KR101502967B1 - 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 실리콘 기판의 블랙화 방법 이용한 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지 - Google Patents
플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 실리콘 기판의 블랙화 방법 이용한 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 실리콘 기판의 블랙화 방법 이용한 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지에 관한 것이다.
일례로, 진공챔버 내에 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 및 상기 진공챔버 내에 ClF3 가스를 주입하고 층류(laminar flow)를 형성하여 상기 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계를 포함하고, 상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr인 태양전지용 기판의 제조방법을 개시한다.
본 발명예 따르면, 위한 기존의 건식공정에서 플라즈마를 형성시키지 않고, 반응성 기체의 층류(laminar flow)를 형성한 상태에서 공정조건을 조정하여 기판을 텍스처링함으로써, 태양전지용 기판 및 태양전지의 생산비용을 절감하고 생산수율이 높이며, 공정시간을 최소화할 수 있다.
일례로, 진공챔버 내에 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 및 상기 진공챔버 내에 ClF3 가스를 주입하고 층류(laminar flow)를 형성하여 상기 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계를 포함하고, 상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr인 태양전지용 기판의 제조방법을 개시한다.
본 발명예 따르면, 위한 기존의 건식공정에서 플라즈마를 형성시키지 않고, 반응성 기체의 층류(laminar flow)를 형성한 상태에서 공정조건을 조정하여 기판을 텍스처링함으로써, 태양전지용 기판 및 태양전지의 생산비용을 절감하고 생산수율이 높이며, 공정시간을 최소화할 수 있다.
Description
본 발명은, 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 실리콘 기판의 블랙화 방법 이용한 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지에 관한 것이다.
일반적으로 태양전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부와, 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극으로 구성된다. 이러한 태양전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 광기전력 효과(photovoltaic effect)에 의해 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고, 정공은 p형의 반도체부로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결되어 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들은 전선으로 연결함으로써 전력을 얻을 수 있다.
태양전지의 입사 면적을 증가시키고 빛의 반사량을 줄이기 위하여, 빛이 입사되는 기판의 면에 텍스처링을 하는 기술이 개발되고 있다. 태양전지의 텍스처링 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 요철 구조를 형성하여 입사되는 빛의 경로와 내부에서 반사율을 증가시켜, 태양전지 효율을 향상시키는 공정으로, 실리콘계 태양전지 제조에 있어서 필수 공정이라 할 수 있다.
태양전지의 표면에 텍스처링 구조를 형성을 위한 통상적인 방법으로, 습식 기반의 공정이 있으며, 이러한 습식공정은 에칭용액에 일정시간 디핑(dipping)하는 방법을 사용한다. 이와 같은 습식공정은, 공정시간의 증가에 의해 에칭용액의 농도변화에 따라 공정의 재현성에 대한 문제점이 제기되고 있으며, 애칭용액의 교환에 따른 생산시간 및 단가의 증가 그리고 선택적 텍스처링이 아닌 기판의 전부분이 요철화되는 문제점도 발생되고 있다.
한편, 플라즈마를 이용한 건식 텍스처링 공정은, 물리 화학적 에칭방법으로, 선택적 텍스처링이 가능하지만, 습식공정과 비교하여 공정변수가 다양하며, 고가의 진공장비가 사용되어 초기설비 비용에 상당한 부담이 있으며, 높은 생산단가와 낮은 생산 수율을 보이고 있다.
본 발명은, 기존의 건식에칭공정에서 플라즈마를 형성시키지 않고, 반응성 기체의 층류(laminar flow)를 형성한 상태에서 공정조건을 조정하여 기판을 텍스처링함으로써, 생산비용을 절감하고 생산수율이 높이며, 공정시간을 최소화할 수 있으며, 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지용 기판의 제조방법은, 진공챔버 내에 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 및 상기 진공챔버 내에 ClF3 가스를 주입하고 층류(laminar flow)를 형성하여 상기 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계를 포함하고, 상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr일 수 있다.
또한, 상기 반응성 가스는 ClF3 또는 XeF2를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판 텍스처링 단계는 5 내지 40분 동안 진행할 수 있다.
또한, 상기 기판 텍스처링 단계는 15분 동안 진행할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 제 1 도전성 타입의 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계; 상기 기판의 일면 상에 제 1 전극부를 형성하는 제 1 전극 형성단계; 상기 기판의 타면 상에 제 2 도전성 타입의 반도체층을 형성하는 반도체층 형성단계; 및 상기 반도체층 상에 제 2 전극부를 형성하는 제 2 전극 형성단계를 포함하고, 상기 기판 텍스처링 단계는, 상기 기판이 준비된 진공챔버 내에 ClF3 가스를 주입하고 층류(laminar flow)를 형성하여 상기 기판의 일면을 텍스처링하고, 상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr일 수 있다.
또한, 상기 반응성 가스는 ClF3 또는 XeF2를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판 텍스처링 단계는 5 내지 40분 동안 진행할 수 있다.
또한, 상기 기판 텍스처링 단계는 15분 동안 진행할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지용 기판은 상기 태양전지용 기판의 제조방법에 의해 제조된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지는 상기 태양전지의 제조방법에 의해 제조된다.
본 발명에 따르면, 기존의 건식에칭공정에서 플라즈마를 형성시키지 않고, 반응성 기체의 층류(laminar flow)를 형성한 상태에서 공정조건을 조정하여 기판을 텍스처링함으로써, 생산비용을 절감하고 생산수율이 높이며, 공정시간을 최소화할 수 있는 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지용 기판의 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 도면이다.
도 2는 공정압력에 따른 기판의 광 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지용 기판의 텍스처링 구조를 나타낸 전자현미경 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지용 기판을 나타낸 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지를 나타낸 단면도이다.
도 2는 공정압력에 따른 기판의 광 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지용 기판의 텍스처링 구조를 나타낸 전자현미경 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지용 기판을 나타낸 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지를 나타낸 단면도이다.
본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지용 기판의 제조방법과 기판에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지용 기판의 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 도면이다. 도 2는 공정압력에 따른 기판의 광 반사율을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지용 기판의 제조방법은, 도 1 및 도 2를 참조하면, 우선, 진공챔버(10) 내의 기판 거치대(20)에 실리콘 기판(100)을 준비하고, 진공챔버(10)의 가스 투입구를 통해 반응성 기체로서 ClF3(삼불화염소: chlorine trifluoride) 가스를 진공챔버(10)로 공급할 수 있다. 상기 ClF3(삼불화염소: chlorine trifluoride)는 실리콘 기판을 직접 식각하는 역할을 하며, ClF3의 플루오린 원자와 실리콘 원자간의 강합 결합으로 인해 SiF4(사불화규소: silicon tetrafluoride)를 형성하는 반응을 통해 실리콘 기판(100)의 표면에 랜덤한 텍스처링 구조를 형성할 수 있다. 실리콘과 반응할 수 있는 또 다른 반응성 기체로서 XeF2(플루오린화물: Xenon difluoride)도 가능하다. 상기 XeF2(플루오린화물: Xenon difluoride)은 상온 대기압 상태에서 고체 상태이지만, 낮은 압력에서 기화되는 성질과 SiO2와 반응하지 않는 점을 이용하여 실리콘의 식각 기체로 이용될 수 있다.
다음, 진공챔버(10) 내로 공급된 ClF3 가스는, 실리콘 기판(100)의 표면과 평행한 방향으로 진행되도록 상기 가스 투입구와 마주보는 위치에 형성된 가스 배출구를 통해 배출되도록 하여, 진공챔버(10) 내에서 층류(laminar flow)를 형성할 수 있으며, 실리콘 기판(100)의 표면과 반응하여 기판(100)의 일 표면에 랜덤한 요철 구조를 형성할 수 있도록 한다.
이때, 진공챔버(10) 내의 공정압력은 약 3 내지 50 Torr로 조정하는 것이 적절하다. 도 2를 참조하면, 공정 시 진공챔버(10) 내에 압력을 가하지 않을 경우 약 38.54 %의 평균 광 반사율을 보이며, 5 Torr의 압력을 가한 경우 약 29.01%의 평균 광 반사율을 보이고, 10 Torr의 압력을 가한 경우 약 22.48%의 평균 광 반사율을 보이며, 20 Torr의 압력을 가한 경우 약 14.06 %의 평균 광 반사율을 보이며, 50 Torr의 압력을 가한 경우 약 15.18%의 평균 광 반사율을 보이는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 진공챔버(10) 내의 공정압력이 최소 3 Torr에서부터 점차 증가할수록 광 반사율이 점차 감소하다가 약 50 Torr 정도가 되면 광 반사율은 더 이상 감소하지 않게 됨을 알 수 있다.
상기와 같은 공정압력 조정과 더불어, 공정시간은 약 5 내지 40분 정도로 조정하여 진행하는 것이 적절하다. 공정시작 후 5분이 지나면 실리콘 기판(10)의 표면에 랜덤한 텍스처링 구조가 나타나게 되며, 약 15분 정도가 경과가 되면 약 5%의 낮은 광 반사율을 보이게 된다. 다만, 공정시간을 40분을 넘기게 되면 기판(10)의 가장자리 부분에 손상이 나타나게 되므로, 최소 40분을 초과하여 진행하지 않는 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지용 기판의 제조방법은, 반응성 기체로서 ClF3(삼불화염소: chlorine trifluoride) 또는 XeF2(플루오린화물: Xenon difluoride)를 사용하고, 상기 반응성 가스로 진공챔버(10) 내에서 층류를 형성한 상태에서, 공정압력과 공정시간을 조정함으로써, 기판(100)의 광 반사율을 조절할 수 있다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지용 기판의 텍스처링 구조를 나타낸 전자현미경 사진이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지용 기판을 나타낸 사진이다.
보다 구체적으로 도 3a 내지 3c는 156 X 156cm2 크기의 실리콘 기판을 대상으로 실시한 것이며, 도 3a는 10 Torr의 공정압력과 15분의 공정시간의 조건하에서, 도 3b는 20 Torr의 공정압력과 15분의 공정시간의 조건하에서, 도 3c는 30 Torr의 공정압력과 15분의 공정시간의 조건하에서 각각 제조된 기판 표면의 랜덤한 텍스처링 구조를 나타낸 전자현미경 사진이다. 도 3a 내지 3c에 도시된 바와 같이, 공정압력과 공정시간을 조절하여 실리콘 기판의 표면에 다양한 크기의 랜덤(random)한 텍스처링 구조를 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법 및 태양전지에 대하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도이다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 태양전지를 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법(S500)은, 기판 텍스처링 단계(S510), 제 1 전극 형성단계(S520), 반도체층 형성단계(S530) 및 제 2 전극 형성단계(S540)를 포함한다.
기판 텍스처링 단계(S510)에 대해서는 도 1 내지 도 4와 결부하여 설명하도록 한다.
기판 텍스처링 단계(S510)는, 우선, 진공챔버(10) 내의 기판 거치대(20)에 실리콘 기판(100)을 준비하고, 진공챔버(10)의 가스 투입구를 통해 반응성 기체로서 ClF3(삼불화염소: chlorine trifluoride) 가스를 진공챔버(10)로 공급할 수 있다. 상기 ClF3(삼불화염소: chlorine trifluoride)는 실리콘 기판을 직접 식각하는 역할을 하며, ClF3의 플루오린 원자와 실리콘 원자간의 강합 결합으로 인해 SiF4(사불화규소: silicon tetrafluoride)를 형성하는 반응을 통해 실리콘 기판의 표면에 랜덤한 텍스처링 구조를 형성할 수 있다. 실리콘과 반응할 수 있는 또 다른 반응성 기체로서 XeF2(플루오린화물: Xenon difluoride)도 가능하다. 상기 XeF2(플루오린화물: Xenon difluoride)은 상온 대기압 상태에서 고체 상태이지만, 낮은 압력에서 기화되는 성질과 SiO2와 반응하지 않는 점을 이용하여 실리콘의 식각 기체로 이용될 수 있다.
다음, 진공챔버(10) 내로 공급된 ClF3 가스는, 실리콘 기판(100)의 표면과 평행한 방향으로 진행되도록 상기 가스 투입구와 마주보는 위치에 형성된 가스 배출구를 통해 배출되도록 하여, 진공챔버(10) 내에서 층류(laminar flow)를 형성할 수 있으며, 실리콘 기판(100)의 표면과 반응하여 기판(100)의 일 표면에 랜덤한 요철 구조를 형성할 수 있도록 한다.
이때, 진공챔버(10) 내의 공정압력은 약 3 내지 50 Torr로 조정하는 것이 적절하다. 도 2를 참조하면, 공정 시 진공챔버(10) 내에 압력을 가하지 않을 경우 약 38.54%의 평균 광 반사율을 보이며, 5 Torr의 압력을 가한 경우 약 29.01 %의 평균 광 반사율을 보이고, 10 Torr의 압력을 가한 경우 약 22.48%의 평균 광 반사율을 보이며, 20 Torr의 압력을 가한 경우 약 14.06 %의 평균 광 반사율을 보이며, 50 Torr의 압력을 가한 경우 약 15.18%의 평균 광 반사율을 보이는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 진공챔버(10) 내의 공정압력이 최소 3 Torr에서부터 점차 증가할수록 광 반사율이 점차 감소하다가 약 50 Torr 정도가 되면 광 반사율은 더 이상 감소하지 않게 됨을 알 수 있다.
상기와 같은 공정압력 조정과 더불어, 공정시간은 약 5 내지 40분 정도로 조정하여 진행하는 것이 적절하다. 공정시작 후 5분이 지나면 실리콘 기판(10)의 표면에 랜덤한 텍스처링 구조가 나타나게 되며, 약 15분 정도가 경과되면 약 5 %의 낮은 광 반사율을 보이게 된다. 다만, 공정시간을 40분을 넘기게 되면 기판(10)의 가장자리 부분에 손상이 나타나게 되므로, 최소 40분을 초과하여 진행하지 않는 것이 바람직하다.
이와 같이, 기판 텍스처링 단계(S510)에서는, 반응성 기체로서 ClF3(삼불화염소: chlorine trifluoride) 또는 XeF2(플루오린화물: Xenon difluoride)를 사용하고, 상기 반응성 가스로 진공챔버(10) 내에서 층류를 형성한 상태에서, 공정압력과 공정시간을 조정함으로써, 도 6에 도시된 바와 같이 일 표면에 랜덤한 요철 구조(611)가 형성된 기판(610)을 제공할 수 있다. 상기 일표면은 빛의 입사면이 될 수 있다.
이후, 상기와 같이 제작된 기판(610)에 p형 또는 n형의 불순물을 주입하여 제 1 도전성 타입의 기판(610)을 형성할 수 있다. 기판(610)을 p형의 도전성 타입으로 형성할 경우, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 주입할 수 있다. 또한, 기판(610)을 n형 타입으로 형성할 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 주입할 수 있다.
제 1 전극 형성단계(S520)에서는 기판(610)의 일 표면과 전기적, 물리적으로 연결된 제 1 전극부(620)를 형성할 수 있다. 제 1 전극부(620)는 알루미늄(Al) 등과 같은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 가로 또는/및 세로 방향으로 뻗어 있는 스트라이프(stripe) 형태로 형성될 수 있다. 본 실시예의 제 1 전극 형성단계(S520)는 태양전지분야에서 실리콘 기판에 전극을 형성하는 통상의 방법으로 실시할 수 있으므로, 더욱 상세한 제조방법에 대해서는 생략하도록 한다.
반도체층 형성단계(S530)에서는 기판(610)의 타면 상에 기판(610)과 반대의 도전성 타입의 반도체층(630)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 기판(610)이 n형의 전도성 타입을 가질 경우, 반도체층(630)은 p형의 전도성 타입을 가질 수 있으며, 그 반대의 경우도 가능하다.
제 2 전극 형성단계(S540)에서는, 반도체층(630)의 표면과 전기적, 물리적으로 연결된 제 2 전극부(640)를 형성할 수 있다. 제 2 전극부(640)는 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 가로 또는/및 세로 방향으로 뻗어 있는 스트라이프(stripe) 형태로 형성될 수 있다. 본 실시예의 제 2 전극 형성단계(S540)는 태양전지분야에서 반도체층(기판과 반대의 도전성을 갖는 반도체층)에 전극을 형성하는 통상의 방법으로 실시할 수 있으므로, 더욱 상세한 제조방법에 대해서는 생략하도록 한다.
한편, 반도체층(630) 표면에는 반사 방지부(650)가 형성될 수 있다. 반사 방지부(650)는 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2) 등으로 이루어질 수 있다. 반사 방지부(650)는 태양전지(600)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역이 선택성을 증가시켜 태양전지(600)의 효율을 높일 수 있다. 이러한 반사 방지부(650)는 단일막 구조를 가질 수 있으나, 이중막과 같은 다층막 구조를 가질 수도 있으며, 필요에 따라 생략될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기존의 건식에칭공정에서 플라즈마를 형성시키지 않고, 반응성 기체의 층류(laminar flow)를 형성한 상태에서 공정조건을 조정하여 기판을 텍스처링함으로써, 생산비용을 절감하고 생산수율이 높이며, 공정시간을 최소화할 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 및 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
10: 챔버
20: 거치대
30: 반응성 가스
600: 태양전지
610: 기판
620: 제 1 전극부
630: 반도체층
640: 제 2 전극부
650: 반사 방지부
20: 거치대
30: 반응성 가스
600: 태양전지
610: 기판
620: 제 1 전극부
630: 반도체층
640: 제 2 전극부
650: 반사 방지부
Claims (10)
- 진공챔버 내에 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 및
상기 진공챔버 내에 상기 기판의 식각 작용을 하는 반응성 가스를 가스 투입구를 통해 주입하고, 주입된 상기 반응성 가스가 상기 기판의 표면과 평행한 방향으로 진행되도록 상기 가스 투입구와 마주보는 위치에 형성된 배출구를 통해 배출하여 층류(laminar flow)를 형성함으로써, 상기 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계를 포함하고,
상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr인 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 반응성 가스는 ClF3 또는 XeF2를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판 텍스처링 단계는 5 내지 40분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판의 제조방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 기판 텍스처링 단계는 15분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판의 제조방법. - 제 1 도전성 타입의 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계;
상기 기판의 일면 상에 제 1 전극부를 형성하는 제 1 전극 형성단계;
상기 기판의 타면 상에 제 2 도전성 타입의 반도체층을 형성하는 반도체층 형성단계; 및
상기 반도체층 상에 제 2 전극부를 형성하는 제 2 전극 형성단계를 포함하고,
상기 기판 텍스처링 단계는, 상기 기판이 준비된 진공챔버 내에 ClF3 가스를 가스 투입구를 통해 주입하고, 주입된 상기 ClF3 가스가 상기 기판의 표면과 평행한 방향으로 진행되도록 상기 가스 투입구와 마주보는 위치에 형성된 배출구를 통해 배출하여 층류(laminar flow)를 형성함으로써, 상기 기판의 일면을 텍스처링하고,
상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr인 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 반응성 가스는 ClF3 또는 XeF2를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지의 제조방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 기판 텍스처링 단계는 5 내지 40분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지의 제조방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 기판 텍스처링 단계는 15분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지의 제조방법. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판.
- 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지.
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| US20100226736A1 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Applied Materials, Inc. | Stacked Load-Lock Apparatus and Method for High Throughput Solar Cell Manufacturing |
| JP2012186283A (ja) | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Panasonic Corp | 半導体基板の表面エッチング装置、およびそれを用いて表面に凹凸形状が形成された半導体基板を製造する方法 |
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