KR101692972B1 - 기판의 제조방법 및 기판을 갖는 표시장치 - Google Patents

Abstract

기판의 제조방법 및 상기 기판을 갖는 표시장치가 개시된다. 본 발명에 따른 표시장치는 화소를 갖는 제1 기판 및 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판을 포함하고, 상기 제1 기판은 제1 베이스기판 및 상기 제1 베이스기판 및 상기 화소 사이에 구비되는 평탄화막을 포함한다. 상기 평탄화막은 10마이크로미터 내지 50마이크로미터의 두께를 갖는 단일층의 형상을 갖고, 상기 베이스기판 위에 유입된 이물을 커버하여 상기 제1 베이스기판의 표면을 평탄화시킨다.

Description

기판의 제조방법 및 기판을 갖는 표시장치{METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE AND DSIPLAY APPARATUS HAVING THE SAUBSTRATE}

본 발명은 기판의 제조방법 및 상기 기판을 갖는 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 보다 향상된 평탄도를 갖는 기판의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치에 관한 것이다.

평판표시장치(flat panel display) 중 플라스틱 디스플레이(plastic display)는 유연하게 구부려질 수 있는 특성을 갖는 디스플레이 장치이다. 플라스틱 디스플레이는, 딱딱한 재질의 유리기판이 아닌, 필름 형상의 플라스틱 기판 위에 구비되는 화소를 포함한다.

하지만, 플라스틱 기판 표면에 이물이 유입되는 경우에, 플라스틱 재질의 특성상 플라스틱 기판 위에 이물이 쉽게 고착될 수 있다. 따라서, 상기 이물에 의해 플라스틱 기판의 평탄도가 저하되어 상기 플라스틱 기판 위에 화소를 형성하기 위해서 형성되는 박막들을 형성하기가 용이하지 않을 수 있다.

본 발명의 일 목적은 유입된 이물에 저하될 수 있는 기판의 평탄도를 향상시킬 수 있는 기판의 제조방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기한 기판을 갖는 표시장치를 제공하는 데 있다.

상기한 일 목적을 달성하기 위한 기판의 제조방법은 다음과 같다. 플라스틱 기판의 제1 표면 위에 접착층을 형성하고, 상기 제1 표면과 마주하는 상기 플라스틱 기판의 제2 표면 위에 예비 평탄화막을 형성한다. 그 이후에, 상기 접착층을 캐리어기판 위에 접착시켜 상기 예비 평탄화막이 형성된 상기 플라스틱 기판을 상기 캐리어기판 위에 접착한다. 그 이후에, 상기 예비 평탄화막을 경화시켜 평탄화막을 형성하고, 그리고, 상기 캐리어기판을 상기 플라스틱 기판으로부터 분리한다.

상기한 다른 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 표시장치는 화소를 갖는 제1 기판 및 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판을 포함한다. 상기 제1 기판은 제1 베이스기판 및 상기 제1 베이스기판과 상기 화소 사이에 구비되는 제1 평탄화막을 포함하고, 상기 제1 평탄화막은 10마이크로미터 내지 50마이크로미터의 두께를 갖는 단일층의 형상을 가져 상기 제1 베이스기판의 표면을 평탄화시킨다.

본 발명에 따르면, 기판의 평탄도를 향상시키는 평탄화막을 형성하는 데 소요되는 시간을 감소시킬 수 있다. 보다 상세하게는, 기판 위에 평탄화막을 다른 방법, 예컨대, 스핀코팅 공정을 이용하여 형성하는 경우에, 스핀코팅 공정으로 1회 진행하여 얻어질 수 있는 박막의 두께가 평탄화막의 요구되는 두께보다 작을 수 있으므로 요구되는 평탄화막의 두께를 얻기 위해서 다수 회 스핀코팅 공정을 진행하여야 한다. 그 결과, 평탄화막을 형성하는 데 소요되는 시간이 증가하고, 평탄화막을 형성하기 위하여 다수 회 스핀코팅 공정을 진행하더라도, 각 스핀코팅 공정을 진행한 이후에 얻어지는 박막을 경화시키는 공정이 필요하므로 평탄화막을 형성하는 데 소요되는 시간이 증가한다. 하지만, 본 발명에 따르면, 요구되는 두께를 갖는 평탄화막을 일회의 롤링공정으로 형성할 수 있으므로, 기판 위에 평탄화막을 형성하는 데 소요되는 시간을 감소시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 부분 평면도이다.
도 2a는 도 1의 I-I'을 따라 절취한 부분을 나타내는 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 제1 베이스기판 위에 이물이 유입된 경우를 가정하여 나타낸 도면이다.
도 3는 도 2b에 도시된 제1 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 제2 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 7 내지 도 10들은 도 2a에 도시된 제1 기판의 제조방법을 나타내는 도면들이다.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 것이다. 다만 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 함께 제시된 도면은 명확한 설명을 위해서 다소 간략화되거나 과장된 것이며, 도면상에 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 부분 평면도이고, 도 2a는 도 1의 I-I'을 따라 절취한 부분을 나타내는 단면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 제1 베이스기판 위에 이물이 유입된 경우를 가정하여 나타낸 도면이다. 한편, 도 1을 설명함에 있어서, 제1 기판(100)은 다수의 화소들을 갖지만, 상기 다수의 화소들은 서로 동일한 구조를 가지므로 도 1에서는 하나의 화소(PXL)가 도시되고, 나머지 화소들에 대한 설명은 생략된다.

도 1 및 도 2a를 참조하면, 이 실시예에 있어서, 상기 표시장치(300)는 액정표시장치일 수 있고, 따라서, 표시장치(300)는 제 1 기판(100), 제 2 기판(200) 및 상기 제 1 기판(100) 및 상기 제 2 기판(200) 사이에 개재되는 액정층(250)을 포함한다.

상기 제1 기판(100)은 제1 베이스기판(110), 제1 평탄화막(120), 및 화소(PXL)를 포함한다.

이 실시예에 있어서, 상기 제1 베이스기판(110)은, 폴리이미드(polyimide)와 같은, 플라스틱으로 이루어진 기판일 수 있다. 따라서, 상기 제1 베이스기판(110)은 유연하게 구부려질 수 있는 특성을 가질 수 있다.

상기 제1 평탄화막(120)은 상기 제1 베이스기판(110) 위에 구비된다. 이 실시예에 있어서, 상기 제1 평탄화막(120)은 단일층의 구조를 가질 수 있고, 상기 제1 평탄화막(120)의 제1 두께(T1)는 10마이크로미터 내지 50마이크로미터일 수 있다.

또한, 이 실시예에 있어서, 상기 제1 평탄화막(120)은 열에 의해 경화되는 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 평탄화막(120)은 아크릴레이트 (acrylate) 계열의 수지, 에폭시(epoxy) 계열의 수지, 및 아민(amine) 계열의 올리고머 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질을 열 경화하여 형성될 수 있다.

또한, 상기 제1 평탄화막(120)이 광을 흡수하는 성질이 요구되는 경우에는, 상기 제1 평탄화막(120)은 탄소 입자 또는 흑색 안료를 더 포함할 수도 있다. 상기 제1 평탄화막(120)이 광을 흡수하는 경우는, 도 5를 참조하여 보다 상세히 설명된다.

상기 제1 평탄화막(120) 위에는 게이트라인(GL), 데이터라인(DL), 박막트랜지스터(TR)와 화소전극(PE)으로 이루어지는 화소(PXL)가 구비된다.

상기 게이트라인(GL)은 상기 박막트랜지스터(TR) 측으로 게이트신호를 제공하고, 상기 데이터라인(DL)은 상기 박막트랜지스터(TR) 측으로 데이터신호를 제공한다. 단면상에서, 상기 게이트라인(GL) 및 상기 데이터라인(DL) 사이에는 게이트절연막(130)이 개재되어 상기 게이트라인(GL) 및 상기 데이터라인(DL)은 상호 절연될 수 있다.

상기 박막트랜지스터(TR)는 상기 게이트라인(GL)으로부터 분기되는 게이트전극(GE), 상기 게이트전극(GE) 위에 구비되는 반도체패턴(AP), 상기 데이터라인(DL)으로부터 분기되어 상기 반도체패턴(AP) 위에 구비되는 소오스전극(SE) 및 상기 소오스전극(SE)과 이격되어 상기 반도체패턴(AP) 위에 구비되는 드레인전극(DE)을 포함한다. 상기 박막트랜지스터(TR)는 상기 게이트라인(GL) 및 상기 게이트전극(GE)을 통해 상기 게이트신호를 제공받아 턴-온 될 수 있다.

상기 박막트랜지스터(TR) 위에는 층간절연막(140)이 구비되어 상기 박막트랜지스터(TR)를 커버하고, 상기 층간절연막(140) 위에는 유기절연막(150)이 구비된다. 또한, 상기 층간절연막(140) 및 상기 유기절연막(150)이 부분적으로 제거되고, 상기 화소전극(PE)은 상기 층간절연막(140) 및 상기 유기절연막(150)이 부분적으로 제거된 부분을 커버하도록 상기 유기절연막(150) 위에 구비된다. 따라서, 상기 화소전극(PE)은 상기 드레인전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 박막트랜지스터(TR)가 턴-온 되는 경우에, 상기 데이터신호는 상기 데이터라인(DL), 상기 소오스전극(SE), 상기 액티브패턴(AP) 및 상기 드레인전극(DE)을 순차적으로 통하여 상기 화소전극(PE) 측으로 제공될 수 있다.

상기 제 2 기판(200)은 제 2 베이스기판(210), 컬러필터(CF), 블랙매트릭스(BM) 및 대향전극(220)을 포함한다.

이 실시예에 있어서, 상기 제2 베이스기판(210)은, 상기 제1 베이스기판(110)과 같이, 플라스틱 기판일 수 있다. 따라서, 상기 제2 베이스기판(210)은 유연하게 구부려질 수 있는 특성을 가질 수 있다.

상기 블랙매트릭스(BM)는 평면상에서 상기 화소전극(PE)과 중첩하지 않도록 상기 제2 베이스기판(210) 위에 구비되어 상기 액정층(250)을 투과하여 외부로 출사되는 광을 차단한다. 상기 컬러필터(CF)는 상기 제2 베이스기판(210) 위에 구비되어 상기 액정층(250)을 투과한 광을 소정의 색상으로 필터링한다. 상기 대향전극(220)은 상기 블랙매트릭스(BM) 및 상기 컬러필터(CF) 위에 구비되어 상기 화소전극(PE)과 함께 상기 액정층(250)을 구성하는 액정분자들의 방향자를 제어하는 전계를 형성한다.

이 실시예에 있어서, 상기 컬러필터(CF)는 상기 제2 베이스기판(210) 위에 구비되나, 상기 컬러필터(CF)는 상기 제1 베이스기판(210) 위에 구비될 수도 있다. 또한, 상기 대향전극(220)은 상기 제1 베이스기판(210) 위에 상기 화소전극(PE)과 이격되어 구비될 수도 있다. 상기 대향전극(220)이 상기 제1 베이스기판(210) 위에 구비되는 경우에, 상기 대향전극(220)은 상기 화소전극(PE)과 함께 수평전계를 형성하여 상기 액정분자들의 방향자를 제어할 수도 있다.

도 1 및 도 2b를 참조하면, 상기 제1 베이스기판(110) 위에 이물(160)이 유입될 수 있다. 상기 제1 기판(100)을 제조하는 동안에, 상기 제1 베이스기판(110)이 외부로 노출되면서 상기 이물(160)이 상기 제1 베이스기판(110) 위에 유입될 수 있다. 또한, 상기 이물(160)은 제1 베이스기판(110)의 표면 위에 정전기가 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 제1 베이스기판(110) 내부에 제공되는 이산화규소와 같은 입자들이 상기 제1 베이스기판(110)의 표면으로부터 돌출되어 형성될 수도 있다.

이 실시예와 같이, 상기 제1 베이스기판(110)이 플라스틱 기판인 경우에, 상기 제1 베이스기판(110) 위에 형성된 상기 이물(160)은 상기 제1 베이스기판(110) 위에 고착되는 경우가 많으므로 유리기판 위에 유입된 이물보다 상기 이물(160)을 세정하기가 용이하지 않을 수 있다. 상기 이물(160)은 상기 제1 베이스기판(110)의 표면에 단차를 형성하므로, 상기 제1 베이스기판(110) 위에 구비되는 박막들을 패터닝할 때, 상기 박막들이 단선되는 문제를 야기시킬 수 있다. 하지만, 상기 제1 평탄화막(120)은 상기 이물(160)을 커버하여 상기 제1 베이스기판(120)의 표면을 평탄화시키고, 그 결과, 상기 박막들이 단선되는 문제를 해소할 수 있다.

도 3은 도 2b에 도시된 제1 영역을 확대하여 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 제2 영역을 확대하여 나타낸 도면이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 평탄화막(120)은 이물(160)이 유입된 제1 베이스기판(110)의 표면을 평탄화시키되, 상기 제1 평탄화막(120)은 상기 이물(160)을 커버하는 위치에 대응하여 상기 제1 평탄화막(120)의 표면으로부터 돌출된 제1 돌출부(125)를 가질 수 있다. 또한, 제1 돌출부(125)는 상기 제1 돌출부(125)의 표면으로부터 돌출된 다수의 제2 돌출부들(165)을 가질 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 돌출부들(165) 각각의 형상은 서로 다를 수 있어 상기 제2 돌출부들(165) 각각의 돌출된 높이 및 폭의 크기는 다양할 수 있다.

한편, 단면상에서 상기 제1 베이스기판(110)의 표면과 상기 이물(160)의 표면이 형성하는 최대 기울기는 제1 각도(θ1)라고 정의하고, 단면상에서 상기 제1 평탄화막(120)의 표면과 상기 제1 돌출부(125)의 표면이 형성하는 최대 기울기를 제2 각도(θ2)라고 정의하면, 상기 제1 평탄화막(120)이 갖는 평탄화 작용에 의해 상기 제1 각도(θ1)는 상기 제2 각도(θ2) 보다 작아질 수 있고, 이는 곧, 상기 제1 평탄화막(120)은 상기 제1 베이스기판(120)의 평탄도를 향상시키는 것을 의미한다.

이 실시예에 있어서, 상기 제1 평탄화막(120)이 10마이크로미터 내지 50마이크로미터의 제1 두께(도 2a의 T1)를 갖고, 단면상에서 상기 이물(160)이 상기 제1 베이스기판(110)으로부터 돌출된 높이가 2마이크로미터 내지 10마이크로미터인 경우에, 상기 제1 돌출부(135)의 돌출된 제1 높이(H1)는 1000옹스트롬 이하일 수 있고, 상기 제1 돌출부(135)의 제1 폭(W1)은 1.2밀리미터 이하일 수 있다. 또한, 상기 제2 돌출부들(165) 중 최대로 돌출된 돌출부의 제2 높이(H2)는 80나노미터 이하일 수 있고, 상기 제2 돌출부들(165)의 돌출된 높이의 평균값은 5나노미터 이하일 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다. 도 5에 도시된 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 앞서 도 1 내지 도 4들을 참조하여 설명된 구성요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성요소들에 대한 중복된 설명은 생략한다.

도 5에 도시된 표시장치(301)는 반사형 모드로 영상을 표시한다. 상기 표시장치(301)는 제1 기판(101) 및 제2 기판(200) 사이에 개재되는 다수의 전기영동층을 포함하고, 상기 전기영동층은 다수의 전기영동캡슐들(260)을 포함한다.

도 5에 도시되는 실시예에 따르면, 상기 전기영동캡슐들(260) 각각은 내부에 서로 다른 극성으로 대전된 흑색 입자들(262) 및 백색 입자들(261)을 포함한다. 따라서, 상기 전기영동 캡슐들(260)이 화소전극(PE) 및 대향전극(220)에 의해 발생되는 전계에 영향을 받으면, 상기 전계에 의해 정의되는 상기 화소전극(PE) 및 상기 대향전극(220)의 극성에 따라 상기 흑색 입자들(262) 및 상기 백색 입자들(261)은 상기 전기영동 캡슐들(260) 내에서 분리된다.

예컨대, 상기 흑색입자들(262) 및 상기 백색입자들(261)이 각각 음과 양으로 대전되고, 상기 화소전극(PE)이 양극이고, 상기 대향전극(220)이 음극인 경우에, 상기 전기영동 캡슐들(260) 내에서 상기 흑색입자들(262)은 상기 화소전극(PE) 측으로 이동하고, 상기 백색입자들(261)은 상기 대향전극(220) 측으로 이동한다. 따라서, 상기 제2 기판(200)을 투과하여 상기 전기영동 캡슐들(260) 측으로 제공되는 광은 상기 백색입자들(261)에 의해 반사되어 상기 표시장치(301)는 상기 백색입자들(261)이 갖는 백색을 표시할 수 있다.

한편, 이 실시예에 있어서, 상기 제1 평탄화막(121)은 도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명된 제1 평탄화막(도 2a 및 도 2b의 120) 보다 흑색 안료 또는 카본 입자들을 더 포함하여 광을 흡수하는 특성을 가질 수 있다. 그 결과, 상기 제1 평탄화막(121)은 상기 전기영동캡슐들(260)에서 반사되지 못하고 상기 제1 기판(101) 측으로 제공되는 광을 흡수하여 상기 표시장치(301)의 표시품질을 향상시킬 수 있다.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다. 도 6에 도시된 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 앞서 도 1 내지 도 4들을 참조하여 설명된 구성요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성요소들에 대한 중복된 설명은 생략한다.

도 6을 참조하면, 표시장치(302)는 제1 기판(101), 제2 기판(201) 및 액정층(250)을 포함하고, 상기 제2 기판(201)은 제2 베이스기판(210)과 컬러필터(CF) 사이 및 상기 제2 베이스기판(210)과 블랙매트릭스(BM) 사이에 구비되는 제2 평탄화막(240)을 더 포함한다.

도 6에서 도시되는 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 평탄화막(240)이 갖는 제2 두께(T2)는 10마이크로미터 내지 50마이크로미터일 수 있고, 상기 제2 평탄화막(240)은 상기 제1 평탄화막(120)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.

상기 제2 평탄화막(240)은 상기 제2 베이스기판(211) 위에 구비되므로, 앞서 도 1, 도 2a, 도 2b, 및 도 3을 참조하여 설명된 제1 평탄화막(120)이 제1 베이스기판(110)을 평탄화하는 것과 동일하게, 상기 제2 평탄화막(240)은 상기 제2 베이스기판(210) 위에 유입될 수 있는 이물(미도시)을 커버하여 상기 제2 베이스기판(210)을 평탄화할 수 있다.

도 7 내지 도 10들은 도 2a에 도시된 제1 기판의 제조방법을 나타내는 도면들이다. 도 7 내지 도 10들을 설명함에 있어서, 앞서 도 1, 도 2a, 도 2b, 도3 및 도 4들을 참조하여 설명된 구성요소들에 대해서는 도면부호를 병기하고, 상기 구성요소들에 대한 중복된 설명은 생략한다.

도 7을 참조하면, 제1 베이스기판(110)의 제1 표면(111) 위에 접착층(105)을 형성하고, 상기 제1 표면(111)과 마주하는 상기 제1 베이스기판(110)의 제2 표면(112) 위에 예비 평탄화막(128)을 형성한다. 보다 상세하게는, 상기 제1 베이스기판(110)의 상부에 제1 롤러(R1)를 배치하고, 상기 제1 베이스기판(110)의 하부에 제2 롤러(R2)를 배치한 이후에, 상기 제1 롤러(R1)를 이용하여 상기 접착층(105) 롤링하여 상기 접착층(105)을 상기 제1 표면(111) 위에 형성하고, 상기 제2 롤러(R2)를 이용하여 상기 예비 평탄화막(128)을 롤링하여 상기 예비 평탄화막(128)을 상기 제2 표면(112) 위에 형성한다.

이 실시예에 있어서, 상기 제1 롤러(R1) 및 상기 제2 롤러(R2)를 동시에 작동시켜 상기 제1 베이스기판(110) 위에 상기 제1 접착층(105) 및 상기 예비 평탄화막(128)을 동시에 형성할 수 있고, 따라서, 상기 제1 베이스기판(110) 위에 상기 제1 접착층(105) 및 상기 예비 평탄화막(128)을 형성하는 데 소요되는 시간을 감소시킬 수 있다.

또한, 이 실시예에 있어서, 상기 예비 평탄화막(128)이 상기 제1 베이스기판(110) 위에 점착될 수 있도록, 상기 예비 평탄화막(128)은 약 40℃ 정도로 가열될 수 있다.

한편, 상기 예비 평탄화막(128)을 스핀코팅 공정을 이용하여 형성할 수도 있으나, 스핀코팅 공정으로 1회 진행하여 얻어질 수 있는 박막의 두께는 약 3마이크로미터 내지 4마이크로미터이다. 따라서, 스핀코팅 공정을 이용하여 10마이크로미터 내지 50마이크로미터의 두께를 갖는 예비 평탄화막(128)을 형성하기 위해서는 적어도 3회 이상 스핀코팅 공정을 진행하여야 하므로 상기 예비 평탄화막(128)을 형성하는 데 소요되는 시간이 증가한다. 하지만, 본 발명의 실시예와 같이, 제2 롤러(R2)을 이용하여 상기 예비 평탄화막(128)을 상기 제1 베이스기판(110) 위에 형성하는 경우에, 10마이크로미터 내지 50마이크로미터의 두께를 갖는 예비 평탄화막(128)을 1회 롤링공정으로 상기 제1 베이스기판(110) 위에 형성할 수 있다.

도 8을 참조하면, 캐리어기판(10)에 접착층(105)을 접착시켜 상기 접착층(105)을 사이에 두고 상기 캐리어기판(10) 위에 순차적으로 제1 베이스기판(110) 및 상기 예비 평탄화막(128)을 형성한다. 보다 상세하게는, 상기 캐리어기판(10) 위에 제3 롤러(R3)를 배치하고, 상기 제3 롤러(R3)를 이용하여 서로 결합된 상기 접착층(105), 상기 제1 베이스기판(110) 및 상기 예비 평탄화막(128)을 롤링한다.

이 실시예에 있어서, 상기 캐리어기판(10)은, 제1 기판(도 10의 100)을 제조하는 동안에, 가요성을 갖는 제1 베이스기판(110)을 핸들링하기 용이하게 하기 위해서 상기 제1 베이스기판(110)과 임시적으로 결합된다. 따라서, 상기 캐리어기판(10)은 유리기판과 같이 딱딱한 기판일 수 있고, 상기 캐리어기판(10)은 상기 제1 기판이 완성된 이후에, 상기 제1 기판으로부터 분리된다.

도 9를 참조하면, 예비 평탄화막(도 8의 128)에 대해 열처리공정을 진행하고, 그 결과 상기 예비 평탄화막이 경화되어 제1 평탄화막(120)이 형성된다. 또한, 상기 예비 평탄화막에 대해 열처리 공정을 진행하는 동안에, 상기 접착층(105)도 함께 경화되어 상기 캐리어기판(10) 및 상기 제1 베이스기판(110) 간의 결합력이 더욱 향상된다. 이 실시예에 있어서, 상기 열처리 공정은 약 120℃ 내지 250℃의 온도로 진행될 수 있다.

한편, 이 실시예에 있어서, 상기 열처리 공정이 진행되는 동안 또는 상기 열처리 공정이 완료된 이후에, 상기 예비 평탄화막으로부터 개스가 발생될 수 있다. 따라서, 상기 개스에 의해 상기 제1 평탄화막(120)의 무게는 상기 예비 평탄화막의 무게보다 작을 수 있다. 보다 상세하게는, 상기 열처리 공정에 의해 상기 제1 평탄화막(120)의 무게는 상기 예비 평탄화막의 무게의 0.5%이하로 감소될 수 있다. 상기 제1 평탄화막(120)의 무게가 상기 예비 평탄화막의 무게의 0.5%를 초과하여 감소되는 경우에, 상기 개스에 의해 상기 제1 평탄화막(120)의 표면에 버블이 발생되어 상기 제1 평탄화막(120)의 평탄도가 저하될 수 있다.

도 10을 참조하면, 제1 평탄화막(120) 위에, 앞서 도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한, 게이트라인(도 1의 GL), 데이터라인(도 1의 DL), 및 화소(도 2a의 PXL)을 형성한다. 그 이후에, 제1 베이스기판(110)의 배면에 부착된 접착층(105) 및 캐리어기판(10)을 상기 제1 베이스기판(110)으로부터 분리하여 제1 기판(100)을 완성한다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

300 -- 표시장치 100 -- 제1 기판
200 -- 제2 기판 160 -- 이물
PXL -- 화소 120 - - 제1 평탄화막
240 -- 제2 평탄화막 TR -- 박막트랜지스터
PE -- 화소전극

Claims (20)

1. 플라스틱 기판의 제1 표면 위에 접착층을 형성하고, 상기 제1 표면과 마주하는 상기 플라스틱 기판의 제2 표면 위에 예비 평탄화막을 형성하는 단계;
   상기 접착층을 캐리어기판 위에 접착시켜 상기 예비 평탄화막이 형성된 상기 플라스틱 기판을 상기 캐리어기판 위에 접착하는 단계;
   상기 예비 평탄화막 및 상기 접착층에 대해 열처리 공정을 수행하여, 상기 예비 평탄화막을 경화시켜 평탄화막을 형성하고, 상기 접착층을 경화하는 단계;
   상기 평탄화막 위에 다수의 화소들을 형성하는 단계; 및
   상기 캐리어기판을 상기 플라스틱 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 표면과 인접한 제1 롤러와 상기 제2 표면과 인접한 제2 롤러를 이용하여 상기 플라스틱 기판에 상기 접착층과 상기 예비 평탄화막을 압착하여 상기 접착층과 상기 예비 평탄화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 접착층과 상기 예비 평탄화막은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화막의 두께는 10마이크로미터 내지 50마이크로미터인 것을 기판의 제조방법.
5. 제 3 항에 있어서, 상기 예비 평탄화막은 단일 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
6. 삭제
7. 삭제
8. 제 1항 에 있어서, 상기 예비 평탄화막은 아크릴레이트(acrylate) 계열의 고분자, 에폭시(epoxy) 계열의 고분자, 및 아민(amine)계열의 올리고머(oligomer) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
9. 제 1 항에 있어서, 상기 예비 평탄화막은 광흡수제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 열처리 공정은 120℃ 내지 250℃의 온도에서 수행되고,
    상기 열처리 공정이 완료된 이후에, 상기 평탄화막의 무게는 상기 예비 평탄화막의 무게의 0.5%이하로 감소되는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법.
11. 삭제
12. 각각이 박막트랜지스터 및 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극을 갖는 화소들을 포함하는 제1 기판; 및
    상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판을 포함하고,
    상기 제1 기판은,
    플라스틱을 포함하는 제1 베이스기판; 및
    10마이크로미터 내지 50마이크로미터의 두께를 갖는 단일층의 형상을 가져 상기 제1 베이스기판 및 상기 화소들 사이에 구비되고, 상기 제1 베이스기판의 표면을 평탄화시키는 제1 평탄화막을 포함하고,
    상기 제2 기판은,
    플라스틱을 포함하는 제2 베이스기판; 및
    10마이크로미터 내지 50마이크로미터의 두께를 갖는 단일층의 형상을 가져 상기 제2 베이스기판 위에 구비되고, 상기 제2 베이스 기판의 표면을 평탄화시키는 제2 평탄화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
13. 삭제
14. 제 12 항에 있어서, 상기 제1 평탄화막은 열에 의해 경화되는 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
15. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 평탄화막은 아크릴레이트(acrylate) 계열의 수지, 에폭시(epoxy) 계열의 수지, 및 아민(amine)계열의 올리고머 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
16. 제 15 항에 있어서, 상기 제1 평탄화막은 광흡수제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
17. 제 15 항에 있어서, 상기 제1 평탄화막은,
    상기 제1 베이스 기판 위에 유입된 이물을 커버하는 위치에 대응하여 상기 이물의 형상에 따라 정의되는 제1 돌출부를 포함하고,
    상기 제1 돌출부의 돌출된 높이는 1000옹스트롬 이하이고, 상기 제1 돌출부의 폭은 1.2밀리미터 이하이고,
    상기 제1 돌출부는,
    상기 제1 돌출부의 표면에 구비되는 제2 돌출부들을 포함하고,
    상기 제2 돌출부들 각각의 돌출된 높이의 최대값은 80나노미터 이하이고, 상기 제2 돌출부들의 돌출된 높이의 평균값은 5나노미터이하인 것을 특징으로 하는 표시장치.
18. 삭제
19. 제 12 항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
20. 제 12 항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 전기영동층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.

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