KR101561455B1 - 태양전지의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은, (a) 태양전지 기판(100)의 일면에 슬레이트(Slate) 구조(110)를 형성하는 단계; 및 (b) 슬레이트 구조(110)가 형성된 태양전지 기판(100)의 일면에 텍스쳐링을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

태양전지의 제조방법 {PRODUCING METHOD OF SOLAR CELL}
본 발명은 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 태양전지 기판에 슬레이트(Slate) 구조를 형성한 후, 텍스쳐링(Texturing)을 수행하여 광전변환 효율을 증대시킨 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양광을 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심 소자로 그 응용 범위가 매우 넓다. 이러한 태양전지는 광전 변환 효율이 우수한 경우에도 20% 내외에 그치며 그 외 대부분의 빛은 그대로 투과되거나 반사되어 소실된다. 이러한 태양전지의 효율을 높이기 위해서 태양전지에 도달하는 광전자(photon)의 수를 최대화하면서, 태양전지 표면에서 태양광의 반사를 최소화하는 것은 매우 중요하다.
태양전지의 효율을 결정 짓는 중요한 요소인 태양전지의 수광 표면적을 늘리기 위해서는 텍스쳐링(Texturing) 공정이 필수적이다. 텍스쳐링이란 결정질 태양전지에서 태양전지 기판 표면을 거칠게 하여 요철 또는 피라미드 구조 등을 형성하는 공정이다. 텍스쳐링을 통해, 태양전지 기판에 입사되는 빛이 투과되지 못하고 태양전지 기판의 경계면에서 반사되어 나타나는 광학적 손실을 방지할 수 있고, 태양전지 기판의 전면에서 입사되는 빛을 받는 표면적을 증대시켜 광전 변환 효율을 증가시킬 수 있다.
텍스쳐링의 방법으로는 크게 습식 식각과 건식 식각이 있다. 이 중에서 어느 방법에 의하여도 표면적이 증대되는 비율이 약 1.5배 내지 1.7배 정도로 제한되어 있어, 표면적을 더 증가시킬 수 있는 텍스쳐링 구조에 대한 연구가 필요한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 태양전지 기판에 슬레이트(Slate) 구조를 형성하여 1차적으로 표면적을 증대시킨 후 텍스쳐링(Texturing)을 수행함으로써, 표면적을 최대화하고 빛의 반사율을 최소화하여 광전 변환 효율을 보다 증대시킨 태양전지의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 상기의 목적은, (a) 태양전지 기판의 일면에 슬레이트(Slate) 구조를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 슬레이트 구조가 형성된 태양전지 기판의 일면에 텍스쳐링을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법에 의해 달성된다.
상기 슬레이트 구조는 파동(wave) 형상 또는 돌출 및 함몰이 연속되는 형상을 포함할 수 있다.
상기 (a) 단계는, (a1) 상기 태양전지 기판의 일면에 포토레지스트층을 형성하는 단계; (a2) 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계; 및 (a3) 상기 포토레지스트층과 상기 태양전지 기판을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 (a) 단계는, (a1) 상기 태양전지 기판의 일면에 포토레지스트층을 형성하는 단계; (a2) 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계; 및 (a3) 상기 포토레지스트층의 패턴에 대응하도록 상기 태양전지 기판을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 (a) 단계는, (a1) 상기 태양전지 기판의 일면에 이산화규소(SiO2) 패턴층을 형성하는 단계; (a2) 상기 이산화규소 패턴층과 상기 태양전지 기판을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 (a) 단계는, (a1) 상기 태양전지 기판의 일면에 이산화규소층을 형성하는 단계; (a2) 상기 이산화규소층에 패턴을 형성하는 단계; 및 (a3) 상기 이산화규소층과 상기 태양전지 기판을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 (a) 단계는, 상기 태양전지 기판의 일면에 레이저 빔을 조사하여 상기 슬레이트 구조를 형성하는 단계일 수 있다.
상기 태양전지 기판은 결정질 실리콘을 포함하며, 상기 레이저 빔을 조사하여 형성한 상기 슬레이트 구조의 함몰된 부분의 하부 영역이 비정질 실리콘으로 개질될 수 있다.
상기 (b) 단계에서, 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 아세트산(CH3COOH)을 사용하여 텍스쳐링을 수행할 수 있다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 상기 태양전지 제조방법에 의해 제조되는 태양전지 기판에 의해 달성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 표면적을 최대화하고 빛의 반사율을 최소화하여 광전 변환 효율을 보다 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 텍스쳐링 후 슬레이트 구조와 요철 구조의 조합으로 인한 태양전지 기판의 거칠기에 의해 태양전지의 다른 구성요소와의 계면 특성(부착력)을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트층을 이용한 식각 방법을 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 이산화규소층을 이용한 식각 방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 식각 방법을 나타내는 도면이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
본 명세서에 있어서, 텍스쳐링(Texturing)은 습식 식각과 건식 식각을 모두 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 본 명세서에서는 습식 식각을 예로 들어 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 먼저, 태양전지 기판(100)을 준비한다. 태양전지 기판(100)의 재질은 투명한 유리일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유리 이외에도 플라스틱, 폴리머와 같은 광투과율이 높은 재질의 태양전지 기판(100)을 사용할 수 있다.
이어서, 태양전지 기판(100)의 일면에 슬레이트(Slate) 구조(110)를 형성할 수 있다. 슬레이트 구조(110)는 파동(Wave) 형상 또는 돌출 및 함몰이 연속되는 형태를 포함하는 의미로 이해될 수 있다. 도 1에서는 돌출된 부분을 도면부호 111, 함몰된 부분을 도면부호 112로 표기하였다.
슬레이트 구조(110)의 형성 방법은, 포토레지스트(Photoresist)를 이용한 식각, 이산화규소(SiO2)층 증착 후 식각, 레이저 빔 식각 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 자세한 내용은 도 3 내지 도 7을 참조하여 후술한다.
슬레이트 구조(110)의 특정한 돌출 부분(111)과 이에 이웃하는 돌출 부분(111), 또는 특정한 함몰 부분(112)과 이에 이웃하는 함몰 부분(112) 사이의 간격(pitch; P)은 밀리미터(mm)의 스케일을 가질 수 있다. 일 예로, 직경이 156 mm인 태양전지 기판(100)을 기준으로 할 때, 상기 간격(P)은 약 1~2 mm일 수 있다.
이어서, 도 2를 참조하면, 일면에 슬레이트(110) 구조가 형성된 태양전지 기판(100)에 텍스쳐링을 수행할 수 있다. 텍스쳐링은 식각 용액이 채워진 조(Bath)(미도시) 내에 태양전지 기판(100)을 담구는 습식 식각법(wet etching)을 이용하여 수행할 수 있다. 식각 용액은 태양전지 기판(100)의 습식 식각에 사용되는 물질로서, 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 아세트산(CH3COOH) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
텍스쳐링을 수행하면 요철(凹凸) 구조(120)가 태양전지 기판(100) 일면의 슬레이트 구조(110)를 따라서 형성될 수 있다. 슬레이트 구조(110) 상에 요철 구조(120)를 형성하기 위해서, 요철 구조(120)는 슬레이트 구조(110)보다는 크기가 작은 것이 바람직하다. 일 예로, 요철 구조(120)는 약 5~10 ㎛의 마이크로미터(㎛)의 스케일을 가질 수 있다.
이하에서는, 여러 실시예들을 참조하여 본 발명의 태양전지 제조방법을 설명한다.
도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트층(200, 210)을 이용한 식각 방법을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(100)을 준비하고, 태양전지 기판(100)의 일면에 포토레지스트층(200)을 형성할 수 있다. 포토레지스트층은 양성 포토레지스트(Positive Photoresist) 또는 음성 포토레지스트(Negative Photoresist) 중 어느 것을 사용해도 무방하다. 본 명세서에서는 양성 포토레지스트를 사용한 것을 예를 들어 설명한다.
이어서, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(200) 상부에 소정의 패턴이 형성된 마스크(M)를 배치하고 노광을 실시할 수 있다. 여기에서 마스크(M)에 형성된 패턴의 간격은 슬레이트 구조(110)의 돌출 부분(111)[또는 함몰 부분(112)]의 간격과 동일하게 밀리미터(mm) 스케일을 가지는 것이 바람직하다.
이어서, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(200)의 노광된 부분을 현상액(Developer)을 사용하여 제거할 수 있다. 그 결과, 소정의 패턴(P1)이 형성된 포토레지스트층(210)이 태양전지 기판(100) 상에 잔존할 수 있다. 이후의 텍스쳐링 공정을 거쳐, 포토레지스트층(210)이 잔존한 영역(100a)은 돌출 부분(111)이 될 수 있고, 포토레지스트층(210)이 잔존하지 않은 영역(100b)은 함몰 부분(112)이 될 수 있다.
이어서, 태양전지 기판(100)의 텍스쳐링을 수행할 수 있다. 태양전지 기판(100) 및 포토레지스트층(210)은 식각 용액에 의해 동시에 식각될 수 있다. 이때, 포토레지스트층(210)의 식각율이 태양전지 기판(100)보다 낮고, 상부에 포토레지스트층(210)이 잔존한 영역(100a)은 상부의 포토레지스트층(210)이 식각된 후에 태양전지 기판(100)이 식각되므로, 곧바로 태양전지 기판(100)이 식각되는, 상부에 포토레지스트층(210)이 잔존하지 않은 영역(100b)에 비해 식각 정도가 더 적을 수 있다. 따라서, 100a 영역이 100b 영역에 비해 덜 식각되어 돌출 부분(111)을 형성하고, 100b 영역은 함몰 부분(112)을 형성할 수 있다.
위와 같이, 거시적으로는 돌출 부분(111) 및 함몰 부분(112)을 포함하는 슬레이트 구조(110)가 형성되며, 동시에, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 미시적으로는 요철 구조(120)가 태양전지 기판(100) 일면의 돌출 부분(111) 및 함몰 부분(112)을 포함하는 슬레이트 구조(110)를 따라서 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 포토레지스트층(200, 210)을 이용한 식각 방법을 나타내는 도면이다.
도 4의 실시예는 도 3의 실시예와 동일한 부분은 자세한 설명을 생략한다.
도 4의 (a) 내지 도 4의 (c)의 과정은 도 3의 (a) 내지 도 3의 (c)의 공정과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다. 다만, 도 4에서는 소정의 패턴(P1)이 형성된 포토레지스트층(210)이 상부에 잔존하는 태양전지 기판(100)에 바로 텍스쳐링을 수행하지 않는 차이점이 있다.
도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 소정의 패턴(P1)이 형성된 포토레지스트층(210)이 태양전지 기판(100) 상에 잔존한 상태에서, 태양전지 기판(100)만을 식각하여 포토레지스트층(210)의 패턴(P1)과 대응되는 패턴(P1')을 태양전지 기판(100)의 일면에 형성할 수 있다.
이어서, 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(210)을 제거하고, 패턴(P1')이 형성된 태양전지 기판(100)에 텍스쳐링을 수행할 수 있다. 텍스쳐링 수행 후에, 거시적으로는, 패턴(P1')이 형성되지 않은 부분은 돌출 부분(111), 패턴(P1')이 형성되었던 부분은 함몰 부분(112)이 됨과 동시에, 미시적으로는 요철 구조(120)가 태양전지 기판(100) 일면의 돌출 부분(111) 및 함몰 부분(112)을 포함하는 슬레이트 구조(110)를 따라서 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이산화규소층(310)을 이용한 식각 방법을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(100)을 준비하고, 태양전지 기판(100)의 일면에 소정의 패턴(P2)을 가지는 이산화규소층(310)[또는 이산화규소 패턴층(310)]을 형성할 수 있다. 패턴(P2)을 가지는 이산화규소층(310)은 패턴(P2)이 형성될 부분을 제외한 나머지 부분을 세라믹 마스크 등으로 마스킹(Masking) 한 후에 LPCVD, PECVD, MOCVD와 같은 화학기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 또는 졸겔 법(Sol-Gel Process)을 사용하여 형성할 수 있고, 잉크젯 프린팅법(ink jet printing), 스크린 프린팅법(screen printing)과 같은 프린팅법을 사용하여 형성할 수도 있다. 이 외에도 열 증착법(Thermal Evaporation), 전자빔 증착법(E-beam Evaporation), 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리기상 증착법(Physical Vapor Deposition: PVD), 전기도금법(electroplating) 등의 공지된 박막 형성 방법을 사용하여 이산화규소층(310)을 형성할 수 있다. 이산화규소층(310)은 태양전지 기판(100)보다 식각 용액에 대한 식각 저항성이 현저하게 크므로 나노미터(nm) 내지 마이크로미터(㎛) 스케일의 두께를 가지도록 형성할 수 있다.
이어서, 태양전지 기판(100)의 텍스쳐링을 수행할 수 있다. 태양전지 기판(100) 및 이산화규소층(310)은 식각 용액에 의해 동시에 식각될 수 있다. 이때, 이산화규소층(310)의 식각율이 태양전지 기판(100)보다 낮고, 상부에 이산화규소층(310)이 잔존한 영역(100c)은 상부의 이산화규소층(310)이 식각된 후에 태양전지 기판(100)이 식각되므로, 곧바로 태양전지 기판(100)이 식각되는, 상부에 이산화규소층(310)이 잔존하지 않은 영역(100d)에 비해 식각 정도가 더 적을 수 있다. 따라서, 100c 영역이 100d 영역에 비해 덜 식각되어 돌출 부분(111)을 형성하고, 100c 영역은 함몰 부분(112)을 형성할 수 있다.
위와 같이, 거시적으로는 돌출 부분(111) 및 함몰 부분(112)을 포함하는 슬레이트 구조(110)가 형성되며, 동시에, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 미시적으로는 요철 구조(120)가 태양전지 기판(100) 일면의 돌출 부분(111) 및 함몰 부분(112)을 포함하는 슬레이트 구조(110)를 따라서 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이산화규소층(300, 310)을 이용한 식각 방법을 나타내는 도면이다.
도 6의 (b) 및 도 6의 (c)의 과정은 도 5의 (a) 및 도 5의 (b) 공정과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다. 다만, 도 6의 (a)에서는 태양전지 기판(100)의 일면 전체에 이산화규소층(300)을 형성하는 것에 차이점이 있다. 이산화규소층(300)은 도 5의 (a)에서 이산화규소층(310)을 형성하는 방법과 동일하게 형성하며, 이에 더하여 열 산화법, 확산법을 사용하여 형성할 수도 있다.
이산화규소층(300)을 형성한 후, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 건식 식각, 졸겔 법, 프린팅법 등을 이용하여 소정의 패턴(P2)을 형성할 수 있다. 이후에 패턴(P2)이 형성된 이산화규소층(310)을 식각하여 텍스쳐링 공정을 수행하는 것은 도 5의 (a) 및 도 5의 (b) 공정과 동일하다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔(Laser Beam)을 이용한 식각 방법을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(100)을 준비하고, 태양전지 기판(100)의 일면에 레이저 빔을 조사하여 소정의 함몰 부분(112')을 형성함으로써 슬레이트 구조(110)를 형성할 수 있고, 도 7의 (b)에서 텍스쳐링을 수행함으로써 슬레이트 구조(110)를 더욱 구체화 할 수 있다. 함몰 부분(112') 외의 태양전지 기판(100)의 일면에는 레이저 빔을 조사하지 않는 것이 당연하다. 또한, 태양전지 기판(100)에 레이저 빔의 흡수율이 높도록 하기 위하여, 레이저 빔의 파장은 적어도 300 nm인 것이 바람직하다.
한편, 결정질 실리콘 재질인 태양전지 기판(100)에 레이저 빔을 조사하면, 레이저 빔의 집광점 부분은 에너지가 집중되기 때문에 태양전지 기판(100)이 식각되어 함몰 부분(112')을 형성하며, 레이저 빔의 에너지가 전달되나 식각이 되는 정도에 이르지 않는 부분은 결정 구조가 변화하는 개질 영역(100f)을 형성할 수 있다. 일 예로, 개질 영역(100f)은 결정질 실리콘 영역(100e)이 비정질 실리콘 영역(100f)으로 변화된 영역을 의미할 수 있다.
이어서, 태양전지 기판(100)의 텍스쳐링을 수행할 수 있다. 태양전지 기판(100)의 결정질 실리콘 영역(100e) 및 상부에 함몰 부분(112')이 형성된 비정질 실리콘 영역(100f)은 식각 용액에 의해 동시에 식각될 수 있다. 이때, 결정질 실리콘 영역(100e)의 식각율이 비정질 실리콘 영역(100f)보다 낮고, 비정질 실리콘 영역(100f)의 상부에는 이미 소정의 함몰 부분(112')이 형성되어 있기 때문에, 결정질 실리콘 영역(100e)은 비정질 실리콘 영역(100f)에 비해 식각 정도가 더 적을 수 있다. 따라서, 100e 영역이 100f 영역에 비해 덜 식각되어 돌출 부분(111)을 형성하고, 100f 영역은 함몰 부분(112)을 형성할 수 있다.
위와 같이, 거시적으로는 돌출 부분(111) 및 함몰 부분(112)을 포함하는 슬레이트 구조(110)가 형성되며, 동시에, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 미시적으로는 요철 구조(120)가 태양전지 기판(100) 일면의 돌출 부분(111) 및 함몰 부분(112)을 포함하는 슬레이트 구조(110)를 따라서 형성될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 의한 태양전지는 태양전지 기판(100)에 슬레이트 구조(110)를 형성하여 1차적으로 표면적을 증대시키고, 텍스쳐링을 수행하여 슬레이트 구조(110) 상에 요철 구조(120)를 형성함으로써, 종래의 텍스쳐링보다 표면적을 더 증대시킬 수 있는 이점이 있다. 따라서, 빛의 반사율을 최소화하고 수광량을 최대화하여 광전 변환 효율을 보다 증대시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 텍스쳐링 후 태양전지 기판(100)의 슬레이트 구조(110)와 요철 구조(120)의 조합으로 인한 거칠기에 의해 광전소자, 반사방지층 등 태양전지의 다른 구성요소와의 계면 특성(부착력)을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
100: 기판
110: 슬레이트 구조
111: 돌출 부분
112: 함몰 부분
120: 요철 구조
200, 210: 포토레지스트층
300, 310: 이산화규소층

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. (a) 태양전지 기판의 일면에 슬레이트(Slate) 구조를 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 슬레이트 구조가 형성된 태양전지 기판의 일면에 텍스쳐링을 수행하는 단계
    를 포함하며,
    상기 (a) 단계는,
    (a1) 상기 태양전지 기판의 일면에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    (a2) 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계; 및
    (a3) 상기 포토레지스트층의 패턴에 대응하도록 상기 태양전지 기판을 식각하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  5. (a) 태양전지 기판의 일면에 슬레이트(Slate) 구조를 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 슬레이트 구조가 형성된 태양전지 기판의 일면에 텍스쳐링을 수행하는 단계
    를 포함하며,
    상기 (a) 단계는,
    (a1) 상기 태양전지 기판의 일면에 이산화규소(SiO2) 패턴층을 형성하는 단계;
    (a2) 상기 이산화규소 패턴층과 상기 태양전지 기판을 식각하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
  6. (a) 태양전지 기판의 일면에 슬레이트(Slate) 구조를 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 슬레이트 구조가 형성된 태양전지 기판의 일면에 텍스쳐링을 수행하는 단계
    를 포함하며,
    상기 (a) 단계는,
    (a1) 상기 태양전지 기판의 일면에 이산화규소층을 형성하는 단계;
    (a2) 상기 이산화규소층에 패턴을 형성하는 단계; 및
    (a3) 상기 이산화규소층과 상기 태양전지 기판을 식각하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  7. (a) 태양전지 기판의 일면에 레이저 빔을 조사하여 슬레이트(Slate) 구조를 형성하는 단계; 및
    (b) 상기 슬레이트 구조가 형성된 태양전지 기판의 일면에 텍스쳐링을 수행하는 단계
    를 포함하며,
    상기 태양전지 기판은 결정질 실리콘을 포함하고, 상기 레이저 빔을 조사하여 형성한 상기 슬레이트 구조의 함몰된 부분의 하부 영역이 비정질 실리콘으로 개질되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 슬레이트 구조는 파동(Wave) 형상 또는 돌출 및 함몰이 연속되는 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  9. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (b) 단계에서, 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 질산(HNO3), 황산(H2SO4) 또는 아세트산(CH3COOH)을 사용하여 텍스쳐링을 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  10. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항의 태양전지 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지 기판.
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