KR101564900B1 - 적응형 전압 스케일링 시스템 및 방법 - Google Patents

적응형 전압 스케일링 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

일 특정한 방법은, 적응형 전압 스케일링(AVS) 시스템에 의해 권고를 송출하기에 앞서, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하기 위해 AVS 동작의 제 1 반복을 수행하여 제 1 조절 권고를 결정하는 단계를 포함한다. 방법은, AVS 동작의 적어도 하나의 부가적인 반복을 수행하여 적어도 하나의 부가적인 조절 권고를 결정하는 단계를 더 포함한다. 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 일관되는 경우, 방법은, AVS 시스템에 의해 권고를 송출하는 단계를 포함한다.

Description

적응형 전압 스케일링 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD OF ADAPTIVE VOLTAGE SCALING}
[0001] 본 개시는 일반적으로 반도체 디바이스들에서의 적응형 전압 스케일링에 관한 것이다.
[0002] 반도체 다이는, 사용 중이지 않은 경우 선택적으로 전력 오프(power off)되어, 반도체 다이에서의 전력 소비를 개선할 수도 있는 다수의 시스템들(예를 들어, 코어들)을 포함할 수도 있다. 적응형 전압 스케일링(Adaptive voltage scaling)(AVS) 시스템은, 반도체 다이 상에 구현되어, 동작 조건들을 주기적으로 모니터링하고, 전압 조정기(예를 들어, 외부 전력 관리 집적 회로(PMIC))에 권고(recommendation)들을 송출(issue)하여 공급 전압을 증가 또는 감소시킬 수도 있다. 전압 조정기가 AVS 권고에 대해 상대적으로 느린 응답 시간을 갖는 경우, 공급 전압이 변경 중인 것과 같은 공급 전압의 트랜션트(transient) 동안 AVS의 다음 모니터링 동작이 발생할 수도 있다. 결과적으로, AVS 제어기는, 공급 전압이 감소된 값으로 안정(settle)된 이후 대신에, 트랜션트 동안에 측정된 전압에 기초하여 다음 권고를 송출할 수도 있으며, 이는 전력 공급의 불안정성을 초래할 수도 있다.
[0003] 일 특정한 실시예에서, AVS 시스템은, 전압 제어기에 권고를 송출하기 이전에, 반도체 디바이스로부터의 정보를 샘플링하는 다수의 센서들로부터 획득된 데이터에 기초하여, AVS 시스템이 임계 개수의 일관된(consistent) 조절 권고들을 결정할 때까지 대기하도록 구성된다. 권고는, 반도체 디바이스의 공급 전압을 증가시키기 위한 권고와 같이, 반도체 디바이스와 연관된 동작 특성을 변경하기 위한 것일 수도 있다. 임계 개수의 일관된 조절 권고들을 대기함으로써, AVS 시스템은, 반도체 디바이스가 트랜션트 상태에 있는 동안 획득된 데이터에 기초하여 권고를 송출하는 것을 회피할 수도 있다. 따라서, AVS 시스템은 증가된 안정성으로 동작할 수도 있다.
[0004] 일 특정한 실시예에서, 방법은, AVS 시스템에 의해 권고를 송출하는 단계를 포함한다. 권고를 송출하기에 앞서, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하도록 AVS 동작의 제 1 반복(iteration)이 수행되어 제 1 조절 권고를 결정할 수도 있다. 또한, AVS 동작의 적어도 하나의 부가적인 반복이 수행되어 적어도 하나의 부가적인 조절 권고를 결정할 수도 있다. 제 1 조절 권고, 및 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각이 일관되는 경우, AVS 시스템은 권고(예를 들어, 전력을 증가시키거나 감소시키기 위한 권고)를 송출할 수도 있다.
[0005] 다른 특정한 실시예에서, 장치는, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하도록 구성되는 다수의 센서들을 포함하는 AVS 시스템을 포함한다. 제어기는, 센서들에 커플링되어, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하는 것을 포함하는 AVS 동작의 각각의 반복에 대한 조절 권고를 결정할 수도 있다. 제어기는, 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 일관된 것에 응답하여 권고(예를 들어, 전력을 증가시키거나 감소시키기 위한 권고)를 송출하도록 추가적으로 구성될 수도 있다.
[0006] 다른 특정한 실시예에서, 장치는, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하기 위한 수단을 포함한다. 장치는, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하는 것을 포함하는 AVS 동작의 각각의 반복에 대한 조절 권고를 결정하기 위한 수단을 더 포함한다. 장치는, 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 일관된 것에 응답하여 권고(예를 들어, 전력을 증가시키거나 감소시키기 위한 권고)를 송출하기 위한 수단을 더 포함한다.
[0007] 다른 특정한 실시예에서, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스는, 프로세서에 의해 실행된 경우 프로세서로 하여금 AVS 시스템에 의해 권고를 송출하게 하기 위한 명령들을 포함한다. 명령들은, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하도록 AVS 동작의 제 1 반복을 수행하여 제 1 조절 권고를 결정하도록 프로세서에 의해 추가적으로 실행가능하다. 명령들은, AVS 동작의 적어도 하나의 부가적인 반복을 수행하여 적어도 하나의 부가적인 조절 권고를 결정하도록 프로세서에 의해 추가적으로 실행가능하다. 제 1 조절 권고, 및 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각이 일관되는 경우, AVS 시스템은 권고(예를 들어, 전력을 증가시키거나 감소시키기 위한 권고)를 송출할 수도 있다.
[0008] 기재된 실시예들 중 적어도 하나에 의해 제공되는 하나의 특정한 이점은, 임계 개수의 연속적인 반복들이 일관된 조절 권고들을 초래할 이후까지 권고들을 송출하는 것을 지연시킴으로써, AVS 시스템이, 트랜지션(transition) 동안 발생하는 샘플 기간으로 인한 불안정성을 회피할 수도 있다는 것이다. 따라서, AVS 시스템의 신뢰도가 증가될 수도 있다.
[0009] 본 개시의 다른 양상들, 이점들, 및 특성들은, 다음의 섹션들, 즉, 도면들의 간단한 설명, 상세한 설명, 및 청구항들을 포함하는 전체 명세서의 검토 이후 명백해질 것이다.
[0010] 도 1은 적응형 전압 스케일링 시스템의 제 1 실시예의 도면이다.
[0011] 도 2는, 도 1의 적응형 전압 스케일링 시스템의 샘플 권고를 예시하는 타이밍 도면이다.
[0012] 도 3은 적응형 전압 스케일링 방법의 제 1 실시예를 예시하는 흐름도이다.
[0013] 도 4는 적응형 전압 스케일링 방법의 제 2 실시예를 예시하는 흐름도이다.
[0014] 도 5는, 적응형 전압 스케일링 시스템을 포함하는 통신 디바이스의 블록도이다.
[0015] 도 1을 참조하면, 시스템(100)의 특정한 예시적인 실시예가 도시된다. 시스템(100)은, 반도체 디바이스의, 대표적인 AVS 시스템(106)과 같은 하나 또는 그 초과의 적응형 전압 스케일링(AVS) 시스템들을 포함할 수도 있다. AVS 시스템(106)은, AVS 동작의 다수의 반복들을 수행하고, 전압 조정기(128)에 권고(126)를 송출하여 반도체 디바이스의 제 1 회로(코어 1)(108)의 특성을 조절하도록 구성될 수도 있다. 시스템(100)은, 하나 또는 그 초과의 반도체 다이들(102, 104)에 걸쳐 분포될 수도 있는 하나 또는 그 초과의 디바이스들을 포함할 수도 있다.
[0016] AVS 시스템(106)은, 제 1 AVS 제어기(AVS 제어기 1)(110)와 같은 AVS 제어기에 커플링된 하나 또는 그 초과의 센서들(122)의 체인(chain)을 포함할 수도 있다. 제 1 AVS 제어기(110)는, AVS 시스템(106)과 연관된 값들을 저장하도록 구성될 수도 있는 적어도 하나의 메모리, 예컨대 메모리(112)를 포함할 수도 있다. 값들은, 샘플링 기간들 사이의 간격(114), 권고(126)를 송출하기 위한 일관된 조절 권고들의 임계 개수(116), 일관된 조절 권고들의 카운트(118), 가장 최근의 조절 권고(120), 또는 이들의 결합을 포함할 수도 있다. 메모리(112)는, 인터페이스(124)와 같은 인터페이스를 통하여 프로그래밍가능할 수도 있다.
[0017] 제 1 AVS 제어기(110) 및 센서들(122)을 포함하는 AVS 시스템(106)은, AVS 동작의 각각의 반복 동안 병렬 센서 샘플링 또는 직렬 센서 샘플링을 수행하도록 인터페이스(124)를 통하여 프로그래밍가능할 수도 있다. 센서들(122)이 병렬 센서 샘플링을 수행하도록 구성되는 경우, 센서들(122)은, 센서들(122)의 체인을 따라, 제 1 회로(108)의 특성들을 동시에 샘플링하고, 샘플링의 결과들(예를 들어, 샘플링된 특성들에 대응하는 값들)을 전송할 수도 있다. 센서들(122)이 직렬 센서 샘플링을 수행하도록 구성되는 경우, 센서들(122)은 제 1 회로(108)의 특성을 샘플링하기 이전에 앞선 센서의 샘플링 결과들을 수신하기를 대기할 수도 있다. 따라서, 직렬 센서 샘플링의 제 1 샘플링 기간의 제 1 시간은, 병렬 센서 샘플링의 제 2 샘플링 기간의 제 2 시간보다 클 수도 있다.
[0018] 다수의 AVS 시스템들이 제 1 반도체 다이(102) 상에 구현될 수도 있다. 예를 들어, 시스템(100)은, 제 2 회로(코어 2)(132)에 커플링된 제 2 AVS 제어기(AVS 제어기 2)(134)를 포함하는 제 2 AVS 시스템, 및 제 3 회로(코어 3)(138)에 커플링된 제 3 AVS 제어기(AVS 제어기 3)(140)를 포함하는 제 3 AVS 시스템을 포함할 수도 있다. 3개의 AVS 제어기들 및 그 제어기들의 대응하는 회로들이 도 1에 도시되지만, 시스템(100)은 3개 초과의 AVS 제어기들 및 그 제어기들의 대응하는 회로들, 또는 3개보다 적은 AVS 제어기들 및 그 제어기들의 대응하는 회로들을 포함할 수도 있다. 전압 조정기(128)는, 제 1 반도체 다이(102)와는 별개인 제 2 반도체 다이(104) 상의 전력 관리 집적 회로(PMIC)(130)에서 구현될 수도 있다. 대안적으로, 전압 조정기(128) 및 AVS 시스템(들)은 공통의 다이 상에 구현될 수도 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 시스템(100)은 전압 조정기(128)를 포함한다. 다른 실시예들에서, 시스템(100)은, 회로(들)의 전류와 같은 다른 특성들을 조절하도록 구성되는 다른 제어 시스템들을 또한 포함하거나 대안으로 포함할 수도 있다.
[0019] AVS 시스템(106)은, 임계 개수(116)의 AVS 동작의 연속적인 반복들이 일관된 조절 권고들을 초래할 이후까지, 전압 조정기(128)에 권고(126)를 송출하는 것을 지연시킬 수도 있다. 제 1 예에서, AVS 시스템(106)은, 인터페이스(124)에서의 입력에 기초하여 직렬로 센서들(122)을 샘플링하고, 제 1 AVS 제어기(110)에서 조절 권고를 결정하고, 그 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장하고, 다시 직렬로 센서들(122)을 샘플링하고, 제 1 AVS 제어기(110)에서 다른 조절 권고를 결정하고, 그리고 현재 조절 권고(예를 들어, 가장 최근의 조절 권고(120)로서 저장되어 있지 않은 가장 최근의 샘플에 대한 조절 권고)를 가장 최근의 조절 권고(120)와 비교할 수도 있다. 현재 조절 권고 및 가장 최근의 조절 권고(120)가 일관되지 않는 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 0으로 셋팅하고, 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있으며, AVS 시스템(106)은 다시 직렬로 센서들(122)을 샘플링할 수도 있다. 현재 조절 권고 및 가장 최근의 조절 권고(120)가 일관되는 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는, 메모리(112)에 저장된 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 1만큼 증가시킬 수도 있다. 제 1 AVS 제어기(110)는, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 메모리(112)에 저장된 임계 개수(116)와 비교할 수도 있다. 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 임계 개수(116)와 동일하지 않은 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있으며, AVS 시스템(106)은 다시 직렬로 센서들(122)을 샘플링할 수도 있다. 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 임계 개수(116)와 동일한 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는, 권고(126)를 전압 조정기(128)에 전송하고, 일관된 조정 권고들의 카운트(118)를 0으로 셋팅하며, 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있다.
[0020] 제 2 예에서, AVS 시스템(106)은, 인터페이스(124)에서의 입력에 기초하여 병렬로 센서들(122)을 샘플링하고, 제 1 AVS 제어기(110)에서 조절 권고를 결정하고, 그 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장하고, 다시 병렬로 센서들(122)을 샘플링하고, 제 1 AVS 제어기(110)에서 다른 조절 권고를 결정하고, 그리고 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)와 비교할 수도 있다. 현재 조절 권고 및 가장 최근의 조절 권고(120)가 일관되지 않는 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 0으로 셋팅하고, 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있으며, AVS 시스템(106)은 다시 병렬로 센서들(122)을 샘플링할 수도 있다. 현재 조절 권고 및 가장 최근의 조절 권고(120)가 일관되는 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는, 메모리(112)에 저장된 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 1만큼 증가시킬 수도 있다. 제 1 AVS 제어기(110)는, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 메모리(112)에 저장된 임계 개수(116)와 비교할 수도 있다. 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 임계 개수(116)와 동일하지 않은 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있으며, AVS 시스템(106)은 다시 병렬로 센서들(122)을 샘플링할 수도 있다. 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 임계 개수(116)와 동일한 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는, 권고(126)를 전압 조정기(128)에 전송하고, 일관된 조정 권고들의 카운트(118)를 0으로 셋팅하며, 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있다. 따라서, AVS 시스템(106)은, 트랜지션 동안 발생하는 샘플 기간으로 인한 불안정성을 회피할 수도 있다. 따라서, AVS 시스템(106)의 신뢰도가 증가될 수도 있다.
[0021] 도 1 및 도 2는 AVS 시스템의 샘플 동작을 함께 예시한다. 도 2는, 공급 전압, 및 AVS 시스템(106)에 의해 수행될 수도 있는 AVS 동작의 다수의 반복들(221-225)의 그래프(200)를 예시한다.
[0022] 그래프(200)에 도시된 바와 같이, 공급 전압은, AVS 동작의 제 1 반복(221)이 수행되는 경우 값 V1을 가질 수도 있다. 일 특정한 예에서, 제 1 반복(221)은, 제 1 회로(108)에서의 반도체 디바이스의 특성들을 센서들(122)로 샘플링하는 것을 포함한다. 샘플 결과들은 제 1 AVS 제어기(110)에 제공될 수도 있으며, 제 1 반복(221)에 대한 조절 권고가 제 1 AVS 제어기(110)에 의해 생성되고 메모리(112)에 저장될 수도 있다. 예시를 위해, 조절 권고는 전압 증가 또는 전압 감소와 대응할 수도 있다. 예시된 바와 같이, 제 1 반복(221)에 대한 조절 권고는 전압 감소를 위한 것이다.
[0023] 가장 최근의 조절 권고(120)는 제 1 AVS 제어기(110)에 의해 유지될 수도 있으며, 메모리(112)에 저장될 수도 있다. 가장 최근의 조절 권고(120)는, 현재 조절 권고가 가장 최근의 조절 권고(120)와 일관되는지를 결정하는데 사용될 수도 있으며, 그에 따라, 연속적인 반복들에 대한 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 증가될 것인지 또는 0으로 셋팅될 것인지를 표시한다. 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 변경된 이후, 현재 조절 권고는 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장될 수도 있다.
[0024] 연속적인 반복들에 대한 일관된 조절 권고들의 카운트(118)는, AVS 제어기(110)에 의해 유지되고, 메모리(112)에 저장되고, 임계 개수(116) "N"에 비교될 수도 있으며, 여기서 N은 1보다 큰 정수이다. 도 2에 예시된 예에서, 제 1 반복에 대한 조절 권고(221)는, 전압 감소를 위한 (N-1)번째 연속적인 조절 권고이다. 일관된 연속적인 조절 권고들의 카운트(118)가 임계 개수(116)보다 적기 때문에, 제 1 AVS 제어기(110)는 제 1 반복(221)에 응답하여 권고를 송출하지 않는다.
[0025] AVS 동작의 제 2 반복(222)이 전압 감소를 위한 조절 권고를 또한 초래할 수도 있다. 제 2 반복(222)이 임계 개수(116)인 전압 감소를 위한 N번째 연속적인 조절 권고를 초래하기 때문에, 제 1 AVS 제어기(110)는, 전압 감소를 위한 권고(126)를 전압 조정기(128)에 송출한다. 권고(126)를 송출한 이후, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)는 0으로 리셋될 수도 있다.
[0026] 권고(126)에 응답하여, 전압 조정기(128)는 제 1 회로(108)에 공급되는 전압을 V1로부터 V2로 낮출 수도 있다. V1로부터 V2로의 트랜지션은, 전압 조정기(128)에서의 지연 이후에 개시될 수도 있으며, 이는, 트랜션트 시간(208)을 초래할 수도 있고, 트랜션트 시간(208) 동안, V2의 정상-상태 값으로 안정되기 이전에 전압은 V1로 오버슈팅(overshoot)하고 그리고/또는 V2로 언더슈팅(undershoot)할 수도 있다.
[0027] 예시된 바와 같이, AVS 동작의 제 3 반복(223)이 트랜션트 시간(208) 동안 발생할 수도 있다. 제 3 반복(223)의 샘플 기간(204)이 전압 오버슈트 동안 발생하기 때문에, 제 3 반복(223)은 전압 감소를 위한 조절 권고를 초래할 수도 있고, 일관된 조절 권고(118)의 카운트가 0으로부터 1로 증가된다. 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 임계 개수(116)(N)보다 적기 때문에, 제 1 AVS 제어기(110)는 전압 조정기(128)에 권고(126)를 송출하지 않는다.
[0028] AVS 동작의 제 4 반복(224)은 전압이 V2로 안정된 이후 발생한다. V2가 제 1 회로(108)에 대한 적절한 전압일 수도 있기 때문에, 제 4 반복(224)은 어떠한 조절 권고도 초래하지 않을 수도 있다. 가장 최근의 조절 권고(120)가 전압 감소를 권고했기 때문에, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)는 0으로 리셋될 수도 있다. 유사하게, AVS 동작의 제 5 반복(225)이 어떠한 조절 권고도 초래하지 않을 수도 있으며, 따라서, 어떠한 권고(126)도 제 1 AVS 제어기(110)에 의해 전압 조정기(128)에 송출되지 않는다.
[0029] 임계 개수(116)(N)의 연속적인 반복들이 일관된 조절 권고들을 초래할 이후까지 전압 조정기(128)에 권고들(126)을 송출하는 것을 지연시킴으로써, 제 1 AVS 제어기(110)는, 제 3 반복(223) 동안 예시된 바와 같은, 트랜션트 동안의 전압 오버슈트 또는 언더슈트 동안 발생하는 샘플 기간(204)으로 인한 불안정성을 회피할 수도 있다. 임계 개수(116)는, 인터페이스(124)와 같은 인터페이스를 통하여 프로그래밍가능할 수도 있는 프로그래밍가능한 값일 수도 있다. 추가적으로, 반복들(221-225) 각각 사이의 샘플들 사이의 시간 간격(214)은 인터페이스(124)와 같은 인터페이스를 통하여 프로그래밍가능할 수도 있고, 전압 조정기(128)의 전력 변화의 트랜션트 시간(208)을 초과하도록 선택될 수도 있다. 인터페이스(124)는, 제 1 AVS 제어기(110)를, 제 1 AVS 제어기(110)와 동일한 다이(102) 상의 디바이스에 또는 제 1 AVS 제어기(110)와 동일한 다이 상에 있지 않은 디바이스에 접속시킬 수도 있다.
[0030] AVS 동작의 각각의 반복(221-225)은, 센서들(122)이 하나 또는 그 초과의 조건들을 샘플링하는 것, 및 제 1 AVS 제어기(110)가, 반도체 디바이스의 동작 조건, 온도, 성능 또는 이들의 결합에 적어도 부분적으로 기초하여 대응하는 조절 권고를 행하는 것을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 동작 조건은 전압 측정치를 포함할 수도 있으며, 센서들(122)은 각각 전압을 결정할 수도 있다. 다른 예로서, 성능 측정은 특정한 회로(예를 들어, 제 1 회로(108))에서의 클록 주파수를 결정하는 것을 포함할 수도 있으며, 센서들(122)은 각각 주파수를 결정할 수도 있다. 제 1 AVS 제어기(110)는, 센서들(122)을 개시하고 센서들(122)로부터의 데이터를 분석하여, 조절 권고들을 생성하고 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 유지하기 위한 명령들을 실행하도록 구성되는 프로세서에 대응할 수도 있다.
[0031] 임계 개수(116)의 연속적인 반복들의 일관된 조절 권고들 이후까지 전압 조정기(128)에 권고들(126)의 송출을 지연시키는 것이 전압 조절들의 신뢰도를 개선할 수도 있기 때문에, 제 1 회로(108)의 영역은 감소(예를 들어, 5 % 영역 감소)될 수도 있다. 필요에 따라 전압에 액세스할 때 더 큰 정확도의 AVS 결정들이 제 1 회로(108)에 의한 더 큰 의존을 가능하게 하여, 설계 제약들을 준수하기 위해 AVS 시스템(106)에 의존할 능력을 증가시키기 때문에, 제 1 회로(108)의 영역 감소가 달성될 수도 있다.
[0032] 도 3은, 다수의 조절 권고들이 일관된 것에 응답하여 AVS 시스템으로부터 전압 조정기에 권고를 송출하는 방법(300)의 제 1 특정한 실시예를 예시하는 흐름도이다. 일 실시예에서, 방법(300)의 AVS 시스템은 도 1의 AVS 시스템(106)에 대응하고, 방법(300)의 전압 조정기는 도 1의 전압 조정기(128)에 대응한다. 방법(300)은, (302)에서, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하기 위해 AVS 동작의 제 1 반복을 수행하여 제 1 조절 권고를 결정하는 단계를 포함한다. 예를 들어, AVS 시스템(106)은, 인터페이스(124)에서의 입력에 기초하여 직렬 또는 병렬로 센서들(122)을 샘플링하고, 제 1 AVS 제어기(110)에서 조절 권고를 결정할 수도 있다. 또한, 방법(300)은, (304)에서, AVS 동작의 적어도 하나의 부가적인 반복을 수행하여 적어도 하나의 부가적인 조절 권고를 결정하는 단계를 포함한다. 예를 들어, AVS 시스템(106)은, 센서들(122)을 다시 샘플링하고, 제 1 AVS 제어기(110)에서 적어도 하나의 부가적인 조절 권고를 결정할 수도 있다. 방법(300)은, (306)에서, 제 1 조절 권고, 및 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각이 일관된 것에 응답하여 AVS 시스템에 의해 권고를 송출하는 단계를 더 포함한다. 예를 들어, AVS 시스템(106)은, 제 1 조절 권고, 및 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각을 비교하고, 조절 권고들이 일관됨을 결정하며, 권고(126)를 송출할 수도 있다.
[0033] 따라서, 방법(300)은, AVS 시스템이, 임계 개수의 연속적인 반복들이 일관된 조절 권고들을 초래할 이후까지 권고를 송출하는 것을 지연시킬 수 있게 한다. 따라서, AVS 시스템은, 트랜지션 동안 발생하는 샘플 기간으로 인한 불안정성을 회피할 수도 있다. 따라서, AVS 시스템의 신뢰도가 증가될 수도 있다.
[0034] 도 4는, 다수의 조절 권고들이 일관된 것에 응답하여 AVS 시스템으로부터 전압 조정기에 권고를 송출하는 방법(400)의 제 2 특정한 실시예를 예시하는 흐름도이다. 일 실시예에서, 방법(400)의 AVS 시스템은 도 1의 AVS 시스템(106)에 대응하고, 방법(400)의 전압 조정기는 도 1의 전압 조정기(128)에 대응한다. 방법(400)은, (402)에서, 회로의 특성들을 샘플링하여 제 1 조절 권고를 결정하는 단계 및 일관된 조절 권고들의 카운트를 표현하는 카운터를 0으로 셋팅하는 단계를 포함한다. 예를 들어, AVS 시스템(106)은, 인터페이스(124)에서의 입력에 기초하여 직렬 또는 병렬로 센서들(122)을 샘플링하고, 제 1 AVS 제어기(110)에서 조절 권고를 결정하며, 제 1 AVS 제어기(110)를 사용하여 메모리(112) 내의 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 0으로 셋팅할 수도 있다. 또한, 방법(400)은, 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고로서 메모리에 세이브(save)하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 제 1 AVS 제어기(110)는, 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있다. 또한, 방법(400)은, (404)에서, 디바이스의 특성들을 샘플링하여 부가적인 조절 권고를 결정하는 단계를 포함한다. 예를 들어, AVS 시스템(106)은 센서들(122)을 다시 샘플링하고, 제 1 AVS 제어기(110)에서 부가적인 조절 권고를 결정할 수도 있다.
[0035] 방법(400)은, (406)에서, 현재 조절 권고(예를 들어, 가장 최근의 조절 권고로서 저장되어 있지 않은 가장 최근 샘플에 대한 조절 권고)가 가장 최근의 조절 권고와 일관되는지를 결정하는 단계를 더 포함한다. 예를 들어, 제 1 AVS 제어기(110)는, 현재 조절 권고를 메모리(112)에 저장된 가장 최근의 조절 권고(120)와 비교할 수도 있다. 현재 조절 권고가 가장 최근의 조절 권고와 일관되지 않는 경우, 방법(400)은, (408)에서, 카운터를 0으로 리셋할 수도 있다. 예를 들어, 현재 조절 권고가 가장 최근의 조절 권고(120)와 일관되지 않는 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는, 메모리 내(112)의 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 0으로 셋팅할 수도 있다. 카운터를 0으로 리셋한 이후, 방법(400)은, (404)에서, 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고로서 세이브하는 단계, 및 디바이스의 특성들을 샘플링하여 부가적인 조절 권고를 결정하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 AVS 제어기(110)는 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있고, AVS 시스템(106)은, 센서들(122)을 다시 샘플링하고 제 1 AVS 제어기(110)에서 부가적인 조절 권고를 결정할 수도 있다. 현재 조절 권고가 가장 최근의 조절 권고와 일관되는 경우, 방법(400)은, (410)에서, 카운터를 1만큼 증가시킬 수도 있다. 예를 들어, 현재 조절 권고가 가장 최근의 조절 권고(120)와 일관되지 않는 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는, 메모리(112) 내의 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 1만큼 증가시킬 수도 있다.
[0036] (410)에서 카운터를 1만큼 증가시킨 이후, 방법(400)은, (412)에서, 카운터가 임계 개수와 동일한지를 결정하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 AVS 제어기(110)는, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 메모리(112)에 저장된 임계 개수(116)와 동일한지를 결정할 수도 있다. 카운터가 임계 개수와 동일하지 않은 경우, 방법(400)은, (404)에서, 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고로서 세이브하는 단계, 및 디바이스의 특성들을 샘플링하여 부가적인 조절 권고를 결정하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 AVS 제어기(110)가, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 임계 개수(116)와 동일하지 않다고 결정하는 경우, 제 1 AVS 제어기(110)는 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있고, AVS 시스템(106)은, 센서들(122)을 다시 샘플링하고 제 1 AVS 제어기(110)에서 부가적인 조절 권고를 결정할 수도 있다. 카운터가 임계 개수와 동일한 경우, 방법(400)은, (414)에서, 권고를 송출하는 단계 및 카운터를 0으로 리셋하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 AVS 제어기(110)가, 일관된 조절 권고들의 카운트(118)가 임계 개수(116)와 동일하지 않다고 결정하는 경우, AVS 시스템(106)은 권고(126)를 송출할 수도 있고, 제 1 AVS 제어기는 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 0으로 리셋할 수도 있다. 카운터를 0으로 리셋한 이후, 방법(400)은, (404)에서, 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고로서 세이브하는 단계, 및 디바이스의 특성들을 샘플링하여 부가적인 조절 권고를 결정하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 AVS 제어기가 일관된 조절 권고들의 카운트(118)를 0으로 리셋한 이후, 제 1 AVS 제어기(110)는 현재 조절 권고를 가장 최근의 조절 권고(120)로서 메모리(112)에 저장할 수도 있고, AVS 시스템(106)은, 센서들(122)을 다시 샘플링하고 제 1 AVS 제어기(110)에서 부가적인 조절 권고를 결정할 수도 있다.
[0037] 따라서, 방법(400)은, AVS 시스템이, 임계 개수의 연속적인 반복들이 일관된 조절 권고들을 초래할 이후까지 권고를 송출하는 것을 지연시킬 수 있게 한다. 따라서, AVS 시스템은, 트랜지션 동안 발생하는 샘플 기간으로 인한 불안정성을 회피할 수도 있다. 따라서, AVS 시스템의 신뢰도가 증가될 수도 있다.
[0038] 도 3 및 도 4의 방법들은, 필드-프로그래밍가능 게이트 어레이(FPGA) 디바이스, 주문형 집적 회로(ASIC), 프로세싱 유닛(예를 들어, 중앙 프로세싱 유닛(CPU)), 디지털 신호 프로세서(DSP), 제어기, 다른 하드웨어 디바이스, 펌웨어 디바이스, 또는 이들의 임의의 결합과 같은 다양한 디바이스들로 구현될 수도 있다. 일 예로서, 도 3 및 도 4의 방법들은, 도 5를 참조하여 추가적으로 설명되는 바와 같이, 명령들을 실행하는 하나 또는 그 초과의 프로세서들에 의해 수행될 수 있다.
[0039] 도 5를 참조하면, 적응형 전압 스케일링 시스템을 포함하는 통신 디바이스의 특정한 예시적인 실시예의 블록도가 도시되고 일반적으로 (500)으로 지정된다. 통신 디바이스(500) 또는 통신 디바이스(500)의 컴포넌트들은, 모바일 스테이션, 액세스 포인트, 셋 톱 박스, 엔터테인먼트 유닛, 내비게이션 디바이스, 통신 디바이스, 개인용 휴대 정보 단말(PDA), 고정 위치 데이터 유닛, 모바일 위치 데이터 유닛, 모바일 폰, 셀룰러 폰, 컴퓨터, 휴대용 컴퓨터, 데스크톱 컴퓨터, 태블릿, 모니터, 컴퓨터 모니터, 텔레비전, 튜너, 라디오, 위성 라디오, 뮤직 플레이어, 디지털 뮤직 플레이어, 휴대용 뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 디지털 비디오 플레이어, 디지털 비디오 디스크(DVD) 플레이어, 또는 휴대용 디지털 비디오 플레이어와 같은 구현을 포함하거나 이들과 같은 디바이스 내에 포함될 수도 있으며, 이들 각각은, 도 3 및 도 4의 방법들 중 하나 또는 그 초과를 실행하도록 구성될 수도 있다. 일 실시예에서, 통신 디바이스(500)는 도 1의 시스템(100)을 포함한다.
[0040] 통신 디바이스(500)는, 메모리(532)에 커플링된 디지털 신호 프로세서(DSP)와 같은 프로세서(510)를 포함한다. 특정한 실시예에서, 프로세서(510)는 제 1 다이(564) 및 제 2 다이(566)를 포함한다. 특정한 실시예에서, 제 1 다이(564)는, 제 1 AVS 제어기(AVS 제어기 1)(572)에 접속되는 제 1 회로(코어 1)(570), 및 제 2 AVS 제어기(AVS 제어기 2)(576)에 접속되는 제 2 회로(코어 2)(574)를 포함한다. 특정한 실시예에서, 제 2 다이(566)는, PMIC(580) 및 전압 조정기(582)를 포함한다. 프로세서(510)는, 도 3 및 도 4의 방법들을 실행하도록 구성될 수도 있다. 프로세서(510)는, 반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하기 위한 적어도 하나의 수단, 특성들을 샘플링하는 것을 포함하는 AVS 동작의 각각의 반복에 대한 조절 권고를 결정하기 위한 적어도 하나의 수단, 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 일관된 것에 응답하여 권고를 송출하기 위한 적어도 하나의 수단, 프로세서(510)의 메모리 컴포넌트(예를 들어, 메모리(532))를 프로그래밍하기 위한 수단, 전압을 조절하기 위한 수단, 또는 이들의 임의의 결합을 제공할 수도 있다.
[0041] 도 5에 예시된 특정한 실시예에서, 통신 디바이스(500)는, 프로세서(510) 및 디스플레이(528)에 커플링되는 디스플레이 제어기(526)를 포함한다. 코더/디코더(코덱)(534)가 프로세서(510)에 또한 커플링될 수 있다. 스피커(536) 및 마이크로폰(538)은 코덱(534)에 커플링될 수 있다. 무선 제어기(540)(예를 들어, 수신기, 송신기, 또는 트랜시버)는 프로세서(510) 및 안테나(542)에 커플링될 수 있다.
[0042] 특정한 실시예에서, 프로세서(510), 디스플레이 제어기(526), 메모리(532), 코덱(534), 및 무선 제어기(540)는, 시스템-인-패키지(system-in-package) 또는 시스템-온-칩(system-on-chip) 디바이스(522)에 포함된다. 특정한 실시예에서, 입력 디바이스(530) 및 전력 공급부(544)는 시스템-온-칩 디바이스(522)에 커플링된다. 또한, 특정한 실시예에서, 도 5에 예시된 바와 같이, 디스플레이(528), 입력 디바이스(530), 스피커(536), 마이크로폰(538), 안테나(542), 및 전력 공급부(544)는 시스템-온-칩 디바이스(522)의 외부에 있다. 그러나, 디스플레이(528), 입력 디바이스(530), 스피커(536), 마이크로폰(538), 안테나(542), 및 전력 공급부(544) 각각은, 시스템-온-칩 디바이스(522)의 인터페이스 또는 제어기와 같은 컴포넌트에 커플링될 수 있다.
[0043] 당업자들은 본 명세서에 기재된 예시적인 실시예들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 로직 블록들, 구성들, 모듈들, 회로들, 및 알고리즘 단계들이 프로세서에 의해 실행되는 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이 둘의 결합들로서 구현될 수도 있음을 추가적으로 인식할 것이다. 다양한 예시적인 컴포넌트들, 블록들, 구성들, 모듈들, 회로들, 및 단계들은 그들의 기능의 관점들에서 일반적으로 상술되었다. 그러한 기능이 하드웨어로서 구현되는지 또는 프로세서 실행가능 명령들로서 구현되는지는 특정 애플리케이션 및 전체 시스템에 부과된 설계 제한들에 의존한다. 당업자들은 설명된 기능을 각각의 특정한 애플리케이션에 대해 다양한 방식들로 구현할 수도 있지만, 그러한 구현 결정들이 본 개시 범위를 벗어나게 하는 것으로서 해석되지는 않아야 한다.
[0044] 본 명세서에 기재된 예시적인 실시예들과 관련하여 설명된 방법 또는 알고리즘의 단계들은 직접 하드웨어로, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로, 또는 이 둘의 결합으로 구현될 수도 있다. 소프트웨어 모듈은 랜덤 액세스 메모리(RAM), 플래시 메모리, 판독-전용 메모리(ROM), 프로그래밍가능 판독-전용 메모리(PROM), 소거가능한 프로그래밍가능 판독-전용 메모리(EPROM), 전기적으로 소거가능한 프로그래밍가능 판독-전용 메모리(EEPROM), 레지스터들, 하드 디스크, 착탈형 디스크, 콤팩트 디스크 판독-전용 메모리(CD-ROM), 또는 당업계에 알려진 임의의 다른 형태의 비-일시적인 저장 매체에 상주할 수도 있다. 예시적인 저장 매체는, 프로세서가 저장 매체로부터 정보를 판독하고, 저장 매체에 정보를 기입할 수 있도록 프로세서에 커플링된다. 대안적으로, 저장 매체는 프로세서에 통합될 수도 있다. 프로세서 및 저장 매체는 주문형 집적 회로(ASIC)에 상주할 수도 있다. ASIC은 컴퓨팅 디바이스 또는 사용자 단말에 상주할 수도 있다. 대안적으로, 프로세서 및 저장 매체는 컴퓨팅 디바이스 또는 사용자 단말 내의 별개의 컴포넌트들로서 상주할 수도 있다.
[0045] 기재된 실시예들의 이전 설명은 임의의 당업자가 기재된 실시예들을 사용 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이들 실시예들에 대한 다양한 변형들은 당업자들에게 용이하게 명백할 것이며, 본 명세서에 정의된 원리들은 본 개시의 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예들에 적용될 수도 있다. 따라서, 본 개시는 본 명세서에 설명된 실시예들로 제한되도록 의도되는 것이 아니라, 다음의 청구항들에 의해 정의되는 바와 같은 원리들 및 신규한 특성들과 가능한 일치하는 가장 넓은 범위에 부합할 것이다.

Claims (46)

  1. 방법으로서,
    적응형 전압 스케일링(AVS) 시스템에 의해 권고(recommendation)를 송출하기에 앞서,
    반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하기 위한 AVS 동작의 제 1 반복을 수행하여 제 1 조절 권고를 결정하는 단계; 및
    상기 AVS 동작의 적어도 하나의 부가적인 반복을 수행하여 적어도 하나의 부가적인 조절 권고를 결정하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각 및 상기 제 1 조절 권고가 일관된 것에 응답하여, AVS 시스템에 의해 상기 권고를 송출하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 권고는, 상기 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각 및 상기 제 1 조절 권고가 전압 증가에 대응하는 것에 응답하여 송출되는, 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 권고는, 상기 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각 및 상기 제 1 조절 권고가 전압 감소에 대응하는 것에 응답하여 송출되는, 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 권고는, 임계 개수의 연속적인 반복들이 일관된 조절 권고들을 갖는 것에 응답하여 송출되며, 상기 임계 개수는 1보다 큰 프로그래밍가능한 정수 값인, 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    반복들 사이의 시간 간격은 프로그래밍가능한, 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 AVS 동작은, AVS 제어기에 커플링되는 다수의 센서들을 포함하는 AVS 시스템에 의해 수행되는, 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 AVS 시스템은, 직렬 센서 샘플링 및 병렬 센서 샘플링을 포함하는 샘플링 기술들 중에서 선택하고, 선택된 샘플링 기술을 각각의 반복 동안 수행하도록 프로그래밍가능한, 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 권고는 전압 조정기에 송출되는, 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 AVS 동작은 제 1 다이 상의 AVS 시스템에 의해 수행되며,
    상기 전압 조정기는, 상기 제 1 다이와는 별개인 제 2 다이 상의 전력 관리 집적 회로(PMIC)에서 구현되는, 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 AVS 동작의 반복들 사이의 시간 간격은, 상기 PMIC의 전력 변화의 트랜션트(transient)보다 긴, 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    다수의 AVS 시스템들이 상기 제 1 다이 상에 구현되는, 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 조절 권고 및 상기 적어도 하나의 부가적인 조절 권고는, 상기 반도체 디바이스의 동작 조건, 상기 반도체 디바이스의 온도, 또는 상기 반도체 디바이스의 성능 중 적어도 하나에 기초하는, 방법.
  13. 장치로서,
    적응형 전압 스케일링(AVS) 시스템을 포함하고,
    상기 AVS 시스템은,
    반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하도록 구성되는 다수의 센서들; 및
    상기 센서들에 커플링되고, 상기 특성들을 샘플링하는 것을 포함하는 AVS 동작의 각각의 반복에 대해 조절 권고를 결정하도록 구성되는 제어기
    를 포함하며,
    상기 제어기는, 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 일관된 것에 응답하여 권고를 송출하도록 추가적으로 구성되는, 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 권고는, 상기 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 전압 증가를 표시하는 것에 응답하여 송출되는, 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 권고는, 상기 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 전압 감소를 표시하는 것에 응답하여 송출되는, 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 임계 개수는 1보다 큰 프로그래밍가능한 정수 값인, 장치.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 AVS 동작의 반복들 사이의 시간 간격은 프로그래밍가능한, 장치.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 제어기는, 직렬 센서 샘플링 및 병렬 센서 샘플링을 포함하는 샘플링 기술들 중에서 선택하고, 선택된 샘플링 기술을 각각의 반복 동안 수행하도록 프로그래밍가능한, 장치.
  19. 제 13 항에 있어서,
    전압 조정기를 더 포함하며,
    상기 권고는 상기 전압 조정기에 송출되는, 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 AVS 시스템은 제 1 다이 상에 구현되며,
    상기 전압 조정기는, 상기 제 1 다이와는 별개인 제 2 다이 상의 전력 관리 집적 회로(PMIC)에서 구현되는, 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 AVS 동작의 반복들 사이의 시간 간격은, 상기 PMIC의 전력 변화의 트랜션트보다 긴, 장치.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 상에 구현되는 적어도 하나의 부가적인 AVS 시스템을 더 포함하는, 장치.
  23. 제 13 항에 있어서,
    상기 조절 권고는, 상기 반도체 디바이스의 동작 조건, 상기 반도체 디바이스의 온도, 또는 상기 반도체 디바이스의 성능 중 적어도 하나에 기초하는, 장치.
  24. 장치로서,
    반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하기 위한 수단;
    상기 특성들을 샘플링하는 것을 포함하는 적응형 전압 스케일링(AVS) 동작의 각각의 반복에 대해 조절 권고를 결정하기 위한 수단; 및
    임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 일관된 것에 응답하여 권고를 송출하기 위한 수단을 포함하는, 장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 권고는, 상기 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 전압 증가를 표시하는 것에 응답하여 송출되는, 장치.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 권고는, 상기 임계 개수의 연속적인 조절 권고들이 전압 감소를 표시하는 것에 응답하여 송출되는, 장치.
  27. 제 24 항에 있어서,
    상기 임계 개수는, 프로그래밍하기 위한 수단을 통하여 셋팅되는 1보다 큰 정수 값인, 장치.
  28. 제 24 항에 있어서,
    반복들 사이의 시간 간격은 프로그래밍하기 위한 수단을 통하여 셋팅되는, 장치.
  29. 제 24 항에 있어서,
    상기 샘플링하기 위한 수단은, 직렬 센서 샘플링 및 병렬 센서 샘플링을 포함하는 샘플링 기술들 중에서 선택하고, 선택된 샘플링 기술을 각각의 반복 동안 수행하도록 프로그래밍가능한, 장치.
  30. 제 24 항에 있어서,
    전압을 조정하기 위한 수단을 더 포함하며, 상기 권고는 상기 전압을 조정하기 위한 수단에 송출되는, 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 샘플링하기 위한 수단, 상기 결정하기 위한 수단, 및 상기 송출하기 위한 수단은 제 1 다이 상에 구현되며,
    상기 전압을 조정하기 위한 수단은, 상기 제 1 다이와는 별개인 제 2 다이 상의 전력 관리 집적 회로(PMIC)에서 구현되는, 장치.
  32. 제 31 항에 있어서,
    반복들 사이의 시간 간격은, 상기 PMIC의 전력 변화의 트랜션트보다 긴, 장치.
  33. 제 31 항에 있어서,
    상기 제 1 다이 상에 구현되는 적어도 하나의 샘플링하기 위한 부가적인 수단, 적어도 하나의 결정하기 위한 부가적인 수단, 및 적어도 하나의 송출하기 위한 부가적인 수단을 더 포함하는, 장치.
  34. 제 24 항에 있어서,
    상기 조절 권고는, 상기 반도체 디바이스의 동작 조건, 상기 반도체 디바이스의 온도, 또는 상기 반도체 디바이스의 성능 중 적어도 하나에 기초하는, 장치.
  35. 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스로서,
    상기 명령들은, 프로세서에 의해 실행되는 경우, 상기 프로세서로 하여금,
    적응형 전압 스케일링(AVS) 시스템에 의해 권고를 송출하기에 앞서,
    반도체 디바이스의 특성들을 샘플링하기 위한 AVS 동작의 제 1 반복을 수행하여 제 1 조절 권고를 결정하고; 그리고
    상기 AVS 동작의 적어도 하나의 부가적인 반복을 수행하여 적어도 하나의 부가적인 조절 권고를 결정하며; 그리고
    상기 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각 및 상기 제 1 조절 권고가 일관된 것에 응답하여, AVS 시스템에 의해 상기 권고를 송출하게 하는, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 권고는, 상기 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각 및 상기 제 1 조절 권고가 전압 증가에 대응하는 것에 응답하여 송출되는, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  37. 제 35 항에 있어서,
    상기 권고는, 상기 적어도 하나의 부가적인 조절 권고들 각각 및 상기 제 1 조절 권고가 전압 감소에 대응하는 것에 응답하여 송출되는, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  38. 제 35 항에 있어서,
    상기 권고는, 임계 개수의 연속적인 반복들이 일관된 조절 권고들을 갖는 것에 응답하여 송출되며, 상기 임계 개수는 1보다 큰 프로그래밍가능한 정수 값인, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  39. 제 35 항에 있어서,
    반복들 사이의 시간 간격은 프로그래밍가능한, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  40. 제 35 항에 있어서,
    상기 AVS 동작은, AVS 제어기에 커플링되는 다수의 센서들을 포함하는 AVS 시스템에 의해 수행되는, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 AVS 시스템은, 직렬 센서 샘플링 및 병렬 센서 샘플링을 포함하는 샘플링 기술들 중에서 선택하고, 선택된 샘플링 기술을 각각의 반복 동안 수행하도록 프로그래밍가능한, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  42. 제 35 항에 있어서,
    상기 권고는 전압 조정기에 송출되는, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 AVS 동작은 제 1 다이 상의 AVS 시스템에 의해 수행되며,
    상기 전압 조정기는, 상기 제 1 다이와는 별개인 제 2 다이 상의 전력 관리 집적 회로(PMIC)에서 구현되는, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  44. 제 43 항에 있어서,
    상기 AVS 동작의 반복들 사이의 시간 간격은, 상기 PMIC의 전력 변화의 트랜션트보다 긴, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  45. 제 43 항에 있어서,
    다수의 AVS 시스템들이 상기 제 1 다이 상에 구현되는, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
  46. 제 35 항에 있어서,
    상기 제 1 조절 권고 및 상기 적어도 하나의 부가적인 조절 권고는, 상기 반도체 디바이스의 동작 조건, 상기 반도체 디바이스의 온도, 또는 상기 반도체 디바이스의 성능 중 적어도 하나에 기초하는, 컴퓨터-판독가능 저장 디바이스.
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