KR101452609B1 - 유리판 제조 장치 및 유리판 냉각 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 관한 유리판 제조 장치는, 성형체로부터 오버플로우한 용융 유리(90)를, 성형체(10)의 양측면을 따라 유하시킨 후, 성형체의 하단부 근방에서 합류시켜 유리판(91)을 제조하는, 유리판의 냉각 속도를 조정 가능한 유리판 제조 장치이며, 복수의 냉각 조정판과, 온도 제어 유닛을 구비한다. 복수의 냉각 조정판은, 용융 유리의 합류 포인트보다 하방에서, 용융 유리의 흐름 방향을 따라 병렬하여 배치되고, 유리판의 냉각 속도를 조정한다. 온도 제어 유닛은, 각 냉각 조정판에 대응하여 설치되고, 각 냉각 조정판의 온도를 제어한다.

Description

유리판 제조 장치 및 유리판 냉각 방법{GLASS PLATE PRODUCTION DEVICE AND GLASS PLATE COOLING METHOD}
본 발명은, 유리판 제조 장치 또는 유리판 냉각 방법에 관한 것이다.
종래, 유리판의 제조 방법의 하나로서, 퓨전법이 채용되고 있다. 퓨전법에서는, 성형체에 유입한 용융 유리를 성형체로부터 오버플로우시켜 유리판을 제조한다. 성형체로부터 오버플로우한 용융 유리는, 성형체를 따라 유하한 후, 성형체의 하단부에서 합류하고, 그 후, 성형체를 이격하여 유리판으로 된다. 유리판은, 로내의 분위기에 의해 냉각되어, 점성 영역으로부터 점탄성 영역을 거쳐 탄성 영역으로 변화해 간다. 여기서, 유리의 점탄성 영역에 있어서 균일하게 냉각되어야 할 유리판의 범위가, 로 내에서 발생하는 대류에 의해 불균일하게 냉각되는 것을 방지하기 위하여, 예를 들어 특허문헌 1(일본 특허 공개 평2-225326호 공보)에 기재된 바와 같이, 유리판의 양측에, 판상 부재를 설치하는 기술이 제안되어 있다.
일본 특허 공개 평2-225326호 공보
그런데, 최근의 유리 기판의 수요 증가에 수반하여, 유리판의 생산량 향상이 요구되어 왔다. 그러나, 종래의 기술을 채용한 경우, 유리판의 냉각 속도를 충분히 제어하는 것이 곤란하기 때문에, 생산량의 향상을 충분히 기대할 수 없다.
따라서, 본 발명의 과제는, 유리판의 냉각 속도를 조정 가능한 유리판 제조 장치 또는 유리판 냉각 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 관한 유리판 제조 장치는, 성형체로부터 오버플로우한 용융 유리를, 성형체의 양측면을 따라 유하시킨 후, 성형체의 하단부 근방에서 합류시켜 유리판을 제조하는 유리판 제조 장치이며, 복수의 냉각 조정판과, 온도 제어 유닛을 구비한다. 복수의 냉각 조정판은, 용융 유리의 합류 포인트보다 하방에서, 용융 유리의 흐름 방향을 따라 병렬하여 배치되고, 유리판의 냉각 속도를 조정한다. 온도 제어 유닛은, 각 냉각 조정판에 대응하여 설치되고, 각 냉각 조정판의 온도를 제어한다.
용융 유리의 흐름 방향으로 병렬하는 냉각 조정판은, 각 냉각 조정판에 대응하는 온도 제어 유닛에 의해 각각 온도 제어된다. 냉각 조정판은, 온도 제어 유닛에 의해, 폭 방향의 온도 균일성을 유지하게 제어되고, 유리판의 냉각 속도를 조정한다.
이에 의해, 유리판의 온도 제어를 효과적으로 행할 수 있다.
또한, 복수의 냉각 조정판은, 상하 분위기 구획 부재의 하방에 배치되는 것이 바람직하다. 상하 분위기 구획 부재는, 용융 유리의 합류 포인트의 근방에 배치되어 합류 포인트의 상측 분위기 및 하측 분위기를 구획한다.
상하 분위기 구획 부재에 의해 성형체의 열이 차단된 공간에서, 냉각 조정판이 용융 유리의 냉각 속도를 제어하기 때문에, 온도 제어 유닛에 의한 냉각의 영향이 성형체에 미치기 어렵다. 또한, 성형체 위를 흐르는 용융 유리의 최적 유리 점도를 변화시키지 않고, 점탄성 영역에 있어서의 유리판의 온도 제어를 효율적으로 행할 수 있다.
또한, 각 냉각 조정판은, 용융 유리의 흐름 방향에 교차하는 수평 방향으로 연장되고, 온도 제어 유닛은, 파이프를 포함하는 것이 바람직하다. 파이프는, 각 냉각 조정판의 전체를 냉각 또는 가열하는 유체를 흘린다.
파이프를 흐르는 유체에 의해, 유리판에 대향하는 각 냉각 조정판의 전체를, 유리판 대향면의 이면측으로부터 냉각 또는 가열할 수 있다.
파이프는, 메인 파이프와 서브 파이프를 더 포함하는 것이 바람직하다. 메인 파이프는, 냉각 조정판의 길이 방향을 따라 배치된다. 서브 파이프는, 메인 파이프의 양측부에 각각 연결된다. 서브 파이프는, 메인 파이프에 열교환의 매체가 되는 기체를 보낸다. 또한, 메인 파이프는, 복수의 분출구를 갖는 것이 바람직하다. 복수의 분출구는, 서브 파이프로부터 보내어진 기체를 메인 파이프의 외부로 분출하여 냉각 조정판에 분사한다.
냉각 조정판에 대하여 복수의 분출구로부터 기체를 분사함으로써, 냉각 조정판의 온도 제어를 효과적으로 행할 수 있다.
또한, 복수의 분출구는, 각 분출구로부터 분출되는 기체의 양이 균일해지도록, 메인 파이프의 측부로부터의 거리에 따라, 각각 소정의 크기를 갖는 것이 바람직하다.
냉각 조정판을 향하여 기체를 분출하는 분출구의 크기 및 위치를 조절함으로써, 파이프에 공급하는 기체의 압력을 어느 정도 변경해도, 제1 방향으로 연장되는 냉각 조정판 전체의 폭 방향의 냉각량이 거의 일정하게 유지되도록 할 수 있다. 냉각 조정판 전체의 폭 방향의 냉각량이 거의 일정하게 유지됨으로써 높은 평면도를 보유한 적합한 유리판을 제조할 수 있다.
또한, 냉각 조정판은, 채널이며, 채널의 주부가, 유리판과 대향하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 냉각 조정판의 강도를 향상시킬 수 있다.
유리판의 제조 장치는, 제1 포위 부재와, 제2 포위 부재와, 단열 부재를 더 구비하는 것이 바람직하다. 제1 포위 부재는, 제1 파이프를 둘러싸, 제1 공간을 형성한다. 제1 파이프란, 제1 냉각 조정판을 냉각 또는 가열하는 유체를 흘리는 파이프이며, 제1 공간이란, 제1 냉각 조정판의 냉각 속도를 조정하기 위한 공간이다. 제2 포위 부재는, 제2 파이프를 둘러싸, 제2 공간을 형성한다. 제2 파이프와는, 제1 냉각 조정판에 인접하는 제2 냉각 조정판을, 냉각 또는 가열하는 유체를 흘리는 파이프이다. 제2 공간이란, 제2 냉각 조정판의 냉각 속도를 조정하기 위한 공간이다. 단열 부재는, 제1 공간과, 제2 공간 사이에 배치되고, 제1 공간과 제2 공간 사이의 열의 이동을 차단한다.
단열 부재에 의해 제1 공간과 제2 공간의 열의 이동이 차단되기 때문에, 제1 냉각 조정판의 온도 제어 시에, 제2 냉각 조정판에의 온도의 영향을 저감시킬 수 있다.
또한, 유리판의 제조 장치는, 기체 제어 유닛을 더 구비하는 것이 바람직하다. 기체 제어 유닛은, 냉각 조정판에 분사된 기체의 흐름을 제어한다. 이에 의해, 1개의 분출구로부터 냉각 조정판을 향하여 분사된 기체가, 다른 분출구로부터 분출되는 기체에 끼치는 영향을 저감시킬 수 있다.
본 발명에 관한 유리판의 냉각 방법은, 성형체로부터 오버플로우한 용융 유리를, 성형체의 양측면을 따라 유하시킨 후, 성형체의 하단부 근방에서 합류시켜 형성하는 유리판을 냉각하는, 유리판 냉각 방법이며, 제1 냉각 스텝과, 제2 냉각 스텝을 구비한다. 제1 냉각 스텝에서는, 제1 냉각 조정판과 제1 온도 제어 유닛에 의해 유리판을 냉각한다. 제1 냉각 조정판은, 용융 유리의 합류 포인트보다 하방에 배치되고, 유리판의 냉각 속도를 제어한다. 제1 온도 제어 유닛은, 제1 냉각 조정판에 대응하여 설치되어 제1 냉각 조정판의 온도를 조정한다. 제2 냉각 스텝에서는, 제2 냉각 조정판과 제2 온도 제어 유닛에 의해 유리판을 냉각한다. 제2 냉각 조정판은, 유리판의 냉각 속도를 제어한다. 제2 온도 제어 유닛은, 제2 냉각 조정판에 대응하여 설치되어 제2 냉각 조정판의 온도를 조정한다. 제2 냉각 조정판 및 제2 온도 제어 유닛은, 용융 유리의 흐름 방향에 대하여, 제1 냉각 조정판 및 상기 제1 온도 제어 유닛의 하류에 배치된다. 또한, 제2 냉각 조정판 및 제2 온도 제어 유닛은, 제1 냉각 조정판 및 제1 온도 조정 유닛에 각각 병렬한다.
용융 유리의 흐름 방향으로 병렬하는 냉각 조정판은, 각 냉각 조정판에 대응하는 온도 제어 유닛에 의해 각각 온도 제어된다. 냉각 조정판은, 온도 제어 유닛에 의해 폭 방향의 온도 균일성을 유지하게 제어되고, 유리판의 냉각 속도를 제어한다.
이에 의해, 유리판의 온도 제어를 효과적으로 행할 수 있다.
본 발명에 관한 유리판 제조 장치 및 유리판의 냉각 방법에서는, 유리판의 온도 제어를 효과적으로 행할 수 있다.
도 1은 유리판 제조 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 성형 장치의 개략 구성도(단면도)이다.
도 3은 성형 장치의 개략 구성도(측면도)이다.
도 4는 냉각 조정판을 도시하는 도면이다.
도 5는 냉각 조정판과 포위 부재에 의해 형성되는 공간을 도시하는 도면이다.
도 6은 메인 파이프로부터 분출되는 가스와, 분출된 후의 가스의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 7은 파이프의 구성을 도시하는 도면이다.
도 8은 제어 장치 및 제어 장치에 접속되는 각 기구를 도시하는 도면이다.
(1) 전체 구성
도 1에, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 유리판 제조 장치(100)의 개략 구성도를 도시한다. 유리판 제조 장치(100)는, 퓨전법을 채용하여 유리판(91)을 제조하는 장치이다. 유리판 제조 장치(100)에 의해 제조되는 유리판(91)은, 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이의 유리 기판에 사용된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 유리판 제조 장치(100)는, G5 크기의 유리 기판에 사용하는 유리판(91)을 제조한다. 유리판 제조 장치(100)는, 띠 형상의 유리판(91)을 연속적으로 제조한다.
유리판 제조 장치(100)는, 주로 용해조(200)와, 청징조(300)와, 성형 장치(101)를 포함한다. 용해조(200)에서는, 유리의 원료가 용해되어 용융 유리가 생성된다. 그 후, 용융 유리는 청징조(300)에 보내어진다. 청징조(300)에서는, 용융 유리 중의 기포의 제거가 행해진다. 그 후, 용융 유리는, 성형 장치(101)에 보내어진다.
도 2 및 도 3에, 성형 장치(101)의 개략 구성을 도시한다. 도 2는, 성형 장치(101)의 단면도이다. 도 3은, 성형 장치(101)의 측면도이다. 성형 장치(101)는, 도 2, 도 3 또는 도 6에 도시한 바와 같이, 주로 성형체(10)와, 상하 분위기 구획 부재(20, 20)와, 냉각 롤러(30, 30, …)와, 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)과, 포위 부재(70a, 70b, 70c, …)와, 단열 부재(71, 71, …)와, 인하 롤러(60, 60, …)와, 제어 장치(80)로 구성되어 있다. 이하, 성형 장치(101)에 포함되는 각 구성에 대하여 상세하게 설명한다.
(2) 상세 구성
(2-1) 성형체
성형체(10)는, 용융 유리(90)를 오버플로우시킴으로써 용융 유리(90)를 판상의 유리(유리판(91))로 성형한다. 성형체(10)는, 유입구(12)를 갖는다(도 3 참조). 용해조(200) 및 청징조(300)를 경유한 용융 유리(90)는, 유입구(12)로부터 유입된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 성형체(10)는, 단면 형상으로 대략 오각형의 형상을 갖는다. 대략 오각형의 선단은, 성형체(10)의 하단부에 상당한다. 성형체에는, 홈(11)이 형성되어 있다. 홈(11)은, 성형체(10)의 긴 방향으로 연장된다. 구체적으로는, 홈(11)은, 유입구(12)가 형성된 제1 단부로부터, 제1 단부에 대향하는 제2 단부로 연장된다. 홈(11)은, 유입구(12) 근방이 가장 깊고, 제2 단부에 근접함에 따라, 서서히 얕아지도록 형성되어 있다. 성형체(10)로부터 오버플로우한 용융 유리(90)는, 성형체(10)의 양측면을 따르면서 유하하여, 성형체(10)의 하단부에서 합류한다.
(2-2) 상하 분위기 구획 부재
상하 분위기 구획 부재(20, 20)는, 용융 유리(90)의 합류 포인트의 근방에 배치되어 있다. 또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 상하 분위기 구획 부재(20, 20)는, 유리판(91)의 두께 방향 양측에 배치된다. 상하 분위기 구획 부재(20, 20)는, 단열재이다. 즉, 상하 분위기 구획 부재(20, 20)는, 용융 유리(90)의 합류 포인트의 상측 분위기 및 하측 분위기를 구획함으로써, 상하 분위기 구획 부재(20, 20)의 상측으로부터 하측으로의 열의 이동을 차단한다.
(2-3) 냉각 롤러
냉각 롤러(30, 30, …)는, 성형체(10)의 하단부에서 합류하여 판상으로 된 용융 유리(90)(유리판(91))에 접촉하여, 유리를 냉각하기 위하여 설치된다.
(2-4) 냉각 조정 유닛
냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)은, 유리판(91)의 냉각 속도를 조정하는 유닛이다. 본 실시 형태에서는, 6개의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)이 설치되어 있다. 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)은, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 상하 분위기 구획 부재(20, 20)의 하방에 배치된다. 또한, 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)은, 유리판(91)의 유하 방향을 따라 병렬하여 배치되어 있다. 복수의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)은, 간극없이 배열된다. 각 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)은, 독립하여 제어 가능한 구성으로 되어 있다. 본 실시 형태에서는, 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)은, 유리판(91)의 유하 방향을 따라, 유리판(91)을 단계적으로 냉각할 수 있도록 각각 제어된다.
냉각 조정 유닛(40a)에는, 냉각 조정판(41a)과, 냉각 조정판(41a)의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛(50a)이 포함된다(도 6 참조). 마찬가지로, 냉각 조정 유닛(40b)에는, 냉각 조정판(41b)과, 냉각 조정판(41b)의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛이 포함되고, 냉각 조정 유닛(40c)에는, 냉각 조정판(41c)과, 냉각 조정판(41c)의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛이 포함된다. 다른 냉각 조정 유닛(40d 내지 40f)에 대해서도 마찬가지이다. 냉각 조정판(41b, 41c)의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛에 대해서는, 온도 제어 유닛에 포함되는 파이프(51b, 51c)만을 도시하고 있다(도 5 참조). 또한, 모든 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)의 구성은 마찬가지이다. 따라서, 이하, 냉각 조정 유닛(40a)을 예로 들어, 냉각 조정 유닛(40a)에 포함되는, 냉각 조정판(41a)과, 온도 제어 유닛(50a)에 대하여 설명한다. 냉각 조정 유닛(40a)은, 6개의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f) 중에서, 유리판(91)의 유하 방향에 대하여, 가장 상류에 배치되어 있다.
(2-4-1) 냉각 조정판
냉각 조정판(41a)은, 유리판(91)의 표면 근방에 배치되고, 유리판(91)의 냉각 속도를 조정하는 부재이다. 냉각 조정판(41a)은, 용융 유리(90)(유리판(91))의 흐름 방향에 교차하는 방향(즉, 수평 방향)으로 연장된다. 냉각 조정판(41a)의 길이 방향의 길이는, 유리판(91)의 폭 방향의 길이보다도 조금 짧다. 본 실시 형태에서는, 냉각 조정판(41a)의 길이 방향의 길이는 1,500mm이다.
냉각 조정판(41a)은, 절곡 가공이 실시된 금속 부재이다. 금속 부재는, 대기 중에서 600℃ 이상의 내열성을 갖는 부재인 것이 바람직하다. 또한, 금속 부재는, 적어도 30W/m·K 이상의 열전도율이 있는 것이 바람직하다. 이렇게 열전도율이 높은 금속 부재를 사용함으로써 냉각 조정판(41a)의 표면과 이면의 온도차가 작아져, 표면의 열팽창과 이면의 열팽창의 차가 억제되어, 냉각 조정판(41a)의 휨이 억제된다. 또한, 열전도율이 높으므로, 냉각 조정판(41a)의 각 부의 온도 차가 발생한 경우에도 그 온도차가 빠르게 완화된다. 또한, 냉각 조정판(41a)으로서 열전도율이 높은 금속 부재를 사용하고 있기 때문에, 유리판(91)의 냉각 효율도 높아지고 있다. 금속 부재의 방사율 특성에 대해서는, 높은 열교환율을 확보하기 위해서, 사용 온도 영역에서 0.85 이상인 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 금속 부재로서, 순니켈(열전도율: 90.7W/mK)을 사용한다.
냉각 조정판(41a)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 절곡부(42a)와, 주부(43a)로 구성된다. 절곡부(42a)는, 수평 방향으로 연장되는 금속 부재의 상하에 위치하고, 금속 부재가 절곡된 부분이다. 수평 방향으로 연장되는 금속 부재 중, 절곡부(42a)를 제외한 부분이 주부(43a)이다. 주부(43a)는, 유리판(91)에 대향하는 평탄한 면(대향면)을 갖는다. 구체적으로, 냉각 조정판(41a)은 채널(홈형 강)이다.
여기서, 주부(43a)의 치수 h는, 원하는 냉각 속도를 얻기 위하여 적절히 변경할 수 있다. 예를 들어, 유리의 단위 폭당의 유량에 따라 변경된다. 또한, 주부(43a)는, 소정값 이상의 두께 t를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로, 두께 t는, 약 4mm 이상인 것이 바람직하다. 열용량의 관점에서 보면, 두께 t는, 보다 바람직하게는 6mm 이상, 더욱 바람직하게는 8mm 이상이다. 이 정도의 두께 t의 채널을 사용하는 경우에는, 냉각 조정판(41a)의 열용량이 충분히 커지고, 온도차가 작아져 유리판(91)의 온도 분포의 균일성이 보다 향상하게 된다. 또한, 절곡부(42a)의 치수 w는, 약 20mm 내지 약 50mm이다. 또한, 냉각 조정판(41a)은, 인접하는 냉각 조정판(41b)과, 나사 고정되어 있다(도 5 참조). 구체적으로는, 냉각 조정판(41a)의 절곡부(42a)는, 냉각 조정판(41b)의 절곡부(42b)와 나사 고정되어 연결된다. 그로 인해, 절곡부(42a)는, 기본적으로는 나사 고정할 수 있을 정도의 치수를 갖고 있으면 된다. 단, 절곡부(42a)는 냉각 조정판(41a)의 단면 2차 모멘트를 크게 하는 것에도 기여하고 있기 때문에, 절곡부(42a)가 지나치게 짧은 것은 바람직하지 않다.
(2-4-2) 온도 제어 유닛
온도 제어 유닛(50a)은, 냉각 조정판(41a)의 온도를 조정한다. 구체적으로는, 온도 제어 유닛(50a)은, 유리판(91)의 유하 방향을 따라 유리판(91)이 단계적으로 냉각되도록 대응하는 냉각 조정판(41a)의 온도를 조정한다.
온도 제어 유닛(50a)은, 주로, 파이프(51a)와, 서미스터(56)(도 7 참조)와, 기체 제어 유닛(57a)에 의해 구성되어 있다.
a) 파이프
파이프(51a)는, 냉각 조정판(41a)의 전체를 냉각 또는 가열하기 위한 유체를 흘린다. 여기서, 파이프에 흘려지는 유체란, 가스(예를 들어, 공기나, 질소 등의 불활성 가스)이다. 파이프(51a)에는, 메인 파이프(52a)와, 서브 파이프(531a, 532a)가 포함된다.
메인 파이프(52a)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 냉각 조정판(41a)의 길이 방향을 따라 배치된다. 메인 파이프(52a)에는, 복수의 분출구(521, 521, 521, …)가 균등하게 형성되어 있다. 구체적으로는, 분출구(521, 521, 521, …)는, 메인 파이프(52a)의 중심선 C에 대하여 대칭의 위치에 형성되어 있다. 또한, 분출구(521)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 냉각 조정판(41a)의 주부(43a)에 대향하는 위치에 형성되어 있다. 즉, 분출구(521)로부터 분출되는 가스는, 냉각 조정판(41a)의 주부(43a)에 분사된다. 보다 구체적으로는, 분출구(521)로부터 분출되는 가스는, 대향면의 이면측에 분사된다. 분출구(521)는, 메인 파이프(52a)의 측부로부터의 거리에 따라, 각각 소정의 크기를 갖는다. 즉, 분출구(521)의 크기도, 메인 파이프(52a)의 중심선 C에 대하여 대칭이다. 여기서, 메인 파이프(52a)의 측부에는, 제1 측부와 제2 측부가 포함된다. 제1 측부 및 제2 측부는, 메인 파이프(52a)의 길이 방향의 중심선 C를 기준으로, 대칭의 위치에 배치된다. 또한, 소정의 크기란, 각 분출구(521)로부터 분출되는 가스의 양이 균일해지는 크기이다. 구체적으로, 분출구(521)의 크기는, 분출구(521)가 형성되는 위치가 측부로부터 이격되면 이격될수록 커진다(도 7 참조).
서브 파이프(531a, 532a)는, 메인 파이프(52a)에 열교환의 매체가 되는 가스를 보내는 파이프이다. 서브 파이프(531a, 532a)는, 메인 파이프(52a)의 양측부(제1 측부 및 제2 측부)에 각각 접속되어 있다. 구체적으로, 메인 파이프(52a)의 제1 측부에는, 제1 서브 파이프(531a)가 접속되고, 메인 파이프(52a)의 제2 측부에는, 제2 서브 파이프(532a)가 접속되어 있다. 제1 서브 파이프(531a) 및 제2 서브 파이프(532a)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 가스 공급 유닛(54)과 접속되어 있다. 가스 공급 유닛(54)으로부터 제1 서브 파이프(531a) 및 제2 서브 파이프(532a)에 보내어지는 가스의 양은, 가스 공급 밸브(55)에 의해 조정된다.
b) 서미스터
서미스터(56)는, 냉각 조정판(41a)의 온도를 측정한다. 서미스터(56)는, 냉각 조정판(41a)의 길이 방향으로 복수 설치되어 있다. 서미스터(56)에 의해 측정된 냉각 조정판(41a)의 온도는, 후술하는 제어 장치(80)에 보내어진다.
c) 기체 제어 유닛
기체 제어 유닛(57a)은, 냉각 조정판(41a)에 분사된 가스의 흐름을 제어하는 유닛이다. 구체적으로는, 기체 제어 유닛(57a)은, 냉각 조정판(41a)에 분사된 가스가, 냉각 조정판(41a)의 길이 방향으로 흐르지 않도록 제어한다. 보다 구체적으로는, 기체 제어 유닛(57a)은, 도 6에 도시한 바와 같이, 메인 파이프(52a)의 분출구(521)로부터 분출된 가스가, 냉각 조정판(41a)에 분사된 후, 냉각 조정판(41a)의 길이 방향으로 흐르기 전에, 분출 방향 d1과 정반대 방향 d2로 흐르도록 가스의 흐름을 제어한다. 기체 제어 유닛(57a)은, 분출구(521)로부터 분출된 가스를 방향 d2로 흐르도록 제어함으로써, 1개의 분출구(521)로부터 분출되는 가스가, 다른 분출구(5212)로부터 분출되는 가스의 흐름 방향 d1에 영향을 주지 않도록 구성되어 있다. 방향 d2러 흘려진 가스는, 로 외부로 방출된다.
(2-5) 포위 부재
포위 부재(70a, 70b, 70c, …)는, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c)의 온도를 제어하기 위한 공간(72a, 72b, 72c, …)을 형성하는 부재이다. 포위 부재(70a, 70b, 70c, …)는, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c)의 절곡부(42a, 42b, 42c)에 접속되어 있다. 냉각 조정판(41a, 41b, 41c)과, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c)에 접속된 포위 부재(70a, 70b, 70c, …)가, 파이프(51a, 51b, 51c, …)를 둘러싸는 공간(72a, 72b, 72c, …)을 형성한다.
구체적으로는, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 냉각 조정판(41a)에는, 제1 포위 부재(70a, 70a)가 접속되어 있다. 제1 냉각 조정판(41a)과 제1 포위 부재(70a, 70a)에 의해 제1 파이프(51a)를 둘러싸는 제1 공간(72a)이 형성된다. 제1 공간(72a)에 의해, 제1 냉각 조정판(41a)의 온도가 조정된다.
또한, 제2 냉각 조정판(41b)에는, 제2 포위 부재(70b, 70b)가 접속되어 있다. 제2 냉각 조정판(41b)과 제2 포위 부재(70b, 70b)에 의해 제2 파이프(51b)를 둘러싸는 제2 공간(72b)이 형성된다. 제2 공간(72b)에 의해, 제2 냉각 조정판(41b)의 온도가 조정된다.
또한, 제3 냉각 조정판(41c)에는, 제3 포위 부재(70c)가 접속되어 있고, 제3 냉각 조정판(41c)과 제3 포위 부재(70c)에 의해 제3 파이프(51c)를 둘러싸는 제3 공간(72c)이 형성된다. 제3 공간(72c)에 의해, 제3 냉각 조정판(41c)의 온도가 조정된다.
또한, 포위 부재(70a, 70b, 70c, …)의 역할은, 하기의 단열 부재(71, 71, …)로도 완수할 수 있기 때문에, 포위 부재(70a, 70b, 70c, …)가 단열판이어도 좋고, 하기의 단열 부재(71, 71, …)에 포위 부재의 역할을 겸용시켜도 좋다.
(2-6) 단열 부재
단열 부재(71, 71, …)는, 인접하는 공간(72a, 72b, 72c)의 열의 이동을 차단하는 부재이다. 구체적으로는, 단열 부재(71, 71, …)는, 인접하는 공간(72a, 72b, 72c)을 형성하는 포위 부재(70a, 70b, 70c, …) 사이에 배치된다. 보다 구체적으로는, 도 5에 도시한 바와 같이, 단열 부재(71)는, 제1 공간(72a)을 형성하는 제1 포위 부재(70a)와, 제1 공간(72a)에 인접하는 제2 공간(72b)을 형성하는 제2 포위 부재(70b) 사이에 배치되고, 제1 공간(72a)과 제2 공간(72b) 사이의 열의 이동을 차단한다. 또한, 단열 부재(71)는, 제2 공간(72b)을 형성하는 제2 포위 부재(70b)와, 제2 공간(72b)에 인접하는 제3 공간(72c)을 형성하는 제3 포위 부재(70c) 사이에 배치되고, 제2 공간(72b)과 제3 공간(72c) 사이의 열의 이동을 차단한다.
(2-7) 인하 롤러
인하 롤러(60, 60, …)는, 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)에 대하여, 유리판(91)의 유하 방향 하류에 배치되고, 유리판(91)을 하측 방향으로 내린다. 인하 롤러(60, 60, …)는, 유리판(91)의 두께 방향 양측(도 2 참조) 및 유리판(91)의 폭 방향 양측(도 3 참조)에 배치된다.
인하 롤러(60, 60, …)는, 모터(도시하지 않음)에 의해 구동되고 있다. 또한, 인하 롤러(60, 60, …)는 유리판(91)에 대하여 내측으로 회전한다. 이에 의해, 2쌍의 인하 롤러(60, 60, …)는, 유리판(91)을 하측 방향으로 내린다.
(2-8) 제어 장치
제어 장치(80)는, CPU, RAM, ROM 및 하드 디스크 등으로 구성되어 있다. 제어 장치(80)는, 도 8에 도시한 바와 같이, 냉각 롤러(30, 30), 인하 롤러(60, 60, …), 기체 제어 유닛(57a), 가스 공급 유닛(54), 가스 공급 밸브(55) 및 서미스터(56) 등과 접속되어 있다.
제어 장치(80)는, 냉각 롤러(30), 인하 롤러(60), 기체 제어 유닛(57a) 및 가스 공급 유닛(54)의 구동부를 제어한다. 또한, 제어 장치(80)는, 가스 공급 밸브(55)의 개폐 또는 개방도를 제어한다. 또한, 제어 장치(80)는, 서미스터(56)에 의해 계측된 온도를 취득하여 기억한다. 또한, 제어 장치(80)는, 서미스터(56)에 의해 계측된 온도에 기초하여, 가스의 공급량을 조정한다.
(3) 전체 동작
성형체(10)로부터 오버플로우한 용융 유리(90)는, 성형체(10)의 양측면을 따라 유하하여, 성형체(10)의 하단부에서 합류한다. 성형체(10)의 하단부에서 합류한 용융 유리(90)는, 그 후, 판상(유리판(91))으로 되어 더욱 유하한다. 유리판(91)은, 냉각 롤러(30)에 의해 폭 방향 양단부가 끼워 넣어져, 양단부가 냉각된다. 또한, 유리판(91)의 폭 방향 양단부를 제외한 부분은, 복수의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)에 의해, 유하 방향을 따라 단계적으로 냉각 속도가 조정된다. 구체적으로는, 제1 냉각 조정판(41a)과, 당해 제1 냉각 조정판(41a)에 대응하는 제1 온도 제어 유닛(50a)에 의해, 유리판(91)의 폭 방향의 온도가 일정해지도록 제어된다. 그 후, 유리판(91)은, 제1 냉각 조정판(41a)에 병렬하여 배치된 제2 냉각 조정판(41b)과, 제2 냉각 조정판(41b)에 대응하는 제2 온도 제어 유닛(50b)에 의해 더 냉각된다. 이때, 제2 온도 제어 유닛(50b)도 또한, 제2 냉각 조정판(41b)의 길이 방향의 온도를 일정하게 하여, 유리판(91)의 폭 방향의 온도를 균일하게 하도록 제어된다. 이와 같이, 복수의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)은, 유리판(91)의 폭 방향의 온도를 균일하게 하면서, 유리판(91)의 유하 방향을 따라 유리판(91)을 단계적으로 냉각한다. 그 후, 인하 롤러(60)에 의해 유리판(91)은, 하방으로 더 인하되고, 그 후, 소정의 길이마다 절단되어 간다.
(4) 특징
(4-1)
상기 실시 형태에 관한 유리판 제조 장치(100)에서는, 성형 장치(101)에 있어서 유리판(91)(용융 유리(90))의 유하 방향을 따라 복수의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)이 병렬하여 배치된다. 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)에 포함되는 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)의 온도는, 대응하는 온도 제어 유닛(50a, …)에 의하여 조정된다. 즉, 유리판(91)의 상하 방향(길이 방향)의 냉각 속도의 제어의 자유도가, 유리판 제조 장치(100)에서는 향상하고 있다.
종래의 유리판 제조 장치에서는, 유리판의 근방에 판상 부재를 배치함으로써, 로 내에서 발생하는 대류에 의해 유리판의 냉각이 불균일해지는 것을 방지하고 있었지만, 판상 부재의 온도를 유리판의 인하 방향에서 임의로 조정할 수 있는 기구는 갖지 않았다. 유리 기판의 수요 증가에 수반하여, 유리판의 냉각 속도를 제어하여, 유리판의 생산량을 향상시키는 것이 기대되게 되었지만, 종래의 유리판 제조 장치에서는, 생산량 증대에 수반할 필요 냉각량을 확보하기 위해, 장치 전체의 유리판의 인하 방향으로의 대형화없이 생산량을 충분히 향상시킬 수 없었다.
상기 실시 형태에 관한 유리판 제조 장치(100)에서는, 성형 장치(101)에 있어서, 유리판(91)의 냉각 속도를 조정하기 위하여 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)을 사용하고 있다. 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)에는, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c,…) 및 온도 제어 유닛(50a, …)이 각각 포함되고, 온도 제어 유닛(50a, …)에 의해 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)의 온도를 조정하기 위해, 목적에 따라 유리판(91)의 냉각 속도를 조정할 수 있다. 이에 의해, 장치 전체를 대형화하지 않고, 한정된 스페이스 중에서 효율적으로 냉각 속도를 제어할 수 있기 때문에, 유리판(91)의 생산량을 향상시킬 수 있다.
(4-2)
또한, 상기 실시 형태에 관한 유리판 제조 장치(100)에서는, 성형 장치(101)에 있어서, 복수의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)을 사용하고 있다. 1개의 냉각 조정 유닛(40a)에 포함되는 냉각 조정판(41a)은, 유리판(91)의 폭 방향으로 연장되어 있다. 그리고, 온도 제어 유닛(50a)은, 냉각 조정판(41a) 전체의 온도 제어를 행한다. 따라서, 유리판(91)의 폭 방향의 온도를 균일하게 유지한 상태에서, 유리판(91)의 유하 방향을 따라 유리판(91)의 온도를 단계적으로 내릴 수 있다. 이에 의해, 유리판(91)의 유효폭 내의 평면도 품질을 양호하게 유지할 수 있다.
(4-3)
상기 실시 형태에 관한 유리판 제조 장치(100)에서는, 상하 분위기 구획 부재(20, 20)의 하방에, 복수의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)이 설치된다. 상하 분위기 구획 부재(20, 20)의 하방은, 상하 분위기 구획 부재(20, 20)에 의해 성형체(10)의 열이 차단된 공간으로 되어 있다. 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)은, 성형체(10)의 열이 차단된 공간에서, 용융 유리(90)의 냉각 속도를 제어한다. 이에 의해, 성형체 위를 흐르는 용융 유리의 온도에 끼치는 영향을 저감시켜, 온도 제어를 효율적으로 행할 수 있다.
(4-4)
상기 실시 형태에서는, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)에 가스를 분사하는 메인 파이프(52a, …)가, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)과 마찬가지로, 수평 방향으로 연장되어 있다. 또한, 메인 파이프(52a, …)는, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)에 대향하고, 소정의 거리 간격을 두고 형성된 분출구를 갖는다. 분출구는, 서브 파이프가 연결된 측부로부터의 위치에 따라 크기가 설정되어 있다. 냉각 조정판(41a, 41b, 41c)의 온도는, 분출구로부터 분사되는 가스에 의해 조정된다. 이에 의해, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)의 폭 방향의 온도를 균일하게 접근하도록, 온도 제어를 행할 수 있다.
(4-5)
또한, 상기 실시 형태에서는, 메인 파이프(52a)가 갖는 분출구(521)는, 측부로부터의 거리에 따라 폭 방향의 중심선 C를 대칭으로 상이한 크기를 갖고 있다. 루프 배관에 의해 양측부로부터 동등한 압력의 냉각 가스를 공급하고 있기 때문에, 측부(서브 파이프로부터 메인 파이프에의 가스의 공급 위치)부터 분출구(521)까지의 거리가 멀어질수록 압력 손실이 커진다. 즉, 분출구(521)의 위치가 측부로부터 이격되면 이격될수록, 분출구(521)로부터 분출되는 가스의 압력이 떨어져, 모든 분출구(521)에서 충분한 유량을 확보하는 것이 곤란하다. 따라서, 상기 실시 형태에서는, 각 분출구의 크기(개구 면적)를, 측부로부터의 거리에 따라 변경하고 있다. 구체적으로는, 측부로부터 이격되면 이격될수록 분출구(521)의 개구 면적을 크게 하고 있다. 또한, 분출구(521)는, 중심선 C에 대하여 대칭으로 되는 위치에 형성되어 있다. 그 결과, 냉각 조정판(41a)의 길이 방향의 온도가 균일해지도록, 메인 파이프(52a)로부터 가스가 분출된다. 이에 의해 각각의 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)은 폭 방향에서 거의 균일한 온도로 유지되어 적합한 평면도의 유리판(91)을 제조할 수 있다.
(4-6)
또한, 상기 실시 형태에서는, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)이 채널이다. 즉, 냉각 조정판(41a)은, 절곡부(42a)와, 주부(43a)를 갖고, 절곡부(42a)는, 수평 방향으로 연장되는 금속 부재의 상하가 절곡된 부분이며, 주부(43a)는, 수평 방향으로 연장되는 금속 부재 중 절곡부(42a)를 제외한 부분이며, 유리판(91)에 대향하는 평탄한 면이다. 따라서, 냉각 조정판(41a, 41b, …)은, 이 절곡 구조를 채용함으로써, 평면 방향의 굽힘 응력에 대한 단면 2차 모멘트가 커지기 때문에, 주부(43a)의 표면과 이면의 온도차에 의한 변형이 억제된다. 즉, 냉각 조정판(41a, 41b, …)의 만곡을 억제하여, 유리판(유리 리본)(91)과 냉각 조정판(41a, 41b, …)의 거리가 특히 유리판의 인하 방향에 있어서 장소에 따라 크게 상이한 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 유리 리본의 냉각 과정에 있어서의 평면도의 악화를 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 냉각 조정판(41a)의 주부(43a)가, 약 4mm 이상의 두께 t를 갖고 있다. 이에 의해, 냉각 조정판(41a)의 유리 대향측과 반대 표면 폭 방향으로 온도 불균일이 발생한 경우에도, 냉각 조정판(41a) 내부의 열전도에서 유리 대향면의 온도차는 완화되어, 유리판(91)의 온도 제어에 끼치는 영향을 억제할 수 있다. 또한, 냉각 조정판 사이에 유입하는 유리판(91)이 폭 방향에서 원래 온도 불균일을 갖고 있는 경우에도, 냉각 조정판의 면 내 온도 균일성이 높으면, 조정판과의 열교환에 수반하여, 유리판(91)이 갖고 있던 온도 불균일은 완화된다.
(4-7)
또한, 상기 실시 형태에서는, 포위 부재(70a, 70b, 70c, …)와, 단열 부재(71, 71, …)를 사용함으로써, 1개의 냉각 조정 유닛(40a)이, 인접하는 냉각 조정 유닛(40b)에 영향을 주기 어려운 구성으로 하고 있다. 구체적으로, 제1 냉각 조정 유닛(40a)의 냉각 조정판(제1 냉각 조정판)(41a)에 접속된 포위 부재(70a)와, 제2 냉각 조정 유닛(40b)의 냉각 조정판(제2 냉각 조정판)(41b)에 접속된 포위 부재(70b) 사이에, 단열 부재(71)를 배치하고 있기 때문에, 제1 냉각 조정판(41a)의 온도를 조정하기 위한 제1 공간(72a)과, 제2 냉각 조정판(41b)의 온도를 조정하기 위한 제2 공간(72b) 사이에서의 열의 이동이 차단된다.
이에 의해, 1개의 냉각 조정 유닛(40a)이 인접하는 냉각 조정 유닛(40b)에 끼치는 영향을 저감시킬 수 있다.
(4-8)
또한, 상기 실시 형태에서는, 기체 제어 유닛(57a)에 의해, 냉각 조정판(41a)에 분사된 후의 가스의 흐름이 제어된다. 기체 제어 유닛(57a)은, 파이프로부터 냉각 조정판(41a)으로의 가스의 분출 방향 d1과 정반대 방향 d2로 흘린다. 이에 의해, 1개의 분출구(521)로부터 분출된 가스가, 다른 분출구(521)로부터 분출되는 가스의 흐름 방향 d1에 끼치는 영향을 저감시킬 수 있다.
(5) 변형예
(5-1) 변형예 A
상기 실시 형태에서는, 퓨전법을 사용하여 유리판(91)을 제조하는 경우의 예를 설명했지만, 복수의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)을 사용한 구성은, 슬롯 다운드로법을 사용하여 유리판(91)을 제조하는 경우에도 채용할 수 있다.
(5-2) 변형예 B
상기 실시 형태에서는, 열전도율이 높은 재료로서, 순니켈을 채용했지만, 열전도율이 높은 재료로서, 다른 재료를 사용해도 상관없다. 예를 들어, 몰리브덴, 소결 SiC, 재결정 SiC, 인조 흑연, 철, 텅스텐 등이어도 상관없다. 단, 몰리브덴을 채용하는 경우에는, 비산화 분위기에서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 몰리브덴을 산화 분위기에서 사용하는 경우에는 내산화 코트를 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 소결 SiC는, 산화 분위기에서 채용할 수 있고, 인조 흑연, 철 및 텅스텐은, 비산화 분위기에서 사용되는 경우에 채용할 수 있다. 또한, 냉각 조정판과 유리판의 열복사에 의한 열교환을 촉진하기 위해, 방사율이 그다지 높지 않은 재료를 사용하는 경우는, 그 내열성의 부재 표면에 방사율을 올리는 재료를 코팅한 것을 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)으로서 사용하는 것이 바람직하다.
(5-3) 변형예 C
상기 실시 형태에서는, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c,…)으로서 채널(홈형 강 형상)을 사용했지만, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)은, 상기 형상에 한정되지 않고, 다른 형상이어도 상관없다. 이때, 인접하는 냉각 조정판(41a, 41b)끼리의 접촉을 최소한으로 하여, 인접하는 냉각 조정판(41a, 41b)끼리의 열전도를 억제하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)은, 환봉(원기둥) 형상이나, 홀수의 다각기둥 형상 등이어도 좋다.
(5-4) 변형예 D
상기 실시 형태에 있어서, 메인 파이프(52a)에는 복수의 분출구(521)가 균등하게 형성되어 있었지만, 당해 복수의 분출구(521)는, 측부로부터의 거리 및 분출구(521)의 크기에 기초한 거리 간격으로 형성되어 있어도 좋다.
(5-5) 변형예 E
상기 실시 형태에서는, G5 크기의 유리 기판에 사용하는 유리판(91)을 제조할 때의 예로서, 냉각 조정판(41a, 41b, 41c, …)의 길이 방향의 길이나, 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)의 수(6개)를 예시했지만, 제조하는 유리판(91)의 크기에 따라, 길이 방향의 길이나 냉각 조정 유닛의 수를 조정해도 좋다.
(5-6) 변형예 F
또한, 상기 실시 형태에 있어서, 냉각 조정판(41a)의 주부(43a)는, 폭 방향으로는 높은 진직도를 유지하는 것이 바람직하지만, 높이 방향으로는 울퉁불퉁해도 좋다. 이에 의해, 유리판(91)을 따라 발생하는 상승 기류의 흐름을 억제하여, 장소에 따른 냉각 속도차의 발생을 억제할 수 있다.
(5-7) 변형예 G
상기 실시 형태에 관한 유리판 제조 장치(100)에 있어서, 1개의 가스 공급 유닛(54)이, 1개의 냉각 조정 유닛(40a)에 대하여 가스를 공급하는 구성이어도 좋고, 또한, 1개의 가스 공급 유닛(54)이 복수의 냉각 조정 유닛(40a 내지 40f)에 대하여 가스를 공급하는 구성이어도 좋다.
10: 성형체
11: 홈
20: 상하 분위기 구획 부재
30: 냉각 롤러
40a 내지 40f: 냉각 조정 유닛
41a, 41b, 41c, …: 냉각 조정판
42a, 42b, 42c, …: 절곡부
43a, 43b, …: 주부
50a: 온도 제어 유닛
51a, 51b, 51c, …: 파이프
52a: 메인 파이프
55: 가스 공급 밸브
57a: 기체 제어 유닛
60: 인하 롤러
90: 용융 유리
91: 유리판
100: 유리판 제조 장치
101: 성형 장치
521: 분출구
531a, 532a: 서브 파이프

Claims (9)

  1. 성형체(10)로부터 오버플로우한 용융 유리(90)를, 상기 성형체의 양측면을 따라 유하(流下)시킨 후, 상기 성형체의 하단부 근방에서 합류시켜 유리판(91)을 제조하는, 유리판 제조 장치(100)로서,
    상기 용융 유리의 합류 포인트보다 하방에서, 상기 용융 유리의 흐름 방향을 따라 병렬하여 배치되고, 상기 유리판의 냉각 속도를 조정하는 복수의 냉각 조정판(41a, 41b, 41c,…)과,
    각 냉각 조정판에 대응하여 설치되고, 각 냉각 조정판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛(50a, …)을 구비하고,
    상기 각 냉각 조정판은, 상기 용융 유리의 흐름 방향에 교차하는 수평 방향으로 연장되고,
    상기 온도 제어 유닛은, 상기 각 냉각 조정판의 전체를 냉각 또는 가열하는 유체를 흘리는 파이프(51a)를 포함하는, 유리판 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 냉각 조정판은, 상기 용융 유리의 합류 포인트의 근방에 배치되어 상기 합류 포인트의 상측 분위기 및 하측 분위기를 구획하는 상하 분위기 구획 부재(20)의 하방에 배치되는, 유리판 제조 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 파이프는,
    상기 냉각 조정판의 길이 방향을 따라 배치되는 메인 파이프(52a)와,
    상기 메인 파이프의 양측부에 각각 연결되고, 상기 메인 파이프에 열교환의 매체가 되는 기체를 보내는 서브 파이프(531a, 532a)를 포함하고,
    상기 메인 파이프는, 상기 서브 파이프로부터 보내어진 기체를 상기 메인 파이프의 외부로 분출하여 상기 냉각 조정판에 분사하기 위한 복수의 분출구(521, 521, 521, …)를 갖는, 유리판 제조 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 복수의 분출구는, 각 분출구로부터 분출되는 상기 기체의 양이 균일해지도록, 상기 메인 파이프의 측부로부터의 거리에 따라, 각각 소정의 크기를 갖는 유리판 제조 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 냉각 조정판은, 채널이며,
    상기 채널의 주부(主部)가, 상기 유리판과 대향하는, 유리판 제조 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 냉각 조정판(41a)을 냉각 또는 가열하는 유체를 흘리는 상기 파이프인 제1 파이프(51a)를 둘러싸서, 상기 제1 냉각 조정판의 온도를 조정하기 위한 제1 공간(72a)을 형성하는 제1 포위 부재(70a, 70a)와,
    상기 제1 냉각 조정판에 인접하는 제2 냉각 조정판(41b)을 냉각 또는 가열하는 유체를 흘리는 상기 파이프인 제2 파이프(51b)을 둘러싸서, 상기 제2 냉각 조정판의 온도를 조정하기 위한 제2 공간(72b)을 형성하는 제2 포위 부재(70b, 70b)와,
    상기 제1 공간과 상기 제2 공간 사이에 배치되고, 상기 제1 공간과 상기 제2 공간 사이의 열의 이동을 차단하는 단열 부재(71)를 더 구비하는, 유리판 제조 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 냉각 조정판에 분사된 상기 기체의 흐름을 제어하는 기체 제어 유닛(57a)을 더 구비하는, 유리판 제조 장치.
  9. 성형체(10)로부터 오버플로우한 용융 유리(90)를, 상기 성형체의 양측면을 따라 유하시킨 후, 상기 성형체의 하단부 근방에서 합류시켜 형성하는 유리판(91)을 냉각하는, 유리판 냉각 방법으로서,
    상기 용융 유리의 합류 포인트보다 하방에 배치되고, 상기 유리판의 냉각 속도를 조정하는 제1 냉각 조정판과, 상기 제1 냉각 조정판에 대응하여 설치되고 상기 제1 냉각 조정판의 온도를 제어하는 제1 온도 제어 유닛에 의해 상기 유리판을 냉각하는 제1 냉각 스텝과,
    상기 용융 유리의 흐름 방향에 대하여, 상기 제1 냉각 조정판 및 상기 제1 온도 제어 유닛의 하류에 배치되고, 상기 제1 냉각 조정판 및 상기 제1 온도 조정 유닛에 각각 병렬하는 제2 냉각 조정판 및 제2 온도 제어 유닛이며, 상기 유리판의 냉각 속도를 조정하는 상기 제2 냉각 조정판과, 상기 제2 냉각 조정판에 대응하여 설치되고 상기 제2 냉각 조정판의 온도를 제어하는 상기 제2 온도 제어 유닛에 의해 상기 유리판을 냉각하는 제2 냉각 스텝을 구비하고,
    상기 제1 냉각 조정판 및 상기 제2 냉각 조정판은, 상기 용융 유리의 흐름 방향에 교차하는 수평 방향으로 연장되고,
    상기 제1 온도 제어 유닛 및 상기 제2 온도 제어 유닛은, 각각, 상기 제1 냉각 조정판 및 상기 제2 냉각 조정판의 전체를 냉각 또는 가열하는 유체를 흘리는 파이프(51a)를 포함하는, 유리판 냉각 방법.
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