KR101511476B1 - Photosensitive resin composition - Google Patents

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KR101511476B1 KR20140117425A KR20140117425A KR101511476B1 KR 101511476 B1 KR101511476 B1 KR 101511476B1 KR 20140117425 A KR20140117425 A KR 20140117425A KR 20140117425 A KR20140117425 A KR 20140117425A KR 101511476 B1 KR101511476 B1 KR 101511476B1
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가즈키 야마시타
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마사유키 미키
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스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a photosensitive resin composition. A thin film including the photosensitive resin composition is formed on a substrate in which an electrode is formed. After an opening is formed on the thin film through a photolithography method so that the surface of the electrode is exposed, a value of polarity components of surface free energy of the electrode is more than or equal to 15 mN/m.

Description

감광성 수지 조성물{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}[0001] PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION [0002]

본 발명은 감광성 수지 조성물, 격벽, 기판, 표시 장치 및 기판 평가 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a partition wall, a substrate, a display, and a substrate evaluation method.

최근의 표시 장치 등에서는, 컬러 필터, 액정 표시 소자의 ITO 전극, 유기 EL 표시 소자, 회로 배선 기판 등이 잉크젯법 등의 도포법에 의해 제작된다. 이러한 도포법을 사용하여 소자를 형성하는 방법에 있어서, 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 격벽이 이용되고 있다.In recent display devices and the like, a color filter, an ITO electrode of a liquid crystal display element, an organic EL display element, a circuit wiring board and the like are produced by a coating method such as an ink-jet method. In the method of forming an element using such a coating method, a partition wall formed by using a photosensitive resin composition is used.

예를 들어, 전극이 형성된 기판 상에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 성막한 후에, 상기 전극의 표면이 노출되도록 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성함으로써 전극 상에 개구를 구비하는 격벽을 설치하고, 그 후 격벽의 개구 내에 박막 재료를 포함하는 잉크를 적하하여 이를 가열 건조 등 함으로써, 전극 상에 소정의 박막을 형성하고 있다.For example, after forming a thin film containing the photosensitive resin composition on a substrate on which an electrode is formed, an opening is formed in the thin film by photolithography so that the surface of the electrode is exposed, A predetermined thin film is formed on the electrode by dropping ink containing a thin film material into the opening of the partition and heating and drying the same.

이러한 감광성 수지 조성물로서는, 예를 들어 탄소수 4 내지 6의 플루오로알킬기를 갖는 α위치 치환 아크릴레이트를 중합하여 얻어지는 중합체를 포함하는 감광성 수지 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1).As such a photosensitive resin composition, there is known a photosensitive resin composition comprising a polymer obtained by, for example, polymerizing an? -Substituted acrylate having a fluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms (Patent Document 1).

일본 특허 공개 제2012-73603호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-73603

상기한 바와 같이, 감광성 수지 조성물은 전극 상에 일단 성막된 후에 패터닝 시에 전극 상으로부터 제거되지만, 전극 표면의 잉크에 대한 습윤성은 감광성 수지 조성물의 종류에 따라 변화한다. 그로 인해, 감광성 수지 조성물의 종류에 따라서는, 전극 상에 공급된 잉크가 전극 상에 퍼지지 않는 경우가 있고, 종래부터 제안되어 있는 감광성 수지 조성물에서는, 격벽 개구 내에서의 전극 상에 잉크의 퍼짐성에 대해서 반드시 충분히 만족할 수 없는 경우가 있었다. 따라서, 본 발명의 목적은 패턴 형성 후에 얻어진 전극 상에 도포되는 잉크의 격벽 개구 내부 전체면의 퍼짐성이 양호한 감광성 수지 조성물을 제공하는 데 있다.As described above, the photosensitive resin composition is once removed from the electrode surface during patterning after being temporarily formed on the electrode, but the wettability of the electrode surface to the ink varies depending on the type of the photosensitive resin composition. Therefore, depending on the type of the photosensitive resin composition, the ink supplied on the electrode may not spread on the electrode. In the photosensitive resin composition proposed in the related art, the spreading property of the ink on the electrode in the opening There is a case that the above-mentioned problem can not be sufficiently satisfied. Accordingly, an object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition having good spreadability of an entire surface inside a partition wall opening of an ink applied on an electrode obtained after pattern formation.

본 발명은 이하의 [1] 내지 [12]를 제공하는 것이다.The present invention provides the following [1] to [12].

[1] 감광성 수지 조성물로서,[1] A photosensitive resin composition,

전극이 형성된 기판 상에 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 형성하고, 이어서 상기 전극의 표면이 노출되도록 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성한 후의 상기 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이 15mN/m 이상인 감광성 수지 조성물.Forming a thin film containing the photosensitive resin composition on a substrate on which an electrode is formed and then forming an opening in the thin film by photolithography so that the surface of the electrode is exposed so that the value of the polarity component of the surface free energy of the electrode Is not less than 15 mN / m.

[2] 상기 감광성 수지 조성물은 하기 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 [1]에 기재된 감광성 수지 조성물.[2] The photosensitive resin composition according to [1], wherein the photosensitive resin composition comprises (A), (B) and (C)

(A) 하기 식 [i]로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위를 갖는 수지.(A) a resin having a structural unit containing a group represented by the following formula [i].

Figure 112014084654365-pat00001
Figure 112014084654365-pat00001

(식 [i] 중, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 -OH, -SH, -COOH, -CHO, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 3의 알킬기, -COR7, -COOR7, -OCOR7, 또는 -OR7을 나타내고, R1, R2, R3, R4 및 R5는 적어도 하나가 -OH, -SH, -COOH 또는 -CHO이고, R7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 탄소수 2 내지 5의 알콕시알킬기, 아릴기 또는 벤질기를 나타냄)(Wherein R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 are each independently -OH, -SH, -COOH, -CHO, a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, -COR 7, , -OCOR7 or -OR7, and at least one of R1, R2, R3, R4 and R5 is -OH, -SH, -COOH or -CHO, R7 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms An alkoxyalkyl group, an aryl group or a benzyl group)

(B) 중합성 화합물(B) a polymerizable compound

(C) 중합 개시제(C) Polymerization initiator

[3] 상기 구성 단위가 하기 식 [ii]로 표시되는 [2]에 기재된 감광성 수지 조성물.[3] The photosensitive resin composition according to [2], wherein the structural unit is represented by the following formula [ii].

Figure 112014084654365-pat00002
Figure 112014084654365-pat00002

(식 [ii] 중, R1, R2, R3, R4 및 R5는 상술한 바와 같은 의미를 나타내고, R6은 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타냄)(In the formula [ii], R1, R2, R3, R4 and R5 have the same meanings as described above, and R6 represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group)

[4] 상기 중합 개시제가 광중합 개시제이며, 라디칼 중합에 의해 상기 중합성 화합물이 중합하는 [2] 또는 [3]에 기재된 감광성 수지 조성물.[4] The photosensitive resin composition according to [2] or [3], wherein the polymerization initiator is a photopolymerization initiator and the polymerizable compound is polymerized by radical polymerization.

[5] 상기 R1, R2, R3, R4, 및 R5 중 적어도 하나는 -COOH 또는 -OH이며, 나머지는 수소 원자인 [2] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.[5] The photosensitive resin composition according to any one of [2] to [4], wherein at least one of R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 is -COOH or -OH and the others are hydrogen atoms.

[6] 발액제를 더 포함하는 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.[6] The photosensitive resin composition according to any one of [1] to [5], further comprising a liquid repellent agent.

[7] 상기 발액제가 탄소수 4 내지 6의 퍼플루오로알킬기를 갖는 불포화 화합물에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 중합체인 [6]에 기재된 감광성 수지 조성물.[7] The photosensitive resin composition according to [6], wherein the liquid repellent agent is a polymer comprising a structural unit derived from an unsaturated compound having a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms.

[8] 상기 전극이 투명 전극인 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.[8] The photosensitive resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the electrode is a transparent electrode.

[9] [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 격벽.[9] A barrier rib formed by the photosensitive resin composition according to any one of [1] to [8].

[10] [9]에 기재된 격벽 및 전극을 구비하는 기판.[10] A substrate comprising the partition wall and the electrode according to [9].

[11] [10]에 기재된 기판을 구비하는 표시 장치.[11] A display device comprising a substrate according to [10].

[12] 전극이 형성된 기판 상에 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 형성하고,[12] forming a thin film containing a photosensitive resin composition on a substrate on which an electrode is formed,

상기 전극의 표면이 노출되도록 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성하며,An opening is formed in the thin film by photolithography so that the surface of the electrode is exposed,

상기 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값에 기초하여 전극의 습윤성을 평가하는, 기판 평가 방법.And evaluating the wettability of the electrode based on the value of the polar component of the surface free energy of the electrode.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하면, 패턴 형성 후에, 전극 상에 도포되는 잉크의 격벽 개구 내부 전체면의 퍼짐성이 우수한 격벽이 부착된 기판을 얻을 수 있다.According to the photosensitive resin composition of the present invention, after the formation of the pattern, a substrate having a partition wall having excellent spreadability of the entire surface inside the partition wall opening of the ink coated on the electrode can be obtained.

도 1은 표시 장치(1)의 일부를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시 형태의 표시 장치(1)의 일부를 확대하여 모식적으로 도시하는 평면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a part of the display device 1 in an enlarged manner.
2 is a plan view schematically showing a part of the display device 1 of the embodiment of the present invention in an enlarged manner.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 전극이 형성된 기판 상에 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 형성하고, 이어서 상기 전극의 표면이 노출되도록 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성한 후의 상기 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이 15mN/m 이상인 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The photosensitive resin composition of the present invention is characterized in that a thin film containing the photosensitive resin composition is formed on a substrate on which an electrode is formed and then an opening is formed in the thin film by photolithography so that the surface of the electrode is exposed, And the value of the polar component of the surface free energy is 15 mN / m or more.

이러한 감광성 수지 조성물을 사용하여 전극이 형성된 기판 상에 격벽을 형성한 경우, 전극 상에 형성해야 할 박막 재료를 포함하는 잉크를 전극 상에 도포하면, 잉크가 전극 상에서 튀지 않고, 전극 상에 퍼지기 때문에, 이를 건조 등에 의해 고화함으로써, 격벽의 개구 내 전체면에 있어서, 평탄한 박막을 형성할 수 있다.When such a photosensitive resin composition is used to form a barrier rib on a substrate on which an electrode is formed, if ink containing a thin film material to be formed on the electrode is applied on the electrode, the ink spreads on the electrode without splashing on the electrode , And solidified by drying or the like, a flat thin film can be formed on the entire surface in the opening of the partition wall.

개구 형성 후의 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값은 15mN/m 이상인 것이 바람직한데, 15.5mN/m 이상인 것이 더욱 바람직하다.The value of the polar component of the surface free energy of the electrode after formation of the opening is preferably 15 mN / m or more, more preferably 15.5 mN / m or more.

습윤성의 관점에서는, 개구 형성 후의 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값은 그의 상한값을 특별히 설정할 필요는 없지만, 통상 50mN/m 이하이고, 나아가 40mN/m 이하이다.From the viewpoint of the wettability, the value of the polarity component of the surface free energy of the electrode after formation of the opening is not particularly limited, but is usually 50 mN / m or less, and furthermore 40 mN / m or less.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 수지로서는, 개구 형성 후의 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이 15mN/m 이상이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 일반적으로 사용되는 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 시클로올레핀 수지, 에폭시 수지 등이 예시되고, 이들 중에서도 아크릴 수지, 에폭시 수지가 바람직하다.The resin in the photosensitive resin composition of the present invention is not particularly limited as far as the value of the polar component of the surface free energy of the electrode after opening formation is 15 mN / m or more. For example, acrylic resin, polyimide resin, Resins, and epoxy resins, among which acrylic resins and epoxy resins are preferred.

감광성 수지 조성물은 하기 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition preferably includes the following (A), (B) and (C).

(A) 하기 식 [i]로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위를 갖는 수지(A) a resin having a structural unit containing a group represented by the following formula [i]

Figure 112014084654365-pat00003
Figure 112014084654365-pat00003

(B) 중합성 화합물(B) a polymerizable compound

(C) 중합 개시제(C) Polymerization initiator

수지 (A)는 상기 식 [i]로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위를 갖는 수지이며, 해당 구조 단위는 단량체 (a)(이하, 「(a)」라고 하는 경우가 있음)에서 유도된다.The resin (A) is a resin having a structural unit containing a group represented by the above formula [i], and the structural unit is derived from a monomer (a) (hereinafter also referred to as "(a)").

(a)는 식 [i]로 표시되는 기와 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 단량체인 것이 바람직하다.(a) is preferably a monomer having an ethylenically unsaturated double bond and a group represented by the formula [i].

또한, 식 [i]로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위는 하기 식 [ii]로 표시되는 구조 단위인 것이 바람직하다. 즉, (a)로부터 유도되는 구조 단위는 하기 식 [ii]로 표시되는 구조 단위인 것이 바람직하다.The structural unit containing a group represented by the formula [i] is preferably a structural unit represented by the following formula [ii]. That is, the structural unit derived from (a) is preferably a structural unit represented by the following formula (ii).

Figure 112014084654365-pat00004
Figure 112014084654365-pat00004

상기 식 [i], [ii] 중, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 -OH, -SH, -COOH, -CHO, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 3의 알킬기, -COR7, -COOR7, -OCOR7, 또는 -OR7을 나타내고, R1, R2, R3, R4 및 R5는 적어도 하나가 -OH, -SH, -COOH 또는 -CHO이다. R7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 탄소수 2 내지 5의 알콕시알킬기, 아릴기, 또는 벤질기를 나타낸다. R6은 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타낸다.Wherein R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 each independently represent -OH, -SH, -COOH, -CHO, a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, And at least one of R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 is -OH, -SH, -COOH or -CHO. R7 represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 5 carbon atoms, an aryl group, or a benzyl group. R6 represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.

또한, 전극 표면 상의 습윤성의 관점에서는, 상기 R1, R2, R3, R4, 및 R5 중 적어도 하나는 -COOH 또는 -OH이며, -COOH 또는 -OH와는 다른 R1, R2, R3, R4, 및 R5는 수소 원자인 것이 바람직하다.At least one of R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 is -COOH or -OH from the viewpoint of wettability on the electrode surface, and R 1, R 2, R 3, It is preferably a hydrogen atom.

또한, 식 [i], [ii] 중, R1, R2, R3, R4 및 R5는, 적어도 하나가 -OH, -SH, -COOH 또는 -CHO인 한에 있어서, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, -COOR7, -OCOR7, -COR7, -CN, -NHR7, -NR7R8, -NO2, -CONH2, -CONHR7, -SOR7, 또는 -SO2R7일 수도 있다. 단, R7은 상술한 바와 같은 의미를 나타낸다. R8은 R7과는 독립적으로 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 탄소수 2 내지 5의 알콕시알킬기, 아릴기, 또는 벤질기를 나타낸다.R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 in the formulas [i] and [ii] are each independently an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms alkoxy group, -COOR7, -OCOR7, -COR7, -CN , -NHR7, -NR7R8, -NO 2, -CONH 2, may be -CONHR7, -SOR7, or -SO 2 R7. Provided that R7 has the same meaning as described above. R 8 represents, independently of R 7, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 5 carbon atoms, an aryl group, or a benzyl group.

할로겐 원자로서는 Cl, Br 또는 I를 들 수 있고, Cl 또는 Br이 바람직하다.As the halogen atom, Cl, Br or I can be mentioned, and Cl or Br is preferable.

탄소수 1 내지 8의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로폭시기, n-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-헵틸기, 옥틸기를 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropoxy group, n-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n- An octyl group, and a methyl group or an ethyl group is preferable.

탄소수 2 내지 5의 알콕시알킬기로서는 메톡시메틸기, 메톡시에틸기, 메톡시프로필기, 에톡시메틸기, 에톡시에틸기, 에톡시프로필기, 프로필메틸기, 프로필에틸기를 들 수 있고, 메톡시메틸기, 메톡시에틸기가 바람직하다.Examples of the alkoxyalkyl group having 2 to 5 carbon atoms include a methoxymethyl group, a methoxyethyl group, a methoxypropyl group, an ethoxymethyl group, an ethoxyethyl group, an ethoxypropyl group, a propylmethyl group and a propylethyl group. Ethyl group is preferable.

아릴기로서는 페닐기, 나프틸기가 예시된다. 단, 이에 한정되는 것은 아니고, 치환기를 가질 수도 있다.Examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group. However, it is not limited thereto and may have a substituent.

(a)로서는 o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, 2-머캅토스티렌, 3-머캅토스티렌, 4-머캅토스티렌, 2-비닐아닐린, 3-비닐아닐린, 4-비닐아닐린, 3-디메틸아미노스티렌, 3-디에틸아미노스티렌, 3-모노메틸아미노스티렌, 3-모노에틸아미노스티렌, 2-클로로스티렌, 3-클로로스티렌, 4-클로로스티렌, 2-브로모스티렌, 3-브로모스티렌, 4-브로모스티렌, o-비닐벤조산, m-비닐벤조산, p-비닐벤조산, 3-비닐프탈산, 4-비닐프탈산, 3-비닐프탈산 무수물, 4-비닐프탈산 무수물, 3-비닐프탈산모노메틸에스테르, 3-비닐프탈산모노에틸에스테르, 5-비닐이소프탈산, 5-비닐이소프탈산모노메틸에스테르, 5-비닐이소프탈산모노에틸에스테르, 4-비닐살리실산, 5-비닐살리실산, 5-비닐살리실알데히드, 5-비닐아세틸살리실산, 4-비닐벤젠술폰산에틸4-비닐레조르시놀, 4-비닐레조르시놀모노메톡시메틸에테르, 4-비닐레조르시놀비스메톡시메틸에테르, 4-비닐레조르시놀모노메톡시에틸에테르, 4-비닐레조르시놀비스메톡시에틸에테르, 4-비닐벤조니트릴, 4-비닐벤젠프로판산, 4-비닐벤젠프로판산메틸 등을 들 수 있고, 바람직하게는 o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, o-비닐벤조산, m-비닐벤조산, p-비닐벤조산이다. 또한, (a)는 상기 예시로 한정되는 것은 아니다.(a) may be at least one selected from the group consisting of o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, 2- mercaptostyrene, 3- mercaptostyrene, 4- mercaptostyrene, 2- But are not limited to, 4-vinylpyridine, 4-vinylpyridine, 4-vinylpyridine, 4-vinylpyrrolidone, Vinylbenzoic acid, p-vinylbenzoic acid, 3-vinylphthalic acid, 4-vinylphthalic acid, 3-vinylphthalic anhydride, 4-vinylphthalic acid, Vinyl monoethyl ester, 5-vinyl isophthalic acid monoethyl ester, 4-vinyl salicylic acid, 5-vinyl monoethyl ester, 5-vinyl isophthalic acid monomethyl ester, Vinyl salicylic acid, 5-vinyl salicylaldehyde, 5-vinyl acetylsalicylic acid, ethyl 4-vinylbenzenesulfonate, 4-vinyl resorcinol, Vinyl resorcinol monomethoxy methyl ether, 4-vinyl resorcinol bismethoxy methyl ether, 4-vinyl resorcinol monomethoxy ethyl ether, 4-vinyl resorcinol bismethoxy ethyl ether, 4-vinyl benzo Vinylbenzenesulfonic acid, m-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, o-vinylbenzoic acid, m- Vinyl benzoic acid, and p-vinyl benzoic acid. Further, (a) is not limited to the above example.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 수지 (A) 이외의 수지(이하, 「수지 (A1)」이라고 하는 경우가 있음), 용제 (D), 중합 개시 보조제 (E), 발액제 (F), 계면 활성제 (G), 밀착력 향상제 (H)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하고 있을 수도 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may further contain a resin other than the resin (A) (hereinafter sometimes referred to as "resin (A1)"), a solvent (D), a polymerization initiator (E) A surfactant (G), and an adhesion-promoting agent (H).

또한, 본 명세서에서는, 각 성분으로서 예시하는 화합물은 특별히 언급하지 않는 한, 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다.In the present specification, the compounds exemplified as respective components can be used alone or in combination, unless otherwise specified.

수지 (A)는 또한, (a) 이외의 단량체 (x)(이하, 「(x)」라고 하는 경우가 있음)에서 유래하는 구조 단위를 포함하고 있을 수도 있다.The resin (A) may further contain a structural unit derived from a monomer (x) other than the monomer (a) (hereinafter sometimes referred to as "(x)").

(x)로서는, (a) 이외의 단량체이며, 탄소수 4 내지 6의 퍼플루오로알킬기를 갖지 않는 것이라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 탄소수 2 내지 4의 환상 에테르 구조를 갖는 단량체 (b)(이하, 「(b)」라고 하는 경우가 있음), 불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 단량체 (e)(이하,「(e)」라고 하는 경우가 있음), 기타의 단량체 (c)(이하, 「(c)」라고 하는 경우가 있음)를 들 수 있고, 이들 중에서도 (b) 또는 (c)가 바람직하다.(x) is not particularly limited as long as it is a monomer other than (a) and does not have a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms. For example, a monomer (b) having a cyclic ether structure having 2 to 4 carbon atoms , "(B)"), at least one monomer (e) selected from the group consisting of an unsaturated carboxylic acid and an unsaturated carboxylic acid anhydride (hereinafter also referred to as "(e)" ) And the other monomer (c) (hereinafter occasionally referred to as "(c)"). Of these, (b) or (c) is preferable.

(b)는 탄소수 2 내지 4의 환상 에테르 구조(예를 들어, 옥시란환, 옥세탄환 및 테트라히드로푸란환으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종)를 갖는 단량체이며, 바람직하게는 탄소수 2 내지 4의 환상 에테르 구조와 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 단량체이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 4의 환상 에테르 구조와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체이다.(b) is a monomer having a cyclic ether structure having 2 to 4 carbon atoms (for example, at least one kind selected from the group consisting of oxirane ring, oxetane ring and tetrahydrofuran ring), preferably 2 to 4 carbon atoms Of a cyclic ether structure and an ethylenically unsaturated double bond, more preferably a monomer having a cyclic ether structure having 2 to 4 carbon atoms and a (meth) acryloyloxy group.

(b)로서는, 예를 들어 옥시라닐기를 갖는 단량체 (b1)(이하, 「(b1)」이라고 하는 경우가 있음), 옥세타닐기를 갖는 단량체 (b2)(이하, 「(b2)」라고 하는 경우가 있음), 테트라히드로푸릴기를 갖는 단량체 (b3)(이하, 「(b3)」이라고 하는 경우가 있음) 등을 들 수 있다.(b2) having an oxiranyl group (hereinafter sometimes referred to as "(b1)"), an oxetanyl group-containing monomer (b2) , And a monomer (b3) having a tetrahydrofuryl group (hereinafter sometimes referred to as "(b3)").

(b1)로서는, 직쇄상 또는 분지쇄상의 불포화 지방족 탄화수소가 에폭시화된 구조를 갖는 단량체 (b1-1)(이하, 「(b1-1)」이라고 하는 경우가 있음), 불포화 지환식 탄화수소가 에폭시화된 구조를 갖는 단량체 (b1-2)(이하, 「(b1-2)」라고 하는 경우가 있음)를 들 수 있다.(b1-1) having a structure in which a straight-chain or branched unsaturated aliphatic hydrocarbon is epoxidized (hereinafter sometimes referred to as "(b1-1)"), an unsaturated alicyclic hydrocarbon having an epoxy (B1-2) (hereinafter sometimes referred to as " (b1-2) ").

(b1)로서는 옥시라닐기와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 바람직하고, 불포화 지환식 탄화수소가 에폭시화된 구조와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 보다 바람직하다. 이들 단량체이면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성이 우수하다.(b1) is preferably a monomer having an oxiranyl group and a (meth) acryloyloxy group, more preferably a monomer having a structure in which an unsaturated alicyclic hydrocarbon is epoxidized and a (meth) acryloyloxy group. If these monomers are used, the storage stability of the photosensitive resin composition is excellent.

(b1-1)로서는, 구체적으로는 글리시딜(메트)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, β-에틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 글리시딜비닐에테르, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-o-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-m-비닐벤질글리시딜 에테르, α-메틸-p-비닐벤질글리시딜에테르, 2,3-비스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,4-비스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,5-비스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,6-비스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,3,4-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,3,5-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,3,6-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 3,4,5-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,4,6-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 일본 특허 공개 (평)7-248625호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.(meth) acrylate,? -ethylglycidyl (meth) acrylate, glycidyl vinyl ether, o (meth) acrylate, -Vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether,? -Methyl-o-vinylbenzyl glycidyl ether,? -Methyl-m-vinylbenzyl glycidyl (Glycidyloxymethyl) styrene, 2,4-bis (glycidyloxymethyl) styrene, 2,5-bis (glycidyloxymethyl) styrene, Styrene, 2,6-bis (glycidyloxymethyl) styrene, 2,3,4-tris (glycidyloxymethyl) styrene, 2,3,5-tris (glycidyloxymethyl) ) Styrene, 2,3,6-tris (glycidyloxymethyl) styrene, 3,4,5-tris (glycidyloxymethyl) styrene, 2,4,6- , And JP-A-7-248625.

(b1-2)로서는 비닐시클로헥센모노옥시드, 1,2-에폭시-4-비닐시클로헥산(예를 들어, 세록사이드 2000; 다이셀 가가꾸 고교(주)제), 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트(예를 들어, 사이크로머 A400; 다이셀 가가꾸 고교(주)제), 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트(예를 들어, 사이크로머 M100; 다이셀 가가꾸 고교(주)제), 식 (I)로 표시되는 화합물, 식 (II)로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.(b1-2) include vinylcyclohexene monoxide, 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane (e.g., Sucoxide 2000, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 3,4- (For example, Cyclomer A400 manufactured by Dai-ichi Kogaku Kogyo K.K.), 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate (for example, Cyclomer M100 manufactured by Dai-ichi Kogaku Kogyo KK A compound represented by the formula (I) and a compound represented by the formula (II).

Figure 112014084654365-pat00005
Figure 112014084654365-pat00005

[식 (I) 및 식 (II)에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, 해당 알킬기에 포함되는 수소 원자는 히드록시기로 치환될 수도 있고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 단결합, -R3-, *-R3-O-, *-R3-S-, 또는 *-R3-NH-를 나타내고, R3은 탄소수 1 내지 6의 알칸디일기를 나타내고, *은 O와의 결합손을 나타냄]In the formula (I) and formula (II), R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, hydrogen atoms contained in the alkyl group may be substituted with a hydroxy group, X 1 And X 2 independently represent a single bond, -R 3 -, -R 3 -O-, -R 3 -S-, or -R 3 -NH-, and R 3 represents a C 1-6 Represents an alkandiyl group, and * represents a bond with O)

탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group and a tert-butyl group.

히드록시기로 치환되어 있는 알킬기로서는 히드록시메틸기, 1-히드록시에틸기, 2-히드록시에틸기, 1-히드록시프로필기, 2-히드록시프로필기, 3-히드록시프로필기, 1-히드록시-1-메틸에틸기, 2-히드록시-1-메틸에틸기, 1-히드록시부틸기, 2-히드록시부틸기, 3-히드록시부틸기, 4-히드록시부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group substituted with a hydroxy group include a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 1-hydroxypropyl group, a 2-hydroxypropyl group, -Methylethyl group, 2-hydroxy-1-methylethyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group and 4-hydroxybutyl group.

R1 및 R2로서는 바람직하게는 수소 원자, 메틸기, 히드록시메틸기, 1-히드록시에틸기, 2-히드록시에틸기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 수소 원자, 메틸기를 들 수 있다.R 1 and R 2 are preferably a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group, or a 2-hydroxyethyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group.

알칸디일기로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,2-디일기, 프로판-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기 등을 들 수 있다.Examples of the alkanediyl group include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,2-diyl group, a propane-1,3-diyl group, a butane- A 6-diyl group and the like.

X1 및 X2로서는 바람직하게는 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, *-CH2-O-(*은 O와의 결합손을 나타냄)기, *-CH2CH2-O-기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 단결합, *-CH2CH2-O-기를 들 수 있다.X 1 and X 2 are preferably a single bond, a methylene group, an ethylene group, * -CH 2 -O- (* represents a bond with O), * -CH 2 CH 2 -O- group , More preferably a single bond, * -CH 2 CH 2 -O- group.

식 (I)로 표시되는 화합물로서는, 식 (I-1) 내지 식 (I-15) 중 어느 하나로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 식 (I-1), 식 (I-3), 식 (I-5), 식 (I-7), 식 (I-9) 또는 식 (I-11) 내지 식 (I-15)로 표시되는 화합물이 바람직하고, 식 (I-1), 식 (I-7), 식 (I-9) 또는 식 (I-15)로 표시되는 화합물이 보다 바람직하다.Examples of the compound represented by the formula (I) include a compound represented by any one of the formulas (I-1) to (I-15). Among them, the compound represented by the formula (I-1), the compound represented by the formula (I-3), the compound represented by the formula (I-5), the compound represented by the formula (I- ) Is more preferably a compound represented by formula (I-1), formula (I-7), formula (I-9) or formula (I-15).

Figure 112014084654365-pat00006
Figure 112014084654365-pat00006

식 (II)로 표시되는 화합물로서는 식(II-1) 내지 식(II-15) 중 어느 하나로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 식(II-1), 식(II-3), 식(II-5), 식(II-7), 식(II-9) 또는 식(II-11) 내지 식(II-15)로 표시되는 화합물이 바람직하고, 식(II-1), 식(II-7), 식(II-9) 또는 식(II-15)로 표시되는 화합물이 보다 바람직하다.Examples of the compound represented by the formula (II) include compounds represented by any one of the formulas (II-1) to (II-15). Among them, the compound represented by the formula (II-1), the formula (II-3), the formula (II-5), the formula (II- ) Is more preferable and the compound represented by formula (II-1), formula (II-7), formula (II-9) or formula (II-15) is more preferable.

식 (I)로 표시되는 화합물 및 식 (II)로 표시되는 화합물은 각각 단독으로 사용할 수도, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 식 (I)로 표시되는 화합물 및 식 (II)로 표시되는 화합물을 병용하는 경우, 이들의 함유 비율[식 (I)로 표시되는 화합물:식 (II)로 표시되는 화합물]은 몰 기준으로, 바람직하게는 5:95 내지 95:5, 보다 바람직하게는 20:80 내지 80:20이다.The compound represented by formula (I) and the compound represented by formula (II) may be used alone or in combination of two or more. When the compound represented by formula (I) and the compound represented by formula (II) are used in combination, the content ratio thereof (compound represented by formula (I): compound represented by formula (II) Preferably from 5:95 to 95: 5, more preferably from 20:80 to 80:20.

(b2)로서는, 옥세타닐기와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 바람직하다. (b2)로서는, 예를 들어 3-메틸-3-(메트)아크릴로일옥시메틸옥세탄, 3-에틸-3-(메트)아크릴로일옥시메틸옥세탄, 3-메틸-3-(메트)아크릴로일옥시에틸옥세탄, 3-에틸-3-(메트)아크릴로일옥시에틸옥세탄 등을 들 수 있다.(b2) is preferably a monomer having an oxetanyl group and a (meth) acryloyloxy group. (meth) acryloyloxymethyloxetane, 3-ethyl-3- (meth) acryloyloxymethyloxetane, 3-methyl-3- ) Acryloyloxyethyloxetane, 3-ethyl-3- (meth) acryloyloxyethyloxetane, and the like.

(b3)으로서는 테트라히드로푸릴기와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 바람직하다.As the monomer (b3), a monomer having a tetrahydrofuryl group and a (meth) acryloyloxy group is preferable.

(b3)으로서는, 구체적으로는 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트(예를 들어, 비스코트 V#150, 오사까 유끼 가가꾸 고교(주)제), 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound (b3) include tetrahydrofurfuryl acrylate (for example, Viscot V # 150, manufactured by Osaka Kikin Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and tetrahydrofurfuryl methacrylate.

(e)로서는 불포화 카르복실산류, 불포화 카르복실산 무수물류를 들 수 있다.(e) include unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic acid anhydrides.

불포화 카르복실산류로서는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산, 1,4-시클로헥센디카르복실산, 메틸-5-노르보르넨-2,3-디카르복실산, 5-카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-6-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-6-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 숙신산모노[2-(메트)아크릴로일옥시에틸], α-(히드록시메틸)아크릴산 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acids include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, 1,4-cyclohexene dicarboxylic acid, methyl-5-norbornene- Dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept- 2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-methylbicyclo [2.2.1] hept- Mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], and? - (hydroxymethyl) acrylic acid.

불포화 카르복실산 무수물류로서는 무수 말레산, 시트라콘산 무수물, 이타콘산 무수물, 5,6-디카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 무수물 등의 불포화 디카르복실산류 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid anhydrides include unsaturated dicarboxylic acid anhydrides such as maleic anhydride, citraconic anhydride, itaconic anhydride, and 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2- .

(c)로서는 (메트)아크릴산에스테르류, N-치환 말레이미드류 불포화 디카르복실산디에스테르류, 지환식 불포화 화합물류, 스티렌류, 그 밖의 비닐 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메트)아크릴산에스테르류, 스티렌류가 바람직하다.(meth) acrylic acid esters, N-substituted maleimide unsaturated dicarboxylic acid diesters, alicyclic unsaturated compounds, styrenes, and other vinyl compounds. Among them, (meth) acrylates and styrenes are preferable.

(메트)아크릴산에스테르류로서는 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, sec-부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트 등의 알킬에스테르류;Examples of the (meth) acrylic esters include alkyl (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec- Esters;

시클로헥실(메트)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일(메트)아크릴레이트(해당 기술분야에서는, 관용명으로서 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트라고 함), 디시클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데센-8-일(메트)아크릴레이트(해당 기술분야에서는, 관용명으로서 「디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트」라고 함), 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 시클로알킬에스테르류;Cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl (meth) acrylate (in the technical field, dicyclopentanil (Meth) acrylate), dicyclopentanyloxyethyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decen-8-yl (meth) acrylate Cyclopentenyl (meth) acrylate "), and isobornyl (meth) acrylate;

2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬에스테르류;Hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate;

페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트 등의 아릴 및 아르알킬에스테르류 등을 들 수 있다.Phenyl (meth) acrylate, and benzyl (meth) acrylate; and aralkyl esters.

(메트)아크릴산 에스테르류 중에서도, 알킬에스테르류가 바람직하다.Among the (meth) acrylate esters, alkyl esters are preferred.

불포화 디카르복실산디에스테르류로서는 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diester include diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate and the like.

N-치환말레이미드류로서는 N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부티레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the N-substituted maleimides include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N-succinimidyl- , N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimidepropionate, N- (9-acridinyl) maleimide and the like.

지환식 불포화 화합물류로서는 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메틸비시클로 [2.2.1]헵트-2-엔, 5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시비시클로 [2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디히드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(히드록시메틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시메틸-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-tert-부톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-시클로헥실옥시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-페녹시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-비스(tert-부톡시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-비스(시클로헥실옥시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등의 비시클로 불포화 화합물류 등을 들 수 있다.Examples of the alicyclic unsaturated compounds include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylbicyclo [2.2.1] hept- , 5-hydroxycyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxymethylbicyclo [2.2.1] hept- 2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept- Ene, 5,6-di (hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 2.2.1] hept-2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2- Hydroxycyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxymethyl-5-methylbis 2.2.1] hept-2-ene, 5-cyclohexyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-tert-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept- - ene, 5-phenoxycar 2,6-bis (tert-butoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-bis (cyclohexyloxycarbamoyl) Nonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene and the like.

스티렌류로서는 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 스티렌이 바람직하다.Examples of the styrene include styrene,? -Methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene and the like. Among them, styrene is preferable.

그 밖의 비닐 화합물로서는 (메트)아크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌 및 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.Examples of the other vinyl compound include (meth) acrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, (meth) acrylamide, vinyl acetate, 1,3-butadiene, isoprene and 2,3- .

수지 (A)는 (a)에서 유래하는 구조 단위만을 포함하는 수지여도 되지만, (a)에서 유래하는 구조 단위와 (x)에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 수지가 바람직하다.The resin (A) may be a resin containing only a structural unit derived from (a), but a resin containing a structural unit derived from (a) and a structural unit derived from (x) is preferable.

수지 (A)가 (a)에서 유래하는 구조 단위와 (x)에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 수지인 경우, (a)에 사용하는 구조 단위의 산성도에 의존하는데, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이 수지 (A)를 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.When the resin (A) is a resin containing a structural unit derived from (a) and a structural unit derived from (x), it depends on the acidity of the structural unit used in (a) Is preferably within the following range with respect to the total number of moles of the structural units constituting the resin (A).

(a)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 70몰%(보다 바람직하게는 10 내지 60몰%)a structural unit derived from (a); 5 to 70 mol% (more preferably 10 to 60 mol%),

(x)에서 유래하는 구조 단위; 30 내지 95몰%(보다 바람직하게는 40 내지 90몰%)(x); 30 to 95 mol% (more preferably 40 to 90 mol%),

상기 수지 (A)의 구조 단위 비율이 상기 범위 내에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 및 얻어지는 도막 및 패턴의 내용제성, 내열성 및 기계 강도가 양호해지는 경향이 있다.When the ratio of the structural unit of the resin (A) is within the above range, the storage stability of the photosensitive resin composition, developability in forming a pattern from the photosensitive resin composition, and solvent resistance, heat resistance and mechanical strength of the obtained coating film and pattern are satisfactory There is a tendency to disappear.

특히, 상기 R1 내지 R5 중 어느 하나가 -COOH인 경우, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이 수지 (A)를 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In particular, when any one of R1 to R5 is -COOH, it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer is within the following range with respect to the total number of moles of the structural units constituting the resin (A).

(a)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 50몰%a structural unit derived from (a); 5 to 50 mol%

(x)에서 유래하는 구조 단위; 50 내지 95몰%(x); 50 to 95 mol%

수지 (A)는, 예를 들어 문헌 [「고분자 합성의 실험법」(오쓰 다카유키(大津 隆行)저 발행소(주) 가가꾸 도진 제1판 제1쇄 1972년 3월 1일 발행)]에 기재된 방법 및 해당 문헌에 기재된 인용 문헌을 참고로 하여 제조할 수 있다.The resin (A) can be obtained by a method described in, for example, "Experimental Method of Polymer Synthesis" (Takatsuki Otsu Kogaku Co., Ltd., 1st Ed., 1st Ed., March 1, 1972, And references cited in the literature.

구체적으로는, (a) 및 필요에 따라서 사용되는 (x)의 소정량, 중합 개시제 및 용제 등을 반응 용기 중에 넣어서, 예를 들어 질소에 의해 대기 중의 산소를 치환함으로써, 탈산소 분위기로 하고 교반하면서 가열 및 보온하는 방법이 예시된다. 또한, 여기에서 사용되는 중합 개시제 및 용제 등은 특별히 한정되지 않고, 해당 분야에서 통상 사용되고 있는 것 중 어느 것이라도 사용할 수 있다. 예를 들어, 중합 개시제로서는 아조 화합물(2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 등)이나 유기 과산화물(벤조일퍼옥시드 등)을 들 수 있고, 용제로서는 각 단량체를 용해하는 것이면 되고, 감광성 수지 조성물의 용제 (D)로서 후술하는 용제 등을 사용할 수 있다. 얻어지는 수지의 분자량을 조정하기 위해서, 중합 반응 시에 연쇄 이동제를 첨가할 수도 있다. 연쇄 이동제로서는 n-부탄티올, tert-부탄티올, n-도데칸티올, 2-술파닐에탄올, 티오글리콜산, 티오글리콜산에틸, 티오글리콜산2-에틸헥실, 티오글리콜산메톡시부틸, 3-술파닐프로피온산, 술파닐기 함유 실리콘(KF-2001: 신에쯔 가가꾸제) 등의 티올류; 클로로포름, 사염화탄소, 사브롬화탄소 등의 할로겐화 알킬류 등을 들 수 있다.Specifically, a predetermined amount of (a) and, if necessary, (x), a polymerization initiator and a solvent are placed in a reaction vessel and oxygen in the atmosphere is replaced by nitrogen, for example, A method of heating and keeping warm is exemplified. The polymerization initiator and solvent used herein are not particularly limited, and any of those commonly used in the field can be used. Examples of the polymerization initiator include azo compounds such as 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), organic peroxides (such as benzoyl peroxide) As the solvent, any one that dissolves each monomer may be used. As the solvent (D) of the photosensitive resin composition, a solvent described later or the like may be used. In order to adjust the molecular weight of the resulting resin, a chain transfer agent may be added during the polymerization reaction. Examples of the chain transfer agent include n-butanethiol, tert-butanethiol, n-dodecanethiol, 2-sulfanylethanol, thioglycolic acid, ethyl thioglycolate, 2-ethylhexyl thioglycolate, methoxybutyl thioglycolate, 3- Sulfanylpropionic acid, and a sulfany group-containing silicone (KF-2001; manufactured by Shinetsu Chemical Co., Ltd.); And halogenated alkyls such as chloroform, carbon tetrachloride and carbon tetrabromide.

특히, (a)가 페놀성 히드록시기를 갖는 경우, 중합 시, (a)가 갖는 페놀성 히드록시기를 미리 보호기로 보호한 단량체를 사용할 수도 있다. 보호기로서는 tert-부틸기 등의 제3급 알킬기; 아세틸기 등의 아실기를 들 수 있다.In particular, when (a) has a phenolic hydroxyl group, a monomer in which the phenolic hydroxyl group of (a) has been protected with a protective group in advance may be used at the time of polymerization. Examples of the protecting group include a tertiary alkyl group such as a tert-butyl group; And an acyl group such as an acetyl group.

이러한 미리 보호기로 보호한 단량체를 사용하여 중합한 후, 해당 보호기를 탈보호함으로써 수지 (A)를 얻을 수 있다.After polymerization using such a monomer protected with a protecting group, the resin (A) can be obtained by deprotecting the protecting group.

또한, 얻어진 중합체는 반응 후의 용액을 그대로 사용할 수도 있고, 농축 또는 희석한 용액을 사용할 수도 있으며, 재침전 등의 방법으로 고체(분체)로서 취출한 것을 사용할 수도 있다. 특히, 이 중합 시에 용제로서 후술하는 용제 (D)와 동일한 용제를 사용함으로써, 반응 후의 용액을 그대로 사용할 수 있고, 제조 공정을 간략화할 수 있다.The obtained polymer may be a solution after the reaction as it is, or a concentrated or diluted solution may be used, or it may be taken out as a solid (powder) by re-precipitation or the like. In particular, by using the same solvent as the solvent (D) described later as a solvent in the polymerization, the solution after the reaction can be used as it is, and the production process can be simplified.

수지 (A)의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 3,000 내지 100,000, 보다 바람직하게는 5,000 내지 50,000이다. 수지 (A)의 중량 평균 분자량이 상기한 범위 내에 있으면, 도포성이 우수한 경향이 있으며, 또한 현상시에 노광부의 막 감소가 발생하기 어렵고, 또한 비노광부가 현상으로 제거되기 쉽다.The weight average molecular weight of the resin (A) in terms of polystyrene is preferably 3,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 50,000. When the weight average molecular weight of the resin (A) is within the above range, the coating property tends to be excellent, the film thickness of the exposed portion is hardly reduced at the time of development, and the unexposed portion is liable to be removed by development.

수지 (A)의 분자량 분포[중량 평균 분자량(Mw)/수 평균 분자량(Mn)]는 바람직하게는 1.1 내지 6.0이며, 보다 바람직하게는 1.2 내지 4.0이다. 분자량 분포가 상기한 범위에 있으면, 현상성이 우수한 경향이 있다.The molecular weight distribution (weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)) of the resin (A) is preferably 1.1 to 6.0, and more preferably 1.2 to 4.0. When the molecular weight distribution is in the above-mentioned range, the developability tends to be excellent.

수지 (A)의 산가는 통상 20 내지 200mgKOH/g이며, 바람직하게는 40 내지 180mgKOH/g, 보다 바람직하게는 50 내지 180mgKOH/g이다. 이러한 범위의 산가의 수지를 사용함으로써, 개구 형성 후의 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값을 15mN/m 이상으로 할 수 있다. 여기서, 산가는 수지 1g을 중화하는 데에 필요한 수산화칼륨의 양(mg)으로서 측정되는 값이며, 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정함으로써 구할 수 있다.The acid value of the resin (A) is usually 20 to 200 mg KOH / g, preferably 40 to 180 mg KOH / g, and more preferably 50 to 180 mg KOH / g. By using a resin having an acid value in this range, the value of the polarity component of the surface free energy of the electrode after formation of the opening can be set to 15 mN / m or more. Here, the acid value is a value measured as the amount (mg) of potassium hydroxide necessary for neutralizing 1 g of the resin and can be determined by titration using an aqueous solution of potassium hydroxide.

수지 (A)의 함유량은 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (C)의 합계량에 대하여, 바람직하게는 5 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 20 내지 80질량%이며, 특히 바람직하게는 45 내지 80질량%이다. 수지 (A)의 함유량이 상기한 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 현상성, 얻어지는 패턴의 밀착성, 내용제성 및 기계 특성이 양호해지는 경향이 있다.The content of the resin (A) is preferably from 5 to 95% by mass, more preferably from 20 to 80% by mass, and particularly preferably from 5 to 95% by mass, relative to the total amount of the resin (A), the resin (A1) and the polymerizable compound By mass to 45% by mass to 80% by mass. When the content of the resin (A) is in the above range, the developability of the photosensitive resin composition, the adhesiveness of the resulting pattern, the solvent resistance, and the mechanical properties tend to be good.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 발액제 (F)를 포함할 수도 있다. 발액제 (F)는 발액성을 발현시키는 수지이며, 패턴 형성 후의 구조물 표면이 구조물 단체와 비교하여, 발액성이 높으면 사용되는 물질은 특별히 한정되지 않지만, 구조물 표면의 아니솔 접촉각이 30°이상으로 되는 것이 바람직하다. 사용되는 발액성을 발현시키는 수지는, 예를 들어 탄소수 1 내지 8의 퍼플루오로알킬기(탄소 원자 간에 에테르성 산소 원자를 가질 수도 있음)를 갖는 구조 단위를 들 수 있고, 바람직하게는 탄소수 4 내지 6의 퍼플루오로알킬기를 갖는 단량체 (d)(이하,「(d)」라고 하는 경우가 있음)에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 중합체이다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a liquid repellent agent (F). The liquid repellent agent (F) is a resin that exhibits liquid repellency. The material used is not particularly limited as long as the surface of the structure after pattern formation is higher in lyophobicity than the structure itself. However, . The resin that exhibits liquid repellency to be used includes, for example, a structural unit having a perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms (which may have an etheric oxygen atom between carbon atoms), preferably a structural unit having 4 to 8 carbon atoms (D) (hereinafter occasionally referred to as " (d) ") having a perfluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

(d)로서는 식 (d-0)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.(d) may be a compound represented by the formula (d-0).

Figure 112014084654365-pat00008
Figure 112014084654365-pat00008

[식 (d-0) 중, Rf는 탄소수 4 내지 6의 퍼플루오로알킬기를 나타내고, Rd는 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 페닐기, 벤질기 또는 탄소수 1 내지 21의 알킬기를 나타내고, 해당 알킬기에 포함되는 수소 원자는 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있고, Xd는 단결합, 탄소수 1 내지 10의 2가 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 10의 2가 지환식 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 12의 2가 방향족 탄화수소 기를 나타내고, 해당 지방족 탄화수소기 및 해당 지환식 탄화수소기에 포함되는 -CH2-는 -O-, -CO-, -NRe-, -S- 또는 -SO2-로 치환될 수도 있음]Wherein R f represents a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms and R d represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a phenyl group, a benzyl group or an alkyl group having 1 to 21 carbon atoms, X d represents a single bond, a divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, or a divalent alicyclic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the alkyl group may be substituted with a halogen atom or a hydroxy group. And the -CH 2 - included in the aliphatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group is substituted with -O-, -CO-, -NR e -, -S- or -SO 2 - Maybe]

Rf는 탄소수 4 내지 6의 퍼플루오로알킬기이며, 퍼플루오로부틸기 및 퍼플루오로헥실기가 바람직하다.R f is a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms, preferably a perfluorobutyl group and a perfluorohexyl group.

Rd에 있어서 탄소수 1 내지 21의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등의 직쇄상 알킬기;Examples of the alkyl group having 1 to 21 carbon atoms in R d include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-pentyl, a straight chain alkyl group such as n-decyl group;

이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, 이소펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸 펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸헥실기, 2-메틸헥실기, 3-메틸헥실기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 3-에틸펜틸기, 1-프로필부틸기, 1-메틸헵틸기, 2-메틸헵틸기, 3-메틸헵틸기, 4-메틸헵틸기, 5-메틸헵틸기, 6-메틸헵틸기, 1-에틸헥실기, 2-에틸헥실기, 3-에틸헥실기, 4-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, 1-부틸부틸기, 1-부틸-2-메틸부틸기, 1-부틸-3-메틸부틸기, tert-부틸기, 1,1-디메틸프로필기, 1,1-디메틸부틸기, 1,2- 디메틸부틸기, 1,3-디메틸부틸기, 2,3-디메틸부틸기, 1-에틸-2-메틸프로필기, 1,1- 디메틸펜틸기, 1,2-디메틸펜틸기, 1,3-디메틸펜틸기, 1,4-디메틸펜틸기, 2,2-디메틸펜틸기, 2,3-디메틸펜틸기, 2,4-디메틸펜틸기, 3,3-디메틸펜틸기, 3,4-디메틸펜틸기, 1-에틸-1-메틸부틸기, 2-에틸-3-메틸부틸기 등의 분지쇄상 알킬기 등을 들 수 있다.A methylpentyl group, a 4-methylpentyl group, a 1-ethylbutyl group, a 2-ethylpentyl group, an isobutyl group, an isobutyl group, an isopentyl group, Propylphenyl group, 3-ethylpentyl group, 3-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, Methylheptyl group, 2-methylheptyl group, 3-methylheptyl group, 4-methylheptyl group, 5-methylheptyl group, 6-methylheptyl group, 1-ethylhexyl group, 2-methylheptyl group, Ethylhexyl group, 2-propylpentyl group, 1-butylbutyl group, 1-butyl-2-methylbutyl group, 1-butyl- Dimethylbutyl group, 1, 2-dimethylbutyl group, 1, 3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1-ethyl- Methylpropyl group, 1,1-dimethylpentyl group, 1,2-dimethylpentyl group, 1,3-dimethylpentyl group, 1,4-dimethylpentyl group, 2,2-dimethylpentyl group, T-butyl, 2,4-dimethylpentyl, 3,3-dimethyl Group, and the like can be mentioned 3,4-dimethyl-pentyl group, 1-ethyl-1-methylbutyl group, 2-ethyl-3-methyl branched alkyl groups such as a butyl group.

Rd로서는 수소 원자, 할로겐 원자 및 메틸기가 바람직하다.As R d, a hydrogen atom, a halogen atom and a methyl group are preferable.

Xd에 있어서 탄소수 1 내지 10의 2가 지방족 탄화수소기로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부탄-1,4-디일기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-1,2-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기 등의 알칸디일기를 들 수 있다.Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms in X d include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, Diyl group, a butane-1,2-diyl group, a pentane-1,5-diyl group, a hexane-1,6-diyl group, a heptane- And an alkanediyl group such as a diary.

Xd에 있어서 탄소수 3 내지 10의 2가 지환식 탄화수소기로서는 시클로프로판디일기, 시클로부탄디일기, 시클로펜탄디일기, 시클로헥산디일기, 시클로헵탄디일기, 시클로데칸디일기 등을 들 수 있다.Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms in X d include a cyclopropanediyl group, a cyclobutanediyl group, a cyclopentanediyl group, a cyclohexanediyl group, a cycloheptanediyl group, and a cyclodecanediyl group .

Xd에 있어서 탄소수 6 내지 12의 2가 방향족 탄화수소 기로서는 페닐렌기, 나프탈렌디일기 등을 들 수 있다.Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms in X d include a phenylene group and a naphthalenediyl group.

-CH2-가 -O-, -CO-, -NRe-, -S- 또는 -SO2-로 치환된 Xd로서는, 예를 들어 식 (xd-1) 내지 식 (xd-10)으로 표시되는 기 등을 들 수 있다.Examples of X d substituted with -CH 2 - by -O-, -CO-, -NR e -, -S- or -SO 2 - include, for example, groups represented by formulas (xd-1) to And the like.

Figure 112014084654365-pat00009
Figure 112014084654365-pat00009

Xd로서는 탄소수 1 내지 6의 알칸디일기가 바람직하고, 에틸렌기가 보다 바람직하다.X d is preferably an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably an ethylene group.

(d)로서는 하기 식 (yd-1)로 표시되는 화합물이 바람직하다.(d) is preferably a compound represented by the following formula (yd-1).

Figure 112014084654365-pat00010
Figure 112014084654365-pat00010

[식 (yd-1) 중, Rh는 탄소수 4 내지 6의 퍼플루오로알킬기를 나타내고, Rg는 수소 원자, 할로겐 원자 또는 메틸기를 나타냄][Wherein R h represents a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms and R g represents a hydrogen atom, a halogen atom or a methyl group]

식 (d-0)으로 표시되는 화합물로서는, 예를 들어 화합물 (d-1) 내지 화합물 (d-94) 등을 들 수 있다. 표 중, Xd란에 나타낸 식 번호는 상기에 예시한 기의 식 번호를 나타낸다. 또한, 예를 들어 화합물 (d-1)은 하기 식 (d-1)로 표시되는 화합물이다.Examples of the compound represented by the formula (d-0) include compounds (d-1) to (d-94). In the table, the formula number in the column X d represents the formula number of the group exemplified above. Further, for example, the compound (d-1) is a compound represented by the following formula (d-1).

Figure 112014084654365-pat00011
Figure 112014084654365-pat00011

Figure 112014084654365-pat00012
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Figure 112014084654365-pat00013
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Figure 112014084654365-pat00014
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Figure 112014084654365-pat00015
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수지 (F)로서는 (d)에서 유래하는 구조 단위와 상기 (e)에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하고, (d)에서 유래하는 구조 단위와 (e)에서 유래하는 구조 단위와 (b)에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 수지인 것이 보다 바람직하다. 수지 (F)가 (e)에서 유래하는 구조 단위를 포함함으로써, 현상성이 우수하기 때문에, 잔사나 현상에서 유래하는 불균일이 억제되는 경향이 있다. 수지 (F)가 (b)에서 유래하는 구조 단위를 함유함으로써, 내용제성이 우수한 경향이 있기 때문에 바람직하다. 또한, 수지 (F)는 (c)에서 유래하는 구조 단위를 포함하고 있을 수도 있다. (e), (b) 및 (c)로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.The resin (F) is preferably a copolymer containing a structural unit derived from (d) and a structural unit derived from (e), and the structural unit derived from (d) and the structural unit derived from (e) and a structural unit derived from the structural unit (b). Since the resin (F) contains a structural unit derived from (e), the development is excellent and unevenness resulting from residual or phenomenon tends to be suppressed. It is preferable that the resin (F) contains a structural unit derived from (b) because it tends to have excellent solvent resistance. The resin (F) may also contain a structural unit derived from (c). (e), (b) and (c) are the same as described above.

수지 (F)가 (e)와 (d)의 공중합체인 경우, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이 수지 (F)를 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.When the resin (F) is a copolymer of (e) and (d), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer is within the following range with respect to the total number of moles of the structural units constituting the resin (F).

(e)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 50질량%(보다 바람직하게는 10 내지 40질량%)(e); 5 to 50% by mass (more preferably 10 to 40% by mass)

(d)에서 유래하는 구조 단위; 50 내지 95질량%(보다 바람직하게는 70 내지 90질량%)(d); 50 to 95% by mass (more preferably 70 to 90% by mass)

수지 (F)가 (e), (b) 및 (d)의 공중합체인 경우, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이 수지 (F)를 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.When the resin (F) is a copolymer of (e), (b) and (d), the proportion of the structural units derived from each monomer is in the following range with respect to the total number of moles of the structural units constituting the resin (F) .

(e)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 40질량%(보다 바람직하게는 10 내지 30질량%)(e); 5 to 40% by mass (more preferably 10 to 30% by mass)

(b)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 80질량%(보다 바람직하게는 10 내지 70질량%)(b); 5 to 80% by mass (more preferably 10 to 70% by mass)

(d)에서 유래하는 구조 단위; 10 내지 80질량%(보다 바람직하게는 20 내지 70질량%)(d); 10 to 80% by mass (more preferably 20 to 70% by mass)

수지 (F)가 (e), (b), (c) 및 (d)의 공중합체인 경우, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이 수지 (F)를 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.When the resin (F) is a copolymer of (e), (b), (c) and (d), the ratio of the structural unit derived from each monomer is preferably Is preferable.

(e)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 40질량%(보다 바람직하게는 10 내지 30질량%)(e); 5 to 40% by mass (more preferably 10 to 30% by mass)

(b)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 70질량%(보다 바람직하게는 10 내지 60질량%)(b); 5 to 70% by mass (more preferably 10 to 60% by mass)

(c)에서 유래하는 구조 단위; 10 내지 50질량%(보다 바람직하게는 20 내지 40질량%)(c); 10 to 50% by mass (more preferably 20 to 40% by mass)

(d)에서 유래하는 구조 단위; 10 내지 80질량%(보다 바람직하게는 20 내지 70질량%)(d); 10 to 80% by mass (more preferably 20 to 70% by mass)

각 구조 단위의 비율이 상기 범위에 있으면, 발액성, 현상성이 우수한 경향이 있다.When the proportion of each structural unit is in the above range, the liquid repellency and developability tend to be excellent.

수지 (F)의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 3,000 내지 20,000, 보다 바람직하게는 5,000 내지 15,000이다. 수지 (F)의 중량 평균 분자량이 상기한 범위에 있으면, 도포성이 우수한 경향이 있고, 또한 현상시에 노광부의 막 감소가 발생하기 어렵고, 또한 비노광부가 현상으로 제거되기 쉽다.The weight average molecular weight of the resin (F) in terms of polystyrene is preferably 3,000 to 20,000, more preferably 5,000 to 15,000. When the weight average molecular weight of the resin (F) is within the above-mentioned range, the coating property tends to be excellent, the film of the exposed portion is hardly reduced during development, and the unexposed portion is liable to be removed by development.

수지 (F)의 산가는, 통상 20 내지 200mgKOH/g이며, 바람직하게는 40 내지 150mgKOH/g이다.The acid value of the resin (F) is usually 20 to 200 mgKOH / g, preferably 40 to 150 mgKOH / g.

수지 (F)의 함유량은 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (B)의 합계량 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.001 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5질량부이다. 수지 (F)의 함유량이 상기한 범위 내에 있으면, 패턴 형성 시에 현상성이 우수하며, 얻어지는 패턴은 발액성이 우수한 경향이 있다.The content of the resin (F) is preferably 0.001 to 10 parts by mass, more preferably 0.01 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the resin (A), the resin (A1) and the polymerizable compound (B). When the content of the resin (F) is within the above range, the developability at the time of pattern formation is excellent, and the resulting pattern tends to have excellent lyophobicity.

수지 (A1)은 수지 (A) 및 수지 (F) 이외의 수지라면 특별히 한정되지 않는다. 수지 (A1)로서는The resin (A1) is not particularly limited as long as it is a resin other than the resin (A) and the resin (F). As the resin (A1)

수지 (A1-1): (e)와 (b)를 중합하여 이루어지는 공중합체,Resin (A1-1): a copolymer obtained by polymerizing (e) and (b)

수지 (A1-2): (e)와 (b)와 (c)를 중합하여 이루어지는 공중합체,Resin (A1-2): a copolymer obtained by polymerizing (e), (b) and (c)

수지 (A1-3): (e)와 (c)를 중합하여 이루어지는 공중합체,Resin (A1-3): a copolymer obtained by polymerizing (e) and (c)

수지 (A1-4): (e)와 (c)를 중합하여 이루어지는 공중합체에 (b)를 반응시켜서 얻어지는 수지,Resin (A1-4): A resin obtained by reacting (b) a copolymer obtained by polymerizing (e) and (c)

수지 (A1-5): (b)와 (c)를 중합하여 이루어지는 공중합체에 (e)를 반응시켜서 얻어지는 수지 등을 들 수 있다.Resin (A1-5): A resin obtained by reacting (e) a copolymer obtained by polymerizing (b) and (c).

그 중에서도, 수지 (A1-1), 수지 (A1-2)가 바람직하다.Among them, the resin (A1-1) and the resin (A1-2) are preferable.

수지 (A1-1)에 있어서, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이 수지 (A1-1)을 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In the resin (A1-1), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer is within the following range with respect to the total number of moles of the total structural units constituting the resin (A1-1).

(e)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 60몰%(보다 바람직하게는 10 내지 50몰%)(e); 5 to 60 mol% (more preferably 10 to 50 mol%)

(b)에서 유래하는 구조 단위; 40 내지 95몰%(보다 바람직하게는 50 내지 90몰%)(b); 40 to 95% by mole (more preferably 50 to 90% by mole)

수지 (A1-1)의 구조 단위의 비율이 상기 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 및 얻어지는 도막 및 패턴의 내용제성이 양호해지는 경향이 있다.When the proportion of the structural unit of the resin (A1-1) is within the above range, the storage stability of the photosensitive resin composition, the developability in forming a pattern from the photosensitive resin composition, and the solvent resistance of the obtained coating film and pattern tend to be good have.

수지 (A1-2)에 있어서, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이 수지 (A1-2)를 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In the resin (A1-2), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer is within the following range with respect to the total number of moles of the total structural units constituting the resin (A1-2).

(e)에서 유래하는 구조 단위; 2 내지 45몰%(보다 바람직하게는 5 내지 40몰%)(e); 2 to 45 mol% (more preferably 5 to 40 mol%),

(b)에서 유래하는 구조 단위; 2 내지 95몰%(보다 바람직하게는 5 내지 80몰%)(b); 2 to 95 mol% (more preferably 5 to 80 mol%),

(c)에서 유래하는 구조 단위; 1 내지 65몰%(보다 바람직하게는 5 내지 60몰%)(c); 1 to 65 mol% (more preferably 5 to 60 mol%),

수지 (A1-2)의 구조 단위의 비율이 상기 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 및 얻어지는 도막 및 패턴의 내용제성이 양호해지는 경향이 있다.When the ratio of the structural unit of the resin (A1-2) is within the above range, the storage stability of the photosensitive resin composition, developability in forming a pattern from the photosensitive resin composition, and solvent resistance of the obtained coating film and pattern tend to be good have.

수지 (A1-3)에 있어서, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이 수지 (A1-3)을 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In the resin (A1-3), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer is in the following range with respect to the total number of moles of the total structural units constituting the resin (A1-3).

(e)에서 유래하는 구조 단위; 2 내지 40몰%(보다 바람직하게는 5 내지 35몰%)(e); 2 to 40 mol% (more preferably 5 to 35 mol%),

(c)에서 유래하는 구조 단위; 60 내지 98몰%(보다 바람직하게는 65 내지 95몰%)(c); 60 to 98% by mole (more preferably 65 to 95% by mole)

수지 (A1-3)의 구조 단위의 비율이 상기 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 및 얻어지는 도막 및 패턴의 내용제성이 양호해지는 경향이 있다.When the proportion of the structural unit of the resin (A1-3) is within the above range, the storage stability of the photosensitive resin composition, developability in forming a pattern from the photosensitive resin composition, and solvent resistance of the resulting coating film and pattern tend to be good have.

수지 (A1-1) 내지 (A1-3)은 수지 (A)와 마찬가지의 방법에 의해 제조할 수 있다.Resins (A1-1) to (A1-3) can be produced by the same method as Resin (A).

수지 (A1-4)는, (e)와 (c)의 공중합체에 (b)를 반응시켜서 얻어지는 수지이다.Resin (A1-4) is a resin obtained by reacting the copolymer (e) and (c) with (b).

수지 (A1-4)는, 예를 들어 2단계의 공정을 거쳐서 제조할 수 있다. 이 경우도, 상술한 문헌 [「고분자 합성의 실험법」(오쓰 다카유키저 발행소(주) 가가꾸 도진 제1판 제1쇄 1972년 3월 1일 발행)]에 기재된 방법, 일본 특허 공개 제2001-89533호 공보에 기재된 방법 등을 참고로 하여 제조할 수 있다.The resin (A1-4) can be produced, for example, by a two-step process. Also in this case, the method described in the above-mentioned "Experimental Method of Polymer Synthesis" (published by Otsu Takayuki Co., Ltd., 1st Ed., First edition, March 1, 1972) 89533, and the like.

먼저, 제1단계로서, 상술한 수지 (A)의 제조 방법과 마찬가지로 하여, (e)와 (c)의 공중합체를 얻는다.First, as a first step, a copolymer of (e) and (c) is obtained in the same manner as in the above-mentioned production method of the resin (A).

이 경우, 상기와 마찬가지로, 얻어진 공중합체는 반응 후의 용액을 그대로 사용할 수도 있고, 농축 또는 희석한 용액을 사용할 수도 있고, 재침전 등의 방법으로 고체(분체)로서 취출한 것을 사용할 수도 있다. 또한, 상기와 마찬가지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 및 분자량 분포[중량 평균 분자량(Mw)/수 평균 분자량(Mn)]로 하는 것이 바람직하다.In this case, in the same manner as described above, the solution obtained after the reaction may be used as it is, or a concentrated or diluted solution may be used, or it may be taken out as a solid (powder) by a method such as re-precipitation. The weight average molecular weight and the molecular weight distribution (weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)) in terms of polystyrene similar to those described above are preferable.

단, (e) 및 (c)에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 상기의 공중합체를 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.However, it is preferable that the proportion of the structural units derived from (e) and (c) is in the following range with respect to the total number of moles of the total structural units constituting the copolymer.

(e)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 50몰%(보다 바람직하게는 10 내지 45몰%)(e); 5 to 50 mol% (more preferably 10 to 45 mol%),

(c)에서 유래하는 구조 단위; 50 내지 95몰%(보다 바람직하게는 55 내지 90몰%)(c); 50 to 95% by mole (more preferably 55 to 90% by mole)

이어서, 제2단계로서, 얻어진 공중합체에서 유래하는 (e)의 카르복실산 또는 카르복실산 무수물의 일부를 상술한 (b)의 환상 에테르와 반응시킨다. 환상 에테르의 반응성이 높고, 미반응된 (b)가 잔존하기 어렵다는 점에서, 수지 (A1-4)에 사용되는 (b)로서는 (b1) 또는 (b2)가 바람직하고, (b1-1)이 보다 바람직하다.Subsequently, as a second step, a part of the carboxylic acid or carboxylic acid anhydride (e) derived from the obtained copolymer is reacted with the cyclic ether of the above-mentioned (b). (B1) or (b2) is preferably used as the resin (A1-4), and (b1-1) is preferably used as the resin (A1-4) because the reactivity of the cyclic ether is high and unreacted More preferable.

구체적으로는, 상기에 계속하여, 플라스크 내 분위기를 질소에서 공기로 치환하고, (e)의 몰수에 대하여 580몰%의 (b), 카르복시기와 환상 에테르와의 반응 촉매(예를 들어, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등)를 (e), (b) 및 (c)의 합계량에 대하여 0.001 내지 5질량%, 및 중합 금지제(예를 들어, 히드로퀴논 등)를 (e), (b) 및 (c)의 합계량에 대하여 0.001 내지 5질량% 플라스크 내에 넣어서, 60 내지 130℃에서 1 내지 10시간 반응시켜, 수지 (A1-4)를 얻을 수 있다. 또한, 중합 조건과 마찬가지로, 제조 설비나 중합에 의한 발열량 등을 고려하여, 투입 방법이나 반응 온도를 적절히 조정할 수 있다.Specifically, the atmosphere in the flask was replaced with air in the flask, and 580 mol% of (b) of the reaction catalyst of a carboxyl group and a cyclic ether (for example, tris (E), (b) and (c) in an amount of 0.001 to 5 mass% based on the total amount of (e), (b) and (c), and a polymerization inhibitor (such as hydroquinone) (c), and the mixture is allowed to react at 60 to 130 캜 for 1 to 10 hours to obtain a resin (A1-4). In addition, as in the case of the polymerization conditions, the charging method and the reaction temperature can be appropriately adjusted in consideration of the production facilities and the amount of heat generated by polymerization.

또한, 이 경우, (b)의 몰수는 (e)의 몰수에 대하여 10 내지 75몰%로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 내지 70몰%이다. 이 범위로 함으로써, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 및 얻어지는 도막 및 패턴의 내용제성, 내열성, 기계 강도 및 감도의 밸런스가 양호해지는 경향이 있다.In this case, the number of moles of (b) is preferably 10 to 75 mol%, and more preferably 15 to 70 mol% based on the number of moles of (e). This range tends to improve the storage stability of the photosensitive resin composition, developability in forming a pattern from the photosensitive resin composition, and balance of solvent resistance, heat resistance, mechanical strength and sensitivity of the obtained coating film and pattern.

수지 (A1-5)는, 제1단계로서, 상술한 수지 (A)의 제조 방법과 마찬가지로 하여, (b)와 (c)의 공중합체를 얻는다.As the first step of the resin (A1-5), a copolymer of (b) and (c) is obtained in the same manner as in the above-mentioned production method of the resin (A).

이 경우, 상기와 마찬가지로, 얻어진 공중합체는 반응 후의 용액을 그대로 사용할 수도 있고, 농축 또는 희석한 용액을 사용할 수도 있고, 재침전 등의 방법으로 고체(분체)로서 취출한 것을 사용할 수도 있다.In this case, in the same manner as described above, the solution obtained after the reaction may be used as it is, or a concentrated or diluted solution may be used, or it may be taken out as a solid (powder) by a method such as re-precipitation.

(b) 및 (c)에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 상기한 공중합체를 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대하여 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.the ratio of the structural units derived from (b) and (c) to the total number of moles of the total structural units constituting the copolymer is in the following range.

(b)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 95몰%(보다 바람직하게는 10 내지 90몰%)(b); 5 to 95 mol% (more preferably 10 to 90 mol%)

(c)에서 유래하는 구조 단위; 5 내지 95몰%(보다 바람직하게는 10 내지 90몰%)(c); 5 to 95 mol% (more preferably 10 to 90 mol%)

또한, 수지 (A1-4)의 제조 방법과 마찬가지로 하여, (b)와 (c)의 공중합체 중의 (b)에서 유래하는 환상 에테르에, (e)가 갖는 카르복실산 또는 카르복실산 무수물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 환상 에테르와 카르복실산 또는 카르복실산 무수물과의 반응에 의해 발생하는 히드록시기에, 또한 카르복실산 무수물을 반응시킬 수도 있다.In the same manner as in the production of the resin (A1-4), the carboxylic acid or carboxylic acid anhydride of (e) in the cyclic ether derived from (b) in the copolymer of (b) . The carboxylic acid anhydride may also be reacted with the hydroxyl group generated by the reaction of the cyclic ether with the carboxylic acid or the carboxylic acid anhydride.

상기의 공중합체에 반응시키는 (e)의 사용량은 (b)의 몰수에 대하여 5 내지 80몰%인 것이 바람직하다. 환상 에테르의 반응성이 높고, 미반응된 (b)가 잔존하기 어렵다는 점에서, (b)로서는 (b1)이 바람직하고, 또한 (b1-1)이 바람직하다.The amount of (e) to be reacted with the copolymer is preferably 5 to 80 mol% based on the number of moles of (b). (B) is preferably (b1), and (b1-1) is preferable in that the reactivity of the cyclic ether is high and unreacted (b) is hard to remain.

수지 (A1)의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 3,000 내지 100,000, 보다 바람직하게는 5,000 내지 50,000이다. 수지 (A1)의 중량 평균 분자량이 상기한 범위에 있으면, 도포성이 우수한 경향이 있고, 또한 현상시에 노광부의 막 감소가 발생하기 어렵고, 또한 비노광부가 현상으로 제거되기 쉽다.The weight average molecular weight of the resin (A1) in terms of polystyrene is preferably 3,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 50,000. When the weight average molecular weight of the resin (A1) is within the above range, the coating property tends to be excellent, and the film thickness of the exposed portion is hardly reduced at the time of development, and the unexposed portion is liable to be removed as development.

수지 (A1)의 분자량 분포[중량 평균 분자량(Mw)/수 평균 분자량(Mn)]는 바람직하게는 1.1 내지 6.0이며, 보다 바람직하게는 1.2 내지 4.0이다. 분자량 분포가 상기한 범위에 있으면, 현상성이 우수한 경향이 있다.The molecular weight distribution (weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)) of the resin (A1) is preferably 1.1 to 6.0, and more preferably 1.2 to 4.0. When the molecular weight distribution is in the above-mentioned range, the developability tends to be excellent.

수지 (A1)의 산가는, 통상 20 내지 200mgKOH/g이며, 바람직하게는 40 내지 180mgKOH/g, 보다 바람직하게는 50 내지 180mgKOH/g이다.The acid value of the resin (A1) is usually from 20 to 200 mgKOH / g, preferably from 40 to 180 mgKOH / g, and more preferably from 50 to 180 mgKOH / g.

수지 (A1)을 함유하는 경우, 그의 함유량은 수지 (A) 및 수지 (A1)의 합계량에 대하여 바람직하게는 1 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 1 내지 50질량%이다. 수지 (A1)의 함유량이 상기한 범위에 있으면, 패턴을 고감도로 형성할 수 있으며, 현상성이 우수하다.When the resin (A1) is contained, its content is preferably 1 to 80% by mass, more preferably 1 to 50% by mass, based on the total amount of the resin (A) and the resin (A1). When the content of the resin (A1) is in the above range, the pattern can be formed with high sensitivity, and the developing property is excellent.

수지 (A1)을 함유하는 경우, 그의 함유량은 수지 (A) 및 수지 (A1)의 합계량에 대하여 바람직하게는 1 내지 80질량%, 보다 바람직하게는 1 내지 50질량%이다. 수지 (A1)의 함유량이 상기한 범위에 있으면, 패턴을 고감도로 형성할 수 있으며, 현상성이 우수하다.When the resin (A1) is contained, its content is preferably 1 to 80% by mass, more preferably 1 to 50% by mass, based on the total amount of the resin (A) and the resin (A1). When the content of the resin (A1) is in the above range, the pattern can be formed with high sensitivity, and the developing property is excellent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 중합성 화합물 (B)를 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a polymerizable compound (B).

중합성 화합물 (B)는 중합 개시제 (C)로부터 발생한 활성 라디칼에 의해 중합할 수 있는 화합물이며, 예를 들어 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물 등이며, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르 화합물이다.The polymerizable compound (B) is a compound which can be polymerized by an active radical generated from the polymerization initiator (C), for example, a compound having an ethylenically unsaturated bond, and is preferably a (meth) acrylic acid ester compound.

에틸렌성 불포화 결합을 1개 갖는 중합성 화합물 (B)로서는 상기 (a), (b) 및 (c)로서 예로 든 화합물과 동일한 것을 들 수 있고, 그 중에서도 (메트)아크릴산에스테르류가 바람직하다.Examples of the polymerizable compound (B) having one ethylenically unsaturated bond include the same ones as the compounds exemplified above as (a), (b) and (c), and among them, (meth) acrylate esters are preferable.

에틸렌성 불포화 결합을 2개 갖는 중합성 화합물 (B)로서는 1,3-부탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,3-부탄디올(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 비스페놀 A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 에톡시화 비스페놀A 디(메트) 아크릴레이트, 프로폭시화 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 에톡시화 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 3-메틸펜탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the polymerizable compound (B) having two ethylenically unsaturated bonds include 1,3-butanediol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) , Ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di Polyethylene glycol diacrylate, bis (acryloyloxyethyl) ether of bisphenol A, ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, propoxylated neopentyl glycol di (meth) acrylate, ethoxylated neopentyl glycol di (Meth) acrylate, 3-methylpentanediol di (meth) acrylate, and the like.

에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 갖는 중합성 화합물 (B)로서는 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 트리(메트)아크릴레이트, 에톡시화 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 프로폭시화 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 헵타(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨 옥타(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트와 산 무수물과의 반응물, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트와 산 무수물과의 반응물, 트리펜타에리트리톨 헵타(메트)아크릴레이트와 산 무수물과의 반응물, 카프로락톤 변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 트리(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨 헵타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨 옥타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트와 산 무수물과의 반응물, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트와 산 무수물과의 반응물, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨 헵타(메트)아크릴레이트와 산 무수물과의 반응물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 갖는 중합성 화합물 (B)가 바람직하고, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of the polymerizable compound (B) having three or more ethylenic unsaturated bonds include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, propoxylated trimethylol propane tri , Tripentaerythritol hexa (meth) acrylate, tripentaerythritol tetra (meth) acrylate, tripentaerythritol penta (meth) acrylate, tripentaerythritol hexa (meth) acrylate, tripentaerythritol hepta (Meth) acrylate, tripentaerythritol octa (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate and acid anhydride A reaction product of dipentaerythritol penta (meth) acrylate and an acid anhydride, a reaction product of tripentaerythritol hepta (meth) acrylate and an acid anhydride, caprolactone-modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, Caprolactone-modified pentaerythritol tetra (meth) acrylate, caprolactone modified tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, caprolactone modified pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone-modified tripentaerythritol tetra (meth) acrylate, caprolactone-modified tripentaerythritol penta ) Acrylate, caprolactone-modified tripentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone-modified (Meth) acrylate, caprolactone-modified tripentaerythritol octa (meth) acrylate, a reaction product of caprolactone-modified pentaerythritol tri (meth) acrylate and an acid anhydride, caprolactone-modified dipenta A reaction product of an erythritol penta (meth) acrylate and an acid anhydride, and a reaction product of caprolactone-modified tripentaerythritol (meth) acrylate and an acid anhydride. Among them, a polymerizable compound (B) having three or more ethylenic unsaturated bonds is preferable, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) Acrylate is more preferable.

중합성 화합물 (B)의 함유량은 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (B)의 합계량에 대하여 바람직하게는 5 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 20 내지 80질량%이다.The content of the polymerizable compound (B) is preferably 5 to 95% by mass, more preferably 20 to 80% by mass, based on the total amount of the resin (A), the resin (A1) and the polymerizable compound (B).

중합성 화합물 (B)의 함유량이 상기한 범위에 있으면, 감도나, 얻어지는 패턴의 강도, 평활성, 신뢰성이 양호해지는 경향이 있다.When the content of the polymerizable compound (B) is in the above range, the sensitivity and the strength, smoothness and reliability of the obtained pattern tend to be improved.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 중합 개시제 (C)를 포함한다. 중합 개시제 (C)로서는, 광 또는 열의 작용에 의해 중합을 개시할 수 있는 화합물이라면 특별히 한정되지 않고, 공지된 중합 개시제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises a polymerization initiator (C). The polymerization initiator (C) is not particularly limited as long as it is a compound capable of initiating polymerization by the action of light or heat, and a known polymerization initiator can be used.

중합 개시제 (C)로서, 예를 들어 옥심 화합물, 알킬페논 화합물, 비이미다졸 화합물, 트리아진 화합물 및 아실 포스핀 옥시드 화합물을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2008-181087호 공보에 기재된 광 및/또는 열 양이온 중합 개시제(예를 들어, 오늄 양이온과 루이스산 유래의 음이온으로 구성되어 있는 것)를 사용할 수도 있다. 그 중에서도, 비이미다졸 화합물, 알킬페논 화합물 및 옥심 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, 특히 알킬페논 화합물인 것이 바람직하다. 이들 화합물을 포함하는 중합 개시제이면, 특히 고감도로 되는 경향이 있어 바람직하다.Examples of the polymerization initiator (C) include oxime compounds, alkylphenone compounds, imidazole compounds, triazine compounds and acylphosphine oxide compounds. Further, the light and / or thermal cationic polymerization initiator described in Japanese Patent Laid-Open No. 2008-181087 (for example, one comprising an onium cation and an anion derived from a Lewis acid) may also be used. Among them, at least one selected from the group consisting of a nonimidazole compound, an alkylphenone compound and an oxime compound is preferable, and an alkylphenone compound is particularly preferable. A polymerization initiator containing these compounds is particularly preferable because it tends to be highly sensitive.

상기 옥심 화합물은 식 (d1)로 표시되는 부분 구조를 갖는 화합물이다. 이하, *은 결합손을 나타낸다.The oxime compound is a compound having a partial structure represented by the formula (d1). Herein, * denotes a combined hand.

Figure 112014084654365-pat00016
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상기 O-아실 옥심 화합물로서는, 예를 들어 N-벤조일옥시-1-(4-페닐술파닐페닐)부탄-1-온-2-이민, N-벤조일옥시-1-(4-페닐술파닐페닐)옥탄-1-온-2-이민, N-벤조일옥시-1-(4-페닐술파닐페닐)-3-시클로펜틸프로판-1-온-2-이민, N-아세톡시-1- [9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄-1-이민, N-아세톡시-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(3,3-디메틸-2,4-디옥사시클로펜타닐메틸옥시)벤조일}-9H-카르바졸-3-일]에탄-1-이민, N-아세톡시-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-3-시클로펜틸프로판-1-이민, N-벤조일옥시-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-3-시클로펜틸프로판-1-온-2-이민 등을 들 수 있다. 이르가큐어 OXE01, OXE02(이상, 바스프(BASF)사제), N-1919(아데카(ADEKA)사제) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.Examples of the O-acyloxime compound include N-benzoyloxy-1- (4-phenylsulfanylphenyl) butan-1-one-2-imine, N-benzoyloxy- 2-imine, N-benzoyloxy-1- (4-phenylsulfanylphenyl) -3-cyclopentylpropan- - ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] (3-dimethyl-2,4-dioxacyclopentanylmethyloxy) benzoyl} -9H-carbazol-3-yl] ethan- 1-imine, N- acetoxy- 1- [ -9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazole < / RTI > -3-yl] -3-cyclopentylpropan-1-one-2-imine. Commercially available products such as Irgacure OXE01 and OXE02 (manufactured by BASF) and N-1919 (manufactured by ADEKA) may also be used.

상기 알킬페논 화합물은, 식 (d2)로 표시되는 부분 구조 또는 식 (d3)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 화합물이다. 이들 부분 구조 중, 벤젠환은 치환기를 가질 수도 있다.The alkylphenone compound is a compound having a partial structure represented by formula (d2) or a partial structure represented by formula (d3). Of these partial structures, the benzene ring may have a substituent.

Figure 112014084654365-pat00017
Figure 112014084654365-pat00017

식 (d2)로 표시되는 부분 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온, 2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질부탄-1-온, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]부탄-1-온 등을 들 수 있다. 이르가큐어 369, 907, 379(이상, 바스프사제) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.Examples of the compound having a partial structure represented by the formula (d2) include 2-methyl-2-morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) propan- (4-morpholinophenyl) -2-benzylbutan-1-one, 2- (dimethylamino) Butane-1-one and the like. IRGACURE 369, 907, 379 (manufactured by BASF Co., Ltd.), and the like.

식(d3)으로 표시되는 부분 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-(4-이소프로페닐 페닐)프로판-1-온의 올리고머, α,α-디에톡시아세토페논, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.Examples of the compound having a partial structure represented by the formula (d3) include 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2-hydroxy- 2-hydroxy-2-methyl-1- (4-isopropenylphenyl) propane-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and 2-hydroxy- ,?,? -diethoxyacetophenone, and benzyl dimethyl ketal.

감도 면에서, 알킬페논 화합물로서는 식 (d2)로 표시되는 부분 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.From the viewpoint of sensitivity, the alkylphenone compound is preferably a compound having a partial structure represented by formula (d2).

상기 비이미다졸 화합물로서는 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸(예를 들어, 일본 특허 공개 (평)6-75372호 공보, 일본 특허 공개 (평)6-75373호 공보 등 참조.), 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(알콕시페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(디알콕시페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(트리알콕시페닐)비이미다졸(예를 들어, 일본 특허 공고 (소)48-38403호 공보, 일본 특허 공개 (소)62-174204호 공보 등 참조.), 4,4',5,5'-위치의 페닐기가 카르보알콕시기에 의해 치환되어 있는 이미다졸 화합물(예를 들어, 일본 특허 공개 (평)7-10913호 공보 등 참조) 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸을 들 수 있다.Examples of the imidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,3- 4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole (see, for example, JP-B-6-75372 and JP-A-6-75373) Bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis Tetra (alkoxyphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra -Chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (trialkoxyphenyl) biimidazole (for example, Japanese Patent Publication (Kokai) No. 48-38403, (See, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 7-10913, etc.) in which the phenyl group at the 4,4 ', 5,5'-position is substituted by a carboalkoxy group ) And the like. Preferable examples include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,3- 4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole.

상기 트리아진 화합물로서는 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(푸란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다.Examples of the triazine compound include 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (4-methoxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (Methoxynaphthyl) -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6-piperonyl-1,3,5-triazine, 2,4- Methyl) -6- (4-methoxystyryl) -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- 2- (furan-2-yl) ethenyl] -1,3,5-triazine, 2,4,6-trichloromethyl- Bis (trichloromethyl) -6- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -1,3,5-triazine, 2,4- - [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -1,3,5-triazine.

상기 아실 포스핀 옥시드 화합물로서는 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀 옥시드 등을 들 수 있다.Examples of the acylphosphine oxide compound include 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and the like.

또한 중합 개시제 (C)로서는 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인 화합물; 벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-페닐벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드, 3,3',4,4'-테트라(tert-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논 등의 벤조페논 화합물; 9,10-페난트렌퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 캄포퀴논 등의 퀴논 화합물; 10-부틸-2-클로로아크리돈, 벤질, 페닐글리옥실산메틸, 티타노센 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 후술하는 중합 개시 보조제 (E)를 첨가할 수도 있다.Examples of the polymerization initiator (C) include benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and benzoin isobutyl ether; Benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenylsulfide, 3,3 ', 4,4'-tetra (tert- butylperoxycarbonyl) benzophenone Benzophenone compounds such as 2,4,6-trimethylbenzophenone; Quinone compounds such as 9,10-phenanthrenequinone, 2-ethyl anthraquinone, camphorquinone, etc .; Butyl-2-chloroacridone, benzyl, methyl phenylglyoxylate, and titanocene compounds. These may be added with a polymerization initiator (E) described later.

또한, 연쇄 이동을 일으킬 수 있는 기를 갖는 중합 개시제로서, 일본 특허 공표 제2002-544205호 공보에 기재되어 있는 중합 개시제를 사용할 수도 있다.As a polymerization initiator having a group capable of chain transfer, a polymerization initiator described in JP-A-2002-544205 may also be used.

상기의 연쇄 이동을 일으킬 수 있는 기를 갖는 중합 개시제는 수지 (A)에 포함될 수 있는 구조 단위가 되는 단량체 (c)로서도 사용할 수 있다.The polymerization initiator having a group capable of causing chain transfer can also be used as the monomer (c) which is a structural unit which can be contained in the resin (A).

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 상술한 중합 개시제 (C)와 함께, 중합 개시 보조제 (E)를 사용할 수 있다. 중합 개시 보조제 (E)는 중합 개시제 (C)와 조합하여 사용되고, 중합 개시제에 의해 중합이 개시된 중합성 화합물의 중합을 촉진하기 위하여 사용되는 화합물, 또는 증감제이다. 중합 개시 보조제 (E)로서는 티오크산톤 화합물, 아민 화합물, 카르복실산 화합물, 일본 특허 공개 제2008-65319호 공보 및 일본 특허 공개 제2009-139932호 공보에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the polymerization initiator (E) may be used together with the polymerization initiator (C) described above. The polymerization initiator (E) is used in combination with the polymerization initiator (C) and is a compound or a sensitizer used for promoting the polymerization of the polymerizable compound initiated by the polymerization initiator. Examples of the polymerization initiator (E) include thioxanthone compounds, amine compounds, carboxylic acid compounds, compounds described in JP-A-2008-65319 and JP-A-2009-139932, and the like.

티오크산톤 화합물로서는, 예를 들어 2-이소프로필티오크산톤, 4-이소프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤 등을 들 수 있다.Examples of the thioxanthone compound include 2-isopropylthioxanthone, 4-isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 1- ≪ / RTI > propoxycyclohexanone, and the like.

아민 화합물로서는 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리이소프로판올아민 등의 지방족 아민 화합물, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산이소아밀, 4-디메틸아미노벤조산2-에틸헥실, 벤조산2-디메틸아미노에틸, N,N-디메틸파라톨루이딘, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논(통칭; 미힐러 케톤), 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논과 같은 방향족 아민 화합물을 들 수 있다.Examples of the amine compound include aliphatic amine compounds such as triethanolamine, methyldiethanolamine and triisopropanolamine; aliphatic amine compounds such as methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, isoamyl 4-dimethylaminobenzoate, Ethylhexyl, benzoic acid 2-dimethylaminoethyl, N, N-dimethylparatoluidine, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone (commonly known as Michler's ketone), 4,4'- And aromatic amine compounds such as phenanone.

카르복실산 화합물로서는 페닐술파닐아세트산, 메틸페닐술파닐아세트산, 에틸페닐술파닐아세트산, 메틸에틸페닐술파닐아세트산, 디메틸페닐술파닐아세트산, 메톡시페닐술파닐아세트산, 디메톡시페닐술파닐아세트산, 클로로페닐술파닐아세트산, 디클로로페닐술파닐아세트산, N-페닐글리신, 페녹시아세트산, 나프틸티오아세트산, N-나프틸글리신, 나프톡시아세트산 등의 방향족 헤테로 아세트산류를 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include phenylsulfanylacetic acid, methylphenylsulfanylacetic acid, ethylphenylsulfanylacetic acid, methylethylphenylsulfanylacetic acid, dimethylphenylsulfanylacetic acid, methoxyphenylsulfanylacetic acid, dimethoxyphenylsulfanylacetic acid, Aromatic heteroacetic acids such as sulfanylacetic acid, dichlorophenylsulfanylacetic acid, N-phenylglycine, phenoxyacetic acid, naphthylthioacetic acid, N-naphthylglycine, and naphthoxyacetic acid.

중합 개시제 (C)와 중합 개시 보조제 (E)의 조합으로서는 아세토페논 화합물과 티오크산톤 화합물, 아세토페논 화합물과 방향족 아민 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는 2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)-2-메틸프로판-1-온과 2,4-디에틸티오크산톤, 2-디메틸아미노-2-벤질-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온과 2,4-디에틸티오크산톤, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온과 2,4-디에틸티오크산톤, 2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)-2-메틸프로판-1-온과 2-이소프로필티오크산톤과 4-이소프로필티오크산톤, 2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)-2-메틸프로판-1-온과 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2-디메틸아미노-2-벤질-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온과 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온과 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the combination of the polymerization initiator (C) and the polymerization initiator (E) include an acetophenone compound, a thioxanthone compound, an acetophenone compound and an aromatic amine compound. Specific examples thereof include 2-morpholino- Methylphenylphenyl) -2-methylpropan-1-one with 2,4-diethylthioxanthone, 2-dimethylamino-2-benzyl- 1- (4-morpholinophenyl) butan- Diethyl thioxanthone, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholinophenyl) butan- Methylphenyl-2-methylpropan-1-one, 2-isopropylthioxanthone and 4-isopropylthioxanthone, 2-morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) -2-methylpropan-1-one and 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2-dimethylamino- ) Butane-1-one with 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2-dimethylamino-2- (4- And the like can be mentioned 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone.

그 중에서도, 아세토페논 화합물과 티오크산톤 화합물의 조합이 바람직하고, 2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)-2-메틸프로판-1-온과 2,4-디에틸티오크산톤, 2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)-2-메틸프로판-1-온과 2-이소프로필티오크산톤과 4-이소프로필티오크산톤이 보다 바람직하다. 이들의 조합이면, 고감도이며, 가시광 투과율이 높은 패턴이 얻어진다.Among them, a combination of an acetophenone compound and a thioxanthone compound is preferable, and a combination of 2-morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) -2-methylpropan- Oxanthone, 2-morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) -2-methylpropan-1-one and 2-isopropylthioxanthone and 4-isopropylthioxanthone are more preferable. If these are combined, a pattern with high sensitivity and high visible light transmittance can be obtained.

중합 개시제 (C)의 함유량은 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (B)의 합계량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.5 내지 30질량부, 보다 바람직하게는 1 내지 20질량부이며, 더욱 바람직하게는 1 내지 10질량부이다. 중합 개시제 (C)의 함유량이 상기한 범위에 있으면, 고감도로 패턴을 얻을 수 있다.The content of the polymerization initiator (C) is preferably 0.5 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the total amount of the resin (A), the resin (A1) and the polymerizable compound (B) More preferably 1 to 10 parts by mass. When the content of the polymerization initiator (C) is in the above range, a pattern with high sensitivity can be obtained.

중합 개시 보조제 (E)의 사용량은, 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (B)의 합계량 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 20질량부, 보다 바람직하게는 0.3 내지 15질량부이다. 중합 개시 보조제 (E)의 양이 상기한 범위에 있으면, 고감도로 패턴을 얻을 수 있고, 얻어지는 패턴은 형상이 양호하다.The amount of the polymerization initiator (E) to be used is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.3 to 15 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the resin (A), the resin (A1) and the polymerizable compound (B) Wealth. When the amount of the polymerization initiator (E) is in the above range, a pattern can be obtained with high sensitivity, and the obtained pattern has a good shape.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 용제 (D)를 포함하고 있을 수도 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a solvent (D).

본 발명에서 사용할 수 있는 용제로서는, 예를 들어 에스테르 용제(분자 내에 -COO-를 포함하고, -O-를 포함하지 않는 용제), 에테르 용제(분자 내에 -O-를 포함하고, -COO-를 포함하지 않는 용제), 에테르 에스테르 용제(분자 내에 -COO-와 -O-를 포함하는 용제), 케톤 용제(분자 내에 -CO-를 포함하고, -COO-를 포함하지 않는 용제), 알코올 용제, 방향족 탄화수소 용제, 아미드 용제, 디메틸 술폭시드 등 중에서 선택하여 사용할 수 있다.Examples of the solvent which can be used in the present invention include ester solvents (solvents containing -COO- in the molecule and not including -O-), ether solvents (including -O- in the molecule and -COO- (Solvent containing -COO- and -O- in the molecule), ketone solvent (solvent containing -CO- in the molecule and not including -COO-), alcohol solvent, An aromatic hydrocarbon solvent, an amide solvent, dimethylsulfoxide, and the like.

에스테르 용제로서는 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 2-히드록시이소부탄산메틸, 아세트산에틸, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 포름산펜틸, 아세트산이소펜틸, 프로피온산부틸, 부티르산이소프로필, 부티르산에틸, 부티르산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 시클로헥산올아세테이트, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다.Examples of the ester solvent include methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl 2-hydroxyisobutanoate, ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, pentyl formate, isopentyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, Butyl, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, cyclohexanolacetate and? -Butyrolactone.

에테르 용제로서는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 3-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-3-메틸부탄올, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 1,4-디옥산, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 아니솔, 페네톨, 메틸아니솔 등을 들 수 있다. Examples of the ether solvent include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol Propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, 3-methoxy-1-butanol, 3-methoxy-3-methylbutanol, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, 1 , 4-dioxane, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, anisole, phenetole, .

에테르 에스테르 용제로서는 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-메톡시-2-메틸프로피온산메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다.Examples of the ether ester solvent include methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, Methoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, Methyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, ethyl propionate, propyleneglycol monomethyl ether acetate, Ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate Bit, di, and the like ethylene glycol monobutyl ether acetate.

케톤 용제로서는 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 아세톤, 2-부타논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 4-메틸-2-펜타논, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 이소포론 등을 들 수 있다.Examples of the ketone solvent include 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, acetone, 2-butanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4- Cyclohexanone, isophorone, and the like.

알코올 용제로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, propanol, butanol, hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol, propylene glycol, glycerin and the like.

방향족 탄화수소 용제로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include benzene, toluene, xylene, and mesitylene.

아미드 용제로서는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone.

이들 용제는 단독으로도, 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.These solvents may be used alone or in combination of two or more.

상기의 용제 중, 도포성, 건조성의 관점에서, 1atm에서의 비점이 120℃ 이상 180℃ 이하인 유기 용제가 바람직하다. 그 중에서도, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-에톡시프로피온산에틸, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시-1-부탄올 등이 바람직하다. 용제 (D)가 이들 용제이면, 도포시의 불균일을 억제하고, 도막의 평탄성을 양호하게 할 수 있다.Among the above-mentioned solvents, an organic solvent having a boiling point of 120 占 폚 or more and 180 占 폚 or less at 1 atm is preferable from the viewpoint of coatability and drying property. Among them, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl 3-ethoxypropionate, diethylene glycol methyl ethyl ether, 3-methoxybutyl acetate, 3-methoxy-1-butanol and the like are preferable. When the solvent (D) is one of these solvents, it is possible to suppress non-uniformity during coating and improve the flatness of the coating film.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 용제 (D)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 총량에 대하여 바람직하게는 60 내지 95질량%이며, 보다 바람직하게는 70 내지 90질량%이다.The content of the solvent (D) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 60 to 95% by mass, more preferably 70 to 90% by mass, based on the total amount of the photosensitive resin composition.

바꾸어 말하면, 감광성 수지 조성물의 고형분은 바람직하게는 5 내지 40질량%이며, 보다 바람직하게는 10 내지 30질량%이다. 용제 (D)의 함유량이 상기한 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물을 도포한 막의 평탄성이 높은 경향이 있다. 여기서, 고형분이란, 감광성 수지 조성물로부터 용제 (D)를 제외한 양을 말한다.In other words, the solid content of the photosensitive resin composition is preferably 5 to 40% by mass, and more preferably 10 to 30% by mass. When the content of the solvent (D) is in the above range, the flatness of the film coated with the photosensitive resin composition tends to be high. Here, the solid content means the amount excluding the solvent (D) from the photosensitive resin composition.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 다관능 티올 화합물 (T)를 더 함유하고 있을 수도 있다. 다관능 티올 화합물 (T)란, 분자 내에 2개 이상의 술파닐기(-SH)를 갖는 화합물을 말한다. 특히, 지방족 탄화수소기에서 유래하는 탄소 원자와 결합하는 2개 이상의 술파닐기를 갖는 화합물을 사용하면, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 감도가 높아지는 경향이 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention may further contain a polyfunctional thiol compound (T). The polyfunctional thiol compound (T) refers to a compound having two or more sulfanyl groups (-SH) in the molecule. In particular, when a compound having two or more sulfanyl groups bonded to carbon atoms derived from an aliphatic hydrocarbon group is used, the sensitivity of the photosensitive resin composition of the present invention tends to be high.

다관능 티올 화합물 (T)로서는, 구체적으로는 헥산디티올, 데칸디티올, 1, 4-비스(메틸술파닐)벤젠, 부탄디올비스(3-술파닐프로피오네이트), 부탄디올비스(3-술파닐아세테이트), 에틸렌글리콜비스(3-술파닐아세테이트), 트리메틸올프로판트리스(3-술파닐아세테이트), 부탄디올비스(3-술파닐프로피오네이트), 트리메틸올프로판트리스(3-술파닐프로피오네이트), 트리메틸올프로판트리스(3-술파닐아세테이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-술파닐프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-술파닐아세테이트), 트리스히드록시에틸트리스(3-술파닐프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-술파닐부티레이트), 1,4-비스(3-술파닐부틸옥시)부탄 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional thiol compound (T) include hexane dithiol, decanediol, 1,4-bis (methylsulfanyl) benzene, butanediol bis (3-sulfanylpropionate), butanediol bis (3-sulfanyl acetate), trimethylolpropane tris (3-sulfanyl acetate), butanediol bis (3-sulfanyl propionate), trimethylolpropane tris (3-sulfanyl acetate), pentaerythritol tetrakis (3-sulfanyl propionate), pentaerythritol tetrakis (3-sulfanyl acetate), trishydroxyethyl tris (3 -Sulfanylpropionate), pentaerythritoltetrakis (3-sulfanylbutyrate), and 1,4-bis (3-sulfanylbutyloxy) butane.

다관능 티올 화합물 (T)의 함유량은, 중합 개시제 (C) 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 10질량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 7질량부이다. 다관능 티올 화합물 (T)의 함유량이 상기한 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 감도가 높아지고, 또한 현상성이 양호해지는 경향이 있어 바람직하다.The content of the polyfunctional thiol compound (T) is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 7 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymerization initiator (C). When the content of the polyfunctional thiol compound (T) is within the above range, the sensitivity of the photosensitive resin composition is high and the developing property tends to be good.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 계면 활성제 (G)(단, 수지 (F)와는 상이함)를 함유할 수도 있다. 계면 활성제로서는, 예를 들어 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제, 불소 원자를 갖는 실리콘계 계면 활성제 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a surfactant (G) (however, it is different from the resin (F)). As the surfactant, for example, a silicone surfactant, a fluorinated surfactant, and a silicon surfactant having a fluorine atom can be given.

실리콘계 계면 활성제로서는, 실록산 결합을 갖는 계면 활성제를 들 수 있다.As the silicone surfactant, a surfactant having a siloxane bond can be mentioned.

구체적으로는, 도레이 실리콘 DC3PA, 동 SH7PA, 동 DC11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 폴리에테르 변성 실리콘 오일 SH8400(상품명: 도레이·다우코닝(주)제), KP321, KP322, KP323, KP324, KP326, KP340, KP341(신에쯔 가가꾸 고교(주)제), TSF400, TSF401, TSF410, TSF4300, TSF4440, TSF4445, TSF-4446, TSF4452, TSF4460(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤 제조) 등을 들 수 있다.Concretely, TORAY silicone DC3PA, copper SH7PA, copper DC11PA, copper SH21PA, copper SH28PA, copper SH29PA, copper SH30PA, polyether-modified silicone oil SH8400 (trade name: manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.), KP321, KP322, KP323 , KP324, KP340, KP341 (manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., Ltd.), TSF400, TSF401, TSF410, TSF4300, TSF4440, TSF4445, TSF-4446, TSF4452, TSF4460 (Momentive Performance Materials Japan Manufactured by KODO CHEMICAL CO., LTD.).

불소계 계면 활성제로서는, 플루오로카본 쇄를 갖는 계면 활성제를 들 수 있다.As the fluorochemical surfactant, a surfactant having a fluorocarbon chain can be mentioned.

구체적으로는, 플루오리너트(등록 상표) FC430, 동 FC431(스미또모 쓰리엠(주)제), 메가팩스(등록 상표) F142D, 동 F171, 동 F172, 동 F173, 동 F177, 동 F183, 동 R30(DIC(주)제), 에프톱(등록 상표) EF301, 동 EF303, 동 EF351, 동 EF352(미쯔비시 머티리얼 덴시 가세이(주)제), 서플론(등록 상표) S381, 동 S382, 동 SC101, 동 SC105(아사히 가라스(주)제), E5844((주)다이킨 파인케미컬 연구소제) 등을 들 수 있다.Concretely, the following materials are used: Fluorinert (registered trademark) FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), Megafax (registered trademark) F142D, copper F171, copper F172, copper F173, copper F177, copper F183, copper R30 (Trade name) manufactured by Mitsubishi Material Denshi Kasei Co., Ltd.), SUPPLON (registered trademark) S381, S382, SC101, and SC101 (manufactured by DIC Corporation), EFTAX (registered trademark) EF301, EF303, EF351 and EF352 SC105 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and E5844 (manufactured by Daikin Fine Chemical Research Co., Ltd.).

불소 원자를 갖는 실리콘계 계면 활성제로서는 실록산 결합 및 플루오로카본 쇄를 갖는 계면 활성제를 들 수 있다. 구체적으로는, 메가팩스(등록 상표) R08, 동 BL20, 동 F475, 동 F477, 동 F443(DIC(주)제) 등을 들 수 있다. 바람직하게는 메가팩스(등록 상표) F475를 들 수 있다.Examples of the silicone surfactant having a fluorine atom include a surfactant having a siloxane bond and a fluorocarbon chain. Specifically, Megafax (registered trademark) R08, BL20, F475, F477, and F443 (manufactured by DIC Corporation) and the like can be mentioned. Preferable is Megafax (registered trademark) F475.

계면 활성제 (G)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 총량에 대하여 0.001질량% 이상 0.2질량% 이하이고, 바람직하게는 0.002질량% 이상 0.1질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.01질량% 이상 0.05질량% 이하이다. 계면 활성제를 이 범위로 함유함으로써, 도막의 평탄성을 양호하게 할 수 있다.The content of the surfactant (G) is 0.001 to 0.2% by mass, preferably 0.002 to 0.1% by mass, more preferably 0.01 to 0.05% by mass, based on the total amount of the photosensitive resin composition to be. When the surfactant is contained in this range, the flatness of the coating film can be improved.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라 충전제, 다른 고분자 화합물, 밀착력 향상제 (H), 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 연쇄 이동제 등의 다양한 첨가제를 포함할 수도 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain various additives such as a filler, another polymer compound, an adhesion promoting agent (H), an antioxidant, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, and a chain transfer agent.

상기 밀착력 향상제 (H)는, 첨가시 또는 상온 하에서의 보관에 있어서, 감광성 수지 조성물과 반응함으로써 고형물을 석출시키는 것이 아니면 특별히 제한은 되지 않지만, 예를 들어 실란 커플링제와 같은 것을 들 수 있고, 예를 들어 KBM-303, KBE-402, KBM-403, KBM-503, KBM-573, KBM-803, KBE-9007(신에쯔 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조), 또는 Z-6040, Z-6043, Z-6011, Z-6020, Z-6094, Z-6062, Z-6094, Z-6030, Z-6519, Z-6300, Z-6883(도레이·다우코닝 가부시끼가이샤 제조) 등을 들 수 있다.The adhesion promoting agent (H) is not particularly limited so long as it does not precipitate a solid material upon reaction with the photosensitive resin composition at the time of addition or at room temperature, and examples thereof include silane coupling agents, KBM-803, KBE-9007 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) or Z-6040, Z-6043, KBM- Z-6011, Z-6020, Z-6094, Z-6062, Z-6094, Z-6030, Z-6519, Z-6300 and Z-6883 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.) .

본 발명의 감광성 수지 조성물은 안료 및 염료 등의 착색제를 실질적으로 함유하지 않는다. 즉, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 조성물 전체에 대한 착색제의 함량은, 예를 들어 바람직하게는 1질량% 미만, 보다 바람직하게는 0.5질량% 미만이다.The photosensitive resin composition of the present invention contains substantially no coloring agent such as pigment and dye. That is, in the photosensitive resin composition of the present invention, the content of the colorant in the entire composition is preferably, for example, less than 1% by mass, more preferably less than 0.5% by mass.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 광로 길이가 1 cm인 석영 셀에 충전하고, 분광 광도계를 사용하여 측정 파장 400 내지 700 nm의 조건 하에서 투과율을 측정한 경우의 평균 투과율이 바람직하게는 70% 이상이며, 보다 바람직하게는 80% 이상이다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably packed in a quartz cell having an optical path length of 1 cm and has an average transmittance of preferably 70% or more when a transmittance is measured using a spectrophotometer at a measurement wavelength of 400 to 700 nm , And more preferably 80% or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 도막으로 했을 때에 도막의 평균 투과율이 바람직하게는 90% 이상이며, 또한 95% 이상으로 되는 것이 보다 바람직하다. 이 평균 투과율은 가열 경화(예를 들어, 100 내지 250℃, 5분 내지 3시간의 조건에서 경화) 후의 두께가 3 ㎛인 도막을, 분광 광도계를 사용하여 측정 파장 400 내지 700 nm의 조건 하에서 측정한 경우의 평균값이다. 이에 의해, 가시광 영역에서의 투명성이 우수한 도막을 제공할 수 있다.When the photosensitive resin composition of the present invention is used as a coating film, the average transmittance of the coating film is preferably 90% or more, more preferably 95% or more. The average transmittance is measured by using a spectrophotometer under the condition of a wavelength of 400 to 700 nm and a thickness of 3 占 퐉 after heat curing (for example, curing at 100 to 250 占 폚 for 5 minutes to 3 hours) It is the average value in one case. As a result, it is possible to provide a coating film excellent in transparency in a visible light region.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 예를 들어 유리, 금속, 플라스틱 등의 기판, 또는 컬러 필터, 각종 절연 또는 도전막, 구동 회로 등이 형성된 이들 기판상에 도포하고, 원하는 형상으로 패터닝하여, 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 이 패턴을 표시 장치 등의 구성 부품의 일부로서 형성하여 사용할 수도 있다.The photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate such as glass, metal, plastic or the like, or a substrate on which a color filter, various insulating or conductive films, a driving circuit, etc. are formed and patterned into a desired shape, . Further, this pattern may be formed and used as a part of a component such as a display device.

먼저, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판상에 도포하고, 이하에 설명하는 포토리소그래피법에 의해 패터닝을 행한다.First, the photosensitive resin composition of the present invention is coated on a substrate, and patterning is performed by the photolithography method described below.

감광성 수지 조성물의 도포는 스핀 코터, 슬릿 & 스핀 코터, 슬릿 코터, 잉크젯, 롤 코터, 딥 코터 등의 다양한 도포 장치를 사용하여 행할 수 있다.The application of the photosensitive resin composition can be carried out by using various applicators such as a spin coater, a slit & spin coater, a slit coater, an ink jet, a roll coater and a dip coater.

계속해서, 건조 또는 예비 베이킹하여, 용제 등의 휘발 성분을 제거하여 건조시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 평활한 미경화 도막을 얻을 수 있다.Subsequently, drying or pre-baking is preferably performed by removing volatile components such as a solvent and drying. Thereby, a smooth uncured coating film can be obtained.

이 경우의 도막의 막 두께는 특별히 한정되지 않고, 사용하는 재료, 용도 등에 의해 적절히 조정할 수 있고, 예를 들어 1 내지 6 ㎛ 정도이다.The thickness of the coating film in this case is not particularly limited and can be appropriately adjusted depending on the material to be used and the application, and is, for example, about 1 to 6 mu m.

또한, 얻어진 미경화 도막에, 원하는 패턴을 형성하기 위한 포토마스크를 통하여, 광, 예를 들어 수은등, 발광 다이오드로부터 발생하는 자외선 등을 조사한다. 이때의 포토마스크의 형상은 특별히 한정되지 않고, 형상이나 크기는 패턴의 용도에 따라서 선택하면 된다.The obtained uncured coating film is irradiated with light, for example, a mercury lamp or ultraviolet rays generated from the light emitting diode through a photomask for forming a desired pattern. The shape of the photomask at this time is not particularly limited, and the shape and size may be selected depending on the use of the pattern.

최근의 노광기에서는, 350 nm 미만의 광을, 이 파장 영역을 커트하는 필터를 사용하여 커트하거나, 436 nm 부근, 408 nm 부근, 365 nm 부근의 광을, 이들 파장 영역을 취출하는 대역 통과 필터(band pass filter)를 사용하여 선택적으로 취출하여, 노광면 전체에 균일하게 대략 평행 광선을 조사하거나 할 수 있다. 마스크 얼라이너, 스테퍼 등의 장치를 사용하면, 이때 마스크와 기재와의 정확한 위치 정렬을 행할 수 있다.In recent exposures, light having a wavelength of less than 350 nm is cut using a filter that cuts the wavelength region, or light having wavelengths around 436 nm, around 408 nm, and around 365 nm is cut by a band-pass filter band pass filter, so that the entire exposure surface can be uniformly irradiated with a substantially parallel light beam. When a device such as a mask aligner or a stepper is used, precise alignment between the mask and the substrate can be performed at this time.

노광 후의 도막을 현상액에 접촉시켜서 소정 부분, 예를 들어 비노광부(즉 비화소 부분)를 용해시켜 현상함으로써, 목적으로 하는 패턴 형상을 얻을 수 있다.A desired pattern shape can be obtained by bringing a coated film after exposure into contact with a developer to dissolve and develop a predetermined portion, for example, an unexposed portion (i.e., a non-pixel portion).

현상 방법은 퍼들법, 디핑법, 스프레이법 등 중 어느 것이든 좋다. 또한 현상시에 기재를 임의의 각도로 기울일 수도 있다.The developing method may be any of a puddle method, a dipping method, and a spraying method. It is also possible to tilt the substrate at an arbitrary angle at the time of development.

현상에 사용하는 현상액은 염기성 화합물의 수용액이 바람직하다.The developing solution used for development is preferably an aqueous solution of a basic compound.

염기성 화합물은 무기 및 유기 염기성 화합물 중 어느 것일 수도 있다.The basic compound may be any of inorganic and organic basic compounds.

무기 염기성 화합물의 구체예로서는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소2나트륨, 인산2수소나트륨, 인산수소2암모늄, 인산2수소암모늄, 인산2수소칼륨, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등을 들 수 있다.Specific examples of the inorganic basic compound include sodium hydroxide, potassium hydroxide, disodium hydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium silicate, potassium silicate, sodium carbonate, Sodium carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium borate, potassium borate, and ammonia.

유기 염기성 화합물로서는, 예를 들어 테트라메틸암모늄히드록시드, 2-히드록시에틸트리메틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등을 들 수 있다.The organic basic compound includes, for example, tetramethylammonium hydroxide, 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, Propylamine, diisopropylamine, ethanolamine, and the like.

이들 무기 및 유기 염기성 화합물의 수용액 중의 농도는 바람직하게는 0.01 내지 10질량%이며, 보다 바람직하게는 0.03 내지 5질량%이다.The concentration of these inorganic and organic basic compounds in the aqueous solution is preferably 0.01 to 10% by mass, and more preferably 0.03 to 5% by mass.

상기한 현상액은 계면 활성제를 포함하고 있을 수도 있다.The developing solution may contain a surfactant.

계면 활성제는 비이온계 계면 활성제, 음이온계 계면 활성제 또는 양이온계 계면 활성제 중 어느 것일 수도 있다.The surfactant may be any of a nonionic surfactant, an anionic surfactant, and a cationic surfactant.

비이온계 계면 활성제로서는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌아릴에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르, 그 밖의 폴리옥시에틸렌 유도체, 옥시에틸렌/옥시프로필렌 블록 공중합체, 소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비톨지방산에스테르, 글리세린지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민 등을 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene aryl ethers, polyoxyethylene alkyl aryl ethers, other polyoxyethylene derivatives, oxyethylene / oxypropylene block copolymers, sorbitan fatty acid esters, Polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitol fatty acid esters, glycerin fatty acid esters, polyoxyethylene fatty acid esters, and polyoxyethylene alkylamines.

음이온계 계면 활성제로서는, 예를 들어 라우릴알코올 황산에스테르나트륨이나 올레일알코올 황산에스테르나트륨과 같은 고급 알코올 황산에스테르염류, 라우릴 황산나트륨이나 라우릴 황산암모늄과 같은 알킬 황산염류, 도데실벤젠 술폰산나트륨이나 도데실나프탈렌 술폰산나트륨과 같은 알킬아릴 술폰산염류 등을 들 수 있다.Examples of the anionic surfactant include higher alcohol sulfuric acid ester salts such as sodium lauryl alcohol sulfate ester and sodium oleyl alcohol sulfate ester, alkylsulfates such as sodium laurylsulfate and ammonium laurylsulfate, sodium dodecylbenzenesulfonate And alkylarylsulfonic acid salts such as sodium dodecylnaphthalenesulfonate.

양이온계 계면 활성제로서는, 예를 들어 스테아릴아민염산염이나 라우릴트리메틸암모늄클로라이드와 같은 아민염 또는 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.Examples of the cationic surfactant include amine salts such as stearylamine hydrochloride and lauryltrimethylammonium chloride, quaternary ammonium salts and the like.

알칼리 현상액 중 계면 활성제의 농도는 바람직하게는 0.01 내지 10질량%의 범위, 보다 바람직하게는 0.05 내지 8질량%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량%이다.The concentration of the surfactant in the alkali developer is preferably in the range of 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.05 to 8% by mass, and more preferably 0.1 to 5% by mass.

현상 후, 수세를 행함으로써, 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 필요에 따라 포스트 베이크를 행할 수도 있다. 포스트 베이크는, 예를 들어 150 내지 240℃의 온도 범위, 10 내지 180분간이 바람직하다.After development, washing with water is carried out to obtain a pattern. In addition, post-baking may be performed if necessary. The post-baking is preferably performed at a temperature in the range of, for example, 150 to 240 캜 for 10 to 180 minutes.

미경화 도막을 노광할 때에, 패턴이 형성된 포토마스크를 사용하지 않고, 전체면에 광조사를 행함으로써 및/또는 현상을 생략함으로써, 패턴을 갖지 않는 도막을 얻을 수 있다.A coating film having no pattern can be obtained by irradiating the entire surface with light and / or omitting the development, without using a photomask on which a pattern is formed, when the uncured coating film is exposed.

본 실시 형태에서는, 전극이 형성된 기판 상에, 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 상기와 같이 형성하고, 이어서 상기 전극의 표면이 노출되도록, 상기 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성한다.In the present embodiment, a thin film containing the photosensitive resin composition is formed on the substrate on which the electrode is formed as described above, and then the opening is formed in the thin film by the photolithography method so that the surface of the electrode is exposed.

이어서, 상기 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값에 기초하여, 전극의 습윤성을 평가하고, 이에 의해 기판의 평가를 행할 수 있다.Then, based on the value of the polar component of the surface free energy of the electrode, the wettability of the electrode is evaluated, and thereby the evaluation of the substrate can be performed.

전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이, 예를 들어 15mN/m 이상이면, 격벽 부착 기판으로서 표시 장치 등에 적용 가능한 기판이라 판정하고, 반대로 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이 15mN/m 이하이면, 격벽 부착 기판으로서 표시 장치 등에 적용할 수 없는 기판이라 판정할 수 있다.When the value of the polarity component of the surface free energy of the electrode is, for example, 15 mN / m or more, it is determined that the substrate is a substrate applicable to a display device or the like as a partition wall- Or less, it can be determined that the substrate can not be applied to a display device or the like as a barrier-wall-attached substrate.

또한, 이 평가 결과에 기초하여, 격벽을 형성하기 위한 감광성 수지 조성물의 평가도 할 수 있다.Further, based on the evaluation result, the photosensitive resin composition for forming the barrier rib can also be evaluated.

즉, 전극이 형성된 기판 상에, 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 상기와 같이 형성하고, 이어서 상기 전극의 표면이 노출되도록, 상기 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성하고, 이어서 상기 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값에 기초하여, 전극의 습윤성을 평가하고, 이에 의해 감광성 수지 조성물의 평가를 행할 수 있다.That is, a thin film containing the photosensitive resin composition is formed on the substrate on which the electrode is formed as described above, and then an opening is formed in the thin film by the photolithography method so that the surface of the electrode is exposed, The wettability of the electrode can be evaluated based on the value of the polarity component of the surface free energy of the photosensitive resin composition, whereby the photosensitive resin composition can be evaluated.

전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이, 예를 들어 15mN/m 이상이면, 격벽을 형성하기 위한 감광성 수지 조성물로서 적용 가능한 감광성 수지 조성물이라 판정하고, 반대로 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이 15mN/m 이하이면, 격벽을 형성하기 위한 감광성 수지 조성물로서 적용할 수 없는 감광성 수지 조성물이라 판정할 수 있다.If the value of the polarity component of the surface free energy of the electrode is, for example, 15 mN / m or more, it is determined that the photosensitive resin composition is applicable as the photosensitive resin composition for forming the barrier rib. On the other hand, Is 15 mN / m or less, it can be judged to be a photosensitive resin composition which can not be applied as a photosensitive resin composition for forming barrier ribs.

전극의 표면 에너지의 극성 성분의 값은, 예를 들어 전극 표면상에서의 소정 용액의 접촉각을 측정하고, 그 값에 기초하여 소정의 계산식을 사용하여 산출할 수 있다.The value of the polarity component of the surface energy of the electrode can be calculated, for example, by measuring a contact angle of a predetermined solution on the electrode surface and using a predetermined calculation formula based on the measured value.

본 실시 형태에서는, 예를 들어 오웬스 앤드 웬트(OwensandWendt)법을 사용하여 전극의 표면 에너지의 극성 성분 값을 산출할 수 있다. 오웬스 앤드 웬트법에서는 다음의 식을 적용한다.In this embodiment, for example, the polarity component value of the surface energy of the electrode can be calculated using the Owensand-Wendt method. In the Owens and Went law, the following formula applies.

γl(1+cosθ)=2(γsd·γld)1/2+2(γsp·γlp)1/2 γl (1 + cosθ) = 2 (γsd · γld) 1/2 +2 (γsp · γlp) 1/2

(식 중, γl은 액체의 표면 자유 에너지, γld는 액체의 표면 자유 에너지의 분산력 성분, γlp는 액체의 표면 자유 에너지의 극성 성분, γsd는 고체의 표면 에너지의 분산력 성분, γsp는 고체의 표면 자유 에너지의 극성 성분, θ는 접촉각을 각각 나타냄)Γd is the surface free energy of the liquid, γld is the dispersive force component of the surface free energy of the liquid, γlp is the polar component of the surface free energy of the liquid, γsd is the dispersive force component of the surface energy of the solid, The polar component of energy, and? Represents the contact angle, respectively)

여기서, 미지수는 2개(γsd, γsp)이므로 분산 성분, 극성 성분이 이미 알려진 2종류의 액체를 사용하면, 이들 γsd, γsp를 산출할 수 있다.Here, since the unknowns are two (? Sd,? Sp), if two types of liquids in which the dispersed component and the polarity component are known are used, these? Sd and? Sp can be calculated.

상기 식으로부터 하기 식이 유도되고, 하기 식의 1차 회귀식으로부터 기울기가 (γsp)1/2, 절편이 (γsd)1/2이 된다.From the above equation, the following equation is derived and the slope is (? Sp) 1/2 and the slice is (? Sd) 1/2 from the first-order regression equation of the following formula.

γl(1+cosθ)/2(γld)1/2VS(γlp/γld)1/2 ? 1 (1 + cos?) / 2 (? ld) 1/2 VS (? lp /? ld) 1/2

또한, 분산 성분, 극성 성분이 이미 알려진 2종류의 액체를 사용하면, 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분을 산출하는 것은 가능한데, 예를 들어 극성 성분이 이미 알려진 3종류 이상의 용매(예를 들어, 4종류)의 용매를 사용하고, 기판 면 내의 복수의 점(예를 들어, 3점)의 접촉각을 각각 측정하고, 평균을 냄으로써 평가를 실시할 수도 있다.If two types of liquids in which the dispersed component and the polar component are known are used, it is possible to calculate the polar component of the surface free energy of the electrode. For example, when the polar component is present in three or more kinds of solvents (for example, (For example, three points) in the substrate surface may be measured, and the average may be used to evaluate the contact angle.

본 발명의 표시 장치의 일례로서, 유기 EL(일렉트로 루미네센스) 표시 장치에 대하여 이하에 설명한다.As an example of the display device of the present invention, an organic EL (electroluminescence) display device will be described below.

도 1은 본 발명의 표시 장치의 일례인 표시 장치(1)의 일부를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 표시 장치의 일례인 표시 장치(1)의 일부를 확대하여 모식적으로 도시하는 평면도이다. 표시 장치(1)는 주로, 지지 기판(2)과 이 지지 기판(2) 상에 있어서 미리 설정되는 구획을 구획 형성하는 격벽(3)과 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획에 설치되는 복수의 유기 EL 소자(4)를 포함하여 구성된다.1 is a cross-sectional view schematically showing an enlarged portion of a part of a display device 1 which is an example of a display device of the present invention. 2 is a plan view schematically showing an enlarged part of a part of the display device 1 which is an example of the display device of the present invention. The display apparatus 1 mainly includes a support substrate 2 and partition walls 3 partitioning the partition defined in advance on the support substrate 2 and a plurality of partition walls 3 partitioned by the partition walls 3, Of the organic EL device 4 of the present invention.

지지 기판(2)에는, 예를 들어 유리 기판, 수지를 포함하는 기판, 금속을 포함하는 기판, 반도체를 포함하는 기판 등이 사용된다.As the support substrate 2, for example, a glass substrate, a substrate including a resin, a substrate including a metal, a substrate including a semiconductor, and the like are used.

격벽(3)은 지지 기판(2) 상에 있어서, 예를 들어 격자 형상 또는 스트라이프 형상으로 형성된다. 또한, 도 2에서는 실시의 한 형태로서 격자 형상의 격벽(3)이 설치된 표시 장치(1)를 도시하고 있다. 동(同) 도면 중, 격벽(3)이 설치된 영역에는 해칭을 실시하고 있다.The barrier ribs 3 are formed on the support substrate 2, for example, in a lattice shape or a stripe shape. 2 shows a display device 1 in which lattice-shaped partition walls 3 are provided as an embodiment. In the same figure, hatched areas are provided in areas where the partitions 3 are provided.

지지 기판(2) 상에는, 격벽(3)과 지지 기판(2)에 의해 규정되는 복수의 오목부(5)(이하, 개구부(5)라고 하는 경우가 있음)가 설정된다. 이 개구부(5)가 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획에 상당한다.A plurality of concave portions 5 (hereinafter also referred to as an opening portion 5) defined by the partition 3 and the supporting substrate 2 are set on the supporting substrate 2. And this opening 5 corresponds to a section where the partition 3 is partitioned.

표시 장치(1)에서의 격벽(3)은 격자 형상으로 설치된다. 그 때문에, 지지 기판(2)의 두께 방향(Z)의 한쪽에서 보아(이하, 「평면에서 보아」라고 하는 경우가 있음), 복수의 개구부(5)가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 즉, 개구부(5)는 행 방향(X)으로 소정의 간격을 두면서, 열 방향(Y)으로도 소정의 간격을 두어 정렬하여 설치되어 있다. 각 개구부(5)의 평면에서 본 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 개구부(5)는 평면에서 보아 대략 직사각형상, 대략 타원 형상 및 엽전 형상 등의 형상으로 형성된다. 본 실시 형태에서는 평면에서 보아 대략 직사각형상의 개구부(5)가 설치되어 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 상기 행 방향(X) 및 열 방향(Y)은 지지 기판의 두께 방향(Z)에서 수직인 방향이며, 또한 서로 수직인 방향을 의미한다.The partition 3 in the display device 1 is provided in a lattice shape. Therefore, a plurality of openings 5 are arranged in a matrix shape on one side of the support substrate 2 in the thickness direction Z (hereinafter sometimes referred to as " viewed in a plan view "). That is, the openings 5 are arranged at a predetermined interval in the row direction (X) and at a predetermined interval in the column direction (Y). The shape seen from the plane of each opening 5 is not particularly limited. For example, the openings 5 are formed in a shape such as a substantially rectangular shape, a substantially elliptical shape, and a saw-toothed shape when viewed from the top. In this embodiment, an opening 5 having a substantially rectangular shape in plan view is provided. In this specification, the row direction (X) and the column direction (Y) are directions perpendicular to the thickness direction (Z) of the support substrate and also perpendicular to each other.

또한, 다른 실시 형태로서 스트라이프 형상의 격벽이 형성될 경우, 격벽은, 예를 들어 행 방향(X)으로 연장되는 복수개의 격벽 부재가 열 방향(Y)으로 소정의 간격을 두고 배치되어 구성된다. 이 형태에서는 스트라이프 형상의 격벽과 지지 기판에 의해, 스트라이프 형상의 오목부가 규정된다.In another embodiment, when stripe-shaped barrier ribs are formed, the barrier ribs are formed by, for example, arranging a plurality of barrier rib members extending in the row direction X at a predetermined interval in the column direction (Y). In this embodiment, stripe-shaped depressions are defined by the stripe-shaped partition walls and the support substrate.

격벽은 지지 기판으로부터 이격함에 따라 폭이 좁아지도록 형성되어 있다. 예를 들어, 열 방향(Y)으로 연장되는 격벽을, 그의 연장 방향(열 방향(Y))으로 수직한 평면으로 절단했을 때의 단면 형상은 지지 기판으로부터 이격함에 따라 폭이 좁아지도록 형성되어 있다. 도 1에서는 등각 사다리꼴 형상의 격벽이 나타나 있어, 위 바닥과 지지 기판측 아래 바닥을 비교하면, 아래 바닥 쪽이 위 바닥보다도 폭이 넓다. 또한, 실제로 형성되는 격벽의 단면은 반드시 사다리꼴 형상이 되는 것은 아니고, 사다리꼴 형상의 직선 부분 및 모서리가 둥그스름해지는 경우도 있다.The barrier ribs are formed so as to have a narrow width as they are separated from the support substrate. For example, the cross-sectional shape when the partition wall extending in the column direction Y is cut into a plane perpendicular to the extending direction (column direction Y) is formed to be narrower as it is spaced from the support substrate . In Fig. 1, a partition wall having an isosceles trapezoidal shape is shown. When the upper floor and the floor below the supporting substrate side are compared, the lower floor side is wider than the upper floor. In addition, the cross-section of the partition wall actually formed does not always have a trapezoidal shape, but a straight portion and a corner of a trapezoidal shape may be rounded.

격벽은 상술한 바와 같이, 포토리소그래피법에 의해 형성할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 후술하는 유기 EL 소자의 제1 전극이 형성된 기판에, 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 형성하고, 이어서 상기 전극의 표면이 노출되도록, 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성함으로써 격벽이 형성된다.The barrier ribs can be formed by photolithography as described above. In the present embodiment, a thin film containing the photosensitive resin composition is formed on a substrate on which a first electrode of an organic EL element described later is formed, and then an opening is formed in the thin film by photolithography so that the surface of the electrode is exposed Thereby forming a barrier rib.

격벽(3)은 그의 정상면(頂面)이 발액성을 나타내는 것이 바람직하다. 또한, 정상면이란, 격벽(3)의 표면 가운데서, 지지 기판(2)으로부터 가장 이격한 위치에 존재하는 평면을 의미한다. 정상면이 발액성을 나타내는 격벽(3)을 형성하는 방법으로서는, 상술한 발액제 (F)를 포함하는 감광성 수지 조성물을 사용하는 방법, 또는 격벽 형성 후에 그의 표면을 발액 처리하는 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 불화물을 함유하는 분위기 중에서 격벽(3)에 플라즈마 처리를 행함으로써, 격벽(3)의 표면에 발액성을 부여할 수 있다. 본 처리에서의 불화물은 기체 상태이며, 불화물로서는 CF4, CHF3, CH2F2, C3F8, C4F6, C4F8 등을 사용할 수 있다. 이러한 플라즈마 처리를 행함으로써, 불소 원자가 격벽(3)의 표면에 결합하고, 격벽(3)에 발액성이 부여된다.It is preferable that the partition wall 3 exhibits lyophobicity on its top face (top face). The term "top surface" means a plane existing at a position that is the farthest from the surface of the partition 3 from the support substrate 2. Examples of the method for forming the partition wall 3 exhibiting lyophobicity on the top surface include a method using the photosensitive resin composition containing the above-described liquid repellent agent (F), or a method of lyophilizing the surface of the partition wall after formation of the partition wall. For example, by performing plasma treatment on the partition 3 in an atmosphere containing fluoride, the surface of the partition 3 can be provided with lyophobicity. The fluoride in this treatment is in a gaseous state, and as the fluoride, CF 4 , CHF 3 , CH 2 F 2 , C 3 F 8 , C 4 F 6 , C 4 F 8 and the like can be used. By performing such a plasma treatment, fluorine atoms bond to the surface of the partition wall 3, and lyophobicity is imparted to the partition wall 3.

격벽(3)의 정상면이 발액성을 나타냄으로써, 격벽(3)에 둘러싸인 영역(개구부(5))에 공급된 잉크가 격벽(3)의 정상면을 따라 인접한 영역으로 넘쳐 나오는 것을 방지할 수 있다.It is possible to prevent the ink supplied to the region surrounded by the partition 3 (the opening 5) from overflowing to the adjacent region along the top surface of the partition 3 because the top surface of the partition 3 shows lyophobicity.

유기 EL 소자(4)는 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획(즉, 개구부(5))에 설치된다.The organic EL element 4 is provided in a partition (that is, the opening 5) partitioned by the partition 3.

표시 장치(1)에서의 격자 형상의 격벽(3)이 설치되는 경우, 각 유기 EL 소자(4)는 각각 각 개구부(5)에 설치된다. 즉, 유기 EL 소자(4)는 각 개구부(5)와 마찬가지로 매트릭스 형상으로 배치되어, 지지 기판(2) 상에 있어서, 행 방향(X)으로 소정의 간격을 두면서, 열 방향(Y)으로도 소정의 간격을 두어 정렬하여 설치되어 있다.When the lattice-shaped partition walls 3 in the display device 1 are provided, the organic EL elements 4 are provided in the openings 5, respectively. That is, the organic EL elements 4 are arranged in a matrix in the same manner as the respective openings 5, and are arranged on the support substrate 2 in the column direction Y with a predetermined gap in the row direction X And are arranged with a predetermined interval therebetween.

격벽(3)의 형상 및 그의 배치는 화소수 및 해상도 등의 표시 장치의 사양이나 제조의 용이함 등에 따라 적절히 설정된다. 예를 들어, 격벽(3)의 행 방향(X) 또는 열 방향(Y)의 폭은 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 정도이고, 격벽(3)의 높이는 0.5 ㎛ 내지 5 ㎛ 정도이며, 행 방향(X) 또는 열 방향(Y)에 인접하는 격벽(3) 사이의 간격, 즉 개구부(5)의 행 방향(X) 또는 열 방향(Y)의 폭은 10 ㎛ 내지 200 ㎛ 정도이다. 또한, 제1 전극(6)의 행 방향(X) 또는 열 방향(Y)의 폭은 각각 10 ㎛ 내지 200 ㎛ 정도이다.The shape and arrangement of the barrier ribs 3 are appropriately set according to the specifications of the display device such as the number of pixels and the resolution, ease of manufacture, and the like. For example, the width of the partition wall 3 in the row direction X or the column direction Y is about 5 to 50 mu m, the height of the partition wall 3 is about 0.5 to 5 mu m, Or the width of the row direction X or the column direction Y of the opening portion 5, that is, the interval between the partition walls 3 adjacent to the column direction Y is about 10 μm to 200 μm. The widths of the first electrodes 6 in the row direction X or the column direction Y are about 10 to 200 mu m, respectively.

격벽(3)은 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터, 상술한 패턴의 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.The partition wall 3 can be formed from the photosensitive resin composition of the present invention by the above-described pattern formation method.

또한, 다른 실시 형태로서 스트라이프 형상의 격벽이 설치되는 경우, 유기 EL 소자(4)는 행 방향(X)으로 연재하는 각 개구부에 있어서, 행 방향(X)으로 각각 소정의 간격을 두고 배치된다.In another embodiment, when the stripe-shaped barrier ribs are provided, the organic EL elements 4 are arranged at predetermined intervals in the row direction X in the respective openings extended in the row direction X.

표시 장치(1)에는 3종류의 유기 EL 소자(4)가 설치된다. 즉, (1) 적색 광을 출사하는 적색 유기 EL 소자(4R), (2) 녹색 광을 출사하는 녹색 유기 EL 소자(4G), 및 (3) 청색 광을 출사하는 청색 유기 EL 소자(4B)가 설치된다.Three kinds of organic EL elements 4 are provided in the display device 1. [ (2) a green organic EL element 4G that emits green light; and (3) a blue organic EL element 4B that emits blue light. The red organic EL element 4R emits red light, Respectively.

유기 EL 소자(4)는 제1 전극, 유기 EL층, 제2 전극이 지지 기판측으로부터 이 순서로 적층되어 구성된다. 본 명세서에서는 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에 설치되는 1층 또는 복수 층을 각각 유기 EL층이라고 한다. 유기 EL 소자(4)는 유기 EL층으로서 적어도 1층의 발광층을 구비한다. 또한, 유기 EL 소자는 1층의 발광층에 더하여, 필요에 따라 발광층과는 다른 유기 EL층을 더 구비할 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에는 유기 EL층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등이 설치된다. 또한, 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에는 2층 이상의 발광층이 설치될 수도 있다.The organic EL element 4 is constituted by stacking a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode in this order from the support substrate side. In the present specification, one or more layers provided between the first electrode 6 and the second electrode 10 are referred to as organic EL layers, respectively. The organic EL element 4 has at least one luminescent layer as an organic EL layer. Further, the organic EL element may further include an organic EL layer different from the light emitting layer in addition to the one light emitting layer. For example, a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer are provided as an organic EL layer between the first electrode 6 and the second electrode 10. In addition, two or more light emitting layers may be provided between the first electrode 6 and the second electrode 10.

유기 EL 소자(4)는 양극 및 음극을 포함하는 한 쌍의 전극으로서, 제1 전극(6)과 제2 전극(10)을 구비한다. 제1 전극(6) 및 제2 전극(10) 중 한쪽의 전극은 양극으로서 설치되고, 다른 쪽의 전극은 음극으로서 설치된다. 본 실시 형태의 표시 장치(1)에서는, 양극으로서 기능하는 제1 전극(6), 정공 주입층으로서 기능하는 제1 유기 EL층(7), 발광층으로서 기능하는 제2 유기 EL층(9), 음극으로서 기능하는 제2 전극(10)이 이 순서로 지지 기판(2) 상에 적층되어 구성되어 있다.The organic EL element 4 is a pair of electrodes including a positive electrode and a negative electrode and includes a first electrode 6 and a second electrode 10. One of the first electrode 6 and the second electrode 10 is provided as an anode and the other electrode is provided as a cathode. The display device 1 of the present embodiment includes a first electrode 6 functioning as an anode, a first organic EL layer 7 serving as a hole injection layer, a second organic EL layer 9 serving as a light emitting layer, And a second electrode 10 functioning as a cathode are laminated on the support substrate 2 in this order.

상기의 제1 전극(6)에는, 일반적으로 투명 전극이 사용된다. 투명 전극이라면 종류는 한정되지 않지만, 예를 들어 주석 도프 산화 인듐(ITO), 아연 도프 산화 인듐(IZO), 불소 도프 산화 주석(FTO), 안티몬 도프 산화 주석(ATO), 산화 티타늄 투명 전극, 알루미늄 도프 산화 아연(AZO), 갈륨 도프 산화 아연(GZO)을 들 수 있고, 주석 도프 산화 인듐(ITO), 아연 도프 산화 인듐(IZO)이 바람직하다.For the first electrode 6, a transparent electrode is generally used. The transparent electrode is not particularly limited, and examples of the transparent electrode include indium tin oxide (ITO), zinc dope indium oxide (IZO), fluorine doped tin oxide (FTO), antimony doped tin oxide (ATO) Doped zinc oxide (AZO), and gallium doped zinc oxide (GZO), and tin-doped indium oxide (ITO) and zinc-doped indium oxide (IZO) are preferable.

제1 전극(6)은 유기 EL 소자(4) 마다 설치된다. 즉 유기 EL 소자(4)와 동일한 수의 제1 전극(6)이 지지 기판(2) 상에 설치된다. 제1 전극(6)은 유기 EL 소자(4)의 배치에 대응하여 설치되고, 유기 EL 소자(4)와 마찬가지로 매트릭스 형상으로 배치된다. 또한 격벽(3)은 주로 제1 전극(6)을 제외한 영역에 격자 형상으로 형성되지만, 또한 제1 전극(6)의 주연부를 덮도록 형성되어 있다(도 1 참조).The first electrode 6 is provided for each organic EL element 4. That is, the same number of the first electrodes 6 as the organic EL element 4 is provided on the supporting substrate 2. [ The first electrodes 6 are provided corresponding to the arrangement of the organic EL elements 4 and arranged in a matrix like the organic EL elements 4. [ The barrier ribs 3 are formed in a lattice shape in a region except for the first electrode 6, but are also formed so as to cover the periphery of the first electrode 6 (see Fig. 1).

제1 전극(6)에 접하여 설치되는 층(정공 주입층에 상당하는 제1 유기 EL층(7))은 개구부(5)에 있어서 제1 전극(6) 상에 각각 설치된다. 이 제1 유기 EL층(7)은, 필요에 따라 유기 EL 소자의 종류마다 그의 재료 또는 막 두께를 달리하여 설치된다. 또한, 제1 유기 EL층(7)의 형성 공정의 간이성의 관점에서, 동일한 재료, 동일한 막 두께로 모든 제1 유기 EL층(7)을 형성할 수도 있다.The layers (the first organic EL layers 7 corresponding to the hole injection layers) provided in contact with the first electrodes 6 are provided on the first electrodes 6 in the openings 5, respectively. The first organic EL layer 7 is provided with a different material or film thickness for each type of organic EL element, if necessary. Further, from the viewpoint of the simplicity of the step of forming the first organic EL layer 7, all the first organic EL layers 7 can be formed with the same material and the same film thickness.

제1 유기 EL층(7)은, 제1 유기 EL층(7)이 되는 재료를 포함하는 잉크를 격벽(3)에 둘러싸인 영역(개구부(5))에 공급하고, 이를 건조, 가열 및/또는 광 조사를 행하여 잉크를 고화시킴으로써 형성된다. 잉크를 공급하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 잉크젯법이나 에어로졸 제트법 등의 인쇄법을 들 수 있다.The first organic EL layer 7 is formed by supplying an ink containing a material to be the first organic EL layer 7 to an area (opening 5) surrounded by the partition 3 and drying it, heating it and / And light irradiation is performed to solidify the ink. The method of supplying the ink is not particularly limited, but printing methods such as an ink jet method and an aerosol jet method can be mentioned.

제1 전극(6)에 접하여 설치되는 층(제1 유기 EL층(7))의 형성에 사용되는 잉크의 용매 또는 분산매는, 제1 유기 EL층(7)이 되는 재료가 용해 및/또는 분산하는 액체라면 특별히 한정되는 것은 아니나, 제1 유기 EL층(7)이 되는 재료를 양호하게 용해 및/또는 분산시키기 위해서, 극성 용매를 포함하는 경우가 있다.The solvent or the dispersion medium of the ink used for forming the layer (the first organic EL layer 7) provided in contact with the first electrode 6 may be formed by dissolving and / or dispersing the material serving as the first organic EL layer 7 There is no particular limitation, but in order to dissolve and / or disperse the material of the first organic EL layer 7 well, a polar solvent may be included.

상기 극성 용매로서는 일반적인 것이 사용되고, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 알코올류, 케톤류, 글리콜에스테르류, 글리콜에테르류, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 및 디메틸술폭시드, N-시클로헥실-2-피롤리디논 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 극성 용매란, 용매의 sp(용해성 파라미터; Solubility Parameter)값이 10 이상인 것을 의미한다.The polar solvent is not particularly limited and may be, for example, an alcohol, a ketone, a glycol ester, a glycol ether, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, Pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, dimethylsulfoxide and N-cyclohexyl-2-pyrrolidinone. Further, in the present specification, the polar solvent means that the value of sp (solubility parameter) of the solvent is 10 or more.

이와 같이, 제1 전극(6)에 접하여 설치되는 층(제1 유기 EL층(7))의 형성에 사용되는 잉크가 특히 극성 용매를 포함하는 경우, 해당 잉크를 격벽의 개구에 공급했을 때에, 제1 전극(6) 상에서 튀고, 개구 내의 전체면에서 균일하게 퍼지기 어려운 경우가 생기기 쉽지만, 상술한 바와 같이, 개구 형성 후의 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이 15mN/m 이상이면, 제1 전극(6) 상에 공급된 잉크가 격벽의 개구 내의 전체면에서 균일하게 퍼지기 때문에, 평탄한, 제1 전극(6)에 접하여 설치되는 층(제1 유기 EL층(7))을 형성할 수 있다.As described above, when the ink used for forming the layer (the first organic EL layer 7) provided in contact with the first electrode 6 contains a polar solvent in particular, when the ink is supplied to the opening of the partition wall, When the value of the polarity component of the surface free energy of the electrode after formation of the opening is 15 mN / m or more, as described above, it is difficult to spread the first electrode 6 on the first electrode 6, (First organic EL layer 7) provided in contact with the first electrode 6 can be formed because the ink supplied on the electrode 6 spreads uniformly over the entire surface in the opening of the partition wall .

제1 전극(6)에 접하여 설치되는 층(제1 유기 EL층(7))의 형성에 사용되는 잉크에 포함되는 극성 용매 이외의 용매 또는 분산매에는 시클로헥실벤젠, 아니솔, 크실렌, 톨루엔 등이 사용된다.Examples of the solvent or dispersion medium other than the polar solvent included in the ink used for forming the layer (the first organic EL layer 7) provided in contact with the first electrode 6 include cyclohexylbenzene, anisole, xylene, Is used.

발광층으로서 기능하는 제2 유기 EL층(9)은, 개구부(5)에 있어서 제1 유기 EL층(7) 상에 설치된다. 상술한 바와 같이, 발광층은 유기 EL 소자의 종류에 따라 설치된다. 그 때문에, 적색 발광층(9R)은 적색 유기 EL 소자(4R)가 설치되는 개구부(5)에 설치되고, 녹색 발광층(9G)은 녹색 유기 EL 소자(4G)가 설치되는 개구부(5)에 설치되고, 청색 발광층(9B)은 청색 유기 EL 소자(4B)가 설치되는 개구부(5)에 설치된다.A second organic EL layer 9 serving as a light emitting layer is provided on the first organic EL layer 7 in the opening portion 5. As described above, the light emitting layer is provided according to the type of the organic EL element. The red light emitting layer 9R is provided in the opening 5 where the red organic EL device 4R is installed and the green light emitting layer 9G is provided in the opening 5 where the green organic EL device 4G is installed And the blue light emitting layer 9B is provided in the opening 5 where the blue organic EL device 4B is installed.

제2 전극(10)은 유기 EL 소자(4)가 설치되는 표시 영역에 있어서 전체면에 형성된다. 즉, 제2 전극(10)은, 제2 유기 EL층(9) 상 뿐만 아니라 격벽(3) 상에도 형성되어, 복수의 유기 EL 소자에 걸쳐서 연속하여 형성되어 있다.The second electrode 10 is formed on the entire surface in the display area where the organic EL element 4 is provided. That is, the second electrode 10 is formed not only on the second organic EL layer 9 but also on the partition 3, and is formed continuously over a plurality of organic EL elements.

상술한 바와 같이, 지지 기판(2) 상에 형성된 복수의 유기 EL 소자(4)를 밀봉층 및 밀봉 기판으로 덮음으로써(도시하지 않음), 유기 EL 표시 장치를 제조할 수 있다.As described above, the organic EL display device can be manufactured by covering a plurality of organic EL elements 4 formed on the support substrate 2 with a sealing layer and a sealing substrate (not shown).

본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 패턴은 높은 습윤성을 갖는 것이기 때문에, 특히 잉크젯법으로 컬러 필터, 액정 표시 소자의 ITO 전극, 유기 EL 표시 소자 및 회로 배선 기판 등을 제작하기 위하여 사용되는 격벽으로서 유용하다. 또한, 예를 들어 컬러 필터 기판 및/또는 어레이 기판의 일부를 구성하는 포토 스페이서, 패터닝 가능한 오버코트(overcoat), 층간 절연막, 액정 배향 제어용 돌기, 마이크로렌즈, 막 두께 조정을 위한 코팅층 등, 터치 패널용 부재로서 유용하고, 상기와 같이 하여 얻어지는 패턴을 갖지 않는 도막은, 컬러 필터 기판 및/또는 어레이 기판의 일부를 구성하는 오버코트로서 유용하다. 상기한 컬러 필터 기판 및 어레이 기판은 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치 및 전자 페이퍼 등에 적절하게 사용된다.Since the pattern obtained from the photosensitive resin composition of the present invention has high wettability, it is particularly useful as a partition wall used for manufacturing a color filter, an ITO electrode of a liquid crystal display element, an organic EL display element, a circuit wiring board, etc. by an inkjet method . Further, it is also possible to use, for example, a color filter substrate and / or a photo-spacer constituting a part of an array substrate, a patternable overcoat, an interlayer insulating film, a projection for controlling liquid crystal alignment, a microlens, And a coating film having no pattern obtained as described above is useful as an overcoat constituting a part of a color filter substrate and / or an array substrate. The color filter substrate and the array substrate described above are suitably used for a liquid crystal display, an organic EL display, an electronic paper, and the like.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 예 중의 「%」 및 「부」는 달리 언급하지 않는 한, 질량% 및 질량부이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. In the examples, "% " and " part " are by mass% and mass part, unless otherwise specified.

[합성예 1][Synthesis Example 1]

환류 냉각기, 적하 깔때기 및 교반기를 구비한 플라스크 내에 질소를 적량 흐르게 하여 질소 분위기로 치환하고, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 166부, 메톡시프로판올 52부를 넣어 교반하면서 85℃까지 가열하였다. 계속해서3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8 및/또는 9-일아크릴레이트의 혼합물 233부, p-비닐벤조산 77부, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 125부, 메톡시프로판올 115부의 혼합 용액을 4시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다.A flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer was charged with a nitrogen stream in a nitrogen atmosphere, and 166 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate and 52 parts of methoxypropanol were placed and heated to 85 DEG C with stirring. 233 parts of a mixture of 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 and / or 9-yl acrylate, 77 parts of p-vinylbenzoic acid, 125 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate, And 115 parts of isopropanol was added dropwise to the flask over 4 hours.

한편, 2,2-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 32부를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 210부에 용해한 혼합 용액을 5시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 적하 종료 후, 3시간 동일 온도에서 유지한 후, 실온까지 냉각하여, B형 점도(23℃) 46mPas, 고형분 33.7%, 용액 산가 83mg-KOH/g의 공중합체(수지A1a) 용액을 얻었다. 얻어진 수지 (A1a)의 중량 평균 분자량(Mw)은 7.7×103, 분자량 분포는 1.90이었다. 수지 (A1a)는 이하의 구조 단위를 갖는다.On the other hand, a mixed solution obtained by dissolving 32 parts of 2,2-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) in 210 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate was dropped into the flask over 5 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was maintained at the same temperature for 3 hours and then cooled to room temperature to obtain a copolymer (resin A1a) having a B-type viscosity (23 캜) of 46 mPas, a solid content of 33.7% and a solution acid value of 83 mg-KOH / g. The obtained resin (A1a) had a weight average molecular weight (Mw) of 7.7 × 10 3 and a molecular weight distribution of 1.90. The resin (A1a) has the following structural units.

Figure 112014084654365-pat00018
Figure 112014084654365-pat00018

(합성예 2) (Synthesis Example 2)

환류 냉각기, 적하 깔때기 및 교반기를 구비한 플라스크 내에 질소를 적량 흐르게 하여 질소 분위기로 하고, 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르 140부를 넣고, 교반하면서 70℃까지 가열하였다. 계속하여 메타크릴산 40부; 및 단량체 (I-1) 및 단량체 (II-1)의 혼합물{혼합물 중의 단량체 (I-1):단량체 (II-1)의 몰비=50:50} 360부를 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르 190부에 용해시킨 용액을 제조하고, 이 용액을, 적하 깔때기를 사용해서 4시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다.In a flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was appropriately flown into a nitrogen atmosphere, 140 parts of diethylene glycol ethyl methyl ether was added, and the mixture was heated to 70 캜 with stirring. Subsequently, 40 parts of methacrylic acid; And 360 parts of a mixture of a monomer (I-1) and a monomer (II-1) (monomer (I-1): monomer (II-1) in a mixture = 50: 50) were dissolved in 190 parts of diethylene glycol ethyl methyl ether And the solution was dropped into the flask over a period of 4 hours using a dropping funnel.

Figure 112014084654365-pat00019
Figure 112014084654365-pat00019

한편, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 30부를 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르 240부에 용해시킨 용액을, 별도의 적하 펌프를 사용해서 5시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 중합 개시제 용액의 적하가 종료한 후, 70℃에서 4시간 유지하고, 그 후 실온까지 냉각하여, 고형분 42.3%의 공중합체(수지 A1b)의 용액을 얻었다. 얻어진 수지 (A1b)의 중량 평균 분자량(Mw)은 8.0×103, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.91, 산가는 60mg-KOH/g이었다. 수지 (A1b)는 하기의 구조 단위를 갖는다.On the other hand, a solution prepared by dissolving 30 parts of polymerization initiator 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) in 240 parts of diethylene glycol ethyl methyl ether was added dropwise to the flask . After completion of the dropwise addition of the polymerization initiator solution, the solution was kept at 70 캜 for 4 hours and then cooled to room temperature to obtain a solution of a copolymer (resin A1b) having a solid content of 42.3%. The resin (A1b) thus obtained had a weight average molecular weight (Mw) of 8.0 × 10 3 , a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.91 and an acid value of 60 mg-KOH / g. The resin (A1b) has the following structural unit.

Figure 112014084654365-pat00020
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합성예 1, 2에서 얻어진 수지의 중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)의 측정은 GPC법을 사용하여 이하의 조건에서 행하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the resin obtained in Synthesis Examples 1 and 2 were measured by the GPC method under the following conditions.

장치; K2479((주)시마즈 세이사꾸쇼제)Device; K2479 (Shimazu Seisakusho Co., Ltd.)

칼럼; 시마즈(SHIMADZU) 심-팩(Shim-pack) GPC-80Mcolumn; SHIMADZU Shim-pack GPC-80M

칼럼 온도; 40℃Column temperature; 40 ℃

용매; THF(테트라히드로푸란)menstruum; THF (tetrahydrofuran)

유속; 1.0mL/minFlow rate; 1.0 mL / min

검출기; RIDetector; RI

상기에서 얻어진 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 및 수 평균 분자량의 비(Mw/Mn)를 분자량 분포로 하였다.The ratio (Mw / Mn) of the weight average molecular weight and the number average molecular weight in terms of polystyrene obtained as described above was defined as a molecular weight distribution.

(실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 6)(Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 6)

<감광성 수지 조성물1 내지 8의 조정>&Lt; Adjustment of photosensitive resin compositions 1 to 8 >

실시예 1 내지 5 및 비교예 1에 대해서는, 고형분량(%)이 표 3에 기재된 비율이 되도록, 표 3의 성분을 각각 용제(G)에 혼합하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.With respect to Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, the components in Table 3 were each mixed with a solvent (G) so that the solid content (%) was as shown in Table 3 to obtain a photosensitive resin composition.

비교예 2에 대해서는, 제오코트(Zeocoat)CP1010(닛본 제온 가부시끼가이샤 제조)을 사용하였다.For Comparative Example 2, Zeocoat CP1010 (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was used.

비교예 3에 대해서는, SU-83000(가부시끼가이샤 닛본 가야꾸제)을, 재료와 같은 용량의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트로 희석한 것을 사용하였다. 이하, 실시예 1 내지 5의 감광성 수지 조성물을 감광성 수지 조성물 1 내지 5, 비교예 1 내지 3의 감광성 수지 조성물을 감광성 수지 조성물 6 내지 8이라고 기재한다.For Comparative Example 3, SU-83000 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) diluted with propylene glycol monomethyl ether acetate in the same volume as the material was used. Hereinafter, the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 5 are referred to as photosensitive resin compositions 1 to 5 and the photosensitive resin compositions of Comparative Examples 1 to 3 as photosensitive resin compositions 6 to 8.

Figure 112014084654365-pat00021
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표 3 중 각 성분은 이하와 같다. 수지의 란에 기재한 부수는 고형분 환산의 질량부를 나타낸다.The components in Table 3 are as follows. The number of parts in the column of resin indicates the mass part in terms of solid content.

수지 (A); Aa: p-히드록시스티렌과 아크릴산부틸과의 공중합체[공중합비는 50:50, 중량 평균 분자량; 12600](마루카 린커(등록 상표) CBA; 마루젠 세끼유 가가꾸(주)제)Resin (A); Aa: Copolymer of p-hydroxystyrene and butyl acrylate [copolymerization ratio 50:50, weight average molecular weight; 12600] (Marukarinker (registered trademark) CBA; manufactured by Maruzen Sekiyu Kagaku Co., Ltd.)

수지 (A); Ab: p-히드록시스티렌과 스티렌과의 공중합체[공중합비는 50:50, 중량 평균 분자량; 4000](마루카 린커(등록 상표) CST; 마루젠 세끼유 가가꾸(주)제)Resin (A); Ab: copolymer of p-hydroxystyrene and styrene [copolymerization ratio is 50:50, weight average molecular weight; 4000] (Marukarinker (registered trademark) CST; manufactured by Maruzen Sekiyu Kagaku Co., Ltd.)

수지 (A1); A1a: 합성예 1에서 얻어진 수지 A1aResin (A1); A1a: Resin A1a obtained in Synthesis Example 1

수지 (A1); A1b: 합성예 2에서 얻어진 수지 A1bResin (A1); A1b: Resin A1b obtained in Synthesis Example 2

수지 (A1); A1c: 합성예 3에서 얻어진 수지 A1cResin (A1); A1c: Resin A1c obtained in Synthesis Example 3

중합성 화합물 (B); B: 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(A-TMPT; 신나까무라 가가꾸 고교(주)제)Polymerizable compound (B); B: Trimethylolpropane triacrylate (A-TMPT; manufactured by Shin-Nakamura Chemical Industry Co., Ltd.)

중합 개시제 (C); 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온(이르가큐어(등록 상표) 907; 바스프사제)A polymerization initiator (C); Propane-1-one (Irgacure (registered trademark) 907, manufactured by BASF)

중합 개시 보조제 (E); 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논(EAB-F; 호도가야 가가꾸 고교(주)제)Polymerization initiator (E); 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone (EAB-F, manufactured by Hodogaya Chemical Industry Co., Ltd.)

용제 (G)는 하기의 용제 성분(Ga) 내지 (Gd)를 각각 25질량%씩 혼합한 것이다.The solvent (G) is obtained by mixing the following solvent components (Ga) to (Gd) by 25 mass%, respectively.

용제 (G); Ga 25질량%; 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트Solvent (G); 25 mass% of Ga; Propylene glycol monomethyl ether acetate

용제 (G); Gb 25질량%; 3-에톡시프로피온산에틸Solvent (G); 25 mass% of Gb; Ethyl 3-ethoxypropionate

용제 (G); Gc 25질량%; 3-메톡시1-부탄올Solvent (G); 25 mass% of Gc; 3-Methoxy-1-butanol

용제 (G); Gd 25질량%; 3-메톡시부틸아세테이트Solvent (G); 25 mass% of Gd; 3-methoxybutylacetate

감광성 수지 조성물의 고형분량이 표 3의 「고형분량(%)」이 되도록, 표 3의 성분을 각각 용제 (G)에 혼합하였다.The components in Table 3 were each mixed in a solvent (G) so that the solid content of the photosensitive resin composition was the &quot; solid content (%) &quot;

[기판 세정][Substrate cleaning]

세정 장치(가부시끼가이샤 시바우라 세이사꾸쇼제)에서, 370 mm×470 mm×0.5 mm의 유리 기판(코닝사제 이글XG)을, 순수를 흐르게 하면서, 브러시에 의한 표면세정을 30초 실시하고, 또한 순수 샤워에 의해 60초의 추가 세정을 실시하여, 에어로 건조를 실시하였다.The surface was cleaned with a brush for 30 seconds while flowing pure water through a glass substrate (Eagle XG manufactured by Corning Incorporated) having a size of 370 mm x 470 mm x 0.5 mm in a cleaning device (Shibaura Seisakusho Co., Ltd.) Further, the film was further cleaned by a pure shower for 60 seconds, and air drying was performed.

[투명 도전막 부착 기판의 제작][Production of substrate with transparent conductive film]

상기에 의해, 세정을 실시한 기판을 사용하여, 스퍼터링 장치(ULVAC사제 인라인식 스퍼터링 장치, 형식 SDP-570VT)에, ITO 타겟(도소 가부시끼가이샤 제조; 90% In2O3-10% SnO2)을 장착하고, 가열실에서 300℃로 가열 후, 스퍼터 실에서 전력 1.05kW, 아르곤 가스 압력 0.6Pa, 성막 시간 115초에서, 투명 도전막 ITO를 50 nm 성막하였다. 또한, 성막 후의 기판을 대기 중에서 230℃, 30분의 어닐링을 실시하고, ITO 부착 유리 기판을 얻었다.An ITO target (90% In 2 O 3 -10% SnO 2 , manufactured by Tosoh Corporation) was coated on the cleaned substrate using a sputtering apparatus (ULVAC Inline Sputtering System, type SDP-570VT) And after heating to 300 DEG C in a heating chamber, a transparent conductive film ITO was formed to a thickness of 50 nm in a sputter chamber at a power of 1.05 kW, an argon gas pressure of 0.6 Pa, and a deposition time of 115 seconds. Further, the substrate after film formation was annealed in air at 230 캜 for 30 minutes to obtain a glass substrate with ITO.

[격벽 부착 기판의 제작][Fabrication of substrate with barrier ribs]

(실시예 1의 격벽 부착 기판의 제작)(Fabrication of barrier-board-attached substrate of Example 1)

상기에서 제작한 투명 도전막 부착 기판에 대하여, UV-O3 세정 장치(히타치하이테크놀로지사제; PL3-200-15)를 사용하고, 적산 광량 400mJ/cm2 하에서 친수화 처리를 실시하고, 순수로 세정, 에어로 건조를 실시하였다. 이 기판에 대하여, 조정 완료의 감광성 수지 조성물 1을 30g 적하하고, 스핀 코터로 900 rpm에서 7초 회전시켜, 감광성 수지 조성물 1을 포함하는 박막을 도포 형성하였다. 그 후, 진공 건조 장치(도쿄 오까 고교 가부시끼가이샤 제조; TR28340CPD-CLT)에서 66Pa까지 감압 건조를 행하고, 핫 플레이트에서 110℃, 110초 콘택트하여 프리베이크를 실시하였다. 이어서, 노광 장치(히타치 하이테크놀로지사제; LE4000A)를 사용하여, 노광을 실시하였다. 노광량은 200mJ/cm2, Gap는 100 ㎛로 하였다. 포토마스크에는, 패턴(차광부의 형상이, 장축 방향 300 ㎛, 단축 방향 100 ㎛의 직사각형으로부터, 그의 네 코너를 원호 형상으로 커팅한 형(긴 원))이 동일 평면 상에 형성된 것을 사용하였다. 그 후, 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(토쿠야마(주)제, 토쿠소 SD25)을 농도가 2.38%로 되도록 순수로 희석하여 제조한 현상액을 사용하고, 상기 도막을 샤워 현상기(세파테크놀로지 가부시끼가이샤 제조)로, 23℃에서 80초간 현상하고, 수세 및 에어 건조 후, 오븐(에스펙사제: HSC-4) 중, 230℃에서 20분간 포스트베이크를 행하여, 패턴을 얻었다.A UV-O3 cleaning apparatus (PL3-200-15, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) was used for the substrate with the above-prepared transparent conductive film, and an integrated light quantity of 400 mJ / cm 2 , Subjected to hydrophilic treatment, cleaned with pure water, and air-dried. 30 g of the photosensitive resin composition 1 having been subjected to the adjustment was dropped on the substrate, and the resultant was rotated at 900 rpm for 7 seconds by a spin coater to form a thin film containing the photosensitive resin composition 1. Thereafter, the resultant was dried under reduced pressure to 66 Pa in a vacuum drying apparatus (TR28340CPD-CLT, manufactured by Tokyo Oka Kogyo Kabushiki Kaisha), and contacted with a hot plate at 110 캜 for 110 seconds and prebaked. Subsequently, exposure was performed using an exposure apparatus (LE4000A, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). An exposure dose of 200 mJ / cm 2 , and a gap of 100 m. In the photomask, a pattern (a shape in which the shape of the light-shielding portion was cut from a rectangle having a length of 300 mu m in the major axis direction and a 100 mu m in the minor axis direction and an arc shape with four corners thereof) was formed on the same plane. Thereafter, a developer prepared by diluting an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TOKUSO SD25, manufactured by Tokuyama Corporation) with pure water to a concentration of 2.38% was used, and the coating film was applied to a shower developing machine (manufactured by Sepha Technologies, After washing with water and air drying, post-baking was carried out in an oven (HSC-4 made by Aspect Co., Ltd.) at 230 캜 for 20 minutes to obtain a pattern.

(실시예 2 내지 5, 비교예 1의 격벽 부착 기판의 제작)(Fabrication of barrier-coated substrates of Examples 2 to 5 and Comparative Example 1)

감광성 수지 조성물 1 대신에, 감광성 수지 조성물 2 내지 6을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2 내지 5, 비교예 1의 격벽 부착 기판을 제작하였다.A substrate with barrier ribs of Examples 2 to 5 and Comparative Example 1 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive resin compositions 2 to 6 were used in place of the photosensitive resin composition 1.

(비교예 2의 격벽 부착 기판의 제작)(Fabrication of a substrate with a partition wall in Comparative Example 2)

감광성 수지 조성물 1 대신에, 감광성 수지 조성물 7을 사용한 것, 패턴(개구부의 형상이, 장축 방향 300 ㎛, 단축 방향 100 ㎛의 직사각형으로부터, 그의 네 코너를 원호 형상으로 커팅한 형(긴 원))이 동일 평면 상에 형성된 포토마스크를 사용하여 노광을 실시하고, 230℃에서 60분간 포스트베이크를 행한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 2의 격벽 부착 기판을 제작하였다.A photosensitive resin composition 7 was used in place of the photosensitive resin composition 1, and a pattern (shape of an opening was formed by cutting a circular arc of a rectangular shape with a length of 300 mu m in the major axis direction and a 100 mu m in the minor axis direction into an arc shape A substrate with a barrier rib of Comparative Example 2 was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the photomask formed on the same plane was used to perform exposure and post-baking was performed at 230 캜 for 60 minutes.

(비교예 3의 격벽 부착 기판의 제작)(Fabrication of substrate with barrier rib in Comparative Example 3)

감광성 수지 조성물 1 대신에, 감광성 수지 조성물 8을 사용한 것, 현상액으로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트를 사용하여, 23℃에서 80초간 요동하면서 침지하여 현상한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 3의 격벽 부착 기판을 제작하였다.Comparative Example 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive resin composition 8 was used in place of the photosensitive resin composition 1, and propylene glycol monomethyl ether acetate was used as a developing solution to immerse the substrate in water while rocking at 23 DEG C for 80 seconds, Were prepared.

[습윤성 평가용 용액 제조][Preparation of solution for wettability evaluation]

격벽의 습윤성 평가를 실시하는 용매로서는 N,N-디메틸아세트아미드(와꼬 쥰야꾸 가부시끼가이샤 제조, 99.5% 이상), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(도꾜 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 99.0% 이상)의 2종류를 선정하였다. 선정한 용매 2종류는 점도가 낮기 때문에, 잉크젯 장치에 의한 격벽에의 액 충전이 가능하게 되도록, 점도의 조정 재료로서 시클로헥산올(와꼬 쥰야꾸 가부시끼가이샤 제조, 98.0% 이상)을 사용하여, 혼합 용매로서 사용하였다.As the solvent for evaluating the wettability of the partition walls, N, N-dimethylacetamide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., not less than 99.5%), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha) , 99.0% or more) were selected. Since the two selected solvents are low in viscosity, cyclohexanol (98.0% or more, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) is used as the viscosity adjusting material so that the liquid can be filled into the partition walls by the ink jet apparatus, Was used as a solvent.

또한, 용매 단체에서는 건조 후의 도포 퍼짐성을 현미경으로 관찰하는 것이 곤란하기 때문에, 용질로서 로다민 B(도꾜 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조, 순도 95% 이상)를 사용하였다.In addition, since it is difficult to observe the spreading property of the solvent after drying by a microscope, Rhodamine B (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd., purity of 95% or more) was used as the solute.

하기 표 4에 나타내는 3종류의 용액 1, 2, 3을 조정하였다.Three solutions 1, 2 and 3 shown in Table 4 were prepared.

Figure 112014084654365-pat00022
Figure 112014084654365-pat00022

[습윤성 평가][Evaluation of wettability]

격벽 내에 잉크젯 장치(ULVAC사제 리틀렉스(Litlex) 120L)를 사용하여, 상기 용액 1, 2, 3을 각 격벽 내에 200pL씩, 1000 개소의 격벽에 충전하고, 건조 후에 용질이 격벽 단부까지 퍼지는지에 대하여 현미경(올림푸스(OLIMPUS)사제 MX61L, 렌즈 LCPFLN20xLCD)을 사용하여, 30개소의 관찰을 실시하고, 30개소 모두가 퍼져 있을 경우에, 습윤성이 양호하다고 하였다.Using the ink jet apparatus (Litlex 120L manufactured by ULVAC Co.), the above solutions 1, 2 and 3 were packed in the respective partitions with 200 pL into 1000 partitions in the partitions, and after the drying, the solute spread to the partitions of the partitions 30 observations were made using a microscope (MX61L manufactured by OLIMPUS, lens LCPFLN20xLCD), and when all 30 locations were observed, wettability was good.

금회 사용한 격벽에서는, 발액성이 없는 상태로 평가를 실시하고 있는 것이 있기 때문에, 용액을 충전했을 때에, 격벽으로부터의 누설이 발생하는 경우가 있지만, 격벽 내에 남은 액으로 퍼짐성의 평가를 실시하였다.In the presently used barrier ribs, since the evaluation is carried out in the state in which there is no lyophobicity, leakage from the barrier ribs occurs when the solution is filled, but the spreadability is evaluated by the liquid remaining in the barrier ribs.

[극성 평가][Polarity evaluation]

(접촉각 측정)(Contact angle measurement)

격벽 제작 후의 기판 내에서 ITO가 노출된 부분을 사용하여, 순수, 글리세롤(시그마 알드리치제, 순도 99.5% 이상), 포름아미드(시그마 알드리치사제, 순도 99.5% 이상), 디요오도메탄(시그마 알드리치사제, 순도 99%)의 4종류의 용매를 사용하고, 기판 면 내 3점 측정을 실시하여, 평균을 냄으로써 평가를 실시하였다.(Purity: 99.5% or more), formamide (manufactured by Sigma Aldrich Co., purity: 99.5% or more), diiodomethane (manufactured by Sigma Aldrich), or the like, using pure water, glycerol , Purity: 99%) were used, and three points in the substrate surface were measured, and the evaluation was carried out by averaging.

(극성 계산)(Polarity calculation)

극성 계산에는 상술한 오웬스 앤드 웬트법을 적용하였다. 본 실시예에서는, 상기 4종류의 용매를 사용하여 접촉각을 측정하고, 그 값을 바탕으로, 하기 URL에서 공개되어 있는 극성 계산 소프트를 사용하여, 오웬스 앤드 웬트법에 기초하여 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값을 산출하였다.For the polarity calculation, the above-mentioned Owens and Went method was applied. In this embodiment, the contact angle is measured using the four kinds of solvents, and based on the values, the polarity calculation software disclosed in the following URL is used to calculate the surface free energy of the electrode based on the Owens & And the value of the polarity component was calculated.

<URL: http://www007.upp.so-net.ne.jp/y-kondo/surface.htm><URL: http://www007.upp.so-net.ne.jp/y-kondo/surface.htm>

실시예와 비교예의 결과를 표 5에 나타내었다. 표 5에서는, 양호를 「○」으로 나타내고, 불량을 「×」로 나타내고 있다.The results of Examples and Comparative Examples are shown in Table 5. In Table 5, the goodness is indicated by &quot; &quot; and the failure is indicated by &quot; X &quot;.

Figure 112014084654365-pat00023
Figure 112014084654365-pat00023

이상 실시예의 결과로부터, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하면, 전극 표면이 노출되는 패턴을 형성한 후의 ITO의 표면은 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이 높고, ITO의 표면의 습윤성이 우수한 패턴이 얻어지는 것이 확인되었다.From the results of the above examples, it can be seen that, when the photosensitive resin composition of the present invention is used, the surface of the ITO after formation of the pattern on which the electrode surface is exposed has a high polar component of surface free energy and a good wettability on the surface of ITO .

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하면, 전극 표면 상이 습윤성이 우수한 패턴을 얻을 수 있다.According to the photosensitive resin composition of the present invention, a pattern having excellent wettability on the electrode surface can be obtained.

1 표시 장치
2 지지 기판
3 격벽
4 유기 EL 소자
5 오목부(개구부)
6 제1 전극
7 제1 유기 EL층(정공 주입층)
9 제2 유기 EL층(발광층)
10 제2 전극
1 display device
2 supporting substrate
3 barrier
4 organic EL device
5 recess (opening)
6 First electrode
7 First organic EL layer (hole injection layer)
9 Second organic EL layer (light emitting layer)
10 Second electrode

Claims (15)

하기 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 감광성 수지 조성물이며,
전극이 형성된 기판 상에 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 형성하고, 이어서 상기 전극의 표면이 노출되도록 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성한 후의 상기 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값이 15mN/m 이상인 감광성 수지 조성물.
(A) 하기 식 [i]로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위를 갖는 수지
Figure 112015017060712-pat00028

(식 [i] 중, R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 -OH, -SH, -COOH, -CHO, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 3의 알킬기, -COR7, -COOR7, -OCOR7, 또는 -OR7을 나타내고, R1, R2, R3, R4 및 R5는 적어도 하나가 -OH, -SH, -COOH 또는 -CHO이고, R7은 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 탄소수 2 내지 5의 알콕시알킬기, 아릴기 또는 벤질기를 나타냄)
(B) 중합성 화합물
(C) 중합 개시제
A photosensitive resin composition comprising the following (A), (B) and (C)
Forming a thin film containing the photosensitive resin composition on a substrate on which an electrode is formed and then forming an opening in the thin film by photolithography so that the surface of the electrode is exposed so that the value of the polarity component of the surface free energy of the electrode Is not less than 15 mN / m.
(A) a resin having a structural unit containing a group represented by the following formula [i]
Figure 112015017060712-pat00028

(Wherein R 1, R 2, R 3, R 4 and R 5 are each independently -OH, -SH, -COOH, -CHO, a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, -COR 7, , -OCOR7 or -OR7, and at least one of R1, R2, R3, R4 and R5 is -OH, -SH, -COOH or -CHO, R7 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms An alkoxyalkyl group, an aryl group or a benzyl group)
(B) a polymerizable compound
(C) Polymerization initiator
제1항에 있어서, 상기 구조 단위가 하기 식 [ii]로 표시되는 감광성 수지 조성물.
Figure 112015017060712-pat00025

(식 [ii] 중, R1, R2, R3, R4 및 R5는 상술한 바와 같은 의미를 나타내고, R6은 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기를 나타냄)
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the structural unit is represented by the following formula (ii).
Figure 112015017060712-pat00025

(In the formula [ii], R1, R2, R3, R4 and R5 have the same meanings as described above, and R6 represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group)
제1항에 있어서, 상기 중합 개시제가 광중합 개시제이며, 라디칼 중합에 의해 상기 중합성 화합물이 중합하는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the polymerization initiator is a photopolymerization initiator and the polymerizable compound is polymerized by radical polymerization. 제2항에 있어서, 상기 중합 개시제가 광중합 개시제이며, 라디칼 중합에 의해 상기 중합성 화합물이 중합하는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 2, wherein the polymerization initiator is a photopolymerization initiator and the polymerizable compound is polymerized by radical polymerization. 제1항에 있어서, 상기 R1, R2, R3, R4, 및 R5 중 적어도 하나는 -COOH 또는 -OH이며, 나머지는 수소 원자인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein at least one of R 1, R 2, R 3, R 4, and R 5 is -COOH or -OH and the remainder is a hydrogen atom. 제2항에 있어서, 상기 R1, R2, R3, R4, 및 R5 중 적어도 하나는 -COOH 또는 -OH이며, 나머지는 수소 원자인 감광성 수지 조성물.3. The photosensitive resin composition according to claim 2, wherein at least one of R1, R2, R3, R4, and R5 is -COOH or -OH, and the remainder is a hydrogen atom. 제3항에 있어서, 상기 R1, R2, R3, R4, 및 R5 중 적어도 하나는 -COOH 또는 -OH이며, 나머지는 수소 원자인 감광성 수지 조성물.4. The photosensitive resin composition according to claim 3, wherein at least one of R1, R2, R3, R4, and R5 is -COOH or -OH, and the remainder is a hydrogen atom. 제4항에 있어서, 상기 R1, R2, R3, R4, 및 R5 중 적어도 하나는 -COOH 또는 -OH이며, 나머지는 수소 원자인 감광성 수지 조성물.5. The photosensitive resin composition according to claim 4, wherein at least one of R1, R2, R3, R4, and R5 is -COOH or -OH, and the remainder is a hydrogen atom. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 발액제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8, further comprising a liquid repellent agent. 제9항에 있어서, 상기 발액제가 탄소수 4 내지 6의 퍼플루오로알킬기를 갖는 불포화 화합물에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 중합체인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 9, wherein the liquid repellent agent is a polymer comprising a structural unit derived from an unsaturated compound having a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극이 투명 전극인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the electrode is a transparent electrode. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성된 격벽.A barrier rib formed by the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8. 제12항에 기재된 격벽 및 전극을 구비하는 기판.A substrate comprising the barrier rib and the electrode according to claim 12. 제13항에 기재된 기판을 구비하는 표시 장치.A display device comprising the substrate according to claim 13. 전극이 형성된 기판 상에 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 형성하고,
상기 전극의 표면이 노출되도록 포토리소그래피법에 의해 상기 박막에 개구를 형성하며,
상기 전극의 표면 자유 에너지의 극성 성분의 값에 기초하여 전극의 습윤성을 평가하는, 기판 평가 방법.
A thin film containing a photosensitive resin composition is formed on a substrate on which an electrode is formed,
An opening is formed in the thin film by photolithography so that the surface of the electrode is exposed,
And evaluating the wettability of the electrode based on the value of the polar component of the surface free energy of the electrode.
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