KR101583445B1 - 전도성 코팅용 조성물 및 이를 이용한 전도성 박막 - Google Patents

전도성 코팅용 조성물 및 이를 이용한 전도성 박막 Download PDF

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KR101583445B1
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최현명
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동의대학교 산학협력단
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    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables

Abstract

본 발명은 은(Ag) 전구체 입자에 대하여 분산용매 및 환원된 산화그래핀 (reduced graphene oxide; rGO)를 포함하는 전도성 코팅용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전도성 코팅용 조성물은 고품질의 그래핀이 포함되어 조성물의 분산 안정성이 확보되고 이를 이용하여 제조된 전도성 박막은 전도성과 박막 형성 공정에서 편차제어가 용이하다.

Description

전도성 코팅용 조성물 및 이를 이용한 전도성 박막{COMPOSITION FOR CONDUCTIVE COATING AND CONDUCTIVE THIN FILMS USING THE SAME}
본 발명은 전도성 코팅용 조성물 및 이를 이용한 전도성 박막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 은(Ag)을 주성분으로 사용한 전도성 용액에 환원된 산화그래핀이 첨가된 혼합용액을 개발하여 면저항이 낮고 스프레이 코팅 공정 등의 간단한 방법으로 박막화가 가능하다.
투명 전도성 박막에 주로 사용되는 물질은 산화인듐주석(ITO), 아연산화물(ZnO), 안티몬 주석 산화물(ATO) 등의 금속 산화물이다. 이러한 투명 전도성 박막은 고압에서 물리적 증착을 통해서 제조되어 왔지만, 제조비용이 비싸고, 대전방지 및 전자파 차폐제로써 유연기판에 제조될 경우 용액 공정을 통해 코팅을 하는 공정에 비해 활용도가 떨어지는 단점이 있다. 또한 구부릴 수 있는 유연기판에서는 금속 산화물이 깨지면서 전도도가 변하여 활용이 제한적이다.
최근에는 이의 대체제로써 탄소나노튜브, 그래핀 및 전도성 고분자 등을 이용한 습식 또는 건식방법을 통해 투명 전도성 막을 제조하는 방법이 개발되고 있다.
투명 전도성 박막은 건식방법 또는 습식방법으로 제조되기도 하지만, 습식방법으로 제조된 투명 전도성 막은 건식방법에 비해 전기전도도 및 투과도는 떨어지지만 전자파 차폐 및 정전기방지 등의 효과가 우수하다.
한편, 은(Ag) 나노입자를 잉크젯 기술을 적용하여 미세전극형성 기술에 응용한 전도성 용액으로 상업되어 있다. 특히 다양한 종류의 전극과 미세한 선폭의 전선을 형성할 수 있는 은(Ag)을 주성분으로 사용한 전도성 Paste와 용액(ink)등의 나노입자 기반의 전도성 코팅용액이 잘 알려져 있다.
대한민국 등록특허 1,251,216
본 발명자들은 고품질 전도성 박막을 제조하기 위한 코팅용 조성물을 제조하기 위해 예의 연구를 거듭하였고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명의 목적은 은 나노입자와 전도성이 우수한 고품질 그래핀을 이용하여 얻은 전도성 코팅용 조성물과 이를 이용하여 우수한 생산성과 용이한 방법으로 편차제어가 용이한 전도성 박막의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 은(Ag) 전구체 입자, 환원된 산화그래핀(reduced graphene oxide; rGO) 및 분산용매를 포함하는, 전도성 코팅용 조성물을 제공한다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 은 전구체 입자는 10wt%의 은 용액 형태로 0.1g~5g 포함되고, 상기 환원된 산화그래핀 및 분산용매는 상기 은 전구체 입자 0.1~5g에 대하여 환원된 산화그래핀은 10~20mg의 양으로 포함되고, 분산용매는 20~40ml의 양으로 포함될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 은 전구체 입자는 AgX 또는 AgOR이며, 상기 AgX에서 X는 질산염(NO3), 염소(Cl) 및 브롬(Br)으로 이루어진 군 중에서 선택하고, 상기 AgOR에서 OR는 아세테이트(acetate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate) 및 벤조네이트(benzoate)로 이루어진 군 중에서 선택된 것일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 분산용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, 헥산올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌 글리콜, 에틸렌글리콜 모노 메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 글리세롤, 테르핀올, n-메틸피롤리돈, 감마부티로락톤, 디메틸설폭사이드, 프로필렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, 디메틸포름아미드, 모노메틸포름아마이드 및 포름아마이드로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상을 사용하는 것일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 환원된 산화그래핀은 산화그래핀 용액에 히드라진 수화물을 첨가한 후 환류처리하여 얻은 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따른 전도성 코팅용 조성물을 코팅한 후 소성하여 얻어진 전도성 박막을 제공한다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 소성은 100~150℃에서 30분 내지 3시간 동안 수행하는 것일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 상기 전도성 박막은 PCB용 전극패턴, 박막전극, 투명전극, 및 터치패널용 전극 중에서 선택되는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 전도성 코팅용 조성물은 은(Ag) 전구체 입자와 환원된 산화그래핀을 분산용매에 혼합한 혼합 조성물로서 고품질의 그래핀이 포함되어 조성물의 분산 안정성이 확보되고 이를 이용하여 제조된 전도성 박막은 전도성과 박막 형성 공정에서 편차제어가 용이하다. 본 발명에 따른 전도성 코팅용 조성물은 은(Ag) 단독의 전도성 용액을 사용하여 제조된 막보다 우수한 전도성을 보인다. 따라서 적은양의 은을 포함하더라도 매우 우수한 전도성 박막을 제조할 수 있으며, 보다 유연한 기계적 특성으로 인하여 유연소자에 적용하기 적합한 전도성 조성물 용액을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제조예 1에 따른 환원된 산화그래핀의 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 비교예 3 및 실시예 1에서 제조된 전도성 박막의 OM 이미지이다.
도 3은 본 발명의 비교예 3 및 실시예 1에서 제조된 전도성 박막의 코팅 이미지이다.
이하, 본 발명을 자세히 설명한다.
본 발명에서 사용되는 모든 기술용어는, 달리 정의되지 않는 이상, 하기의 정의를 가지며 본 발명의 관련 분야에서 통상의 당업자가 일반적으로 이해하는 바와 같은 의미에 부합된다. 또한 본 명세서에는 바람직한 방법이나 시료가 기재되나, 이와 유사하거나 동등한 것들도 본 발명의 범주에 포함된다. 본 명세서에 참고문헌으로 기재되는 모든 간행물의 내용은 본 발명에 도입된다.
용어 "약"이라는 것은 참조 양, 수준, 값, 수, 빈도, 퍼센트, 치수, 크기, 양, 중량 또는 길이에 대해 30, 25, 20, 25, 10, 9, 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2 또는 1% 정도로 변하는 양, 수준, 값, 수, 빈도, 퍼센트, 치수, 크기, 양, 중량 또는 길이를 의미한다.
본 명세서를 통해, 문맥에서 달리 필요하지 않으면, "포함하다" 및 "포함하는"이란 말은 제시된 단계 또는 구성요소, 또는 단계 또는 구성요소들의 군을 포함하나, 임의의 다른 단계 또는 구성요소, 또는 단계 또는 구성요소들의 군이 배제되지는 않음을 내포하는 것으로 이해하여야 한다.
전도성 코팅용 조성물
본 발명의 일 예에 따른 전도성 코팅용 조성물은 은(Ag) 전구체 입자, 환원된 산화그래핀(reduced graphene oxide; rGO) 및 분산용매를 포함하며, 이때 상기 은 전구체 입자는 10wt%의 은 용액 형태로 0.1g~5g 포함되고, 상기 환원된 산화그래핀 및 분산용매는 상기 은 전구체 입자 0.1~5g에 대하여 환원된 산화그래핀은 10~20mg의 양으로 포함되고, 분산용매는 20~40ml의 양으로 포함된다.
상기 은 나노입자는 직경이 10~100nm 이하인 다양한 형태의 구조를 포함하고, 나노와이어는 길이가 1~100㎛인 것이 바람직하다. 상기 은 전구체는 예를 들어 AgX (X = NO3, Cl, Br 등) 또는 AgOR (-OR = acetate, acetylacetonate, benzoate 등)의 형태일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
상기 은(Ag) 나노입자 또는 전구체 용액(10wt.%)은 함량이 0.1g 내지 5g 을 포함되는 것이 바람직하다. 이는 상기 은(Ag) 나노입자 또는 전구체 용액(10wt.%)이 0.1g 미만으로 첨가될 경우 적절한 수준의 전도특성을 나타내기 어려운 문제가 있으며, 상기 5g 중량부를 초과할 경우 전도성은 추가적으로 향상되는 특성을 확인할 수 있지만 은 자체의 높은 가격으로 인하여 제조원가가 상승하는 문제점과 이를 사용하여 제조되는 박막전극의 구조적 인성(thoughness)이 약해져서 유연소자에 적용하기 어려운 문제가 있다.
상기 분산용매는 물 또는 극성 유기용매가 사용될 수 있으며, 극성 유기용매는 예를 들어, 알콜류로써 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, 헥산올 등; 글리콜류로써 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌 글리콜, 에틸렌글리콜 모노 메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 글리세롤 등; 또는 극성용매로써 테르핀올, n-메틸피롤리돈, 감마부티로락톤, 디메틸설폭사이드, 프로필렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, 디메틸포름아미드, 모노메틸포름아마이드, 포름아마이드 등의 1종 이상의 조합을 사용할 수 있다. 바람직하게는 부탄올이 사용될 수 있다. 상기 분산용매는 함량이 20mL 내지 40mL 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 20mL 중량부 미만으로 첨가될 경우 전도성 조성용액의 입자분산 특성이 나빠져 저장안정성이 저하되고, 스프레이 코팅 작업시 침전된 입자가 노즐을 막아 박막코팅이 어려워지며, 형성된 박막의 질도 매우 나빠지게 된다. 결과적으로 박막의 전도성도 저하되는 특성을 나타내는 문제점이 있다. 또한 상기 40mL 중량부를 초과할 경우 코팅작업에 의한 박막형성이 어려워지며 적절한 두께의 박막을 형성하기 어려운 문제점이 발생하게 된다. 따라서 상기 기술된 범위로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 산화그래핀(Graphene oxide; GO)은 화학적으로 그래핀을 만들 때 필요한 중간체 물질로서 흑연의 산처리를 통하여 만들어진다. 시판되는 산화그래핀을 포함하여 공지의 산화그래핀이 사용될 수 있다. 본 발명에 사용하는 GO는 Hummers 방법을 기초로 보완하였고, Hummers 산 처리 방법은 황산 2.4L 에 흑연 100g과 NaNO3를 혼합하여 얼음조 안에서 교반한다. 교반이 유지되는 동안 KMnO4 300g을 혼합반응물에 첨가하고, KMnO4 투입 후 얼음조를 제거하고 반응물의 온도를 35±3℃로 30분 동안 유지한다. 다음으로 증류수 4.6L를 천천히 첨가하여 교반시킨 후 H2O2를 첨가한다. 이후 마이크로 필터 장비를 이용하여 필터링 처리를 하면 갈색을 띄는 케이크 형태의 파우더를 얻는다. 그러나 이러한 방법은 강한 산성 조건에서 구조가 깨지기 때문에 그래핀의 특성이 저하된다. 따라서 산화 그래핀 제조시 구조 손상을 최소화 할 수 있는 산 처리 조건으로 Hummers 산 처리 방법을 개선하여 mild한 방법으로 화학적 박리를 수행하였다.
상기 환원된 산화그래핀(reduced graphene oxide; rGO)은 산화그래핀을 환원하여 얻은 것으로서, 열 혹은 화학적 방법으로 환원 처리를 할 수 있다. 바람직하게는 산화그래핀 용액에 환원제로서 하이드라진(Hydrazine) 증기를 접촉시키거나, 하이드라진 수화물을 첨가하여 환류처리하는 화학적 환원법으로 얻을 수 있다.
은(Ag) 용액(10wt.%)은 상기 환원된 산화그래핀 10-20mg에 대하여 0.1g 내지 5g 을 포함되는 것이 바람직하다. 은의 함량이 0.1g 미만이거나 산화그래핀이 10mg 미만으로 첨가될 경우, 표면에 그래핀 막을 고르게 형성할 수 없으며 원하는 전도도를 얻을 수 없다. 상기 함량이 5g 를 초과하거나 20mg을 초과할 경우, 코팅성 및 투명도가 급격히 저하되어 투명 전도성 막으로서의 기능을 상실할 수 있으며, 막의 표면이 거칠고, 소성시 크랙의 발생이 심하게 나타난다.
전도성 박막
본 발명은 전도성 박막에 관한 것이다. 상기 전도성 코팅용 조성물을 이용하여 반복공정이 필요 없으며 간단한 스프레이 코팅 공정 및 전도성 조성물의 박막화 기술로 마이크로 수준의 미세전극을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 전도성 코팅용 조성물을 기재 상에 코팅한 후 소성하여 본 실시예에 따른 전도성 박막을 제조할 수 있다.
상기 코팅 방법으로는 딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 드롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅 또는 바코팅(bar coating)이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다.
이때 기판으로는 유리, 석영(quartz), 글라스 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 투명 및 불투명 플라스틱 기판, 투명 및 불투명 고분자 필름 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 플라스틱 기판의 소재로는 PET, PC, PEN, PES, PMMA, PI, PEEK 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 기판(12)은 10 내지 10,000㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 소성은 100~150℃에서 30분 내지 3시간 동안 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 전도성 박막은 PCB용 전극패턴, 박막전극, 투명전극, 및 터치패널용 전극에 적용될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
이하, 본 발명을 실시예와 실험 예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
[ 제조예 1] 환원된 산화그래핀의 제조
황산 230mL에 흑연 10g을 혼합하여 얼음조 안에서 교반하였다. 교반이 유지되는 동안 KMnO4 30g을 혼합반응물에 첨가하고, KMnO4 투입 후 얼음조를 제거하고 반응물의 온도를 35±3℃로 30분 동안 유지시켰고, 다음으로 증류수 460mL를 천천히 첨가하여 교반시킨 후 H2O2 20mL를 첨가하였다. PH 7.0이 될 때 까지 원심분리기(3500rpm,15min)를 통해 세척하였고 이렇게 얻은 것을 500mL의 삼구플라스크에 hydrazine hydrate 5mL와 함께 첨가하여 3시간 동안 초음파 처리를 한 후 48시간 동안 100℃의 온도에서 환류처리 하였다. 환류처리 하여 얻은 산화 그래핀을 마이크로 필터 장비를 이용하여 필터링 처리하고 기름기를 제거하기 위해 메탄올로 세척한 후, 80℃로 맞춰진 진공오븐에 하루 동안 건조하여 환원된 산화 그래핀 파우더를 수득하였다.
[ 실시예 1~3]
1-1. 전도성 코팅용 조성물의 제조
부탄올 용매 20mL에 제조예 1에서 얻은 환원된 산화 그래핀과 Ag 전구체로서 잉크테크사 제품을 표 1과 같이 함량을 달리하여 혼합한 코팅용 조성물을 얻었다.
rGO Butanol Ag(10wt%)
비교예 1 - 20mL 0.5g
비교예 2 - 20mL 1g
비교예 3 - 20mL 3g
비교예 4 - 20mL 5g
비교예 5 10mg 20mL -
실시예 1 10mg 20mL 0.5g
실시예 2 10mg 20mL 1g
실시예 3 10mg 20mL 3g
실시예 4 10mg 20mL 5g
1-2. 전도성 박막의 제조
상기 실시예 1-1에서 얻은 코팅용 조성물을 기판 상에 스프레이 코팅하였다. 스프레이 코팅 조건은 하기 표 2와 같다. 코팅한 박막을 125℃에서 1시간 동안 소성처리 후 전도성을 측정하였다.
Process condition
Flow rate (/min) 100
coating volume (mL) 10/20
air pressure (Mpa) 0.3
heating temperature (℃) 125
nozzle diameter (mm) 15.89
nozzle substrate distance (mm) 90
run speed (mm/min) 700
[비교예 1~4]
상기 실시예 1~4에서 표 1에서와 같이, 환원된 산화 그래핀을 첨가하지 않았다는 점을 제외하고 동일한 방법으로 전도성 박막을 제조하였다.
[비교예 5]
상기 실시예 1~4에서 표 1에서와 같이, 은(Ag) 전구체를 첨가하지 않았다는 점을 제외하고 동일한 방법으로 전도성 박막을 제조하였다.
[ 실험예 1]
면저항 실험
본 발명의 실시예에 따른 조성물(실시예 1~4)의 전도특성을 비교하기 위하여 일반적으로 사용하는 Ag 소재 전도성용액(비교예 1~4)의 면 저항값과 비교하였다. 면저항 측정기(미쯔비시, MCP-T610) 사용하여 하기 표 3의 조건으로 면저항을 측정하였다.
Process condition
PROBE ESP
LIMITER 10V
RCF 3.529
THICKNESS 1.000mm
비교예의 결과에서 보는 바와 같이 사용되는 Ag의 양에 비례하여 면저항값(10-1 ~ 10-2 Ω/sq)은 점차로 낮아지는 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 5의 rGO 단독 사용시 제조된 필름의 면저항값은 105 Ω/sq 수준으로 매우 높은바 전도성이 매우 낮음을 알 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 Ag와 rGO를 혼합한 조성물용액을 사용하여 제조한 필름의 면저항은 Ag 단독의 용액을 사용한 경우와 비교하여 크게 낮아짐을 확인하였는바 전도성이 크게 개선되었다.
rGO Butanol Ag (10 wt %) 면저항 (Ω/ sq )
비교예 1 - 20mL 0.5g 2.868×10-1
비교예 2 - 20mL 1g 1.674×10-1
비교예 3 - 20mL 3g 5.201×10-2
비교예 4 - 20mL 5g 2.689×10-2
비교예 5 10mg 20mL - 3.638×105
실시예 1 10mg 20mL 0.5g 1.786×10-2
실시예 2 10mg 20mL 1g 2.768×10-2
실시예 3 10mg 20mL 3g 5.237×10-3
실시예 4 10mg 20mL 5g 7.732×10-3
[ 실험예 2]
전도성 박막의 구조특성
비교예 4의 환원된 산화그래핀(rGO)만을 부탄올에 넣은 조성물의 코팅막과 실시예 1에 따른 rGO와 은(Ag)의 혼합조성물로 된 코팅막에 대해 OM 이미지를 Industrial Megascope System(리테크놀리지,IMS-2D-345)장치를 이용하여 촬영하였고, 실시예 2의 조성물로 된 코팅막을 소성한 후 전도성 박막에 대해서도 촬영하였다.
분석결과, 도 3의 산화그래핀(rGO)만을 부탄올에 넣은 조성물의 코팅막 표면은 육안상으로는 매우 고르게 분포하는 것으로 보이지만 도 2를 보면 표면에 그래핀 막이 고르게 분포하지 않음을 확인 할 수 있다. 그러나 은(Ag)을 첨가함으로써 표면이 고르게 분포하고 두께가 두꺼워 짐을 확인 할 수 있었다. 또한 도 3에서 확인할 수 있듯이 코팅막이 은색으로 변하는 것을 확인할 수 있는데 이는 소성 전 은(Ag)이 전구체(precursor) 상태에 있다가 소성을 하면서 특정 온도에서 화학적 변화를 일으켜 은색 빛을 나타내는 것을 알 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 은(Ag) 전구체 입자, 환원된 산화그래핀(reduced graphene oxide; rGO) 및 분산용매를 포함하는, 전도성 코팅용 조성물:
    상기 은 전구체 입자는 AgX 또는 AgOR이며,
    상기 AgX에서 X는 질산염(NO3), 염소(Cl) 및 브롬(Br)으로 이루어진 군 중에서 선택되고,
    상기 AgOR에서 OR는 아세테이트(acetate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate) 및 벤조네이트(benzoate)로 이루어진 군 중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 은 전구체 입자는 10wt%의 은 용액 형태로 0.1g~5g 포함되고, 상기 환원된 산화그래핀 및 분산용매는 상기 은 전구체 입자 0.1~5g에 대하여 환원된 산화그래핀은 10~20mg의 양으로 포함되고, 분산용매는 20~40ml의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 전도성 코팅용 조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 분산용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, 헥산올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌 글리콜, 에틸렌글리콜 모노 메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 글리세롤, 테르핀올, n-메틸피롤리돈, 감마부티로락톤, 디메틸설폭사이드, 프로필렌카보네이트, 에틸렌카보네이트, 디메틸포름아미드, 모노메틸포름아마이드 및 포름아마이드로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 전도성 코팅용 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 환원된 산화그래핀은 산화그래핀 용액에 히드라진 수화물을 첨가한 후 환류처리하여 얻은 것을 특징으로 하는, 전도성 코팅용 조성물.
  6. 제1항에 따른 전도성 코팅용 조성물을 코팅한 후 소성하여 얻어진 전도성 박막.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소성은 100~150℃에서 30분 내지 3시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는, 전도성 박막.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 전도성 박막은 PCB용 전극패턴, 박막전극, 투명전극, 및 터치패널용 전극 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 전도성 박막.
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