KR101487364B1 - Processing liquid supplying device - Google Patents

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도시노부 후루쇼
다카히로 오오쿠보
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 처리액의 낭비를 없앨 수 있으며, 폐액 내에 용존(溶存)하는 가스를 효율적으로 제거할 수 있고, 처리액의 종류에 영향을 받는 일 없이 처리의 최적화를 도모할 수 있으며, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있도록 하는 것을 과제로 한다.

기체 공급 관로(6a)를 통해 N2 가스 공급원(71)에 접속되는 약액 용기와, 피처리 기판에 처리액을 공급하는 공급 노즐(70a)을 접속하는 공급 관로(7a, 7b)에 버퍼 탱크(2)와 필터(3)를 개재한다. 버퍼 탱크를 대기측에 연통 가능하게 형성하며, 기체 공급 관로(6b)를 통해 N2 가스 공급원(71)과 버퍼 탱크를 접속한다. 필터(3)에 접속되는 드레인 관로(7c)와, 드레인 관로로부터 분기되고, 약액 용기와 버퍼 탱크 사이의 공급 관로에 접속되는 리턴 관로(8a)로 이루어지는 순환 관로(8)를 설치하며, 순환 관로에 설치된 가변 스로틀(9)에 의해 순환 관로 내를 흐르는 레지스트액의 액압을 저하심켜 레지스트액 내에 용존하는 기체를 기포화하여 제거한다.

Figure R1020090117044

The present invention can eliminate the waste of the treatment liquid, efficiently remove the gas dissolved in the waste liquid, optimize the treatment without being affected by the kind of the treatment liquid, And to improve the performance of the apparatus.

A supply pipe 7a for connecting the chemical liquid container connected to the N 2 gas supply source 71 through the gas supply line 6a and a supply nozzle 70a for supplying the treatment liquid to the substrate to be processed, 2 and the filter 3 are interposed. The buffer tank is formed so as to be communicable with the atmosphere side, and the N 2 gas supply source 71 and the buffer tank are connected through the gas supply line 6b. A drain pipe 7c connected to the filter 3 and a return pipe 8a branched from the drain pipe and connected to a supply pipe between the chemical liquid container and the buffer tank are provided, The variable throttle 9 installed in the circulation conduit lowers the liquid pressure of the resist liquid flowing in the circulation conduit so as to vaporize and remove the gas dissolved in the resist liquid.

Figure R1020090117044

Description

처리액 공급 장치{PROCESSING LIQUID SUPPLYING DEVICE}[PROCESSING LIQUID SUPPLYING DEVICE]

본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용의 유리 기판(FPD 기판) 등의 피처리 기판에 레지스트액이나 현상액 등의 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing liquid supply apparatus for supplying a processing liquid such as a resist liquid or a developing liquid to a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate (FPD substrate) for a liquid crystal display.

일반적으로, 반도체 디바이스 제조의 포토리소그래피 기술에서는, 반도체 웨이퍼나 FPD 기판 등에 포토 레지스트를 도포하고, 이에 따라 형성된 레지스트막을 미리 결정된 회로 패턴에 따라 노광하며, 이 노광 패턴을 현상 처리함으로써 레지스트막에 회로 패턴이 형성되고 있다.In general, in the photolithography technique for manufacturing semiconductor devices, a photoresist is applied to a semiconductor wafer or an FPD substrate, a resist film formed by this process is exposed in accordance with a predetermined circuit pattern, and the exposure pattern is developed, Is formed.

이러한 포토리소그래피 공정에서, 레지스트액이나 현상액 등의 처리액을 웨이퍼 등에 공급하는 장치로서, 처리액이 저장된 처리액 저장 용기와 처리액 공급 노즐을 접속하는 공급 관로에, 리퀴드 엔드 센서, 공급 펌프, 처리액을 여과하여 기포를 제거하는 필터 및 토출 펌프를 개재하고, 필터와 토출 펌프에 혼입하고 있는 기포를 포함하는 처리액을, 리턴 관로를 통해 저장 용기측의 공급 배관에 복귀시킴으로써 거품을 제거하는 구조의 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).In such a photolithography process, as a device for supplying a process liquid such as a resist solution or a developer to a wafer or the like, a liquid end sensor, a feed pump, a process A structure that removes bubbles by returning the processing liquid containing the bubbles mixed in the filter and the discharge pump to the supply pipe on the side of the storage vessel through the return pipe through the filter for removing the bubbles by filtering the liquid and the discharge pump, (See, for example, Patent Document 1).

또한, 별도의 이 종류의 장치로서, 처리액 저장 용기와 처리액 공급 노즐을 접속하는 공급 관로에, 리퀴드 엔드 센서, 트랩 탱크, 펌프 및 필터를 개재하며, 펌프의 순환구와 트랩 탱크에 접속되는 순환 배관을 구비하고, 트랩 탱크에 의해 처리액 내의 기포를 제거하는 구조의 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).A liquid end sensor, a trap tank, a pump, and a filter are interposed in a supply pipe for connecting the process liquid storage container and the process liquid supply nozzle, and the circulation port and the trap tank (See Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-3258), and a structure in which a pipe is provided and bubbles in the treatment liquid are removed by a trap tank.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-77015호 공보(특허 청구 범위, 도 12, 도 13)[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-77015 (claims, Figs. 12 and 13)

[특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2001-269608호 공보(특허 청구 범위, 도 17)[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-269608 (Claims, Fig. 17)

그런데, 이 종류의 처리액 공급 장치에서는, 처리액의 공급이 일정 상태 즉, 처리액 내에 용존(溶存)하는 가스를 제거(탈기 처리)하여 일정량을 공급할 수 있고, 처리 효율의 향상을 도모하는 것이 중요하다.However, in this type of the processing liquid supply device, it is possible to supply a certain amount of processing liquid to a predetermined state, that is, to remove a gas dissolved in the processing liquid (deaeration processing) It is important.

그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술에서는, 필터로부터 폐액되는 처리액의 낭비를 줄일 수 있지만, 복귀된 처리액은 다시 필터에 의해 거품 제거되기 때문에, 처리액 내에 용존하는 가스를 효율 좋게 제거할 수 없다고 하는 문제가 있다.However, in the technique described in Patent Document 1, it is possible to reduce the waste of the treatment liquid to be discharged from the filter, but since the returned treatment liquid is again foamed by the filter, the gas dissolved in the treatment liquid can not be efficiently removed There is a problem.

또한, 특허문헌 2에 기재된 기술에서는, 순환 배관에 의해 펌프로부터 복귀된 기포를 포함하는 처리액 내의 기포를 트랩 탱크에 의해 제거하며, 펌프의 2차측에 배치된 필터에 의해 처리액 내의 기포를 제거할 수 있지만, 필터에 의해 기포를 완전히 제거할 수 없다고 하는 문제가 있다. 또한, 특허문헌 2에 기재된 구조에서는, 펌프의 구조가 특정되는, 즉 상부에 기포를 분리하기 위한 순환구를 설치하고, 하부에 토출구를 설치한 구조의 것에 특정되며, 목적에 따른 펌프를 사용할 수 없다고 하는 문제도 있다.In the technique described in Patent Document 2, bubbles in the treatment liquid containing bubbles returned from the pump by the circulation pipe are removed by the trap tank, and bubbles in the treatment liquid are removed by a filter disposed on the secondary side of the pump However, there is a problem that the bubble can not be completely removed by the filter. In the structure described in Patent Document 2, the structure of the pump is specified, that is, a circulation port for separating bubbles is provided at the upper portion, and a discharge port is provided at the lower portion. There is also the problem that there is not.

또한, 이 종류의 처리액 공급 장치에서의 거품 제거 처리를 행하는 타이밍은, 처리 개시 전, 미리 결정된 처리를 행한 후 또는 처리액 저장 탱크의 교환 후 등이다. 그러나, 미리 결정된 처리를 행한 후의 거품 제거 처리에서는, 처리액의 종류에 따라서는 가스의 용이 발생이 다르기 때문에, 처리액마다의 거품 제거 처리 즉, 공급 노즐로부터의 처리액의 토출 횟수나 토출 시간마다의 설정을 행할 필요가 있고, 처리액마다에 따라 다른 처리의 최적화를 도모할 필요가 있다.The timing of performing the bubble removing process in this kind of the process liquid supply device is before the start of the process, after the predetermined process is performed, after the process liquid storage tank is exchanged, and the like. However, in the foam removing process after performing the predetermined process, since the easy generation of gas differs depending on the type of the process liquid, the number of times of the foam removal process for each process liquid, that is, the number of times of discharge of the process liquid from the supply nozzle, And it is necessary to optimize other processes in accordance with each processing solution.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 필터로부터 폐기되는 처리액의 낭비를 없앨 수 있으며, 폐액 내에 용존하는 가스를 효율적으로 제거할 수 있고, 처리액의 종류에 영향을 받는 일 없이 처리의 최적화를 도모할 수 있으며, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to eliminate the waste of the treatment liquid discarded from the filter, efficiently remove the gas dissolved in the waste liquid, optimize the treatment And it is an object of the present invention to improve the treatment efficiency.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 처리액 공급 장치는, 피처리 기판에 처리액을 공급하는 공급 노즐과, 상기 처리액을 저장하는 처리액 저장 용기와, 상기 공급 노즐과 처리액 저장 용기를 접속하는 공급 관로와, 기체 공급 관로를 통해 상기 처리액 저장 용기 내의 처리액을 가압하여 처리액을 압송하는 가압 기체 공급원과, 상기 기체 공급 관로에 개재되고, 상기 처리액 저장 용기에의 기체의 공급 또는 정지를 하기 위한 기체 공급용 개폐 밸브와, 상기 공급 관로에 개재되고, 상기 처리액 저장 용기로부터 압송된 처리액을 일시 저장하는 일시 저장 용기와, 상기 공급 관로에 있어서의 상기 처리액 저장 용기와 상기 일시 저장 용기 사이에 개재되고, 상기 일시 저장 용기에의 처리액의 공급 또는 정지를 하기 위한 공급용 개폐 밸브와, 상기 일시 저장 용기의 2차측의 공급 관로에 개재되고, 상기 처리액을 여과하여 이물질을 제거하며, 처리액 내에 혼입되어 있는 기포를 제거하는 필터와, 상기 필터의 2차측의 공급 관로에 개재되는 펌프를 구비하는 처리액 공급 장치에 있어서, 상기 필터의 상부에 접속되고, 기포를 외부로 배출하기 위한 드레인 관로와, 이 드레인 관로로부터 분기되고, 상기 처리액 저장 용기와 일시 저장 용기 사이의 공급 관로에 접속하는 리턴 관로로 이루어지는 순환 관로와, 상기 가압 기체 공급원과 상기 일시 저장 용기를 접속하는 제2 기체 공급 관로와, 상기 제2 기체 공급 관로에 개재되고, 상기 일시 저장 용기를 가스 가압하는 측으로 전환하는 전환 밸브와, 상기 순환 관로를 구성하는 상기 드레인 관로에 개재되는 개폐 밸브와, 이 개폐 밸브의 2차측에 설치되고, 흐르는 처리액의 액압을 저하시켜 처리액 내에 용존(溶存)하는 기체를 기포화하는 가변 조정 스로틀과, 상기 공급 노즐로부터 처리액을 공급할 때에, 상기 기체 공급용 개폐 밸브 및 공급용 개폐 밸브를 폐쇄하고, 상기 전환 밸브를 상기 일시 저장 용기를 가압하는 측으로 전환하는 동시에, 상기 필터의 상기 드레인 관로의 개폐 밸브를 개방하여 상기 처리액이 상기 순환 관로에 흐르도록 제어하는 제어 수단을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다(청구항 1). 이 경우, 상기 개폐 밸브는, 상기 가변 조정 스로틀과 일체적으로 구성되어 있어도 좋다(청구항 2).In order to solve the above problems, a treatment liquid supply apparatus of the present invention comprises: a supply nozzle for supplying a treatment liquid to a substrate to be processed; a treatment liquid storage vessel for storing the treatment liquid; A pressurized gas supply source that pressurizes the process liquid in the process liquid storage container through a gas supply line to press-feed the process liquid; and a pressurized gas supply source interposed in the gas supply line, A temporary storage container interposed in the supply pipe for temporarily storing a processing liquid pumped from the processing liquid storage vessel; and a processing liquid storage container in the supply line, A supply opening / closing valve interposed between the temporary storage containers for supplying or stopping the process liquid to / from the temporary storage container; A filter interposed in a supply line of a secondary side of the long vessel for removing foreign substances by filtering the processing liquid and removing bubbles mixed in the processing liquid and a pump interposed in the supply line of the secondary side of the filter A drain pipe connected to an upper portion of the filter for discharging the bubbles to the outside and a drain pipe branched from the drain pipe for connecting to the supply pipe between the process liquid storage container and the temporary storage container A second gas supply pipe connected to the pressurized gas supply source and the temporary storage container; a switching valve interposed in the second gas supply pipe for switching the temporary storage container to a gas pressurizing side; An open / close valve interposed in the drain line constituting the circulation line, and a valve provided in a secondary side of the valve, A variable regulating throttle for lowering the liquid pressure of the liquid to vaporize a gas dissolved in the treatment liquid and a control valve for closing the gas supply opening and closing valve and the supply opening and closing valve when supplying the treatment liquid from the supply nozzle, And a control means for switching the switching valve to the side for pressing the temporary storage container and opening the opening and closing valve for the drain pipe of the filter to control the flow of the processing liquid through the circulating pipe Claim 1). In this case, the on-off valve may be integrally formed with the variable throttle (Claim 2).

이와 같이 구성함으로써, 필터의 거품 제거에 의해 폐액된 처리액을 순환 관로에 의해 재차 처리액 저장 용기와 일시 저장 용기 사이의 공급 관로에 복귀시킬 수 있다. 또한, 복귀되는 처리액은 순환 관로에 개재된 가변 조정 스로틀에 의해 액압이 저하하고, 액 내에 용존하는 가스가 현재화(顯在化)하여 기포가 발생된다. 이 기포를 포함하는 처리액을 순환 관로로부터 공급 관로를 통해 재차 필터를 통과시킴으로써, 필터에 의해 기포가 제거된다.With this configuration, the waste liquid solution can be returned to the supply pipe between the treatment liquid storage container and the temporary storage container by the circulation duct by removing the bubbles of the filter. In addition, the liquid to be returned is lowered by the variable adjusting throttle interposed in the circulation line, and the gas dissolved in the liquid becomes visible and bubbles are generated. By passing the treatment liquid containing the bubbles through the filter again from the circulation line through the supply line, the bubbles are removed by the filter.

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또한, 본 발명에서, 상기 순환 관로에, 상기 순환 관로를 흐르는 처리액 중의 기포를 검출하는 기포 검출 센서를 더 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 기포 검출 센서로부터의 검출 신호에 기초하여, 가압 기체 공급원의 가압량, 가변 조정 스로틀의 스로틀량 또는 순환 관로를 흐르는 처리액의 시간 중 적어도 하나를 제어하는 편이 바람직하다(청구항 3).Further, in the present invention, the circulation duct may further include a bubble detection sensor for detecting bubbles in the treatment liquid flowing through the circulation duct, wherein the control means controls, based on the detection signal from the bubble detection sensor, It is preferable to control at least one of the amount of pressurization of the supply source, the throttling amount of the variable adjustment throttle, or the time of the treatment liquid flowing through the circulation duct (claim 3).

이와 같이 구성함으로써, 기포 검출 센서에 의해 순환 관로를 흐르는 처리액 내의 기포를 검출하고, 그 검출 신호를 제어 수단에 전달하며, 제어 수단에 의해 가압 기체 공급원의 가압량, 가변 조정 스로틀의 스로틀량 또는 순환 관로를 흐르는 처리액의 시간 중 적어도 하나를 제어할 수 있다.With this configuration, the bubble in the processing liquid flowing through the circulation duct is detected by the bubble detection sensor, and the detection signal is transmitted to the control means. The control means controls the amount of pressurization of the pressurized gas supply source, the throttle amount of the variable adjustment throttle, It is possible to control at least one of the time of the treatment liquid flowing through the circulation duct.

또한, 본 발명에서, 상기 필터와 펌프 사이의 공급 관로에 개재되며, 처리액 내에 용존하는 기포를 분리하는 기능을 갖는 트랩 탱크를 더 구비하고, 상기 트랩 탱크와 순환 관로를 개폐 밸브를 개재한 드레인 관로에 의해 접속하는 구성으로 하는 편이 좋다(청구항 4). 이 경우, 상기 트랩 탱크에, 상기 트랩 탱크 내에 저장되는 처리액 내의 기포를 검출하는 기포 검출 센서를 더 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 기포 검출 센서로부터의 검출 신호에 기초하여, 가압 기체 공급원의 가압량, 가변 조정 스로틀의 스로틀량 또는 순환 관로를 흐르는 처리액의 시간 중 적어도 하나를 제어하는 편이 바람직하다(청구항 5).Further, in the present invention, the apparatus further comprises a trap tank interposed in a supply line between the filter and the pump, the trap tank having a function of separating bubbles dissolved in the treatment liquid, wherein the drain tank It is preferable to have a constitution in which it is connected by a pipeline (claim 4). In this case, the trap tank may further include a bubble detection sensor for detecting bubbles in the treatment liquid stored in the trap tank, wherein the control means controls the bubble detection sensor based on the detection signal from the bubble detection sensor, It is preferable to control at least one of a pressurizing amount, a throttling amount of the variable throttle, or a time of the processing liquid flowing through the circulation line (claim 5).

이와 같이 구성함으로써, 필터에 의해 제거되지 않았던 처리액 내에 용존하는 가스에 의해 발생하는 기포를 트랩 탱크에 의해 제거할 수 있으며, 개폐 밸브에 의해 트랩 탱크로부터 배출되는 처리액의 액압을 저하시켜 처리액 내에 용존하는 가스를 현재화하여 기포를 발생시킬 수 있고, 발생한 기포를 드레인 관로로부터 외부에 배출할 수 있다. 그 외의 처리액을 순환 관로에 의해 공급 관로로 복귀시키고, 공급 관로를 통해 재차 필터를 통과할 때에 처리액 내의 기포가 필터에 의해 제거된다. 이 경우, 기포 검출 센서에 의해 트랩 탱크 내의 처리액 내의 기포를 검출하고, 그 검출 신호를 제어 수단에 전달하며, 제어 수단에 의해 가압 기체 공급원의 가압량, 가변 조정 스로틀의 스로틀량 또는 순환 관로를 흐르는 처리액의 시간 중 적어도 하나를 제어할 수 있다.With this configuration, the trap tank can remove the bubbles generated by the dissolved gas in the processing liquid that has not been removed by the filter, and the hydraulic pressure of the processing liquid discharged from the trap tank is lowered by the opening / closing valve, The bubbles can be generated and the bubbles generated can be discharged from the drain pipe to the outside. The other treatment liquid is returned to the supply line by the circulation line, and the bubbles in the treatment liquid are removed by the filter when passing again through the supply line. In this case, bubbles in the treatment liquid in the trap tank are detected by the bubble detection sensor and the detection signal is transmitted to the control means. The control means controls the amount of pressurization of the pressurized gas supply source, the throttling amount of the variable adjustment throttle, It is possible to control at least one of the time of the flowing process liquid.

본 발명은 상술한 바와 같이 구성되어 있기 때문에, 이하와 같은 현저한 효과를 얻을 수 있다.Since the present invention is constructed as described above, the following remarkable effects can be obtained.

(1) 청구항 1, 2에 기재된 발명에 따르면, 필터의 거품 제거에 의해 폐액된 처리액을 순환 관로에 의해 재차 처리액 저장 용기와 일시 저장 용기 사이의 공급 관로에 복귀시킬 수 있기 때문에, 필터로부터 폐액되는 처리액의 낭비를 없앨 수 있다. 또한, 복귀되는 처리액은, 순환 관로에 개재된 가변 조정 스로틀에 의해 액압이 저하하고, 액 내에 용존하는 가스가 현재화하여 기포가 발생되기 때문에, 처리액 내의 기포는, 순환 관로로부터 공급 관로를 통해 재차 필터를 통과할 때에 필터에 의해 제거할 수 있다. 또한, 처리액의 종류에 관계 없이 처리액 내에 용존하는 가스를 효율적으로 제거할 수 있기 때문에, 처리의 최적화를 도모할 수 있으며, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.(1) According to the invention described in Claims 1 and 2, since the treatment liquid that has been discarded by removing the bubbles of the filter can be returned to the supply pipeline between the treatment liquid storage vessel and the temporary storage vessel again by the circulation duct, It is possible to eliminate the waste of the treatment liquid to be disposed of. Further, in the recovered processing liquid, the liquid pressure is lowered by the variable adjusting throttle interposed in the circulating pipeline, and the gas dissolved in the liquid is present and bubbles are generated, so that the bubbles in the processing liquid are discharged from the circulation line to the supply line And can be removed by the filter when passing through the filter again. Further, since the gas dissolved in the treatment liquid can be efficiently removed regardless of the kind of the treatment liquid, the treatment can be optimized and the treatment efficiency can be improved.

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(2) 청구항 3에 기재된 발명에 따르면, 기포 검출 센서에 의해 순환 관로를 흐르는 처리액 내의 기포를 검출하고, 그 검출 신호에 기초하여 가압 기체 공급원의 가압량, 가변 조정 스로틀의 스로틀량 또는 순환 관로를 흐르는 처리액의 시간 중 적어도 하나를 제어할 수 있기 때문에, 상기 (1)에 더하여 처리의 최적화를 더 도모할 수 있으며, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.(2) According to the invention of claim 3, bubbles in the treatment liquid flowing through the circulation duct are detected by the bubble detection sensor, and based on the detection signal, the amount of pressurization of the pressurized gas supply source, the throttling amount of the variable adjustment throttle, It is possible to further optimize the treatment in addition to the above-mentioned (1), and it is possible to improve the treatment efficiency.

(3) 청구항 4에 기재된 발명에 따르면, 필터에 의해 제거되지 않았던 처리액 내에 용존하는 가스에 의해 발생하는 기포를 트랩 탱크에 의해 제거하고, 이 기포를 포함하는 처리액을 순환 관로에 의해 공급 관로로 복귀시키며, 공급 관로를 통해 다시 필터를 통과할 때에 처리액 내의 기포를 필터에 의해 제거할 수 있다. 따라서, 상기 (1), (2)에 더하여, 처리의 최적화를 더 도모할 수 있으며, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다. 이 경우, 기포 검출 센서에 의해 트랩 탱크 내의 처리액 내의 기포를 검출하고, 그 검출 신호에 기초하여 가압 기체 공급원의 가압량, 가변 조정 스로틀의 스로틀량 또는 순환 관로를 흐르는 처리액의 시간 중 적어도 하나를 제어함으로써, 처리의 최적화를 더 도모할 수 있으며, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.(3) According to the invention as set forth in claim 4, the bubbles generated by the gas dissolved in the treatment liquid which have not been removed by the filter are removed by the trap tank, and the treatment liquid containing the bubbles is circulated by the circulation duct, And bubbles in the treatment liquid can be removed by the filter when passing through the filter again through the supply line. Therefore, in addition to the above-mentioned (1) and (2), the processing can be further optimized and the processing efficiency can be improved. In this case, bubbles in the treatment liquid in the trap tank are detected by the bubble detection sensor, and based on the detection signal, at least one of the pressurization amount of the pressurized gas supply source, the throttling amount of the variable throttle, It is possible to further optimize the processing and improve the processing efficiency.

이하에 본 발명의 최량의 실시형태를 첨부 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 여기서는 본 발명에 따른 처리액 공급 장치를 반도체 웨이퍼의 레지스트액 도포·현상 처리 시스템에서의 레지스트 도포 처리 장치에 적용한 경우에 대해서 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the best mode for carrying out the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the treatment liquid supply device according to the present invention is applied to a resist coating treatment device in a resist solution coating / developing treatment system of a semiconductor wafer will be described.

도 9는 본 발명에 따른 처리액 공급 장치를 구비하는 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포·현상 처리 시스템을 나타내는 개략 평면도이고, 도 10은 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 정면도이며, 도 11은 레지스트 도포·현상 처리 시스템의 개략 배면도이다.FIG. 9 is a schematic plan view showing a resist coating and developing processing system of a semiconductor wafer having a processing liquid supply apparatus according to the present invention, FIG. 10 is a schematic front view of a resist coating / developing processing system, Fig. 2 is a schematic rear view of the processing system.

상기 레지스트 도포·현상 처리 시스템(S)은 도 9에 나타내는 바와 같이, 예컨대 25장의 웨이퍼(W)를 카세트 단위로 외부로부터 레지스트 도포·현상 처리 시 스템(S)에 대하여 반입출하며, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출하는 카세트 스테이션(S1)과, 이 카세트 스테이션(S1)에 인접하여 설치되고, 도포 현상 공정 중에서 매엽식으로 미리 결정된 처리를 시행하는 각종 처리 유닛을 다단 배치하여 이루어지는 처리 스테이션(S2)과, 이 처리 스테이션(S2)에 인접하여 설치되어 있는 노광 장치(도시하지 않음) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스부(S3)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.As shown in FIG. 9, the resist coating and developing system S includes 25 wafers W, for example, which are carried in and out of the resist coating and developing processing system S from the outside in units of cassettes, A cassette station S1 for loading and unloading the wafers W with respect to the cassette station S1 and a plurality of processing units provided adjacent to the cassette station S1 for carrying out a predetermined process in the coating and developing process, And an interface unit S3 for transferring the wafer W between the processing station S2 and an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station S2 are integrally connected have.

카세트 스테이션(S1)은 카세트 적재대(A) 상의 미리 결정된 위치에, 복수의 카세트(C)를 수평의 X방향으로 일렬로 적재 가능하게 되어 있다. 또한, 카세트 스테이션(S1)에는 반송로(B) 상을 X방향을 따라 이동 가능한 웨이퍼 반송 아암(D)이 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 아암(D)은 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼 배열 방향(Z방향; 연직 방향)으로도 이동 가능하며, X방향으로 배열된 각 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 선택적으로 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.The cassette station S1 is capable of stacking a plurality of cassettes C in a row in the horizontal X direction at a predetermined position on the cassette mounting table A. [ The cassette station S1 is provided with a wafer transfer arm D movable along the X direction on the transfer path B. The wafer transfer arm D is also movable in the wafer arrangement direction (Z direction: vertical direction) of the wafer W accommodated in the cassette C and is movable in the X direction with respect to the wafer W in each cassette C As shown in FIG.

또한, 웨이퍼 반송 아암(D)은 Z축을 중심으로 하여 θ방향으로 회전 가능하게 구성되어 있고, 후술하는 바와 같이 처리 스테이션(S2)측의 제3 처리 유닛군(G3)에 속하는 트랜지션 장치(TRS)(31)에 대해서도 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.The wafer transfer arm D is configured so as to be rotatable in the? Direction around the Z axis. The transfer apparatus TRS belonging to the third processing unit group G3 on the processing station S2 side, as described later, So that it is also possible to access the storage unit 31 as well.

처리 스테이션(S2)은 복수의 처리 유닛이 다단에 배치된, 예컨대 5개의 처리 유닛군(G1∼G5)을 구비하고 있다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리 스테이션(S2)의 정면측에는 카세트 스테이션(S1)측으로부터 제1 처리 유닛군(G1), 제2 처리 유닛군(G2)이 순서대로 배치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(S2)의 배면측에는 카세 트 스테이션(S1)측으로부터 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5)이 순서대로 배치되어 있다. 제3 처리 유닛군(G3)과 제4 처리 유닛군(G4) 사이에는 제1 반송 기구(110)가 설치되어 있다. 제1 반송 기구(110)는 제1 처리 유닛군(G1), 제3 처리 유닛군(G3) 및 제4 처리 유닛군(G4)에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다. 제4 처리 유닛군(G4)과 제5 처리 유닛군(G5) 사이에는 제2 반송 기구(120)가 설치되어 있다. 제2 반송 기구(120)는 제2 처리 유닛군(G2), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5)에 선택적으로 액세스하여 웨이퍼(W)를 반송하도록 구성되어 있다.The processing station S2 has, for example, five processing unit groups (G1 to G5) in which a plurality of processing units are arranged in multiple stages. As shown in Fig. 9, the first processing unit group G1 and the second processing unit group G2 are arranged in order from the cassette station S1 side on the front side of the processing station S2. A third processing unit group G3, a fourth processing unit group G4 and a fifth processing unit group G5 are arranged in order from the cassette station S1 side on the back side of the processing station S2 . A first transport mechanism 110 is provided between the third processing unit group G3 and the fourth processing unit group G4. The first transport mechanism 110 is configured to selectively access the first processing unit group G1, the third processing unit group G3 and the fourth processing unit group G4 to transport the wafer W. [ A second transport mechanism 120 is provided between the fourth processing unit group G4 and the fifth processing unit group G5. The second transport mechanism 120 is configured to selectively access the second processing unit group G2, the fourth processing unit group G4 and the fifth processing unit group G5 to transport the wafer W. [

제1 처리 유닛군(G1)에는 도 10에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)에 미리 결정된 처리액을 공급하여 처리를 행하는 액처리 유닛, 예컨대 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는, 본 발명에 따른 처리액 공급 장치를 구비하는 레지스트 도포 처리 장치를 갖는 레지스트 도포 유닛(COT)(10, 11, 12), 노광 시의 빛의 반사를 방지하기 위한 자외선 경화 수지액을 도포하여 반사 방지막을 형성하는 보텀(bottom) 코팅 유닛(BARC)(13, 14)이 밑에서부터 순서대로 5단으로 중첩되어 있다. 제2 처리 유닛군(G2)에는 액처리 유닛, 예컨대 웨이퍼(W)에 현상 처리를 시행하는 현상 처리 유닛(DEV)(20∼24)이 밑에서부터 5단으로 중첩되어 있다. 또한, 제1 처리 유닛군(G1) 및 제2 처리 유닛군(G2)의 최하단에는 각 처리 유닛군(G1 및 G2) 내의 상기 액처리 유닛에 각종 처리액을 공급하기 위한 케미컬실(CHM)(25, 26)이 각각 설치되어 있다.As shown in Fig. 10, the first processing unit group G1 is provided with a liquid processing unit for supplying a predetermined processing liquid to the wafer W, for example, a liquid processing unit for applying a resist solution to the wafer W, A resist coating unit (COT) 10, 11, 12 having a resist coating apparatus provided with a processing liquid supply apparatus according to the present invention, and an ultraviolet curable resin liquid for preventing reflection of light at the time of exposure to form an antireflection film Bottom coating units (BARC) 13 and 14 are superimposed in five stages in order from the bottom. In the second processing unit group G2, a liquid processing unit, for example, development processing units (DEV) 20 to 24 for performing development processing on the wafer W are superposed in five stages from the bottom. A chemical chamber CHM for supplying various processing solutions to the liquid processing units in the respective processing unit groups G1 and G2 is provided at the lowermost end of the first processing unit group G1 and the second processing unit group G2 25, and 26, respectively.

한편, 제3 처리 유닛군(G3)에는 도 11에 나타내는 바와 같이, 밑에서부터 순 서대로, 온도 조절 유닛(TCP)(30), 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 트랜지션 장치(TRS)(31) 및 정밀도가 높은 온도 관리 하에서 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 열처리 유닛(ULHP)(32∼38)이 9단으로 중첩되어 있다.11, the third processing unit group G3 is provided with a temperature control unit (TCP) 30 and a transition device TRS (second transfer unit) for transferring the wafers W 31 and heat treatment units (ULHP) 32 to 38 for heating the wafers W under high-precision temperature control are superimposed in nine stages.

제4 처리 유닛군(G4)에서는, 예컨대 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)(40), 레지스트 도포 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 프리 베이킹 유닛(PAB)(41∼44) 및 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 베이킹 유닛(POST)(45∼49)이 밑에서부터 순서대로 10단으로 중첩되어 있다.The fourth processing unit group G4 includes, for example, a high precision temperature control unit (CPL) 40, prebaking units (PAB) 41 to 44 for heating the wafer W after the resist coating process, Post baking units (POST) 45 to 49 for heating the wafers W are stacked in ten stages in order from the bottom.

제5 처리 유닛군(G5)에서는, 웨이퍼(W)를 열처리하는 복수의 열처리 유닛, 예컨대 고정밀도 온도 조절 유닛(CPL)(50∼53), 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포져 베이킹 유닛(PEB)(54∼59)이 밑에서부터 순서대로 10단으로 중첩되어 있다.The fifth processing unit group G5 includes a plurality of heat treatment units for heat treating the wafer W such as high precision temperature control units (CPL) 50 to 53, post-exposure baking for heating the exposed wafer W, The units (PEB) 54 to 59 are superposed in ten stages in order from the bottom.

또한, 제1 반송 기구(110)의 X방향 정방향측에는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 복수의 처리 유닛이 배치되어 있고, 예컨대 도 11에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하기 위한 애드히젼 유닛(AD)(80, 81), 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 유닛(HP)(82, 83)이 밑에서부터 순서대로 4단으로 중첩되어 있다. 또한, 제2 반송 기구(120)의 배면측에는 도 9에 나타내는 바와 같이, 예컨대 웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하는 주변 노광 유닛(WEE)(84)이 배치되어 있다.9, a plurality of processing units are arranged on the positive direction side of the first transport mechanism 110 in the X direction. As shown in Fig. 11, for example, Units AD 80 and 81 and heating units HP and 82 for heating the wafer W are superposed in order from the bottom in four stages. 9, a peripheral exposure unit (WEE) 84 for selectively exposing only the edge portion of the wafer W is disposed on the back side of the second transport mechanism 120. As shown in Fig.

또한, 도 10에 나타내는 바와 같이, 카세트 스테이션(S1), 처리 스테이션(S2) 및 인터페이스부(S3)의 각 블록의 상부에는, 각 블록 내를 공조하기 위한 공조 유닛(90)이 구비되어 있다. 이 공조 유닛(90)에 의해, 카세트 스테이션(S1), 처리 스테이션(S2) 및 인터페이스부(S3) 내는, 미리 결정된 온도 및 습도로 조정할 수 있다. 또한, 도 11에 나타내는 바와 같이, 예컨대 처리 스테이션(S2)의 상부에는, 제3 처리 유닛군(G3), 제4 처리 유닛군(G4) 및 제5 처리 유닛군(G5) 내의 각 장치에 미리 결정된 기체를 공급하는, 예컨대 FFU(팬필터 유닛) 등의 기체 공급 수단인 기체 공급 유닛(91)이 각각 설치되어 있다. 기체 공급 유닛(91)은 미리 결정된 온도, 습도로 조정된 기체로부터 불순물을 제거한 후, 해당 기체를 미리 결정된 유량으로 송풍할 수 있다.As shown in Fig. 10, an air conditioning unit 90 for air-conditioning each block is provided above each block of the cassette station S1, the processing station S2 and the interface unit S3. With this air conditioning unit 90, the cassette station S1, the processing station S2 and the interface unit S3 can be adjusted to a predetermined temperature and humidity. As shown in Fig. 11, for example, in the upper part of the processing station S2, the devices in the third processing unit group G3, the fourth processing unit group G4, and the fifth processing unit group G5 are preliminarily And a gas supply unit 91, which is a gas supply means such as an FFU (fan filter unit), for supplying the determined gas, are respectively provided. The gas supply unit 91 can remove the impurities from the gas adjusted to a predetermined temperature and humidity, and then blow the gas at a predetermined flow rate.

인터페이스부(S3)는 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리 스테이션(S2)측으로부터 순서대로 제1 인터페이스부(100)와, 제2 인터페이스부(101)를 구비하고 있다. 제1 인터페이스부(100)에는 웨이퍼 반송 아암(102)이 제5 처리 유닛군(G5)에 대응하는 위치에 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 아암(102)의 X방향의 양측에는, 예컨대 버퍼 카세트[103(도 9의 배면측), 104(도 9의 정면측)]가 각각 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 아암(102)은 제5 처리 유닛군(G5) 내의 열처리 장치와 버퍼 카세트(103, 104)에 대하여 액세스될 수 있다. 제2 인터페이스부(101)에는 X방향을 향하여 설치된 반송로(105) 상을 이동하는 웨이퍼 반송 아암(106)이 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 아암(106)은 Z방향으로 이동할 수 있고, θ방향으로 회전할 수 있으며, 버퍼 카세트(104)와, 제2 인터페이스부(101)에 인접한 도시하지 않은 노광 장치에 대하여 액세스할 수 있게 되어 있다. 따라서, 처리 스테이션(S2) 내의 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 아암(102), 버퍼 카세트(104), 웨이퍼 반송 아암(106)을 통해 노광 장치로 반송될 수 있고, 노광 처리가 종료된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 아암(106), 버퍼 카세트(104), 웨이퍼 반송 아암(102)을 통해 처리 스테이션(S2) 내로 반송될 수 있다.9, the interface unit S3 includes a first interface unit 100 and a second interface unit 101 in this order from the processing station S2 side. In the first interface unit 100, the wafer transfer arm 102 is disposed at a position corresponding to the fifth processing unit group G5. On the both sides in the X direction of the wafer transfer arm 102, for example, a buffer cassette 103 (back side of FIG. 9) and 104 (front side of FIG. 9) are provided. The wafer transfer arm 102 can be accessed to the thermal processing apparatus and the buffer cassettes 103 and 104 in the fifth processing unit group G5. The second interface unit 101 is provided with a wafer transfer arm 106 that moves on a transfer path 105 provided in the X direction. The wafer transfer arm 106 can move in the Z direction and can rotate in the? Direction, and can access the buffer cassette 104 and an exposure apparatus (not shown) adjacent to the second interface unit 101 have. The wafer W in the processing station S2 can be transferred to the exposure apparatus through the wafer transfer arm 102, the buffer cassette 104 and the wafer transfer arm 106, and the wafer W Can be conveyed into the processing station S2 through the wafer transfer arm 106, the buffer cassette 104, and the wafer transfer arm 102. [

또한, 레지스트 도포 유닛(COT)(10, 11, 12)에 적용되는 본 발명에 따른 처리액 공급 장치를 구비하는 레지스트 도포 처리 장치(15)는, 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(60) 내에 배치되어 있다. 이 처리 용기(60)의 일측면에는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반송 수단인 상기 제1 반송 기구(110)의 반송 영역에 면하는 면에 웨이퍼(W)의 반입출구(60a)가 형성되고, 반입출구(60a)에는 개폐 셔터(63)가 개폐용 승강 실린더(64)에 의해 개폐 가능하게 설치되어 있다.The resist coating processing apparatus 15 having the processing liquid supplying apparatus according to the present invention applied to the resist coating units (COT) 10, 11, 12 is provided with a processing container 60 Respectively. As shown in Fig. 12, on one side of the processing vessel 60, a wafer W carrying-in / out port (not shown) is provided on a surface facing the carrying region of the first transfer mechanism 110, Closing shutters 63 are provided on the loading / unloading port 60a so as to be openable / closable by an opening / closing cylinder 64 for opening / closing.

레지스트 도포 처리 장치(15)는 도 12에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 유지 수단으로서 그 상면에 웨이퍼(W)를 수평으로 진공 흡착 유지하는 스핀척(16)과, 스핀척(16)에 축부(16a)를 통해 연결되고, 웨이퍼(W)를 수평 면내에서 회전시키는 예컨대, 서보 모터 등으로 형성되는 회전 기구(16b)와, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 공급하는 처리액 공급 노즐(70a)을 구비하는 집합 노즐(70)을 구비하고 있다.12, the resist coating apparatus 15 includes a spin chuck 16 for holding the wafer W horizontally by vacuum suction on the upper surface thereof as holding means for the wafer W, A rotation mechanism 16b connected to the wafer W via a shaft portion 16a and configured to rotate the wafer W in a horizontal plane such as a servo motor, And a collecting nozzle 70 provided with a collecting nozzle 70a.

집합 노즐(70)은 회전축(66)을 중심으로 하여 선회하는 이동 부재로서의 회전 아암(65)의 선단부에 설치되어 있다. 집합 노즐(70)에는 후술하는 제2 처리액 공급 관로(7b)에 접속되며 레지스트액을 토출하는 처리액 공급 노즐(70a)과, 용제 공급 관로(70c)를 통해 용제 공급원(70d)에 접속되며 용제를 토출하는 용제 공급 노즐(70b)이 설치되어 있고, 이들 노즐(70a, 70b)은 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측에 서로 전후하여 병치되며, 집합 노즐(70)의 하면에서 모두 개구하고 있다. 즉, 이 처리액 공급 노즐(70a)과 용제 공급 노즐(70b)은 웨이퍼(W)의 반경 방향 내측에 처리액 공급 노즐(70a)이 위치하고, 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측에 용제 공급 노즐(70b)이 위치하도록, 서로 미리 결정된 간격만큼 거리를 두고 병치되어 있다. 그리고, 처리액 공급 노즐(70a)로부터는 제2 처리액 공급 관로(7b)에 의해 공급된 레지스트액이, 또한 용제 공급 노즐(70b)로부터는 용제 공급 관로(70c)에 의해 공급된 용제가 각각 독립적으로 토출되도록 구성되어 있다.The collecting nozzle 70 is provided at the tip of the rotating arm 65 as a moving member pivoting about the rotating shaft 66. The collecting nozzle 70 is connected to a solvent supply source 70d via a solvent supply line 70c and a treatment liquid supply nozzle 70a connected to a second treatment liquid supply line 7b to be described later and discharging a resist solution The nozzles 70a and 70b are juxtaposed in the radial direction of the wafer W in the longitudinal direction and open at the lower surface of the collecting nozzle 70 . That is, the process liquid supply nozzle 70a and the solvent supply nozzle 70b are arranged such that the process liquid supply nozzle 70a is positioned radially inwardly of the wafer W and the solvent supply nozzle 70b are located at a predetermined distance from each other. The resist liquid supplied by the second process liquid supply line 7b from the process liquid supply nozzle 70a and the solvent supplied by the solvent supply line 70c from the solvent supply nozzle 70b And is configured to be discharged independently.

또한, 도 12에 나타내는 바와 같이, 회전 아암(65)은 처리 용기(60)의 외측에 연직으로 설치된 회전축(66)의 상부에 수평 자세로 고정되어 있고, 회전축(66)의 회전 기구(67)(노즐 이동 기구)에 의해, 수평 면내에서 회전하도록 구성되어 있다. 회전 아암(65)은 웨이퍼(W)의 상방에서, 웨이퍼(W)의 중심부 부근으로 이동한 상태와, 처리 용기(60)보다도 외측의 대기 위치(홈 위치)로 이동한 상태 사이를 이동한다. 회전 아암(65)을 이들 사이에서 이동시킴으로써, 웨이퍼(W) 상에 도포막을 형성하는 처리를 행한다.12, the rotary arm 65 is fixed in a horizontal posture above the rotary shaft 66 vertically provided on the outer side of the processing container 60, and the rotation mechanism 67 of the rotary shaft 66 is rotated in the horizontal direction, (Nozzle moving mechanism), so as to rotate within the horizontal plane. The rotary arm 65 moves between the state of moving to the vicinity of the central portion of the wafer W and the state of moving to the standby position (the home position) outside the processing container 60 at a position above the wafer W. The rotating arm 65 is moved between them to perform a process of forming a coating film on the wafer W. [

또한, 처리 용기(60) 내에는 웨이퍼(W)의 외주측을 포위하는 상하 이동 가능한 외측컵(61)과, 웨이퍼(W)의 하부측에 배치되는 내측컵(62)이 설치되어 있다. 또한, 처리 용기(60)의 처리 공간(60b)에는 상방으로부터 흐르는 다운 플로우의 청정 공기가 하방으로 흐르도록 외측컵(61)과 내측컵(62) 사이에 통기 유로(60c)가 형성되어 있다.An outer cup 61 capable of moving up and down around the outer periphery of the wafer W and an inner cup 62 disposed on the lower side of the wafer W are provided in the processing vessel 60. A ventilation passage 60c is formed in the processing space 60b of the processing vessel 60 between the outer cup 61 and the inner cup 62 so that the clean air of the downflow flowing downward flows downward.

다음에, 본 발명에 따른 처리액 공급 장치에 대해서 도 1 내지 도 8를 참조하여 설명한다.Next, a treatment liquid supply apparatus according to the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 8. Fig.

<제1 실시형태>&Lt; First Embodiment >

도 1은 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 제1 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a treatment liquid supply apparatus according to the present invention.

상기 처리액 공급 장치는 처리액(L)(레지스트액)을 저장하는 처리액 저장 용기(1)[이하에 약액 용기(1)이라 함]와, 이 약액 용기(1)에 기체 공급 관로(6a)[이하에 제1 기체 공급 관로(6a)라 함]를 통해 접속되고, 약액 용기(1) 내의 레지스트액(L)을 가압하는 가압 수단인 불활성 가스 예컨대, 질소(N2) 가스의 공급원(71)[이하에, N2 가스 공급원(71)이라 함]과, 제1 처리액 공급 관로(7a)를 통해 약액 용기(1)에 접속되며, 약액 용기(1)로부터 유도된 처리액을 일시 저장하는 일시 저장 용기인 버퍼 탱크(2)와, 이 버퍼 탱크(2)와 처리액 공급 노즐(70a)[이하에 공급 노즐(70a)이라 함]을 접속하는 제2 처리액 공급 관로(7b)와, 제2 처리액 공급 관로(7b)에서, 버퍼 탱크(2)측에 개재되며 처리액 내에 혼입되어 있는 기포를 제거하는 필터(3)와, 필터(3)의 2차측에 개재되는 소형의 트랩 탱크(4)와, 트랩 탱크(4)의 2차측에 개재되며 처리액을 공급 노즐(70a)에 공급하는 펌프(5)를 구비하고 있다.The treatment liquid supply device comprises a treatment liquid storage container 1 (hereinafter referred to as a chemical liquid container 1) for storing a treatment liquid L (resist solution), and a gas supply pipe 6a ) it is connected through a [claim referred to as first gas supply duct (6a) below], a source of a liquid container (an inert gas such as nitrogen pressure means for pressing the resist liquid (L) in a 1) (N 2) gas ( (Hereinafter referred to as an N 2 gas supply source 71) connected to the chemical liquid container 1 via the first process liquid supply line 7a and the processing liquid derived from the chemical liquid container 1 A second processing liquid supply line 7b for connecting the buffer tank 2 and the processing liquid supply nozzle 70a (hereinafter referred to as a supply nozzle 70a) A filter 3 interposed in the buffer tank 2 side in the second treatment liquid supply line 7b to remove bubbles mixed in the treatment liquid and a small The Through the outlet side of the tank 4, a trap tank 4 is provided with a pump 5 for supplying the process liquid to the supply nozzle (70a).

또한, 일단부가 제1 기체 공급 관로(6a)로부터 분기되고, 타단부가 버퍼 탱크(2)의 상부에 접속되는 제2 기체 공급 관로(6b)가 설치되어 있다. 이 제2 기체 공급 관로(6b)에는, 버퍼 탱크(2) 내와 대기에 개방하는 대기부(72) 또는 N2 가스 공급원(71)으로 전환 가능하게 연통하는 전환 밸브(Vc)가 개재되어 있다. 이 경 우, 전환 밸브(Vc)는 버퍼 탱크(2)측의 하나의 포트와, N2 가스 공급원(71)측과, 대기부(72)측의 2개의 포트를 전환하는 3포트 2위치 전환 가능한 전자 전환 밸브로써 형성되어 있고, 이 전환 밸브(Vc)의 전환 조작에 의해 버퍼 탱크(2) 내가 대기측 또는 N2 가스 공급원(71)측에 연통 가능하게 형성되어 있다.There is also provided a second gas supply line 6b, one end of which branches off from the first gas supply line 6a and the other end of which is connected to the upper portion of the buffer tank 2. The second gas supply line 6b is provided with a switching valve Vc communicating with the buffer tank 2 and the N 2 gas supply source 71 so as to be able to switch between the standby portion 72 or the N 2 gas supply source 71 . In this case, the switching valve Vc is connected to one port on the buffer tank 2 side, the N 2 gas supply source 71 side, and the port on the standby portion 72 side, And the buffer tank 2 is formed so as to communicate with the atmosphere side or the N 2 gas supply source 71 side by the switching operation of the switching valve Vc.

또한, 필터(3)의 상부에 드레인 관로(7c)가 접속되어 있고, 이 드레인 관로(7c)로부터 분기되는 리턴 관로(8a)가 약액 용기(1)와 버퍼 탱크(2) 사이의 제1 처리액 공급 관로(7a)에 접속되어 순환 관로(8)를 형성하고 있다. 이 순환 관로(8)를 구성하는 필터측의 드레인 관로(7c)와, 드레인 관로(7c)로부터 분기된 리턴 관로(8a)에는 각각 전자식의 개폐 밸브(V1, V2)가 개재되어 있고, 개폐 밸브(V1)의 2차측 근방에는 스로틀 수단인 가변 조정 스로틀(9)[이하에 가변 스로틀(9)라 함]이 개재되어 있다. 또한, 드레인 관로(7c)의 배출측에는 전자식의 드레인 밸브(Vd)가 개재되어 있다.A drain line 7c is connected to the upper portion of the filter 3 and a return line 8a branched from the drain line 7c is connected to the first treatment And is connected to the liquid supply line 7a to form the circulation line 8. Closing valves V1 and V2 are respectively provided in the drain pipe 7c on the filter side and the return pipe 8a branched from the drain pipe 7c constituting the circulating pipe 8, A variable throttle 9 (hereinafter referred to as a variable throttle 9) which is a throttle means is disposed in the vicinity of the secondary side of the intake throttle V1. An electronic drain valve Vd is disposed on the drain side of the drain line 7c.

상기한 바와 같이 순환 관로(8) 내에 가변 스로틀(9)을 개재함으로써, 필터(3)로부터 배출되어 드레인 관로(7c)를 흐르는 처리액 즉, 레지스트액(L)의 액압을 저하시킬 수 있고, 레지스트액 내에 용존하는 가스가 현재화(顯在化)하여 기포가 발생한다. 발생한 기포는 드레인 관로(7c)를 통해 외부로 배출된다.As described above, by interposing the variable throttle 9 in the circulation duct 8, it is possible to lower the liquid pressure of the process liquid that is discharged from the filter 3 and flows through the drain line 7c, that is, the resist liquid L, The gas dissolved in the resist solution becomes visible and bubbles are generated. The generated bubbles are discharged to the outside through the drain pipe 7c.

또한, 상기 설명에서는 스로틀 수단이 가변 스로틀(9)로 형성되는 경우에 대해서 설명하였지만, 도 1에 1점 쇄선의 블록으로 나타내는 바와 같이, 개폐 밸브(V1)와 가변 스로틀(9)을 일체화한 전자식의 유량 조정 가능한 개폐 밸브(V3)로 형성하여도 좋다.In the above description, the throttle means is formed of the variable throttle 9. However, as shown by the one-dot chain line block diagram in Fig. 1, the electronic throttle valve 9 and the variable throttle valve 9, Off valve V3 which is capable of adjusting the flow rate of the refrigerant.

또한, 상기 트랩 탱크(4)는 레지스트액 내에 용존하는 기포를 분리하는 기능을 가지고 있고, 이 트랩 탱크(4)의 상부에 접속되는 트랩 탱크용 드레인 관로(7d)는 순환 관로(8)에 접속되어 있다. 트랩 탱크용 드레인 관로(7d)에는 전자식의 개폐 밸브(V4)가 개재되어 있으며, 이 개폐 밸브(V4)에 의해 트랩 탱크(4)로부터 배출되는 레지스트액의 액압을 저하시킬 수 있고, 레지스트액 내에 용존하는 가스가 현재화하여 기포가 발생한다. 발생한 기포는 드레인 관로(7c)를 통해 외부로 배출된다.The trap tank 4 has a function of separating bubbles dissolved in the resist liquid and a drain pipe line 7d for the trap tank connected to the upper portion of the trap tank 4 is connected to the circulation line 8 . An electronic opening / closing valve V4 is provided in the drain pipeline 7d for the trap tank. The liquid pressure of the resist liquid discharged from the trap tank 4 can be lowered by the opening / closing valve V4, Dissolved gas is present and bubbles are generated. The generated bubbles are discharged to the outside through the drain pipe 7c.

또한, 제1 처리액 공급 관로(7a)와 버퍼 탱크(2)의 접속부에는 레지스트액을 버퍼 탱크(2) 내의 기체와 접촉시키면서 버퍼 탱크(2) 내로 유도하는 도입관(75)이 설치되어 있다. 이 경우, 도입관(75)은 약액 용기(1)로부터 버퍼 탱크(2) 내에 보충되는 레지스트액(L)이 버퍼 탱크(2) 내의 기체와 접촉되는 구조이면 임의의 형태로 좋고, 예컨대 도입관(75)을 버퍼 탱크(2)의 중간 정도까지 연장되는 반으로 나누어진 홈통형으로 형성할 수 있다.An introduction pipe 75 for guiding the resist solution into the buffer tank 2 while being in contact with the gas in the buffer tank 2 is provided at the connection portion between the first process liquid supply line 7a and the buffer tank 2 . In this case, the introduction pipe 75 may be in any form as far as the resist liquid L replenished from the chemical liquid container 1 into the buffer tank 2 is in contact with the gas in the buffer tank 2, (75) can be formed in a trough shape divided into halves extending to the middle of the buffer tank (2).

이와 같이 구성함으로써, 약액 용기(1) 및 순환 관로(8)로부터 제1 처리액 공급 관로(7a)를 통해 버퍼 탱크(2) 내에 보충되는 레지스트액을 버퍼 탱크(2) 내의 기체(대기)와 접촉시킴으로써, 레지스트액의 대기 접촉 면적의 증대에 의해 레지스트액 내에 용존하는 가스를 현재화하여 기포를 발생시킬 수 있다. 그리고, 버퍼 탱크(2) 내에서 발생한 기포는 버퍼 탱크(2) 내에서 상기 버퍼 탱크(2) 내의 기액(氣液) 계면에서 기액 분리된다. 분리가 충분하지 않았던 기포도 레지스트액과 함께 필터(3)를 통과할 때에 제거된다.The resist liquid replenished in the buffer tank 2 from the chemical liquid container 1 and the circulating line 8 through the first processing liquid supply line 7a is supplied to the gas (atmosphere) in the buffer tank 2 By bringing the resist into contact with the resist solution, the gas dissolved in the resist solution can be made current by the increase of the atmospheric contact area of the resist solution, and bubbles can be generated. The bubbles generated in the buffer tank 2 are separated from the vapor-liquid interface in the buffer tank 2 in the buffer tank 2. The bubbles which have not been sufficiently separated are removed when passing through the filter 3 together with the resist solution.

또한, 약액 용기(1)와 N2 가스 공급원(71)을 접속하는 제1 기체 공급 관로(6a)에는, 가변 조정 가능한 압력 조정 수단인 전자 공압 레귤레이터(R)가 개재되어 있다. 이 전자 공압 레귤레이터(R)는 후술하는 제어 수단으로서의 중앙 연산 처리 장치(CPU)를 주체로 하여 구성되는 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호 출력에 의해 작동하는 조작부 예컨대, 비례 솔레노이드와, 상기 솔레노이드의 작동에 의해 개폐하는 밸브 기구를 구비하고 있고, 밸브 기구의 개폐에 의해 압력을 조정하도록 구성되어 있다.An electronic pneumatic regulator R, which is a variable regulating pressure regulating means, is interposed in the first gas supply line 6a connecting the chemical liquid container 1 and the N 2 gas supply source 71. The electromagnetic pneumatic pressure regulator R includes an operating portion, such as a proportional solenoid, which is operated by a control signal output from the controller 200 constituted by a central processing unit (CPU) as a control means to be described later, and a solenoid And the valve mechanism is configured to adjust the pressure by opening and closing the valve mechanism.

상기 제1 기체 공급 관로(6a)의 전자 공압 레귤레이터(R)와 약액 용기(1) 사이에는 전자식의 개폐 밸브(V5)가 개재되어 있다. 또한, 제1 처리액 공급 관로(7a)의 약액 용기(1)와 버퍼 탱크(2) 사이에는 전자식의 개폐 밸브(V6)가 개재되고, 제2 공급 관로(7b)의 펌프(5)와 공급 노즐(70a) 사이에서의 공급 노즐(70a)측에는 전자식의 에어 오퍼레이션 밸브(Va)와 썩백 밸브(suck-back valve)(Vs)가 인접하여 개재되어 있다.An electromagnetic opening / closing valve V5 is interposed between the electromagnetic pneumatic regulator R of the first gas supply line 6a and the chemical liquid container 1. [ An electronic on-off valve V6 is interposed between the chemical solution container 1 and the buffer tank 2 of the first process liquid supply line 7a and the pump 5 of the second supply line 7b and the supply An electronic air operation valve Va and a suck-back valve Vs are adjacently disposed on the supply nozzle 70a side between the nozzles 70a.

상기 전환 밸브(Vc), 개폐 밸브(V1∼V6), 드레인 밸브(Vd), 에어 오퍼레이션 밸브(Va), 썩백 밸브(Vs) 및 펌프(5)에 내장되는 전자식의 개폐 밸브(V7)는, 컨트롤러(200)와 전기적으로 접속되어 있고, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 전환 동작이나 개폐 동작이 행해지도록 되어 있다. 또한, 버퍼 탱크(2)에는 버퍼 탱크(2) 내의 레지스트액(L)의 상한 액면과 하한 액면을 검지하는 상한 액면 센서(73) 및 하한 액면 센서(74)가 설치되어 있고, 이들 상한 액면 센서(73) 및 하한 액면 센서(74)에 의해 검지된 신호가 컨트롤러(200)에 전달되도록 형성되어 있다.Off valve V7 built in the switching valve Vc, the opening / closing valves V1 to V6, the drain valve Vd, the air operation valve Va, the sagging valve Vs and the pump 5, And is electrically connected to the controller 200. Based on a control signal from the controller 200, a switching operation and an opening / closing operation are performed. An upper limit liquid level sensor 73 and a lower limit liquid level sensor 74 for detecting the upper limit liquid level and the lower limit liquid level of the resist liquid L in the buffer tank 2 are provided in the buffer tank 2, And the lower limit liquid level sensor 74 and the lower limit liquid level sensor 74 are transmitted to the controller 200. [

다음에, 상기 처리액 공급 장치의 동작 형태에 대해서 도 2 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 또한, 도 2 내지 도 6에서는 컨트롤러(200) 등의 제어계는 생략하고 있다.Next, an operation mode of the treatment liquid supply apparatus will be described with reference to Figs. 2 to 6. Fig. 2 to 6, the control system such as the controller 200 is omitted.

<버퍼 탱크에의 레지스트액 보충>&Lt; Replenishing the resist solution to the buffer tank >

우선, 신규 약액 용기(1)를 세팅한 후, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 기체 공급 관로(6a)에 개재된 개폐 밸브(V5)와 제1 처리액 공급 관로(7a)에 개재된 개폐 밸브(V6)가 개방되고, N2 가스 공급원(71)으로부터 약액 용기(1) 내에 공급되는 N2 가스의 가압에 의해 레지스트액(L)을 버퍼 탱크(2) 내에 공급한다. 이때, 전환 밸브(Vc)는 대기부(72)측으로 전환되어 있고, 버퍼 탱크(2) 내는 대기와 연통되어 있다. 약액 용기(1)로부터 공급된 레지스트액(L)이 접속부의 도입관(75)을 통해 버퍼 탱크(2)에 공급(보충)될 때, 레지스트액은 버퍼 탱크(2) 내의 기체(대기)와 접촉함으로써, 레지스트액의 대기 접촉 면적의 증대에 의해 레지스트액 내에 용존하는 가스를 현재화하여 기포가 발생 또는 발생하기 쉽게 한다.2, after the new chemical liquid container 1 is set, based on the control signal from the controller 200, the opening / closing valve V5 interposed in the first gas supply line 6a, the opening and closing valve (V6) is open and, N 2 gas supply source 71, a resist solution (L) by the pressure of the N 2 gas is supplied into the liquid container (1) from the buffer tank through the processing solution supply pipe (7a) (2). At this time, the switching valve Vc is switched to the standby portion 72 side, and the buffer tank 2 is in communication with the atmosphere. When the resist liquid L supplied from the chemical agent container 1 is supplied to the buffer tank 2 through the introduction pipe 75 of the connection portion (replenished), the resist solution is supplied to the gas (atmosphere) By contact, the dissolved gas in the resist solution is activated by the increase in the atmospheric contact area of the resist solution, and bubbles are easily generated or generated.

<레지스트액의 N2 가압-레지스트액 토출(1)>&Lt; N 2 pressurization of resist liquid - resist solution ejection (1) >

버퍼 탱크(2) 내에 미리 결정된 량의 레지스트액(L)이 공급(보충)되면, 상한 액면 센서(73)로부터의 검지 신호를 받은 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여 도 3에 나타내는 바와 같이, 개폐 밸브(V5)와 개폐 밸브(V6)가 폐쇄되며, 전환 밸브(Vc)가 N2 가스 공급원(71)측으로 전환된다. 이에 따라, N2 가스 공급원(71)으로부터 N2 가스가 버퍼 탱크(2) 내에 공급되는 한편, 순환 관로(8)의 개폐 밸브(V1, V2)(V3)가 개방되어 필터(3)로부터 드레인 관로(7c)로 배출된 기포를 포함하는 레지스트액(L)을 순환 관로(8)를 통해 약액 용기(1) 내로 복귀시킨다. 이때, 펌프(5)가 구동하여 공급 노즐(70a)로부터 레지스트액이 피처리 기판인 웨이퍼(도시하지 않음)에 공급(토출)되어 처리가 시행된다.When a predetermined amount of resist liquid L is supplied (replenished) to the buffer tank 2, based on the control signal from the controller 200 which receives the detection signal from the upper limit liquid level sensor 73, manner, and closing a shut-off valve (V5) and the opening and closing valve (V6), a switching valve (Vc) is switched to the N 2 gas source 71. Thus, N 2 is a shut-off valve (V1, V2), (V3) of the other hand, the circulation duct 8 is fed into the N 2 gas, the buffer tank (2) from a gas source 71 is an open drain from the filter (3) The resist solution L containing the bubbles discharged into the conduit 7c is returned into the chemical liquid container 1 through the circulation duct 8. At this time, the pump 5 is driven to supply (discharge) the resist liquid from the supply nozzle 70a to the wafer (not shown) which is the substrate to be treated, and the treatment is performed.

이 상태에서, 순환 관로(8)를 흐르는 레지스트액은 가변 스로틀(9)[또는 유량 조정 가능한 개폐 밸브(V3)]에 의해 액압이 저하되어 레지스트액 내에 용존하는 가스가 현재화하여 기포가 발생한다. 발생한 기포는 드레인 관로(7c)를 통해 외부에 배출되고, 또한 외부에 배출되지 않고 레지스트액 내에 남은 가스는 레지스트액과 함께 약액 용기(1) 내에 복귀된 후, 다시 버퍼 탱크(2)에 공급될 때, 대기와 접촉하여 대기측에 배출(거품 제거)된다.In this state, the resist liquid flowing through the circulation duct 8 is lowered in fluid pressure by the variable throttle 9 (or the flow rate adjustable on-off valve V3), and the gas dissolved in the resist solution becomes active and bubbles are generated . The generated bubbles are discharged to the outside through the drain pipe 7c and the gas remaining in the resist solution without being discharged to the outside is returned to the chemical tank 1 together with the resist solution and then supplied to the buffer tank 2 , It is contacted with the atmosphere and discharged (bubbled) to the atmosphere side.

또한, 버퍼 탱크(2) 내에 공급되는 N2 가스의 압력은 레지스트액이 대기와 접촉하여 거품을 제거하는데 충분한 저가압인 편이 좋다.Further, the pressure of the N 2 gas supplied into the buffer tank 2 should be low enough to sufficiently remove the bubbles of the resist solution by contacting with the atmosphere.

<레지스트액의 N2 가압-레지스트액 토출(2)>&Lt; N 2 pressurization of resist liquid - resist solution ejection (2) >

상기 레지스트액의 N2 가압-레지스트액 토출(1) 대신에, 순환 관로(8)의 개 폐 밸브(V1)(V3)를 폐쇄하며, 개폐 밸브(V2)를 개방하는 한편, 트랩 탱크용 드레인 관로(7c)에 개재된 개폐 밸브(V4)를 개방하여 트랩 탱크(4)로부터 트랩 탱크용 드레인 관로(7d)에 배출된 기포를 포함하는 레지스트액(L)을 순환 관로(8)를 통해 약액 용기(1) 내로 복귀시킨다. 이때, 펌프(5)가 구동하여 공급 노즐(70a)로부터 레지스트액이 웨이퍼(도시하지 않음)에 공급(토출)되어 처리가 시행된다.N 2 pressure of the resist solution-resist solution discharge (1) in place, and close the opening closing valve (V1), (V3) of the circulating pipe (8), for opening the on-off valve (V2) On the other hand, the trap tank drain for The opening and closing valve V4 interposed in the conduit 7c is opened and the resist liquid L containing the bubbles discharged from the trap tank 4 to the drain pipe line 7d for the trap tank is introduced into the chemical liquid Into the container (1). At this time, the pump 5 is driven to supply (discharge) the resist liquid from the supply nozzle 70a to the wafer (not shown), and the treatment is performed.

또한, 레지스트액의 N2 가압-레지스트액 토출(2) 공정에서, 그 외의 동작은 레지스트액의 N2 가압-레지스트액 토출(1)과 마찬가지이다. 예컨대, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여 도 4에 나타내는 바와 같이, 개폐 밸브(V5)와 개폐 밸브(V6)가 폐쇄되며, 전환 밸브(Vc)가 N2 가스 공급원(71)측으로 전환된다.Further, in the N 2 pressure-resist solution discharging (2) step of the resist solution, the other operations are the same as the N 2 pressure-resist solution discharging (1) of the resist solution. For example, switched to, on-off valve (V5) and the on-off valve, and (V6) are closed, the switching valve (Vc) is N 2 gas source 71, as shown in Fig. 4 according to a control signal from the controller 200 do.

<펌프에의 레지스트액 보충><Replenishing the resist solution to the pump>

공급 노즐(70a)로부터 미리 결정된 량의 레지스트액을 웨이퍼에 공급(토출)한 후, 도 5에 나타내는 바와 같이, 순환 관로(8)에 개재되는 개폐 밸브(V1)(V3)와 트랩 탱크용 드레인 관로(7d)에 개재된 개폐 밸브(V4)를 폐쇄하여, 버퍼 탱크(2) 내의 레지스트액을 펌프(5)측에 보충한다.Closing valve V1 (V3) interposed in the circulation duct 8 and the drain of the trap tank (not shown) after supplying (discharging) a predetermined amount of the resist solution from the supply nozzle 70a to the wafer Closing valve V4 interposed in the conduit 7d is closed to replenish the resist solution in the buffer tank 2 on the pump 5 side.

또한, 본 발명에 따른 처리액 공급 장치에서는, 펌프(5)에 흡인식 펌프를 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 전환 밸브(Vc)를 대기측으로 전환한 상태로 흡인식 펌프를 구동하여 버퍼 탱크(2) 내의 레지스트액을 펌프측으로 보충한다. 이 보충 형식에서는 펌프의 흡인 자체에도 거품 제거 효과가 있고, 펌프측으로부터 거품 제거된 레지스트액을 펌프가 흡인할 수 있다.In the treatment liquid supply apparatus according to the present invention, the suction pump may be used for the pump 5. In this case, the suction / suction pump is driven in a state where the switching valve Vc is switched to the atmospheric side, and the resist liquid in the buffer tank 2 is replenished to the pump side. In this supplementary type, the suction of the pump itself has a bubble removing effect, and the pump can suck the resist liquid that has been defoamed from the pump side.

<약액 용기, 버퍼 탱크의 교환><Replacement of chemical container and buffer tank>

버퍼 탱크(2) 내의 레지스트액(L)의 보충량이 미리 결정된 량 이하가 되었을 때, 하한 액면 센서(74)로부터의 검지 신호가 컨트롤러(200)에 전달되고, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여 도 6에 나타내는 바와 같이, 전환 밸브(Vc)가 대기부(72)측으로 전환되어 버퍼 탱크(2) 내가 대기와 연통한다. 이 상태에서 버퍼 탱크(2)의 교환이 가능해진다. 또한, 약액 용기(1)를 교환하는 경우는, 도 6에 나타내는 상태로부터 제1 기체 공급 관로(6a)에 개재된 개폐 밸브(V5) 및 순환 관로(8)에 개재된 개폐 밸브(V2)를 폐쇄한 상태로 하여 N2 가스 공급원(71)으로부터의 N2 가스의 공급을 차단한 상태에서 약액 용기(1)를 교환할 수 있다.A detection signal from the lower limit liquid level sensor 74 is transmitted to the controller 200 when the replenishment amount of the resist liquid L in the buffer tank 2 becomes equal to or less than a predetermined amount, The switching valve Vc is switched to the standby portion 72 side as shown in Fig. 6 so that the buffer tank 2 is in communication with the atmosphere. In this state, the buffer tank 2 can be replaced. 6, the open / close valve V5 interposed in the first gas supply line 6a and the open / close valve V2 intervened in the circulation line 8 are connected to the first gas supply line 6a, and in the closed state can exchange liquid container (1) in a state to stop the supply of the N 2 gas from a N 2 gas supply source (71).

약액 용기(1)를 교환한 이후는 전술한 것과 마찬가지의 조작을 행함으로써 레지스트액 내에 용존하는 가스를 기포화하여 제거할 수 있다.After the chemical liquid container 1 is exchanged, the same operation as that described above is carried out, whereby the gas dissolved in the resist liquid can be vaporized and removed.

<제2 실시형태>&Lt; Second Embodiment >

도 7은 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 제2 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.7 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the treatment liquid supply apparatus according to the present invention.

제2 실시형태의 처리액 공급 장치는, 제1 실시형태의 처리액 공급 장치에 더하여, 순환 관로(8)에, 상기 순환 관로(8) 내를 흐르는 레지스트액 내의 기포를 검출하는 기포 검출 센서(76)를 배치하고, 이 기포 검출 센서(76)에 의해 검출된 검출 신호를 컨트롤러(200)에 전달하며, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 전자 공압 레귤레이터(R)에 의한 N2 가스 공급원(71)의 가압량, 가변 스로 틀(9)[개폐 밸브(V3)]의 스로틀량 또는 순환 관로(8)를 흐르는 레지스트액의 시간 중 적어도 하나를 제어할 수 있게 형성되어 있다.The treatment liquid supply device of the second embodiment is provided with the treatment liquid supply device of the first embodiment and includes a bubble detection sensor (not shown) for detecting bubbles in the resist liquid flowing through the circulation duct 8 76) the arrangement and the detection signal detected by the bubble detection sensor 76 and transmitted to the controller 200, according to a control signal from the controller 200, according to the electro-pneumatic regulator (R) N 2 The throttle amount of the variable throttle 9 (the opening / closing valve V3) or the time of the resist solution flowing through the circulation duct 8 can be controlled.

이와 같이 구성함으로써, 필터(3)로부터 배출되어 순환 관로(8)를 흐르는 레지스트액(L) 내의 기포를 기포 검출 센서(76)에 의해 검출하여 순환 관로(8)를 흐르는 레지스트액 내의 기포의 상태를 감시할 수 있다. 그리고, 레지스트액 내의 기포량에 따라 N2 가스 공급원(71)의 가압량, 가변 스로틀(9)[개폐 밸브(V3)]의 스로틀량 또는 순환 관로(8)를 흐르는 레지스트액의 시간 중 적어도 하나를 제어함으로써, 순환 관로(8) 내를 흐르는 레지스트액 내의 기포를 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 제2 실시형태에서, 그 외의 구성은 제1 실시형태와 동일하기 때문에 설명은 생략한다.The bubble detection sensor 76 detects bubbles in the resist liquid L flowing out from the filter 3 and flowing through the circulation conduit 8 and detects the state of bubbles in the resist liquid flowing through the circulation conduit 8 Can be monitored. At least one of the amount of pressurization of the N 2 gas supply source 71, the throttling amount of the variable throttle 9 (the on-off valve V3) or the time of the resist solution flowing through the circulation duct 8 depending on the amount of bubbles in the resist solution The bubbles in the resist liquid flowing through the circulation duct 8 can be efficiently removed. In the second embodiment, the rest of the configuration is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

<제3 실시형태>&Lt; Third Embodiment >

도 8은 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 제3 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view showing a third embodiment of the treatment liquid supply apparatus according to the present invention.

제3 실시형태의 처리액 공급 장치는, 제1,제2 실시형태의 처리액 공급 장치에 더하여, 트랩 탱크(4)에, 상기 트랩 탱크(4) 내를 흐르는 레지스트액 내의 기포를 검출하는 기포 검출 센서(77)를 배치하고, 이 기포 검출 센서(77)에 의해 검출된 검출 신호를 컨트롤러(200)에 전달하며, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 트랩 탱크용 드레인 관로(7d)에 개재되는 개폐 밸브(V4)를 개방하여, 트랩 탱크(4)로부터 기포를 포함하는 레지스트액(L)을 순환 관로(8)에 흘리는 한편, 컨 트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 전자 공압 레귤레이터(R)에 의한 N2 가스 공급원(71)의 가압량, 가변 스로틀(9)[개폐 밸브(V3)]의 스로틀량 또는 순환 관로(8)를 흐르는 레지스트액의 시간 중 적어도 하나를 제어할 수 있게 형성되어 있다.The treatment liquid supply apparatus of the third embodiment is characterized in that in addition to the treatment liquid supply apparatuses of the first and second embodiments, the treatment liquid supply apparatus of the third embodiment further includes, in the trap tank 4, bubbles for detecting bubbles in the resist liquid flowing in the trap tank 4 A detection sensor 77 is disposed and the detection signal detected by the bubble detection sensor 77 is transmitted to the controller 200. Based on the control signal from the controller 200, And the resist liquid L containing bubbles is flowed from the trap tank 4 to the circulation duct 8 while the flow of the resist liquid L containing the bubbles into the circulation duct 8 is started based on the control signal from the controller 200 At least one of the amount of pressurization of the N 2 gas supply source 71 by the electromagnetic pneumatic regulator R, the throttling amount of the variable throttle 9 (opening / closing valve V3) or the time of the resist solution flowing through the circulation duct 8 As shown in Fig.

이와 같이 구성함으로써, 트랩 탱크(4) 내를 흐르는 레지스트액(L) 내의 기포를 기포 검출 센서(77)에 의해 검출하여, 필터(3)를 통과시켜 펌프(5)에 공급되는 레지스트액 내의 기포의 상태를 감시할 수 있다. 그리고, 트랩 탱크(4) 내의 레지스트액 내에서 기포를 검출한 경우는, 트랩 탱크(4)로부터 개폐 밸브(V4)를 개방하여 기포를 포함하는 레지스트액(L)을 순환 관로(8)에 흘림으로써, 레지스트액(L)의 액압을 저하시켜 레지스트액 내에 용존하는 가스를 현재화하여 기포를 발생시킬 수 있으며, 발생한 기포를 드레인 관로(7c)로부터 외부에 배출할 수 있다. 또한, 트랩 탱크(4)로부터 배출된 레지스트액은 순환 관로(8)를 흐르지만, 기포 검출 센서(77)에 의해 검출된 검출 신호를 수취한 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 기포의 양에 따라 N2 가스 공급원(71)의 가압량, 가변 스로틀(9)[개폐 밸브(V3)]의 스로틀량 또는 순환 관로(8)를 흐르는 레지스트액의 시간 중 적어도 하나를 제어함으로써, 순환 관로(8) 내를 흐르는 레지스트액 내의 기포를 효율적으로 제거할 수 있다.The bubbles in the resist liquid L flowing through the trap tank 4 are detected by the bubble detection sensor 77 and the bubbles in the resist liquid supplied through the filter 3 and supplied to the pump 5 Can be monitored. When bubbles are detected in the resist liquid in the trap tank 4, the opening / closing valve V4 is opened from the trap tank 4 to flow the resist liquid L containing bubbles into the circulation duct 8 It is possible to lower the liquid pressure of the resist liquid L so that the gas dissolved in the resist liquid can be made present and bubbles can be generated and the generated bubbles can be discharged to the outside from the drain line 7c. The resist liquid discharged from the trap tank 4 flows through the circulation line 8 but is supplied to the bubble detection sensor 77 based on the control signal from the controller 200 that has received the detection signal detected by the bubble detection sensor 77 By controlling at least one of the amount of pressurization of the N 2 gas supply source 71, the throttling amount of the variable throttle 9 (the on-off valve V3) or the time of the resist solution flowing through the circulation duct 8, The bubbles in the resist liquid flowing through the channel 8 can be efficiently removed.

또한, 제3 실시형태에서도 제2 실시형태와 마찬가지로, 순환 관로(8)에, 상기 순환 관로(8) 내를 흐르는 레지스트액 내의 기포를 검출하는 기포 검출 센 서(76)를 배치하고, 이 기포 검출 센서(76)에 의해 검출된 검출 신호를 컨트롤러(200)에 전달하며, 컨트롤러(200)로부터의 제어 신호에 기초하여, 전자 공압 레귤레이터(R)에 의한 N2 가스 공급원(71)의 가압량, 가변 스로틀(9)[개폐 밸브(V3)]의 스로틀량 또는 순환 관로(8)를 흐르는 레지스트액의 시간 중 적어도 하나를 제어할 수 있게 형성하여도 좋다. 이와 같이 구성함으로써, 레지스트액 내의 기포를 더 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 제3 실시형태에서 그 외의 구성은 제1 실시형태와 동일하기 때문에 설명은 생략한다.In the third embodiment, as in the second embodiment, the bubble detection sensor 76 for detecting bubbles in the resist liquid flowing in the circulation duct 8 is disposed in the circulation duct 8, The controller 200 transmits the detection signal detected by the detection sensor 76 to the controller 200 and controls the pressing amount of the N 2 gas source 71 by the electromagnetic pneumatic regulator R based on the control signal from the controller 200 , The throttle amount of the variable throttle 9 (the on-off valve V3), or the time of the resist solution flowing through the circulation duct 8 can be controlled. By such a constitution, bubbles in the resist solution can be removed more efficiently. Since the rest of the configuration of the third embodiment is the same as that of the first embodiment, the description is omitted.

<그 외의 실시형태><Other Embodiments>

상기 실시형태에서는 처리액 저장 용기가 약액 용기(1)로 형성되고, N2 가스 공급원(71)으로부터 공급되는 N2 가스를 약액 용기(1) 내의 레지스트액(L)의 액면에 직접 가압하여 레지스트액(L)을 압송하는 경우에 대해서 설명하였지만, 버퍼 탱크(2)가 상술한 바와 같이 대기와 연통할 수 있는 상태이면, 약액 용기(1) 대신에, 처리액 저장 용기 내에 수용되는 내측 포켓 내에 레지스트액을 저장하고, 내측 포켓의 외측을 가압하여 레지스트액을 공급 노즐(70a)에 공급하는 것에 적용할 수 있다. 또한 이 경우에서도, 내측 포켓를 연속 가압하면, 내측 포켓의 N2 가스 투과에 의해 용존 가스 농도가 상승하기 때문에, 본 발명의 처리액 공급 장치를 이용함으로써 레지스트액 내에 용존하는 가스를 효율 좋게 제거할 수 있다.The treatment liquid storage container is formed of the chemical liquid container 1 and the N 2 gas supplied from the N 2 gas supply source 71 is directly applied to the liquid level of the resist liquid L in the chemical liquid container 1, The buffer tank 2 can be communicated with the atmosphere as described above in place of the chemical liquid container 1 in the case where the buffer tank 2 is communicated with the inside of the inside pocket It is possible to store the resist solution and press the outer side of the inner pocket to supply the resist solution to the supply nozzle 70a. Also in this case, when the inner pocket is continuously pressurized, the dissolved gas concentration increases due to permeation of N 2 gas in the inner pocket. Therefore, by using the process liquid supply apparatus of the present invention, it is possible to efficiently remove the gas dissolved in the resist liquid have.

또한, 상기 실시형태에서는, 본 발명에 따른 처리액 공급 장치를 레지스트 도포 처리 장치에 적용한 경우에 대해서 설명하였지만, 레지스트 이외의 처리액 예 컨대 현상액 등의 공급 장치나 세정 처리의 공급 장치에도 적용할 수 있다.In the above embodiment, the case where the treatment liquid supply apparatus according to the present invention is applied to the resist coating apparatus has been described. However, the present invention can also be applied to a treatment apparatus other than resist, have.

도 1은 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 제1 실시형태를 나타내는 개략 단면도.1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a treatment liquid supply apparatus according to the present invention;

도 2는 상기 처리액 공급 장치에서의 버퍼 탱크에의 처리액의 보충 동작 상태를 나타내는 개략 단면도.Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing a replenishing operation state of the processing liquid to the buffer tank in the processing liquid supply apparatus. Fig.

도 3은 상기 처리액 공급 장치에서의 통상 처리 동작 및 거품 제거 동작 상태의 일례를 나타내는 개략 단면도.3 is a schematic sectional view showing an example of a normal processing operation and a bubble removing operation state in the processing liquid supply apparatus.

도 4는 상기 처리액 공급 장치에서의 통상 처리 동작 및 거품 제거 동작 상태의 별도의 예를 나타내는 개략 단면도.4 is a schematic cross-sectional view showing another example of a normal processing operation and a bubble removing operation state in the processing liquid supply apparatus.

도 5는 상기 처리액 공급 장치에서의 펌프에의 처리액의 보충 상태를 나타내는 개략 단면도.5 is a schematic cross-sectional view showing a replenishing state of the treatment liquid to the pump in the treatment liquid supply device.

도 6은 상기 처리액 공급 장치에서의 처리액 저장 용기 내의 처리액이 빈 상태를 나타내는 개략 단면도.FIG. 6 is a graph showing the relationship between the amount of the treatment liquid in the treatment liquid storage container Fig.

도 7은 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 제2 실시형태를 나타내는 개략 단면도.7 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the treatment liquid supply apparatus according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 제3 실시형태를 나타내는 개략 단면도.8 is a schematic sectional view showing a third embodiment of the treatment liquid supply apparatus according to the present invention.

도 9는 본 발명에 따른 처리액 공급 장치를 적용한 레지스트액 도포·현상 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 평면도.9 is a schematic plan view showing an example of a resist solution application / development processing system to which a process liquid supply device according to the present invention is applied.

도 10은 상기 레지스트액 도포·현상 처리 시스템의 개략 정면도.10 is a schematic front view of the resist solution application / development processing system.

도 11은 상기 레지스트액 도포·현상 처리 시스템의 개략 배면도.11 is a schematic rear view of the resist solution application / development processing system.

도 12는 상기 레지스트액 도포·현상 처리 시스템에서의 도포 유닛을 나타내는 개략 단면도.12 is a schematic cross-sectional view showing an application unit in the resist solution application / development processing system.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

1: 약액 용기(처리액 저장 용기) 2: 버퍼 탱크(일시 저장 용기)1: Chemical liquid container (treatment liquid storage container) 2: Buffer tank (temporary storage container)

3: 필터 4: 트랩 탱크3: Filter 4: Trap tank

5: 펌프 6a: 제1 기체 공급 관로5: pump 6a: first gas supply line

6b: 제2 기체 공급 관로 7a: 제1 처리액 공급 관로6b: second gas supply line 7a: first process liquid supply line

7b: 제2 처리액 공급 관로 7c: 드레인 관로7b: second treatment liquid supply pipe 7c: drain pipe

7d: 트랩 탱크용 드레인 관로 8: 순환 관로7d: drain pipe for trap tank 8: circulation pipe

8a: 리턴 관로 9: 가변 스로틀8a: return pipe 9: variable throttle

71: N2 가스 공급원(가압 기체 공급원) 72: 대기부71: N 2 gas source (pressurized gas source) 72:

75: 도입관 76: 기포 검출 센서75: inlet pipe 76: bubble detection sensor

77: 기포 검출 센서 200: 컨트롤러(제어 수단)77: bubble detection sensor 200: controller (control means)

L: 레지스트액(처리액) V1∼V7: 개폐 밸브L: Resist liquid (processing liquid) V1 to V7:

Vc: 전환 밸브Vc: Switching valve

Claims (8)

피처리 기판에 처리액을 공급하는 공급 노즐과,A supply nozzle for supplying the process liquid to the substrate to be processed, 상기 처리액을 저장하는 처리액 저장 용기와,A process liquid storage container for storing the process liquid; 상기 공급 노즐과 처리액 저장 용기를 접속하는 공급 관로와,A supply line connecting the supply nozzle and the process liquid storage container, 기체 공급 관로를 통해 상기 처리액 저장 용기 내의 처리액을 가압하여 처리액을 압송하는 가압 기체 공급원과,A pressurized gas supply source for pressurizing the process liquid in the process liquid storage container through a gas supply line to press-feed the process liquid, 상기 기체 공급 관로에 개재되고, 상기 처리액 저장 용기에의 기체의 공급 또는 정지를 하기 위한 기체 공급용 개폐 밸브와,A gas supply opening / closing valve interposed in the gas supply line for supplying or stopping the gas to / from the process liquid storage container, 상기 공급 관로에 개재되고, 상기 처리액 저장 용기로부터 압송된 처리액을 일시 저장하는 일시 저장 용기와,A temporary storage container interposed in the supply pipe for temporarily storing the process liquid fed from the process liquid storage container; 상기 공급 관로에 있어서의 상기 처리액 저장 용기와 상기 일시 저장 용기 사이에 개재되고, 상기 일시 저장 용기에의 처리액의 공급 또는 정지를 하기 위한 공급용 개폐 밸브와,A supply opening / closing valve interposed between the process liquid storage container and the temporary storage container in the supply pipe for supplying or stopping the process liquid to / from the temporary storage container; 상기 일시 저장 용기의 2차측의 공급 관로에 개재되고, 상기 처리액을 여과하여 이물질을 제거하며, 처리액 내에 혼입되어 있는 기포를 제거하는 필터와,A filter interposed in a supply line of a secondary side of the temporary storage container for removing foreign substances by filtering the process liquid and removing bubbles mixed in the process liquid, 상기 필터의 2차측의 공급 관로에 개재되는 펌프를 구비하는 처리액 공급 장치에 있어서,And a pump interposed in a supply line of a secondary side of the filter, 상기 필터의 상부에 접속되고, 기포를 외부로 배출하기 위한 드레인 관로와, 이 드레인 관로로부터 분기되고, 상기 처리액 저장 용기와 일시 저장 용기 사이의 공급 관로에 접속하는 리턴 관로로 이루어지는 순환 관로와,A drain pipe connected to an upper portion of the filter for discharging bubbles to the outside and a return pipe branching from the drain pipe and connected to a supply pipe between the process liquid storage container and the temporary storage container, 상기 가압 기체 공급원과 상기 일시 저장 용기를 접속하는 제2 기체 공급 관로와,A second gas supply conduit connecting the pressurized gas supply source and the temporary storage container, 상기 제2 기체 공급 관로에 개재되고, 상기 일시 저장 용기를 가스 가압하는 측으로 전환하는 전환 밸브와,A switching valve interposed in the second gas supply line for switching the temporary storage container to a gas pressurizing side; 상기 순환 관로를 구성하는 상기 드레인 관로에 개재되는 개폐 밸브와, 이 개폐 밸브의 2차측에 설치되고, 흐르는 처리액의 액압을 저하시켜 처리액 내에 용존(溶存)하는 기체를 기포화하는 가변 조정 스로틀과,An open / close valve interposed in the drain line constituting the circulation line; and a variable regulating throttle valve installed at a secondary side of the open / close valve for reducing the liquid pressure of the flowing process liquid and thereby bubbling a gas dissolved in the process liquid and, 상기 공급 노즐로부터 처리액을 공급할 때에, 상기 기체 공급용 개폐 밸브 및 공급용 개폐 밸브를 폐쇄하고, 상기 전환 밸브를 상기 일시 저장 용기를 가압하는 측으로 전환하는 동시에, 상기 필터의 상기 드레인 관로의 개폐 밸브를 개방하여 상기 처리액이 상기 순환 관로에 흐르도록 제어하는 제어 수단Closing valve and the supply opening / closing valve when the processing liquid is supplied from the supply nozzle, and switches the switching valve to the side for pressing the temporary storage container, and opens / closes the opening / To control the flow of the treatment liquid through the circulation conduit 을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.And a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the processing liquid supply unit. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 개폐 밸브와 상기 가변 스로틀은 일체화한 전자식의 유량 조정 가능한 개폐 밸브를 형성하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.Wherein the open / close valve and the variable throttle form an integral electronic flow rate adjustable opening / closing valve. 제1항 또는 제2항에 있어서,3. The method according to claim 1 or 2, 상기 순환 관로에 개재되고, 상기 순환 관로를 흐르는 처리액 내의 기포를 검출하는 기포 검출 센서를 더 구비하고,Further comprising a bubble detection sensor interposed in the circulation duct for detecting bubbles in the treatment liquid flowing through the circulation duct, 상기 제어 수단은, 상기 기포 검출 센서로부터의 검출 신호에 기초하여, 가압 기체 공급원의 가압량, 가변 조정 스로틀의 스로틀량 또는 순환 관로를 흐르는 처리액의 시간 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.Wherein the control means controls at least one of a pressurization amount of the pressurized gas supply source, a throttling amount of the variable throttle, or a time of the process liquid flowing through the circulation duct based on the detection signal from the bubble detection sensor Liquid supply device. 제1항 또는 제2항에 있어서,3. The method according to claim 1 or 2, 상기 필터와 펌프 사이의 공급 관로에 개재되며, 처리액 내에 용존하는 기포를 분리하는 기능을 갖는 트랩 탱크를 더 구비하고,Further comprising a trap tank interposed in a supply line between the filter and the pump and having a function of separating bubbles dissolved in the treatment liquid, 개폐 밸브를 개재한 드레인 관로에 의해 상기 트랩 탱크와 순환 관로를 접속하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.Wherein the trap tank and the circulation duct are connected to each other by a drain pipe through which an opening / closing valve is interposed. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 트랩 탱크에, 상기 트랩 탱크 내에 저장되는 처리액 내의 기포를 검출하는 기포 검출 센서를 더 구비하고,Further comprising a bubble detection sensor for detecting bubbles in the treatment liquid stored in the trap tank, 상기 제어 수단은, 상기 기포 검출 센서로부터의 검출 신호에 기초하여, 가압 기체 공급원의 가압량, 가변 조정 스로틀의 스로틀량 또는 순환 관로를 흐르는 처리액의 시간 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.Wherein the control means controls at least one of a pressurization amount of the pressurized gas supply source, a throttling amount of the variable throttle, or a time of the process liquid flowing through the circulation duct based on the detection signal from the bubble detection sensor Liquid supply device. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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