KR101650212B1

KR101650212B1 - 레이저 장치, 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 및 피검물 검사 장치

Info

Publication number: KR101650212B1
Application number: KR1020117006318A
Authority: KR
Inventors: 야스토시 다카다; 아키라 도쿠히사
Original assignee: 가부시키가이샤 니콘
Priority date: 2008-08-26
Filing date: 2009-08-18
Publication date: 2016-08-22
Also published as: US20110143286A1; KR20110069782A; JP5246262B2; WO2010023841A1; JPWO2010023841A1; TW201014092A; US9160132B2; TWI470889B

Abstract

화이버 퓨전이 발생할 가능성을 한층 더 저감시킨다. 레이저 장치 (1) 는, 여기 광원과, 광화이버 (4A, 4B, 4C) 를 통해 여기 광원으로부터 출력되는 여기광을 받아 광증폭을 실시하는 광증폭부를 갖는다. 모니터부는, 여기 광원으로부터 광화이버 (4A, 4B, 4C) 를 통해 광증폭부측으로 전송되어 온 여기광의 파워 레벨을 모니터한다. 제어부는, 여기 광원의 여기광 출력 개시 당초에 있어서 여기 광원에 소정 파워 레벨의 여기광을 출력시킨 후에, 여기 광원으로부터 소정 파워 레벨의 여기광이 출력되고 있을 때에 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 소정값보다 높은 경우에, 소정 파워 레벨보다 높은 파워 레벨의 여기광을 출력시키는 한편, 여기 광원으로부터 소정 파워 레벨의 여기광이 출력되고 있을 때에 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 소정값 이하인 경우에, 여기광의 출력을 정지시킨다.

Description

레이저 장치, 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 및 피검물 검사 장치{LASER APPARATUS, PHOTOTHERAPEUTIC APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTING SUBJECT TO BE INSPECTED}

본 발명은, 레이저 장치, 그리고, 이것을 사용한 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 피검물 검사 장치에 관한 것이다.

레이저 장치의 예로서, 하기 특허문헌 1 에는, 적외로부터 가시 영역의 신호광을 발생시키는 레이저 광원과, 상기 레이저 광원에서 발생된 신호광을 증폭시키는 광증폭기와, 상기 광증폭기에 의해 증폭된 신호광을 자외광으로 파장 변환시켜 출력하는 파장 변환 광학계와, 상기 광증폭기에 여기광을 공급하는 여기 광원을 구비한 자외 광원이 개시되어 있다.

또, 하기 특허문헌 1 에는, 이와 같은 자외 광원을 사용한 광치료 장치, 노광 장치 및 피검물 검사 장치도 개시되어 있다.

일본 재공표 특허 WO2004/054050호

특허문헌 1 에 개시된 레이저 장치에서는, 예를 들어 반송 등의 편의, 배치 레이아웃의 자유도, 여기 광원으로부터의 열의 영향의 회피 등의 이유로 인해, 여기 광원과 광증폭기 사이를, 도중에 접속부를 갖는 광화이버로 접속하는 것이 바람직하다.

이 경우, 반송 등을 할 때에는, 여기 광원과 광증폭기 사이를 접속하는 광화이버를, 일단 (一端) 을 광증폭기에 접속함과 함께 타단을 개방한 광증폭기측의 광화이버와, 일단을 여기 광원에 접속함과 함께 타단을 개방한 여기 광원측의 광화이버로 분리해 둔다. 이로써, 상기 레이저 장치를 광증폭기측의 부분과 여기 광원측의 부분으로 분리할 수 있어, 그 반송 등이 용이해진다. 그리고, 이 레이저 장치의 설치시에는, 광증폭기측의 광화이버의 타단과 여기 광원측의 광화이버의 타단을 융착 등에 의해 접속한다. 그 결과, 이 레이저 장치의 여기 광원과 광증폭기 사이를 접속하는 광화이버는, 그 도중에 융착 등에 의한 접속부를 갖는다.

또한, 반송시뿐만 아니라, 이미 설치된 레이저 장치 중 예를 들어 여기 광원만을 새로운 것으로 교환하는 경우도, 여기 광원과 광증폭기 사이를 접속하는 광화이버를 도중에 절단한 후, 광증폭기측의 광화이버 타단과 여기 광원측의 광화이버의 타단을 융착 등에 의해 접속하면 그 교환이 용이해진다.

그런데, 전술한 바와 같은 광화이버끼리의 융착 등의 접속 작업에 있어서, 작업자의 스킬의 부족에 의한 미스나, 융착기의 고장이나, 작업 환경의 불량 등에 서 기인하여, 그 융착 상태 등의 접속 상태가 나쁠 가능성이 있다. 나아가서는, 전술한 바와 같은 광화이버끼리의 융착 등의 접속 자체를 깜박 잊어버릴 가능성도 있다.

전술한 바와 같은 광화이버끼리의 융착 상태 등의 접속 상태가 나쁘거나 그 접속을 깜박 잊은 경우에는, 광증폭기측의 광화이버의 타단과 여기 광원측의 광화이버의 타단 사이의 투과율이 정상적으로 접속된 경우에 비해 낮아진다. 그 때문에, 이 상태에서, 레이저 장치의 가동을 개시하고자 하여 여기 광원으로부터 높은 파워의 광을 발생시키면, 광화이버의 투과율이 낮은 부분에서 여기 광원으로부터의 높은 파워의 광 에너지가 흡수됨으로써 광화이버가 과열되어 연소되는 현상 (화이버 퓨전 (Fiber fusion) 이라고 불리는 현상) 이 발생한다.

또, 전술한 바와 같은 광화이버끼리의 융착 상태 등의 접속 상태가 당초에는 양호하더라도, 시간 경과적 변화에 의해 융착 상태 등의 접속 상태가 악화되거나, 광화이버에 물리적인 힘이 가해져 광화이버가 구부러지는 등의 손상을 받거나 할 가능성도 있다. 이 경우에도 화이버 퓨전이 발생한다.

본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 한층 더 저감시킬 수 있는 레이저 장치, 그리고, 이와 같은 레이저 장치를 사용한 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 피검물 검사 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 이하의 각 양태를 제시한다. 제 1 양태에 의한 레이저 장치는, 여기 광원과, 도중에 접속부를 갖는 광화이버를 통해 상기 여기 광원으로부터 출력되는 여기광을 받아 광증폭을 실시하는 광증폭부를 갖고, 상기 광증폭부로부터 출력되는 광 또는 그 광에 기초하는 광을 출력광으로서 출력하는 레이저 장치로서, 상기 여기 광원을 제어하는 제어부와, 상기 여기 광원으로부터 상기 광화이버를 통해 상기 광증폭부측으로 전송되어 온 여기광의 파워 레벨을 모니터하는 모니터부를 구비한 것이다. 이 양태에서는, 상기 제어부는, 상기 여기 광원의 여기광 출력 개시 당초에 있어서 상기 여기 광원에 소정 파워 레벨의 여기광을 출력시킨 후에, 상기 여기 광원으로부터 상기 소정 파워 레벨의 여기광이 출력되고 있을 때에 상기 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 소정값보다 높은 경우에, 상기 여기 광원에 상기 소정 파워 레벨보다 높은 파워 레벨의 여기광을 출력시키는 한편, 상기 여기 광원으로부터 상기 소정 파워 레벨의 여기광이 출력되고 있을 때에 상기 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 상기 소정값 이하인 경우에, 상기 여기 광원에 여기광의 출력을 정지시키도록 상기 여기 광원을 제어한다.

제 2 양태에 의한 레이저 장치는, 여기 광원과, 광화이버를 통해 상기 여기 광원으로부터 출력되는 여기광을 받아 광증폭을 실시하는 광증폭부를 갖고, 상기 광증폭부로부터 출력되는 광 또는 그 광에 기초하는 광을 출력광으로서 출력하는 레이저 장치로서, 상기 여기 광원을 제어하는 제어부와, 상기 여기 광원으로부터 상기 광화이버를 통해 상기 광증폭부측으로 전송되어 온 여기광의 파워 레벨을 모니터하는 모니터부를 구비한 것이다. 이 양태에서는, 상기 제어부는, 상기 여기 광원이 여기광을 출력하고 있을 때에, 상기 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 소정값 이하가 된 경우에, 상기 여기 광원에 여기광의 출력을 정지시키도록 상기 여기 광원을 제어한다.

제 3 양태에 의한 광치료 장치는, 상기 제 1 또는 제 2 양태에 의한 레이저 장치와, 상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 치료 부위로 유도하여 조사시키는 조사 광학계를 구비한 것이다.

제 4 양태에 의한 노광 장치는, 마스크의 패턴을 감광 물체 상에 전사하는 노광 장치로서, 상기 제 1 또는 제 2 양태에 의한 레이저 장치와, 상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 상기 마스크에 조사하는 조명 광학계와, 상기 마스크로부터의 광을 상기 감광 물체에 투영하는 투영 광학계를 구비한 것이다.

제 5 양태에 의한 디바이스 제조 방법은, 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서, 상기 리소그래피 공정에서는, 제 4 양태에 의한 노광 장치를 이용하여 상기 마스크의 패턴을 상기 감광 물체에 전사하는 것이다.

제 6 양태에 의한 피검물 검사 장치는, 상기 제 1 또는 제 2 양태에 의한 레이저 장치와, 피검물을 유지하는 지지부와, 상기 피검물의 투영 이미지를 검출하는 검출기와, 상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 상기 피검물에 조사하는 조명 광학계와, 상기 피검물로부터의 광을 상기 검출기에 투영하는 투영 광학계를 구비한 것이다.

본 발명에 의하면, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 한층 더 저감시킬 수 있는 레이저 장치, 그리고, 이와 같은 레이저 장치를 사용한 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법 및 피검물 검사 장치를 제공할 수 있다.

도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 레이저 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2 는 도 1 중의 여기 광원측 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 3 은 도 1 중의 광증폭부측 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 4 는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 광치료 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 5 는 도 4 에 나타내는 광치료 장치를 구성하는 조사 광학계 및 관찰 광학계를 나타내는 개략 구성도이다.
도 6 은 본 실시형태의 제 3 실시형태에 의한 노광 장치를 모식적으로 나타내는 개략 구성도이다.
도 7 은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 마스크 결함 검사 장치를 나타내는 개략 구성도이다.

이하, 본 발명에 의한 레이저 장치, 광치료 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 및 피검물 검사 장치에 대해 도면을 참조하여 설명한다.

[제 1 실시형태]

도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 를 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 는, 여기 광원측 장치 (2) 와, 광증폭부측 장치 (3) 와, 이들 장치 (2, 3) 사이를 접속하는 여기광용 광화이버 (4Aa, 4Ab, 4Ba, 4Bb, 4Ca, 4Cb) 및 모니터 신호용 전기 신호선 (5) 을 구비하고 있다.

광화이버 (4A) 는, 일단끼리가 접속부 (4Ac) 에서 접속된 광화이버 (4Aa, 4Ab) 로 이루어지고, 도중에 접속부 (4Ac) 를 갖고 있다. 광화이버 (4Aa) 의 타단은 여기 광원측 장치 (2) 에 접속되고, 광화이버 (4Ab) 의 타단은 광증폭부측 장치 (3) 에 접속되어 있다. 마찬가지로, 광화이버 (4B) 는, 일단끼리가 접속부 (4Bc) 에서 접속된 광화이버 (4Ba, 4Bb) 로 이루어지고, 도중에 접속부 (4Bc) 를 갖고 있다. 광화이버 (4Ba) 의 타단은 여기 광원측 장치 (2) 에 접속되고, 광화이버 (4Bb) 의 타단은 광증폭부측 장치 (3) 에 접속되어 있다. 마찬가지로, 광화이버 (4C) 는, 일단끼리가 접속부 (4Cc) 에서 접속된 광화이버 (4Ca, 4Cb) 로 이루어지고, 도중에 접속부 (4Cc) 를 갖고 있다. 광화이버 (4Ca) 의 타단은 여기 광원측 장치 (2) 에 접속되고, 광화이버 (4Cb) 의 타단은 광증폭부측 장치 (3) 에 접속되어 있다. 본 실시형태에서는, 이들 광화이버 (4Aa, 4Ab, 4Ba, 4Bb, 4Ca, 4Cb) 의 접속은 전부 융착에 의해 이루어지고, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 는 융착부로 되어 있다. 단, 본 발명에서는, 이들 광화이버 (4Aa, 4Ab, 4Ba, 4Bb, 4Ca, 4Cb) 의 접속은 융착에 한정되는 것이 아니고, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 는 융착부에 한정되는 것은 아니다.

본 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 는, 광화이버 (4Aa, 4Ba, 4Ca) 와 광화이버 (4Ab, 4Bb, 4Cb) 사이가 각각 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 에서 접속되지 않고 그들 사이가 분리된 상태에서 반송 등이 실시된다. 그리고, 설치시나 예를 들어 여기 광원측 장치 (2) 만의 교환 후 등에 있어서, 광화이버 (4Aa, 4Ba, 4Ca) 와 광화이버 (4Ab, 4Bb, 4Cb) 사이가 각각 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 에서 접속된다.

도 2 는, 도 1 중의 여기 광원측 장치 (2) 를 나타내는 개략 구성도이다. 도 3 은, 도 1 중의 광증폭부측 장치 (3) 를 나타내는 개략 구성도이다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 광화이버 (4Aa, 4Ba, 4Ca) 는, 여기 광원측 장치 (2) 의 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 에 각각 접속되어 있다. 또, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 광화이버 (4Ab, 4Bb, 4Cb) 는, 광증폭부측 장치 (3) 의 커플러 (51A, 51B, 51C) 에 각각 접속되어 있다. 이로써, 여기 광원측 장치 (2) 의 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 에서 발생한 여기광은, 각각 광화이버 (4A, 4B, 4C) 에 의해 전송되어, 커플러 (51A, 51B, 51C) 에 각각 도달한다.

먼저, 도 3 을 참조하여 광증폭부측 장치 (3) 에 대하여 설명한다. 여기 광원측 장치 (2) 에 대해서는 나중에 상술한다.

커플러 (51A) 에 도달한 여기광은, 소정의 비율로 2 분기되어, 그 대부분이 광증폭부 (20) 의 광증폭기로서의 EDFA (에르븀·도프·화이버 광증폭기) (22A) 에 공급되고, 그 나머지가 그 여기광의 파워 레벨을 모니터하는 모니터부로서의 포토 다이오드 등의 검출기 (52A) 에 공급된다. 검출기 (52A) 는, 그 여기광의 파워 레벨을 나타내는 모니터 신호를 인터페이스 (53) 로 출력한다.

커플러 (51B) 에 도달한 여기광은, 소정의 비율로 2 분기되어, 그 대부분이 광증폭부 (20) 의 광증폭기로서의 EDFA (22B) 에 공급되고, 그 나머지가 그 여기광의 파워 레벨을 모니터하는 모니터부로서의 포토 다이오드 등의 검출기 (52B) 에 공급된다. 검출기 (52B) 는, 그 파워 레벨을 나타내는 모니터 신호를 인터페이스 (53) 로 출력한다.

커플러 (51C) 에 도달한 여기광은, 소정의 비율로 2 분기되어, 그 대부분이 광증폭부 (20) 의 광증폭기로서의 EDFA (22C) 에 공급되고, 그 나머지가 그 여기광의 파워 레벨을 모니터하는 모니터부로서의 포토 다이오드 등의 검출기 (52C) 에 공급된다. 검출기 (52C) 는, 그 파워 레벨을 나타내는 모니터 신호를 인터페이스 (53) 로 출력한다.

또한, 커플러 (51A, 51B, 51C) 나, 검출기 (52A, 52B, 52C) 는, 전술한 각 여기광의 파워 레벨을 직접적 또는 간접적으로 모니터할 수 있는 위치에 배치하면, 전술한 위치에 배치하지 않아도 된다. 예를 들어, 커플러 (51A, 51B, 51C) 나, 검출기 (52A, 52B, 52C) 는, EDFA (22A, 22B, 22C) 의 도중에 형성할 수도 있다.

인터페이스 (53) 는, 검출기 (52A, 52B, 52C) 로부터의 모니터 신호를, 소정의 신호 형식으로 변환하여, 신호선 (5) 을 개재하여 여기 광원측 장치 (2) 로 송출한다.

광증폭부측 장치 (3) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 전술한 커플러 (51A, 51B, 51C) 및 검출기 (52A, 52B, 52C) 이외에, 레이저 광원으로서 구성된 종광 (種光) 발생부 (10) 와, 종광 발생부 (10) 에 의해 발생된 종광을 광증폭시키는 광증폭부 (20) 와, 광증폭부 (20) 에 의해 광증폭된 광을 파장 변환시키는 파장 변환부 (30) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 광증폭부측 장치 (3) 의 파장 변환부 (30) 의 출력광이, 레이저 장치 (1) 의 출력광으로 되어 있다. 본 실시형태에서는, 이 출력광으로서 파장 193.4 ㎚ 의 자외 펄스광을 출력한다 그러나, 용도에 따라서는 파장 변환부 (30) 를 제거하고, 광증폭부 (20) 의 출력광을 레이저 장치 (1) 의 출력광으로 해도 된다.

본 실시형태에서는, 종광 발생부 (10) 는, DFB (분포 귀환형) 반도체 레이저 (11) 와, 전기 펄스 발생기 (12) 로 구성되어 있다. DFB 반도체 레이저 (11) 로서는, 예를 들어, 발진 파장 1.547 ㎛ 의 InGaAsP, DFB 반도체 레이저가 사용된다. 전기 펄스 발생기 (12) 는, DFB 반도체 레이저 (11) 의 작동을 제어하는 드라이버이며, 예를 들어, 펄스 폭 약 1 nS, 반복 주파수 f = 수십 ∼ 수백 ㎑ 의 구동 신호를 DFB 반도체 레이저 (11) 에 공급하여 펄스 발진 작동시킨다. 이로써, DFB 반도체 레이저 (11) 는, 피크 파워 10 ㎽ 정도의 펄스 형상의 종광 (신호광, 기본파) 을 광증폭부 (20) 로 출력한다.

광증폭부 (20) 는, 종광 발생부 (10) 로부터의 종광을 3 개로 분기하는 커플러 (21) 와, 분기된 1 개의 광을 증폭시키는 광증폭기로서의 제 1 EDFA (22C) 와, 분기된 다른 1 개의 광을 지연시키는 지연기 (23) 와, 지연기 (23) 에 의해 지연된 광을 증폭시키는 광증폭기로서의 제 2 EDFA (22B) 와, 분기된 나머지 하나의 광을 지연시키는 지연기 (25) 와, 지연기 (25) 에 의해 지연된 광을 증폭시키는 광증폭기로서의 제 3 EDFA (22A) 를 갖고 있다. EDFA (22A, 22B, 22C) 는, 전술한 각 여기광을 받아 광증폭을 실시한다.

다음으로, 파장 변환부 (30) 에 대하여 설명한다. 도 3 에 있어서, 타원형으로 나타내는 것은 콜리메이터 렌즈나 집광 렌즈이며, 그 설명은 생략한다. 또, 도 3 에 있어서, P 편광을 화살표로, S 편광을 ○ 중에 점이 있는 표시로 나타내고, 기본파를 ω, n 배파를 nω 로 나타낸다.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 EDFA (22C) 에 의해 증폭된 P 편광의 기본파는, 제 1 의 2 배파 형성 광학 소자 (PPLN 결정) (31) 에 입사되고, 제 1 의 2 배파 형성 광학 소자 (31) 로부터는 기본파와 함께 P 편광의 2 배파가 발생한다. 이 기본파와 2 배파를, 3 배파 형성 광학 소자 (LBO 결정) (32) 에 입사시킨다. 3 배파 형성 광학 소자 (32) 로부터는 기본파와 2 배파와 함께 S 편광의 3 배파가 발생한다. 또한, 제 1 의 2 배파 형성 광학 소자 (31) 로서는, PPLN 결정에 한정되지 않고, PPKTP 결정, PPSLT 결정, LBO 결정 등을 사용할 수도 있다.

이들 광을, 2 파장 파장판 (33) 을 통과시킴으로써, 2 배파만을 S 편광으로 변환시킨다. 2 파장 파장판 (33) 으로서, 예를 들어 결정의 광학축과 평행하게 컷한 1 축성 결정의 평판으로 이루어지는 파장판이 사용된다. 일방의 파장의 광 (2 배파) 에 대해서는 편광을 회전시키고, 타방의 파장의 광에 대해서는 편광이 회전하지 않도록, 파장판 (결정) 의 두께를 일방의 파장의 광에 대해서는 λ/2 의 정수배로, 타방의 파장의 광에 대해서는 λ 의 정수배가 되도록 컷한다. 그리고, 모두 S 편광이 된 2 배파와 3 배파를, 5 배파 형성 광학 소자 (LBO 결정) (34) 에 입사시킨다. 5 배파 형성 광학 소자 (34) 로부터는, 2 배파와 3 배파와 함께 P 편광의 5 배파가 발생한다. 또한, P 편광의 기본파는 그 상태로 5 배파 형성 광학 소자 (34) 를 투과한다.

5 배파 형성 광학 소자 (34) 로부터 발생하는 5 배파는, 워크 오프로 인해, 단면 (斷面) 이 타원형의 형상을 하고 있어, 그 상태로는 집광성이 나빠, 다음의 파장 변환에는 사용할 수 없다. 따라서, 실린드리컬 렌즈 (35, 36) 에 의해, 이 타원형의 단면 형상을 원형으로 정형한다. 또한, 5 배파 형성 광학 소자 (34) 로서는, BBO 결정, CBO 결정을 사용할 수도 있다.

한편, 제 2 EDFA (22B) 에 의해 증폭된 P 편광의 기본파는, 제 2 의 2 배파 형성 광학 소자 (PPLN 결정) (37) 에 입사되고, 제 2 의 2 배파 형성 광학 소자 (37) 로부터는 기본파와 함께 P 편광의 2 배파가 발생한다. 또한, PPLN 결정 대신에 PPKTP 결정, PPSLT 결정, LBO 결정 등을 사용해도 된다.

또한, 제 3 EDFA (22A) 에 의해 증폭된 S 편광의 기본파는, 다이크로익 미러 (41) 에 의해 전술한 P 편광의 2 배파와 합성된다. 이 예에서는 다이크로익 미러 (41) 는, 기본파를 투과하고, 2 배파를 반사하는 것으로 되어 있다. 합성된 S 편광의 기본파와 P 편광의 2 배파를, 전술한 P 편광의 5 배파와, 다이크로익 미러 (38) 에 의해 합성한다. 이 예에서는, 다이크로익 미러 (38) 는, 기본파와 2 배파를 투과하고, 5 배파를 반사하는 것으로 되어 있다. 이 광의 합성에는, 벌크형 광학 소자를 사용할 수 있는데, 예를 들어, 색 분해·합성 미러 (다이크로익 미러), 반사형 및 투과형 회절 광학 소자를 사용할 수 있다.

합성된 S 편광의 기본파, P 편광의 2 배파, P 편광의 5 배파는, 7 배파 형성 광학 소자 (CLBO 결정) (39) 에 입사되고, 7 배파 형성 광학 소자 (39) 로부터는 이들 광과 함께 S 편광의 7 배파가 발생한다. 이들 광은, 8 배파 형성 광학 소자 (CLBO 결정) (40) 에 입사되고, 여기서 S 편광의 기본파와 S 편광의 7 배파가 합성되어 P 편광의 8 배파가 발생한다. 파장 193.4 ㎚ 의 8 배파만을 8 배파 형성 광학 소자 (40) 로부터 방출되는 다른 파장의 광으로부터 분리하고자 하는 경우에는, 다이크로익 미러나 편광빔 스플리터, 프리즘을 사용함으로써, 이들을 분리하면 된다. 본 실시형태에서는, 도시하지 않은 다이크로익 미러나 편광빔 스플리터, 프리즘에 의해, 8 배파 형성 광학 소자 (40) 로부터 방출되는 광으로부터 파장 193.4 ㎚ 의 8 배파를 분리하여, 이것을 파장 변환부 (30) 의 출력광으로서 출력한다.

다음으로, 도 2 를 참조하여 여기 광원측 장치 (2) 에 대하여 상술한다. 여기 광원측 장치 (2) 는, 광화이버 (4A, 4B, 4C) 에 각각 여기광을 공급하는 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 과, 중앙 제어부 (62) 와, 신호선 (5) 을 통해 전술한 각 모니터 신호를 받아, 그 모니터 신호를 소정 신호 형식으로 변환하여 중앙 제어부 (62) 에 공급하는 인터페이스 (63) 를 갖고 있다.

레이저 유닛 (61A) 은, 여기 광원으로서의 라만 화이버 레이저 (71) 와, 구동부 (72) 와, 유닛 제어부 (73) 와, 인터록 제어부 (74) 를 갖고 있다. 구동부 (72) 는, 유닛 제어부 (73) 의 제어하에서, 라만 화이버 레이저 (71) 에 구동 전류를 공급하여 라만 화이버 레이저 (71) 를 구동시킨다. 유닛 제어부 (73) 는, 중앙 제어부 (62) 로부터, 라만 화이버 레이저 (71) 로부터 여기광을 발생시킬지 정지시킬지의 온 오프 지령 및 여기광을 발생시키는 경우의 여기광의 파워 레벨의 지령을 나타내는 지령 신호를 받아, 그 지령 신호가 나타내는 지령이 실현되도록 구동부 (72) 를 제어한다. 인터록 제어부 (74) 는, 중앙 제어부 (62) 로부터 공급되는 인터록 신호에 응답하여, 구동부 (72) 에 전원 (도시 생략) 으로부터 공급되는 전력을 차단하거나 함으로써, 라만 화이버 레이저 (71) 로부터의 여기광의 발생을 강제적으로 정지시킨다. 또한, 인터록 제어부 (74) 는, 도시하지 않은 긴급 정지 버튼 등으로부터의 인터록 신호도 받아, 라만 화이버 레이저 (71) 로부터의 여기광의 발생을 강제적으로 정지시킨다. 레이저 유닛 (61B, 61C) 은, 레이저 유닛 (61A) 과 동일한 구성을 갖고 있으므로 그 설명은 생략한다.

중앙 제어부 (62) 는, 인터페이스 (63) 로부터의 모니터 신호 (즉, 광증폭부측 장치 (3) 의 검출기 (52A, 52B, 52C) 로부터의 모니터 신호) 에 기초하여, 이하에 설명하는 바와 같이 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 에 각각 상기 지령 신호 및 상기 인터록 신호를 부여한다.

중앙 제어부 (62) 는, 도시하지 않은 조작기 등으로부터 작동 개시 지령을 받으면, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 유닛 제어부 (73) 에, 소정 파워 레벨 (WL) 의 여기광을 라만 화이버 레이저 (71) 로부터 출력시키는 취지의 지령 신호를 각각 공급한다. 그 결과, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 의 여기광 출력 개시 당초에 있어서, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 가 소정 파워 레벨 (WL) 의 여기광을 각각 출력한다 이 소정 파워 레벨 (WL) 은, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 의 접속 상태가 나쁘거나 광화이버 (4Aa, 4Ba, 4Ca) 와 광화이버 (4Ab, 4Bb, 4Cb) 사이가 접속되어 있지 않거나 해도, 화이버 퓨전이 일어나지 않는 저파워 레벨이 된다.

그리고, 중앙 제어부 (62) 는, 검출기 (52A, 52B, 52C) 로부터의 모니터 신호에 기초하여, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 가 소정 파워 레벨 (WL) 의 여기광을 각각 출력하고 있을 때에 검출기 (52A, 52B, 52C) 에 의해 모니터된 파워 레벨 전부가 소정값 (S1) 보다 높거나, 그렇지 않으면, 그들 파워 레벨 중 어느 1 개 이상이 소정값 (S1) 이하인지를 판정한다. 설명의 편의상, 이 판정을 초기 판정이라고 부른다.

상기 초기 판정에 의해, 전부 소정값 (S1) 보다 높은 것으로 판정되면, 중앙 제어부 (62) 는, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 유닛 제어부 (73) 에, EDFA (22A, 22B, 22C) 가 소기의 광증폭 동작을 실시하기에 충분히 높은 파워 레벨 (WH) (WH ＞ WL) 의 여기광을 라만 화이버 레이저 (71) 로부터 출력시키는 취지의 지령 신호를 각각 공급한다. 그 결과, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 로부터 발생한 파워 레벨 (WH) (WH ＞ WL) 의 여기광이 EDFA (22A, 22B, 22C) 에 공급되어 정상적인 가동 상태가 되고, 먼저 설명한 광증폭부측 장치 (3) 의 동작에 의해, 파장 193.4 ㎚ 의 출력광이 파장 변환부 (30) 로부터 출력된다. 상기 소정값 (S1) 은, 모니터된 파워 레벨이 그 값보다 높으면, 광화이버 (4Aa, 4Ba, 4Ca) 와 광화이버 (4Ab, 4Bb, 4Cb) 사이가 적절히 접속되고, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 의 접속 상태가 양호한 것을 확인할 수 있는 값으로 설정된다. 따라서, 광화이버 (4Aa, 4Ba, 4Ca) 와 광화이버 (4Ab, 4Bb, 4Cb) 사이가 적절히 접속되고, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 의 접속 상태가 양호한 것이 확인된 후에, 정상적인 가동 상태로 이행되게 되므로, 가동을 개시하고 나서 정상적인 가동 상태로 이행했을 때에 화이버 퓨전이 발생할 우려가 없어진다.

한편, 상기 초기 판정에 의해, 어느 것이 소정값 (S1) 이하라고 판정되면, 중앙 제어부 (62) 는, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 인터록 제어부 (74) 에 인터록 신호를 송출한다. 그 결과, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 가 여기광의 출력을 정지시킨다. 이 때, 인터록 제어부 (74) 는, 라만 화이버 레이저 (71) 의 여기광 출력을 정지시킬 뿐만 아니라, 도시하지 않은 경보기 등을 작동시켜 경보를 발하는 것이 바람직하다. 어느 것이 소정값 (S1) 이하이면, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 중 어느 것의 접속 상태가 나쁘거나 혹은 광화이버 (4Aa, 4Ba, 4Ca) 와 광화이버 (4Ab, 4Bb, 4Cb) 사이의 어느 것이 접속되어 있지 않을 가능성이 있다. 이와 같은 경우에는, 정상적인 가동 상태로 이행되지 않고, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 가 여기광의 출력을 정지시키므로, 화이버 퓨전이 발생할 우려가 없어진다.

그리고, 본 실시형태에서는, 중앙 제어부 (62) 는, 정상적인 가동 상태를 계속하고 있을 때 (즉, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 가 높은 파워 레벨 (WH) 의 출력을 계속하고 있을 때) 에, 검출기 (52A, 52B, 52C) 로부터의 모니터 신호에 기초하여, 검출기 (52A, 52B, 52C) 에 의해 모니터된 파워 레벨 전부가 소정값 (S2) 보다 높거나, 그렇지 않으면, 그들 파워 레벨 중 어느 1 개 이상이 소정값 (S2) 이하인 것을 반복하여 판정한다. 설명의 편의상, 이 판정을 정상 가동 중 판정이라고 부른다. 또한, 정상적인 가동 상태에 있어서, 라만 화이버 레이저 (71) 로부터 출력되는 여기광의 파워 레벨은 반드시 일정할 필요는 없다.

상기 정상 가동 중 판정에 의해, 모두의 파워 레벨도 소정값 (S2) 보다 높은 것으로 판정되면, 중앙 제어부 (62) 는 정상적인 가동 상태를 계속시킨다. 상기 소정값 (S2) 은, 모니터된 파워 레벨이 그 값보다 높으면, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 의 접속 상태가 양호함과 함께 광화이버 (4A, 4B, 4C) 가 손상을 받아 구부러져 있거나 하지 않은 것을 확인할 수 있는 값으로 설정된다. 따라서, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 의 접속 상태가 양호함과 함께 광화이버 (4A, 4B, 4C) 가 손상을 받아 구부러져 있거나 하지 않은 것을 확인하면서, 정상적인 가동 상태가 계속되므로, 정상적인 가동 상태를 계속하고 있을 때에 화이버 퓨전이 발생할 우려가 없어진다.

한편, 상기 정상 가동 중 판정에 의해, 어느 것이 소정값 (S2) 이하라고 판정되면, 중앙 제어부 (62) 는, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 인터록 제어부 (74) 에 인터록 신호를 송출한다. 그 결과, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 가 여기광의 출력을 정지시킨다. 이 때, 인터록 제어부 (74) 는, 라만 화이버 레이저 (71) 의 여기광 출력을 정지시킬 뿐만 아니라, 도시하지 않은 경보기 등을 작동시켜 경보를 발하는 것이 바람직하다. 어느 것이 소정값 (S2) 이하이면, 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 중 어느 것의 접속 상태가 시간 경과적 변화 등에 의해 악화되거나 도중에 광화이버 (4A, 4B, 4C) 가 손상을 받아 구부러질 가능성이 있다. 이와 같은 경우에는, 정상적인 가동 상태가 종료되어, 레이저 유닛 (61A, 61B, 61C) 의 라만 화이버 레이저 (71) 가 여기광의 출력을 정지시키므로, 화이버 퓨전이 발생할 우려가 없어진다.

이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 화이버 퓨전이 발생할 가능성이 대폭 저감된다.

또한, 본 실시형태와 같이 상기 정상 가동 중 판정과 그 결과에 의한 여기광 출력의 정지를 실시하는 것은, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 보다 저감시키 위해서는 바람직하다. 그러나, 본 발명에서는, 상기 정상 가동 중 판정과 그 결과에 의한 여기광 출력의 정지는 반드시 실시할 필요는 없다. 상기 정상 가동 중 판정과 그 결과에 의한 여기광 출력의 정지를 실시하지 않아도, 상기 초기 판정과 그 결과에 의한 여기광 출력의 정지를 실시하면, 종래에 비하면, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 현격히 저감시킬 수 있다.

또, 상기 초기 판정과 그 결과에 의한 여기광 출력의 정지를 실시하는 것은, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 보다 저감시키기 위해서는 바람직하다. 그러나, 본 발명에서는, 상기 초기 판정과 그 결과에 의한 여기광 출력의 정지는 반드시 실시할 필요는 없다. 상기 초기 판정과 그 결과에 의한 여기광 출력의 정지를 실시하지 않아도, 상기 정상 가동 중 판정과 그 결과에 의한 여기광 출력의 정지를 실시하면, 종래에 비하면, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 현격히 저감시킬 수 있다. 이 경우, 광화이버 (4A, 4B, 4C) 는, 도중에 접속부 (4Ac, 4Bc, 4Cc) 를 갖지 않는 광화이버로 해도 된다.

[제 2 실시형태]

도 4 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 광치료 장치 (80) 를 나타내는 개략 구성도이다. 도 5 는, 도 4 에 나타내는 광치료 장치 (80) 를 구성하는 조사 광학계 (100) 및 관찰 광학계 (110) 를 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시형태에 의한 광치료 장치 (80) 는, 상기 제 1 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 를 이용하여 구성되고, 자외 레이저광 (레이저 장치 (1) 의 출력광) 을 각막에 조사하여 각막 표면의 아브레이션 (PRK : Photorefractive Keratectomy) 혹은 절개한 각막 내부의 아브레이션 (LASIK: Laser Intrastromal Keratomileusis) 을 실시하고, 각막의 곡률 혹은 요철을 교정하여 근시, 난시 등의 치료를 실시하는 장치이다.

광치료 장치 (80) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이 기본적으로는, 장치 케이싱 (90) 내에, 상기 서술한 레이저 장치 (1) 와, 이 레이저 장치 (1) 로부터 출력된 자외 레이저광 (Lv) 을 안구 (EY) 의 각막 (HC) 표면 (치료 부위) 으로 유도하여 조사시키는 조사 광학계 (100) 와, 치료 부위의 관찰을 실시하는 관찰 광학계 (110) 를 구비하여 구성된다.

장치 케이싱 (90) 은 X-Y 이동 테이블 (92) 을 개재하여 베이스부 (91) 상에 배치 형성되어 있고, 안구 (EY) 에 대해 장치 케이싱 (90) 전체가, 도 4 에 있어서의 화살표 X 방향, 즉 도면 좌우 방향과, 지면에 수직인 Y 방향으로 이동 가능하도록 구성되어 있다.

조사 광학계 (100) 및 관찰 광학계 (110) 의 구성을 도 5 에 나타낸다. 조사 광학계 (100) 는, 레이저 장치 (1) 로부터 사출된 파장 193.4 ㎚ 의 자외 레이저광 (Lv) 을, 안구 (EY) 상에서 소정의 스폿 직경을 형성하도록 집광시키는 집광 렌즈 (101) 와, 집광 렌즈 (101) 로부터의 자외 레이저광을 반사시켜 치료 대상이 되는 안구 (EY) 의 각막 (HC) 표면에 조사시키는 다이크로익·미러 (102) 를 갖고 구성된다. 다이크로익·미러 (102) 는, 자외 영역의 광을 반사시켜 가시 영역의 광을 투과시키도록 설정되어, 다음에 서술하는 관찰 광학계 (110) 의 광축과 동일한 축 상에 자외 레이저광 (Lv) 을 반사시켜 각막 (HC) 표면에 조사 가능하도록 되어 있다.

한편, 관찰 광학계 (110) 는, 치료 대상이 되는 안구 (EY) 의 각막 (HC) 의 표면을 조명하는 조명 램프 (115) 와, 조명 램프 (115) 에 의해 조명되고 각막 (HC) 에서 반사되어 다이크로익·미러 (102) 를 투과한 가시 영역의 광을 받는 대물 렌즈 (111) 와, 대물 렌즈 (111) 로부터의 광을 반사시키는 프리즘 (112) 과, 프리즘 (112) 으로부터의 반사광을 받아 결상시키는 접안 렌즈 (113) 로 구성되어, 접안 렌즈 (113) 를 통해 각막 (HC) 의 확대 이미지를 관찰할 수 있도록 되어 있다.

이로써, 안과의 등의 기술자가 관찰 광학계 (110) 를 통해 치료 대상을 육안으로 관찰하면서 광치료를 실시할 수 있다. 예를 들어, 안구 (EY) 를 육안으로 관찰하면서 장치 케이싱 (90) 을 X 방향 및 Y 방향으로 이동시켜, 치료 대상이 되는 각막 (HC) 의 표면에 자외 레이저광을 스폿광으로서 조사시켜, 조사 영역을 증산 (蒸散) 시킨다. 또, 도시를 생략하는 작동 제어 장치에 의해 X-Y 이동 테이블 (92) 의 작동을 제어하고, 장치 케이싱 (90) 을 X 방향 및 Y 방향으로 이동시켜 각막 (HC) 의 표면 상에 조사되는 스폿광을 주사 이동시키고, 각막 표면의 아브레이션을 실시하여 근시, 난시, 원시 등의 교정 치료를 실시할 수 있다.

본 실시형태에 의한 광치료 장치에서는, 상기 제 1 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 가 이용되고 있으므로, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 저감시킬 수 있다.

[제 3 실시형태]

도 6 은, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 노광 장치 (120) 를 모식적으로 나타내는 개략 구성도이다. 본 실시형태에 의한 노광 장치 (120) 는, 상기 제 1 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 를 이용하여 구성되고, 반도체 제조 공정의 하나인 포토리소그래피 공정에서 사용된다. 포토리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치는, 원리적으로는 사진제판과 동일하며, 포토마스크 (레티클) 상에 정밀하게 그려진 디바이스 패턴을, 포토레지스트를 도포한 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 위에 광학적으로 투영하여 전사한다.

본 실시형태에 의한 노광 장치 (120) 는, 전술한 레이저 장치 (1) 와, 조사 광학계 (조명 광학계) (121) 와, 포토마스크 (122) 를 지지하는 마스크 지지대 (123) 와, 투영 광학계 (124) 와, 노광 대상물인 감광 물체인 반도체 웨이퍼 (125) 를 재치 (載置) 유지하는 재치대 (126) 와, 재치대 (126) 를 수평 이동시키는 구동 장치 (127) 를 구비하고 있다.

이 노광 장치 (120) 에 있어서는, 전술한 레이저 장치 (1) 로부터 출력되는 출력광이, 복수의 렌즈로 구성되는 조사 광학계 (121) 에 입력되고, 여기를 통과하여 마스크 지지대 (123) 에 지지된 포토마스크 (122) 의 전체면에 조사된다. 본 실시형태에서는, 레이저 장치 (1) 및 조사 광학계 (121) 가, 대상물인 포토마스크 (122) 를 조사하는 광 조사 장치를 구성하고 있다. 이와 같이 조사되어 포토마스크 (122) 를 통과한 광은, 포토마스크 (122) 에 그려진 디바이스 패턴의 이미지를 갖고 있어, 이 광이 투영 광학계 (124) 를 통해 재치대 (126) 에 재치된 반도체 웨이퍼 (125) 의 소정 위치에 조사된다. 이 때, 투영 광학계 (124) 에 의해 포토마스크 (122) 의 디바이스 패턴의 이미지가 반도체 웨이퍼 (125) 상에 축소되어 결상 노광된다.

본 실시형태에 의한 노광 장치 (120) 에서는, 상기 제 1 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 가 이용되고 있으므로, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 저감시킬 수 있다.

본 발명의 일 실시형태에 의한 디바이스 제조 방법에서는, 반도체 디바이스는, 디바이스의 기능·성능 설계를 실시하는 공정, 실리콘 재료로부터 웨이퍼를 형성하는 공정, 상기 제 3 실시형태에 의한 노광 장치 (120) 에 의해 포토마스크 (122) 를 통해 반도체 웨이퍼 (125) 를 노광하는 공정을 포함하는 리소그래피 공정, 에칭 등의 회로 패턴을 형성하는 공정, 디바이스 조립 공정 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정을 포함), 및 검사 공정 등을 거쳐 제조된다. 또한, 본 발명은, 반도체 디바이스 제조용 노광 장치뿐만 아니라, 다른 여러 가지의 디바이스를 제조하기 위한 노광 장치에도 적용할 수 있다.

[제 4 실시형태]

도 7 은, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 피검물 검사 장치로서의 마스크 결함 검사 장치 (130) 를 나타내는 개략 구성도이다.

본 실시형태에 의한 마스크 결함 검사 장치 (130) 는, 포토마스크 (132) 상에 정밀하게 그려진 디바이스 패턴을 TDI 센서 (Time Delay and Integration) (136) 상에 광학적으로 투영하고, 센서 화상과 소정의 참조 화상을 비교하여, 그 차이로부터 패턴의 결함을 추출한다.

마스크 결함 검사 장치 (130) 는, 상기 제 1 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 와, 조명 광학계 (131) 와, 포토마스크 (132) 를 지지하는 마스크 지지대 (133) 와, 마스크 지지대 (133) 를 수평 이동시키는 구동 장치 (134) 와, 투영 광학계 (135) 와, TDI 센서 (136) 를 구비하여 구성된다.

이 마스크 결함 검사 장치 (130) 에 있어서는, 상기 서술한 레이저 장치 (1)로부터 출력되는 출력광이, 복수의 렌즈로 구성되는 조명 광학계 (131) 에 입력되고, 여기를 통과하여 마스크 지지대 (133) 에 지지된 포토마스크 (132) 의 소정 영역에 조사된다. 이와 같이 조사되어 포토마스크 (132) 를 통과한 광은, 포토마스크 (132) 에 그려진 디바이스 패턴의 이미지를 갖고 있어, 이 광이 투영 광학계 (135) 를 통해 TDI 센서 (136) 의 소정 위치에 결상된다. 또한, 마스크 지지대 (133) 의 수평 이동 속도와, TDI 센서 (136) 의 전송 클록은 동기되어 있다.

본 실시형태에 의한 마스크 결함 검사 장치 (130) 에서는, 상기 제 1 실시형태에 의한 레이저 장치 (1) 가 이용되고 있으므로, 화이버 퓨전이 발생할 가능성을 저감시킬 수 있다.

이상, 본 발명의 각 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되는 것은 아니다.

예를 들어, 상기 제 1 실시형태에 있어서, EDFA (22A, 22B, 22C) 대신에, 다른 희토류 첨가 화이버 공진기 또는 화이버 증폭기를 사용해도 된다. 또, 여기 광원으로서, 라만 화이버 레이저 (71) 대신에 Er-YAG 레이저 등의 반도체 레이저를 사용해도 된다. 또한, 레이저 장치 (1) 로부터 출력되는 출력광의 파장은 193.4 ㎚ 에 한정되는 것이 아니라는 것은 말할 필요도 없다. 또, 본 발명에 의한 레이저 장치 (1) 를 이용한 장치로서, 상기 제 2 내지 제 4 실시형태를 들었지만, 본 발명에 의한 레이저 장치 (1) 는, 다른 여러 가지의 장치에서 사용할 수 있다.

1 : 레이저 장치
2 : 여기 광원측 장치
3 : 광증폭부측 장치
4A, 4B, 4C, 4Aa, 4Ba, 4Ca, 4Ab, 4Bb, 4Cb : 광화이버
4Ac, 4Bc, 4Cc : 접속부
61A, 61B, 61C : 레이저 유닛
62 : 중앙 제어부
52A, 52B, 52C : 검출기 (모니터부)
20 : 광증폭부
30 : 파장 변환부
80 : 광치료 장치
120 : 노광 장치
130 : 마스크 결함 검사 장치

Claims

여기 광원과, 도중에 접속부를 갖는 광화이버를 통해 상기 여기 광원으로부터 출력되는 여기광을 받아 광증폭을 실시하는 광증폭부를 갖고, 상기 광증폭부로부터 출력되는 광 또는 그 광에 기초하는 광을 출력광으로서 출력하는 레이저 장치로서,
상기 여기 광원을 제어하는 제어부와,
상기 여기 광원으로부터 상기 광화이버를 통해 상기 광증폭부측으로 전송되어 온 여기광의 파워 레벨을 모니터하는 모니터부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 여기 광원의 여기광 출력 개시 당초에 있어서 상기 여기 광원에 소정 파워 레벨의 여기광을 출력시킨 후에, 상기 여기 광원으로부터 상기 소정 파워 레벨의 여기광이 출력되고 있을 때에 상기 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 소정값보다 높은 경우에, 상기 여기 광원에 상기 소정 파워 레벨보다 높은 파워 레벨의 여기광을 출력시키는 한편, 상기 여기 광원으로부터 상기 소정 파워 레벨의 여기광이 출력되고 있을 때에 상기 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 상기 소정값 이하인 경우에, 상기 여기 광원에 여기광의 출력을 정지시키도록, 상기 여기 광원을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 여기 광원이 상기 소정 파워 레벨보다 높은 파워 레벨의 여기광을 출력하고 있을 때에, 상기 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 소정값 이하가 된 경우에, 상기 여기 광원에 여기광의 출력을 정지시키도록, 상기 여기 광원을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 광증폭부로부터 출력된 광을 소정 파장의 광으로 변환시키는 파장 변환부를 구비하고, 파장 변환부로부터 출력된 광을 상기 출력광으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
여기 광원과, 광화이버를 통해 상기 여기 광원으로부터 출력되는 여기광을 받아 광증폭을 실시하는 광증폭부를 갖고, 상기 광증폭부로부터 출력되는 광 또는 그 광에 기초하는 광을 출력광으로서 출력하는 레이저 장치로서,
상기 여기 광원을 제어하는 제어부와,
상기 여기 광원으로부터 상기 광화이버를 통해 상기 광증폭부측으로 전송되어 온 여기광의 파워 레벨을 모니터하는 모니터부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 여기 광원이 여기광을 출력하고 있을 때에, 상기 모니터부에 의해 모니터된 파워 레벨이 소정값 이하가 된 경우에, 상기 여기 광원에 여기광의 출력을 정지시키도록, 상기 여기 광원을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
제 4 항에 있어서,
상기 광증폭부로부터 출력된 광을 소정 파장의 광으로 변환시키는 파장 변환부를 구비하고, 파장 변환부로부터 출력된 광을 상기 출력광으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 장치와,
상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 치료 부위로 유도하여 조사시키는 조사 광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 광치료 장치.
마스크의 패턴을 감광 물체 상에 전사하는 노광 장치로서,
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 장치와,
상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 상기 마스크에 조사하는 조명 광학계와,
상기 마스크로부터의 광을 상기 감광 물체에 투영하는 투영 광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 노광 장치.
리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,
상기 리소그래피 공정에서는, 제 7 항에 기재된 노광 장치를 이용하여 상기 마스크의 패턴을 상기 감광 물체에 전사하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 장치와,
피검물을 유지하는 지지부와,
상기 피검물의 투영 이미지를 검출하는 검출기와,
상기 레이저 장치로부터 출력되는 출력광을 상기 피검물에 조사하는 조명 광학계와,
상기 피검물로부터의 광을 상기 검출기에 투영하는 투영 광학계를 구비한 것을 특징으로 하는 피검물 검사 장치.