KR101468759B1 - 도전성 피막의 제조방법, 및 이를 위한 프라이머 조성물 - Google Patents

도전성 피막의 제조방법, 및 이를 위한 프라이머 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기산 금속염 또는 금속을 포함하는 프라이머 조성물, 이를 이용한 도전성 피막의 제조방법, 이에 의하여 제조된 도전성 피막에 관한 것이다.

Description

도전성 피막의 제조방법, 및 이를 위한 프라이머 조성물{METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE COATING FILM, AND PRIMER COMPOSITION THEREFOR}
본 발명은 도전성 피막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 전도도, 기재와의 부착력 및 표면 특성이 우수한 도전성 피막, 이의 제조방법 및 이를 위한 프라이머 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 투명도전막은 표시소자의 전원 인가용, 가전기기의 전자파 차폐막, LCD, OLED, FED, PDP, 플렉시블 디스플레이, 전자종이 등 각종 디스플레이 분야의 투명전극 등 전기전자장비의 필수적인 구성요소로 사용되고 있다. 특히, 최근 평면 디스플레이 시장이 커지면서, 보다 간편하고 경제적으로 물성이 우수한 투명도전막을 제조하는 기술에 대한 관심이 증가하고 있다.
현재 주로 사용되고 있는 투명도전막 소재로는 ITO(Indium-Tin oxide), ATO(Antimony-Tin Oxide, AZO(Antimony-Zinc Oxide) 등과 같은 무기 산화물 도전성 소재가 사용되고 있다. 또한, 은(Ag)은 다른 전도성 물질보다 비저항이 낮고 (1.59 μΩ·㎝) 쉽게 산화되지 않는다는 점에서 도전성 피막 제조 물질로서 바람직하다.
그러나, 은은 유리와의 부착력이 나쁘고, 소성하면 뭉침(agglomeration)이 쉽게 생겨 표면 형상이 나빠지는 단점이 있다. 이는 제품의 물성 구현 및 신뢰성에 나쁜 영향을 준다. 은나노입자를 포함하는 도전성 코팅액이나 잉크의 경우 이러한 문제점이 더욱 심각하다. 특히 이러한 문제점은, 은나노입자를 포함하는 도전성 코팅액이나 잉크로부터 형성된 도전성 피막에 후공정으로 진공증착 공정 등 고온 진공 공정을 포함하는 경우에 더욱 심각하다.
이러한 문제점을 극복하기 위하여 여러 방안이 시도되어 왔고, 이를 소개하면 아래와 같다.
한국 특허 등록 10-0905399에서는, 제1용매 및 제2용매의 공용매, 은 나노 입자 및 나노 글래스 프릿을 포함하고, 상기 나노 글래스 프릿의 크기는 200nm 이하인 것을 특징으로 하는 잉크젯 프린터용 전도성 잉크 조성물을 제시하고 있다. 상기 특허는 글래스 프릿을 첨가하여 유리 기판과의 부착력을 좋게 하려는 것인데, 글래스 프릿은 비저항이 높으므로, 결국 이에 의해 제조된 도전성 피막은 전기 전도도가 떨어지는 문제점이 있다.
한국 특허 등록 10-0728910에서는, 1 ~ 100 나노미터(㎚) 크기의 금속산화물 나노 미립자와, 1 ~ 100 나노미터(㎚) 크기의 금속 나노 미립자가 용매 내에 독립된 형태로 분산되고, 상기 금속산화물 나노 미립자는 규소(Si), 마그네슘(Mg), 이트륨(Y), 세리움(Ce), 티타늄(Ti), 지르코니움(Zr), 바나디움(V), 크로미움(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 은(Ag), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 갈리움(Ga), 인듐(In), 주석(Sn) 및 안티몬(Sb)의 산화물로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합이며, 상기 금속 나노 미립자는 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군 중에서 선택된 1종이거나 2종 이상의 혼합 또는 합금인 것을 특징으로 하는 금속성 잉크를 제시하고 있다. 상기 특허는, 금속 및 금속산화물이 합금을 이루어 부착력을 좋게 하려는 것이나, 은 이외의 다른 금속, 또는 적어도 은산화물을 포함하게 되므로 전도성이 저하될 우려가 있다.
국제 특허 공개 WO 2007/126012에서는, 보호 물질에 의해서 피복된 도전성 물질과, 음이온 교환능을 갖는 물질을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 도전성 피막의 제조 방법을 제시하고 있다. 상기 특허는, 유기물을 포함하는 음이온 교환층을 도입하고, 이를 저온 소성하여 부착력을 향상시키려는 것이나, 최종 제품 생산을 위해 추가적인 고온소성 공정이 필요한 경우, 기재와의 부착을 증진하기 위하여 첨가된 유기물 대부분이 분해되어 부착에 기여하지 못하게 되는 문제점이 발생할 수 있다. 즉, 300℃ 이상의 고온소성이 필수적으로 요구되는 제품생산과정에서, 상기 고온소성 공정 후에 금속 나노입자의 응집(agglomeration)이 심해지고 표면 거칠기(roughness)가 나빠지며, 결과적으로 도전성 피막이 기재로부터 박리되게 된다.
그 외에도, 기재와의 부착을 향상시킬 수 있는 크롬(Cr) 또는 니켈(Ni) 등을 이용하여 버퍼(buffer)층을 증착하는 방법을 사용할 수 있으나, 값비싼 진공공정이 추가되는 단점이 있으며, 또한, 버퍼층을 증착한 후에는 기재가 더 이상 투명하지 않아, 유리 특유의 투명성을 살리지 못하는 문제점이 있다.
또한, 은나노입자 대신, 유기은을 용매에 녹인 조성물을 이용하여 소성한 후, 은(Ag)과 유리간의 접촉면적을 넓혀서 부착력을 향상시키는 방법 등을 사용할 수도 있으나, 본질적으로 은이 유리와의 부착력이 약하다는 문제점을 근본적으로 해결하지 못한다.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 300℃ 이상의 고온 소성을 거치거나 후공정을 거치는 경우에도 전도도가 우수할 뿐만 아니라 유리와 같은 기재에 대한 부착력이 우수하고, 표면 특성도 우수한 도전성 피막 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시상태는 기재 상에 프라이머 조성물을 도포 및 건조하여 프라이머층을 형성하는 단계; 및 상기 프라이머층 상에 금속 또는 금속화합물 입자를 포함하는 코팅액을 도포 및 건조하여 도전층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 프라이머 조성물은 유기산 금속염 또는 금속을 포함하는 것인 도전성 피막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 유기산 금속염 또는 금속을 포함하는 프라이머 조성물을 제공한다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 본 발명의 방법으로 제조된 10 μΩ·㎝ 미만의 비저항, 및 10 ㎚ 미만의 표면조도 값을 갖는 도전성 피막을 제공한다.
본 발명의 또 하나의 실시상태는 본 발명의 도전성 피막을 포함하는 전극을 제공한다.
본 발명의 방법에 따르면 300℃ 이상의 고온 소성을 거치거나 플라즈마 화학기상증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 등과 같은 후공정을 거치는 경우에도 전도도가 우수할 뿐만 아니라, 유리와 같은 기재와의 부착력이 우수하고 표면특성이 우수한 도전성 피막을 제조할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 실시예에 의하여 제조한 도전성 피막에 질화규소층을 PECVD 공정으로 증착한 후의 단면 SEM 사진이다.
도 2은 비교예에 의하여 제조한 도전성 피막에 질화규소층을 PECVD 공정으로 증착한 후의 단면 SEM 사진이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 프라이머 조성물은, 유기산 금속염 또는 금속을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서는 상기와 같은 프라이머 조성물을 이용하여 형성한 프라이머층 상에 도전성 피막을 형성함으로써 300℃ 이상의 고온 소성을 거치는 경우에도 도전성 피막의 전도도가 감소되지 않고 유리와 같은 기재와의 부착력이 우수하다. 또한, 도전성 피막을 형성한 후 후공정으로 플라즈마 화학기상증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 등의 공법으로 진공하에서 실리콘 옥사이드 (SiO2)나 실리콘 나이트라이드 (SiNx) 층 등을 증착한 후에도 도전성 피막과 기재와의 부착이 우수한 도전성 피막을 제공할 수 있다.
상기 유기산 금속염의 유기산은, 아세트산, 부틸산, 발레산, 아크릴산, 프로피온산, 벤조산, 이소부틸산, 피발산, n-헥산산, t-옥탄산, 2-에틸-헥산산, 네오데칸산, 라우르산, 스테아린산, 올레산, 나프텐산, 도데칸산 및 리놀산으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 사용할 수 있다.
상기 유기산 금속염의 금속염은, Ni, Bi, Sn, Ti, Pb, Pd, Cr, Co, Ge, Zn, Mo, Ta, Nb, W 및 V에서 선택되는 1종 이상의 금속염을 포함하는 것을 사용할 수 있지만, 이에 반드시 제한되는 것은 아니다.
예컨대, 상기 유기산 금속염으로는 주석 2-에틸 헥사노에이트, 주석 2-에틸아세테이트 등이 사용될 수 있다.
상기 금속은 Ni, Bi, Sn, Ti, Pb, Pd, Cr, Co, Ge, Zn, Mo, Ta, Nb, W, 및 V에서 선택되어지는 1종 이상인 것을 사용할 수 있지만, 이에 반드시 제한되는 것은 아니다. 상기 금속은 분말 형태인 것이 바람직하다. 상기 금속 분말의 크기는 한정할 필요는 없으나, 프라이머의 두께가 지나치게 두꺼워지는 것을 방지하고, 프라이머의 두께를 균일하게 하기 위해서는 그 입경이 50 nm 이하, 더 바람직하게는 1 nm 내지 20 nm 이내가 바람직하다.
본 발명의 프라이머 조성물에 있어서, 유기산 금속염 또는 금속은 전체 조성물 100 중량부 대비 1 ~ 20 중량부 포함되는 것이 바람직하다. 1 중량부 미만으로 첨가되는 경우, 프라이머층과 기재와의 부착력이 약해질 우려가 있고, 20 중량부 초과하여 첨가되는 경우, 투명성이 다소 낮아질 우려가 있다.
본 발명에 따른 프라이머 조성물은 전술한 성분 외에 코팅성 및 투명성 측면을 고려하여 용매, 계면활성제, 고분자 수지 중 적어도 하나를 추가로 포함할 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 프라이머 조성물은 유기산 금속염 또는 금속 1 ~ 20 중량%, 용매 70 ~ 80 중량%, 고분자 수지 0.1 ~ 10 중량%, 계면활성제 0.1 ~ 1 중량부를 포함하는 것이 코팅성 및 투명성 측면에서 유리할 수 있다.
상기 고분자 수지는, 폴리우레탄 수지, 페놀 수지, 로진 수진, 폴리비닐피롤리돈 수지, 아크릴레이트 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지 및 셀룰로오스 수지에서 선택되는 1종 이상, 또는 이들의 공중합체를 포함하는 것을 사용할 수 있으나, 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다. 상기 고분자 수지를 첨가하는 경우 프라이머 조성물의 도포시 균일한 막을 형성하는데 유리하다.
상기 계면활성제는 프라이머 조성물을 도포할 때 기재에 원활히 코팅되게 하는 목적으로 첨가될 수 있으며, 불필요할 시 생략 가능하다. 계면활성제를 첨가할 경우 통상적인 레벨링제, 예를 들어 실리콘계 또는 폴리에테르계 계면활성제를 사용할 수 있다.
본 발명의 제조방법은, 기재 상에 상기한 본 발명의 프라이머 조성물을 도포 및 건조하여 프라이머층을 형성하는 단계; 및 상기 프라이머층 상에 금속 또는 금속 화합물 입자를 포함하는 코팅액을 도포 및 건조하여 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 기재로는 유리 또는 세라믹 기재가 사용될 수 있다. 특히 유리를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 프라이머층은 전술한 프라이머 조성물을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 프라이머층의 형성 방법은 당 기술분야에 알려져 있는 도포 및 건조 방법을 이용할 수 있다. 상기 프라이머층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 소성 후 10 nm 내지 40 nm로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 도전층 형성을 위한 코팅액은 금속 또는 금속화합물 입자를 포함한다. 상기 금속 또는 금속 화합물 입자를 포함하는 코팅액의 종류는 특별히 제한되지 않고, 도전성 피막을 형성하기 위하여 사용된 것이라면 특별히 제한되지 않는다.
상기 금속 입자는 금속 분말이나 이의 전구체, 또는 이들 모두를 포함할 수 있다. 상기 코팅액에 포함되는 금속은 전도도가 높은 은 또는 구리가 바람직하다. 특히, 1 ~ 300 ㎚ 범위 이내의 입경을 가지는 은나노입자를 포함하는 것이 도전성 측면에서 더 바람직하다.
상기 금속 화합물로는 금속 산화물, 금속 카보네이트, 및 금속 카복실레이트 등이 사용될 수 있다. 예컨대, 본 발명에서는 은 화합물을 이용한 도전성 피막 형성용 조성물을 사용할 수 있다. 예를 들어, WO 2003/085052 (2003.10.16 공개)에 공개된 입자상 은 화합물과 바인더를 포함하는 도전성 조성물을 사용할 수도 있다.
상기 도전층 형성을 위한 코팅액은 공정의 용이성 및 물성을 조절하기 위하여 용매, 계면활성제, 기타 고분자 등을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 또는 금속 화합물 입자를 포함하는 코팅액은 점도 조절이나 원활한 박막 형성을 위하여 용매를 추가로 포함할 수 있다. 이때 사용할 수 있는 용매로는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-메톡시프로판올, 부탄올, 에틸헥실 알코올, 테르피네올과 같은 알코올류, 에틸렌글리콜, 글리세린과 같은 글리콜류, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메톡시프로필아세테이트, 카비톨아세테이트, 에틸카비톨아세테이트와 같은 아세테이트류, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산과 같은 에테르류, 메틸에틸케톤, 아세톤, 1-메틸-2-피롤리돈, 감마부티로락톤과 같은 케톤류, 헥산, 헵탄, 도데칸, 파라핀 오일, 미네랄 스피릿과 같은 탄화수소계, 벤젠, 톨루엔, 자일렌과 같은 방향족 탄화수소계, 그리고 클로로포름이나 메틸렌클로라이드, 카본테트라클로라이드와 같은 할로겐 치환용매, 아세토니트릴, 디메틸술폭사이드 또는 이들의 혼합용매 등을 사용할 수 있다.
상기 도전층의 코팅 방법은 코팅액의 물성에 따라 각각 스핀(spin) 코팅, 롤(roll) 코팅, 스프레이 코팅, 딥(dip) 코팅, 플로(flow) 코팅, 닥터 블레이드(doctor blade)와 디스펜싱(dispensing), 잉크젯 프린팅, 옵셋 프린팅, 스크린 프린팅, 패드(pad) 프린팅, 그라비아 프린팅, 플렉소(flexography) 프린팅, 스텐실 프린팅, 임프린팅(imprinting), 제로그라피(xerography), 리소그라피(lithography) 등을 선택하여 사용하는 것이 가능하다.
상기 도전층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 사용 목적에 따른 요구 물성을 기초로 적절한 두께가 선택될 수 있다. 예컨대 200nm 내지 800nm의 두께로 형성될 수 있으나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 제조방법은, 상기 도전층의 제조단계 후에, 300 ~ 700℃ 온도 범위 이내에서 소성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 바람직하게는, 300 ~ 600℃, 보다 바람직하게는 400 ~ 500℃에서 열처리하는 것이 막의 물성을 위하여 좋다. 부가적으로, 막의 균일성 향상을 위하여, 상기 범위 내에서 저온과 고온에서 2단계 이상 가열 처리방법을 사용할 수도 있다. 예를 들면 300 ~ 400℃에서 1 ~ 30분간 처리하고, 450 ~ 500℃에서 1 ~ 30분간 재처리하는 방법이다.
본 발명에서는 상기 도전성 피막의 제조 후, 후공정으로 플라즈마 화학기상증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 등의 공법으로 진공하에서 실리콘 옥사이드 (SiO2)나 실리콘 나이트라이드 (SiNx) 층 등을 증착하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 이와 같은 후공정을 수행하는 경우에도, 도전층 및 프라이머층의 기재에의 부착력은 우수하다.
본 발명의 제조방법에 의해 제조된 도전성 피막은 10 μΩ·㎝ 미만의 비저항, 및 10 ㎚ 미만의 표면조도 값을 나타낼 수 있으며, 이는 매우 우수한 도전성을 가질 수 있다는 것을 나타낸다. 상기 도전성 피막의 비저항은 10 μΩ·㎝ 미만, 더욱 바람직하게는 2 μΩ·㎝ 내지 8 μΩ·㎝ 이다. 상기 도전성 피막의 표면조도는 10 nm 미만, 더욱 바람직하게는 1 nm 내지 9 nm 이하이다.
본 발명에 따른 도전성 피막은 기재, 상기 기재상에 구비되고 유기산 금속염 또는 금속을 포함하는 프라이머층, 및 상기 프라이머층 상에 구비된 도전층을 포함하고, 10 μΩ·㎝ 미만의 비저항, 및 10 ㎚ 미만의 표면조도 값을 가질 수 있다. 본 발명에 따른 도전성 피막은 표시소자의 전원 인가용, 가전기기의 전자파 차폐막, LCD, OLED, FED, PDP 등 각종 디스플레이 분야의 전극으로 사용될 수 있다.
상기 도전성 피막은 특별한 패턴 없이 상기 프라이머층 전체에 형성된 형태일 수도 있으나, 특정 패턴으로 코팅되거나 피막 형성 후 패턴화 과정을 거쳐 패턴 형태를 가질 수 있다. 상기 패턴은 사용 목적에 따라 선택될 수 있으며, 본 발명의 범위가 특정 형태의 패턴으로 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 더 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 더 상세한 설명을 위한 것일 뿐 권리범위를 제한하기 위한 의도가 아님을 분명히 한다.
실시예
(프라이머 조성물의 제조)
프라이머 조성물 100 중량부를 기준으로, 주석 2-에틸 헥사노에이트 5 중량부, 에탄올 46.3 중량부, 이소프로필 셀로솔브 45 중량부, 페놀계 수지 3 중량부, 실리콘계 계면활성제 0.7 중량부를 혼합하여 프라이머 조성물을 제조하였다.
(도전성 코팅액 조성물의 제조)
도전성 코팅액 조성물 100 중량부를 기준으로, 입경 20 ~ 150 ㎚ 사이의 은나노입자 25 중량부, 에탄올 39.25 중량부, 이소프로필 셀로솔브 30 중량부, 부틸 카비톨 2 중량부, 페놀계 수지 3 중량부, 실리콘계 계면활성제 0.75 중량부를 포함한 도전성 피막 조성물을 제조하였다.
(도전성 피막의 제조)
상기 제조된 프라이머 조성물을 유리 기재에 건조 후 두께 약 20 ㎚로 유리 기재에 도포·건조하여 프라이머층을 형성한 후, 상기 제조된 도전성 코팅액을 건조 후 두께 약 400 ㎚로 상기 프라이머층에 도포·건조하였다. 이후 유리 기재를 450℃에서 10분간 소성하여 도전성 피막을 제조하였다.
비교예
실시예에의 상기 프라이머 조성물 도포없이, 상기 실시예의 도전성 코팅액 조성물만을 건조 후 두께 약 500 ㎚로 도포한 것을 제외하고는 실시예와 동일하게 도전성 피막을 제조하였다.
실험예
상기 실시예, 및 비교예를 대상으로 부착력, 비저항, 표면저항 및 후공정인 진공증착 안정성을 평가하였다. 평가 방법은 아래와 같다.
부착력은 ASTM D 3359 (Standard test methods for measuring adhesion by tape test)에 의거한 테이프 테스트법으로 평가하였다. 좀더 상세하게는, 소성한 도전성 피막에 블레이드로 가로·세로 각각 1 ㎜ 간격으로 11개씩의 크로스 커트(cross cut)를 만들고, 니치방테이프를 붙인 뒤 떼어내었을 때 남은 면적의 비율을 평가하였다.
비저항은 면저항을 4점 탐침(4-point probe)으로 측정하고, 두께는 서피스 프로파일러(surface profiler (알파스텝))으로부터 측정한 뒤 이 둘을 곱하고 단위를 맞추어 계산하였다.
후공정 안정성은 다음과 같이 평가하였다. 소성한 도전성 피막을 플라즈마 화학기상증착 (plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 챔버에 넣어 실리콘 나이트라이드 (silicon nitride; SiNx)를 400nm 내지 600 nm 두께로 350℃ 또는 250℃에서 증착하였다. 이후 실리콘 나이트라이드 층이 증착된 도전성 피막의 단면을 주사전자현미경 (SEM)으로 관찰하여 피막이 기재로부터 들뜨거나 벗겨지는 현상이 있는지 여부를 검사하였다.
상기 평가 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 실시예와 비교예에서 도전성 피막에 질화규소층을 PECVD 공정으로 증착한 후의 단면 SEM 사진을 각각 도 1 및 도 2에 첨부하였다.
실시예 비교예
비저항 3.03 4.13
표면조도 Ra (nm) 5 21
부착력 (% 잔류면적) 99% 이상 80% 이하

Claims (22)

  1. 기재 상에 프라이머 조성물을 도포 및 건조하여 프라이머층을 형성하는 단계; 및 상기 프라이머층 상에 금속 또는 금속화합물 입자를 포함하는 코팅액을 도포 및 건조하여 도전층을 형성하는 단계를 순차적으로 포함하고, 상기 프라이머 조성물은 유기산 금속염 또는 금속; 및 고분자 수지를 포함하고, 상기 고분자 수지는, 폴리우레탄 수지, 페놀 수지, 로진 수진, 폴리비닐피롤리돈 수지, 아크릴레이트 수지, 에폭시 수지 및 셀룰로오스 수지에서 선택되는 1종 이상, 또는 이들의 공중합체인 것인 도전성 피막의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 도전층을 형성하는 단계 후에, 300 ~ 700℃ 온도 범위 이내에서 소성하는 단계를 더 포함하는 것인 도전성 피막의 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 도전층 상에 플라즈마 화학기상증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD)을 이용하여 추가의 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 도전성 피막의 제조방법.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 추가의 층은 실리콘 옥사이드(SiO2)층 또는 실리콘 나이트라이드(SiNx)층인 것인 도전성 피막의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 프라이머 조성물은, 소성 후 프라이머층의 두께가 10nm 내지 40 ㎚ 범위 이내의 두께를 갖도록, 도포되는 것인 도전성 피막의 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 코팅액은, 소성 후 도전층의 두께가 200nm 내지 800 ㎚ 범위 이내의 두께를 갖도록, 도포되는 것인 도전성 피막의 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 유기산 금속염의 유기산은, 아세트산, 부틸산, 발레산, 아크릴산, 프로피온산, 벤조산, 이소부틸산, 피발산, n-헥산산, t-옥탄산, 2-에틸-헥산산, 네오데칸산, 라우르산, 스테아린산, 올레산, 나프텐산, 도데칸산 및 리놀산으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 도전성 피막의 제조방법.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 유기산 금속염의 금속염은, Ni, Bi, Sn, Ti, Pb, Pd, Cr, Co, Ge, Zn, Mo, Ta, Nb, W 및 V에서 선택되는 1종 이상의 금속염을 포함하는 것인 도전성 피막의 제조방법.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 프라이머 조성물 중의 금속은 Ni, Bi, Sn, Ti, Pb, Pd, Cr, Co, Ge, Zn, Mo, Ta, Nb, W, 및 V에서 선택되는 1종 이상인 것인 도전성 피막의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 기재는 유리 또는 세라믹인 것인 도전성 피막의 제조방법.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 코팅액은 은 입자를 포함하는 것인 도전성 피막의 제조방법.
  13. 유기산 금속염 또는 금속; 및 고분자 수지를 포함하고, 상기 고분자 수지는, 폴리우레탄 수지, 페놀 수지, 로진 수진, 폴리비닐피롤리돈 수지, 아크릴레이트 수지, 에폭시 수지 및 셀룰로오스 수지에서 선택되는 1종 이상, 또는 이들의 공중합체인 것인 프라이머 조성물.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 유기산 금속염의 유기산은, 아세트산, 부틸산, 발레산, 아크릴산, 피발산, n-헥산산, t-옥탄산, 이소부틸산, 벤조산, 프로피온산, 2-에틸-헥산산, 네오데칸산, 라우르산, 스테아린산, 올레산, 나프텐산, 도데칸산, 및 리놀산으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 프라이머 조성물.
  15. 청구항 13에 있어서, 상기 유기산 금속염의 금속염은, Ni, Bi, Sn, Ti, Pb, Pd, Cr, Co, Ge, Zn, Mo, Ta, Nb, W, 및 V에서 선택되는 1종 이상의 금속염을 포함하는 것인 프라이머 조성물.
  16. 청구항 13에 있어서, 상기 프라이머 조성물 중의 금속은 Ni, Bi, Sn, Ti, Pb, Pd, Cr, Co, Ge, Zn, Mo, Ta, Nb, W, 및 V에서 선택되는 1종 이상인 것인 프라이머 조성물.
  17. 청구항 13에 있어서, 유기산 금속염 또는 금속은 1 중량% 내지 20 중량%로 포함되는 것인 프라이머 조성물.
  18. 청구항 17에 있어서, 계면활성제 및 용매 중 적어도 하나를 추가로 포함하는 것인 프라이머 조성물.
  19. 삭제
  20. 제 1 항 내지 제 9 항, 제 11 항 및 제 12 항 중 어느 한 청구항의 방법으로 제조된 도전성 피막.
  21. 기재, 상기 기재상에 구비되고 유기산 금속염 또는 금속; 및 고분자 수지를 포함하는 프라이머층, 및 상기 프라이머층 상에 구비된 도전층을 포함하고, 상기 고분자 수지는 폴리우레탄 수지, 페놀 수지, 로진 수진, 폴리비닐피롤리돈 수지, 아크릴레이트 수지, 에폭시 수지 및 셀룰로오스 수지에서 선택되는 1종 이상, 또는 이들의 공중합체이며, 10 μΩ·㎝ 미만의 비저항, 및 10 ㎚ 미만의 표면조도 값을 갖는 도전성 피막.
  22. 제 21 항의 도전성 피막을 포함하는 전극.
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