KR101473697B1 - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
태양 전지는 기판, 기판 상에 배치되고, 복수의 금속 주상정층을 포함하는 후면 전극층, 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광흡수층, 및 상기 광흡수층 상에 배치되는 투명 전극층을 포함한다.
Description
본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것 관한 것이다.
태양 전지는 태양의 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 광전 변환 소자이다. 태양 전지는 기본적으로 기판 상에 형성된 후면 전극층과, 그 위에 위치하는 광 흡수층 및 투명 전극층을 포함한다. 태양 전지에는 광 흡수층(또는 광전 변환층)으로 실리콘을 이용하는 실리콘 태양 전지와, CIS(Cu, In, Se) 또는 CIGS(Cu, In, Ga, Se) 등의 화합물을 이용하는 화합물 반도체 태양 전지 등이 있다.
이 중, 화합물 반도체 태양 전지에 있어서 광 흡수층의 효율 증가를 위해 알칼리 금속(예를 들면, 나트륨)을 광흡수층에 포함시킬 수 있으며, 이를 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. 예를 들면, 직접적으로 알칼리 금속을 포함하는 화합물을 첨가하거나, 또는 기판 등에 포함된 알칼리 금속을 광 흡수층 측으로 확산시킬 수 있다. 특히, 후면 전극층을 통하여 기판 내의 알칼리 금속을 광 흡수층으로 확신시키는 기술에 대한 연구가 진행되고 있으나, 이 경우 후면 전극층과 기판간의 접착력, 공정의 복잡함, 알칼리 금속 농도의 제어 등의 문제가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지는 기판, 기판 상에 배치되고, 복수의 금속 주상정층을 포함하는 후면 전극층, 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광흡수층, 및 상기 광흡수층 상에 배치되는 투명 전극층을 포함할 수 있다.
상기 금속 주상정층 각각은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다.
상기 금속 주상정층 각각의 두께는 20nm 내지 500nm일 수 있다.
상기 금속 주상정층 각각의 두께는 50nm 내지 100nm일 수 있다.
상기 태양 전지는 인접하는 2개의 상기 금속 주상정층 사이에 위치하는 계면을 더 포함할 수 있고, 상기 계면은 산소 원자를 포함할 수 있다.
상기 산소 원자의 양은 상기 후면 전극층의 원자 전체에 대해 1 원자% 내지 70 원자%일 수 있다.
상기 산소 원자의 양은 상기 후면 전극층의 원자 전체에 대해 1 원자% 내지 20 원자%일 수 있다.
상기 후면 전극층은 9개 이하의 상기 금속 주상정층을 포함할 수 있다.
상기 광흡수층은 Cu, In, Ga 및 Se 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은, 증착 챔버 내에 기판을 배치하는 단계, 복수의 금속 주상정층을 포함하는 후면 전극층을 형성하는 단계, 상기 후면 전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계, 및 상기 광흡수층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 후면 전극층을 포함하는 단계는, 상기 기판 상 또는 먼저 형성된 금속 주상정층 상에 몰리브덴을 증착하는 것에 의해 하나의 상기 금속 주상정층을 형성하는 단계, 및 하나의 상기 금속 주상정층을 형성한 후에 휴식기를 갖고 난 후, 상기 하나의 금속 주상정층 상에 몰리브덴을 증착하여 다음 금속 주상정층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 휴식기는 1초 내지 1시간일 수 있다.
상기 휴식기 동안에 상기 후면 전극층 내에 산소 원자가 도입될 수 있다.
상기 후면 전극층 내에 도입되는 상기 산소 원자의 양은 상기 휴식기의 길이 및 상기 휴식기의 횟수 중 적어도 하나에 대응할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 증착 챔버 내에 기판을 배치하는 단계, 후면 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서 상기 후면 전극층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 몰리브덴을 증착하여 제1 금속 주상정층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 금속 주상정층을 형성한 후에 휴식기를 갖고 난 후, 상기 제1 금속 주상정층 상에 몰리브덴을 증착하여 사기 제1 금속 주상정층 상에 제2 금속 주상정층을 형성하는 단계에 의해 이루어질 수 있다.
상기 휴식기 동안에 상기 후면 전극층 내에 산소 원자가 도입될 수 있다.
상기 산소 원자의 양은 상기 휴식기의 길이 및 상기 휴식기의 횟수 중 적어도 하나에 대응할 수 있다.
상기 휴식기는 1초 내지 1시간일 수 있다.
상기 몰리브덴은 0.05Pa 내지 5Pa의 압력 하에서 증착될 수 있다.
상기 몰리브덴은 스퍼터링에 의해 증착될 수 있다.
본 실시예의 태양 전지의 제조 방법에 의하면 간단하고 용이한 공정에 의해 후면 전극층 내에 산소 원자를 포함시킬 수 있고 이러한 산소 원자에 의해 알칼리 금속을 광흡수층 내로 효과적으로 확산 시킬 수 있다. 또한, 본 실시예에 의해 기판과 후면 전극층 간의 접착력이 우수한 태양 전지를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지의 Ⅱ 부분을 확대 도시한 확대도이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면 전극층의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면 전극층의 X선 광전자 분광법(XPS, X-ray Photoelectron Spectroscopy)에 의해 측정한 두께에 따른 원자비를 나타낸 그래프이다.
도 5a 및 5b는 실시예 및 비교예에 따른 후면 전극층의 단면을 주사 전자 현미경(SEM, scanning electron microscope)으로 관찰한 사진이다.
도 6은 실시예 및 비교예에 대해 행한 박리 강도 실험의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 2는 도 1에 도시한 태양 전지의 Ⅱ 부분을 확대 도시한 확대도이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면 전극층의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면 전극층의 X선 광전자 분광법(XPS, X-ray Photoelectron Spectroscopy)에 의해 측정한 두께에 따른 원자비를 나타낸 그래프이다.
도 5a 및 5b는 실시예 및 비교예에 따른 후면 전극층의 단면을 주사 전자 현미경(SEM, scanning electron microscope)으로 관찰한 사진이다.
도 6은 실시예 및 비교예에 대해 행한 박리 강도 실험의 결과를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 태양 전지의 Ⅱ 부분을 확대 도시한 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 실시예의 태양 전지(100)는 기판(10), 후면 전극층(20), 광 흡수층(30), 버퍼층(40), 및 투명 전극층(50)을 포함한다.
본 실시예의 태양 전지(100)는 광 흡수층(30)으로 실리콘으로 사용하는 실리콘 태양 전지이거나, 광 흡수층(30)으로 CIS(Cu, In, Se) 또는 CIGS(Cu, In, Ga, Se)를 포함하는 화합물 반도체 태양 전지일 수 있다. 아래에서는 광 흡수층(30)이 CIS 또는 CIGS를 포함하는 경우를 예로 들어 설명한다.
기판(10)은 태양 전지(100)의 가장 최 외곽 쪽에 위치한다. 즉 기판(10)은 태양 빛이 입사하는 면에서 가장 멀리 위치한다. 기판(10)은 판상 부재의 유리, 세라믹, 스테인리스 강, 금속, 또는 필름 형태의 고분자 등 다양한 소재로 형성될 수 있다.
기판(10) 상에 후면 전극층(20)이 위치한다. 후면 전극층(20)은 광 반사 효율이 높고, 기판(10)과의 점착성이 우수한 금속으로 형성된다. 예를 들어, 후면 전극층(20)은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 몰리브덴(Mo)은 전기 전도도가 높고, 광 흡수층(30)과 오믹 접합(ohmic contact)을 형성하며, 광 흡수층(30)을 형성하기 위한 고온 열처리 과정에서 높은 안정성을 구현한다. 이하에서는 후면 전극층(20)이 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 후면 전극층(20)은 다수의 금속 주상정(columnar crystal)층(201~20n+1)을 포함하는 다층 구조를 갖는다. 여기서 n은 후술의 후면 전극층(20) 형성 공정에 있어서, 금속을 증착하는 공정 중 포함되는 휴식기(break time)의 횟수이며, 1≤n≤8의 정수이다. 복수의 금속 주상정층(201~20n+1)은 각각 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 층이며, 각 금속 주상정층(201~20n+1)은 서로 다른 주상정 형태로 수직 성장된 층이어서, 금속 주상정층(201~20n+1) 사이의 계면에서 결정립 경계가 존재하는 것에 의해 구분된다.
금속 주상정층(201~20n+1)의 두께는 20nm~500nm 일 수 있고, 보다 구체적으로는 50nm~100nm 이다. 복수의 금속 주상정층(201~20n+1)으로 이루어지는 후면 금속층(20)의 총 두께는 100nm~1000nm 일 수 있다.
금속 주상정층(201~20n+1)의 계면에는 산소 원자를 포함한다. 산소 원자의 함량은, 후면 금속층(20)에 포함되는 전체 원자에 대해 1 원자%~70 원자% 일 수 있고, 보다 구체적으로는 1 원자%~20 원자% 일 수 있다.
후면 전극층(20) 위로 광 흡수층(또는 광전 변환층)(30)이 위치한다. 광 흡수층(30)은 투명 전극층(50)과 버퍼층(40)을 거쳐 투과된 빛 에너지를 이용하여 전자와 정공을 생성한다. 광 흡수층(30)은 CuInSe, CuInSe2, CuInGaSe, 및 CuInGaSe2로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 캘커파이라이트(chalcopyrite)계 화합물 반도체를 포함할 수 있다.
광 흡수층(30)은 예를 들어, 후면 전극층(20) 위에 구리(Cu)와 인듐(In) 또는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga)을 스퍼터링하여 프리커서층을 형성하는 단계와, 프리커서층 위에 셀레늄(Se)을 열 증착하는 단계와, 550℃ 이상의 고온에서 1분 이상 급속 열처리하여 CIS(Cu, In, Se) 또는 CIGS(Cu, In, Ga, Se) 결정을 성장시키는 단계를 거쳐 제조될 수 있다. 이때 급속 열처리 과정에서 셀레늄(Se)의 증발을 막기 위해 Se의 일부를 황(S)으로 대체할 수 있다. 이 경우 광 흡수층(30)의 에너지 밴드갭을 크게 하여 태양 전지(100)의 개방 전압을 높일 수 있다.
광 흡수층(30) 위로 버퍼층(40)이 위치할 수 있다. 버퍼층(40)은 광 흡수층(30)과 투명 전극층(50)의 에너지 밴드갭 차이를 완화시키는 기능을 한다. 또한, 버퍼층(40)은 광 흡수층(30)과 투명 전극층(50)의 격자 상수 차이를 완화시켜 두 층(30, 50)을 양호하게 접합시킨다. 버퍼층(40)은 카드뮴황화물(CdS), 아연황화물(ZnS), 및 인듐산화물(In2O3) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(40)은 필요에 따라 생략 가능하다.
버퍼층(40) 위로 투명 전극층(50)이 위치한다. 투명 전극층(50)은 광 투과도가 우수한 BZO(boron doped zinc oxide), 아연산화물(ZnO), 인듐산화물(In2O3), 인듐주석산화물(ITO) 등을 포함하는 금속 산화물로 형성될 수 있다. 이러한 투명 전극층(50)은 높은 전기 전도도와 높은 광 투과도를 가진다. 투명 전극층(50)은 별도의 텍스쳐링(texturing) 공정에 의해 거친 표면 요철을 형성할 수 있다. 다른 한편으로, 투명 전극층(50) 위에 반사 방지막(도시하지 않음)이 더 형성될 수도 있다. 투명 전극층(50)의 표면 요철과 반사 방지막 형성은 외광 반사를 줄여 광 흡수층(30)을 향한 태양 빛의 투과 효율을 높이는 기능을 한다.
본 실시예의 태양 전지(100)는, 여러 개의 금속 주상정층(201~20n+1)으로 이루어지는 후면 전극층(20)을 포함하고, 각 금속 주상정층(201~20n+1) 사이의 계면에는 산소 원자가 포함되어 있기 때문에, 광흡수층(30) 형성을 위한 열처리시 기판(10)으로부터의 알칼리 금속(특히 나트륨)을 광 흡수층(30) 내부로 효율적으로 확산시킬 수 있다. 또한, 본 실시예의 태양전지는, 후면 전극층(20)과 기판(10)과의 접착력이 우수하다.
다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지(100)의 후면 전극층(20)의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 제1 금속 주상정층(201)을 형성한다. 제1 금속 주상정층(201)은 몰리브덴(Mo)을 스퍼터링(sputtering) 방식에 의해 기판(10)상에 증착함으로써 형성될 수 있다. 몰리브덴의 증착은 0.05Pa~5Pa의 압력 하에서 이루어질 수 있다. 해당 증착은, 제1 금속 주상정층(201)이 소정의 두께에 도달할 때까지 이루어진다. 제1 금속 주상정층(20-1)의 두께는 20nm~500nm 이고, 구체적으로는 50nm~100nm일 수 있다. 제1 금속 주상정층(201)을 형성한 후, 제1 휴식기(break time)를 갖는다. 즉, 소정 시간동안 몰리브덴의 증착을 중지한다. 제1 휴식기는 1초 내지 1시간 일 수 있다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 금속 주상정층(201) 상에 제2 금속 주상정층(202)을 형성한다. 제2 금속 주상정층(202)의 증착은 제1 금속 주상정층(201)과 동일한 조건에서 이루어진다. 즉, 제1 금속 주상정층(201)과 제2 금속 주상정층(202)의 형성 공정은, 동일한 챔버 내에서 동일한 증착 조건 하에 이루어지는 공정이고, 단지 제1 휴식기에 의해 구분된다. 제2 금속 주상정층(202)의 두께는 20nm~500nm이고, 바람직하게는 50nm~100nm일 수 있다. 제2 금속 주상정층(202)을 형성한 후, 제2 휴식기(break time)를 갖는다. 즉, 소정 시간동안 몰리브덴의 증착을 중지한다. 제2 휴식기는 1초 내지 1시간 일 수 있다.
이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제2 금속 주상정층(202) 상에 추가로 제3 금속 주상정층(203)을 형성한다. 제3 금속 주상정층(203)의 형성 역시, 동일한 챔버 내에서 동일한 증착 조건 하에서 이루어지며, 각 금속 주상정층 사이에 갖는 휴식기에 의해 구분된다. 금속 주상정층(201~20n+1)의 수는 필요에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면 1회~8회의 휴식기를 가지는 것에 의해 2층~9층의 금속 주상정층을 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 제4 금속 주상정층(204)까지 형성하는 경우를 예로 설명한다. 즉, 제2 금속 주상정층(202) 형성 후 소정 기간의 제2 휴식기를 거친 후, 제3 금속 주상정층(203)을 형성한다. 그리고 나서, 1초 내지 1시간의 제3 휴식기를 거친 후, 제4 금속 주상정층(204)을 형성한다.
몰리브덴의 증착 중에 이와 같은 휴식기를 갖는 것에 의해, 금속 주상정층(201~20n+1) 간의 계면에 산소 원자가 포함될 수 있다. 함유되는 산소 원자의 양은, 휴식기의 길이에 따라 증가 또는 감소될 수 있고, 후면 전극층(20) 전체에 포함되는 산소 원자의 양은, 금속 주상정층(201~20n+1)의 계면의 수에 따라서 달라질 수 있다. 예를 들면, 산소 원자의 함량은 후면 전극층(20)에 함유된 몰리브덴 원자에 대해 1 원자%~70 원자% 일 수 있고, 보다 구체적으로는 1 원자%~20 원자% 일 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에 의하면, 특별히 공정을 추가하는 일 없이 단지 후면 전극층(20) 형성을 위한 몰리브덴 금속의 증착 공정 중에 휴식기를 갖는 것에 의해, 후면 전극층(20) 내에 용이하게 산소 원자를 포함시킬 수 있다. 후면 전극층(20) 내에 포함된 산소 원자에 의해, 태양 전지(100) 제조를 위한 열처리 공정시, 기판(10) 내부의 알칼리 금속(특히, 나트륨)이 효과적으로 광흡수층(30) 내부로 확산될 수 있다. 이에 따라 개방 전압(Voc)이 증가하게 되어 태양 전지(100)의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4에 나타난 바와 같이, 몰리브덴 증착 공정 진행시 휴식기에 해당하는 부분에서 산소 원자의 함량이 증가함을 알 수 있다. 본 실시예의 경우, 총 3회의 휴식기를 두었으며, 이에 따라 총 3군데에서 산소 원자가 도입되었음을 알 수 있다.
또한, 본 실시예에 의하면, 비교적 낮은 압력 하에서 몰리브덴 금속을 증착할 수 있다. 일반적으로, 후면 전극층(20) 형성을 위해 스퍼터링 방법에 의해 몰리브덴을 증착할 경우, 기판(10)과의 충분한 접착력 확보를 위해 높은 압력 하에서 스퍼터링을 진행해야 하지만, 이 경우 후면 전극층(20)의 잔류 응력(Residual Stress) 특성이 악화되거나 후면 전극의 비저항이 높아져 전극 두께를 증가시켜야 하는 문제가 발생하게 된다. 그러나 본 실시예에 의하면, 상술한 바와 같이 낮은 압력 하에서 몰리브덴 금속을 증착하여도, 후면 전극층(20)과 기판(10)간의 접착력이 우수한 태양전지(100)를 얻을 수 있다.
도 5a 및 5b는 실시예 1 및 비교예 1에 따른 후면 전극층(20)의 단면을 주사 전자 현미경(SEM, scanning electron microscope)으로 관찰한 사진이고, 도 6은 실시예 1 및 비교예 1에 대해 행한 박리 강도 실험의 결과를 나타낸 그래프이다.
실시예 1은 후면 전극층(20) 형성시 3회의 휴식기를 가진 경우이고, 비교예 1은 휴식기 없이 몰리브덴을 연속으로 증착하여 후면 전극층을 형성한 경우이다. 실시예 1 및 비교예 1에서 몰리브덴의 증착은 휴식기의 유무를 제외하고는 동일한 조건 하에서 행해졌다. 즉, 1.8Pa의 압력, 8kW의 파워에서 스퍼터링 방법에 의해, 총 전극 두께가 약 300nm 인 후면 전극층(20)을 형성하였다.
도 5a에 나타난 바와 같이, 3회의 휴식기를 가진 실시예의 경우, 후면 전극층(20)에 총 4층의 금속 주상정층(201~204)이 형성됨을 알 수 있다. 반면, 도 5b에 나타난 바와 같이 휴식기 없이 연속으로 증착한 경우, 후면 전극층(20)은 주상정층의 구분 없이 단일의 금속층으로 형성됨을 알 수 있다.
이러한 실시예 1과 비교예 1에 대해, 박리 강도를 평가하였다. 도 6은 실시예 1 및 비교예 1에 대하여 박리 실험을 행한 결과이다. 실시예 1 및 비교예 1의 후면 전극층(20)에 대해, 후면 전극층(20)의 두께 방향으로 압력을 가하여, 박리가 일어나는 지점을 평가하였다. 도 6에 나타난 바와 같이, 실시예 1에서 박리가 발생한 지점은 약 13MPa의 압력이 가해진 경우로서, 약 7MPa의 압력에 의해서 박리된 비교예 1에 비해 박리 강도가 매우 우수함을 알 수 있다.
또한, 실시예 2, 3, 4, 5 및 비교예 2, 3, 4, 5에 대해 테이프 평가를 실시하였다. 실시예 2, 3, 4, 5는 그 증착조건만 달리하고, 3회의 휴식기를 가지는 조건 하에서 후면 전극층(20)을 형성하였다. 비교예 2, 3, 4, 5는 실시예 2, 3, 4, 5 각각과 비교하여 증착 조건은 동일하나, 휴식기 없이 연속으로 증착하여 후면 전극층을 형성하였다. 실시예 2, 3, 4, 5 및 비교예 2, 3, 4, 5에 대해 테이프 테스트를 실시하였다. 즉, 완성된 후면 전극층(20) 표면에 시중의 3M 접착 테이프를 붙였다 떼는 과정에서, 후면 전극층(20)이 일부라도 떨어져 나오면 불합격(X), 후면 전극층(20)이 전혀 떨어지지 않으면 합격(O)으로 평가하였다. 실시예 2, 3, 4, 5 및 비교예 2, 3, 4, 5의 증착 조건 및 테이프 테스트 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
| 스퍼터링 압력(Pa) | 스퍼터링 파워(kW) | 휴식기 횟수(회) | 총 두께(nm) | 테이프 테스트 결과 | |
| 실시예 2 | 0.3 | 3 | 3 | 300nm | O |
| 비교예 2 | 0 | X | |||
| 실시예 3 | 2 | 3 | 3 | O | |
| 비교예 3 | 0 | X | |||
| 실시예 4 | 0.3 | 8 | 3 | O | |
| 비교예 4 | 0 | X | |||
| 실시예 5 | 2 | 8 | 3 | O | |
| 비교예 5 | 0 | X |
표 1에 나타난 바와 같이, 실시예 2~5에 의하면, 스퍼터링의 조건에 관계 없이 우수한 박리 강도를 갖고 있음을 알 수 있다. 즉, 실시예 2~5에 의하면 낮은 스퍼터링 압력 및 높은 스퍼터링 파워의 조건 하에서도 후면 전극층(20)과 기판(10) 사이에 우수한 접착력을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
100: 태양 전지 10: 기판
20: 후면 전극층 30: 광 흡수층
40: 버퍼층 50: 투명 전극층
20: 후면 전극층 30: 광 흡수층
40: 버퍼층 50: 투명 전극층
Claims (20)
- 기판;
기판 상에 배치되고, 복수의 금속 주상정층을 포함하는 후면 전극층;
상기 후면 전극층 상에 배치되는 광흡수층;
상기 광흡수층 상에 배치되는 투명 전극층; 및
인접하는 2개의 상기 금속 주상정층 사이에 위치하는 계면을 포함하고,
상기 계면은 산소 원자를 포함하고,
상기 산소 원자의 양은 상기 후면 전극층의 원자 전체에 대해 1 원자% 내지 70 원자%인
태양 전지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 금속 주상정층 각각은 몰리브덴(Mo)을 포함하는
태양 전지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 금속 주상정층 각각의 두께는 20nm 내지 500nm인
태양 전지.
- 제 3 항에 있어서,
상기 금속 주상정층 각각의 두께는 50nm 내지 100nm인
태양 전지.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 산소 원자의 양은 상기 후면 전극층의 원자 전체에 대해 1 원자% 내지 20 원자%인
태양 전지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 후면 전극층은 9개 이하의 상기 금속 주상정층을 포함하는
태양 전지.
- 제 1 항에 있어서,
상기 광흡수층은 Cu, In, Ga 및 Se 중 적어도 하나를 포함하는
태양 전지.
- 증착 챔버 내에 기판을 배치하는 단계;
복수의 금속 주상정층을 포함하는 후면 전극층을 형성하는 단계;
상기 후면 전극층 상에 광흡수층을 형성하는 단계; 및
상기 광흡수층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 후면 전극층을 형성하는 단계는,
상기 기판 상 또는 먼저 형성된 금속 주상정층 상에 몰리브덴을 증착하는 것에 의해 하나의 상기 금속 주상정층을 형성하는 단계; 및
하나의 상기 금속 주상정층을 형성한 후에 휴식기를 갖고 난 후, 상기 하나의 금속 주상정층 상에 몰리브덴을 증착하여 다음 금속 주상정층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 휴식기 동안에 상기 후면 전극층 내에 산소 원자가 도입되는
태양 전지의 제조 방법.
- 삭제
- 제 10 항에 있어서,
상기 휴식기는 1초 내지 1시간인
태양 전지의 제조 방법.
- 삭제
- 제 10 항에 있어서,
상기 후면 전극층 내에 도입되는 상기 산소 원자의 양은 상기 휴식기의 길이 및 상기 휴식기의 횟수 중 적어도 하나에 대응하는
태양 전지의 제조 방법.
- 증착 챔버 내에 기판을 배치하는 단계;
후면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 후면 전극층을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 몰리브덴을 증착하여 제1 금속 주상정층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 금속 주상정층을 형성한 후에 휴식기를 갖고 난 후, 상기 제1 금속 주상정층 상에 몰리브덴을 증착하여 사기 제1 금속 주상정층 상에 제2 금속 주상정층을 형성하는 단계에 의해 이루어지고,
상기 휴식기 동안에 상기 후면 전극층 내에 산소 원자가 도입되는
태양 전지의 제조 방법.
- 삭제
- 제 15항에 있어서,
상기 산소 원자의 양은 상기 휴식기의 길이 및 상기 휴식기의 횟수 중 적어도 하나에 대응하는
태양 전지의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 휴식기는 1초 내지 1시간인
태양 전지의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 몰리브덴은 0.05Pa 내지 5Pa의 압력 하에서 증착되는
태양 전지의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 몰리브덴은 스퍼터링에 의해 증착되는
태양 전지의 제조 방법.
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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