KR102008050B1 - Photosensitive resin composition - Google Patents

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Abstract

(A), (B), (C) 및 (D) 를 함유하고,
(A) 의 함유량이 (A) 와 (C) 의 합계 함유량에 대해, 45 질량% 이상 80 질량% 이하인 감광성 수지 조성물.
(A) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 방향족 카르복실산에서 유래하는 구조 단위와, 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조를 갖는 불포화 화합물에서 유래하는 구조 단위를 함유하고, 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 구조 단위를 가지지 않는 중합체
(B) 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 구조 단위를 함유하는 중합체
(C) 중합성 화합물
(D) 중합 개시제
(A), (B), (C) and (D), and
The photosensitive resin composition whose content of (A) is 45 mass% or more and 80 mass% or less with respect to the sum total content of (A) and (C).
(A) A structural unit derived from the aromatic carboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond, and the structural unit derived from the unsaturated compound which has a C2-C4 cyclic ether structure, and contains perfluoro of 4 to 6 carbon atoms Polymers without structural units with alkyl groups
(B) A polymer containing a structural unit having a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms
(C) polymerizable compound
(D) polymerization initiator

Description

감광성 수지 조성물{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}Photosensitive resin composition {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}

본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition.

최근의 표시 장치 등에서는, 컬러 필터, 액정 표시 소자의 ITO 전극, 유기 EL 표시 소자, 회로 배선 기판 등이 잉크젯법에 의해 제작된다. 또, 잉크젯법에 있어서는, 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 격벽이 이용된다.In recent display apparatuses, a color filter, an ITO electrode of a liquid crystal display element, an organic EL display element, a circuit wiring board, etc. are produced by the inkjet method. Moreover, in the inkjet method, the partition formed using the photosensitive resin composition is used.

이와 같은 감광성 수지 조성물로서는, 예를 들어, 수지로서 메타크릴산과 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02.6]데실아크릴레이트의 공중합체를 함유하는 감광성 수지 조성물이 알려져 있다 (특허문헌 1).As such a photosensitive resin composition, the photosensitive resin composition containing the copolymer of methacrylic acid and 3, 4- epoxy cyclocyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate as a resin is known (patent document 1), for example.

일본 공개특허공보 2012-73603호Japanese Laid-Open Patent Publication 2012-73603

기판 상에 형성된 격벽과 기판에 의해 획성되는 오목부에, 잉크젯 장치를 사용하여 유기 기능성 재료를 함유하는 잉크를 도포하는 경우에는, 오목부 기판 표면이 잉크로 완전히 피복되도록 기판 표면의 습윤성이 높은 것이 바람직하고, 또한, 잉크가 목적으로 하는 영역 이외로 누출되는 것을 방지하기 위해 격벽 상면의 습윤성이 낮은 (발액성이 높은) 것이 바람직하다. 그러나, 종래부터 제안되고 있는 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 격벽과 기판에 의해 획성되는 오목부 기판 표면의 습윤성은, 만족할 수 없는 경우가 있었다.When the ink containing the organic functional material is applied to the partition formed on the substrate and the recess defined by the substrate, the wettability of the substrate surface is high so that the recess substrate surface is completely covered with ink. It is preferable that the wettability of the upper surface of the partition wall is high (high liquid repellency) in order to prevent the ink from leaking outside the target area. However, the wettability of the partition substrate formed by the photosensitive resin composition proposed conventionally and the board | substrate formed by the board | substrate may not be satisfied.

본 발명은 이하의[1]∼[6]을 제공하는 것이다.This invention provides the following [1]-[6].

[1](A), (B), (C) 및 (D) 를 함유하고,[1] containing (A), (B), (C) and (D),

(A) 의 함유량이 (A) 와 (C) 의 합계 함유량에 대해, 45 질량% 이상 80 질량% 이하인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition whose content of (A) is 45 mass% or more and 80 mass% or less with respect to the sum total content of (A) and (C).

(A) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 방향족 카르복실산에서 유래하는 구조 단위와, 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조를 갖는 불포화 화합물에서 유래하는 구조 단위를 함유하고, 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 구조 단위를 가지지 않는 중합체(A) A structural unit derived from the aromatic carboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond, and the structural unit derived from the unsaturated compound which has a C2-C4 cyclic ether structure, and contains perfluoro of 4 to 6 carbon atoms Polymers without structural units with alkyl groups

(B) 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 구조 단위를 함유하는 중합체(B) A polymer containing a structural unit having a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms

(C) 중합성 화합물(C) polymerizable compound

(D) 중합 개시제(D) polymerization initiator

[2](D) 가 비이미다졸 화합물, 알킬페논 화합물 및 O-아실옥심 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 중합 개시제인[1]에 기재된 감광성 수지 조성물.[2] The photosensitive resin composition as described in [1] whose (D) is a polymerization initiator containing at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a biimidazole compound, an alkylphenone compound, and an O-acyl oxime compound.

[3][1]또는[2]에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 패턴.[3] A pattern formed of the photosensitive resin composition according to [1] or [2].

[4][1]또는[2]에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 잉크젯용 격벽.[4] A partition for ink jet formed by the photosensitive resin composition according to [1] or [2].

[5][3]에 기재된 패턴을 포함하는 표시 장치.[5] A display device comprising the pattern of [3].

[6][4]에 기재된 잉크젯용 격벽을 포함하는 표시 장치.[6] A display device comprising the inkjet partition described in [4].

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하면, 습윤성이 우수한 패턴, 즉, 격벽과 기판에 의해 획성되는 오목부 기판 표면의 습윤성이 높고, 격벽 상면의 발액성이 높은 패턴을 얻을 수 있다.According to the photosensitive resin composition of this invention, the pattern excellent in wettability, ie, the wettability of the surface of the recessed part board | substrate formed by a partition and a board | substrate, is high, and the pattern of the liquid repellency of the upper surface of a partition can be obtained.

도 1 은 표시 장치 (1) 의 일부를 확대하여 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태의 표시 장치 (1) 의 일부를 확대하여 모식적으로 나타내는 평면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically illustrating an enlarged portion of the display device 1.
FIG. 2 is a plan view schematically illustrating an enlarged part of the display device 1 according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A), (B), (C) 및 (D) 를 함유하는 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition of this invention is a photosensitive resin composition containing (A), (B), (C) and (D).

(A) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 방향족 카르복실산에서 유래하는 구조 단위와, 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조를 갖는 불포화 화합물에서 유래하는 구조 단위를 함유하고, 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 구조 단위는 가지지 않는 중합체 (이하 「수지 (A)」 라고 하는 경우가 있다)(A) A structural unit derived from the aromatic carboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond, and the structural unit derived from the unsaturated compound which has a C2-C4 cyclic ether structure, and contains perfluoro of 4 to 6 carbon atoms Polymer which does not have structural unit which has alkyl group (Hereinafter, it may be called "resin (A).")

(B) 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 구조 단위를 함유하는 중합체 (이하 「수지 (B)」 라고 하는 경우가 있다)(B) A polymer containing a structural unit having a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms (hereinafter referred to as "resin (B)")

(C) 중합성 화합물(C) polymerizable compound

(D) 중합 개시제(D) polymerization initiator

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 용제 (E) 를 함유하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains a solvent (E).

본 발명의 감광성 수지 조성물은 수지 (A) 및 수지 (B) 이외의 수지 (이하 「수지 (A1)」 이라고 하는 경우가 있다), 중합 개시 보조제 (D1), 다관능 티올 화합물 (T) 및 계면 활성제 (F) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하고 있어도 된다.The photosensitive resin composition of this invention is resin (A may be called "resin (A1)" hereafter) other than resin (A) and resin (B), a polymerization start adjuvant (D1), a polyfunctional thiol compound (T), and an interface You may contain at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of an activator (F).

또한, 본 명세서에 있어서는, 각 성분으로서 예시하는 화합물은, 특별히 언급이 없는 한, 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다.In addition, in this specification, the compound illustrated as each component can be used individually or in combination unless there is particular notice.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 함유되는 수지 (A) 로서는, As resin (A) contained in the photosensitive resin composition of this invention,

수지 (A-1) : 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 방향족 카르복실산 (a) (이하 「(a)」 라고 하는 경우가 있다) 에서 유래하는 구조 단위와, 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조를 갖는 불포화 화합물 (b) (이하 「(b)」 라고 하는 경우가 있다) 에서 유래하는 구조 단위를 함유하는 중합체, Resin (A-1): The structural unit derived from the aromatic carboxylic acid (a) (Hereinafter, it may be called "(a)") which has an ethylenically unsaturated bond, and a C2-C4 cyclic ether structure. A polymer containing a structural unit derived from an unsaturated compound having (b) (hereinafter may be referred to as "(b)"),

수지 (A-2) : (a) 및 (b) 와 중합 가능하고, 또한, 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조를 가지지 않는 단량체 (c) (이하 「(c)」 라고 하는 경우가 있다) 와, (a) 와 (b) 를 중합하여 이루어지는 중합체를 들 수 있다. 단, (a), (b) 및 (c) 는, 모두 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 가지지 않는다.Resin (A-2): Monomer (c) which can superpose | polymerize with (a) and (b) and does not have a C2-C4 cyclic ether structure (henceforth "(c)" may be called) And polymers formed by polymerizing (a) and (b). However, (a), (b) and (c) do not all have a C4-C6 perfluoroalkyl group.

(a) 는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 방향족 카르복실산 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 방향족 카르복실산 무수물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 단량체이며, 구체적으로는, o-비닐벤조산, m-비닐벤조산, p-비닐벤조산, 3-비닐프탈산, 4-비닐프탈산 등의 방향족 카르복실산류 ; 3-비닐프탈산 무수물, 4-비닐프탈산 무수물 등의 방향족 카르복실산 무수물류를 들 수 있다.(a) is at least 1 sort (s) of monomer chosen from the group which consists of aromatic carboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond, and aromatic carboxylic anhydride which has ethylenically unsaturated bond, Specifically, o-vinyl benzoic acid and m- Aromatic carboxylic acids such as vinyl benzoic acid, p-vinyl benzoic acid, 3-vinyl phthalic acid and 4-vinyl phthalic acid; aromatic carboxylic acid anhydrides such as 3-vinyl phthalic anhydride and 4-vinyl phthalic anhydride.

(b) 는 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조 (예를 들어, 옥시란 고리, 옥세탄 고리 및 테트라하이드로푸란 고리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종) 를 갖는 단량체이며, 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조와 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 단량체가 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 보다 바람직하다.(b) is a monomer which has a C2-C4 cyclic ether structure (for example, at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of an oxirane ring, an oxetane ring, and a tetrahydrofuran ring), The monomer which has a cyclic ether structure and ethylenically unsaturated double bond is preferable, and the monomer which has a C2-C4 cyclic ether structure and a (meth) acryloyloxy group is more preferable.

본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴산」 이란, 아크릴산 및 메타크릴산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 나타낸다. 「(메트)아크릴로일」 및 「(메트)아크릴레이트」 등의 표기도 동일한 의미를 갖는다.In this specification, "(meth) acrylic acid" represents at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of acrylic acid and methacrylic acid. Notation, such as "(meth) acryloyl" and "(meth) acrylate", has the same meaning.

(b) 로서는, 예를 들어, 옥실라닐기를 갖는 단량체 (b1) (이하 「(b1)」 이라고 하는 경우가 있다), 옥세타닐기를 갖는 단량체 (b2) (이하 「(b2)」 라고 하는 경우가 있다), 테트라하이드로푸릴기를 갖는 단량체 (b3) (이하 「(b3)」 이라고 하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.As (b), for example, the monomer (b1) which has an oxylanyl group (hereinafter may be called "(b1)"), and the monomer (b2) which has an oxetanyl group (henceforth "(b2)" The monomer (b3) (Hereinafter, it may be called "(b3)") which has a tetrahydrofuryl group, etc. are mentioned.

(b1) 로서는, 불포화 지방족 탄화수소기가 에폭시화된 구조를 갖는 단량체 (b1-1) (이하 「(b1-1)」 이라고 하는 경우가 있다), 불포화 지환식 탄화수소가 에폭시화된 구조를 갖는 단량체 (b1-2) (이하 「(b1-2)」 라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.As (b1), the monomer (b1-1) (Hereinafter, it may be called "(b1-1)") which has a structure in which the unsaturated aliphatic hydrocarbon group was epoxidized, and the monomer which has a structure in which the unsaturated alicyclic hydrocarbon was epoxidized ( b1-2) (Hereinafter, it may be called "(b1-2).").

(b1) 로서는, 옥실라닐기와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 바람직하고, 불포화 지환식 탄화수소가 에폭시화된 구조와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 보다 바람직하다. 이들보다 바람직한 단량체이면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성이 우수하다.As (b1), the monomer which has an oxylanyl group and a (meth) acryloyloxy group is preferable, and the monomer which has the structure and the (meth) acryloyloxy group which the unsaturated alicyclic hydrocarbon epoxidized is more preferable. It is excellent in the storage stability of the photosensitive resin composition as it is a monomer more preferable than these.

(b1-1) 로서는, 구체적으로는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, β-에틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 글리시딜비닐에테르, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르,α-메틸-o-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-m-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-p-비닐벤질글리시딜에테르, 2,3-비스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,4-비스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,5-비스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,6-비스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,3,4-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,3,5-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,3,6-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 3,4,5-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 2,4,6-트리스(글리시딜옥시메틸)스티렌, 일본 공개특허공보 평7-248625호에 기재되는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of (b1-1) include glycidyl (meth) acrylate, β-methylglycidyl (meth) acrylate, β-ethylglycidyl (meth) acrylate, glycidyl vinyl ether, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-m-vinyl benzyl glycy Dyl ether, α-methyl-p-vinylbenzyl glycidyl ether, 2,3-bis (glycidyloxymethyl) styrene, 2,4-bis (glycidyloxymethyl) styrene, 2,5-bis ( Glycidyloxymethyl) styrene, 2,6-bis (glycidyloxymethyl) styrene, 2,3,4-tris (glycidyloxymethyl) styrene, 2,3,5-tris (glycidyloxy Methyl) styrene, 2,3,6-tris (glycidyloxymethyl) styrene, 3,4,5-tris (glycidyloxymethyl) styrene, 2,4,6-tris (glycidyloxymethyl) Styrene, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 7-248625, etc. are mentioned.

(b1-2) 로서는, 비닐시클로헥센모노옥사이드, 1,2-에폭시-4-비닐시클로헥산 (예를 들어, 세록사이드 (등록상표) 2000 ; 다이셀 화학공업 (주) 제조), 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트 (예를 들어, 사이크로마 (등록상표) A400 ; 다이셀 화학공업 (주) 제조), 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타아크릴레이트 (예를 들어, 사이크로마 (등록상표) M100 ; 다이셀 화학공업 (주) 제조), 식 (I) 로 나타내는 화합물, 식 (II) 로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of (b1-2) include vinylcyclohexene monooxide and 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane (for example, Ceroxide® 2000; manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 3,4 -Epoxycyclohexylmethyl acrylate (for example, Cychroma (R) A400; manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate (for example, cycloma (registered) Trademark) M100; manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), a compound represented by formula (I), a compound represented by formula (II), and the like.

Figure 112015092717297-pat00001
Figure 112015092717297-pat00001

[식 (I) 및 식 (II) 에 있어서, R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, 그 알킬기에 함유되는 수소 원자는 하이드록시기로 치환되어 있어도 된다.[In Formula (I) and Formula (II), R <1> and R <2> respectively independently represents a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group, and the hydrogen atom contained in this alkyl group may be substituted by the hydroxy group. .

X1 및 X2 는 각각 독립적으로 단결합, *-R3-, *-R3-O-, *-R3-S-, 또는 *-R3-NH- 를 나타낸다.X 1 and X 2 each independently represent a single bond, * -R 3- , * -R 3 -O-, * -R 3 -S-, or * -R 3 -NH-.

R3 은 탄소수 1 ∼ 6 의 알칸디일기를 나타낸다.R <3> represents a C1-C6 alkanediyl group.

* 는 O 와의 결합손을 나타낸다.]* Represents a bond with O.]

R1 및 R2 로 나타내는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다.As a C1-C4 alkyl group represented by R <1> and R <2> , a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert- butyl group, etc. are mentioned.

하이드록시기로 치환되어 있는 알킬기로서는, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기, 1-하이드록시프로필기, 2-하이드록시프로필기, 3-하이드록시프로필기, 1-하이드록시-1-메틸에틸기, 2-하이드록시-1-메틸에틸기, 1-하이드록시부틸기, 2-하이드록시부틸기, 3-하이드록시부틸기, 4-하이드록시부틸기 등을 들 수 있다.As an alkyl group substituted by the hydroxy group, a hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxy The -1-methylethyl group, 2-hydroxy-1-methylethyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group, etc. are mentioned.

R1 및 R2 로서는, 바람직하게는 수소 원자, 메틸기, 하이드록시메틸기, 1-하이드록시에틸기, 2-하이드록시에틸기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 수소 원자, 메틸기를 들 수 있다.As R <1> and R <2> , Preferably, a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, and 2-hydroxyethyl group are mentioned, More preferably, a hydrogen atom and a methyl group are mentioned.

R3 으로 나타내는 알칸디일기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,2-디일기, 프로판-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기 등을 들 수 있다.Examples of the alkanediyl group represented by R 3 include a methylene group, an ethylene group, propane-1,2-diyl group, propane-1,3-diyl group, butane-1,4-diyl group and pentane-1,5-diyl group And hexane-1,6-diyl group.

X1 및 X2 로서는, 바람직하게는 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기,X 1 and X 2 are preferably a single bond, a methylene group, an ethylene group,

*-CH2-O- (* 는 O 와의 결합손을 나타낸다) 기, *-CH2CH2-O- 기를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 단결합, *-CH2CH2-O- 기를 들 수 있다.* -CH 2 -O- (* represents a bond with O) group, * -CH 2 CH 2 -O- group, More preferably, a single bond and a * -CH 2 CH 2 -O- group Can be mentioned.

식 (I) 로 나타내는 화합물로서는, 식 (I-1) ∼ 식 (I-15) 로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 식 (I-1), 식 (I-3), 식 (I-5), 식 (I-7), 식 (I-9) 또는 식 (I-11) ∼ 식 (I-15) 로 나타내는 화합물이 바람직하고, 식 (I-1), 식 (I-7), 식 (I-9) 또는 식 (I-15) 로 나타내는 화합물이 보다 바람직하다.As a compound represented by Formula (I), the compound etc. which are represented by Formula (I-1)-Formula (I-15) are mentioned. Especially, Formula (I-1), Formula (I-3), Formula (I-5), Formula (I-7), Formula (I-9) or Formula (I-11) to Formula (I-15) ) Is preferable, and the compound represented by formula (I-1), formula (I-7), formula (I-9) or formula (I-15) is more preferable.

Figure 112015092717297-pat00002
Figure 112015092717297-pat00002

식 (II) 로 나타내는 화합물로서는, 식 (II-1) ∼ 식 (II-15) 로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 식 (II-1), 식 (II-3), 식 (II-5), 식 (II-7), 식 (II-9) 또는 식 (II-11) ∼ 식 (II-15) 로 나타내는 화합물이 바람직하고, 식 (II-1), 식 (II-7), 식 (II-9) 또는 식 (II-15) 로 나타내는 화합물이 보다 바람직하다.As a compound represented by Formula (II), the compound etc. which are represented by Formula (II-1)-Formula (II-15) are mentioned. Especially, Formula (II-1), Formula (II-3), Formula (II-5), Formula (II-7), Formula (II-9), or Formula (II-11) to Formula (II-15) ) Is preferable, and the compound represented by formula (II-1), formula (II-7), formula (II-9) or formula (II-15) is more preferable.

Figure 112015092717297-pat00003
Figure 112015092717297-pat00003

식 (I) 로 나타내는 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 화합물은, 각각 단독으로 사용하거나, 2 종 이상을 병용해도 된다. 식 (I) 로 나타내는 화합물 및 식 (II) 로 나타내는 화합물을 병용하는 경우, 이들의 함유 비율〔식 (I) 로 나타내는 화합물 : 식 (II) 로 나타내는 화합물〕은 몰 기준으로, 바람직하게는 5 : 95 ∼ 95 : 5, 보다 바람직하게는 20 : 80 ∼ 80 : 20 이다.The compound represented by Formula (I) and the compound represented by Formula (II) may be used independently, respectively, or may use 2 or more types together. When using the compound represented by Formula (I) and the compound represented by Formula (II) together, these content ratios [The compound represented by Formula (I): The compound represented by Formula (II)] are mole-based, Preferably it is 5 : 95-95: 5, More preferably, it is 20: 80-80: 20.

(b2) 로서는, 옥세타닐기와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 바람직하다. (b2) 로서는, 예를 들어, 3-메틸-3-(메트)아크릴로일옥시메틸옥세탄, 3-에틸-3-(메트)아크릴로일옥시메틸옥세탄, 3-메틸-3-(메트)아크릴로일옥시에틸옥세탄, 3-에틸-3-(메트)아크릴로일옥시에틸옥세탄 등을 들 수 있다.As (b2), the monomer which has an oxetanyl group and a (meth) acryloyloxy group is preferable. As (b2), for example, 3-methyl-3- (meth) acryloyloxymethyl oxetane, 3-ethyl-3- (meth) acryloyloxymethyl oxetane, 3-methyl-3- ( Met) acryloyloxyethyl oxetane, 3-ethyl-3- (meth) acryloyloxyethyl oxetane, etc. are mentioned.

(b3) 으로서는, 테트라하이드로푸릴기와 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 단량체가 바람직하다.As (b3), the monomer which has a tetrahydrofuryl group and a (meth) acryloyloxy group is preferable.

(b3) 으로서는, 구체적으로는, 테트라하이드로푸르푸릴아크릴레이트 (예를 들어, 비스코트 V#150, 오사카 유기 화학공업 (주) 제조), 테트라하이드로푸르푸릴메타크릴레이트 등을 들 수 있다.As (b3), tetrahydrofurfuryl acrylate (For example, biscoat V # 150, Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. product), tetrahydrofurfuryl methacrylate, etc. are mentioned specifically ,.

(c) 로서는, (메트)아크릴산에스테르류, N-치환 말레이미드류, 불포화 디카르복실산디에스테르류, 지환식 불포화 화합물류, 불포화 카르복실산류, 불포화 카르복실산 무수물류, 스티렌류, 그 밖의 비닐 화합물 등을 들 수 있다.As (c), (meth) acrylic acid ester, N-substituted maleimide, unsaturated dicarboxylic acid diester, alicyclic unsaturated compound, unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic anhydride, styrene, others Vinyl compounds; and the like.

(메트)아크릴산에스테르류로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, sec-부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트 등의 알킬에스테르류 ; As (meth) acrylic acid ester, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, tert- butyl (meth) acrylate, etc. Alkyl esters;

시클로헥실(메트)아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸 8-일(메트)아크릴레이트 (당해 기술 분야에서는, 관용명으로서 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트라고 한다.), 디시클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.02,6]데센-8-일(메트)아크릴레이트 (당해 기술 분야에서는, 관용명으로서 「디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트」 라고 한다.), 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 시클로알킬에스테르류 ; Cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane 8-yl (meth) acrylate (in this technical field, dicyclopentanyl ( (Meth) acrylate.), Dicyclopentanyloxyethyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decen-8-yl (meth) acrylate (in the technical field, "Dish" Cyclopentenyl (meth) acrylate "), and cycloalkyl esters such as isobornyl (meth) acrylate;

2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬에스테르류 ; Hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate;

페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트 등의 아릴 및 아르알킬에스테르류 등을 들 수 있다.Aryl and aralkyl ester, such as phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate, etc. are mentioned.

N-치환 말레이미드류로서는, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.As N-substituted maleimide, N-phenyl maleimide, N-cyclohexyl maleimide, N-benzyl maleimide, N-succinimidyl-3- maleimide benzoate, N-succinimidyl-4- maleimide Butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide and the like.

불포화 디카르복실산디에스테르류로서는, 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diesters include diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate, and the like.

지환식 불포화 화합물류로서는, 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-하이드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-하이드록시메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-(2'-하이드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디하이드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(하이드록시메틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(2'-하이드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-하이드록시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-하이드록시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-하이드록시메틸-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-tert-부톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-시클로헥실옥시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-페녹시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-비스(tert-부톡시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-비스(시클로헥실옥시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등의 비시클로 불포화 화합물류 등을 들 수 있다.Examples of the alicyclic unsaturated compounds include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene and 5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2- N, 5-hydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxymethyl bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5- (2'-hydroxyethyl) bicyclo [ 2.2.1] hept-2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5, 6- dihydroxy ratio Cyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dimethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5 -Hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxymethyl-5-methyl Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-tert-butoxycarbonyl bicyclo [2.2.1] hept- 2-ene, 5-cyclohexyloxycarbonyl bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-phenoxycarbonyl bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5, 6-bis (tert- Bicyclo unsaturated compounds, such as butoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and 5, 6-bis (cyclohexyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene Etc. can be mentioned.

불포화 카르복실산류로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 불포화 모노카르복실산류 ; Examples of the unsaturated carboxylic acids include unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid;

말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산, 3,4,5,6-테트라하이드로프탈산, 1,2,3,6-테트라하이드로프탈산, 디메틸테트라하이드로프탈산, 1,4-시클로헥센디카르복실산 등의 불포화 디카르복실산류 ; Maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, 3,4,5,6-tetrahydrophthalic acid, 1,2,3,6-tetrahydrophthalic acid, dimethyltetrahydrophthalic acid, 1,4-cyclohexene Unsaturated dicarboxylic acids such as dicarboxylic acid;

메틸-5-노르보르넨 2,3-디카르복실산, 5-카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-6-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-카르복시-6-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등의 카르복시기를 함유하는 비시클로 불포화 화합물류 ; Methyl-5-norbornene 2,3-dicarboxylic acid, 5-carboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene , 5-carboxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-methylbicyclo Bicyclo unsaturated compounds containing carboxyl groups, such as [2.2.1] hept-2-ene and 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene;

숙신산모노〔2-(메트)아크릴로일옥시에틸〕, 프탈산모노〔2-(메트)아크릴로일옥시에틸〕등의 2 가 이상의 다가 카르복실산의 불포화 모노〔(메트)아크릴로일옥시알킬〕에스테르류 ; Unsaturated mono [(meth) acryloyloxyalkyl of bivalent or more polyvalent carboxylic acids, such as monosuccinate mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] and phthalate mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] Esters;

α-(하이드록시메틸)아크릴산 등의, 동일 분자 중에 하이드록시기 및 카르복시기를 함유하는 불포화 (메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다.Unsaturated (meth) acrylates containing a hydroxyl group and a carboxyl group in the same molecule, such as (alpha)-(hydroxymethyl) acrylic acid, etc. are mentioned.

불포화 카르복실산 무수물류로서는, 무수 말레산, 시트라콘산 무수물, 이타콘산 무수물, 3-비닐프탈산 무수물, 4-비닐프탈산 무수물, 3,4,5,6-테트라하이드로프탈산 무수물, 1,2,3,6-테트라하이드로프탈산 무수물, 디메틸테트라하이드로프탈산 무수물, 5,6-디카르복시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 무수물 등의 불포화 디카르복실산류 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic anhydrides include maleic anhydride, citraconic anhydride, itaconic anhydride, 3-vinylphthalic anhydride, 4-vinylphthalic anhydride, 3,4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride, 1,2, And unsaturated dicarboxylic anhydrides such as 3,6-tetrahydrophthalic anhydride, dimethyltetrahydrophthalic anhydride, and 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene anhydride.

스티렌류로서는, 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌 등을 들 수 있다.As styrene, styrene, (alpha) -methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxy styrene, etc. are mentioned.

그 밖의 비닐 화합물로서는, (메트)아크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌 및 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.Other vinyl compounds include (meth) acrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, (meth) acrylamide, vinyl acetate, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, and the like. Can be mentioned.

(c) 로서는, 스티렌, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드 및 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등이, 중합 반응성 및 알칼리 용해성의 점에서 바람직하다.As (c), styrene, N-phenylmaleimide, N-cyclohexyl maleimide, N-benzyl maleimide, bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, etc. are preferable at the point of polymerization reactivity and alkali solubility. Do.

수지 (A-1) 에 있어서, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 수지 (A-1) 을 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In resin (A-1), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer exists in the following ranges with respect to the total mole number of the structural unit which comprises resin (A-1).

(a) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 60 몰% (보다 바람직하게는 10 ∼ 50 몰%)Structural unit derived from (a); 5-60 mol% (more preferably 10-50 mol%)

(b) 에서 유래하는 구조 단위 ; 40 ∼ 95 몰% (보다 바람직하게는 50 ∼ 90 몰%) Structural unit derived from (b); 40-95 mol% (more preferably, 50-90 mol%)

수지 (A-1) 의 구조 단위의 비율이, 상기의 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 그리고, 얻어지는 도포막 및 패턴의 내용제성, 내열성 및 기계 강도가 양호해지는 경향이 있다.When the ratio of the structural unit of resin (A-1) exists in said range, the storage stability of the photosensitive resin composition, the developability at the time of forming a pattern from the photosensitive resin composition, and the solvent resistance of the coating film and pattern obtained, There exists a tendency for heat resistance and mechanical strength to become favorable.

수지 (A-1) 로서는, (b) 가 (b1) 인 수지 (A-1) 이 바람직하고, (b) 가 (b1-2) 인 수지 (A-1) 이 보다 바람직하다.As resin (A-1), resin (A-1) whose (b) is (b1) is preferable, and resin (A-1) whose (b) is (b1-2) is more preferable.

수지 (A-1) 은 예를 들어, 문헌 「고분자 합성의 실험법」(오츠 타카유키 저술 발행소 (주) 화학 동인 제 1 판 제 1 쇄 1972 년 3 월 1 일 발행) 에 기재된 방법 및 당해 문헌에 기재된 인용 문헌을 참고로 하여 제조할 수 있다.The resin (A-1) is described in, for example, the method described in the document "Experimental Method of Polymer Synthesis" (Osaka Yuki Publishing Co., Ltd., Chemical Co., Ltd., First Edition First Edition March 1, 1972) and the document. It can manufacture with reference to the cited document.

구체적으로는, (a) 및 (b) 의 소정량, 중합 개시제 및 용제 등을 반응 용기 중에 넣고, 예를 들어, 질소에 의해 대기 중의 산소를 치환함으로써, 탈산소 분위기로 하고, 교반하면서, 가열 및 보온하는 방법이 예시된다. 또한, 여기서 사용되는 중합 개시제 및 용제 등은, 특별히 한정되지 않고, 당해 분야에서 통상적으로 사용되고 있는 것 모두 사용할 수 있다. 예를 들어, 중합 개시제로서는, 아조 화합물 (2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 등) 이나 유기 과산화물 (벤조일퍼옥사이드 등) 을 들 수 있고, 용제로서는, 각 단량체를 용해하는 것이면 되고, 감광성 수지 조성물의 용제 (E) 로서 후술하는 용제 등을 사용할 수 있다. 얻어지는 수지의 분자량을 조정하기 위해서, 중합 반응시에 연쇄 이동제를 첨가해도 된다. 연쇄 이동제로서는, n-부탄티올, tert-부탄티올, n-도데칸티올, 2-술파닐에탄올, 티오글리콜산, 티오글리콜산에틸, 티오글리콜산2-에틸헥실, 티오글리콜산메톡시부틸, 3-술파닐프로피온산, 술파닐기 함유 실리콘 (KF-2001 : 신에츠 화학 제조) 등의 티올류 ; 클로로포름, 4 염화탄소, 4 브롬화탄소 등의 할로겐화 알킬류 등을 들 수 있다.Specifically, a predetermined amount of (a) and (b), a polymerization initiator, a solvent, and the like are put in a reaction vessel, and, for example, by replacing with oxygen in the atmosphere by nitrogen, it is made into a deoxygen atmosphere and heated while stirring. And a method of keeping warm. In addition, the polymerization initiator, the solvent, etc. which are used here are not specifically limited, What is normally used in the said field | area can be used. For example, as a polymerization initiator, an azo compound (2,2'- azobisisobutyronitrile, 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile), etc.), an organic peroxide (benzoyl peroxide, etc.) ), And what is necessary is just to melt | dissolve each monomer as a solvent, The solvent etc. which are mentioned later as a solvent (E) of the photosensitive resin composition can be used. In order to adjust the molecular weight of resin obtained, you may add a chain transfer agent at the time of a polymerization reaction. Examples of the chain transfer agent include n-butanethiol, tert-butanethiol, n-dodecanethiol, 2-sulfanylethanol, thioglycolic acid, ethyl thioglycolate, thioglycolic acid 2-ethylhexyl and thioglycolic acid methoxybutyl, 3 Thiols, such as sulfanyl propionic acid and a sulfanyl group containing silicone (KF-2001: Shin-Etsu Chemical make); Halogenated alkyls, such as chloroform, carbon tetrachloride, and carbon tetrabromide, etc. are mentioned.

또한, 얻어진 중합체는 반응 후의 용액을 그대로 사용해도 되고, 농축 혹은 희석한 용액을 사용해도 되고, 재침전 등의 방법으로 고체 (분체) 로서 취출한 것을 사용해도 된다. 특히, 이 중합시에 용제로서 후술하는 용제 (E) 와 동일한 용제를 사용함으로써, 반응 후의 용액을 그대로 사용할 수 있어, 제조 공정을 간략화할 수 있다.In addition, the obtained polymer may use the solution after reaction as it is, may use the concentrated or diluted solution, and may use what was taken out as solid (powder) by methods, such as reprecipitation. In particular, the solution after reaction can be used as it is by using the same solvent as the solvent (E) mentioned later as a solvent at the time of this superposition | polymerization, and a manufacturing process can be simplified.

수지 (A-2) 에 있어서, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 수지 (A-2) 를 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In resin (A-2), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer exists in the following ranges with respect to the total number of moles of all the structural units which comprise resin (A-2).

(a) 에서 유래하는 구조 단위 ; 2 ∼ 40 몰% (보다 바람직하게는 5 ∼ 35 몰%)Structural unit derived from (a); 2-40 mol% (more preferably 5-35 mol%)

(c) 에서 유래하는 구조 단위 ; 1 ∼ 65 몰% (보다 바람직하게는 1 ∼ 60 몰%)Structural unit derived from (c); 1-65 mol% (more preferably 1-60 mol%)

(b) 에서 유래하는 구조 단위 ; 2 ∼ 95 몰% (보다 바람직하게는 5 ∼ 80 몰%) Structural unit derived from (b); 2-95 mol% (more preferably 5-80 mol%)

수지 (A-2) 의 구조 단위의 비율이, 상기의 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 그리고, 얻어지는 도포막 및 패턴의 내용제성, 내열성 및 기계 강도가 양호해지는 경향이 있다.When the ratio of the structural unit of resin (A-2) exists in said range, the storage stability of the photosensitive resin composition, the developability at the time of forming a pattern from the photosensitive resin composition, and the solvent resistance of the coating film and pattern obtained, There exists a tendency for heat resistance and mechanical strength to become favorable.

수지 (A-2) 로서는, (b) 가 (b1) 인 수지 (A-2) 가 바람직하고, (b) 가 (b1-2) 인 수지 (A-2) 가 보다 바람직하다.As resin (A-2), resin (A-2) whose (b) is (b1) is preferable, and resin (A-2) whose (b) is (b1-2) is more preferable.

수지 (A-2) 는 수지 (A-1) 과 동일한 방법에 의해 제조할 수 있다.Resin (A-2) can be manufactured by the method similar to resin (A-1).

수지 (A) 의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 3,000 ∼ 100,000, 보다 바람직하게는 5,000 ∼ 50,000 이다. 수지 (A) 의 중량 평균 분자량이, 상기의 범위에 있으면, 도포성이 우수한 경향이 있고, 또 현상시에 노광부의 막 감소가 생기기 어렵고, 또한 비노광부가 현상으로 제거되기 쉽다.The weight average molecular weight of polystyrene conversion of resin (A) becomes like this. Preferably it is 3,000-100,000, More preferably, it is 5,000-50,000. When the weight average molecular weight of resin (A) exists in the said range, it exists in the tendency which is excellent in applicability | paintability, and the film | membrane decrease of an exposed part hardly arises at the time of image development, and a non-exposure part is easy to remove by image development.

수지 (A) 의 분자량 분포[중량 평균 분자량 (Mw)/수평균 분자량 (Mn)]은, 바람직하게는 1.1 ∼ 6.0 이며, 보다 바람직하게는 1.2 ∼ 4.0 이다. 분자량 분포가 상기의 바람직한 범위에 있으면, 현상성이 우수한 경향이 있다.The molecular weight distribution [weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)] of resin (A) becomes like this. Preferably it is 1.1-6.0, More preferably, it is 1.2-4.0. When molecular weight distribution exists in the said preferable range, it exists in the tendency which is excellent in developability.

수지 (A) 의 산가는 통상적으로 20 ∼ 150 mgKOH/g 이며, 바람직하게는 40 ∼ 135 mgKOH/g, 보다 바람직하게는 50 ∼ 135 mgKOH/g 이다. 여기서 산가는 수지 1 g 을 중화하는데 필요한 수산화칼륨의 양 (mg) 으로서 측정되는 값이며, 수산화칼륨 수용액을 사용하여 적정함으로써 구할 수 있다.The acid value of resin (A) is 20-150 mgKOH / g normally, Preferably it is 40-135 mgKOH / g, More preferably, it is 50-135 mgKOH / g. The acid value is a value measured as the amount (mg) of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of the resin, and can be obtained by titration using an aqueous potassium hydroxide solution.

수지 (A) 의 함유량은 수지 (A) 와 중합성 화합물 (C) 의 합계 함유량에 대해, 45 질량% 이상 80 질량% 이하이며, 바람직하게는 48 질량% 이상 75 질량% 이하이며, 보다 바람직하게는 50 질량% 이상 70 질량% 이하이다.Content of resin (A) is 45 mass% or more and 80 mass% or less with respect to the total content of resin (A) and a polymeric compound (C), Preferably they are 48 mass% or more and 75 mass% or less, More preferably, Is 50 mass% or more and 70 mass% or less.

수지 (A) 의 함유량이 수지 (A) 와 중합성 화합물 (C) 의 합계 함유량에 대해 80 질량% 를 초과하면, 감광성 수지 조성물로부터 형성한 도포막을 현상할 때에 현상 시간이 길어지는 경향이 있다.When content of resin (A) exceeds 80 mass% with respect to the total content of resin (A) and a polymeric compound (C), when developing the coating film formed from the photosensitive resin composition, there exists a tendency for developing time to become long.

수지 (A) 의 함유량이 상기의 바람직한 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물에 의해 형성한 격벽에서 패터닝된 기반 표면의 습윤성이 양호해진다.When content of resin (A) exists in the said preferable range, the wettability of the base surface patterned by the partition formed with the photosensitive resin composition becomes favorable.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 수지 (B) 를 함유한다. 수지 (B) 는 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 불포화 화합물 (d) (이하 「(d)」 라고 하는 경우가 있다) 에서 유래하는 구조 단위를 함유하는 중합체이다.The photosensitive resin composition of this invention contains resin (B). Resin (B) is a polymer containing the structural unit derived from the unsaturated compound (d) (Hereinafter, it may be called "(d)") which has a C4-C6 perfluoroalkyl group.

(d) 로서는, 식 (d-0) 으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As (d), the compound represented by a formula (d-0) is mentioned.

Figure 112015092717297-pat00004
Figure 112015092717297-pat00004

[식 (d-0) 중, Rf 는 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.R <f> represents a C4-C6 perfluoroalkyl group in a formula (d-0).

Rd 는 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 페닐기, 벤질기 또는 탄소수 1 ∼ 21 의 알킬기를 나타내고, 그 알킬기에 함유되는 수소 원자는, 할로겐 원자 또는 하이드록시기로 치환되어 있어도 된다.R d represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a phenyl group, a benzyl group, or an alkyl group having 1 to 21 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the alkyl group may be substituted with a halogen atom or a hydroxy group.

Xd 는 단결합, 탄소수 1 ∼ 10 의 2 가의 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 ∼ 10 의 2 가의 지환식 탄화수소기 또는 탄소수 6 ∼ 12 의 2 가의 방향족 탄화수소기를 나타내고, 그 지방족 탄화수소기 및 그 지환식 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 는, -O-, -CO-, -NRe-, -S- 또는 -SO2- 로 치환되어 있어도 된다.]X d represents a single bond, a divalent aliphatic hydrocarbon group of 1 to 10 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group of 3 to 10 carbon atoms, or a divalent aromatic hydrocarbon group of 6 to 12 carbon atoms, the aliphatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon thereof -CH 2 -contained in the group may be substituted with -O-, -CO-, -NR e- , -S- or -SO 2- .]

Rf 는 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기이며, 퍼플루오로부틸기 및 퍼플루오로헥실기가 바람직하다.R f is a C 4 to C 6 perfluoroalkyl group, and a perfluorobutyl group and a perfluorohexyl group are preferable.

Rd 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 21 의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등의 직사슬형 알킬기 ; As a C1-C21 alkyl group in R <d> , a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-no Linear alkyl groups such as a silyl group and n-decyl group;

이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, 이소펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸헥실기, 2-메틸헥실기, 3-메틸헥실기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기, 1-에틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 3-에틸펜틸기, 1-프로필부틸기, 1-메틸헵틸기, 2-메틸헵틸기, 3-메틸헵틸기, 4-메틸헵틸기, 5-메틸헵틸기, 6-메틸헵틸기, 1-에틸헥실기, 2-에틸헥실기, 3-에틸헥실기, 4-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, 1-부틸부틸기, 1-부틸-2-메틸부틸기, 1-부틸-3-메틸부틸기, tert-부틸기, 1,1-디메틸프로필기, 1,1-디메틸부틸기, 1,2-디메틸부틸기, 1,3-디메틸부틸기, 2,3-디메틸부틸기, 1-에틸-2-메틸프로필기, 1,1-디메틸펜틸기, 1,2-디메틸펜틸기, 1,3-디메틸펜틸기, 1,4-디메틸펜틸기, 2,2-디메틸펜틸기, 2,3-디메틸펜틸기, 2,4-디메틸펜틸기, 3,3-디메틸펜틸기, 3,4-디메틸펜틸기, 1-에틸-1-메틸부틸기, 2-에틸-3-메틸부틸기 등의 분지 사슬형 알킬기 등을 들 수 있다.Isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, isopentyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethyl Butyl, 1-methylhexyl, 2-methylhexyl, 3-methylhexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, 1-ethylpentyl, 2-ethylpentyl, 3-ethylpentyl , 1-propylbutyl group, 1-methylheptyl group, 2-methylheptyl group, 3-methylheptyl group, 4-methylheptyl group, 5-methylheptyl group, 6-methylheptyl group, 1-ethylhexyl group, 2 -Ethylhexyl group, 3-ethylhexyl group, 4-ethylhexyl group, 2-propylpentyl group, 1-butylbutyl group, 1-butyl-2-methylbutyl group, 1-butyl-3-methylbutyl group, tert -Butyl group, 1,1-dimethylpropyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1-ethyl-2- Methylpropyl group, 1,1-dimethylpentyl group, 1,2-dimethylpentyl group, 1,3-dimethylpentyl group, 1,4-dimethylpentyl group, 2,2-dimethylpentyl group, 2,3-dimethylpentyl Tyl group, 2,4-dimethyl pentyl group, 3,3-dimethyl pen And the like group, a 3,4-dimethyl pentyl group, 1-ethyl-1-methylbutyl group, 2-ethyl-3-methyl-branched alkyl group such as a butyl group.

Rd 로서는, 수소 원자, 할로겐 원자 및 메틸기가 바람직하다.As R d , a hydrogen atom, a halogen atom and a methyl group are preferable.

Xd 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 10 의 2 가의 지방족 탄화수소기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부탄-1,4-디일기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-1,2-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기 등의 알칸디일기를 들 수 있다.Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms for X d include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, Butane-1,3-diyl group, butane-1,2-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1,6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8 Alkanediyl groups, such as a diyl group, are mentioned.

Xd 에 있어서의 탄소수 3 ∼ 10 의 2 가의 지환식 탄화수소기로서는, 시클로프로판디일기, 시클로부탄디일기, 시클로펜탄디일기, 시클로헥산디일기, 시클로헵탄디일기, 시클로데칸디일기 등을 들 수 있다.As a C3-C10 bivalent alicyclic hydrocarbon group in X <d> , a cyclopropanediyl group, a cyclobutanediyl group, a cyclopentanediyl group, a cyclohexanediyl group, a cycloheptandiyl group, a cyclodecanediyl group, etc. are mentioned. Can be.

Xd 에 있어서의 탄소수 6 ∼ 12 의 2 가의 방향족 탄화수소기로서는, 페닐렌기, 나프탈렌디일기 등을 들 수 있다.As a C6-C12 bivalent aromatic hydrocarbon group in X <d> , a phenylene group, a naphthalenediyl group, etc. are mentioned.

탄소수 1 ∼ 10 의 2 가의 지방족 탄화수소기 및 탄소수 3 ∼ 10 의 2 가의 지환식 탄화수소기에 함유되는 -CH2- 가, -O-, -CO-, -NRe-, -S- 또는 -SO2- 로 치환된 Xd 로서는, 예를 들어, 식 (xd-1) ∼ 식 (xd-10) 으로 나타내는 기 등을 들 수 있다.-CH 2 -contained in a divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms and a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms is -O-, -CO-, -NR e- , -S- or -SO 2 Examples of X d substituted with-include groups represented by formulas (xd-1) to (xd-10).

Figure 112015092717297-pat00005
Figure 112015092717297-pat00005

Xd 로서는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알칸디일기가 바람직하고, 에틸렌기가 보다 바람직하다.As X <d> , a C1-C6 alkanediyl group is preferable and an ethylene group is more preferable.

(d) 로서는, 식 (d-0') 로 나타내는 화합물이 바람직하다.As (d), the compound represented by a formula (d-0 ') is preferable.

Figure 112015092717297-pat00006
Figure 112015092717297-pat00006

[식 (d-0') 중, Rh 는 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다.R <h> represents a C4-C6 perfluoroalkyl group in [formula (d-0 ').

Rg 는 수소 원자, 할로겐 원자 또는 메틸기를 나타낸다.]R g represents a hydrogen atom, a halogen atom or a methyl group.]

식 (d-0) 으로 나타내는 화합물로서는, 예를 들어, 화합물 (d-1) ∼ 화합물 (d-94) 등을 들 수 있다. 표 중, Xd 란에 나타낸 식 번호는, 상기에 예시한 기의 식 번호를 나타낸다. 또, 예를 들어, 화합물 (d-1) 은 하기 식 (d-1) 로 나타내는 화합물이다.As a compound represented by a formula (d-0), a compound (d-1)-a compound (d-94) etc. are mentioned, for example. In the table, the formula number shown in the column X d represents the formula number of the group illustrated above. In addition, for example, the compound (d-1) is a compound represented by the following formula (d-1).

Figure 112015092717297-pat00007
Figure 112015092717297-pat00007

Figure 112015092717297-pat00008
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Figure 112015092717297-pat00009
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Figure 112015092717297-pat00010
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Figure 112015092717297-pat00011
Figure 112015092717297-pat00011

수지 (B) 로서는, (d) 에서 유래하는 구조 단위와, 상기 (a) 에서 유래하는 구조 단위, 그리고, 불포화 카르복실산 및/또 불포화 카르복실산 무수물 (e) (단, (a) 와는 상이하다) (이하 「(e)」 라고 하는 경우가 있다) 에서 유래하는 구조 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 수지인 것이 바람직하고, (d) 에서 유래하는 구조 단위와 (e) 에서 유래하는 구조 단위를 함유하는 수지인 것이 보다 바람직하고, (d) 에서 유래하는 구조 단위와 (e) 에서 유래하는 구조 단위와 (b) 에서 유래하는 구조 단위를 함유하는 수지인 것이 더욱 바람직하다. 수지 (B) 가 (a) 및/또는 (e) 에서 유래하는 구조 단위를 함유함으로써, 현상성이 우수하기 때문에, 잔류물이나 현상에서 유래하는 불균일이 억제되는 경향이 있다. 수지 (B) 가 (b) 에서 유래하는 구조 단위를 함유함으로써, 내용제성이 우수한 경향이 있다. 또, 수지 (B) 는 그 밖의 구조 단위를 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 구조 단위를 유도하는 단량체 (이하 「(c')」 라고 하는 경우가 있다) 로서는, 예를 들어, 상기 (c) 에서 나타낸 것 중, 불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 이외의 단량체를 들 수 있다.As resin (B), the structural unit derived from (d), the structural unit derived from said (a), and unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride (e) (however, (a) It is preferable that it is resin containing at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a structural unit derived from (it may be called "(e)" hereafter), and the structural unit derived from (d), and (e) It is more preferable that it is resin containing the structural unit derived from, and it is still more preferable that it is resin containing the structural unit derived from (d), the structural unit derived from (e), and the structural unit derived from (b). Do. Since resin (B) contains the structural unit derived from (a) and / or (e), since developability is excellent, there exists a tendency for the nonuniformity resulting from a residue and image development to be suppressed. When resin (B) contains the structural unit derived from (b), there exists a tendency which is excellent in solvent resistance. In addition, the resin (B) may contain other structural units. As a monomer (Hereinafter, it may be called "(c ')") which guide | induces another structural unit, For example, monomers other than unsaturated carboxylic acid and unsaturated carboxylic anhydride among those shown by said (c). Can be mentioned.

수지 (B) 가 (a) 및/또는 (e) 와 (d) 의 중합체인 경우, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 수지 (B) 를 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.When resin (B) is a polymer of (a) and / or (e) and (d), the ratio of the structural unit derived from each monomer is the following with respect to the total number of moles of the structural unit which comprises resin (B). It is preferable to exist in the range of.

(a) 및/또는 (e) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 40 질량% (보다 바람직하게는 10 ∼ 30 질량%)Structural unit derived from (a) and / or (e); 5-40 mass% (more preferably 10-30 mass%)

(d) 에서 유래하는 구조 단위 ; 60 ∼ 95 질량% (보다 바람직하게는 70 ∼ 90 질량%)Structural unit derived from (d); 60-95 mass% (more preferably 70-90 mass%)

수지 (B) 가 (a) 및/또는 (e), (b) 및 (d) 의 중합체인 경우, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 수지 (B) 를 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In the case where the resin (B) is a polymer of (a) and / or (e), (b) and (d), the total moles of the structural units constituting the resin (B) in the ratio of the structural units derived from each monomer It is preferable to exist in the following ranges with respect to.

(a) 및/또는 (e) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 40 질량% (보다 바람직하게는 10 ∼ 30 질량%)Structural unit derived from (a) and / or (e); 5-40 mass% (more preferably 10-30 mass%)

(b) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 80 질량% (보다 바람직하게는 10 ∼ 70 질량%)Structural unit derived from (b); 5-80 mass% (more preferably 10-70 mass%)

(d) 에서 유래하는 구조 단위 ; 10 ∼ 80 질량% (보다 바람직하게는 20 ∼ 70 질량%)Structural unit derived from (d); 10-80 mass% (more preferably 20-70 mass%)

수지 (B) 가 (a) 및/또는 (e), (b), (c') 및 (d) 의 중합체인 경우, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 수지 (B) 를 구성하는 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.When resin (B) is a polymer of (a) and / or (e), (b), (c ') and (d), the ratio of the structural unit derived from each monomer comprises resin (B). It is preferable to exist in the following ranges with respect to the total number-of-moles of a structural unit.

(a) 및/또는 (e) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 40 질량% (보다 바람직하게는 10 ∼ 30 질량%)Structural unit derived from (a) and / or (e); 5-40 mass% (more preferably 10-30 mass%)

(b) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 70 질량% (보다 바람직하게는 10 ∼ 60 질량%)Structural unit derived from (b); 5-70 mass% (more preferably 10-60 mass%)

(c') 에서 유래하는 구조 단위 ; 10 ∼ 50 질량% (보다 바람직하게는 20 ∼ 40 질량%)Structural unit derived from (c '); 10-50 mass% (more preferably 20-40 mass%)

(d) 에서 유래하는 구조 단위 ; 10 ∼ 80 질량% (보다 바람직하게는 20 ∼ 70 질량%)Structural unit derived from (d); 10-80 mass% (more preferably 20-70 mass%)

각 구조 단위의 비율이 상기의 범위에 있으면, 발액성, 현상성이 우수한 경향이 있다.When the ratio of each structural unit exists in the said range, it exists in the tendency which is excellent in liquid repellency and developability.

수지 (B) 의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 3,000 ∼ 20,000, 보다 바람직하게는 5,000 ∼ 15,000 이다. 수지 (B) 의 중량 평균 분자량이, 상기의 바람직한 범위에 있으면, 도포성이 우수한 경향이 있고, 또 현상시에 노광부의 막감소가 생기기 어렵고, 또한 비노광부가 현상에서 제거되기 쉽다.The weight average molecular weight of polystyrene conversion of resin (B) becomes like this. Preferably it is 3,000-20,000, More preferably, it is 5,000-15,000. When the weight average molecular weight of resin (B) exists in the said preferable range, it exists in the tendency which was excellent in applicability | paintability, and it is hard to produce the film | membrane reduction of an exposure part at the time of image development, and a non-exposure part is easy to remove by image development.

수지 (B) 의 산가는 20 ∼ 200 mgKOH/g 이며, 바람직하게는 40 ∼ 150 mgKOH/g 이다.The acid value of resin (B) is 20-200 mgKOH / g, Preferably it is 40-150 mgKOH / g.

수지 (B) 의 함유량은 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.001 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 5 질량부이다. 수지 (B) 의 함유량이 상기의 바람직한 범위에 있으면, 패턴 형성시에 현상성이 우수하고, 또한 얻어지는 패턴은 발액성이 우수한 경향이 있다.Content of resin (B) is 0.001-10 mass parts, More preferably, it is 0.01-5 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of resin (A), resin (A1), and a polymeric compound (C). . When content of resin (B) exists in said preferable range, it is excellent in developability at the time of pattern formation, and the pattern obtained tends to be excellent in liquid repellency.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 수지 (A1) 을 함유하고 있어도 된다. 수지 (A1) 로서는, The photosensitive resin composition of this invention may contain resin (A1). As resin (A1),

수지 (A1-1) : (e) 와 (b) 를 중합하여 이루어지는 중합체, Resin (A1-1): A polymer obtained by superposing | polymerizing (e) and (b),

수지 (A1-2) : (e) 와 (b) 와 (c') 를 중합하여 이루어지는 중합체 Resin (A1-2): A polymer obtained by polymerizing (e) and (b) and (c ')

수지 (A1-3) : (e) 와 (c') 를 중합하여 이루어지는 중합체, Resin (A1-3): A polymer obtained by superposing | polymerizing (e) and (c '),

수지 (A1-4) : (e) 와 (c') 를 중합하여 이루어지는 중합체에 (b) 를 반응시켜 얻어지는 수지, Resin (A1-4): Resin obtained by making (b) react with the polymer formed by superposing | polymerizing (e) and (c '),

수지 (A1-5) : (b) 와 (c') 를 중합하여 이루어지는 중합체에 (a) 및/또는 (e) 를 반응시켜 얻어지는 수지 등을 들 수 있다.Resin (A1-5): The resin etc. which are obtained by making (a) and / or (e) react with the polymer which superposes | polymerizes (b) and (c ') are mentioned.

수지 (A1-1) 에 있어서, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 수지 (A1-1) 을 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In resin (A1-1), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer exists in the following ranges with respect to the total number of moles of all the structural units which comprise resin (A1-1).

(e) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 60 몰% (보다 바람직하게는 10 ∼ 50 몰%)Structural unit derived from (e); 5-60 mol% (more preferably 10-50 mol%)

(b) 에서 유래하는 구조 단위 ; 40 ∼ 95 몰% (보다 바람직하게는 50 ∼ 90 몰%) Structural unit derived from (b); 40-95 mol% (more preferably, 50-90 mol%)

수지 (A1-1) 의 구조 단위의 비율이, 상기의 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 그리고, 얻어지는 도포막 및 패턴의 내용제성이 양호해지는 경향이 있다.When the ratio of the structural unit of resin (A1-1) exists in said range, the storage stability of the photosensitive resin composition, the developability at the time of forming a pattern from the photosensitive resin composition, and the solvent resistance of the coating film and pattern obtained are It tends to be good.

수지 (A1-2) 에 있어서, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 수지 (A1-2) 를 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In resin (A1-2), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer exists in the following ranges with respect to the total number of moles of all the structural units which comprise resin (A1-2).

(e) 에서 유래하는 구조 단위 ; 2 ∼ 45 몰% (보다 바람직하게는 5 ∼ 40 몰%)Structural unit derived from (e); 2-45 mol% (more preferably 5-40 mol%)

(b) 에서 유래하는 구조 단위 ; 2 ∼ 95 몰% (보다 바람직하게는 5 ∼ 80 몰%)Structural unit derived from (b); 2-95 mol% (more preferably 5-80 mol%)

(c') 에서 유래하는 구조 단위 ; 1 ∼ 65 몰% (보다 바람직하게는 5 ∼ 60 몰%) Structural unit derived from (c '); 1-65 mol% (more preferably 5-60 mol%)

수지 (A1-2) 의 구조 단위의 비율이, 상기의 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 그리고, 얻어지는 도포막 및 패턴의 내용제성이 양호해지는 경향이 있다.When the ratio of the structural unit of resin (A1-2) exists in said range, the storage stability of the photosensitive resin composition, the developability at the time of forming a pattern from the photosensitive resin composition, and the solvent resistance of the coating film and pattern obtained are It tends to be good.

수지 (A1-3) 에 있어서, 각 단량체에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 수지 (A1-3) 을 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.In resin (A1-3), it is preferable that the ratio of the structural unit derived from each monomer exists in the following ranges with respect to the total mole number of all the structural units which comprise resin (A1-3).

(e) 에서 유래하는 구조 단위 ; 2 ∼ 40 몰% (보다 바람직하게는 5 ∼ 35 몰%)Structural unit derived from (e); 2-40 mol% (more preferably 5-35 mol%)

(c') 에서 유래하는 구조 단위 ; 60 ∼ 98 몰% (보다 바람직하게는 65 ∼ 95 몰%) Structural unit derived from (c '); 60-98 mol% (More preferably, 65-95 mol%)

수지 (A1-1) 의 구조 단위의 비율이, 상기의 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 그리고, 얻어지는 도포막 및 패턴의 내용제성이 양호해지는 경향이 있다.When the ratio of the structural unit of resin (A1-1) exists in said range, the storage stability of the photosensitive resin composition, the developability at the time of forming a pattern from the photosensitive resin composition, and the solvent resistance of the coating film and pattern obtained are It tends to be good.

수지 (A1-4) 는 (e) 와 (c') 의 중합체에, (b) 를 반응시켜 얻어지는 수지이다.Resin (A1-4) is resin obtained by making (b) react with the polymer of (e) and (c ').

수지 (A1-4) 는 예를 들어, 2 단계의 공정을 거쳐 제조할 수 있다. 이 경우도, 상기 서술한 문헌 「고분자 합성의 실험법」 (오츠 타카유키 저술 발행소 (주) 화학 동인 제 1 판 제 1 쇄 1972 년 3 월 1 일 발행) 에 기재된 방법, 일본 공개특허공보 2001-89533호에 기재된 방법 등을 참고로 하여 제조할 수 있다.Resin (A1-4) can be manufactured through a two-step process, for example. Also in this case, the method as described in the above-mentioned document "Experimental method of polymer synthesis" (Otsu Takayuki Publishing Co., Ltd. first edition first edition March 1, 1972). It can manufacture with reference to the method etc. which were described in.

먼저, 제 1 단계로서, 상기 서술한 수지 (A-1) 의 제조 방법과 마찬가지로 하여, (e) 와 (c') 의 중합체를 얻는다.First, as a 1st step, the polymer of (e) and (c ') is obtained similarly to the manufacturing method of resin (A-1) mentioned above.

이 경우, 상기와 마찬가지로, 얻어진 중합체는, 반응 후의 용액을 그대로 사용해도 되고, 농축 혹은 희석한 용액을 사용해도 되고, 재침전 등의 방법으로 고체 (분체) 로서 취출한 것을 사용해도 된다. 또, 상기와 동일한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 및 분자량 분포[중량 평균 분자량 (Mw)/수평균 분자량 (Mn)]으로 하는 것이 바람직하다.In this case, similarly to the above, the obtained polymer may use the solution after reaction as it is, the concentrated or diluted solution may be used, and the thing taken out as a solid (powder) by methods, such as reprecipitation, may be used. Moreover, it is preferable to set it as the weight average molecular weight and molecular weight distribution [weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)] of polystyrene conversion similar to the above.

단, (e) 및 (c') 에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 상기의 중합체를 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.However, it is preferable that the ratio of the structural unit derived from (e) and (c ') exists in the following ranges with respect to the total mole number of all the structural units which comprise the said polymer.

(e) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 50 몰% (보다 바람직하게는 10 ∼ 45 몰%)Structural unit derived from (e); 5-50 mol% (more preferably 10-45 mol%)

(c') 에서 유래하는 구조 단위 ; 50 ∼ 95 몰% (보다 바람직하게는 55 ∼ 90 몰%)Structural unit derived from (c '); 50-95 mol% (more preferably 55-90 mol%)

다음으로, 제 2 단계로서, 얻어진 중합체에서 유래하는 (e) 의 카르복실산 및 카르복실산 무수물의 일부를, 전술한 (b) 의 고리형 에테르와 반응시킨다. 고리형 에테르의 반응성이 높고, 미반응의 (b) 가 잔존하기 어려운 점에서, 수지 (A1-2) 에 사용되는 (b) 로서는 (b1) 또는 (b2) 가 바람직하고, (b1-1) 이 보다 바람직하다.Next, as a 2nd step, a part of carboxylic acid and carboxylic anhydride of (e) derived from the obtained polymer is made to react with the cyclic ether of above-mentioned (b). Since the reactivity of the cyclic ether is high and unreacted (b) is hard to remain, as (b) used for the resin (A1-2), (b1) or (b2) is preferable, and (b1-1) This is more preferable.

구체적으로는, 상기에 계속해서, 플라스크 내 분위기를 질소에서 공기로 치환하고, (e) 의 몰수에 대해, 5 ∼ 80 몰% 의 (b), 카르복시기와 고리형 에테르의 반응 촉매 (예를 들어 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등) 를 (e), (b) 및 (c') 의 합계량에 대해 0.001 ∼ 5 질량%, 및 중합 금지제 (예를 들어 하이드로퀴논 등) 를 (a), (b) 및 (c) 의 합계량에 대해 0.001 ∼ 5 질량% 를 플라스크 내에 넣고, 60 ∼ 130 ℃ 에서, 1 ∼ 10 시간 반응시켜, 수지 (A1-4) 를 얻을 수 있다. 또한, 중합 조건과 마찬가지로, 제조 설비나 중합에 의한 발열량 등을 고려하여, 주입 방법이나 반응 온도를 적절히 조정할 수 있다.Specifically, subsequent to the above, the atmosphere in the flask is replaced with nitrogen by air, and the reaction catalyst of 5 to 80 mol% of (b), a carboxyl group and a cyclic ether (for example, to the number of moles of (e)) 0.001-5 mass% with respect to the total amount of (e), (b), and (c '), and a polymerization inhibitor (for example, hydroquinone etc.) to (a), ( 0.001-5 mass% is put in a flask with respect to the total amount of b) and (c), it is made to react at 60-130 degreeC for 1 to 10 hours, and resin (A1-4) can be obtained. In addition, similarly to the polymerization conditions, the injection method and the reaction temperature can be appropriately adjusted in consideration of the amount of heat generated by the production equipment, the polymerization and the like.

또, 이 경우, (b) 의 몰수는 (e) 의 몰수에 대해, 10 ∼ 75 몰% 로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15 ∼ 70 몰% 이다. 상기의 바람직한 범위로 함으로써, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 감광성 수지 조성물로부터 패턴을 형성할 때의 현상성, 그리고, 얻어지는 도포막 및 패턴의 내용제성, 내열성, 기계 강도 및 감도의 밸런스가 양호해지는 경향이 있다.In this case, the number of moles of (b) is preferably 10 to 75 mol%, more preferably 15 to 70 mol% with respect to the number of moles of (e). By setting it as said preferable range, the storage stability of the photosensitive resin composition, the developability at the time of forming a pattern from the photosensitive resin composition, and the balance of the solvent resistance, heat resistance, mechanical strength, and the sensitivity of the coating film and pattern obtained become favorable. There is this.

수지 (A1-5) 는 제 1 단계로서, 상기 서술한 수지 (A-1) 의 제조 방법과 마찬가지로 하여, (b) 와 (c') 의 중합체를 얻는다.Resin (A1-5) is a 1st step and obtains the polymer of (b) and (c ') similarly to the manufacturing method of resin (A-1) mentioned above.

이 경우, 상기와 마찬가지로, 얻어진 중합체는, 반응 후의 용액을 그대로 사용해도 되고, 농축 혹은 희석한 용액을 사용해도 되고, 재침전 등의 방법으로 고체 (분체) 로서 취출한 것을 사용해도 된다.In this case, similarly to the above, the obtained polymer may use the solution after reaction as it is, the concentrated or diluted solution may be used, and the thing taken out as a solid (powder) by methods, such as reprecipitation, may be used.

(b) 및 (c') 에서 유래하는 구조 단위의 비율이, 상기의 중합체를 구성하는 전체 구조 단위의 합계 몰수에 대해, 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the ratio of the structural unit derived from (b) and (c ') exists in the following ranges with respect to the total mole number of all the structural units which comprise the said polymer.

(b) 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 95 몰% (보다 바람직하게는 10 ∼ 90 몰%)Structural unit derived from (b); 5-95 mol% (more preferably 10-90 mol%)

(c') 에서 유래하는 구조 단위 ; 5 ∼ 95 몰% (보다 바람직하게는 10 ∼ 90 몰%)Structural unit derived from (c '); 5-95 mol% (more preferably 10-90 mol%)

또한, 수지 (A1-4) 의 제조 방법과 마찬가지로 하여, (b) 와 (c') 의 중합체 중의 (b) 에서 유래하는 고리형 에테르에, (a) 및/또는 (e) 가 갖는 카르복실산 또는 카르복실산 무수물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 고리형 에테르와 카르복실산 또는 카르복실산 무수물의 반응에 의해 발생하는 하이드록시기에, 추가로 카르복실산 무수물을 반응시켜도 된다.Moreover, the carboxyl which (a) and / or (e) has in the cyclic ether derived from (b) in the polymer of (b) and (c ') similarly to the manufacturing method of resin (A1-4). It can obtain by making acid or carboxylic anhydride react. You may make carboxylic anhydride further react with the hydroxyl group which arises by reaction of a cyclic ether, carboxylic acid, or carboxylic anhydride.

상기의 중합체에 반응시키는 (a) 및/또는 (e) 의 사용량은, (b) 의 몰수에 대해 5 ∼ 80 몰% 인 것이 바람직하다. 고리형 에테르의 반응성이 높고, 미반응의 (b) 가 잔존하기 어려운 점에서, (b) 로서는 (b1) 이 바람직하고, 추가로 (b1-1) 이 바람직하다.It is preferable that the usage-amount of (a) and / or (e) made to react with said polymer is 5-80 mol% with respect to the number-of-moles of (b). (B1) is preferable and (b1-1) is preferable as (b) from the point that reactivity of a cyclic ether is high and unreacted (b) is hard to remain.

수지 (A1) 의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 3,000 ∼ 100,000, 보다 바람직하게는 5,000 ∼ 50,000 이다. 수지 (A) 의 중량 평균 분자량이, 상기의 바람직한 범위에 있으면, 도포성이 우수한 경향이 있고, 또 현상시에 노광부의 막감소가 생기기 어렵고, 또한 비노광부가 현상에서 제거되기 쉽다.The weight average molecular weight of polystyrene conversion of resin (A1) becomes like this. Preferably it is 3,000-100,000, More preferably, it is 5,000-50,000. If the weight average molecular weight of resin (A) exists in the said preferable range, it exists in the tendency which was excellent in applicability | paintability, and it is hard to produce the film | membrane decrease of an exposure part at the time of image development, and a non-exposure part is easy to remove by image development.

수지 (A1) 의 분자량 분포[중량 평균 분자량 (Mw)/수평균 분자량 (Mn)]은, 바람직하게는 1.1 ∼ 6.0 이며, 보다 바람직하게는 1.2 ∼ 4.0 이다. 분자량 분포가 상기의 바람직한 범위에 있으면, 현상성이 우수한 경향이 있다.The molecular weight distribution [weight average molecular weight (Mw) / number average molecular weight (Mn)] of resin (A1) becomes like this. Preferably it is 1.1-6.0, More preferably, it is 1.2-4.0. When molecular weight distribution exists in the said preferable range, it exists in the tendency which is excellent in developability.

수지 (A1) 의 산가는 20 ∼ 150 mgKOH/g 이며, 바람직하게는 40 ∼ 135 mgKOH/g, 보다 바람직하게는 50 ∼ 135 mgKOH/g 이다.The acid value of resin (A1) is 20-150 mgKOH / g, Preferably it is 40-135 mgKOH / g, More preferably, it is 50-135 mgKOH / g.

수지 (A1) 을 함유하는 경우, 그 함유량은 수지 (A) 및 수지 (A1) 의 합계량에 대해, 바람직하게는 1 ∼ 80 질량%, 보다 바람직하게는 1 ∼ 50 질량% 이다. 수지 (A1) 의 함유량이 상기의 바람직한 범위에 있으면, 패턴을 고감도로 형성할 수 있고, 또한 현상성이 우수하다.When it contains resin (A1), the content is preferably 1 to 80 mass%, more preferably 1 to 50 mass%, based on the total amount of the resin (A) and the resin (A1). When content of resin (A1) exists in the said preferable range, a pattern can be formed with high sensitivity and it is excellent in developability.

중합성 화합물 (C) 는 중합 개시제 (D) 로부터 발생한 활성 라디칼에 의해 중합할 수 있는 화합물로서, 예를 들어, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물 등이며, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르 화합물이다.A polymerizable compound (C) is a compound which can superpose | polymerize with the active radical which generate | occur | produced from the polymerization initiator (D), For example, it is a compound etc. which have an ethylenically unsaturated bond, Preferably it is a (meth) acrylic acid ester compound.

에틸렌성 불포화 결합을 1 개 갖는 중합성 화합물 (C) 로서는, 상기 (a), (b) 및 (c) 로서 예시한 화합물과 동일한 것을 들 수 있고, 그 중에서도, (메트)아크릴산에스테르류가 바람직하다.As a polymeric compound (C) which has one ethylenically unsaturated bond, the thing similar to the compound illustrated as said (a), (b) and (c) is mentioned, Especially, (meth) acrylic acid ester is preferable. Do.

에틸렌성 불포화 결합을 2 개 갖는 중합성 화합물 (C) 로서는, 1,3-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,3-부탄디올(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 비스페놀 A 의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 에톡시화비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 프로폭시화네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 에톡시화네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 3-메틸펜탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a polymeric compound (C) which has two ethylenically unsaturated bonds, 1, 3- butanediol di (meth) acrylate, 1, 3- butanediol (meth) acrylate, 1, 6- hexanediol di (meth) acryl Ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate , Polyethylene glycol diacrylate, bis (acryloyloxyethyl) ether of bisphenol A, ethoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, propoxylated neopentyl glycol di (meth) acrylate, ethoxylated neopentyl glycol di (Meth) acrylate, 3-methylpentanediol di (meth) acrylate, etc. are mentioned.

에틸렌성 불포화 결합을 3 개 이상 갖는 중합성 화합물 (C) 로서는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리스(2-하이드록시에틸)이소시아누레이트트리(메트)아크릴레이트, 에톡시화트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 프로폭시화트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트와 산무수물의 반응물, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트와 산무수물의 반응물, 트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트와 산무수물의 반응물, 카프로락톤 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리스(2-하이드록시에틸)이소시아누레이트트리(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨옥타(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트와 산무수물의 반응물, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트와 산무수물의 반응물, 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트와 산무수물의 반응물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에틸렌성 불포화 결합을 3 개 이상 갖는 중합성 화합물 (C) 가 바람직하고, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of the polymerizable compound (C) having three or more ethylenically unsaturated bonds include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tree. (Meth) acrylate, ethoxylated trimethylol propane tri (meth) acrylate, propoxylated trimethylol propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylic Elate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tripentaerythritol tetra (meth) acrylate, tripentaerythritol penta (meth) acrylate, tripentaerythritol hexa (meth) acrylate, tripentaerythritol Hepta (meth) acrylate, tripentaerythritol octa (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate and reactants of acid anhydride , Reactant of dipentaerythritol penta (meth) acrylate and acid anhydride, reactant of tripentaerythritolhepta (meth) acrylate and acid anhydride, caprolactone modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, caprolactone modified penta Erythritol tri (meth) acrylate, caprolactone modified tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, caprolactone modified pentaerythritol tetra (meth) acrylate, caprolactone modified dipentaerytate Ritol penta (meth) acrylate, caprolactone modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified tripentaerythritol tetra (meth) acrylate, caprolactone modified tripentaerythritol penta (meth) acrylate, Caprolactone modified tripentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone modified tripentaerythr Hepta (meth) acrylate, caprolactone modified tripentaerythritol octa (meth) acrylate, caprolactone modified pentaerythritol tri (meth) acrylate and reactants of acid anhydride, caprolactone modified dipentaerythritol penta (meth) The reactant of an acrylate and an acid anhydride, the reactant of a caprolactone modified tripentaerythritol hepta (meth) acrylate, and an acid anhydride, etc. are mentioned. Especially, the polymeric compound (C) which has three or more ethylenically unsaturated bonds is preferable, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, trimethylol propane tri (meth) acrylate, and pentaerythritol tri (meth) Acrylate is more preferable.

중합성 화합물 (C) 의 함유량은 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (C) 의 합계량에 대해, 바람직하게는 20 ∼ 55 질량%, 보다 바람직하게는 30 ∼ 45 질량% 이다. 중합성 화합물 (C) 의 함유량이 상기의 범위에 있으면, 감도나, 얻어지는 패턴의 강도, 평활성, 신뢰성이 양호해지는 경향이 있다.Content of polymeric compound (C) is 20-55 mass% with respect to the total amount of resin (A), resin (A1), and a polymeric compound (C), Preferably it is 30-45 mass%. When content of a polymeric compound (C) exists in the said range, there exists a tendency for the sensitivity and the intensity | strength, smoothness, and reliability of the pattern obtained to become favorable.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 중합 개시제 (D) 를 함유한다. 중합 개시제 (D) 로서는, 광 또는 열의 작용에 의해 중합을 개시할 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 중합 개시제를 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention contains a polymerization initiator (D). As a polymerization initiator (D), if it is a compound which can start superposition | polymerization by action of light or a heat | fever, it will not specifically limit, A well-known polymerization initiator can be used.

중합 개시제 (D) 로서 예를 들어, 알킬페논 화합물, 비이미다졸 화합물, 트리아진 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물 및 O-아실옥심 화합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2008-181087호에 기재된 광 및/또는 열 카티온 중합 개시제 (예를 들어, 오늄 카티온과 루이스산 유래의 아니온으로 구성되어 있는 것) 를 사용해도 된다. 그 중에서도, 비이미다졸 화합물, 알킬페논 화합물 및 O-아실옥심 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하고, 특히 알킬페논 화합물인 것이 바람직하다. 이들의 화합물을 함유하는 중합 개시제이면, 특히, 고감도가 되는 경향이 있어 바람직하다.As a polymerization initiator (D), an alkylphenone compound, a biimidazole compound, a triazine compound, an acylphosphine oxide compound, and an O-acyl oxime compound are mentioned, for example. Moreover, you may use the optical and / or thermal cationic polymerization initiator (for example, what consists of onium cation and an anion derived from Lewis acid) of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-181087. Especially, it is preferable that it is at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a biimidazole compound, an alkyl phenone compound, and an O-acyl oxime compound, and it is especially preferable that it is an alkyl phenone compound. If it is a polymerization initiator containing these compounds, it exists in the tendency to become especially high sensitivity, and it is preferable.

상기 O-아실옥심 화합물은 식 (d1) 로 나타내는 부분 구조를 갖는 화합물이다. 이하, * 는 결합손을 나타낸다.The O-acyl oxime compound is a compound having a partial structure represented by formula (d1). Hereinafter, * represents a bonding hand.

Figure 112015092717297-pat00012
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상기 O-아실옥심 화합물로서는, 예를 들어, N-벤조일옥시-1-(4-페닐술파닐페닐)부탄-1-온-2-이민, N-벤조일옥시-1-(4-페닐술파닐페닐)옥탄-1-온-2-이민, N-벤조일옥시-1-(4-페닐술파닐페닐)-3-시클로펜틸프로판-1-온-2-이민, N-아세톡시-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄-1-이민, N-아세톡시-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(3,3-디메틸-2,4-디옥사시클로펜타닐메틸옥시)벤조일}-9H-카르바졸-3-일]에탄-1-이민, N-아세톡시-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-3-시클로펜틸프로판-1-이민, N-벤조일옥시-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-3-시클로펜틸프로판-1-온-2-이민 등을 들 수 있다. 이르가큐어 (등록상표) OXE01, OXE02 (이상, BASF 사 제조), N-1919 (ADEKA 사 제조) 등의 시판품을 사용해도 된다.As said O-acyl oxime compound, N-benzoyloxy-1- (4-phenylsulfanylphenyl) butan-1-one-2-imine and N-benzoyloxy-1- (4-phenylsulfanyl, for example) Phenyl) octan-1-one-2-imine, N-benzoyloxy-1- (4-phenylsulfanylphenyl) -3-cyclopentylpropane-1-one-2-imine, N-acetoxy-1- [ 9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] ethane-1-imine, N-acetoxy-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- ( 3,3-dimethyl-2,4-dioxacyclopentanylmethyloxy) benzoyl # -9H-carbazol-3-yl] ethane-1-imine, N-acetoxy-1- [9-ethyl-6- ( 2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -3-cyclopentylpropane-1-imine, N-benzoyloxy-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbox Bazol-3-yl] -3-cyclopentylpropane-1-one-2-imine, and the like. You may use commercially available products, such as Irgacure (trademark) OXE01, OXE02 (above BASF Corporation), and N-1919 (ADEKA Corporation).

상기 알킬페논 화합물은 식 (d2) 로 나타내는 부분 구조 또는 식 (d3) 으로 나타내는 부분 구조를 갖는 화합물이다. 이들의 부분 구조 중, 벤젠 고리는 치환기를 가지고 있어도 된다.The alkylphenone compound is a compound having a partial structure represented by the formula (d2) or a partial structure represented by the formula (d3). In these partial structures, the benzene ring may have a substituent.

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식 (d2) 로 나타내는 부분 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들어, 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온, 2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질부탄-1-온, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]부탄-1-온 등을 들 수 있다. 이르가큐어 (등록상표) 369, 907, 379 (이상, BASF 사 제조) 등의 시판품을 사용해도 된다.As a compound which has a partial structure represented by a formula (d2), for example, 2-methyl-2- morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) propan-1-one, 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -2-benzylbutan-1-one, 2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] Butan-1-one etc. are mentioned. You may use commercial items, such as Irgacure (trademark) 369, 907, 379 (above, BASF Corporation make).

식 (d3) 으로 나타내는 부분 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들어, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2-하이드록시-2-메틸-1-〔4-(2-하이드록시에톡시)페닐〕프로판-1-온, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-(4-이소프로페닐페닐)프로판-1-온의 올리고머, α,α-디에톡시아세토페논, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.As a compound which has a partial structure represented by Formula (d3), for example, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one and 2-hydroxy-2-methyl-1- [4- ( Oligomer of 2-hydroxyethoxy) phenyl] propan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1- (4-isopropenylphenyl) propan-1-one and α, α-diethoxyacetophenone, benzyl dimethyl ketal and the like.

감도의 점에서, 알킬페논 화합물로서는, 식 (d2) 로 나타내는 부분 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.In terms of sensitivity, as the alkylphenone compound, a compound having a partial structure represented by formula (d2) is preferable.

상기 비이미다졸 화합물로서는, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평6-75372호, 일본 공개특허공보 평6-75373호 등 참조.), 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(알콕시페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(디알콕시페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(트리알콕시페닐)비이미다졸 (예를 들어, 일본 공고특허공보 소48-38403호, 일본 공개특허공보 소62-174204호 등 참조.), 4,4',5,5'- 위치의 페닐기가 카르보알콕시기에 의해 치환되어 있는 이미다졸 화합물 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평7-10913호 등 참조.) 등을 들 수 있다. 바람직하게는 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸을 들 수 있다.Examples of the biimidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole and 2,2'-bis (2,3-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole (see, for example, JP-A-6-75372, JP-A-6-75373, etc.), 2,2'- Bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetra (alkoxy Phenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (dialkoxyphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl ) -4,4 ', 5,5'-tetra (trialkoxyphenyl) biimidazole (see, eg, JP-A-48-38403, JP-A-62-174204, etc.), The imidazole compound (For example, refer Unexamined-Japanese-Patent No. 7-10913 etc.) in which the phenyl group of a 4,4 ', 5,5'-position is substituted by the carboalkoxy group. Preferably 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,3-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole and 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole.

상기 트리아진 화합물로서는, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-〔2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐〕-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-〔2-(푸란-2-일)에테닐〕-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-〔2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐〕-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-〔2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐〕-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다.Examples of the triazine compound include 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (4-methoxyphenyl) -1,3,5-triazine and 2,4-bis (trichloromethyl) -6- ( 4-methoxynaphthyl) -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6-piperonyl-1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloro Rhomethyl) -6- (4-methoxystyryl) -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (5-methylfuran-2-yl) Ethenyl] -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (furan-2-yl) ethenyl] -1,3,5-triazine, 2 , 4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl)- 6- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -1,3,5-triazine and the like.

상기 아실포스핀옥사이드 화합물로서는, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.2,4,6-trimethylbenzoyl diphenyl phosphine oxide etc. are mentioned as said acylphosphine oxide compound.

또한 중합 개시제 (D) 로서는, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인계 화합물 ; 벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-페닐벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐설파이드, 3,3',4,4'-테트라(tert-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논 등의 벤조페논계 화합물 ; 9,10-페난트렌퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 캄파퀴논 등의 퀴논계 화합물 ; 10-부틸-2-클로로아크리돈, 벤질, 페닐글리옥실산메틸, 티타노센 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 후술하는 중합 개시 보조제 (D1) 과 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.Moreover, as a polymerization initiator (D), Benzoin type compounds, such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether; Benzophenone, methyl o-benzoyl benzoate, 4-phenyl Benzo such as benzophenone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenylsulfide, 3,3 ', 4,4'-tetra (tert-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 2,4,6-trimethylbenzophenone Phenone compounds; quinone compounds such as 9,10-phenanthrenequinone, 2-ethylanthraquinone and camphorquinone; 10-butyl-2-chloroacridone, benzyl, methyl phenylglyoxylate, titanocene compound and the like. Can be mentioned. It is preferable to use these in combination with the polymerization start adjuvant (D1) mentioned later.

연쇄 이동을 일으킬 수 있는 기를 갖는 중합 개시제로서, 일본 공표특허공보 2002-544205호에 기재되어 있는 중합 개시제를 사용해도 된다.As a polymerization initiator which has a group which can cause chain transfer, you may use the polymerization initiator of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-544205.

상기의 연쇄 이동을 일으킬 수 있는 기를 갖는 중합 개시제는, 수지 (A) 를 구성하는 성분 (c) 로서도 사용할 수 있다.The polymerization initiator which has a group which can cause said chain transfer can be used also as a component (c) which comprises resin (A).

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 상기 서술한 중합 개시제 (D) 와 함께, 중합 개시 보조제 (D1) 을 사용할 수 있다. 중합 개시 보조제 (D1) 은 중합 개시제 (D) 와 조합하여 사용되고, 중합 개시제에 의해 중합이 개시된 중합성 화합물의 중합을 촉진하기 위해서 사용되는 화합물, 혹은 증감제이다. 중합 개시 보조제 (D1) 로서는, 티오크산톤 화합물, 아민 화합물, 카르복실산 화합물, 일본 공개특허공보 2008-65319호 및 일본 공개특허공보 2009-139932호에 기재된 화합물 등을 들 수 있다.In the photosensitive resin composition of this invention, a polymerization start adjuvant (D1) can be used with the polymerization initiator (D) mentioned above. A polymerization start adjuvant (D1) is a compound or sensitizer used in combination with a polymerization initiator (D), and used in order to accelerate superposition | polymerization of the polymeric compound in which superposition | polymerization was started with a polymerization initiator. As a polymerization start adjuvant (D1), a thioxanthone compound, an amine compound, a carboxylic acid compound, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-65319, 2009-139932, etc. are mentioned.

티오크산톤 화합물로서는, 예를 들어, 2-이소프로필티오크산톤, 4-이소프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤 등을 들 수 있다.As a thioxanthone compound, 2-isopropyl thioxanthone, 4-isopropyl thioxanthone, 2, 4- diethyl thioxanthone, 2, 4- dichloro thioxanthone, 1-chloro-4 -Propoxy thioxanthone, etc. are mentioned.

아민 화합물로서는, 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리이소프로판올아민 등의 지방족 아민 화합물, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산이소아밀, 4-디메틸아미노벤조산2-에틸헥실, 벤조산2-디메틸아미노에틸, N,N-디메틸파라톨루이딘, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 (통칭 ; 미힐러즈케톤), 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논과 같은 방향족 아민 화합물을 들 수 있다.Examples of the amine compound include aliphatic amine compounds such as triethanolamine, methyldiethanolamine and triisopropanolamine, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, isoamyl 4-dimethylaminobenzoate, and 4-dimethylaminobenzoic acid 2 -Ethylhexyl, 2-dimethylaminoethyl benzoate, N, N-dimethylparatoluidine, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone (collectively; Mihilez Ketone), 4,4'-bis (diethylamino Aromatic amine compounds, such as) benzophenone, are mentioned.

카르복실산 화합물로서는, 페닐술파닐아세트산, 메틸페닐술파닐아세트산, 에틸페닐술파닐아세트산, 메틸에틸페닐술파닐아세트산, 디메틸페닐술파닐아세트산, 메톡시페닐술파닐아세트산, 디메톡시페닐술파닐아세트산, 클로로페닐술파닐아세트산, 디클로로페닐술파닐아세트산, N-페닐글리신, 페녹시아세트산, 나프틸티오아세트산, N-나프틸글리신, 나프톡시아세트산 등의 방향족 헤테로 아세트산류를 들 수 있다.As the carboxylic acid compound, phenylsulfanyl acetic acid, methylphenylsulfanyl acetic acid, ethylphenylsulfanyl acetic acid, methylethylphenylsulfanyl acetic acid, dimethylphenylsulfanyl acetic acid, methoxyphenylsulfanyl acetic acid, dimethoxyphenylsulfanyl acetic acid, chloro And aromatic heteroacetic acids such as phenylsulfanyl acetic acid, dichlorophenylsulfanyl acetic acid, N-phenylglycine, phenoxyacetic acid, naphthylthioacetic acid, N-naphthylglycine, and naphthoxyacetic acid.

중합 개시제 (D) 와 중합 개시 보조제 (D1) 의 조합으로서는, 알킬페논 화합물과 티오크산톤 화합물, 알킬페논 화합물과 방향족 아민 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온과 2,4-디에틸티오크산톤, 2-디메틸아미노-2-벤질-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온과 2,4-디에틸티오크산톤, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온과 2,4-디에틸티오크산톤, 2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)-2-메틸프로판-1-온과 2-이소프로필티오크산톤과 4-이소프로필티오크산톤, 2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)-2-메틸프로판-1-온과 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2-디메틸아미노-2-벤질-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온과 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온과 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등을 들 수 있다.As a combination of a polymerization initiator (D) and a polymerization start adjuvant (D1), an alkyl phenone compound, a thioxanthone compound, an alkyl phenone compound, and an aromatic amine compound are mentioned, Specifically, 2-methyl-2- morpholino -1- (4-methylsulfanylphenyl) propane-1-one with 2,4-diethyl thioxanthone, 2-dimethylamino-2-benzyl-1- (4-morpholinophenyl) butane-1- On and 2,4-diethyl thioxanthone, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholinophenyl) butan-1-one and 2,4-diethylthioke Santone, 2-morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) -2-methylpropan-1-one, 2-isopropyl thioxanthone, 4-isopropyl thioxanthone, 2-morpholino- 1- (4-methylsulfanylphenyl) -2-methylpropan-1-one with 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2-dimethylamino-2-benzyl-1- (4-morpholi Nophenyl) butan-1-one and 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholinophenyl) butane-1 -On And 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone.

그 중에서도, 알킬페논 화합물과 티오크산톤 화합물의 조합이 바람직하고, 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온과 2,4-디에틸티오크산톤, 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온과 2-이소프로필티오크산톤과 4-이소프로필티오크산톤이 보다 바람직하다. 이들의 조합이면, 고감도이고, 또한 가시광 투과율이 높은 패턴이 얻어진다.Especially, the combination of an alkyl phenone compound and a thioxanthone compound is preferable, and 2-methyl- 2-morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) propane- 1-one and 2, 4- diethyl thione More preferred are oxatone, 2-methyl-2-morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) propane-1-one, 2-isopropyl thioxanthone, and 4-isopropyl thioxanthone. If it is a combination of these, a pattern with high sensitivity and high visible light transmittance will be obtained.

중합 개시제 (D) 의 함유량은 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.5 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 1 ∼ 20 질량부이며, 더욱 바람직하게는 1 ∼ 10 질량부이다. 중합 개시제 (D) 의 함유량이 상기의 바람직한 범위에 있으면, 고감도로 패턴을 얻을 수 있다.As for content of a polymerization initiator (D), with respect to 100 mass parts of total amounts of resin (A), resin (A1), and a polymeric compound (C), Preferably it is 0.5-30 mass parts, More preferably, it is 1-20 mass parts It is 1-10 mass parts more preferably. If content of a polymerization initiator (D) exists in said preferable range, a pattern can be obtained with high sensitivity.

중합 개시 보조제 (D1) 의 사용량은 수지 (A), 수지 (A1) 및 중합성 화합물 (C) 의 합계량 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.3 ∼ 7 질량부이다. 중합 개시 보조제 (D1) 의 양이 상기의 바람직한 범위에 있으면, 고감도로 패턴을 얻을 수 있고, 얻어지는 패턴은 형상이 양호하다.The amount of the polymerization start aid (D1) used is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.3 to 7 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total amount of the resin (A), the resin (A1) and the polymerizable compound (C). It is wealth. When the quantity of a polymerization start adjuvant (D1) exists in said preferable range, a pattern can be obtained with high sensitivity, and the pattern obtained has favorable shape.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 용제 (E) 를 함유하고 있어도 된다.The photosensitive resin composition of this invention may contain the solvent (E).

본 발명에 있어서 사용할 수 있는 용제로서는, 예를 들어, 에스테르 용제 (분자 내에 -COO- 를 함유하고, -O- 를 함유하지 않는 용제), 에테르 용제 (분자 내에 -O- 를 함유하고, -COO- 를 함유하지 않는 용제), 에테르에스테르 용제 (분자 내에 -COO- 와 -O- 를 함유하는 용제), 케톤 용제 (분자 내에 -CO- 를 함유하고, -COO- 를 함유하지 않는 용제), 알코올 용제, 방향족 탄화수소 용제, 아미드 용제, 디메틸술폭사이드 등 중에서 선택하여 사용할 수 있다.Examples of the solvent that can be used in the present invention include, for example, an ester solvent (a solvent containing -COO- in a molecule and no -O-), an ether solvent (-O- in a molecule, and -COO). Solvent without-), ether ester solvent (solvent containing -COO- and -O- in the molecule), ketone solvent (solvent containing -CO- in the molecule and no -COO-), alcohol It can be used, selecting from a solvent, an aromatic hydrocarbon solvent, an amide solvent, and dimethyl sulfoxide.

에스테르 용제로서는, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 2-하이드록시이소부탄산메틸, 아세트산에틸, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 포름산펜틸, 아세트산이소펜틸, 프로피온산부틸, 부티르산이소프로필, 부티르산에틸, 부티르산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 시클로헥산올아세테이트, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다.Examples of the ester solvent include methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl 2-hydroxyisobutyrate, ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, pentyl formate, isopentyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, and ethyl butyrate, Butyl butyrate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, cyclohexanol acetate, γ-butyrolactone and the like.

에테르 용제로서는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 3-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-3-메틸부탄올, 테트라하이드로푸란, 테트라하이드로피란, 1,4-디옥산, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디프로필에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 아니솔, 페네톨, 메틸아니솔 등을 들 수 있다.As the ether solvent, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene Glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, 3-methoxy-1-butanol, 3-methoxy-3-methylbutanol, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, 1,4-dioxane, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, anisole, phentol, methyl anisole Etc. can be mentioned.

에테르에스테르 용제로서는, 메톡시아세트산메틸, 메톡시아세트산에틸, 메톡시아세트산부틸, 에톡시아세트산메틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-메톡시-2-메틸프로피온산메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다.As the ether ester solvent, methyl methoxy acetate, ethyl methoxy acetate, methoxy acetate, methyl ethoxy acetate, ethyl ethoxy acetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate and methyl 3-ethoxypropionate , Ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, 2-methoxy-2- Methyl methyl propionate, 2-ethoxy-2-methyl propionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono Propyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate Bit, di, and the like ethylene glycol monobutyl ether acetate.

케톤 용제로서는, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논, 아세톤, 2-부타논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 4-메틸-2-펜타논, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 이소포론 등을 들 수 있다.As the ketone solvent, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, acetone, 2-butanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 4-methyl-2-pentanone, cyclo Pentanone, cyclohexanone, isophorone, etc. are mentioned.

알코올 용제로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the alcohol solvent include methanol, ethanol, propanol, butanol, hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol, propylene glycol, glycerin, and the like.

방향족 탄화수소 용제로서는, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌 등을 들 수 있다.As an aromatic hydrocarbon solvent, benzene, toluene, xylene, mesitylene, etc. are mentioned.

아미드 용제로서는, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.Examples of the amide solvents include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, and the like.

이들의 용제는 단독이거나 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these solvents individually or in combination of 2 or more types.

상기의 용제 중, 도포성, 건조성의 점에서, 1 atm 에 있어서의 비점이 120 ℃ 이상 180 ℃ 이하인 유기 용제가 바람직하다. 그 중에서도, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-에톡시프로피온산에틸, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시-1-부탄올 등이 바람직하다. 용제 (E) 가 이들의 바람직한 용제이면, 도포시의 불균일을 억제하여, 도포막의 평탄성을 양호하게 할 수 있다.Among the solvents described above, organic solvents having a boiling point of 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower at 1 atm are preferable from the viewpoint of applicability and dryness. Especially, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-ethoxy propionate ethyl, diethylene glycol methyl ethyl ether, 3-methoxy butyl acetate, 3-methoxy- 1-butanol, etc. are preferable. If the solvent (E) is such a preferable solvent, the nonuniformity at the time of application | coating can be suppressed and the flatness of a coating film can be made favorable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 용제 (E) 의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 총량에 대해, 바람직하게는 60 ∼ 95 질량% 이며, 보다 바람직하게는 70 ∼ 90 질량% 이다.Content of the solvent (E) in the photosensitive resin composition of this invention is 60-95 mass% with respect to the total amount of the photosensitive resin composition, Preferably it is 70-90 mass%.

바꾸어 말하면, 감광성 수지 조성물의 고형분은, 바람직하게는 5 ∼ 40 질량% 이며, 보다 바람직하게는 10 ∼ 30 질량% 이다. 용제 (E) 의 함유량이 상기의 바람직한 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물을 도포한 막의 평탄성이 높은 경향이 있다. 여기서, 고형분이란, 감광성 수지 조성물로부터 용제 (E) 를 제거한 양을 말한다.In other words, solid content of the photosensitive resin composition becomes like this. Preferably it is 5-40 mass%, More preferably, it is 10-30 mass%. When content of a solvent (E) exists in said preferable range, there exists a tendency for the flatness of the film | membrane which applied the photosensitive resin composition to be high. Here, solid content means the quantity which removed the solvent (E) from the photosensitive resin composition.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 추가로 다관능 티올 화합물 (T) 를 함유하고 있어도 된다. 다관능 티올 화합물 (T) 란, 분자 내에 2 개 이상의 술파닐기 (-SH) 를 갖는 화합물을 말한다. 특히, 지방족 탄화수소기에서 유래하는 탄소 원자와 결합하는 2 개 이상의 술파닐기를 갖는 화합물을 사용하면, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 감도가 높아지는 경향이 있다.Moreover, the photosensitive resin composition of this invention may contain the polyfunctional thiol compound (T) further. A polyfunctional thiol compound (T) means the compound which has 2 or more sulfanyl group (-SH) in a molecule | numerator. In particular, when the compound which has a 2 or more sulfanyl group couple | bonded with the carbon atom derived from an aliphatic hydrocarbon group, there exists a tendency for the sensitivity of the photosensitive resin composition of this invention to become high.

다관능 티올 화합물 (T) 로서는, 구체적으로는, 헥산디티올, 데칸디티올, 1,4-비스(메틸술파닐)벤젠, 부탄디올비스(3-술파닐프로피오네이트), 부탄디올비스(3-술파닐아세테이트), 에틸렌글리콜비스(3-술파닐아세테이트), 트리메틸올프로판트리스(3-술파닐아세테이트), 부탄디올비스(3-술파닐프로피오네이트), 트리메틸올프로판트리스(3-술파닐프로피오네이트), 트리메틸올프로판트리스(3-술파닐아세테이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-술파닐프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-술파닐아세테이트), 트리스하이드록시에틸트리스(3-술파닐프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-술파닐부틸레이트), 1,4-비스(3-술파닐부틸옥시)부탄 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyfunctional thiol compound (T) include hexanedithiol, decandithiol, 1,4-bis (methylsulfanyl) benzene, butanediolbis (3-sulfanylpropionate) and butanediolbis (3- Sulfanyl acetate), ethylene glycol bis (3-sulfanyl acetate), trimethylolpropane tris (3-sulfanyl acetate), butanediol bis (3-sulfanylpropionate), trimethylolpropane tris (3-sulfanylprop Cypionate), trimethylol propane tris (3-sulfanyl acetate), pentaerythritol tetrakis (3-sulfanyl propionate), pentaerythritol tetrakis (3-sulfanyl acetate), tris hydroxyethyl tris ( 3-sulfanyl propionate), pentaerythritol tetrakis (3-sulfanyl butyrate), 1, 4-bis (3-sulfanyl butyloxy) butane, etc. are mentioned.

다관능 티올 화합물 (T) 의 함유량은 중합 개시제 (D) 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 7 질량부이다. 다관능 티올 화합물 (T) 의 함유량이 상기의 바람직한 범위에 있으면, 감광성 수지 조성물의 감도가 높아지고, 또 현상성이 양호해지는 경향이 있어 바람직하다.Content of a polyfunctional thiol compound (T) becomes like this. Preferably it is 0.1-10 mass parts, More preferably, it is 0.5-7 mass parts with respect to 100 mass parts of polymerization initiators (D). When content of a polyfunctional thiol compound (T) exists in said preferable range, since the sensitivity of the photosensitive resin composition becomes high and developability tends to become favorable, it is preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 계면 활성제 (F) (단, 수지 (B) 와는 상이하다.) 를 함유해도 된다. 계면 활성제로서는, 예를 들어, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제, 불소 원자를 갖는 실리콘계 계면 활성제 등을 들 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention may contain surfactant (F) (however different from resin (B).). As surfactant, silicone type surfactant, a fluorochemical surfactant, silicone type surfactant which has a fluorine atom, etc. are mentioned, for example.

실리콘계 계면 활성제로서는, 실록산 결합을 갖는 계면 활성제를 들 수 있다.As silicone type surfactant, surfactant which has a siloxane bond is mentioned.

구체적으로는, 토오레 실리콘 DC3PA, 동SH7PA, 동DC11PA, 동SH21PA, 동SH28PA, 동SH29PA, 동SH30PA, 폴리에테르 변성 실리콘 오일 SH8400 (상품명 : 토오레·다우코닝 (주) 제조), KP321, KP322, KP323, KP324, KP326, KP340, KP341 (신에츠 화학공업 (주) 제조), TSF400, TSF401, TSF410, TSF4300, TSF4440, TSF4445, TSF4446, TSF4452, TSF4460 (모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 합동회사 제조) 등을 들 수 있다.Specifically, Toray silicone DC3PA, copper SH7PA, copper DC11PA, copper SH21PA, copper SH28PA, copper SH29PA, copper SH30PA, polyether modified silicone oil SH8400 (brand name: Toray Dow Corning Co., Ltd. product), KP321, KP322 , KP323, KP324, KP326, KP340, KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), TSF400, TSF401, TSF410, TSF4300, TSF4440, TSF4445, TSF4446, TSF4452, TSF4460 ), And the like.

불소계 계면 활성제로서는, 플루오로카본 사슬을 갖는 계면 활성제를 들 수 있다.As a fluorine type surfactant, surfactant which has a fluorocarbon chain | strand is mentioned.

구체적으로는, 플루오리너트 (등록상표) FC430, 동FC431 (스미토모 3M (주) 제조), 메가팍크 (등록상표) F142D, 동F171, 동F172, 동F173, 동F177, 동F183, 동R30 (DIC (주) 제조), 에프탑 (등록상표) EF301, 동EF303, 동EF351, 동EF352 (미츠비시 머티리얼 전자 화성 (주) 제조), 서프론 (등록상표) S381, 동S382, 동SC101, 동SC105 (아사히 글라스 (주) 제조), E5844 ((주) 다이킨 파인 케미컬 연구소 제조) 등을 들 수 있다.Specifically, fluorine nut (registered trademark) FC430, copper FC431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), mega pack (registered trademark) F142D, copper F171, copper F172, copper F173, copper F177, copper F183, copper R30 ( DIC Co., Ltd.), F-Top (registered trademark) EF301, EF303, EF351, EF352 (manufactured by Mitsubishi Material Electronic Chemicals Co., Ltd.) (Asahi Glass Co., Ltd. product), E5844 (made by Daikin Fine Chemical Research Institute), etc. are mentioned.

불소 원자를 갖는 실리콘계 계면 활성제로서는, 실록산 결합 및 플루오로카본 사슬을 갖는 계면 활성제를 들 수 있다. 구체적으로는, 메가팍크 (등록상표) R08, 동BL20, 동F475, 동F477, 동F443 (DIC (주) 제조) 등을 들 수 있다. 바람직하게는 메가팍크 (등록상표) F475 를 들 수 있다.As silicone type surfactant which has a fluorine atom, surfactant which has a siloxane bond and a fluorocarbon chain | strand is mentioned. Specifically, Mega Park R08, BL20, F475, F477, F443 (manufactured by DIC Corporation), and the like can be given. Preferably, Megapak (trademark) F475 is mentioned.

계면 활성제 (F) 의 함유량은 감광성 수지 조성물의 총량에 대해, 0.001 질량% 이상 0.2 질량% 이하이며, 바람직하게는 0.002 질량% 이상 0.1 질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.01 질량% 이상 0.05 질량% 이하이다. 계면 활성제를 0.001 질량% 이상 0.2 질량% 이하의 범위로 함유함으로써, 도포막의 평탄성을 양호하게 할 수 있다.Content of surfactant (F) is 0.001 mass% or more and 0.2 mass% or less with respect to the total amount of the photosensitive resin composition, Preferably it is 0.002 mass% or more and 0.1 mass% or less, More preferably, 0.01 mass% or more and 0.05 mass% or less to be. The flatness of a coating film can be made favorable by containing surfactant in 0.001 mass% or more and 0.2 mass% or less.

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 충전제, 다른 고분자 화합물, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 연쇄 이동제 등의 여러 가지 첨가제를 함유해도 된다.The photosensitive resin composition of this invention may contain various additives, such as a filler, another high molecular compound, an adhesion promoter, antioxidant, a ultraviolet absorber, a light stabilizer, a chain transfer agent, as needed.

밀착 촉진제로서는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-클로로프로필메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-술파닐프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the adhesion promoter include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, and 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane , 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-chloropropylmethyldimethoxysilane, 3 -Chloropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-sulfanylpropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldiethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltri Methoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldiethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane , 3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 안료 및 염료 등의 착색제를 실질적으로 함유하지 않는다. 즉, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 조성물 전체에 대한 착색제의 함량은, 예를 들어, 바람직하게는 1 질량% 미만, 보다 바람직하게는 0.5 질량% 미만이다.The photosensitive resin composition of this invention does not contain coloring agents, such as a pigment and dye, substantially. That is, in the photosensitive resin composition of this invention, content of the coloring agent with respect to the whole composition is, for example, Preferably it is less than 1 mass%, More preferably, it is less than 0.5 mass%.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 광로 길이가 1 cm 의 석영 셀에 충전하고, 분광 광도계를 사용하여 측정 파장 400 ∼ 700 nm 의 조건하에서 투과율을 측정한 경우의 평균 투과율이 바람직하게는 70 % 이상이며, 보다 바람직하게는 80 % 이상이다.In the photosensitive resin composition of this invention, when the optical path length is filled into the quartz cell of 1 cm, and the transmittance | permeability was measured on the conditions of 400-700 nm of measurement wavelengths using the spectrophotometer, the average transmittance is preferably 70% or more, More preferably, it is 80% or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 도포막으로 했을 때에, 도포막의 평균 투과율이 바람직하게는 90 % 이상이며, 또한 95 % 이상이 되는 것이 보다 바람직하다. 이 평균 투과율은 가열 경화 (예를 들어, 100 ∼ 250 ℃, 5 분 ∼ 3 시간의 조건으로 경화) 후의 두께가 3 ㎛ 의 도포막을, 분광 광도계를 사용하여, 측정 파장 400 ∼ 700 nm 의 조건하에서 측정한 경우의 평균치이다. 이로써, 가시광 영역에서의 투명성이 우수한 도포막을 제공할 수 있다.When the photosensitive resin composition of this invention is used as a coating film, the average transmittance of a coating film becomes like this. Preferably it is 90% or more, and it is more preferable to become 95% or more. This average transmittance | permeability is a coating film of 3 micrometers in thickness after heat-hardening (for example, 100-250 degreeC and 5 minutes-3 hours conditions) on the conditions of 400-700 nm of measurement wavelengths using a spectrophotometer. Average value when measured. Thereby, the coating film excellent in transparency in visible region can be provided.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 예를 들어, 유리, 금속, 플라스틱 등의 기판, 혹은, 컬러 필터, 각종 절연 또는 도전막, 구동 회로 등이 형성된 이들의 기판 상에 도포하고, 원하는 형상으로 패터닝하여, 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 이 패턴을, 표시 장치 등의 구성 부품의 일부로서 형성하여 사용해도 된다.The photosensitive resin composition of this invention is apply | coated on the board | substrates, such as glass, a metal, a plastics, or these board | substrates with which a color filter, various insulation or electrically conductive films, a drive circuit, etc. were formed, and patterned to a desired shape, Patterns can be formed. In addition, you may form and use this pattern as a part of component parts, such as a display apparatus.

먼저, 본 발명의 감광성 수지 조성물을, 기판 상에 도포한다.First, the photosensitive resin composition of this invention is apply | coated on a board | substrate.

도포는 상기 서술한 바와 같이, 스핀 코터, 슬릿 & 스핀 코터, 슬릿 코터, 잉크젯, 롤 코터, 딥 코터 등의 여러 가지의 도포 장치를 사용하여 실시할 수 있다.Application | coating can be performed using various coating apparatuses, such as a spin coater, a slit & spin coater, a slit coater, an inkjet, a roll coater, and a dip coater.

이어서, 건조 또는 프리베이크하여, 용제 등의 휘발 성분을 제거하여 건조시키는 것이 바람직하다. 이로써, 평활한 미경화 도포막을 얻을 수 있다.Next, it is preferable to dry or prebak, to remove volatile components, such as a solvent, and to dry. Thereby, a smooth uncured coating film can be obtained.

이 경우의 도포막의 막두께는, 특별히 한정되지 않고, 사용하는 재료, 용도 등에 따라 적절히 조정할 수 있고, 예를 들어, 1 ∼ 6 ㎛ 정도이다.The film thickness of the coating film in this case is not specifically limited, According to the material to be used, a use, etc. can be adjusted suitably, For example, it is about 1-6 micrometers.

또한, 얻어진 미경화 도포막에, 목적으로 하는 패턴을 형성하기 위한 포토마스크를 개재하여, 광, 예를 들어, 수은등, 발광 다이오드로부터 발생하는 자외선 등을 조사한다. 이 때의 포토마스크의 형상은 특별히 한정되지 않고, 형상이나 크기는 패턴의 용도에 따라 선택하면 된다.Further, light, for example, mercury lamp, ultraviolet light generated from a light emitting diode, or the like is irradiated to the obtained uncured coating film through a photomask for forming a target pattern. The shape of the photomask at this time is not specifically limited, A shape and a size may be selected according to the use of a pattern.

최근의 노광기에서는, 350 nm 미만의 광을, 이 파장역을 커트하는 필터를 사용하여 커트하거나 436 nm 부근, 408 nm 부근, 365 nm 부근의 광을, 이들의 파장역을 취출하는 밴드 패스 필터를 사용하여 선택적으로 취출하여, 노광면 전체에 균일하게 대략 평행 광선을 조사하거나 할 수 있다. 마스크 얼라이너, 스테퍼 등의 장치를 이용하면, 이 때 마스크와 기재의 정확한 위치 맞춤을 실시할 수 있다.In a recent exposure machine, a band pass filter that cuts light of less than 350 nm using a filter that cuts this wavelength range, or extracts light around 436 nm, 408 nm, and 365 nm, has a wavelength range. It can take out selectively, and irradiates a substantially parallel light beam uniformly to the whole exposure surface. When apparatuses, such as a mask aligner and a stepper, are used, the mask and a base material can be correctly aligned at this time.

노광 후의 도포막을 현상액에 접촉시켜 소정 부분, 예를 들어, 비노광부 (즉 비화소 부분) 를 용해시켜, 현상함으로써, 목적으로 하는 패턴 형상을 얻을 수 있다.The target pattern shape can be obtained by making the coating film after exposure contact a developing solution, melt | dissolving and developing a predetermined part, for example, a non-exposed part (namely, a non-pixel part).

현상 방법은 액마운팅법, 딥핑법, 스프레이법 등 어느 것이어도 된다. 또한 현상시에 기재를 임의의 각도로 기울여도 된다.The developing method may be any of a liquid mounting method, a dipping method and a spray method. In addition, during development, the substrate may be tilted at any angle.

현상에 사용하는 현상액은, 염기성 화합물의 수용액이 바람직하다.As for the developing solution used for image development, the aqueous solution of a basic compound is preferable.

염기성 화합물은 무기 및 유기의 염기성 화합물 중 어느 것이어도 된다.The basic compound may be either an inorganic or organic basic compound.

무기의 염기성 화합물의 구체예로서는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소 2 나트륨, 인산 2 수소나트륨, 인산수소 2 암모늄, 인산 2 수소암모늄, 인산 2 수소칼륨, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등을 들 수 있다.Specific examples of the inorganic basic compound include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, ammonium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium silicate, potassium silicate, sodium carbonate, potassium carbonate, Sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium borate, potassium borate, ammonia and the like.

유기의 염기성 화합물로서는, 예를 들어, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 2-하이드록시에틸트리메틸암모늄하이드록사이드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등을 들 수 있다.As an organic basic compound, For example, tetramethylammonium hydroxide, 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, Monoisopropylamine, diisopropylamine, ethanolamine and the like.

이들의 무기 및 유기의 염기성 화합물의 수용액 중의 농도는, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량% 이며, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5 질량% 이다.The concentration in the aqueous solution of these inorganic and organic basic compounds becomes like this. Preferably it is 0.01-10 mass%, More preferably, it is 0.03-5 mass%.

상기의 현상액은 계면 활성제를 함유하고 있어도 된다.The developing solution may contain a surfactant.

계면 활성제는 비이온계 계면 활성제, 아니온계 계면 활성제 또는 카티온계 계면 활성제 중 어느 것이어도 된다.The surfactant may be any of a nonionic surfactant, an anionic surfactant, or a cationic surfactant.

비이온계 계면 활성제로서는, 예를 들어, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌아릴에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르, 그 밖의 폴리옥시에틸렌 유도체, 옥시에틸렌/옥시프로필렌 블록 코폴리머, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비톨 지방산 에스테르, 글리세린 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민 등을 들 수 있다.As a nonionic surfactant, For example, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene aryl ether, polyoxyethylene alkyl aryl ether, other polyoxyethylene derivative, oxyethylene / oxypropylene block copolymer, sorbitan fatty acid ester , Polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid ester, polyoxyethylene alkylamine and the like.

아니온계 계면 활성제로서는, 예를 들어, 라우릴알코올황산에스테르나트륨이나 올레일알코올황산에스테르나트륨과 같은 고급 알코올황산에스테르염류, 라우릴황산나트륨이나 라우릴황산암모늄과 같은 알킬황산염류, 도데실벤젠술폰산나트륨이나 도데실나프탈렌술폰산나트륨과 같은 알킬아릴술폰산염류 등을 들 수 있다.Examples of the anionic surfactants include higher alcohol sulfate ester salts such as sodium lauryl alcohol sulfate and sodium oleyl alcohol sulfate, alkyl sulfates such as sodium lauryl sulfate and ammonium lauryl sulfate, and sodium dodecylbenzene sulfonate. And alkyl aryl sulfonates such as sodium dodecyl naphthalene sulfonate.

카티온계 계면 활성제로서는, 예를 들어, 스테아릴아민염산염이나 라우릴트리메틸암모늄클로라이드와 같은 아민염 또는 제 4 급 암모늄염 등을 들 수 있다.As cationic surfactant, amine salt, quaternary ammonium salt, etc., such as stearylamine hydrochloride and lauryl trimethylammonium chloride, etc. are mentioned, for example.

알칼리 현상액 중의 계면 활성제의 농도는 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량% 의 범위, 보다 바람직하게는 0.05 ∼ 8 질량%, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 5 질량% 이다.The concentration of the surfactant in the alkaline developer is preferably in the range of 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.05 to 8% by mass, and more preferably 0.1 to 5% by mass.

현상 후, 수세를 실시함으로써 패턴을 얻을 수 있다. 추가로 필요에 따라, 포스트베이크를 실시해도 된다. 포스트베이크는 예를 들어, 150 ∼ 240 ℃ 의 온도 범위, 10 ∼ 180 분간이 바람직하다.After image development, a pattern can be obtained by performing water washing. In addition, you may post-bake as needed. The postbaking is preferably, for example, a temperature range of 150 to 240 ° C for 10 to 180 minutes.

미경화 도포막을 노광할 때에, 패턴이 형성된 포토마스크를 사용하지 않고, 전체면에 광 조사를 실시하는 것 및/또는 현상을 생략함으로써, 패턴을 갖지 않는 도포막을 얻을 수 있다.When exposing an uncured coating film, the coating film which does not have a pattern can be obtained by performing light irradiation to the whole surface, and / or omitting image development, without using the photomask in which the pattern was formed.

본 발명의 표시 장치의 일례로서, 유기 EL (일렉트로루미네선스) 표시 장치에 대해 이하에 설명한다.As an example of the display device of the present invention, an organic EL (electroluminescence) display device will be described below.

도 1 은 본 발명의 표시 장치의 일례인 표시 장치 (1) 의 일부를 확대하여 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2 는 본 발명의 표시 장치의 일례인 표시 장치 (1) 의 일부를 확대하여 모식적으로 나타내는 평면도이다. 표시 장치 (1) 는 주로, 지지 기판 (2) 과, 이 지지 기판 (2) 상에 있어서 미리 설정되는 구획을 획성하는 격벽 (3) 과, 격벽 (3) 에 의해 획성되는 구획에 형성되는 복수의 유기 EL 소자 (4) 를 포함하여 구성된다. 격벽 (3) 이 본 발명의 잉크젯용 격벽에 상당한다.FIG. 1: is sectional drawing which expands and shows typically a part of display apparatus 1 which is an example of the display apparatus of this invention. FIG. 2 is a plan view schematically showing an enlarged part of the display device 1 which is an example of the display device of the present invention. The display device 1 mainly includes a support substrate 2, a partition 3 defining a partition set on the support substrate 2, and a partition formed by the partition 3. The organic electroluminescent element 4 is comprised. The partition 3 corresponds to the inkjet partition of the present invention.

격벽 (3) 은 지지 기판 (2) 상에 있어서 예를 들어 격자상 또는 스트라이프상으로 형성된다. 또한 도 2 에서는 실시의 일 형태로서 격자상의 격벽 (3) 이 형성된 표시 장치 (1) 를 나타내고 있다. 동 도면 중, 격벽 (3) 이 형성된 영역에는 해칭을 실시하고 있다.The partition 3 is formed on the support substrate 2 in a lattice shape or a stripe shape, for example. In addition, in FIG. 2, the display apparatus 1 in which the grid | lattice-shaped partition 3 was formed as one Embodiment is shown. Hatching is performed to the area | region in which the partition 3 was formed in the same figure.

지지 기판 (2) 상에는, 격벽 (3) 과 지지 기판 (2) 에 의해 규정되는 복수의 오목부 (5) 가 설정된다. 이 오목부 (5) 가 격벽 (3) 에 의해 획성되는 구획에 상당한다.On the support board | substrate 2, the some recessed part 5 prescribed | regulated by the partition 3 and the support board | substrate 2 is set. This recessed part 5 is corresponded to the division defined by the partition 3.

표시 장치 (1) 에 있어서의 격벽 (3) 은 격자상으로 형성된다. 그 때문에 지지 기판 (2) 의 두께 방향 Z 의 일방에서 보아 (이하, 「평면에서 보아」 라고 하는 경우가 있다.), 복수의 오목부 (5) 가 매트릭스상으로 배치되어 있다. 즉 오목부 (5) 는 행방향 (X) 으로 소정의 간격을 둠과 함께, 열방향 (Y) 으로도 소정의 간격을 두고 정렬하여 형성되어 있다. 각 오목부 (5) 의 평면에서 본 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 오목부 (5) 는 평면에서 보아 대략 직사각형상, 대략 타원상 및 타원형상 등의 형상으로 형성된다. 본 실시 형태에서는 평면에서 보아 대략 직사각형상의 오목부 (5) 가 형성되어 있다. 또한 본 명세서에 있어서 상기의 행방향 (X) 및 열방향 (Y) 은, 지지 기판의 두께 방향 (Z) 에 수직인 방향이고, 또한 서로 수직인 방향을 의미한다.The partition 3 in the display device 1 is formed in a lattice shape. Therefore, when viewed from one side of the thickness direction Z of the support substrate 2 (henceforth a "plane view"), the some recessed part 5 is arrange | positioned in matrix form. In other words, the recesses 5 are formed in a row in the row direction X while being aligned in the column direction Y at a predetermined interval. The shape seen from the plane of each recessed part 5 is not specifically limited. For example, the recessed part 5 is formed in the shape of substantially rectangular shape, substantially ellipse shape, elliptical shape, etc. in plan view. In this embodiment, the substantially rectangular recessed part 5 is formed in planar view. In addition, in this specification, said row direction X and column direction Y are directions perpendicular | vertical to the thickness direction Z of a support substrate, and mean the direction perpendicular | vertical to each other.

또한 다른 실시형태로서 스트라이프상의 격벽이 형성되는 경우, 격벽은 예를 들어 행방향 (X) 으로 연장되는 복수 개의 격벽 부재가, 열방향 (Y) 으로 소정 간격을 두고 배치되어 구성된다. 이 형태에서는 스트라이프상의 격벽과 지지 기판에 의해, 스트라이프상의 오목부가 규정된다.Moreover, when a stripe-shaped partition is formed as another embodiment, a partition is comprised so that a some partition wall member extended in the row direction X may be arrange | positioned at predetermined intervals in the column direction Y, for example. In this embodiment, the stripe-shaped recess is defined by the stripe-shaped partition wall and the supporting substrate.

격벽은 지지 기판으로부터 이간됨에 따라 폭이 좁아지도록 형성되어 있다. 예를 들어 열방향 (Y) 으로 연장되는 격벽을, 그 연장 방향 (열방향 (Y)) 에 수직인 평면으로 절단했을 때의 단면 형상은, 지지 기판으로부터 이간됨에 따라 폭이 좁아지도록 형성되어 있다. 도 1 에서는 등변 사다리꼴 형상의 격벽이 나타나 있고, 상저(上底)와 지지 기판측의 하저(下底)를 비교하면, 하저가 상저보다 폭이 넓다. 또한 실제로 형성되는 격벽의 단면은 반드시 사다리꼴 형상으로는 되지 않고, 사다리꼴 형상의 직선 부분 및 각이 둥그스름함을 띠고 있는 경우도 있다.The partition wall is formed to become narrower as it is separated from the supporting substrate. For example, the cross-sectional shape when the partition wall extending in the column direction Y is cut into a plane perpendicular to the extension direction (column direction Y) is formed to be narrower as it is separated from the supporting substrate. . In Fig. 1, an equilateral trapezoidal partition is shown, and the lower bottom is wider than the upper bottom when the upper bottom and the lower bottom on the support substrate side are compared. Moreover, the cross section of the partition wall actually formed does not necessarily become trapezoidal shape, but the trapezoidal linear part and angle may be round.

격벽 (3) 은 그 정상면이 발액성을 나타내는 것이 바람직하다. 또한 정상면이란, 격벽 (3) 의 표면 중에서, 지지 기판 (2) 으로부터 가장 이간된 위치에 존재하는 평면을 의미한다. 격벽 (3) 의 정상면이 발액성을 나타냄으로써, 격벽 (3) 으로 둘러싸인 영역 (오목부 (5)) 에 공급된 잉크가, 격벽 (3) 의 정면을 따라 옆의 영역으로 넘쳐 나오는 것을 방지할 수 있다.It is preferable that the top surface of the partition 3 shows liquid repellency. In addition, a top surface means the plane which exists in the position which is most separated from the support substrate 2 among the surfaces of the partition 3. By the top surface of the partition 3 exhibiting liquid repellency, it is possible to prevent the ink supplied to the area surrounded by the partition 3 (the recessed portion 5) from overflowing to the side area along the front of the partition 3. Can be.

유기 EL 소자 (4) 는 격벽 (3) 에 의해 획성되는 구획 (즉 오목부 (5)) 에 형성된다. 표시 장치 (1) 에 있어서의 격자상의 격벽 (3) 이 형성되는 경우, 각 유기 EL 소자 (4) 는 각각 각 오목부 (5) 에 형성된다. 즉 유기 EL 소자 (4) 는 각 오목부 (5) 와 마찬가지로 매트릭스상으로 배치되고, 지지 기판 (2) 상에 있어서, 행방향 (X) 으로 소정 간격을 둠과 함께, 열방향 (Y) 으로도 소정 간격을 두고 정렬하여 형성되어 있다.The organic EL element 4 is formed in a section defined by the partition 3 (that is, the recess 5). When the grid-shaped partition 3 in the display device 1 is formed, each organic EL element 4 is formed in each recessed part 5, respectively. In other words, the organic EL elements 4 are arranged in a matrix like the concave portions 5, on the support substrate 2 with a predetermined interval in the row direction X and in the column direction Y. Also, they are formed to be aligned at predetermined intervals.

격벽 (3) 의 형상 및 그 배치는, 화소 수 및 해상도 등의 표시 장치의 사양이나 제조의 용이함 등에 따라 적절히 설정된다. 예를 들어 격벽 (3) 의 행방향 (X) 또는 열방향 (Y) 의 폭은, 5 ㎛ ∼ 50 ㎛ 정도이며, 격벽 (3) 의 높이는 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛ 정도이며, 행방향 (X) 또는 열방향 (Y) 으로 이웃하는 격벽 (3) 간의 간격, 즉 오목부 (5) 의 행방향 (X) 또는 열방향 (Y) 의 폭은, 10 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도이다. 또 제 1 전극 (6) 의 행방향 (X) 또는 열방향 (Y) 의 폭은 각각 10 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도이다.The shape of the partition 3 and its arrangement are appropriately set according to specifications of the display device such as the number of pixels and the resolution, ease of manufacture, and the like. For example, the width of the row direction X or the column direction Y of the partition 3 is about 5 µm to 50 µm, and the height of the partition 3 is about 0.5 µm to 5 µm, and the row direction X Or the space | interval between the partition walls 3 which adjoin in the column direction Y, ie, the width | variety of the row direction X or the column direction Y of the recessed part 5, is about 10 micrometers-200 micrometers. Moreover, the width | variety of the row direction X or the column direction Y of the 1st electrode 6 is about 10 micrometers-about 200 micrometers, respectively.

격벽 (3) 은 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터, 전술한 패턴의 형성 방법에 의해 형성할 수 있다.The partition 3 can be formed from the photosensitive resin composition of this invention by the formation method of the pattern mentioned above.

또한 다른 실시형태로서 스트라이프상의 격벽이 형성되는 경우, 유기 EL 소자 (4) 는 행방향 (X) 으로 연장되는 각 오목부에 있어서, 행방향 (X) 으로 각각 소정의 간격을 두고 배치된다.Moreover, when stripe-shaped partitions are formed as another embodiment, the organic EL elements 4 are arranged at predetermined intervals in the row direction X, respectively, in the recesses extending in the row direction X. FIG.

표시 장치 (1) 에는 3 종류의 유기 EL 소자 (4) 가 형성된다. 즉 (1) 적색의 광을 출사하는 적색 유기 EL 소자 (4R), (2) 녹색의 광을 출사하는 녹색 유기 EL 소자 (4G), 및 (3) 청색의 광을 출사하는 청색 유기 EL 소자 (4B) 가 형성된다.Three types of organic EL elements 4 are formed in the display device 1. That is, (1) red organic EL element 4R for emitting red light, (2) green organic EL element 4G for emitting green light, and (3) blue organic EL element for emitting blue light ( 4B) is formed.

유기 EL 소자 (4) 는 제 1 전극, 유기 EL 층, 제 2 전극이 지지 기판측으로부터 이 순서로 적층되어 구성된다. 본 명세서에서는 제 1 전극 (6) 과 제 2 전극 (10) 의 사이에 형성되는 1 또는 복수의 층을 각각 유기 EL 층이라고 한다. 유기 EL 소자 (4) 는 유기 EL 층으로서 적어도 1 층의 발광층을 구비한다. 또한 유기 EL 소자는, 1 층의 발광층에 더하여, 필요에 따라 발광층과는 상이한 유기 EL 층을 추가로 구비하는 경우도 있다. 예를 들어 제 1 전극 (6) 과 제 2 전극 (10) 의 사이에는, 유기 EL 층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 등이 형성된다. 또 제 1 전극 (6) 과 제 2 전극 (10) 의 사이에는 2 층 이상의 발광층이 형성되는 경우도 있다.The organic EL element 4 is configured by stacking a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode in this order from the support substrate side. In this specification, one or several layers formed between the 1st electrode 6 and the 2nd electrode 10 are called organic electroluminescent layers, respectively. The organic EL element 4 includes at least one light emitting layer as an organic EL layer. In addition to the light emitting layer of one layer, the organic EL element may further include an organic EL layer different from the light emitting layer as necessary. For example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron block layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. are formed between the 1st electrode 6 and the 2nd electrode 10 as an organic EL layer. In addition, a light emitting layer of two or more layers may be formed between the first electrode 6 and the second electrode 10.

유기 EL 소자 (4) 는 양극 및 음극으로 이루어지는 1 쌍의 전극으로서, 제 1 전극 (6) 과 제 2 전극 (10) 을 구비한다. 제 1 전극 (6) 및 제 2 전극 (10) 중 일방의 전극은 양극으로서 형성되고, 타방의 전극은 음극으로서 형성된다. 표시 장치 (1) 에서는, 양극으로서 기능하는 제 1 전극 (6), 정공 주입층으로서 기능하는 제 1 유기 EL 층 (7), 발광층으로서 기능하는 제 2 유기 EL 층 (9), 음극으로서 기능하는 제 2 전극 (10) 이 이 순서로 지지 기판 (2) 상에 적층되어 구성되어 있다.The organic EL element 4 is a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, and includes a first electrode 6 and a second electrode 10. One electrode of the 1st electrode 6 and the 2nd electrode 10 is formed as an anode, and the other electrode is formed as a cathode. In the display device 1, a first electrode 6 functioning as an anode, a first organic EL layer 7 functioning as a hole injection layer, a second organic EL layer 9 functioning as a light emitting layer, and functioning as a cathode The 2nd electrode 10 is laminated | stacked on the support substrate 2 in this order, and is comprised.

제 1 전극 (6) 은 유기 EL 소자 (4) 마다 형성된다. 즉 유기 EL 소자 (4) 와 동수의 제 1 전극 (6) 이 지지 기판 (2) 상에 형성된다. 제 1 전극 (6) 은 유기 EL 소자 (4) 의 배치에 대응하여 형성되고, 유기 EL 소자 (4) 와 마찬가지로 매트릭스상으로 배치된다. 또한, 격벽 (3) 은 주로 제 1 전극 (6) 을 제외한 영역에 격자상으로 형성되지만, 또한 제 1 전극 (6) 의 주연부(周緣部)를 덮도록 형성되어 있다 (도 1 참조).The first electrode 6 is formed for each organic EL element 4. That is, the same number of first electrodes 6 as the organic EL elements 4 are formed on the support substrate 2. The first electrode 6 is formed corresponding to the arrangement of the organic EL elements 4, and is arranged in a matrix like the organic EL elements 4. In addition, although the partition 3 is mainly formed in grid | lattice form in the area | region except the 1st electrode 6, it is formed so that the periphery of the 1st electrode 6 may be covered (refer FIG. 1).

정공 주입층에 상당하는 제 1 유기 EL 층 (7) 은, 오목부 (5) 에 있어서 제 1 전극 (6) 상에 각각 형성된다. 이 제 1 유기 EL 층 (7) 은 필요에 따라, 유기 EL 소자의 종류마다 그 재료 또는 막두께를 다르게 하여 형성된다. 또한 제 1 유기 EL 층 (7) 의 형성 공정의 간이함의 관점에서, 동일한 재료, 동일한 막두께로 모든 제 1 유기 EL 층 (7) 을 형성해도 된다.The first organic EL layer 7 corresponding to the hole injection layer is formed on the first electrode 6 in the recess 5, respectively. This 1st organic electroluminescent layer 7 is formed by changing the material or film thickness for every kind of organic electroluminescent element as needed. Moreover, you may form all the 1st organic electroluminescent layers 7 by the same material and the same film thickness from a viewpoint of the simplicity of the formation process of the 1st organic electroluminescent layer 7.

제 1 유기 EL 층 (7) 은 제 1 유기 EL 층 (7) 이 되는 재료를 함유하는 잉크를 격벽 (3) 으로 둘러싸인 영역 (오목부 (5)) 에 잉크젯법에 의해 공급하고, 이어서, 건조, 가열 및/또는 광 조사를 실시하여 잉크를 고화시킴으로써 형성된다.The first organic EL layer 7 supplies the ink containing the material to be the first organic EL layer 7 to the region (concave portion 5) surrounded by the partition wall 3 by the inkjet method, and then dried. And the ink is solidified by heating and / or light irradiation.

발광층으로서 기능하는 제 2 유기 EL 층 (9) 은, 오목부 (5) 에 있어서 제 1 유기 EL 층 (7) 상에 형성된다. 상기 서술한 바와 같이 발광층은 유기 EL 소자의 종류에 따라 형성된다. 그 때문에 적색 발광층 (9R) 은 적색 유기 EL 소자 (4R) 가 형성되는 오목부 (5) 에 형성되고, 녹색 발광층 (9G) 은 녹색 유기 EL 소자 (4G) 가 형성되는 오목부 (5) 에 형성되고, 청색 발광층 (9B) 은 청색 유기 EL 소자 (4B) 가 형성되는 오목부 (5) 에 형성된다.The second organic EL layer 9 functioning as the light emitting layer is formed on the first organic EL layer 7 in the recess 5. As mentioned above, a light emitting layer is formed according to the kind of organic electroluminescent element. Therefore, the red light emitting layer 9R is formed in the recessed part 5 in which the red organic EL element 4R is formed, and the green light emitting layer 9G is formed in the recessed part 5 in which the green organic EL element 4G is formed. The blue light emitting layer 9B is formed in the recess 5 in which the blue organic EL element 4B is formed.

제 2 전극 (10) 은 유기 EL 소자 (4) 가 형성되는 표시 영역에 있어서 전체면에 형성된다. 즉, 제 2 전극 (10) 은 제 2 유기 EL 층 (9) 상 뿐만 아니라, 격벽 (3) 상에도 형성되고, 복수의 유기 EL 소자에 걸쳐 연속해서 형성되어 있다.The 2nd electrode 10 is formed in the whole surface in the display area in which the organic electroluminescent element 4 is formed. That is, the 2nd electrode 10 is formed not only on the 2nd organic EL layer 9 but also on the partition 3, and is formed continuously over the some organic EL element.

상기 서술한 바와 같이, 지지 기판 (2) 상에 형성된 복수의 유기 EL 소자 (4) 를, 밀봉층 및 밀봉 기판으로 덮음으로써 (도시 생략), 유기 EL 표시 장치를 제조할 수 있다.As described above, the organic EL display device can be manufactured by covering the plurality of organic EL elements 4 formed on the supporting substrate 2 with the sealing layer and the sealing substrate (not shown).

본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 패턴은, 격벽과 기판에 의해 획성되는 오목부 기판 표면의 습윤성이 높고, 격벽 상면의 발액성이 높은 것이기 때문에, 특히, 잉크젯법으로 컬러 필터, 액정 표시 소자의 ITO 전극, 유기 EL 표시 소자 및 회로 배선 기판 등을 제작하기 위해서 사용되는 격벽으로서 유용하다. 또한, 예를 들어, 컬러 필터 기판 및/또는 어레이 기판의 일부를 구성하는 포토 스페이서, 패터닝 가능한 오버코트, 층간 절연막, 액정 배향 제어용 돌기, 마이크로 렌즈, 막두께 조정을 위한 코트층 등, 터치 패널용의 부재로서 유용하고, 상기와 같이 하여 얻어지는 패턴을 갖지 않는 도포막은, 컬러 필터 기판 및/또는 어레이 기판의 일부를 구성하는 오버코트로서 유용하다. 상기의 컬러 필터 기판 및 어레이 기판은 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치 및 전자 페이퍼 등에 바람직하게 사용된다.Since the pattern obtained from the photosensitive resin composition of this invention has high wettability of the recessed part substrate surface formed by a partition and a board | substrate, and high liquid repellency of the upper surface of a partition, especially the ITO of a color filter and a liquid crystal display element by the inkjet method. It is useful as a partition used for producing an electrode, an organic EL display element, a circuit wiring board, and the like. Further, for example, a photo spacer constituting a part of a color filter substrate and / or an array substrate, a patternable overcoat, an interlayer insulating film, a projection for controlling liquid crystal alignment, a microlens, a coating layer for adjusting the film thickness, and the like, for a touch panel The coating film which is useful as a member and does not have a pattern obtained as mentioned above is useful as an overcoat which comprises a part of a color filter substrate and / or an array substrate. Said color filter substrate and an array substrate are used suitably for a liquid crystal display device, an organic electroluminescence display, an electronic paper, etc.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 예 중의 「%」 및 「부」 는 특기하지 않는 한, 질량% 및 질량부이다.Hereinafter, an Example demonstrates this invention in more detail. "%" And "part" in an example are the mass% and a mass part, unless it mentions specially.

(합성예 1)Synthesis Example 1

환류 냉각기, 적하 깔때기 및 교반기를 구비한 플라스크 내에 질소를 적량 흘려 질소 분위기로 치환하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 166 부, 메톡시프로판올 52 부를 넣어 교반하면서 85 ℃ 까지 가열했다. 이어서 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8 또는/및 9-일아크릴레이트의 혼합물 233 부, p-비닐벤조산 77 부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 125 부, 메톡시프로판올 115 부의 혼합 용액을 4 시간에 걸쳐 적하했다. 한편, 2,2-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 32 부를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 210 부에 용해한 혼합 용액을 5 시간에 걸쳐 적하했다. 적하 종료 후, 3 시간 동일 온도로 유지한 후, 실온까지 냉각시켜, B 형 점도 (23 ℃) 46 mPas, 고형분 33.7 %, 용액 산가 83 mgKOH/g 의 중합체 (수지 Aa) 용액을 얻었다. 얻어진 수지 Aa 의 중량 평균 분자량 Mw 는 7.7 × 103, 분자량 분포는 1.90 이었다.A proper amount of nitrogen was flowed into a flask equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer to replace with a nitrogen atmosphere, and 166 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate and 52 parts of methoxypropanol were added and heated to 85 ° C while stirring. 233 parts of a mixture of 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 or / and 9-ylacrylate, 77 parts of p-vinylbenzoic acid, 125 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate, methoxy 115 parts of mixed solutions of propanol were dripped over 4 hours. On the other hand, the mixed solution which melt | dissolved 32 parts of 2, 2- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile) in 210 parts of propylene glycol monomethyl ether acetates was dripped over 5 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was kept at the same temperature for 3 hours, and then cooled to room temperature to obtain a polymer (resin Aa) solution having a B viscosity (23 ° C) of 46 mPas, a solid content of 33.7%, and a solution acid value of 83 mgKOH / g. The weight average molecular weight Mw of obtained resin Aa was 7.7x10 <3> , and molecular weight distribution was 1.90.

수지 Aa 는 이하의 구조 단위를 갖는다.Resin Aa has the following structural units.

Figure 112015092717297-pat00014
Figure 112015092717297-pat00014

(합성예 2) Synthesis Example 2

환류 냉각기, 적하 깔때기 및 교반기를 구비한 플라스크 내에 질소를 0.02 ℓ/분으로 흘려 질소 분위기로 하고, 3-메톡시-1-부탄올 200 질량부 및 3-메톡시부틸아세테이트 105 질량부를 넣어 교반하면서 70 ℃ 까지 가열했다. 이어서, 메타크릴산 60 질량부, 3,4-에폭시트리시클로[5.2.1.02.6]데실아크릴레이트 (식 (I-1) 로 나타내는 화합물 및 식 (II-1) 로 나타내는 화합물을, 몰비로, 50 : 50 으로 혼합.) 240 질량부 및, 3-메톡시부틸아세테이트 140 질량부에 용해하여 용액을 조제하고, 그 용해액을, 적하 깔때기를 사용하여 4 시간에 걸쳐, 70 ℃ 로 보온한 플라스크 내에 적하했다.Into a flask equipped with a reflux cooler, a dropping funnel and a stirrer, nitrogen was flowed at 0.02 L / min to a nitrogen atmosphere, and 200 parts by mass of 3-methoxy-1-butanol and 105 parts by mass of 3-methoxybutyl acetate were added thereto, followed by stirring. It heated to degreeC. Subsequently, 60 parts by mass of methacrylic acid, 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate (compound represented by formula (I-1) and compound represented by formula (II-1), in molar ratio, 50: mixed at 50.) A flask prepared by dissolving 240 parts by mass and 140 parts by mass of 3-methoxybutyl acetate to prepare a solution, and keeping the dissolved solution at 70 ° C. over 4 hours using a dropping funnel. Dropped in.

Figure 112015092717297-pat00015
Figure 112015092717297-pat00015

한편, 중합 개시제 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 30 질량부를 3-메톡시부틸아세테이트 225 질량부에 용해한 용액을, 다른 적하 깔때기를 사용하여 4 시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하했다. 중합 개시제의 용액의 적하가 종료한 후, 4 시간, 70 ℃ 로 유지하고, 그 후 실온까지 냉각시켜, 고형분 32.6 질량%, 산가 110 mgKOH/g (고형분 환산) 의 중합체 (수지 A1a) 의 용액을 얻었다. 얻어진 수지 A1a 의 중량 평균 분자량 Mw 는, 1.3 × 104, 분자량 분포는 2.50 이었다. 수지 A1a 는 이하의 구조 단위를 갖는다.On the other hand, the solution which melt | dissolved 30 mass parts of polymerization initiators 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvaleronitrile) in 225 mass parts of 3-methoxybutyl acetates in the flask over 4 hours using another dropping funnel. Dropped. After completion of the dropwise addition of the solution of the polymerization initiator, the mixture was kept at 70 ° C for 4 hours, and then cooled to room temperature. Got it. The weight average molecular weight Mw of obtained resin A1a was 1.3 * 10 <4> , and molecular weight distribution was 2.50. Resin A1a has the following structural units.

Figure 112015092717297-pat00016
Figure 112015092717297-pat00016

(합성예 3)Synthesis Example 3

환류 냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 4 구 플라스크 중에 α-클로로아크릴산 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실 78 부, 메타크릴산 19.5 부, 이소보르닐메타크릴레이트 19.5 부, 글리시딜메타크릴레이트 13 부, 도데칸티올 12.7 부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 266 부를 넣고, 70 ℃ 로 가열 후, 30 분간 질소 기류하에서 교반했다. 이것에 아조비스이소부티로니트릴 1 부를 첨가하고, 18 시간 중합하여, 고형분 33 질량%, 산가 68 mgKOH/g (고형분 환산) 의 중합체 (수지 Ba) 의 용액을 얻었다. 얻어진 수지 Ba 의 중량 평균 분자량은 7,500 이었다. 수지 Ba 는 이하의 구조 단위를 갖는다.78 parts of α-chloroacrylic acid 3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl, methacryl in a four-necked flask equipped with a reflux condenser, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device. 19.5 parts of acid, 19.5 parts of isobornyl methacrylate, 13 parts of glycidyl methacrylate, 12.7 parts of dodecanethiol, and 266 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate were added, and heated at 70 ° C, followed by stirring under nitrogen stream for 30 minutes. did. 1 part of azobisisobutyronitrile was added to this, and it superposed | polymerized for 18 hours, and obtained the solution of the polymer (resin Ba) of 33 mass% of solid content and acid value 68 mgKOH / g (solid content conversion). The weight average molecular weight of obtained resin Ba was 7,500. Resin Ba has the following structural units.

Figure 112015092717297-pat00017
Figure 112015092717297-pat00017

합성예에서 얻어진 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 및 수평균 분자량 (Mn) 의 측정은, GPC 법을 사용하여, 이하의 조건으로 실시했다.The measurement of the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of resin obtained by the synthesis example was performed on condition of the following using GPC method.

장치 ; K2479 ((주) 시마즈 제작소 제조) Equipment; K2479 (manufactured by Shimadzu Corporation)

칼럼 ; SHIMADZU Shim-pack GPC-80M Column; SHIMADZU Shim-pack GPC-80M

칼럼 온도 ; 40 ℃ Column temperature; 40 ° C.

용매 ; THF (테트라하이드로푸란) Solvent; THF (Tetrahydrofuran)

유속 ; 1.0 ㎖/min Flow rate; 1.0 ml / min

검출기 ; RIDetector; RI

상기에서 얻어진 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량의 비 (Mw/Mn) 를 분자량 분포로 했다.The ratio (Mw / Mn) of the weight average molecular weight and number average molecular weight of polystyrene conversion obtained above was made into molecular weight distribution.

(실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1 ∼ 3)(Examples 1-4 and Comparative Examples 1-3)

<감광성 수지 조성물의 조정><Adjustment of the photosensitive resin composition>

표 3 의 성분을 각각 혼합하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.The components of Table 3 were mixed respectively and the photosensitive resin composition was obtained.

Figure 112015092717297-pat00018
Figure 112015092717297-pat00018

표 3 중 각 성분은 이하와 같다. 수지 (A) 및 수지 (B) 의 난에 기재한 부수는, 고형분 환산의 질량부를 나타낸다.Each component in Table 3 is as follows. The number of copies described in the column of the resin (A) and the resin (B) represents the mass part in terms of solid content.

수지 (A) ; Aa : 합성예 1 에서 얻어진 수지 AaResin (A); Aa: Resin Aa obtained in Synthesis Example 1

수지 (A1) ; A1a : 합성예 2 에서 얻어진 수지 A1a Resin (A1); A1a: Resin A1a obtained in Synthesis Example 2

수지 (B) ; Ba : 합성예 3 에서 얻어진 수지 BaResin (B); Ba: Resin Ba obtained in Synthesis Example 3

중합성 화합물 (C) ; Ca : 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 (A-TMPT ; 신나카무라 화학공업 (주) 제조) Polymerizable compound (C); Ca: trimethylolpropane triacrylate (A-TMPT; manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)

중합성 화합물 (C) ; Cb : 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (KAYARAD (등록상표) DPHA ; 닛폰 가야쿠 (주) 제조) Polymeric compound (C); Cb: dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD® DPHA; manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

중합 개시제 (D) ; Da : 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온 (이르가큐어 (등록상표) 907 ; BASF 사 제조) Polymerization initiator (D); Da: 2-methyl-2-morpholino-1- (4-methylsulfanylphenyl) propan-1-one (irgacure (registered trademark) 907; manufactured by BASF Corporation)

중합 개시제 (D) ; Db : 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(0-아세틸옥심) (이르가큐어 (등록상표) OXE02 ; BASF 사 제조) Polymerization initiator (D); Db: ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (0-acetyloxime) (irgacure (Registered trademark) OXE02; manufactured by BASF Corporation)

중합 개시 보조제 (D1) ; 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 (EAB-F ; 호도가야 화학공업 (주) 제조) Polymerization initiation aid (D1); 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone (EAB-F; manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.)

용제 (E) ; Ea ; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 Solvent (E); Ea; propylene glycol monomethyl ether acetate

용제 (E) ; Eb ; 3-에톡시프로피온산에틸 Solvent (E); Eb; ethyl 3-ethoxypropionate

용제 (E) ; Ec ; 3-메톡시 1-부탄올 Solvent (E); Ec; 3-methoxy 1-butanol

용제 (E) ; Ed ; 3-메톡시부틸아세테이트 Solvent (E); Ed; 3-methoxybutyl acetate

용제 (E) 는 감광성 수지 조성물의 고형분량이 표 3 의 「고형분량 (%)」 이 되도록 혼합하고, 용제 (E) 중의 용제 성분 (Ea) ∼ (Ed) 의 값은, 용제 (E) 중에서의 질량비를 나타낸다.The solvent (E) is mixed so that the solid content of the photosensitive resin composition becomes "solid content (%)" in Table 3, and the values of the solvent components (Ea) to (Ed) in the solvent (E) are in the solvent (E). The mass ratio is shown.

<조성물의 평균 투과율><Average transmittance of the composition>

상기에서 얻어진 감광성 수지 조성물에 대해, 각각, 자외 가시 근적외 분광 광도계 (V-650 ; 닛폰 분광 (주) 제조) (석영 셀, 광로 길이 ; 1 cm) 를 사용하여, 400 ∼ 700 nm 에 있어서의 평균 투과율 (%) 을 측정했다. 결과를 표 3 에 나타낸다.About the photosensitive resin composition obtained above, 400-700 nm in ultraviolet-visible near-infrared spectrophotometer (V-650; Nippon Spectroscopy Co., Ltd. product) (quartz cell, optical path length; 1 cm), respectively Average transmittance | permeability (%) was measured. The results are shown in Table 3.

<도포막의 제작><Production of coating film>

가로 세로 2 인치의 유리 기판 (이글 XG ; 코닝사 제조) 을, 중성 세제, 물 및 알코올로 순차 세정하고 나서 건조시켰다. 이 유리 기판 상에, 상기에서 얻어진 감광성 수지 조성물을 각각, 포스트베이크 후의 막두께가 3.0 ㎛ 가 되도록 스핀 코트하고, 감압 건조기 (마이크로테크 (주) 제조) 로 감압도가 66 kPa 가 될 때까지 감압 건조시킨 후, 핫 플레이트로 80 ℃ 에서 2 분간 프리베이크하여 건조시켰다. 냉각 후, 노광기 (TME-150RSK ; 탑콘 (주) 제조, 광원 ; 초고압 수은등) 를 사용하여, 대기 분위기하, 노광량 50 mJ/㎠ (365 nm 기준) 의 광을 조사했다. 또한, 이 때의 감광성 수지 조성물에 대한 조사는, 초고압 수은등을 사용했다. 광 조사 후, 비이온계 계면 활성제 0.12 % 와 수산화칼륨 0.04 % 를 함유하는 수계 현상액에 상기 도포막을 23 ℃ 에서 60 초간 침지·요동하여 접촉시키고, 그 후, 오븐 중, 230 ℃ 에서 20 분 가열 (포스트베이크) 하여 도포막을 얻었다.The glass substrate (Eagle XG; Corning Corporation make) of 2 inches of length was wash | cleaned sequentially with neutral detergent, water, and alcohol, and it dried. On this glass substrate, the photosensitive resin composition obtained above is spin-coated so that the film thickness after postbaking may be set to 3.0 micrometers, respectively, and pressure-reduced until a pressure reduction degree becomes 66 kPa with a pressure reduction dryer (made by Microtech Co., Ltd.). After drying, it prebaked at 80 degreeC for 2 minutes with a hotplate, and it dried. After cooling, the light of the exposure amount 50mJ / cm <2> (365 nm standard) was irradiated in air | atmosphere using the exposure machine (TME-150RSK; Topcon Co., Ltd. product, light source; ultrahigh pressure mercury lamp). In addition, the irradiation with respect to the photosensitive resin composition at this time used the ultrahigh pressure mercury lamp. After light irradiation, the said coating film was immersed and stirred for 60 second at 23 degreeC and the aqueous developing solution containing 0.12% of nonionic surfactant and 0.04% of potassium hydroxide, and then heated in 230 degreeC for 20 minutes in oven ( Post-baking) to obtain a coating film.

<도포막의 평균 투과율><Average transmittance of coating film>

얻어진 도포막에 대해, 현미 분광 측광 장치 (OSP-SP200 ; OLYMPUS 사 제조) 를 사용하여, 400 ∼ 700 nm 에 있어서의 평균 투과율 (%) 을 측정했다. 투과율이 높아지는 것은, 흡수가 작아지는 것을 의미한다. 결과를 표 3 에 나타낸다.About the obtained coating film, the average transmittance | permeability (%) in 400-700 nm was measured using the microscopic spectrophotometer (OSP-SP200; the product made by OLYMPUS). Higher transmittance means less absorption. The results are shown in Table 3.

<접촉각><Contact angle>

얻어진 도포막에 대해, 접촉각계 (DGD Fast/60 ; GBX 사 제조) 를 사용하여, 아니솔의 접촉각을 측정했다.About the obtained coating film, the contact angle of the anisole was measured using the contact angle meter (DGD Fast / 60; GBX company make).

접촉각이 높을수록, 발액성이 높은 것을 의미한다. 도포막에 있어서의 접촉각이 높으면, 동일한 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 패턴에 있어서도 접촉각은 높다. 접촉각이 높은 감광성 수지 조성물로 격벽을 형성하고, 그 격벽으로 둘러싸인 내부에 잉크젯 장치에 의해 잉크를 인사(印寫)한 경우, 잉크가 겉돌기 쉽다. 그 때문에, 예를 들어 잉크젯법에 의해 컬러 필터를 제작하면, 이웃하는 화소 영역간에 있어서의 잉크의 혼색이 생기기 어렵다. 결과를 표 5 에 나타낸다.The higher the contact angle, the higher the liquid repellency. When the contact angle in a coating film is high, the contact angle is high also in the pattern formed using the same photosensitive resin composition. When a partition is formed with the photosensitive resin composition with a high contact angle, and ink is greeted by the inkjet apparatus inside the enclosure, the ink tends to turn. Therefore, when a color filter is produced by the inkjet method, for example, mixing of ink between neighboring pixel areas is unlikely to occur. The results are shown in Table 5.

<패턴 형성><Pattern formation>

표면에 ITO 가 증착된 가로 세로 2 인치의 유리 기판 (이글 XG ; 코닝사 제조) 을, 중성 세제, 물 및 2-프로판올로 순차 세정하고 나서 건조시켰다. 이 유리 기판 상에, 상기 감광성 수지 조성물을 각각, 포스트베이크 후의 막두께가 1.0 ㎛ 가 되도록 스핀 코트하고, 감압 건조기 (마이크로테크 (주) 제조) 로 감압도가 66 kPa 가 될 때까지 감압 건조시킨 후, 핫 플레이트로 90 ℃ 에서 2 분간 프리베이크하여 건조시켰다.The glass substrate of 2 inches in length and width (Igland XG; Corning) which ITO was deposited on the surface was sequentially washed with neutral detergent, water, and 2-propanol, and dried. On this glass substrate, the said photosensitive resin composition was spin-coated so that the film thickness after post-baking might be set to 1.0 micrometer, respectively, and it dried under reduced pressure until the pressure reduction degree became 66 kPa by the pressure reduction dryer (made by Microtech Co., Ltd.). Thereafter, the plate was dried by prebaking at 90 ° C. for 2 minutes.

냉각 후, 이 감광성 수지 조성물을 도포한 기판과 석영 유리제 포토마스크의 간격을 100 ㎛ 로 하고, 노광기 (TME-150RSK ; 탑콘 (주) 제조, 광원 ; 초고압 수은등) 를 사용하여, 대기 분위기하, 노광량 200 mJ/㎠ (365 nm 기준) 의 광을 조사했다. 또한, 포토마스크로서는, 패턴 (차광부의 형상이 장축 방향 300 ㎛, 단축 방향 100 ㎛ 인 장방형으로부터 네 귀퉁이를 원상으로 커트한 형태 (긴원)) 이 동일 평면 상에 형성된 것을 사용했다.After cooling, the interval between the substrate coated with the photosensitive resin composition and the quartz glass photomask was 100 μm, and the exposure dose was measured under an atmospheric atmosphere using an exposure machine (TME-150RSK; Topcon Co., Ltd. light source; ultrahigh pressure mercury lamp). Light of 200 mJ / cm 2 (365 nm standard) was irradiated. In addition, as a photomask, what was formed on the same plane as the pattern (shape (circle circle) which cut | disconnected the four corner | round | yen circular form from the rectangle whose shape of a light shielding part is 300 micrometers of a major axis direction, and 100 micrometers of a uniaxial direction) in circular shape) was used.

광 조사 후, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액 (도쿠야마 (주) 제조, 도쿠소 SD25) 을 농도가 2.38 % 가 되도록 순수(純水)로 희석하여 조제한 현상액에, 상기 도포막을 23 ℃ 에서 60 초간 요동하면서 침지하여 현상하고, 수세 후, 오븐 중, 230 ℃ 에서 20 분간 포스트베이크를 실시하여, 패턴을 얻었다.After the light irradiation, the coating film was added to a developer prepared by diluting an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution (manufactured by Tokuyama Co., Ltd., Tokuso SD25) with pure water so that the concentration was 2.38% for 60 seconds. It immersed and developed while shaking, and after washing with water, it post-baked for 20 minutes at 230 degreeC in the oven, and obtained the pattern.

<습윤성><Wetability>

[습윤성 평가용 용액 제조][Solution Preparation for Wetability Evaluation]

격벽의 습윤성 평가를 실시하는 용매로서는, N,N-디메틸아세트아미드 (와코 쥰야쿠 주식회사 제조, 99.5 % 이상), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 (토쿄 화성 공업 주식회사 제조, 99.0 % 이상) 의 2 종류를 선정했다. 선정한 용매 2 종류는, 점도가 낮기 때문에, 잉크젯 장치에 의한 격벽에의 액의 충전이 가능해지도록, 점도의 조정 재료로서 시클로헥산올 (와코 쥰야쿠 주식회사 제조, 98.0 % 이상) 을 첨가하여, 혼합 용매로서 사용했다.As a solvent for evaluating the wettability of a partition, N, N-dimethylacetamide (made by Wako Pure Chemical, 99.5% or more), 1, 3- dimethyl- 2-imidazolidinone (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., 99.0%) Two kinds of above were selected. Since the selected two kinds of solvents have a low viscosity, cyclohexanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 98.0% or more) is added as a viscosity adjusting material so that the liquid can be filled into the partition wall by the inkjet device, and the mixed solvent Used as.

또 용매 단체로는, 건조 후의 도포 확산을 현미경으로 관찰하는 것이 곤란하기 때문에, 용질로서 로다민 B (토쿄 화성공업 주식회사 제조, 순도 95 % 이상) 를 사용했다.Moreover, since it is difficult to observe the application | coating diffusion after drying with a microscope as a solvent, rhodamine B (made by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., purity 95% or more) was used as a solute.

용액은 하기 표 4 의 3 종류를 제조했다.The solution produced three types of Table 4 below.

Figure 112015092717297-pat00019
Figure 112015092717297-pat00019

[습윤성 평가][Wetability Evaluation]

격벽 내에 잉크젯 장치 (ULVAC 사 제조 Litlex120L) 를 사용하여, 상기 기재된 용액을 각 격벽 내에 200 pL 씩, 1000 군데의 격벽에 충전하고, 건조 후에 용질이 격벽 단부까지, 확산되어 있는지에 대해 현미경 (OLIMPUS 사 제조 MX61L, 렌즈 LCPFLN20xLCD) 을 사용하여, 30 군데의 관찰을 실시했다. 표 4 에 나타낸 모든 용액에 있어서, 30 군데 모두가 도포 확산되어 있는 경우에 습윤성이 양호하다고 하여 ○ 으로 하고, 그 이외를 × 로 했다. 결과를 표 5 에 나타낸다.Using an inkjet device (Litlex120L manufactured by ULVAC) in the partition wall, the solution described above was filled into 1000 partition walls at 200 pL in each partition wall, and a microscope (OLIMPUS Corporation) was used to determine whether the solute diffused to the partition wall end after drying. 30 locations were observed using Manufacture MX61L and lens LCPFLN20xLCD). In all the solutions shown in Table 4, when all 30 places were apply | coated and spread | diffused, it was set as (circle) and said that it was good, and other than that was made into x. The results are shown in Table 5.

Figure 112015092717297-pat00020
Figure 112015092717297-pat00020

실시예의 결과로부터, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터는, 잉크의 혼색이 생기지 않는 접촉각을 유지한 채로, 습윤성이 우수한 도포막 및 패턴을 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.From the results of the examples, it can be seen from the photosensitive resin composition of the present invention that a coating film and a pattern excellent in wettability can be obtained while maintaining a contact angle at which color mixing of ink does not occur.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하면, 습윤성이 우수한 패턴, 즉, 격벽과 기판에 의해 획성되는 오목부 기판 표면의 습윤성이 높고, 격벽 상면의 발액성이 높은 패턴을 얻을 수 있다.According to the photosensitive resin composition of this invention, the pattern excellent in wettability, ie, the wettability of the surface of the recessed part board | substrate formed by a partition and a board | substrate, is high, and the pattern of the liquid repellency of the upper surface of a partition can be obtained.

1 : 표시 장치
2 : 지지 기판
3 : 격벽
4 : 유기 EL 소자
5 : 오목부
6 : 제 1 전극
7 : 제 1 유기 EL 층 (정공 주입층)
9 : 제 2 유기 EL 층 (발광층)
10 : 제 2 전극
1: display device
2: support substrate
3: bulkhead
4: organic EL device
5: recess
6: first electrode
7: first organic EL layer (hole injection layer)
9: second organic EL layer (light emitting layer)
10: second electrode

Claims (6)

(A), (B), (C) 및 (D) 를 함유하고,
(A) 의 함유량이 (A) 와 (C) 의 합계 함유량에 대해, 45 질량% 이상 80 질량% 이하인 감광성 수지 조성물.
(A) 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 방향족 카르복실산에서 유래하는 구조 단위와, 탄소수 2 ∼ 4 의 고리형 에테르 구조를 갖는 불포화 화합물에서 유래하는 구조 단위를 함유하고, 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 구조 단위를 가지지 않는 중합체
(B) 탄소수 4 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기를 갖는 구조 단위를 함유하는 중합체
(C) 중합성 화합물
(D) 중합 개시제
(A), (B), (C) and (D), and
The photosensitive resin composition whose content of (A) is 45 mass% or more and 80 mass% or less with respect to the sum total content of (A) and (C).
(A) A structural unit derived from the aromatic carboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond, and the structural unit derived from the unsaturated compound which has a C2-C4 cyclic ether structure, and contains perfluoro of 4 to 6 carbon atoms Polymers without structural units with alkyl groups
(B) A polymer containing a structural unit having a perfluoroalkyl group having 4 to 6 carbon atoms
(C) polymerizable compound
(D) polymerization initiator
제 1 항에 있어서,
(D) 가 비이미다졸 화합물, 알킬페논 화합물 및 O-아실옥심 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 중합 개시제인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
(D) Photosensitive resin composition which is a polymerization initiator containing at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a biimidazole compound, an alkylphenone compound, and an O-acyl oxime compound.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 패턴.The pattern formed by the photosensitive resin composition of Claim 1 or 2. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 감광성 수지 조성물에 의해 형성되는 잉크젯용 격벽.The inkjet partition formed by the photosensitive resin composition of Claim 1 or 2. 제 3 항에 기재된 패턴을 포함하는 표시 장치.A display device comprising the pattern of claim 3. 제 4 항에 기재된 잉크젯용 격벽을 포함하는 표시 장치.The display device containing the inkjet partition of Claim 4.
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