KR101529655B1 - 가변저항층을 가지는 rram과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가변저항층을 가지는 RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 RRAM은 제1금속층; 상기 제1금속층 상에 위치하는 PCMO층; 상기 PCMO층 상에 위치하며 상기 PCMO층과 직접 접촉하는 티타늄질화물층; 상기 티타늄질화물층 상에 위치하는 가변저항층; 상기 알루미늄 산화물층 상에 위치하는 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

가변저항층을 가지는 RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자{RRAM including resistance-variable layer and RRAM-based Synaptic Electronics}

본 발명은 RRAM과 이를 이용한 RRAM 소자 기반의 크로스 어레이를 이용한 전자 소자에 관한 것이다.

정보화 사회는 더 많은 정보를 더 적은 에너지를 사용하여 효율적으로 처리할 수 있는 기술을 요구하고 있다.

그러나 기존의 반도체 기반 IT 기술은 단위 반도체 칩 면적당 정보처리량이 증가됨에 따라, 더 이상의 혁신적인 발전은 어려울 것으로 예상된다.

이 때문에 지속가능한(sustainable) IT기술이라는 표제 하에, 혁신적인 소재에서 극초저전력 시스템까지 다양한 연구방향이 제시되고 있으나, 아직 구체적인 발전방향이 정립되지 못하고 있는 실정이다.

한편, 미래 반도체 기술에 적용될 수 있는 기초원천기술로 매우 낮은 에너지로 정보처리가 가능할 것으로 기대되는 뉴로모픽 기술이 제시되고 있다. 이 중, 뉴로모픽 기술의 핵심이 되는 시냅스, 뉴런 등을 고체전자소자 형태로 구현하고, 기 확립된 집적기술을 이용, 높은 수준의 학습기능, 절전기능들을 구현하는 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.

뉴로모픽 기술의 크로스-포인트 어레이 구조에서 메모리 소자만으로 구성될 경우, 근접한 부분의 누설전류로 인해, 리딩 오류(reading error)가 발생한다. 이를 해결하기 위해, 다이오드와 같은 스위치 역할을 하는 선택 소자가 필요하다.

선택소자를 형성하기 위해서 스위치 소자와 저항 변화 메모리를 순차적으로 적층하는 공정 과정이 필요한데, 서로 다른 막질을 고온에서 증착하면 성질이 다른 막질들 사이의 계면에서는 원치 않는 특성의 변화가 발생한다. 특히, 계면에서 결함들이 집중되는 양상이 나타나므로, 이론적인 전류-전압 특성을 획득할 수 없는 문제가 발생한다.

한편, CMOS 뉴런과 RRAM 시냅스 소자가 동시에 서로 동작하기 위해서는 각각의 소자들의 동작 조건이 맞아야 한다. RRAM 시냅스의 전류레벨이 너무 낮게 되면 CMOS 뉴런이 인식을 못하게 되는 문제가 발생한다. 또한 시냅스 소자의 동작 전압 레벨이 너무 크면 CMOS 뉴런이 이를 견디지 못하게 된다. 마지막으로 RRAM 시냅스 소자가 강화(potentation) 및 억제(depression) 동작을 위해 펄스를 순차적으로 인가할 때 변화정도가 급격하지 않을 것이 요구된다.

RRAM를 이용하여 선택소자가 필요없는 전자 소자가 제시되었으나, CMOS 뉴런 소자에 비하여 전류 레벨이 비교적 낮아 큰 동작 전압이 필요하였고, 억제 동작 시 전류 값이 급격하게 변하는 문제가 있었다.

한편, 유용한 전자 소자를 구현하기 위해서는 셋(SET) 및 리셋(RESET) 작동을 위한 전압변화 시 저항변화가 급작하게(abrupt) 바뀌지 않아야 한다. 필라멘트 타입(filament type)의 경우 abrupt set 과 abrupt reset이 나타나는데 이 경우, 점진적인(gradual) 저항변화가 나타나기가 어렵다. 점진적인 저항변화가 나타나지 않으면 시냅스 소자가 가소성을 나타내기 어려워진다.

대한민국 공개특허 10-2010-0129741 (2010. 12. 09. 공개)

따라서 본 발명의 목적은 높은 전류레벨을 가지면서도 abrupt set이 감소하는 RRAM과 이를 이용한 RRAM 소자 기반의 크로스 어레이를 이용한 전자 소자를 제공하는 것이다.

상기 본 발명의 목적은 제1금속층; 상기 제1금속층 상에 위치하는 PCMO층; 상기 PCMO층 상에 위치하며 상기 PCMO층과 직접 접촉하는 티타늄질화물층; 상기 티타늄질화물층 상에 위치하는 가변저항층; 상기 가변저항층 상에 위치하는 제2금속층을 포함하는 RRAM으로 달성된다.

상기 가변저항층은 산소이동을 통해 저항이 가변할 수 있다.

상기 가변저항층은 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다.

상기 PCMO층은 다결정 상태일 수 있다.

상기 제1금속층은 백금을 포함하여 이루어지며, 상기 제2금속층은 텅스텐과 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.

본 발명의 목적은 제1방향으로 연장된 다수의 제1배선; 상기 제1배선 상에 위치하며, 상기 제1배선과 교차하는 제2방향으로 연장된 다수의 제2배선을 포함하며, 상기 제1배선과 상기 제2배선은 교차점에서 RRAM으로 연결되어 있으며, 상기 RRAM은 순차적으로 적층된 PCMO층, 티타늄질화물층 및 알루미늄 산화물층을 포함하며, 상기 티타늄질화물층과 상기 PCMO층은 직접 접촉되어 있는 시냅스 특성의 전자소자에 의해 달성된다.

상기 PCMO층은 다결정 상태일 수 있다.

상기 제1배선은 백금을 포함하여 이루어지며, 상기 제2배선은 텅스텐과 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 전자소자는 상기 제1배선과 상기 제2배선의 연결을 위한 추가의 스위칭 소자를 포함하지 않을 수 있다.

본 발명의 목적은 상호 교차하는 크로스 어레이 배선을 포함하는 시냅스 특성의 전자소자에 있어서, 상기 크로스 어레이 배선 사이에 위치하며 산소이동을 통해 가변저항으로 작용하는 가변저항층을 포함하는 시냅스 특성의 전자소자에 의해 달성된다.

상기 크로스 어레이 배선 사이에 위치하며 계면에서의 산소이동으로 셋 및 리셋 동작이 수행되는 티타늄질화물층과 PCMO층을 더 포함할 수 있다.

상기 가변저항층은 상기 티타늄질화물층 상에 위치할 수 있다.

상기 PCMO층은 다결정 상태일 수 있다.

상기 가변저항층은 금속산화물층을 포함할 수 있다.

상기 가변저항층은 알루미늄 산화물층을 포함할 수 있다.

상기 크로스 어레이 배선은 제1금속층과 제2금속층을 포함하며, 상기 제2금속층은 상기 가변저항층과 직접 접촉하며, 상기 제1금속층은 백금을 포함하여 이루어지며, 상기 제2금속층은 텅스텐과 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.

상기 전자소자는 상기 제1배선과 상기 제2배선의 연결을 위한 추가의 스위칭 소자를 포함하지 않을 수 있다.

상기 전자소자는 별도의 저항연결 없이도 실질적으로 abrupt set이 발생하지 않을 수 있다.

본 발명에 따르면 높은 전류레벨을 가지면서도 abrupt set이 감소하는 RRAM과 이를 이용한 RRAM 소자 기반의 크로스 어레이를 이용한 전자 소자가 제공된다.

도 1은 본 발명에 따른 전자소자의 개념도를 나타낸 것이고,
도 2는 인간의 신경망과 본 발명에 따른 전자소자의 개념을 비교한 것이고,
도 3a 내지 도 5b는 본 발명에 따른 전자 소자의 제조방법을 나타낸 것이고,
도 6은 본 발명에 따라 제조된 전자 소자를 나타낸 것이고,
도 7은 가변저항층이 없는 종래 전자소자의 전기적 특성을 나타낸 것이고,
도 8은 가변저항층이 없는 종래 전자소자에 저항을 연결한 경우 전기적 특성을 나타낸 것이고,
도 9는 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 전기적 특성을 나타낸 것이고,
도 10은 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 아날로그 특성을 나타낸 것이고,
도 11은 가변저항층이 없는 종래 전자소자의 펄스 횟수에 따른 전류특성을 나타낸 것이고,
도 12은 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 펄스 횟수에 따른 전류특성을 나타낸 것이고,
도 13 및 도 14는 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 내구성을 테스트한 실험결과를 나타낸 것이고,
도 15는 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 신뢰성을 테스트한 실험결과를 나타낸 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 전자소자의 개념도를 나타낸 것이다. 인간의 뇌에는 정보를 주는 프리뉴런과 정보를 받는 포스트뉴런 그리고 프리뉴런과 포스트뉴런 사이를 연결하는 시냅스가 존재한다. 본 발명에 따른 전자소자는 뉴런과 시냅스로 구성되는 뉴로모픽(neuromorphic) 특성을 가지고 있으며, 프리뉴런과 포스트뉴런은 CMOS로 구현할 수 있고 시냅스는 RRAM으로 구현한다.

RRAM은 저항메모리로서, 인가하는 전압에 따라서 저항상태가 변하는 특성을 지닌다.

본 발명에 따른 RRAM은 간단한 형태로 시냅스의 특성을 구현하며, 트랜지스터나 다이오드와 같은 선택소자를 필요로 하지 않는다. 선택소자를 필요로 하지 않는 것은 RRAM이 자기정류(self-rectifying)특성을 가지고 있기 때문에 가능한 것이다. 본 발명에 따른 RRAM은 PCMO(Pr_0.7Ca_0.3MnO₃)층과 티타늄질화물층(TiNx) 및 가변저항층을 포함할 수 있으며, PCMO는 다결정 상태일 수 있다. 가변저항층은 산소 이동을 통해 가변저항 역할을 하는 것으로 금속산화물로 이루어질 수 있으며, 구체적으로는 알루미늄 산화물일 수 있다.

가변저항층은 다양한 방법으로 형성이 가능하다. 처음부터 산소결핍조건(oxygen deficient)에서 산화물막을 증착할 수도 있고, Al이나 Ti 와 같이 산화가 잘되는 금속을 증착한 이후 캡핑 금속(capping metal)까지 전부 다 형성한 후 프로그램/삭제(program/erase) 동작을 하면서 얇은 산화물층을 형성할 수도 있다. 알루미늄 산화물 이외에도 TiOx, TaOx, MoOx, 등 다양한 금속 산화물도 가능하다.

가변저항층에 의해 본 발명에 따른 RRAM은 별도의 저항연결 없이도 abrupt set이 감소 내지는 실질적으로 발생하지 않는다.

이하에서는 가변저항층을 알루미늄 산화물로 형성하는 것으로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.

도 2는 인간의 신경망과 본 발명에 따른 전자소자의 개념을 비교한 것이다. 도 2의 왼쪽에 표시한 인간의 신경망에서는 여러 입력(x₁, x₂…x_N)을 동시에 처리하여 하나의 출력(y_j1)을 얻는다. 이 과정에서 입력과 출력은 시냅스(w_j1, w_j2… w_jN)에 의해 연결된다.

도 2의 오른쪽에 표시한 본 발명에 따른 전자소자에서도 여러 입력(x₁, x₂…x_N)을 동시에 처리하여 하나의 출력(y_j1)을 얻는다. 이 과정에서 입력과 출력은 시냅스(g_j1, g_j2… g_jN)에 의해 연결된다.

도 3a 내지 도 5b는 본 발명에 따른 전자 소자의 제조방법을 나타낸 것이다.

도 3b는 도 3a의 IIIb-IIIb를 따른 단면도, 도 4b는 도 4a의 IVb-IVb를 따른 단면도, 도 5b는 도 5a의 Vb-Vb를 따른 단면도이다.

먼저 도 3a 및 도 3b와 같이 기판(10) 상에 하부전극층(배선, 20)과 PCMO층(30)을 형성한다. 기판(10)은 실리콘 웨이퍼일 수 있다.

하부전극층(20)은 폭이 넓은 패드부(21)와 패드부로부터 길게 연장된 라인부(22)로 구성되어 있다. 하부전극층(20)을 백금(Pt)으로 마련할 경우, 백금은 에칭공정이 어렵기 때문에 먼저 감광층을 패터닝한 후 백금층을 형성하고 리프트오프 공정을 통해 도 3a와 같은 패턴을 형성할 수 있다.

PCMO층(30)은 PCMO를 600℃ 또는 그 이상에서 증착한 후 사진식각하여 하부전극층(20) 상에 형성되도록 마련된다. PCMO층(30)의 식각에는 반응성 이온 식각을 사용할 수 있다. PCMO층(30)은 다결정(polycrystalline) 형태로 마련된다.

이후 도 4a 및 도 4b와 같이 층간절연막(40)을 형성하며, 층간절연막은 실리콘 질화물층으로 형성할 수 있다. 층간절연막(40)에는 통상의 사진식각 방법으로 비아홀(70)을 형성하여 하부전극층(20)의 라인부(22) 상에 있는 PCMO층(30)을 노출시키며, 하부전극층(20)의 패드부(21) 상의 비아홀(71)에서는 PCMO층(30)까지 제거하여 패드부(21)를 노출시킨다.

다음으로 도 5a 및 도 5b와 같이 티타늄질화물층(50), 알루미늄 산화물층(51), 상부전극층(배선, 60)을 형성한다. 티타늄질화물층(50), 알루미늄 산화물층(51) 및 상부전극층(60)도 하부전극층(20)과 같이 감광층 형성, 감광층 패터닝, 금속층 형성 및 리프트오프의 과정을 통해 형성될 수 있다. 티타늄질화물층(50)은 티타늄 전구체와 질소가스를 이용하여 화학기상증착방법으로 형성될 수 있으며, 사진식각 과정을 거쳐 노출되어 있는 PCMO층(30) 상에 형성된다. 알루미늄 산화물층(51)은 스퍼터링 방법을 통해 형성된다.

상부 전극층(60)은 캡핑층이라고도 불리며 텅스텐 및/또는 백금으로 만들어질 수 있다. 상부 전극층(60) 역시 폭이 넓은 패드부(61)와 패드부(61)로부터 길게 연장된 라인부(62)로 구성되어 있다. 도 6은 이상과 같은 과정을 통해 만들어진 어레이 전자 소자를 나타낸 것이다.

위와 같이 제조된 전자소자에서 RRAM은 다결정 상태인 PCMO, 티타늄질화물층 및 알루미늄 산화물층을 포함하며, 상부전극은 Pt 또는 W과 같은 금속물질을 사용하여 Pt/PCMO/TiNx/Pt 또는 Pt/PCMO/TiNx/W 일 수 있다.

상부전극과 하부전극은, 서로 독립적으로, Pt, W, TiN, Ag, Au, Mo 등의 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.

본 발명에 따른 RRAM에서는 PCMO와 티타늄질화물의 작용으로 스위칭 작용이 일어난다. 티타늄 질화물은 질소 함량에 따라 일함수가 변화한다. 이에 의해 티타늄 질화물과 접해 있는 PCMO의 일함수, 모폴로지를 변화시켜 스위칭 작용이 가능하게 만들 수 있다. 특히 티타늄 질화물에 있는 질소의 작용에 의해 PCMO에 있는 산소가 산소저장소 역할을 하는 티타늄질화물층 사이를 이동하면서 스위칭이 나타나는 것으로 파악된다.

알루미늄 산화물은 내부 저항과도 같은 작용을 하여 abrupt set 혹은 reset 을 감소시키거나 실질적으로 발생하지 않게 한다.

이하 실험결과를 통해 본 발명을 상세히 설명한다.

실험에 사용된 전자소자에서 하부전극층인 백금층의 두께는 80nm였다. PCMO는 600℃에서 증착되었으며 식각에는 반응성 이온 식각을 사용하였으며, 두께는 30nm였다. 층간절연막으로 사용된 실리콘 질화물층의 두께는 70nm, 티타늄질화물층 형성 전 PCMO층은 500℃에서 30분간 어닐링되어 표면의 결함을 제거하였다. 티타늄질화물층은 20nm의 두께, 알루미늄 산화물층의 두께는 10nm였으며, 상부전극층은 70nm 두께의 Pt로 이루어졌다. 비교를 위해 사용된 종래 전자소자는 알루미늄 산화층이 형성되어 있지 않다.

도 8 내지 도 9를 참조하여 알루미늄 산화물층의 도입에 의한 abrupt set 감소에 대해 설명한다.

도 8은 가변저항층이 없는 종래 전자소자의 전기적 특성을 나타낸 것이고, 도 9는 가변저항층이 없는 종래 전자소자에 저항을 연결한 경우 전기적 특성을 나타낸 것이고, 도 10은 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 전기적 특성을 나타낸 것이다.

도 8을 보면 종래 전자소자는 높은 온/오프 비를 유지하면서도, 높은 전류레벨을 가지고 있음을 알 수 있다. 따라서 동작전압을 크게 낮출 수 있다. 그러나 (-)의 SET 전압에서 abrupt set이 발생하는 문제가 있다.

도 9은 종래 전자소자에 1kΩ의 저항을 연결한 것으로 (-) SET 전압에서 abrupt set이 발생하지 않았다.

도 10은 본 발명에 따른 전자소자에 관한 것으로 별도의 저항 연결 없이도 (-) SET 전압에서 abrupt set이 발생하지 않았음을 확인할 수 있다.

도 10은 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 아날로그 메모리 특성을 나타낸 것이다. 일정한 셋(SET) 전압을 증가시키며 여러 번 인가할 때마다 아날로그 메모리 특성을 나타내고 있으며, 리셋(RESET) 전압 역시 마찬가지로 아날로그 메모리 특성을 나타내고 있다. 질소가스 30 sccm 분위기에서 제작된 소자를 이용하였고, 셋(SET) 전압을 점차적으로 증가시키면서 1~6단계의 저항 변화를 보았고, 리셋(RESET) 전압 역시 점차적으로 증가시키면서 7~13 단계의 저항 변화를 보았다. 13 단계의 아날로그적인 저항변화를 보이면서 각각의 저항 상태는 메모리 특성을 유지하고 있음을 확인할 수 있고 이는 시냅스로 잘 동작하고 있음을 보인다. 또는 abrupt set의 발생도 관찰되지 않았다.

신경의 학습은 시냅스의 가소성을 통하여 이루어지며 이러한 시냅스의 가소성 특성을 모사하기 위해서는 소자의 아날로그 메모리 특성 확보가 필수적이다. 아날로그 메모리 특성은 인가한 펄스에 따라 저항값이 계속적으로 변하는 특성을 보이며 이와 같은 특성을 실제 측정 데이터를 통해서 확보하였다.

도 11은 가변저항층이 없는 종래 전자소자의 펄스 횟수에 따른 전류특성을 나타낸 것이고 도 12은 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 펄스 횟수에 따른 전류특성을 나타낸 것이다.

펄스 횟수에 따른 전류특성은 소자의 가소성 특성을 나타내며, 가소성 특성은 학습 능력과 관련된다. 가소성 특성에서는 강화(potentation) 및 억제(depression) 동작을 위해 펄스를 순차적으로 인가할 때 변화정도가 급격하지 않을 것이 요구된다.

도 11의 경우, 기존의 redox type의 소자와는 다르게 스위칭 속도가 빨라서 1ms 의 펄스폭을 가진 스파이크를 인가하였을 때, 단 몇 번 만에 상태가 바뀌어버리는 abrupt SET이 나타났다. 도 11에 비해 도 12의 경우 전류가 abrupt 하게 변화하는 것이 크게 감소하였음을 확인할 수 있다. 이는 가변저항층으로 인한 것이며, 이로 인해 점진적인 저항 변화로 인해 가소성 특성을 대변하는 아날로그 특성을 가질 수 있음을 의미한다.

도 13 및 도 14는 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 내구성을 테스트한 실험결과를 나타낸 것이다.

도 13은 저항의 HRS와 LRS 상태를 특정펄스전압조건을 인가하여 각각의 상태를 동일한 전압에서 읽은 결과이다. SET 전압조건은 -4V, 10ms 펄스 신호를 인가했을 경우이고, RESET 전압 조건은 +3.5V, 10ms 펄스 신호를 인가했을 경우이다. 읽기 전압은 +1V에서 스위칭을 10⁹번 인가했을 때까지도 안정적으로 동작함을 보인다.

도 14는 멀티레벨 상태에서의 retention 결과이다. 아날로그 메모리는 멀티레벨 저항상태 구현이 가능하지만 메모리 특성, 즉 각각의 저항 상태가 유지되지 않으면 소용이 없다.

본 발명에 따른 소자의 안정적인 동적과 메모리 특성을 확인하기 위해 3가지 저항 상태에 따라 retention 측정을 해 보았다. 멀티레벨 저항상태(LRS, HRS1, and HRS2) 별로 각기 다른 전압 조건(LRS=-4V, HRS1=+3V, and HRS2=+4V)을 인가하여 저항상태를 만들어 놓은 다음, +1V의 read 전압을 인가하면서 저항상태를 확인하였다. +1V의 전압을 지속적으로 인가하면서 전류상태를 3x10⁴초 까지 측정해 보았고, 각각의 상태는 degradation 없이 메모리 특성을 잘 보여주었다.

도 15는 본 발명에 따라 제조된 전자소자의 신뢰성을 실시간으로 동작 조건을 바꿔가면서 테스트한 실험결과를 나타낸 것이다. Dual spike는 potentiation과 depression spike를 번갈아가면서 인가했을 때이고, single spike는 potentiation 혹은 depression 중에 한쪽 방향의 spike만 계속 인가했을 때이다. 전압펄스조건을 input spike로 사용했으며, 각각의 potentiation spike의 경우는 V_P로 depression spike의 경우에는 V_D로, read 시에 사용하는 전압은 V_READ로 사용하였다. 결과그래프를 보면 각각의 단계마다 숫자로 명시되어 있다. ①의 경우 dual spike 동작 시 (+) 0.5V에서 전류의 변화를 read했을 때이고, ②,④,⑥,⑧ 의 경우에는 (+)1V에서 전류를 read 하였다.

Single spike 동작 모드에서는 read 전압은 (+)1V로 고정시켰고, spike cycle에 따라서 비교하였다. RESET mode는 동일하게 50 cycle로 고정시켰다. ③,⑤,⑦ 의 경우에는 SET spike는 50 cycle만 인가했을 때이고, ⑨의 경우에는 100 cycle을 인가했을 때이다.

도 15의 결과를 보면 실시간으로 다양한 동작모드에서도 degradation 없이 잘 동작하였다. 또한 다양한 spike를 인가했음에도 불구하고 저항상태가 abrupt하지 않고 점진적으로 변경되어 신뢰성을 확인할 수 있다.

Claims (18)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 제1방향으로 연장된 다수의 제1배선;
   상기 제1배선 상에 위치하며, 상기 제1배선과 교차하는 제2방향으로 연장된 다수의 제2배선을 포함하며,
   상기 제1배선과 상기 제2배선은 교차점에서 RRAM으로 연결되어 있으며,
   상기 RRAM은 순차적으로 적층된 PCMO층, 티타늄질화물층 및 알루미늄 산화물층을 포함하며,
   상기 티타늄질화물층과 상기 PCMO층은 직접 접촉되어 있는 시냅스 특성의 전자소자.
7. 제6항에서,
   상기 PCMO층은 다결정 상태인 것을 특징으로 하는 시냅스 특성의 전자소자.
8. 제7항에서,
   상기 제1배선은 백금을 포함하여 이루어지며,
   상기 제2배선은 텅스텐과 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 시냅스 특성의 전자소자.
9. 제6항에서,
   상기 전자소자는 상기 제1배선과 상기 제2배선의 연결을 위한 추가의 스위칭 소자를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 시냅스 특성의 전자소자.
10. 삭제
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제
15. 삭제
16. 삭제
17. 삭제
18. 삭제

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