KR101644809B1 - 태양전지용 실리콘 봉지재 조성물 및 태양전지 모듈 - Google Patents

태양전지용 실리콘 봉지재 조성물 및 태양전지 모듈 Download PDF

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토모요시 후리하타
히로토 오와다
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나오키 야마카와
아츠시 야기누마
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

태양전지 모듈은 수광면 및 이면 패널, 그 패널들 사이에 끼어있는 다수의 태양전지를 포함하는 태양전지 매트릭스 및 태양전지 매트릭스를 봉지하기 위한 실리콘 봉지재층으로부터 구성된다. 실리콘 봉지재 조성물은 -40℃ 내지 85℃의 온도 범위에서 1 내지 300 MPa의 저장 탄성 모듈러스를 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 봉지재층을 형성하기 위한 것이다.

Description

태양전지용 실리콘 봉지재 조성물 및 태양전지 모듈{SOLAR CELL ENCAPSULANT SILICONE COMPOSITION AND SOLAR CELL MODULE}
관련 출원과의 교차-참조
본 비-임시 출원은 2014년 4월 7일에 일본에서 출원된 특허 출원 번호 2014-078780호에 대한 35 U.S.C. §119(a) 하의 우선권을 주장하며, 이 출원의 전체 내용은 참고로 본원에 포함된다.
기술분야
본 발명은 실리콘 봉지재(encapsulant)를 통해 강성 또는 가요성의 전면과 후방 패널 사이에 끼어 있는 태양전지 매트릭스를 포함하는 태양전지 모듈, 및 실리콘 봉지재 조성물에 관한 것이다.
현재 태양광을 활용할 수 있는 에너지원으로서 태양전지에 대한 관심은 증가 추세이다. 태양전지의 광전지 성분은 일반적으로 반도체, 전형적으로는 실리콘으로 구성된다. 다수의 태양전지는 전기적으로 연결되어 태양전지 매트릭스가 형성된다. 태양전지 매트릭스는, 전형적으로 유리판으로 만들어진 수광(light-receiving) 패널과, 백쉬트로서 알려져 있는 이면(back surface) 가요성 필름 사이에, 봉지재로서 알려져 있는 열가소성 수지를 통해 끼어 있고, 라미네이터에 의해 함께 결합되어 태양전지 모듈로서 알려져 있는 통합 구조를 얻을 수 있다.
태양전지 모듈은 비, 바람, 눈 및 먼지를 포함한 주변 환경으로부터 태양광이 입사되는 태양전지의 전면과 이면을 봉지재로 덮음으로써 보호된다. 봉지재로서, 열가소성 수지인 에틸렌-비닐 아세테이트(EVA) 공중합체가 저렴한 비용 및 그것이 취급이 용이한 쉬트 형태로 이용될 수 있기 때문에 자주 사용된다. 태양전지 매트릭스로부터 태양전지 모듈을 제조하는 방법은 일반적으로 수광 표면 측유리/EVA 쉬트/태양전지 매트릭스/EVA 쉬트/이면 패널(백쉬트)의 라미네이트를 진공 라미네이터에 넣고, 진공 펌핑하고, 대기압 하에서 130 내지 150℃에서 15 내지 30분 동안 압축함으로써 이루어진다.
그러나 봉지재로서 EVA를 사용할 때 아세트산이 점차로, 특히 고온 다습 환경에서 발생하는 것이 지적된다. 생성된 아세트산은 태양전지의 전극에 부식을 유발하여 바람직하지 못하게도 전기 생성 능력의 저하를 불러온다. 태양전지가 20년 이상 장기간 서비스를 해야 할 것으로 예상되기 때문에, 시간에 따른 분해 문제는 내구성 측면에서 즉시 해결되어야 한다.
상기 문제점 외에, EVA는 또한 낮은 UV 내성의 어려움이 있다. 장기간 옥외에 노출될 때, 그것은 퇴색되고 황변 또는 갈변되어 미적 외관이 손상된다.
EVA 봉지재는 고온 다습 환경에서 장시간 유지될 때에도 산을 생성하지 않고, 장기간 UV 노출시에 퇴색하지 않는 봉지재 재료에 의해 대체되는 것이 바람직할 것이다. 상기 문제점들이 없는 봉지재 재료는 실리콘이다. 구체적으로, 실리콘을 봉지재로서 사용할 때 그것은 아세트산 생성이 회피되고, 전극 부식이 최소화되며, 황변 또는 갈변 문제가 해결된다. 예를 들어 비-특허 문헌 1은 실리콘-봉지된 태양전지 모듈이 옥외 노출후 29년 후에 재평가되었고, 단지 연간 -0.22%의 최대 전력 저하에 의해 증명된 것과 같이 매우 신뢰할 수 있는 것으로 밝혀졌음을 보고한다.
실리콘-봉지된 태양전지 모듈을 제조하기 위하여 다양한 봉지 방법이 연구되어 왔다. 특허 문헌 1은 태양전지 매트릭스가 다중-축 로봇을 사용하여 기재 위에 코팅된 액체 실리콘 재료위에 또는 그 안에 놓인 후 실리콘 재료가 경화됨으로써 기포 포획 없이 봉지가 이루어지는 것을 설명한다. 또한 특허 문헌 2는 태양전지 매트릭스가 전지 프레스로서 언급된 이동식 판을 사용하여 진공에서 경화된 또는 반-경화된 실리콘 재료 위에 놓이고, 그로서 기포 포획 없이 봉지를 이루는 것을 제안한다. 특허 문헌 3은 실리콘 봉지재, 태양전지 매트릭스 및 액체 실리콘 봉지재가 유리 기재 위에 놓이고, 이면 보호 기재가 최종적으로 그 위에 놓여서 선구 라미네이트가 구성되며, 그 선구 라미네이트가 실온의 진공에서 압축되고 결합되어 밀봉이 이루어지는 것을 개시한다.
코팅 또는 밀봉작업(potting)에 사용된 실리콘 봉지재에 대해, 모듈 제작을 위한 경화 전 최적 점도가 충분히 연구되었지만, 경화 후 탄성 모듈에 대해서는 연구되지 않았다. 태양전지 모듈이 옥외 환경에서 설치된다면, 그것의 성분들은 태양전지 자체의 전기 생성 및 계절적 및 주야간 열 주기에 부수적인 열 생성 시 반복적인 열팽창/수축을 겪는다. 만약 봉지재의 물리적 강도 및 결합 강도가 낮다면, 온도 변화에 따른 성분들의 치수 변화가 억제되지 않으며, 나아가 열적 피로가 증가된다. 다른 것들 중에서도, 콜렉터 전극으로서 작용하는 가지 전극(finger electrode)은 태양전지 상의 수광 면적을 보장하기 위해 전형적으로 0.05 내지 0.2 mm의 폭으로 디자인된다. 그런 미세 전극은 인접한 인터컨넥트의 열팽창/수축의 영향 하에서 파괴될 수 있다. 만약 가지 전극이 파괴되면, 불충분한 전류 수집 지역이 태양전지상에 나타나고, 결국 전력 손실로 이어진다. 본 발명의 이슈들 중 하나는 고효율을 위해 디자인된 미세 가지 전극을 가지는 태양전지 모듈이 열 주기시 반복된 열적 부하에 대해 충분히 내구성이 있게 제조된다는 것이다.
일본특허공개번호 제 2007-527109호(WO 2005/006451) 일본특허공개번호 제 2011-514680호(WO 2009/114189) WO 2009/091068
Ito, Owada, Furihata, Kim, Yamakawa, Yaginamu, Imataki, Watanabe and Sakamoto, Preprints of 9th Symposium of Next Generation Solar Photovoltaic System, 2012, p54
본 발명의 목적은 실질적으로 태양전지 상의 가지 전극이 온도 변화에 따라 파괴되는 것을 방지하도록 적응되고, 그로써 충분히 신뢰할 수 있는 태양전지 봉지재 실리콘 조성물과 태양전지 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 -40℃ 내지 85℃의 온도 범위에서 1 내지 300 MPa의 저장 탄성 모듈러스를가지는 생성물로 경화되는 실리콘 봉지재 조성물이, 태양전지 상의 가지 전극이 옥외 기후 환경에서 태양전지 모듈의 온도 변화에 따라 파괴되는 것을 방지하기에 효과적인 것을 발견하였다.
강성(rigidity) 또는 가요성을 가지는 수광면 및 이면 패널, 그 패널들 사이에 끼어 있는 다수의 태양전지를 포함하는 태양전지 매트릭스 및 그 태양전지 매트릭스를 봉지하기 위한 실리콘 봉지재 층을 포함하는 태양전지 모듈과 관련하여, 본 발명은 -40℃ 내지 85℃의 온도 범위에서 1 내지 300 MPa의 저장 탄성 모듈러스를 가지는 실리콘 봉지재 층을 형성하기 위한 실리콘 봉지재 조성물을 제공한다.
전형적으로, 실리콘 봉지재 조성물은 다음을 포함하는 것으로서 정의된다:
(A) 다음의 평균 조성식(I):
R1 aSiO(4-a)/2 (I)
(상기 식에서, R1은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 일가 탄화수소 기이고, a는 1.95 내지 2.05의 양수이다)에 의해 표시되며, 적어도 100의 중합도를 가지는 오가노폴리실록산 100 중량부,
(B) 적어도 50m2/g의 비표면적을 가지는 강화용 실리카 30 내지 90 중량부,
(C) 성분 (A)를 경화하기에 효과적인 양의 경화제, 및
(D) 점착제 0 내지 10 중량부.
바람직한 구체예에서, 적어도 0.01 중량부의 성분 (D)가 100 중량부의 성분 (A)당 존재하고, 성분 (D)는 알콕시, 에폭시 및 (메트)아크릴 기 중 적어도 하나를 함유하는 화합물이다.
대개 실리콘 봉지재 조성물은 0.3 내지 2.5mm의 두께를 가지는 쉬트로, 바람직하게는 캘린더링 또는 압출 성형에 의해 형상화된다.
다른 측면으로, 본 발명은 수광면 패널, 실리콘 봉지재 조성물, 태양전지 매트릭스, 실리콘 봉지재 조성물 및 이면 패널을 이 순서로 라미네이팅하는 단계와, 그 라미네이트를 진공에서 진공 라미네이터를 사용하여 가열하고 압축하는 단계를 포함하는, 태양전지 모듈의 제조 방법을 제공한다.
또한 본원에는 그 방법에 의해 제조된 태양전지 모듈이 포함된다.
본 발명의 실리콘 봉지재 조성물은 온도 변화에 따르는 태양전지 모듈의 성분들의 열팽창/수축을 억제하고, 그로써 태양전지 상의 가지 전극이 열적 부하에 의해 파괴되는 것을 방지하기에 효과적이다. 그 결과의 태양전지 모듈은 전체적으로 신뢰할만하다.
도 1은 태양전지의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따르는 실리콘-봉지된 모듈의 단면도이다.
도 3은 실시예 1 내지 3 및 비교예 1, 2의 재료의 저장 탄성 모듈러스 대 온도를 나타내는 다이아그램이다.
본 발명의 실리콘 봉지재 조성물은 -40℃ 내지 85℃의 온도 범위에서 1 내지 300 MPa, 바람직하게는 1 내지 100 MPa의 저장 탄성 모듈러스를 가지는 실리콘 봉지재 층으로 열 경화된다. 만약 저장 탄성 모듈러스가 1MPa 미만이면, 층은 열변화에 따른 인터컨넥트의 열팽창/수축을 억제하지 못하고 태양전지 상의 가지 전극의 파괴를 허용한다. 만약 저장 탄성 모듈러스가 300 MPa를 초과하면, 봉지재 자체의 열팽창/수축은 표면 방향으로 태양전지에 실질적인 스트레스를 가하게 되고, 태양전지에서 균열 발생의 가능성이 있다. 또한 300 MPa를 초과하는 저장 탄성 모듈러스를 가지는 봉지재 층은 잘 부러지게 되고, 취급이 어렵게 되며, 유리 기재와의 계면에 적용된 높은 스트레스 때문에 쉽게 벗겨지게 된다.
원하는 저장 탄성 모듈러스를 충족시킬 수 있는 실리콘 봉지재 조성물은 필수 성분으로서 다음 성분들 (A), (B) 및 (C), 및 임의로 및 바람직하게는 성분 (D)를 함유한다:
(A) 다음의 평균 조성식 (I)에 의해 표시되고, 적어도 100의 중합도를 가지는 오가노폴리실록산:
R1 aSiO(4-a)/2 (I)
(상기 식에서, R1은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 일가 탄화수소 기이고, a는 1.95 내지 2.05의 양수이다),
(B) 적어도 50m2/g의 비표면적을 가지는 강화용 실리카,
(C) 경화제, 및
(D) 점착제.
성분 (A)는 다음의 평균 조성식 (I)에 의해 표시되고 적어도 100의 중합도를 가지는 오가노폴리실록산이다: R1 aSiO(4-a)/2 (I)
여기서, R1은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 일가 탄화수소 기이고, a는 1.95 내지 2.05의 양수이다.
식 (I)에서, R1은 각각 독립적으로 임의로 치환된 일가 탄화수소 기, 바람직하게는 1 내지 12개의 탄소 원자, 보다 바람직하게는 1 내지 8개의 탄소 원자이다. 실례로는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 헥실 및 옥틸과 같은 알킬기, 사이클로펜틸 및 사이클로헥실과 같은 사이클로알킬기, 비닐, 알릴 및 프로페닐과 같은 알케닐기, 사이클로알케닐기, 페닐 및 톨릴과 같은 아릴기, 벤질 및 2-페닐에틸과 같은 아르알킬기, 및 일부 또는 모든 수소 원자가 할로겐 원자, 시아노 또는 다른 라디칼에 의해 치환된 전술한 것들의 치환된 형태를 포함한다. 이것들 중에서 메틸, 비닐, 페닐 및 트라이플루오로프로필이 바람직하고, 메틸과 비닐이 가장 바람직하다.
바람직한 오가노폴리실록산은 그것의 골격이 반복되는 다이메틸실록산 유닛으로 이루어진 오가노폴리실록산 또는 그것의 골격이 반복되는 다이메틸실록산 유닛과 페닐, 비닐, 3,3,3-트라이플루오로프로필 등을 가지는 실록산 유닛, 예컨대 다이페닐실록산 유닛, 메틸페닐실록산 유닛, 메틸비닐실록산 유닛 또는 메틸-3,3,3-트라이플루오로프로필실록산 유닛으로 이루어진 오가노폴리실록산이다.
보다 바람직하게는, 오가노폴리실록산은 분자당 적어도 2개의 지방족 불포화기, 예컨대 알케닐 또는 사이클로알케닐기, 특히 비닐기를 가져야 한다. 여기서 지방족 불포화기는 바람직하게는 전체 R1 기의 0.01 내지 20 mol%, 보다 바람직하게는 0.02 내지 10 mol%를 차지한다. 지방족 불포화기는 분자 사슬의 끝에 있는 실리콘 원자 또는 분자 사슬의 중간에 있는 실리콘 원자 또는 두 가지 경우 모두에 부착될 수 있다. 지방족 불포화기는 적어도 분자 사슬의 끝에 있는 실리콘 원자에 부착되는 것이 바람직하다. 첨자 "a"는 1.95 내지 2.05, 바람직하게는 1.98 내지 2.02, 보다 바람직하게는 1.99 내지 2.01의 양수이다.
바람직하게는 성분 (A)로서의 오가노폴리실록산은 분자 사슬의 끝에서 트라이오가노실록시기, 예컨대 트라이메틸실록시, 다이메틸페닐실록시, 다이메틸하이드록시실록시, 다이메틸비닐실록시, 메틸다이비닐실록시 또는 트라이비닐실록시로 캡핑된다. 특히 바람직한 것은 메틸비닐폴리실록산, 메틸페닐비닐폴리실록산 및 메틸트라이플루오로프로필비닐폴리실록산이다.
상기 정의된 오가노폴리실록산은 예를 들면 하나 또는 그것보다 많은 오가노할로겐실란의 (공)가수분해성 축합에 의해, 또는 염기성 또는 산성 촉매의 존재 하에 고리형 폴리실록산의 고리-개방 중합화(실록산 삼량체, 사량체 또는 올리고머)에 의해 제조될 수 있다. 생성물은 기본적으로 선형 다이오가노폴리실록산인 한편, 성분 (A)는 상이한 분자량(또는 중합도) 또는 분자 구조를 가지는 둘 또는 그 이상의 오가노폴리실록산의 혼합물일 수 있다.
오가노폴리실록산은 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 대 폴리스티렌 표준에 의해 측정되는 바, 적어도 100, 바람직하게는 100 내지 100,000, 보다 바람직하게는 3,000 내지 20,000의 중합도를 가져야 한다.
성분 (B)는 적어도 50 m2/g의 BET 비표면적을 가지는 강화용 실리카이고, 그것은 경화 전 및 후에 개선된 기계 강도를 가지는 실리콘 조성물을 제공하기 위해 첨가된다. 실리콘 봉지재 조성물이 투명하게 되기 위해서는, BET 비표면적은 200 m2/g보다 커야 하고, 보다 바람직하게는 적어도 250 m2/g이어야 한다. 만약 표면적이 최대 200 m2/g라면, 경화된 조성물은 덜 투명해질 것이다. 표면적의 상한선은 전형적으로 500 m2/g까지이지만, 중요하지는 않다.
강화용 실리카 (B)의 실례로는 훈증된 실리카와 같은 건조 실리카 및 침전된 실리카와 같은 습식 실리카를 포함한다. 또한 유용한 것은 클로로실란, 알콕시실란 또는 헥사메틸다이실라잔과 같은 처리제로 소수성이 되도록 표면 처리된 실리카이다. 헥사메틸다이실라잔으로 처리하는 것이 투명도를 위해서 바람직하다. 훈증된 실리카의 강화용 실리카로서의 사용은 고급 투명도를 위해 바람직하다. 강화용 실리카는 단독으로 또는 둘 또는 그 이상의 혼합물 상태로 사용될 수 있다.
성분 (B)로서의 강화용 실리카는 상업적으로 활용가능하다. 실례로는 에어로실(Aerosil) 시리즈 제품, Aerosil 130, Aerosil 200, Aerosil 300, Aerosil R-812, Aerosil R-972 및 Aerosil R-974(Nippon Aerosil Co., Ltd.), Cabosil MS-5 및 MS-7(Cabot Corp.) 및 Reolosil QS-102, QS-103 및 MT-10(Tokuyama Corp.)의 상표명으로 이용할 수 있는 표면 미처리 또는 표면 소수성화된(즉, 친수성 또는 소수성) 훈증된 실리카, 및 Tokusil US-F(Tokuyama Corp.), Nipsil-SS 및 Nipsil-LP(Nippon Silica Co., Ltd.)의 상표명으로 이용할 수 있는 표면 미처리 또는 표면 소수성화된 침전된 실리카를 포함한다.
성분 (B)로서의 강화용 실리카는 성분 (A)로서 오가노폴리실록산 100 중량부당 30 내지 90 중량부, 바람직하게는 40 내지 90 중량부, 보다 바람직하게는 50 내지 90 중량부의 양으로 사용된다. 그 범위 밖의 더 적은 양의 성분 (B)는 경화 전 및 후의 강화에 대해 비효과적이고, 경화된 실리콘 조성물은 덜 투명할 수 있다. 과잉량의 성분 (B)는 실리콘 봉지재 조성물에 분산되기 어렵고 조성물이 쉬트로 형상화되는 것을 간섭할 수 있다.
성분 (C)는 그것이 성분 (A)를 경화할 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 그것은 실리콘 재료에 대해 잘 알려져 있는 경화제, 바람직하게는 (a) 첨가 반응 또는 수소규소화 반응 경화제, 즉 오가노수소폴리실록산(교차결합제)과 수소규소화 촉매의 조합, 및 (b) 유기 과산화물로부터 선택될 수 있다.
첨가반응 경화제(a)의 교차결합제는 분자당 적어도 2개의 실리콘-기저 수소 원자(즉 SiH 기)를 함유하는 오가노수소폴리실록산일 수 있고, 다음 평균 조성식 (II)에 의해 표시된다:
R2 bHcSiO(4-b-c)/2 (II)
상기 식에서, R2는 1 내지 6개의 탄소 원자의 치환되거나 치환되지 않은 일가 탄화수소이고, 바람직하게는 지방족 불포화가 없다. 적당한 일가 탄화수소 기로는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸 및 헥실과 같은 알킬기, 사이클로헥실, 사이클로헥세닐 및 페닐, 및 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐, 시아노 등에 의해 치환된 전술한 것들의 치환된 형태, 예를 들면 3,3,3-트라이플루오로프로필 및 사이노메틸과 같은 치환된 알킬기를 포함한다. 첨자 b는 0.7 내지 2.1의 양의 정수이고, c는 0,01 내지 1.0의 양수이며, b+c의 합은 0.8 내지 3.0이고, 바람직하게는 b는 0.8 내지 2.0이고, c는 0.2 내지 1.0이며, b+c는 1.0 내지 2.5이다.
오가노수소폴리실록산의 분자 구조는 선형, 고리형, 분지형 또는 삼차원 네트워크일 수 있다. 바람직한 것은 실온(25℃)에서 액체인 오가노수소폴리실록산, 특히 분자당 실리콘 원자의 수, 즉 중합도가 2 내지 약 300, 특히 4 내지 약 200인 것들이다. 실리콘-결합 수소 원자(SiH 기)는 분자 사슬의 끝 또는 측사슬에 또는 둘 다에 위치할 수 있다. 본원에서 사용된 오가노수소폴리실록산은 분자당 적어도 2개(구체적으로 2 내지 300개), 바람직하게는 적어도 3개(구체적으로 3 내지 200), 보다 바람직하게는 4 내지 150개의 SiH 기를 함유한다.
오가노수소폴리실록산의 예시적인 실례로는 다음을 포함한다:
1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 메틸수소사이클로폴리실록산, 메틸수소실록산-다이메틸실록산 고리형 공중합체, 트리스(다이메틸수소실록시)메틸실란, 트리스(다이메틸수소실록시)페닐실란, 양 끝이 트라이메틸실록시-차단된 메틸수소폴리실록산, 양 끝이 트라이메틸실록시-차단된 다이메틸실록산/-메틸수소실록산 공중합체, 양 끝이 다이메틸수소실록시-차단된 다이메틸폴리실록산, 양 끝이 다이메틸수소실록시-차단된 다이메틸실록산/-메틸수소실록산 공중합체, 양 끝이 트라이메틸실록시-차단된 메틸수소실록산/-다이페닐실록산 공중합체, 양 끝이 트라이메틸실록시-차단된 메틸수소실록산/-다이페닐실록산/다이메틸실록산 공중합체, 고리형 메틸수소폴리실록산, 고리형 메틸수소실록산/다이메틸실록산 공중합체, 고리형 메틸수소실록산/다이페닐실록산/-다이메틸실록산 공중합체, (CH3)2HSiO1/2 유닛과 SiO4/2 유닛의 공중합체, 및 (CH3)2HSiO1/2 유닛, SiO4/2 유닛 및 (C6H5)SiO3/2 유닛의 공중합체. 또한 일부 또는 전체 메틸 기가 에틸 또는 프로필과 같은 다른 알킬기, 또는 페닐과 같은 아릴기에 의해 대체되는 전술한 화합물도 포함된다.
혼합되는 오가노수소폴리실록산의 적절한 양은 오가노폴리실록산(A) 100 중량부당 0.1 내지 30 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부, 보다 바람직하게는 0.3 내지 10 중량부이다. 다르게 진술하자면, 오가노수소폴리실록산은 바람직하게는 오가노수소폴리실록산 중의 실리콘-결합 수소 원자(즉 SiH 기) 대 오가노폴리실록산(A) 중의 실리콘-결합 알케닐기의 몰비율이 0.5/1 내지 5/1, 보다 바람직하게는 0.8 내지 4, 더욱 더 바람직하게는 1 내지 3의 범위일 수 있도록 사용된다.
첨가반응 경화제(a)의 교차결합 반응에 사용된 수소규소화 촉매는 백금 촉매를 포함한 잘 알려져 있는 것들, 예를 들면 백금흑, 백금 염화물, 클로로백금산, 클로로백금산과 일가 알코올과의 반응 생성물, 클로로백금산과 올레핀과의 복합체, 및 백금 비스아세토아세테이트, 팔라듐 촉매 및 로듐 촉매 중에서 선택될 수 있다. 수소규소화 촉매는 촉매량으로 사용될 수 있다. 바람직한 양은 오가노폴리실록산(A)를 토대로 백금군 금속의 1 내지 100ppm이다. 1ppm 미만일 때에는, 첨가 반응이 충분한 정도로 일어날 수 없어서 부족가황이 초래된다. 100ppm 이상은 비경제적이다.
수소규소화(또는 첨가 반응) 촉매 외에, 첨가반응 조절제가 경화속도 또는 가용시간을 조정할 목적으로 첨가될 수 있다. 예를 들어 에티닐사이클로헥사놀 및 테트라메틸테트라비닐사이클로테트라실록산이 유용하다.
유기 과산화물(b)의 실례로는 벤조일 과산화물, 2,4-다이클로로벤조일 과산화물, p-메틸벤조일 과산화물, o-메틸벤조일 과산화물, 2,4-다이큐밀 과산화물, 2,5-다이메틸-비스(2,5-tert-부틸퍼옥시)헥산, 다이-tert-부틸 과산화물, tert-부틸 퍼벤조에이트 및 2,6-헥산디올 비스(tert-부틸퍼옥시)카보네이트를 포함한다.
첨가된 유기 과산화물(b)의 적절한 양은 성분 (A)의 100 중량부당 0.1 내지 15 중량부, 바람직하게는 0.2 내지 10 중량부이다. 더 적은 양일 때에는 첨가 반응이 충분한 정도로 일어날 수 없어서 경도의 강하 또는 강도의 부족이 초래된다. 과잉량은 비경제적이고 더 많이 분해된 경화제 생성물을 남기며, 그것이 쉬트의 탈색을 유발할 수 있다.
성분 (D)는 태양전지 매트릭스 또는 플루오로-수지의 표면을 가지는 이면에의 봉지재 층의 점착을 개선시키기 위하여 첨가되는 점착제이다. 그것은 바람직하게는 알콕시, 에폭시 및 (메트)아크릴 기 중 적어도 하나를 함유하는 화합물이다. 성분 (D)는 바람직하게는 성분 (A)의 100 중량부당 0 내지 10 중량부, 보다 바람직하게는 0.01 내지 8 중량부, 더욱 더 바람직하게는 0.2 내지 5 중량부의 양으로 첨가된다. 성분 (D)의 전형적인 실례는 아래에 나타낸다.
Figure 112015033583967-pat00001
그런 적은 양의 점착제가 봉지재 조성물에 첨가될 때, 수광면 패널, 세라믹, 구체적으로는 태양전지 표면층(SiN 필름) 및 이면 전극(Al)으로서 광범위하게 사용된 유리에의 봉지재 층의 점착은 가속화된 유해 시험 후에도, 예를 들면 85℃/85% RH 조건 하에서의 노화 후에 그 점착이 유지될 수 있을 정도로 개선된다. 점착제(D)가 성분 (C)로서 첨가 반응 또는 수소규소화 경화제(a)에 첨가될 때, 성분 (C) 및 (D)중의 오가노수소폴리실록산의 총량은 성분 (A) 및 (D)의 실리콘-결합 알케닐기의 분자당 성분 (C) 및 (D)중의 바람직하게는 0.5 내지 5 mole, 보다 바람직하게는 0.8 내지 4 mole, 더욱 바람직하게는 1 내지 3 mole의 실리콘-결합된 수소 원자(SiH 기)가 활용될 수 있을 정도가 바람직하다.
전술한 성분들 외에, 난연제 및 착색제와 같은 다른 첨가제들도 본 발명의 목적이 손상되지 않는 한 실리콘 봉지재 조성물에 첨가될 수 있다.
실리콘 봉지재 조성물은 전술한 성분들의 예정된 양을 2-롤 밀, 반죽기, Banbury 믹서 등에서 분쇄함으로써 제조될 수 있다.
그렇게 제조된 실리콘 봉지재 조성물은 경화 전에, 바람직하게는 150 내지 1,000, 보다 바람직하게는 200 내지 800, 더욱 더 바람직하게는 250 내지 600의 가소도을 가져야 한다. 150 미만의 가소도은 경화되지 않은 쉬트가 그것의 형상을 유지하기 어렵고 취급하기에 너무 끈적거리는 것을 나타내는 한편, 1,000을 초과하는 가소도는 조성물이 잘 부서지고 쉬트로 형상화되기 어려운 것을 나타낸다.
앞에서 기술된 것과 같이, 실리콘 봉지재 조성물은 -40℃ 내지 85℃의 온도 범위에서 1 내지 300 MPa의 저장 탄성 모듈러스를 가지는 실리콘 봉지재 층으로 경화된다. 실리콘 봉지재 층의 경도는 Durometer Type A 경도 스케일 상에서 바람직하게는 10 내지 85, 보다 바람직하게는 40 내지 70이다. 그 범위의 저장 탄성 모듈러스 및 Durometer Type A 경도를 가지는 실리콘 봉지재 층은 상기와 같이 제형된 실리콘 봉지재 조성물의 적절한 선택에 의해, 바람직하게는 교차결합 밀도를 증가시키기 위하여 더 많은 강화용 실리카 또는 더 많은 지방족 불포화기를 사용함으로써 얻어진다.
실리콘 봉지재 조성물이 쉬트로 형상화될 때, 어떠한 바람직한 형상화 기법이든지 사용될 수 있고, 캘린더링 또는 압출 성형이 바람직하다. 실리콘 쉬트는 바람직하게는 0.3 내지 2.5 mm, 보다 바람직하게는 0.3 내지 1.0 mm의 두께를 가진다. 0.3 mm 미만의 쉬트는 이어지는 태양전지의 봉지를 위한 열경화 단계에서 갭을 남기지 않으면서 추출용 전극 또는 버스 바 전극 상에서 거친 것들(asperities)을 묻거나 밀봉하는 것이 어려울 수 있다. 2.5 mm 이상의 쉬트는 모듈에 증가된 중량을 제공할 정도로 충분히 무겁다.
건조한 표면을 가지는 광전지 EVA 쉬트와는 반대로, 미경화 상태의 실리콘 쉬트는 표면이 끈적거리고 변형될 수 있다. 이런 이유로, 쉬트 형성 단계는 바람직하게는 라미네이트 필름이 쉬트의 적어도 하나의 표면에 적용되어 쉬트가 롤로서 취해질 때 쉬트 턴이 결합되지 않는 것을 보장하도록 변형된다. 사용 시에는 라미네이트 필름은 벗겨진다.
다음에, 본 발명에 따르는 태양전지 모듈의 제조 방법이 기술된다. 태양전지 모듈은 일반적으로 다음의 네 단계를 거쳐서 제조된다:
(i) 수광면 측패널 라미네이트를 형성하는 단계,
(ii) 이면 측 백쉬트 라미네이트를 형성하는 단계,
(iii) (i)과 (ii)의 라미네이트를 결합시키는 단계, 및
(iv) 진공 라미네이터를 사용하여 태양전지를 봉지하는 단계.
수광면 측패널은 그 위에 태양광이 입사하는 투명한 부재다. 그것은 옥외에 장기간 노출되기 때문에 개선된 투명도, 내후성 및 내충격성을 가져야 한다. 수광면 측패널이 만들어지는 재료의 실례는 강화된 무색 유리, 아크릴 수지, 플루오로-수지 및 폴리카보네이트 수지를 포함한다. 수지는 그것들에 제한되지 않으며, 2mm 까지의 두께를 가지는 수지의 가요성 쉬트-형 패널 또는 쉬트가 적당하다. 유리의 경우 3 내지 5 mm의 두께를 가지는 강화된 무색 유리판이 바람직하다.
이면 사이드는 태양광이 입사하는 사이드와 반대쪽 모듈의 사이드이다. 비록 이면 사이드가 수광면 측패널과 동일한 재료로 만들어질 수 있긴 하지만, 중량 감소 목적으로 수지 쉬트가 전형적으로 사용된다. 전형적으로, 백쉬트로서 알려져 있는, TPT=PVF/점착제/PET/점착제/PVF 및 TPE=PVF/점착제/PET/점착제/EVA의 라미네이트된 필름이 유용하고, TPT 라미네이트된 필름이 바람직하다. 본원에서, PVF는 폴리비닐 플루오라이드이고 PET는 폴리에틸렌 테레프탈레이트이다.
단계 (i)
수광면 패널상에서 실리콘 봉지재 조성물의 실리콘 쉬트가 놓여진다. 그것의 수광면이 밑에 위치되면서 전기적으로 연결된 태양전지를 가지는 태양전지 매트릭스는 이 쉬트에 부착되어, 수광면 측패널 라미네이트가 생성된다. 여기서 사용된 태양전지는 단결정 실리콘 및 다결정 실리콘 중에서 선택된 실리콘 반도체를 사용하는 결정 실리콘 태양전지이다. 다수의, 전형적으로는 2 내지 60개의 태양전지가 탭 와이어와 전기적으로 연결되어 태양전지 매트릭스인 태양전지 어셈블리가 조립된다. 통상적인 태양전지가 태양전지(1), 버스 바 전극(2) 및 가지 전극(3)을 포함하는 것으로서 도 1에 개략적으로 도시되어 있다.
단계 ( ii )
실리콘 봉지재 조성물의 실리콘 쉬트는 백쉬트에 부착되어 이면 측패널 라미네이트가 생성된다.
단계 ( iii )
수광면 측패널 라미네이트는 수광면 측패널 라미네이트의 이면이 이면 측패널 라미네이트의 실리콘 쉬트와 접촉하도록 이면 측패널 라미네이트에 부착된다.
단계 ( iv )
단계 (iii)에서 결합된 수광면 측패널 라미네이트/이면 측패널 라미네이트의 선구 라미네이트는 진공 라미네이터에 놓이고, 거기에서 선구 라미네이트는 감압 공간에 일정 시간 동안 탈기를 위해 유지된 후 대기압하에서 가열되고 압축되어 태양전지 매트릭스의 봉지가 이루어진다. 수광면 패널/이면 패널의 선구 라미네이트가 감압 공간에 놓일 때, 감압은 바람직하게는 -0.08 내지 -0.10 MPa이지만, 그것에 한정되지는 않는다. 가열 및 압축 조건은 광범위하게 변경될 수 있지만, 바람직한 과정은 3 내지 5분 동안 진공 펌핑한 후 70 내지 150℃, 특히 100 내지 130℃의 온도에서 가열하면서 대기압 하에서 5 내지 30분 동안 압축하는 것이다. 압축 단계 동안, 실리콘 봉지재 조성물(실리콘 쉬트)은 교차연결되고, 그로써 수광면 패널, 수광면 패널 상의 실리콘 쉬트, 태양전지 매트릭스, 이면 패널 상의 실리콘 쉬트 및 이면 패널은 함께 단일체 또는 모듈로 결합된다. 만약 가열 온도가 70℃ 미만이면, 경화 속도는 느려져서 성형 시간 내에 경화가 이루어질 수 없다. 만약 가열 온도가 150℃보다 높으면, 경화 속도는 매우 높아서 경화가 진공 펌핑 단계 중에 시작될 수 있고, 쉬트와 패널 사이에 보이드를 남길 가능성이 있다. 효과적인 진공 펌핑을 위해, 바람직하게는 미경화 상태의 실리콘 쉬트에 얼룩말 또는 마름모꼴 패턴의 홈이 사전에 구비된다. 열 압축으로부터 생성된 단일체 또는 모듈은 100 내지 150℃에서 10분 내지 10시간 동안 후-경화될 수 있다.
단계 (iv) 후에 알루미늄 합금 또는 스테인리스강의 프레임이 모듈 주위에 장착되고, 모듈에 내충격성을 부여하기 위해 나사 등에 의해 모듈에 견고하게 고정된다. 그렇게 얻어진 실리콘 봉지된 모듈이 태양전지(1), 수광면 유리 패널(4), 이면 패널 또는 백쉬트(5), 수광면 실리콘 봉지재층(6) 및 이면 실리콘 봉지재층(7)을 포함하는 것으로서 도 2에 도시되어 있다.
실시예
아래에 본 발명을 예시하기 위하여 실시예 및 비교예가 제시되며, 본 발명은 그것에 제한되지 않는다. 실시예에서, 모든 부는 중량부이며, Me는 메틸을 나타내고, Vi는 비닐을 나타낸다.
참조예
태양전지 매트릭스를 총 36개의 단결정 실리콘 태양전지를 4/9 행/열 매트릭스에 배치하고 그것들을 직렬로 전기적으로 연결시킴으로써 제조하였다. 태양전지 매트릭스를 1,494 mm×674 mm×3.2 mm 두께의 강화된 무색 유리판(Asahi Glass Co., Ltd.), 간단하게 유리판 위에서 정지시켰다. 이 구성에 IEC 61215에 따르는 열주기 시험을 수행하였다. 200 주기 후에 태양전지를 가지 전극의 파괴 및 전지 균열에 대해 점검하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
태양전지 EL 인스펙터 PVX100(Ites Co., Ltd.)을 사용하여 열주기 시험 전과 후의 반도체 파괴 및 전지 균열을 조사하였다.
실시예 및 비교예에 사용한 봉지재 재료를 점탄성계 DMS7100(Hitachi High-Tech Science Corp.)를 사용하여 저장 탄성 모듈러스에 대해 측정하였다. 온도 변화에 따른 봉지재 재료의 저장 탄성 모듈러스를 도 3의 다이아그램에 나타낸다.
실시예 1
[실리콘 봉지재 조성물의 제조]
99.825 mol%의 다이메틸실록산 유닛((CH3)2SiO2 /2), 0.15 mol%의 메틸비닐실록산 유닛((CH2=CH)(CH3)SiO2 /2) 및 0.025 mol%의 다이메틸비닐실록시 유닛((CH2=CH)(CH3)2SiO1/2)으로 이루어지고 ~6,000의 평균 중합도를 가지는 오가노폴리실록산 100부를, BET 비표면적이 300 m2/g인 훈증된 실리카(상표명 Aerosil 300, Nippon Aerosil Co., Ltd.) 70부, 분산제로서 헥사메틸다이실라잔 16부 및 물 4부와 조합하고, 그 혼합물을 반죽기에서 분쇄한 후 170℃에서 2시간 동안 가열 처리함으로써 실리콘 화합물을 제조하였다. 2-롤 밀을 사용하여, 0.5/2.0 부의 첨가 교차결합 경화제 C-25A/C-25B(백금 촉매/오가노수소폴리실록산, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)를 100 부의 화합물에 첨가하고, 그것이 균일해질 때까지 분쇄하였다. 그 결과의 화합물을 130℃ 및 70 kgf/cm2에서 30분 동안 쉬트로 프레스 경화하였다. 점탄성계 DMS7100(Hitachi High-Tech Science Corp.)을 사용하여 쉬트의 저장 탄성 모듈러스를 측정하였고, 그 결과를 실시예 1의 곡선으로 도 3의 다이아그램에서 나타낸다. 실시예 1의 경화된 생성물 또는 쉬트는 55의 Durometer Type A 경도를 가졌다.
[태양전지 모듈의 제조]
(1) 실리콘 봉지재 쉬트의 형성
상기에서 제조한 실리콘 봉지재 조성물을 2개의 롤을 통하여 0.7mm 두께의 쉬트로 만들었다. 실리콘 쉬트의 양면을 다이아몬드 엠보싱 필름(Emboss film NEF 유형, 두께 0.15mm, Ishijima Chemical Industries, Ltd.) 사이에 실리콘 쉬트를 끼워넣음으로써 요철로 만들고, 고무 롤에 힘을 가하여 엠보싱 필름을 쉬트 표면에 대하여 밀었다. 양면이 요철화된 두 개의 실리콘 쉬트를 완성하였다.
(2) 수광면 라미네이트의 어셈블리
하나의 엠보싱 필름을 유리판에 부착된 첫 번째 요철 실리콘 쉬트로부터 벗겨냈다.
(3) 이면 라미네이트의 어셈블리
수광면 라미네이트(2)와 같이, 하나의 엠보싱 필름을 336㎛ 두께의 TPT 쉬트(MA Packaging Co., Ltd.)에 부착된 두 번째 요철 실리콘 쉬트로부터 벗겨냈다.
(4) 수광면 라미네이트/이면 라미네이트의 어셈블리
다른 엠보싱 필름을 유리판 위의 첫 번째 실리콘 쉬트로부터 벗겨냈다. 그것의 수광면이 밑에 위치되어 있는 태양전지 매트릭스(총 36개의 단결정 실리콘 태양전지를 4/9 행/열 매트릭스에 배치하고 그것들을 직렬로 연결함으로써 얻음)를 밋밋한 첫 번째 실리콘 쉬트 상에 놓았다. 다른 엠보싱 필름을 TPT 쉬트 상의 두 번째 실리콘 쉬트로부터 벗겨내고, 그런 다음 그 밑에 밋밋한 표면을 가지는 두 번째 실리콘 쉬트를 태양전지 매트릭스 상에 놓았다. 수광면 유리/실리콘 봉지재/태양전지 매트릭스/실리콘 봉지재/이면 TPT 쉬트의 선구 라미네이트를 얻었다.
(5) 라미네이션
(4)로부터 얻은 수광면 라미네이트/이면 라미네이트의 선구 라미네이트를 진공 라미네이터에 넣고, 거기에서 5분 동안 진공 펌핑하고 이어서 130℃에서 가열하면서 대기압 하에서 30분 동안 압축하였다. 태양전지 모듈을 완성하였다.
[열주기 시험]
그렇게 제작한 태양전지 모듈에 열주기 시험을 수행하였다. 200 주기 후에 모듈을 가지 전극의 파괴 및 전지 균열에 대해 태양전지 EL 인스펙터 PVX100 (Ites Co., Ltd.)을 사용하여 조사하였다. 또한 모듈을 유리/봉지재 계면에서의 분리에 대해 육안으로 관찰하였다. 모든 시험 항목에 대해 결함을 발견하지 못하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 2
99.5 mol%의 다이메틸실록산 유닛((CH3)2SiO2 /2)과 0.5 mol%의 다이메틸비닐실록시 유닛((CH2=CH)(CH3)2SiO1 /2)으로 이루어지고 ~400의 평균 중합도를 가지는 오가노폴리실록산 80부를, SiO4 /2 유닛, Me3SiO1 /2 유닛 및 ViMe2SiO1 /2 유닛으로 0.8의 (Me3SiO1/2+ViMe2SiO1/2)/SiO4/2의 몰비율로 구성되고 비닐 함량이 0.085 mol/100g인 실리콘 수지 20부, 테트라메틸비닐다이실록산 리간드와의 클로로백금산의 형태의 백금 촉매 0.3 부(Pt 1.0 wt%) 및 오가노수소폴리실록산 10 부와 조합함으로써 실리콘 혼합물을 제조하였다. 그 혼합물을 120℃ 및 70 kgf/cm2에서 30분 동안 경화하였다. 실시예 1에서와 같이, 경화된 생성물의 저장 탄성 모듈러스를 측정하였고, 그 결과를 도 3의 실시예 2의 곡선에 의해 나타낸다. 실시예 2의 경화된 생성물은 22의 Durometer Type A 경도를 가졌다.
실시예 1에서와 같이, 태양전지 모듈을 이 실리콘 봉지재 조성물을 사용하여 제작하였다. 200 주기의 열주기 시험 후의 모듈의 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 3
99.475 mol%의 다이메틸실록산 유닛((CH3)2SiO2 /2), 0.475 mol%의 메틸비닐실록산 유닛((CH2=CH)(CH3)SiO2 /2) 및 0.025 mol%의 다이메틸비닐실록시 유닛((CH2=CH)(CH3)2SiO1/2)으로 이루어지고 ~6,000의 평균 중합도를 가지는 오가노폴리실록산 100부를, BET 비표면적이 300 m2/g인 훈증된 실리카(상표명 Aerosil 300, Nippon Aerosil Co., Ltd.) 70부, 분산제로서 비닐트라이메톡시실란 0.5부, 한 단부에서 다이메틸비닐실록시기로 캡핑되고 한 단부에서 실라놀기로 캡핑되며 ~20의 평균 중합도를 가지는 오가노폴리실록산 10부 및 양 단부에서 실라놀기로 캡핑되고 ~20의 평균 중합도를 가지는 오가노폴리실록산 10부와 조합하고, 그 혼합물을 반죽기에서 분쇄한 후, 170℃에서 2시간 동안 가열 처리함으로써 실리콘 화합물을 제조하였다. 2-롤 밀을 사용하여, 0.5/3.0 부의 첨가 교차결합 경화제 C-25A/X-93-1183(백금 촉매/오가노수소폴리실록산, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)를 100 부의 화합물에 첨가하고, 그것이 균일해질 때까지 분쇄하였다. 실시예 1에서와 같이, 저장 탄성 모듈러스를 측정하였고, 그 결과를 도 3에서 실시예 3의 곡선으로 나타낸다. 실시예 3의 경화된 생성물은 89의 Durometer Type A 경도를 가졌다.
실시예 1에서와 같이, 태양전지 모듈을 이 실리콘 봉지재 조성물을 사용하여 제작하였다. 200 주기의 열주기 시험 후의 모듈의 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예 1
실리콘 겔 조성물로서, 성분 KE-1051J-A/B(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)를 혼합하고 경화하였다. 실시예 1에서와 같이, 저장 탄성 모듈러스를 측정하였고, 그 결과를 도 3에서 비교예 1의 곡선에 의해 나타낸다. 비교예 1의 경화된 생성물은 60의 투과도를 가졌다. 실시예 1에서와 같이, 태양전지 모듈을 실리콘 겔 조성물을 사용하여 제작하였다. 200 주기의 열주기 시험 후에, 가지 전극의 많은 파괴가 발견되었고, 그 결과를 표 1에 나타낸다.
비교예 2
실리콘 수지 조성물로서, 성분 KER-2300/CAT-ME(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)를 100/3의 비율로 혼합하고 경화하였다. 실시예 1에서와 같이, 저장 탄성 모듈러스를 측정하였고, 그 결과를 도 3에서 비교예 2의 곡선으로 나타낸다. 비교예 2의 경화된 생성물은 50의 Durometer Type D 경도를 가졌다. 실시예 1에서와 같이, 태양전지 모듈을 실리콘 수지 조성물을 사용하여 제작하였다. 200 주기의 열주기 시험 후에, 전지 균열 및 유리/봉지재 계면의 분리를 발견하였고, 그 결과를 표 1에 나타낸다.
참조예 실시예 비교예
1 2 3 1 2
가지 전극의 파괴 발견됨 nil nil nil 발견됨 nil
전지 균열 nil nil nil nil nil 발견됨
유리/봉지재 계면의 분리 - nil nil nil nil 발견됨
-40℃ 내지 85℃의 온도 범위에서 1 내지 300 MPa의 저장 탄성 모듈러스를 가지는 실리콘 봉지재층은 온도 변화에 따른 모듈 내부의 열팽창/수축을 억제하는 데 효과적인 것이 증명되었다. 그 결과의 태양전지 모듈은 열적 부하가 태양전지 상의 가지 전극에 대해 실질적인 파괴를 유발하지 않는다는 점에서 신뢰할만하다.
일본 특허 출원 2014-078780은 본원에 참조로 포함된다.
일부 바람직한 구체예가 기술되었지만, 그것에 대한 많은 변형 및 변화가 상기 교시의 관점에서 이루어질 수 있다. 그러므로 본 발명은 첨부된 청구번위의 범주로부터 벗어남이 없이 구체적으로 기술된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 인지되어야 한다.

Claims (10)

  1. 강성 또는 가요성을 가지는 수광면과 이면 패널들, 패널들 사이에 끼어 있는 다수의 태양전지를 포함하는 태양전지 매트릭스 및 그 태양전지 매트릭스를 봉지하기 위한 실리콘 봉지재층을 포함하는 태양전지 모듈과 관련하여,
    -40℃ 내지 85℃의 온도 범위에서 1 내지 300 MPa의 저장 탄성 모듈러스를 가지는 실리콘 봉지재층을 형성하기 위한, 실리콘 봉지재 조성물로서,
    상기 실리콘 봉지재 조성물은
    (A) 다음의 평균 조성식(I):
    R1 aSiO(4-a)/2 (I)
    (상기 식에서, R1은 각각 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 일가 탄화수소 기이고, a는 1.95 내지 2.05의 양수이다)에 의해 표시되며, 적어도 100의 중합도를 가지는 오가노폴리실록산 100 중량부;
    (B) 적어도 50m2/g의 비표면적을 가지는 강화용 실리카 30 내지 90 중량부;
    (C) 성분 (A)를 경화하기에 유효한 양의 경화제; 및
    (D) 점착제 0 내지 10 중량부;를 포함하고,
    상기 실리콘 봉지재 조성물은 미경화 상태이며, 상기 미경화 실리콘 봉지재 조성물을 경화시켜 상기 실리콘 봉지재 층을 형성하는, 실리콘 봉지재 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 봉지재 층은 1 내지 100 MPa의 저장 탄성 모듈러스를 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 봉지재 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 100 중량부의 성분 (A)당 적어도 0.01 중량부의 성분 (D)가 존재하고, 성분 (D)는 적어도 하나의 알콕시, 에폭시 또는 (메트)아크릴기를 함유하는 것을 특징으로 하는 실리콘 봉지재 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 0.3 내지 2.5 mm의 두께를 가지는 쉬트로 형상화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 봉지재 조성물.
  5. 제 4항에 있어서, 캘린더링 또는 압출 성형에 의해 쉬트로 형상화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 봉지재 조성물.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 봉지재 조성물은 가소도가 150 내지 1,000인 것을 특징으로 하는 실리콘 봉지재 조성물.
  7. 수광면 패널, 제 1항의 실리콘 봉지재 조성물, 태양전지 매트릭스, 제 1항의 실리콘 봉지재 조성물 및 이면 패널을 이 순서로 라미네이팅하는 단계와, 그 라미네이트를 진공 라미네이터를 사용하여 진공에서 가열하고 압축하는 단계를 포함하는, 태양전지 모듈의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 실리콘 봉지재 조성물은 0.3 내지 2.5 mm의 두께를 가지는 쉬트로 형상화되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 실리콘 봉지재 조성물은 캘린더링 또는 압출 성형에 의해 쉬트로 형상화되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 제조 방법.
  10. 제 7항 내지 제 9항 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 태양전지 모듈.
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