KR101591133B1

KR101591133B1 - 안과 분석 기구 및 방법

Info

Publication number: KR101591133B1
Application number: KR1020120092831A
Authority: KR
Inventors: 슈타인뮬러 안드레아스
Original assignee: 오쿠루스 옵티크게라에테 게엠베하
Priority date: 2011-08-26
Filing date: 2012-08-24
Publication date: 2016-02-02
Also published as: CN102949173A; EP2561800A1; CN102949173B; US20130050650A1; EP2561800B1; KR20130023143A; DE102011082500A1; JP2013048902A

Abstract

본 발명은 안과 분석 기구(10) 및 이 분석 기구를 이용한 분석 방법에 관한 것으로서, 상기 분석 기구는, 특히 각막곡률계 등의 눈(11)의 각막(20)의 곡률을 측정하기 위한 제1 분석 장치, 및 투영 디바이스(22)와 감시 디바이스(15)를 포함하는 제2 분석 장치(13)를 구비하고, 투영 디바이스는 광 슬릿을 눈의 표면(19) 상으로 투영하기 위한 적어도 하나의 슬릿 투영 유닛(21)을 포함하고, 광 슬릿의 화상은 감시 디바이스를 이용하여 기록가능하고, 광 슬릿은 슬릿 투영 유닛에 의해 눈의 각막연(28)의 영역 상으로 투영될 수 있고, 각막연의 영역에서의 표면의 토포그래피는 그 표면 상에 이미징된 광 슬릿의 화상으로부터 도출가능하다.

Description

안과 분석 기구 및 방법{OPHTHALMOLOGICAL ANALYSIS INSTRUMENT AND METHOD}

본 발명은 안구 분석 기구 및 안구 분석 기구를 이용한 분석 방법에 관한 것으로서, 상기 기구는, 특히, 각막곡률계 등의 눈의 각막의 곡률을 측정하기 위한 제1 분석 장치, 및 투영 디바이스와 감시 디바이스를 포함하는 포함하는 제2 분석 장치를 구비하고, 투영 디바이스는 광 슬릿을 눈의 표면 상으로 투영하기 위한 적어도 하나의 슬릿 투영 유닛을 포함하고, 광 슬릿의 화상은 감시 디바이스에 의해 기록가능하다.

각막의 곡률을 결정하기 위한 많은 안구 분석 기구들이 알려져 있다. 이러한 분석 기구들은 일반적으로 화상 패턴을 눈의 각막 상으로 투영할 수 있는 투영 디바이스를 포함한다. 예를 들어, 화상 패턴은 점선형 화상 패턴일 수 있고, 또는 각막곡률계(keratometer)의 경우에는 링의 형태로 설계될 수도 있다. 특히, 영상 각막곡률계의 경우에는, 동심 링 또는 플라시도 링(Placido rings)의 화상 패턴을 사용한다. 이러한 화상 패턴은 일반적으로 눈의 광 축에 배향된 카메라에 의해 기록되고, 관심 대상인 화상 패턴을 이미징함으로써 기록된 각막의 화상들에 기초하여 각막의 곡률을 계산할 수 있다. 예를 들어, 원추각막에 관한 각막 검사에 더하여, 컨택트 렌즈의 선택 및 맞춤에 각막곡률계를 또한 사용한다. 제1 분석 장치를 형성하는 각막곡률계에 제2 분석 장치를 보충하는 것도 알려져 있다. 예를 들어, 제2 분석 장치는 후도계(pachymeter)일 수 있으며, 이를 이용하여 각막의 두께를 측정할 수 있다. 후도계 또는 제2 분석 장치는 일반적으로 추가 투영 디바이스를 포함하고, 이를 이용하여 광 슬릿이 눈의 표면 상으로 투영될 수 있다. 광 슬릿 또는 광 슬릿에 의해 생성되는 각막의 부분 화상은 감시 디바이스에 의해 기록된다. 이어서, 광 슬릿의 이 화상으로부터 각막의 두께를 계산할 수 있다. 또한, 각막곡률계 또는 제1 분석 장치를 이용함과 더불어 부분 화상에 기초하여 각막의 곡률 반경을 결정할 수 있다.

알려져 있는 분석 기구 및 분석 방법에 있어서, 각막의 중심 반경만을 결정할 수 있다는 것은 단점이다. 따라서, 광학적으로 투명한 조직 물질의 결여로 인해 부분 화상을 생성하는 것이 가능하지 않으므로, 후도계를 이용하여 공막의 곡률 반경을 측정하는 것은 가능하지 않다. 슬릿 램프도 일반적으로 이러한 측정에 사용되며, 상기 램프의 슬릿 폭은 각막의 크기로 감소된다. 알려져 있는 각막곡률계의 사용에 의한 공막 또는 각막연(limbus)의 신뢰성있는 측정은, 이러한 각막곡률계가 동심 링을 화상 패턴으로서 사용하므로, 사실상 불가능하고, 이는 각막연의 영역에서의 곡률의 갑작스런 변화를 검출할 수 없다. 또한, 알려져 있는 각막곡률계는, 대략 일정한 곡률 반경을 갖는 각막의 측정을 위해 주로 설계된다.

각막의 중심 반경을 측정하려면 일반적으로 소프트 컨택트 렌즈의 맞춤이 필요하다. 그러나, 눈의 정점에 대한 각막의 깊이 및 각막연과 공막을 포함하는 눈의 기본 형상은, 전술한 알려져 있는 측정 방법들을 이용해서는 확립되지 않는다. 그러나, 이러한 기본 형상은 소프트 컨택트 렌즈의 맞춤에 있어서 중요할 수 있다. 각막의 곡률 반경이 공막의 근처에서 벗어나면, 각막 및 각 컨택트 렌즈에 불필요한 응력이 생성될 수 있다. 컨택트 렌즈의 형상이 각막의 형상을 추종하지 않으면, 컨택트 렌즈는 각막에 불필요한 힘을 가하게 되며, 각막을 변형시킬 수 있다. 컨택트 렌즈의 외측 가장자리는 예를 들어 변경된 곡률 반경의 결과로서 확장될 수 있고, 컨택트 렌즈의 가장자리는 각막연의 영역에 도달할 수 있다. 컨택트 렌즈를 맞추는 경우, 이러한 유형의 문제가 종종 간과되며, 관심 대상인 눈의 독립적인 추가 측정에 의해서만 결정 및 정량화될 수 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 컨택트 렌즈의 눈에 대한 맞춤을 개선할 수 있는 안과 분석 기구 및 분석 방법을 제안하는 것이다.

이 목적은, 청구항 제1항의 특징을 갖는 장치 및 청구항 제12항의 특징을 갖는 방법에 의해 달성된다.

본 발명에 따른 안과 분석 기구는, 특히 각막곡률계 등의, 눈의 각막의 곡률을 측정하기 위한 제1 분석 장치, 및 투영 디바이스와 감시 디바이스를 포함하는 제2 분석 장치를 포함하고, 투영 디바이스는 광 슬릿을 눈의 표면 상으로 투영하기 위한 적어도 하나의 슬릿 투영 유닛을 포함하고, 광 슬릿의 화상은 감시 디바이스에 의해 기록가능하고, 광 슬릿은 슬릿 투영 유닛에 의해 눈의 각막연의 영역 상으로 투영가능하고, 각막연의 영역의 표면의 토포그래피는 그 표면 상에 이미징된 광 슬릿의 화상으로부터 도출가능하다.

따라서, 분석 기구는 두 개의 분석 장치로부터 형성되며, 제2 분석 장치는 특히 각막으로부터 공막으로의 천이 영역의 프로파일을 특정하는 데 사용된다. 각막연의 영역의 각 프로파일의 지식은, 각막의 가장자리 영역에서 임의의 곡률 반경이 벗어나는 결과로 각막의 응력이 컨택트 렌즈에 의해 유도되는지 여부를 결정할 수 있고 컨택트 렌즈가 각막 상으로 힘을 가하는지 여부 또는 컨택트 렌즈가 각막연의 영역에 도달하는지를 결정할 수 있으므로, 소프트 컨택트 렌즈의 맞춤에 유익하게 사용될 수 있다. 제2 분석 장치는, 단지 슬릿 투영 유닛과 각 감시 디바이스로부터 형성되므로, 매우 간단한 방식으로 형성될 수 있으며, 이를 이용하여, 각막연의 영역에 보이는 광 슬릿이 검출된다. 따라서, 매우 정밀한 방식으로 정점 또는 각막에 대한 각막연의 위치를 결정할 수 있고, 기록된 화상으로부터 각막연의 곡률 반경 및 각막과 공막의 곡률 반경을 도출하거나 계산할 수 있다.

제2 분석 장치의 경우에, 감시 디바이스의 빔 경로 또는 기구 축은 눈의 광 축의 방향으로 배향될 수 있고, 슬릿 투영 유닛의 투영 빔 경로가 감시 디바이스의 빔 경로에 대하여 각도 α로 배치될 수 있다. 따라서, 제2 분석 장치의 감시 디바이스는 눈의 광 축의 방향으로 배향될 수 있는 식으로 배치될 수 있다. 이 경우, 슬릿 투영 유닛은 광 슬릿을 눈 상으로 투영하기 위한 투영 빔 경로에 대하여 감시 디바이스의 빔 경로에 대하여 비스듬하게 측면으로 배치될 수 있다. 따라서, 투영 빔 경로는 감시 디바이스의 빔 경로의 시상면에 대하여 각도 α로 배향될 수 있다. 따라서, 각막과 공막 상의 광 슬릿의 화상은 직선으로는 보이지 않지만, 감시 디바이스의 방향으로부터 각 곡률 반경으로 가시적으로 적응된다. 각도 α는 알려져 있으므로, 각 곡률 반경은 광 슬릿의 확립된 왜곡으로부터 계산될 수 있다.

분석 기구의 다른 실시예에서, 감시 디바이스의 기구 축 또는 빔 경로는 슬릿 투영 유닛의 슬릿 투영면 또는 투영 빔 경로에 대하여 각도 α로 배치될 수 있고, 슬릿 투영 유닛의 슬릿 투영면을 눈의 광 축의 방향으로 배향시킬 수 있다. 따라서, 슬릿 투영 유닛의 방향으로부터 직선으로 광 슬릿이 각막과 공막 상에 보이는 방식으로 슬릿 투영 유닛은 눈과 정렬될 수 있고 또는 눈이 슬릿 투영 유닛과 정렬될 수 있다. 광 슬릿에 의해 눈의 중심면 또는 수평면을 직접 조명할 수 있다. 실제로, 광 슬릿은 마찬가지로 감시 디바이스의 방향으로부터 직접 보이지는 않지만, 광 슬릿의 정점이 눈의 수평면에 있으므로, 각 곡률 반경을 더욱 쉽게 계산할 수 있다. 따라서, 눈의 가시적인 축은 결국 감시 디바이스의 기구 축 또는 빔 경로에 대하여 각도 α로 경사질 수 있다. 따라서, 눈은 하향으로 경사질 수 있고, 이는 가시적인 축의 자연스러운 배향에 대응한다.

감시 디바이스의 빔 경로에 대하여 또는 수평에 대하여 눈이 경사지도록, 투영 디바이스는 고정 유닛을 포함할 수 있고, 고정 유닛의 고정 빔 경로는 메리디오널 면에 배치될 수 있고 감시 디바이스의 빔 경로에 대하여 각도 α로 배치될 수 있다. 따라서, 검사받는 사람은, 각 눈을 고정 유닛의 고정 마크에 쉽게 정렬할 수 있어서 고정 빔 경로가 눈의 광 축과 일치하게 된다. 슬릿 투영 유닛이 눈의 광 축의 방향으로 마찬가지로 배향될 수 있으므로, 고정 빔 경로가 결국 슬릿 투영 유닛의 슬릿 투영면에 마찬가지로 있게 된다. 따라서, 슬릿 투영 유닛의 광 슬릿은 눈의 수평면 또는 중심면을 조명할 수 있다.

또한, 슬릿 투영 유닛의 투영 빔 경로는 시상면에 대하여 각도 α로 배치될 수 있고, 메리디오널 면에 대하여 각도 β로 배치될 수 있다. 대안으로, 투영 빔 경로를 메리디오널 면에 평행하게 배향하는 것도 물론 가능하다. 예를 들어, 플라시도 링을 이용하는 각막곡률계가 제1 분석 장치로서 사용되는 경우, 각도 α와 β로 투영 빔 경로를 배향함으로써, 슬릿 투영 유닛의 위치 결정을 더욱 다양하게 행할 수 있다. 플라시도 링에 기초한 투영 디바이스는 매우 큰 설치 공간을 필요로 하며, 이에 따라, 감시 디바이스의 빔 경로에 평행하게 각 투영 빔 경로 또는 슬릿 투영 유닛을 배치하는 데 있어서 방해될 수 있다.

제1 분석 장치의 추가 투영 디바이스에는 감시 디바이스의 빔 경로를 위한 개구가 형성되는 것이 유익할 수 있다. 제1 분석 장치의 추가 투영 디바이스가 플라시도 투영 디바이스이기만 하면, 감시 디바이스는 눈으로 볼 때 추가 투영 디바이스 뒤에 배치될 수 있고, 이에 의해 제1 및 제2 분석 기구들이 동시에 사용될 수 있다.

제2 분석 장치의 감시 디바이스는 대물 렌즈를 구비하는 카메라를 포함할 수 있고, 감시 디바이스는 또한 제1 분석 장치의 감시 디바이스로서 사용될 수 있다. 제1 분석 장치가 각막곡률계이면, 감시 디바이스를 이용하여 각막곡률계의 추가 투영 디바이스의 화상 패턴을 기록할 수 있고, 동시에, 제2 분석 장치의 슬릿 투영 유닛의 광 슬릿의 화상을 검출할 수 있다. 따라서, 양측 분석 장치들에 대하여 대물 렌즈를 구비하는 하나의 카메라만이 필요하므로, 분석 기구가 매우 비용 효과적인 방식으로 형성될 수 있다. 또한, 감시 디바이스를 동시에 사용하여 각막의 토포그래피를 측정하고 각막연의 영역에서의 눈의 표면을 결정할 수 있다.

또한, 제1 분석 장치는 예를 들어 플라시도 투영 디바이스를 구비하는 영상 각막곡률계일 수 있고, 제1 분석 장치와 제2 분석 장치는 분석 기구의 공통 하우징에 배치될 수 있다.

투영 디바이스가 두 개의 슬릿 투영 유닛을 갖는 경우 특히 유익하다. 두 개의 슬릿 투영 유닛을 이용하면, 각막연의 두 개의 서로 다른 영역에서 토포그래피를 동시에 확립할 수 있다. 따라서, 각막의 또는 각막연의 직경(d)에 관한 즉시 이용가능하며 매우 정밀한 측정 데이터를 매우 쉽게 얻을 수 있다. 따라서, 그 두 개의 영역의 연속 측정을 위해 슬릿 투영 유닛을 피봇팅할 필요가 없다.

슬릿 투영 유닛은 또한 감시 디바이스의 기구 축에 대하여 대칭적으로 배치될 수 있다. 이에 따라, 각막연 또는 각막의 직경(d)을 매우 정밀하게 결정할 수 있다.

또한, 분석 기구는 양측 분석 장치들을 위한 평가 장치를 구비할 수 있고, 이를 이용하여 화상을 분석할 수 있다. 분석 기구의 생산 비용이 더 감소될 수 있다. 또한, 두 개의 분석 장치를 이용하여 얻어진 측정 데이터는 유의미한 방식으로 링크될 수 있다. 평가 장치는 분석 기구 자체에 배치되는 것이 유익할 수 있고, 평가 장치에 의해 확립된 측정 결과의 가시화된 출력뿐만 아니라 화상들의 처리도 가능하게 할 수 있다. 구체적으로, 평가 장치는, 또한 화상들을 디지털 방식으로 처리하는 데이터 처리 수단을 포함할 수 있다. 또한, 데이터 처리 수단이 데이터베이스를 갖춘 데이터 저장소를 구비하는 것을 고려할 수 있으며, 여기서 데이터베이스는 화상들 또는 측정 매개변수들의 비교 데이터 세트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 유형의 비교 데이터 세트들로부터, 측정 결과의 보정 또는 측정 가능 결과에 관한 간략화된 결론을 도출할 수 있다. 따라서, 평가를 상당히 가속화할 수 있으며, 측정 정밀도를 더욱 증가시킬 수 있다.

특히 각막곡률계 등의 눈의 각막의 곡률을 측정하기 위한 제1 분석 장치 및 제2 분석 장치를 구비하는 안과 분석 기구를 사용하는 본 발명에 따른 분석 방법에서, 제2 분석 장치는 투영 디바이스와 감시 디바이스를 포함하고, 투영 디바이스는 적어도 하나의 슬릿 투영 유닛을 포함하고, 광 슬릿은 슬릿 투영 유닛에 의해 눈의 표면 상으로 투영되고, 표면 상에 이미징된 광 슬릿의 화상은 감시 디바이스에 의해 기록되고, 광 슬릿은 슬릿 투영 유닛에 의해 눈의 각막연의 영역 상으로 투영되고, 각막연의 영역에서의 표면의 토포그래피는 그 표면 상에 이미징된 광 슬릿의 화상으로부터 도출된다. 본 발명에 따른 방법의 유익한 효과에 관해서는, 본 발명에 따른 분석 기구의 이점에 대한 설명을 참조한다.

분석 방법의 범위 내에서, 눈의 기준면에 대한 광 슬릿의 상대 위치는 광 슬릿의 화상으로부터 결정될 수 있다. 따라서, 눈의 횡단면은 기준면으로서 정의될 수 있고, 광 슬릿의 상대 위치 및 이로부터 얻어지는 측정 결과는 매우 간단한 방식으로 결정될 수 있다. 또한, 기준면은 제1 분석 장치의 기준면과 일치할 수도 있고, 이에 의해 측정 결과의 평가가 상당히 간략화된다.

눈의 시상면에서의 정점에 대한 각막연의 깊이(t)는 광 슬릿의 화상으로부터 결정될 수 있다. 깊이(t)의 측정은, 컨택트 렌즈의 맞춤 및/또는 선택에 매우 효과적으로 사용될 수 있으며, 또한 각막의 측정된 곡률 반경의 보정에 사용될 수 있다. 따라서, 제1 분석 장치를 이용하여 측정된 토포그래피 데이터는 제2 분석 장치를 이용하여 보정될 수 있다.

각막연의 직경(d)은 마찬가지로 컨택트 렌즈의 선택 및 맞춤을 위해 광 슬릿의 화상으로부터 결정될 수 있다. 전술한 바와 같이, 직경(d) 측정은 컨택트 렌즈 직경의 선택에 있어서 매우 중요하다.

각막연의 토포그래피는 삼각 측량에 의해 매우 정밀하게 계산될 수 있다. 예를 들어, 분석 기구의 상대 위치 또는 눈으로부터의 기구의 이격은 제1 분석 장치를 사용함에 따라 미리 알려져 있을 수 있으며, 따라서, 이러한 데이터를 사용하여 광 슬릿의 각 화상으로부터 각막연의 토포그래피가 도출될 수 있다.

본 발명의 범위 내에서는, 필요에 따라 측정 정밀도를 높이도록 광 슬릿의 복수의 화상을 얻을 수도 있다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 시상면에서의 눈의 분석 기구의 개략적인 단면도.
도 2는 횡단면에서의 눈의 분석 기구의 개략적인 단면도.
도 3은 분석 기구의 투영 디바이스에 의해 조명되는 눈의 정면도.
도 4는 시상면에서의 눈의 추가 분석 기구의 개략적인 단면도.
도 5는 횡단면에서의 눈의 추가 분석 기구의 개략적인 단면도.
도 6은 추가 분석 기구의 투영 디바이스에 의해 조명되는 눈의 정면도.

도 1과 도 2의 개요는, 분석 기구(10)에 의해 조명되는 정면도로 도 3에 추가로 도시되어 있는 눈(11)과 함께 분석 기구(10)의 개략적인 도를 예시한다. 분석 기구(10)는 제1 분석 장치(12)와 제2 분석 장치(13)로부터 형성된다. 제1 분석 장치(12)는, (연상적으로 예시된) 플라시도 투영 디바이스(14) 및 대물 렌즈(17)가 장착된 카메라(16)와 영상 센서(18)로 이루어진 감시 디바이스(15)를 구비하는 각막곡률계의 방식으로 설계된다. 따라서, 동심 링들의 화상 패턴은 플라시도 투영 디바이스(14)에 의해 눈(11)의 각막(20)의 표면(19) 상으로 투영될 수 있다. 이어서, 화상 패턴은, 카메라(16)에 의해 기록될 수 있고, 각막(20)의 토포그래피가 결정되는 방식으로 평가 장치(이 경우에는 도시하지 않음)를 이용하여 평가될 수 있다.

제2 분석 장치(13)는 제1 분석 장치(12)의 감시 디바이스(15) 및 투영 디바이스(22)를 형성하는 두 개의 슬릿 투영 유닛(21)을 포함한다. 슬릿 투영 유닛들(21)의 각각은 기본적으로 대물 렌즈(23), 애퍼처 슬릿(24), 및 광원을 형성하는 발광 다이오드(25)로부터 형성된다. 또한, 슬릿 투영 유닛들(21)은, 각 슬릿 투영 유닛(21)의 투영 빔 경로(26)가 눈(11)의 공막(29)과 각막(20) 사이에서의 각막연(28)의 영역(27) 상에 있는 방식으로 눈(11)에 대하여 배치된다. 투영 빔 경로(26)는, 눈(11)의 광 축(31)과 일치하는 감시 디바이스(15)의 기구 축(30)에 대하여 비스듬하게 배치된다. 따라서, 투영 빔 경로(26)는 눈(11)의 시상면(32)에 대하여 각도 α로 그리고 눈(11)의 메리디오널 면에 대하여 각도 β로 배치된다.

감시 디바이스(15)로부터 볼 때 눈(11)의 정면도를 도시하는 도 3으로부터 알 수 있듯이, 각 슬릿 투영 유닛들(21)의 광 슬릿들(34, 35)은 눈(11)의 표면(19) 상에 이미징된다. 이어서, 광 슬릿들(34, 35)의 화상(36)은 플라시도 투영 디바이스(14)의 개구(37)를 통해 카메라(16)에 의해 기록된다. 이어서, 평가 장치는, 광 슬릿들(34, 35)의 형상 및 기준면(38)에 대한 광 슬릿들(34, 35)의 위치로부터 각막연(28)의 영역(27)에서의 공막(29)과 각막(20)의 곡률을 결정할 수 있다. 또한, 눈(11)의 정점(39)에 대한 각막연(28)의 깊이(t) 및 각막연(28) 또는 각막(20)의 직경(d)을 쉽게 계산할 수 있다.

도 4와 도 5의 개요는, 추가 분석 기구(40)에 의해 조명된 정면도로 도 6에 추가 예시되어 있는 눈(11)과 함께 추가 분석 기구(40)의 개략적인 도를 예시한다. 분석 기구(40)는 마찬가지로 전술한 분석 기구의 제1 분석 장치(12) 및 제2 분석 장치(41)를 포함한다. 제2 분석 장치(41)는 투영 디바이스(42)를 형성하는 알려져 있는 슬릿 투영 유닛들(21)을 구비한다. 이 경우, 투영 디바이스(42)는, 고정 마크가 제시될 수 있는 고정 유닛(43)을 더 포함한다. 고정 유닛(43)은 기본적으로 대물 렌즈(44), 애퍼처(45), 및 광원을 형성하는 발광 다이오드(46)로부터 형성된다.

도 1과 도 2에서 설명한 분석 기구와는 대조적으로, 분석 기구(40)의 경우에는, 투영 디바이스(42)가 기구 축(30) 뒤에 각도 α로 배치된다. 따라서, 눈(11)은, 고정 유닛(43)의 고정 빔 경로(47)가 눈의 광 축(48)과 직접 정렬되는 방식으로 배향되거나 광 축을 향하여 배향된다. 슬릿 투영 유닛(21)은 고정 빔 경로(47)와 광 축(48)이 있는 공통 슬릿 투영면(49)에 존재하므로, 광 슬릿들(50, 51)의 각각은, 도 6에서 알 수 있는 바와 같이, 직선 및 눈(11)의 수평면(52)에 이미징된다.

Claims

눈(11)의 각막(20)의 곡률을 측정하기 위한 제1 분석 장치(12), 및 투영 디바이스(22, 42)와 감시 디바이스(15)를 포함하는 제2 분석 장치(13, 41)를 구비하는 안과 분석 기구(10, 40)로서,
상기 투영 디바이스는 광 슬릿(34, 35, 50, 51)을 상기 눈의 표면(19) 상으로 투영하기 위한 상기 감시 디바이스의 기구 축에 대하여 대칭적으로 배치된 두개의 슬릿 투영 유닛들(21)을 포함하고, 상기 광 슬릿의 화상(36)은 상기 감시 디바이스를 이용하여 기록가능하고,
상기 광 슬릿은 상기 두개의 슬릿 투영 유닛들에 의해 상기 눈의 서로 다른 각막연(28)의 영역들(27) 상으로 투영될 수 있고, 상기 각막연의 영역들에서의 상기 표면의 토포그래피는 상기 표면 상에 이미징된 상기 광 슬릿의 화상으로부터 도출가능한 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
제1항에 있어서,
상기 감시 디바이스(15)의 기구 축(30) 또는 빔 경로는 상기 눈(11)의 광 축(31)의 방향으로 배향될 수 있고, 상기 슬릿 투영 유닛(21)의 투영 빔 경로(26)는 상기 감시 디바이스의 빔 경로에 대하여 각도 α로 배치되는 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
제1항에 있어서,
상기 감시 디바이스(15)의 기구 축(30) 또는 빔 경로는 상기 슬릿 투영 유닛(21)의 슬릿 투영면(49) 또는 투영 빔 경로(26)에 대하여 각도 α로 배치되고, 상기 슬릿 투영 유닛의 슬릿 투영면을 상기 눈(11)의 광 축(48)을 향하는 방향으로 배향시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
제3항에 있어서,
상기 투영 디바이스(42)는 고정 유닛(43)을 포함하고, 상기 고정 유닛의 고정 빔 경로(47)는 메리디오널 면(33)에 배치되고 상기 감시 디바이스(15)의 빔 경로(30)에 대하여 각도 α로 배치되는 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 슬릿 투영 유닛(21)의 투영 빔 경로(26)는, 상기 감시 디바이스(15)의 빔 경로(30)의 메리디오널 면(33)에 대하여 각도 β로 그리고 시상면(32)에 대하여 각도 α로 배치되는 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
제2항에 있어서,
상기 감시 디바이스(15)의 빔 경로(30)를 위한 개구(37)가 상기 제1 분석 장치(12)의 추가 투영 디바이스(14)에 형성되는 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
제1항에 있어서,
상기 감시 디바이스(15)는 대물 렌즈(17)를 구비하는 카메라(16)를 포함하고, 상기 감시 디바이스는 또한 상기 제1 분석 장치(12)의 감시 디바이스로서 사용되는 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
제1항에 있어서,
상기 제1 분석 장치(12)는 영상 각막곡률계인 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
삭제
제1항에 있어서,
상기 슬릿 투영 유닛들(21)은 상기 감시 디바이스(15)의 기구 축(30)에 대하여 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
제1항에 있어서,
상기 분석 기구(10, 40)는, 상기 화상(36)을 분석할 수 있는 분석 장치들(12, 13, 41) 모두를 위한 평가 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 안과 분석 기구.
눈(11)의 각막(20)의 곡률을 측정하기 위한 제1 분석 장치(12) 및 투영 디바이스(22, 42)와 감시 디바이스(15)를 포함하는 제2 분석 장치(13, 41)를 구비하는 안과 분석 기구(10, 40)를 이용한 분석 방법으로서,
상기 투영 디바이스는 상기 감시 디바이스의 기구 축에 대하여 대칭적으로 배치된 두개의 슬릿 투영 유닛들(21)을 포함하고, 광 슬릿(34, 35, 50, 51)은 상기 두개의 슬릿 투영 유닛들에 의해 상기 눈의 표면(19) 상으로 투영되고, 상기 표면 상에 이미징된 상기 광 슬릿의 화상(36)은 상기 감시 디바이스에 의해 기록되고,
상기 광 슬릿은 상기 두개의 슬릿 투영 유닛들에 의해 상기 눈의 서로 다른 각막연(28)의 영역들(27) 상으로 투영되고, 상기 각막연의 영역들에서의 상기 표면의 토포그래피는 상기 표면 상에 이미징된 상기 광 슬릿의 화상으로부터 도출되는 것을 특징으로 하는 분석 방법.
제12항에 있어서,
상기 눈(11)의 기준면(38)에 대한 상기 광 슬릿(34, 35, 50, 51)의 상대 위치는 상기 화상(36)으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 분석 방법.
제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 눈(11)의 시상면(32)에서의 정점(39)에 대한 상기 각막연(28)의 깊이(t)는 상기 화상(36)으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 분석 방법.
제12항에 있어서,
상기 각막연(28)의 직경(d)은 상기 화상(36)으로부터 결정되는 것을 특징으로 하는 분석 방법.
제12항에 있어서,
상기 각막연(28)의 토포그래피는 삼각 측량에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 분석 방법.