KR101676849B1 - 금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법, 그에 의하여 제조된 금속 나노입자 및 다공성 금속 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 저온에서 역라이덴프로스트 및 부분 막비등 원리를 이용하여 실질적으로 환원제 없이 금속 전구체로부터 금속 나노입자 및 다공성 금속을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 화학적 환원제 또는 고가의 전기화학 장치도 사용하지 않으면서, 에너지 절감형의 친환경적이고 경제적인 금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법을 제공할 수 있고, 그에 의하여 제조되는 금속 나노입자 및 다공성 금속을 포함하는 금속 나노물질은 촉매를 비롯하여 흡착제, 분리막, 센서 및 표면 코팅제 등에도 응용이 가능하다.

Description

금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법, 그에 의하여 제조된 금속 나노입자 및 다공성 금속{Method for preparation of metal nanoparticles and porous metals, metal nanoparticles and porous metals prepared thereby}
본 발명은 금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법, 그에 의하여 제조된 금속 나노입자 및 다공성 금속에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저온에서 역라이덴프로스트 및 부분 막비등 원리를 이용하여 실질적으로 환원제 없이 금속 전구체로부터 금속 나노입자 및 다공성 금속을 제조하는 방법에 관한 것이다.
다공성 금속을 비롯한 금속 나노물질의 제조는 기본적으로 금속 전구체로부터 금속 나노입자를 합성하는 것으로부터 시작된다. 일반적으로 금속 전구체를 금속 나노입자로 전환하기 위해서는 금속 전구체를 환원하는 과정이 수반된다. 통상 상기 금속 전구체를 환원하는 방법으로서는 고온 열분해법, 전기화학적 환원법 또는 화학적 환원법이 알려져 있는바, 고온 열분해법은 에너지 과소비형으로 이산화탄소의 배출량이 많고, 전기화학적 환원법은 전기화학적 장치가 반드시 필요하다. 특히, 화학적 환원법에서는 소디움 보로히드라이드, 히드라진, 에틸렌글리콜, 아스크로브산 또는 글루코스 등의 환원제를 반드시 첨가해야 하는 단점이 있다(특허문헌 1).
따라서 최근에 이러한 단점을 개선하고자 금(Au) 전구체를 환원제 없이 라이덴프로스트(Leidenfrost) 원리에 의하여 형성된 전구체 수용액의 액적으로부터 금 나노입자로 환원시키는 방법이 알려져 있다. 라이덴프로스트 원리는 뜨거운 표면에 용액의 액적을 떨어뜨렸을 때, 액적과 뜨거운 표면 사이에 증기층이 형성되면서 액적이 그 증기층 상에 떠있는 현상으로서[막비등(film boiling) 현상], 이러한 라이덴프로스트 원리를 이용한 금 나노입자의 제조는 화학적 환원제를 사용하지 않는 장점이 있는 반면, 뜨거운 표면에 전구체 용액의 액적을 떨어뜨릴 수 있는 부피에 한계가 있기 때문에 양산이 불가능하다는 문제점이 있다(비특허문헌 1).
한편, 상기 라이덴프로스트 원리와는 상반되는 개념으로서 물에 뜨겁게 달궈진 금속구를 넣었을 때, 금속구의 표면과 벌크상의 물 사이에 수증기층이 형성되는 이른바 역라이덴프로스트(Inverse Leidenfrost)이 존재하며, 또한 뜨겁게 달궈진 금속 표면에서 수증기층이 형성되기 전에 수증기 기포가 다량으로 발생하는 부분 막비등(partial film boiling) 현상도 일어나는 것으로 알려져 있다(비특허문헌 2).
그러므로 본 발명자는 상기 역라이덴프로스트 및 부분 막비등 원리를 이용하면, 에너지를 많이 소비하지 않으면서 특별한 전기화학적 장치 및 화학적 환원제 없이도 금속 전구체를 환원시켜 금속 나노입자를 얻을 수 있고, 이로부터 다공성 금속을 간단한 공정으로 양산할 수 있을 것이라는 점에 착안하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
특허문헌 1. 공개특허공보 제10-2013-0090807호
비특허문헌 1. R. Abdelaziz et al., Nat. Commu. 4, 2400(2013) 비특허문헌 2. R. S. Hall et al., Nature 224, 266(1969)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 화학적 환원제 또는 고가의 전기화학 장치도 사용하지 않으면서, 에너지 절감형의 친환경적이고 경제적인 금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법, 그에 의하여 제조된 금속 나노입자 및 다공성 금속을 제공하고자 하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 I) 금속 전구체 수용액에 히터를 접촉시키는 단계; 및 II) 상기 히터를 가열하고, 그 가열된 온도에서 소정 시간 등온상태를 유지하여 금속 나노입자를 형성하는 단계;를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법을 제공한다.
상기 금속 전구체는 팔라듐, 백금, 금, 은, 로듐, 루테늄, 구리, 니켈, 코발트, 철, 망간, 크롬, 아연, 알루미늄, 마그네슘 및 칼슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 한다.
상기 금속 전구체는 상기 금속의 나이트레이트, 클로라이드, 술페이트, 아세테이트 또는 그들의 수화물 염인 것을 특징으로 한다.
상기 히터는 막대형 히터인 것을 특징으로 한다.
상기 가열된 온도는 100~500℃인 것을 특징으로 한다.
상기 소정 시간은 1~60분인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 a) 금속 전구체 수용액에 기공형성제를 첨가한 혼합용액에 히터를 접촉시키는 단계; b) 상기 히터를 가열하고, 그 가열된 온도에서 소정 시간 등온상태를 유지하여 금속 나노입자를 형성하는 단계; c) 상기 등온상태에서 탄소수 1 내지 8의 알코올을 첨가하여 금속 나노입자와 기공형성제를 응집하는 단계; d) 상기 히터를 제거하고, 물과 탄소수 1 내지 8의 알코올을 증발시킨 후, 금속 나노입자와 기공형성제의 복합체를 수득하는 단계; 및 e) 상기 복합체의 건조 및 소성과정을 거쳐 다공성 금속을 얻는 단계;를 포함하는 다공성 금속의 제조방법을 제공한다.
상기 기공형성제는 유기산 또는 당류인 것을 특징으로 한다.
상기 유기산은 구연산인 것을 특징으로 한다.
상기 건조과정은 20~200℃에서 수행되는 것을 특징으로 한다.
상기 소성과정은 300~600℃에서 수행되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 금속 나노입자의 제조방법에 의하여 제조된 금속 나노입자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 다공성 금속의 제조방법에 의하여 제조된 다공성 금속을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속 나노입자 또는 다공성 금속을 포함하는 촉매를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속 나노입자 또는 다공성 금속을 포함하는 흡착제를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속 나노입자 또는 다공성 금속을 포함하는 분리막을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속 나노입자 또는 다공성 금속을 포함하는 센서를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속 나노입자 또는 다공성 금속을 포함하는 표면 코팅제를 제공한다.
본 발명에 따르면, 화학적 환원제 또는 고가의 전기화학 장치도 사용하지 않으면서, 에너지 절감형의 친환경적이고 경제적인 금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법을 제공할 수 있고, 그에 의하여 제조되는 금속 나노입자 및 다공성 금속을 포함하는 금속 나노물질은 촉매를 비롯하여 흡착제, 분리막, 센서 및 표면 코팅제 등에도 응용이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 역라이덴프로스트 및 부분 막비등 원리를 적용한 금속 나노입자의 제조장치.
도 2는 본 발명의 실시예 1로부터 제조된 팔라듐 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 이미지.
도 3은 본 발명의 실시예 2로부터 제조된 백금 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 이미지.
이하에서는 본 발명에 따른 금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법, 그에 의하여 제조된 금속 나노입자 및 다공성 금속에 관하여 첨부된 도면과 함께 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에서는, 종래 고온 열분해법, 전기화학적 환원법 또는 화학적 환원법에 의하여 금속 전구체를 환원시켜 금속 나노입자를 제조하는 것과는 달리, 최근에 라이덴프로스트 또는 막비등 원리를 이용하여 금속 나노입자를 제조하는 방법이 공지되어 있으나, 이마저도 뜨거운 표면에 금속 전구체 용액의 액적을 떨어뜨릴 수 있는 부피에 한계가 있기 때문에 양산이 불가능했던 문제점을 해결하고자, 라이덴프로스트 원리와 상반되는 개념인 역라이덴프로스트(Inverse Leidenfrost) 현상 및 부분 막비등(partial film boiling) 현상을 이용하여 금속 전구체 수용액으로부터 금속 나노입자를 제조하는 것에 기술적 특징이 있다.
즉, 본 발명은 I) 금속 전구체 수용액에 히터를 접촉시키는 단계; 및 II) 상기 히터를 가열하고, 그 가열된 온도에서 소정 시간 등온상태를 유지하여 금속 나노입자를 형성하는 단계;를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법을 제공한다.
먼저, 금속 나노입자는 기본적으로 금속 전구체로부터 얻어지는바, 상기 금속 전구체로서는 팔라듐, 백금, 금, 은, 로듐, 루테늄, 구리, 니켈, 코발트, 철, 망간, 크롬, 아연, 알루미늄, 마그네슘 및 칼슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 화합물을 사용하는데, 이러한 화합물은 상기 열거한 금속들의 나이트레이트, 클로라이드, 술페이트, 아세테이트 또는 그들의 수화물 염일 수 있다. 특히, 팔라듐 전구체로서는 [Pd(NO3)2], [Pd(NO3)2·H2O], [Pd(NO3)2·2H2O], [PdCl2] 또는 [Pd(OAc)2], 백금 전구체로서는 [H2PtCl4] 또는 [H2PtCl6·6H2O], 금 전구체로서는 [HAuCl4], 은 전구체로서는 [AgNO3], [AgBF4], [AgPF6], [CH3COOAg], [AgCF3SO3], [AgClO4] 또는 [Ag2SO4], 구리 전구체로서는 [Cu(NO3)2], [CuCl2] 또는 [CuSO4], 니켈 전구체로서는 [Ni(NO3)2], [NiCl2] 또는 [NiSO4]를 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 I) 단계의 금속 전구체 수용액은 소정 농도의 상기 열거한 금속 전구체의 수용액에 과량의 증류수를 혼합한 상태의 것으로서, 상기 금속 전구체 수용액을 비이커와 같은 용기에 넣고 여기에 히터를 장착시켜 금속 전구체 수용액에 히터를 접촉시킨다. 상기 히터는 금속 전구체 수용액과 직접적으로 접촉할 수 있는 것이라면 형태에 제한이 없으나, 부분 막비등 현상을 쉽게 구현하기 위해서는 비이커 등의 용기에 그대로 담지될 수 있는 막대형 히터가 더욱 바람직하다.
상기 II) 단계에서는, 히터를 가열하고 그 가열된 온도에서 소정 시간 등온상태를 유지함으로써 금속 나노입자를 형성하게 되는데, 이때 히터는 100~500℃로 가열되고, 그 가열된 온도에서 1~60분 동안 등온상태를 유지하는 과정을 거치면서 히터 표면에서는 다량의 수증기 기포가 발생하는 부분 막비등 현상이 발생하고, 이러한 원리에 의하여 금속 전구체 화합물이 영가 금속으로 환원되어 금속 나노입자를 형성한다.
또한, 본 발명에서는 상술한 금속 나노입자의 제조방법에 기공형성제를 첨가하는 등의 일부 과정을 부가하는 변형을 통하여 다공성 금속과 같은 금속 나노물질을 제조할 수 있다.
즉, 본 발명에서는, a) 금속 전구체 수용액에 기공형성제를 첨가한 혼합용액에 히터를 접촉시키는 단계; b) 상기 히터를 가열하고, 그 가열된 온도에서 소정 시간 등온상태를 유지하여 금속 나노입자를 형성하는 단계; c) 상기 등온상태에서 탄소수 1 내지 8의 알코올을 첨가하여 금속 나노입자와 기공형성제를 응집하는 단계; d) 상기 히터를 제거하고, 물과 탄소수 1 내지 8의 알코올을 증발시킨 후, 금속 나노입자와 기공형성제의 복합체를 수득하는 단계; 및 e) 상기 복합체의 건조 및 소성과정을 거쳐 다공성 금속을 얻는 단계;를 포함하는 다공성 금속의 제조방법을 제공한다.
상기 a) 내지 b) 단계는 기공형성제를 첨가한 것을 제외하고는 상술한 금속 나노입자 제조방법과 동일한 과정을 수행한다. 이때, 상기 기공형성제는 궁극적으로 금속에 다공성을 부여하기 위한 것으로서, 종래에는 계면활성제를 일반적으로 많이 사용하지만, 본 발명에서는 친환경적인 유기산 또는 당류를 사용하며, 유기산으로서는 구연산을, 당류로서는 이당류의 일종인 수크로즈를 바람직하게 사용한다.
상기 c) 단계에서는, 기공형성제가 포함된 금속 전구체 수용액으로부터 금속 나노입자가 형성된 상태에서 탄소수 1 내지 8의 알코올을 첨가함으로써 금속 나노입자와 기공형성제가 응집하게 되는데, 이때 탄소수 1 내지 8의 알코올로서는 탄소수 1의 메탄올부터 탄소수 8의 옥탄올까지 모두 가능하나, 탄소수 2의 에탄올을 더욱 바람직하게 사용한다.
이어서, 상기 d) 단계에서는, 히터가 장착된 비이커 등의 용기로부터 히터를 제거하고, 비이커 등의 용기를 열판으로 옮겨 물과 탄소수 1 내지 8의 알코올을 서서히 증발시키면 금속 나노입자와 기공형성제의 복합체를 수득할 수 있다.
마지막으로, 상기 복합체를 건조 및 소성하는 과정을 거침으로써 다공성 금속을 얻는바, 이때 건조과정은 20~200℃에서 수행하며, 완전히 건조된 복합체를 300~600℃에서 소성함으로써 기공형성제를 제거하여 목적물인 다공성 금속을 제조한다.
또한, 본 발명에서는 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 금속 나노입자의 제조방법에 의하여 제조된 금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법에 의하여 제조된 다공성 금속을 제공한다.
또한, 본 발명을 통하여 상기 금속 나노입자 또는 다공성 금속을 포함하는 촉매, 흡착제, 분리막, 센서 및 표면 코팅제를 제공할 수 있다.
이하에서는 구체적인 실시예를 첨부된 도면과 함께 상세히 설명한다.
(실시예 1) 금속 나노입자의 제조 1
도 1의 역라이덴프로스트 및 부분 막비등 원리를 적용한 금속 나노입자의 제조장치에서처럼, 팔라듐 나이트레이트[Pd(NO3)2] 10 중량% 수용액 4g과 증류수 200g을 혼합한 팔라듐 전구체 수용액을 비이커에 넣고 막대형 히터를 장착하여 팔라듐 전구체 수용액에 막대형 히터를 접촉시켰다. 상기 막대형 히터를 240℃로 가열하고, 240℃에서 10분 동안 등온상태를 유지함으로써 부분 막비등 원리에 의하여 환원된 영가의 팔라듐 나노입자를 제조하였다.
(실시예 2) 금속 나노입자의 제조 2
금속 전구체로서 염화백금산[H2PtCl6·6H2O]을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 환원된 영가의 백금 나노입자를 제조하였다.
(실시예 3) 다공성 금속의 제조 1
도 1에서처럼, 팔라듐 나이트레이트[Pd(NO3)2] 10 중량% 수용액 4g과 증류수 200g을 혼합한 팔라듐 전구체 수용액에 구연산 0.5g을 첨가한 혼합용액을 비이커에 넣고 막대형 히터를 장착하여 상기 혼합용액에 막대형 히터를 접촉시켰다. 상기 막대형 히터를 240℃로 가열하고, 240℃에서 10분 동안 등온상태를 유지함으로써 부분 막비등 원리에 의하여 환원된 영가의 팔라듐 나노입자를 제조하였다. 상기 등온상태에서 에탄올 5 mL를 첨가하여 팔라듐 나노입자와 구연산을 응집시켰다. 이어서, 10분 동안 등온상태를 더 유지한 후, 막대형 히터를 제거하고 비이커를 열판으로 옮긴 다음, 물과 에탄올을 서서히 증발시켜 팔라듐 나노입자와 구연산의 복합체를 수득하였다. 상기 복합체를 100℃에서 완전히 건조시키고, 상기 건조된 복합체를 500℃에서 소성하여 다공성 팔라듐을 제조하였다.
(실시예 4) 다공성 금속의 제조 2
금속 전구체로서 염화백금산[H2PtCl6·6H2O]을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 다공성 백금을 제조하였다.
도 2에는 본 발명의 실시예 1로부터 제조된 팔라듐 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 이미지를, 도 3에는 본 발명의 실시예 2로부터 제조된 백금 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 이미지를 각각 나타내었다.
도 2 및 3의 TEM 이미지에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 부분 막비등 원리에 의하여 금속 전구체 수용액으로부터 환원된 영가의 팔라듐 및 백금 나노입자가 균일하게 안정적으로 제조되었음을 확인할 수 있다.
또한, 하기 표 1에는 본 발명의 실시예 3 및 4로부터 제조된 다공성 팔라듐 및 다공성 백금의 메조기공 영역의 물성(질소흡착 분석에 의함)을, 표 2에는 본 발명의 실시예 3 및 4로부터 제조된 다공성 팔라듐 및 다공성 백금의 매크로기공 영역의 물성(머큐리 인트루전 분석에 의함)을 나타내었다.
샘플 메조기공 표면적(m2/g) 메조기공 부피(cm3/g) 메조기공 크기(nm)
실시예 3 21.7 0.032 3.8
실시예 4 37.4 0.089 6.3
샘플 기공부피(mL/g) 공극율(%) 밀도(g/mL)
실시예 3 2.0 84.5 0.42
실시예 4 2.0 80.4 0.40
표 1 및 2에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 부분 막비등 원리에 의하여 제조된 다공성 팔라듐 및 다공성 백금은 메조기공과 매크로기공이 공존하는 계층적 기공구조를 갖고 있으며, 밀도가 매우 낮고 공극율이 아주 높은 것을 확인할 수 있다.
그러므로 본 발명에 따르면, 화학적 환원제 또는 고가의 전기화학 장치도 사용하지 않으면서, 에너지 절감형의 친환경적이고 경제적인 금속 나노입자 및 다공성 금속의 제조방법을 제공할 수 있고, 그에 의하여 제조되는 금속 나노입자 및 다공성 금속을 포함하는 금속 나노물질은 촉매를 비롯하여 흡착제, 분리막, 센서 및 표면 코팅제 등에도 응용이 가능하다.

Claims (18)

  1. I) 금속 전구체 수용액에 히터를 접촉시키는 단계; 및
    II) 상기 히터를 가열하고, 그 가열된 온도에서 소정 시간 등온상태를 유지하여 금속 나노입자를 형성하는 단계;를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 전구체는 팔라듐, 백금, 금, 은, 로듐, 루테늄, 구리, 니켈, 코발트, 철, 망간, 크롬, 아연, 알루미늄, 마그네슘 및 칼슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속 전구체는 팔라듐, 백금, 금, 은, 로듐, 루테늄, 구리, 니켈, 코발트, 철, 망간, 크롬, 아연, 알루미늄, 마그네슘 및 칼슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속의 나이트레이트, 클로라이드, 술페이트, 아세테이트 또는 그들의 수화물 염인 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 제조방법.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서, 상기 히터는 막대형 히터인 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 제조방법.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서, 상기 가열된 온도는 100~500℃인 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 제조방법.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서, 상기 소정 시간은 1~60분인 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 제조방법.
  7. a) 금속 전구체 수용액에 기공형성제를 첨가한 혼합용액에 히터를 접촉시키는 단계;
    b) 상기 히터를 가열하고, 그 가열된 온도에서 소정 시간 등온상태를 유지하여 금속 나노입자를 형성하는 단계;
    c) 상기 등온상태에서 탄소수 1 내지 8의 알코올을 첨가하여 금속 나노입자와 기공형성제를 응집하는 단계;
    d) 상기 히터를 제거하고, 물과 탄소수 1 내지 8의 알코올을 증발시킨 후, 금속 나노입자와 기공형성제의 복합체를 수득하는 단계; 및
    e) 상기 복합체의 건조 및 소성과정을 거쳐 다공성 금속을 얻는 단계;를 포함하는 다공성 금속의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기공형성제는 유기산 또는 당류인 것을 특징으로 하는 다공성 금속의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유기산은 구연산인 것을 특징으로 하는 다공성 금속의 제조방법.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제8항에 있어서, 상기 건조과정은 20~200℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 다공성 금속의 제조방법.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제8항에 있어서, 상기 소성과정은 300~600℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 다공성 금속의 제조방법.
  12. 제1항에 따른 금속 나노입자의 제조방법에 의하여 제조된 금속 나노입자.
  13. 제7항에 따른 다공성 금속의 제조방법에 의하여 제조된 다공성 금속.
  14. 제12항에 따른 금속 나노입자 또는 제13항에 따른 다공성 금속을 포함하는 촉매.
  15. 제12항에 따른 금속 나노입자 또는 제13항에 따른 다공성 금속을 포함하는 흡착제.
  16. 제12항에 따른 금속 나노입자 또는 제13항에 따른 다공성 금속을 포함하는 분리막.
  17. 제12항에 따른 금속 나노입자 또는 제13항에 따른 다공성 금속을 포함하는 센서.
  18. 제12항에 따른 금속 나노입자 또는 제13항에 따른 다공성 금속을 포함하는 표면 코팅제.
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