KR101596063B1 - Developing apparatus and developing method - Google Patents

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KR101596063B1
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히데오 후나코시
미츠아키 마루야마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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    • G—PHYSICS
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Abstract

기판의 이면에 부착된 먼지에 기인하는 노광 시의 미스얼라이먼트를 방지하고, 기판 처리면에서 발생한 용해 생성물 등이나 오물이 기판의 이면을 오염하는 것을 방지한다.
기판(G)을 회전 가능하게 유지하는 회전 베이스(2)와, 회전 베이스와 함께 회전 가능하고, 회전 베이스에 유지된 기판의 외측 둘레부를 둘러싸며, 기판의 표면상으로부터 연속되는 액막을 형성하기 위한 둘레 조주(助走) 스테이지(3)와, 기판과 일정한 간극을 두고 대향하는 평면을 갖는 평면부(4)와, 기판의 표면을 따라서 이동하여, 기판에 대한 현상액의 공급과 흡인을 동시에 행하는 노즐 헤드(5)를 설치한다. 평면부는, 기판 이면과 일정한 간극을 두고 유지되고, 간극에 액체를 공급하는 복수의 액체 공급 구멍(40)과, 복수의 액체 공급 구멍의 사이에 끼워지도록 형성되고, 액체를 흡인 배출하기 위한 흡인 배출 구멍(41)을 포함한다. 액체 공급 구멍 및 흡인 배출 구멍에 접속되는 관로(42a, 42b)에 설치되는 유로 개폐 밸브(V1, V2)를 제어부(65)에 의해 개폐 제어한다.Misalignment during exposure due to dust adhering to the back surface of the substrate is prevented and dissolution products or dirt generated on the substrate processed surface are prevented from contaminating the back surface of the substrate.
A rotating base 2 rotatable with the rotating base and surrounding the outer periphery of the substrate held by the rotating base and configured to form a continuous liquid film on the surface of the substrate G; A nozzle head 3 that moves along the surface of the substrate and performs supply and suction of the developer to the substrate at the same time; (5). The flat portion is provided with a plurality of liquid supply holes (40) which are held with a predetermined clearance from the back surface of the substrate and supply the liquid to the gap, and a plurality of liquid supply holes And includes a hole 41. The flow path opening / closing valves V1 and V2 provided in the pipelines 42a and 42b connected to the liquid supply hole and the suction / discharge hole are controlled by the control unit 65 to open / close.

Description

현상 처리 장치 및 현상 처리 방법{DEVELOPING APPARATUS AND DEVELOPING METHOD}[0001] DEVELOPING APPARATUS AND DEVELOPING METHOD [0002]

본 발명은, 예를 들어 레티클 등의 포토마스크용 글라스 기판에 현상액을 공급하여 처리하는 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a development processing apparatus and a development processing method for supplying a developer to a photomask glass substrate such as a reticle for processing.

일반적으로, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 LCD용 글라스 기판 등(이하, 웨이퍼 등이라고 함)의 표면에 예를 들어 레지스트액을 도포하고, 스테퍼(stepper) 등의 노광 장치를 이용하여 회로 패턴을 축소하여 레지스트막을 노광하고, 노광 후의 웨이퍼의 표면에 현상액을 도포하여 현상 처리를 하는 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a semiconductor device, a resist solution is applied to the surface of a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD (hereinafter referred to as a wafer or the like) A photolithography technique of exposing a resist film by reducing a pattern and applying a developing solution to the surface of the wafer after exposure to carry out development processing is used.

상기 노광 처리 공정에서는, 예를 들어 스테퍼(축소 투영 노광 장치) 등의 노광 장치가 이용되고 있고, 레티클 등의 포토마스크에 광을 조사하고, 포토마스크에 그려져 있는 회로 패턴의 원그림을 축소하여 웨이퍼 상에 전사하고 있다.In the exposure processing step, for example, an exposure apparatus such as a stepper (a reduction projection exposure apparatus) is used, and a photomask such as a reticle is irradiated with light to reduce a circular pattern of a circuit pattern drawn on the photomask, As shown in FIG.

그런데, 이 포토마스크의 제조 공정에서도, 상기 웨이퍼 등과 마찬가지로 포토리소그래피 기술이 이용되고 있고, 레지스트 도포 공정, 노광 처리 공정, 현상 처리 공정과 같은 일련의 프로세스 공정을 거치고 있지만, 포토마스크는 웨이퍼 등에 회로 패턴을 투영하기 위한 원그림이므로, 선폭 등의 패턴 치수는 더욱 높은 정밀도가 요구된다. However, in the manufacturing process of the photomask, a photolithography technique is used as in the case of the above-described wafer, and a series of process steps such as a resist coating process, an exposure process process, and a developing process process is performed. However, The pattern dimension such as the line width is required to have a higher accuracy.

종래의 포토마스크의 현상 방법으로는, 포토마스크용 글라스 기판을 스핀척 상에 흡착 유지하여 저속으로 회전시키고, 스프레이 노즐을 이용하여 현상액을 글라스 기판 상에 분무형으로 토출하면서 현상 처리하는 스프레이식 현상 방법이나, 글라스 기판과 스캔 노즐을 상대 이동시키면서, 스캔 노즐을 통해 공급되는 현상액을 글라스 기판 상에 유지하고, 정지 상태에서 현상 처리를 하는 패들식 현상 방법 등이 알려져 있다. Conventional methods of developing a photomask include a spraying method in which a glass substrate for a photomask is attracted and held on a spin chuck to rotate at a low speed and a developer is sprayed on a glass substrate in a spray- And a paddle-type developing method in which a developer supplied through a scan nozzle is held on a glass substrate and a development process is performed in a stationary state while moving the glass substrate and the scan nozzle relative to each other.

그러나, 스프레이식 현상 방법에서는, 현상액과 반응하여 생성된 용해 생성물이, 회전에 의한 원심력에 의해 글라스 기판의 주변부나 모서리부로 흐르기 때문에, 이 부분에서 현상액과의 반응이 억제되어, 선폭 등의 패턴 치수가 불균일해진다는 문제가 있었다. 또, 패들식 현상 방법에서는, 용해 생성물이 특정 장소로는 흐르지 않아, 스프레이식 현상에서와 같은 문제는 생기지 않지만, 패턴의 기하학적 구조나 패턴 밀도의 차이에 의해, 용해 생성물의 생성량이나 현상액의 농도가 국소적으로 상이하여, 에칭 속도 등이 변화하는 로딩 효과(loading effect)라고 불리는 현상이 생겨, 회로 패턴이 불균일해진다는 문제가 있었다. However, in the spray type developing method, since the dissolved product generated by the reaction with the developing solution flows to the peripheral portion or the corner portion of the glass substrate by the centrifugal force due to the rotation, the reaction with the developing solution at this portion is suppressed, There has been a problem in that unevenness occurs. In the paddle-type developing method, the dissolution products do not flow to a specific place, and thus the same problem as in the spraying phenomenon does not occur. However, due to the geometrical structure of the pattern or the difference in pattern density, There is a phenomenon called a loading effect in which the etching rate and the like are changed locally, resulting in a problem that the circuit pattern becomes uneven.

따라서, 스프레이식이나 패들식에 비해 현상액의 소비량을 억제할 수 있고, 처리의 균일성의 향상을 도모할 수 있는 현상 방법으로서, 글라스 기판과 스캔 노즐을 상대 이동시키면서, 스캔 노즐을 통해 글라스 기판 표면에 공급되는 현상액을 처리액 흡인 수단에 의해 흡인하는 공급ㆍ흡인식 방법이 채택되고 있다. Therefore, as a developing method that can suppress the consumption amount of the developing solution and improve the uniformity of the processing as compared with the spraying method or the paddle method, A supply / suction / suction recognition method of sucking the supplied developing solution by the treatment liquid suction means is adopted.

이러한 공급ㆍ흡인식 방법에서는, 처리중에 처리액 흡인 수단에 의한 흡인에 의해 피처리 기판이 부상할 우려가 있고, 이 피처리 기판의 부상에 의해 처리액의 흐름이 불안정해져, 처리의 균일성이 손상된다는 문제가 있었다. 이 때문에, 종래에는, 부상을 방지하여 피처리 기판에 대한 균일한 액처리가 가능한 액처리 장치가 채택되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). In such a supply / absorptive detection method, there is a fear that the substrate to be processed floats due to suction by the treatment liquid suction means during treatment, the flow of the treatment liquid is unstable due to floating of the substrate to be treated, There was a problem of being damaged. For this reason, conventionally, a liquid processing apparatus capable of performing uniform liquid processing on a substrate to be processed to prevent floating is adopted (see, for example, Patent Document 1).

: 일본 특허 공개 평 2006-222460호 공보: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-222460

그러나, 일본 특허 공개 평 2006-222460호 공보에 기재된 액처리 장치에서는, 노광시에 노광기 내에서, 기판의 이면의 먼지 등에 의해 미스얼라이먼트가 발생할 우려가 있다. 또, 이면에 부착된 먼지를 떨어내는 것이 어려워, 기판 처리면에서 발생한 용해 생성물 등이나 오물이 이면에 들어가, 기판의 이면을 오염시킬 우려가 있다. However, in the liquid processing apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-222460, misalignment may occur in the exposure machine due to dust on the back surface of the substrate. In addition, it is difficult to remove dust adhering to the back surface, so that dissolution products or dirt generated on the substrate-processed surface may enter the back surface and contaminate the back surface of the substrate.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 유지부에 먼지가 부착되어, 노광시에 노광기 내에서 미스얼라이먼트가 발생하는 것을 방지하고, 기판 이면의 세정 잔여물의 제거나 기판 오염을 없애는 것을 가능하게 한 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to prevent dust from adhering to a substrate holding portion, to prevent occurrence of misalignment in an exposure apparatus during exposure, And to provide a development processing method and a development processing method.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 현상 처리 장치는, 판형의 피처리 기판을 회전 가능하게 유지하는 회전 베이스와, 상기 회전 베이스와 함께 회전 가능하고, 회전 베이스에 유지된 피처리 기판의 외측 둘레부를 둘러싸며, 피처리 기판의 표면상으로부터 연속되는 액막을 형성하기 위한 외측 둘레판과, 상기 회전 베이스에 유지된 피처리 기판의 표면을 따라서 이동 가능하고, 상기 피처리 기판에 대한 현상액의 공급과 흡인을 동시에 행하는 노즐 헤드와, 상기 회전 베이스에 유지된 상기 피처리 기판과 일정한 간극을 두고 대향하는 평면을 갖는 평면부와, 상기 평면부를 상기 회전 베이스에 대하여 상대적으로 상하 이동시키는 이동 기구와, 상기 평면부에 있어서 피처리 기판의 대향측에 형성되고 상기 간극에 액체를 공급하기 위해 배치된 복수의 액체 공급 구멍과, 상기 복수의 액체 공급 구멍이 배치되는 위치들 사이에 위치하도록 상기 액체 공급 구멍과 정해진 간격을 두고 형성되며 상기 액체를 흡인 배출하기 위한 흡인 배출 구멍과, 상기 액체 공급 구멍을 통한 액체의 공급과 상기 흡인 배출 구멍에 의한 흡인 배출을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a developing processing apparatus of the present invention comprises: a rotating base for rotatably holding a plate-like substrate to be processed; an outer periphery of the substrate to be rotated which is rotatable together with the rotating base, An outer circumferential plate surrounding the portion to form a liquid film that is continuous from the surface of the substrate to be processed; and an outer peripheral plate which is movable along the surface of the substrate held by the rotary base, A moving mechanism for vertically moving the flat portion relative to the rotating base; a moving mechanism for moving the flat portion relatively up and down relative to the rotating base; A liquid crystal display device comprising: a plurality of liquid crystal display panels formed on opposite sides of a substrate to be processed in a plane portion, A suction hole formed at a predetermined distance from the liquid supply hole so as to be positioned between the positions where the plurality of liquid supply holes are disposed and sucking and discharging the liquid; And a control unit for controlling the supply of the suction air and the suction and discharge by the suction and discharge hole.

이와 같이 구성함으로써, 평면부는, 기판의 이면과 일정한 간극을 유지하고, 기판의 이면에 액체, 예를 들어 순수를 공급하면서 흡인을 행함으로써, 기판 이면과 평면부의 간극에 부압 영역을 만들 수 있기 때문에, 기판의 부상을 방지할 수 있다. 또한, 액체 공급 구멍 및 흡인 배출 구멍이 기판의 이면에 접촉하지 않기 때문에, 기판 이면에 부착되는 먼지를 저감할 수 있으므로, 기판 흡착시의 미스얼라이먼트를 방지할 수 있다. 또한, 기판의 이면에 순수를 공급하기 때문에, 기판의 이면도 세정할 수 있고, 또한, 복수의 액체 공급 구멍이 배치되는 위치들 사이에 흡인 배출 구멍이 위치하도록 액체 흡인 구멍을 배치하기 때문에, 기판 이면의 현상액 등이나 용해 생성물이 기판의 이면에 부착되지 않도록 할 수 있다. By constituting in this manner, the flat portion can form a negative pressure region in the gap between the back surface of the substrate and the flat portion by maintaining a constant gap with the back surface of the substrate and performing suction while supplying liquid, for example, pure water to the back surface of the substrate , It is possible to prevent the floating of the substrate. Further, since the liquid supply hole and the suction / discharge hole are not in contact with the back surface of the substrate, dust adhering to the back surface of the substrate can be reduced, and misalignment during substrate adsorption can be prevented. Further, since the pure water is supplied to the back surface of the substrate, the liquid suction holes are arranged so that the back surface of the substrate can be cleaned and the suction discharge holes are located between the positions where the plurality of liquid supply holes are arranged. It is possible to prevent the developing solution or the like on the back surface from adhering to the back surface of the substrate.

본 발명에서, 상기 액체 공급 구멍의 개구부는, 상기 흡인 배출 구멍의 바깥쪽을 포위하는 연통 홈에 의해 연통되어 있는 것이 바람직하다. In the present invention, it is preferable that the opening of the liquid supply hole is communicated with a communication groove surrounding the outside of the suction discharge hole.

이와 같이 구성함으로써, 평면부의 외측의 액체가 흡인 배출 구멍에 들어가는 것을 방지할 수 있다. With this configuration, it is possible to prevent the liquid outside the flat surface portion from entering the suction discharge hole.

또, 상기 흡인 배출 구멍은, 직선형의 개구 베이스부와, 이 개구 베이스부의 단부로부터 상기 피처리 기판의 외측 둘레 대향측을 향하여 굴곡된 개구 보조부를 포함하는 형상인 것이 바람직하다. It is preferable that the suction discharge hole has a shape including a linear opening base portion and an opening auxiliary portion bent from the end portion of the opening base portion toward the outer peripheral side of the substrate to be processed.

이와 같이 구성함으로써, 피처리 기판의 외측 둘레부의 흡인력을 높일 수 있고, 액체 공급 구멍을 통한 액체의 공급 및 흡인 배출 구멍을 통한 액체의 흡인을 효율적으로 행할 수 있다. With this configuration, the suction force of the outer peripheral portion of the substrate to be processed can be increased, and the liquid can be efficiently supplied through the liquid supply hole and the liquid can be sucked through the suction and discharge hole efficiently.

또, 상기 평면부에서의 상기 흡인 배출 구멍의 개구면부가, 상기 액체 공급 구멍의 개구면부보다 높게 형성되어 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the opening face of the suction discharge hole in the plane portion is formed higher than the opening face portion of the liquid supply hole.

이와 같이 구성함으로써, 흡인 면적을 증가시켜 흡인력을 증대시킬 수 있고, 피처리 기판의 외측 둘레측의 흡인력을 높여 효율적인 흡인을 행할 수 있다. With this configuration, the suction force can be increased by increasing the suction area, and the suction force on the outer peripheral side of the substrate to be processed can be increased, and efficient suction can be performed.

또, 상기 평면부는, 상기 평면부와의 사이에 간극을 두고 상기 피처리 기판의 이면과 접촉하여 피처리 기판을 유지하는 간극 유지 핀과, 상기 간극 유지 핀보다 낮은 높이의 보조 유지 핀을 포함하는 것이 바람직하다. The planar portion may include a gap maintaining pin having a gap between the planar portion and the substrate to be brought into contact with the back surface of the substrate to be processed and an auxiliary holding pin having a height lower than that of the gap holding pin .

이와 같이 구성함으로써, 피처리 기판이 휘어졌을 때 보조 유지 핀에 의해 피처리 기판을 유지할 수 있어, 피처리 기판과 평면부의 접촉을 방지할 수 있다. 또, 보조 유지 핀에 의해 피처리 기판을 유지함으로써, 피처리 기판과 평면부의 간격을 협소하게 할 수 있기 때문에, 강한 흡인력을 얻을 수 있고, 액체 공급량의 삭감을 도모할 수 있다. With this configuration, the substrate to be processed can be held by the auxiliary holding pins when the substrate to be processed is bent, and contact between the substrate and the planar portion can be prevented. Further, since the substrate to be processed is held by the auxiliary holding pins, the distance between the substrate to be processed and the plane portion can be narrowed, so that a strong suction force can be obtained and the liquid supply amount can be reduced.

또, 상기 평면부는, 피처리 기판의 이면에 대향하여 복수 형성되어 있는 것이 바람직하다. It is preferable that a plurality of the planar portions are formed opposite to the back surface of the substrate to be processed.

이와 같이 구성함으로써, 복수의 평면부가 피처리 기판의 이면을 유지하기 때문에, 기판을 안정적으로 하여 일정한 간극을 유지할 수 있다. With this configuration, since the plurality of planar portions hold the back surface of the substrate to be processed, a constant gap can be maintained by stably holding the substrate.

또, 상기 평면부는 바닥이 있는 용기의 내측에 형성되고, 상기 바닥이 있는 용기의 개구 둘레 가장자리에는, 상기 회전 베이스를 이동시켰을 때, 상기 외측 둘레판의 이면의 전체 둘레에 걸쳐 밀착될 수 있는 제1 환상 밀봉 부재가 구비되며, 상기 바닥이 있는 용기의 바닥부에는 관통 구멍이 형성되고 있으며, 상기 관통 구멍 내에 상기 회전 베이스의 회전축을 회전 및 상하 이동 가능하게 삽입하고, 관통 구멍과 회전축의 간극을 제2 환상 밀봉 부재에 의해 막아, 상기 액체를 저장하는 액저장 공간을 공기와 물이 새지 않는 구조로 형성하는 것이 바람직하다. The flat portion is formed on the inner side of the container having the bottom and the peripheral edge of the opening of the container having the bottom is provided with a portion which can be brought into close contact with the entire circumference of the back surface of the outer peripheral plate when the rotary base is moved And a rotary shaft of the rotary base is inserted in the through hole so as to be rotatable and vertically movable, and a gap between the through hole and the rotary shaft is defined as It is preferable to form the liquid storage space for storing the liquid by the second annular sealing member so as not to leak air and water.

이와 같이 구성함으로써, 제1 환상 밀봉 부재에 의해 외측 둘레판의 이면의 전체 둘레에 걸쳐 밀착되고, 제2 환상 밀봉 부재에 의해 바닥이 있는 용기의 바닥부에 형성된 관통 구멍과 회전 베이스의 회전축의 간극을 막아, 공기와 물이 새지 않는 액저장 공간을 형성할 수 있다. With this configuration, the gap between the through-hole formed in the bottom portion of the container having the bottom by the second annular sealing member and the rotation axis of the rotation base is brought into close contact with the entire circumference of the back surface of the outer peripheral plate by the first annular sealing member, It is possible to form a liquid storage space in which air and water do not leak.

또, 상기 바닥이 있는 용기는, 바닥부에 형성된 배액구를 포함하는 것이 바람직하다. It is preferable that the bottomed container includes a drain port formed in the bottom portion.

이와 같이 구성함으로써, 액저장 공간에 저장된 액을, 바닥이 있는 용기의 바닥부에 형성된 배액구를 통해 배출할 수 있다. With this configuration, the liquid stored in the liquid storage space can be discharged through the liquid discharge port formed in the bottom portion of the container having the bottom.

또, 상기 액저장 공간에 저장되는 액체는, 상기 액체 공급 구멍 외에, 상기 회전 베이스에 유지된 기판에 세정액을 공급하기 위한 제1 세정액 공급 노즐 및 상기 바닥이 있는 용기의 바닥부에 배치된 제2 세정액 공급 노즐 중 하나 이상에 의해 공급되는 어느 하나의 액체인 것이 바람직하다. The liquid stored in the liquid storage space may include, in addition to the liquid supply hole, a first cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the substrate held on the rotary base, and a second cleaning liquid supply nozzle It is preferable that the liquid is any liquid supplied by at least one of the cleaning liquid supply nozzles.

이와 같이 구성함으로써, 액저장 공간에 액체를 효율적으로 공급할 수 있다. With this configuration, liquid can be efficiently supplied to the liquid storage space.

또, 상기 액체 공급 구멍 및 상기 흡인 배출 구멍은 직선형으로 형성되고, 상기 흡인 배출 구멍은, 상기 복수의 액체 공급 구멍의 사이에 위치하는 위치에서 상기 액체 공급 구멍과 나란히 복수 배치되고, 상기 제어부는 상기 피처리 기판과 상기 평면부 사이에 공급된 액체의 흡인을 교대로 전환하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 상기 흡인 배출 구멍의 관로에 접속되어, 상기 피처리 기판과 평면부 사이에 공급된 액체의 흡인을 교대로 전환하기 위한 전환 밸브를 설치하는 것이 바람직하다. In addition, the liquid supply hole and the suction discharge hole are formed in a straight line, and a plurality of the suction discharge holes are arranged in parallel with the liquid supply hole at a position located between the plurality of liquid supply holes, It is preferable to alternately switch the suction of the liquid supplied between the target substrate and the flat portion. In this case, it is preferable to provide a switching valve, which is connected to the pipe of the suction / discharge hole, for alternately switching the suction of the liquid supplied between the substrate to be processed and the plane portion.

이와 같이 구성함으로써, 흡인 배출 구멍을 통한 액체의 흡인을 정기적으로 전환하여, 평면부와 기판의 이면 사이에 발생하는 기포의 발생을 방지하여, 기판의 오염을 더욱 저감할 수 있다. With this configuration, the suction of the liquid through the suction and discharge holes is periodically switched to prevent the generation of bubbles generated between the flat surface portion and the back surface of the substrate, thereby further reducing the contamination of the substrate.

또, 상기 흡인 배출 구멍에 접속된 관로에, 상기 복수의 흡인 배출 구멍에 의한 액체의 흡인을 교대로 전환하기 위한 내부 회전체를 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 내부 회전체는, 복수의 상기 흡인 배출 구멍에 접속되고 상기 액체 공급 구멍에 접속되는 관로 합류부 내에 회전 가능하게 설치되고, 상기 액체 공급 구멍의 하류에 접속된 액체 공급원으로부터 공급되는 액체에 의해 회전하여, 상기 복수의 흡인 배출 구멍을 통한 액체의 흡인을 어느 하나로 전환하기 위한 홈을 형성하는 것이 바람직하다. It is preferable that the pipeline connected to the suction and discharge hole includes an internal rotating body for alternately switching the suction of the liquid by the plurality of suction and discharge holes. In this case, the inner rotating body may include a liquid supply source connected to the plurality of suction discharge holes and rotatably installed in the pipe line merging portion connected to the liquid supply hole, So as to form a groove for switching the suction of the liquid through the plurality of suction / discharge holes to any one of them.

이와 같이 구성함으로써, 제어 장치를 이용하지 않고, 복수의 흡인 배출 구멍을 통한 액체의 흡인을 전환할 수 있기 때문에, 비용을 억제할 수 있다. With this configuration, suction of the liquid through the plurality of suction / discharge holes can be switched without using the control device, so that the cost can be suppressed.

또, 본 발명의 현상 처리 방법은, 판형의 피처리 기판을 회전 가능하게 유지하는 회전 베이스에 유지하는 공정과, 평면부를 상기 회전 베이스에 대하여 상대적으로 상하 이동시키는 이동 기구에 의해 이동시킨 위치에서 상기 평면부의 평면과 상기 피처리 기판을 일정한 간극을 두고 대향시키는 공정과, 이어서, 상기 평면부의 피처리 기판의 대향측에 형성되고 상기 간극에 액체를 공급하기 위해 배치된 복수의 액체 공급 구멍과, 상기 복수의 액체 공급 구멍이 배치되는 위치들 사이에 위치하도록 상기 공급 구멍과 정해진 간격을 두고 형성되며 상기 액체를 흡인 배출하기 위한 흡인 배출 구멍을 통해 각각 액체를 공급하고 흡인 배출하는 공정과, 상기 회전 베이스에 유지된 피처리 기판의 표면을 따라서, 상기 피처리 기판에 대한 현상액의 공급과 흡인을 동시에 행하면서 노즐을 이동시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. The developing processing method of the present invention is a developing processing method comprising the steps of holding a plate-shaped substrate to be processed on a rotary base for rotatably holding the substrate, and a step of moving the flat portion relative to the rotary base by a moving mechanism, A step of opposing the plane of the plane portion and the substrate to be processed with a predetermined gap therebetween; a plurality of liquid supply holes formed on opposite sides of the target substrate of the plane portion and arranged to supply liquid to the gap; Supplying and discharging a liquid through a suction discharge hole formed at a predetermined distance from the supply hole so as to be positioned between positions where a plurality of liquid supply holes are disposed and for sucking and discharging the liquid, Along with the surface of the substrate to be processed held on the substrate to be processed, While performing at the same time, characterized by including the step of moving the nozzle.

이와 같이 구성함으로써, 기판의 이면과 일정한 간극을 유지하면서 현상이 행해지기 때문에, 평면부로부터의 온도의 영향이 기판에 잘 전달되지 않게 되어, 기판 상의 현상액의 온도 변화가 기판의 면내에서 거의 일정하여, 현상액의 온도차를 원인으로 하는 처리 불균일의 발생이 억제되어, 현상 처리의 균일성을 높일 수 있다. With this configuration, since the development is performed while maintaining a certain gap with the back surface of the substrate, the influence of the temperature from the plane portion is not transmitted to the substrate, and the temperature change of the developer on the substrate is substantially constant , It is possible to suppress the occurrence of processing unevenness caused by the temperature difference of the developing solution and to improve the uniformity of the developing process.

본 발명에 의하면, 이상과 같이 구성되어 있기 때문에, 이하와 같은 우수한 효과를 갖는다. According to the present invention, since it is configured as described above, it has the following excellent effects.

평면부는, 기판의 이면과 일정한 간극을 두고 기판을 유지하고, 이 간극에 액체를 공급하면서 흡인을 행함으로써 부압 영역을 만들 수 있기 때문에, 기판의 부상(浮上)을 방지할 수 있다. 또, 액체 공급 구멍 및 흡인 배출 구멍이 기판의 이면에 접촉하지 않기 때문에, 기판 이면에 부착되는 먼지를 저감할 수 있어, 기판 흡착시의 미스얼라이먼트를 방지할 수 있다. 또, 기판의 이면에 액체, 예를 들어 순수를 공급함으로써, 기판의 이면도 세정할 수 있고, 또한, 복수의 액체 공급 구멍이 배치되는 위치들 사이에 흡인 배출 구멍을 위치시키도록 액체 흡인 구멍을 배치하기 때문에, 기판 이면의 현상액 등이나 용해 생성물이 기판 이면에 부착되지 않도록 할 수 있다.The flat portion can hold the substrate with a predetermined clearance between the back surface of the substrate and the negative pressure region can be formed by sucking while supplying the liquid to the gap, so that floating of the substrate can be prevented. Further, since the liquid supply hole and the suction / discharge hole are not in contact with the back surface of the substrate, dust adhering to the back surface of the substrate can be reduced, and misalignment during substrate adsorption can be prevented. Further, by supplying liquid, for example, pure water, to the back surface of the substrate, it is possible to clean the back surface of the substrate, and furthermore, the liquid suction holes The developer or the like on the back surface of the substrate can be prevented from adhering to the back surface of the substrate.

도 1은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제1 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 상기 현상 처리 장치의 개략 평면도이다.
도 3은 본 발명에서의 노즐 헤드를 나타내는 단면도이다.
도 4의 (a)는 본 발명에서의 회전 베이스의 평면도이고, (b)는 (a)의 I부를 나타내는 확대 사시도이다.
도 5는 본 발명에서의 평면부를 갖는 바닥이 있는 용기를 나타내는 사시도이다.
도 5a는 상기 평면부 및 바닥이 있는 용기을 나타내는 개략 평면도이다.
도 6의 (a)는 도 5의 II-II선을 따르는 바닥이 있는 용기의 단면도이고, (b)는 바닥이 있는 용기의 다른 부분의 단면도이다.
도 6a의 (a)는 본 발명에서의 평면부의 액체 공급 구멍과 흡인 배출 구멍의 압력 분포를 나타내는 그래프이고, (b)는 액체 공급 구멍과 흡인 배출 구멍의 개략 단면도이다.
도 6b는 본 발명에서의 간극 유지 핀과 보조 유지 핀에 의한 피처리 기판의 유지 상태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7의 (a)는 본 발명에서의 평면부를 나타내는 평면도이고, (b)는 평면부의 부압 영역의 확대 단면도이다.
도 8은 본 발명에서의 제1 환상 밀봉 부재를 나타내는 단면도이다.
도 9a의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치에서의 기판의 반입 상태를 나타내는 개략 평면도이고, (b)는 개략 단면도이다.
도 9b의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치에서의 기판의 수취 상태를 나타내는 개략 평면도이고, (b)는 개략 단면도이다.
도 9c의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치에서의 기판 수취후의 상태를 나타내는 개략 평면도이고, (b)는 개략 단면도이다.
도 9d의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치에서의 기판의 각도 조정 상태를 나타내는 개략 평면도이고, (b)는 개략 단면도이다.
도 9e의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치에서의 액도포 상태를 나타내는 개략 평면도이고, (b)는 개략 단면도이다.
도 9f의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치에서의 액막 형성 상태를 나타내는 개략 평면도이고, (b)는 개략 단면도이다.
도 9g의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치에서의 현상 처리 상태를 나타내는 개략 평면도이고, (b)는 개략 단면도이다.
도 9h의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치에서의 액제거 상태를 나타내는 개략 평면도이고, (b)는 개략 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 처리 공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 11의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제2 실시형태에서의 평면부의 평면도이고, (b)는 (a)의 단면도이며, (c)는 평면부의 부압 영역의 개략 단면도이다.
도 12의 (a)는 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제3 실시형태를 나타내는 개략 단면도이고, (b)는 본 발명에서의 로터의 사시도이다.
도 13은 본 발명에 따른 현상 처리 장치의 제4 실시형태의 주요부를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a developing apparatus according to the present invention.
2 is a schematic plan view of the development processing apparatus.
3 is a cross-sectional view showing a nozzle head in the present invention.
Fig. 4 (a) is a plan view of a rotating base in the present invention, and Fig. 4 (b) is an enlarged perspective view showing part I in Fig.
5 is a perspective view showing a bottomed container having a flat portion in the present invention.
5A is a schematic plan view showing the container with the flat portion and the bottom.
Fig. 6 (a) is a cross-sectional view of a bottomed container along line II-II in Fig. 5, and Fig. 6 (b) is a cross-sectional view of another portion of the container with a bottom.
FIG. 6A is a graph showing the pressure distribution of the liquid supply hole and the suction discharge hole in the plane portion in the present invention, and FIG. 6B is a schematic sectional view of the liquid supply hole and the suction discharge hole.
6B is a schematic sectional view showing the holding state of the substrate to be processed by the gap holding pins and the auxiliary holding pins in the present invention.
7 (a) is a plan view showing a planar portion in the present invention, and Fig. 7 (b) is an enlarged sectional view of a negative pressure region in a planar portion.
8 is a cross-sectional view showing the first annular sealing member in the present invention.
FIG. 9A is a schematic plan view showing a carrying-in state of a substrate in the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 9B is a schematic sectional view.
FIG. 9B is a schematic plan view showing the receiving state of the substrate in the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 9B is a schematic sectional view.
FIG. 9C is a schematic plan view showing a state after the substrate is received in the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 9B is a schematic sectional view.
Fig. 9 (d) is a schematic plan view showing the state of the angle adjustment of the substrate in the developing apparatus according to the present invention, and Fig. 9 (b) is a schematic sectional view.
FIG. 9 (a) is a schematic plan view showing the liquid application state in the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 9 (b) is a schematic sectional view.
FIG. 9 (a) is a schematic plan view showing a liquid film formation state in the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 9 (b) is a schematic sectional view.
FIG. 9G is a schematic plan view showing the development processing state in the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 9B is a schematic sectional view.
FIG. 9 (a) is a schematic plan view showing a liquid removal state in the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 9 (b) is a schematic sectional view.
10 is a flowchart showing the processing steps of the developing apparatus according to the present invention.
Fig. 11A is a plan view of a planar portion in the second embodiment of the developing apparatus according to the present invention, Fig. 11B is a sectional view of Fig. 11A, and Fig. 11C is a schematic sectional view of a negative pressure region of the planar portion.
FIG. 12A is a schematic sectional view showing a third embodiment of the developing apparatus according to the present invention, and FIG. 12B is a perspective view of the rotor in the present invention. FIG.
13 is a schematic sectional view showing the main part of the fourth embodiment of the developing apparatus according to the present invention.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관해, 첨부 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 본 실시형태에서는, 본 발명에 따른 현상 처리 장치를, 포토마스크용 피처리 기판, 예를 들어 레티클용 글라스 기판에 현상 처리를 실시하는 현상 처리 장치에 적용한 경우에 관해 설명한다. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, a description will be given of a case where the development processing apparatus according to the present invention is applied to a development processing apparatus that performs development processing on a photomask substrate, for example, a glass substrate for a reticle.

본 발명에 따른 현상 처리 장치는, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 케이싱(1)을 가지며, 이 케이싱(1) 내에, 글라스 기판(G)[이하에 기판(G)이라고 함]을 회전 가능하게 유지하는 회전 베이스(2)와, 이 회전 베이스(2)와 함께 회전 가능하고 회전 베이스(2)에 유지된 기판(G)의 외측 둘레부를 둘러싸며, 기판(G)의 표면의 동일 평면 상에 기판(G)의 표면상으로부터 연속되는 액막을 형성하기 위한 외측 둘레판(3)[이하, 조주(助走) 스테이지(3)라고 함]과, 기판(G)과 일정한 간극을 두고 대향하는 평면을 갖는 평면부(4)와, 기판(G)의 표면을 따라서 이동 가능하고, 기판(G)에 대한 현상액의 공급과 흡인을 동시에 행하는 노즐 헤드(5)를 포함한다. 1 and 2, the development processing apparatus according to the present invention includes a casing 1, and a glass substrate G (hereinafter referred to as a substrate G) is rotated And the outer peripheral portion of the substrate G held on the rotary base 2 and rotatable together with the rotary base 2 so that the surface of the substrate G on the same plane An outer peripheral plate 3 (hereinafter referred to as a cooling stage 3) for forming a liquid film continuous from the surface of the substrate G on the substrate G, And a nozzle head 5 which is movable along the surface of the substrate G and simultaneously performs supply and sucking of the developer to the substrate G. [

또한, 상기 회전 베이스(2), 조주 스테이지(3) 및 평면부(4)는, 컵(6) 내에 수용 가능하게 형성되어 있고, 컵(6)의 바깥쪽에는, 회전 베이스(2) 및 평면부(4)에 유지된 기판(G)과 후술하는 액저장 공간(7)을 향하여 세정액(린스액), 예를 들어 순수(DIW)를 공급하는 제1 세정액 공급 노즐인 린스 노즐(8)이 설치되어 있다. The rotatable base 2 and the flat surface portion 4 are formed so as to be accommodated in the cup 6. The outside of the cup 6 is provided with a rotation base 2 and a flat surface 4, A rinse nozzle 8 as a first cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid (rinsing liquid), for example, pure water (DIW), toward the substrate G held on the substrate 4 and the liquid storage space 7 Is installed.

이 경우, 상기 회전 베이스(2)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 회전축(10)에 연결되는 원반형 베이스부(11)의 외측 둘레 4곳에 수평 지지편(12)을 연장시키고, 수평 지지편(12)의 선단에 환상 수평편(13)을 연결하고, 환상 수평편(13)의 4곳에 설치되는 각 제1 지지 기둥편(14)의 꼭대기부에, 각각 기판(G)의 모서리부를 유지하는 한 쌍의 위치 결정 핀(15)을 설치함으로써 이루어진다. 또, 환상 수평편(13)에 있어서의 제1 지지 기둥편(14)과 약 45도 오프셋된 4곳에는 제2 지지 기둥편(16)이 설치되고, 각 제2 지지 기둥편(16)에 의해 조주 스테이지(3)가 수평 상태로 지지되어 있다. 이 회전 베이스(2)는 회전축(10)을 통하여 모터 등의 회전 구동 기구(17)에 연결되고, 회전축(10)을 중심축으로 하여 정해진 회전 속도로 회전할 수 있다. 회전 베이스(2)는, 회전 구동 기구(17)에 의해 상하 이동(승강) 가능하게 형성될 수도 있다. In this case, as shown in Fig. 4, the rotary base 2 is formed by extending a horizontal support piece 12 at four outer peripheries of a disk-shaped base portion 11 connected to the rotary shaft 10, 12 are connected to the top end of each of the first support pillar pieces 14 provided at the four places of the annular horizontal piece 13 by holding the corner portions of the substrate G And a pair of positioning pins 15 are provided. The second supporting pillar piece 16 is provided at four positions offset from the first supporting pillar piece 14 by about 45 degrees in the annular horizontal piece 13, So that the conditioning stage 3 is supported in a horizontal state. The rotary base 2 is connected to a rotary drive mechanism 17 such as a motor through a rotary shaft 10 and can be rotated at a predetermined rotational speed around the rotary shaft 10 as a central axis. The rotary base 2 may be formed so as to be movable up and down by a rotary drive mechanism 17.

또한, 상기 조주 스테이지(3)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 평면에서 보았을 때 원형의 얇은 판형을 가지며, 중앙부에 기판(G)을 수용하는 사각의 개구부(3a)가 형성되어 있다. 이와 같이 조주 스테이지(3)의 외형을 원형으로 형성함으로써, 조주 스테이지(3)를 회전시켰을 때, 조주 스테이지(3)의 외측 둘레부 부근에서 난류가 형성되는 것을 방지하고 있다. 이 경우, 조주 스테이지(3)는, 기판(G)의 표면과 동일 평면상, 또는 약간 높은 위치, 예를 들어 200∼400 ㎛ 높은 위치에 고정되어 있다. 이에 따라, 기판(G)의 표면으로부터 조주 스테이지(3)의 표면에 걸친 동일 평면상에 연속된 액막을 형성할 수 있다. 조주 스테이지(3)의 개구부(3a)는, 기판(G)보다 약간 크게 형성되어 있고, 기판(G)과 조주 스테이지(3) 사이에는, 기판(G)을 교환하기 위한 간극(9)이 형성되어 있다. As shown in Fig. 2, the conditioning device 3 has a circular thin plate shape in plan view, and has a square opening portion 3a for accommodating the substrate G at the center thereof. By forming the outer shape of the pricking stage 3 into a circular shape in this way, turbulence is prevented from being formed near the outer circumferential portion of the pronging stage 3 when the pricking stage 3 is rotated. In this case, the cruciform stage 3 is fixed on the same plane as the surface of the substrate G or at a slightly higher position, for example, 200 to 400 占 퐉 higher. Thus, a liquid film continuous on the same plane from the surface of the substrate G to the surface of the cooking stage 3 can be formed. A gap 9 for exchanging the substrate G is formed between the substrate G and the preliminary stage 3 by forming the opening 3a of the preliminary stage 3 slightly larger than the substrate G .

또한, 평면부(4)는, 도 5, 도 5a 및 도 6, 도 6a, 도 6b에 나타낸 바와 같이, 바닥이 있는 원통형의 용기(20)의 내측에, 기판(G)과 일정한 간극(s)을 두고 대향하는 평면을 갖는다. 그리고, 평면부는, 회전 베이스(2)의 4개의 수평 지지편(12)과의 간섭을 회피하기 위해, 기판(G)의 이면의 둘레 가장자리 영역을 따르도록, 원주상에 4분할로 배치되어 있다. 평면부(4)를 4분할로 함으로써, 4분할된 평면부(4)가 기판(G)의 이면을 유지하기 때문에, 기판(G)을 안정적으로 하여 일정한 간격을 유지할 수 있다. 5, 5A, 6, 6A, and 6B, the planar portion 4 is formed on the inner side of the cylindrical container 20 having a bottom, And has a plane facing each other. The flat portion is arranged in a circumferential manner in four parts so as to follow the peripheral edge region of the back surface of the substrate G in order to avoid interference with the four horizontal holding pieces 12 of the rotary base 2 . Since the planar portion 4 is divided into four portions, the planar portion 4 divided by four holds the back surface of the substrate G, so that the substrate G can be stably kept at a constant interval.

또, 평면부(4)의 상면측에는, 도 5, 도 5a, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 기판(G)과 평면부(4) 사이의 간극에 액체, 예를 들어 순수를 공급하기 위한 액체 공급 구멍(40)을 2곳에 배치하고, 액체 공급 구멍(40)이 형성된 위치들 사이의 위치에는, 액체를 흡인 배출하는 흡인 배출 구멍(41)을 1곳에 배치하도록 구성한다. 이 경우, 흡인 배출 구멍(41)의 개구(41a)를 갖는 개구면부(4A)는, 기판(G)의 1변과 평행한 직선형부(4a)와 이 직선형부(4a)의 일단부로부터 약 90도 굴곡된 직교부(4b)로 이루어진 대략 L자형으로 형성되어 있고, 흡인 배출 구멍(41)은, 직선형부(4a)의 중앙에 형성되는 직선형의 개구 베이스부(41b)와, 개구 베이스부(41b)의 단부로부터 직교부(4b)의 중앙측으로 약 90도 굴곡되어 연장된 개구 보조부(41c)로 이루어진 대략 L자형으로 형성되어 있다. 이와 같이 형성되는 대략 L자형의 흡인 배출 구멍(41)은, 기판(G)의 1변에 평행한 개구 베이스부(41b)와 기판(G)의 1변과 인접하는 다른 1변과 평행한 개구 보조부(41c)로 이루어지기 때문에, 기판(G)의 외측 둘레부의 흡인력을 높일 수 있고, 액체 공급 구멍(40)을 통한 액체의 공급 및 흡인 배출 구멍(41)을 통한 액체의 흡인을 효율적으로 행할 수 있다. 5, 5A, 6 and 7, a liquid, for example, pure water is supplied to the gap between the substrate G and the flat surface portion 4 on the upper surface side of the flat surface portion 4 And a suction discharge hole 41 for sucking and discharging the liquid is disposed at one position between the positions where the liquid supply holes 40 are formed. In this case, the opening surface portion 4A having the opening 41a of the suction discharge hole 41 has a straight portion 4a parallel to one side of the substrate G and a flat portion 4a extending from one end of the straight portion 4a The suction hole 41 is formed in a substantially L shape including a straight portion 4b curved at 90 degrees. The suction hole 41 has a linear opening base portion 41b formed at the center of the straight portion 4a, And an opening auxiliary portion 41c bent from the end portion of the opening portion 41b by about 90 degrees toward the center of the straight portion 4b. The substantially L-shaped suction orifice 41 formed in this way has an opening base portion 41b parallel to one side of the substrate G and an opening 41b parallel to the other side adjacent to one side of the substrate G The suction force of the outer circumferential portion of the substrate G can be increased and the liquid can be efficiently supplied through the liquid supply hole 40 and the liquid can be sucked through the suction and discharge hole 41 .

또, 평면부(4)에서의 흡인 배출 구멍(41)의 개구면부(4A)는, 액체 공급 구멍(40)의 개구부(40a)를 갖는 개구면부(4B)보다 예를 들어 약 0.5 mm 높게 형성되어 있다. 또, 액체 공급 구멍(40)은, 흡인 배출 구멍(41)의 개구면부(4A)와 액체 공급 구멍(40)의 개구면부(4B)의 경계 근방에 형성되고 있고, 양 액체 공급 구멍(40)의 개구부는, 흡인 배출 구멍(41)의 바깥쪽을 포위하는 연통 홈(40b)에 의해 연통되어 있다. 연통 홈(40b)은, 액체 공급 구멍(40)과 마찬가지로 흡인 배출 구멍(41)의 개구면부(4A)의 경계를 따라서 형성되어 있다. The opening surface portion 4A of the suction discharge hole 41 in the flat surface portion 4 is formed to be about 0.5 mm higher than the opening surface portion 4B having the opening portion 40a of the liquid supply hole 40 . The liquid supply hole 40 is formed in the vicinity of the boundary between the opening surface portion 4A of the suction discharge hole 41 and the opening surface portion 4B of the liquid supply hole 40, Is communicated with the communication groove (40b) surrounding the outside of the suction / discharge hole (41). The communication groove 40b is formed along the boundary of the opening surface portion 4A of the suction discharge hole 41 like the liquid supply hole 40. [

상기와 같이 액체 공급 구멍(40)의 개구부를, 흡인 배출 구멍(41)의 바깥쪽을 포위하는 연통 홈(40b)에 의해 연통시킴으로써, 평면부(4)의 바깥쪽의 액체, 즉 후술하는 바닥이 있는 용기(20) 내에 저장된 세정에 사용된 순수가 흡인 배출 구멍(41)에 들어가는 것을 방지할 수 있다. By making the opening of the liquid supply hole 40 communicate with the communication groove 40b surrounding the outside of the suction discharge hole 41 as described above, the liquid outside the plane portion 4, that is, It is possible to prevent the pure water used for cleaning stored in the container 20 having the suction port 41 from entering the suction discharge hole 41.

또한, 흡인 배출 구멍(41)의 개구면부(4A)를 액체 공급 구멍(40)의 개구면부(4B)보다 높게 형성함으로써, 흡인 면적을 증가시켜 흡인력을 증대시킬 수 있고, 기판(G)의 외측 둘레측의 흡인력을 높여 효율적인 흡인을 행할 수 있디(도 6a 참조). Further, by forming the opening surface portion 4A of the suction discharge hole 41 higher than the opening surface portion 4B of the liquid supply hole 40, the suction force can be increased to increase the suction force, The suction force on the peripheral side can be increased and efficient suction can be performed (see Fig. 6A).

아울러, 평면부(4)에는, 기판(G)의 이면에 한정적으로 접촉하고 평면부와의 사이에 간극을 두고 기판(G)을 유지하는 간극 유지 핀(45)과, 간극 유지 핀(45)보다 낮은 높이의 보조 유지 핀(46)이 설치되어 있다[도 5a, 도 6b 및 도 7의 (a) 참조]. A gap maintaining pin 45 which is in contact with the back surface of the substrate G and which holds the substrate G with a gap between the gap maintaining pin 45 and the gap maintaining pin 45, An auxiliary holding pin 46 of a lower height is provided (see Figs. 5A, 6B and 7A).

이와 같이 기판(G)의 이면에 한정적으로 접촉하고 평면부와의 사이에 간극을 두고 기판(G)을 유지하는 간극 유지 핀(45)과, 간극 유지 핀(45)보다 낮은 높이의 보조 유지 핀(46)을 설치함으로써, 흡인 배출 구멍(41)의 흡인 작용에 의해 기판(G)이 휘어졌을 때 보조 유지 핀(46)에 의해 기판(G)을 유지할 수 있으므로, 기판(G)과 평면부(4)의 접촉을 방지할 수 있다. 또, 보조 유지 핀(46)에 의해 기판(G)을 유지함으로써, 기판(G)과 평면부(4) 사이의 간격을 협소하게 할 수 있기 때문에, 강한 흡인력을 얻을 수 있고, 액체 공급량의 삭감을 도모할 수 있다. A gap maintaining pin 45 which is in a limited contact with the back surface of the substrate G and holds the substrate G with a gap therebetween and an auxiliary holding pin 45 which is lower in height than the gap holding pin 45, Since the substrate G can be held by the auxiliary holding pin 46 when the substrate G is bent by the suction action of the suction discharge hole 41, It is possible to prevent the contact of the contact portion 4 with the contact portion. Since the gap between the substrate G and the flat surface portion 4 can be narrowed by holding the substrate G by the auxiliary holding pin 46, a strong suction force can be obtained, .

이 경우, 액체 공급 구멍(40) 및 흡인 배출 구멍(41)에 각각 접속되는 관로(42a, 42b)에, 전환 밸브인 유로 개폐 밸브(V1, V2)를 개재하여 액체 공급원(43), 흡인 배출 장치(44)가 접속되어 있다. 또, 유로 개폐 밸브(V1, V2)에 제어부(65)가 전기적으로 접속되어 있어, 제어부(65)로부터의 제어 신호에 기초하여 유로의 개폐를 제어함으로써, 액체의 공급과 액체의 흡인 배출의 타이밍을 별개로 설정할 수 있도록 구성되어 있다. In this case, the liquid supply source 43, the suction and discharge ports 43a, 43b are connected to the piping 42a, 42b connected to the liquid supply hole 40 and the suction discharge hole 41, respectively, Device 44 is connected. The controller 65 is electrically connected to the flow control valves 65 and 65 so that the opening and closing of the flow path is controlled based on the control signal from the controller 65 so that the timing of the supply of the liquid and the timing Can be set separately.

또, 바닥이 있는 용기(20)의 원통형 측벽(24)의 꼭대기면(24a)에는, 후술하는 제1 환상 밀봉 부재(25a)를 끼워 맞추는 제1 둘레 홈(24b)이 형성되어 있다. The top surface 24a of the cylindrical side wall 24 of the bottomed container 20 is formed with a first peripheral groove 24b for fitting a first annular sealing member 25a to be described later.

바닥이 있는 용기(20)의 제1 둘레 홈(24b) 내에 끼워 맞춰지는 제1 환상 밀봉 부재(25a)는, 조주 스테이지(3)의 이면의 전체 둘레에 걸쳐 밀착 가능하게 형성되어 있다. 이 경우, 상기 제1 환상 밀봉 부재(25a)는, 예를 들어 가요성이 있는 PCTFE(폴리클로로트리플루오로에틸렌), PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등의 수지, 또는 예를 들어 실리콘을 함유하는 내약성이 우수한 고무재 등이 이용되고, 각각 밀접(密接) 대상이 되는 조주 스테이지(3)의 이면측을 향하여 경사지게 연장되는 가요성을 갖는 밀봉편(25c)을 포함하고 있다. 이와 같이, 제1 환상 밀봉 부재(25a)에 조주 스테이지(3)의 이면측을 향하여 경사형으로 연장되는 가요성을 갖는 밀봉편(25c)을 형성함으로써, 조주 스테이지(3)의 이면과의 접촉 면적을 넓게 할 수 있고, 조정을 용이하게 할 수 있다. The first annular sealing member 25a fitted in the first peripheral groove 24b of the container 20 with the bottom is formed so as to be close to the entire circumference of the back surface of the control device 3. [ In this case, the first annular sealing member 25a is made of a resin such as flexible PCTFE (polychlorotrifluoroethylene), PTFE (polytetrafluoroethylene) or the like, for example, And a sealing piece 25c having flexibility that extends obliquely toward the back side of the conception stage 3 to be closely contacted with each other. As described above, by forming the sealing piece 25c having flexibility on the first annular sealing member 25a and extending obliquely toward the back side of the control unit 3, the contact with the back surface of the cooking container 3 The area can be widened and adjustment can be facilitated.

또, 바닥이 있는 용기(20)의 바닥부(22)의 1곳에는, 배액구(26)가 형성되고, 바닥부(22)의 바닥면(22a)은 배액구(26)측을 향하여 하강 경사지게 형성되어 있다. 이에 따라, 바닥부(22)의 바닥면(22a)에 부착되는 액을 양호하게 제거할 수 있다. One side of the bottom portion 22 of the container 20 with the bottom is provided with a drain port 26 and the bottom surface 22a of the bottom portion 22 is lowered toward the drain port 26 side And is inclined. Thus, the liquid adhering to the bottom surface 22a of the bottom portion 22 can be satisfactorily removed.

또한, 바닥이 있는 용기(20)의 바닥부(22)의 중심부에는 관통 구멍(21)이 형성되고, 이 관통 구멍(21) 내에 회전축(10)이 회전 및 상하 이동(승강) 가능하게 삽입되며, 관통 구멍(21)과 회전축(10)의 간극이 제2 환상 밀봉 부재(25b)에 의해 막혀 공기와 물이 새지 않는 구조로 형성되어 있다(도 1 참조). A through hole 21 is formed in the center of the bottom portion 22 of the container 20 with the bottom and the rotary shaft 10 is inserted into the through hole 21 so as to be able to rotate and move up and down , And the gap between the through hole 21 and the rotary shaft 10 is blocked by the second annular sealing member 25b so that air and water do not leak (see Fig. 1).

또, 평면부(4)의 바닥부(22)의 적시 위치에는, 제2 세정액 공급 노즐인 백린스 노즐(70)을 통해 분사되는 린스액이 유통하는 통로(22b)가 형성되어 있다(도 6의 (b) 참조). A passage 22b through which the rinsing liquid sprayed through the back rinse nozzle 70 serving as the second cleaning liquid supply nozzle flows is formed at a predetermined position of the bottom portion 22 of the flat surface portion 4 (B)).

상기와 같이 형성되는 평면부(4)에 의해 기판(G)을 일정 간극(s)을 두고 유지하고, 제1 환상 밀봉 부재(25a)를 통하여 바닥이 있는 용기(20)와 조주 스테이지(3)가 밀착함으로써, 공기와 물이 새지 않는 액저장 공간(7)이 형성된다. 또, 평면부(4)에 의한 흡인의 해제 및 제1 환상 밀봉 부재(25a)에 의한 밀착이 해제된 상태로, 회전 베이스(2) 및 조주 스테이지(3)와 함께 기판(G)이 회전 가능하게 형성된다. 따라서, 평면부(4)를 회전시키지 않고 회전 베이스(2) 및 조주 스테이지(3)를 회전시키기 때문에, 회전 구동 기구(17)의 동력을 작게 할 수 있다. The substrate G is held at a predetermined gap s by the flat portion 4 formed as described above and the container 20 and the pre-conditioning stage 3, which are provided with the bottom through the first annular sealing member 25a, The liquid storage space 7 in which air and water do not leak is formed. It is also possible to rotate the substrate G together with the rotation base 2 and the preliminary stage 3 in a state in which the suction by the flat surface portion 4 is released and the adhesion by the first annular sealing member 25a is released . Therefore, since the rotation base 2 and the prime mover stage 3 are rotated without rotating the flat surface portion 4, the power of the rotation drive mechanism 17 can be reduced.

평면부(4)에는, 기판(G)의 외측 둘레부에 대응하여, 수직 방향으로 관통하는 관통 구멍(27)이 3개 형성되어 있다. 각 관통 구멍(27) 내에는, 기판(G)을 지지하여 승강시키는 지지 핀(28)이 승강 가능하게 관통 삽입되어 있다. 지지 핀(28)은, 예를 들어 실린더 등의 승강 구동부(29)에 의해 승강 가능하고, 회전 베이스(2) 상에 돌출되어 회전 베이스(2)에 대하여 기판(G)을 교환할 수 있다. Three through holes 27 penetrating in the vertical direction are formed in the flat surface portion 4 in correspondence with the outer peripheral portion of the substrate G. [ In each through hole 27, a support pin 28 for supporting and elevating the substrate G is vertically inserted and inserted. The support pin 28 can be raised and lowered by a lifting drive section 29 such as a cylinder and protruded on the rotation base 2 to exchange the substrate G with respect to the rotation base 2. [

또, 회전 베이스(2)와 평면부(4)는, 기판(G)으로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아 회수하기 위한 컵(6) 내에 수용되어 있다. 컵(6)은, 회전 베이스(2) 및 평면부(4)의 옆쪽과 아래쪽을 덮도록, 예를 들어 하면이 폐쇄되고 상면이 개구된 사각형의 대략 통형상으로 형성되어 있다. 컵(6)의 하면에는, 예를 들어 공장의 배액부에 연통하는 배출관(6a)이 접속되어 있어, 컵(6)에서 회수한 액체를 현상 처리 장치의 외부로 배출할 수 있다. The rotating base 2 and the flat surface portion 4 are accommodated in the cup 6 for receiving and collecting liquid which is scattered or dropped from the substrate G. [ The cup 6 is formed in a substantially cylindrical shape of a quadrilateral closed on the lower surface and opened on the upper surface so as to cover the side surface and the lower side of the rotating base 2 and the flat surface portion 4, for example. The lower surface of the cup 6 is connected to, for example, a discharge pipe 6a communicating with the liquid discharging portion of the factory, so that the liquid recovered from the cup 6 can be discharged to the outside of the developing apparatus.

또한, 도 2에 나타낸 바와 같이 컵(6)의 마이너스 Y 방향(도 2의 좌측 방향)측에는, 제1 대기부(61)가 설치되어 있다. 제1 대기부(61)에는, 현상액 및 세정액(린스액)의 공급과 흡인을 행하는 노즐 헤드(5)가 대기 가능하게 되어 있다. 노즐 헤드(5)는, 예를 들어 적어도 기판(G)의 변의 치수와 동일하거나 그보다 길고, X방향을 따르는 대략 직방체형을 갖는다. 노즐 헤드(5)는, 문형(門型)의 헤드 아암(5b)에 지지되어 있고, 헤드 아암(5b)이 부착된, 예를 들어 볼나사와 그 회전 모터 등으로 이루어진 수평 이동 기구(5c)에 의해, 제1 대기부(61)로부터 적어도 컵(6)의 플러스 Y방향(도 2의 우측 방향)측의 단부 부근까지 수평 이동(스캔) 가능하게 형성되어 있다. 또, 노즐 헤드(5)는, 예를 들어 헤드 아암(5b)에 부착된 볼나사와 그 회전 모터 등으로 이루어진 승강 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 상하 방향으로도 이동 가능하게 형성되어 있다. 2, a first air gap 61 is provided on the side of the cup 6 in the negative Y direction (left direction in FIG. 2). The nozzle base 5 for supplying and sucking the developing solution and the cleaning liquid (rinse liquid) is allowed to stand by in the first base portion 61. The nozzle head 5 is, for example, at least equal to or longer than the dimension of the side of the substrate G, and has a substantially rectangular parallelepiped shape along the X direction. The nozzle head 5 is supported by a gate type head arm 5b and includes a horizontal moving mechanism 5c with a head arm 5b attached thereto, (Scanned) from the first standby portion 61 to at least the vicinity of the end of the cup 6 in the positive Y direction (the right side in Fig. 2). The nozzle head 5 is formed so as to be movable in the vertical direction by a ball screw attached to the head arm 5b and a lifting drive mechanism (not shown) composed of a rotary motor or the like.

도 3에 나타낸 바와 같이, 노즐 헤드(5)의 하면(5a)은, 기판(G)의 표면과 평행하도록 수평으로 형성되어 있다. 노즐 헤드(5)의 하면(5a)에 있어서 노즐 헤드(5)의 진행 방향인 Y방향의 중앙부에는, 현상액 토출구(30)가 형성되어 있다. 현상액 토출구(30)는, 예를 들어 노즐 헤드(5)의 길이 방향(X방향)을 따라서, 예를 들어 기판(G)의 변보다 긴 슬릿형으로 형성되어, 현상액을 띠모양으로 토출할 수 있다. 현상액 토출구(30)는, 노즐 헤드(5)의 내부에 형성된 제1 저장부(31)에 연통하고 있고, 제1 저장부(31)는, 현상액 공급관(33)을 통해 현상 처리 장치의 외부에 설치된 현상액 공급원(32)에 접속되어 있다. 현상액 공급원(32)은, 현상액 공급관(33)을 통하여 정해진 유량의 현상액을 노즐 헤드(5)에 공급할 수 있다. 노즐 헤드(5)는, 공급된 현상액을 제1 저장부(31)에 일단 저장하여 압력 조정하고, 그 후 현상액 토출구(30)를 통해 균일하게 토출할 수 있도록 되어 있다. 3, the lower surface 5a of the nozzle head 5 is formed horizontally so as to be parallel to the surface of the substrate G. As shown in Fig. A developer discharge opening 30 is formed in a central portion of the lower surface 5a of the nozzle head 5 in the Y direction which is the advancing direction of the nozzle head 5. [ The developer ejection opening 30 is formed in a slit shape longer than the side of the substrate G, for example, along the longitudinal direction (X direction) of the nozzle head 5, have. The developer discharge opening 30 communicates with the first storage portion 31 formed inside the nozzle head 5. The first storage portion 31 is connected to the outside of the developing apparatus through the developer supply pipe 33 And is connected to the developer supply source 32 installed. The developer supply source 32 can supply the developer to the nozzle head 5 at a predetermined flow rate through the developer supply tube 33. The nozzle head 5 temporarily stores the supplied developing solution in the first reservoir 31 and adjusts the pressure, and then the developer can be uniformly discharged through the developer discharge opening 30.

노즐 헤드(5)의 하면(5a)의 현상액 토출구(30)를 사이에 둔 양측에는, 기판(G) 상의 현상액을 흡인하는 현상액 흡인구(34)가 형성되어 있다. 현상액 흡인구(34)는, 예를 들어 현상액 토출구(30)와 평행한 슬릿형으로 형성되어 있다. 현상액 흡인구(34)는, 예를 들어 노즐 헤드(5)의 내부에 형성된 제2 저장부(35)에 연통하고 있고, 제2 저장부(35)는, 흡인관(37)을 통해 케이싱(1)의 외부에 설치된 흡인 장치(36)에 접속되어 있다. 흡인 장치(36)는, 흡인관(37)을 통하여 정해진 압력으로 흡인할 수 있다. 따라서, 현상액 토출구(30)를 통해 기판(G) 상에 공급된 현상액을 현상액 토출구(30)의 양측의 현상액 흡인구(34)를 통해 정해진 압력으로 흡인할 수 있다. 그 결과, 기판(G)의 표면상에는, 현상액 토출구(30)를 통하여 현상액 흡인구(34)를 향하는 현상액의 흐름을 형성할 수 있다. A developer suction port 34 for sucking the developer on the substrate G is formed on both sides of the lower surface 5a of the nozzle head 5 with the developer discharge opening 30 interposed therebetween. The developer suction port 34 is formed in a slit shape parallel to the developer discharge port 30, for example. The developer suction port 34 communicates with the second storage section 35 formed inside the nozzle head 5 and the second storage section 35 communicates with the casing 1 To the suction device 36 provided on the outside. The suction device 36 can be sucked at a predetermined pressure through the suction pipe 37. Therefore, the developer supplied onto the substrate G through the developer discharge opening 30 can be sucked at a predetermined pressure through the developer suction port 34 on both sides of the developer discharge opening 30. As a result, a developer flow can be formed on the surface of the substrate G toward the developer suction port 34 through the developer discharge port 30.

노즐 헤드(5)의 하면(5a)의 각 현상액 흡인구(34)의 더 바깥쪽에는, 각각 순수 등의 린스액을 토출하는 린스액 토출구(50)가 형성되어 있다. 린스액 토출구(50)는, 예를 들어 현상액 토출구(30)에 평행한 슬릿형으로 형성되어, 린스액을 X방향을 따른 띠모양으로 토출할 수 있다. 린스액 토출구(50)는, 노즐 헤드(5)의 내부에 형성된 제3 저장부(51)에 연통하고, 린스액 공급관(53)을 통해 케이싱(1)의 외부에 설치된 린스액 공급원(52)에 접속되어 있다. 린스액 공급원(52)은, 린스액 공급관(53)을 통하여 정해진 유량의 린스액을 노즐 헤드(5)에 공급할 수 있다. 노즐 헤드(5)는, 공급된 린스액을 제3 저장부(51)에 일단 저장하여 압력 조정하고, 그 후 린스액 토출구(50)를 통해 동일하게 토출할 수 있다. A rinsing liquid discharge opening 50 for discharging a rinsing liquid such as pure water is formed on the outer side of each developer suction port 34 of the lower surface 5a of the nozzle head 5. The rinsing liquid discharging opening 50 is formed in a slit shape parallel to the developer discharging opening 30, for example, so that the rinsing liquid can be discharged in a strip shape along the X direction. The rinsing liquid discharging opening 50 communicates with the third storing portion 51 formed inside the nozzle head 5 and is connected to a rinsing liquid supply source 52 provided on the outside of the casing 1 through the rinsing liquid supplying pipe 53, Respectively. The rinsing liquid supply source 52 can supply the rinsing liquid at a predetermined flow rate to the nozzle head 5 through the rinsing liquid supply pipe 53. The nozzle head 5 can temporarily store the supplied rinse liquid in the third storage section 51 and adjust the pressure and then discharge the rinse liquid through the rinse liquid discharge port 50 in the same manner.

또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 컵(6)의 플러스 Y 방향측에는, 제2 대기부(62)가 설치되어 있다. 제2 대기부(62)에는, 세정액 공급 노즐인 린스 노즐(8)이 대기 가능하게 되어 있다. 린스 노즐(8)은, 예를 들어 회전 구동축(8a)에 부착된 노즐 아암(8b)의 선단부에 지지되어 있고, 회전 구동축(8a)의 회전에 의해 제2 대기부(62)로부터 컵(6) 내의 기판(G)의 중심부 위쪽까지 이동할 수 있다. 린스 노즐(8)은, 린스액 공급관(64)에 의해, 예를 들어 케이싱(1)의 외부에 설치된 린스액 공급원(63)에 접속되어 있고, 린스액 공급원(63)으로부터 공급된 린스액(순수)을 아래쪽을 향해 토출할 수 있다. Further, as shown in Fig. 2, a second standby portion 62 is provided on the side of the cup 6 in the positive Y direction. The rinse nozzle 8, which is a rinse liquid supply nozzle, can stand by in the second large base portion 62. The rinse nozzle 8 is supported by the tip end of a nozzle arm 8b attached to the rotary drive shaft 8a and is rotated by the rotation of the rotary drive shaft 8a from the second standby portion 62 to the cup 6 To a position above the center of the substrate G in the substrate W. The rinse nozzle 8 is connected to a rinse liquid supply source 63 provided outside the casing 1 by means of a rinse liquid supply pipe 64 and is connected to a rinse liquid supply source 63 Pure water) can be discharged downward.

컨트롤러(100)는, 상기 회전 구동 기구(17), 승강 구동부(29) 외에, 노즐 헤드(5)의 수평 이동 기구(5c)나 승강 구동 기구(도시하지 않음) 등의 구동부, 린스 노즐(8)의 구동부 등에 전기적으로 접속되어 있고, 미리 기억된 프로그램에 기초하여 회전 구동 기구(17), 승강 구동부(29), 노즐 헤드(5)의 구동부, 린스 노즐(8)의 구동부 등을 제어하도록 형성되어 있다. The controller 100 includes a driving section such as a horizontal movement mechanism 5c of the nozzle head 5 and a lift mechanism (not shown), a rinse nozzle 8 And controls the driving unit of the rotation driving mechanism 17, the elevation driving unit 29, the driving unit of the nozzle head 5, the driving unit of the rinse nozzle 8, and the like based on a program stored in advance .

다음으로, 상기와 같이 구성되는 현상 처리 장치의 현상 처리에 관해, 도 9a 내지 도 9h에 나타내는 설명도 및 도 10에 나타내는 플로우차트를 참조하여 설명한다. Next, the development processing of the developing apparatus constructed as described above will be described with reference to the explanatory diagrams shown in Figs. 9A to 9H and the flowchart shown in Fig.

우선, 현상 처리 장치의 외부의 반송 아암(80)에 의해 반송된 기판(G)이 현상 처리 장치에 반입되면, 기판(G)은, 미리 상승한 지지 핀(28)에 전달되고, 지지 핀(28)의 하강에 의해 회전 베이스(2) 상에 배치되며, 위치 결정 핀(15)에 의해 위치 결정된다(S-1; 도 9a, 도 9b, 도 9c 참조). First, when the substrate G carried by the transfer arm 80 outside the development processing apparatus is carried into the development processing apparatus, the substrate G is transferred to the previously raised support pins 28, and the support pins 28 (S-1; see Figs. 9A, 9B, and 9C). As shown in Fig.

다음으로, 회전 구동 기구(17)가 구동되어 기판(G)을 유지한 회전 베이스(2)가 정해진 각도로 회전되어, 기판(G)의 수평면상의 각도가 조정되며, 평면부(4)가 회전 베이스(2)에 대하여 상대적으로 상승하여, 평면부(4)에 기판이 배치된다(S-2, S-3; 도 9d 참조). 그리고, 평면부(4)가 기판(G)과 일정한 간극(s)을 갖는 상태로, 제1 환상 밀봉 부재(25a)를 통하여 바닥이 있는 용기(20)와 조주 스테이지(3)가 밀착하여, 액저장 공간을 형성한다. 그리고, 액체 공급 구멍(40) 또는 백린스 노즐(70)을 통해 린스액을 토출하여, 액저장 공간(7) 내에 린스액(순수)을 저장한다(S-4; 도 9e 참조). 그리고, 린스 노즐(8)이 기판(G)의 중심부 위쪽까지 이동하여, 순수를 아래쪽을 향해 토출하여 기판(G)의 표면과 조주 스테이지(3)의 표면에 액막(L)을 형성하여 액을 도포한다(S-4; 도 9f 참조). 이와 같이 하여, 기판(G)의 표면의 습윤성을 향상시키는 프리웨트 처리가 행해진다. 액도포 종료후, 린스 노즐(8)은 제2 대기부(62)로 되돌아간다. Next, the rotation driving mechanism 17 is driven to rotate the rotating base 2 holding the substrate G at a predetermined angle to adjust the angle on the horizontal plane of the substrate G, (S-2, S-3; see Fig. 9D). The container 20 having the bottom is brought into close contact with the control unit 3 through the first annular sealing member 25a with the flat surface portion 4 having a predetermined clearance s with the substrate G, Thereby forming a liquid storage space. The rinse liquid is discharged through the liquid supply hole 40 or the back rinse nozzle 70 to store the rinse liquid (pure water) in the liquid storage space 7 (S-4; see FIG. 9E). The rinse nozzle 8 moves up to the central portion of the substrate G and discharges pure water downward to form a liquid film L on the surface of the substrate G and on the surface of the cooking stage 3, (S-4; see Fig. 9F). Thus, the pre-wet treatment for improving the wettability of the surface of the substrate G is performed. After the application of the liquid, the rinse nozzle 8 returns to the second vent portion 62.

액저장 공간(7) 내에 공급되는 린스액(순수)은, 린스 노즐(8)에 의해 더 첨가될 수도 있다. 이 경우에, 액체 공급 구멍(40) 또는 백린스 노즐(70)의 토출과 동시에, 기판(G)의 중심부 위쪽까지 이동한 린스 노즐(8)을 통해 린스액을 토출한다. The rinse liquid (pure water) supplied into the liquid storage space 7 may be further added by the rinse nozzle 8. [ In this case, the rinsing liquid is discharged through the rinsing nozzle 8 moved to above the central portion of the substrate G simultaneously with the discharge of the liquid supply hole 40 or the back rinsing nozzle 70.

액저장 공간(7) 내에 공급되는 린스액(순수)을 린스 노즐(8)에 의해서만 공급하도록 해도 좋다. 즉, 액저장 공간(7) 내로의 린스액의 공급을 액체 공급 구멍(40), 백린스 노즐(70) 및 린스 노즐(8)의 하나 이상에 의해 행하도록 해도 좋다. 이와 같이 함으로써, 액저장 공간(7) 내에 린스액(순수)을 효율적으로 공급할 수 있다. The rinsing liquid (pure water) supplied in the liquid storage space 7 may be supplied only by the rinsing nozzle 8. [ That is, the rinse liquid may be supplied into the liquid storage space 7 by one or more of the liquid supply hole 40, the back rinse nozzle 70, and the rinse nozzle 8. By doing so, the rinsing liquid (pure water) can be efficiently supplied into the liquid storage space 7. [

다음으로, 제1 대기부(61)에 대기했던 노즐 헤드(5)가 기판(G)보다 마이너스 Y 방향측의 조주 스테이지(3) 상까지 이동하여, 노즐 헤드(5)의 린스액 토출구(50), 현상액 토출구(30) 및 현상액 흡인구(34)가 있는 하면(5a)이 조주 스테이지(3) 상에 배치된다. 그리고, 노즐 헤드(5)가 하강하여, 스타트 위치인 조주 스테이지(3)의 표면에 근접하게 된다. 다음으로, 린스액 토출구(50)를 통해 린스액을 토축하고, 현상액 토출구(30)를 통해 현상액을 토출하고, 현상액 흡인구(34)를 통해 상기 린스액과 현상액을 흡인하면서 플러스 Y방향측으로 이동한다(S-5; 도 9g 참조). 이때, 노즐 헤드(5)의 하면(5a)과 조주 스테이지(3)의 표면 사이는 항상 린스액과 현상액으로 채워져 있어, 노즐 헤드(5)의 하면(5a)에 거품이 생기는 현상이 방지된다. 노즐 헤드(5)가 플러스 Y 방향측으로 진행하여, 기판(G)의 표면상을 이동하고 있을 때에는, 현상액 토출구(30)를 통해 기판(G) 상에 토출된 현상액은, 노즐 헤드(5)의 진행 방향의 전방측과 후방측에 있는 현상액 흡인구(34)를 통해 흡인되어, 기판(G)의 표면의 일부 영역에 띠모양의 현상액의 흐름이 형성된다. 이러한 현상액의 흐름에 의해 기판(G)의 표면이 현상된다. 현상에 의해 생긴 용해 생성물은 즉시 현상액 흡인구(34)를 통해 배출된다. Next, the nozzle head 5 which has waited in the first vent portion 61 is moved to the position above the condensing stage 3 on the minus Y direction side of the substrate G, and the rinse solution outlet 50 ), The developer discharge port 30 and the developer suction port 34 are arranged on the crucible stage 3. [ Then, the nozzle head 5 descends to come close to the surface of the condensing stage 3 which is the start position. Next, the rinsing liquid is poured through the rinsing liquid discharging opening 50, the developing liquid is discharged through the developing liquid discharging opening 30, and is moved toward the positive Y direction while sucking the rinsing liquid and developing liquid through the developing liquid sucking port 34 (S-5; see Fig. 9G). At this time, the gap between the lower surface 5a of the nozzle head 5 and the surface of the preliminary stage 3 is always filled with the rinsing liquid and the developing liquid, thereby preventing the bottom surface 5a of the nozzle head 5 from bubbling. The developer discharged onto the substrate G through the developer discharge opening 30 is discharged to the outside of the nozzle head 5 while the nozzle head 5 moves toward the positive Y direction and moves on the surface of the substrate G Is sucked through the developer suction port 34 on the front side and the rear side in the advancing direction, so that a strip-like developer flow is formed in a part of the surface of the substrate G. The surface of the substrate G is developed by the flow of the developer. The dissolution product produced by the development is immediately discharged through the developer suction port 34. [

노즐 헤드(5)는, 예를 들어 현상액의 공급과 흡인을 연속적으로 행하면서, 조주 스테이지(3)의 플러스 Y 방향측의 단부 부근까지 이동(스캔)한다. 이렇게 함으로써, 현상액의 흐름이 생기는 영역이 점차 이동하여, 기판(G)의 표면 전체가 현상된다. 노즐 헤드(5)가 조주 스테이지(3)의 플러스 Y 방향측의 단부 부근까지 이동하면, 현상액 및 린스액의 공급과 그 흡인이 정지되고, 노즐 헤드(5)는 제1 대기부(61)로 되돌아간다. The nozzle head 5 moves (scans) to the vicinity of the end on the positive Y direction side of the prime mover stage 3 while continuously supplying and sucking developer, for example. By doing so, the area where the flow of developer flows is gradually moved, and the entire surface of the substrate G is developed. When the nozzle head 5 moves to the vicinity of the end portion on the positive Y direction side of the controllable stage 3, supply and suction of the developer and rinse liquid are stopped and the nozzle head 5 is moved to the first standby portion 61 Go back.

상기와 같이 하여 현상 처리가 종료한 후, 액저장 공간(7) 내에 저장된 액(현상액과 린스액의 혼합액)은 배액구(26)를 통해 외부로 배출된다(S-6; 도 9h 참조). 이어서, 액체 공급 구멍(40)을 통한 린스액의 토출과 흡인 배출 구멍(41)의 린스액의 흡인이 해제되어, 평면부(4)가 회전 베이스(2)에 대하여 상대적으로 하강하여, 기판(G)이 배치된다(S-7). 이 때, 컵(6)이 상승한다. After completion of the developing process as described above, the liquid (mixed liquid of developer and rinse liquid) stored in the liquid storage space 7 is discharged to the outside through the liquid discharge port 26 (S-6; see FIG. 9H). Subsequently, the discharge of the rinsing liquid through the liquid supply hole 40 and the suction of the rinsing liquid of the suction discharge hole 41 are released so that the flat surface portion 4 descends relative to the rotary base 2, G) are arranged (S-7). At this time, the cup 6 rises.

이어서, 제2 대기부(62)에서 대기하던 린스 노즐(8)이 기판(G)의 중심부 위쪽까지 이동하고, 회전 베이스(2)에 의해 조주 스테이지(3)와 함께 기판(G)이 회전된다. 린스 노즐(8)을 통해 회전된 기판(G) 상에 린스액이 토출되어 기판(G)이 세정된다(S-8). 이 때, 액체 공급 구멍(40) 또는 백린스 노즐(70)을 통해서도 세정액을 토출하여, 기판(G)의 이면에 세정액을 공급해도 좋다. The rinse nozzle 8 which has been waiting in the second vent portion 62 moves to the upper portion of the central portion of the substrate G and the substrate G is rotated together with the crude stirring stage 3 by the rotary base 2 . The rinsing liquid is discharged onto the substrate G rotated through the rinsing nozzle 8 to clean the substrate G (S-8). At this time, the cleaning liquid may also be supplied through the liquid supply hole 40 or the back rinse nozzle 70 to supply the cleaning liquid to the back surface of the substrate G.

상기와 같이 하여, 기판(G)이 정해진 시간동안 세정된 후, 기판(G)이 고속 회전되어, 기판(G)이 건조된다(S-9). 기판(G)이 건조되면, 다시 지지 핀(28)이 상승하여 기판(G)을 들어올리고, 현상 처리 장치의 외부의 반송 아암(80)에 의해 기판 처리 장치의 외부로 반출한다. After the substrate G is cleaned for a predetermined period of time, the substrate G is rotated at a high speed and the substrate G is dried (S-9). When the substrate G is dried, the support pin 28 rises again to lift the substrate G, and the substrate G is taken out to the outside of the substrate processing apparatus by the transfer arm 80 outside the development processing apparatus.

이상의 실시형태에 의하면, 현상 처리 전에, 액저장 공간(7) 내에 액을 저장하고 기판(G)의 표면 및 조주 스테이지(3)의 표면에 연속하여 액막을 형성하기 때문에, 노즐 헤드(5)에 의한 현상액의 공급과 흡인시에 현상액 내에 거품이 생기는 것을 방지할 수 있다. The liquid is stored in the liquid storage space 7 and the liquid film is continuously formed on the surface of the substrate G and on the surface of the condensing stage 3 before the development processing. It is possible to prevent bubbles from being generated in the developer during supply and aspiration of the developer.

또한, 현상 처리 및 세정 처리시에, 평면부(4)는, 기판(G)을 비접촉으로 유지하거나 간극 유지 핀(45)에 의해 한정적으로 접촉시켜 유지하기 때문에, 기판의 이면 및 평면부(4)를 세정할 수 있다. 그 결과, 기판(G)의 이면에 부착되는 먼지를 저감할 수 있다. In the developing process and the cleaning process, the planar portion 4 holds the substrate G in a non-contact state or in a limited contact with the gap retaining pin 45, ) Can be cleaned. As a result, dust adhering to the back surface of the substrate G can be reduced.

상기 실시형태에서는, 평면부(4)에 형성된 액체 공급 구멍(40) 사이의 위치에, 흡인 배출 구멍(41)을 1곳 배치하는 경우에 관해 설명했지만, 도 11에 나타낸 바와 같이, 액체 공급 구멍(40) 사이의 위치에, 제1 흡인 배출 구멍(41A) 및 제2 흡인 배출 구멍(41B)을 나란히 배치해도 좋다. 이 경우, 각각의 개구(41a)는 대략 L자형으로 형성된다. 도 11에 나타내는 실시형태에서, 그 밖의 부분은 상기 실시형태와 동일하기 때문에, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. 그리고, 개구(41a)에 접속되는 관로(42b)에는, 유로 개폐 밸브(V3, V4)를 설치하고, 이들 복수의 유로 개폐 밸브(V3, V4)에 접속된 제어부(65)에 의해, 유로 개폐 밸브(V3, V4)의 개폐를 제어하도록 구성되어 있다. In the above embodiment, a case has been described in which one suction discharge hole 41 is disposed at a position between the liquid supply holes 40 formed in the flat surface portion 4. However, as shown in Fig. 11, The first suction discharge hole 41A and the second suction discharge hole 41B may be arranged side by side at a position between the first suction discharge hole 41A and the second suction discharge hole 41B. In this case, each of the openings 41a is formed in a substantially L-shape. In the embodiment shown in Fig. 11, the other parts are the same as those of the above-described embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. The flow path opening and closing valves V3 and V4 are provided in the pipeline 42b connected to the opening 41a and the flow path opening and closing valves V3 and V4 are opened and closed by the control unit 65 connected to the plurality of flow path opening / closing valves V3 and V4. And controls the opening and closing of the valves V3 and V4.

구체적으로는, 우선, 제어부(65)로부터의 제어 신호에 기초하여, 유로 개폐 밸브(V3)만 개방하여, 제1 흡인 배출 구멍(41A)을 통해 기판(G)의 이면과 평면부(4) 사이의 간극에 있는 액체를 흡인 배출한다. 이어서, 일정 시간 경과후, 유로 개폐 밸브(V3)를 폐쇄하는 동시에 유로 개폐 밸브(V4)를 개방하여, 제2 흡인 배출 구멍(41B)을 통해 상기 액체를 흡인 배출한다. 또한 일정 시간 경과후, 유로 개폐 밸브(V3)를 개방하는 동시에 유로 개폐 밸브(V4)를 폐쇄하여, 제1 흡인 배출 구멍(41A)을 통해 액체를 흡인 배출한다. 이 동작을 반복하여 행함으로써, 복수의 흡인 배출 구멍(41A, 41B)을 통한 액체의 흡인을 어느 하나에 의해 행하도록 구성한다. Specifically, only the flow path opening / closing valve V3 is opened, and the back surface of the substrate G and the flat surface portion 4 are connected to each other through the first suction discharge hole 41A based on the control signal from the control unit 65. [ The liquid in the gap between them is sucked and discharged. Then, after a lapse of a predetermined time, the flow path opening / closing valve V3 is closed and the flow path opening / closing valve V4 is opened to suck and discharge the liquid through the second suction discharge hole 41B. After a predetermined time has elapsed, the flow path opening / closing valve V3 is opened and the flow path opening / closing valve V4 is closed to suck and discharge the liquid through the first suction discharge hole 41A. By repeating this operation, suction of the liquid through the plurality of suction discharge holes 41A and 41B is performed by any one of them.

이와 같이 구성함으로써, 도 11의 (c)에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 이면과 평면부(4)의 사이에 기포(B)가 발생하는 것을 방지하여, 평면부(4) 및 기판(G)의 이면의 오염을 더욱 저감할 수 있다. 11 (c), it is possible to prevent the air bubble B from being generated between the back surface of the substrate G and the flat surface portion 4, The contamination on the back surface of the substrate W can be further reduced.

다음으로, 제3 실시형태를 이하에 설명한다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 액체 공급 구멍(40)이 형성된 위치의 사이에, 흡인 배출 구멍(41A, 41B)을 복수 배치하고, 흡인 배출 구멍(41A, 41B)에 공통으로 접속된 관로 합류부(90) 내에 로터(91)를 회전 가능하게 설치한다. 로터(91)는, 원통형의 표면에 홈(92)을 복수 형성하고(도 12의 (b) 참조), 또한 액체 공급원인 순수 공급 탱크(도시하지 않음)로부터의 순수 공급 관로의 도중에 배치함으로써, 순수(DIW)의 흐름에 의해 로터(91)가 회전하는 구조로 되어 있다. 이 경우, 홈(92)은, 복수의 흡인 배출 관로 중 어느 한쪽만 액체의 흐름을 통과하도록 형성되어 있기 때문에, 제1 흡인 배출 구멍(41A)과 제2 흡인 배출 구멍(41B)을 통한 액체의 흡인을 교대로 전환할 수 있는 구성으로 되어 있다. Next, the third embodiment will be described below. A plurality of suction discharge holes 41A and 41B are disposed between the positions where the liquid supply holes 40 are formed and a plurality of pipe line merging portions (not shown) commonly connected to the suction discharge holes 41A and 41B 90, the rotor 91 is rotatably installed. The rotor 91 has a plurality of grooves 92 formed on the surface of a cylindrical shape (see FIG. 12 (b)) and disposed in the middle of a pure water supply line from a pure water supply tank (not shown) And the rotor 91 is rotated by the flow of pure water DIW. In this case, since the grooves 92 are formed so that only one of the plurality of suction discharge ducts passes through the flow of the liquid, the flow of the liquid through the first suction discharge hole 41A and the second suction discharge hole 41B So that the suction can be switched alternately.

이와 같이 구성함으로써, 흡인 배출 구멍(41A, 41B)에 의한 액체의 흡인을 정기적으로 전환할 수 있기 때문에, 액저장 공간(7)에서의 기포의 발생을 방지하여, 평면부(4) 및 기판(G)의 이면의 오염을 저감할 수 있다. 또, 흡인 배출 구멍(41A, 41B)을 통한 액체 흡인을, 제어 장치를 이용하지 않고 전환할 수 있기 때문에, 비용을 억제할 수 있다. This configuration can periodically switch the suction of the liquid by the suction discharge holes 41A and 41B so as to prevent the generation of bubbles in the liquid storage space 7, G on the back surface of the wafer W can be reduced. In addition, since the liquid suction through the suction discharge holes 41A and 41B can be switched without using the control device, the cost can be suppressed.

상기 제2 실시형태 및 제3 실시형태에서는, 액체 공급 구멍(40) 사이의 위치에, 제1 흡인 배출 구멍(41A) 및 제2 흡인 배출 구멍(41B)을 나란히 배치한 경우에 관해 설명했지만, 도 13에 나타낸 바와 같이, 제1 흡인 배출 구멍(41A)과 제2 흡인 배출 구멍(41B) 사이에 액체 공급 구멍(40)을 배치하고, 액체 공급 구멍(40) 사이의 위치에 각각 제1 흡인 배출 구멍(41A)과 제2 흡인 배출 구멍(41B)을 배치해도 좋다. 이 경우, 제1 흡인 배출 구멍(41A)과 제2 흡인 배출 구멍(41B)은, 액체 공급 구멍(40)에 연통하는 연통 홈(40b)에 의해 포위되어 있다. Although the first and second suction discharge holes 41A and 41B are arranged side by side at positions between the liquid supply holes 40 in the second and third embodiments, 13, a liquid supply hole 40 is disposed between the first suction discharge hole 41A and the second suction discharge hole 41B, and a first suction The discharge hole 41A and the second suction discharge hole 41B may be arranged. In this case, the first suction discharge hole 41A and the second suction discharge hole 41B are surrounded by the communication groove 40b communicating with the liquid supply hole 40.

이와 같이 구성함으로써, 기판(G)의 외측 둘레부의 흡인력을 높일 수 있고, 기판 이면 전체의 흡인력을 높일 수 있다. With this configuration, the suction force of the outer peripheral portion of the substrate G can be increased, and the suction force of the entire back surface of the substrate can be increased.

상기 실시형태는, 본 발명의 일례를 나타내는 것이며, 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 다양한 양태를 채택할 수 있다. 예를 들어, 본 발명은, 레티클, LCD, FPD(플랫 패널 디스플레이) 등의 사각형 기판에 한정되지 않고, 웨이퍼 등의 원형 기판 등 다른 기판에도 적용할 수 있다.The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to this example, and various aspects can be adopted. For example, the present invention is not limited to a rectangular substrate such as a reticle, an LCD, and an FPD (flat panel display), and can be applied to other substrates such as a circular substrate such as a wafer.

G : 글라스 기판(기판)
2 : 회전 베이스
3 : 조주 스테이지(외측 둘레판)
4 : 평면부
4A : 흡인 배출 구멍을 갖는 개구면부
4b : 액체 공급 구멍을 갖는 개구면부
5 : 노즐 헤드
7 : 액저장 공간
8 : 린스 노즐(제1 세정액 공급 노즐)
17 : 회전 구동 기구
20 : 바닥이 있는 용기
22 : 바닥부
24 : 측벽
25a : 환상 밀봉 부재
26 : 배액구
40 : 액체 공급 구멍
40a : 개구
40b : 연통 홈
41, 41A, 41B : 흡인 배출 구멍
41a : 개구
41b : 개구 베이스부
41c : 개구 보조부
45 : 간극 유지 핀
46 : 보조 유지 핀
V1, V2, V3, V4 : 유로 개폐 밸브(전환 밸브)
65 : 제어부
70 : 백린스 노즐(제2 세정액 공급 노즐)
90 : 관로 합류부
91 : 로터(내부 회전체)
92 : 홈G: Glass substrate (substrate)
2: rotating base
3: Breast feeding stage (outer peripheral plate)
4:
4A: opening face portion having a suction orifice
4b: opening face with liquid supply hole
5: Nozzle head
7: Storage space
8: Rinse nozzle (first cleaning liquid supply nozzle)
17: Rotary driving mechanism
20: Container with bottom
22:
24: Side wall
25a: annular sealing member
26: drainage port
40: liquid supply hole
40a: opening
40b: communicating groove
41, 41A, and 41B:
41a: opening
41b: opening base portion
41c:
45: gap holding pin
46: auxiliary holding pin
V1, V2, V3, V4: Flow path opening / closing valve (switching valve)
65:
70: Back rinse nozzle (second rinse solution supply nozzle)
90: conduit merging section
91: Rotor (inner rotating body)
92: Home

Claims (14)

판형의 피처리 기판을 회전 가능하게 유지하는 회전 베이스와,
상기 회전 베이스와 함께 회전 가능하고, 회전 베이스에 유지된 피처리 기판의 외측 둘레부를 둘러싸며, 피처리 기판의 표면상으로부터 연속되는 액막을 형성하기 위한 외측 둘레판과,
상기 회전 베이스에 유지된 피처리 기판의 표면을 따라서 이동 가능하고, 상기 피처리 기판에 대한 현상액의 공급과 흡인을 동시에 행하는 노즐 헤드와,
상기 회전 베이스에 유지된 상기 피처리 기판과 일정한 간극을 두고 대향하는 평면을 갖는 평면부와,
상기 평면부를 상기 회전 베이스에 대하여 상대적으로 상하 이동시키는 이동 기구와,
상기 평면부에 있어서 피처리 기판의 대향측에 형성되고 상기 간극에 액체를 공급하기 위해 배치된 복수의 액체 공급 구멍과, 상기 복수의 액체 공급 구멍이 배치되는 위치들 사이에 위치하도록 상기 액체 공급 구멍과 정해진 간격을 두고 형성되며 상기 액체를 흡인 배출하기 위한 흡인 배출 구멍과,
상기 액체 공급 구멍을 통한 액체의 공급과 상기 흡인 배출 구멍에 의한 흡인 배출을 제어하기 위한 제어부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.A rotating base for rotatably holding a plate-shaped substrate to be processed,
An outer peripheral plate which is rotatable together with the rotary base and surrounds the outer periphery of the substrate held by the rotary base and forms a liquid film continuous from the surface of the substrate to be processed,
A nozzle head movable along the surface of the substrate held by the rotating base and performing supply and suction of the developer to the substrate to be processed simultaneously;
A planar portion having a plane facing the substrate to be processed held by the rotation base with a certain gap therebetween,
A moving mechanism for moving the flat portion relatively up and down relative to the rotating base,
A plurality of liquid supply holes formed on opposite sides of the substrate to be processed in the plane portion and arranged to supply liquid to the gap; A suction hole formed at a predetermined distance from the suction port and sucking and discharging the liquid,
A controller for controlling the supply of the liquid through the liquid supply hole and the suction and discharge by the suction and discharge hole,
And a developing device for developing the developing device. 제1항에 있어서, 상기 액체 공급 구멍의 개구부는, 상기 흡인 배출 구멍의 바깥쪽을 포위하는 연통 홈에 의해 연통되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치. The development processing apparatus according to claim 1, wherein the opening of the liquid supply hole communicates with a communication groove surrounding the outside of the suction / discharge hole. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 흡인 배출 구멍은, 직선형의 개구 베이스부와, 이 개구 베이스부의 단부로부터 상기 회전 베이스의 회전축 방향을 향하여 굴곡된 개구 보조부를 갖는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치. The developing apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the suction discharge hole has a linear opening base portion and an opening auxiliary portion bent from the end portion of the opening base portion toward the rotation axis direction of the rotary base . 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 평면부에서의 상기 흡인 배출 구멍의 개구면부가, 상기 액체 공급 구멍의 개구면부보다 높게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치. The development processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein an opening surface portion of the suction discharge hole in the plane portion is formed higher than an opening surface portion of the liquid supply hole. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 평면부는, 이 평면부와의 사이에 간극을 두고 상기 피처리 기판을 유지하는 간극 유지 핀과, 상기 간극 유지 핀보다 낮은 높이의 보조 유지 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치. The plasma processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the plane portion includes a gap maintaining pin for holding the substrate to be processed with a gap therebetween, and an auxiliary holding pin having a height lower than that of the gap holding pin Wherein the developing device is a developing device. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 평면부는, 피처리 기판의 이면에 대향하여 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치. The development processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein a plurality of the planar portions are formed opposite to the back surface of the substrate to be processed. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 평면부는 바닥이 있는 용기의 내측에 형성되어 있고, 상기 바닥이 있는 용기의 개구 둘레 가장자리에는, 상기 회전 베이스를 이동시켰을 때, 상기 외측 둘레판의 이면의 전체 둘레에 걸쳐 밀착될 수 있는 제1 환상 밀봉 부재가 구비되고, 상기 바닥이 있는 용기의 바닥부에는 관통 구멍이 형성되어 있으며, 상기 관통 구멍 내에 상기 회전 베이스의 회전축을 회전 및 상하 이동 가능하게 삽입하고, 관통 구멍과 회전축의 간극을 제2 환상 밀봉 부재에 의해 막아, 상기 액체를 저장하는 액저장 공간을 공기와 물이 새지 않는 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치. The container according to any one of claims 1 to 3, wherein the flat portion is formed on the inner side of the bottomed container, and when the rotary base is moved, Wherein a bottom surface of the bottomed container is provided with a through hole and the rotating shaft of the rotating base is inserted into the through hole so as to be rotatable and vertically movable, And a gap between the through hole and the rotation shaft is sealed by the second annular sealing member so that the liquid storage space for storing the liquid is formed in a structure in which air and water do not leak. 제7항에 있어서, 상기 바닥이 있는 용기는, 바닥부에 형성된 배액구를 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치. 8. The development processing apparatus according to claim 7, wherein the bottomed container has a drain port formed in a bottom portion thereof. 제7항에 있어서, 상기 액저장 공간에 저장되는 액체는, 상기 액체 공급 구멍 외에, 상기 회전 베이스에 유지된 기판에 세정액을 공급하기 위한 제1 세정액 공급 노즐 및 상기 바닥이 있는 용기의 바닥부에 배치된 제2 세정액 공급 노즐 중 하나 이상에 의해 공급되는 어느 하나의 액체인 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.The cleaning apparatus according to claim 7, wherein the liquid stored in the liquid storage space includes, in addition to the liquid supply hole, a first cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the substrate held by the rotary base, And the second cleaning liquid supply nozzle, and the second cleaning liquid supply nozzle. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액체 공급 구멍 및 상기 흡인 배출 구멍은 직선형으로 형성되고, 상기 흡인 배출 구멍은, 상기 복수의 액체 공급 구멍의 사이에 위치된 위치에서 상기 액체 공급 구멍과 나란히 복수 배치되고, 상기 제어부는 상기 피처리 기판과 상기 평면부 사이에 공급된 액체의 흡인을 교대로 전환하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.The liquid ejection head as claimed in claim 1 or 2, wherein the liquid supply hole and the suction discharge hole are formed in a straight line, and the suction discharge hole is formed in parallel with the liquid supply hole at a position located between the plurality of liquid supply holes Wherein the control unit alternately switches the suction of the liquid supplied between the substrate to be processed and the plane portion. 제9항에 있어서, 상기 흡인 배출 구멍에 접속된 관로에 설치되어, 상기 피처리 기판과 평면부 사이에 공급된 액체의 흡인을 교대로 전환하기 위한 전환 밸브를 설치한 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.The developing apparatus according to claim 9, further comprising a switching valve provided on a conduit connected to the suction and discharge hole, for switching the suction of the liquid supplied between the substrate to be processed and the plane portion alternately. . 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 흡인 배출 구멍에 접속된 관로에, 상기 복수의 흡인 배출 구멍에 의한 액체의 흡인을 교대로 전환하기 위한 내부 회전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치. 3. The developing device according to claim 1 or 2, further comprising an internal rotating body for alternately switching the suction of the liquid by the plurality of suction / discharge holes to a channel connected to the suction / . 제12항에 있어서, 상기 내부 회전체는, 복수의 상기 흡인 배출 구멍에 접속되고 상기 액체 공급 구멍에 접속되는 관로 합류부 내에 회전 가능하게 설치되고, 상기 액체 공급 구멍에 접속된 액체 공급원으로부터 공급되는 액체에 의해 회전하여, 상기 복수의 흡인 배출 구멍을 통한 액체의 흡인을 어느 하나로 전환하기 위한 홈을 형성한 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.The liquid container according to claim 12, wherein the inner rotating body is rotatably installed in a pipe merging portion connected to the plurality of suction discharge holes and connected to the liquid supply hole, and is supplied from a liquid supply source connected to the liquid supply hole And a groove for switching the suction of the liquid through the plurality of suction / discharge holes to one of the plurality of suction / discharge holes is formed. 판형의 피처리 기판을 회전 가능한 회전 베이스에 유지하는 공정과,
평면부를 상기 회전 베이스에 대하여 상대적으로 상하 이동시키는 이동 기구에 의해 이동시킨 위치에서 상기 평면부의 평면과 상기 피처리 기판을 일정한 간극을 두고 대향시키는 공정과,
이어서, 상기 평면부의 피처리 기판의 대향측에 형성되고 상기 간극에 액체를 공급하기 위해 배치된 복수의 액체 공급 구멍과, 이들 복수의 액체 공급 구멍이 배치되는 위치들 사이에 위치하도록 상기 액체 공급 구멍과 정해진 간격을 두고 형성되며 상기 액체를 흡인 배출하기 위한 흡인 배출 구멍을 통해 각각 액체를 공급하고 흡인 배출하는 공정과,
상기 회전 베이스에 유지된 피처리 기판의 표면을 따라서, 상기 피처리 기판에 대한 현상액의 공급과 흡인을 동시에 행하면서 노즐을 이동시키는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 방법. A step of holding a plate-shaped substrate to be processed on a rotatable base,
A step of opposing the plane of the plane portion and the substrate to be processed with a predetermined gap at a position shifted by a moving mechanism that moves the plane portion relatively up and down relative to the rotation base;
A plurality of liquid supply holes formed on opposite sides of the target substrate in the plane portion and arranged to supply a liquid to the gap, and a plurality of liquid supply holes, A step of supplying and discharging the liquid through a suction discharge hole for sucking and discharging the liquid,
A step of moving the nozzle while simultaneously performing supply and suction of the developer to the substrate to be processed along the surface of the substrate to be processed held on the rotating base
And a developing device for developing the developed image.
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