KR101518380B1 - 전계방출소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

전계방출소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 전계방출소자는, 적어도 하나의 그루브가 형성된 기판과, 이 그루브 내에 마련되는 금속 전극과, 금속 전극 상에 형성되는 탄소나노튜브 에미터를 구비하며, 탄소나노튜브 에미터는 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 포함한다.

Description

전계방출소자 및 그 제조방법{Field emission device and method of manufacturing the same}
전계방출소자 및 그 제조방법이 제공된다.
전계방출소자(field emission device)는 캐소드전극 상에 형성된 에미터 주위에 강한 전기장을 형성함으로써 에미터로부터 전자들을 방출시키는 소자이다. 이러한 전계방출소자의 대표적인 응용분야로는 전계방출소자로부터 방출된 전자들을 애노드전극 상에 형성된 형광체층에 충돌시켜 화상을 표시하는 전계방출 표시장치(FED; field emission display), 액정 디스플레이의 백라이트 유닛(BLU; back light unit) 등 에 응용될 수 있다. 액정 디스플레이는 후면에 배치된 광원으로부터 발생된 빛이 광 투과율을 조절하는 액정을 투과함으로써 전면에 화상을 표시하는 장치이다. 이때, 후면에 배치되는 광원으로는 냉음극형광등(CCFL; cold cathode fluorescence lamp) 백라이트 유닛, 백색 LED(WLED; white light emitting diode) 백라이트 유닛, 전계방출형 백라이트 유닛 등이 사용될 수 있다. 냉음극형광등 백라이트 유닛은 색재현율이 좋고 저가에 제작할 수 있다는 장점이 있으나, Hg을 사용하므로 환경문제가 있고 또한 휘도 및 명암비를 크게 할 수 없는 단점이 있다. 그리고, 백색 LED 백라이트 유닛은 dynamic control이 가능한 장점이 있으나, 제작 비용이 많이 들고 또한 구조가 복잡한 단점이 있다. 그리고, 전계방출형 백라이트 유닛은 local dimming 및 impulse/scan driving이 가능하여 휘도 및 명암비를 극대화할 수 있고 동영상 화질을 최대화할 수 있어 차세대 백라이트 유닛으로 그 기대가 모아지고 있다. 한편, 이외에도 상기 전계방출소자는 X-ray tube, microwave 증폭기, 평판 램프 등과 같은 전자 방출을 이용한 다양한 종류의 시스템에 응용될 수 있다.
전계방출소자에서 전자들을 방출시키는 에미터로서 종래에는 몰리브덴(Mo)과 같은 금속으로 이루어진 마이크로 팁이 사용되었으나, 최근에는 전자방출특성이 우수한 탄소나노튜브(CNTs; carbon nanotubes)가 주로 사용되고 있다. 탄소나노튜브 에미터를 이용한 전계방출소자는 가격이 저렴할 뿐만 아니라 구동전압이 낮고, 우수한 화학적, 기계적 안정성을 가진다는 장점이 있다.
현재 전계방출소자의 제작 방식은 여러번의 포토 패터닝(photo patterning) 공정과 소성(firing) 공정을 통하여 이루어지므로 공정이 복잡하고 비용이 많이 드는 단점이 있다. 구체적으로, 캐소드 전극과 같은 금속 전극은 크게 두가지 방법으로 형성될 수 있는데, 첫째가 진공증착 공정에 의하여 Cr, Mo 등을 증착한 다음, 이를 포토리소그라피 공정에 의하여 패터닝하는 방법이며, 둘째는 Ag 등을 스텐실 프린팅(stencil printing)한 후 소성함으로써 형성하는 방법이다. 그러나, 첫 번째 방법은 진공증착 장비를 사용하여야 하고 공정이 번거로운 단점이 있으며, 두 번째 방법은 재료 자체가 비싼 물질이어서 제작 비용의 문제가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 전계방출소자 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 전계방출소자는,
적어도 하나의 그루브(groove)가 형성된 기판;
상기 그루브의 바닥면 상에 형성되는 금속 전극; 및
상기 금속 전극 상에 형성되는 것으로, Sn과 탄소나노튜브의 복합체(composite)를 포함하는 탄소나노튜브 에미터;를 구비한다.
상기 탄소나노튜브 에미터는 상기 금속 전극 상에 형성되는 금속간 화합물층을 더 포함할 수 있다.
상기 금속간 화합물층은 상기 금속 전극을 이루는 물질과 Sn을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 금속간 화합물층은 Cu를 더 포함하는 전계방출소자.
상기 금속 전극은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 전계방출소자는,
기판;
상기 기판 상에 형성되는 것으로, 상기 기판의 표면을 노출시키는 적어도 하나의 그루브(groove)가 형성된 절연층;
상기 그루브를 통하여 노출된 기판의 표면 상에 형성된 금속 전극; 및
상기 금속 전극 상에 형성되는 것으로, Sn과 탄소나노튜브의 복합체(composite)를 포함하는 탄소나노튜브 에미터;를 구비한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 전계방출소자의 제조방법은,
기판 상에 적어도 하나의 그루브를 형성하는 단계;
상기 그루브의 바닥면 상에 금속 전극을 형성하는 단계; 및
상기 금속 전극 상에 Sn과 탄소나노튜브의 복합체(composite)를 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 복합체를 형성한 다음, 상기 복합체를 소성함으로써 상기 금속 전극 상에 금속간 화합물층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 복합체의 소성은 대략 250℃ ~ 600℃의 온도에서 수행될 수 있다.
상기 금속 전극은 무전해 도금 방법에 의해 형성될 수 있다. 그리고, 상기 금속 전극은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 그루브의 바닥면 상에 상기 금속 전극의 무전해 도금을 위한 시드층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.
상기 복합체를 형성하는 단계는 상기 탄소나노튜브가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 상기 금속 전극 상에 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 도금하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복합체를 형성하는 단계는, 상기 금속 전극 상에 Cu층을 도금하는 단계; 및 상기 Cu층을 Sn으로 치환도금하면서 상기 금속 전극 상에 상기 Sn과 탄소나 노튜브의 복합체를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 전계방출소자의 제조방법은,
기판 상에 소정의 금속층을 형성하는 단계;
상기 금속층을 패터닝하여 적어도 하나의 금속 전극을 형성하는 단계;
상기 기판 상에 상기 금속 전극을 덮도록 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층을 패터닝하여 상기 금속 전극을 노출시키는 적어도 하나의 그루브를 형성하는 단계; 및
상기 그루브를 통하여 노출된 금속 전극 상에 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 복합체를 형성한 다음, 상기 복합체를 소성함으로써 상기 금속 전극 상에 금속간 화합물층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 무전해 도금 방법을 이용하여 금속 전극을 형성하므로, 진공증착 공정 및 노광 공정이 필요하지 않아 제작비용을 줄일 수 있다. 또한, 소성 공정에 의해 탄소나노튜브가 외부로 용이하게 노출되므로, 별도의 탄소나노튜브의 활성화(activation) 공정이 요구되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 따른 전계방출소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 전계방출소자는 적어도 하나의 그루브(205)가 형성된 기판(200)과, 상기 그루브(205) 내에 마련되는 금속 전극(210) 및 탄소나노튜브 에미터(230')를 포함한다.
상기 기판(200)으로는 일반적으로 유리 기판이 사용될 수 있으며, 이외에 플라스틱 기판 등이 사용될 수도 있다. 상기 기판(200) 상에는 적어도 하나의 그루브(groove,105)가 소정 깊이로 형성되어 있다. 여기서, 상기 그루브들(205)은 기판(200) 상에 서로 나란한 형상, 예를 들어 스트라이프(stripe) 형상으로 형성될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 그루브(205)의 바닥면 상에는 금속 전극(210)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 금속 전극(210)은 캐소드 전극에 대응된다. 상기 금속 전극(210)은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 금속 전극(210)은 후술하는 바와 같이 무전해 도금(electroless plating) 방법에 의해 형성될 수 있다. 한편, 도 1에는 도시되어 있지 않으나, 상기 그루브(205)의 바닥면과 금속 전극(210) 사이에는 시드층(seed layer, 도 5의 203)이 더 형성될 수 있다. 상기 시드층은 금속 전극(210)의 무전해 도금을 용이하게 하기 위한 것으로, Pd, Sn, Pd-Sn 합금 및 dimethylamine borane(DMAB)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
상기 금속 전극(210) 상에는 전자 방출을 위한 탄소나노튜브 에미터(230')가 마련되어 있다. 상기 탄소나노튜브 에미터(230')는 금속 전극(210) 상에 형성되는 것으로, Sn(232)과 탄소나노튜브(CNTs,235)의 복합체(composite)를 포함한다. 상기 복합체 내의 탄소나노튜브(235) 함량은 대략 20~90 vol% 정도가 될 수 있다. 여기서, 상기 탄소나노튜브(235)는 복합체의 외부로 노출되도록 형성될 수 있다. 한편, 상기 복합체에는 Ag, Cu, W, Mo, Co, Ti, Zr, Zn, V, Cr, Fe, Nb, Re 및 Mn으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질이 더 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 복합체에 내에 더 포함되는 금속 원소의 함량은 예를 들면, 대략 5 wt% 이하가 될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 탄소나노튜브 에미터(230')는 후술하는 바와 같이 탄소나노튜브(235)가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 금속 전극(210) 상에 Sn(232)과 탄소나노튜브(235)의 복합체를 도금함으로써 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자를 개략적으로 도시한 것이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 전계방출소자는 적어도 하나의 그루브(205)가 형성된 기판(200)과, 상기 그루브(205) 내에 마련되는 금속 전극(210) 및 탄소나노튜브 에미터(230)를 포함한다. 상기 금속 전극(210)은 캐소드 전극에 대응되는 것으로, Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 그루브(205)의 바닥면과 금속 전극(210) 사이에는 금속 전극의 무전해 도금을 용이하게 하기 위한 시드층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
상기 금속 전극(210) 상에는 전자 방출을 위한 탄소나노튜브 에미터(230)가 마련되어 있다. 상기 탄소나노튜브 에미터(230)는 금속 전극(210) 상에 형성되는 금속간 화합물층(231)과 상기 금속간 화합물층(231) 상에 형성되는 탄소나노튜브(235)를 포함한다. 여기서, 상기 금속간 화합물층(231)은 Sn과 상기 금속 전극(210)을 이루는 물질을 포함하는 금속간 화합물(intermetallic compoound)로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 금속간 화합물층(231)은 후술하는 바와 같이 Cu를 더 포함하여 삼원계 금속간 화합물로 이루어질 수 도 있다.
상기 금속간 화합물층(231)은 전술한 실시예에서의 Sn(232)과 탄소나노튜브(235)의 복합체를 소정 온도로 소성함으로써 형성될 수 있다. 이러한 소성 공정에 의하여 상기 탄소나노튜브(235)는 외부에 더 잘 노출되도록 형성될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다. 한편, 상기 복합체 내의 Sn의 일부가 용융되어 금속간 화합물층을 형성하는 경우에는 상기 금속간 화합물층(231) 상에 Sn층(232')이 형성될 수 있다. 한편, 도 1 및 도 2에는 도시되어 있지 않으나, 상기 그루브들(205) 사이의 기판(200) 상면에는 전자 추출을 위한 게이트 전극(미도시)이 더 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자를 개략적으로 도시한 것이다. 이하에서는 전술한 실시예들과 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 전계방출소자는 기판(400)과, 적어도 하나의 그루브(455)가 형성된 절연층(450)과, 상기 그루브(455) 내에 마련되는 금속 전극(410) 및 탄소나노튜브 에미터(430')를 포함한다.
상기 기판(400) 상에는 절연층(450)이 소정 두께로 형성되어 있으며, 이 절연층(450)에는 기판(400)의 표면을 노출시키는 적어도 하나의 그루브(455)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 그루브(455)를 통하여 노출된 기판(400)의 표면 상에는 금속 전극(410)이 형성되어 있다. 상기 금속 전극(410)은 전술한 바와 같이 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 도면에는 도시되어 있지 않으나, 상기 그루브(455)를 통하여 노출된 기판(400)의 표면과 금속 전극(410) 사이에는 시드층이 더 형성될 수 있다.
상기 금속 전극(410) 상에는 전자 방출을 위한 탄소나노튜브 에미터(430')가 마련되어 있다. 상기 탄소나노튜브 에미터(430')는 금속 전극(410) 상에 형성되는 것으로, Sn(432)과 탄소나노튜브(435)의 복합체(composite)를 포함한다. 상기 복합체 내의 탄소나노튜브(435) 함량은 예를 들어 대략 20~90 vol% 정도가 될 수 있다. 여기서, 상기 탄소나노튜브(435)는 복합체의 외부로 노출되도록 형성될 수 있다. 상기 탄소나노튜브 에미터(430')는 후술하는 바와 같이 탄소나노튜브(435)가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 금속 전극(410) 상에 Sn(432)과 탄소나노튜브(435)의 복합체를 도금함으로써 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자를 개략적으로 도시한 것이다. 이하에서는 전술한 실시예들과 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 전계방출소자는 기판(400)과, 적어도 하나의 그루브(455)가 형성된 절연층(450)과, 상기 그루브(455) 내에 마련되는 금속 전극(410) 및 탄소나노튜브 에미터(430)를 포함한다. 상기 기판(400) 상에는 절 연층(450)이 소정 두께로 형성되어 있으며, 이 절연층(450)에는 기판(400)의 표면을 노출시키는 적어도 하나의 그루브(455)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 그루브(455)를 통하여 노출된 기판(400)의 표면 상에는 금속 전극(410)이 형성되어 있다.
상기 금속 전극(410) 상에는 전자 방출을 위한 탄소나노튜브 에미터(430)가 마련되어 있다. 상기 탄소나노튜브 에미터(430)는 금속 전극(410) 상에 형성되는 금속간 화합물층(431)과 상기 금속간 화합물층(431) 상에 형성되는 탄소나노튜브(435)를 포함한다. 여기서, 상기 금속간 화합물층(431)은 Sn과 상기 금속 전극(410)을 이루는 물질을 포함하는 금속간 화합물(intermetallic compoound)로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 금속간 화합물층(431)은 후술하는 바와 같이 Cu를 더 포함하여 삼원계 금속간 화합물로 이루어질 수 도 있다. 상기 금속간 화합물층(431)은 전술한 실시예에서의 Sn(432)과 탄소나노튜브(435)의 복합체를 소정 온도로 소성함으로써 형성될 수 있다. 이러한 소성 공정에 의하여 상기 탄소나노튜브(435)는 외부에 더 잘 노출되도록 형성될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다. 한편, 상기 복합체 내의 Sn의 일부가 용융되어 금속간 화합물층을 형성하는 경우에는 상기 금속간 화합물층(431) 상에 Sn층(432')이 형성될 수 있다. 한편, 도 3 및 도 4에는 도시되어 있지 않으나, 상기 그루브들(205) 사이의 기판(200) 상면에는 전자 추출을 위한 게이트 전극(미도시)이 더 형성될 수 있다.
이하에서는 전술한 전계방출소자들의 제조방법을 설명하기로 한다. 도 5 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 제조방법을 설명하기 위 한 도면들이다.
도 5를 참조하면, 먼저 기판(200)을 준비한다. 상기 기판(200)으로는 일반적으로 유리 기판이 사용될 수 있으며, 이외에 플라스틱 기판 등이 사용될 수도 있다. 이어서, 상기 기판(200) 상에 소정 패턴을 가지는 식각마스크(202)를 형성한다. 여기서, 상기 식각마크스(202)는 소정의 물질층을 기판(200)의 상면에 증착한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 식각마스크(202)를 통하여 노출된 기판(200)의 상면를 예를 들어, 에칭(etching) 또는 샌드 블래스팅(sand blasting)에 의하여 적어도 하나의 그루브(205)를 소정 깊이로 형성한다. 다음으로, 도 7을 참조하면, 상기 그루브(205)의 바닥면에 상에 시드층(seed layer,203)을 형성할 수 있다. 상기 시드층(203)은 이후에 형성될 금속 전극(210)의 무전해 도금을 용이하게 하기 위한 것이다. 상기 시드층(203)은 예를 들면, Pd, Sn, Pd-Sn 합금 및 dimethylamine borane(DMAB)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 시드층(203)은 도 6에 형성된 구조물 상에 예를 들어 Pd, Sn, Pd-Sn 합금 및 dimethylamine borane(DMAB)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 용액을 도포한 다음, 상기 식각마스크(202)를 제거함으로써 형성될 수 있다. 여기서. 상기 용액의 도포는 예를 들어 디핑(dipping) 방법, 스텐실 프린팅(stencil printing)방법 또는 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 방법 등에 의해 수행될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 시드층(도 7의 203) 상에 금속 전극(210)을 형성한 다. 여기서, 금속 전극(210)은 무전해 도금(electroless plating) 방법에 의해 형성될 수 있다. 한편, 편의상 도 6에는 시드층(203)이 도시되지 않았으며, 이후의 도면들에서도 같다. 상기 금속 전극(210)은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 금속 전극(210)이 예를 들어 Ni로 이루어지는 경우에는 P 또는 B가 추가될 수 있으며, 상기 금속 전극(210)이 예를 들어 Co로 이루어지는 경우에는 P가 추가될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 금속 전극(210) 상에 Sn(232)과 탄소나노튜브(235)의 복합체를 형성한다. 여기서, 상기 복합체에 포함된 탄소나노튜브(235)의 함량은 대략 20 ~ 90% vol% 정도가 될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 Sn(232)은 대략 232℃의 녹는점을 가진다. 한편, 상기 복합체 내에는 Sn(232) 이외에 Ag, Cu, W, Mo, Co, Ti, Zr, Zn, V, Cr, Fe, Nb, Re 및 Mn으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질이 더 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 복합체에 내에 더 포함되는 금속 원소의 함량은 대략 5 wt% 이하가 될 수 있다. 이러한 Sn(232)과 탄소나노튜브(235)의 복합체는 탄소나노튜브(235)가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 무전해 도금 방법에 의해 형성될 수 있다. 한편, 상기 복합체는 전해 도금 방법에 의해 형성하는 것도 가능하다. 이와 같은 Sn(232)과 탄소나노튜브(235)의 복합체의 형성에 의하여, 탄소나노튜브(235)가 복합체의 외부로 양호하게 노출되는 경우에는 후술하는 소성 공정없이 상기 복합체가 도 1에 도시된 바와 같은 탄소나노튜브 에미터(도 1의 230')의 역할을 할 수 있다. 하지만, 탄소나노튜브(235)가 복 합체의 외부로 노출되어 있지 않은 경우에는 다음과 같은 소성 공정을 수행하게 된다.
도 10을 참조하면, 상기 금속 전극(210) 상에 형성된 Sn(232)과 탄소나노튜브(235)의 복합체를 소정 온도로 소성(firing)함으로써 탄소나노튜브 에미터(230)를 형성한다. 여기서, 상기 복합체의 소성은 대략 250℃ ~ 600℃의 온도에서 수행될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 이와 같이 복합체를 소성하게 되면, 금속 전극(210) 상에는 복합체 내의 Sn(232)과 금속 전극(210)을 이루는 물질이 반응하여 금속간 화합물층(231)이 형성되고, 상기 금속간 화합물층(210) 상에 외부로 노출된 탄소나노튜브(235)가 형성된다. 구체적으로, 상기 복합체를 소정 온도로 소성하게 되면, 복합체 내에 포함된 Sn(232)이 용융되어 아래쪽으로 이동하게 되고, 이렇게 용융된 Sn은 금속 전극(210)을 이루는 물질과 반응함으로서 금속간 화합물층(231)을 형성하게 된다. 예를 들어, 상기 금속 전극(210)이 무전해 도금된 Ni로 이루어지는 경우, 상기 금속간 화합물층(231)은 Sn과 Ni을 포함하는 금속간 화합물(예를 들어,Ni3Sn4)로 이루어질 수 있다. 이와 같이 복합체의 소성 공정에 의하여 복합체 내에 포함된 Sn(232)이 용융되어 아래쪽으로 이동하게 되고, 이에 따라 복합체 내에 포함된 탄소나노튜브(235)는 외부로 자연스럽게 노출되게 된다. 한편, 상기 복합체 내의 Sn(232)의 일부가 용융되어 금속간 화합물층(231)을 형성하는 경우에는 상기 금속간 화합물층(231) 상에 Sn층(232')이 형성될 수 있다.
도 11 내지 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 제조방법 을 설명하기 위한 도면들이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 11을 참조하면, 기판(300) 상에 적어도 하나의 그루브(305)를 소정 깊이로 형성한다. 구체적으로, 상기 기판(300)의 상면에 소정의 식각마스크(미도시)를 마련한 다음, 상기 식각마스트크 통하여 노출된 기판(300)의 상면를 예를 들어, 에칭 또는 샌드 블래스팅에 의하여 적어도 하나의 그루브(305)를 소정 깊이로 형성한다. 이어서, 상기 그루브(305)의 바닥면 상에 시드층(303)을 형성할 수 있다. 상기 시드층(303)은 전술한 바와 같이 예를 들면, Pd, Sn, Pd-Sn 합금 및 dimethylamine borane(DMAB)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 시드층(303) 상에 금속 전극(310)을 형성한다. 여기서, 금속 전극(310)은 무전해 도금 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 금속 전극(310)은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 도 13을 참조하면, 상기 금속 전극(310) 상에 Cu층(315)을 형성한다. 이러한 Cu층(315)은 무전해 도금 방법에 의해 형성될 수 있다. 하지만, 전해 도금 방법에 의해 상기 Cu층(315)을 형성하는 것도 가능하다.
도 14를 참조하면, 치환 도금에 의해 상기 금속 전극(310) 상에 Sn(332)과 탄소나노튜브(335)의 복합체를 도금한다. 구체적으로, 탄소나노튜브(335)가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 상기 Cu층(315)을 Sn으로 치환 도금하면, 상기 금속 전극 (310)상에는 Sn(332)과 탄소나노튜브(335)의 복합체가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 복합체에 포함된 탄소나노튜브(335)의 함량은 대략 20 ~ 90% vol% 정도가 될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 복합체 내에는 Sn(332) 이외에 Ag, Cu, W, Mo, Co, Ti, Zr, Zn, V, Cr, Fe, Nb, Re 및 Mn으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질이 더 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 복합체 내에 더 포함되는 금속 원소의 함량은 대략 5 wt% 이하가 될 수 있다. 이와 같은 Sn(332)과 탄소나노튜브(335)의 복합체의 형성에 의하여, 탄소나노튜브(335)가 복합체의 외부로 양호하게 노출되는 경우에는 상기 복합체가 도 1에 도시된 탄소나노튜브 에미터(도 1의 130')의 역할을 할 수 있다. 하지만, 탄소나노튜브(335)가 복합체의 외부로 노출되어 있지 않은 경우에는 다음과 같은 소성 공정을 수행하게 된다.
도 15를 참조하면, 상기 금속 전극(310) 상에 형성된 Sn(332)과 탄소나노튜브(335)의 복합체를 소정 온도로 소성(firing)함으로써 탄소나노튜브 에미터(330)를 형성한다. 여기서, 상기 복합체의 소성은 대략 250℃ ~ 600℃의 온도에서 수행될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 이와 같이 복합체를 소성하게 되면, 금속 전극(310) 상에는 복합체 내의 Sn(332)과 금속 전극(310)을 이루는 물질이 반응하여 금속간 화합물층(331)이 형성되고, 상기 금속간 화합물층(331) 상에는 외부로 노출된 탄소나노튜브(335)가 형성된다. 구체적으로, 상기 복합체를 소정 온도로 소성하게 되면, 복합체 내에 포함된 Sn(332)이 용융되어 아래쪽으로 이동하게 되고, 이렇게 용융된 Sn은 금속 전극(310)을 이루는 물질과 반응함으로서 금속간 화합물층(331)을 형성하게 된다. 예를 들어, 상기 금속 전극(310)이 무전해 도금된 Ni로 이루어지는 경우, 상기 금속간 화합물층(331)은 Sn과 Ni을 포함하는 금속간 화합물(예를 들어,Ni3Sn4)로 이루어질 수 있다. 한편, 전술한 치환 도금 후 복합체 내에 Cu가 남아 있는 경우에는 소성 공정 후 형성되는 금속간 화합물층(331)은 Cu를 더 포함할 수 있으며, 이에 따라 상기 금속간 화합물층(331)은 삼원계 금속간 화합물로 이루어질 수 있다. 이와 같이 복합체의 소성 공정에 의하여 복합체 내에 포함된 Sn(332)이 용융되어 아래쪽으로 이동하게 되고, 이에 따라 복합체 내에 포함된 탄소나노튜브(335)는 외부로 자연스럽게 노출되게 된다. 한편, 상기 복합체 내의 Sn(332)의 일부가 용융되어 금속간 화합물층(331)을 형성하는 경우에는 상기 금속간 화합물층(331) 상에 Sn층(332')이 형성될 수 있다.
도 16 내지 도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 16을 참조하면, 먼저 기판(400)을 준비한 다음, 상기 기판(400) 상에 소정의 금속층(410')을 무전해 도금 방법에 의해 형성한다. 여기서, 상기 금속층(410')은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 금속층(410')이 예를 들어 Ni로 이루어지는 경우에는 P 또는 B가 추가될 수 있으며, 상기 금속층(410')이 예를 들어 Co로 이루어지는 경우에는 P가 추가될 수 있다. 상기 금속층(410')을 형성하기 전에 상기 기판(400)의 상면에 시드층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 상기 시드층은 이후에 형성될 금속층(410')의 무전해 도금을 용이하게 하기 위한 것이다. 상기 시드층은 예를 들면, Pd, Sn, Pd-Sn 합금 및 dimethylamine borane(DMAB)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
도 17을 참조하면, 상기 금속층(410')을 패터닝하여 기판(400) 상에 적어도 하나의 금속 전극(410)을 형성한다. 도 18을 참조하면, 상기 기판(400) 상에 상기 금속 전극(410)을 덮도록 절연층(450)을 소정 두께로 형성한다. 다음으로, 도 19를 참조하면, 상기 절연층(450)을 패터닝하여 상기 절연층(450)에 상기 금속 전극(410)을 노출시키는 적어도 하나의 그루브(455)를 형성한다.
도 20을 참조하면, 상기 금속 전극(410) 상에 Sn(432)과 탄소나노튜브(435)의 복합체를 형성한다. 여기서, 상기 복합체에 포함된 탄소나노튜브(435)의 함량은 대략 20 ~ 90% vol% 정도가 될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 복합체 내에는 Sn(432) 이외에 Ag, Cu, W, Mo, Co, Ti, Zr, Zn, V, Cr, Fe, Nb, Re 및 Mn으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질이 더 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 복합체에 내에 더 포함되는 금속 원소의 함량은 대략 5 wt% 이하가 될 수 있다. 이러한 Sn(432)과 탄소나노튜브(435)의 복합체는 탄소나노튜브(435)가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 무전해 도금 방법에 의해 형성될 수 있다. 한편, 상기 복합체는 전해 도금 방법에 의해 형성하는 것도 가능하다. 이와 같은 Sn(432)과 탄소나노튜브(435)의 복합체의 형성에 의하여, 탄소나노튜브(435)가 복합체의 외부로 양호하게 노출되는 경우에는 후술하는 소성 공정없이 상기 복합체가 탄소나노튜브 에미터의 역할을 할 수 있다. 하지만, 탄소나노튜브(435)가 복합체의 외부로 노출되어 있지 않은 경우에는 다음과 같은 소성 공정을 수행하게 된다.
도 21을 참조하면, 상기 금속 전극(410) 상에 형성된 Sn(432)과 탄소나노튜브(435)의 복합체를 소정 온도로 소성(firing)함으로써 탄소나노튜브 에미터(430)를 형성한다. 여기서, 상기 복합체의 소성은 대략 250℃ ~ 600℃의 온도에서 수행될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 이와 같이 복합체를 소성하게 되면, 금속 전극(410) 상에는 복합체 내의 Sn(432)과 금속 전극(410)을 이루는 물질이 반응하여 금속간 화합물층(431)이 형성되고, 상기 금속간 화합물층(410) 상에 외부로 노출된 탄소나노튜브(235)가 형성된다. 구체적으로, 상기 복합체를 소정 온도로 소성하게 되면, 복합체 내에 포함된 Sn(432)이 용융되어 아래쪽으로 이동하게 되고, 이렇게 용융된 Sn은 금속 전극(410)을 이루는 물질과 반응함으로서 금속간 화합물층(431)을 형성하게 된다. 예를 들어, 상기 금속 전극(410)이 무전해 도금된 Ni로 이루어지는 경우, 상기 금속간 화합물층(431)은 Sn과 Ni을 포함하는 금속간 화합물(예를 들어,Ni3Sn4)로 이루어질 수 있다. 이와 같이 복합체의 소성 공정에 의하여 복합체 내에 포함된 Sn(432)이 용융되어 아래쪽으로 이동하게 되고, 이에 따라 복합체 내에 포함된 탄소나노튜브(435)는 외부로 자연스럽게 노출되게 된다. 한편, 상기 복합체 내의 Sn(432)의 일부가 용융되어 금속간 화합물층(431)을 형성 하는 경우에는 상기 금속간 화합물층(431) 상에 Sn층(432')이 형성될 수 있다.
도 22 내지 도 25는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 22를 참조하면, 기판(500) 상에 무전해 도금방법에 의해 소정의 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 금속층을 패터닝하여 적어도 하나의 금속 전극(510)을 형성한다. 이어서, 상기 기판(500) 상에 상기 금속 전극(510)을 덮도록 절연층(550)을 형성한 다음, 상기 절연층(550)을 패터닝하여 상기 절연층(550)에 금속 전극(510)을 노출시키는 적어도 하나의 그루브(555)를 형성한다. 이상의 공정에 대해서는 전술하였으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 23을 참조하면, 상기 금속 전극(510) 상에 Cu층(515)을 형성한다. 이러한 Cu층(515)은 무전해 도금 방법에 의해 형성될 수 있다. 하지만, 전해 도금 방법에 의해 상기 Cu층(315)을 형성하는 것도 가능하다. 도 24를 참조하면, 치환 도금에 의해 상기 금속 전극(510) 상에 Sn(532)과 탄소나노튜브(535)의 복합체를 도금한다. 구체적으로, 탄소나노튜브(535)가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 상기 Cu층(515)을 Sn으로 치환 도금하면, 상기 금속 전극 (510)상에는 Sn(532)과 탄소나노튜브(535)의 복합체가 형성될 수 있다. 여기서, 상기 복합체에 포함된 탄소나노튜브(535)의 함량은 대략 20 ~ 90% vol% 정도가 될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 복합체 내에는 Sn(532) 이외에 Ag, Cu, W, Mo, Co, Ti, Zr, Zn, V, Cr, Fe, Nb, Re 및 Mn으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물 질이 더 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 복합체 내에 더 포함되는 금속 원소의 함량은 대략 5 wt% 이하가 될 수 있다. 이와 같은 Sn(532)과 탄소나노튜브(535)의 복합체의 형성에 의하여, 탄소나노튜브(535)가 복합체의 외부로 양호하게 노출되는 경우에는 상기 복합체가 탄소나노튜브 에미터의 역할을 할 수 있다. 하지만, 탄소나노튜브(535)가 복합체의 외부로 노출되어 있지 않은 경우에는 다음과 같은 소성 공정을 수행하게 된다.
도 25를 참조하면, 상기 금속 전극(510) 상에 형성된 Sn(532)과 탄소나노튜브(535)의 복합체를 소정 온도로 소성(firing)함으로써 탄소나노튜브 에미터(530)를 형성한다. 여기서, 상기 복합체의 소성은 대략 250℃ ~ 600℃의 온도에서 수행될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 이와 같이 복합체를 소성하게 되면, 금속 전극(510) 상에는 복합체 내의 Sn(532)과 금속 전극(510)을 이루는 물질이 반응하여 금속간 화합물층(531)이 형성되고, 상기 금속간 화합물층(531) 상에는 외부로 노출된 탄소나노튜브(535)가 형성된다. 구체적으로, 상기 복합체를 소정 온도로 소성하게 되면, 복합체 내에 포함된 Sn(532)이 용융되어 아래쪽으로 이동하게 되고, 이렇게 용융된 Sn은 금속 전극(510)을 이루는 물질과 반응함으로서 금속간 화합물층(531)을 형성하게 된다. 한편, 전술한 치환 도금 후 복합체 내에 Cu가 남아 있는 경우에는 소성 공정에 의해 형성되는 금속간 화합물층(531)은 Cu를 더 포함할 수 있으며, 이에 따라 상기 금속간 화합물층(531)은 삼원계 금속간 화합물로 이루어질 수 있다. 이와 같이 복합체의 소성 공정에 의하여 복합체 내에 포함된 Sn(532)이 용융되어 아래쪽으로 이동하게 되고, 이에 따라 복합체 내에 포함된 탄 소나노튜브(535)는 외부로 자연스럽게 노출되게 된다. 한편, 상기 복합체 내의 Sn(532)의 일부가 용융되어 금속간 화합물층(531)을 형성하는 경우에는 상기 금속간 화합물층(531) 상에 Sn층(532')이 형성될 수 있다.
이상의 실시예들에 의하면, 금속 전극을 무전해 도금 방법을 이용하여 형성함으로써 진공증착 장비 및 노광 장비가 필요없게 되어 제작 비용을 절감할 수 있다. 그리고, 금속 전극 상에 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 무전해 도금함으로써 탄소나노튜브가 복합체의 외부로 노출되도록 형성할 수 있다. 또한, Sn은 녹는점이 낮고 산화가 잘 일어나는 물질이므로, Sn의 녹는점 이상의 온도에서 소성 공정을 수행하게 되면 복합체 내에서 Sn이 우선적으로 산화되므로 탄소나노튜브가 산화되는 것을 최대한 방지할 수 있으며, 이에 따라 공기 분위기 하에서도 소성공정을 수행할 수 있다. 그리고, 소성 공정시 Sn이 용융되어 아래쪽으로 이동하여 금속간 화합물을 형성하는 과정에서 탄소나노튜브가 외부로 자연스럽게 노출되므로, 별도의 탄소나노튜브 활성화(activation) 공정이 필요없게 된다.
이상에서 본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 따른 전계방출소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 11 내지 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 16 내지 도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 22 내지 도 25는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계방출소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
200,300,400,500... 기판 205,305,455,555... 그루브
203,303... 시드층 210,310,410,510... 금속 전극
230',230,330,430',430,530... 탄소나노튜브 에미터
231,331,431,531... 금속간 화합물층
232,332,432,532... Sn 235,335,435,535... 탄소나노튜브
450,550... 절연층

Claims (26)

  1. 적어도 하나의 그루브(groove)가 형성된 기판;
    상기 그루브의 바닥면 상에 형성되는 금속 전극; 및
    상기 금속 전극 상에 형성되는 탄소나노튜브 에미터;를 구비하고,
    상기 탄소나노튜브 에미터는 상기 금속 전극 상에 마련되는 것으로 소성에 의해 상기 금속 전극을 이루는 물질과 Sn이 반응하여 형성된 금속간 화합물층, 상기 금속간 화합물층 상에 마련되는 Sn층 및 상기 Sn층 상에 마련되는 탄소나노튜브를 포함하는 전계방출소자.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속간 화합물층은 Cu를 더 포함하는 전계방출소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 전극은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어 도 하나의 물질로 이루어지는 전계방출소자.
  6. 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 것으로, 상기 기판의 표면을 노출시키는 적어도 하나의 그루브(groove)가 형성된 절연층;
    상기 그루브를 통하여 노출된 기판의 표면 상에 형성된 금속 전극; 및
    상기 금속 전극 상에 형성되는 탄소나노튜브 에미터;를 구비하고,
    상기 탄소나노튜브 에미터는 상기 금속 전극 상에 마련되는 것으로 소성에 의해 상기 금속 전극을 이루는 물질과 Sn이 반응하여 형성된 금속간 화합물층, 상기 금속간 화합물층 상에 마련되는 Sn층 및 상기 Sn층 상에 마련되는 탄소나노튜브를 포함하는 전계방출소자.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 금속간 화합물층은 Cu를 더 포함하는 전계방출소자.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 금속 전극은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 전계방출소자.
  11. 기판 상에 적어도 하나의 그루브를 형성하는 단계;
    상기 그루브의 바닥면 상에 금속 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 금속 전극 상에 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 단계는 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 형성하는 단계; 및 상기 복합체를 소성하는 단계;를 포함하며,
    상기 탄소나노튜브 에미터는 상기 금속 전극 상에 마련되는 것으로 소성에 의해 상기 금속 전극을 이루는 물질과 Sn이 반응하여 형성된 금속간 화합물층, 상기 금속간 화합물층 상에 마련되는 Sn층 및 상기 Sn층 상에 마련되는 탄소나노튜브를 포함하는 전계방출소자의 제조방법.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 복합체의 소성은 250℃ ~ 600℃의 온도에서 수행되는 전계방출소자의 제조방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 금속 전극은 무전해 도금 방법에 의해 형성되는 전계방출소자의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 금속 전극은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 전계방출소자의 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 그루브의 바닥면 상에 상기 금속 전극의 무전해 도금을 위한 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 전계방출소자의 제조방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 복합체를 형성하는 단계는 상기 탄소나노튜브가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 상기 금속 전극 상에 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 도금하는 단계를 포함하는 전계방출소자의 제조방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 복합체를 형성하는 단계는,
    상기 금속 전극 상에 Cu층을 도금하는 단계; 및
    상기 Cu층을 Sn으로 치환도금하면서 상기 금속 전극 상에 상기 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 형성하는 단계;를 포함하는 전계방출소자의 제조방법.
  19. 기판 상에 소정의 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층을 패터닝하여 적어도 하나의 금속 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 금속 전극을 덮도록 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층을 패터닝하여 상기 금속 전극을 노출시키는 적어도 하나의 그루브를 형성하는 단계; 및
    상기 그루브를 통하여 노출된 금속 전극 상에 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 단계는 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 형성하는 단계; 및 상기 복합체를 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 탄소나노튜브 에미터는 상기 금속 전극 상에 마련되는 것으로 소성에 의해 상기 금속 전극을 이루는 물질과 Sn이 반응하여 형성된 금속간 화합물층, 상기 금속간 화합물층 상에 마련되는 Sn층 및 상기 Sn층 상에 마련되는 탄소나노튜브를 포함하는 전계방출소자의 제조방법.
  20. 삭제
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 복합체의 소성은 250℃ ~ 600℃의 온도에서 수행되는 전계방출소자의 제조방법.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 금속층은 무전해 도금 방법에 의해 형성되는 전계방출소자의 제조방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 금속층은 Ni, Co, Cu, Au 및 Ag으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어지는 전계방출소자의 제조방법.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 기판의 표면 상에 상기 금속층의 무전해 도금을 위한 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 전계방출소자의 제조방법.
  25. 제 19 항에 있어서,
    상기 복합체를 형성하는 단계는 상기 탄소나노튜브가 분산된 Sn 도금 용액을 이용하여 상기 금속 전극 상에 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 도금하는 단계를 포함하는 전계방출소자의 제조방법.
  26. 제 19 항에 있어서,
    상기 복합체를 형성하는 단계는,
    상기 금속 전극 상에 Cu층을 도금하는 단계; 및
    상기 Cu층을 Sn으로 치환도금하면서 상기 금속 전극 상에 상기 Sn과 탄소나노튜브의 복합체를 형성하는 단계;를 포함하는 전계방출소자의 제조방법.
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