KR101454078B1 - 전력용 반도체 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전력용 반도체 장치 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 전력용 반도체 장치는 수평 우선 방위배열 및 수직 우선 방위배열을 동시에 갖는 전도체를 리드 프레임으로 사용함으로써, 솔더링 신뢰성과 열 방출성을 동시에 만족시킬 수 있다. 아울러, 열충격 신뢰성 뿐만 아니라 전기 전도도도 우수한 효과가 있다.
Description
본 발명은 전력용 반도체 장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 들어, 전력 반도체 장치 (또는 "반도체 패키지"라 함)는 에너지절약화가 진행되는 에어컨, 냉장고, 세탁기 등의 가전제품의 인버터 회로에 응용되거나, 지하철 등의 전차의 모터 제어에 응용되고 있다. 더구나 최근에는 지구환경을 생각하여, 전력용 반도체장치는 전기 모터와 엔진을 병용해서 달리는 하이브리드카의 인버터 또는 컨버터 제어용에 응용되거나, 태양광 발전 또는 풍력 발전용의 컨버터 용도에 응용되고 있다. 이와 같이 전력용 반도체 장치의 응용 분야는 넓어지고 있다.
일반적으로 이러한 전력 반도체 장치는 반도체 칩을 리드 프레임 (lead frame) 내부의 다이 패드 (Die pad) 위에 탑재한 후, 에폭시 몰드 컴파운드 (EMC: Epoxy Molding Compound)로 밀봉하여 내부를 보호한 후, 인쇄회로기판 (print circuit board) 등에 실장 (mounting)하여 사용한다.
이때, 반도체 칩에서 열이 발생 되는 경우, 발생하는 열을 효과적으로 반도체 장치 외부로 방출해야만, 반도체 패키지가 열에 의하여 오동작 (mal-function)하는 것을 방지할 수 있다. 열을 효과적으로 방출하지 않아서 반도체 패키지가 오동작을 하는 이유는 내부에 실장된 반도체 칩이 열에 민감하게 동작하기 때문이다.
특허문헌 1에서는 반도체 패키지의 방열판의 상부층을 알루미늄 산화물로 형성시켜 높은 열 방출능력을 나타낸다고 개시하고 있으나, 좀 더 많은 열 방출능력이 요구되는 실정이다.
특허문헌 1: 한국 등록특허 제10-0723454호
이에 본 발명에서는 반도체 패키지의 리드 프레임을 수평 우선 방위배열 및 수직 우선 방위배열을 동시에 갖도록 배열하여 솔더링 신뢰성과 열 방출성을 동시에 만족시킬 수 있었고, 본 발명은 이에 기초하여 완성되었다.
따라서, 본 발명의 하나의 관점은 솔더링 신뢰성과 열 방출성을 동시에 만족시키고, 아울러, 열충격 신뢰성뿐만 아니라 전기 전도도도 우수한 리드 프레임을 갖는 전력용 반도체 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 장치를 경제적인 방법으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 데 있다.
상기 하나의 관점을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전력용 반도체 장치 (이하 "제1 발명"이라 함)는:
전력용 반도체 칩;
상기 전력용 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 칩을 제어하는 제어용 반도체 칩;
상기 전력용 반도체 칩 및 상기 제어용 반도체 칩이 솔더링에 의해 탑재되는 제1 표면 및 열 방출 경로로 이용되는 제2 표면을 구비하며, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되는 리드 프레임;
상기 리드 프레임의 제2 표면과 절연층으로 접착된 방열판; 및
상기 전력용 반도체 칩, 상기 제어용 반도체 칩, 상기 리드 프레임 및 상기 방열판을 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자를 노출시키는 봉합 수지를 포함하며;
여기서, 상기 리드 프레임은 구리로 구성되며, 수평 우선 방위배열을 갖는 제1 표면 및 상기 제1 표면과 직접 접촉하며 수직 우선 방위배열을 갖는 제2 표면으로 구성된다.
본 발명의 또 다른 전력용 반도체 장치 (이하 "제2 발명"이라 함)는:
전력용 반도체 칩;
상기 전력용 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 칩을 제어하는 제어용 반도체 칩;
상기 전력용 반도체 칩 및 상기 제어용 반도체 칩이 솔더링에 의해 탑재되는 제1 표면 및 열 방출 경로로 이용되는 제2 표면을 구비하며, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되는 리드 프레임;
상기 리드 프레임의 제2 표면과 절연층으로 접착된 방열판; 및
상기 전력용 반도체 칩, 상기 제어용 반도체 칩, 상기 리드 프레임 및 상기 방열판을 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자를 노출시키는 봉합 수지를 포함하며;
상기 리드 프레임은 구리로 구성되며, 수평 우선 방위배열을 갖는 제1 표면, 및 상기 제1 표면과 직접 접촉하는 수직 우선 방위배열 및 상기 제1 표면과 직접 접촉하는 않는 수평 우선 방위배열로 이루어진 제2 표면으로 구성된다.
제1 또는 제2 발명에 있어서, 상기 제1 표면은 5㎛ 이하의 두께를 갖는 Cu6Sn5 층과 400㎚ 이하의 두께를 갖는 Cu3Sn 층으로 구성된 금속간 화합물이 형성된 것을 특징으로 한다.
제1 또는 제2 발명에 있어서, 상기 제2 표면의 두께는 35㎛ 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 관점을 달성하기 위한 전력용 반도체 장치의 제조방법 (이하 "제3 발명"이라 함)은:
전력용 반도체 칩; 상기 전력용 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 칩을 제어하는 제어용 반도체 칩; 상기 전력용 반도체 칩 및 상기 제어용 반도체 칩이 솔더링에 의해 탑재되는 제1 표면 및 열 방출 경로로 이용되는 제2 표면을 구비하며, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 제2 표면과 절연층으로 접착된 방열판; 및 상기 전력용 반도체 칩, 상기 제어용 반도체 칩, 상기 리드 프레임 및 상기 방열판을 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자를 노출시키는 봉합 수지를 포함하는 전력용 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서,
상기 리드 프레임은 구리를 압연을 수행한 다음, 압연된 리드 프레임의 일 측면에 구리 도금을 수행하여 형성되고, 그 다음 상기 반도체 칩과 솔더링되며, 여기서, 상기 제1 표면이 압연에 의해 수평 우선 방위배열을 가지며, 상기 제2 표면은 도금에 의해 수직 우선 방위배열을 갖는다.
본 발명의 또 다른 전력용 반도체 장치의 제조방법 (이하 "제4 발명"이라 함)은:
전력용 반도체 칩; 상기 전력용 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 칩을 제어하는 제어용 반도체 칩; 상기 전력용 반도체 칩 및 상기 제어용 반도체 칩이 솔더링에 의해 탑재되는 제1 표면 및 열 방출 경로로 이용되는 제2 표면을 구비하며, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 제2 표면과 절연층으로 접착된 방열판; 및 상기 전력용 반도체 칩, 상기 제어용 반도체 칩, 상기 리드 프레임 및 상기 방열판을 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자를 노출시키는 봉합 수지를 포함하는 전력용 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서,
상기 리드 프레임은 구리를 압연을 수행한 다음, 압연된 리드 프레임의 일 측면에 구리 도금을 수행한 후, 다시 압연을 수행하여 형성되고, 그 다음 상기 반도체 칩과 솔더링되며, 여기서, 상기 제1 표면은 압연에 의해 수평 우선 방위배열을 가지며, 상기 제2 표면은 상기 제1 표면과 직접 접촉하는 수직 우선 방위배열 및 상기 제1 표면과 직접 접촉하는 않는 수평 우선 방위배열을 갖는다.
제3 또는 제4 발명에 있어서, 상기 제1 표면은 5㎛ 이하의 두께를 갖는 Cu6Sn5 층과 400㎚ 이하의 두께를 갖는 Cu3Sn 층으로 구성된 금속간 화합물이 형성되도록 솔더링시키는 것을 특징으로 한다.
제3 또는 제4 발명에 있어서, 상기 제2 표면의 두께는 35㎛ 이상으로 도금하는 것을 특징으로 한다.
제3 또는 제4 발명에 있어서, 상기 도금방법은 전해 도금 또는 무전해 도금인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전력용 반도체 장치는 수평 우선 방위배열 및 수직 우선 방위배열을 동시에 갖는 전도체를 리드 프레임으로 사용함으로써, 솔더링 신뢰성과 열 방출성을 동시에 만족시킬 수 있다. 아울러, 열충격 신뢰성 뿐만 아니라 전기 전도도도 우수한 효과가 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부 도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 통상적인 전력용 반도체 장치의 구조를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2는 전력용 반도체 장치에서 전력소자 및 IC로부터의 전기와 열을 전달하는 리드 프레임과 같은 전도체의 미세 조직을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따라 수평 우선 방위배열을 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 단면을 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명에 따라 수직 우선 방위배열을 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 단면을 나타낸 사진이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따라 압연-도금에 의한 2중 구조를 갖는 전도체 (또는 리드 프레임)의 단면을 나타낸 개략도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따라 압연-도금-압연에 의한 3중 구조를 갖는 전도체 (또는 리드 프레임)의 단면을 나타낸 개략도이다.
도 7은 본 발명에 따라 압연-도금에 의한 2중 구조 및 압연-도금-압연에 의한 3중 구조를 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 접합부의 단면을 나타낸 개략도이다.
도 2는 전력용 반도체 장치에서 전력소자 및 IC로부터의 전기와 열을 전달하는 리드 프레임과 같은 전도체의 미세 조직을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따라 수평 우선 방위배열을 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 단면을 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명에 따라 수직 우선 방위배열을 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 단면을 나타낸 사진이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따라 압연-도금에 의한 2중 구조를 갖는 전도체 (또는 리드 프레임)의 단면을 나타낸 개략도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 다른 실시 예에 따라 압연-도금-압연에 의한 3중 구조를 갖는 전도체 (또는 리드 프레임)의 단면을 나타낸 개략도이다.
도 7은 본 발명에 따라 압연-도금에 의한 2중 구조 및 압연-도금-압연에 의한 3중 구조를 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 접합부의 단면을 나타낸 개략도이다.
본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하기 전에, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어서는 아니되며, 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예의 구성은 본 발명의 바람직한 하나의 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 통상적인 전력용 반도체 장치의 구조를 나타낸 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 통상의 전력용 반도체 패키지 (100)는, 전력용 회로와 제어용 회로를 구성하는 복수 개의 반도체 칩들 (11 및 12)이 리드프레임 (13)의 상에 탑재되어 있으며, 리드 프레임 (13) 하부에는 방열판 (14)이 구비된 구조를 갖는다. 그리고, 상기 리드 프레임 (13)은 상기 전력용 회로를 구성하는 반도체 칩 (11)과 납땜 또는 솔더 (15)로 솔더링 (soldering)되고, 상기 리드 프레임 (13)과 방열판 (14)은 열전도성이 우수하고 절연 특성을 가진 접착제 (통상 "절연층"이라 함) (16)로 부착된다. 아울러, 상기 반도체 칩들 (11 및 12)과 리드 프레임들 (13)은 와이어 (17)로 연결되며, 상기 반도체 칩 (11 및 12), 리드 프레임 (13), 및 와이어 (17)는 에폭시와 같은 몰딩재 (18)로 덮여지며, 상기 방열판 (14)의 하부면 만이 몰딩재 (18) 밖으로 돌출된다. 상기 와이어 (17)는 높은 정격 전류에 견딜 수 있도록 대략 250∼500㎛의 직경을 갖는다.
이와 같은 구조의 전력용 반도체 패키지 (100)에서, 전력용 회로 칩 (11)에서 발생한 열의 대부분은 하부 리드 프레임 (13)을 따라 방열판 (14)로 전달되어서 방열판 (14)를 통하여 전력용 반도체 패키지 (10)의 외부로 방출된다. 효과적인 열 방출을 위하여 상기 방열판 (14)은 구리나 알루미늄과 같은 열전도율이 큰 금속으로 제조된다.
본 발명은 발열을 수반하는 전력용 반도체 장치 (100)의 방열 및 전기전도 특성을 높이고, 납땜 (15)의 접합 신뢰성을 높이기 위한 리드 프레임 (13)의 구조 및 형성 방법과 관련된다.
본 발명에 있어서, 상기 리드 프레임 (13)은 구리로 구성되고, 약 0.5∼1㎜의 두께를 가지며, 복수 개의 반도체 칩들 (11 및 12)이 부착되는 제1 표면 및 그 반대면인 제2 표면을 가진다. 그리고, 상기 리드 프레임 (13)의 가장자리에는 외부 연결 단자가 형성되어 있다. 상기 리드 프레임 (13)의 제1 표면에는 전력용 반도체 칩 (11) 및 제어용 반도체 칩 (12)이 납땜 (15)에 의해 부착된다. 특히, 많은 열을 발생시키는 전력용 반도체 칩 (11)이 부착되어 있는 부분에 대응하는 리드 프레임 (13)의 제2 표면에는 접착제 (16)에 의해 방열판 (14)인 금속 기판이 부착된다. 도시된 바와 같이, 상기 방열판 (14)은 리드 프레임 (13)의 제2 표면에 부착될 수 있다.
상기 방열판 (14)은 금속으로 형성된 판 (plate) 형상의 방열판 및 상기 방열판의 표면에 구리층이 도금된 형상으로 형성될 수 있다. 상기 방열판 (14)은 전력용 반도체 칩 (11) 등에서 생기는 열을 외부로 효과적으로 방출하는 역할을 한다. 상기 방열판 (14)은 열전도성이 우수한 물질을 사용하는데, 열전도성이 약 100∼130 W/m·K인 알루미늄을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 방열판 (14)의 두께는 특별한 제한이 없으며, 전력용 반도체 장치 (100)의 용도에 따라서 다양하게 변형이 가능하다.
상기 납땜 (15)은 통상 Pb/Sn/Ag 또는 Sn/Ag/Cu 등의 금속 재질로 이루어진 것을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 접착제 (또는 절연층) (16)로는 에폭시 접착제 또는 실리콘 엘라스토머 (silicon elastomer) 등을 사용할 수 있는데, 상기 접착제 (16)에는 열전도성이 좋으며 전기적 절연성을 가지는 충진제가 분산되어 있을 수 있다. 그리고, 상기 접착제 (16)는 열전도 효율이 떨어지지 않도록 약 10∼20㎛의 두께로 얇게 형성하는 것이 바람직하지만, 반드시 여기에만 한정되는 것은 아니다.
상기 절연층 (16)은 리드 프레임 (13)과 상기 방열판 (14)을 전기적으로 절연시킬 뿐만이 아니라 상기 방열판 (14)을 통한 열 방출이 원활하게 이루어질 수 있도록 보장해야 한다. 따라서, 상기 절연층 (16)은 열 전도성이 우수하고, 가능한 얇은 두께로 충분한 절연 효과를 나타내는 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 몰딩재 (18)는 전력용 반도체 칩 (11) 및 제어용 반도체 칩 (12)을 밀봉하여 부품 간의 절연 상태를 유지하고, 외부로부터의 열 또는 충격 등으로부터 보호하기 위한 것이다. 따라서, 상기 몰딩재 (18)는 절연 특성이 우수한 에폭시 몰드 화합물 등으로 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩재 (18)는 전력용 반도체 칩 (11), 제어용 반도체 칩 (12), 리드 프레임 (13) 및 방열판 (14)을 감싸되, 상기 리드 프레임 (13)의 외부 연결 단자를 노출시킨다. 또한, 열 방출 특성을 향상시키기 위하여 상기 몰딩재 (18)는 방열판 (14)의 일면을 외부로 노출시키는 것이 바람직하다.
한편, 이러한 전력용 반도체 장치의 성능을 결정하는 인자로서 열 방출 능력과 접합신뢰성을 들 수 있다. 열 방출 능력을 향상하기 위해서는 기판 (리드 프레임 포함)의 열전도계수를 높여야 하며, 이를 위해 재료 과학적인 관점에서 많은 시도들이 행해지고 있으나, 각각은 열전도가 높은 재료는 가격이 비싸거나, 신뢰성이 떨어지거나, 또는 전기 절연성이 떨어지거나 하는 장, 단점들을 가지고 있다.
본 발명은 열전도 계수와 신뢰성 차원에서 우수한 리드 프레임의 구조 접합부의 구조를 제안한다. 본 발명에 따르면, 리드 프레임의 미세조직 제어를 통해 열전도 계수를 향상시키며, 부수적으로 신뢰성이 우수한 솔더 접합 모양까지 구현할 수 있다.
도 2는 전력용 반도체 장치에서 전력소자 및 IC로부터의 전기와 열을 전달하는 리드 프레임과 같은 전도체의 미세 조직을 나타낸 개략도이다. 이러한 전도체의 금속학적인 조직은 도 2의 (A)와 같이 수평 우선 방위배열 (24)로 되어 있거나, 또은 도 2의 (B)와 같이 수직 우선 방위배열 (25)로 되어 있다. 상기 수평 우선 방위배열 (24)은 통상적으로 구리의 압연에 의해 형성되며, 상기 수직 우선 방위배열 (25)은 도금에 의해 형성된다.
본 발명에서는 상기 수평 우선 방위배열 (24)이 수평 구조의 입계 (grain boundary) 형상을 가지므로 솔더링에 의한 접합 신뢰성 및 전기전도도는 우수하나, 수직 방향으로의 열 전달에 있어서는 입계와 같은 결함 (defect) 구조를 많이 만나 열 전달에 불리하여 신뢰성과 열 전달을 만족시키는 어려움을 확인했다. 반대로, 도 2를 참조하면, 상기 수직 우선 방위배열 (25)은 수직 구조의 입계 형상을 가지므로 수직 방향으로의 열 전달에 있어서는 수직 입계 구조를 따라 열 전달에 유리하여 신뢰성과 열 전달을 만족시키지만, 수직 입계 형상에 의해 솔더링에 의한 접합 신뢰성 및 전기전도도는 불리한 구조가 된다.
일반적으로 솔더 접합의 신뢰성 열화는 Cu3Sn이 존재하는 층에서 커덴돌 보이드 (Kirdendall Void) 형성 및 크랙 (Crack) 발생 형태로 진행이 된다. 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따라 수평 우선 방위배열을 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 단면을 나타낸 사진으로, 이를 참조하면, 납땜 (35)과의 계면에서 형성되는 금속간화합물 (IMC: Intermetalic compound)의 모양과 두께로 판단해 볼 때, 수평 우선 방위배열 형성에 의해 솔더링시 Cu와 Sn의 이동이 제한되어 Cu3Sn의 두께가 약 200㎚ (통상 400㎚ 이하) 정도로 얇을 뿐만 아니라, Cu6Sn5의 모양도 톱니모양으로 형성되어 솔더 접합 신뢰성이 우수한 장점은 있다. 하지만, 열 전달시에는 수평 입계와 같은 결함 구조를 많이 만나 열 전달에 불리한 것이다. 따라서, 수평 우선 방위배열의 압연 조직이 전도체의 상면 또는 하면과 같이 외곽에 존재하여야 솔더 접합 신뢰성을 확보할 수 있다.
한편, 도 4는 본 발명에 따라 수직 우선 방위배열을 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 단면을 나타낸 사진으로, 이를 참조하면, 납땜 (35)과의 계면에서 형성되는 Cu3Sn의 두께가 약 500㎚ 정도로 상대적으로 두꺼울 뿐만 아니라, Cu6Sn5의 모양도 두리 뭉실한 모양으로 형성되어 열 전달에는 유리하나, 솔더 접합 신뢰성은 불리한 것이다. 참고로, 용어 "Cu3Sn5 및 Cu3Sn"는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킬 경우, 납땜의 주성분인 Sn이 Cu에 침투하여 Cu와 Sn이 반응된 반응물 및 그 반응비를 나타내는 것이다.
한편, 본 발명에 따른 전도체의 형성방법은 다음과 같다. 먼저, 압연에 의해 제조된 Cu 시트를 준비한다. 여기에 도금법을 적용하여 그 두께를 35㎛ 이상으로 도금하는데, 이는 원하는 방열 특성을 나타내고, 추후 다시 압연시 수직 우선 방위배열 및 수평 우선 방위배열을 모두 발현될 수 있는 바람직한 두께이기 때문이다. 한편, 도금법을 적용할 때에는 전해도금, 무전해 도금을 포함하며, 도금 전처리는 표면의 산화막 제거 및 조도 (Roughness) 형성을 위한 소프트 에칭 (Soft etching), 버핑 (Buffing) 등 가능한 방법을 이용한다. 선택적으로, 다시 압연을 하여 도금층의 표면이 압연 스트레스 (Stress)에 의해 변형되어 수평 우선 방위배열로 바뀌도록 한다.
본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따르면, 전도체는 도 5와 같은 압연-도금에 의한 2중 구조와 도 6과 같은 압연-도금-압연에 의한 3중 구조가 가능하다. 단, 솔더링 신뢰성을 위해서는 반드시 솔더링 접합부와 만나는 전도체, 예를 들어, 리드 프레임의 제1 표면에서는 압연에 의해 형성된 조직이어야 한다. 상-하 어느 한 방향에서만 솔더 접합이 필요한 경우엔 2중 구조를 사용하며, 상-하 양면에서 솔더 접합이 필요한 경우엔 3중 구조를 사용하는 것이 바람직하다.
도 7은 본 발명에 따라 압연-도금에 의한 2중 구조 및 압연-도금-압연에 의한 3중 구조를 갖는 전도체와 납땜 물질을 솔더링시킨 접합부의 단면을 나타낸 개략도이다. 도 7을 참조하면, 상기 접합부 (예를 들어, 리드 프레임의 제1 표면)를 형성하는 IMC 층의 두께는 Cu6Sn5의 경우는 5㎛ 미만이고, Cu3Sn의 경우는 400㎚ 미만이 접합 신뢰성 측면에서 바람직하다.
이상 본 발명을 구체적인 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100: 전력용 반도체 패키지 11: 전력용 반도체 칩
12: 제어용 반도체 칩 13, 53, 63: 리드 프레임
14: 방열판 15, 35, 78: 납땜 또는 솔더
16: 접착제 또는 절연층 17: 와이어
18: 몰딩재 24, 54, 64, 64': 수평 우선 방위배열
25, 55, 65, 75: 수직 우선 방위배열
76: IMC 층 (Cu6Sn5) 77: IMC 층 (Cu3Sn)
12: 제어용 반도체 칩 13, 53, 63: 리드 프레임
14: 방열판 15, 35, 78: 납땜 또는 솔더
16: 접착제 또는 절연층 17: 와이어
18: 몰딩재 24, 54, 64, 64': 수평 우선 방위배열
25, 55, 65, 75: 수직 우선 방위배열
76: IMC 층 (Cu6Sn5) 77: IMC 층 (Cu3Sn)
Claims (9)
- 전력용 반도체 칩;
상기 전력용 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 칩을 제어하는 제어용 반도체 칩;
상기 전력용 반도체 칩 및 상기 제어용 반도체 칩이 솔더링에 의해 탑재되는 제1 표면 및 열 방출 경로로 이용되는 제2 표면을 구비하며, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되는 리드 프레임;
상기 리드 프레임의 제2 표면과 절연층으로 접착된 방열판; 및
상기 전력용 반도체 칩, 상기 제어용 반도체 칩, 상기 리드 프레임 및 상기 방열판을 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자를 노출시키는 봉합 수지를 포함하며;
여기서, 상기 리드 프레임은 구리로 구성되며, 금속조직학적으로 수평 우선 방위배열을 갖는 압연층으로 이루어진 제1 표면 및 상기 제1 표면과 직접 접촉하며 금속조직학적으로 수직 우선 방위배열을 갖는 도금층으로 이루어진 제2 표면으로 구성된 전력용 반도체 장치.
- 전력용 반도체 칩;
상기 전력용 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 칩을 제어하는 제어용 반도체 칩;
상기 전력용 반도체 칩 및 상기 제어용 반도체 칩이 솔더링에 의해 탑재되는 제1 표면 및 열 방출 경로로 이용되는 제2 표면을 구비하며, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되는 리드 프레임;
상기 리드 프레임의 제2 표면과 절연층으로 접착된 방열판; 및
상기 전력용 반도체 칩, 상기 제어용 반도체 칩, 상기 리드 프레임 및 상기 방열판을 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자를 노출시키는 봉합 수지를 포함하며;
상기 리드 프레임은 구리로 구성되며, 금속조직학적으로 수평 우선 방위배열을 갖는 압연층으로 이루어진 제1 표면, 및 상기 제1 표면과 직접 접촉하는 금속조직학적으로 수직 우선 방위배열을 갖는 도금층 및 상기 제1 표면과 직접 접촉하는 않는 금속조직학적으로 수평 우선 방위배열을 갖는 압연층으로 이루어진 제2 표면으로 구성된 전력용 반도체 장치.
- 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 제1 표면은 5㎛ 이하의 두께를 갖는 Cu6Sn5 층과 400㎚ 이하의 두께를 갖는 Cu3Sn 층으로 구성된 금속간 화합물이 형성된 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 장치.
- 청구항 1 또는 2에 있어서,
상기 제2 표면의 두께는 35㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 장치.
- 전력용 반도체 칩; 상기 전력용 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 칩을 제어하는 제어용 반도체 칩; 상기 전력용 반도체 칩 및 상기 제어용 반도체 칩이 솔더링에 의해 탑재되는 제1 표면 및 열 방출 경로로 이용되는 제2 표면을 구비하며, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 제2 표면과 절연층으로 접착된 방열판; 및 상기 전력용 반도체 칩, 상기 제어용 반도체 칩, 상기 리드 프레임 및 상기 방열판을 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자를 노출시키는 봉합 수지를 포함하는 전력용 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서,
상기 리드 프레임은 구리를 압연을 수행한 다음, 압연된 리드 프레임의 일 측면에 구리 도금을 수행하여 형성되고, 그 다음 상기 반도체 칩과 솔더링되며, 여기서, 상기 제1 표면이 압연에 의해 수평 우선 방위배열을 가지며, 상기 제2 표면은 도금에 의해 수직 우선 방위배열을 갖는 전력용 반도체 장치의 제조방법.
- 전력용 반도체 칩; 상기 전력용 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 상기 반도체 칩을 제어하는 제어용 반도체 칩; 상기 전력용 반도체 칩 및 상기 제어용 반도체 칩이 솔더링에 의해 탑재되는 제1 표면 및 열 방출 경로로 이용되는 제2 표면을 구비하며, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 제2 표면과 절연층으로 접착된 방열판; 및 상기 전력용 반도체 칩, 상기 제어용 반도체 칩, 상기 리드 프레임 및 상기 방열판을 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자를 노출시키는 봉합 수지를 포함하는 전력용 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서,
상기 리드 프레임은 구리를 압연을 수행한 다음, 압연된 리드 프레임의 일 측면에 구리 도금을 수행한 후, 다시 압연을 수행하여 형성되고, 그 다음 상기 반도체 칩과 솔더링되며, 여기서, 상기 제1 표면은 압연에 의해 수평 우선 방위배열을 가지며, 상기 제2 표면은 상기 제1 표면과 직접 접촉하는 수직 우선 방위배열 및 상기 제1 표면과 직접 접촉하는 않는 수평 우선 방위배열을 갖는 전력용 반도체 장치의 제조방법.
- 청구항 5 또는 6에 있어서,
상기 제1 표면은 5㎛ 이하의 두께를 갖는 Cu6Sn5 층과 400㎚ 이하의 두께를 갖는 Cu3Sn 층으로 구성된 금속간 화합물이 형성되도록 솔더링시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 청구항 5 또는 6에 있어서,
상기 제2 표면의 두께는 35㎛ 이상으로 도금하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 청구항 5 또는 6에 있어서,
상기 도금방법은 전해 도금 또는 무전해 도금인 것을 특징으로 하는 방법.
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