KR101685605B1

KR101685605B1 - Test handler

Info

Publication number: KR101685605B1
Application number: KR1020150088658A
Authority: KR
Inventors: 나윤성; 여동현; 최헌식
Original assignee: (주)테크윙
Priority date: 2015-06-22
Filing date: 2015-06-22
Publication date: 2016-12-12
Also published as: KR20150081417A

Abstract

본 발명은 테스트핸들러에서 테스트되는 반도체소자의 온도를 조절하기 위한 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 분사 압력이 낮은 위치에 있는 분사구의 직경을 다른 분사구보다 더 크게 함으로써 반도체소자들의 온도와 설정 온도 간의 편차를 줄여 테스트의 신뢰성을 담보할 수 있는 기술이 개시된다.The present invention relates to a technique for controlling the temperature of a semiconductor device to be tested in a test handler.
According to the present invention, there is disclosed a technique for ensuring reliability of a test by reducing a deviation between a temperature of a semiconductor element and a set temperature by making a diameter of an injection port at a low injection pressure position larger than that of another injection port.

Description

Test handler {TEST HANDLER}

본 발명은 테스트핸들러에 관한 것으로, 특히, 반도체소자의 온도를 조절하는 것과 관련된 기술이다.
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a test handler, and more particularly, to a technique related to temperature control of a semiconductor device.

생산된 반도체소자는 출하에 앞서서 테스터에 의해 테스트되어지는데, 반도체소자를 테스터에 전기적으로 접속되게 공급하는 장비로서 테스트핸들러가 사용된다.The produced semiconductor device is tested by a tester prior to shipment, and a test handler is used as the equipment for supplying the semiconductor device to be electrically connected to the tester.

테스트핸들러는 테스터 측과 결합되는 부분에 테스트챔버를 가지고 있으며, 이 테스트챔버 내에 테스트트레이가 위치할 때 테스트트레이에 적재된 반도체소자들의 테스트가 이루어진다.The test handler has a test chamber in a portion coupled with the tester side, and when the test tray is located in the test chamber, the semiconductor devices loaded in the test tray are tested.

일반적으로 공개특허 10-2005-0055685호(발명의 명칭 : 테스트핸들러)로 제시된 기술(이하 '배경기술1'이라 함)에서와 같이, 테스트챔버에서 테스트트레이에 적재된 행렬 형태로 적재된 반도체소자는 매치플레이트(부호 163c)에 의해 테스터 측으로 가압되면서 테스터 측과 전기적으로 접속된다. 공개특허 10-2008-0086320호(테스트핸들러의 매치플레이트용 푸셔)로 제시된 기술(이하 '배경기술2'라 함)에서와 같이, 매치플레이트에는 반도체소자와 일대일 대응하는 푸셔가 테스트트레이에 적재된 반도체소자의 개수와 동일한 개수로 설치되어 있다. 즉, 푸셔가 반도체소자에 접하면서 반도체소자를 밀어 반도체소자가 테스터 측에 전기적으로 접속되게 하는 것이다. In general, as in the technique (hereinafter referred to as "background technology 1") proposed by the disclosure of Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2005-0055685 (entitled "Test Handler"), a semiconductor device mounted on a test tray in a test- Is electrically connected to the tester side while being pressed toward the tester side by a match plate (reference numeral 163c). As in the technique (hereinafter referred to as "Background Art 2") presented by the patent document 10-2008-0086320 (the pusher for the match plate of the test handler), a pusher corresponding to the one-to-one correspondence with the semiconductor element is loaded on the test tray Are provided in the same number as the number of semiconductor elements. That is, the pusher pushes the semiconductor element while contacting the semiconductor element, so that the semiconductor element is electrically connected to the tester side.

한편, 반도체소자는 다양한 환경(특히 온도)에서 사용될 수 있기 때문에, 테스트챔버 내에 있는 반도체소자에 열적인 스트레스(고열 또는 저열 등)를 인위적으로 가한 상태에서 테스트를 수행할 필요성이 있다. 이 때, 이상적으로는 테스트트레이에 적재된 모든 반도체소자가 동일한 온도를 가진 상태에서 테스트가 이루어지도록 하는 것이 테스트의 신뢰성을 확보하는데 바람직하다.On the other hand, since semiconductor devices can be used in a variety of environments (especially temperatures), there is a need to perform tests with artificially applied thermal stresses (such as high or low heat) on the semiconductor devices in the test chamber. At this time, ideally, it is desirable to ensure that the test is performed in a state in which all the semiconductor elements loaded in the test tray have the same temperature, in order to ensure the reliability of the test.

그런데, 종래에는 온도조절용 공기(열기나 냉기)가 일 측에서 테스트챔버의 내부 공간으로 직접 공급되게 구성되었기 때문에 테스트트레이에 적재된 반도체소자들 간에 온도 편차가 존재할 수밖에는 없었다.However, conventionally, since the temperature control air (hot or cold air) is directly supplied from one side to the inner space of the test chamber, there is necessarily a temperature deviation between the semiconductor elements mounted on the test tray.

따라서 배경기술1에서와 같이 온도조절기로부터 오는 온도조절용 공기를 테스트트레이에 적재된 반도체소자 하나하나에 직접 공급하기 위한 덕트(부호 163b)가 개발되어졌으며, 덕트의 분사구멍(배경기술1에는 '토출홀'로 정의 됨)으로부터 공급되는 온도조절용 공기가 푸셔를 통과하여 푸셔의 전면에서 밀려지고 있는 반도체소자로 이동될 수 있도록 배경기술2에서와 같이 푸셔에 공기가 통과될 수 있는 관통구멍(배경기술2에서는 '공기관통홀'이라 정의 됨)을 형성하는 기술이 개발되어졌다.Therefore, a duct (reference numeral 163b) for directly supplying temperature control air from the temperature regulator to each of the semiconductor devices loaded in the test tray as in the background art 1 has been developed. In the duct, Quot; hole ") can be passed from the front surface of the pusher to the semiconductor device being pushed out from the front surface of the pusher (as described in Background Art 2 2 " is defined as an " air through hole ").

배경기술1 및 2의 등장에 의해 온도조절용 공기가 반도체소자 하나하나에 직접 공급됨으로써 테스트챔버 내에 있는 반도체소자들 간의 온도 편차를 대폭 줄일 수 있게 되었다.The temperature control air is directly supplied to each semiconductor element by the appearance of the background arts 1 and 2, so that the temperature deviation between the semiconductor elements in the test chamber can be greatly reduced.

한편, 테스트되어야 하는 반도체소자의 규격이 바뀌게 됨에 따라 테스트핸들러의 테스트 방식이 전환될 필요성이 종종 발생하게 된다.On the other hand, as the standard of a semiconductor device to be tested is changed, a test method of a test handler often needs to be switched.

예를 들어, 기존에 테스트되던 반도체소자에는 10개의 전기적 접촉단자가 배열되었는데 새로이 테스트될 반도체소자에는 20개의 전기적 접촉단자가 배열되어 있는 경우에는 기본적으로 테스터의 하이픽스보드(반도체소자의 전기적 접촉단자와 전기적으로 접촉되는 테스트소켓을 가지는 인터페이스보드 임)와 매치플레이트를 교체하여야 한다. 왜냐하면, 테스터가 반도체소자와 전기적으로 접촉될 수 있는 용량이 한정되어 있기 때문이다.For example, ten electrical contact terminals are arranged in a semiconductor device that has been tested in the past. When 20 electrical contact terminals are arranged in a semiconductor device to be newly tested, basically, a high-fix board of a tester And an interface board having a test socket in electrical contact with the match plate). This is because the capacity of the tester to make electrical contact with the semiconductor element is limited.

즉, 기존에는 10개의 전기적 접촉단자를 가지는 16개의 반도체소자를 한꺼번에 테스트할 수 있었는데, 20개의 전기적 접촉단자를 가지는 반도체소자를 테스트해야 될 경우가 되면 테스터에는 160개의 전기적 연결라인만을 가지고 있으므로 8개의 반도체소자들만이 테스터와 전기적으로 연결될 수 있다(참고로 본 명세서에서는 설명의 간결함을 위해 일회에 테스트되는 반도체소자의 개수를 대폭 줄여서 설명하고 있으며, 실제로는 일회에 256개, 512개 또는 수 천 개의 반도체소자가 한꺼번에 테스트되도록 구현되고 있다).In other words, in the past, 16 semiconductor devices having 10 electrical contact terminals could be tested at once. When it is necessary to test a semiconductor device having 20 electrical contact terminals, the tester has only 160 electrical connection lines, Only the semiconductor devices can be electrically connected to the tester (for the sake of simplicity of explanation, in this specification, the number of semiconductor devices to be tested at one time is greatly reduced and actually 256, 512, or several thousand Semiconductor devices are being tested together).

그러한 경우 기존에는 일 측면을 도시한 도1에서 참조되는 바와 같이 테스트트레이(TT)에 4×4 행렬 형태로 적재된 16개의 반도체소자(10개의 전기적 접촉단자를 가짐)가 한꺼번에 테스터(TESTER)의 하이픽스보드에 4×4 행렬 형태로 배열된 테스트소켓(TS)에 전기적으로 접촉되어진다.In such a case, 16 semiconductor elements (having 10 electrical contact terminals) stacked in the form of a 4x4 matrix on a test tray TT as shown in FIG. 1, And are electrically contacted to a test socket (TS) arranged in a 4x4 matrix on a high-fix board.

그러나 새로이 테스트될 20개의 전기적 접촉단자를 가지는 반도체소자들의 경우에는 일회에 8개만이 테스터에 전기적으로 연결될 수 있을 뿐이기 때문에, 도2의 (a)와 (b)에서 참조되는 바와 같이, 먼저 홀수열(1열과 3열)의 반도체소자(D)들을 테스터(TESTER)에 전기적으로 연결시켜 테스트를 진행한 후, 테스트트레이(TT)를 테스트트레이(TT)에 적재된 반도체소자(D)의 열간 간격만큼 조금 이동시켜 짝수열(2열과 4열)의 반도체소자(D)들을 테스터(TESTER)에 전기적으로 연결시켜 테스트를 진행하는 방식으로 전환되어야 한다. 참고로 전자의 방식을 16파라(16para) 1스텝(1step) 테스트(test)라 하고, 후자의 방식을 8파라 2스텝 테스트라 하며, 가끔 4파라 4스텝 테스트로의 전환이 필요한 경우도 발생한다.However, in the case of semiconductor devices having 20 electrical contact terminals to be newly tested, since only 8 can be electrically connected to the tester at one time, as shown in FIGS. 2A and 2B, The semiconductor devices D in the first row and the third row are electrically connected to the tester so that the test tray TT is electrically connected to the hot The semiconductor devices D in the even-numbered columns (the second column and the fourth column) are electrically connected to the tester TESTER so as to be tested. For reference, the former method is referred to as 16para (1pep) and the latter method is referred to as 8para2 step test, and occasionally it is necessary to switch to 4para 4 step test .

위와 같은 테스트 방식의 전환에 의해, 반도체소자와 전기적으로 접촉되기 위해 테스터의 하이픽스보드에 설치되는 테스트소켓의 개수도 16개에서 8개로 바뀌어야 하고, 테스트트레이에 적재된 반도체소자를 테스트소켓에 전기적으로 접촉시키기 위해 밀어주던 푸셔의 개수도 16개에서 8개로 바뀌어야 한다. 또한, 테스트소켓과 푸셔의 설치 위치도 달라질 수 있다. 그리고 이러한 점들은 8파라 2스텝 테스트에서 16파라 1스텝 테스트로 전환될 경우에도 마찬가지이다.By switching the test method as above, the number of test sockets installed on the tester's high-fix board must be changed from 16 to 8 in order to make electrical contact with the semiconductor device, and the semiconductor devices loaded in the test tray are electrically The number of pushers that are pushed in order to contact the pusher should be changed from 16 to 8. Also, the mounting position of the test socket and the pusher may be different. These points are also the same when switching from 8 para 2 step test to 16 para 1 step test.

한편, 앞서 설명한 바와 같이, 반도체소자의 온도를 조절하기 위해 덕트를 구비한 경우에는 덕트에 형성된 분사구멍의 개수가 달라져야 할 뿐만 아니라 테스트소켓의 배열 위치가 변경되는 경우에는 분사구멍의 위치도 달라져야 하기 때문에, 덕트나 턱트의 분사구멍이 형성된 부분을 교체해야 할 필요성이 발생한다.
As described above, when the duct is provided to adjust the temperature of the semiconductor device, the number of the injection holes formed in the duct must be changed. In addition, when the arrangement position of the test socket is changed, the position of the injection hole must be changed Therefore, there is a need to replace the portion of the duct or tube where the injection hole is formed.

본 발명의 목적은 테스트 방식을 전환하더라도 덕트나 덕트의 분사구멍이 형성된 부분의 교체가 요구되지 않는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a technique that does not require replacement of a portion of a duct or a duct where a jetting hole is formed, even if the test method is switched.

위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 형태에 따른 테스트핸들러는, L(L은 1보다 큰 자연수 임)개의 반도체소자를 적재시킬 수 있는 테스트트레이; 상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버; 상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임)개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및 상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고, 상기 온도조절장치는, 내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트; 상기 덕트의 상기 유입구를 통해 각각 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함한다.
In order to achieve the above object, a test handler according to a first aspect of the present invention comprises: a test tray capable of stacking L semiconductor elements (L is a natural number greater than 1); A test chamber arranged to allow the L semiconductor devices loaded in the test tray to be tested in a temperature condition of a required condition; Wherein the test tray is provided in the test chamber to electrically connect the semiconductor elements to the tester side by pushing the L semiconductor elements loaded on the test tray toward the tester side when the test tray is accommodated in the test chamber, (A is a natural number smaller than L or equal to L or less) L number of through-holes corresponding to one-to-one correspondence to the semiconductor elements; And a temperature regulator for regulating the temperature of the semiconductor devices loaded in the test tray in the test chamber to the required temperature condition; Wherein the temperature control device has an inlet for allowing the temperature control air to flow into the internal space and supplies the temperature control air introduced into the internal space through the inlet to the A semiconductor devices mounted on the test tray (M is a natural number larger than L) injection holes for spraying the temperature control air on the front surface, and the A injection holes among the injection holes are formed in positions corresponding one-to-one to the A through holes A duct formed therein; A temperature controller for supplying temperature control air to the inner space through the inlet of the duct; .

또한, 위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2 형태에 따른 테스트핸들러는, L(L은 1보다 큰 자연수 임)개의 반도체소자를 적재시킬 수 있는 테스트트레이; 상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버; 상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 A(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임)개의 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및 상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고, 상기 온도조절장치는, 내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L과 같거나 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기한 관통구멍들 간의 간격과 동일한 간격을 가지도록 에 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트; 상기 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 상기한 A개의 분사구멍을 제외한 나머지 (M-A)개의 분사구멍을 선택적으로 폐쇄시키거나 개방시키기 위해 마련되는 분사구멍 개폐장치; 및 상기 덕트의 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함한다.In order to achieve the above object, a test handler according to a second aspect of the present invention includes: a test tray capable of stacking L semiconductor elements (L is a natural number greater than 1); A test chamber arranged to allow the L semiconductor devices loaded in the test tray to be tested in a temperature condition of a required condition; When the test tray is accommodated in the test chamber, the semiconductor devices are electrically connected to the tester side by pushing the semiconductor elements A (A is a natural number equal to or less than L or L) A match plate provided in the test chamber and having A through holes corresponding to A semiconductor devices mounted on the test tray in one-to-one correspondence; And a temperature regulator for regulating the temperature of the semiconductor devices loaded in the test tray in the test chamber to the required temperature condition; Wherein the temperature control device has an inlet for allowing the temperature control air to flow into the internal space and supplies the temperature control air introduced into the internal space through the inlet to the A semiconductor devices mounted on the test tray (M is a natural number equal to or greater than L or L) for spraying the temperature control air on the front surface, and the A injection holes among the above injection holes are formed in a space between the through holes A duct formed at a position corresponding to the one-to-one correspondence so as to have the same interval as that of the duct; A spray hole opening / closing device provided for selectively closing or opening the remaining (M-A) number of spray holes excluding the A spray holes corresponding to the A holes through one-to-one correspondence; And a temperature controller for supplying temperature control air to the internal space through the inlet of the duct. .

M이 L과 같은 경우, 상기 분사구멍 개폐장치는, 상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 N(N은 M보다 큰 자연수 임)개의 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및 상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와는 다른 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고, 상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍이 모두 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기한 M개의 분사구멍 중 (N-M)개의 분사구멍만 선택적으로 개방된 상태로 되는 구조를 가질 수 있다.When M is equal to L, the injection hole opening / closing device includes: an opening / closing plate coupled to a front surface of the duct, the opening / closing plate having N through holes (N being a natural number larger than M) through which temperature control air can pass; And a fixing member for fixing the opening / closing plate in a first position or in a second position different from the first position; Wherein when the opening / closing plate is fixed to the first position, all of the M injection holes are opened, and when the opening / closing plate is fixed to the second position, So that only the injection hole is selectively opened.

M이 L보다 클 경우, 상기 분사구멍 개폐장치는, 상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 L개의 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및 상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와 이격된 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고, 상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 L개의 분사구멍만 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 (M-L)개의 분사구멍만 개방된 상태로 되는 구조를 가질 수 있다.M is larger than L, the injection hole opening / closing apparatus comprises: an opening / closing plate coupled to a front surface of the duct and having L through holes through which temperature control air can pass; And a fixing member for fixing the opening / closing plate in a first position or in a second position spaced apart from the first position; When the opening / closing plate is fixed to the first position, only L injection holes among the M injection holes are opened, and when the opening / closing plate is fixed to the second position, the M injection holes (ML) number of injection holes are opened.

M이 L보다 클 경우, 상기 분사구멍 개폐장치는, 상기 덕트의 전면에 결합되고, 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 L개의 제1 통과구멍과 (M-L)개의 제2 통과구멍이 형성되어 있는 개폐판; 및 상기 개폐판을 제1 위치에 고정시키거나 상기한 제1 위치와 이격된 제2 위치에 고정시키는 고정부재; 를 포함하고, 상기 개폐판이 제1 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 L개의 분사구멍만 상기한 제1 통과구멍들을 통해 개방된 상태로 되고, 상기 개폐판이 제2 위치에 고정된 경우에는 상기 M개의 분사구멍들 중 (M-L)개의 분사구멍만 상기한 제2 통과구멍들을 통해 개방된 상태로 되는 구조를 가질 수도 있다.When M is larger than L, the injection hole opening / closing device is connected to the front surface of the duct, and has L first pass holes through which temperature control air can pass, and ML second pass holes plate; And a fixing member for fixing the opening / closing plate in a first position or in a second position spaced apart from the first position; Wherein when the opening / closing plate is fixed at the first position, only L injection holes among the M injection holes are opened through the first passage holes, and when the opening / closing plate is fixed at the second position (ML) out of the M number of injection holes are opened through the second passage holes.

상기 개폐판에는 상기 개폐판의 위치를 상기한 제1 위치나 제2 위치로 선택적으로 결정시키기 위한 위치결정구멍이 형성되어 있고, 상기 고정부재는 상기 위치결정구멍에 끼움될 수 있는 끼움돌기로 구비되며, 상기 위치결정구멍은 상기 개폐판을 상기한 제1 위치에 위치시키기 위한 제1 위치결정부분, 상기 개폐판을 상기한 제2 위치에 위치시키기 위한 제2 위치결정부분 및 상기 제1 위치결정부분과 제2 위치결정부분을 서로 연결시키는 연결부분으로 이루어져 있다.
Wherein the opening / closing plate is provided with a positioning hole for selectively determining the position of the opening / closing plate to the first position or the second position, and the fixing member is provided with a fitting protrusion that can be fitted into the positioning hole Wherein the positioning hole includes a first positioning portion for positioning the opening and closing plate in the first position, a second positioning portion for positioning the opening and closing plate in the second position, And a connecting portion connecting the first positioning portion and the second positioning portion to each other.

위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 따른 테스트핸들러는, L(L은 1보다 큰 자연수 임)개의 반도체소자를 적재시킬 수 있는 테스트트레이; 상기 테스트트레이에 적재된 L개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련되는 테스트챔버; 상기 테스트트레이가 상기 테스트챔버 내에 수용된 경우에 상기 테스트트레이에 적재된 A(A는 L과 같거나, L보다 작은 자연수 임)개의 반도체소자를 테스터 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터 측에 전기적으로 접속시키기 위해 상기 테스트챔버 내에 마련되며, 상기 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 일대일 대응하는 A개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트; 및 상기 테스트챔버 내에 있는 테스트트레이에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위한 온도조절장치; 를 포함하고, 상기 온도조절장치는, 내부 공간으로 온도조절용 공기가 유입되도록 하기 위한 유입구를 가지며, 테스트트레이에 적재된 A개의 반도체소자에 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 유입된 온도조절용 공기를 공급하기 위해 전면에 온도조절용 공기를 분사시키기 위한 M(M은 L과 같거나 L보다 큰 자연수)개의 분사구멍이 형성되어 있되, 상기한 분사구멍들 중 A개의 분사구멍은 상기한 A개의 관통구멍에 일대일 대응하는 위치에 형성되어 있는 덕트; 및 상기 M개의 분사구멍들 중 일부를 개폐할 수 있는 분사구멍 개폐장치; 및 상기 덕트의 상기 유입구를 통해 상기 내부 공간으로 온도조절용 공기를 공급하기 위한 온도조절기; 를 포함할 수 있다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a test handler comprising: a test tray capable of stacking L (L is a natural number greater than 1) semiconductor devices; A test chamber arranged to allow the L semiconductor devices loaded in the test tray to be tested in a temperature condition of a required condition; When the test tray is accommodated in the test chamber, the semiconductor devices are electrically connected to the tester side by pushing the semiconductor elements A (A is a natural number equal to or less than L or L) A match plate provided in the test chamber and having A through holes corresponding to A semiconductor devices mounted on the test tray in one-to-one correspondence; And a temperature regulator for regulating the temperature of the semiconductor devices loaded in the test tray in the test chamber to the required temperature condition; Wherein the temperature control device has an inlet for allowing the temperature control air to flow into the internal space and supplies the temperature control air introduced into the internal space through the inlet to the A semiconductor devices mounted on the test tray (M is a natural number equal to or greater than L or L) for spraying the temperature control air on the front surface, and the A injection holes among the injection holes are formed in the A through holes A duct formed at a position corresponding one to one; And a spray hole opening / closing device capable of opening / closing part of the M number of spray holes; And a temperature controller for supplying temperature control air to the internal space through the inlet of the duct. . &Lt; / RTI >

본 발명에 따르면 테스트 방식이 전환되는 경우에도 덕트나 덕트의 일부분(분사구멍이 형성된 부분)을 교체할 필요성이 없기 때문에 테스트 방식의 전환이 그 만큼 빨리 이루어질 수 있으면서도 자원의 낭비를 줄여 테스트 방식의 전환에 소요되는 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, even when the test method is switched, there is no need to replace a part of the duct or the duct (the part where the injection hole is formed), so that the test method can be switched as quickly as possible, It is possible to reduce the cost required for the system.

도1과 도2는 일반적인 테스트 방식을 설명하기 위한 참조도이다.
도3은 본 발명에 따른 테스트핸들러에 대한 개념적인 평면도이다.
도4는 도3의 테스트핸들러에 의해 반도체소자가 테스터에 전기적인 연결되는 것을 설명하기 위한 참조도이다.
도5는 도3의 테스트핸들러에 적용될 수 있는 제1 예에 따른 온도조절장치에 대한 개략도이다.
도6a 내지 도6b는 도3의 테스트핸들러에 적용될 수 있는 제2 예에 따른 온도조절장치를 설명하기 위한 참조도이다.
도7a 및 도7b는 도3의 테스트핸들러에 적용될 수 있는 제3 예에 따른 온도조절장치를 설명하기 위한 참조도이다.
도8a 및 도8b는 도3의 테스트핸들러에 적용될 수 있는 제4 예에 따른 온도조절장치를 설명하기 위한 참조도이다.1 and 2 are reference views for explaining a general test method.
3 is a conceptual top view of a test handler according to the present invention.
Fig. 4 is a reference diagram for explaining that the semiconductor device is electrically connected to the tester by the test handler of Fig. 3; Fig.
5 is a schematic view of a temperature controller according to a first example that can be applied to the test handler of FIG.
6A and 6B are reference views for explaining a temperature control apparatus according to a second example that can be applied to the test handler of FIG.
7A and 7B are reference views for explaining a temperature controller according to a third example that can be applied to the test handler of FIG.
8A and 8B are reference views for explaining a temperature controller according to a fourth example that can be applied to the test handler of FIG.

이하 상기한 바와 같은 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하되, 설명의 간결함을 위해 중복되는 설명은 가급적 생략하거나 압축한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. For simplicity of description, redundant description is omitted or compressed as much as possible.

<테스트핸들러의 기본 구성에 대한 설명><Description of basic configuration of test handler>

도3은 본 발명에 따른 테스트핸들러(TH)의 주요부분에 대한 개념적인 평면도이다.3 is a conceptual plan view of a major part of a test handler TH according to the present invention.

도3에서 참조되는 바와 같이, 본 발명에 따른 테스트핸들러(TH)는, 테스트트레이(310), 테스트챔버(320), 매치플레이트(330), 온도조절장치(TC) 등을 포함한다.3, the test handler TH according to the present invention includes a test tray 310, a test chamber 320, a match plate 330, a temperature controller TC, and the like.

테스트트레이(310)는 4×4(16)개의 반도체소자를 적재시킬 수 있으며, 일정한 순환경로(C)를 순환하게 된다.The test tray 310 is capable of stacking 4 x 4 (16) semiconductor devices and circulates through a constant circulation path C.

테스트챔버(320)는, 테스터(TESTER)와 결합되는 부분으로서, 내부에 수용된 테스트트트레이(310)에 적재된 복수개의 반도체소자가 요구되는 조건의 온도상태에서 테스트될 수 있도록 하기 위해 마련된다.The test chamber 320 is provided to allow a plurality of semiconductor devices loaded in the test tray 310 accommodated therein to be tested in a temperature condition of a required condition.

매치플레이트(330)는, 테스트챔버(320) 내에 수용된 테스트트트레이(310)에 적재된 반도체소자들을 테스터(TESTER) 측으로 밀어 반도체소자들을 테스터(TESTER) 측에 전기적으로 접속시키기 위해 테스트챔버(320) 내에 마련되며, 도4에서 참조되는 바와 같이, 테스트트레이(310)에 적재된 반도체소자(D)들과 일대일 대응하는 관통구멍(331)들이 4×4 행렬 형태로 형성되어 있다.The match plate 330 is connected to the test chamber 320 by pushing the semiconductor elements loaded on the test tray 310 accommodated in the test chamber 320 toward the tester TESTER side to electrically connect the semiconductor elements to the tester TESTER side. 4, through holes 331 corresponding to the semiconductor devices D mounted on the test tray 310 are formed in the form of a 4 × 4 matrix.

온도조절장치(TC)는 테스트챔버(320) 내에 있는 테스트트레이(310)에 적재된 반도체소자들을 요구되는 조건의 온도상태로 조절하기 위해 구비된다. 본 발명은 이러한 온도조절장치(TC)에 특징을 가진다. 따라서 본 발명의 다양한 형태에 따라서 예를 달리하는 온도조절장치(TC)에 대하여 목차를 달리하여 예별로 설명한다.
The temperature regulator TC is provided to regulate the temperature of the semiconductor elements loaded in the test tray 310 in the test chamber 320 to the required temperature condition. The present invention is characterized by this temperature controller (TC). Therefore, the temperature control device (TC) according to various embodiments of the present invention will be described with respect to each example by different contents.

<온도조절장치에 대한 제1 예>&Lt; First Example of Temperature Control Apparatus >

도5는 제1 예에 따른 온도조절장치(50)에 대한 개략도이다.5 is a schematic view of a temperature control device 50 according to the first example.

도5에서 참조되는 바와 같이, 본 예에 따른 온도조절장치(50)는 덕트(51)와 온도조절기(53) 등을 구비한다.5, the temperature control device 50 according to the present embodiment includes a duct 51, a temperature controller 53, and the like.

덕트(51)는, 도5에서 참조되는 바와 같이, 내부에 온도조절용 공기를 수용할 수 있는 수용 공간(S)이 있고, 온도조절기(53)로부터 오는 온도조절용 공기가 수용 공간(S)으로 유입되는 유입구(I)가 있으며, 그 전면에는 테스트트레이에 4×4 행렬 형태로 적재된 반도체소자의 위치 및 매치플레이트에 4×4 행렬 형태로 형성된 관통구멍에 일대일 대응되는 위치에 수용 공간(S)으로 유입된 온도조절용 공기를 반도체소자 측으로 분사시키기 위한 16개의 제1 분사구멍(51a, 도면상에서 굵은 실선으로 처리된 구멍)이 테스트트레이에 적재된 반도체소자들 간의 간격 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍들 간의 간격과 동일한 열간 간격(t) 및 배열 형태(4×4 행렬 형태)를 가지도록 형성되어 있고, 제1 분사구멍(51a)들의 제1열과 제2열 사이와 제3열과 제4열 사이에 위치하는 8개의 제2 분사구멍(51b, 제1 분사구멍과 구분하기 위해 도면상에서 가는 점선으로 처리된 구멍)이 제1 분사구멍(51a)들의 열간 간격(t)의 2배의 열간 간격(2t)을 가지도록 형성되어 있다.5, the duct 51 has an accommodation space S capable of accommodating temperature control air therein, and the temperature control air from the temperature controller 53 flows into the accommodation space S And an inlet space I is formed at a position corresponding to the position of the semiconductor elements loaded in the test tray in the form of a 4x4 matrix and the through holes formed in the form of a 4x4 matrix on the match plate, The number of the first injection holes 51a for injecting the temperature control air introduced into the semiconductor device to the semiconductor device side is larger than the interval between the semiconductor elements mounted on the test tray and the through holes formed in the match plate (In the form of a 4 × 4 matrix), and is provided between the first and second rows of the first injection holes 51a and between the third row and the fourth row Located Eight second injection holes 51b are formed so as to be spaced apart from each other by two times the hot spacing 2t of the first spray holes 51a Respectively.

따라서 16파라 1스텝 테스트 시에는 제1 분사구멍(51a)을 통해 온도조절용 공기가 반도체소자로 공급되고, 8파라 2스텝 시에는 제2 분사구멍(51b)을 통해 온도조절용 공기가 반도체소자로 공급되게 된다. 물론, 16파라 1스텝 테스트 시에는 제1 분사구멍(51a)의 위치가 16개의 테스트소켓 및 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍의 위치와 일치되며, 8파라 2스텝 테스트 시에는 제2 분사구멍(51b)의 위치가 8개의 테스트소켓 및 매치플레이트에 형성된 8개의 관통구멍의 위치와 일치되게 된다(테스트 방식의 전환에 따라 하이픽스보드와 매치플레이트가 교체되어짐을 고려하라).Therefore, during 16 para 1 step test, the temperature control air is supplied to the semiconductor element through the first injection hole 51a, and the air for temperature control is supplied to the semiconductor element through the second injection hole 51b during the 8param 2 step . Of course, in the 16 para 1 step test, the positions of the first injection holes 51a coincide with the positions of 16 through holes formed in the 16 test sockets and the match plate, and in the 8param 2 step test, 51b are aligned with the positions of the eight test holes formed in the eight test sockets and the match plate (considering that the high-fix board and the match plate are replaced in accordance with the switching of the test method).

온도조절기(53)는 유입구(I)를 통해 덕트(51)의 수용 공간(S)으로 온도조절용 공기를 공급하기 위해 마련된다.The temperature regulator 53 is provided to supply the temperature control air to the receiving space S of the duct 51 through the inlet I.

본 예는 납품하는 장비(테스트핸들러)가 16파라 1스텝 테스트 방식을 취하는 상태로 납품되는 경우를 예로 들고 있지만, 8파라 2스텝 테스트 방식을 취하는 상태로 납품되는 경우에는 초기 매치플레이트에 형성된 관통구멍은 16개보다 적은 8개(2×4 행렬 형태를 가짐)를 가져야 할 것이다.
In this example, the delivery equipment (test handler) is delivered in a state of taking 16 para 1 step test method. However, when the equipment is delivered in a state of taking 8 para 2 step test method, Will have 8 less than 16 (in the form of a 2x4 matrix).

위와 같은 제1 예에 의할 경우, 테스트 방식이 전환되더라도 덕트(51)나 덕트(51)의 분사구멍(51a, 51b)이 형성된 부분(전면 부분) 등의 교체 없이 매치플레이트와 테스터의 하이픽스보드만 교환하면 되는 이점이 있다.Even if the test method is switched, the hot plate 51 of the match plate 51 and the hot hole 51 of the tester 51 can be exchanged without replacement of the injection holes 51a and 51b of the duct 51 There is an advantage to exchange only the board.

한편, 집적기술의 발달에 따라 반도체소자의 크기가 작아질수록 반도체소자가 온도 변화에 민감하게 반응하기 때문에 1회에 테스트되는 반도체소자들의 온도편자를 더욱 줄일 것이 요구되고 있다.Meanwhile, as the size of a semiconductor device becomes smaller according to the development of integration technology, a semiconductor device is sensitive to a change in temperature, and therefore, it is required to further reduce the temperature characteristics of the semiconductor devices to be tested at a time.

그런데 제1 예에 따르는 경우, 총 24개(1.5ㅧ16개)의 분사구멍(51a, 51b)에서 온도조절용 공기가 분사되기 때문에 반도체소자의 온도를 제어함에 있어서 약간의 곤란함이 발생할 수 있는데, 이러한 점은 이어서 설명되는 다른 예들에 의해서 방지될 수 있게 된다.
However, according to the first example, temperature control air is injected in a total of twenty four (1.5 to 16) injection holes 51a and 51b, so that a slight difficulty may occur in controlling the temperature of the semiconductor element. This point can be prevented by other examples which will be described subsequently.

<온도조절장치에 대한 제2 예>&Lt; Second Example of Temperature Control Apparatus >

도6a는 제2 예에 따른 온도조절장치(60)에 대한 개략도이다.Fig. 6A is a schematic view of the temperature control device 60 according to the second example.

도6a에서 참조되는 바와 같이, 본 예에 따른 온도조절장치(60)는 덕트(61), 분사구멍 개폐장치(62), 온도조절기(63) 등을 포함한다.6A, the temperature control device 60 according to the present embodiment includes a duct 61, a spray hole opening / closing device 62, a temperature regulator 63, and the like.

덕트(61)의 전면(테스트트레이 및 매치플레이트와 마주보는 측 면)에는 테스트트레이에 적재되는 반도체소자의 개수 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍의 개수와 같은 16개의 분사구멍(61a)이 테스트트레이에 적재되는 반도체소자의 위치 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍의 위치에 일대일 대응되는 위치에 형성되어 있다. 여기서 분사구멍(61a)들의 열간 간격은 테스트트레이(TT)에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격과 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.Sixteen injection holes 61a, such as the number of semiconductor elements to be loaded on the test tray and the number of through holes formed in the match plate, are provided on the front side of the duct 61 (the side facing the test tray and the match plate) Are formed at positions corresponding one-to-one to the positions of the semiconductor elements to be loaded and the positions of the through holes formed in the match plate. Here, the hot spacing of the injection holes 61a has a hot spacing t equal to the hot spacing between the sixteen semiconductor elements loaded in the test tray TT and the sixteen through holes formed in the match plate.

분사구멍 개폐장치(62)는 개폐판(62-1)과 끼움돌기(62-2) 등을 포함하여 구성된다.The injection hole opening / closing device 62 includes an opening / closing plate 62-1, a fitting protrusion 62-2, and the like.

개폐판(62-1)에는 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 16개의 제1 통과구멍(62a, 도면상에서 굵은 실선 처리된 구멍)들과 8개의 제2 통과구멍(62b, 도면상에서 가는 점선으로 처리된 구멍)들이 형성되어 있다.The opening and closing plate 62-1 is provided with 16 first passage holes 62a through which the temperature control air can pass, and eight second passage holes 62b, Holes) are formed.

16개의 제1 통과구멍(62a)들은 테스트트레이에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격과 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.The sixteen first passage holes 62a have the same hot spacing t as the hot spacing between the sixteen semiconductor elements loaded in the test tray and the sixteen through holes formed in the match plate.

또한, 8개의 제2 통과구멍(62b)들은 제1 통과구멍(62a)들의 제1열과 제2열 사이와 제3열과 제4열 사이에 위치하고 있으며, 8개의 제2 통과구멍(62b)들 간의 열간 간격(2t)은 제1 통과구멍(62a)들의 열간 간격의 2배이다.The eight second through holes 62b are located between the first and second rows of the first passage holes 62a and between the third row and the fourth row and between the eight second passage holes 62b The hot space 2t is twice the hot space of the first through holes 62a.

한편, 개폐판(62-1)에는 4귀퉁이 부근에 각각 상측이 벌어진 ㄷ자 형상을 가지는 위치결정구멍(62c)이 형성되어 있는데, 도6b에서 참조되는 바와 같이, 위치결정구멍(62c)의 일 측은 개폐판(62-1)을 제1 위치에 위치시키는 제1 위치결정부분(62c-1)이고 타 측은 개폐판(62-1)을 제2 위치에 위치시키는 제2 위치결정부분(62c-2)이다. 여기서 서로 이격되어 있는 제1 위치결정부분(62c-1)의 중심과 제2 위치결정부분(62c-2)의 중심 간의 간격은 제1 통과구멍들의 인접하는 열간 간격(t)의 절반의 간격(t/2)이다. 그리고 제1 위치결정부분(62c-1)과 제2 위치결정부분(62c-2) 사이는 제1 위치결정부분(62c-1)과 제2 위치결정부분(62c-2)을 연결하는 연결부분(62c-3)을 이룬다.On the other hand, the opening / closing plate 62-1 is provided with a positioning hole 62c having a U-shape in which the upper side is opened near four corners. As shown in Fig. 6B, one side of the positioning hole 62c A first positioning portion 62c-1 for positioning the opening and closing plate 62-1 in the first position and a second positioning portion 62c-2 for positioning the opening and closing plate 62-1 in the second position, )to be. The distance between the center of the first positioning portion 62c-1 and the center of the second positioning portion 62c-2, which are spaced apart from each other, t / 2). Between the first positioning portion 62c-1 and the second positioning portion 62c-2, a connecting portion 62c-1 for connecting the first positioning portion 62c-1 and the second positioning portion 62c- (62c-3).

끼움돌기(62-2)는 개폐판(62-1)을 제1 위치에 고정시키거나 제2 위치에 고정시키기 위한 고정부재로서 마련되는 것으로, 위치결정구멍(62c)에 끼움될 수 있는 형태를 가지며, 본 실시예에서는 볼트로 끼움돌기(62-2)를 구성하고 있다. 볼트로 구성된 끼움돌기(62-2)의 머리 부분은 제1 위치결정부분(62c-1) 및 제2위치결정부분(62c-2)의 폭보다 확장되어서 개폐판(62-1)의 이탈이 방지될 수 있도록 되어 있고, 머리 부분의 반대 측 끝부분은 덕트(61)에 볼트 결합되도록 되어 있다. 따라서 개폐판(62-1)은 끼움돌기(62-2)에 의해 덕트(61)의 전면과 밀착되게 결합되게 되며, 작업자는 개폐판(62-1)을 덕트(61)로부터 완전히 분리시킬 필요 없이 개폐판(62-1)을 상측으로 살짝 들어 올린 후 좌측 또는 우측으로 이동시킨 다음 다시 하측으로 내리는 방식으로 개폐판(62-1)의 결합 위치를 제1 위치에서 제2 위치로 또는 제2 위치에서 제1 위치로 간단하게 전환시킬 수 있게 된다.The fitting protrusion 62-2 is provided as a fixing member for fixing the opening / closing plate 62-1 to the first position or the second position, and has a shape that can be fitted in the positioning hole 62c In this embodiment, the bolt-fitting protrusion 62-2 is formed. The head portion of the bolt-made fitting projection 62-2 is wider than the width of the first positioning portion 62c-1 and the second positioning portion 62c-2 so that the detachment of the opening / closing plate 62-1 And the opposite side end portion of the head portion is bolted to the duct 61. Therefore, the opening / closing plate 62-1 is brought into tight contact with the front surface of the duct 61 by the fitting projection 62-2, and the operator needs to completely separate the opening / closing plate 62-1 from the duct 61 Closing plate 62-1 is moved from the first position to the second position or from the first position to the second position in such a manner that the opening / closing plate 62-1 is slightly lifted upward and then moved to the left or right, Position to the first position.

온도조절기(63)는 유입구(I)를 통해 덕트(61)의 수용 공간(S)으로 온도조절용 공기를 공급하기 위해 마련된다. The temperature regulator 63 is provided to supply the temperature control air to the receiving space S of the duct 61 through the inlet I.

계속하여 위와 같은 구성을 가지는 온도조절장치(60)의 작용에 대해서 설명한다.Next, the operation of the temperature regulating device 60 having the above configuration will be described.

16파라 1스텝 테스트 방식일 경우에는, 도6a에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(62-2)가 위치결정구멍(62c)의 제1 위치결정부분(62c-1)에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(62-1)에 형성된 16개의 제1 통과구멍(62a)들의 위치가 덕트(61)에 형성된 16개의 분사구멍(61a)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 덕트(61)에 형성된 16개의 분사구멍(61a)들이 개방되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 16개의 분사구멍(61a)과 16개의 제1 통과구멍(62a)을 통해 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍을 향해 분사된다.In the case of the 16-parameter one-step test method, as shown in Fig. 6A, by allowing the fitting projection 62-2 to be placed in the first positioning portion 62c-1 of the positioning hole 62c The positions of the sixteen first passage holes 62a formed in the opening and closing plate 62-1 correspond one to one to the positions of the sixteen injection holes 61a formed in the duct 61, So that the holes 61a are opened. Therefore, the temperature control air is injected toward the 16 through holes formed in the match plate through the 16 injection holes 61a and the 16 first passage holes 62a.

한편, 8파라 2스텝 테스트 방식일 경우에는, 도6c에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(62-2)가 위치결정구멍(62c)의 제2 위치결정부분(62c-2)에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(62-1)에 형성된 8개의 제2 통과구멍(62b)들의 위치가 덕트(61)에 형성된 16개의 분사구멍(61a)들 중 제1열과 제3열에 있는 8개의 분사구멍(61a)들의 위치와 일대일 대응되도록 하고, 덕트(61)에 형성된 16개의 분사구멍(61a)들 중 나머지 제2열과 제4열에 있는 8개의 분사구멍(61a)은 개폐판(62-1)에 의해 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 제1열과 제3열에 있는 8개의 분사구멍(61a)과 8개의 제2 통과구멍(62b)을 통해 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍을 향해 분사된다.
On the other hand, in the case of the 8parameter step test method, as shown in Fig. 6C, the fitting projection 62-2 is positioned in the second positioning portion 62c-2 of the positioning hole 62c The positions of the eight second through holes 62b formed in the opening and closing plate 62-1 are set so as to correspond to the eight ejection holes 61a in the first row and the third row of the sixteen ejection holes 61a formed in the duct 61 And the eight ejection holes 61a in the second and fourth rows of the sixteen ejection holes 61a formed in the duct 61 are connected by the opening and closing plate 62-1 Closing. Therefore, the temperature control air is injected through the eight injection holes 61a in the first and third rows and the eight second through holes 62b toward the sixteen through holes formed in the match plate.

<온도조절장치에 대한 제3 예>&Lt; Third Example of Temperature Control Apparatus >

도7a는 제3 예에 따른 온도조절장치(70)에 대한 개략도이다.7A is a schematic view of the temperature control device 70 according to the third example.

도7a에서 참조되는 바와 같이, 본 예에 따른 온도조절장치(70)는 덕트(71), 분사구멍 개폐장치(72), 온도조절기(73) 등을 포함한다.7A, the temperature regulating device 70 according to the present example includes a duct 71, a spray hole opening / closing device 72, a temperature regulator 73, and the like.

덕트(71)의 전면(테스트트레이 및 매치플레이트와 마주보는 측 면)에는 테스트트레이에 적재되는 반도체소자의 개수 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍의 개수와 같은 16개의 제1 분사구멍(71a, 도면상에 굵은 실선으로 처리된 구멍)이 테스트트레이에 적재되는 반도체소자의 위치 및 매치플레이트에 형성된 관통구멍의 위치에 일대일 대응되는 위치에 형성되어 있다. 여기서 제1 분사구멍(71a)들의 열간 간격은 테스트트레이에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격과 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.Sixteen first injection holes 71a, such as the number of through-holes formed in the match plate and the number of semiconductor elements to be loaded on the test tray, are formed on the front surface of the duct 71 (the side facing the test tray and the match plate) Are formed at positions corresponding one-to-one to the positions of the semiconductor elements to be loaded on the test tray and the positions of the through holes formed in the match plate. Here, the hot spacing of the first injection holes 71a has a hot spacing t equal to the hot spacing between the sixteen semiconductor elements loaded in the test tray and the sixteen through holes formed in the match plate.

또한, 덕트(71)의 전면에는 8개의 제2 분사구멍(71b)들이 제1 분사구멍(71a)들의 제1열과 제2열 사이와 제3열과 제4열 사이에 형성되어 있으며, 8개의 제2 분사구멍(71b)들 간의 열간 간격(2t)은 제1 분사구멍(71a)들의 열간 간격의 2배이다.Eight second injection holes 71b are formed in the front face of the duct 71 between the first and second rows of the first injection holes 71a and between the third row and the fourth row, The hot interval 2t between the two jetting holes 71b is twice the hot interval of the first jetting holes 71a.

분사구멍 개폐장치(72)는 개폐판(72-1)과 끼움돌기(72-2) 등을 포함하여 구성된다.The injection hole opening / closing device 72 includes an opening / closing plate 72-1, a fitting protrusion 72-2, and the like.

개폐판(72-1)에는 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 16개의 통과구멍(72a)들이 형성되어 있다. 16개의 제1 통과구멍(72a)들은 테스트트레이에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격, 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격, 덕트(71)의 전면에 형성된 제1 분사구멍(71a)들의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.The opening and closing plate 72-1 is formed with sixteen through holes 72a through which the temperature control air can pass. The sixteen first passage holes 72a are formed in the test tray so as to be spaced apart from each other by a distance between the sixteen semiconductor elements mounted on the test tray, a spacing between the sixteen through holes formed in the match plate, 71a, which is the same as the hot gap of the heat shields 71a, 71a.

마찬가지로 개폐판(72-1)에는 제2 예에서와 동일하게 4귀퉁이 부근에 제1 위치결정부분, 연결부분, 제2 위치결정부분을 가지는 위치결정구멍(72c)이 형성되어 있다.Similarly to the second example, the opening / closing plate 72-1 is provided with a positioning hole 72c having a first positioning portion, a connecting portion, and a second positioning portion in the vicinity of four corners.

끼움돌기(72-2)와 온도조절기(73)는 제2 예에서와 동일하므로 설명을 생략한다.Since the fitting protrusions 72-2 and the temperature adjuster 73 are the same as those in the second example, the description is omitted.

계속하여 위와 같은 구성을 가지는 온도조절장치(70)의 작용에 대해서 설명한다.The operation of the temperature control device 70 having the above configuration will be described below.

16파라 1스텝 테스트 방식일 경우에는, 도7에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(72-2)가 위치결정구멍(72c)의 제1 위치결정부분에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(72-1)에 형성된 16개의 통과구멍(72a)들의 위치가 덕트(71)에 형성된 16개의 제1 분사구멍(61a)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 덕트(71)에 형성된 16개의 제1 분사구멍(71a)들은 개방되고 8개의 제2 분사구멍(72b)들은 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 16개의 제1 분사구멍(71a)과 16개의 통과구멍(71b)을 통해 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍을 향해 분사된다.In the case of the 16 para 1 step test method, as shown in Fig. 7, by allowing the fitting projection 72-2 to be positioned at the first positioning portion of the positioning hole 72c, the opening / closing plate 72- And the positions of the sixteen through holes 72a formed in the duct 71 correspond to the positions of the sixteen first injection holes 61a formed in the duct 71 so that the sixteen first injection holes 71a Are opened and the eight second injection holes 72b are closed. Thus, the temperature control air is injected through the sixteen first injection holes 71a and the sixteen through holes 71b toward the sixteen through holes formed in the match plate.

한편, 8파라 2스텝 테스트 방식일 경우에는, 도7b에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(72-2)가 위치결정구멍(72c)의 제2 위치결정부분에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(72-1)에 형성된 16개의 통과구멍(72a)들 중 제2열과 제4열에 있는 8개의 통과구멍(72a)들의 위치가 덕트(71)에 형성된 8개의 제2 분사구멍(71b)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 제2 분사구멍(71b)들은 개방되도록 하고 제1 분사구멍(71a)들을 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 8개의 제2 분사구멍(71b)과 제2열과 제4열에 있는 8개의 통과구멍(72a)을 통해 매치플레이트에 형성된 8개의 관통구멍을 향해 분사된다(기존의 매치플레이트가 8개의 관통구멍이 형성된 매치플레이트로 교체되어짐을 상기하라).
On the other hand, in the case of the 8-parameter two-step test method, as shown in Fig. 7B, the fitting projection 72-2 is placed in the second positioning portion of the positioning hole 72c, The positions of the eight passage holes 72a in the second row and the fourth row among the sixteen passage holes 72a formed in the ducts 72-1 and 72-1 are determined by the positions of the eight second injection holes 71b formed in the duct 71 So that the second injection holes 71b are opened and the first injection holes 71a are closed. The temperature control air is injected through the eight second through holes 71b and the eight through holes 72a in the second and fourth rows toward the eight through holes formed in the match plate Hole is replaced with a match plate in which the through holes are formed).

<온도조절장치에 대한 제4 예>&Lt; Fourth example of temperature control device >

도8a는 제4 예에 따른 온도조절장치(80)에 대한 개략도이다.Fig. 8A is a schematic view of the temperature control device 80 according to the fourth example.

도8a에서 참조되는 바와 같이, 본 예에 따른 온도조절장치(80)는 덕트(81), 분사구멍 개폐장치(82), 온도조절기(83) 등을 포함한다.8A, the temperature regulating device 80 according to the present example includes a duct 81, a spray hole opening / closing device 82, a temperature regulator 83, and the like.

덕트(81)는 제3예에서의 덕트(71)와 동일한 구조를 가진다. 따라서 덕트(81)의 전면에는 16개의 제1 분사구멍(81a)과 8개의 제2 분사구멍(81b)이 형성되어 있다.The duct 81 has the same structure as the duct 71 in the third example. Therefore, 16 first injection holes 81a and 8 second injection holes 81b are formed on the front surface of the duct 81. [

분사구멍 개폐장치(82)는 개폐판(82-1)과 끼움돌기(82-2) 등을 포함하여 구성된다.The injection hole opening / closing device 82 includes an opening / closing plate 82-1, a fitting protrusion 82-2, and the like.

개폐판(82-1)에는 온도조절용 공기가 통과될 수 있는 16개의 제1 통과구멍(82a)들과 8개의 제2 통과구멍(82b)들이 형성되어 있다.Sixteen first passage holes 82a and eight second passage holes 82b through which temperature control air can pass are formed in the opening and closing plate 82-1.

16개의 제1 통과구멍(82a)들은 테스트트레이에 적재되는 16개의 반도체소자들 간의 열간 간격과 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍들 간의 열간 간격과 동일한 열간 간격(t)을 가지고 있다.The sixteen first passage holes 82a have the same hot spacing t as the hot spacing between the sixteen semiconductor elements loaded in the test tray and the sixteen through holes formed in the match plate.

또한, 8개의 제2 통과구멍(82b)들은 제1 통과구멍(82a)들의 제1열과 제2열 사이와 제3열과 제4열 사이에 위치하고 있으며, 8개의 제2 통과구멍(82b)들 간의 열간 간격(2t)은 제1 통과구멍(82a)들의 열간 간격(t)의 2배이다. 이러한 제2 통과구멍(82b)들은 제1열과 제3열에 있는 제1 통과구멍(82a)들과는 가깝고 제2열과 제4열에 있는 제1 통과구멍(82a)들과는 멀게 형성되는데, 본 예에서는 서로 인접하는 제2 통과구멍(82b)과 제1 열에 있는 제1 통과구멍(82a) 간의 간격(t/4)과 서로 인접하는 제2 통과구멍(82b)과 제3 열에 있는 제1 통과구멍(82a) 간의 간격(t/4)은 제1 통과구멍(82a)들의 열간 간격의 1/4로 되어 있다.The eight second passage holes 82b are located between the first and second rows of the first passage holes 82a and between the third and fourth rows, and between the eight second passage holes 82b The hot space 2t is twice the hot space t of the first through holes 82a. The second through holes 82b are formed so as to be close to the first through holes 82a in the first and third rows and distant from the first through holes 82a in the second and fourth columns. In this example, Between the second through hole 82b adjacent to the second through hole 82b and the first through hole 82a in the first row and between the first through hole 82a in the third row and the gap t / The interval t / 4 is 1/4 of the hot interval of the first through holes 82a.

마찬가지로 개폐판(82-1)에는 제2 예에서와 동일하게 4귀퉁이 부근에 제1 위치결정부분, 연결부분, 제2 위치결정부분을 가지는 위치결정구멍(82c)이 형성되어 있다. 다만, 여기서 서로 이격되어 있는 제1 위치결정부분의 중심과 제2 위치결정부분의 중심 간의 간격은 제1 통과구멍(82a)들의 인접하는 열간 간격(t)의 1/4 간격(t/4)이다.Similarly, in the opening / closing plate 82-1, a positioning hole 82c having a first positioning portion, a connecting portion, and a second positioning portion is formed in the vicinity of four corners as in the second example. Here, the distance between the center of the first positioning portion and the center of the second positioning portion, which are spaced apart from each other, is set to 1/4 the interval (t / 4) of the adjacent hot taps t of the first passage holes 82a, to be.

끼움돌기(82-2)와 온도조절기(83)는 제2 예에서와 동일하므로 설명을 생략한다.The fitting protrusions 82-2 and the temperature adjuster 83 are the same as those in the second example, so the description is omitted.

계속하여 위와 같은 구성을 가지는 온도조절장치(80)의 작용에 대해서 설명한다.Next, the operation of the temperature regulating device 80 having the above configuration will be described.

16파라 1스텝 테스트 방식일 경우에는, 도8에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(82-2)가 위치결정구멍(82c)의 제1 위치결정부분에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(82-1)에 형성된 16개의 제1 통과구멍(82a)들의 위치가 덕트(81)에 형성된 16개의 제1 분사구멍(81a)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 덕트(81)에 형성된 16개의 제1 분사구멍(81a)들은 개방되고 8개의 제2 분사구멍(81b)들은 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 16개의 제1 분사구멍(81a)과 16개의 제1 통과구멍(82a)을 통해 매치플레이트에 형성된 16개의 관통구멍을 향해 분사된다.In the case of the 16 para 1 step test method, as shown in Fig. 8, the fitting projection 82-2 is placed in the first positioning portion of the positioning hole 82c so that the opening / closing plate 82- 1 formed in the duct 81 correspond to the positions of the sixteen first injection holes 81a formed in the duct 81 so that the positions of the sixteen first passage holes 82a formed in the duct 81 correspond one- The first injection holes 81a are opened and the eight second injection holes 81b are closed. Therefore, the temperature control air is injected through the 16 first injection holes 81a and the 16 first through holes 82a toward the 16 through holes formed in the match plate.

한편, 8파라 2스텝 테스트 방식일 경우에는, 도8b에서 참조되는 바와 같이, 끼움돌기(82-2)가 위치결정구멍(82c)의 제2 위치결정부분에 위치되는 상태로 되도록 함으로써 개폐판(82-1)에 형성된 8개의 제2 통과구멍(82b)들의 위치가 덕트(81)에 형성된 8개의 제2 분사구멍(81b)들의 위치와 일대일 대응되도록 하여 제2 분사구멍(81b)들은 개방되도록 하고 제1 분사구멍(81a)들을 폐쇄되도록 한다. 따라서 온도조절용 공기는 8개의 제2 분사구멍(812)과 8개의 제2 관통구멍(82b)을 통해 매치플레이트에 형성된 8개의 관통구멍을 향해 분사된다.
On the other hand, in the case of the 8parameter step test method, as shown in Fig. 8B, the fitting projection 82-2 is placed in the second positioning portion of the positioning hole 82c, The positions of the eight second passage holes 82b formed in the first spray holes 82-1 correspond to the positions of the eight second spray holes 81b formed in the duct 81 so that the second spray holes 81b are opened And the first injection holes 81a are closed. Therefore, the temperature control air is injected through the eight second injection holes 812 and the eight second through holes 82b toward the eight through holes formed in the match plate.

즉, 제2 내지 제4 실시예에 의하면 개폐판(62-1, 72-1, 82-1)이 덕트(61, 71, 81)에 형성된 분사구멍들의 일부를 선택적으로 개방시키거나 페쇄시킴으로써 반도체소자에 대응하는 위치에 있는 분사구멍들만을 개방시킴으로써 용이하게 온도조절이 가능할 수 있게 된다.That is, according to the second to fourth embodiments, the opening / closing plates 62-1, 72-1, and 82-1 selectively open or close the portions of the injection holes formed in the ducts 61, 71, and 81, It is possible to easily adjust the temperature by opening only the injection holes at positions corresponding to the elements.

본 예에서는 설명을 위하여 덕트의 분사구멍들이 t 혹은 2t로 모두 동일하다고 가정을 하였으나, 장비에 따라서는 테스트트레이에 적재되는 반도체소자들의 열간 간격이 t 또는 s(t < S) 로 교번적으로 달라지거나 또 다른 예들을 가지질 수도 있으므로, 분사구멍들의 간격이 홀수열 혹은 짝수열을 기준으로 같을 수도 있거나 또 다른 예들에 대응되는 간격을 가질 수도 있을 것이다.
In this example, it is assumed that the ejection holes of the duct are all the same as t or 2t in the present embodiment. However, depending on the equipment, the hot gap of the semiconductor devices loaded in the test tray is alternately changed to t or s (t <S) Or may have other examples, the spacing of the injection holes may be the same as for the odd-numbered columns or the even-numbered columns, or may have an interval corresponding to other examples.

상술한 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.
Although the present invention has been fully described by way of example only with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited thereto. It is to be understood that the scope of the invention is to be construed as being limited only by the following claims and their equivalents.

TH : 테스트핸들러
310 : 테스트트레이
320 : 테스트챔버
330 : 매치플레이트
331 : 관통홀
TC, 50, 60, 70, 80 : 온도조절장치
51, 61, 71, 81 : 덕트
52 : 분사구멍 개폐장치
53, 63, 73, 83 : 온도조절기TH: test handler
310: Test tray
320: Test chamber
330: Match plate
331: Through hole
TC, 50, 60, 70, 80: Temperature controller
51, 61, 71, 81: duct
52: injection hole opening / closing device
53, 63, 73, 83: Temperature regulator

Claims

delete

A test tray capable of stacking L semiconductor elements (L is a natural number greater than 1);
A test chamber arranged to allow the L semiconductor devices loaded in the test tray to be tested in a temperature condition of a required condition;
When the test tray is accommodated in the test chamber, the semiconductor devices are electrically connected to the tester side by pushing the semiconductor elements A (A is a natural number equal to or less than L or L) A match plate provided in the test chamber, the match plate having through holes corresponding to the semiconductor elements mounted on the test tray; And
A temperature regulating device for supplying temperature control air to the semiconductor elements loaded on the test tray through the through holes to adjust the temperature of the semiconductor elements loaded in the test tray in the test chamber to a required temperature condition; Lt; / RTI >
The temperature regulating device includes:
For injecting temperature control air to the front surface to supply temperature control air introduced into the internal space through the inlet port to the semiconductor device loaded on the test tray, A duct having injection holes formed therein; And
A temperature controller for supplying temperature control air to the inner space through the inlet of the duct; / RTI >
M ducts are formed in the duct,
The A injection holes among the M injection holes are formed at a position for supplying temperature control air to the A semiconductor devices loaded on the test tray through the through holes,
M is a natural number greater than L and A
Test handler.

The method of claim 3,
A is equal to L, a one-step test is performed, and L injection holes among the M injection holes are located at positions corresponding one-to-one to the test sockets and the through-holes,
When A is smaller than L, the test is performed in two or more steps. A number of ejection holes of the M number of ejection holes excluding the L number of ejection holes are located at positions corresponding one-to-one to the test sockets and the through- Characterized in that
Test handler.

5. The method of claim 4,
The hot space of the A number of the injection holes is twice the hot space of the L number of the injection holes
Test handler.