KR101570189B1 - 탄화수소계 축합고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄화수소계 축합고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
Description
본 발명은 신규한 탄화수소계 축합고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기발광소자는 2개의 전극 사이에 유기박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기발광소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기박막의 재료로서, 정공주입, 정공수송, 전자블록킹, 정공블록킹, 전자수송 또는 전자주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기발광소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 발명은 신규한 탄화수소계 축합고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다:
상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R8이 수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접하는 기와 연결되어 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성한다.
또한, 본 발명은 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기발광소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화합물은 유기발광소자에서 정공주입재료, 정공수송재료, 발광재료, 전자수송재료, 전자주입재료 등의 역할을 할 수 있다. 특히, 상기 화합물이 유기발광소자의 발광층 재료로서 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 화합물은 단독으로 발광 재료로 사용될 수도 있고, 발광층의 호스트 재료 또는 도펀트 재료로서 사용될 수 있다.
도 1 내지 3은 본 발명의 실시상태들에 따른 유기발광소자의 전극과 유기물층의 적층순서를 예시한 것이다.
도 4는 화합물 353의 UV 데이터를 도시한 것이다.
도 5는 화합물 353의 PL 데이터를 도시한 것이다.
도 4는 화합물 353의 UV 데이터를 도시한 것이다.
도 5는 화합물 353의 PL 데이터를 도시한 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 상기 화학식 1로 표시될 수 있다. 본 발명에 따른 화합물은 코어 구조의 구조적 및 물성적 특성에 따라 유기발광소자의 유기물층 재료로 사용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐은 F, Cl, Br 및 I를 포함한다.
본 명세서에 있어서, 알킬은 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알킬의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알케닐은 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알케닐의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알키닐은 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알키닐의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알콕시는 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알콕시의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬은 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 시클로알킬의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로시클로알킬은 헤테로원자로서 S, O 또는 N을 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 헤테로시클로알킬의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다. 하나의 예로서, 헤테로시클로알킬기는 10,11-디하이드로-디벤조[b,f]아제핀기, 인돌리닐, 9,10-디하이드로아크리딘기를 포함한다.
본 명세서에 있어서, 아릴은 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 아릴의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 20일 수 있다. 아릴의 구체적인 예로는 페닐, 바이페닐, 트리페닐, 나프틸, 안트릴, 크라이세닐, 페난트레닐, 페릴레닐, 플루오란테닐, 트리페닐레닐, 페날레닐, 파이레닐, 테트라세닐, 펜타세닐, 플루오레닐, 인데닐, 아세나프틸레닐 등이나 이들의 축합고리가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 헤테로원자로서 S, O 또는 N을 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로아릴이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴 등일 수도 있다. 헤테로아릴의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다. 헤테로아릴의 구체적인 예로는 피리딜, 피롤릴, 피리미딜, 피리다지닐, 푸라닐, 티에닐, 이미다졸릴, 피라졸릴, 옥사졸릴, 이속사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 트리아졸릴, 푸라자닐, 옥사디아졸릴, 티아디아졸릴, 디티아졸릴, 테트라졸릴, 파이라닐, 티오파이라닐, 디아지닐, 옥사지닐, 티아지닐, 디옥시닐, 트리아지닐, 테트라지닐, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 퀴나졸리닐, 이소퀴나졸리닐, 아크리디닐, 페난트리디닐, 이미다조피리디닐, 디아자나프탈레닐, 트리아자인덴, 인돌릴, 벤조티아졸릴, 벤즈옥사졸릴, 벤조이미다졸릴, 벤조티오펜기, 벤조푸란기, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 카바졸릴, 벤조카바졸릴, 페나지닐 등이나 이들의 축합고리가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 스피로기는 스피로 구조를 포함하는 기로서, 탄소수 10 내지 60일 수 있다. 예컨대, 스피로기는 플루오렌기에 2,3-디하이드로-1H-인덴기 또는 시클로헥산기가 스피로 결합된 구조를 포함할 수 있다. 구체적으로, 스피로기는 하기 구조식의 기를 포함한다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"이란 할로겐; 시아노; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐옥시; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴옥시; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴옥시; 아세토페논기; 벤조페논기; C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 상기 추가의 치환기들은 추가로 더 치환될 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접하는 기와 연결되어 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성하되, R1 내지 R8이 모두 수소는 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R8 중 적어도 하나는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이거나, 인접하는 기와 연결되어 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이거나, 인접하는 기와 연결되어 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2 및 R3은 서로 동일하고, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1은 R2 및 R3와 동일하고, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1은 R2 및 R3와 상이하고, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R4는 수소; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R4는 수소; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7 중 적어도 하나는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이거나, 인접하는 기와 연결되어 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7는 서로 같거나 상이하고, 각각 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이거나, 인접하는 기와 연결되어 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R6 및 R7은 서로 동일하고, C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R5 및 R8은 수소; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1a 내지 1g 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1a]
[화학식 1b]
[화학식 1c]
[화학식 1d]
[화학식 1e]
[화학식 1f]
[화학식 1g]
상기 화학식 1a 내지 1g에 있어서,
R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R9 내지 R28은 수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접하는 기와 연결되어 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1a 내지 1g에 있어서, R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 치환 또는 비치환된 페닐, 치환 또는 비치환된 바이페닐, 치환 또는 비치환된 트리페닐, 치환 또는 비치환된 나프틸, 치환 또는 비치환된 안트릴, 치환 또는 비치환된 페난트레닐, 치환 또는 비치환된 인데닐, 치환 또는 비치환된 페릴레닐, 치환 또는 비치환된 파이레닐, 치환 또는 비치환된 아세나프탈레닐, 치환 또는 비치환된 플루오레닐, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐, 치환 또는 비치환된 페날레닐, 치환 또는 비치환된 피롤, 치환 또는 비치환된 피리딜, 치환 또는 비치환된 피리미딜, 치환 또는 비치환된 피리다지닐, 치환 또는 비치환된 트리아지닐, 치환 또는 비치환된 티에닐, 치환 또는 비치환된 푸라닐, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사졸, 치환 또는 비치환된 인돌릴, 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 치환 또는 비치환된 벤조카바졸릴, 치환 또는 비치환된 퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 디벤조푸란기, 치환 또는 비치환된 인돌리닐, 치환 또는 비치환된 10,11-디하이드로-디벤조[b,f]아제핀기, 치환 또는 비치환된 9,10-디하이드로아크리딘기, 플루오렌에 2,3-디하이드로-1H-인덴 또는 시클로헥산이 스피로 결합되고 치환 또는 비치환된 스피로기, 치환 또는 비치환된 디알킬아민, 치환 또는 비치환된 디아릴아민, 치환 또는 비치환된 알킬아릴아민, 치환 또는 비치환된 아세토페논기, 또는 치환 또는 비치환된 벤조페논기이다.
상기 화학식 1a 내지 1g에 있어서, R1 내지 R8이 1개 이상의 추가의 치환기를 가질 수 있으며, 이 때 그 추가의 치환기는 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 페닐, 바이페닐, 트리페닐, 나프틸, 안트릴, 페난트레닐, 인데닐, 페릴레닐, 파이레닐, 아세나프탈레닐, 플루오레닐, 플루오란테닐, 트리페닐레닐, 페날레닐, 피롤, 피리딜, 피리미딜, 피리다지닐, 트리아지닐, 티에닐, 푸라닐, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 인돌릴, 카바졸릴, 벤조카바졸릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 인돌리닐, 10,11-디하이드로-디벤조[b,f]아제핀기, 9,10-디하이드로아크리딘기, 플루오렌에 2,3-디하이드로-1H-인덴 또는 시클로헥산이 스피로 결합되고 스피로기, 디알킬아민, 디아릴아민, 또는 알킬아릴아민이다. 이들 추가의 치환기는 추가로 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 페닐, 바이페닐, 트리페닐, 나프틸, 안트릴, 페난트레닐, 인데닐, 페릴레닐, 파이레닐, 아세나프탈레닐, 플루오레닐, 플루오란테닐, 트리페닐레닐, 페날레닐, 피롤, 피리딜, 피리미딜, 피리다지닐, 트리아지닐, 티에닐, 푸라닐, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 인돌릴, 카바졸릴, 벤조카바졸릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 인돌리닐, 10,11-디하이드로-디벤조[b,f]아제핀기, 9,10-디하이드로아크리딘기, 플루오렌에 2,3-디하이드로-1H-인덴 또는 시클로헥산이 스피로 결합된 스피로기, 디알킬아민, 디아릴아민, 또는 알킬아릴아민으로 치환 또는 비치환될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1e에 있어서, R9 내지 R16은 수소이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1f에 있어서, R17 내지 R26은 수소이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1g에 있어서, R17 및 R18은 수소이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1g에 있어서, R27 및 R28은 수소; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1g에 있어서, R27 및 R28은 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이다.
상기 화학식 1의 화합물의 구체적인 예를 이하의 구조식들로 나타내지만, 이에만 한정되는 것은 아니다.
전술한 화합물들은 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다. 예컨대, 하기 반응식 1과 같은 방법으로 상기 화학식 1의 화합물을 제조할 수 있다. 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있다. 또한, 당기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다.
[반응식 1]
본 발명의 또 하나의 실시상태는 전술한 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다. 구체적으로, 본 발명에 따른 유기발광소자는 양극, 음극 및 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 화학식 1의 화합물을 포함한다.
도 1 내지 3에 본 발명의 실시상태들에 따른 유기발광소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 발명의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기발광소자의 구조가 본 발명에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기발광소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기발광소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기발광소자는 정공주입층(301), 정공수송층(302), 발광층(303), 전자수송층(304) 및 전자주입층(305)를 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층구조에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 유기물층 중 1층 이상에 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 단독으로 유기발광소자의 유기물층 중 1층 이상을 구성할 수 있다. 그러나, 필요에 따라 다른 물질과 혼합하여 유기물층을 구성할 수도 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자에서 정공주입재료, 정공수송재료, 발광재료, 전자수송재료, 전자주입재료 등으로 사용될 수 있다. 특히, 상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자의 발광층의 재료로서 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 발광층의 발광 물질로서 사용될 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 화합물은 발광층의 호스트 재료 또는 도펀트 재료로 사용될 수 있다. 상기 화학식 1의 화합물은 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용될 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 화합물은 다른 종류의 화합물과 혼합하여 사용될 수도 있다.
하나의 예로서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층이다.
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층이고, 이 발광층은 도펀트 재료를 추가로 포함한다.
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 형광 블루 발광층이고, 이 발광층은 형광 블루 도펀트 재료를 추가로 포함한다.
상기 도펀트 재료로는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 TBP(2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene), DSAPh(p-bis(p-N,N-diphenyl-aminostyryl)-benzene), DPAVBi(4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), BCzVBi(4,4'-(Bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1'-biphenyl), DPVBi(1,4-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl), TBPe(2,5,8,11-Tetra-tert-butylperylene), N-BDAVBi (N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine) 등이 있다.
본 발명에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다.
정공주입재료로는 공지된 정공주입재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 용해성이 있는 전도성 고분자인 Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid: 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonic acid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrene-sulfonate):폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 사용할 수 있다.
정공수송재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자수송재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질 뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자주입재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우 2 이상의 발광재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 발광재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수 도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
[제조 예 1] 화합물 1의 제조
화합물
1-1
의 제조
화합물 SM 1g(2.97m㏖), 에티닐벤젠(ethynylbenzene) 363mg(3.6m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 28mg(0.15m㏖), (Ph3P)2PdCl2 211mg(0.3m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-1을 862mg(81%)을 얻었다.
화합물
2-1
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 화합물 1-1 1g(2.8m㏖)를 30분동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-1을 1.15g(80%)을 얻었다.
화합물
301
의 제조
화합물 2-1 1g(1.9m㏖), 1,2-디페닐에틴(1,2-diphenylethyne) 6.9g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카(Florisil/Silica) 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 301을 620mg(60%)을 얻었다.
화합물
4-1
의 제조
화합물 301 1g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-1을 1.9g(95%)을 얻었다.
화합물
1
의 제조
화합물 4-1 1g(1.6m㏖), 페닐보론산(phenylboronic acid) 219mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루 동안 감압증류하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1을 740mg(76%)을 얻었다.
[제조 예 2] 화합물 2의 제조
화합물
1-2
의 제조
화합물 SM 1g(2.97m㏖), 1-에티닐나프탈렌(1-ethynylnaphthalene) 542mg(3.6m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 28mg(0.15m㏖), (Ph3P)2PdCl2 211mg(0.3m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-2를 983mg(81%)을 얻었다.
화합물
2-2
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분 동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 1-2 1.1g(2.8m㏖)를 30분동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-2를 1.26g(80%)을 얻었다.
화합물
302
제조
화합물 2-2 1g(1.8m㏖), 1,2-디페닐에틴(1,2-diphenylethyne)6.3g(35m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 118mg(1.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카(Florisil/Silica) 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 302를 629mg(60%)을 얻었다.
화합물
4-2
의 제조
화합물 302 1.1g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-2를 1.2g(95%)을 얻었다.
화합물
2
의 제조
화합물 4-2 1.06g(1.6m㏖), 페닐보론산(phenylboronic acid) 219mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루 동안 감압증류하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2를 801mg(76%)을 얻었다.
[제조 예 3] 화합물 11의 제조
화합물
303
의 제조
화합물 2-1 1g(1.9m㏖), 1,2-디(나프탈렌-1-일)에틴(1,2-di(naphthalen-1-yl)ethyne) 10.8g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카(Florisil/Silica) 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 303를 721mg(60%)을 얻었다.
화합물
4-11
의 제조
화합물 303 1.2g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-11를 1.3g(95%)을 얻었다.
화합물
11
의 제조
화합물 4-11 1.14g(1.6m㏖), 페닐보론산(phenylboronic acid) 219mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루동안 감압증류 하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 11을 862mg(76%)을 얻었다.
[제조 예 4] 화합물 18의 제조
화합물
1-18
의 제조
화합물 SM 1g(5.4m㏖), 에티닐벤젠(ethynylbenzene) 662mg(6.48m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 10.3mg(0.05mmpl), (Ph3P)2PdCl2 701.9mg(0.1 m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1- 18를 913mg(82%)을 얻었다.
화합물
2-18
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분 동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 1-18 577mg(2.8m㏖)를 30분 동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-18을 811mg(80%)을 얻었다.
화합물
304
의 제조
화합물 2-18 688mg(1.9m㏖), 1,2-디(나프탈렌-1-일)에틴(1,2-di(naphthalen-1-yl)ethyne) 10.8g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 304를 548mg(60%)을 얻었다.
화합물
4-18
의 제조
화합물 304 910mg(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4- 1를 1g(94%)을 얻었다.
화합물
18
의 제조
화합물 4-18 895mg(1.6m㏖), 페닐보론산(phenylboronic acid) 219mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루 동안 감압증류 하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 18을 677mg(76%)을 얻었다.
[제조 예 5] 화합물 109의 제조
화합물
1-109
의 제조
화합물 SM 1.3g(2.97m㏖), 에티닐벤젠(ethynylbenzene) 363mg(3.6m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 28mg(0.15mmpl), (Ph3P)2PdCl2 211mg(0.3m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-109를 1.13g(83%)을 얻었다.
화합물
2-109
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분 동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 1-109 1.3g(2.8m㏖)를 30분 동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-109를 1.29g(75%)을 얻었다.
화합물
305
의 제조
화합물 2-109 1.17g(1.9m㏖), 1,2-디(나프탈렌-2-일)에틴(1,2-di(naphthalen-2-yl)ethyne) 10.8g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 305를 891mg(64%)을 얻었다.
화합물
4-109
의 제조
화합물 305 1.39g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-109를 1.4g(92%)을 얻었다.
화합물
109
의 제조
화합물 4-109 1.3g(1.6m㏖), 페닐보론산(phenylboronic acid) 219mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루동안 감압증류 하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 109를 1g(73%)을 얻었다.
[제조 예 6] 화합물 129의 제조
화합물
306
의 제조
화합물 2-1 1g(1.9m㏖), 1,2-디(1H-인덴-5-일)에틴(1,2-di(1H-inden-5-yl)ethyne) 9.8g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 306을 752mg(65%)을 얻었다.
화합물
4-129
의 제조
화합물 306 1.16g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-129를 1.2g(92%)을 얻었다.
화합물
129
의 제조
화합물 4-18 1.1g(1.6m㏖), (1H-인덴-5-일)보론산((1H-inden-5-yl)boronic acid) 288mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루동안 감압증류 하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 129를 578mg(80%)을 얻었다.
[제조 예 7] 화합물 199의 제조
화합물
1-199
의 제조
화합물 SM 1.4g(2.97m㏖), 에티닐벤젠(ethynylbenzene) 363mg(3.6m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 28mg(0.15m㏖), (Ph3P)2PdCl2 211mg(0.3m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-199를 1.3g(86%)을 얻었다.
화합물
2-199
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 1-199 1.4g(2.8m㏖)를 30분동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-199를 1.3g(70%)을 얻었다.
화합물
307
의 제조
화합물 2-199 1.26g(1.9m㏖), 1,2-디(1H-인덴-5-일)에틴(1,2-di(1H-inden-5-yl)ethyne) 9.8g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 307을 951mg(66%)을 얻었다.
화합물
4-199
의 제조
화합물 307 1.4g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-199를 1.4g(90%)을 얻었다.
화합물
199
의 제조
화합물 4-199 1.3g(1.6m㏖), 1H-인덴-5-일보론산(1H-inden-5-ylboronic acid) 287mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루동안 감압증류 하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 199를 1g(73%)을 얻었다.
[제조 예 8] 화합물 203의 제조
화합물
1-203
의 제조
화합물 SM 1.48g(2.97m㏖), 1-에티닐나프탈렌(1-ethynylnaphthalene) 542mg(3.6m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 28mg(0.15mmpl), (Ph3P)2PdCl2 211mg(0.3 m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-203를 1.3g(82%)을 얻었다.
화합물
2-203
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 1-203 1.57g(2.8m㏖)를 30분동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-203을 1.38g(69%)을 얻었다.
화합물
308
의 제조
화합물 2-203 2g(1.9m㏖), 1,2-디(1H-인덴-5-일)에틴(1,2-di(1H-inden-5-yl)ethyne) 9.8g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 308을 940mg(69%)을 얻었다.
화합물
4-203
의 제조
화합물 308 1.4g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-203을 1.4g(90%)을 얻었다.
화합물
203
의 제조
화합물 4-203 1.3g(1.6m㏖), 페닐보론산(phenylboronic acid) 219mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루동안 감압증류 하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 203을 973mg(75%)을 얻었다.
[제조 예 9] 화합물 231의 제조
화합물
1-231
의 제조
화합물 SM 1.08g(2.97m㏖), 4-에티닐바이페닐(4-ethynylbiphenyl) 641mg(3.6m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 28mg(0.15mmpl), (Ph3P)2PdCl2 211mg(0.3 m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-231을 1.1g(81%)을 얻었다.
화합물
2-231
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 1-231 1.3g(2.8m㏖)를 30분 동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-231을 1.2g(70%)을 얻었다.
화합물
309
의 제조
화합물 2-231 1.2g(1.9 m㏖), 1,2-디(1H-인덴-5-일)에틴(1,2-di(1H-inden-5-yl)ethyne) 9.8g(38.8 m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1 m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9 m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 309를 834mg(69%)을 얻었다.
화합물
4-231
의 제조
화합물 309 1.2g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4- 231를 1.2g(90%)을 얻었다.
화합물
231
의 제조
화합물 4-231 1.1g(1.6m㏖), 바이페닐-4-일보론산(biphenyl-4-ylboronic acid) 356mg(1.8m㏖), K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루동안 감압증류하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 231을 946mg(75%)을 얻었다.
[제조 예 10] 화합물 280의 제조
화합물
1-280
의 제조
화합물 SM 1.1g(2.97m㏖), 9-에티닐-9H-카바졸(9-ethynyl-9H-carbazole) 688mg(3.6m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 28mg(0.15mmpl), (Ph3P)2PdCl2 211mg(0.3m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-280을 1.1g(82%)을 얻었다.
화합물
2-280
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 1-280 1.33g(2.8m㏖)를 30분동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-280을 1.3g(74%)을 얻었다.
화합물
310
의 제조
화합물 2-280 1.2g(1.9 m㏖), 1,2-di(pyridazin-3-yl)ethyne 7g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 Florisil/Silica 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 310을 887mg(71%)을 얻었다.
화합물
4-280
의 제조
화합물 310 1.2g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-280를 1.2g(90%)을 얻었다.
화합물
280
의 제조
화합물 4-280 1.18g(1.6m㏖), 9H-카바졸-9-일보론산(9H-carbazol-9-ylboronic acid) 380mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루동안 감압증류 하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 280을 1g(78%)을 얻었다.
[제조 예 11] 화합물 321의 제조
화합물
321
의 제조
화합물 1 3g(4.9m㏖)을 MC 60㎖에 용해 시킨다. 무수 염화철(Anhydrous ferric chloride) 15.9g(98m㏖)을 니트로메탄(nitromethane) 675㎖에 용해시킨후 화합물 1에 빨리 넣고 15초간 흔들어 주었다. 30분간 초음파파쇄기(sonicator)에 담근 후 2일간 실온에서 교반시켰다. 반응 완료 후 0.1M HCl용액으로 씻어준 뒤 0.1M NH4OH용액으로 씻어주었다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 뒤 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하였다. 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 321을 2.26g(76%)을 얻었다.
[제조 예 12] 화합물 331의 제조
화합물
1-331
의 제조
화합물 SM 1g(2.6m㏖), 에티닐벤젠(ethynylbenzene) 315mg(3.1m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 24mg(0.13m㏖), (Ph3P)2PdCl2 211mg(0.3m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-331을 956mg(90%)을 얻었다.
화합물
2-331
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분 동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 1-331 1.14g(2.8m㏖)를 30분 동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-331을 1.2g(79%)을 얻었다.
화합물
351
의 제조
화합물 2-331 1g(1.9m㏖), 1,2-디페닐에틴(1,2-diphenylethyne)6.9g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9 m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 351를 686mg(62%)을 얻었다.
화합물
3-331
의 제조
화합물 351 1g(1.9m㏖), NBS 368mg(2m㏖)을 DMF에 용해시킨 후 상온에서 6시간 교반시켰다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 3- 331를 1.15g(92%)을 얻었다.
화합물
352
의 제조
화합물 3-331 1.2g(1.6m㏖), 페닐보론산(phenylboronic acid) 219mg(1.8m㏖) K2CO3 663mg(4.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 15㎖/3㎖/3㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 92mg(0.08m㏖)을 적가시키고 하루동안 감압증류 하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 352를 811mg(77%)을 얻었다.
화합물
331
의 제조
화합물 352 3.2g(4.9m㏖)을 MC 60㎖에 용해 시킨다. 무수 염화철(Anhydrous ferric chloride) 15.9g(98m㏖)을 나이트로메탄(nitromethane) 675㎖에 용해시킨 후 화합물 352에 빨리 넣고 15초간 흔들어 주었다. 30분간 초음파파쇄기(sonicator)에 담근 후 2일간 실온에서 교반시켰다. 반응 완료 후 0.1M HCl용액으로 씻어준 뒤 0.1M NH4OH용액으로 씻어주었다. 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 뒤 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하였다. 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 331을 2.47g(77%)을 얻었다.
[제조 예 13] 화합물 353의 제조
화합물
5- 353
의 제조
화합물 1-브로모-3-아이오도벤젠 1.2g(4.1m㏖), 10-페닐안트라센-9-일)보론산((10-phenylanthracen-9-yl)boronic acid) 1g(3.4m㏖) K2CO3 939mg(6.8m㏖)을 톨루엔(Toluene)/H2O/EtOH 20㎖/4㎖/4㎖에 용해시킨 후 Pd(PPh3)4 195mg(0.17m㏖)을 적가시키고 하루 동안 감압증류하였다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 5-353를 1.1g(80%)을 얻었다.
화합물
4-353
의 제조
화합물 5-353 1g(2.6m㏖), 에티닐트리메틸실란(ethynyltrimethylsilane) 281mg(2.9m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 24mg(0.13m㏖), (Ph3P)2PdCl2 42mg(0.06m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 4-353을 776mg(70%)을 얻었다.
화합물
3-353
제조
화합물 4-353 1g(2.3m㏖), K2CO3 28mg(0.2m㏖)을 MeOH 20㎖에 용해시킨 후 상온에서 4시간 교반시킨다. 반응 완료 후 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 3-353을 587mg(72%)을 얻었다.
화합물
2-353
의 제조
화합물 3-353 1g(2.9m㏖), 2-브로모벤즈알데히드(2-bromobenzaldehyde) 592mg(3.2m㏖)를 TEA 22㎖에 용해시킨 후 CuI 28mg(0.15m㏖), (Ph3P)2PdCl2 42mg(0.06m㏖)을 적가시켰다. 50℃에서 3시간 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출한 후 EA층을 1N-HCl로 세척(washing)하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 2-353을 930mg(70%)을 얻었다.
화합물
1-353
의 제조
PPh3 5.9g(22m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 1.5g(22m㏖)를 0℃에서 디클로로메탄(Dichloromethane) 22㎖에 용해시킨 후 교반하며 화합물 CBr4 7.4g(22m㏖)을 30분 동안 소분해서 넣었다. 상온에서 1시간 더 교반시켰다. 0℃로 온도를 낮춘 후 2-353 1.28g(2.8m㏖)를 30분동안 소분해서 넣었다. 그 후 상온에서 하루 교반시켰다. 반응이 종결되면 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 1-353을 1.3g(75%)을 얻었다.
화합물
353
의 제조
화합물 1-353 1.2g(1.9m㏖), 1,2-디페닐에틴(1,2-diphenylethyne)6.9g(38.8m㏖), Pd(PPh3)2Cl2 70mg(0.1m㏖), 아연 분말(Zinc Powder) 127mg(1.9m㏖)을 톨루엔(Toluene)에 용해시킨 후 하루 동안 감압 증류하였다. 반응이 종결되면 식힌 후 플로리실/실리카 여과하였다(filter). 에틸아세테이트(Ethyl acetate), 물로 추출하였다. 유기층을 무수 나트륨 설페이트(Sodium sulfate)로 건조하여 여과하고, 용매를 다시 감압증류하여 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 분리 및 정제하여 목적화합물 353를 480mg(40%)을 얻었다.
화합물 353의 UV 데이터를 도 4에, PL 데이터를 도 5에 도시하였다. 도 4의 y축은 강도(intensity), x축은 파장(단위: ㎚)이다. 도 5의 y축은 강도(intensity), x축은 파장(단위: ㎚)이다.
하기 표 1에는 화합물 353의 호모(HOMO), 루모(LUMO) 및 밴드갭을 나타내었다.
| 호모 | 루모 | 밴드갭 |
| -5.43eV | -2.74eV | 2.68eV |
상기 제조예들과 같은 방법으로 화합물을 제조하고, 그 합성확인결과를 표 2에 나타내었다.
| 화합물 | 1H NMR(CDCl3, 200Mz) | MS/FAB | |
| found | calculated | ||
| 1 | δ=7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.52(8H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d). | 608.77 | 608.25 |
| 2 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.55(2H, t), 7.61(1H, t), 7.79(4H, d), 8.04(1H, d), 8.08(1H, d), 8.42(1H, d), 8.55(1H, d). | 658.83 | 658.27 |
| 3 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.58(1H, s), 7.59(2H, t), 7.73(1H, d), 7.79(4H, d), 7.92(1H, d), 8.00(2H, d). | 658.83 | 658.27 |
| 4 | δ=7.39(4H, t), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 7.91(4H, d), 8.27(1H, s). | 708.89 | 708.28 |
| 5 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.71(2H, d), 7.79(4H, d), 7.82(1H, t), 7.88(1H, d), 8.04(1H, d), 8.12(1H, d), 8.18(1H, d), 8.93(1H, d), 9.15(1H, s). | 708.89 | 708.28 |
| 6 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.71(2H, d), 7.79(4H, d), 7.82(1H, t), 7.88(1H, d), 7.94(1H, d), 8.04(1H, d), 8.12(1H, d), 8.89(1H, d), 8.93(1H, d). | 708.89 | 708.28 |
| 7 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.71(4H, d), 7.79(4H, d), 7.82(1H, t), 7.88(1H, d), 8.04(1H, d), 8.12(1H, d), 8.18(1H, d). | 732.91 | 732.28 |
| 11 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.55(4H, t), 7.61(2H, t), 7.79(4H, d), 8.04(2H, d), 8.08(2H, d), 8.42(2H, d), 8.55(2H, d). | 708.89 | 708.28 |
| 12 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.58(2H, s), 7.59(4H, t), 7.73(1H, d), 7.78(1H, s), 7.79(4H, d), 7.92(2H, d), 8.00(4H, d). | 708.89 | 708.28 |
| 13 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.71(4H, d), 7.79(4H, d), 7.82(2H, t), 7.88(2H, t), 7.94(2H, t), 7.94(2H, t), 8.04(2H, d), 8.12(2H, d), 8.89(2H, d), 8.93(2H, d). | 809.00 | 808.31 |
| 14 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.71(8H, d), 7.79(4H, d), 7.82(2H, t), 7.88(2H, t), 8.04(2H, d), 8.12(2H, d), 8.89(2H, d). | 857.05 | 856.31 |
| 15 | δ=1.72(12H, s), 7.28(2H, t), 7.38(2H, t), 7.41(4H, t), 7.44(2H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.53(2H, d), 7.54(2H, s), 7.55(2H, d), 7.79(4H, d), 7.83(2H, d), 7.87(2H, d). | 841.09 | 840.38 |
| 16 | δ=7.25(2H, t), 7.51(8H, t), 7.29(2H, t), 7.33(2H, t), 7.41(4H, t), 7.50(2H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.63(2H, d), 7.79(4H, d), 7.94(2H, t), 8.12(2H, d), 8.12(2H, d), 8.55(2H, d). | 786.96 | 786.30 |
| 17 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.71(4H, d), 7.79(4H, d), 7.82(2H, t), 7.88(2H, t), 8.04(2H, d), 8.12(2H, d), 8.18(2H, d), 8.93(2H, d), 9.15(2H, s). | 809.00 | 808.31 |
| 18 | δ=7.41(2H, t), 7.51(4H, t), 7.52(4H, d), 7.55(4H, t), 7.61(2H, t), 8.04(2H, d), 8.08(2H, d), 8.10(2H, t), 8.42(4H, d), 8.55(2H, d). | 556.69 | 556.22 |
| 19 | δ=7.41(2H, t), 7.51(4H, t), 7.52(4H, d), 7.58(2H, s), 7.59(4H, t), 7.73(2H, d), 7.92(2H, d), 8.00(4H, d), 8.10(2H, t), 8.42(2H, d). | 556.69 | 556.22 |
| 20 | δ=7.41(2H, t), 7.51(4H, t), 7.52 (4H, d), 7.71(4H, d), 7.82(2H, t), 7.88(2H, t), 7.94(2H, t), 8.04(1H, d), 8.10(2H, t), 8.12(2H, d), 8.42(2H, d), 8.89(2H, s), 8.93(2H, d). | 656.81 | 565.25 |
| 21 | δ=7.25(4H, d), 7.41 (6H, t), 7.51(12H, t), 7.52 (8H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d). | 684.86 | 684.28 |
| 22 | δ=7.25(4H, d), 7.41 (5H, t), 7.51(10H, t), 7.52 (6H, d), 7.54(2H, s), 7.55(2H, d), 7.61(1H, t), 7.79(4H, d), 8.04(1H, d), 8.08(1H, s), 8.42(1H, d), 8.55(1H, s). | 734.92 | 734.30 |
| 23 | δ=7.25(4H, d), 7.41 (5H, t), 7.51(10H, t), 7.52 (6H, d), 7.54(2H, s), 7.58(1H, s), 7.59(2H, t), 7.73(1H, d), 7.79(4H, d), 7.92(1H, d), 8.00(2H, d). | 734.92 | 734.30 |
| 24 | δ=7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.52(8H, d), 7.54(2H, s), 7.48(2H, d), 7.57(1H, t), 7.70(1H, s), 7.79(4H, d). | 684.86 | 684.28 |
| 25 | δ=7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.47(2H, d), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.79(6H, d), 7.85(2H, d). | 684.86 | 684.28 |
| 26 | δ=3.22(1H, s), 6.39(1H, d), 6.58(1H, d), 7.27(1H, t), 7.29(1H, d), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 7.83(1H, s). | 646.82 | 646.27 |
| 27 | δ=3.22(1H, d), 6.39(1H, t), 6.58(1H, d), 7.21(1H, d), 7.29(1H, d), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52 (6H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 8.10(1H, d). | 646.82 | 646.27 |
| 28 | δ=3.22(1H, s), 6.94(1H, s), 7.21(2H, t), 7.26(1H, d), 7.33(1H, d), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(4H, d), 7.16(2H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d). | 646.82 | 646.27 |
| 29 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.53(12H, t), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 8.01(1H, d), 8.18(1H, d). | 665.84 | 665.22 |
| 30 | δ=7.39(2H, d), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.74(2H, t), 7.79(4H, d). | 649.78 | 649.24 |
| 31 | δ=7.25(8H, d), 7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.52(8H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d). | 760.96 | 760.31 |
| 33 | δ=7.25(8H, d), 7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.58(2H, s), 7.59(4H, t), 7.73(2H, d), 7.79(4H, d), 7.92(2H, d), 8.00(4H, d). | 861.08 | 860.34 |
| 35 | δ=7.41(4H, t), 7.48(4H, d), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.57(2H, t), 7.58(2H, s), 7.59(4H, t), 7.70(2H, s), 7.73(2H, d), 7.79(4H, d), 7.92(2H, d), 8.00(4H, d). | 861.08 | 860.34 |
| 37 | δ=7.41(6H, t), 7.47(4H, t), 7.51(12H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.79(8H, d), 7.85(4H, d). | 760.96 | 760.31 |
| 39 | δ=3.22(2H, s), 6.39(2H, t), 6.58(2H, d), 7.21(2H, d), 7.24(2H, d), 7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 7.83(2H, s). | 684.86 | 684.28 |
| 41 | δ=6.52(1H, d), 7.41(5H, t), 7.45(1H, t), 7.50(2H, d), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.58(2H, t), 7.60(1H, d), 7.62(1H, s), 7.79(4H, d), 8.10(1H, d), 8.49(1H, d). | 723.90 | 723.29 |
| 43 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.58(1H, t), 7.79(5H, d), 7.80(1H, d), 7.90(1H, d), 7.96(1H, d), 8.10(2H, t), 8.42(2H, d). | 732.91 | 732.28 |
| 44 | δ=7.41(5H, t), 7.47(2H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.58(1H, s), 7.59(2H, t), 7.73(1H, d), 7.79(4H, d), 7.85(2H, d), 7.92(1H, d), 8.00(2H, d). | 734.92 | 734.30 |
| 47 | δ=7.15(2H, d), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.58(1H, t), 7.79(5H, d), 7.80(1H, d), 7.90(1H, d), 7.96(1H, d). | 682.85 | 682.27 |
| 49 | δ=7.39(4H, t), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.55(2H, t), 7.61(1H, t), 7.79(4H, d), 7.91(4H, d), 8.04(1H, d), 8.08(1H, d), 8.42(1H, d), 8.55(1H, d). | 835.05 | 834.33 |
| 51 | δ=7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.52(8H, d), 7.54(2H, s), 7.58(2H, s), 7.73(2H, d), 7.79(4H, d), 7.92(2H, d). | 734.92 | 734.30 |
| 53 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.55(2H, t), 7.58(2H, s), 7.61(1H, t), 7.73(4H, d), 7.92(2H, d), 8.04(1H, d), 8.08(1H, d), 8.42(1H, d), 8.55(1H, d). | 784.98 | 784.31 |
| 54 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.55(2H, t), 7.61(2H, t), 7.79(4H, d), 7.89(1H, s), 7.95(1H, d), 8.04(2H, d), 8.08(2H, d), 8.14(1H, d), 8.42(2H, d), 8.55(1H, d). | 784.98 | 784.31 |
| 55 | δ=7.25(4H, d), 7.41(6H, t), 7.48(2H, d), 7.51(12H, t), 7.52(8H, d), 7.54(2H, s), 7.57(1H, t), 7.70(1H, s), 7.79(4H, d). | 760.96 | 760.31 |
| 56 | δ=7.25(4H, d), 7.41(6H, t), 7.47(2H, t), 7.51(12H, t), 7.52(8H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 7.85(2H, d). | 760.96 | 760.31 |
| 57 | δ=1.72(2H, d), 7.25(4H, d), 7.28(1H, t), 7.34(1H, t), 7.38(1H, t), 7.41(5H, t), 7.51(1H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.55(1H, d), 7.63(1H, d), 7.79(4H, d), 7.87(1H, d). | 801.02 | 800.34 |
| 59 | δ=7.25(1H, t), 7.33(1H, t), 7.41(5H, t), 7.43(1H, t), 7.45(1H, t), 7.50(2H, d), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.58(2H, t), 7.59(1H, d), 7.79(5H, d), 7.94(1H, d), 8.55(1H, d). | 773.96 | 773.31 |
| 60 | δ=7.29(1H, t), 7.41(5H, t), 7.45(1H, t), 7.50(3H, d), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.58(2H, t), 7.79(4H, d), 7.77(1H, s), 7.63(1H, d), 8.00(1H, d), 8.18(1H, d). | 773.96 | 773.31 |
| 61 | δ=6.52(2H, d), 7.41(4H, t), 7.45(2H, t), 7.50(4H, d), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.58(4H, t), 7.60(2H, d), 7.62(2H, d), 7.79(4H, d), 8.10(2H, d), 8.49(2H, d). | 839.03 | 838.33 |
| 62 | δ=7.41(4H, t), 7.47(2H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(6H, m), 7.69(2H, d), 7.79(4H, d), 8.03(2H, d), 8.30(4H, d), 8.78(2H, d). | 762.94 | 762.30 |
| 63 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.58(2H, d), 7.69(2H, d), 7.79(6H, d), 7.80(2H, d), 7.90(2H, d), 7.96(2H, d), 8.10(4H, t), 8.42(4H, d). | 857.05 | 856.31 |
| 66 | δ=7.39(4H, t), 7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.52(8H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 7.91(4H, d). | 784.98 | 874.31 |
| 67 | δ=7.15(4H, d), 7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.58(2H, d), 7.79(6H, d), 7.80(2H, d), 7.90(2H, d), 7.96(2H, d). | 756.93 | 756.28 |
| 69 | δ=7.39(4H, d), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.55(2H, t), 7.61(1H, t), 7.79(4H, d), 7.91(4H, d) 8.04(1H, d), 8.08(1H, d), 8.42(1H, d), 8.55(1H, d). | 835.04 | 834.33 |
| 109 | δ=7.41(2H, t), 7.51(4H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.58(4H, s), 7.59(8H, t), 7.73(4H, d), 7.92(4H, d) 8.00(8H, d). | 809.00 | 808.31 |
| 129 | δ=3.22(3H, s), 6.39(3H, s), 6.58(3H, s), 7.21(3H, d), 7.24(3H, d), 7.41(3H, t), 7.51(6H, t), 7.52(2H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 7.83(3H, d). | 722.91 | 722.30 |
| 199 | δ=3.22(3H, s), 6.39(3H, s), 6.58(3H, s), 7.21(3H, m), 7.24(3H, d), 7.41(2H, t), 7.51(4H, t), 7.52(2H, d), 7.54(2H, s), 7.71(2H, d), 7.79(2H, d), 7.82(2H, t), 7.83(3H, d), 7.88(2H, d), 8.10(1H, d), 8.12(1H, d), 8.34(1H, s), 8.93(2H, d). | 872.34 | 873.09 |
| 203 | δ=7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.52(12H, d), 7.58(2H, d), 7.59(4H, t), 7.73(2H, s), 7.92(2H, d) 8.00(3H, d). | 861.08 | 860.34 |
| 231 | δ=2.34(6H, s), 7.25(8H, d), 7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.52(11H, d). | 789.01 | 788.34 |
| 280 | δ=2.34(6H, s), 7.25(2H, t), 7.27(2H, t), 7.29(2H, t), 7.33(2H, t), 7.61(2H, t), 7.94(1H, d), 8.03(1H, d), 8.03(1H, d), 8.09(2H, d), 8.12(2H, d), 8.55(1H, d), 8.98(2H, d), 9.34(1H, d). | 822.91 | 822.30 |
| 301 | δ=7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(6H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d). | 532.67 | 532.22 |
| 302 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(4H, d), 7.54(2H, s), 7.61(1H, t), 7.79(4H, d), 8.04(1H, d), 8.08(1H, d), 8.42(1H, d), 8.55(1H, d). | 582.73 | 582.23 |
| 303 | δ=7.41(3H, t), 7.51(7H, t), 7.52(2H, d), 7.54(2H, s), 7.55(4H, t), 7.79(4H, d), 8.04(2H, d), 8.08(2H, d), 8.55(2H, d). | 632.79 | 632.25 |
| 304 | δ=7.41(1H, t), 7.51(2H, t), 7.52(2H, d), 7.54(4H, t), 7.61(2H, t), 8.04(2H, d), 8.08(2H, d), 8.1(2H, t), 8.42(2H, d), 8.55(2H, d). | 480.60 | 480.19 |
| 305 | δ=7.41(1H, t), 7.51(2H, t), 7.52(2H, d), 7.54(2H, s), 7.58(4H, s), 7.59(8H, t), 7.73(4H, d), 7.92(4H, d), 8.00(8H, d). | 732.91 | 732.28 |
| 306 | δ=3.22(4H, s), 6.39(2H, d), 6.58(2H, d), 7.21(2H, d), 7.24(2H, d), 7.41(3H, t), 7.51(6H, t), 7.52(2H, d), 7.54(2H, s), 7.79(4H, d), 7.83(2H, d). | 608.77 | 608.25 |
| 307 | δ=3.22(4H, s), 6.31(2H, s), 6.58(2H, d), 7.21(2H, d), 7.24(2H, d), 7.41(2H, t), 7.51(4H, t), 7.52(2H, d), 7.54(2H, s), 7.88(2H, t), 8.04(1H, d), 8.12(1H, d), 8.18(1H, d), 8.93(2H, d), 9.15(1H, d). | 758.94 | 8758.30 |
| 308 | δ=7.41(6H, t), 7.51(12H, t), 7.52(12H, d), 7.58(1H, s), 7.59(2H, t), 8.00(2H, d), 8.12(1H, d), 8.18(1H, d), 8.93(2H, d), 9.15(1H, d). | 734.92 | 734.30 |
| 309 | δ=2.34(6H, s), 7.25(4H, d), 7.41(5H, t), 7.51(10H, t), 7.52(10H, d). | 636.82 | 636.28 |
| 310 | δ=2.34(6H, s), 7.25(1H, t), 7.27(2H, t), 7.29(1H, t), 7.33(1H, t), 7.61(2H, t), 7.63(1H, t), 8.03(1H, d), 8.09(3H, d), 8.12(1H, d), 8.55(1H, d), 8.98(2H, d), 9.34(1H, d). | 657.72 | 657.24 |
| 321 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(8H, d), 7.82(2H, t), 7.88(2H, t), 8.12(3H, d), 8.93(3H, d). | 606.75 | 606.23 |
| 331 | δ=7.41(4H, t), 7.51(8H, t), 7.52(8H, d), 7.82(2H, t), 7.88(2H, t), 8.12(2H, d), 8.31(2H, s), 8.93(2H, d). | 656.81 | 656.25 |
| 353 | δ=7.39(3H, t), 7.41(3H, t), 7.48(4H, d), 7.51(6H, t), 7.52(6H, d), 7.57(1H, t), 7.70(1H, s), 7.91(4H, d), 8.10(2H, t), 8.42(2H, d). | 632.79 | 632.25 |
비교예
:
OLED
소자 제작
우선, OLED용 글래스(삼성-코닝사 제조)로부터 얻어진 투명전극 ITO 박막을, 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올, 증류수를 순차적으로 사용하여 초음파 세척을 실시하고, 이소프로필알코올에 세척 후 사용하였다.
다음으로, 진공 증착 장비의 기판 폴더에 ITO 기판을 설치하고, 진공 증착 장비 내의 진공도가 10-7 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 하기 4,4',4"-트리스(N,N-(2-나프틸)-페닐아미노)트리페닐 아민(4,4',4"-tris(N,N-(2-naphthyl)-phenylamino)triphenyl amine: 2-TNATA)를 기상 증착시켜 ITO 기판 상에 600Å 두께의 정공 주입층을 증착하였다.
이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 하기 N,N'-비스(2-나프틸)-N,N'-디페닐-4,4'-디아민(N,N'-bis(2-naphthyl)-N,N'-diphenyl-4,4'-diamine: NPB)을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 정공주입층 위에 250Å의 두께의 정공수송층을 증착하였다.
상기 정공주입층, 정공수송층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 증착시켰다. 진공 증착 장비 내의 한쪽 셀에 발광 재료로 하기 호스트를 넣고, 다른 셀에는 하기 도펀트를 넣었다.
이어서, 두 셀을 같이 가열, 상기 도펀트의 증착속도 비율을 5 중량%(호스트:도펀트= 95:5)로 증착함으로써 상기 정공 전달층 위에 200Å의 두께로 발광층을 증착하였다. 이어서, 전자수송층으로서 하기 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄(Ⅲ)(Alq)를 200Å 두께로 증착하였다.
그 후, 전자주입층으로 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å의두께로 증착하였다. 그리고, Al 음극을 1200Å의 두께로 증착하여 OLED를 제작하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
실시예
:
OLED
소자 제작
발광층의 재료로서 비교예의 α-AND 대신 합성실험 예 1 내지 68에서 제조된 화합물을 이용한 것을 제외하고는 비교예와 같은 방식으로 OLED를 제작하였다.
시험예
1:
OLED
의 특성 평가
전술한 바와 같이 제작한 OLED소자의 구동전압(V), 전력효율(cd/A) 및 구동 수명을 1,000cd/m2 에서 그리고, 효율이 50%까지 떨어질 때까지의 시간을 하기 표 3에 기재하였다.
| 실시예 No. | 화합물 No. | Op.V | Cd/A | T50 |
| 1 | 1 | 5.12 | 4.3 | 410 |
| 2 | 2 | 5.11 | 4.5 | 430 |
| 3 | 3 | 5.04 | 4.6 | 460 |
| 4 | 4 | 5.04 | 4.7 | 480 |
| 5 | 5 | 5.08 | 4.5 | 440 |
| 6 | 6 | 5.06 | 4.5 | 440 |
| 7 | 7 | 5.04 | 4.7 | 480 |
| 8 | 11 | 5.04 | 4.7 | 480 |
| 9 | 12 | 5.08 | 4.6 | 470 |
| 10 | 13 | 5.11 | 4.3 | 390 |
| 11 | 14 | 5.10 | 4.5 | 460 |
| 12 | 15 | 5.11 | 4.4 | 420 |
| 13 | 16 | 5.09 | 4.5 | 440 |
| 14 | 17 | 5.09 | 4.5 | 450 |
| 15 | 18 | 5.00 | 4.6 | 460 |
| 16 | 19 | 4.99 | 4.6 | 470 |
| 17 | 20 | 4.98 | 4.6 | 480 |
| 18 | 21 | 5.09 | 4.6 | 440 |
| 19 | 22 | 4.99 | 4.7 | 480 |
| 20 | 23 | 5.06 | 4.7 | 480 |
| 21 | 24 | 5.08 | 4.7 | 460 |
| 22 | 25 | 5.06 | 4.7 | 460 |
| 23 | 26 | 5.06 | 4.7 | 460 |
| 24 | 27 | 5.06 | 4.7 | 470 |
| 25 | 28 | 4.94 | 4.8 | 510 |
| 26 | 29 | 5.08 | 4.7 | 460 |
| 27 | 30 | 4.96 | 4.7 | 500 |
| 28 | 31 | 5.05 | 4.8 | 490 |
| 29 | 33 | 5.08 | 4.5 | 440 |
| 30 | 35 | 5.07 | 4.6 | 470 |
| 31 | 37 | 5.06 | 4.8 | 480 |
| 32 | 39 | 4.98 | 4.7 | 470 |
| 33 | 41 | 4.94 | 4.8 | 510 |
| 34 | 43 | 4.95 | 4.8 | 510 |
| 35 | 44 | 5.03 | 4.6 | 450 |
| 36 | 47 | 5.01 | 4.6 | 460 |
| 37 | 49 | 4.98 | 4.7 | 470 |
| 38 | 51 | 5.01 | 4.8 | 510 |
| 39 | 53 | 5.07 | 4.5 | 430 |
| 40 | 54 | 5.06 | 4.5 | 450 |
| 41 | 57 | 5.04 | 4.6 | 470 |
| 42 | 59 | 5.04 | 4.8 | 490 |
| 43 | 60 | 4.95 | 4.9 | 510 |
| 44 | 61 | 4.93 | 4.9 | 520 |
| 45 | 62 | 5.03 | 4.7 | 460 |
| 46 | 63 | 5.01 | 4.7 | 480 |
| 47 | 66 | 4.98 | 4.8 | 500 |
| 48 | 67 | 4.97 | 4.8 | 510 |
| 49 | 69 | 4.98 | 4.9 | 530 |
| 50 | 109 | 5.06 | 4.8 | 450 |
| 51 | 129 | 5.04 | 4.8 | 490 |
| 52 | 199 | 5.01 | 4.8 | 490 |
| 53 | 203 | 4.99 | 5.1 | 540 |
| 54 | 231 | 4.89 | 4.9 | 520 |
| 55 | 280 | 4.88 | 5.0 | 530 |
| 56 | 301 | 4.87 | 5.1 | 540 |
| 57 | 302 | 4.91 | 5.0 | 530 |
| 58 | 303 | 4.88 | 5.1 | 540 |
| 59 | 304 | 4.86 | 5.1 | 540 |
| 60 | 305 | 4.83 | 5.2 | 550 |
| 61 | 306 | 4.89 | 4.9 | 520 |
| 62 | 307 | 4.93 | 5.3 | 580 |
| 63 | 308 | 4.83 | 5.2 | 580 |
| 64 | 309 | 4.99 | 4.6 | 570 |
| 65 | 310 | 4.98 | 4.6 | 580 |
| 66 | 321 | 5.09 | 4.6 | 540 |
| 67 | 331 | 4.99 | 4.7 | 580 |
| 68 | 353 | 4.83 | 5.0 | 580 |
| 비교예 1 | α-ADN | 6.78 | 4.4 | 370 |
100 기판
200 양극
300 유기물층
301 정공주입층
302 정공수송층
303 발광층
304 전자수송층
305 전자주입층
400 음극
200 양극
300 유기물층
301 정공주입층
302 정공수송층
303 발광층
304 전자수송층
305 전자주입층
400 음극
Claims (10)
- 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 유기물층은 발광층을 포함하며,
상기 발광층은 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자:
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R3이 수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R4 내지 R8이 수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접하는 기와 연결되어 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성하고,
상기 "치환 또는 비치환"이란 할로겐; 시아노; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 할로알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐옥시; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐옥시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴옥시; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴옥시; 아세토페논기; 벤조페논기; C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. - 청구항 1에 있어서, R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고, R1 내지 R8이 모두 수소는 아니고,
상기 "치환 또는 비치환"은 청구항 1에서의 정의와 동일한 것인 유기발광소자. - 청구항 1에 있어서, R1 내지 R8 중 적어도 하나는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 치환 또는 비치환된 아세토페논기; 치환 또는 비치환된 벤조페논기; 치환 또는 비치환된 C10 내지 C60의 스피로기; 또는 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민이고,
상기 "치환 또는 비치환"은 청구항 1에서의 정의와 동일한 것인 유기발광소자. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1a 내지 1g 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기발광소자:
[화학식 1a]
[화학식 1b]
[화학식 1c]
[화학식 1d]
[화학식 1e]
[화학식 1f]
[화학식 1g]
상기 화학식 1a 내지 1g에 있어서,
R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R9 내지 R28은 수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 치환 또는 비치환된 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴; 및 C1 내지 C20의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접하는 기와 연결되어 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 탄화수소 고리 또는 지방족 또는 방향족의 치환 또는 비치환의 단환 또는 다환의 헤테로 고리를 형성하고,
상기 "치환 또는 비치환"은 청구항 1에서의 정의와 동일하다. - 청구항 4에 있어서, 화학식 1a 내지 1g에 있어서, R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 치환 또는 비치환된 페닐, 치환 또는 비치환된 바이페닐, 치환 또는 비치환된 트리페닐, 치환 또는 비치환된 나프틸, 치환 또는 비치환된 안트릴, 치환 또는 비치환된 페난트레닐, 치환 또는 비치환된 인데닐, 치환 또는 비치환된 페릴레닐, 치환 또는 비치환된 파이레닐, 치환 또는 비치환된 아세나프탈레닐, 치환 또는 비치환된 플루오레닐, 치환 또는 비치환된 플루오란테닐, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐, 치환 또는 비치환된 페날레닐, 치환 또는 비치환된 피롤, 치환 또는 비치환된 피리딜, 치환 또는 비치환된 피리미딜, 치환 또는 비치환된 피리다지닐, 치환 또는 비치환된 트리아지닐, 치환 또는 비치환된 티에닐, 치환 또는 비치환된 푸라닐, 치환 또는 비치환된 벤조티아졸, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사졸, 치환 또는 비치환된 인돌릴, 치환 또는 비치환된 카바졸릴, 치환 또는 비치환된 벤조카바졸릴, 치환 또는 비치환된 퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀릴, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 디벤조푸란기, 치환 또는 비치환된 인돌리닐, 치환 또는 비치환된 10,11-디하이드로-디벤조[b,f]아제핀기, 치환 또는 비치환된 9,10-디하이드로아크리딘기, 플루오렌에 2,3-디하이드로-1H-인덴 또는 시클로헥산이 스피로 결합되고 치환 또는 비치환된 스피로기, 치환 또는 비치환된 디알킬아민, 치환 또는 비치환된 디아릴아민, 치환 또는 비치환된 알킬아릴아민, 치환 또는 비치환된 아세토페논기, 또는 치환 또는 비치환된 벤조페논기이고,
상기 "치환 또는 비치환"은 청구항 1에서의 정의와 동일한 것인 유기발광소자. - 청구항 4에 있어서, 화학식 1a 내지 1g에 있어서, R9 내지 R26은 수소인 것인 유기발광소자.
- 청구항 4에 있어서, 화학식 1a 내지 1g에 있어서, R27 내지 R28은 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 아릴; 또는 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이고,
상기 "치환 또는 비치환"은 청구항 1에서의 정의와 동일한 것인 유기발광소자. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택되는 것인 유기발광소자:
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