KR101522117B1 - 반도체소자 접합용 귀금속 페이스트 - Google Patents

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마사유키 미야이리
노부유키 아키야마
가츠지 이나가키
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다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

부재 오염을 발생시키지 않고, 접합 부재에 대해 균일하게 도포 가능하게 하면서, 접합 후의 상태도 양호해지는 귀금속 페이스트를 제공한다.
본 발명은 귀금속 분말과 유기 용제로 구성되는 귀금속 페이스트에 있어서, 귀금속 분말은 순도 99.9 질량% 이상, 평균 입경 0.1~0.5 ㎛, 유기 용제는 비점 200~350℃이고, 회전 점도계에 의한 23℃에 있어서의 전단속도 40/s의 점도에 대한 4/s의 점도의 측정값으로부터 산출되는 틱소트로피 지수(TI)값이 6.0 이상인 반도체소자 접합용 귀금속 페이스트에 관한 것이다.

Description

반도체소자 접합용 귀금속 페이스트{Precious metal paste for bonding semiconductor element}
본 발명은 기판과 반도체소자의 접합에 적합한 귀금속 페이스트에 관한 것이다.
반도체소자의 기판으로의 다이 본딩 등, 각종 부재의 접합에는, 납재가 널리 사용되고 있고, 플럭스리스의 납재인 AuSn계 납재가 일반적으로 사용되고 있다. 납재를 사용하여 각종 부재를 접합하는 경우, 납재를 매개로 접합하는 한쌍의 부재를 배치한 후, 납재가 용융되는 융점 이상(약 300℃ 이상)의 온도로 가열하여 납재를 융착시키는 방법이 알려져 있다. 그러나, 이러한 고온으로 가열하면, 접합 후에 부재에 가해지는 열응력에 의해, 반도체소자 등의 부재의 경우는, 전기적 특성의 변동이라는 문제를 발생시키는 경우가 있었다.
이러한 이유로부터, 납재 대신에, 될 수 있는 한 저온의 가열에 의해 부재를 접합할 수 있는 재료가 요망되고 있고, 이러한 재료로서, 예를 들면 특허문헌 1에는, 은분과 에폭시 수지를 포함하여, 100~200℃라는 비교적 저온에서 접합 가능해지는 은 페이스트가 기재되어 있다. 또한, 본 발명자들은, 특허문헌 2에 있어서, 소정의 순도 및 입경을 갖는 금분과 유기 용제를 포함하는 금 페이스트를 제공하고 있다.
일본국 특허공개 제2004-359830호 공보 일본국 특허공개 제2007-324523호 공보
그러나, 상기 특허문헌 1과 같은 수지를 포함하는 페이스트는, 접합시의 가열로는 수지가 완전히 분해되지 않아, 접합 후의 부재에 남는 경우가 있었다. 이 때문에, 반도체 칩 등의 부재의 경우는, 잔존한 수지가 오염 원인이 되어, 반도체 성능 등에 영향을 미치는 경우가 있었다. 이 점, 특허문헌 2의 페이스트는, 수지를 포함하지 않는 구성으로도 할 수 있으나, 이 경우, 페이스트 도포시에 귀금속 입자의 응집이 진행되기 쉬운 경향이나, 도포한 페이스트로부터 유기 용제가 스며 나와버리는 경우가 있어, 균일하게 도포하는 것이 곤란하였다. 또한, 특허문헌 2와 같이 유기 용제를 포함하는 페이스트의 경우는, 도포 후의 페이스트를 가열하여 금을 소결시킬 때, 유기 용제의 휘발 등에 의해 소결체에 보이드가 발생하는 경우가 있었다.
이에 본 발명에서는, 접합 후에 부재 오염을 발생시키는 경우가 없는 귀금속 페이스트로서, 접합 부재에 대해 균일하게 도포 가능하게 하면서, 접합시의 가열에 의해 귀금속이 소결된 후의 소결체의 상태도 양호해지는 귀금속 페이스트의 제공을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해, 접합 후의 오염 원인이 될 수 있는 각종 수지 등을 사용하지 않고, 접합 부재에 대해 균일하게 도포 가능해지는 귀금속 페이스트에 대해서 검토하였다. 그 결과, 이하와 같은 본 발명의 귀금속 페이스트에 상도하였다.
즉, 본 발명은 귀금속 분말과 유기 용제로 구성되고, 귀금속 분말은 순도 99.9 질량% 이상, 평균 입경 0.1~0.5 ㎛, 유기 용제는 비점 200~350℃이며, 귀금속 페이스트는, 회전 점도계에 의한 23℃에 있어서의 전단속도(shear rate) 40/s의 점도에 대한 4/s의 점도의 측정값으로부터 산출되는 틱소트로피 지수(TI)값이, 6.0 이상인 반도체소자 접합용 귀금속 페이스트에 관한 것이다. 본 발명의 귀금속 페이스트는, 접합 부재의 오염 원인이 될 수 있는 각종 수지를 포함하지 않고, 접합 부재에 대해, 습윤성이 양호하여 균일하게 도포 가능해진다. 또한 본 발명의 귀금속 페이스트에 의하면, 도포 후의 귀금속 입자의 분산성을 균일하게 유지할 수 있기 때문에, 접합시 가열할 때, 유기계 성분의 휘발·분해에 의한 아웃 가스를 균일하게 방출할 수 있어, 보이드의 발생을 억제할 수 있다.
여기서, 본 발명의 페이스트에 있어서 규정하는 「TI(틱소트로피 지수)값」에 대해 설명한다. 귀금속 등의 페이스트의 경우는, 일반적으로, 측정시에 페이스트에 대해 부여하는 전단속도가 커짐에 따라, 점도가 저하되는 경향이 있다. 이러한 배경하, TI값은 전단속도가 상이한 2종의 회전속도로 측정한 점도의 값을 사용하여, 양자의 점도의 비로서 산출된다. 이 때문에 TI값은, 전단속도에 대한 점도 변화를 나타내는 값이 되어, 즉, 틱소트로피성의 높이를 나타내는 지표가 된다.
본 발명의 귀금속 페이스트는 TI값 6.0 이상으로, 틱소트로피성이 적당히 높다. 이 때문에, 페이스트를 도포했을 때 성형성을 유지할 수 있을 뿐 아니라, 접합시의 가열에 의한 귀금속의 소결을 균일하게 진행시키게 되어, 소결 후의 소결체를 치밀한 상태로 할 수 있다. 이러한 이점으로부터, 본 발명의 귀금속 페이스트는, 특히 대면적의 도포를 행하는 다이 본딩 접합에 적합해진다. TI값은 6.0 미만이면, 귀금속 페이스트를 접합 부재에 도포할 때 용액이 스며 나오는(블리드 아웃되는) 경우가 있다. 또한, TI값의 상한값으로서는, 20 이하인 것이 바람직하다. 20을 초과하면, 귀금속 페이스트 도포 전의 혼련시에 취급이 곤란한 경향이 있다.
또한, TI값을 산출하는 전제가 되는 전단속도 4/s에 있어서의 점도에 대해서는, 100~1000 Pa·s인 것이 바람직하다. 100 Pa·s 미만이면, 귀금속 분말이 침강되어 용제와 분리되기 쉬운 경향이 있고, 1000 Pa·s를 초과하면, 핸들링성이 저하되기 쉽다. 이하, 본 발명에 있어서의 귀금속 페이스트에 대해서 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 귀금속 페이스트를 구성하는 유기 용제에 대해서 설명한다. 본 발명에 있어서의 유기 용제는, 비점 200~350℃(대기압하)의 것이다. 유기 용제의 비점은, 200℃ 미만이면, 접합시에 가열했을 때, 유기 용제의 증발속도가 빨라, 귀금속 입자의 응집 제어가 곤란해질 뿐 아니라, 경우에 따라서는, 상온에서도 유기 용제가 증발되어 버리기 때문에 페이스트 도포시의 취급이 곤란해진다. 한편, 유기 용제의 비점이 350℃를 초과하면, 접합 후의 부재에 유기 용제가 남는 경우가 있다. 유기 용제는, 이러한 비점의 범위 내라면, 1종 또는 2종 이상의 것을 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 유기 용제에 대해서, 「비점 200~350℃」라는 것은, 2종 이상의 유기 용제가 포함되는 경우에 있어서는, 함유하는 모든 종류의 유기 용제가, 각각 비점 200~350℃의 범위 내에 있는 것을 의미한다.
본 발명에서 이용 가능한 유기 용제로서는, 분지쇄상 포화 지방족 2가 알코올류, 모노테르펜 알코올류가 바람직하고, 분지쇄상 포화 지방족 2가 알코올로서는, 프로필렌 글리콜, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,2-펜탄디올, 1,3-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 1,5-펜탄디올, 2,3-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 1,2-헥산디올, 1,3-헥산디올, 1,4-헥산디올, 1,5-헥산디올, 1,6-헥산디올 또는 그들의 유도체 등이 사용되고, 모노테르펜 알코올로서는, 시트로넬롤(citronellol), 게라니올(geraniol), 네롤(nerol), 멘톨(menthol), 테르피네올, 카르베올(carveol), 츄일 알코올(thujyl alcohol), 피노캄페올(pinocampheol), β-펜킬알코올, 디메틸옥탄올, 히드록시시트로넬롤, 또는 그들의 유도체 등이 사용된다.
용제의 비점을 고려할 때, 상기 유기 용제의 탄소수는 5~20인 것이 바람직하다. 특히, 1종의 유기 용매만으로 이루어지는 경우는, 탄소수가 5~20인 포화 지방족 2가 알코올을 사용하는 것이 바람직하고, 2,4-디메틸-1,5-펜탄디올(제품명　NKY MARS；닛폰 고료 야쿠힌(주), 이하, MARS로 기재한다.)이 특히 적합하다. 2종의 유기 용매으로 이루어지는 경우, 탄소수가 5~20인 단환식 모노테르펜 알코올과 2환식 모노테르펜 알코올을 혼합해서 사용하는 것이 바람직하고, 이소보닐시클로헥산올(제품명 테르소르브 MTPH；닛폰 테르펜 화학(주), 이하, MTPH로 기재한다.)과 α-테르피네올을 질량비로 1/1~3/1의 비율로 혼합한 것이 특히 적합하다.
다음으로, 본 발명의 페이스트를 구성하는 귀금속 분말에 대해서 설명한다. 귀금속 분말로서는, 금분(金粉) 또는 은분(銀粉), 또는 그의 혼합 분말을 사용할 수 있다. 전기적, 열적 전도성의 측면을 고려할 때, 특히 금분만을 사용하는 것이 적합하다.
귀금속 분말의 순도로서 99.9 질량% 이상의 고순도를 요구하는 것은, 순도가 낮으면, Au 입자의 소결 거동이 불안정해져 접합강도의 안정성이 저하되거나, 접합 후의 접합 부재가 딱딱해져 열충격 등에 의해 크랙이 발생하기 쉬워지기 때문이다. 또한, 귀금속 분말의 평균 입경은 0.1~0.5 ㎛로 한다. 0.5 ㎛를 초과하는 입경의 귀금속 분말의 경우는, 페이스트 중에서의 분산 상태의 유지가 곤란해져, 귀금속 분말이 침강하기 쉬워진다. 또한, 접합시의 가열에 의해 귀금속 분말을 소결한 후에도, 귀금속 분말끼리의 바람직한 근접 상태를 발현시키기 곤란해진다. 한편, 평균 입경 0.1 ㎛ 미만이면, 귀금속 분말의 응집을 발생시키는 경우가 있다.
페이스트 중에 있어서의 귀금속 분말의 함유량은, 체적 함유율(귀금속 분말의 체적/귀금속 페이스트 전체의 체적)로 26~66 체적%(v/v)의 범위 내인 것이 바람직하다. 이러한 체적 함유율이면, TI값이 6.0 이상인 귀금속 페이스트가 되기 쉽다. 또한, 접합 후의 소결체도 치밀한 상태가 되기 쉬워, 밀착성이 높은 접합을 실현할 수 있다. 귀금속 분말의 함유율은, 26 체적% 미만이면 밀착성 향상의 효과가 얻어지지 않고, 페이스트도 혼련하기 곤란해진다. 한편, 66 체적%를 초과하면 귀금속 분말의 응집을 발생시키는 경우가 있다. 귀금속 분말의 함유량은 35~55 체적%(v/v)이면, 보다 바람직하다.
이상 설명한 귀금속 분말과 유기 용제로 구성되는 귀금속 페이스트에는, 0.05~1 질량%의 계면활성제를 추가로 포함하는 것이 가능하다. 계면활성제를 포함하면, 귀금속 페이스트 중에 귀금속 분말이 균일하게 분산된 상태를 유지하기 쉬워진다. 계면활성제는 0.05 질량% 미만이면 귀금속 분말의 응집 억제효과가 낮고, 1 질량%를 초과하면 접합 후의 부재에 계면활성제가 남는 경우가 있다. 계면활성제로서는, 양이온성 계면활성제가 바람직하고, 예를 들면, 도데실트리메틸암모늄염, 헥사데실트리메틸암모늄염, 옥타데실트리메틸암모늄염, 도데실디메틸암모늄염, 옥타데세닐디메틸에틸암모늄염, 도데실디메틸벤질암모늄염, 헥사데실디메틸벤질암모늄염, 옥타데실디메틸벤질암모늄염, 트리메틸벤질암모늄염, 트리에틸벤질암모늄염 등의 제4급 암모늄염계, 옥타데실아민염, 스테아릴아민염, N-알킬알킬렌디아민염 등의 알킬아민염계, 헥사데실피리디늄염, 도데실피리디늄염 등의 피리디늄염계가 사용된다. 그 중에서도, 알킬(C8-C18)아민아세테이트(제품명：아맥C), N-알킬(C14-C18)트리메틸렌디아민 올레산염(제품명：듀오민 TDO)이 특히 적합하다. 또한, 폴리머계 계면활성제는 분해에 고온을 요하기 때문에, 본 발명에는 적합하지 않다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 귀금속 페이스트는, 접합 후의 부재 오염 등을 발생하지 않고, 각종 접합 부재에 대해 균일하게 도포 가능하게 하면서, 접합시의 가열에 의한 소결도 균일하게 진행 가능해진다.
도 1은 접합부의 외관 X선 투시상 및 전자현미경(SEM)에 의한 단면 관찰 결과를 나타낸다.
도 2는 접합강도의 시험방법을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명한다.
[실시예 1]
습식환원법에 의해 제조한 순도 99.99 질량%의 금분(평균 입경：0.3 ㎛) 95 질량%와, 유기 용제로서 이소보닐시클로헥산올(MTPH) 3.75 질량%와, α-테르피네올 1.25 질량%를 혼합하여 금 페이스트를 조제하였다. 이 금 페이스트 중에 있어서의 금분의 체적 함유율은 49.6 체적%였다. 사용한 유기 용제 및 얻어진 금 페이스트에 대해서, 이하의 물성 측정을 행하였다.
물성 측정
유기 용제 및 금 페이스트의 점도는, 원추형 회전 점도계(HAAKE사 제조, Rheostress　RS75, 콘플레이트：티탄제　35 ㎜, φ1°, 갭 0.050 ㎜로 측정)로, 측정온도 23℃, 전단속도 0/s로 30초간 유지한 후, 전단속도 4/s, 20/s, 40/s의 순으로 각각 30초간 유지하여 연속적으로 측정하였다. 유기 용제의 비점은, TG-DTA(열중량/시차열 동시분석：Rigaku 제조 TG8101D)에 의해, 대기하 10℃/min의 승온율로 측정하였다. 또한, 틱소트로피 지수(TI)값은, 상기 전단속도 4/s 및 40/s의 점도 측정값으로부터 하기 식으로 산출하였다. 또한, 실시예 1의 금 페이스트에 대해서, TG-DTA(열중량/시차열 동시분석)를 행하였다.
TI＝(전단속도 4/s의 점도)÷(전단속도 40/s의 점도)
이상의 결과, 실시예 1의 금 페이스트의 전단속도 4/s의 점도는 256 Pa·s였다. 또한, TG-DTA로부터, 실시예 1의 금 페이스트의 경우는, 70℃에서 유기 용제의 증발이 시작되고, 190℃에서 유기 성분이 완전히 소실된 것을 확인할 수 있었다.
[실시예 2~5, 비교예 1~7]
실시예 1과 동일한 금분을 사용하여, 표 1에 나타내는 유기 용제 및 금 함유량으로 금 페이스트를 제작하였다. 실시예 2에서는, 평균 입경 0.1 ㎛의 금분을 사용하였다. 비교예 7에서는 유기 용제로서 비스알케닐숙신이미드(King Industries사 제조, 상품명：KX1223C)를 사용하였다. 각 실시예 및 비교예에 대해서, 유기 용제의 점도 및 비점과, 금 페이스트의 점도 및 TI값을, 실시예 1과 동일한 방법으로 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112013037473989-pct00001
이상의 물성 측정의 결과로부터, 실시예 1~5의 귀금속 페이스트는, TI값 6.0 이상인 것이 나타내어졌다. 이에 대해, 비교예 1~3, 5, 7에서는, TI값이 6.0 미만이었다. 또한, 비교예 4, 6에서는, 금분과 유기 용제를 혼합해도, 귀금속 분말이 바로 침강되어 용제와 분리되어 버리거나, 또는 핸들링이 곤란해져, 모두 페이스트화가 불가능하였다.
[금분의 평균 입경]
이상의 실시예 및 비교예 외에, 금분으로서 평균 입경 0.7 ㎛ 및 0.05 ㎛의 것을 사용하여, 실시예 1과 동일하게 금 페이스트를 제작하였다. 그 결과, 금분의 평균 입경이 0.7 ㎛인 경우, 페이스트 중에서 금분의 분산이 유지되지 못하여 침강이 생기고, 0.05 ㎛인 경우, 페이스트 중에 부분적인 응집이 확인되었다.
[은 페이스트]
또한, 금분 대신에 은분(86 중량%；37 체적%)을 사용하여, 실시예 1과 동일하게 은 페이스트를 제작하고, 물성 측정을 행하였다. 그 결과, 얻어진 페이스트는, 전단속도 4/s의 점도가 176 Pa·s, 전단속도 40/s의 점도가 19 Pa·s이고, TI값은 9.3이 되었다.
기판에 대한 도포 시험
다음으로, 상기 실시예 1~5 및 비교예 1~3, 5의 금 페이스트를, 100 ㎟의 반도체 기판(Si) 중앙에, 면적 25 ㎟가 되도록 도포하고, 기판에 대한 도포성능을 평가하였다. 또한, 기판에는, 표면에 Ti(50 nm), Au(200 nm)를 사전에 스퍼터링으로 제막한 것을 사용하였다.
상기의 결과, 실시예 1~5의 금 페이스트는, 적절한 습윤성이 있어 기판에 도포하기 쉽고, 도포 후의 금 페이스트도 충분한 성형성을 유지하고 있었다. 한편, 비교예 3의 금 페이스트는, 도포한 금 페이스트로부터 용제가 스며 나오는 경향이 있어, 도포 후의 페이스트에 변형이 생겼다.
접합 시험
상기와 같이 페이스트를 도포한 후, 건조 및 소결을 행하지 않고, 이하의 접합 시험을 행하였다. 접합 시험은 도포 후의 페이스트 상에, 면적 4 ㎟의 Si 칩(Ti(20 nm)와 Au(200 nm)를 사전에 제막)을 올려놓고, 가열 및 가압해서 행하였다. 접합시의 가압은, 하나의 칩당 20 N(5 MPa)으로 하고, 가열은 공구로부터의 전열에 의해 230℃가 되도록 하며, 가열 및 가압시간은 10분간으로 하였다.
상기에 의해 접합한 접합부에 대해서, 외관 X선 투시상(유니하이트 시스템사 제조)에 의한 조직 관찰을 행하여, 하기 식을 토대로 접합률을 산출하였다. 접합률의 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 실시예 1 및 비교예 1의 X선 투시상 및 실시예 1의 단면 SEM 관찰결과를 도 1에 나타낸다. X선 투시상에서는, 접합부에 있어서, 보이드가 발생하여 공극이 생긴 부분은 백색, 접합부가 밀착되어 있는 부분은 회색(흑색)으로서 관찰된다.
접합률＝｛밀착되어 있던 부분(X선 투과 화상에 있어서의 회색 부분)의 면적｝÷｛접합부 전체(X선 투과 화상에 있어서의 회색 부분과 흰 부분의 합계)의 면적｝
Figure 112013037473989-pct00002
도 1의 결과로부터, 실시예 1의 금 페이스트에 의한 접합부는, 외관 X선 투시상에 있어서, 보이드 발생에 의한 공극에 유래하는 백색 부분은 거의 관찰되지 않고, 단면 SEM상에 있어서도, 금속 분말이 점접촉(point contact)에 가까운 상태로 근접해 있었다. 또한, 표 2의 접합률도 90% 이상이었다. 이상으로부터, 실시예 1에서는, 접합시의 가열에 의한 금분의 소결이 균일하게 진행된 것을 확인할 수 있었다.
실시예 2~5의 페이스트를 사용한 경우도, 표 2로부터 접합률은 90% 이상이고, 실시예 1과 동일하게, 보이드의 발생은 거의 관찰되지 않아, 소결이 균일하게 진행된 것을 확인할 수 있었다. 또한, 은 페이스트를 사용하여 접합한 경우도, 외관 X선 투시상으로부터, 보이드의 발생은 거의 관찰되지 않아, 은분의 소결이 균일하게 진행된 것을 확인할 수 있었다.
한편, 비교예 1의 금 페이스트를 사용한 경우, 표 2로부터 접합률은 90% 미만이 되고, 도 1의 외관 X선 투시상에서는, 보이드 발생에 의한 공극에 유래하는 백색 부분이 다수 관찰되었다. 이 때문에, 비교예 1에서는, 접합시 가열할 때, 유기 성분 유래의 아웃(방출) 가스에 의해, 다수의 보이드가 발생하여, 금분의 소결이 균일하게 진행되지 않은 것으로 생각된다.
비교예 2, 3, 5의 페이스트를 사용한 경우도, 표 2로부터 접합률 90% 미만이 되고, 보이드 발생의 공극에 유래하는 백색 부분이 다수 관찰되었다. 또한, 비교예 7의 금 페이스트를 사용하여 접합한 경우에도, 외관 X선 투시상으로부터, 보이드 발생의 공극에 유래하는 백색 부분이 다수 관찰되었다.
접합강도 시험
다음으로, 이상에서 행한 접합에 관하여, 도 2에 따라 접합강도 시험을 행하였다. 접합강도는, 반도체 기판(10) 상에 소결체(20)를 매개로 접합된 반도체 칩(내열성 Si 칩)(30)에 대해, 횡방향으로부터 일정 속도로 블레이드를 칩에 맞닿게 하고, 진행시켜, 파단(칩의 박리)이 발생했을 때의 응력의 평균값(단위：N)을 측정하였다. 이 측정값과 파단 후의 접합부 면적으로부터, 단위 면적당 접합강도의 평균값(단위：MPa)을 산출하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112013037473989-pct00003
표 3으로부터, 실시예 1~5의 페이스트를 사용하여 접합한 경우, 접합부는, 전자부품의 접합 등에 충분한 접합강도(20 MPa 이상)가 된 것을 확인할 수 있었다. 또한, 비교예 1의 페이스트를 사용한 접합의 경우는, 접합강도에 대해서는 실시예와 동일 정도가 되었지만, 이상 설명한 바와 같이, 접합률이 낮고(표 2), 다수의 보이드 발생이 관찰되었기(도 1) 때문에, 전자부품의 접합에는 부적합하였다.
본 발명의 귀금속 페이스트는, 각종 접합 부재의 저온 접합에 적합하여, 열응력의 영향이 우려되는 반도체소자 등을 기판에 접합할 때 유용하다.

Claims (8)

  1. 귀금속 분말과 유기 용제로 구성되는 귀금속 페이스트에 있어서,
    귀금속 분말은 순도 99.9 질량% 이상, 평균 입경 0.1~0.5 ㎛,
    유기 용제는 비점 200~350℃이고,
    귀금속 페이스트는, 회전 점도계에 의한 23℃에 있어서의 전단속도(shear rate) 40/s의 점도에 대한 4/s의 점도의 측정값으로부터 산출되는 틱소트로피 지수(TI)값이 6.0 이상 20 이하이며,
    반도체소자를 접합한 경우의 접합부에서는, X선 투시상에 있어서 접합부 전체 면적에 대한 접합부 중 밀착되어 있던 부분의 면적의 비율로부터 산출되는 접합률이 90% 이상이 되는 반도체소자 접합용 귀금속 페이스트.
  2. 제1항에 있어서,
    귀금속 분말이 금분 또는 은분 중 어느 1종 이상으로 이루어지는 귀금속 페이스트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    귀금속 페이스트 중에 있어서의 귀금속 분말의 체적 함유율이 26~66 체적%(v/v)인 귀금속 페이스트.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    반도체소자의 다이 본딩 접합에 사용되는 귀금속 페이스트.
  5. 제3항에 있어서,
    반도체소자의 다이 본딩 접합에 사용되는 귀금속 페이스트.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
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