KR101528444B1 - Laminate and method for manufacturing printed circuit board - Google Patents

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테페이 이토
노리유키 오히가시
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스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
닛폰 덴카이 가부시키가이샤
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Abstract

절연층과 상기 절연층의 적어도 한쪽 면에 위치하는 동박을 구비하고 있으며, 상기 동박을 에칭함으로써 도체 회로를 형성하여 얻어지는 소자 탑재 기판에 이용하는 적층판으로서, 황산 55.9g/L 및 34.5% 과산화수소수 19.6cc/L로 이루어지며 또한 액온이 30℃±1℃인 황산/과산화수소계의 에칭액에, 상기 적층판을 침지시키는 조건 하에서의 상기 동박의 에칭 속도가 0.68㎛/분 이상, 1.25㎛/분 이하인 적층판.A laminate for use in an element mounting board obtained by forming a conductor circuit by etching a copper foil having an insulating layer and a copper foil located on at least one side of the insulating layer and comprising 55.9 g / L of sulfuric acid and 19.6 cc of 34.5% hydrogen peroxide / L and an etching rate of 0.68 탆 / min or more and 1.25 탆 / min or less under the condition of immersing the laminate in an etching solution of sulfuric acid / hydrogen peroxide system having a liquid temperature of 30 ° C ± 1 ° C.

Description

적층판 및 프린트 배선판의 제조 방법{LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED CIRCUIT BOARD}Technical Field [0001] The present invention relates to a laminated board and a printed circuit board,

본 발명은 적층판 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate and a method of manufacturing a printed wiring board.

전자 기기의 고 기능화 등의 요구에 수반하여, 전자 부품의 고밀도 집적화, 또한 고밀도 실장화 등이 진행되고 있으며 이들에 사용되는 고밀도 실장 대응의 프린트 배선판 등은 종래에서도 늘어나 소형박형화, 고밀도화 및 다층화가 진행되고 있다.With the demand for higher functionality of electronic devices and the like, high density integration of electronic components and high density mounting have been progressing. Printed wiring boards and the like for high density mounting used in these devices have been increasing in the past, and miniaturization, miniaturization and multilayering have progressed .

프린트 배선판의 기판 위에 고밀도로 패턴 정밀도가 높은 도체 회로층을 효율적으로 형성하는 방법으로 세미 애디티브법(semi additive process)이 사용되기 시작하고 있다. 세미 애디티브법을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법은 예컨대, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재되어 있다.A semi additive process has begun to be used as a method for efficiently forming a conductor circuit layer having high pattern accuracy on a substrate of a printed wiring board at a high density. A manufacturing method of a printed wiring board using the semi-additive method is described in, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2. [

특허문헌 1 및 2에 기재된 제조 방법은 우선, 절연층의 한 면에 동박(銅箔)을 붙인 적층판을 준비하고, 상기 적층판 위에 레지스트 패턴을 형성한다. 계속해서, 레지스트 패턴의 개구부 내에 도금층을 충전한다. 이어서, 레지스트 패턴을 제거한다. 이 후, 도금층의 패턴을 마스크로 하여 하층의 동박을 에칭함으로써 도금층 및 동박으로 구성되는 도체 회로를 형성한다.In the manufacturing methods described in Patent Documents 1 and 2, first, a laminated plate having a copper foil on one side of an insulating layer is prepared, and a resist pattern is formed on the laminated plate. Subsequently, the plating layer is filled in the opening portion of the resist pattern. Subsequently, the resist pattern is removed. Thereafter, the lower layer copper foil is etched using the pattern of the plating layer as a mask to form a conductor circuit composed of the plating layer and the copper foil.

일본 특개 2003-69218호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-69218 일본 특개 2003-60341호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-60341

특허문헌 1 및 2의 제조 과정에 있어서, 절연층의 표면에 형성된 미세한 요철 부분에 동박의 잔사가 발생하는 경우가 있었다. 도체 회로 사이에 잔존하는 동박의 에칭 잔사는 미세화가 진행됨에 따라 도체 회로의 절연 불량 등의 단락의 원인이 된다. 이 때문에 절연층 표면상의 동박의 에칭 잔사는 제거되는 편이 바람직하다.In the manufacturing processes of Patent Documents 1 and 2, the copper foil residue may be generated on the fine irregularities formed on the surface of the insulating layer. The etching residues of the copper foil remaining between the conductor circuits become short-circuited due to insufficient insulation or the like in the conductor circuit as the miniaturization progresses. Therefore, the etching residue of the copper foil on the surface of the insulating layer is preferably removed.

동박의 에칭 잔사를 제거하기 위해서는 절연층의 표면을 과잉으로 에칭할 필요가 있다. 그러나, 절연층을 과잉으로 에칭하면 도체 회로도 과잉으로 에칭되기 때문에 도체 회로의 형성 이상이나 도체 회로의 절단, 누락이 발생하는 경우가 있다. 과잉의 에칭을 계속 실시해도 배선 형상을 원하는 형상으로 유지하는 것은 어렵다.In order to remove the etching residue of the copper foil, it is necessary to excessively etch the surface of the insulating layer. However, when the insulating layer is excessively etched, the conductor circuit is excessively etched, so that formation of a conductor circuit or cutting or omission of the conductor circuit may occur. Even if excessive etching is continued, it is difficult to maintain the wiring shape in a desired shape.

이상과 같이, 특허문헌 1 및 2의 적층판에 있어서, 동박의 에칭 잔사의 저감과 배선 형상 유지의 밸런스에 개선의 여지가 있었다.As described above, in the laminated boards of Patent Documents 1 and 2, there is room for improvement in the reduction of the etching residues of the copper foil and the balance of wiring shape retention.

본 발명에 따르면,According to the present invention,

절연층과 상기 절연층의 적어도 한쪽 면에 위치하는 동박을 구비하고 있으며, 상기 동박을 에칭함으로써 도체 회로를 형성하여 얻어지는 소자 탑재 기판에 이용하는 적층판으로서,A laminated board for use in an element mounting board obtained by forming a conductor circuit by etching an insulating layer and a copper foil located on at least one side of the insulating layer,

황산 55.9g/L 및 34.5% 과산화수소수 19.6cc/L로 이루어지며 또한 액온(液溫)온이 30℃±1℃인 황산/과산화수소계의 에칭액에, 상기 적층판을 침지시키는 조건 하에서의 상기 동박의 에칭 속도가 0.68㎛/분 이상, 1.25㎛/분 이하인 적층판이 제공된다.A sulfuric acid / hydrogen peroxide system etchant consisting of 55.9 g / L of sulfuric acid and 19.6 cc / L of 34.5% hydrogen peroxide and having a liquid temperature of 30 ° C ± 1 ° C was subjected to etching of the copper foil under the condition of immersing the laminate A speed of 0.68 탆 / min or more, and 1.25 탆 / min or less.

본 발명자들은 동박의 에칭 속도를 높임에 따라 동박의 에칭 잔사의 저감과 배선 형상 유지의 양립을 실현할 수 있다고 생각하였다.The inventors of the present invention thought that both the reduction of the etching residue of the copper foil and the maintenance of the wiring shape can be achieved by increasing the etching rate of the copper foil.

추가로 검토한 결과, 에칭 속도의 평가 방법에 있어서, 식각액(etchant)의 성분이나 성분 농도 및 액온의 조건에 의해 결과가 각기 달라짐이 판명되었다.As a result of further investigation, it has been found that the results vary depending on the composition of the etchant, the component concentration, and the liquid temperature in the method of evaluating the etching rate.

여기서, 식각액을 황산, 순수 및 과산화수소수로 하여 성분 농도를 결정하고, 또한 액온을 30℃±1℃로 하는 조건을 평가 방법의 전제로 함으로써 결과의 불규칙성이 저감되는 것을 확인하였다.Here, it was confirmed that the irregularity of the result was reduced by setting the conditions for the component concentration to be the etching solution to be sulfuric acid, pure water and hydrogen peroxide solution, and the liquid temperature to 30 DEG C +/- 1 DEG C as the premise of the evaluation method.

또한, 본 발명자들은 전제 조건하에 있어서 구리의 에칭 속도에 대하여 각종 실험을 행한 결과, 구리의 에칭 속도의 하한값을 0.68㎛/분 이상으로 함으로써 동박의 에칭 잔사가 저감되고 배선 형상이 양호하게 되는 것을 확인하여 본 발명의 완성에 이르게 된 것이다.The inventors of the present invention conducted various experiments with respect to the etching rate of copper under the conditions of the conditions. As a result, it was confirmed that the etching residue of the copper foil was reduced and the wiring shape was improved by setting the lower limit of the etching rate of copper to 0.68 탆 / Thereby completing the present invention.

또한, 본 발명에 의하면 절연층과 상기 절연층의 적어도 한 면에 위치하는 동박을 구비하는 적층판을 준비하는 공정과, 상기 동박을 선택적으로 제거함으로써 도체 회로를 형성하는 공정을 포함하며, 상기 적층판이 상술의 적층판인 프린트 배선판의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, there is also provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing a laminate including an insulating layer and a copper foil located on at least one side of the insulating layer; and forming a conductor circuit by selectively removing the copper foil, There is provided a method for producing a printed wiring board which is the above-mentioned laminated board.

본 발명에 의하면, 동박의 에칭 잔사가 저감되고, 배선 형상이 양호하게 되는 적층판이 제공된다.According to the present invention, there is provided a laminated board in which the etching residue of the copper foil is reduced and the wiring shape becomes good.

도 1은 제1 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 제2 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 제2 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 제2 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 제3 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 제3 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 변형예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing a printed wiring board according to the first embodiment.
2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for producing a printed wiring board according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for producing a printed wiring board according to the second embodiment.
4 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method of manufacturing a printed wiring board according to the second embodiment.
5 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing a printed wiring board according to the second embodiment.
6 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing a printed wiring board according to the third embodiment.
7 is a cross-sectional view schematically showing a modified example of the method for manufacturing a printed wiring board according to the third embodiment.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 전체 도면에 있어서 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

(제1 실시형태)(First Embodiment)

도 1 및 도 2는 제1 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 공정 순서를 나타내는 단면도이다.1 and 2 are cross-sectional views showing a process sequence of a method for manufacturing a printed wiring board according to the first embodiment.

우선, 본 실시형태의 프린트 배선기판(101)의 개요를 설명한다.First, the outline of the printed wiring board 101 of the present embodiment will be described.

본 실시형태의 프린트 배선기판(101)의 제조방법은 다음 공정을 포함하는 것이다. 우선, 절연층(102)과 절연층(102)의 적어도 한 면에 위치하는 동박(동박층(104))을 구비하는 적층판(동장 적층판(100))을 준비한다. 이어서, 동박을 선택적으로 제거함으로써 도체 회로(도체 회로(119))를 형성한다. 프린트 배선기판(101)은 소자 탑재 기판으로 이용된다.The manufacturing method of the printed wiring board 101 of the present embodiment includes the following steps. First, a laminated plate (copper clad laminate 100) having a copper foil (copper foil layer 104) located on at least one side of the insulating layer 102 and the insulating layer 102 is prepared. Then, the conductor circuit (conductor circuit 119) is formed by selectively removing the copper foil. The printed wiring board 101 is used as an element mounting substrate.

본 실시형태의 프린트 배선기판(101)의 제조 방법은 동박을 에칭함으로써 도체 회로를 형성하여 얻어지는 적층판(동장 적층판(100))을 사용한다.The method for manufacturing the printed wiring board 101 of the present embodiment uses a laminate (copper clad laminate 100) obtained by forming a conductor circuit by etching a copper foil.

적층판(동장 적층판(100))에 있어서 동박(동박층(104))의 에칭 속도는, 황산 55.9g/L 및 34.5% 과산화수소수 19.6cc/L로 이루어지며 또한 액온이 30℃±1℃인 황산/과산화수소계의 에칭액에, 적층판을 침지시키는 조건 하에서 0.68㎛/분 이상, 1.25㎛/분 이하인 것으로 특정된다.The etching rate of the copper foil (copper foil layer 104) in the laminate (copper-clad laminate 100) was 55.9 g / L of sulfuric acid and 19.6 cc / L of 34.5% hydrogen peroxide, / Hydrogen peroxide-based etchant under the conditions of immersing the laminated plate at 0.68 탆 / min or more and 1.25 탆 / min or less.

동장 적층판(100)에 있어서, 동박층(104)의 에칭 속도가 0.68㎛/분 이상으로 특정되어 있다. 이 때문에, 프린트 배선기판(101)의 제조 과정에 있어서, 동박층(104)이 도체 회로(119) 사이의 절연층(102) 위에 잔존하는 것을 억제할 수 있을 뿐만 아니라 도체 회로(119)의 배선 형상을 양호하게 할 수 있다.In the copper-clad laminate 100, the etching rate of the copper foil layer 104 is specified to be 0.68 탆 / min or more. This makes it possible not only to suppress the copper foil layer 104 from remaining on the insulating layer 102 between the conductor circuits 119 in the process of manufacturing the printed wiring board 101, The shape can be improved.

이하, 본 실시형태의 프린트 배선기판(101)의 제조 공정에 대하여 상세한 점을 설명한다.Hereinafter, the manufacturing process of the printed wiring board 101 of the present embodiment will be described in detail.

우선, 도 1(a)에 나타낸 바와 같이 절연층(102)의 양면에 캐리어박층(106)과 함께 동박층(104)을 맞붙인 캐리어박 부착 동장 적층판(10)을 준비한다. 캐리어박 부착 동장 적층판(10)은 절연층(102), 동박층(104) 및 캐리어박층(106)을 구비한다. 절연층(102)의 양면에는 동박층(104)과 함께 캐리어박층(106)이 첩부(貼付)되어 있다. 본 실시형태에서는 절연층(102)의 양면에 동박층(104)이 형성되어 있지만, 절연층(102)의 한쪽 면에만 동박층(104)이 형성되어 있어도 무방하다.First, as shown in Fig. 1A, a carrier-foiled copper clad laminate 10 having the copper foil layer 104 and the carrier foil layer 106 bonded to both surfaces of the insulating layer 102 is prepared. The copper-clad copper-clad laminate 10 has an insulating layer 102, a copper foil layer 104, and a thin carrier layer 106. On both sides of the insulating layer 102, a thin copper foil layer 106 is adhered together with a copper foil layer 104. In this embodiment, the copper foil layer 104 is formed on both surfaces of the insulating layer 102, but the copper foil layer 104 may be formed only on one surface of the insulating layer 102.

캐리어박 부착 동장 적층판(10)으로는 예를 들면, 동장 적층판(100)의 적어도 한 면에 박리 가능한 캐리어박층(106)이 적층되어 있다. 동장 적층판(100)은(이하, 적층판으로 호칭하는 경우도 있다), 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 기재가 들어간 절연 수지층을 갖는 절연층(102)의 적어도 한 면에 동박층(104)이 적층된 것을 이용할 수 있다(도면에서는 섬유 기재를 생략하고 있다). 적층판은 단층이어도 되지만 다층 구조를 가지고 있어도 된다. 즉, 적층판으로는 코어층만으로 구성되어 있어도 되지만, 코어층 위에 빌드업층이 형성되어 있는 것을 이용해도 된다. 적층판은 예를 들어 프리프레그를 여러 장 중첩한 것 등을 이용할 수 있다. 프리프레그는 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 유리 클로스 등의 기재에 경화성 수지, 경화제 및 충전제 등을 함유한 수지 조성물을 함침시키는 등의 방법으로 얻을 수 있다. 그리고, 적층판으로는 적어도 한쪽 면에 캐리어박 부착 극박 금속박을 중첩시켜 가열 가압 성형한 것 등을 이용할 수 있다. 또한, 빌드업층의 층간 절연층에는 코어층과 동일한 재료의 것을 사용해도 되지만, 기재 또는 수지 조성물이 상이해도 된다. 본 실시형태에서는, 절연층(102)은 코어층 또는 빌드업층을 구성하는 절연 수지층에 상당하는 것이며, 단층 또는 다층 구조의 어느 것이어도 무방하다. 빌드업층을 구비하는 적층판을 이용한 예에 대해서는 제2 실시형태에서 후술한다.The carrier foil-coated copper clad laminate 10 is, for example, laminated on at least one surface of a copper clad laminate 100 with a peelable carrier foil layer 106. The copper clad laminate 100 (hereinafter sometimes referred to as a laminate) is not particularly limited. For example, a copper clad layer 104 is formed on at least one surface of an insulating layer 102 having an insulating resin layer containing a base material (The fiber substrate is omitted in the drawing). The laminate may be a single layer or may have a multilayer structure. That is, the laminated board may be composed of only the core layer, but a buildup layer may be formed on the core layer. The laminate may be, for example, a laminate of several prepregs or the like. The prepreg is not particularly limited, but can be obtained by, for example, impregnating a base material such as glass cloth with a resin composition containing a curable resin, a curing agent and a filler. The laminates may be formed by superimposing an ultra thin metal foil having a carrier foil on at least one surface thereof, followed by hot pressing and the like. The same material as that of the core layer may be used for the interlayer insulating layer of the buildup layer, but the substrate or the resin composition may be different. In this embodiment, the insulating layer 102 corresponds to the insulating resin layer constituting the core layer or the buildup layer, and may be a single layer or a multilayer structure. An example using a laminated plate having a buildup layer will be described later in the second embodiment.

본 실시형태에 이용되는 적층판 및 층간 절연층을 구성하는 수지 조성물은 프린트 배선판의 절연 재료로 이용되는 공지의 수지(이하, 절연 수지 조성물이라고도 칭한다)를 이용할 수 있으며, 통상, 내열성, 내약품성이 양호한 경화성 수지가 주로 이용된다. 상기 수지 조성물은 특별히 한정되지 않으며 적어도 열 및/또는 광 조사(照射)에 의해 경화하는 경화성 수지가 포함되는 수지 조성물인 것이 바람직하다.The resin composition constituting the laminate and the interlayer insulating layer used in the present embodiment can be a known resin used as an insulating material for a printed wiring board (hereinafter also referred to as an insulating resin composition), and usually has good heat resistance and chemical resistance A curable resin is mainly used. The resin composition is not particularly limited and is preferably a resin composition containing a curable resin which is cured at least by heat and / or light irradiation.

경화성 수지로는 예를 들면, 우레아(요소) 수지, 멜라민 수지, 말레이미드 화합물, 폴리우레탄 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 벤조옥사진환(環)을 갖는 수지, 비스알릴나디이미드 화합물, 비닐벤질 수지, 비닐벤질에테르 수지, 벤조시클로부텐 수지, 시아네이트 수지, 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 경화성 수지는 유리 전이 온도가 200℃ 이상이 되는 조합이 바람직하다. 예를 들면, 스피로환 함유, 복소환식, 트리메틸올형, 비페닐형, 나프탈렌형, 안트란형, 노볼락형의 2 또는 3 관능 이상의 에폭시 수지, 시아네이트 수지(시아네이트 수지의 프리폴리머를 포함), 말레이미드 화합물, 벤조시클로부텐 수지, 벤조옥사진환을 갖는 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지 및/또는 시아네이트 수지를 이용하는 경우에는 선팽창이 작게 되고 내열성이 현저히 향상한다. 또한, 에폭시 수지 및/또는 시아네이트 수지를 고충전량의 충전재와 조합하면 난연성, 내열성, 내충격성, 고강성 및 전기특성(저유전율, 저유전정접)이 우수하다는 장점이 있다. 여기에서, 내열성의 향상은 상기 경화성 수지의 경화 반응 후에 유리 전이 온도가 200℃ 이상이 되는 점, 경화 후의 수지 조성물의 열분해 온도가 높게 되는 점, 250℃ 이상에서의 반응 잔사 등의 저분자량이 저감하는 점에 기인하는 것으로 생각된다. 아울러 또한, 난연성의 향상은 방향족계의 경화성 수지로 인해 그 구조상 벤젠환의 비율이 높기 때문에 이 벤젠환이 탄화(그래파이트화)하기 쉽고 탄화 부분이 생기는 것에 기인하는 것으로 생각된다.Examples of the curable resin include a urea resin, a melamine resin, a maleimide compound, a polyurethane resin, an unsaturated polyester resin, a resin having a benzoxazine ring, a bisallylnadiimide compound, a vinylbenzyl resin, Vinyl benzyl ether resin, benzocyclobutene resin, cyanate resin, and epoxy resin. Among them, a combination in which the curable resin has a glass transition temperature of 200 ° C or more is preferable. Examples thereof include epoxy resins having two or more functional groups such as spiro ring, heterocyclic, trimethylol, biphenyl, naphthalene, anthran and novolak, cyanate resins (including prepolymer of cyanate resin) A maleimide compound, a benzocyclobutene resin, and a resin having a benzoxazine ring are preferably used. When an epoxy resin and / or a cyanate resin is used, the linear expansion is small and the heat resistance is remarkably improved. Further, when epoxy resin and / or cyanate resin is combined with a high filler filler, it has an advantage of being excellent in flame retardancy, heat resistance, impact resistance, high rigidity and electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent). Here, the improvement in heat resistance is considered to be attributable to the fact that the glass transition temperature after the curing reaction of the curable resin becomes 200 DEG C or higher, the thermal decomposition temperature of the resin composition after curing becomes high and the low molecular weight such as the reaction residue at 250 DEG C or higher is reduced And the like. Further, it is considered that the improvement of the flame retardancy is attributed to the fact that the benzene ring is easily carbonized (graphitized) and the carbonized portion is generated because of the high proportion of the benzene ring due to its structure due to the aromatic curing resin.

상기 수지 조성물은 또한, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서 난연제를 함유하여도 되지만, 환경의 측면에서 비할로겐계 난연제가 바람직하다. 난연제로는 예를 들면, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 유기 인계 난연제로는 산코(주) 제의 HCA, HCA-HQ, HCA-NQ 등의 포스핀 화합물, 쇼와코분시(주) 제의 HFB-2006M 등의 인 함유 벤조옥사진 화합물, 호쿠코우카가꾸코교(주) 제의 PPQ, 클라리안트(주) 제의 OP930, 다이하치카가꾸(주) 제의 PX200 등의 인산 에스테르 화합물, 토우토카세이(주) 제의 FX289, FX310 등의 인 함유 에폭시 수지, 토우토카세이(주) 제의 ERF001 등의 인 함유 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 유기계 질소 함유 인 화합물로는 시코쿠카세이코교(주) 제의 SP670, SP703 등의 인산 에스테르이미드 화합물, 오오츠카카가꾸(주) 사제의 SPB100, SPE100, (주)후시미세이사꾸쇼 제 FP-series 등의 포스파젠 화합물 등을 들 수 있다. 금속 수산화물로는 우베머티리얼스(주) 제의 UD650, UD653 등의 수산화마그네슘, 스미토모카가꾸(주) 제 CL310, 쇼와덴코(주) 제, HP-350 등의 수산화알루미늄 등을 들 수 있다.The resin composition may also contain a flame retardant within a range that does not impair the effects of the present invention, but a non-halogen flame retardant is preferable in terms of environment. Examples of the flame retardant include an organic phosphorus flame retardant, an organic nitrogen-containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicon-based flame retardant, and a metal hydroxide. Examples of the organophosphorus flame retardant include phosphine compounds such as HCA, HCA-HQ and HCA-NQ from Sanko Co., Ltd., phosphorus-containing benzooxazine compounds such as HFB-2006M manufactured by Showa Kobunshi Co., Phosphorus-containing epoxy compounds such as PPQ of Kakugo Kogyo Co., OP930 of Clariant Co., and PX200 of Daihachi Chemical Co., Ltd., phosphorus-containing epoxy compounds such as FX289 and FX310 manufactured by TOTOKASEI Co., Resin, and phosphorus-containing phenoxy resins such as ERF001 manufactured by TOTOKASEI CO., LTD. Examples of organic nitrogen-containing phosphorus compounds include phosphate ester imide compounds such as SP670 and SP703 manufactured by Shikoku Seiko Co., Ltd., SPB100, SPE100 manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., FP-series manufactured by Fushimi Corporation Of phosphazene compounds. Examples of the metal hydroxide include aluminum hydroxide such as magnesium hydroxide such as UD650 and UD653 manufactured by Ube Industries, Ltd., CL310 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., HP-350 manufactured by Showa Denko K.K.

상기 수지 조성물에 이용되는 에폭시 수지로는 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 디히드로안트라센형 에폭시 수지, 3관능 페놀형 에폭시 수지, 4관능 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 아랄킬 변성 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 폴리올형 에폭시 수지, 글리시딜아민, 글리시딜에스테르, 부타디엔 등의 2중 결합을 에폭시화한 화합물, 수산기 함유 실리콘 수지류와 에피크롤히드린과의 반응에 의해 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에폭시 수지는 나프탈렌형, 아릴알킬렌형 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 아릴알킬렌형 에폭시 수지로는 반복 단위 중에 방향족기와 메틸렌 등의 알킬렌기의 조합을 하나 이상 포함하는 에폭시 수지의 것을 말하며, 내열성, 난연성 및 기계적 강도가 우수하다. 나프탈렌형, 아릴알킬렌형 에폭시 수지를 이용함으로써 얻어지는 적층판에 있어서, 흡습 땜납 내열성(흡습 후의 땜납 내열성) 및 난연성을 향상시킬 수 있다. 나프탈렌형 에폭시로는 DIC(주) 제의 HP-4700, HP-4770, HP-4032D, HP-5000, HP-6000, 닛폰카야꾸(주) 제의 NC-7300L, 신닛테츠카가꾸(주) 제의 ESN-375 등을 들 수 있으며, 아릴알킬렌형 에폭시 수지로는 닛폰카야꾸(주) 제의 NC-3000, NC-3000L, NC-3000-FH, 닛폰카야꾸(주) 제의 NC-7300L, 신닛테츠카가꾸(주) 제의 ESN-375 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin used in the resin composition include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, Novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, alicyclic epoxy resins, norbornene type epoxy resins, norbornene type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, dihydroanthracene type epoxy resins, trifunctional phenol type epoxy resins, A compound obtained by the reaction of a hydroxyl group-containing silicone resin with epichlorohydrin, and the like, a compound obtained by epoxidizing a double bond such as an epoxy resin, a polyol epoxy resin, glycidylamine, glycidyl ester or butadiene, . Among them, the epoxy resin is preferably a naphthalene type or aryl alkylene type epoxy resin. The arylalkylene type epoxy resin is an epoxy resin containing at least one combination of an aromatic group and an alkylene group such as methylene in the repeating unit, and is excellent in heat resistance, flame retardancy and mechanical strength. In the laminate obtained by using the naphthalene type or aryl alkylene type epoxy resin, the moisture absorption solder heat resistance (solder heat resistance after moisture absorption) and flame retardancy can be improved. HP-4700, HP-4032D, HP-5000, HP-6000 manufactured by DIC Corporation, NC-7300L manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., Shinnetsu Tetsukagaku Co., NC-3000, NC-3000L, NC-3000-FH manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. and NC-3000-FH manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. are used as the arylalkylene type epoxy resin, 7300L manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and ESN-375 manufactured by Shin-Ten Tetsu Kabushiki Kaisha.

상기 수지 조성물에 이용하는 시아네이트 수지는 예를 들면, 할로겐화 시안 화합물과 페놀류를 반응시켜 얻을 수 있다. 시아네이트 수지의 구체예로는 예를 들면, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지, 크레졸 노볼락형 시아네이트 수지 등의 노볼락형 시아네이트 수지, 나프톨 아랄킬형 시아네이트 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지, 비페닐형 시아네이트 수지, 비스페놀A형 시아네이트 수지, 비스페놀AD형 시아네이트 수지, 테트라메틸비스페놀F형 시아네이트 수지 등의 비스페놀형 시아네이트 수지 등을 들 수 있다.The cyanate resin used in the resin composition can be obtained, for example, by reacting a halogenated cyanide compound with a phenol. Specific examples of the cyanate resin include, for example, novolac cyanate resins such as phenol novolak type cyanate resins and cresol novolak type cyanate resins, naphthol aralkyl type cyanate resins, dicyclopentadiene type cyanates Bisphenol-type cyanate resins such as biphenyl type cyanate resins, bisphenol A type cyanate resins, bisphenol AD type cyanate resins and tetramethyl bisphenol F type cyanate resins.

이들 중에서도 특히 노볼락형 시아네이트 수지, 나프톨아랄킬형 시아네이트 수지, 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지, 비페닐형 시아네이트 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 수지 조성물은 이 시아네이트 수지를 수지 조성물의 전 고형분 중에 10중량% 이상 포함하는 것이 바람직하다. 이로써 프리프레그의 내열성(유리 전이온도, 열 분해온도)을 향상시킬 수 있다. 또한, 프리프레그의 열팽창계수(특히, 프리프레그의 두께 방향의 열팽창계수)를 저하시킬 수 있다. 프리프레그의 두께 방향의 열팽창계수가 저하되면 다층 프린트 배선의 응력 변형을 경감할 수 있다. 아울러, 미세한 층간 접속부를 갖는 다층 프린트 배선판에 있어서는 그 접속 신뢰성을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다.Among these, novolak type cyanate resins, naphthol aralkyl type cyanate resins, dicyclopentadiene type cyanate resins and biphenyl type cyanate resins are particularly preferable. Further, it is preferable that the resin composition contains 10% by weight or more of the cyanate resin in the total solid content of the resin composition. As a result, the heat resistance (glass transition temperature, thermal decomposition temperature) of the prepreg can be improved. Further, the coefficient of thermal expansion of the prepreg (in particular, the coefficient of thermal expansion in the thickness direction of the prepreg) can be reduced. When the thermal expansion coefficient in the thickness direction of the prepreg is lowered, stress deformation of the multilayer printed wiring can be reduced. In addition, in a multilayered printed circuit board having a fine interlayer connecting portion, its connection reliability can be greatly improved.

상기 수지 조성물에 이용되는 노볼락형 시아네이트 수지 중에서도 바람직한 것으로는 하기 식 (1)로 표시되는 노볼락형 시아네이트 수지를 들 수 있다. 중량 평균 분자량이 2000 이상, 보다 바람직하게는 2,000∼10,000, 더욱 바람직하게는 2,200∼3,500의 식 (1)로 표시되는 노볼락형 시아네이트 수지와, 중량 평균 분자량이 1500 이하, 보다 바람직하게는 200∼1,300의 식 (1)로 표시되는 노볼락형 시아네이트 수지를 조합하여 이용하는 것이 바람직하다(이하, 「∼」는 특별히 명시하지 않는 한, 상한값과 하한값을 포함함을 나타낸다). 또한, 본 실시형태에 있어서 중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산의 겔 투과 크로마토그래피법으로 측정한 값이다.Among the novolak type cyanate resins used in the resin composition, novolak type cyanate resins represented by the following formula (1) are preferable. A novolak type cyanate resin represented by the formula (1) having a weight average molecular weight of 2000 or more, more preferably 2,000 to 10,000, and still more preferably 2,200 to 3,500, and a cyanate resin having a weight average molecular weight of 1,500 or less, more preferably 200 (1) to (1,300) (hereinafter, " ~ " means that the upper limit and the lower limit are included unless otherwise specified). In the present embodiment, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography in terms of polystyrene.

Figure 112014095097683-pct00001
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식 (1) 중, n은 0 이상의 정수를 나타낸다.In the formula (1), n represents an integer of 0 or more.

또한, 시아네이트 수지로는 하기 일반식 (2)로 표시되는 시아네이트 수지도 바람직하게 이용된다. 하기 일반식 (2)로 표시되는 시아네이트 수지는 α-나프톨 또는 β-나프톨 등의 나프톨류와 p-크실렌글리콜, α,α'-디메톡시-p-크실렌, 1,4-디(2-히드록시-2-프로필)벤젠 등과의 반응에 의해 얻어지는 나프톨아랄킬 수지와 시안산을 축합시켜 얻어지는 것이다. 일반식 (2)의 n은 1 이상이지만, 10 이하인 것이 보다 바람직하다. n이 10 이하인 경우, 수지 점도가 높게 되지 않고, 기재로의 함침성이 양호하며 적층판으로서의 성능 저하를 억제할 수 있다. 또한, 합성시에 분자 내 중합이 일어나기 어렵고, 수세(水洗)시의 분액성이 향상되어 수득량의 저하를 방지할 수 있다.As the cyanate resin, a cyanate resin represented by the following general formula (2) is also preferably used. The cyanate resin represented by the following general formula (2) is obtained by reacting naphthols such as? -Naphthol or? -Naphthol with p-xylene glycol,?,? '- dimethoxy-p- Hydroxy-2-propyl) benzene and the like and a cyanic acid. In the general formula (2), n is 1 or more, but is more preferably 10 or less. When n is 10 or less, the resin viscosity does not become high, impregnation into the substrate is good, and performance deterioration as a laminated board can be suppressed. Further, intramolecular polymerization hardly occurs at the time of synthesis, and the liquidity at the time of washing with water is improved, so that the decrease in yield can be prevented.

Figure 112014095097683-pct00002
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식 (2) 중, R은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R은 동일하거나 상이해도 무방하며, n은 1 이상의 정수를 나타낸다.In the formula (2), R represents a hydrogen atom or a methyl group, Rs may be the same or different, and n represents an integer of 1 or more.

또한, 시아네이트 수지로는 하기 일반식 (3)으로 표시되는 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지도 바람직하게 이용된다. 하기 일반식 (3)으로 표시되는 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지는 하기 일반식 (3)의 n이 0 이상 8 이하인 것이 보다 바람직하다. n이 8 이하인 경우, 수지 점도가 높게 되지 않으며 기재에 대한 함침성이 양호하고 적층판으로서의 성능 저하를 방지할 수 있다. 또한, 디시클로펜타디엔형 시아네이트 수지를 이용함으로써 저흡습성 및 내약품성이 우수해진다.As the cyanate resin, a dicyclopentadiene-type cyanate resin represented by the following general formula (3) is also preferably used. In the dicyclopentadiene-type cyanate resin represented by the following general formula (3), n in the general formula (3) is more preferably 0 or more and 8 or less. When n is 8 or less, the resin viscosity is not increased, the impregnation property to the substrate is good, and the performance degradation as a laminated board can be prevented. Further, by using a dicyclopentadiene-type cyanate resin, low hygroscopicity and chemical resistance are improved.

Figure 112014095097683-pct00003
Figure 112014095097683-pct00003

식 (3) 중, n은 0∼8의 정수를 나타낸다.In the formula (3), n represents an integer of 0 to 8.

또한, 수지 조성물은 추가로 경화 촉진제를 함유하여도 된다. 예를 들면, 경화성 수지가 에폭시 수지나 시아네이트 수지라면 페놀 수지나 에폭시 수지나 시아네이트 수지의 경화 촉진제를 이용할 수 있다. 페놀 수지는 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀A 노볼락 수지, 아릴알킬렌형 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 미변성의 레졸 페놀 수지, 동유(桐油), 아마씨유, 호두유 등으로 변성한 유변성 레졸 페놀 수지 등의 레졸형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 상기 페놀 수지로는 페놀 노볼락 또는 크레졸 노볼락 수지가 바람직하다. 그 중에서도 비페닐아랄킬 변성 페놀 노볼락 수지가 흡습 땜납 내열성의 점에서 바람직하다.The resin composition may further contain a curing accelerator. For example, if the curable resin is an epoxy resin or a cyanate resin, a phenol resin, an epoxy resin, or a curing accelerator of a cyanate resin can be used. Examples of the phenol resin include, but not limited to, novolac phenol resins such as phenol novolac resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin and aryl alkylene novolac resin, unmodified resol phenol resin, Tung oil), a resol-type phenol resin such as a starch-modified resol phenol resin modified with flaxseed oil and fomed oil, and the like. As the phenol resin, phenol novolak or cresol novolak resin is preferable. Among them, biphenyl aralkyl-modified phenol novolac resins are preferable from the standpoint of heat resistance and heat resistance.

이들 중의 1 종류를 단독으로 이용하는 것도 가능하며, 상이한 중량 평균 분자량을 갖는 2 종류 이상을 병용하거나 1 종류 또는 2 종류 이상과, 그들의 프리폴리머를 병용하거나 하는 것도 가능하다.One of them may be used alone, or two or more types having different weight average molecular weights may be used in combination, or one type or two or more types thereof may be used in combination with their prepolymers.

상기 경화 촉진제는 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 옥틸산 주석, 옥틸산 코발트, 비스아세틸아세토네이트 코발트(II), 트리스아세틸아세토네이트 코발트(III) 등의 유기 금속염, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 디아자비시클로[2,2,2]옥탄 등의 3급 아민류, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-에틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로(1,2-a)벤즈이미다졸 등의 이미다졸류, 페놀, 비스페놀A, 노닐페놀 등의 페놀 화합물, 아세트산, 벤조산, 살리실산, 파라톨루엔설폰산 등의 유기산, 오늄염 화합물 등 또는 이 혼합물을 들 수 있다. 이들 중의 유도체도 포함하여 1종류를 단독으로 이용하는 것도 가능하며, 이들 유도체도 포함하여 2종류 이상을 병용하거나 하는 것도 가능하다.The curing accelerator is not particularly limited. Examples of the curing accelerator include organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, cobalt bis (II) acetate and trisacetylacetonate cobalt (III) Tertiary amines such as triethylamine, tributylamine and diazabicyclo [2,2,2] octane, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Benzyl-2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl Phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, Imidazoles such as 2,3-dihydro-1H-pyrrolo (1,2-a) benzimidazole, phenol compounds such as phenol, bisphenol A and nonylphenol, acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, paratoluenesulfonic acid And organic acids such as an onium salt compound Or it may be a mixture. These derivatives may be used singly or two or more kinds of these derivatives may be used in combination.

또한, 상기 경화성 수지 중에는 내열성의 점에서 말레이미드 화합물이 포함되어 있어도 무방하다. 말레이미드 화합물은 1분자 중에 1개 이상의 말레이미드기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 그 구체예로는 N-페닐말레이미드, N-히드록시페닐말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3,5-디메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-말레이미드페닐)메탄, 폴리페닐메탄말레이미드, 이들 말레이미드 화합물의 프리폴리머, 또는 말레이미드 화합물과 아민 화합물의 프리폴리머 등을 들 수 있다.The curable resin may contain a maleimide compound in view of heat resistance. The maleimide compound is not particularly limited as long as it is a compound having at least one maleimide group in one molecule. Specific examples thereof include N-phenylmaleimide, N-hydroxyphenylmaleimide, bis (4-maleimidephenyl) methane, 2,2-bis {4- (4-maleimidophenoxy) Maleimide phenyl) methane, bis (3,5-dimethyl-4-maleimide phenyl) methane, bis (3-ethyl- , Polyphenylmethane maleimide, prepolymer of these maleimide compounds, and prepolymer of maleimide compound and amine compound.

또한, 상기 경화성 수지 중에는 금속박과의 밀착성의 점에서 페녹시 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지가 포함되어 있어도 된다.The curable resin may include a phenoxy resin, a polyvinyl alcohol resin, a polyimide, a polyamide, a polyamideimide, a polyether sulfone resin, and a polyphenylene ether resin from the viewpoint of adhesiveness with a metal foil.

페녹시 수지로는 예를 들면, 비스페놀 골격을 갖는 페녹시 수지, 나프탈렌 골격을 갖는 페녹시 수지, 비페닐 골격을 갖는 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 이들 골격을 복수 종 가진 구조의 페녹시 수지를 이용할 수도 있다.Examples of the phenoxy resin include a phenoxy resin having a bisphenol skeleton, a phenoxy resin having a naphthalene skeleton, and a phenoxy resin having a biphenyl skeleton. Further, a phenoxy resin having a plurality of these skeletons may be used.

이들 중에서도 페녹시 수지로는 비페닐 골격 및 비스페놀S 골격을 갖는 페녹시 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 비페닐 골격이 갖는 강직성에 의해 페녹시 수지의 유리 전이온도를 높게 할 수 있을 뿐만 아니라 비스페놀S 골격의 존재에 의해 페녹시 수지와 금속의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 절연층(102)의 내열성 향상을 도모할 수 있으면서 다층 기판을 제조하는 때에 절연층(102)에 대한 배선부(도체 회로(118))의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 페녹시 수지로는 비스페놀A 골격 및 비스페놀F 골격을 갖는 페녹시 수지를 이용하는 것도 바람직하다. 이에 따라, 다층 기판의 제조시에 배선부의 절연층(102)에 대한 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.Among them, it is preferable to use a phenoxy resin having a biphenyl skeleton and a bisphenol S skeleton as the phenoxy resin. Accordingly, not only the glass transition temperature of the phenoxy resin can be increased by the rigidity of the biphenyl skeleton, but also the adhesion of the phenoxy resin and the metal can be improved by the presence of the bisphenol S skeleton. As a result, the heat resistance of the insulating layer 102 can be improved, and the adhesion of the wiring portion (the conductor circuit 118) to the insulating layer 102 can be improved when the multi-layer substrate is manufactured. As the phenoxy resin, it is also preferable to use a phenoxy resin having a bisphenol A skeleton and a bisphenol F skeleton. This makes it possible to further improve the adhesion of the wiring portion to the insulating layer 102 at the time of manufacturing the multilayer substrate.

페녹시 수지의 시판품으로는 토우토카세이(주) 제 FX280 및 FX293, 제팬에폭시레진(주) 제 YX8100, YX6954, YL6974, YL7482, YL7553, YL6794, YL7213 및 YL7290 등을 들 수 있다. 페녹시 수지의 분자량은 특별히 한정되지 않지만 중량 평균 분자량이 5,000∼70,000인 것이 바람직하고, 10,000∼60,000인 것이 보다 바람직하다.Examples of commercially available phenoxy resins include FX280 and FX293 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. and YX8100, YX6954, YL6974, YL7482, YL7553, YL6794, YL7213 and YL7290 manufactured by Japan Epoxy Resins Co., The molecular weight of the phenoxy resin is not particularly limited, but the weight average molecular weight is preferably 5,000 to 70,000, more preferably 10,000 to 60,000.

페녹시 수지를 이용하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만 수지 조성물 전체의 1∼40중량%인 것이 바람직하고, 5∼30중량%인 것이 보다 바람직하다.When a phenoxy resin is used, its content is not particularly limited, but it is preferably 1 to 40% by weight, more preferably 5 to 30% by weight based on the whole resin composition.

폴리비닐알코올계 수지의 시판품으로는 덴키카가꾸코교(주) 제 덴카부티랄4000-2, 5000-A, 6000-C 및 6000-EP, 세키스이카가꾸코교(주) 제 에슬렉 BH 시리즈, BX 시리즈, KS 시리즈, BL 시리즈 및 BM 시리즈 등을 들 수 있다. 특히, 유리 전이온도가 80℃ 이상인 것이 특히 바람직하다.Examples of commercially available products of polyvinyl alcohol resin include DENKA BUTYRAL 4000-2, 5000-A, 6000-C and 6000-EP manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. Esserb BH series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., BX Series, KS series, BL series and BM series. Particularly, it is particularly preferable that the glass transition temperature is 80 DEG C or higher.

폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드의 시판품으로는 토요보우세키(주)사 제 「바이로막스 HR11NN(등록상표)」 및 「HR-16NN」「HR15ET」, 히타치카세이코교(주) 제 폴리아미드이미드 「KS-9300」 등을 들 수 있다. 미츠비시가스카가꾸(주)사 제 「네오프림 C-1210」, 신닛폰리카(주) 사 제의 가용성 폴리이미드 「리카코트 SN20(등록상표)」 및 「리카코트 PN20(등록상표)」, 닛폰GE플라스틱스(주)사 제의 폴리에테르이미드 「우루템(등록상표)」, DIC(주) 제 「V8000」 및 「V8002」 및 「V8005」: 닛폰카야꾸(사) 제 「BPAM155」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of polyimide, polyamide and polyamideimide include "Bioromax HR11NN (registered trademark)" and "HR-16NN" "HR15ET" available from Toyobo Co., Amide imide " KS-9300 " and the like. , "Neoprim C-1210" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, soluble polyimide "Rika coat SN20 (registered trademark)" and "Rika coat PN20 (registered trademark)" available from Shin-Nippon Rika Co., VU815 "manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and the like, polyetherimide" Urutem (registered trademark) "manufactured by GE Plastics Corporation," V8000 "and" V8002 " .

폴리에테르설폰 수지의 시판품으로는 공지의 것을 이용할 수 있으며, 예를 들면 스미토모카가꾸사 제의 PES4100P, PES4800P, PES5003P 및 PES5200P 등을 들 수 있다.Commercially available products of the polyethersulfone resin include known ones such as PES4100P, PES4800P, PES5003P and PES5200P available from Sumitomo Chemical Co., Ltd.

폴리페닐렌에테르 수지로는 예를 들면, 폴리(2,6-디메틸-1,4-페닐렌)옥사이드, 폴리(2,6-디에틸-1,4-페닐렌)옥사이드, 폴리(2-메틸-6-에틸-1,4-페닐렌)옥사이드, 폴리(2-메틸-6-프로필-1,4-페닐렌)옥사이드, 폴리(2,6-디프로필-1,4-페닐렌)옥사이드, 폴리(2-에틸-6-프로필-1,4-페닐렌)옥사이드 등을 들 수 있다. 시판품으로는 예를 들면 닛폰G.E.플라스틱사 제 「노릴 PX9701(등록상표)」(수 평균분자량 Mn=14,000), 「노릴 640-111(등록상표)」(수 평균분자량 Mn=25,000) 및 아사히카세이사 제 「SA202」(수 평균분자량 Mn=20,000) 등이 있으며, 이들을 공지의 방법으로 저분자량화하여 이용할 수 있다.Examples of the polyphenylene ether resin include poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene) oxide, poly (2,6- Methyl-6-ethyl-1,4-phenylene) oxide, poly (2-methyl- Oxide, poly (2-ethyl-6-propyl-1, 4-phenylene) oxide and the like. (Number average molecular weight Mn = 14,000), " Noryl 640-111 (registered trademark) " (number average molecular weight Mn = 25,000), and Asahi Kasei Quot ;, and " SA202 " (number average molecular weight Mn = 20,000), and they can be used by lowering the molecular weight by a known method.

이들 중에서도 말단을 관능기로 변성한 반응성 올리고페닐렌옥사이드가 바람직하다. 이에 따라, 경화성 수지와의 상용성이 향상하고, 폴리머 간의 3차원 가교 구조를 형성할 수 있기 때문에 기계 강도가 우수하다. 예를 들면, 특개 2006-28111호 공보에 기재되어 있는 2,2',3,3',5,5'-헥사메틸비페닐-4,4'-디올-2,6-디메틸페놀 중축합물과 클로로메틸스티렌의 반응 생성물을 들 수 있다.Of these, reactive oligophenylene oxides whose terminals are modified with functional groups are preferred. As a result, the compatibility with the curable resin is improved and the three-dimensional cross-linking structure between the polymers can be formed, so that the mechanical strength is excellent. For example, the polycondensation product of 2,2 ', 3,3', 5,5'-hexamethylbiphenyl-4,4'-diol-2,6-dimethylphenol and the condensation product of 2,2 ', 3,3' And reaction products of chloromethylstyrene.

이러한 반응성 올리고페닐렌옥사이드는 공지의 방법에 따라 제조할 수 있다. 또한, 시판품을 이용할 수도 있다. 예를 들면, OPE-2st 2200(미츠비시가스카가꾸사 제)을 바람직하게 사용할 수 있다.These reactive oligophenylene oxides can be prepared by a known method. Commercially available products may also be used. For example, OPE-2st 2200 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) can be preferably used.

반응성 올리고페닐렌옥사이드의 중량 평균 분자량은 2,000∼20,000인 것이 바람직하고, 4,000∼15,000인 것이 보다 바람직하다. 반응성 올리고페닐렌옥사이드의 중량 평균 분자량이 20,000을 넘으면 휘발성 용제에 용해하기 어렵게 된다. 한편, 중량 평균 분자량이 2,000 미만이면 가교 밀도가 너무 높게 되기 때문에 경화물의 탄성율이나 가소성에 악영향이 나온다.The weight average molecular weight of the reactive oligophenylene oxide is preferably 2,000 to 20,000, more preferably 4,000 to 15,000. When the weight average molecular weight of the reactive oligophenylene oxide exceeds 20,000, it is difficult to dissolve the reactive oligophenylene oxide in the volatile solvent. On the other hand, if the weight average molecular weight is less than 2,000, the crosslinking density becomes too high, and the elastic modulus and plasticity of the cured product are adversely affected.

본 실시형태에 이용하는 수지 조성물 중의 경화성 수지 량은 그 목적에 따라 적절히 조정되면 되고 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물의 전 고형분 중에 경화성 수지는 10∼90중량%인 것이 바람직하고, 20∼70중량%이 보다 바람직하며, 25∼50중량%인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the curable resin in the resin composition used in the present embodiment may be suitably adjusted according to the purpose and is not particularly limited. However, the total solid content of the resin composition is preferably 10 to 90% by weight, more preferably 20 to 70% More preferably 25 to 50% by weight.

또한, 경화성 수지로 에폭시 수지 및/또는 시아네이트 수지를 이용하는 경우에는 상기 수지 조성물의 전 고형분 중에 에폭시 수지는 5∼50중량%인 것이 바람직하고, 더욱이 에폭시 수지는 5∼25중량%인 것이 바람직하다. 또한, 수지 조성물의 전 고형분 중에 시아네이트 수지는 5∼50중량%인 것이 바람직하고, 더욱이 시아네이트 수지는 10∼25중량%인 것이 바람직하다.When an epoxy resin and / or a cyanate resin is used as the curable resin, the epoxy resin is preferably contained in the total solid content of the resin composition in an amount of 5 to 50 wt%, more preferably 5 to 25 wt% . The cyanate resin is preferably contained in the total solid content of the resin composition in an amount of 5 to 50% by weight, and more preferably 10 to 25% by weight in terms of the cyanate resin.

상기 수지 조성물 중에는 무기 충전재를 함유하는 것이 저열팽창과 기계 강도의 점에서 바람직하다. 무기 충전재는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 유리 등의 규산염, 산화티탄, 알루미나, 실리카, 용융 실리카 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화알루미늄, 베마이트(AlO(OH), 「유사(擬)」베마이트로 통상 불리는 베마이트(즉, Al2O3·xH2O, 여기에서 x=1 내지 2), 수산화마그네슘, 수산화칼슘 등의 금속 수산화물, 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산아연, 메타붕산바륨, 붕산알루미늄, 붕산칼슘, 붕산나트륨 등의 붕산염, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화규소, 질화탄소 등의 질화물, 티탄산스트론튬, 티탄산바륨 등의 티탄산염 등을 들 수 있다. 이들 중의 1종류를 단독으로 이용할 수도 있으며, 2종류 이상을 병용할 수도 있다.The resin composition preferably contains an inorganic filler in view of low thermal expansion and mechanical strength. The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include silicates such as talc, calcined clay, unbaked clay, mica and glass, oxides such as titanium oxide, alumina, silica and fused silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite, (I.e., Al 2 O 3 .xH 2 O, where x = 1 to 2), magnesium hydroxide (magnesium hydroxide), aluminum hydroxide, , Metal hydroxides such as calcium hydroxide, sulfates or sulfates such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite, borates such as zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate and sodium borate, aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride And titanate such as strontium titanate, barium titanate, etc. One of these may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

이들 중에서도 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 베마이트, 실리카, 용융 실리카, 탈크, 소성 탈크, 알루미나가 바람직하다. 저열팽창성 및 절연 신뢰성의 점에서 특히 실리카가 바람직하며, 보다 바람직하게는 구상의 용융 실리카이다. 또한, 내연성의 점에서 수산화알루미늄이 바람직하다. 또한, 본 실시형태에서는 무기 충전재라도 함침하기 쉬운 기재를 사용하기 때문에 상기 수지 조성물 중에 무기 충전재의 양을 많게 할 수 있다. 수지 조성물 중에 무기 충전재가 고농도인 경우, 드릴 마모성이 악화하지만 무기 충전재가 베마이트인 경우에는 드릴 마모성이 양호하게 된다는 점에서 바람직하다.Among these, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, boehmite, silica, fused silica, talc, fired talc, and alumina are preferable. Silica is particularly preferred in view of low thermal expansion and insulation reliability, and more preferably spherical fused silica. In addition, from the viewpoint of flame resistance, aluminum hydroxide is preferable. Further, in the present embodiment, since an inorganic filler uses a substrate which is easy to impregnate, the amount of the inorganic filler in the resin composition can be increased. When the inorganic filler is present in a high concentration in the resin composition, the drill abrasion is deteriorated, but when the inorganic filler is boehmite, the drill abrasion is preferable.

무기 충전재의 입경은 특별히 한정되지 않지만, 평균 입경이 단분산의 무기 충전재를 이용하는 것도 가능하며, 평균 입경이 다분산의 무기 충전재를 이용할 수 있다. 또한 평균 입경이 단분산 및/또는 다분산의 무기 충전재를 1종류 또는 2종류 이상 병용하거나 하는 것도 가능하다. 무기 충전재의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만 0.1㎛∼5.0㎛가 바람직하며, 특히 0.1㎛∼3.0㎛가 바람직하다. 무기 충전재의 입경이 상기 하한값 미만이면 수지 조성물의 점도가 높게 되기 때문에 프리프레그 제작시의 작업성에 영향을 미치는 경우가 있다. 또한, 상기 상한값을 넘으면 수지 조성물 중에서 무기 충전재의 침강 등의 현상이 일어나는 경우가 있다. 아울러, 평균 입경은 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치(시마즈세이사꾸쇼 제, SALD-7000 등의 일반적인 기기)를 이용하여 측정할 수 있다.The particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but an inorganic filler having an average particle size of monodisperse may be used, and an inorganic filler having an average particle size of a polydispersity may be used. It is also possible to use one type or two or more kinds of mono-dispersed and / or polydispersed inorganic fillers having an average particle size. The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably from 0.1 mu m to 5.0 mu m, particularly preferably from 0.1 mu m to 3.0 mu m. If the particle diameter of the inorganic filler is less than the above lower limit value, the viscosity of the resin composition becomes high, which may affect the workability at the time of preparing the prepreg. In addition, when the upper limit is exceeded, the phenomenon such as settling of the inorganic filler may occur in the resin composition. The average particle diameter can be measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus (a general apparatus such as SALD-7000 manufactured by Shimadzu Corporation).

무기 충전재의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 조성물의 전 고형분 중에 10∼90중량%인 것이 바람직하고, 30∼80중량%인 것이 보다 바람직하며, 50∼75중량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 수지 조성물 중에 시아네이트 수지 및/또는 그 프리폴리머를 함유하는 경우에는 상기 무기 충전재의 함유량은 수지 조성물의 전 고형분 중에 50∼75중량%인 것이 바람직하다. 무기 충전재 함유량이 상기 상한값을 넘으면 수지 조성물의 유동성이 현저하게 악화되기 때문에 바람직하지 않은 경우가 있고, 상기 하한값 미만이라면 수지 조성물로 이루어진 절연층의 강도가 충분하지 않아 바람직하지 않은 경우가 있다.The content of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably from 10 to 90% by weight, more preferably from 30 to 80% by weight, and even more preferably from 50 to 75% by weight of the total solid content of the resin composition. When the cyanate resin and / or the prepolymer is contained in the resin composition, the content of the inorganic filler is preferably 50 to 75% by weight based on the total solid content of the resin composition. If the content of the inorganic filler exceeds the upper limit value, the fluidity of the resin composition may deteriorate remarkably. Therefore, if the content is below the lower limit value, the strength of the insulating layer made of the resin composition may not be sufficient.

또한, 본 실시형태에 이용하는 수지 조성물은 고무 성분도 배합할 수 있으며, 예를 들면 본 실시형태에서 사용될 수 있는 고무 입자의 바람직한 예로는 코어쉘형 고무 입자, 가교 아크릴로니트릴부타디엔 고무 입자, 가교 스티렌부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다.In addition, the resin composition used in the present embodiment can be compounded with a rubber component. For example, preferred examples of the rubber particles that can be used in the present embodiment include core-shell rubber particles, crosslinked acrylonitrile-butadiene rubber particles, Particles, acrylic rubber particles, silicon particles, and the like.

코어쉘형 고무 입자는 코어층과 쉘층을 갖는 고무 입자이며, 예를 들면 외층의 쉘층이 유리상 폴리머로 구성되며, 내층의 코어층이 고무상 폴리머로 구성되는 2층 구조, 또는 외층의 쉘층이 유리상 폴리머로 구성되고, 중간층이 고무상 폴리머로 구성되며, 코어층이 유리상 폴리머로 구성되는 3층 구조인 것 등을 들 수 있다. 유리상 폴리머층은 예를 들면 메타크릴산메틸의 중합물 등으로 구성되며, 고무상 폴리머층은 예를 들면 부틸아크릴레이트 중합물(부틸고무) 등으로 구성된다. 코어셀형 고무 입자의 구체예로는 스타필로이드 AC3832, AC3816N(상품명, 간츠카세이(주) 제), 메타블렌 KW-4426(상품명, 미츠비시레이욘(주) 제)을 들 수 있다. 가교 아크릴로니트릴부타디엔고무(NBR) 입자의 구체예로는 XER-91(평균 입자 지름 0.5㎛, JSR(주) 제) 등을 들 수 있다.The core-shell-type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer, for example, a two-layer structure in which the shell layer of the outer layer is composed of a glassy polymer and the core layer of the inner layer is a rubbery polymer, Layer structure in which the intermediate layer is composed of a rubber-like polymer and the core layer is composed of a glass-like polymer, and the like. The glassy polymer layer is composed of, for example, a polymer of methyl methacrylate, and the rubbery polymer layer is composed of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). Specific examples of the core-shell-type rubber particles include STAPHILLOID AC3832, AC3816N (trade name, manufactured by Kanto Kasei Corporation) and Metablen KW-4426 (trade name, manufactured by Mitsubishi Rayon K.K.). Specific examples of the crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle diameter 0.5 mu m, manufactured by JSR Corporation).

가교 스티렌 부타디엔 고무(SBR) 입자의 구체예로는 XSK-500(평균 입자 지름 0.5㎛, JSR(주) 제) 등을 들 수 있다. 아크릴 고무 입자의 구체예로는 메타블렌 W300A(평균 입자 지름 0.1㎛), W450A(평균 입자 지름 0.2㎛)(미츠비시레이욘(주) 제) 등을 들 수 있다.Specific examples of the crosslinked styrene butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle diameter 0.5 mu m, manufactured by JSR Corporation). Specific examples of the acrylic rubber particles include Metablen W300A (average particle diameter 0.1 mu m) and W450A (average particle diameter 0.2 mu m) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.).

실리콘 입자는 오가노폴리실록산으로 형성된 고무 탄성 미립자라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 실리콘 고무(오가노 폴리실록산 가교 엘라스토머) 그 자체로 이루어진 미립자, 및 2차원 가교 주체의 실리콘으로 이루어진 코어부를 3차원 가교형 주체의 실리콘으로 피복한 코어쉘 구조 입자 등을 들 수 있다. 실리콘 고무 미립자로는 KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594(신에츠카가꾸(주) 제), 트레필 E-500, 트레필 E-600(토레·다우코닝(주) 제) 등의 시판품을 이용할 수 있다.The silicone particles are not particularly limited as long as they are rubber elastic fine particles formed of an organopolysiloxane. For example, fine particles made of a silicone rubber (organopolysiloxane crosslinked elastomer) itself and a core portion made of silicon of a two- And core shell structure particles coated with silicon as a main component. As silicone rubber fine particles, KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), TREFILL E-500, TREFILL E-600 (manufactured by Toray Dow Corning Co., ) Can be used.

상기 수지 조성물에는 또한 커플링제를 함유해도 된다. 커플링제는 경화성 수지와 무기 충전재의 계면의 젖음성을 향상시킴으로써, 기재에 대하여 수지 및 무기 충전재를 균일하게 정착시켜 내열성, 특히 흡습 후의 땜납 내열성을 개량하기 위하여 배합한다.The resin composition may further contain a coupling agent. The coupling agent improves the wettability of the interface between the curable resin and the inorganic filler so that the resin and the inorganic filler are uniformly fixed to the substrate so as to improve heat resistance, particularly solder heat resistance after moisture absorption.

상기 커플링제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 에폭시 실란 커플링제, 양이온성 실란 커플링제, 아미노 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 실리콘 오일형 커플링제 등을 들 수 있다. 이로써, 무기 충전재의 계면과의 젖음성을 높게 할 수 있으며, 이에 따라 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.The coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a titanate-based coupling agent, and a silicone oil-type coupling agent. As a result, the wettability with the interface of the inorganic filler can be increased, thereby further improving the heat resistance.

상기 커플링제의 첨가량은 특별히 한정되지 않지만, 무기 충전재 100중량부에 대하여 0.05∼3중량부가 바람직하고, 특히 0.1∼2중량부가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이라면 무기 충전재를 충분히 피복할 수 없기 때문에 내열성을 향상시키는 효과가 저하되는 경우가 있으며, 상기 상한값을 넘으면 반응에 영향을 미쳐 굽힘 강도 등이 저하되는 경우가 있다.The amount of the coupling agent to be added is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 3 parts by weight, more preferably 0.1 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the inorganic filler. If the content is less than the above lower limit value, the inorganic filler can not be sufficiently coated, so the effect of improving the heat resistance may be deteriorated. If the content exceeds the upper limit value, the reaction may be affected and the bending strength or the like may be lowered.

본 실시형태에 이용하는 수지 조성물에는 필요에 따라 소포제, 레벨링제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화 방지제, 난연제, 실리콘 파우더 등의 난연 보조제, 이온 포착제 등의 상기 성분 이외의 첨가물을 첨가해도 된다.If necessary, additives other than the above-described components such as a defoaming agent, a leveling agent, an ultraviolet absorber, a foaming agent, an antioxidant, a flame retardant, a flame retardant such as silicone powder, and an ion scavenger may be added to the resin composition used in the present embodiment.

상기 수지 조성물은 프리프레그의 저선팽창화, 고강성화 및 고내열화를 실현하기 쉽다는 점에서 적어도 에폭시 수지, 시아네이트 수지 및 무기 충전재를 포함하는 것이 바람직하다. 그 중에서도 수지 조성물의 고형분 중에 에폭시 수지를 5∼50중량%, 시아네이트 수지를 5∼50중량% 및 무기 충전재를 10∼90중량% 포함하는 것이 바람직하고, 또한 에폭시 수지를 5∼25중량%, 시아네이트 수지를 10∼25중량% 및 무기 충전재를 30∼80중량% 포함하는 것이 바람직하다.The resin composition preferably contains at least an epoxy resin, a cyanate resin and an inorganic filler since it is easy to realize low linear expansion, high rigidity and high internal resistance of the prepreg. Among them, the solid content of the resin composition preferably contains 5 to 50% by weight of an epoxy resin, 5 to 50% by weight of a cyanate resin and 10 to 90% by weight of an inorganic filler, more preferably 5 to 25% 10 to 25% by weight of a cyanate resin and 30 to 80% by weight of an inorganic filler.

본 실시형태에 이용하는 프리프레그는 기재에 수지 조성물의 바니시를 함침 또는 도공하여 이루어진 것이며, 기재로서는 각종의 전기 절연 재료용 적층판에 이용되고 있는 주지의 것을 사용할 수 있다. 기재의 재질의 예로서는 E 유리, D 유리, NE 유리, T 유리, S 유리 또는 Q 유리 등의 무기물 섬유, 폴리이미드, 폴리에스테르 또는 테트라플루오로에틸렌 등의 유기 섬유 및 이들 혼합물 등을 들 수 있다. 이들 기재는 예를 들면 직포, 부직포, 로빙(roving), 촙드 스트랜드 매트(chopped strand mat), 서피싱 매트(surfacing mat) 등의 형상을 가지지만 재질 및 형상은 목적으로 하는 성형물의 용도나 성능에 의해 선택되며 필요에 따라 단독 또는 2종류 이상의 재질 및 형상으로부터의 사용이 가능하다. 기재의 두께는 특별히 제한은 없지만, 통상 0.01∼0.5mm 정도의 것을 사용하며, 실란 커플링제 등으로 표면 처리한 것이나 기계적으로 개섬 처리 및 편평화를 실시한 것은 내열성이나 내습성, 가공성의 면에서 바람직하다. 또한, 프리프레그는 통상 그 수지 함유율이 건조 후에 20∼90중량%가 되도록 기재에 수지를 함침 또는 도공하고, 120∼220℃의 온도에서 1∼20분 가열 건조하여 반경화 상태(B 스테이지 상태)로 함으로써 얻을 수 있다. 또한, 이 프리프레그를 통상 1∼20장 겹치고, 또한 그 양면에 캐리어박 부착 극박동박(極薄銅箔)을 배치한 구성에서 가열 가압하여 적층함으로써 적층판을 얻을 수 있다. 복수 장의 프리프레그층의 두께는 용도에 따라 상이하지만, 통상 0.03∼2mm의 두께인 것이 바람직하다. 적층 방법으로는 통상의 적층판의 방법을 적용할 수 있으며, 예를 들면 다단 프레스, 다단 진공 프레스, 연속 성형, 오토클레이브 성형기 등을 사용하고, 통상, 온도 100∼250℃, 압력 0.2∼10MPa, 가열 시간 0.1∼5시간의 조건에서 적층하거나 진공 라미네이트 장치 등을 이용하여 라미네이트 조건 50∼150℃, 0.1∼5MPa, 진공압 1.0∼760mmHg의 조건에서 라미네이트 할 수 있다.The prepreg used in the present embodiment is formed by impregnating or coating a varnish of a resin composition with a substrate. As the substrate, well-known materials used in various laminated plates for electrical insulating materials can be used. Examples of the material of the base material include inorganic fibers such as E glass, D glass, NE glass, T glass, S glass or Q glass, organic fibers such as polyimide, polyester or tetrafluoroethylene, and mixtures thereof. These substrates have shapes such as, for example, woven fabric, nonwoven fabric, roving, chopped strand mat, surfacing mat and the like, but the material and shape are not limited to the intended use or performance And can be used alone or in combination with two or more kinds of materials and shapes. Thickness of the base material is not particularly limited, but it is usually 0.01 to 0.5 mm or so, preferably surface treated with a silane coupling agent or the like, and subjected to carding treatment and flattening mechanically in terms of heat resistance, moisture resistance and workability . The prepreg is usually impregnated or coated with a resin so that the content of the resin is 20 to 90% by weight after drying, and is heated and dried at a temperature of 120 to 220 캜 for 1 to 20 minutes to form a semi-hardened state (B- . In addition, a laminated board can be obtained by laminating 1 to 20 sheets of the prepregs, and heating and pressing in a configuration in which a polar thin foil with a carrier foil is disposed on both sides thereof (ultra-thin copper foil). The thickness of the plurality of prepreg layers differs depending on the use, but is usually preferably 0.03 to 2 mm. For example, a multi-stage press, a multi-stage vacuum press, a continuous molding, an autoclave molding machine, or the like is used, and usually a temperature of 100 to 250 DEG C, a pressure of 0.2 to 10 MPa, At a time of 0.1 to 5 hours or by using a vacuum laminator or the like under lamination conditions of 50 to 150 DEG C, 0.1 to 5 MPa, and vacuum pressure of 1.0 to 760 mmHg.

또한, 캐리어박 부착 극박동박(동박층(104))은 그 극박동박의 조화면(粗化面)에 혹 모양의 전착물층(소성도금(burn plating)이라고도 한다. 예를 들면, 특개평 9-195096 참조)의 형성이나 산화 처리, 환원 처리, 에칭 등에 의한 조화면 처리가 되어 있어도 무방하다. 이로써 동박층(104)의 벌크 부분의 일면에 혹 부착 부분(이하, 조화족(粗化足) 부분으로도 불린다)이 형성된다. The copper foil with a carrier foil (the copper foil layer 104) is also called a burning plating layer (also referred to as burn plating) on the roughened surface of the polar foil, for example, -195096), oxidation treatment, reduction treatment, etching, or the like. Thereby, a hooking portion (also referred to as a roughening foot portion) is formed on one surface of the bulk portion of the copper foil layer 104.

또한, 본 실시형태에 있어서는 동박층(104)으로서는 구리로 이루어진 동박(제조 공정상에 불가피하게 혼입하는 혼입물을 제외함) 외에 니켈이나 알루미늄 등의 첨가 금속 성분을 포함하는 동박이어도 된다(이 경우, 구리의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 동박층(104)을 구성하는 전 금속성분의 중량의 합계값에 대하여 90중량% 이상이 바람직하고, 95중량% 이상이 보다 바람직하며, 99중량% 이상이 더욱 바람직하다. 또한 첨가 금속 성분으로는 단독이어도 되며, 복수종 병용하여도 된다). 또한 동박층(104)에 대신해 니켈박, 알루미늄박 등의 금속박을 이용해도 된다.Further, in the present embodiment, the copper foil layer 104 may be a copper foil comprising copper (excluding the mixture which is inevitably mixed in the manufacturing process), and a copper foil containing an additive metal component such as nickel or aluminum , The content of copper is not particularly limited, but is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight or more, and more preferably 99% by weight or more based on the total weight of the total metal components constituting the copper foil layer 104 The additive metal component may be used alone or in combination of two or more thereof). Instead of the copper foil layer 104, a metal foil such as a nickel foil or an aluminum foil may be used.

여기에서, 동박층(104)에 이용하는 필러블(peelable) 형태의 동박의 상세한 형성 방법을 설명한다.Here, a detailed method of forming a peelable copper foil used for the copper foil layer 104 will be described.

본 실시형태에 이용하는 동박의 제조 방법으로는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 캐리어를 갖는 필러블 형태의 동박을 제조하는 경우, 두께 10∼50㎛의 캐리어박 위에 박리층이 되는 금속 등의 무기화합물 또는 유기 화합물층을 형성하고, 그 박리층 위에 동박을 도금 처리하여 형성한다. 도금액으로는 예를 들면 황산구리 또는 피로인산구리 등을 이용할 수 있다. 또한, 동박의 물성이나 평활성을 고려하여 상기 욕(浴) 중에 각종 첨가제를 첨가해도 된다. 또한, 필러블 형태의 금속박이란 캐리어를 갖는 금속박이며 캐리어가 떼어질 수 있는 금속박이다.The method for producing the copper foil used in this embodiment is not particularly limited. For example, in the case of producing a peelable copper foil having a carrier, an inorganic compound such as a metal to be a release layer on a carrier foil having a thickness of 10 to 50 m Or an organic compound layer is formed, and a copper foil is plated on the release layer. As the plating solution, for example, copper sulfate or copper pyrophosphate can be used. In addition, various additives may be added to the bath in consideration of the physical properties and smoothness of the copper foil. The filler metal foil is a metal foil having a carrier, and the carrier can be peeled off.

본 실시형태에 있어서 박리층 위로의 동박의 형성은 예를 들면 첨가물로서 젤라틴 및 염화물 이온을 함유하는 황산구리 도금욕을 이용하여 음극 전해 처리함으로써 이루어질 수 있다. 황산구리 도금욕은 예를 들면 평균 분자량이 5000 이하인 젤라틴을 15∼35ppm 함유한다. 또한, 황산구리 도금욕은 예를 들면 염화물 이온 농도로서 0.1∼100ppm, 바람직하게는 0.5∼50ppm, 특히 바람직하게는 1∼25ppm 함유한다.In the present embodiment, the formation of the copper foil on the release layer can be achieved, for example, by cathodic electrolytic treatment using a copper sulfate plating bath containing gelatin and chloride ions as an additive. The copper sulfate plating bath contains, for example, 15 to 35 ppm of gelatin having an average molecular weight of 5,000 or less. The copper sulfate plating bath contains, for example, a chloride ion concentration of 0.1 to 100 ppm, preferably 0.5 to 50 ppm, particularly preferably 1 to 25 ppm.

이 경우, 동박의 형성은 박리층을 형성한 캐리어박을 음극으로 하고, 상기 황산구리 도금욕을 이용하여 전해 처리하여 박리층 위에 구리도금함으로써 이루어진다. 이러한 동박의 형성 방법에 의하면 고온 가열 후도 적당한 기계적 강도를 가지며 에칭성이 우수하고 또한 조작성도 우수한 동박을 형성할 수 있다. 이러한 효과는 젤라틴을 첨가함으로써 동박을 구성하는 결정을 미세화할 수 있다는 점에 기인한다.In this case, the copper foil is formed by electrolytically treating the copper foil with the copper foil plating bath using a carrier foil having a release layer formed thereon as the negative electrode, and plating the copper foil on the release layer. According to this method for forming a copper foil, it is possible to form a copper foil having an appropriate mechanical strength even after high-temperature heating, excellent in etching property and excellent in operability. This effect is attributed to the fact that the crystal constituting the copper foil can be made finer by adding gelatin.

젤라틴의 평균 분자량이 5000 이하인 경우, 가열에 의한 박동층의 재결정을 억제할 수 있다. 이로써 가열 후에 있어서의 결정의 미세화가 실현된다. 이 이유에 대해서는 충분히 해명되어 있지 않지만 젤라틴의 분자량을 일정한 값 이하로 함으로써 젤라틴이 도금시에 결정 입계에 도입되기 쉽게 되어 결과로서 재결정이 진행하는 것을 억제할 수 있기 때문으로 생각된다. 젤라틴의 평균 분자량은 500∼5000인 것이 바람직하고, 1000∼5000인 것이 보다 바람직하다. 젤라틴의 평균 분자량을 500 이상으로 함으로써 황산구리 도금욕에 참가한 젤라틴이 산성 용액 중에서 분해되고 저분자량의 아미노산 등의 유기 화합물에 분해되는 것을 억제할 수 있다. 이로써 젤라틴이 도금시에 결정 입계에 도입됨으로써 재결정을 방지한다고 하는 효과가 저하해 버리는 것을 억제할 수 있다.When the average molecular weight of the gelatin is 5000 or less, recrystallization of the beating layer by heating can be suppressed. This makes it possible to miniaturize crystals after heating. Although the reason for this is not clarified sufficiently, it is considered that gelatine is easily introduced into grain boundaries at the time of plating by reducing the molecular weight of gelatin to a certain value or less, and as a result, progress of recrystallization can be inhibited. The average molecular weight of the gelatin is preferably 500 to 5000, more preferably 1000 to 5000. When the average molecular weight of the gelatin is 500 or more, the gelatin participating in the copper sulfate plating bath can be inhibited from being decomposed in the acidic solution and decomposed into low molecular weight organic compounds such as amino acids. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the effect of preventing gelatine from being introduced into the crystal grain boundaries during plating and thereby preventing recrystallization.

황산구리 도금욕 중의 젤라틴 농도는 15∼35ppm인 것이 바람직하다. 젤라틴의 농도가 15ppm 이상인 경우, 가열에 의한 재결정의 억제 효과를 충분히 얻을 수 있다. 따라서, 가열 후에 있어서 미세한 결정 상태를 유지하는 것이 가능하게 된다. 젤라틴의 농도가 35ppm 이하인 경우, 도금에 의해 형성되는 동박의 내부 응력이 높게 되는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 캐리어박 부착 극박동박이 컬(curl) 되어 반송시에 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.The gelatin concentration in the copper sulfate plating bath is preferably 15 to 35 ppm. When the concentration of gelatin is 15 ppm or more, an effect of suppressing recrystallization by heating can be sufficiently obtained. Therefore, it becomes possible to maintain a fine crystal state after heating. When the concentration of gelatin is 35 ppm or less, the internal stress of the copper foil formed by plating can be prevented from becoming high. This makes it possible to curl the carrier foil-attached ultrasonic vibrator while suppressing deformation during transportation.

황산구리 도금욕으로는 예를 들면, 황산구리 5수화물, 황산, 젤라틴 및 염소를 함유하는 황산 산성 황산구리 도금욕이 바람직하게 이용된다. 황산구리 도금욕 중의 황산구리 5수화물의 농도는 바람직하게는 50g/L∼300g/L, 보다 바람직하게는 100g/L∼200g/L이다. 황산의 농도는 바람직하게는 40g/L∼160g/L, 보다 바람직하게는 80g/L∼120g/L이다. 젤라틴의 농도는 상기와 같다. 염화물 이온 농도는 바람직하게는 1∼20ppm, 보다 바람직하게는 3∼10ppm이다. 도금욕의 용매는 통상 물이다. 도금욕의 온도는 바람직하게는 20∼60℃, 보다 바람직하게는 30∼50℃이다. 전해 처리시의 전류 밀도는 바람직하게는 1∼15A/dm2이며, 보다 바람직하게는 2∼10A/dm2이다.As the copper sulfate plating bath, for example, a sulfuric acid-acid copper sulfate plating bath containing copper sulfate pentahydrate, sulfuric acid, gelatin and chlorine is preferably used. The concentration of copper sulfate pentahydrate in the copper sulfate plating bath is preferably 50 g / L to 300 g / L, more preferably 100 g / L to 200 g / L. The concentration of sulfuric acid is preferably 40 g / L to 160 g / L, more preferably 80 g / L to 120 g / L. The concentration of gelatin is the same as above. The chloride ion concentration is preferably 1 to 20 ppm, more preferably 3 to 10 ppm. The solvent of the plating bath is usually water. The temperature of the plating bath is preferably 20 to 60 캜, more preferably 30 to 50 캜. The current density at the electrolytic treatment is preferably 1 to 15 A / dm 2 , and more preferably 2 to 10 A / dm 2 .

동박을 형성할 때, 상기 황산구리 도금욕을 이용하는 전해 처리 전에 핀홀의 발생을 방지하기 위해, 이른바 밀착성이 좋은 도금욕을 이용한 스트라이크 도금을 사용할 수 있다. 스트라이크 도금에 이용되는 도금욕으로는 예를 들면 피로인산구리 도금욕, 구연산구리 도금욕, 구연산구리니켈 도금욕 등을 들 수 있다.Strike plating using a plating bath having good adhesion can be used to prevent occurrence of pinholes before electrolytic treatment using the copper sulfate plating bath when forming the copper foil. Examples of the plating bath used for strike plating include a copper pyrophosphate plating bath, a copper citrate plating bath, and a copper-nickel-nickel plating bath.

피로인산구리 도금욕으로는 예를 들면 피로인산구리 및 피로인산칼륨을 함유하는 도금욕이 바람직하다. 피로인산구리 도금욕 중의 피로인산구리의 농도는 바람직하게는 60g/L∼110g/L, 보다 바람직하게는 70g/L∼90g/L이다. 피로인산칼륨의 농도는 바람직하게는 240g/L∼470g/L, 보다 바람직하게는 300g/L∼400g/L이다. 도금욕의 용매는 통상 물이다. 도금욕의 pH는 바람직하게는 8.0∼9.0, 보다 바람직하게는 8.2∼8.8이다. pH값 조정을 위해서 암모니아수 등을 첨가해도 된다(이하 동일). 도금욕의 온도는 바람직하게는 20∼60 ℃, 보다 바람직하게는 30∼50℃이다. 전해처리시의 전류밀도는 바람직하게는 0.5∼10A/dm2이며, 보다 바람직하게는 1∼7A/dm2이다. 전해처리 시간은 바람직하게는 5∼40초, 보다 바람직하게는 10∼30초이다.The copper pyrophosphate plating bath is preferably a plating bath containing, for example, copper pyrophosphate and potassium pyrophosphate. The concentration of copper pyrophosphate in the copper pyrophosphate plating bath is preferably 60 g / L to 110 g / L, more preferably 70 g / L to 90 g / L. The concentration of potassium pyrophosphate is preferably 240 g / L to 470 g / L, more preferably 300 g / L to 400 g / L. The solvent of the plating bath is usually water. The pH of the plating bath is preferably 8.0 to 9.0, more preferably 8.2 to 8.8. Ammonia water or the like may be added for adjusting the pH value (the same applies hereinafter). The temperature of the plating bath is preferably 20 to 60 캜, more preferably 30 to 50 캜. The current density at the electrolytic treatment is preferably 0.5 to 10 A / dm 2 , and more preferably 1 to 7 A / dm 2 . The electrolytic treatment time is preferably 5 to 40 seconds, more preferably 10 to 30 seconds.

구연산구리 도금욕으로는 예를 들면, 황산구리 5수화물 및 구연산 3나트륨 2수화물을 함유하는 도금욕이 바람직하다. 구연산구리 도금욕 중의 황산구리 5수화물의 농도는 바람직하게는 10g/L∼50g/L, 보다 바람직하게는 20g/L∼40g/L이다. 구연산 3나트륨 2수화물의 농도는 바람직하게는 20g/L∼60g/L, 보다 바람직하게는 30g/L∼50g/L이다. 도금욕의 용매는 통상 물이다. 도금욕의 pH는 바람직하게는 5.5∼7.5, 보다 바람직하게는 6.0∼7.0이다. 도금욕의 온도는 바람직하게는 20∼60℃, 보다 바람직하게는 30∼50℃이다. 전해처리시의 전류 밀도는 바람직하게는 0.5∼8A/dm2이며, 보다 바람직하게는 1∼4A/dm2이다. 전해처리 시간은 바람직하게는 5∼40초, 보다 바람직하게는 10∼30초이다.The copper citrate plating bath is preferably a plating bath containing, for example, copper sulfate pentahydrate and trisodium citrate dihydrate. The concentration of copper sulfate pentahydrate in the copper citrate copper plating bath is preferably 10 g / L to 50 g / L, more preferably 20 g / L to 40 g / L. The concentration of the tri-sodium citrate dihydrate is preferably 20 g / L to 60 g / L, more preferably 30 g / L to 50 g / L. The solvent of the plating bath is usually water. The pH of the plating bath is preferably 5.5 to 7.5, more preferably 6.0 to 7.0. The temperature of the plating bath is preferably 20 to 60 캜, more preferably 30 to 50 캜. The current density at the electrolytic treatment is preferably 0.5 to 8 A / dm 2 , more preferably 1 to 4 A / dm 2 . The electrolytic treatment time is preferably 5 to 40 seconds, more preferably 10 to 30 seconds.

구연산구리니켈 도금욕으로는 예를 들면, 황산구리 5수화물, 황산니켈 6수화물 및 구연산 3나트륨 2수화물을 함유하는 도금욕이 바람직하다. 구연산구리니켈 도금욕 중의 황산구리 5수화물의 농도는 바람직하게는 10g/L∼50g/L, 보다 바람직하게는 20g/L∼40g/L이다. 황산니켈 6수화물의 농도는 바람직하게는 1g/L∼10g/L, 보다 바람직하게는 3g/L∼8g/L이다. 구연산 3나트륨 2수화물의 농도는 바람직하게는 20g/L∼60g/L, 보다 바람직하게는 30g/L∼50g/L이다. 도금욕의 용매는 통상 물이다. 도금욕의 pH는 바람직하게는 5.5∼7.5, 보다 바람직하게는 6.0∼7.0이다. 도금욕의 온도는 바람직하게는 20∼60℃, 보다 바람직하게는 30∼50℃이다. 전해처리시의 전류 밀도는 바람직하게는 0.5∼8A/dm2이며, 보다 바람직하게는 1∼4A/dm2이다 전해처리 시간은 바람직하게는 5∼40초, 보다 바람직하게는 10∼30초이다.As the copper-nickel-citrate plating bath, for example, a plating bath containing copper sulfate pentahydrate, nickel sulfate hexahydrate and trisodium citrate dihydrate is preferable. The concentration of copper sulfate pentahydrate in the copper-nickel-citrate plating bath is preferably 10 g / L to 50 g / L, more preferably 20 g / L to 40 g / L. The concentration of nickel sulfate hexahydrate is preferably 1 g / L to 10 g / L, more preferably 3 g / L to 8 g / L. The concentration of the tri-sodium citrate dihydrate is preferably 20 g / L to 60 g / L, more preferably 30 g / L to 50 g / L. The solvent of the plating bath is usually water. The pH of the plating bath is preferably 5.5 to 7.5, more preferably 6.0 to 7.0. The temperature of the plating bath is preferably 20 to 60 캜, more preferably 30 to 50 캜. The current density at the electrolytic treatment is preferably 0.5 to 8 A / dm 2 , more preferably 1 to 4 A / dm 2. The electrolytic treatment time is preferably 5 to 40 seconds, more preferably 10 to 30 seconds .

상기 박리층은 금속 산화물 등의 무기 화합물 또는 유기 화합물층이며, 적층시의 100∼300℃ 사이의 열처리를 받아도 박리 가능하다면 공지의 것을 이용할 수 있다. 금속 산화물로는 예를 들면, 아연, 크롬, 니켈, 구리, 몰리브덴, 합금계, 금속과 금속 화합물의 혼합물이 이용된다. 유기 화합물로는 질소함유 유기 화합물, 황함유 유기 화합물 및 카복시산 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어진 것을 이용하는 것이 바람직하다.The peeling layer is an inorganic compound or an organic compound layer such as a metal oxide, and any known one can be used as long as it can be peeled off even if it is subjected to a heat treatment at 100 to 300 캜 during lamination. As the metal oxide, for example, a mixture of zinc, chromium, nickel, copper, molybdenum, alloys, metals and metal compounds is used. As the organic compound, it is preferable to use one or two or more selected from a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid.

상기 질소 함유 유기 화합물은 치환기를 갖는 질소 함유 유기 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는 치환기를 갖는 트리아졸 화합물인 1,2,3-벤조트리아졸(이하, 「BTA」로 약칭), 카복시벤조트리아졸(이하, 「CBTA」로 약칭), N',N'-비스(벤조트리아졸릴메틸)우레아(이하, 「BTD-U」로 약칭), 1H-1,2,4-트리아졸(이하, 「TA」로 약칭) 및 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸(이하, 「ATA」로 약칭) 등을 이용하는 것이 바람직하다.The nitrogen-containing organic compound is preferably a nitrogen-containing organic compound having a substituent. Specific examples of the triazole compound having a substituent include 1,2,3-benzotriazole (hereinafter abbreviated as "BTA"), carboxybenzotriazole (hereinafter abbreviated as "CBTA"), N ', N'-bis (Abbreviated as "BTD-U" hereinafter), 1H-1,2,4-triazole (hereinafter abbreviated as "TA") and 3-amino-1H- -Triazole (hereinafter abbreviated as " ATA ") or the like is preferably used.

황함유 유기 화합물로는 머캅토벤조티아졸(이하, 「MBT」로 약칭), 티오시아눌산(이하, 「TCA」로 약칭) 및 2-벤즈이미다졸티올(이하, 「BIT」로 약칭) 등을 이용하는 것이 바람직하다.Examples of the sulfur-containing organic compound include mercaptobenzothiazole (hereinafter abbreviated as "MBT"), thiocyanuric acid (hereinafter abbreviated as "TCA") and 2-benzimidazole thiol Is preferably used.

카복시산으로는 특히 모노카복시산을 이용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 올레산, 리놀산 및 리놀레산 등을 이용하는 것이 바람직하다.As the carboxylic acid, monocarboxylic acid is particularly preferably used, and oleic acid, linolic acid and linoleic acid are preferably used among them.

이상과 같이, 전해 밀도를 높이거나, 막 두께를 얇게 하거나 하는 등, 제법을 적절히 제어함에 따라 본 실시형태의 동박층(104)의 상면에 있어서 원하는 배향성을 실현할 수 있다.As described above, desired orientation can be realized on the upper surface of the copper foil layer 104 of the present embodiment by suitably controlling the production method, such as increasing the electrolytic density or reducing the film thickness.

또한, 본 실시형태에 이용하는 동박층(104)의 적어도 하면(22)(절연층(102)의 한 면과 접하는 면)에는 동박층(104)과 절연층(102)의 밀착성을 실용 레벨 또는 그 이상으로 하기 위하여 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 동박층(104)에 이용하는 금속박에 대한 표면 처리로는 예를 들면 방청 처리(rust proofing), 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 중 어느 하나 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다. 절연층(102)을 구성하는 수지 재료에 맞추어 적절하게 어느 하나의 표면 처리 수단을 선택할 수 있다.The adhesion between the copper foil layer 104 and the insulating layer 102 is set at a practical level or at least a part of the surface of the copper foil layer 104, The surface treatment may be carried out. Examples of the surface treatment for the metal foil used for the copper foil layer 104 include rust proofing, chromate treatment, silane coupling treatment, or a combination thereof. Any one of the surface treatment means can be selected appropriately in accordance with the resin material constituting the insulating layer 102. [

상기 방청 처리는 예를 들면, 니켈, 주석, 아연, 크롬, 몰리브덴, 코발트 등의 금속 중 어느 하나 또는 이들 합금을 스퍼터나 전기 도금, 무전해 도금에 의해 금속박 위에 박막 형성함으로써 실시할 수 있다. 비용면에서는 전기 도금이 바람직하다. 금속 이온의 석출을 용이하게 하기 위하여 구연산염, 주석산염, 설파민산 등의 착화제를 필요량 첨가하는 것도 가능하다. 도금액은 통상 산성 영역에서 이용하고, 실온(예를 들면 25℃)∼80℃의 온도에서 수행한다. 도금 조건은 전류 밀도 0.1∼10A/A/dm2, 통전 시간 1∼60초, 바람직하게는 1∼30초의 범위로부터 적절히 선택한다. 방청 처리 금속의 양은 금속의 종류에 따라 상이하지만 합계로 10∼2000㎍/dm2이 바람직하다. 방청 처리가 너무 두꺼우면 에칭 저해와 전기 특성의 저하를 일으키고, 너무 얇으면 수지와의 필 강도 저하의 요인이 될 수 있다.The rust preventive treatment can be carried out by forming a thin film of a metal such as nickel, tin, zinc, chromium, molybdenum, cobalt or the like on the metal foil by sputtering, electroplating or electroless plating. In terms of cost, electroplating is preferable. It is also possible to add a necessary amount of a complexing agent such as citrate, tartrate, sulfamic acid and the like in order to facilitate precipitation of metal ions. The plating solution is usually used in an acidic range and is carried out at room temperature (for example, 25 캜) to 80 캜. The plating conditions are appropriately selected from the range of current density of 0.1 to 10 A / dm 2 and energization time of 1 to 60 seconds, preferably 1 to 30 seconds. Anti-corrosive treatment of metal amount varies depending upon the kind of metal, but is preferably 10~2000㎍ / dm 2 in total. If the anticorrosive treatment is too thick, etching inhibition and deterioration of electrical characteristics are caused. If the anticorrosive treatment is too thin, it may cause a decrease in the peel strength with the resin.

또한, 절연층(102)을 구성하는 수지 조성물 중에 시아네이트 수지를 포함하는 경우에는 방청 처리가 니켈을 포함하는 금속에 의해 이루어지고 있는 것이 바람직하다. 이 조합에 있어서는 내열 열화 시험이나 내습 열화 시험에서의 필 강도의 저하가 적어 유용하다.When the cyanate resin is contained in the resin composition constituting the insulating layer 102, it is preferable that the rust-preventive treatment is performed by a metal containing nickel. This combination is useful because there is little decrease in the peel strength in the heat resistance deterioration test or the moisture resistance deterioration test.

상기 크로메이트 처리로서 바람직하게는 육가크롬 이온을 포함하는 수용액을 이용한다. 크로메이트 처리는 단순한 침지 처리로도 가능하지만, 바람직하게는 음극 처리로 수행한다. 중크롬산나트륨 0.1∼50g/L, pH 1∼13, 욕온 0∼60℃, 전류밀도 0.1∼5A/dm2, 전해시간 0.1∼100초의 조건에서 수행하는 것이 바람직하다. 중크롬산나트륨 대신에 크롬산 또는 중크롬산칼륨을 이용하여 수행하는 것도 가능하다. 또한, 상기 크로메이트 처리는 상기 방청 처리 위에 겹쳐 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 절연 수지 조성물층(절연층(102))과 금속박(동박층(104))의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.As the chromate treatment, an aqueous solution containing hexavalent chromium ions is preferably used. The chromate treatment can be carried out by a simple immersion treatment, but is preferably carried out by a cathode treatment. It is preferable that the treatment is carried out under the conditions of 0.1 to 50 g / L sodium bicarbonate, pH 1 to 13, bath temperature 0 to 60 캜, current density 0.1 to 5 A / dm 2 and electrolysis time 0.1 to 100 sec. It is also possible to use chromic acid or potassium dichromate instead of sodium dichromate. Further, it is preferable that the chromate treatment is carried out over the rust-preventive treatment. As a result, the adhesion between the insulating resin composition layer (insulating layer 102) and the metal foil (copper foil layer 104) can be further improved.

상기 실란 커플링 처리에 이용하는 실란 커플링제로는 예를 들면, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시 관능성 실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란 등의 아미노 관능성 실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐페닐트리메톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란 등의 올레핀 관능성 실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴 관능성 실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 메타크릴 관능성 실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 머캅토 관능성 실란 등이 이용된다. 이들은 단독으로 이용해도 무방하며, 복수를 혼합해서 이용해도 무방하다. 이들 커플링제는 물 등의 용매에 0.1∼15g/L의 농도로 용해시켜 이용하며, 얻어진 용액을 실온∼50℃의 온도에서 금속박에 도포 또는 전착시켜 금속박에 실란 커플링제를 흡착시킨다. 이들 실란 커플링제가 금속박 표면의 방청 처리 금속의 수산기와 축합 결합하여 금속박 위에 피막이 형성된다. 실란 커플링 처리 후는 가열, 자외선 조사 등으로 이러한 결합을 안정적이 되도록 한다. 가열 처리에 있어서는 예를 들면, 100∼200℃의 온도, 2∼60초의 건조를 수행하는 것이 바람직하다. 자외선 조사는 예를 들면, 파장 200∼400nm, 200∼2500mJ/cm2의 범위에서 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 실란 커플링 처리는 금속박의 최외층에서 수행하는 것이 바람직하다. 절연층(102)을 구성하는 절연 수지 조성물 중에 시아네이트 수지를 포함하는 경우에는 아미노실란계의 커플링제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 이 조합은 내열 열화 시험이나 내습 열화 시험에서의 필 강도의 저하가 적어 유용하다.Examples of the silane coupling agent used for the silane coupling treatment include epoxy functional silanes such as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane and 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, Amino functional silanes such as 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane and N-2- (aminoethyl) 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, vinyl Olefin functional silanes such as trimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxysilane and vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, acrylic functional silanes such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloyl Methacryl-functional silanes such as oxypropyltrimethoxysilane, and mercapto-functional silanes such as 3-mercaptopropyltrimethoxysilane. These may be used alone, or a plurality of them may be mixed. These coupling agents are dissolved in a solvent such as water at a concentration of 0.1 to 15 g / L, and the resulting solution is applied or electrodeposited on the metal foil at a temperature of from room temperature to 50 캜 to adsorb the silane coupling agent to the metal foil. These silane coupling agents are condensed with the hydroxyl groups of the rust-inhibited metal on the surface of the metal foil to form a film on the metal foil. After the silane coupling treatment, this bond is stabilized by heating, ultraviolet irradiation, or the like. In the heat treatment, for example, it is preferable to carry out drying at a temperature of 100 to 200 캜 for 2 to 60 seconds. The ultraviolet ray irradiation is preferably carried out in a wavelength range of 200 to 400 nm and 200 to 2500 mJ / cm 2 , for example. The silane coupling treatment is preferably carried out in the outermost layer of the metal foil. When the cyanate resin is contained in the insulating resin composition constituting the insulating layer 102, it is preferably treated with an amino silane-based coupling agent. This combination is useful because there is little decrease in the peel strength in the heat resistance deterioration test or the moisture resistance deterioration test.

또한, 실란 커플링 처리에 이용하는 실란 커플링제로는 바람직하게는 60∼200℃, 보다 바람직하게는 80∼150℃의 가열에 의해 절연층(102)을 구성하는 절연 수지 조성물과 화학 반응하는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 절연 수지 조성물 중의 관능기와 실란 커플링제의 관능기가 화학 반응하여 보다 우수한 밀착성을 얻는 것이 가능하게 된다. 예를 들면, 에폭시기가 포함되는 절연 수지 조성물에 대해서는 아미노 관능성 실란을 포함하는 실란 커플링제를 이용하는 것이 바람직하다. 이는 열에 의해 에폭시기와 아미노기가 용이하게 강고한 화학결합을 형성하고, 이 결합이 열이나 수분에 대하여 현저하게 안정적인 것에 기인한다. 이와 같이 화학결합을 형성하는 조합으로 에폭시기-아미노기, 에폭시기-에폭시기, 에폭시기-머캅토기, 에폭시기-수산기, 에폭시기-카복시기, 에폭시기-시아나토기, 아미노기-수산기, 아미노기-카복시기, 아미노기-시아나토기 등이 예시된다.The silane coupling agent used for the silane coupling treatment is preferably chemically reacted with the insulating resin composition constituting the insulating layer 102 by heating at 60 to 200 캜, more preferably 80 to 150 캜 Do. As a result, the functional group in the insulating resin composition and the functional group of the silane coupling agent can be chemically reacted to obtain better adhesion. For example, for an insulating resin composition containing an epoxy group, it is preferable to use a silane coupling agent containing an amino functional silane. This is because the epoxy group and the amino group easily form a strong chemical bond by heat and the bond is remarkably stable with respect to heat or moisture. As such a combination for forming a chemical bond, a combination of an epoxy group, an epoxy group, an epoxy group, an epoxy group, a mercapto group, an epoxy group, a hydroxyl group, an epoxy group, a carboxyl group, an epoxy group, a cyanato group, Earthenware, and the like.

또한, 본 실시형태에 이용하는 절연 수지 조성물의 절연 수지로서 상온에서 액상의 에폭시 수지를 이용하는 것이 바람직하고, 이 경우, 용융시의 점도가 큰 폭으로 저하하기 때문에 접착 계면에서의 젖음성이 향상하고, 에폭시 수지와 실란 커플링제의 화학 반응이 일어나기 쉬워 그 결과 강고한 필 강도를 얻을 수 있다. 구체적으로는 에폭시 당량 200 정도의 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지가 바람직하다.It is preferable to use an epoxy resin liquid at room temperature as the insulating resin composition of the insulating resin composition used in the present embodiment. In this case, since the viscosity at the time of melting decreases greatly, the wettability at the bonding interface improves, A chemical reaction between the resin and the silane coupling agent tends to occur, and as a result, a strong peel strength can be obtained. Specifically, a bisphenol A type epoxy resin having an epoxy equivalent of about 200, a bisphenol F type epoxy resin, and a phenol novolak type epoxy resin are preferable.

또한, 절연 수지 조성물이 경화제를 포함하는 경우, 경화제로는 특히 가열 경화형 잠재성 경화제를 이용하는 것이 바람직하다. 즉, 절연 수지 조성물 중의 관능기와 실란 커플링제의 관능기가 화학 반응하는 경우는 절연 수지 조성물 중의 관능기와 실란 커플링제의 관능기의 반응 온도가 절연 수지 조성물의 경화 반응이 개시되는 온도보다 낮게 되도록 경화제를 선택하는 것이 바람직하다. 이로써, 절연 수지 조성물 중의 관능기와 실란 커플링제의 관능기의 반응이 우선적, 선택적으로 이루어지고, 금속박(동박층(104))과 절연 수지 조성물층(절연층(102))의 밀착성이 보다 높게 된다. 에폭시 수지를 포함하는 절연 수지 조성물에 대한 열경화형 잠재성 경화제로는 예를 들면, 디시안디아미드, 디히드라지드 화합물, 이미다졸 화합물, 아민-에폭시 어덕트 등의 고체 분산-가열 용해형 경화제나 요소 화합물, 오늄염류, 보론트리클로라이드·아민염류, 블록카복시산 화합물 등의 반응성기 블록형 경화제를 들 수 있다.When the insulating resin composition contains a curing agent, it is particularly preferable to use a heat curing type latent curing agent as the curing agent. That is, when the functional group in the insulating resin composition and the functional group of the silane coupling agent are chemically reacted, the curing agent is selected so that the reaction temperature of the functional group of the insulating resin composition with the functional group of the silane coupling agent becomes lower than the temperature at which the curing reaction of the insulating resin composition starts . Thereby, the reaction between the functional group in the insulating resin composition and the functional group of the silane coupling agent is preferentially and selectively performed, and the adhesion between the metal foil (the copper foil layer 104) and the insulating resin composition layer (insulating layer 102) becomes higher. Examples of the thermosetting latent curing agent for an insulating resin composition containing an epoxy resin include solid dispersion-heat-dissolving type curing agents such as dicyandiamide, dihydrazide compounds, imidazole compounds and amine-epoxy adducts, Compound, onium salt, boron trichloride · amine salt, block carboxylic acid compound and the like.

이상, 절연 수지 조성물을 함유하는 프리프레그와, 캐리어박 부착 극박동박을 전술의 방법에 따라 적층 일체화함으로써 도 1(a)에 나타내는 것과 같은 캐리어박 부착 동장 적층판(銅張 積層板)(10)을 얻을 수 있다. 이어서, 도 1(b)에 나타내는 것과 같이, 캐리어박층(106)을 떼어냄으로써 동박층(104)을 절연층(102)의 양면에 갖는 동장 적층판(100)이 얻어진다. 또한, 이 태양에 한정되지 않고, 동박층(104)은 절연층(102)의 적어도 한 면에 형성되어 있으면 되고, 또한 절연층(102)의 전면 또는 일부에 형성되어 있어도 된다. 또한, 본 실시형태의 동박층(104)은 벌크 부분과 조화족 부분을 갖는 것이 바람직하다.The above-described copper foil laminate (10) having a carrier foil as shown in Fig. 1 (a) can be obtained by laminating and integrating a prepreg containing an insulating resin composition and a polar foil with a carrier foil according to the above- Can be obtained. Then, as shown in Fig. 1 (b), the copper foil layer 106 is peeled off to obtain the copper clad laminate 100 having the copper foil layer 104 on both surfaces of the insulating layer 102. [ The copper foil layer 104 may be formed on at least one surface of the insulating layer 102 or may be formed on the entire surface or a part of the insulating layer 102. [ It is also preferable that the copper foil layer 104 of the present embodiment has a bulk portion and a coarsened portion.

여기에서, 적층판(동장 적층판(100))의 상세한 점을 설명한다.Here, the details of the laminate (the copper clad laminate 100) will be described.

동박층(104)(박층동박)의 전술 조건하의 에칭 속도는 0.68㎛/분 이상 1.25㎛/분 이하이며, 보다 바람직하게는 0.68㎛/분 이상 1.24㎛/분 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.69㎛/분 이상 1.23㎛/분 이하이다. 여기에서 기재하는 동박층(104)의 에칭 속도는 특히 벌크 부분의 에칭 속도만을 가리킨다.The etching rate of the copper foil layer 104 (thin-layer copper foil) under the aforementioned conditions is 0.68 탆 / min to 1.25 탆 / min, more preferably 0.68 탆 / min to 1.24 탆 / min, / Minute and not more than 1.23 m / min. The etching rate of the copper foil layer 104 described here refers only to the etching rate of the bulk portion in particular.

본 실시형태에 있어서, 동박층(104)의 에칭 속도를 하한값 이상으로 함으로써 동박층(104)의 에칭 잔사를 저감할 수 있을 뿐만 아니라 배선 형상을 양호하게 할 수 있다. 또한, 동박의 에칭 속도를 상한값 이하로 함으로써 동박층(104)의 측벽에 절결이 형성되어 배선과 절연층의 밀착성이 저하하는 것을 억제할 수 있다. 즉, 동박층(104)의 조화족 부분까지 에칭할 때에, 동박층(104)의 벌크 부분에 이상한 오목 부분이 발생하는 것을 억제할 수 있다.In the present embodiment, by setting the etching rate of the copper foil layer 104 to a lower limit value or more, etching residues of the copper foil layer 104 can be reduced, and the wiring shape can be improved. In addition, by setting the etching rate of the copper foil to be not more than the upper limit value, it is possible to suppress the deterioration of the adhesion between the wiring and the insulating layer by forming a cut in the side wall of the copper foil layer 104. That is, it is possible to suppress occurrence of an abnormal concave portion in the bulk portion of the copper foil layer 104 when etching to the coarsened portion of the copper foil layer 104.

본 실시형태에 있어서, 동박의 벌크 부분의 에칭 속도는 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다.In the present embodiment, the etching rate of the bulk portion of the copper foil can be measured by the following method.

1. 캐리어박(캐리어박층(106))을 제거한 극박동박을 양면에 적층한 기판(동장 적층판(100))을 40mm×80mm로 재단하여 샘플편을 얻는다. 샘플편을 버니어 캘리퍼스로 소수점 이하 2자리까지 읽어 샘플편의 편면적을 산출한다.1. A substrate (copper clad laminate 100) obtained by laminating polar thin foils on both sides of which a carrier foil (carrier thin layer 106) was removed was cut into 40 mm 80 mm to obtain a sample piece. The sample piece is read to two decimal places with a vernier caliper to calculate the area of the sample piece.

2. 수평 건조 라인에서 80℃, 1분×3회의 건조 처리를 샘플편에 수행한다.2. Perform a drying treatment at 80 ° C for 1 min. × 3 times in the horizontal drying line on the sample piece.

3. 샘플편의 초기 중량 WO를 측정한다(단, 기판 중량 포함).3. Measure the initial weight WO of the sample piece (but including the weight of the substrate).

4. 에칭액을 조정한다.4. Adjust the etchant.

4-1: 95% 황산(와코준야꾸사 제, 특급)을 60g 칭량하고 1L의 비이커에 넣는다.4-1: Weigh 60 g of 95% sulfuric acid (Wako Pure Chemical Industries, Limited) and put in a 1L beaker.

4-2: 순수를 4-1에서 이용한 비이커에 투입하여 계 1000cc로 한다.4-2: The pure water is poured into a beaker using 4-1 to make 1000cc.

4-3: 마그네틱 교반기로 30℃±1℃에서 3분 교반한다.4-3: The mixture is stirred with a magnetic stirrer at 30 ° C ± 1 ° C for 3 minutes.

4-4: 34.5% 과산화수소수(칸토카가꾸사 제, 녹1급)를 20cc 칭량하여 4-1에서 이용한 비이커에 넣고 계 1020cc로 한 후, 30℃±1℃에서 3분 교반한다. 이로써, 황산 55.9g/L 및 34.5% 과산화수소수 19.6cc/L의 에칭액이 얻어진다.4-4: 20 cc of 34.5% aqueous hydrogen peroxide (manufactured by Kanto Kagaku Kogyo Co., Ltd.) is weighed and placed in a beaker used at 4-1, the temperature is adjusted to 1020 cc and the mixture is stirred at 30 ° C ± 1 ° C for 3 minutes. Thereby, an etching solution of 55.9 g / L of sulfuric acid and 19.6 cc / L of 34.5% aqueous hydrogen peroxide was obtained.

5. 상기 에칭액(액온 30℃±1℃, 교반 조건 마그네틱 교반기, 250rpm)에 샘플편을 침지한다.5. The sample piece is immersed in the above etching solution (liquid temperature: 30 DEG C +/- 1 DEG C, stirring condition: magnetic stirrer, 250 rpm).

6. 극박동박의 벌크 부분이 완전히 에칭되기까지 30초마다 샘플편의 중량 W1을 측정한다(단, 기판 중량 포함).6. Measure the weight W1 of the sample piece (including the weight of the substrate) every 30 seconds until the bulk part of the polar beater is completely etched.

7. 에칭 중량(W0-W1)/(침지시킨 양면 면적=m2)을 산출하여 X축에 에칭 시간(초), Y축에 에칭 질량(g/m2)을 플롯한다. 0∼150초 사이에 대하여 최소자승법을 이용하여 기울기 K를 산출한다.7. Plot the etching weight (W0-W1) / (the immersion area on both sides which m = 2), the etching time (seconds) and the etching weight (g / m 2) in the Y-axis to the X-axis by calculating a. The slope K is calculated using the least squares method for 0 to 150 seconds.

본 실시형태의 에칭 속도의 환산식을 나타낸다.Represents the conversion equation of the etching rate of the present embodiment.

에칭 속도(㎛/분) = K(g/초·m2) ÷ 8.92(구리비중 g/cm3) × 60(초/분)Etch rate (㎛ / minute) = K (g / sec · m 2) ÷ 8.92 (copper density g / cm 3) × 60 (sec / min)

230℃, 1시간 조건의 가열 처리 전후에 있어서 동박층(104)의 비커스 경도의 차는 바람직하게는 0Hv 이상 50Hv 이하이며, 보다 바람직하게는 0Hv 이상 30Hv 이하이다. 동박층(104)의 비커스 경도의 차를 상한값 이하로 함으로써 가열에 의해 동박층(104)의 재결정이 진행하여 결정 입도가 크게 됨으로써 에칭 속도가 느리게 되는 것을 억제하거나, 에칭 후의 미세회로의 변형이 축적하는 것을 억제하거나 할 수 있다. 여기에서는 230℃, 1시간 조건의 가열 처리의 전후에서의 동박층(104)의 비커스 경도의 차의 절대값을 바람직하게는 0Hv 이상 50Hv 이하로 하고, 보다 바람직하게는 0Hv 이상 30Hv 이하로 할 것이다.The difference in Vickers hardness of the copper foil layer 104 before and after the heat treatment at 230 deg. C for 1 hour is preferably 0 Hv or more and 50 Hv or less, and more preferably 0 Hv or more and 30 Hv or less. The difference in Vickers hardness of the copper foil layer 104 is set to be not more than the upper limit value so that the recrystallization of the copper foil layer 104 is progressed by heating to increase the crystal grain size to suppress the slowing of the etching rate, Or the like. In this case, the absolute value of the difference in Vickers hardness of the copper foil layer 104 before and after the heat treatment at 230 deg. C for 1 hour is preferably 0 Hv or more and 50 Hv or less, and more preferably 0 Hv or more and 30 Hv or less .

또한, 동박층(104)은 230℃, 1시간 가열처리 후의 비커스 경도가 바람직하게는 180Hv 이상 240Hv 이하이며, 보다 바람직하게는 185Hv 이상 235Hv 이하이다. 가열 후의 비커스 경도를 180Hv 이상으로 함으로써 가열에 의해 박동층(동박층(104))의 재결정이 진행되어 결정 입도가 크게 되는 것을 억제하거나, 에칭 후의 회로 직선성이 저하하는 것을 억제하거나 할 수 있다. 한편, 가열 후의 비커스 경도를 240Hv 이하로 함으로써 박동층이 너무 단단해져 깨지기 쉬움에 기인하여 조작시에 금이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 성형한 미세 배선의 냉열 충격 내성을 향상시킬 수 있다.The copper foil layer 104 has a Vickers hardness of preferably 180 Hv or more and 240 Hv or less, more preferably 185 Hv or more and 235 Hv or less, after the heat treatment at 230 占 폚 for 1 hour. By setting the Vickers hardness after heating to 180 Hv or more, recrystallization of the beating layer (the copper foil layer 104) is promoted by heating to suppress the increase in crystal grain size and suppress the decrease in circuit linearity after etching. On the other hand, by setting the Vickers hardness after heating to 240 Hv or less, it is possible to suppress occurrence of cracks during operation due to the breakage of the beating layer due to the breakage of the beating layer, and it is possible to improve the cold and heat shock resistance of the formed fine interconnections.

본 실시형태에 있어서, 비커스 경도는 예를 들면 이하의 방법에 따라 측정할 수 있다.In the present embodiment, the Vickers hardness can be measured by, for example, the following method.

즉, 비커스 경도 측정은 JIS Z 2244에 준거하여 이하의 순서로 아카시사 제, 미소 경도계(형번 MVK-2H)를 이용하여 23℃에서 수행한다. (1) 동박층까지 형성한 캐리어박 부착 극박동박을 230℃로 가열한 오븐(질소 분위기) 중에 1시간 방치한 후, 10×10mm각(角)으로 절단한다. (2) 절단 시료에 부하 속도 3㎛/초, 시험 하중 5gf, 유지시간 15초의 조건에서 압흔(壓痕)을 찍고, 압흔의 측정 결과로부터 비커스 경도를 산출한다. (3) 임의의 5점의 비커스 경도를 측정한 평균값을 본 실시형태의 비커스 경도 값으로 한다.That is, the Vickers hardness measurement is carried out at 23 占 폚 using an acrylic micro hardness meter (model number MVK-2H) in accordance with JIS Z 2244 in the following sequence. (1) A carrier foil with a carrier foil formed up to the copper foil layer is left in an oven (nitrogen atmosphere) heated at 230 캜 for 1 hour, and then cut into 10 × 10 mm square. (2) The indentations are imaged on the cut samples under the conditions of a load speed of 3 탆 / second, a test load of 5 gf and a holding time of 15 seconds, and the Vickers hardness is calculated from the indentation measurement results. (3) An average value obtained by measuring the Vickers hardness of any five points is taken as the Vickers hardness value of the present embodiment.

아울러, 시료로는 동박층까지 형성한 직후로서, 가열 처리를 하지 않은 캐리어박 부착 극박동박을 이용할 수도 있다.In addition, as a sample, a polarizing foil with a carrier foil not subjected to heat treatment may be used immediately after forming the copper foil layer.

또한, 동박층(104)에 있어서, 230℃, 1시간 가열 처리 후의 단면의 결정 입도는 바람직하게는 2.0㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.25㎛ 이상 0.5㎛ 이하이다. 동박층(104)의 결정 입도를 상한값 이하로 함으로써 에칭 후의 회로 직선성이 저하하는 것을 억제할 수 있다. 동박층(104)의 결정 입도를 하한값 이상으로 함으로써 박동층 도금 후 가열 전의 내부 응력(인장 응력)이 너무 높게 되는 것을 억제하고, 지지체 부착 극박동박 전체가 컬(curl) 되어 반송시에 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.In the copper foil layer 104, the grain size of the cross-section after the heat treatment at 230 占 폚 for 1 hour is preferably 2.0 占 퐉 or less, more preferably 0.5 占 퐉 or less, further preferably 0.25 占 퐉 or more and 0.5 占 퐉 or less to be. By reducing the grain size of the copper foil layer 104 to the upper limit value or less, deterioration in circuit linearity after etching can be suppressed. By setting the grain size of the copper foil layer 104 to be equal to or more than the lower limit value, the internal stress (tensile stress) before heating after the baking layer coating is prevented from becoming too high and the entire polar foil with the support is curled, Can be suppressed.

본 실시형태에 있어서, 동박층(104)의 결정 입도는 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다.In the present embodiment, the grain size of the copper foil layer 104 can be measured by the following method.

즉, 동박층(104)의 결정 입도는 JIS H 0501에 준하여 측정하였다. 구체적인 순서는 하기와 같다. 우선, 적층판(동장 적층판(100))을 FIB(수속 이온빔) 가공 장치로 가공하고, SIM(Scanning Ion Microscope) 관찰 사진을 촬영한다. 촬영한 사진의 단면의 결정 입도를 JIS H 0501에 규정되는 비교법의 표준 사진으로부터 산출한다.That is, the grain size of the copper foil layer 104 was measured in accordance with JIS H 0501. The concrete procedure is as follows. First, the laminated plate (copper clad laminate 100) is processed by an FIB (convergent ion beam) processing apparatus and a SIM (Scanning Ion Microscope) observation photograph is taken. The grain size of the cross section of the photographed photograph is calculated from the standard photograph of the comparative method defined in JIS H 0501.

본 실시형태에서는 동박층(104)의 결정 입도를 작게 하는 것, 가열 후의 비커스 경도의 변화를 작게 하는 것, 조화족 부분의 에칭 속도를 높이는 것 등에 의해 동박층(104)(특히 벌크 부분)의 에칭 속도를 높일 수 있다. 또한, 조화족 부분의 에칭 속도는 통상, 벌크 부분보다도 에칭 속도가 느리지만 예를 들면, 전해 밀도를 작게 함으로써 높이는 것이 가능해진다.In the present embodiment, the thickness of the copper foil layer 104 (particularly, the bulk portion) is reduced by decreasing the crystal grain size of the copper foil layer 104, decreasing the change of the Vickers hardness after heating, The etching rate can be increased. In addition, although the etching rate of the coarse portion is usually slower than that of the bulk portion, for example, it is possible to increase the etching rate by decreasing the electrolytic density.

동박층(104)의 막 두께는 용도에 따라 임의로 설정할 수 있다. 예를 들면 동박층(104)의 막 두께는 바람직하게는 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상 4㎛ 이하이다. 동박층(104)의 막 두께를 상기 범위 내로 함으로써 양호한 미세 회로를 형성할 수 있다.The thickness of the copper foil layer 104 can be arbitrarily set according to the use. For example, the thickness of the copper foil layer 104 is preferably not less than 0.1 mu m and not more than 5 mu m, and more preferably not less than 1 mu m and not more than 4 mu m. By setting the film thickness of the copper foil layer 104 within the above range, a good microcircuit can be formed.

이어서, 도 1(c)에 나타내는 것과 같이, 동장 적층판(100)에 그 상면으로부터 하면에 관통하는 층간 접속용 관통공(108)을 형성한다. 관통공(108)을 형성하는 방법은 각종 공지 수단을 이용할 수 있지만, 예를 들면 공 지름이 100㎛ 이상의 관통공(108)을 형성하는 경우에는 생산성의 관점에서 드릴 등을 이용하는 수단이 적합하며, 100㎛ 이하의 관통공(108)을 형성하는 경우에는 탄산 가스나 엑시머 등의 기체 레이저나 YAG 등의 고체 레이저를 이용하는 수단이 적합하다.Then, as shown in Fig. 1 (c), through-holes 108 for interlayer connection penetrating from the upper surface to the lower surface of the copper clad laminate 100 are formed. For example, in the case of forming the through hole 108 having a diameter of 100 mu m or more, a means using a drill or the like is preferable from the viewpoint of productivity, In the case of forming the through holes 108 having a size of 100 μm or less, means using a gas laser such as carbon dioxide gas or excimer or a solid laser such as YAG is suitable.

이어서, 적어도 동박층(104) 위에 촉매 핵을 부여하는 것도 가능하지만, 본 실시형태에서는 동박층(104)의 전면 위 및 관통공(108)의 내벽면 위에 촉매 핵을 부여한다. 이 촉매 핵으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 귀금속 이온이나 팔라듐 콜로이드를 이용할 수 있다. 계속 이어서, 이 촉매 핵을 핵으로 무전해 도금층을 형성하지만, 이 무전해 도금 처리 전에 동박층(104)이나 관통공(108)의 표면 위에 대하여 예를 들면 약액에 의한 스미어(smear) 제거 등을 수행해도 된다. 디스미어(desmear) 처리로는 특별히 한정되지 않으며 유기물 분해 작용을 갖는 산화제 용액 등을 사용한 습식법 및 대상물이 되는 것에 직접 산화 작용이 강한 활성종(플라즈마, 라디칼 등)을 조사하여 유기물 잔사를 제거하는 플라즈마법 등의 건식법 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다. 습식법의 디스미어 처리로는 구체적으로는 수지 표면의 팽윤 처리를 실시한 후, 알칼리 처리에 의해 에칭을 수행하고 이어서 중화처리를 행하는 방법 등을 들 수 있다.In this embodiment, the catalyst nuclei are provided on the front surface of the copper foil layer 104 and on the inner wall surface of the through hole 108, although it is also possible to apply catalyst nuclei on at least the copper foil layer 104. The catalyst nucleus is not particularly limited, but for example, noble metal ions and palladium colloids can be used. Subsequently, an electroless plating layer is formed using the catalyst nuclei as nuclei. Before the electroless plating process, smear removal by a chemical solution, for example, is performed on the surfaces of the copper foil layer 104 and the through holes 108 You can do it. The desmear treatment is not particularly limited and includes a wet process using an oxidizing agent solution having an organic substance decomposing action and a plasma treatment for removing an organic substance residue by irradiating an active species (plasma, radical, etc.) A known method such as a dry method such as a method can be used. As the desmear treatment of the wet method, specifically, a method of performing swelling treatment on the surface of the resin, followed by etching by an alkali treatment, and then neutralization treatment can be given.

이어서, 도 1(d)에 나타내는 것과 같이, 촉매 핵을 부여한 동박층(104) 위 및 관통공(108)의 내벽 위에 무전해 도금 처리에 의해 박층의 무전해 도금층(110)을 형성한다. 이 무전해 도금층(110)은 절연층(102)의 상면 위의 동박층(104)과 그 하면 위의 동박층(104)을 전기적으로 접속하고 있다. 무전해 도금에는 예를 들면 황산구리, 포르말린, 착화제, 수산화나트륨 등을 포함하는 것을 이용할 수 있다. 아울러, 무전해 도금 후에 100∼250℃의 가열 처리를 실시하고 도금 피막을 안정화시키는 것이 바람직하다. 120∼180℃의 가열 처리가 산화를 억제할 수 있는 피막을 형성할 수 있다는 점에서 특히 바람직하다. 또한, 무전해 도금층(110)의 평균 두께는 다음 전기 도금이 수행할 수 있는 두께라면 되며, 예를 들면 0.1∼1㎛ 정도로 충분하다. 또한, 관통공(108)의 내부는 도전 페이스트 또는 절연 페이스트를 충전해도 되며, 전기 패턴 도금으로 충전해도 된다.Subsequently, as shown in Fig. 1 (d), a thin electroless plated layer 110 is formed on the copper foil layer 104 provided with the catalyst nuclei and on the inner wall of the through hole 108 by electroless plating. The electroless plating layer 110 electrically connects the copper foil layer 104 on the upper surface of the insulating layer 102 and the copper foil layer 104 on the lower surface thereof. As the electroless plating, for example, copper sulfate, formalin, a complexing agent, sodium hydroxide and the like can be used. In addition, it is preferable that after the electroless plating, heat treatment at 100 to 250 캜 is performed to stabilize the plating film. And heat treatment at 120 to 180 캜 is particularly preferable in that a film capable of inhibiting oxidation can be formed. The average thickness of the electroless plating layer 110 may be as long as the following electroplating can be carried out. For example, about 0.1 to 1 占 퐉 is sufficient. The inside of the through hole 108 may be filled with a conductive paste or an insulating paste, or may be filled with an electric pattern plating.

이어서, 도 1(e)에 나타내는 바와 같이, 동박층(104) 위에 설치된 무전해 도금층(110) 위에 소정의 개구 패턴을 갖는 레지스트층(112)을 형성한다. 이 개구 패턴은 후술의 도체 회로 패턴에 상당한다. 이 때문에 레지스트층(112)은 동박층(104) 위의 비회로 형성영역을 덮도록 설치되어 있다. 바꾸어 말하면 레지스트층(112)은 관통공(108) 위와 동박층(104) 위의 도체 회로 형성 영역에는 형성되지 않는다. 레지스트층(112)으로는 특별히 한정되지 않으며 공지의 재료를 이용할 수 있지만, 액상 및 드라이 필름을 이용할 수 있다. 미세배선 형성의 경우에는 레지스트층(112)으로 감광성 드라이 필름 등을 이용하는 것이 바람직하다. 레지스트층(112)을 형성하기 위해서는 예를 들면, 무전해 도금층(110) 위에 감광성 드라이 필름을 적층하고, 비회로 형성 영역을 노광하여 광경화시키며, 미노광부를 현상액으로 용해, 제거한다. 또한, 잔존하는 경화된 감광성 드라이 필름이 레지스트층(112)이 된다. 레지스트층(112)의 두께는 그 후 도금하는 도체(도금층(114))의 두께와 동일 정도로 하든지 보다 두꺼운 막 두께로 하는 것이 바람직하다.1 (e), a resist layer 112 having a predetermined opening pattern is formed on the electroless plating layer 110 provided on the copper foil layer 104. Then, as shown in Fig. This opening pattern corresponds to the conductor circuit pattern described later. For this reason, the resist layer 112 is provided so as to cover the non-circuit forming area on the copper foil layer 104. In other words, the resist layer 112 is not formed in the conductor circuit forming region on the through hole 108 and on the copper foil layer 104. The resist layer 112 is not particularly limited and a known material can be used, and liquid and dry films can be used. In the case of fine wiring formation, it is preferable to use a photosensitive dry film or the like as the resist layer 112. In order to form the resist layer 112, for example, a photosensitive dry film is laminated on the electroless plating layer 110, the non-circuit forming area is exposed to light, and the unexposed area is dissolved and removed as a developer. In addition, the remaining cured photosensitive dry film becomes the resist layer 112. The thickness of the resist layer 112 is preferably equal to or greater than the thickness of the conductor (plating layer 114) to be plated thereafter.

이어서, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 적어도 레지스트층(112)의 개구 패턴 내부 및 무전해 도금층(110) 위에 전기 도금 처리에 따라 도금층(114)을 형성한다. 이때 동박층(104)은 급전층으로서 작동한다. 본 실시형태에서는 절연층(102)의 상면, 관통공(108)의 내벽 및 그 하면에 걸쳐, 연속하여 도금층(114)이 설치되어 있어도 된다. 이렇게 한 전기 도금으로는 특별히 한정되지 않지만, 통상의 프린트 배선판에서 이용되는 공지의 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들면 황산구리 등의 도금액 중에 침지시킨 상태로, 이러한 도금액에 전류를 흘리는 등의 방법을 사용할 수 있다. 도금층(114)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 회로 도체로 사용할 수 있으면 되며, 예를 들면 1∼100㎛의 범위인 것이 바람직하고, 5∼50㎛의 범위인 것이 보다 바람직하다. 도금층(114)은 단층이어도 되며 다층 구조를 가져도 된다. 도금층(114)의 재료로는 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 구리, 구리합금, 42합금, 니켈, 철, 크롬, 텅스텐, 금, 땜납 등을 이용할 수 있다.Subsequently, as shown in Fig. 2 (a), a plating layer 114 is formed on at least the inside of the opening pattern of the resist layer 112 and the electroless plating layer 110 by an electroplating process. At this time, the copper foil layer 104 operates as a power supply layer. In this embodiment, the plating layer 114 may be continuously provided on the upper surface of the insulating layer 102, the inner wall of the through hole 108, and the lower surface thereof. Although the electroplating is not particularly limited, a known method used in a conventional printed wiring board can be used. For example, a method such as flowing a current through such a plating liquid in a state of being immersed in a plating liquid such as copper sulfate can be used . Although the thickness of the plating layer 114 is not particularly limited, it may be used as a circuit conductor. For example, it is preferably in the range of 1 to 100 mu m, more preferably in the range of 5 to 50 mu m. The plating layer 114 may be a single layer or a multilayer structure. The material of the plating layer 114 is not particularly limited, but copper, a copper alloy, a 42 alloy, nickel, iron, chromium, tungsten, gold, solder and the like can be used.

이어서, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 알칼리성 박리액이나 황산 또는 시판의 레지스트 박리액 등을 이용하여 레지스트층(112)을 제거한다.Subsequently, as shown in Fig. 2 (b), the resist layer 112 is removed using an alkaline removing solution, sulfuric acid, or a commercially available resist stripping solution.

이어서, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 도금층(114)이 형성되어 있는 영역 이외의 무전해 도금층(110) 및 동박층(104)을 제거한다. 이 동박층(104)을 제거하는 방법은 예를 들면, 소프트 에칭(플래쉬 에칭) 등을 이용한다. 이로써, 동박층(104) 및 금속층(116)(무전해 도금층(110) 및 도금층(114))이 적층하여 구성되는 도체 회로(118)의 패턴을 형성할 수 있다.Subsequently, as shown in Fig. 2 (c), the electroless plating layer 110 and the copper foil layer 104 other than the region where the plating layer 114 is formed are removed. As a method for removing the copper foil layer 104, for example, soft etching (flash etching) is used. This makes it possible to form a pattern of the conductor circuit 118 in which the copper foil layer 104 and the metal layer 116 (the electroless plated layer 110 and the plated layer 114) are laminated.

여기에서, 본 실시형태의 소프트에칭에 이용하는 에칭액에 대하여 아래에 설명한다. 에칭액으로는 특별히 한정되지 않지만 종래의 확산 율속 타입의 에칭액을 이용한 경우, 배선의 미세한 부분은 어떻게 하여도 액의 교환이 나쁘게 되기 때문에 회로 형성성이 악화해 버리는 경향이 있다. 이 때문에 에칭액은 구리와 에칭액의 반응이 확산 율속이 아니라 반응 율속으로 진행하는 타입을 이용하는 것이 바람직하다. 구리와 에칭액의 반응이 반응 율속이라면 확산을 그 이상 강하게 했다고 하더라도 에칭 속도는 변하지 않는다. 즉 액 교환이 좋은 장소와 나쁜 장소에서의 에칭 속도차가 생기지 않는다. 이러한 반응 율속 에칭액으로는 예를 들면 과산화수소와, 할로겐 원소를 포함하지 않는 산을 주성분으로 하는 것을 들 수 있다. 산화제로서 과산화수소를 이용하므로 그 농도를 관리함으로써 엄밀한 에칭 속도 제어가 가능하게 된다. 또한, 에칭액에 할로겐 원소가 혼입하면 용해 반응이 확산 율속이 되기 쉽다. 할로겐을 포함하지 않는 산으로는 질산, 황산, 유기산 등을 사용할 수 있지만, 황산인 것이 저렴하여 바람직하다. 또한, 황산과 과산화수소가 주성분인 경우에는 각각의 농도를 5∼300g/L, 5∼200g/L로 하는 것이 에칭 속도, 액의 안정성 면에서 바람직하다. 예를 들면 과황산암모늄, 과황산나트륨, 과황산소다계 등을 들 수 있다.Here, the etching solution used in the soft etching of this embodiment will be described below. Although the etching solution is not particularly limited, when a conventional diffusion rate type etching solution is used, the fine part of the wiring tends to deteriorate the circuit formability because the exchange of the solution is bad anyhow. For this reason, it is preferable to use a type in which the reaction between copper and the etching solution progresses at a reaction rate rather than a diffusion rate. If the reaction between copper and the etching solution is reaction rate, the etching rate does not change even if the diffusion is further strengthened. That is, there is no difference in etching speed between a place where the liquid exchange is good and a place where the liquid exchange is good. As the reaction rate-controlling etchant, for example, hydrogen peroxide and an acid containing no halogen element as a main component can be cited. Since hydrogen peroxide is used as an oxidizing agent, it is possible to strictly control the etching rate by controlling the concentration thereof. Further, when the halogen element is mixed into the etching solution, the dissolution reaction tends to become diffusion rate. As the acid which does not contain halogen, nitric acid, sulfuric acid, organic acid and the like can be used, but sulfuric acid is preferable because it is inexpensive. When sulfuric acid and hydrogen peroxide are the main components, it is preferable to set the concentration to 5 to 300 g / L and 5 to 200 g / L, respectively, from the viewpoints of the etching rate and the stability of the solution. For example, ammonium persulfate, sodium persulfate, sodium persulfate, and the like.

에칭 방법으로는 각종의 태양을 채용할 수 있다. 예를 들면, 비이커 등의 액류 용기에 담은 에칭액 내에 동장 적층판(100)을 침지시켜도 되며, 샤워 방식으로 에칭액을 동박층(104)에 도포해도 된다.Various etching methods can be employed. For example, the copper clad laminate 100 may be immersed in an etchant immersed in a liquid flow container such as a beaker, or the etchant may be applied to the copper foil layer 104 by a shower method.

이처럼, 동박층(104)의 에칭 속도를 적절하게 선택함으로써 원하는 형상의 도체 회로(118)가 얻어진다. 이상에 의해, 절연층(102)의 양면에 도체 회로(118)가 형성된 프린트 배선판(200)이 얻어진다.As described above, by appropriately selecting the etching rate of the copper foil layer 104, the conductor circuit 118 having a desired shape can be obtained. Thus, the printed circuit board 200 on which the conductor circuit 118 is formed on both surfaces of the insulating layer 102 is obtained.

또한, 도 2(d-1)에 나타내는 바와 같이, 절연층(102) 위 및 도체 회로(118)의 일부를 덮도록 솔더 레지스트층(120)을 형성해도 된다. 솔더 레지스트층(120)으로는 예를 들면 절연성이 우수한 필러 또는 기재를 포함하여도 되며, 감광성 수지, 경화성 수지 및 열가소성 수지 등의 내열성 수지 조성물을 이용한다. 이어서, 솔더 레지스트층(120)의 개구부가 설치되어 있는 도체 회로(118) 위에 제1 도금층(122) 및 제2 도금층(124)을 추가로 형성해도 무방하다. 이로써, 금속층(116)을 2이상의 다층 구조로 해도 된다. 이들 제1 도금층(122) 및 제2 도금층(124)으로는 금 도금층을 채용할 수 있다. 금 도금의 방법으로는 종래 공지의 방법이어도 되며, 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 도금층(114) 위에 무전해 니켈 도금을 0.1∼10㎛ 정도 실시하고, 치환 금 도금을 0.01∼0.5㎛ 정도 실시한 후에 무전해 금 도금을 0.1∼2㎛ 정도 실시하는 등의 방법이 있다. 이상에 의해, 도 2(d-1)에 나타내는 프린트 배선판(202)이 얻어진다.2 (d-1), the solder resist layer 120 may be formed so as to cover the insulating layer 102 and a part of the conductor circuit 118. The solder resist layer 120 may include, for example, a filler or a substrate having excellent insulating properties, and a heat-resistant resin composition such as a photosensitive resin, a curable resin, and a thermoplastic resin is used. The first plating layer 122 and the second plating layer 124 may be further formed on the conductor circuit 118 on which the openings of the solder resist layer 120 are provided. Thus, the metal layer 116 may have a multilayer structure of two or more. As the first plating layer 122 and the second plating layer 124, a gold plating layer may be employed. As a method of gold plating, a conventionally known method may be employed. For example, electroless nickel plating is performed on the plating layer 114 in an amount of 0.1 to 10 mu m, substitution gold plating is performed in a range of 0.01 to 0.5 mu m And electroless gold plating is performed at about 0.1 to 2 탆. Thus, the printed wiring board 202 shown in Fig. 2 (d-1) is obtained.

또한, 도 2(d-2)에 나타내는 바와 같이, 솔더 레지스트층(120)을 형성하지 않고, 도체 회로(118)의 주위에 제1 도금층(122) 및 제2 도금층(124)을 형성해도 된다. 이들 제1 도금층(122) 및 제2 도금층(124)으로는 예를 들면, 니켈 도금층 및 금 도금층의 적층체를 채용해도 된다. 이상에 의해, 도 2(d-2)에 나타내는 프린트 배선판(204)이 얻어진다.As shown in Fig. 2 (d-2), the first plating layer 122 and the second plating layer 124 may be formed around the conductor circuit 118 without forming the solder resist layer 120 . As the first plating layer 122 and the second plating layer 124, for example, a laminate of a nickel plating layer and a gold plating layer may be employed. Thus, the printed wiring board 204 shown in Fig. 2 (d-2) is obtained.

또한, 이들 프린트 배선판(200, 202 및 204) 위에 도시하지 않은 반도체 칩을 실장하여 반도체 장치를 얻을 수 있다.A semiconductor device (not shown) may be mounted on these printed wiring boards 200, 202, and 204 to obtain a semiconductor device.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

다음에 제2 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method for manufacturing a printed wiring board according to the second embodiment will be described.

도 3∼도 5는 제3 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법의 제조 공정의 순서를 나타내는 단면도이다. 제3 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법은 예를 들면, 제2 실시형태에서 얻어진 프린트 배선판(200, 202 및 204)을 내층 회로 기판으로 이용하고, 이 내층 회로 기판 위에 빌드업층을 추가로 형성하는 것이다.Figs. 3 to 5 are cross-sectional views showing the sequence of manufacturing steps of the method for manufacturing a printed wiring board according to the third embodiment. Fig. The method for manufacturing a printed wiring board according to the third embodiment is the same as the method for manufacturing a printed wiring board according to the third embodiment except that the printed wiring boards 200, 202 and 204 obtained in the second embodiment are used as an inner layer circuit board, will be.

우선, 내층 회로 기판으로 도 2(c)에서 얻은 프린트 배선판(200)을 채용한다. 이 프린트 배선판(200)의 내층 회로(도체 회로(118))에 대하여 조화(粗化) 처리를 실시한다. 여기에서 조화 처리란 도체 회로 표면에 약액 처리 및 플라즈마 처리 등을 실시하는 것을 의미한다. 조화 처리로는 예를 들면, 산화 환원을 이용한 흑화 처리 또는 황산-과산화수소계의 공지의 조화액을 이용한 약액 처리 등을 이용할 수 있다. 이로써, 절연층(130)을 구성하는 층간 절연 재료와 프린트 배선판(200)의 도체 회로(118)의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 내층 회로 기판은 제2 실시형태에서 얻어진 프린트 배선판(200) 대신에 특별히 한정되지 않지만 도금 스루홀법이나 빌드업법 등에 의해, 프리프레그 또는 기재를 포함하지 않은 수지 조성물층 등이 적층된 통상의 다층 프린트 배선판을 이용할 수도 있다. 내층 회로가 되는 도체 회로층은 종래 공지의 회로 형성 방법에 따라 형성해도 된다. 또한, 다층 프린트 배선판에 있어서는 그 코어층이 되는 적층체(프리프레그를 복수 적층시켜 얻어진 적층체) 및 금속장 적층판에 드릴 가공, 레이저 가공 등을 실시함으로써 스루홀을 형성하고 이어서 도금 등으로 양면의 내층 회로를 전기적 접속할 수도 있다.First, the printed wiring board 200 obtained in Fig. 2 (c) is employed as the inner-layer circuit board. And the inner layer circuit (conductor circuit 118) of the printed wiring board 200 is roughened. Here, the coarsening treatment means that chemical treatment and plasma treatment are performed on the surface of the conductor circuit. The roughening treatment may be, for example, a blackening treatment using oxidation-reduction or a chemical solution treatment using a known roughening agent-hydrogen peroxide-based roughening solution. This makes it possible to improve the adhesion between the interlayer insulating material constituting the insulating layer 130 and the conductor circuit 118 of the printed wiring board 200. The inner layer circuit board is not particularly limited in place of the printed wiring board 200 obtained in the second embodiment, but may be formed by a plated-through hole method, a build-up method, or the like, A printed wiring board may also be used. The conductor circuit layer to be an inner layer circuit may be formed by a conventionally known circuit forming method. In the multilayered printed circuit board, a through hole is formed by performing a drilling process, a laser process, or the like on the laminate (the laminate obtained by laminating a plurality of prepregs) which becomes the core layer and the metal laminate plate, The inner layer circuit may be electrically connected.

이어서, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 도체 회로 표면이 조화된 프린트 배선판(200)의 양측에 각각 절연층(130)(프리프레그) 및 캐리어박층(107) 부착 동박층(105)(캐리어박 부착 극박동박)을 배치한다. 이어서, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이 이들을 겹친 적층체를 가열 가압 처리하여 다층 적층판을 형성한다. 계속해서, 도 3(c)에 나타내는 바와 같이 캐리어박층(107)을 박리 제거한다.Subsequently, as shown in Fig. 3A, an insulating layer 130 (prepreg) and a copper foil layer 105 with a carrier thin layer 107 (a carrier) are formed on both sides of the printed circuit board 200, Thinly attached foil). Subsequently, as shown in Fig. 3 (b), the multilayer body in which these are superimposed is heated and pressed to form a multilayer laminate. Subsequently, as shown in Fig. 3 (c), the carrier foil layer 107 is peeled off.

이어서, 도 3(d)에 나타내는 바와 같이, 절연층(130) 및 동박층(105)의 일부를 제거하여 공(109)을 형성한다. 공(109)의 저면에 있어서는 도체 회로(118)의 표면의 일부가 노출하고 있다. 이 공(109)을 형성하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만 예를 들면 탄산가스나 엑시머 등의 기체 레이저나 YAG 등의 고체 레이저를 이용하여 공 지름 100㎛ 이하의 블라인드 비어홀을 형성하는 방법 등을 이용할 수 있다. 또한, 공(109)은 도 3(d)에서는 비관통공으로 표시되어 있지만 관통공이어도 된다. 또한, 관통공의 경우는 레이저 조사나, 드릴 가공기를 이용하여 형성해도 된다.3 (d), the insulating layer 130 and a portion of the copper foil layer 105 are removed to form a hole 109. Next, as shown in Fig. And a part of the surface of the conductor circuit 118 is exposed on the bottom surface of the hole 109. The method for forming the hole 109 is not particularly limited. For example, a method of forming a blind via hole having an air hole diameter of 100 탆 or less using a gas laser such as carbon dioxide gas or excimer or a solid laser such as YAG have. 3 (d), the hole 109 is shown as a non-through hole, but it may be a through hole. In the case of through holes, laser irradiation or a drilling machine may be used.

이어서, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 전술의 촉매 핵을 부여한 도체 회로(118) 위, 공(109)의 내벽 위 및 동박층(105) 위에 박층의 무전해 도금층(111)을 형성한다. 무전해 도금층(111)은 전술의 무전해 도금층(110)과 동일하게 하여 형성한다. 이 무전해 도금 전에는 전술한 대로 약액에 의한 스미어 제거 등의 디스미어 처리를 행해도 된다. 또한, 무전해 도금층(110)의 두께는 다음의 전기 도금이 이루어질 수 있는 두께라면 되며, 0.1∼1㎛ 정도로 충분하다. 또한, 공(109)(블라인드 비어홀)의 내부는 도전 페이스트 또는 절연 페이스트를 충전할 수도 있으며, 전기 패턴 도금으로 충전해 두어도 된다.Subsequently, as shown in Fig. 4 (a), a thin electroless plated layer 111 is formed on the conductor circuit 118 to which the catalyst nuclei are applied, on the inner wall of the hole 109 and on the copper foil layer 105 . The electroless plating layer 111 is formed in the same manner as the electroless plating layer 110 described above. Prior to this electroless plating, a desmear treatment such as smear removal by a chemical liquid may be performed as described above. The thickness of the electroless plating layer 110 may be any thickness as long as the following electroplating can be performed. The inside of the hole 109 (blind via hole) may be filled with a conductive paste or an insulating paste, or may be filled with an electric pattern plating.

이어서, 무전해 도금층(110) 위에 도전 회로 패턴에 상당하는 개구 패턴을 갖는 레지스트층(113)을 형성한다. 바꾸어 말하면, 레지스트층(113)을 형성함으로써 비회로 형성부를 마스크한다. 이 레지스트층(113)으로는 전술의 레지스트층(112)과 동일한 것을 이용할 수 있다. 레지스트층(113)의 두께는 그 후 도금하는 도체 회로의 두께와 동일한 정도든지 보다 두꺼운 막 두께로 하는 것이 바람직하다.Subsequently, a resist layer 113 having an opening pattern corresponding to the conductive circuit pattern is formed on the electroless plating layer 110. In other words, the resist layer 113 is formed to mask the non-circuit forming portion. As the resist layer 113, the same material as the resist layer 112 described above can be used. It is preferable that the thickness of the resist layer 113 is equal to or greater than the thickness of the conductor circuit to be plated thereafter.

이어서, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 레지스트층(113)의 개구 패턴 내부에 도금층(132)을 형성한다. 이 도금층(132)은 공(109) 내부의 도체 회로(118) 위에 형성해도 되며, 상기 개구 패턴 내부의 무전해 도금층(111) 위에 형성해도 된다. 도금층(132)을 형성하는 전기 도금은 전술의 도금층(114)과 동일한 방법을 이용할 수 있다. 이 도금층(132)의 두께는 회로 도체로서 사용할 수 있으면 되며, 예를 들면 1∼100㎛의 범위인 것이 바람직하며, 5∼50㎛의 범위인 것이 보다 바람직하다.Then, as shown in Fig. 4 (c), a plating layer 132 is formed in the opening pattern of the resist layer 113. Next, as shown in Fig. The plating layer 132 may be formed on the conductor circuit 118 inside the hole 109 or on the electroless plating layer 111 in the opening pattern. The electroplating for forming the plating layer 132 may be the same as the plating layer 114 described above. The thickness of the plating layer 132 may be used as a circuit conductor, and is preferably in the range of 1 to 100 mu m, more preferably in the range of 5 to 50 mu m.

이어서, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 전술의 레지스트층(112)과 마찬가지로 레지스트층(113)의 박리를 수행한다. 이어서, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 전술의 동박층(104)과 마찬가지로 동박층(105) 및 무전해 도금층(111)을 소프트 에칭(플래쉬 에칭)에 의해 제거한다. 이로써 동박층(105), 무전해 도금층(111) 및 도금층(132)으로 구성되는 도체 회로 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 도체 회로(118) 위에는 그것과 전기적으로 접속하는 비어 및 패드를 도금층(132)에 의해 형성할 수 있다. 이상에 의해 프린트 배선판(201)이 얻어진다.Then, as shown in Fig. 5 (a), the resist layer 113 is peeled off in the same manner as the resist layer 112 described above. Subsequently, as shown in Fig. 5B, the copper foil layer 105 and the electroless plated layer 111 are removed by soft etching (flash etching) in the same manner as the above-described copper foil layer 104 described above. Thus, a conductor circuit pattern composed of the copper foil layer 105, the electroless plating layer 111, and the plating layer 132 can be formed. In addition, vias and pads electrically connected to the conductor circuit 118 can be formed on the conductor circuit 118 by the plating layer 132. [ Thus, the printed wiring board 201 is obtained.

또한, 도 5(c-1)에 나타내는 바와 같이, 절연층(130) 위, 도체 회로 패턴의 도금층(132) 위 및 패드의 도금층(132)의 일부 위에 솔더 레지스트층(121)을 형성해도 된다. 솔더 레지스트층(121)으로는 전술의 솔더 레지스트층(120)과 동일한 것을 이용할 수 있다. 이어서, 솔더 레지스트층(121)의 개구부가 설치되어 있는 도금층(132) 위에, 예를 들면 니켈 도금층 및 금 도금층으로 구성되는 제1 도금층(123) 및 제2 도금층(125)을 추가로 형성해도 된다. 이상에 의해, 도 5(c-1)에 나타내는 프린트 배선판(203)이 얻어진다.5 (c-1), a solder resist layer 121 may be formed on the insulating layer 130, on the plating layer 132 of the conductor circuit pattern, and on the plating layer 132 of the pad . As the solder resist layer 121, the same material as that of the above-described solder resist layer 120 can be used. A first plating layer 123 and a second plating layer 125 may be additionally formed on the plating layer 132 provided with the openings of the solder resist layer 121 such as a nickel plating layer and a gold plating layer . Thus, the printed wiring board 203 shown in Fig. 5 (c-1) is obtained.

또한, 도 5(c-2)에 나타내는 바와 같이, 솔더 레지스트층(121)을 형성하지 않고 도체 회로 패턴의 주위 및 패드의 주위에 전술의 제1 도금층(123) 및 제2 도금층(125)을 형성해도 된다. 이상에 의해, 도 5(c-2)에 나타내는 프린트 배선판(205)이 얻어진다. 제2 실시형태에 있어서도 제1 실시형태와 동일한 효과가 얻어진다.5 (c-2), the first plating layer 123 and the second plating layer 125 described above are formed around the conductor circuit pattern and around the pad without forming the solder resist layer 121 . Thus, the printed wiring board 205 shown in Fig. 5 (c-2) is obtained. Also in the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

(제3 실시형태)(Third Embodiment)

이어서, 제3 실시형태의 프린트 배선기판(101)의 제조 공정에 대하여 상세한 점을 설명한다.Next, the manufacturing process of the printed wiring board 101 of the third embodiment will be described in detail.

도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 캐리어박 부착 동장 적층판(10)을 준비한다. 계속해서, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 캐리어박 부착 동장 적층판(10)으로부터 캐리어박층(106)을 떼어내거나 하여 제거한다. 계속해서, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이 남겨진 동박층(104) 위에 소정의 개구 패턴을 갖는 레지스트층(112)을 형성한다. 레지스트층(112)의 개구 패턴 내 및 동박층(104) 위에 도금 처리에 의해 도금층(금속층(115))을 형성한다(도 6(d)). 계속 이어서, 도 6(e)에 나타내는 바와 같이 레지스트층(112)을 제거한다. 이로써 동박층(104) 위에 소정의 금속층(115)의 패턴을 선택하여 형성할 수 있다. 그 후, 도 6(f)에 나타내는 바와 같이, 금속층(115)에 덮여져 있지 않은 영역에서의 동박층(104)을 예를 들면 소프트 에칭에 의해 제거한다. 이러한 동박층(104)의 제거 공정 후, 남겨진 동박층(104)과 금속층(115)에 의해 도체 회로(119)의 패턴을 형성할 수 있다. 이상의 공정에 의해 제3 실시형태의 프린트 배선판(101)이 얻어진다. 제3 실시형태에서도 제1 실시형태와 동일한 효과가 얻어진다.As shown in Fig. 6 (a), a copper clad laminate 10 is prepared. Subsequently, as shown in Fig. 6 (b), the carrier foil layer 106 is removed from the copper clad laminate 10 with the carrier foil removed. Subsequently, a resist layer 112 having a predetermined opening pattern is formed on the copper foil layer 104 left as shown in Fig. 6 (c). A plating layer (metal layer 115) is formed in the opening pattern of the resist layer 112 and on the copper foil layer 104 by a plating process (Fig. 6 (d)). Subsequently, the resist layer 112 is removed as shown in Fig. 6 (e). Thus, a predetermined pattern of the metal layer 115 can be selectively formed on the copper foil layer 104. 6 (f), the copper foil layer 104 in the region not covered with the metal layer 115 is removed by, for example, soft-etching. After the step of removing the copper foil layer 104, the pattern of the conductor circuit 119 can be formed by the copper foil layer 104 and the metal layer 115 remaining. The printed wiring board 101 of the third embodiment is obtained by the above process. The same effects as those of the first embodiment can be obtained also in the third embodiment.

(제4 실시형태)(Fourth Embodiment)

이어서, 제4 실시형태의 프린트 배선기판(101)의 제조 공정에 대하여 상세한 점을 설명한다.Next, the manufacturing process of the printed wiring board 101 of the fourth embodiment will be described in detail.

우선, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 캐리어박 부착 동장 적층판(10)을 준비한다. 캐리어박 부착 동장 적층판(10)에 있어서는 절연층(102)의 양면에 동박층(104)과 함께 캐리어박층(106)이 첩부되어 있다. 계속해서, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이 캐리어박 부착 동장 적층판(10)으로부터 캐리어박층(106)을 떼어낸다. 계속해서, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 동박층(104)의 전면 위에 금속층(115)(도금층)을 도금 처리에 의해 형성한다. 계속해서, 도 7(d)에 나타내는 바와 같이, 플레인 형상의 금속층(115) 위에 소정의 개구 패턴을 갖는 레지스트층(112)을 형성한다. 계속 이어서, 도 7(e)에 나타내는 바와 같이, 이 레지스트층(112)의 개구 패턴 내의 금속층(115) 및 동박층(104)을 예를 들면 에칭에 의해 제거한다. 이 후, 도 7(f)에 나타내는 바와 같이, 레지스트층(112)을 제거한다. 이로써, 동박층(104) 및 금속층(115)으로 구성되는 도체 회로(119)의 패턴을 형성할 수 있다. 이상의 공정에 의해, 제4 실시형태의 프린트 배선판(101)이 얻어진다. 제4 실시형태에서도 제1 실시형태와 동일한 효과가 얻어진다.First, as shown in Fig. 7 (a), a copper clad laminate 10 is prepared. In the copper clad laminate 10, the carrier foil layer 106 is bonded to both surfaces of the insulating layer 102 together with the copper foil layer 104. Subsequently, as shown in Fig. 7 (b), the carrier foil layer 106 is removed from the copper clad laminate with carrier foil 10. Subsequently, as shown in Fig. 7 (c), a metal layer 115 (plating layer) is formed on the entire surface of the copper foil layer 104 by a plating process. Subsequently, as shown in Fig. 7 (d), a resist layer 112 having a predetermined opening pattern is formed on the planar metal layer 115. Then, as shown in Fig. Subsequently, as shown in Fig. 7 (e), the metal layer 115 and the copper foil layer 104 in the opening pattern of the resist layer 112 are removed by, for example, etching. Thereafter, as shown in Fig. 7 (f), the resist layer 112 is removed. As a result, a pattern of the conductor circuit 119 composed of the copper foil layer 104 and the metal layer 115 can be formed. By the above process, the printed wiring board 101 of the fourth embodiment is obtained. The same effects as those of the first embodiment can be obtained also in the fourth embodiment.

이상과 같이, 본 실시형태에 의하면 캐리어박 부착 극박동박의 미세 회로 가공, 미세 회로의 형상 및 절연 신뢰성이 우수한 프린트 배선판의 제조 방법 및 그 프린트 배선판을 제공하는 것이 가능하게 된다.As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a printed wiring board manufacturing method and a printed wiring board which are excellent in fine circuit processing of the carrier foil-equipped electrostatic chuck, fine pattern shape, and insulation reliability.

본 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법은 프린트 배선판용 기판의 양면에 도체 회로층을 형성하는 경우뿐만 아니라 프린트 배선판용 기판의 편면에만 도체 회로층을 형성하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이 양면 프린트 배선판을 내층 회로판으로 하여 제3 실시형태의 다층 프린트 배선판의 경우도 적용할 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 프린트 배선판의 제조방법에 따라, 편면 프린트 배선판, 양면 프린트 배선판 및 다층 프린트 배선판 중 어느 것도 제조할 수 있다.The method of manufacturing a printed wiring board of the present embodiment can be applied not only to the case where the conductor circuit layer is formed on both surfaces of the substrate for a printed wiring board but also when the conductor circuit layer is formed only on one surface of the substrate for a printed wiring board. As shown in Fig. 2 (c), the multilayer printed wiring board of the third embodiment can also be applied to a double-sided printed wiring board as an inner-layer circuit board. Therefore, according to the method for producing a printed wiring board of the present embodiment, any of a single-sided printed wiring board, a double-sided printed wiring board and a multilayer printed wiring board can be produced.

실시예Example

이하, 본 발명에 관한 캐리어박 부착 극박동박 및 그 동박을 이용한 동장 적층판을 제조하고, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법의 실시형태에 대하여 설명한다. 여기에서는 캐리어박에 전해 동박을 이용한 경우를 중심으로 설명하도록 한다. 본 발명을 실시예 및 비교예에 기초하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a copper clad laminate with a carrier foil according to the present invention and a copper clad laminate using the copper foil and a method for producing a printed wiring board of the present invention will be described. Here, the case where an electrolytic copper foil is used for the carrier foil will be mainly described. The present invention will be described in detail based on examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto.

특별히 기재하지 않는 한, 이하 기재의 「부」는 「중량부」, 「%」는 「중량%」를 나타낸다.Unless specifically stated otherwise, " parts " and "% "

1. 캐리어박 부착 극박동박의 제조1. Manufacture of pole foil with carrier foil

이하, 캐리어박 부착 극박동박의 제조에 대하여 설명한다.Hereinafter, the production of the pole foil with a carrier foil will be described.

(제조예 1)(Production Example 1)

캐리어박(지지 금속박)으로서, 18㎛ 두께의 전해동박의 광택면에 박리층 및 극박동박층을 순차 형성하였다. 제조 조건은 다음과 같다.As a carrier foil (supporting metal foil), a peeling layer and a thin polar thin foil layer were sequentially formed on the glossy surface of an electrolytic copper foil having a thickness of 18 mu m. The manufacturing conditions are as follows.

우선, 캐리어박을 산 세정조(황산: 30g/L)에 5초간 침지하고 표면의 유분, 산화 피막 등을 제거하였다. 이어서, 박리층의 형성조(황산니켈 6수화물: 30g/L, 몰리브덴산나트륨 2수화물: 3g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 30g/L, 액온 30℃)를 이용하여 전류 밀도 20A/dm2로 5초간 전해 처리하고, 캐리어박의 광택면에 박리층을 형성하였다. 이어서, 박리층 위에 벌크 부분(이하, 벌크 동층)을 형성하였다. 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(피로인산구리: 80g/L, 피로인산칼륨: 320g/L, 암모니아수: 2ml/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 PBH, 중량 평균 분자량(MW) 5000): 15ppm, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하여 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 150g/L, 황산: 100g/L, 액온 30℃)을 이용하여 전류 밀도 30A/dm2로 3초 전해 처리한 후에 전류 밀도 5A/dm2로 70초 전해 처리하고 벌크 동층 위에 조화족 부분(이하, 조화 동층)을 형성하였다. 이어서, 방청 처리조(중크롬산나트륨 2수화물: 3.5g/L, 액온 28℃)를 이용하여 전류 밀도 0.5A/dm2로 2.5초 전해 처리하고 방청 처리하였다. 이어서, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란 1중량%의 수용액에 침지하고, 표면을 처리하였다. 그 후, 80℃에서 10분간 건조하였다. 이로써, 제조예 1에 관한 캐리어박 부착 극박동박이 형성되었다.First, the carrier foil was immersed in an acid cleaning bath (sulfuric acid: 30 g / L) for 5 seconds to remove oil and oxidation film on the surface. Subsequently, a current density of 20 A / dm 2 ( 30 g / L) was measured using a separation layer forming system (30 g / L of nickel sulfate hexahydrate, 3 g / L of sodium molybdate dihydrate, 30 g / L of tri- For 5 seconds to form a release layer on the glossy surface of the carrier foil. Subsequently, a bulk portion (hereinafter referred to as a bulk copper layer) was formed on the release layer. The bulk copper layer was formed as follows. First, electrolytic treatment was carried out for 15 seconds at a current density of 2.0 A / dm 2 using a plating bath (80 g / L of copper pyrophosphate, 320 g / L of potassium pyrophosphate, 2 ml / L of ammonia water and 40 캜 of liquid temperature) To form a first bulk copper layer. Subsequently, a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, gelatin (Nippon Company, trade name: PBH, weight average molecular weight (MW) 5000: 15 ppm, chloride ion: And electrolytically treated at a current density of 3.5 A / dm 2 for 150 seconds to form a second bulk copper layer on the first bulk copper layer. As a result, a bulk copper layer was formed. Then, the plating bath (copper sulfate pentahydrate: 150g / L, sulfuric acid: 100g / L, liquid temperature of 30 ℃) the use to deliver 70 seconds after electrolytic 3 seconds with a current density of 30A / dm 2 treated with a current density of 5A / dm 2 treatment And a harmonious part (hereinafter referred to as a coarsened copper layer) was formed on the bulk copper layer. Subsequently, electrolytic treatment was carried out for 2.5 seconds at a current density of 0.5 A / dm 2 using a rust-inhibiting treatment tank (sodium bichromate dihydrate: 3.5 g / L, liquid temperature 28 ° C) and rust-proofing treatment. Subsequently, it was immersed in an aqueous solution of 1% by weight of N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and the surface was treated. Then, it was dried at 80 DEG C for 10 minutes. Thus, a carrier foil with a carrier foil according to Production Example 1 was formed.

(제조예 2)(Production Example 2)

벌크 동층의 제조 조건을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 캐리어박 부착 극박동박을 형성하였다.A polar foil with a carrier foil was formed in the same manner as in Production Example 1 except for the production conditions of the bulk copper layer.

본 제조예에서 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(황산구리 5수화물: 30g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 40g/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 PBF, 중량 평균 분자량(MW) 3000): 20ppm, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하여, 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다.In this example, the bulk copper layer was formed as follows. First, electrolytic treatment was carried out at a current density of 2.0 A / dm 2 for 15 seconds using a plating bath (30 g / L of copper sulfate pentahydrate, 3 g of sodium citrate dihydrate: 40 g / L, liquid temperature 40 캜) A copper layer was formed. Subsequently, a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, gelatin (Nippon Company, trade name PBF, weight average molecular weight (MW) 3000: 20 ppm, chloride ion: And subjected to electrolytic treatment at a current density of 3.5 A / dm 2 for 150 seconds to form a second bulk copper layer on the first bulk copper layer. As a result, a bulk copper layer was formed.

(제조예 3)(Production Example 3)

벌크 동층의 제조 조건을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 캐리어박 부착 극박동박을 형성하였다.A polar foil with a carrier foil was formed in the same manner as in Production Example 1 except for the production conditions of the bulk copper layer.

본 제조예에서 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(황산구리 5수화물: 30g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 40g/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 PA-10, 중량 평균 분자량(MW) 1000): 25ppm, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하여, 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다.In this example, the bulk copper layer was formed as follows. First, electrolytic treatment was carried out at a current density of 2.0 A / dm 2 for 15 seconds using a plating bath (30 g / L of copper sulfate pentahydrate, 3 g of sodium citrate dihydrate: 40 g / L, liquid temperature 40 캜) A copper layer was formed. Thereafter, a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, gelatin (Nippon Company, trade name PA-10, weight average molecular weight (MW) 1000: 25 ppm, chloride ion: At a current density of 3.5 A / dm 2 for 150 seconds to form a second bulk copper layer on the first bulk copper layer. As a result, a bulk copper layer was formed.

(제조예 4)(Production Example 4)

벌크 동층의 제조 조건을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 캐리어박 부착 극박동박을 형성하였다.A polar foil with a carrier foil was formed in the same manner as in Production Example 1 except for the production conditions of the bulk copper layer.

본 제조예에서 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(황산구리 5수화물: 30g/L, 황산니켈 6수화물: 5g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 40g/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 PA-10, 중량 평균 분자량(MW) 1000): 35ppm, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하여, 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다.In this example, the bulk copper layer was formed as follows. First, electrolysis was carried out at a current density of 2.0 A / dm 2 for 15 seconds using a plating bath (30 g / L of copper sulfate pentahydrate, 5 g / L of nickel sulfate hexahydrate, 5 g / L of tri-sodium citrate dihydrate: 40 g / And a first bulk copper layer was formed on the release layer. Then, a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, gelatin (Nippon Company, product name: PA-10, weight average molecular weight (MW) 1000: 35 ppm, chloride ion: At a current density of 3.5 A / dm 2 for 150 seconds to form a second bulk copper layer on the first bulk copper layer. As a result, a bulk copper layer was formed.

(제조예 5)(Production Example 5)

벌크 동층의 제조 조건을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 캐리어박 부착 극박동박을 형성하였다.A polar foil with a carrier foil was formed in the same manner as in Production Example 1 except for the production conditions of the bulk copper layer.

본 제조예에서 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(황산구리 5수화물: 30g/L, 황산니켈 6수화물: 5g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 40g/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 PBH, 중량 평균 분자량(MW) 5000): 30ppm, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하여, 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다.In this example, the bulk copper layer was formed as follows. First, electrolysis was carried out at a current density of 2.0 A / dm 2 for 15 seconds using a plating bath (30 g / L of copper sulfate pentahydrate, 5 g / L of nickel sulfate hexahydrate, 5 g / L of tri-sodium citrate dihydrate: 40 g / And a first bulk copper layer was formed on the release layer. Subsequently, a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, gelatin (Nippon Company, trade name: PBH, weight average molecular weight (MW) 5000: 30 ppm, chloride ion: And subjected to electrolytic treatment at a current density of 3.5 A / dm 2 for 150 seconds to form a second bulk copper layer on the first bulk copper layer. As a result, a bulk copper layer was formed.

(제조예 6)(Production Example 6)

캐리어박(지지 금속층)으로서, 18㎛ 두께의 전해동박의 광택면에 박리층 및 극박동박층을 순차 형성하였다. 제조 조건은 다음과 같다.As a carrier foil (supporting metal layer), a release layer and a thin polar thin foil layer were sequentially formed on the glossy surface of an electrolytic copper foil having a thickness of 18 mu m. The manufacturing conditions are as follows.

우선, 캐리어박을 산 세정조(황산: 50g/L)에 15초간 침지하고 표면의 유분, 산화 피막 등을 제거하였다. 이어서, 박리층의 형성조(카복시벤조트리아졸 용액: 시약, 액온 40℃)에 15초간 침지하고, 캐리어박의 광택 표면에 박리층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 150g/L, 황산: 150g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 PBH, 중량 평균 분자량(MW) 5000): 15ppm, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 10A/dm2로 180초 전해 처리하여 박리층 위에 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 150g/L, 황산: 100g/L, 액온 30℃)을 이용하여 전류 밀도 30A/dm2로 3초 전해 처리한 후에 전류 밀도 5A/dm2로 70초 전해 처리하고 벌크 동층 위에 조화 동층을 형성하였다. 이어서, 방청 처리조(중크롬산나트륨 2수화물: 3.5g/L, 액온 28℃)를 이용하여 전류 밀도 0.5A/dm2로 2.5초 전해 처리하고 방청 처리하였다. 이어서, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란 1중량%의 수용액에 침지하고, 표면을 처리하였다. 그 후, 80℃에서 10분간 건조하였다. 이로써, 제조예 6에 관한 캐리어박 부착 극박동박이 형성되었다.First, the carrier foil was immersed in an acid cleaning tank (sulfuric acid: 50 g / L) for 15 seconds to remove oil and oxide films on the surface. Subsequently, the substrate was immersed for 15 seconds in a formation bath of a release layer (carboxybenzotriazole solution: reagent, solution temperature 40 ° C) for 15 seconds to form a release layer on the glossy surface of the carrier foil. Subsequently, a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 150 g / L, sulfuric acid: 150 g / L, gelatin (Nippon Company, trade name: PBH, weight average molecular weight (MW) 5000: 15 ppm, chloride ion: And subjected to electrolytic treatment at a current density of 10 A / dm 2 for 180 seconds to form a bulk copper layer on the release layer. Then, the plating bath (copper sulfate pentahydrate: 150g / L, sulfuric acid: 100g / L, liquid temperature of 30 ℃) the use to deliver 70 seconds after electrolytic 3 seconds with a current density of 30A / dm 2 treated with a current density of 5A / dm 2 treatment And a coarse copper layer was formed on the bulk copper layer. Subsequently, electrolytic treatment was carried out for 2.5 seconds at a current density of 0.5 A / dm 2 using a rust-inhibiting treatment tank (sodium bichromate dihydrate: 3.5 g / L, liquid temperature 28 ° C) and rust-proofing treatment. Subsequently, it was immersed in an aqueous solution of 1% by weight of N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and the surface was treated. Then, it was dried at 80 DEG C for 10 minutes. Thus, a carrier foil with a carrier foil according to Production Example 6 was formed.

(제조예 7)(Production Example 7)

벌크 동층의 제조 조건을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 캐리어박 부착 극박동박을 형성하였다.A polar foil with a carrier foil was formed in the same manner as in Production Example 1 except for the production conditions of the bulk copper layer.

본 제조예에서 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(황산구리 5수화물: 30g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 40g/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하여, 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다.In this example, the bulk copper layer was formed as follows. First, electrolytic treatment was carried out at a current density of 2.0 A / dm 2 for 15 seconds using a plating bath (30 g / L of copper sulfate pentahydrate, 3 g of sodium citrate dihydrate: 40 g / L, liquid temperature 40 캜) A copper layer was formed. Subsequently, electrolytic treatment was conducted for 150 seconds at a current density of 3.5 A / dm 2 using a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, chloride ion: A second bulk copper layer was formed. As a result, a bulk copper layer was formed.

(제조예 8)(Preparation Example 8)

벌크 동층의 제조 조건을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 캐리어박 부착 극박동박을 형성하였다.A polar foil with a carrier foil was formed in the same manner as in Production Example 1 except for the production conditions of the bulk copper layer.

본 제조예에서 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(황산구리 5수화물: 30g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 40g/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 PBF, 중량 평균 분자량(MW) 3000): 20ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하고, 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다.In this example, the bulk copper layer was formed as follows. First, electrolytic treatment was carried out at a current density of 2.0 A / dm 2 for 15 seconds using a plating bath (30 g / L of copper sulfate pentahydrate, 3 g of sodium citrate dihydrate: 40 g / L, liquid temperature 40 캜) A copper layer was formed. Subsequently, using a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, gelatin (Nippon Company, trade name: PBF, weight average molecular weight (MW) / dm < 2 > for 150 seconds to form a second bulk copper layer on the first bulk copper layer. As a result, a bulk copper layer was formed.

(제조예 9)(Preparation Example 9)

벌크 동층의 제조 조건을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 캐리어박 부착 극박동박을 형성하였다.A polar foil with a carrier foil was formed in the same manner as in Production Example 1 except for the production conditions of the bulk copper layer.

본 제조예에서 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(황산구리 5수화물: 30g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 40g/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 AP, 중량 평균 분자량(MW) 8000): 30ppm, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하여, 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다.In this example, the bulk copper layer was formed as follows. First, electrolytic treatment was carried out at a current density of 2.0 A / dm 2 for 15 seconds using a plating bath (30 g / L of copper sulfate pentahydrate, 3 g of sodium citrate dihydrate: 40 g / L, liquid temperature 40 캜) A copper layer was formed. Subsequently, using a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, gelatin (Nippon Company, trade name AP, weight average molecular weight (MW) 8000): 30 ppm, chloride ion: And subjected to electrolytic treatment at a current density of 3.5 A / dm 2 for 150 seconds to form a second bulk copper layer on the first bulk copper layer. As a result, a bulk copper layer was formed.

(제조예 10)(Preparation Example 10)

벌크 동층의 제조 조건을 제외하고, 제조예 1과 동일하게 캐리어박 부착 극박동박을 형성하였다.A polar foil with a carrier foil was formed in the same manner as in Production Example 1 except for the production conditions of the bulk copper layer.

본 제조예에서 벌크 동층은 다음과 같이 형성하였다. 우선, 도금욕(황산구리 5수화물: 30g/L, 구연산 3나트륨 2수화물: 40g/L, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 2.0A/dm2로 15초간 전해 처리하고, 박리층 위에 제1 벌크 동층을 형성하였다. 이어서, 도금욕(황산구리 5수화물: 160g/L, 황산: 100g/L, 젤라틴(닛피사 제, 상품명 PBF, 중량 평균 분자량(MW) 3000): 5ppm, 염화물 이온: 5ppm, 액온 40℃)을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2로 150초 전해 처리하여, 제1 벌크 동층 위에 제2 벌크 동층을 형성하였다. 이로써, 벌크 동층이 형성되었다.In this example, the bulk copper layer was formed as follows. First, electrolytic treatment was carried out at a current density of 2.0 A / dm 2 for 15 seconds using a plating bath (30 g / L of copper sulfate pentahydrate, 3 g of sodium citrate dihydrate: 40 g / L, liquid temperature 40 캜) A copper layer was formed. Subsequently, a plating bath (copper sulfate pentahydrate: 160 g / L, sulfuric acid: 100 g / L, gelatin (Nippon Company, trade name PBF, weight average molecular weight (MW) 3000: 5 ppm, chloride ion: And subjected to electrolytic treatment at a current density of 3.5 A / dm 2 for 150 seconds to form a second bulk copper layer on the first bulk copper layer. As a result, a bulk copper layer was formed.

2. 수지 바니시의 제조2. Manufacture of resin varnish

나프틸렌 에테르형 에폭시 수지(DIC사 제, HP-6000) 20중량부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC(주) 제, HP4032D) 5중량부, 시아네이트 수지(론자제팬사 제, PT-30) 17중량부, 비스말레이미드 수지(케이아이카세이코교사 제, BMI-70) 7.5중량%, 실리카 입자(토쿠야마사 제 NSS-5N, 평균 입경 70nm)를 7중량부, 구상 실리카(아드마텍스사 제 SO-25R, 평균 입경 0.5㎛) 35.5중량부, 실리콘 입자(신에츠카가꾸코교(주) 제, KMP600, 평균 입경 5㎛) 7.5중량부, 옥틸산 아연 0.01중량부, 에폭시실란(신에츠카가꾸코교사 제, KBM-403E) 0.5중량부를 메틸에틸케톤에 용해·혼합시켰다. 이어서, 고속 교반 장치를 이용하여 교반하고 비휘발분 70중량%가 되도록 조정하여 수지 바니시를 조제하였다.20 parts by weight of a naphthylene ether type epoxy resin (HP-6000, manufactured by DIC), 5 parts by weight of a naphthalene type epoxy resin (HP4032D, manufactured by DIC Corporation), a cyanate resin (PT- , 7 parts by weight of silica particles (NSS-5N manufactured by TOKUYAMA CORPORATION, average particle size 70 nm), 7 parts by weight of bismaleimide resin (BMI-70 made by KEIKA SEIKO CO., LTD.), 35.5 parts by weight of a silicone oil (SO-25R, average particle diameter 0.5 占 퐉), 7.5 parts by weight of silicone particles (KMP600, average particle diameter 5 占 퐉, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 0.01 parts by weight of zinc octylate, Ltd., KBM-403E) were dissolved and mixed in methyl ethyl ketone. Then, the mixture was stirred using a high-speed stirrer and adjusted to a non-volatile content of 70% by weight to prepare a resin varnish.

3. 프리프레그의 제조3. Preparation of prepreg

섬유 기재로서 유리 직포(니토보세키사 제, T 유리 직포, WTX-1078, 평질량 48g/m2, 두께 45㎛)를 이용하여, 상기에서 조정한 수지 바니시를 함침 도포시키고, 180℃의 가열로에서 2분 건조시켜 두께 0.05mm의 프리프레그를 얻었다.The resin varnish prepared above was impregnated and impregnated with glass woven fabric (Nitoboseki, T glass woven fabric, WTX-1078, flatness of 48 g / m 2 , thickness of 45 탆) For 2 minutes to obtain a prepreg having a thickness of 0.05 mm.

4. 동장 적층판의 제조4. Manufacture of copper clad laminate

상기에서 얻은 프리프레그를 4장 겹치고, 그 양면에 캐리어박 부착 극박동박(2㎛)을 겹쳤으며, 압력 3MPa, 온도 200℃에서 60분(200℃에 도달한 후, 60분간 가열) 가열 가압 성형함으로써 양면에 동박을 갖는 동장 적층판을 얻었다. 또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서 이용되는 캐리어박 부착 극박동박은 표 1 및 표 2에 기재한 바와 같다.Four sheets of the obtained prepregs were superimposed on each other, and a polar beater with a carrier foil (2 mu m) was superimposed on both sides thereof. The laminate was heated at a pressure of 3 MPa and a temperature of 200 DEG C for 60 minutes (after reaching 200 DEG C, Thereby obtaining a copper clad laminate having copper foils on both sides. In addition, the carrier foil-attached ultra-violet foil used in each of the Examples and Comparative Examples is as shown in Tables 1 and 2.

5. 평가5. Evaluation

각 실시예 및 비교예에서 얻은 캐리어 부착 극박동박을 이용하여 이하의 평가를 수행하였다. 평가 항목을 내용과 함께 나타내며, 얻은 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.The following evaluations were carried out using the carrier-adhered polar beats obtained in the respective Examples and Comparative Examples. The evaluation items are shown together with the contents, and the obtained results are shown in Tables 1 and 2.

(1) 비커스 경도의 측정(1) Measurement of Vickers hardness

비커스 경도의 측정은 JIS Z 2244에 준거하여 이하의 순서로 아카시사 제, 미소 경도계(형번 MVK-2H)를 이용하여 23℃에서 실시했다. 정상 상태의 샘플로는 벌크 동층까지 형성한 직후의 캐리어 부착 극박동박을 이용하였다. 또한, 열처리 후의 샘플로는 벌크 동층까지 형성한 캐리어 부착 극박동박을 230℃로 가열한 오븐(질소 분위기) 내에 1시간 방치한 후의 것을 이용하였다. 측정 조건은 절단 시료에 부하 속도 3㎛/초, 시험 하중 5gf, 유지 시간 15초의 조건에서 압흔을 찍고, 압흔의 측정 결과로부터 비커스 경도를 산출하여 임의의 5점의 비커스 경도를 측정한 평균값을 그 조건의 값으로 하였다.The Vickers hardness was measured in accordance with JIS Z 2244 in the following procedure at 23 캜 using an acrylic hardness tester (Model No. MVK-2H). As a steady-state sample, a carrier-adhered polarizing foil immediately after forming the bulk copper layer was used. As a sample after the heat treatment, the carrier-adhered polar beats having been formed up to the bulk copper layer were left in an oven (nitrogen atmosphere) heated to 230 占 폚 and used for one hour. The measurement conditions were indentations under the conditions of a loading speed of 3 탆 / second, a test load of 5 gf and a holding time of 15 seconds, and Vickers hardness was calculated from indentation measurement results to determine the average value of arbitrary five points of Vickers hardness As the value of the condition.

(2) 에칭 속도(V1, V2)(2) Etching rates (V1, V2)

1. 캐리어박을 제거한 극박동박을 양면에 적층한 기판을 40mm×80mm로 재단하여 샘플편을 얻는다. 샘플편을 버니어 캘리퍼스로 소수점 이하 2자리까지 읽어 샘플편의 편면적을 산출한다.1. A substrate having laminated on both sides thereof a polar beater having the carrier foil removed is cut into a size of 40 mm x 80 mm to obtain a sample piece. The sample piece is read to two decimal places with a vernier caliper to calculate the area of the sample piece.

2. 수평 건조 라인에서 80℃, 1분×3회의 건조 처리를 샘플편에 대하여 수행한다.2. A drying treatment at 80 ° C for 1 minute x 3 times in a horizontal drying line is performed on the sample piece.

3. 샘플편의 초기 중량 WO를 측정한다(단, 기판 중량 포함).3. Measure the initial weight WO of the sample piece (but including the weight of the substrate).

4. 에칭액을 조정한다.4. Adjust the etchant.

4-1: 95% 황산(와코준야꾸사 제, 특급)을 60g 칭량하고 1L의 비이커에 넣는다.4-1: Weigh 60 g of 95% sulfuric acid (Wako Pure Chemical Industries, Limited) and put in a 1L beaker.

4-2: 순수를 4-1에서 이용한 비이커에 투입하여 계 1000cc로 한다.4-2: The pure water is poured into a beaker using 4-1 to make 1000cc.

4-3: 마그네틱 교반기를 이용하여 30℃±1℃에서 3분 교반한다.4-3: Using a magnetic stirrer, stir at 30 ° C ± 1 ° C for 3 minutes.

4-4: 34.5% 과산화수소수(칸토카가꾸사 제, 녹1급)를 20cc 칭량하여 4-1에서 이용한 비이커에 넣고 계 1020cc로 한 후, 30℃±1℃에서 3분 교반한다. 이로써, 황산 55.9g/L 및 34.5% 과산화수소수 19.6cc/L의 에칭액이 얻어진다.4-4: 20 cc of 34.5% aqueous hydrogen peroxide (manufactured by Kanto Kagaku Kogyo Co., Ltd.) is weighed and placed in a beaker used at 4-1, the temperature is adjusted to 1020 cc and the mixture is stirred at 30 ° C ± 1 ° C for 3 minutes. Thereby, an etching solution of 55.9 g / L of sulfuric acid and 19.6 cc / L of 34.5% aqueous hydrogen peroxide was obtained.

5. 상기 에칭액(액온 30℃±1℃, 교반 조건: 마그네틱 교반기, 250rpm)에 샘플편을 침지한다.5. The sample piece is immersed in the above etching solution (liquid temperature 30 ° C ± 1 ° C, stirring conditions: magnetic stirrer, 250rpm).

6. 극박동박의 벌크 층이 완전히 에칭되기까지 30초마다 샘플편의 중량 W1을 측정한다(단, 기판 중량 포함).6. Measure the weight W1 of the sample piece (including the weight of the substrate) every 30 seconds until the bulk layer of the polar beater is completely etched.

7. 에칭 중량(W0-W1)/(침지시킨 양면 면적=m2)을 산출하여 X축에 에칭 시간(초), Y축에 에칭 질량(g/m2)을 플롯한다. 0∼150초 사이에 대하여 최소자승법을 이용하여 산출된 기울기 K1으로부터 벌크 동층의 에칭 속도 V1(㎛/분) = K1(g/초·m2) ÷ 8.92(구리비중 g/cm3) × 60(초/분)을 산출한다.7. Plot the etching weight (W0-W1) / (the immersion area on both sides which m = 2), the etching time (seconds) and the etching weight (g / m 2) in the Y-axis to the X-axis by calculating a. (G / cm 2 ) ÷ 8.92 (copper specific gravity g / cm 3 ) × 60 (μm / min) from the slope K1 calculated using the least squares method for 0 to 150 seconds (Seconds / minute).

8. 그 후, 극박동박의 조화 동층이 완전히 에칭되기까지 10초마다 샘플편의 중량 W2를 측정한다(단, 기판 중량 포함).8. Then, the weight W2 of the sample piece (including the weight of the substrate) is measured every 10 seconds until the coarse copper layer of the polar beater is completely etched.

9. 에칭 중량(W0-W2)/(침지시킨 양면 면적=m2)을 산출하고, X축에 에칭 시간(초), Y축에 에칭 질량(g/m2)을 플롯한다. 0∼30초 사이에 대하여 최소자승법을 사용하여 산출된 기울기 K2로부터 조화 동층의 에칭 속도 V2(㎛/분) = K2(g/초·m2) ÷ 8.92(구리비중 g/cm3) × 60(초/분)을 산출한다.9. Plot the etching weight (W0-W2) / etching mass (g / m 2) of the etching time (seconds), Y axis in the calculation (in which both sides of the immersion area = m 2), and the X-axis. (G / cm 2 ) ÷ 8.92 (copper specific gravity g / cm 3 ) × 60 (μm / min) from the slope K2 calculated using the least squares method for 0 to 30 seconds (Seconds / minute).

(3) 요철 평가 방법(3) Evaluation method of unevenness

후술하는 (4)에서 얻어진 프린트 배선판을 바로 위에서 관찰하여 얻어진 SEM 이미지(2000배)를 이용하여 배선 간의 구리 잔사를 2치화(2値化)(Media Cybernetics사 제, 화상 처리 소프트; Image Pro Prus ver5.1)하여 잔동도(殘銅度)를 산출하였다.Copper residue between wiring lines was binarized (image processing software; Image Pro Prus ver. 5 (manufactured by Media Cybernetics Inc.)) using an SEM image (2000 times) obtained by observing the printed wiring board obtained in (4) 1) to calculate the residual copper degree.

Figure 112014095097683-pct00004
Figure 112014095097683-pct00004

표 1 및 표 2에서의 각 부호는 이하와 같다.The symbols in Table 1 and Table 2 are as follows.

◎ : 2 이하A: not more than 2

○ : 2 보다 크고 10 이하A: greater than 2 and less than 10

× : 10 이상X: 10 or more

(4) 세선 간의 절연성(4) insulation between thin wires

1. 캐리어박을 제거한 극박동박을 양면에 적층한 기판의 표면에 대하여, 화학 연마액(미츠비시가스카가꾸(주) 제, 상품명: CPB-60)으로 5초간, 23℃에서 소프트 에칭하여 산화구리를 제거하였다. 이어서, 두께 25㎛의 자외선 감광성 드라이 필름(아사히카세이사 제, 선포트 UFG-255)을 핫-롤 라미네이터로 기판 위에 첩합시켰다. 이어서, 최소선폭/선간이 20/20㎛인 패턴이 그려진 유리 마스크(토픽사 제)를 위치 정렬하였다. 이어서, 상기 드라이 필름에 대하여 상기 유리 마스크를 이용하여 노광장치(오노 측정기 EV-0800)로 노광, 탄산 소다 수용액으로 현상하였다. 이로써 레지스트 마스크를 형성하였다.1. The surface of the substrate on which the carrier foil was removed and laminated on both surfaces thereof was soft-etched with a chemical polishing liquid (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, trade name: CPB-60) for 5 seconds at 23 占 폚, . Subsequently, an ultraviolet photosensitive dry film (Sun Port UFG-255, manufactured by Asahi Kasei Corporation) having a thickness of 25 mu m was bonded onto the substrate with a hot-roll laminator. Subsequently, a glass mask (topic article) in which a pattern with a minimum line width / line-to-line spacing of 20/20 占 퐉 was drawn was aligned. Subsequently, the dry film was exposed to light using an exposure apparatus (Ono measuring instrument EV-0800) using the glass mask and developed with a sodium carbonate aqueous solution. Thereby, a resist mask was formed.

2. 이어서, 극박동박층을 급전층 전극으로 하고, 전해 구리 도금(오쿠노세야꾸사 제 81-HL)을 3A/dm2, 25분간 수행하여 두께 약 20㎛의 구리 배선 패턴을 형성하였다. 이어서, 박리기를 이용하여 모노에탄올아민 용액(미츠비시가스카가꾸사 제 R-100)으로 상기 레지스트 마스크를 박리하였다.2. Next, a copper wiring pattern having a thickness of about 20 탆 was formed by performing electrolytic copper plating (81-HL, made by Okuno Seiyaku Co., Ltd.) at 3A / dm 2 for 25 minutes using a thin layer of ultrasonic vibration as a feed layer electrode. Subsequently, the resist mask was peeled off with a monoethanolamine solution (R-100 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) using a peeling machine.

3. 그리고 급전층인 극박동박층을 플래쉬 에칭(에칭 속도가 동일한 액)에 의해 제거하고, L/S=20/20㎛의 패턴을 형성하였다(패턴상 에칭). 이로써, 프린트 배선판을 얻었다.3. The ultrathin thin layer as the feed layer was removed by flash etching (liquid having the same etching rate) to form a pattern of L / S = 20/20 占 퐉 (pattern etching). Thus, a printed wiring board was obtained.

4. 시험 샘플로는 솔더 레지스트 대신에 절연 수지 시트(스미토모 베이클리트사 제, BLA-3700GS)를 적층, 온도 220℃에서 경화한 샘플을 이용하여 온도 130℃, 습도 85%, 인가 전압 10V의 조건에서 연속 습중 절연 저항을 평가하였다. 또한, 저항값 106Ω 이하를 고장으로 하였다.4. An insulating resin sheet (BLA-3700GS made by Sumitomo Bakery Co., Ltd.) was laminated as a test sample in place of the solder resist, and the sample was cured at a temperature of 220 캜 under conditions of a temperature of 130 캜, a humidity of 85% Were evaluated for continuous wet insulation resistance. Also, the resistance value was 10 6 Ω or less.

부호는 아래와 같다.The codes are as follows.

◎ : 300 시간 이상 고장 없음◎: No breakdown for 300 hours

○ : 150∼300 시간 미만에서 고장 있음○: Failure in less than 150-300 hours

× : 150 시간 미만에서 고장 있음X: Failure in less than 150 hours

(5) 배선 형상(또는 회로 직선성)(5) Wiring shape (or circuit linearity)

1. 샘플은 상기 (4)에서 얻어진 프린트 배선판을 이용하였다.1. The sample was the printed wiring board obtained in (4) above.

2. 현미경을 이용하여 에칭 후의 회로를 바로 위에서 관찰한 때의 회로 기저부의 윤곽을 평가하였다. 또한, 현미경을 이용하여 에칭 후의 회로의 단면을 관찰한 때의 배선 형상을 평가하였다.2. Using a microscope, the outline of the circuit base was observed when the circuit after etching was observed directly above. Further, the wiring shape when the cross section of the circuit after etching was observed using a microscope was evaluated.

부호는 아래와 같다.The codes are as follows.

◎ : 바로 위에서 관찰한 때에, 회로 기저부의 윤곽이 직선으로 보인다. 또한, 단면에 있어서 기저 말단의 폭 넓어짐이 없다.A: The outline of the circuit base portion is seen as a straight line when observing from above. In addition, there is no widening of the base end in the cross section.

○ : 바로 위에서 관찰한 때에, 회로 기저부의 윤곽이 직선으로 보인다. 또한, 단면에 있어서 기저 말단이 작다.O: When observing directly above, the contour of the circuit base portion appears as a straight line. Also, the base end is small in cross-section.

× : 바로 위에서 관찰한 때에, 회로 기저부의 윤곽이 곡선상으로 보이는 부분이 있다. 또한, 단면에 있어서 기저 말단이 크다.X: There is a portion where the contour of the circuit base portion appears as a curved line when observed directly above. In addition, the base end is larger in cross-section.

(6) 결정 입계 지름(㎛)(6) grain boundary grain diameter (占 퐉)

JIS H 0501에 준하여 결정 입계 지름을 측정하였다. 순서는 하기와 같다.The grain boundary diameter was measured according to JIS H 0501. The order is as follows.

1. 캐리어박을 제거한 극박동박을 양면에 적층한 기판을 FIB(수속 이온 빔) 가공 장치를 이용하여 가공한 후, SIM(Scanning Ion Microscope) 관찰 사진을 촬영한다.1. A substrate on which polar thin foils having carrier foils removed are laminated on both sides is processed by using an FIB (convergent ion beam) processing apparatus, and then a SIM (Scanning Ion Microscope) observation photograph is taken.

2. 촬영한 사진의 단면의 결정 입도를 JIS H 0501에 규정되는 비교법의 표준 사진으로부터 산출한다. 또한, 이 규격의 부도(付圖)에는 75배로 관찰한 결정 입도 0.010mm까지밖에 도시되지 않으므로 가장 유사한 그림과 관찰시의 배율을 감안하여 산출하였다.2. Calculate the grain size of the cross section of the photographed picture from the standard photograph of the comparative method specified in JIS H 0501. In addition, in the annex of this standard, the grain size observed at 75 times is only 0.010 mm, so the most similar figure and the magnification at the time of observation are taken into account.

Figure 112014095097683-pct00005
Figure 112014095097683-pct00005

Figure 112014095097683-pct00006
Figure 112014095097683-pct00006

또한, 당연하지만 상술한 실시형태 및 복수의 변형예는 그 내용이 상반되지 않는 범위에서 조합시킬 수 있다. 또한, 상술한 실시형태 및 변형예에서는 각 부의 구조 등을 구체적으로 설명하였지만 그 구조 등은 본원 발명을 만족하는 범위에서 다양한 종류로 변경할 수 있다.Needless to say, the above-described embodiment and a plurality of modified examples can be combined within a range in which the content is not contradictory. While the structure and the like of each part have been specifically described in the above-described embodiments and modifications, the structure and the like can be changed into various types within the scope of satisfying the present invention.

이 출원은 2012년 3월 16일에 출원된 일본 특허출원 특원 2012-059742를 기초로 하는 우선권을 주장하며, 그 개시 전체를 여기에 포함한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2012-059742, filed on March 16, 2012, the entire disclosure of which is incorporated herein by reference.

Claims (6)

절연층과 상기 절연층의 적어도 한쪽 면에 위치하는 동박을 구비하고 있으며, 상기 동박을 에칭함으로써 도체 회로를 형성하여 얻어지는 소자 탑재 기판에 이용하는 적층판으로서,
황산 55.9g/L 및 34.5% 과산화수소수 19.6cc/L로 이루어지며 또한 액온(液溫)이 30℃±1℃인 황산/과산화수소계의 에칭액에, 상기 적층판을 침지시키는 조건 하에서의 상기 동박의 에칭 속도가 0.68㎛/분 이상, 1.25㎛/분 이하인 적층판.
A laminated board for use in an element mounting board obtained by forming a conductor circuit by etching an insulating layer and a copper foil located on at least one side of the insulating layer,
The etching rate of the copper foil under the condition of immersing the laminate in an etching solution of sulfuric acid / hydrogen peroxide system consisting of 55.9 g / L of sulfuric acid and 19.6 cc / L of 34.5% hydrogen peroxide and having a liquid temperature of 30 ° C ± 1 ° C Of 0.68 탆 / min or more and 1.25 탆 / min or less.
청구항 1에 있어서,
이하 조건의 가열 처리 전후에서의 상기 동박의 비커스 경도의 차가 0Hv 이상 50Hv 이하인 적층판.
조건: 가열 온도가 230℃, 가열 시간이 1시간이다.
The method according to claim 1,
The difference in Vickers hardness of the copper foil before and after the heat treatment under the following conditions is 0Hv to 50Hv.
Condition: The heating temperature was 230 占 폚 and the heating time was 1 hour.
청구항 1에 있어서,
상기 동박의 막 두께가 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하인 적층판.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the copper foil is 0.1 占 퐉 or more and 5 占 퐉 or less.
청구항 1에 있어서,
230℃, 1시간 가열 처리 후에 있어서, 상기 동박의 비커스 경도가 180Hv 이상 240Hv 이하인 적층판.
The method according to claim 1,
Wherein the Vickers hardness of the copper foil after the heat treatment at 230 占 폚 for 1 hour is 180 Hv or more and 240 Hv or less.
청구항 1에 있어서,
230℃, 1시간 가열 처리 후의 상기 동박의 단면 결정 입도가 2.0㎛ 이하인 적층판.
The method according to claim 1,
And a cross-sectional grain size of the copper foil after the heat treatment at 230 占 폚 for 1 hour is 2.0 占 퐉 or less.
절연층과 상기 절연층의 적어도 한 면에 위치하는 동박을 구비하는 적층판을 준비하는 공정과,
상기 동박을 선택적으로 제거함으로써 도체 회로를 형성하는 공정을 포함하며,
상기 적층판이 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 적층판인, 프린트 배선판의 제조 방법.
A step of preparing a laminate including an insulating layer and a copper foil located on at least one side of the insulating layer;
And forming a conductor circuit by selectively removing the copper foil,
Wherein the laminated board is the laminated board according to any one of claims 1 to 5.
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