このため、従来のプローブカードでは、20〜80ピン/枚のコンタクトプローブが形成されていたが、最近では、600〜800ピン/枚、ピンピッチ40μmのプローブカードが主流になっており、2500ピン/枚のカードも登場している。   As electronic components are highly integrated and increased in speed, contact probes formed corresponding to the electrodes of the electronic components are also integrated. For this reason, in the conventional probe card, a contact probe of 20 to 80 pins / piece was formed, but recently, a probe card having 600 to 800 pins / piece and a pin pitch of 40 μm has become mainstream, and 2500 pins / piece. There are also cards.

また、電子部品の高集積化および高速化に伴い、電極の間隔が益々狭くなる傾向にあるため、従来の水平接触型のプローブカードでは、接触に際して、コンタクトプローブが横から滑り、オーバードライブして、隣接する電極を傷つけるトラブルが発生しやすい。かかる欠点を解決するため、コンタクトプローブが垂直に電極と接触する垂直接触型のプローブカードが開発されている。このプローブカードは、プローブカードのピン数が多く、コンタクトエリアが広くなっても、コンタクトプローブの針立てが容易であるという利点を有する。   In addition, as the integration and speed of electronic components increase, the distance between the electrodes tends to become narrower. With conventional horizontal contact type probe cards, the contact probe slides from the side and overdrives when contacting. Troubles that damage adjacent electrodes are likely to occur. In order to solve such a drawback, a vertical contact type probe card in which a contact probe vertically contacts an electrode has been developed. This probe card has the advantage that the probe probe can be easily needled even if the probe card has a large number of pins and the contact area is widened.

垂直接触型のプローブカードの例を図3に示す。図3(a)に示すプローブカードは、タングステン製のコンタクトプローブ31を有し、コンタクトプローブ31は、検査装置側のプリント基板32に、31cでハンダ付けされ、固定されている。また、コンタクトプローブ31は、2枚のガイド板33の間に曲線部31aを有し、ガイド板33を遊貫し、検査対象34側に突き出している。このプローブカードを、液晶基板などの検査対象34に対して矢印の方向に垂直に圧接すると、コンタクトプローブ31の先端31bが、検査対象34の電極35と接触し、曲線部31aがバネとして機能し、電気的に導通する。図3(b)に示す垂直接触型のプローブカードは、コンタクトプローブ31を備え、検査対象34に対して矢印の方向に垂直に圧接すると、コンタクトプローブ31の先端31bが、検査対象34の電極35と接触し、検査することができる。   An example of a vertical contact type probe card is shown in FIG. The probe card shown in FIG. 3A has a contact probe 31 made of tungsten, and the contact probe 31 is soldered and fixed to a printed circuit board 32 on the inspection apparatus side with 31c. The contact probe 31 has a curved portion 31a between the two guide plates 33, passes through the guide plate 33, and protrudes toward the inspection object 34 side. When this probe card is pressed against an inspection target 34 such as a liquid crystal substrate perpendicularly in the direction of the arrow, the tip 31b of the contact probe 31 contacts the electrode 35 of the inspection target 34, and the curved portion 31a functions as a spring. Electrically conducting. The vertical contact type probe card shown in FIG. 3B includes a contact probe 31, and when the contact probe 31 is pressed vertically in the direction of the arrow, the tip 31 b of the contact probe 31 is connected to the electrode 35 of the inspection target 34. Can be contacted and inspected.

また、電子部品の微細化および高集積化に対応できる垂直型のプローブカードとして、シリコンプローブが開発されている。シリコンプローブは、VLS(Vapor Liquid Solid)成長技術により形成したシリコンウィスカをコンタクトプローブとして用いるプローブカードである。VLS成長とは、シリコン単結晶上に、金とシリコンの合金融液を作り、気相の四塩化珪素と水素を加え、気流界面反応により合金融液内にシリコンを取り入れ、融液と基板の界面に過剰のシリコンを析出させ、単結晶のシリコンウィスカを基板上に形成する。このようにして形成されたシリコンプローブは、ピンピッチ30μm程度の狭ピッチ化による多ピン化が可能であるとされている。   Further, a silicon probe has been developed as a vertical probe card that can cope with miniaturization and high integration of electronic components. The silicon probe is a probe card using a silicon whisker formed by a VLS (Vapor Liquid Solid) growth technique as a contact probe. In VLS growth, a gold and silicon combined liquid is formed on a silicon single crystal, gas phase silicon tetrachloride and hydrogen are added, and silicon is introduced into the combined liquid by an air-flow interface reaction. Excess silicon is deposited at the interface to form a single crystal silicon whisker on the substrate. The silicon probe formed in this way is said to be capable of increasing the number of pins by narrowing the pin pitch to about 30 μm.

なお、以上本発明についての従来技術を、出願人の知得した一般的な技術情報に基いて説明したが、出願人の記憶する範囲において、出願前までに先行技術文献情報として開示すべき情報を出願人は有していない。   In addition, although the prior art about this invention was demonstrated based on the general technical information which the applicant acquired, the information which should be disclosed as prior art document information before filing in the range which the applicant memorize | stores The applicant does not have

図3(a)に示す垂直型のプローブカードは、コンタクトプローブが、タングステン線の機械加工により作成されるため、全長のバラツキが大きく、測定時に大きくストロークさせる必要がある。したがって、針圧のバラツキが大きく、最大針圧が大きくなるという欠点がある。また、コンタクトプローブの曲げ加工、ハンダ付けおよび配線などの作業は、μm単位の精度が要求されるため、作業性が悪く、作業コストが高い。   In the vertical type probe card shown in FIG. 3A, since the contact probe is made by machining a tungsten wire, the variation in the overall length is large, and it is necessary to make a large stroke at the time of measurement. Therefore, there is a drawback that the variation in the needle pressure is large and the maximum needle pressure is increased. Further, operations such as contact probe bending, soldering, and wiring require accuracy in units of μm, resulting in poor workability and high work costs.

また、図3(b)に示す垂直型のプローブカードは、コンタクトプローブがストローク方向に固定されておらず、プローブカード内で遊びがあるため、電気的な導通を得るまでの予備ストロークが長く、測定時のストローク管理が難しいという欠点がある。また、図3(a)に示すプローブカードと同様に、精密な組み立て作業が必要なため、アセンブルコストが高い。一方、シリコンプローブは、コンタクトプローブが、シリコン基板上に一括製作されるため、コンタクトプローブの交換が不可能であるという欠点がある。また、シリコン製のコンタクトプローブの坐屈変形により、接触荷重が極めて小さく、金以外の材質への電気的コンタクト性が悪い。   In the vertical type probe card shown in FIG. 3B, the contact probe is not fixed in the stroke direction, and there is play in the probe card, so the preliminary stroke until obtaining electrical continuity is long. There is a drawback that stroke management during measurement is difficult. Further, as with the probe card shown in FIG. 3A, the assembly cost is high because precise assembly work is required. On the other hand, the silicon probe has a drawback that the contact probe cannot be replaced because the contact probe is manufactured on the silicon substrate at a time. Further, due to buckling deformation of the silicon contact probe, the contact load is extremely small, and the electrical contact property to materials other than gold is poor.

本発明の課題は、微細、かつ、高精度で、バネ特性の良好なコンタクトプローブを提供することにある。また、実装の容易なコンタクトプローブを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a contact probe that is fine and has high accuracy and good spring characteristics. Another object is to provide a contact probe that is easy to mount.

本発明のコンタクトプローブは、検査用プローブカードのコンタクトプローブであって、
カンチレバ型バネ部とU字型バネ部とを備え、
カンチレバ型バネ部の端部とU字型バネ部の腕部が互いに反対方向に配向していることを特徴とする。
The contact probe of the present invention is a contact probe of a probe card for inspection,
It has a cantilever type spring part and a U-shaped spring part,
The end of the cantilever spring and the arm of the U-shaped spring are oriented in opposite directions.

かかるコンタクトプローブは、U字型バネ部の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極を電気的に導通するものが好ましい。   In such a contact probe, it is preferable that the arm portion of the U-shaped spring portion and the end portion of the cantilever spring portion are electrically connected to the wiring electrode in the probe card and the electrode of the inspection object.

また、U字型バネ部の一方の腕部により固定される態様が好ましく、U字型バネ部のうち、固定される腕部が、カンチレバ型バネ部の延長上に配向する態様がより好ましい。また、コンタクトプローブは、ニッケルまたはニッケル合金からなり、貴金属または導電性ダイヤモンドライクカーボンまたはCrNまたはTiNのいずれかからなるコート層を有するものが好ましい。   Moreover, the aspect fixed by one arm part of a U-shaped spring part is preferable, and the aspect which the arm part fixed among U-shaped spring parts orientates on the extension of a cantilever type | mold spring part is more preferable. The contact probe is preferably made of nickel or a nickel alloy, and has a coating layer made of noble metal, conductive diamond-like carbon, CrN or TiN.

本発明ののコンタクトプローブの製造方法は、
金型により樹脂型を形成する工程と、
樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と
を含むことを特徴とする。
The method of manufacturing the contact probe of the present invention is as follows:
Forming a resin mold with a mold;
And a step of forming a layer made of a metal material on a resin mold by electroforming.

また、本発明のコンタクトプローブの製造方法の別の態様は、
X線リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、
樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と
を含むことを特徴とする。
Another aspect of the method for producing a contact probe of the present invention is as follows.
Forming a resin mold by X-ray lithography;
And a step of forming a layer made of a metal material on a resin mold by electroforming.

本発明のプローブカードは、かかるコンタクトプローブを実装した垂直型プローブカードであり、コンタクトプローブのU字型バネ部の両方の腕部を、プローブカードの基板の穴に挿入し、一方の腕部を固定することにより、コンタクトプローブを実装する態様が好ましい。また、コンタクトプローブのカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と電気的に導通する態様が好適である。本発明の検査装置は、かかるプローブカードを備えることを特徴とし、半導体または液晶の検査に有用である。   The probe card of the present invention is a vertical probe card on which such a contact probe is mounted. Both arm portions of the U-shaped spring portion of the contact probe are inserted into holes in the substrate of the probe card, and one arm portion is inserted. A mode in which the contact probe is mounted by fixing is preferable. Further, it is preferable that the end portion of the cantilever spring portion of the contact probe is electrically connected to the wiring electrode in the probe card. The inspection apparatus of the present invention includes such a probe card, and is useful for inspection of semiconductors or liquid crystals.

本発明によれば、電子部品の高集積化および高速化に対応することができ、実装の容易なコンタクトプローブを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can respond to high integration and high-speed of an electronic component, and can provide a contact probe with easy mounting.

(コンタクトプローブ)
本発明のコンタクトプローブは、カンチレバ型バネ部とU字型バネ部とを備え、カンチレバ型バネ部の端部とU字型バネ部の腕部が互いに反対方向に配向していることを特徴とする。本発明のコンタクトプローブは、プローブカード内の配線電極に接続するバネ電極と、被検査物の電極に接続するバネ電極の双方を有し、部品点数が少ないため、組み立ておよび交換が容易で、アセンブルコストが低い。また、カンチレバ型バネ部の端部とU字型バネ部の腕部とが互いに反対方向に配向し、カンチレバ型バネ部を押さえ込む構造で使用することができるから、U字型バネ部の先端がデバイスとコンタクトして押されても、コンタクトプローブ全体は移動しにくく、バネとして正確に機能させることができる。したがって、U字型バネ部の一方の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極を電気的に導通する態様が好ましい。
(Contact probe)
The contact probe of the present invention comprises a cantilever type spring part and a U-shaped spring part, and the end of the cantilever type spring part and the arm part of the U-shaped spring part are oriented in opposite directions to each other. To do. The contact probe of the present invention has both a spring electrode connected to the wiring electrode in the probe card and a spring electrode connected to the electrode of the object to be inspected. Since the number of parts is small, assembly and replacement are easy, and assembly is possible. Cost is low. In addition, since the end of the cantilever type spring part and the arm part of the U-shaped spring part are oriented in opposite directions and can be used in a structure that presses down the cantilever type spring part, the tip of the U-shaped spring part is Even when pressed in contact with the device, the entire contact probe is difficult to move and can function accurately as a spring. Therefore, it is preferable that one arm portion of the U-shaped spring portion and the end portion of the cantilever spring portion are electrically connected to the wiring electrode in the probe card and the electrode of the inspection object.

本発明のコンタクトプローブの典型的な例を図1および図2に示す。図1は平面図であり、図2は斜視図である。このコンタクトプローブは、図1に示すとおり、カンチレバ型バネ部11とU字型バネ部12とを備え、カンチレバ型バネ部11の端部11aと、U字型バネ部12の腕部12b,12cは、互いに反対方向に配向する。本発明のコンタクトプローブは、U字型バネ部の一方の腕部、たとえば、腕部12cをプローブカードのベース基板に固定し、U字型バネ部の他方の腕部、たとえば、腕部12bとカンチレバ型バネ部11により、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極に、適度な付勢力を持って接続することができる。本発明においては、U字型バネを採用するため、他のバネに比べて、ストロークおよび接触荷重を大きくすることができる。具体的には、U字型バネ部のストロークは、200μm以上とすることが可能である。カンチレバ型バネ部のストロークは、150μm程度である。また、U字型バネ部の一方の腕部が固定され、遊びがないため、導通するまでの予備ストロークが不要である。   A typical example of the contact probe of the present invention is shown in FIGS. 1 is a plan view, and FIG. 2 is a perspective view. As shown in FIG. 1, this contact probe includes a cantilever type spring portion 11 and a U-shaped spring portion 12, an end portion 11 a of the cantilever type spring portion 11, and arm portions 12 b and 12 c of the U-shaped spring portion 12. Are oriented in opposite directions. In the contact probe of the present invention, one arm portion of the U-shaped spring portion, for example, the arm portion 12c is fixed to the base substrate of the probe card, and the other arm portion of the U-shaped spring portion, for example, the arm portion 12b The cantilever spring 11 can be connected to the wiring electrode in the probe card and the electrode of the inspection object with an appropriate urging force. In the present invention, since the U-shaped spring is employed, the stroke and the contact load can be increased as compared with other springs. Specifically, the stroke of the U-shaped spring part can be 200 μm or more. The stroke of the cantilever type spring part is about 150 μm. Further, since one arm portion of the U-shaped spring portion is fixed and there is no play, no preliminary stroke is required until the U-shaped spring portion becomes conductive.

コンタクトプローブの材質は、靭性などのバネ特性に優れ、硬度が高い点で、さらには、後述するLIGA(Lithographie Galvanoformung Abformung)法による製造に適している点で、ニッケル、またはニッケルマンガンなどのニッケル合金が好ましい。コンタクトプローブは、ウェハバーンインテストにも使用され、耐熱性が要求されるため、耐熱性に優れるニッケルマンガン合金が、コンタクトプローブ用の材料として好適である。また、コンタクトプローブのバネ強度および弾性限界を高める点で、ニッケルの結晶粒は50nm以下が好ましい。コンタクトプローブの表面には、電気的な接触性および耐腐食性を高める点で、金、ロジウムまたはパラジウムなどの貴金属のコート層を設ける態様が好ましい。また、コンタクトプローブの表面に、導電性ダイヤモンドライクカーボンまたはCrNまたはTiNのいずれかからなるコート層を形成すると、耐摩耗性を向上させることができる。   The material of the contact probe is excellent in spring characteristics such as toughness and high hardness. Furthermore, it is suitable for manufacturing by the LIGA (Lithographie Galvanoformung Abformung) method described later. Nickel or nickel alloys such as nickel manganese Is preferred. Since the contact probe is also used for a wafer burn-in test and requires heat resistance, a nickel manganese alloy having excellent heat resistance is suitable as a material for the contact probe. Further, the nickel crystal grains are preferably 50 nm or less in order to increase the spring strength and elastic limit of the contact probe. A mode in which a coating layer of a noble metal such as gold, rhodium or palladium is preferably provided on the surface of the contact probe in terms of enhancing electrical contact and corrosion resistance. Further, if a coating layer made of conductive diamond-like carbon or CrN or TiN is formed on the surface of the contact probe, the wear resistance can be improved.

(コンタクトプローブの製造方法)
本発明のコンタクトプローブの製造方法は、X線リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程とを含むことを特徴とする。機械加工では、±10μmの精度しか得られないが、本発明の方法によれば、±1μmの高精度のコンタクトプローブを再現性よく製造することができる。このため、バネ特性を均一に保つことができ、全長のバラツキを減らすことができるから、先端位置のバラツキを吸収するための不要ストロークをなくすことができる。また、微細構造体を一体形成することができ、部品点数を減らし、部品コストおよび組立てコストを低減することができる。図1に示す例では、長さ(L)3mm、幅(W)0.85mm、厚さ0.05mmであるが、図1に示す例の1/4〜1/3の微細なコンタクトプローブも、本発明の方法により再現性よく製造することができる。
(Contact probe manufacturing method)
The contact probe manufacturing method of the present invention includes a step of forming a resin mold by X-ray lithography and a step of forming a layer made of a metal material on the resin mold by electroforming. In machining, only an accuracy of ± 10 μm can be obtained, but according to the method of the present invention, a highly accurate contact probe of ± 1 μm can be manufactured with good reproducibility. For this reason, since the spring characteristics can be kept uniform and the variation in the total length can be reduced, an unnecessary stroke for absorbing the variation in the tip position can be eliminated. Further, the fine structure can be integrally formed, the number of parts can be reduced, and the parts cost and assembly cost can be reduced. In the example shown in FIG. 1, the length (L) is 3 mm, the width (W) is 0.85 mm, and the thickness is 0.05 mm. However, the fine contact probe of 1/4 to 1/3 of the example shown in FIG. It can be produced with good reproducibility by the method of the present invention.

本発明の製造方法においては、高いアスペクト比を有するコンタクトプローブが得られる点で、UV(波長200nm)より短波長であるX線(波長0.4nm)を使用するが、X線の中でも指向性の高いシンクロトロン放射のX線(以下、「SR光」という。)を使用する態様が好ましい。SR光を用いるLIGA法は、ディープなリソグラフィが可能であり、厚さ数100μmのコンタクトプローブをμmオーダの高精度で大量に製造することができる。また、高いアスペクト比が得られるため、接触強度を高く、接触信頼性が大きい。   In the production method of the present invention, X-rays (wavelength 0.4 nm) shorter than UV (wavelength 200 nm) are used in that a contact probe having a high aspect ratio is obtained. The X-ray (hereinafter referred to as “SR light”) having high synchrotron radiation is preferable. The LIGA method using SR light enables deep lithography, and a contact probe having a thickness of several hundreds of μm can be manufactured in large quantities with high accuracy on the order of μm. Further, since a high aspect ratio can be obtained, the contact strength is high and the contact reliability is large.

本発明の製造方法は、図4(a)に示すように、導電性基板41上に樹脂層42を形成する。導電性基板として、たとえば、銅、ニッケル、ステンレス鋼などからなる金属製基板を使用することができる。また、チタン、クロムなどの金属材料をスパッタリングしたシリコン基板などを用いることもできる。樹脂層には、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)などのポリメタクリル酸エステルを主成分とする樹脂材料、または、X線に感受性を有する化学増幅型樹脂材料などを用いる。樹脂層の厚さは、形成しようとするコンタクトプローブの厚さに合せて任意に設定することができ、たとえば、40μm〜500mmとすることができる。   In the manufacturing method of the present invention, a resin layer 42 is formed on a conductive substrate 41 as shown in FIG. As the conductive substrate, for example, a metal substrate made of copper, nickel, stainless steel, or the like can be used. Alternatively, a silicon substrate on which a metal material such as titanium or chromium is sputtered can be used. For the resin layer, a resin material mainly composed of polymethacrylate such as polymethyl methacrylate (PMMA) or a chemically amplified resin material sensitive to X-rays is used. The thickness of the resin layer can be arbitrarily set according to the thickness of the contact probe to be formed, and can be, for example, 40 μm to 500 mm.

つぎに、樹脂材料42上にマスク43を配置し、マスク43を介してX線44を照射する。X線としては、SR光が好ましい。マスク43は、コンタクトのパターンに応じて形成したX線吸収層43aと、透光性基材43bとからなる。透光性基材43bには、窒化シリコン、シリコン、ダイヤモンド、チタンなどを用いる。また、X線吸収層43aには、金、タングステン、タンタルなどの重金属またはその化合物などを用いる。X線44の照射により、樹脂層42のうち、樹脂層42aは露光され変質するが、樹脂層42bはX線吸収層43aにより露光されない。このため、現像により、X線44により変質した部分のみが除去され、図4(b)に示すような樹脂型42bが得られる。   Next, a mask 43 is disposed on the resin material 42 and X-rays 44 are irradiated through the mask 43. As the X-ray, SR light is preferable. The mask 43 includes an X-ray absorption layer 43a formed according to a contact pattern and a translucent substrate 43b. Silicon nitride, silicon, diamond, titanium, or the like is used for the translucent substrate 43b. For the X-ray absorption layer 43a, a heavy metal such as gold, tungsten, or tantalum or a compound thereof is used. Of the resin layer 42, the resin layer 42a is exposed and deteriorated by the irradiation of the X-ray 44, but the resin layer 42b is not exposed by the X-ray absorption layer 43a. For this reason, only a portion that has been altered by the X-ray 44 is removed by development, and a resin mold 42b as shown in FIG. 4B is obtained.

つぎに、電鋳を行ない、図4(c)に示すように、樹脂型42bに金属材料45を堆積する。電鋳とは、金属イオン溶液を用いて導電性基板上に金属材料からなる層を形成することをいう。導電性基板41をめっき電極として電鋳を行なうことにより、樹脂型42bに金属材料45を堆積することができる。樹脂型42bの空孔部が埋まる程度に金属材料45を堆積する場合、堆積した金属材料層から、最終的に本発明のコンタクトプローブを得ることができる。また、樹脂型42bの高さを超え、樹脂型42b上にも金属材料を堆積すると、樹脂型42bおよび基板41を除去することにより、空孔部を有する金属微細構造体が得られ、得られた構造体を金型として、後述する金型を利用する本発明のコンタクトプローブの製造方法において有効に使用することができる。   Next, electroforming is performed, and a metal material 45 is deposited on the resin mold 42b as shown in FIG. Electroforming refers to forming a layer made of a metal material on a conductive substrate using a metal ion solution. By performing electroforming using the conductive substrate 41 as a plating electrode, the metal material 45 can be deposited on the resin mold 42b. When the metal material 45 is deposited to such an extent that the holes of the resin mold 42b are filled, the contact probe of the present invention can be finally obtained from the deposited metal material layer. Further, when a metal material is deposited on the resin mold 42b exceeding the height of the resin mold 42b, the resin mold 42b and the substrate 41 are removed to obtain and obtain a metal microstructure having pores. Thus, the structure can be used effectively in the method for manufacturing a contact probe of the present invention using a mold described later.

電鋳後、研磨または研削により所定の厚さに揃えると、図4(d)に示すような構造体が得られる。その後、図4(e)に示すように、ウエットエッチングまたはプラズマエッチングにより樹脂型42bを除去する。つづいて、酸もしくはアルカリによりウエットエッチングし、または機械加工により導電性基板41を除去すると、図4(f)に示すような本発明のコンタクトプローブを得ることができる。得られたコンタクトプローブには、必要に応じて、厚さ0.05μm〜1μmの金などからなるコート層を施すことができる。   After electroforming, when a predetermined thickness is obtained by polishing or grinding, a structure as shown in FIG. 4D is obtained. Thereafter, as shown in FIG. 4E, the resin mold 42b is removed by wet etching or plasma etching. Subsequently, when the conductive substrate 41 is removed by wet etching with acid or alkali, or by machining, the contact probe of the present invention as shown in FIG. 4F can be obtained. The obtained contact probe can be coated with a coat layer made of gold having a thickness of 0.05 μm to 1 μm, if necessary.

本発明のコンタクトプローブの製造方法の他の態様は、金型により樹脂型を形成する工程と、樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程とを含むことを特徴とする。かかる方法によっても、X線リソグラフィにより樹脂型を形成する前述の製造方法と同様に、高精度で、均一なバネ特性を有する信頼性の高いコンタクトプローブを低コストで製造することができる。また、同一の金型を用いて、コンタクトプローブの大量生産が可能である。   Another aspect of the method for manufacturing a contact probe of the present invention includes a step of forming a resin mold by a mold and a step of forming a layer made of a metal material on the resin mold by electroforming. Also with this method, a highly reliable contact probe having a uniform spring characteristic with high accuracy can be manufactured at low cost, as in the above-described manufacturing method of forming a resin mold by X-ray lithography. Also, mass production of contact probes is possible using the same mold.

かかる製造方法は、図5(a)に示すとおり、凸部を有する金型52を用いて、プレスまたは射出成型などのモールドにより、図5(b)に示すような凹状の樹脂型53を形成する。樹脂としては、ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリオキシメチレンなどのポリアセタール樹脂などの熱可塑性樹脂を用いる。金型52は、本発明のコンタクトと同様の金属微小構造体であるため、X線リソグラフィ法と電鋳を組み合せた上述の方法により製造することが好ましい。   In this manufacturing method, as shown in FIG. 5A, a concave resin mold 53 as shown in FIG. 5B is formed by a mold such as press or injection molding using a mold 52 having convex portions. To do. As the resin, a thermoplastic resin such as an acrylic resin such as polymethyl methacrylate, a polyurethane resin, or a polyacetal resin such as polyoxymethylene is used. Since the mold 52 is a metal microstructure similar to the contact of the present invention, it is preferable to manufacture the mold 52 by the above-described method in which an X-ray lithography method and electroforming are combined.

つぎに、樹脂型53の上下を反転した後、図5(c)に示すように、導電性基板51に貼り付ける。続いて、図5(d)に示すように、樹脂型53を研磨し、樹脂型53aを形成する。その後は前述と同様に、電鋳により樹脂型53aに金属材料55を堆積し(図5(e))、厚さを調整した後(図5(f))、樹脂型53aを除去し(図5(g))、導電性基板51を除去すると、図5(h)に示すような本発明のコンタクトプローブが得られる。   Next, after the resin mold 53 is turned upside down, it is attached to the conductive substrate 51 as shown in FIG. Subsequently, as shown in FIG. 5D, the resin mold 53 is polished to form the resin mold 53a. Thereafter, as described above, a metal material 55 is deposited on the resin mold 53a by electroforming (FIG. 5E), and after adjusting the thickness (FIG. 5F), the resin mold 53a is removed (FIG. 5). 5 (g)), when the conductive substrate 51 is removed, the contact probe of the present invention as shown in FIG. 5 (h) is obtained.

(コンタクトプローブの実装)
本発明のプローブカードは、かかるコンタクトプローブを実装した垂直接触型プローブカードであることを特徴とする。コンタクトプローブの実装例を図6に示す。図6(a)は、コンタクトプローブ62をプローブカードのベース基板65に実装する方法を示す平面図であり、図6(b)は、コンタクトプローブ62を実装したプローブカードの断面図である。まず、図6(a)に示すように、コンタクトプローブ62のU字型バネ部の腕部62b,62cを、矢印に示すように、ベース基板65に形成された2つの穴に挿入する。同様にして、複数のコンタクトプローブをベース基板の穴に挿入した後、図6(b)に示すように、U字型バネ部の一方の腕部、たとえば、腕部62cを固定板67により固定する。つづいて、ベース基板65と配線基板63を、たとえば、インサート板66を介してネジ止めなどにより接合すると、本発明のプローブカードが得られる。このプローブカードを、図6(b)の矢印に示すように、被検査体である電子機器などの基板64に押し当てることにより、基板64上の電極64aと、コンタクトプローブ62とが接続し、プローブカードと被検査体との電気的導通が得られる。したがって、被検査体の情報が、電極64a、コンタクトプローブ62、電極63a、配線63bを介して、検査装置に伝達される。かかるプローブカードを備える検査装置により、高集積化および高速化の進む半導体および液晶の検査を低コストで行なうことができる。
(Contact probe mounting)
The probe card of the present invention is a vertical contact type probe card on which such a contact probe is mounted. An example of mounting a contact probe is shown in FIG. 6A is a plan view showing a method of mounting the contact probe 62 on the base substrate 65 of the probe card, and FIG. 6B is a cross-sectional view of the probe card on which the contact probe 62 is mounted. First, as shown in FIG. 6A, the arms 62b and 62c of the U-shaped spring portion of the contact probe 62 are inserted into two holes formed in the base substrate 65 as indicated by arrows. Similarly, after inserting a plurality of contact probes into the holes of the base substrate, one arm portion of the U-shaped spring portion, for example, the arm portion 62c is fixed by a fixing plate 67 as shown in FIG. To do. Subsequently, when the base substrate 65 and the wiring substrate 63 are joined by, for example, screwing through the insert plate 66, the probe card of the present invention is obtained. By pressing this probe card against a substrate 64 such as an electronic device as an object to be inspected, as shown by an arrow in FIG. 6B, the electrode 64a on the substrate 64 and the contact probe 62 are connected, Electrical continuity between the probe card and the object to be inspected is obtained. Therefore, information on the object to be inspected is transmitted to the inspection apparatus via the electrode 64a, the contact probe 62, the electrode 63a, and the wiring 63b. By using an inspection apparatus provided with such a probe card, it is possible to inspect semiconductors and liquid crystals, which are increasingly integrated and increased in speed, at a low cost.

図6に例示する実装方法は、コンタクトプローブのU字型バネ部の2本の腕部を、2つの穴に差し込み、片方のバネ部を固定するだけの簡単な方法であり、組み立てが容易で、アセンブルコストが低く、また機械化も可能な方法である点で好ましい。さらに、コンタクトプローブの交換が容易であり、コンタクトプローブはきちんと固定されており、遊びがないため、予備ストロークが不要である。インサート板66を介して、ベース基板65と配線基板63を接合すると、機械的強度が増すので好ましい。また、U字型バネ部のうち、固定される腕部が、カンチレバ型バネ部の延長上に配向する態様が、カンチレバ型バネ部とU字型バネ部のバネ特性を十分に利用することができる。図6(b)には、コンタクトプローブ62のカンチレバ型バネ部が、検査装置側の配線基板63に突き出している例を示す。一方、コンタクトプローブ62のU字型バネ部が、配線基板63に突き出している態様とすることもできるが、ストロークと接触荷重の大きいU字型バネ部が検査対象側に向いている点で、図6(b)に示す前者の態様が好ましい。   The mounting method illustrated in FIG. 6 is a simple method in which two arms of the U-shaped spring part of the contact probe are inserted into two holes and one of the spring parts is fixed, and the assembly is easy. The method is preferable in that the assembly cost is low and mechanization is possible. Furthermore, the contact probe can be easily exchanged, the contact probe is properly fixed, and there is no play, so no preliminary stroke is required. It is preferable to join the base substrate 65 and the wiring substrate 63 via the insert plate 66 because the mechanical strength is increased. In addition, the aspect in which the fixed arm portion of the U-shaped spring portion is oriented on the extension of the cantilever spring portion can sufficiently utilize the spring characteristics of the cantilever spring portion and the U-shaped spring portion. it can. FIG. 6B shows an example in which the cantilever spring portion of the contact probe 62 protrudes from the wiring board 63 on the inspection apparatus side. On the other hand, the U-shaped spring portion of the contact probe 62 can be projected to the wiring board 63, but the U-shaped spring portion having a large stroke and contact load is directed to the inspection object side. The former mode shown in FIG. 6B is preferable.

ベース基板65には、ポリイミド系樹脂、セラミックスまたはシリコンなどを使用することができる。ポリイミド系樹脂またはセラミックスを使用する場合、ベース基板の穴開けは、レーザ加工またはドリル加工により行なうことができる。シリコンを使用する場合には、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより、穴開け加工をすることができるが、特に、プラズマガス中でのドライエッチング(ICP)が好ましい。ベース基板65には、1つのコンタクトプローブについて2つの穴を開け、穴の位置は検査対象64の電極64aの位置に対応している。   For the base substrate 65, polyimide resin, ceramics, silicon, or the like can be used. When a polyimide resin or ceramic is used, the base substrate can be drilled by laser processing or drilling. In the case of using silicon, the hole can be formed by wet etching or dry etching, but dry etching (ICP) in plasma gas is particularly preferable. In the base substrate 65, two holes are formed for one contact probe, and the positions of the holes correspond to the positions of the electrodes 64a of the inspection target 64.

上述の例では、コンタクトプローブ62は、固定板67を介して、ネジ止めなどによりベース基板65に固定している。このように、固定板によるほか、接着剤により固定することもできるが、固定板により固定する方が、コンタクトプローブの交換が容易である点で好ましい。図6(b)に示す例では、コンタクトプローブ62を固定板67で一旦固定した後、ベース基板65と配線基板63を接合しているが、固定板67を使用することなく、ベース基板65と配線基板63に挟み、押し付けることにより、コンタクトプローブ62を固定してもよい。また、コンタクトプローブ62と配線基板63との間に、ピッチを広げるために、トランスフォーマを設けてもよく、トラスフォーマには、配線を内蔵した多層セラミックス基板または多層樹脂基板などを使用することができる。   In the above example, the contact probe 62 is fixed to the base substrate 65 via the fixing plate 67 by screws or the like. As described above, in addition to the fixing plate, it can be fixed by an adhesive, but fixing by the fixing plate is preferable in terms of easy replacement of the contact probe. In the example shown in FIG. 6B, after the contact probe 62 is temporarily fixed by the fixing plate 67, the base substrate 65 and the wiring substrate 63 are joined, but without using the fixing plate 67, the base substrate 65 and The contact probe 62 may be fixed by being sandwiched between and pressed against the wiring board 63. In addition, a transformer may be provided between the contact probe 62 and the wiring board 63 to increase the pitch, and a multilayer ceramic substrate or a multilayer resin substrate with a built-in wiring can be used as the truss former. .

実施例1
まず、図4(a)に示すように、導電性基板41上に樹脂層42を形成した。導電性基板としては、チタンをスパッタリングしたシリコン基板を用いた。樹脂層を形成する材料は、メタクリル酸メチルとメタクリル酸との共重合体を用い、樹脂層の厚さは70μmとした。
Example 1
First, as shown in FIG. 4A, the resin layer 42 was formed on the conductive substrate 41. As the conductive substrate, a silicon substrate obtained by sputtering titanium was used. As a material for forming the resin layer, a copolymer of methyl methacrylate and methacrylic acid was used, and the thickness of the resin layer was 70 μm.

つぎに、樹脂層42上にマスク43を配置し、マスク43を介してX線44を照射した。X線としては、SR装置(NIJI−III)によるSR光を照射した。マスク43は、コンタクトのパターンからなるX線吸収層43aを有するものを使用し、マスク43を構成する透光性基材43bは窒化シリコンからなり、X線吸収層43aは窒化タングステンからなるものを用いた。   Next, a mask 43 was placed on the resin layer 42, and X-rays 44 were irradiated through the mask 43. X-rays were irradiated with SR light from an SR device (NIJI-III). As the mask 43, a mask having an X-ray absorption layer 43a made of a contact pattern is used. The translucent substrate 43b constituting the mask 43 is made of silicon nitride, and the X-ray absorption layer 43a is made of tungsten nitride. Using.

X線44の照射後、メチルイソブチルケトンにより現像し、X線44により変質した部分を除去すると、図4(b)に示すような樹脂型42bが得られた。つぎに、電鋳を行ない、樹脂型42bの空孔部に金属材料45を堆積した(図4(c))。金属材料としてはニッケルを用いた。   After irradiation with X-rays 44, development with methyl isobutyl ketone was performed, and when a portion altered by X-rays 44 was removed, a resin mold 42b as shown in FIG. 4B was obtained. Next, electroforming was performed, and a metal material 45 was deposited in the holes of the resin mold 42b (FIG. 4C). Nickel was used as the metal material.

電鋳後、研磨して表面の凹凸を除去するとともに、コンタクトプローブの厚さを50μmに整え(図4(d))、酸素プラズマにより樹脂型42bを除去し(図4(e))、続いてNaOH水溶液によりウエットエッチングし、導電性基板41を除去すると、図4(f)に示すような、コンタクトプローブが得た。得られたコンタクトプローブの平面図を図1に示す。また、斜視図を図2に示す。図1に示すとおり、得られたコンタクトプローブは、カンチレバ型バネ部とU字型バネ部とを備え、カンチレバ型バネ部の端部とU字型バネ部の腕部は互いに反対方向に配向していた。   After electroforming, polishing is performed to remove surface irregularities, and the contact probe thickness is adjusted to 50 μm (FIG. 4D), and the resin mold 42b is removed by oxygen plasma (FIG. 4E). When the conductive substrate 41 was removed by wet etching with an aqueous NaOH solution, a contact probe as shown in FIG. 4F was obtained. A plan view of the obtained contact probe is shown in FIG. A perspective view is shown in FIG. As shown in FIG. 1, the obtained contact probe includes a cantilever spring and a U-shaped spring, and the end of the cantilever spring and the arm of the U-shaped spring are oriented in opposite directions. It was.

つづいて、図6(a)に示すように、検査する半導体(LSI)の電極の位置に対応して貫通孔を形成したベース基板65にコンタクトプローブ62を実装した。実装は、図6(b)に示すとおり、コンタクトプローブ62のU字型バネ部の腕62c、62bを、ベース基板65の穴に挿入した後、固定板67をネジ止めし、腕62cを固定した。続いて、配線基板63を、インサート板66を介して、ベース基板65に取り付け、ネジ止めした。ベース基板65は、材質がポリイミド樹脂であり、厚さが1.2mmのものを用いた。得られたプローブカードは、コンタクトプローブ62のカンチレバ型バネ部の先端が、配線基板63上の電極63aに接触し、また、ベース基板62の検査対象側の表面から、コンタクトプローブのU字型バネ部62bが0.5mm突出していた。   Subsequently, as shown in FIG. 6A, a contact probe 62 was mounted on a base substrate 65 in which a through hole was formed corresponding to the position of a semiconductor (LSI) electrode to be inspected. As shown in FIG. 6B, after mounting the arms 62c and 62b of the U-shaped spring portion of the contact probe 62 into the holes of the base board 65, the fixing plate 67 is screwed to fix the arms 62c. did. Subsequently, the wiring board 63 was attached to the base board 65 via the insert plate 66 and screwed. The base substrate 65 is made of polyimide resin and has a thickness of 1.2 mm. In the obtained probe card, the tip of the cantilever spring portion of the contact probe 62 is in contact with the electrode 63a on the wiring board 63, and the U-shaped spring of the contact probe from the surface of the base board 62 on the inspection object side. The part 62b protruded 0.5 mm.

このプローブカードを、図6(b)の矢印に示すように、被検査体である電子機器などの基板64に押し当てることにより、コンタクトプローブ62のU字型バネ部の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極63aと被検査体の電極64aを電気的に導通した。これにより、被検査体の情報が、電極64a、コンタクトプローブ62、電極63a、配線63bを介して、プローブカードに伝達することができ、かかるプローブカードを備える検査装置により、高集積化および高速化の進む半導体および液晶の検査を低コストで行なうことができた。   As shown by the arrow in FIG. 6B, the probe card is pressed against a substrate 64 such as an electronic device as an object to be inspected, whereby the arm portion of the U-shaped spring portion of the contact probe 62 and the cantilever spring. The end of each part electrically connected the wiring electrode 63a in the probe card and the electrode 64a of the object to be inspected. As a result, the information on the object to be inspected can be transmitted to the probe card via the electrode 64a, the contact probe 62, the electrode 63a, and the wiring 63b, and high integration and high speed can be achieved by the inspection apparatus including the probe card. Inspection of semiconductors and liquid crystals progressing at low cost was possible.

図6に例示する実装方法は、コンタクトプローブのU字型バネ部を2つの穴に差し込み、片方のバネ部を固定するだけの簡単な方法であり、組み立てが容易で、アセンブルコストが低く、また機械化も可能な方法であった。さらに、コンタクトプローブの交換が容易であり、コンタクトプローブはきちんと固定されており、遊びがないため、予備ストロークが不要であった。   The mounting method illustrated in FIG. 6 is a simple method in which the U-shaped spring part of the contact probe is inserted into the two holes and one of the spring parts is fixed, the assembly is easy, the assembly cost is low, and Mechanization was also possible. Further, the contact probe can be easily exchanged, the contact probe is properly fixed, and there is no play, so a preliminary stroke is not necessary.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

電子部品の高集積化および高速化に対応することのできるコンタクトプローブ、そのコンタクトプローブを備えるプローブカード、およびそのプローブカードを備える検査装置を安価に提供できる。   A contact probe that can cope with high integration and high speed of electronic components, a probe card including the contact probe, and an inspection apparatus including the probe card can be provided at low cost.

本発明のコンタクトプローブの平面図である。It is a top view of the contact probe of the present invention. 本発明のコンタクトプローブの斜視図である。It is a perspective view of the contact probe of the present invention. 従来の垂直接触型プローブカードの断面図である。It is sectional drawing of the conventional perpendicular contact type probe card. 本発明のコンタクトプローブの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the contact probe of this invention. 本発明のコンタクトプローブの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the contact probe of this invention. 本発明のコンタクトプローブの実装例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the example of mounting of the contact probe of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

11 カンチレバ型バネ部、12 U字型バネ部、42b 樹脂型、44 X線、45 金属材料、52 金型。   11 Cantilever type spring part, 12 U-shaped spring part, 42b Resin mold, 44 X-ray, 45 Metal material, 52 Mold.

Claims (13)

検査用プローブカードのコンタクトプローブであって、
カンチレバ型バネ部とU字型バネ部とを備え、
カンチレバ型バネ部の端部とU字型バネ部の腕部が互いに反対方向に配向していることを特徴とするコンタクトプローブ。
A contact probe for an inspection probe card,
It has a cantilever type spring part and a U-shaped spring part,
A contact probe characterized in that the end of the cantilever spring and the arm of the U-shaped spring are oriented in opposite directions.
U字型バネ部の腕部とカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と被検査物の電極を電気的に導通することを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。   2. The contact probe according to claim 1, wherein the arm portion of the U-shaped spring portion and the end portion of the cantilever spring portion are electrically connected to the wiring electrode in the probe card and the electrode of the object to be inspected. U字型バネ部の一方の腕部により固定される請求項1または2に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the contact probe is fixed by one arm portion of the U-shaped spring portion. U字型バネ部のうち、固定される腕部が、カンチレバ型バネ部の延長上に配向することを特徴とする請求項3に記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 3, wherein an arm portion to be fixed of the U-shaped spring portion is oriented on an extension of the cantilever spring portion. コンタクトプローブは、ニッケルまたはニッケル合金からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to claim 1, wherein the contact probe is made of nickel or a nickel alloy. コンタクトプローブは、貴金属または導電性ダイヤモンドライクカーボンまたはCrNまたはTiNのいずれかからなるコート層を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のコンタクトプローブ。   The contact probe according to any one of claims 1 to 5, wherein the contact probe has a coat layer made of any of precious metal, conductive diamond-like carbon, CrN, or TiN. 請求項1〜6のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法であって、
金型により樹脂型を形成する工程と、
前記樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と
を含むことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
It is a manufacturing method of the contact probe in any one of Claims 1-6,
Forming a resin mold with a mold;
And a step of forming a layer made of a metal material on the resin mold by electroforming.
請求項1〜6のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法であって、
X線リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、
前記樹脂型に金属材料からなる層を電鋳により形成する工程と
を含むことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
It is a manufacturing method of the contact probe in any one of Claims 1-6,
Forming a resin mold by X-ray lithography;
And a step of forming a layer made of a metal material on the resin mold by electroforming.
請求項1〜6のいずれかに記載のコンタクトプローブを実装した垂直型プローブカード。   A vertical probe card on which the contact probe according to claim 1 is mounted. コンタクトプローブのU字型バネ部の両方の腕部を、プローブカードの基板の穴に挿入し、一方の腕部を固定することにより、コンタクトプローブを実装した請求項9に記載のプローブカード。   The probe card according to claim 9, wherein the contact probe is mounted by inserting both arm portions of the U-shaped spring portion of the contact probe into a hole of the substrate of the probe card and fixing one arm portion. コンタクトプローブのカンチレバ型バネ部の端部が、プローブカード内の配線電極と電気的に導通することを特徴とする請求項9または10に記載のプローブカード。   The probe card according to claim 9 or 10, wherein an end of the cantilever spring portion of the contact probe is electrically connected to a wiring electrode in the probe card. 請求項9に記載のプローブカードを用いる半導体または液晶の検査方法。   A semiconductor or liquid crystal inspection method using the probe card according to claim 9. 請求項9に記載のプローブカードを備える検査装置。   An inspection apparatus comprising the probe card according to claim 9.
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