KR101514208B1 - Laser etching apparatus and method - Google Patents

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KR101514208B1
KR101514208B1 KR1020130158181A KR20130158181A KR101514208B1 KR 101514208 B1 KR101514208 B1 KR 101514208B1 KR 1020130158181 A KR1020130158181 A KR 1020130158181A KR 20130158181 A KR20130158181 A KR 20130158181A KR 101514208 B1 KR101514208 B1 KR 101514208B1
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박민호
김준형
유현석
최교원
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주식회사 에스에프에이
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Abstract

Disclosed is a laser etching apparatus and a method thereof. The laser etching apparatus according to one embodiment of the present invention, comprises: a vacuum chamber in which an etching process for a substrate chucked on an upper surface of a chucking module is prosecuted; a laser irradiator for irradiating a laser in order to etch organic matters deposited in an outer part of the substrate; and a rotary module body which is connected to the chucking module and rotates the chucking module by a predetermined angle to prevent an organic matter particle separated from the substrate during an etching process by the laser from being re-deposited on the substrate.

Description

레이저 식각장치 및 그 방법{Laser etching apparatus and method}[0001] The present invention relates to a laser etching apparatus and method,

본 발명은, 레이저 식각장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 레이저를 이용하여 효율적으로 제거할 수 있음은 물론 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 다시 기판으로 재흡착되어 불량 기판이 생산되는 것을 예방할 수 있는 레이저 식각장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser etching apparatus and a method thereof, and more particularly, to an apparatus and method for efficiently removing organic substances deposited on an outer surface of a substrate using a laser, To a substrate, and to prevent a defective substrate from being produced again by being reabsorbed onto a substrate, and a method thereof.

정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광 받고 있다.As a result of the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, a flat panel display is attracting attention as a display device.

이러한 평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 있다.Such flat panel display devices include liquid crystal display devices, plasma display panels, and organic light emitting diodes.

이 중에서 유기전계발광소자, 예컨대 OLED는 빠른 응답속도, 기존의 LCD보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.Among these organic electroluminescent devices, for example, OLEDs have very good advantages such as high response speed, lower power consumption than conventional LCD, light weight, no need for a separate backlight device, And has been attracting attention as a next generation display device.

이러한 유기전계발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 입히고, 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다.Such an organic electroluminescent device is a principle in which an anode film, an organic thin film, and a cathode film are sequentially formed on a substrate, and a voltage is applied between the anode and the cathode to form a proper energy difference in the organic thin film and emit light by itself.

다시 말해, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며, 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도펀트 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.In other words, the injected electrons and holes are recombined, and the excitation energy generated is generated by light. At this time, since the wavelength of light generated according to the amount of the dopant of the organic material can be controlled, full color can be realized.

도 1은 유기전계발광소자(OLED)의 구조도이다.1 is a structural view of an organic electroluminescent device (OLED).

이 도면에 도시된 바와 같이, 유기전계발광소자는 기판 상에 애노드(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 정공 방지층(hole blocking layer), 전자 운송층(electron transfer layer), 전자 주입층(electron injection layer), 캐소드(cathode) 등의 막이 순서대로 적층되어 형성된다.As shown in this figure, an organic electroluminescent device includes an anode, a hole injection layer, a hole transfer layer, an emitting layer, a hole blocking layer, an electron injection layer, a cathode, and the like are stacked in this order.

이러한 구조에서 애노드로는 면 저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 정공 방지층, 전자 운송층, 전자 주입층의 다층으로 구성된다. 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이 있다. 캐소드로는 LiF-Al 금속막이 사용된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 봉지막이 최상부에 형성된다.In this structure, ITO (Indium Tin Oxide), which has small surface resistance and good transparency, is mainly used as the anode. The organic thin film is composed of a multilayer of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer in order to increase the luminous efficiency. Organic materials used as the light emitting layer include Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, and TCTA. As the cathode, a LiF-Al metal film is used. And since the organic thin film is very weak to moisture and oxygen in the air, a sealing film for sealing is formed at the top to increase the lifetime of the device.

한편, 도 1에 도시된 유기전계발광소자를 다시 간략하게 정리하면, 유기전계발광소자는 애노드, 캐소드, 그리고 애노드와 캐소드 사이에 개재된 발광층을 포함하며, 구동 시 정공은 애노드로부터 발광층 내로 주입되고, 전자는 캐소드로부터 발광층 내로 주입된다. 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.1, the organic electroluminescent device includes an anode, a cathode, and a light emitting layer interposed between the anode and the cathode. When the organic electroluminescent device is driven, holes are injected from the anode into the light emitting layer , Electrons are injected into the light emitting layer from the cathode. The holes and electrons injected into the light emitting layer are combined in the light emitting layer to generate excitons, and the excitons emit light while transitioning from the excited state to the ground state.

이러한 유기전계발광소자는 구현하는 색상에 따라 단색 또는 풀 칼라(full color) 유기전계발광소자로 구분될 수 있는데, 풀 칼라 유기전계발광소자는 빛의 삼원색인 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 별로 패터닝된 발광층을 구비함으로써 풀 칼라를 구현한다.Such an organic electroluminescent device can be classified into a monochromatic or full color organic electroluminescent device according to the color to be realized. The full-color organic electroluminescent device includes red (R), green (G) and And a light emitting layer patterned for each blue (B) color is provided to realize a full color.

풀 칼라 유기전계발광소자에 있어서, 발광층을 패터닝하는 것은 발광층을 형성하는 물질에 따라 다르게 수행될 수 있다.In the full-color organic electroluminescent device, the patterning of the light-emitting layer may be performed differently depending on the material forming the light-emitting layer.

발광층을 패터닝하는 OLED 증착 방식에는 FMM(Fine Metal Mask, 이하 마스크라 함)을 이용한 직접 패터닝 방식, LITI(Laser Induced Thermal Imaging) 공법을 적용한 방식, 컬러 필터(color filter)를 이용하는 방식, SMS(Small Mask Scanning) 증착 방식 등이 있다.OLED deposition methods for patterning the light emitting layer include a direct patterning method using a fine metal mask (hereinafter, referred to as a mask), a method using a LITI (Laser Induced Thermal Imaging) method, a method using a color filter, Mask Scanning) deposition method.

한편, 전술한 SMS 증착 방식은 공정 특성 상 스몰 마스크(Small Mask)로 스캐닝(Scanning)하면서 유기물을 증착하기 때문에 스캐닝 방향의 기판(Glass) 외곽까지 유기물이 증착된다.On the other hand, in the SMS deposition method described above, an organic material is deposited to the outside of the glass in the scanning direction because the organic material is deposited while scanning with a small mask.

기판의 외곽에 증착된 유기물은 기판 봉지 시 실링제(Sealing)와의 밀착력이 떨어지는 현상이 발생하게 되므로 현 공정에서는 증착 공정이 완료된 후에 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 제거한다.Organic materials deposited on the substrate's outer surface may be inferior in adherence to the sealant when sealing the substrate. Therefore, in the present process, organic substances deposited on the substrate are removed after the deposition process is completed.

기판의 외곽부에 증착된 유기물을 제거하는 방식으로서 드라이 식각방식(Dry Etching)이 사용되어 왔으나 최근들어 소자 등에 영향을 주지 않는 건식방식의 레이저(Laser)를 사용하는 방안이 고려되고 있다.Dry etching has been used as a method of removing organic substances deposited on the outer periphery of a substrate, but recently, a method of using a dry type laser which does not affect the device has been considered.

다만, 레이저 식각방식의 경우, 기판을 수평 상태로 배치한 상태에서 식각공정을 진행하게 되면 레이저 식각공정 시 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 다시 기판으로 재흡착되어 기판의 불량을 야기할 수 있으므로 이러한 점을 감안한 구조 개발이 시급하다.However, in the case of the laser etching method, if the etching process is performed while the substrate is horizontally arranged, the organic particles separated from the substrate during the laser etching process may be re-adsorbed to the substrate, Therefore, it is urgent to develop the structure considering these points.

대한민국특허청 출원번호 제10-1996-0031671호Korea Patent Office Application No. 10-1996-0031671

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 레이저를 이용하여 효율적으로 제거할 수 있음은 물론 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 다시 기판으로 재흡착되어 불량 기판이 생산되는 것을 예방할 수 있는 레이저 식각장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for efficiently removing organic substances deposited on an outer surface of a substrate using a laser, and also to re-adsorb organic particles separated from the substrate, And a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 측면에 따르면, 척킹 모듈의 상면에 척킹된 기판에 대한 식각공정이 진행되는 진공챔버; 상기 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 식각하기 위해 레이저(Laser)를 조사하는 레이저 조사기; 및 상기 척킹 모듈과 연결되며, 상기 레이저에 의한 식각공정 시 상기 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 상기 기판으로 재흡착되지 않도록 상기 척킹 모듈을 미리 결정된 각도만큼 회전시키는 모듈 회전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a vacuum processing apparatus, comprising: a vacuum chamber in which an upper surface of a chucking module is etched with respect to a chucked substrate; A laser irradiator for irradiating a laser to etch the organic material deposited on the outer surface of the substrate; And a module rotating body connected to the chucking module and rotating the chucking module by a predetermined angle so that organic particles separated from the substrate in the etching process by the laser are not reabsorbed onto the substrate A laser etching apparatus can be provided.

상기 모듈 회전체에 의해 상기 기판이 회전되는 각도범위는 90도 내지 180도일 수 있다.The angle range in which the substrate is rotated by the module rotating body may be 90 degrees to 180 degrees.

상기 레이저 조사기는 상기 진공챔버의 외부에 위치 고정되어 상기 진공챔버의 내부를 향해 상기 레이저를 조사할 수 있다.The laser irradiator is fixed to the outside of the vacuum chamber and can irradiate the laser toward the inside of the vacuum chamber.

상기 레이저 조사기가 배치되는 상기 진공챔버의 벽면에는 제1 레이저 포트(Laser port)가 마련될 수 있다.And a first laser port may be provided on a wall surface of the vacuum chamber in which the laser irradiator is disposed.

상기 척킹 모듈과 연결되어 상기 척킹 모듈을 상기 제1 레이저 포트 영역으로 이동시키는 모듈 이동체를 더 포함할 수 있다.And a module moving body connected to the chucking module to move the chucking module to the first laser port area.

상기 모듈 회전체와 상기 모듈 이동체의 동작을 컨트롤하는 컨트롤러를 더 포함할 수 있다.And a controller for controlling operations of the module rotating body and the module moving body.

상기 진공챔버의 일측에는 상기 기판이 척킹된 척킹 모듈이 출입되는 출입부가 형성될 수 있으며, 상기 출입부 영역에는 게이트 도어가 개폐 가능하게 결합될 수 있다.The vacuum chamber may have an inlet and an outlet through which the chucking module is inserted and removed from the vacuum chamber, and a gate door may be coupled to the inlet and outlet area so as to be openable and closable.

상기 진공챔버는, 격벽에 의해 상기 증착공정이 진행되는 제1 공간과 상기 증착공정이 진행되지 않는 제2 공간으로 구획될 수 있다.The vacuum chamber may be partitioned into a first space through which the deposition process proceeds and a second space through which the deposition process does not proceed.

상기 제2 공간의 일측에 고정 배치되어 상기 레이저 조사기에서 조사되는 레이저를 미리 결정된 방향으로 반사시키는 고정 미러; 및 상기 고정 미러의 주변에서 이동 가능하게 배치되며, 상기 고정 미러에서 반사되는 레이저를 받아 상기 제1 공간 내의 기판으로 다시 반사시키는 이동 미러를 더 포함할 수 있다.A fixed mirror fixedly disposed on one side of the second space and reflecting a laser beam radiated from the laser irradiator in a predetermined direction; And a moving mirror disposed movably in the periphery of the fixed mirror and reflecting the laser reflected from the fixed mirror back to the substrate in the first space.

상기 이동 미러에 연결되어 상기 이동 미러의 이동을 가이드하는 미러 이동 가이드를 더 포함할 수 있다.And a mirror moving guide connected to the moving mirror to guide movement of the moving mirror.

상기 격벽에는 상기 이동 미러에서 반사되는 레이저를 상기 제1 공간 내의 기판으로 안내하는 제2 및 제3 레이저 포트가 형성될 수 있다.The barrier rib may be formed with second and third laser ports for guiding the laser reflected from the moving mirror to the substrate in the first space.

상기 척킹 모듈은 정전척일 수 있으며, 상기 기판은 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes)일 수 있다.The chucking module may be an electrostatic chuck, and the substrate may be an organic light emitting diode.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 식각공정이 진행되는 진공챔버 내로 척킹 모듈에 의해 척킹된 기판이 로딩되는 기판 로딩 단계; 상기 식각공정 시 상기 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 상기 기판으로 재흡착되지 않도록 상기 척킹 모듈을 미리 결정된 각도만큼 회전(flip)시키는 기판 플립 단계; 및 상기 식각공정의 진행을 위해 상기 기판의 외곽부로 레이저를 조사하여 상기 기판을 스캐닝하는 기판 스캐닝 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a substrate loading step in which a chucked substrate is loaded by a chucking module into a vacuum chamber in which an etching process is performed; A substrate flip step of flicking the chucking module by a predetermined angle so that organic particles separated from the substrate during the etching process are not re-adsorbed to the substrate; And a substrate scanning step of scanning the substrate by irradiating a laser to an outer edge of the substrate to advance the etching process.

상기 기판 플립 단계 시 상기 기판이 회전되는 각도범위는 90도 내지 180도일 수 있다.An angle range in which the substrate is rotated during the substrate flip step may be 90 degrees to 180 degrees.

상기 기판 스캐닝 단계는 고정된 위치에서 조사되는 레이저를 향해 상기 기판이 이동되면서 진행될 수 있다.The substrate scanning step may proceed while the substrate is being moved toward the laser being irradiated at a fixed location.

상기 기판 로딩 단계 전에, 상기 진공챔버의 외부에서 상기 기판이 상기 척킹 모듈에 척킹되는 기판 척킹 단계를 더 포함할 수 있다.And a substrate chucking step in which the substrate is chucked to the chucking module outside the vacuum chamber before the substrate loading step.

상기 기판 스캐닝 단계 전에 상기 기판을 얼라인시키는 기판 얼라인 단계를 더 포함할 수 있다.And aligning the substrate to align the substrate before the substrate scanning step.

상기 기판 스캐닝 단계 후에 식각영역을 검사하는 비전 검사 단계를 더 포함할 수 있다.And a vision inspection step of inspecting an etching area after the substrate scanning step.

상기 비전 검사 단계 후에 상기 기판이 상기 진공챔버로부터 언로딩되는 기판 언로딩 단계를 더 포함할 수 있다.And a substrate unloading step in which the substrate is unloaded from the vacuum chamber after the vision inspection step.

본 발명에 따르면, 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 레이저를 이용하여 효율적으로 제거할 수 있음은 물론 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 다시 기판으로 재흡착되어 불량 기판이 생산되는 것을 예방할 수 있다.According to the present invention, it is possible to efficiently remove the organic substances deposited on the outer edge of the substrate using a laser, and to prevent the organic particles separated from the substrate from being reabsorbed onto the substrate, have.

도 1은 유기전계발광소자(OLED)의 구조도이다.
도 2는 OLED 기판에 대한 식각 및 실링 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 식각장치의 단계별 동작도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 식각장치의 제어블록도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 식각방법의 플로차트이다.
도 10 내지 도 12는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 식각장치의 단계별 동작도이다.
1 is a structural view of an organic electroluminescent device (OLED).
2 is a schematic view showing an etching and sealing structure for an OLED substrate.
FIGS. 3 to 7 are operation diagrams of the laser etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a control block diagram of a laser etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart of a laser etching method according to an embodiment of the present invention.
10 to 12 are operation diagrams of the laser etching apparatus according to another embodiment of the present invention, respectively.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 2는 OLED 기판에 대한 식각 및 실링 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a schematic view showing an etching and sealing structure for an OLED substrate.

이 도면을 참조하면, 본 실시예에 적용되는 OLED 기판은 도 2의 (a)처럼 패턴 글라스(Pattern Glass) 상에 유기물이 증착된 후, 봉지 글라스(Encap. Glass)에 의해 봉지되는 구조를 갖는다.Referring to this figure, an organic light emitting diode (OLED) substrate according to the present embodiment has a structure in which an organic material is deposited on a pattern glass as shown in FIG. 2 (a), and then sealed with a sealing glass .

이때, 기판의 외곽에 증착된 유기물은 기판 봉지 시 실링제(S, Sealing, 도 2의 (c) 참조)와의 밀착력이 떨어지는 현상이 발생하게 되므로 도 2의 (a)에서 (b)처럼 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 제거해야 한다.At this time, since the organic substance deposited on the outer surface of the substrate is inferior in adhesion to the sealing agent (S, Sealing, see FIG. 2C) when the substrate is sealed, Organic matter deposited on the outer part should be removed.

앞서 기술한 것처럼 드라이 식각방식(Dry Etching)을 사용할 경우, 플라즈마(Plasma)가 소자에 침투하여 소자의 특성 변형을 야기할 수 있다는 점에서 바람직하기 않기 때문에 본 실시예의 경우, 레이저를 이용하여 기판의 외곽부 일측(L1)과 타측(L2)에 증착된 유기물을 식각하는 방식을 채택하고 있다.As described above, when dry etching is used, plasma is not preferable because it may penetrate the device and cause characteristic deformation of the device. Therefore, in this embodiment, And the organic material deposited on one side (L1) and the other side (L2) of the outer frame is etched.

본 실시예가 적용될 경우, 종전과 달리 기판의 외곽부 일측(L1)과 타측(L2)에 증착된 유기물을 레이저를 이용하여 효율적으로 제거할 수 있다.When the present embodiment is applied, organic substances deposited on one side (L1) and the other side (L2) of the outer frame part of the substrate can be efficiently removed by using a laser, unlike the prior art.

특히, 아래와 같은 구조적인 특징에 의해 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 다시 기판으로 재흡착되어 불량 기판이 생산되는 것을 예방할 수 있다. 이에 대해 도 3 내지 도 9를 참조하여 자세히 알아본다.Particularly, due to the following structural features, the organic particles separated from the substrate can be re-adsorbed onto the substrate to prevent the production of the defective substrate. This will be described in detail with reference to FIG. 3 to FIG.

도 3 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 식각장치의 단계별 동작도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 식각장치의 제어블록도이며, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 식각방법의 플로차트이다.FIG. 8 is a control block diagram of a laser etching apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 9 is a flowchart illustrating a method of controlling the laser etching apparatus according to an embodiment of the present invention. 1 is a flow chart of a laser etching method according to an embodiment.

이들 도면을 참조하되 우선 도 3 내지 도 8을 참조하면, 본 실시예의 레이저 식각장치는 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)과 타측(L2, 도 2 참조)에 증착된 유기물을 레이저를 이용하여 제거(식각, 에칭)하는 장치로서, 진공챔버(110), 레이저 조사기(120), 모듈 회전체(130), 그리고 모듈 이동체(140)를 포함할 수 있다.3 to 8, the laser etching apparatus according to the present embodiment includes an organic material deposited on one side (L1, see FIG. 2) and the other side (L2, see FIG. 2) And may include a vacuum chamber 110, a laser irradiator 120, a module rotating body 130, and a module moving body 140.

진공챔버(110)는 기판에 대한 식각공정이 진행되는 장소를 형성한다. 레이저 조사 방식에 의해 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)과 타측(L2, 도 2 참조)에 증착된 유기물을 제거할 때는 챔버의 내부가 진공을 유지해야 하기 때문에 진공챔버(110)가 적용된다. 적정한 진공압 유지를 위하여 진공챔버(110)의 일측에는 진공펌프(미도시) 등이 갖춰질 수 있다.The vacuum chamber 110 forms a place where the etching process for the substrate proceeds. 2) and the other side (refer to FIG. 2) of the substrate by the laser irradiation method, since the inside of the chamber must maintain a vacuum, the vacuum chamber 110 . A vacuum pump (not shown) or the like may be provided at one side of the vacuum chamber 110 to maintain a proper vacuum pressure.

진공챔버(110)의 일측 벽면에는 기판이 출입되는 출입부(111)가 형성된다. 그리고 출입부(111) 영역에는 출입부(111)를 개폐시키는 게이트 도어(112)가 마련된다.On one side wall of the vacuum chamber 110, an entrance / exit part 111 through which the substrate enters / exits is formed. A gate door 112 for opening and closing the access portion 111 is provided in the access portion 111 area.

출입부(111)를 통해 진공챔버(110)로 출입되는 기판은 척킹 모듈(150)에 척킹된 상태에서 진공챔버(110) 내로 로딩되거나 진공챔버(110)로부터 언로딩된다. 본 실시예의 경우, 척킹 모듈(150)로서 정전척을 적용하고 있다.The substrate which is put in and out of the vacuum chamber 110 through the entrance portion 111 is loaded into the vacuum chamber 110 or unloaded from the vacuum chamber 110 while being chucked by the chucking module 150. In the case of this embodiment, an electrostatic chuck is used as the chucking module 150.

참고로, 정전척에 대해 간략하게 부연한다. 척(Chuck)이란 공정 진행 동안 기판을 잡아주는 장치로서, 크게는 E 척(E-Chuck)과 M 척(M-Chuck)으로 나뉜다. M 척(M-Chuck)은 기구적으로 기판을 가압하기 때문에 기판에 파티클을 발생시킬 수 있고 또한 기판의 에지(edge)를 쓸모없이 만들 수 있다.For reference, an electrostatic chuck is briefly described. A chuck is a device for holding a substrate during a process, mainly divided into an E-chuck and an M-chuck. The M-chuck mechanically presses the substrate, so it can generate particles on the substrate and also make the edge of the substrate useless.

하지만, 본 실시예에서 적용 중에 있는 정전척(ES-Chuck)의 개발로 이런 문제점은 사라졌다 할 수 있다.However, this problem has disappeared due to the development of the electrostatic chuck (ES-Chuck) being applied in this embodiment.

본 실시예에서 적용 중에 있는 정전척(ES-Chuck)은 말 그대로 정전력 (Electrostatic Force), 즉 정전기력에 의해 기판을 잡는 방법으로 기존의 M 척(M-Chuck)에서의 문제점을 개선했다.The electrostatic chuck (ES-Chuck) being applied in this embodiment improves the problem in the existing M-chuck by literally holding the substrate by the electrostatic force, that is, the electrostatic force.

정전척(ES-Chuck)에는 Uni-polar, Bi-polar, Tri-polar 타입 등이 있다.Electrostatic chuck (ES-Chuck) includes Uni-polar, Bi-polar and Tri-polar type.

Uni-polar 타입은 척에 (+) 전압만을 인가하고 플라즈마(Plasma) 발생에 의해 접지(Ground)와 연결되어 척킹을 하는데, 척킹 해제(Dechucking)를 하려면 반대의 역바이어스를 걸어주어야 한다. 만약, 반대의 역바이어스를 걸어주지 않으면 전원 공급이 중단되더라도 기판을 수 내지 수십 분 동안 흡착하는 성질이 있다.The Uni-polar type applies a positive voltage to the chuck, and is connected to the ground by chucking due to plasma generation. In order to dechuck the chuck, reverse bias should be applied. If the opposite reverse bias is not applied, the substrate is attracted for several to several tens of minutes even if the power supply is interrupted.

Bi-polar 타입은 척에 +/- DC 전압이 인가됨으로써 척킹을 위해 인가된 전압의 역바이어스를 걸어주면 척킹 해제가 되는 구조이다. 척 자체만으로 척킹 또는 척킹 해제가 가능하도록 한 것이며, 플라즈마가 필요 없다는 이점이 있다.Bi-polar type is a structure in which chucking is released by applying reverse bias of applied voltage for chucking by applying +/- DC voltage to chuck. The chucking or chucking can be performed only by the chuck itself, and there is an advantage that no plasma is required.

Tri-polar 타입은 Bi-polar 타입과 비슷한데, 한 가지 다른 것은 플라즈마에서 발생한 DC Self 바이어스(Bias)를 읽어(Reading) +/- 전압을 Vdc 만큼 보상해 줌으로써 기판과 척 사이의 네트 차지(Net charge)를 제로(zero)화 해야 하는 것이다.The tri-polar type is similar to the Bi-polar type. One of the other is to read the DC self bias (Bias) generated in the plasma and compensate for the +/- voltage by Vdc, so that the net charge ) Should be zeroed.

본 실시예에서 적용되는 척킹 모듈(150)은 정전척(ES-Chuck)의 전술한 타입 중에서 Bi-polar 타입을 적용하고 있다. 이는 기판을 척킹한 상태에서 전원 공급이 중단되더라도 기판을 수 내지 수십 분 동안 계속 흡착할 수 있기 때문에 유리하다.The chucking module 150 applied in this embodiment applies Bi-polar type among the above-described types of electrostatic chuck (ES-Chuck). This is advantageous because the substrate can be continuously adsorbed for several to several tens of minutes even if the power supply is interrupted while the substrate is chucked.

하지만, Uni-polar 타입이나 Tri-polar 타입의 정전척이 사용되더라도 관계는 없다. 뿐만 아니라 정전척 대신에 자력척이나 흡착척이 사용될 수도 있을 것이다.However, uni-polar type or tri-polar type electrostatic chuck may be used. In addition, a magnetic chuck or an adsorption chuck may be used instead of the electrostatic chuck.

레이저 조사기(120)는 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)과 타측(L2, 도 2 참조)에 증착된 유기물을 제거하기 위해 레이저(Laser)를 조사한다.The laser irradiator 120 irradiates a laser to remove organic substances deposited on one side (L1) (see FIG. 2) and the other side (see FIG. 2) of the substrate.

본 실시예에서 레이저 조사기(120)는 진공챔버(110)의 외부에 위치 고정되어 진공챔버(110)의 내부를 향해 레이저를 조사한다.In this embodiment, the laser irradiator 120 is fixed to the outside of the vacuum chamber 110 and irradiates the laser toward the inside of the vacuum chamber 110.

이때, 레이저 조사기(120)가 배치되는 진공챔버(110)의 벽면에는 제1 레이저 포트(113, Laser port)가 마련된다. 레이저 조사기(120)는 제1 레이저 포트(113)를 통해 레이저가 조사되어 기판으로 향할 수 있도록 한다.At this time, a first laser port 113 is provided on the wall surface of the vacuum chamber 110 where the laser irradiator 120 is disposed. The laser irradiator 120 allows the laser to be irradiated through the first laser port 113 to be directed to the substrate.

본 실시예의 경우에는 레이저 조사기(120)를 위치 고정시켜 두고 척킹 모듈(150)을 통해 기판을 이동시키면서 식각공정을 진행하고 있다. 이는 레이저 조사기(120)가 이동되는 경우의 레이저 불균형 문제와 고가의 레이저 조사기(120)에 대한 손상 문제를 해소하기 위한 방안일 수 있다.In this embodiment, the laser beam 120 is fixed in position, and the etching process is performed while moving the substrate through the chucking module 150. This may be a solution to the problem of laser imbalance when the laser irradiator 120 is moved and the problem of damage to the expensive laser irradiator 120.

하지만, 안정적으로 레이저를 조사할 수만 있다면 본 실시예와 달리 기판을 고정시킨 상태에서 레이저 조사기(120)를 이동시키면서 식각공정을 진행할 수도 있을 것이다.However, if the laser can be stably irradiated, the etching process may be performed while moving the laser irradiator 120 while the substrate is fixed, unlike the present embodiment.

모듈 회전체(130)는 도 4에서 도 5처럼 척킹 모듈(150)과 연결되며, 레이저에 의한 식각공정 시 기판에서 분리되는 유기물 파티클이 기판으로 재흡착되지 않도록 척킹 모듈(150)을 미리 결정된 각도만큼 미리 회전시켜 놓는 역할을 한다.The module rotating body 130 is connected to the chucking module 150 as shown in FIG. 4, and the chucking module 150 is moved to a predetermined angle (not shown) so as to prevent the organic particles separated from the substrate from being re- As shown in FIG.

모듈 회전체(130)에 의해 기판이 회전되는 각도범위는 90도 내지 180도일 수 있는데, 본 실시예의 경우에는 100도를 선택하고 있다.An angle range in which the substrate is rotated by the module rotating body 130 may be 90 degrees to 180 degrees, and in this embodiment, 100 degrees is selected.

본 실시예처럼 기판을 100도로 회전(flip)시켜 기울인 상태에서 레이저를 통한 식각공정을 진행하면 각도상 기판에서 분리되는 유기물 파티클이 다시 기판으로 재흡착되어 불량 기판이 생산되는 것을 예방하기에 충분하다.If the etching process is performed through the laser in a state in which the substrate is flipped at 100 degrees as in the present embodiment, the organic particles separated from the substrate at the angle may be re-adsorbed onto the substrate to prevent the production of the defective substrate .

따라서 기판이 회전되는 각도범위가 100도 이상인 것이 유리하지만 90도 내지 180도의 범위를 갖는다면 기판에서 분리되는 유기물 파티클이 다시 기판으로 재흡착되어 불량 기판이 생산되는 것을 예방하기에 충분한 것이다.Therefore, it is advantageous that the angle of rotation of the substrate is 100 degrees or more, but it is sufficient to prevent the organic particles separated from the substrate from being reabsorbed to the substrate again to produce the defective substrate if the substrate has a range of 90 degrees to 180 degrees.

모듈 이동체(140)는 척킹 모듈(150)과 연결되어 척킹 모듈(150)을 제1 레이저 포트(113) 영역으로 이동시키는 역할을 한다.The module moving body 140 is connected to the chucking module 150 to move the chucking module 150 to the first laser port 113 area.

모듈 회전체(130)와 마찬가지로 모듈 이동체(140) 역시 컨트롤러(160)에 의해 그 동작이 컨트롤될 수 있다.As with the module rotating body 130, the operation of the module moving body 140 can also be controlled by the controller 160.

참고로, 도면에는 모듈 회전체(130)와 모듈 이동체(140)가 개략적으로 도시되었는데, 모듈 회전체(130)와 모듈 이동체(140)는 모터(motor)나 볼 스크루(ball screw), 혹은 실린더(cylinder) 등의 조합에 의해 적절하게 선택될 수 있다.The module rotating body 130 and the module moving body 140 are schematically illustrated in the drawing by the module rotating body 130 and the module moving body 140. The module rotating body 130 and the module moving body 140 are connected to each other by a motor, a ball screw, a cylinder, and the like.

한편, 컨트롤러(160)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 중앙처리장치(161, CPU), 메모리(162, MEMORY), 서포트 회로(163, SUPPORT CIRCUIT)를 포함할 수 있다.On the other hand, the controller 160 may include a central processing unit (CPU) 161, a memory 162 (MEMORY), and a support circuit 163 (SUPPORT CIRCUIT) as shown in FIG.

중앙처리장치(161)는 본 실시예에서 모듈 회전체(130)와 모듈 이동체(140)의 동작을 컨트롤하기 위해서 산업적으로 적용될 수 있는 다양한 컴퓨터 프로세서들 중 하나일 수 있다.The central processing unit 161 may be one of various computer processors that can be industrially applied to control the operation of the module rotating body 130 and the module moving body 140 in this embodiment.

메모리(162, MEMORY)는 중앙처리장치(161)와 연결된다. 메모리(162)는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체로서 로컬 또는 원격지에 설치될 수 있으며, 예를 들면 랜덤 액세스 메모리(RAM), ROM, 플로피 디스크, 하드 디스크 또는 임의의 디지털 저장 형태와 같이 쉽게 이용가능한 적어도 하나 이상의 메모리이다.The memory 162 (MEMORY) is connected to the central processing unit 161. [ The memory 162 may be a computer-readable recording medium and may be located locally or remotely and may be any of various types of storage devices, including, for example, a random access memory (RAM), a ROM, a floppy disk, At least one or more memories.

서포트 회로(163, SUPPORT CIRCUIT)는 중앙처리장치(161)와 결합되어 프로세서의 전형적인 동작을 지원한다. 이러한 서포트 회로(163)는 캐시, 파워 서플라이, 클록 회로, 입/출력 회로, 서브시스템 등을 포함할 수 있다.A support circuit 163 (SUPPORT CIRCUIT) is coupled with the central processing unit 161 to support the typical operation of the processor. Such a support circuit 163 may include a cache, a power supply, a clock circuit, an input / output circuit, a subsystem, and the like.

본 실시예에서 컨트롤러(160)는 모듈 회전체(130)와 모듈 이동체(140)의 동작을 컨트롤하는데 이러한 일련의 프로세스 등은 메모리(162)에 저장될 수 있다. 전형적으로는 소프트웨어 루틴이 메모리(162)에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한 다른 중앙처리장치(미도시)에 의해서 저장되거나 실행될 수 있다.In this embodiment, the controller 160 controls the operation of the module rotating body 130 and the module moving body 140, and such a series of processes and the like can be stored in the memory 162. Typically, a software routine may be stored in the memory 162. The software routines may also be stored or executed by other central processing units (not shown).

본 발명에 따른 프로세스는 소프트웨어 루틴에 의해 실행되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 프로세스들 중 적어도 일부는 하드웨어에 의해 수행되는 것도 가능하다. 이처럼, 본 발명의 프로세스들은 컴퓨터 시스템 상에서 수행되는 소프트웨어로 구현되거나 또는 집적 회로와 같은 하드웨어로 구현되거나 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합에 의해서 구현될 수 있다.Although processes according to the present invention are described as being performed by software routines, it is also possible that at least some of the processes of the present invention may be performed by hardware. As such, the processes of the present invention may be implemented in software executed on a computer system, or in hardware such as an integrated circuit, or in combination of software and hardware.

이하, 본 실시예의 레이저 식각방법을 설명한다.Hereinafter, the laser etching method of this embodiment will be described.

우선, 진공챔버(110)의 외부에서 기판이 척킹 모듈(150)에 척킹된다(S11). 앞서 기술한 것처럼 척킹 모듈(150)은 정전척으로 적용되며, 기판이 척킹 모듈(150)의 상부에 척킹될 수 있다.First, the substrate is chucked to the chucking module 150 from the outside of the vacuum chamber 110 (S11). As previously described, the chucking module 150 is applied as an electrostatic chuck, and the substrate can be chucked on top of the chucking module 150.

척킹 모듈(150) 상에 페이스 업(face up) 상태로 척킹된 기판은 척킹 모듈(150)에 의해 출입부(111)를 통해 진공챔버(110) 내로 진입되어 도 4처럼 해당 위치에서 로딩된다(S12).The substrate chucked in a face up state on the chucking module 150 enters the vacuum chamber 110 through the entrance portion 111 by the chucking module 150 and is loaded at the corresponding position as shown in Figure 4 S12).

다음, 식각공정 시 기판에서 분리되는 유기물 파티클이 기판으로 재흡착되지 않도록 모듈 회전체(130)의 동작에 의해 도 5처럼 척킹 모듈(150)이 이미 결정된 각도만큼 회전(flip)되어(S13), 기판이 페이스 다운(face down) 상태로 경사 배치된다. 이때의 경사도는 대략 100도일 수 있다.Next, the chucking module 150 is flipped (S13) by the predetermined angle as shown in FIG. 5 by the operation of the module rotating body 130 so that organic particles separated from the substrate in the etching process are not reabsorbed to the substrate, The substrate is tilted in a face down state. The slope at this time may be approximately 100 degrees.

기판이 페이스 다운(face down) 상태로 경사 배치되고 나면 기판을 얼라인시킨 다음(S14), 식각공정의 진행을 위해 기판의 외곽부로 레이저를 조사하여 기판을 스캐닝하는 기판 스캐닝 단계(S15)가 진행된다.After the substrate is tilted in a face down state, the substrate is aligned (S14). Then, a substrate scanning step (S15) for scanning the substrate by irradiating laser to the outer edge of the substrate for the progress of the etching process is performed do.

기판 스캐닝 단계(S15) 시 고정된 위치에서 조사되는 레이저를 향해 기판이 이동되면서 식각공정을 수행한다. 즉 모듈 이동체(140)에 의해 기판이 도 6처럼 일정 거리만큼 위치 이동되면 조사되는 레이저에 의해 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)에 증착된 유기물이 제거되며, 다시 모듈 이동체(140)에 의해 기판이 도 7처럼 일정 거리만큼 더 위치 이동되면 조사되는 레이저에 의해 기판의 외곽부 타측(L2, 도 2 참조)에 증착된 유기물이 제거된다.During the substrate scanning step (S15), the substrate is moved toward the laser irradiated at the fixed position to perform the etching process. That is, when the substrate is moved by a predetermined distance as shown in FIG. 6 by the module moving body 140, organic matter deposited on one side (L1, see FIG. 2) of the substrate by the laser irradiated is removed, The organic material deposited on the other side of the substrate (L2, see FIG. 2) is removed by the laser irradiated when the substrate is further moved by a predetermined distance as shown in FIG.

다음, 기판 스캐닝 단계(S15)가 진행되어 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)과 타측(L2, 도 2 참조)에 증착된 유기물이 제거되고 나면, 비전을 통해 식각된 부분을 검사한 후(S16), 전술한 역동작을 통해 기판이 언로딩된다(S17).Next, after the substrate scanning step S15 is performed to remove organic substances deposited on one side L1 (see FIG. 2) and the other side L2 (see FIG. 2) of the substrate, the portion etched through the vision is inspected (S16), the substrate is unloaded through the above-described reverse operation (S17).

이와 같은 구조와 동작을 갖는 본 실시예에 따르면, 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 레이저를 이용하여 효율적으로 제거할 수 있음은 물론 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 다시 기판으로 재흡착되어 불량 기판이 생산되는 것을 예방할 수 있게 된다.According to this embodiment having such a structure and operation, it is possible to efficiently remove the organic substances deposited on the outer edge of the substrate by using a laser, and further, the organic particles separated from the substrate are again adsorbed on the substrate It is possible to prevent the production of defective substrates.

도 10 내지 도 12는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 식각장치의 단계별 동작도이다.10 to 12 are operation diagrams of the laser etching apparatus according to another embodiment of the present invention, respectively.

이들 도면을 참조하면, 본 실시예의 레이저 식각장치의 경우, 진공챔버(210)가 격벽(211)에 의해 증착공정이 진행되는 제1 공간(210a)과 증착공정이 진행되지 않는 제2 공간(210b)으로 구획된다.Referring to these drawings, in the case of the laser etching apparatus of this embodiment, the vacuum chamber 210 is divided into a first space 210a through which the deposition process is performed by the partition 211 and a second space 210b ).

레이저 조사기(220)에 이웃된 제2 공간(210b)의 측벽에는 제1 레이저 포트(213)가 마련되며, 격벽(211) 상에 각각 제2 및 제3 레이저 포트(214,215)가 마련된다.A first laser port 213 is provided on a sidewall of the second space 210b adjacent to the laser irradiator 220 and second and third laser ports 214 and 215 are provided on the partition 211,

제1 공간(210a)에는 척킹 모듈(250)에 척킹된 기판이 로딩된다. 이에 반해, 제2 공간(210b)에는 고정 미러(270), 이동 미러(280), 그리고 미러 이동 가이드(290)가 마련된다.The chucked substrate is loaded into the chucking module 250 in the first space 210a. In the second space 210b, a fixed mirror 270, a moving mirror 280, and a mirror moving guide 290 are provided.

고정 미러(270), 이동 미러(280), 그리고 미러 이동 가이드(290)가 격리된 제2 공간(210b)에 마련되기 때문에 고정 미러(270), 이동 미러(280), 그리고 미러 이동 가이드(290)가 오염되는 현상은 없다.The fixed mirror 270, the movable mirror 280, and the mirror moving guide 290 are provided in the second isolated space 210b because the fixed mirror 270, the movable mirror 280, and the mirror moving guide 290 are provided in the isolated second space 210b. ) Is not contaminated.

고정 미러(270), 이동 미러(280), 그리고 미러 이동 가이드(290)는 진공챔버(210)의 외부에 위치 고정되는 레이저 조사기(220)에서 조사되는 레이저를 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)과 타측(L2, 도 2 참조)으로 안내하기 위한 수단들이다.The fixed mirror 270, the moving mirror 280 and the mirror moving guide 290 are fixed to the outer side of the substrate (L1, 2) and the other side (L2, see Fig. 2).

고정 미러(270)는 제2 공간(210b)의 일측에 고정 배치된다. 고정 미러(270)는 해당 위치에서 레이저 조사기(220)에서 제1 레이저 포트(213)를 통해 조사되는 레이저를 이동 미러(280) 쪽으로 반사시킨다. 따라서 고정 미러(270)는 일정한 경사도를 가지고 배치된다.The stationary mirror 270 is fixedly disposed on one side of the second space 210b. The fixed mirror 270 reflects the laser beam irradiated through the first laser port 213 from the laser irradiator 220 to the moving mirror 280 at the corresponding position. Therefore, the fixed mirror 270 is disposed with a constant inclination.

이동 미러(280)는 고정 미러(270)와 달리 도 11 및 도 12처럼 위치 이동된다. 이러한 이동 미러(280)는 고정 미러(270)에서 반사되는 레이저를 받아 다시 반사시켜 제2 및 제3 레이저 포트(214,215)를 통해 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)과 타측(L2, 도 2 참조)으로 안내하여 기판의 외곽부를 식각하기 위한 역할을 한다.The movable mirror 280 is shifted as shown in Figs. 11 and 12, unlike the fixed mirror 270. Fig. The moving mirror 280 reflects the laser beam reflected by the fixed mirror 270 and reflects the laser beam again through the second and third laser ports 214 and 215 to one side L1 of the substrate (see FIG. 2) 2) and serves to etch the outer frame of the substrate.

미러 이동 가이드(290)는 도 11과 도 12처럼 이동 미러(280)의 이동을 가이드하기 위해 마련된다. 통상의 LM 가이드로 미러 이동 가이드(290)가 적용될 수 있다.The mirror moving guide 290 is provided to guide movement of the movable mirror 280 as shown in FIGS. The mirror moving guide 290 can be applied to the ordinary LM guide.

이하, 본 실시예의 레이저 식각방법을 설명한다.Hereinafter, the laser etching method of this embodiment will be described.

우선, 척킹 모듈(250) 상에 페이스 업(face up) 상태로 척킹된 기판은 척킹 모듈(250)에 의해 출입부(211)를 통해 진공챔버(210)의 제1 공간(210a)으로 진입되어 도 10처럼 해당 위치에서 로딩된다.First, the substrate chucked in a face-up state on the chucking module 250 is introduced into the first space 210a of the vacuum chamber 210 through the entrance portion 211 by the chucking module 250 As shown in FIG.

다음, 식각공정 시 기판에서 분리되는 유기물 파티클이 기판으로 재흡착되지 않도록 도시 않은 모듈 회전체(미도시)의 동작에 의해 도 11처럼 척킹 모듈(250)이 이미 결정된 각도, 예컨대 100도로 회전(flip)되어 기판이 페이스 다운(face down) 상태로 경사 배치된다.Next, in order to prevent the organic particles separated from the substrate from being re-adsorbed on the substrate during the etching process, the chucking module 250 is rotated at a predetermined angle, for example, 100 degrees as shown in FIG. 11 by the operation of a module rotation So that the substrate is tilted in a face down state.

기판이 페이스 다운(face down) 상태로 경사 배치되면 레이저 조사기(220)에서 제1 레이저 포트(213)를 통해 레이저가 조사된다. 조사되는 레이저는 고정 미러(270)와 이동 미러(280)에 각각 반사되어 제2 레이저 포트(214)를 통해 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)으로 전달되어 기판의 외곽부 일측(L1, 도 2 참조)을 식각한다.When the substrate is tilted in a face down state, the laser is irradiated through the first laser port 213 in the laser irradiator 220. The irradiated laser is respectively reflected by the fixed mirror 270 and the moving mirror 280 and is transmitted to the one side L1 of the substrate (see FIG. 2) through the second laser port 214 to the other side L1 of the substrate , See Fig. 2).

공정이 완료되면, 도 12처럼 미러 이동 가이드(290)를 통해 이동 미러(280)가 위치 이동된다. 이동 미러(280)의 위치 이동이 완료되면 레이저 조사기(220)에서 제1 레이저 포트(213)를 통해 레이저가 조사된다. 조사되는 레이저는 고정 미러(270)와 이동 미러(280)에 각각 반사되어 제3 레이저 포트(215)를 통해 기판의 외곽부 타측(L2, 도 2 참조)으로 전달되어 기판의 외곽부 타측(L2, 도 2 참조)을 식각한다.When the process is completed, the moving mirror 280 is moved through the mirror moving guide 290 as shown in FIG. When the movement of the movable mirror 280 is completed, the laser is irradiated through the first laser port 213 in the laser irradiator 220. The irradiated laser is reflected by the fixed mirror 270 and the moving mirror 280 and is transmitted to the other side L2 of the substrate (refer to FIG. 2) through the third laser port 215 to the other side L2 of the substrate , See Fig. 2).

본 실시예와 같은 구조는 전술한 실시예의 모듈 이동체(140, 도 4 참조)가 사용되지 않는 대신에 제2 공간(210b)에 고정 미러(270), 이동 미러(280), 그리고 미러 이동 가이드(290)를 마련하여 레이저의 조사 궤적을 조절하여 식각공정을 진행하는 경우에 해당되는데, 이러한 경우, 모듈 이동체(140, 도 3 참조)가 사용되지 않기 때문에 진공챔버(210)의 높이를 낮출 수 있어 대형 기판의 식각공정에 적용하기에 유리할 것이다.The structure similar to that of this embodiment is different from that of the first embodiment in that the module moving body 140 (see FIG. 4) is not used but the fixed mirror 270, the moving mirror 280 and the mirror moving guide The module moving body 140 (see FIG. 3) is not used. In this case, the height of the vacuum chamber 210 can be lowered It will be advantageous to apply it to the etching process of a large substrate.

이와 같은 구조가 적용되더라도 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 레이저를 이용하여 효율적으로 제거할 수 있음은 물론 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 다시 기판으로 재흡착되어 불량 기판이 생산되는 것을 예방할 수 있다.Even if such a structure is applied, organic substances deposited on the outer edge of the substrate can be efficiently removed using a laser, and organic particles separated from the substrate can be re-adsorbed onto the substrate to prevent the production of a defective substrate .

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.

110 : 진공챔버 111 : 출입부
112 : 게이트 도어 113 : 제1 레이저 포트
120 : 레이저 조사기 130 : 모듈 회전체
140 : 모듈 이동체 150 : 척킹 모듈
160 : 컨트롤러
110: vacuum chamber 111:
112: gate door 113: first laser port
120: laser irradiator 130: module rotating body
140: module moving body 150: chucking module
160: Controller

Claims (19)

척킹 모듈의 상면에 척킹된 기판에 대한 식각공정이 진행되는 진공챔버;
상기 기판의 외곽부에 증착된 유기물을 식각하기 위해 레이저(Laser)를 조사하는 레이저 조사기;
상기 척킹 모듈과 연결되며, 상기 레이저에 의한 식각공정 시 상기 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 상기 기판으로 재흡착되지 않도록 상기 척킹 모듈을 미리 결정된 각도만큼 회전시키는 모듈 회전체; 및
상기 척킹 모듈과 연결되며, 상기 레이저 조사기가 배치되는 상기 진공챔버의 벽면에 마련되는 제1 레이저 포트(Laser port) 영역으로 상기 척킹 모듈을 이동시키는 모듈 이동체를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
A vacuum chamber in which an etching process for the chucked substrate proceeds on the upper surface of the chucking module;
A laser irradiator for irradiating a laser to etch the organic material deposited on the outer surface of the substrate;
A module rotating body connected to the chucking module and rotating the chucking module by a predetermined angle so that organic particles separated from the substrate during the etching process by the laser are not reabsorbed to the substrate; And
And a module moving body connected to the chucking module and moving the chucking module to a first laser port area provided on a wall surface of the vacuum chamber in which the laser irradiator is disposed.
제1항에 있어서,
상기 모듈 회전체에 의해 상기 기판이 회전되는 각도범위는 90도 내지 180도인 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
The method according to claim 1,
Wherein an angle range in which the substrate is rotated by the module rotating body is 90 degrees to 180 degrees.
제1항에 있어서,
상기 레이저 조사기는 상기 진공챔버의 외부에 위치 고정되어 상기 진공챔버의 내부를 향해 상기 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
The method according to claim 1,
Wherein the laser irradiator is fixed to the outside of the vacuum chamber and irradiates the laser toward the inside of the vacuum chamber.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 모듈 회전체와 상기 모듈 이동체의 동작을 컨트롤하는 컨트롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a controller for controlling operations of the module rotating body and the module moving body.
제1항에 있어서,
상기 진공챔버의 일측에는 상기 기판이 척킹된 척킹 모듈이 출입되는 출입부가 형성되며,
상기 출입부 영역에는 게이트 도어가 개폐 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
The method according to claim 1,
And a chucking module is formed at one side of the vacuum chamber,
And a gate door is coupled to the access portion so as to be openable and closable.
제1항에 있어서,
상기 진공챔버의 내부 공간은 격벽에 의해 제1 공간과 제2 공간으로 구획되며,
상기 기판에 대한 식각공정은 상기 제1 공간에서 진행되며,
상기 제2 공간에서는 상기 기판에 대한 식각공정이 진행되지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
The method according to claim 1,
The inner space of the vacuum chamber is partitioned into a first space and a second space by partition walls,
Wherein the etching process for the substrate proceeds in the first space,
And the etching process is not performed on the substrate in the second space.
제8항에 있어서,
상기 제2 공간의 일측에 고정 배치되어 상기 레이저 조사기에서 조사되는 레이저를 미리 결정된 방향으로 반사시키는 고정 미러; 및
상기 고정 미러의 주변에서 이동 가능하게 배치되며, 상기 고정 미러에서 반사되는 레이저를 받아 상기 제1 공간 내의 기판으로 다시 반사시키는 이동 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
9. The method of claim 8,
A fixed mirror fixedly disposed on one side of the second space and reflecting a laser beam radiated from the laser irradiator in a predetermined direction; And
Further comprising a moving mirror movably disposed around the fixed mirror and reflecting the laser reflected from the fixed mirror back to the substrate in the first space.
제9항에 있어서,
상기 이동 미러에 연결되어 상기 이동 미러의 이동을 가이드하는 미러 이동 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
10. The method of claim 9,
And a mirror movement guide connected to the movable mirror for guiding movement of the movable mirror.
제9항에 있어서,
상기 격벽에는 상기 이동 미러에서 반사되는 레이저를 상기 제1 공간 내의 기판으로 안내하는 제2 및 제3 레이저 포트가 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the barrier ribs are formed with second and third laser ports for guiding the laser reflected from the moving mirror to the substrate in the first space.
제1항에 있어서,
상기 척킹 모듈은 정전척이며,
상기 기판은 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes)인 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치.
The method according to claim 1,
Wherein the chucking module is an electrostatic chuck,
Wherein the substrate is an organic light emitting diode (OLED).
식각공정이 진행되는 진공챔버 내로 척킹 모듈에 의해 척킹된 기판이 로딩되는 기판 로딩 단계;
상기 식각공정 시 상기 기판에서 분리되는 유기물 파티클(Particle)이 상기 기판으로 재흡착되지 않도록 상기 척킹 모듈을 미리 결정된 각도만큼 회전(flip)시키는 기판 플립 단계; 및
상기 식각공정의 진행을 위해 상기 기판의 외곽부로 레이저를 조사하여 상기 기판을 스캐닝하는 기판 스캐닝 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각방법.
A substrate loading step in which a chucked substrate is loaded by a chucking module into a vacuum chamber in which an etching process is performed;
A substrate flip step of flicking the chucking module by a predetermined angle so that organic particles separated from the substrate during the etching process are not re-adsorbed to the substrate; And
And a substrate scanning step of scanning the substrate by irradiating a laser to an outer edge of the substrate to advance the etching process.
제13항에 있어서,
상기 기판 플립 단계 시 상기 기판이 회전되는 각도범위는 90도 내지 180도인 것을 특징으로 하는 레이저 식각방법.
14. The method of claim 13,
Wherein an angle range in which the substrate is rotated during the substrate flip step is in a range of 90 to 180 degrees.
제13항에 있어서,
상기 기판 스캐닝 단계는 고정된 위치에서 조사되는 레이저를 향해 상기 기판이 이동되면서 진행되는 것을 특징으로 하는 레이저 식각방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the substrate scanning step is performed while the substrate is moved toward a laser irradiated at a fixed position.
제13항에 있어서,
상기 기판 로딩 단계 전에, 상기 진공챔버의 외부에서 상기 기판이 상기 척킹 모듈에 척킹되는 기판 척킹 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각방법.
14. The method of claim 13,
Further comprising a substrate chucking step wherein the substrate is chucked to the chucking module outside the vacuum chamber prior to the substrate loading step.
제13항에 있어서,
상기 기판 스캐닝 단계 전에 상기 기판을 얼라인시키는 기판 얼라인 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각방법.
14. The method of claim 13,
Further comprising aligning the substrate to align the substrate prior to the substrate scanning step.
제13항에 있어서,
상기 기판 스캐닝 단계 후에 식각영역을 검사하는 비전 검사 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각방법.
14. The method of claim 13,
Further comprising a vision inspection step of inspecting the etching area after the substrate scanning step.
제18항에 있어서,
상기 비전 검사 단계 후에 상기 기판이 상기 진공챔버로부터 언로딩되는 기판 언로딩 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각방법.
19. The method of claim 18,
And a substrate unloading step in which the substrate is unloaded from the vacuum chamber after the vision inspection step.
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