KR101558018B1 - 이온 에칭된 표면을 구비한 워크피스의 제조방법 및 이온 에칭 장치 - Google Patents

이온 에칭된 표면을 구비한 워크피스의 제조방법 및 이온 에칭 장치 Download PDF

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Abstract

캐러셀(19)상에 탑재된 워크리스에 대한 행성 캐리어(22)가 진공 챔버내에 제공된다. 이온 함유 구름(CL)에 대한 소스(24)는 구름의 중심축(ACL)이 캐러셀(19)의 회전축(A20)을 가로막도록 제공된다. 구름(CL)은 행성 캐리어(22)의 직경의 최대 반인 상기 중심축(ACL)으로부터의 거리에서 최대 이온 밀도의 50%까지 저하되는 행성축(A22)의 이동경로(T)에서 이온 밀도 프로파일을 갖는다. 행성 캐리어(22) 상의 워크피스가 이온 함유 구름에 의해 에칭될 때 에칭된 물질이 이웃하는 행성 캐리어 상에 실질적으로 재증착되기 보다 진공 챔버의 벽을 향하여 방출된다.

Description

이온 에칭된 표면을 구비한 워크피스의 제조방법과 이온 에칭 장치{METHOD FOR MANUFACTURING WORKPIECES WITH ION-ETCHED SURFACE AND ION ETCHING APPARATUS}
본 발명은 일반적으로 이온 충격에 의해 워크피스(workpiece)의 표면을 에칭함으로써 적어도 워크피스 배치(batch)의 다른 워크피스 또는 동일 워크피스의 다른 표면 구역 위에 재증착되는 표면을 에칭시켜서 에칭 제거되는(etched off) 물질의 양을 감소시키는 것에 관한 것이다.
정 의
본 발명에서 "이온 충격에 의한 에칭"은 이온을 피에칭 표면에 충돌시켜서 충격에 의해 표면 물질을 제거하는(knock out) 진공 에칭 공정을 뜻한다.
이에 따르면, 상기 에칭은 실질적으로 오로지 충격에 의해서만 구현될 수 있으나, 워크피스의 피에칭 표면에 인접한 반응 가스를 추가로 활성화시킴으로써 수행될 수도 있으며, 이러한 활성화된 가스는 에칭 공정에 기여한다.
한편, "이온 함유 구름(cloud comprising ion)"이 정의된다.
본 발명에서 "이온 함유 구름"은 주위의 진공보다 양이온 밀도가 높은 진공 속의 한정된 공간 영역으로 이해된다. 이에 관하여, 본 발명자들은 이러한 이온 구름의 경계는, 이온 밀도가 구름 내부 최대 이온 밀도의 50%까지 저하하는 궤적이라고 정의한다.
피에칭 워크피스에 대하여 적절하게 위치되도록 이온 구름의 경계를 설정하기 위하여 그리고 하기에서 예시되는 바와 같이, 하나 이상의 모조 워크피스가 각각의 에칭 장치에 도입되어 이온 함유 구름 내로 침지될 수 있다. 미리 정해진 시간이 지난 후 모조품이 제거되고, 모조 워크피스의 최대 에칭 효과의 50% 에칭 효과가 도달하는 지점을 확인한다. 이로써, 구름의 경계 위치가 확인된다. 그 결과에 따라, 구름을 생성하기 위한 소스 및/또는 상기 소스에 대한 워크피스의 위치는 원하는 위치의 구름의 경계를 생성하도록 조정된다.
원위치에서 상기 경계가 위치된 곳을 확인하는 또 다른 방법은 랭뮤어 탐침법(Langmuir probes)으로 측정할 수 있다.
이온의 이동 분포는 무작위적일 수 있다. 이는 전극으로부터 멀리 떨어진 플라즈마 방전의 경우이다. 종종 캐쏘드 암흑부(cathode dark space)라고도 불리는 캐쏘드 쉬드(sheath)를 통하여 인접한 전극이 캐쏘드로 작용하고, 이온은 플라즈마 전위와 캐쏘드 전위의 전기적 전위차에 의해 캐쏘드로 구인된다. 고체 표면이 플라즈마에 침지되는 경우, 계면에서 쉬드가 또한 생성되고, 부유 전위에서 작동된다 하더라도 상기 표면은 에칭 이온 충격에 노출된다. 플라즈마 전위에 대한 음전위, 즉 캐쏘드 전위에 상기 표면이 바이어스됨으로써 에칭률이 증가될 수 있다. 바이어스되는 경우, 이온 이동 분포는 상기 표면으로의 선호적 방향성을 갖고, 바이어스되지 않으면 이동 분포는 무작위적이다.
구름이 예를 들어 원거리 플라즈마로부터 그리드(grid)의 도움을 받아 이온을 추출하고, 피에칭 표면을 향하는 방향에서 상기 이온을 가속함으로써 생성될 수 있는 실질적으로 오직 이온만으로 구성된 이온 빔(ion beam)으로서 존재하는 경우, 이온 함유 구름 내의 이온 이동 분포는 상기 방향성을 갖는다. 이런 종류의 구름에서 이온의 유력한 이동 방향은 타겟면을 향하여 플라즈마 밖으로의 이온의 추출과 가속 각각에 의해 확립된다.
본원 및 청구항에 기재된 이온 함유 구름에 대한 이해를 위하여 추가로 예를 들어 설명하기 위해, 도 1은 실질적으로 이온으로 구성되는 빔인 이온 함유 빔-유사 구름을 생성하기 위한 배열을 개략적으로 도시한다. 당해 기술분야의 숙련가들에게 잘 알려진 바와 같이 예를 들어 플라즈마 챔버(5)에서, 열이온 캐쏘드(7)와 애노드로 작동되는 챔버(5)의 벽을 구비하고, 아르곤과 같은 불활성 기체를 주입함으로써 플라즈마 방전(PL)이 생성된다. 플라즈마(PL)는 불활성 기체의 양이온뿐만 아니라 전자를 포함한다. 플라즈마 챔버(5)의 벽에 대한 높은 음전위에서 그리드 또는 격막(diaphragm)(9)을 가속하는 배열에 의하여, 양이온은 플라즈마로부터 추출되고 유력한 방향(D)에서 가속된다. 원거리 타겟(15)을 향한 만곡된 궤도를 따라서 그리드에 튀기고 정전기적 구인에 의해 생성될 수 있는 빔인 이온(I)으로만 실질적으로 구성되는 빔(BI)을 생성한다. 여기서 이온 함유 구름은 상기 빔 모양을 갖고 이온은 유력한 이동 방향성을 갖는다.
도 2는 양이온뿐만 아니라 전자를 함유하는 플라즈마 빔인 이온 함유 구름을 생성하는 것을 개략적으로 도시한다. 이에 관하여, 하나의 예로서 열이온 캐쏘드(11)가 플라즈마 챔버에 다시 제공된다. 플라즈마 챔버(9)는 전기적으로 부유하는 전위에서 작동될 수 있다. 애노드(13)은 플라즈마 빔(BPL)을 생성하기 위하여 캐쏘드(11)과 협력한다. 플라즈마에 있는 이온의 유력한 이동 방향(D)은 타겟 에칭에 기여하지 않는 플라즈마의 전자를 밀어내고 플라즈마(PL)의 밖으로 이온을 구인하기 위하여 캐쏘드 전위, 즉 네거티브 바이어스 전압(UB)에 타겟(15)을 바이어스시킴으로써 확립된다. 그럼에도 불구하고, 타겟(15)에 인접한 빔(BPL)에 전자가 남아 있다. 그러므로 여기서 이온 함유 구름은 이온이 유력한 이동 방향성을 갖는 것인 플라즈마 빔이다.
도 14는 이온 함유 구름을 생성하는 제3 모드를 도시한다. 애노드는 전자의 소스, 즉 원거리 캐쏘드(65)과 협력한다. 전자 소스(65)와 애노드(69)에 대한 부유 전위에서 작동하는 컨파인먼트(confinement)(71)에 있는 애노드(69) 바로 앞에서 전자는 동작 가스를 이온화한다. 컨파인먼트는 그것으로부터 나온 플라즈마(PL)를 형성한다. 플라즈마에서 이온은 유력한 이동 방향성이 없다. 고체 금속 표면이 부유 전위에서 플라즈마에 침지되는 경우, 플라즈마/고체 계면에서 생성되는 쉬드는 이미 표면 에칭을 만족시키는 고체 표면을 향하여 이온 가속을 제공한다. 그럼에도 불구하고, 상기의 경우 이온 함유 구름은 본래 유력한 이온의 이동 방향성이 없다. 고체 표면에 대한 에칭 효과는 그것에 전위, 플라즈마(PL)의 플라즈마 전위에 대해 네거티브 바이어스 전위를 인가함으로써 증가할 수 있다.
이온의 충격이 에칭의 원인이 되는 것과 같이, 구름의 3개의 카테고리인 도 1의 BI, 도 2의 BPL, 도 14의 플라즈마(PL)에 의해 타겟면이 에칭되는 것을 볼 수 있다.
도 3 내지 도 6은 이온 함유 구름의 경계를 한정하는 방법을 예를 들어 설명한다. 도 3은 구름을 통하여, 예를 들어 도 2에 따른 평면(E)을 따라 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는 이온 함유 구름(CL)의 이온 밀도 분포(ρ)를 개략적으로 도시한다. 이러한 경우, 구름은 최대 이온 밀도(ρmax)의 중심 구역에 집중된 z 방향에서 축(ACL)에 대하여 실질적으로 대칭이다. 이온 밀도는 실질적으로 소정의 원형 궤적을 따라 최대 이온 밀도(ρmax)의 75% 및 50% 등으로 저하된다. 본 발명자들은 최대 이온 밀도(ρmax)의 50%의 궤적을 구름의 경계 또는 한계로 간주한다.
도 4는 생성된 정성 이온 밀도(ρ(y)) 분포를 도시한다.
도 5는 도 3과 유사하게, 완전히 정성적으로 구름을 통하여 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는 한 방향(x)으로 직선으로 연장된 구름(CL)의 이온 밀도 분포를 도시한다.
도 6은 평면 Z/Y의 밀도 분포를 도시한다. X/Z 평면에 따른 중앙 평면은 최대 이온 밀도(ρmax)의 구역의 중심 위치이다.
이온이 금속 표면에 충분히 높은 에너지를 작용할 때, 충격 때문에 금속이 소위, 코사인 법칙에 따라 공간 확률 분포로 상기 표면으로부터 나와서 주변 진공 분위기 속으로 들어간다. 도 7에 개략적으로 도시된 바와 같이, 주변 진공 분위기 속으로 자유롭게 된 금속의 가능성은 분포도(W)에 따라 공간 방향(θ)에 의존한다. 그러므로 도 7에 개략적으로 도시된 바와 같이 금속이 워크피스의 표면(1)으로부터 이온 에칭되고 표면(3)에 존재하는 경우, 표면(1)으로부터 에칭된 금속의 특정 양은 표면(3)에 재증착된다. 표면(3)이 피에칭 표면이거나 또는 보다 일반적으로 에칭되지 않은 금속이 증착될 표면인 경우에 특히 문제점이 있다. 표면(3)이 에칭되어야 하는 표면인 경우, 한 표면 구역을 일시적으로 에칭하는 금속의 부분이 이미 에칭된 또는 에칭되어야 하는 또 다른 표면 구역에 재증착됨으로써 전체 에칭 효율은 상당히 저하된다.
본 발명은 일반적으로 스퍼터 에칭되는 워크피스의 배치를 위한 상기 문제점에 관한 것이다. 한 워크피스로부터 에칭된 금속이 배치의 다른 워크피스에 재증착되는 경우 전체 에칭 효율은 상당히 저하된다.
워크피스를 제작하기 위해 제안된 방법은 에칭된 상기 워크피스의 적어도 한 부분의 표면이 이온 충격에 의해 에칭되는 것을 포함한다. 캐러셀 베이스가 캐러셀 축에 대하여 구동 회전한다. 상기 캐러셀 베이스 및 이의 주변을 따라서 적어도 2개의 행성 캐리어가 제공되고, 캐러셀 축에 대하여 평행한 행성축을 중심으로 각각 구동 회전한다. 캐러셀 축 및 행성축에 수직인 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되고, 최대 이온 밀도의 중심 구역에 있는 중심 축을 갖는 이온 함유 구름이 생성된다.
중심축은 캐러셀 축과 교차하기 위하여 배향되어 캐러셀 축 및 행성축에 수직인 횡단면 평면에 있는 것으로 고려된다. 각 행성 캐리어에 에칭되는 하나 이상의 워크피스에 적용되고, 각각의 행성 캐리어는 직경에 대한 행성축을 중심으로 회전함으로써 한정하고, 상기 행성축에 대하여 상기 횡단면 평면에 있다고 또한 여겨진다. 이온 함유 구름은 행성축의 이동 경로의 궤적에서 상기 직경의 최대 절반인 중심축으로부터 이격된 빔의 최대 이온 밀도의 50%로 저하된 이온 밀도를 추가로 갖는다. 행성 캐리어 뿐만 아니라 캐러셀 베이스도 각각의 축을 중심으로 구동 회전하고 상기 구름 속으로 및 구름을 통과하여 이동될 때 각각의 워크피스가 에칭된다.
진공 처리를 위한 캐러셀/행성 캐리어 배치에 지지되는 예를 들어 절단 공구와 같은 워크피스 또는/및 태핏(tappets), 노즐 니들(nozzle needles), 조절 피스톤, 피스톤 핀(writst pin), 핑거 팔로워(finger follower), 플런저(plungers), 롤러 및 슈즈 등과 같은 특히 자동차 산업의 워크피스의 배치를 제공하는 것은 잘 알려져있다.
상기 방법에 의하여 한 행성 캐리어상의 워크피스로부터 일시적으로 에칭된 물질이 또 다른 행성 캐리어의 워크피스에 재증착되는 것을 실질적으로 방지한다. 게다가 복잡한 형상의 워크피스 표면, 예를 들어 오목한 표면에 에칭하는 것이 상당히 향상된다.
상기 방법의 한 양태에서 행성 캐리어가 이의 축방향으로 연장되는 곳에서, 구름은 행성축에 평행한 방향으로 실질적으로 직선으로 연장되어 생성된다. 그러므로 캐러셀 축을 포함하는 중심 평면을 한정하는 쉬트상 구름을 생성한다.
상기 방법의 추가 양태에서 워크피스는 각각의 행성축에 대하여 중심을 달리하여(eccentrically) 적용되고 바람직하게는 워크피스 축을 중심으로 각각 회전된다. 후자는 피에칭 워크피스 표면이 전체 워크피스에 연장되는 경우 수행된다.
추가 양태에서 워크피스로부터 다른 워크피스로의 일시적으로 에칭된 물질의 재증착은 상호적으로 워크피스를 차폐시킴으로써 추가로 방지된다.
추가 양태에서 워크피스상에 상기 에칭의 집중은 더 높은 네거티브 바이어스 전압을 일시적으로 에칭되지 않은 워크피스보다 일시적으로 에칭된 워크피스에 선택적으로 인가함으로써 추가로 증가된다.
추가 양태에서 구름을 생성하는 것은 격막에 의해 구름을 형성하는 것을 포함한다. 이것은 전기적으로 부유하는 금속 격막, 유전체 격막, 또는 애노드로 작동되는 격막 중의 어느 하나를 통하여 수행된다.
금속 격막이 부유 전위에서 작동되는 경우, 구름의 전위에 비례한다. 그러므로 구름이 플라즈마인 경우, 플라즈마 전위는 기준 전위, 예를 들어 대지 전위인 플라즈마 생성을 위한 캐쏘드 또는 애노드의 전위를 선택함으로써 기준 전위에 속하게 되고, 격막의 전위는 부유(floating)하거나 또는 격막이 기준 전위에서 작동되고 플라즈마 전위는 기준 전위에서 플라즈마 생성을 위해 캐쏘드 및 애노드를 모두 작동시키지 않음으로써 부유한다.
애노드로 그러므로 양전위에서 작동하는 격막은 이의 양이온에 대한 구름에 집중 부재로서 작용한다.
추가 양태에서 구름을 생성하는 것은 구름을 따라 자기장을 인가하는 것을 포함한다.
한 양태에서 구름은 플라즈마로서 생성되므로 전자뿐만 아니라 상기 에칭 이온을 포함한다. 특히, 에칭된 워크피스에 적용하는 경우 에칭 양이온이 구인되고 전자는 반발하게 되어 전자 전류에 의해 워크피스가 가열되는 것을 막기 때문에 네거티브 바이어스 전위는 상당한 이점이 있다.
추가로 한 양태에서 구름의 이온 밀도는 상기 직경의 최대 ¼이고 이온 밀도가 최대 이온 밀도의 50%까지 이격되는 거리를 선택함으로써 특정한 작은 지역에 훨씬 많이 제한된다.
캐러셀 축을 중심으로 구동 회전할 수 있는 캐러셀 베이스를 포함하는 이온 구름 에칭 장치를 추가로 제안한다. 장치는 캐러셀 축에 평생한 각각의 행성축을 중심으로 구동 회전할 수 있는 캐러셀 베이스상에 및 주변에 구동 탑재되는 2개 이상의 행성 캐리어를 추가로 포함한다.
각각의 행성 캐리어는 이의 행성축에 대하여 직경을 한정한다.
평면에 있는 중심축은 캐러셀 축과 교차하고, 캐러셀 축과 행성축에 대하여 수직인 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는 이온 함유 구름을 생성하는 소스를 추가로 제공한다. 구름 축은 상기 평면에 있는 것으로 고려되는 최대 이온 밀도 구역의 중심으로 한정된다.
각 2개 이상의 행성 캐리어는 워크피스에 대한 하나 이상의 워크피스 지지체를 포함한다. 이온 함유 구름은 캐러셀 축 둘레의 행성축의 이동경로 위치 및 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는 행성 캐리어의 직경의 최대 50%인 빔축으로부터 이격된 거리에 있는 구름의 최대 이온 밀도의 50%까지 저하되는 이온 밀도를 갖는다.
상기 장치의 한 양태에서 이온 함유 구름은 행성축에 평행한 방향으로 실질적으로 직선으로 연장된다.
장치의 추가 양태에서 각각의 행성 캐리어는 이의 주변부에 인접한 워크피스 회전체, 바람직하게는 각각의 지지체 축을 중심으로 구동 회전할 수 있는 지지체를 포함한다.
본 발명에 따른 추가 양태에서 장치는 캐러셀 축에 대하여 반경 방향으로 연장되고 캐러셀 베이스에 대하여 정지해 있는 이웃하는 행성 캐리어들 사이에 차폐재(shield)를 포함한다. 워크피스 상의 행성 캐리어 중 하나, 추가로 특히 이웃하는 행성 캐리어 상에 워크피스로부터 일시적으로 에칭된 물질의 재증착은 상기 차폐재에 의해 추가로 감소한다.
추가 양태에서 행성 캐리어는 이의 주변부에 인접한, 바람직하게는 본래 회전할 수 있는 워크피스 지지체를 포함하는 경우에 행성축의 각각에 대하여 반경 방향으로 연장되고 행성 캐리어의 각각에 탑재된 이웃하는 상기 워크피스 지지체 사이에 차폐재를 제공한다. 워크피스로부터 일시적으로 에칭된 물질의 재증착은 상기 차폐재에 의해 방지되어 동일한 행성 캐리어 상에 지지된 워크피스에 재증착된다.
한 양태에서 이웃하는 행성 캐리어 사이 및/또는 행성 캐리어상의 워크피스 지지체 사이에 있는 상기 차폐재는 금속으로 만들어지고 전기적으로 부유하게 작동되거나 또는 유전물질로 만들어진다.
지금까지 언급한 상기 차폐재는 한 워크피스로부터 또 다른 워크피스로의 에칭된 물질의 전이를 막는 양상하에서 더 많이 제공되는 바, 추가 양태에서 접근은 워크피스가 다른 워크피스로부터 에칭된 물질에 의해 오염되는 것을 막는 것에 따라 처리된다. 이것은 캐러셀 축에 대하여 반경 방향 바깥쪽으로 향하는 개구를 갖고 캐러셀 베이스 상에 탑재된 차폐 부재를 각각의 행성 캐리어 주변에 제공함으로써 달성된다.
추가 양태에서 위에서 언급한 바와 같이 행성 캐리어에 워크피스 지지체를 제공하는 경우 차폐 부재는 각각의 워크피스 주변에 제공되고 상기 차폐 부재 각각은 행성축에 대하여 반경 방향 바깥쪽으로 향하는 개구를 갖는다.
다시, 한 양태에서 행성 캐리어 및/또는 워크피스 지지체 주변의 상기 차폐 부재는 금속으로 만들어지고 전기적으로 부유하는 방식으로 작동되거나 유전물질로 만들어진다.
추가 양태에서 워크피스 지지체를 바이어스하기 위한 전기 서플라이가 제공되어 빔의 이온을 구인된다.
추가 양태에서 각각의 워크피스 지지체가 구름에 침지될 때 상기 지지체가 구름에 침지되지 않을 때보다 더 높도록 바이어스를 조절하는 바이어스 조절 단위(bias control unit)을 제공한다.
또한 추가 양태에서 구름을 따라서 집중 자기장을 생성하는 코일 어레인지먼트(coil arrangement)를 제공한다.
또한 추가 양태에서 이온 함유 구름을 생성하는 소스는 플라즈마 소스이고 구름은 플라즈마이다.
본 발명에 따라 워크피스의 배치, 예를 들어 앞서 언급한 종류의 배치가 캐러셀/행성 캐리어 배열에 에칭될 때마다 재증착이 방지되거나 또는 최소한 실질적으로 감소된다.
이하에서 본 발명은 도면의 도움을 받아 추가로 예를 들어 설명한다.
도 1은 한 양태의 구름로서 실질적으로 이온으로 구성된 이온 함유 구름을 생성하기 위한 소스를 간략하게 도시하는 개략도이다.
도 2는 도 1과 유사한, 이온 함유 구름의 추가 양태로서 플라즈마 빔을 생성하는 소스를 도시하는 개략도이다.
도 3은 이온 함유 중심 대칭 구름에서의 이온 밀도 분포를 정성적으로 도시한 것이다.
도 4는 이온 밀도 분포를 구름을 통한 단면 방향을 따라 도시한 것이다.
도 5는 도 3과 유사한, 직선으로 연장된 구름에서 이온 밀도 분포를 도시한 것이다.
도 6은 도 4와 유사한, 도 5에 따른 구름의 이온 밀도 분포를 도시한 것이다.
도 7은 코사인 법칙 효과의 스퍼터링이 재증착 문제를 일으키는 것을 도시하는 개략도이다.
도 8은 본 발명에 따른 제1 양태를 나타낸 개략도이다.
도 9는 도 8에 따른 양태의 측면도이다.
도 10은 도 8에 따른 캐러셀/행성 배열의 이웃하는 행성 캐리어에 에칭의 재증착을 최소화하는 추가 수단을 도시한 것이다.
도 11은 도 8에 도시한 양태로부터 출발하여 도 10의 양태와 결합할 수도 있는 추가 양태로 조절된 워크피스 바이어스에 의해 재증착을 추가로 막기 위한 추가 수단을 도시한 것이다.
도 12는 도 8에 따른 양태로부터 출발하여 도 10 및/또는 도 11의 양태와 결합할 수 있고, 보호 차폐재에 의해 재증착을 막는 추가 수단을 도시한 것이다.
도 13은 도 8과 유사한, 개별적으로 또는 결합되어 적용될 수 있는 재증착을 감소시키는 수단과 함께 각각의 행성 캐리어에 제공되는 구동 회전할 수 있는 워크피스 지지체의 배열을 도시한 것이다.
도 14는 본 발명을 실시하기 위해 적용되고 국제출원 제PCT/EP006/067869호에 명시된 플라즈마 소스에 기반한 플라즈마 소스, 및 그에 의해 이온 함유 구름의 추가 종류를 생성하는 플라즈마를 도시하는 개략도이다.
도 15는 복잡한 표면을 갖는 워크피스를 에칭하기 위한 도 14에 따른 배열을 도시하는 개략도이다.
도 8은 본 발명에 따른 워크피스를 에칭하는 배치에 대한 장치의 제1 양태를 개략적으로 도시한 것이다. 캐러셀 베이스(20)를 갖는 캐러셀(19)이 진공 챔버(미도시)에 제공된다. 상기 캐러셀 베이스는 캐러셀 축(A20)을 중심으로 구동 회전할 수 있다. 도 8에 따라 캐러셀 베이스(20)의 주변부에 인접하게 캐러셀(19)의 행성 캐리어(22)가 적어도 2개 이상, 예를 들어 8개가 제공되고 각각은 행성축(A22)을 중심으로 구동 회전할 수 있고, 캐러셀 베이스(20)에 탑재된다. 이온 함유 구름(CL)을 생성하는 소스(24)가 캐러셀(19) 밖에 제공된다. "이온 함유 구름"을 이해하는 것을 고려하면 도 1, 도 2 및 도 14의 상황에서 정의되는 구름의 임의의 소스는 소스(24), 예를 들어 공동의 캐쏘드 소스, 열 방출 이온 소스, 아크 증발 소스, 또는 파.비코.(Fa. Veeco.)가 시판하고 있는 이온 소스로서 사용될 수 있다.
본 발명을 실시하기 위해 적용된 소스(24)는 나중에 도 14에서 보다 상세하게 설명한다.
소스(24)는 도 8에 따라 도시된 횡단면 평면에 있는 것으로 고려지고 행성축(A22)뿐만 아니라 캐러셀 축(A20)에도 수직인 평면에 있고, 행성축(A20)과 교차하는 중심축(ACL)은 또한 상기 평면에 있고 상기 축에 반경 방향으로 나란하다고 여겨지는 것인 구름(CL)을 생성한다.
각각의 행성 캐리어(22)는 이의 행성축(A22)에 대하여 직경(Φ)에 대한 회전을 정한다. 소스(24)에 의해 생성된 구름(CL)은 최대 ½ 직경, 바람직하게는 ¼ 직경으로 중심축(ACL)으로부터 이격된 거리에서 최대 이온 밀도(ρmax)의 50%까지 저하되는 행성축(A22)의 이동 경로(T)의 위치에서 이온 밀도 프로파일을 갖는다. 그러므로, 행성축(22)중 하나가 상기 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는 구름(CL)의 중심축(ACL)과 나란하게 될 때마다 중심축(ACL)에 대하여 수직이고 축(A22)에 대하여 이의 가장 바깥 구역이 구름(CL)의 최대 이온 밀도(ρmax)의 최대 50%인 이온 밀도에 노출된다. 이로써, 유력한 에칭이 중심축(ACL)에 대하여 수직인 행성 캐리어의 표면 구역을 때리는 구름(CL)의 이온에 의해 수행된다. 상기 구역에서 에칭된 물질은 이웃하는 행성 캐리어에 재증착되기보다는 진공 챔버(미도시)의 벽을 향해 방출된다. 중심축(ACL)으로부터 옆으로 이격된 행성 캐리어(22)를 때리는 구름에서 나온 이온은 낮은 에칭 효율을 갖고 감소한 밀도(ρ)에 있어서, 도 7의 코사인 분포도(W)를 추가로 고려하면 오직 소량의 에칭된 물질만 이웃하는 행성 캐리어(22)에 재증착된다.
도 9는 도 8의 배열을 개략적으로 도시하는 측면도이다. 지금까지 기술한 재증착 및 에칭에 관한 고찰은 도 9에 도면부호(24)로 개략적으로 도시된 바와 같이 행성 캐리어(22)에 제공되는 실질적으로 원통형인 워크피스 또는 행성 캐리어(22)에 원통형 표면을 따라서 그룹화된 다수의 워크피스, 축(A22)에 대하여 반경 방향 바깥쪽을 향하는 표면 구역에 에칭된 워크피스의 경우 특히 유효하다.
배치의 워크피스에 에칭된 물질의 재증착을 막는 것에 대한 추가적인 개선은 도 10에 따른 양태에 의해 달성된다. 도 8로부터, 남아있는 재증착이 보다 강조될 것이 분명하고 캐러셀 베이스(20)의 주변부를 따라서 상호간에 행성 캐리어(22)보다 더 가깝게 배열된다. 그러므로 도 8의 양태에서 도 8에서 개략적으로 도시한 직경(Φ)에 일치하는 이웃하는 행성 캐리어(22) 사이에 공간이 유지된다. 도 10에 따른 한 양태에서 재증착의 증가 없이 상기 공간을 감소시키기 위하여 이웃하는 행성 캐리어는 상호간에 차폐된다. 상기 차폐재는 캐러셀 베이스(20)의 캐러셀 축(A20)에 대하여 반경 방향으로 탑재된 차폐판(26)에 의해 수행된다. 또한 도 9에 점선으로 표시한 이런 차폐 부재(26)는 캐러셀 베이스(20)에 대체가능하게 고정되어 만들어져 소정량의 물질이 재증착되는 경우 쉽게 대체할 수 있다.
설명한 바와 같이 이온 함유 구름은 플라즈마에 의해 실현될 수 있다. 여기서 에칭 이온은 워크피스를 네거티브 바이어스함으로써 피에칭 표면에 구인된다. 그럼에도 불구하고 워크피스를 네거티브 바이어스하는 것은 빔의 이온의 에너지에 일반적으로 더할 수 있지만, 상기 바이어스는 플라즈마를 이용할 때 수행되는 데 예를 들어 도 8을 보면 구름(CL)이 더 많이 묶이거나 또는 행성 캐리어(22)에 작용하듯이 더 많이 집중되면, 이웃하는 행성 캐리어(22)에 배달된 워크피스에 에칭된 물질이 더 적게 재증착된다. 추가로 도 8에서 이미 언급했듯이 추가 수단 없이, 이웃하는 행성 캐리어(22) 사이의 상호 방위각의 거리가 행성 구동의 직경(Φ)에 따른 거리보다 더 작아서는 안 된다. 이것은 구름(CL)이 이웃하는 2개의 행성 캐리어 사이를 통과할 때마다 그 위에 지지된 워크피스가 실질적으로 동시에 에칭되어 옆으로 증착되는 에칭 물질을 생성하는 것을 막는다. 그러므로 추가 양태에서 특히 플라즈마로서 구름을 실현할 때 행성 캐리어가 플라즈마 바로 앞에 위치될 때 에칭 이온을 구인하기 위하여 음전위에서 워크피스가 오로지 바이어스된다. 그러므로 제공된 조절된 바이어스는 워크피스에 공급되고, 오직 워크피스는 구름(CL)에 침지된 바이어스 전압이 공급된다. 도 11에 도시된 양태에서 간략하고 개략적으로 나타낸다. 바이어스 소스(30)는 소스(24)에 면하는 위치에서 정지된 접촉부(32)를 갖는다. 각각의 행성 캐리어(22)는 캐러셀 베이스(20)에 대하여 정지된 행성 접촉부(34)를 갖는다. 행성 접촉부(34)로부터 예를 들어 행성축(A22)을 통하여 행성 캐리어(22)에 제공된 워크피스 지지체에 전기적 연결(미도시)을 설정한다. 행성 접촉부(34)는 오로지 각각의 행성 캐리어(22)가 플라즈마(PL)에 나란해 질 때 정적인 바이어스 소스 접촉부(32)와 전기적으로 연결된다. 도 11에 점선으로 도시한 바와 같이 도면 부호(32')에서 접촉부(34) 및 (32) 중 하나 또는 둘 다의 방위각 연장을 디멘져닝(dimensioning)함으로써 이동하는 동안 행성 캐리어(22)의 각도를 조절할 수 있고 바이어스 전압은 워크피스에 공급될 수 있다. 도 11에서 바이어스 소스(30)의 바이어스 전압이 각각의 행성 캐리어(22)에 공급되는 동안 상기 캐러셀 베이스(20)의 회전각은 도면부호(α)에 의해 어드레스(address)된다.
그러므로 도 11에서와 같이 한편에 접촉부(32) 및 다른 한편에 접촉부(34)에 의해 설치된 스위치는 행성 캐리어(22)에 이동된 워크피스에 조절 바이어스 서플라이를 설정한다.
도 10의 도움으로 예시한 차폐 기술에 있어서 도 12는 추가 양태를 도시한다. 도 10의 차폐판(26)이 물질-캐칭 차폐재(material-catching shield)로 제공되는 데 반해, 도 12에 예시된 차폐재는 워크피스 또는 행성 캐리어 보호 차폐재로 여겨진다. 캐러셀 축(A20)에 대하여 캐러셀(20)로부터 반경 방향 바깥쪽으로 향하는 슬릿 개구(38)를 갖는 각각의 행성 캐리어(22)를 둘러싸는 보호 차폐재(36)가 각각의 행성 캐리어(22)에 대하여 캐러셀 베이스(20)에 탑재된다. 그러므로 행성 캐리어(22)는 둘러싸고 있는 보호 차폐재(36)내에 이의 축(A22)를 중심으로 회전하여 구동된다. 이러한 차폐재는 대체부로 작용하도록 캐러셀 베이스(20)상에 쉽게 교환가능하도록 만들어질 수 있다. 게다가, 이러한 보호 차폐재(36)는 구름을 포함하는 이온(도 12에 미도시)에 관하여 이의 개구(38)에 의해 격막으로서 작용할 수 있고, 예정된 표면 구역에 행성 캐리어(22)에 워크피스와 구름의 이온 상호작용에 집중한다.
차폐재(36)는 금속으로 만들어지고 부유 방식으로 전기로 작동되거나 또는 유전물질로 만들어진다. 추가로 이의 격막-형성 개구(38)를 보면, 특히 구름을 포함하는 이온으로서 플라즈마를 사용할 때, 개구(38)를 통하여 이온 집중을 향상시키기 위하여 양전위, 즉 애노드에 상기 보호 차폐재(36)를 작동시키는 것이 또한 가능하다. 이로써, 도 12에 도시한 바와 같이, 도면부호(40)에서 상기 개구(38)의 경계 지역은 이의 집중 효과를 추가로 향상시키는 모양으로 재단될 수 있다. 바이어스 소스(42)에 의해 상기 보호 차폐재(36)를 바이어스하는 것은 도 12에 개략적으로 도시된다.
도 10의 차폐 기술의 기재에서 언급한 것과 유사하게, 보호 차폐재(36)를 제공하는 것은 이웃하는 행성 캐리어(22)의 공간을 도 8의 양태에서 언급한 거리(Φ) 훨씬 아래로 감소시키는 것을 허용한다.
실질적으로 원통형이고 각각의 행성축(A22)에 동축으로 지지되는 단일 워크피스 또는 행성축(A22)에 대하여 원통형 표면을 따라 배열되는 다수의 워크피스가 각각의 행성축(22)에 제공되는 경우, 오직 각각의 행성축(A22)에 대하여 반경 방향 바깥쪽으로 향하는 표면만 에칭된다.
빈번하게 워크피스는 전체가 에칭되어야 하므로, 당해 기술분야의 숙련가들에게 잘 알려진 바와 같이, 각각의 행성 캐리어에 자기-회전할 수 있도록 매달리게 된다.
도 13은 이러한 목적을 위해 행성 캐리어(22a)를 개략적으로 도시한다. 행성축(A22a)를 중심으로 구동 회전할 수 있는 행성 캐리어(22a)는 행성 캐리어(22a)의 주변부를 따라서 및 이에 인접한 그룹화된 워크피스 지지체(44)를 공급받는다. 예를 들어 절단 공구와 같은 워크피스를 운반하는 데 제공되는 각각의 워크피스 지지체(44)는 워크피스 지지체 축(A44)을 중심으로 구동 회전할 수 있다.
이웃하는 행성 캐리어(도 13에 미도시)에 지지되는 워크피스에 구름(CL)을 포함하는 이온에 의해 에칭되는 물질의 재증착을 막기 위하여, 지금까지 설명한 도 8 내지 도 12의 모든 수단들이 또한 상기 양태에 적용될 수 있다. 추가로 동일한 행성 캐리어(22a)에서 이웃하는 지지체(44)의 워크피스에 워크피스 지지체(44)의 한 워크피스로부터 에칭된 물질의 재증착을 막기 위하여, 구름(CL)의 이온 밀도 분포는 각각 그 위에 지지된 워크피스 또는 워크피스 지지체(44)의 직경에 따른 도면부호(Φ44)만큼 작은 거리에서, 도 8 뿐만 아니라 도 3 내지 도 6에서 예시한 바와 같이 50% 밀도 한계로 추가로 제한될 수 있다. 추가로, 지금까지 언급한 차폐재 및 바이어스 조절 수단은 행성 캐리어(22a)에 적용될 수 있거나, 또는 이에 더하여 상기 수단은 도 8 내지 도 12에서 기술한 캐러셀 베이스(20)에 적용될 수 있다. 그러므로 도 13은 도 10의 차폐판(26)과 유사한 차폐판(46) 및/또는 도 11에 예시한 조절 바이어스와 유사한 조절 바이어스(50) 및/또는 도 12에 예시한 차폐재(36)와 유사한 보호 차폐재(56)을 모아서 적용한 것을 도시한다.
지금까지 예로서 설명한 다른 양태 중 어느 하나와 결합할 수 있는 추가 양태에서 도 8에 추가로 도시한 바와 같이, 이온 함유 구름(CL)을 따라서 집중 자기장(H)을 생성하는 코일 어레인지먼트(58)는 중심축(ACL)을 따라서 제공된다.
본 발명을 수행하기 위해 사용된 소스인 이온 구름 소스는 본원의 최초 출원시 공개되지 않은 2006년 10월 27일자 국제출원 제PCT/EP2006/067869호에 상세하게 기술되어 있고, 상기 출원은 미국 특허출원 제11/870,119호에 대응하며 본원에서 참조로 인용된다. 상기 구름 소스를 기술한 요약이 도 14의 도움을 받아 제공된다. 상기 국제출원 및 미국 특허출원에 따른 소스와 본 발명을 실행하기 위해 적용된 이온 구름 소스의 가장 중요한 차이는 상기 PCT/미국 특허출원에 기재된 컨파인먼트와는 반대로 본 발명을 실행하기 위한 컨파인먼트는 생성된 플라즈마를 제한하는 오리피스(orifice) 또는 격막을 갖는 것이다.
도 14에 따라 펌프장치(63)에 의해 진공으로 되는 진공 챔버(60)에 전자 소스 캐쏘드(65)와 애노드 장치(67)가 제공된다. 애노드 장치(67)는 애노드(69)와 컨파인먼트(71)를 포함한다. 본 발명을 수행하기 위하여 컨파인먼트는 진공 챔버(60)내에 반응장소(R)를 향하는 격막(72) 또는 오리피스를 포함한다. 컨파인먼트(71)는 내부 공간을 제한한다. 격막(72)을 구비한 컨파인먼트(71)의 내부 공간내에 제공된 애노드(69)는 컨파인먼트(71)로부터 전기적으로 구분된다. 컨파인먼트(71)는 금속 및/또는 유전물질로 만들어지고, 한 양태에서 최소한 컨파인먼트(71)의 내부 표면은 금속이다. 상술한 바와 같이, 컨파인먼트(71)는 플라즈마(PL)의 플라즈마 전위에 대한 부유 전위에서 작동된다. 추가적인 제어성을 위하여 컨파인먼트(71)는 진공 챔버(1)의 벽에 대한 예정된 또는 조정가능한 전위에서 작동될 수 있다. 전자 소스 캐쏘드(65) 및 애노드(69)은 도 14에 도시한 바와 같이 극성을 갖는 DC 컴포넌트로 구성되거나 DC 컴포넌트를 포함하는 신호를 생성하는 서플라이 소스(79)에 의해 전기적으로 공급된다. 전자 소스 캐쏘드(65)에 의해 생성된 전자는 애노드(69) 쪽을 향하는 전자 소스 캐쏘드(65)의 방출 표면으로부터의 전기장에 의해 추진된다. 애노드(69)의 전위와 다른 전위에서 작동되는 컨파인먼트(71)로 인하여 격막(72)에 인접하고 컨파인먼트(71) 안에 있는 전자의 밀도가 상승하게 된다. 동작 가스, 예를 들어 아르곤, 크립톤, 제논, 또는 이들의 혼합물이 진공 챔버(60)에 주입되고 전자 충격에 의해 이온화된다. 격막(72)에 인접한 지역 및 컨파인먼트(71)에서 상승된 전자 밀도로 인하여 동작 가스의 상승된 이온화율과 적용한 경우, 반응 가스의 상승된 활성이 상기 지역에 나타나게 된다. 캐러셀 베이스(20)상의 행성 캐리어(22) 또는 (22a)에 지지된 워크피스는 격막(72)에 인접하게 지나고 격막(72)의 도움으로 상기 제한된 지역에 집중된 고밀도 플라즈마(PL)에 에칭되게 노출된다. 지금까지 언급한 모든 수단은 본 발명을 수행하기 위해 사용된 플라즈마 소스를 단지 개시하고 있는 도 14의 배열에 개별적으로 또는 결합하여 적용될 수 있다. 전자 소스 캐쏘드(65)은 예를 들어 열이온 전자 방출 캐쏘드 또는 아크 방전 캐쏘드일 수 있다.
도 15는 복합체, 특히 예를 들어 소위 슈즈(shoes)라고 불리는 워크피스(23)의 오목한 표면을 에칭하기 위하여 도 14의 도움으로 예시한 구름 소스를 사용하는 본 발명에 따른 배열을 개략적으로 도시한 것이다.
본 발명에 의해서, 재증착을 바라지 않는 표면, 특히 깨끗하게 유지되어야 하는 워크피스 표면 또는 피에칭 표면 역시 이온 충격에 의해 워크피스 표면으로부터 에칭된 물질의 재증착은 각각의 에칭 이온 함유 구름을 제한하고, 차폐 부재의 적용 및/또는 워크피스에 선택된 바이어스를 함으로써 방지된다. 그렇게함으로써 총 에칭 효율은 상당히 증대된다.

Claims (25)

  1. 워크피스(workpiece)의 표면의 일부가 이온 충격에 의해 에칭되는 워크피스의 제조방법으로서,
    캐러셀 축(carousel axis)(A20)을 중심으로 구동 회전할 수 있는 캐러셀 베이스(carousel base)를 제공하고;
    상기 캐러셀 축(A20)에 평행한 행성축(planetary axis)(A22)을 중심으로 각각 구동 회전할 수 있는 2개 이상의 행성 캐리어(planetary carrier)를 상기 캐러셀 베이스의 및 그 위의 주변부를 따라서 제공하며;
    상기 캐러셀 축(A20) 및 상기 행성축(A22)에 수직인 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는, 최대 이온 밀도의 구역의 중심에 중심축(ACL)을 갖는 이온 함유 구름을 생성하고;
    상기 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는 상기 캐러셀 축(A20)과 교차하도록 상기 중심축(ACL)을 배향하며;
    하나 이상의 워크피스를 상기 행성 캐리어 각각에서 에칭 적용시키되, 상기 행성 캐리어 각각은 상기 행성축(A22)에 관한 직경에 대해 행성축(A22)을 중심으로 회전함으로써 한정되며;
    상기 이온 함유 구름은, 상기 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는, 상기 직경의 최대 50%와 동일한 상기 중심축으로부터의 거리에서, 그리고 상기 행성축(A22)의 이동 경로의 위치에서 빔의 최대 이온 밀도의 50%까지 저하된 이온 밀도를 가지며;
    상기 각각의 축을 중심으로 상기 캐러셀 베이스 및 상기 행성 캐리어를 회전시키고;
    상기 워크피스가 상기 이온 함유 구름 속을 통하여 이동할 때, 이를 에칭시키는 것을 포함하는, 워크피스의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이온 함유 구름은 행성축(A22)에 평행한 방향으로 직선으로(linearly) 연장되어 생성되는, 워크피스의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 워크피스를 각각의 행성축(A22)에 대하여 중심을 달리하여(eccentrically) 적용하는 것을 포함하는, 워크피스의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 워크피스로부터 일시적으로 에칭된 물질이 상기 워크피스의 다른 것으로 재증착하는 것을 추가로 방지하는 상호 차폐(mutual shielding) 부재를 추가로 포함하는, 워크피스의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    일시적으로 에칭되지 않은 워크피스보다 일시적으로 에칭된 하나 이상의 워크피스에 보다 높은 네거티브 바이어스 전압을 선택적으로 인가함으로써 상기 에칭을 추가로 집중시키는 것을 추가로 포함하는, 워크피스의 제조방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 생성이 전기적으로 부유하는 금속 격막, 유전체 격막, 또는 애노드 격막 중의 하나를 통한 격막에 의해 상기 구름을 형성하는 것을 포함하는, 워크피스의 제조방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 생성이 상기 이온 함유 구름을 따라 상기 이온 함유 구름에 자기장을 인가하는 것을 포함하는, 워크피스의 제조방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 구름을 플라즈마로서 생성하는, 워크피스의 제조방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 거리는 최대로 상기 직경의 ¼인, 워크피스의 제조방법.
  10. 진공 챔버의 캐러셀 축을 중심으로 구동 회전할 수 있는 캐러셀 베이스;
    상기 캐러셀 베이스의 및 그 위의 주변부에 인접하게 구동 탑재되고, 상기 캐러셀 축에 평행한 각각의 행성축을 중심으로 구동 회전할 수 있는 2개 이상의 행성 캐리어;
    상기 캐러셀 축 및 상기 행성축에 수직인 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는, 중심축을 갖는 이온 함유 구름을 생성하는 소스(source)로서, 상기 중심축은 상기 캐러셀 축과 교차하는 것인 소스;
    상기 2개 이상의 행성 캐리어 각각에서의 워크피스에 대한 하나 이상의 워크피스 지지체를 포함하되,
    상기 행성 캐리어 각각은 각각의 행성축에 대하여 직경을 규정하고,
    상기 이온 함유 구름은, 상기 횡단면 평면에 있는 것으로 고려되는, 상기 직경의 최대 50%와 동일한 상기 중심축으로부터의 거리에서 그리고 상기 행성축의 이동 경로의 위치에서 이의 최대 이온 밀도의 50%까지 저하된 이온 밀도를 갖는 것인 이온 에칭 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 이온 함유 구름은 행성축(A22)에 평행한 방향으로 직선으로(linearly) 연장되는 것인 이온 에칭 장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    각각의 상기 행성 캐리어는 상기 행성 캐리어의 각각의 주변부에 인접한 워크피스 지지체를 포함하는 이온 에칭 장치.
  13. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    이웃하는 행성 캐리어 사이에 차폐재(shield)를 포함하되, 상기 차폐재는 상기 캐러셀 베이스에 대하여 고정되어 있고 상기 캐러셀 축에 대하여 반경 방향으로 연장되어 있는 이온 에칭 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 행성축 각각에 대하여 반경 방향으로 연장되고 상기 행성 캐리어 각각에 탑재되고 이웃하는 상기 워크피스 지지체 사이에 차폐재를 추가로 포함하는 이온 에칭 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 차폐재는 금속으로 되고 전기적으로 부유하게 작동되거나 또는 유전물질로 되는 것인 이온 에칭 장치.
  16. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 캐러셀 베이스에 탑재되고 상기 캐러셀 축에 대하여 반경 방향 바깥쪽으로 향하는 개구를 갖는 차폐 부재(shielding member)를 상기 행성 캐리어 각각의 둘레에 추가로 포함하는 이온 에칭 장치.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 행성 캐리어에 탑재된 상기 워크피스 지지체 둘레에 차폐 부재를 추가로 포함하되, 상기 부재 각각은 각각의 행성축에 대하여 반경 방향 바깥쪽으로 향하는 개구를 갖는 것인 이온 에칭 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 차폐 부재는 금속으로 되고 전기적으로 부유하게 작동되거나 또는 유전물질로 되는 것인 이온 에칭 장치.
  19. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 워크피스 지지체를 바이어스(bias)하기 위한 전기 서플라이(electric supply)를 추가로 포함하여 빔의 이온을 구인하는(attract) 이온 에칭 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 워크피스가 상기 구름에 침지되지 않을 때보다 상기 지지체 각각이 상기 구름에 침지될 때 항상 더 높게 되도록 상기 바이어스를 조절하는 바이어스 조절 단위(bias control unit)를 추가로 포함하는 이온 에칭 장치.
  21. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    전기적으로 부유하는 금속 격막 또는 유전체 격막이거나 또는 애노드(anode)로서 작용하는 빔을 따르는 격막을 포함하는 이온 에칭 장치.
  22. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 구름을 따라 집중 자기장(focusing magnetic field)을 생성하는 코일 어레인지먼트(coil arrangement)를 추가로 포함하는 이온 에칭 장치.
  23. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 소스는 플라즈마 소스이고 상기 구름은 플라즈마인 이온 에칭 장치.
  24. 제3항에 있어서,
    상기 워크피스를 각각의 행성축에 대하여 중심을 달리하여 적용하고, 워크피스 축을 중심으로 각각의 워크피스를 회전시키는 것을 포함하는, 워크피스의 제조방법.
  25. 제12항에 있어서,
    각각의 상기 행성 캐리어는 상기 행성 캐리어의 각각의 주변부에 인접한 워크피스 지지체를 포함하고, 상기 지지체는 각각의 지지체 축을 중심으로 구동 회전할 수 있는 이온 에칭 장치.
KR1020107026098A 2008-04-22 2009-04-15 이온 에칭된 표면을 구비한 워크피스의 제조방법 및 이온 에칭 장치 KR101558018B1 (ko)

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