KR101442770B1 - 기판 검사 장치 - Google Patents

기판 검사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101442770B1
KR101442770B1 KR1020120099485A KR20120099485A KR101442770B1 KR 101442770 B1 KR101442770 B1 KR 101442770B1 KR 1020120099485 A KR1020120099485 A KR 1020120099485A KR 20120099485 A KR20120099485 A KR 20120099485A KR 101442770 B1 KR101442770 B1 KR 101442770B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
substrate
light source
region
beam splitter
Prior art date
Application number
KR1020120099485A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140032778A (ko
Inventor
김주환
김주일
Original Assignee
주식회사 힘스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 힘스 filed Critical 주식회사 힘스
Priority to KR1020120099485A priority Critical patent/KR101442770B1/ko
Publication of KR20140032778A publication Critical patent/KR20140032778A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101442770B1 publication Critical patent/KR101442770B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8822—Dark field detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

본 발명의 기판 검사 장치는 광을 방출하는 광원, 상기 광원 앞단에 설치되어 상기 광원으로부터 방출된 광을 한 곳으로 모으는 집광렌즈, 상기 집광렌즈 앞단에 설치되어 상기 집광렌즈에 의해 집광된 광을 하단에 놓여진 기판으로 반사시키고, 상기 기판에 의해 반사된 광을 투과시키는 빔스플리터, 상기 빔스플리터 상단에 설치되고, 상기 기판의 평탄한 영역에 의해 반사된 광의 초점 영역에 차단막이 형성된 투명한 판 형태의 초점 광원 차단 스크린 및 상기 초점 광원 차단 스크린의 영상을 촬영하는 CCD 카메라를 포함한다.
이를 통해 본 발명은 기판의 결함부가 아닌 평탄한 영역에 입사된 후 반사되는 광은 차단하고, 기판의 결함부가 존재하는 영역에 입사된 후 결함부에 의해 산란되거나 반사되는 광은 카메라로 촬영되도록 함으로써, 기판의 결함부가 존재하는 영역과 결함부가 없는 평탄한 영역의 명암을 뚜렷하게 구분할 수 있어 기판의 결함을 정확히 검출할 수 있는 효과가 있다.

Description

기판 검사 장치{SUBSTRATE INSPECTION APPARATUS}
본 발명은 기판 검사 장치에 관한 것으로, 특히 기판에 부착되는 이물질의 존재 여부 또는 결함을 검사하기 위한 기판 검사 장치에 관한 것이다.
유리 기판, 실리콘 기판 등은 LCD모니터와 반도체 소자의 제조에 널리 이용되고 있다.
이러한 유리기판, 실리콘 기판등은 제품의 정밀도를 위해 평탄도를 가져야 하며, 표면에 이물질이 존재하지 않아야 하기 때문에, 기판의 결함부, 즉 기판에 형성된 미세한 돌출부와 오목부 및 스크래치 또는 미세한 이물질이 존재하는 기판 영역을 검출하기 위한 연구가 다양하게 진행되었으나, 그 결과물은 미흡한 형편이다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 기판(110)에 광원(120)을 이용하여 광을 조사한 후 카메라(130)로 촬영하여, 기판(110)의 결함부를 검출하기 위한 시도가 있었으나, 기판(110)의 평탄한 부분에 대한 기판(110)의 결함부의 명암 구분이 뚜렷하지 않기 때문에 기판(110)의 결함부를 검출해내기 어렵다는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위한 또 다른 종래기술이 한국등록특허공보 제0746114호에 개시되어 있다.
도 2a는 다른 종래 기술에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 사시도이고, 도 2b는 다른 종래 기술에 따른 기판 검사 장치의 광원을 나타낸 사시도이다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 한국등록특허공보 제0746114호 개시된 기판 검사 장치는 카메라(200), 후측렌즈그룹(203), 광원(204), 텔레센트릭 필드 렌즈(202)를 포함한다.
이때 광원(204)은 도 2b에 도시된 바와 같이 중앙 영역에 개구(205)가 형성된 인쇄회로기판(206)에 복수개의 LED(207)가 실장되어 형성되며, 광을 방출한다.
텔레센트릭 필드렌즈(202)는 광원(204) 하측에 설치되어, 광원(204)에서 방출된 광을 평행한 광으로 변환시켜, 피검사 기판(201)에 수직으로 입사시킨다.
이때 피검사 기판(201)에 결함부가 존재하지 않는 경우에는, 피검사 기판(201)에 수직으로 입사된 광이 수직으로 반사된 후, 텔레센트릭 필드렌즈(202)를 거쳐 반사된 광이 방출된 LED(207)로 입사된다.
하지만, 피검사 기판(201)에 결함부가 존재하는 경우에는 결함부에 수직으로 입사된 광에 산란이 일어나 수직이 아닌 방향으로 반사되며, 결함부에 의해 산란되거나 반사된 광 중 일부는 인쇄회로기판(206)에 형성된 개구(205)를 통과하게 된다.
따라서, 광원(204) 상단에 카메라(200)를 설치하여 촬영하는 경우, 결함부가 존재하는 피검사 기판(201)의 영역은 밝은 영상으로 촬영되고, 결함부가 없이 평탄한 피검사 기판(201)의 영역은 어두운 영상으로 촬영된다.
때문에 카메라(200)를 통해 획득된 영상은 결함부가 존재하는 기판 영역과 결함부 없이 평탄한 기판 영역의 명암이 뚜렷이 구분된다.
한편, 카메라(200)와 광원(204) 사이에 설치되는 후측렌즈그룹(203)은 카메라(200)에 형상이 뚜렷이 맺힐 수 있도록 광을 조절하는 역할을 한다.
그러나, 이와 같은 종래 기술은 결함부에 의해 산란되거나 반사되는 광이 기판의 수직 방향에 대해 미세하게 변화하는 경우 개구(205)를 통과할 수 없기 때문에 카메라(200)에 의해 촬영될 수 없다는 문제점이 있다.
또한 결함부에 의해 산란되거나 반사되는 광 중 일부만이 개구(205)를 통과할 수 있기 때문에 광원(204)의 세기가 낮은 경우에는 결함부가 존재하는 기판 영역과 결함부가 없는 평탄한 기판 영역이 뚜렷하게 구분되지 못하는 문제점이 있다.
따라서, 결함부가 존재하는 기판 영역과 결함부가 없는 기판 영역을 구분하기 위해서는 결국 광원(204)의 세기를 높여야만 한다는 문제점이 있다.
특히 결함부에 의해 산란되거나 반사된 광이 개구(205)를 향하지 않는 경우에는 결함부가 존재하는 기판 영역을 검출하지 못하는 문제점이 있다.
또한 결함부가 존재하지 않는 피검사 기판(201)의 영역에 수직으로 입사된 광이 수직으로 반사된 후, 텔레메트릭 필드렌즈(202)를 거쳐 반사된 광이 방출된 LED(207)로 정확히 입사되도록 하여야 하고, 결함부가 존재하는 피검사 기판(201)의 영역에 수직으로 입사된 광이 산란이나 반사된 후, 정확히 개구(205)를 통과하도록 하여야 하기 때문에, 제작이 어렵다는 문제점이 있다.
또한 개구(205)를 통과하는 광을 촬영하기 위해서는 개구(205)를 포함하는 일정한 면적을 촬영하는 카메라(200)를 사용할 수 밖에 없어서, 전체 기판(201)을 촬영하는 시간이 오래 걸린다는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 기판의 결함부가 아닌 평탄한 영역에 입사된 후 반사되는 광은 차단하고, 기판의 결함부가 존재하는 영역에 입사된 후 결함부에 의해 산란되거나 반사되는 광은 카메라로 촬영되도록 함으로써, 기판의 결함부가 존재하는 영역과 결함부가 없는 평탄한 영역의 명암을 뚜렷하게 구분할 수 있어 기판의 결함을 정확히 검출할 수 있는 기판 검사 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
또한 본 발명은 한번에 기판의 많은 영역에 광이 입사된 후 반사되도록 함으로써, 빠른 시간 이내에 기판의 결함을 검사할 수 있는 기판 검사 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판 검사 장치는 광을 방출하는 광원, 상기 광원 앞단에 설치되어 상기 광원으로부터 방출된 광을 한 곳으로 모으는 집광렌즈, 상기 집광렌즈 앞단에 설치되어 상기 집광렌즈에 의해 집광된 광을 하단에 놓여진 기판으로 반사시키고, 상기 기판에 의해 반사된 광을 투과시키는 빔스플리터, 상기 빔스플리터 상단에 설치되고, 상기 기판의 평탄한 영역에 의해 반사된 광의 초점 영역에 차단막이 형성된 투명한 판 형태의 초점 광원 차단 스크린 및 상기 초점 광원 차단 스크린의 영상을 촬영하는 CCD 카메라를 포함한다.
또한 상기 광원은 원 형상의 광을 방출하는 원광원이다.
또한 상기 원광원은 복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 원형으로 배치한다.
또한 상기 원광원은 원 형상의 슬릿이 일면에 형성된 하우징 내부에 복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 배치한다.
본 발명의 기판 검사 장치는 라인 형상의 광을 방출하는 라인광원, 상기 라인광원 앞단에 설치되어 상기 라인광원으로부터 방출된 광을 한 곳으로 모으는 집광렌즈, 상기 집광렌즈 앞단에 설치되어 상기 집광렌즈에 의해 집광된 광을 평행광으로 변환시키는 실린더 렌즈, 상기 실린더 렌즈 앞단에 설치되어 상기 실린더 렌즈에 의해 변환된 광을 하단에 놓여진 기판으로 반사시키고, 상기 기판에 의해 반사된 광을 투과시키는 빔스플리터, 상기 빔스플리터 상단에 설치되고, 상기 기판의 평탄한 영역에 의해 반사된 광의 초점 영역에 라인 형상의 차단막이 형성된 투명한 판 형태의 초점 광원 차단 스크린 및 상기 초점 광원 차단 스크린의 영상을 촬영하는 라인 CCD카메라를 포함한다.
또한 상기 라인광원은 복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 라인 형상으로 배치한다.
또한 상기 라인 광원은 라인 형상의 슬릿이 일면에 형성된 하우징 내부에 복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 배치한다.
또한 상기 빔스플리터는 일측면 및 상기 일측면과 대향하는 타측면이 정사각형인 직육면체이고, 상기 일측면과 상기 타측면의 서로 평행한 대각선을 잇는 평면이 반사면이다.
또한 상기 빔스플리터는 입사된 광의 50%는 투과시키고, 나머지 50%는 반사시킨다.
본 발명은 기판의 결함부가 아닌 평탄한 영역에 입사된 후 반사되는 광은 차단하고, 기판의 결함부가 존재하는 영역에 입사된 후 결함부에 의해 산란되거나 반사되는 광은 카메라로 촬영되도록 함으로써, 기판의 결함부가 존재하는 영역과 결함부가 없는 평탄한 영역의 명암을 뚜렷하게 구분할 수 있어 기판의 결함을 정확히 검출할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명은 한번에 기판의 많은 영역에 광이 입사된 후 반사되도록 함으로써, 빠른 시간 이내에 기판의 결함을 검사할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 사시도,
도 2a는 다른 종래 기술에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 사시도,
도 2b는 다른 종래 기술에 따른 기판 검사 장치의 광원을 나타낸 사시도,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 사시도,
도 4a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 사시도,
도 4b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 검사 장치의 상면도,
도 4c는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 검사 장치의 측면도.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 사시도이다.
도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 검사 장치는 기판(360)에 형성된 패턴의 결함 여부를 검사하며, 이를 위해 원광원(310), 집광렌즈(320), 빔스플리터(Beam splitter)(330), 초점 광원 차단 스크린(340), 카메라(350)를 포함한다.
원광원(310)은 기판(360)에 대한 영상 데이터를 획득하기 위해 원형의 직경이 일정한 비율로 늘어나는 형태의 광을 방출한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 원광원(310)은 복수개의 발광다이오드(LED)를 원형으로 배치하거나, 복수개의 광섬유를 원형으로 배치하여 형성할 수 있다.
또한 도 3에 도시된 바와 같이 하우징의 일면에 원 형상의 슬릿이 일면에 형성된 하우징 내부에 복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 배치하여 원 형상의 슬릿을 통해 원형의 직경이 일정한 비율로 늘어나는 형태의 광이 방출되도록 형성할 수도 있다.
한편 본 발명의 일 실시 예에서는 기판 검사 장치가 원광원(310)으로 구성된 것으로 설명하였으나, 상이한 직경을 갖는 광원(예를 들어, 오각형 형상의 광원)이 적용될 수도 있다.
또한 이러한 원광원(310)은 선형 튜브 형광 램프, 할로겐 램프 또는 메탈할라이드 램프 등이 사용될 수도 있다.
집광렌즈(320)는 볼록렌즈로 원광원(310)으로부터 광이 방출되는 방향에 배치되며, 원광원(310)으로부터 방출되는 광이 한 곳으로 모아지도록 한다.
빔스플리터(330)는 반사력과 투과력이 동일하며 집광렌즈(320)로부터 광이 방출되는 방향에 배치된다.
이러한 빔스플리터(330)는 도 3에 도시된 바와 같이 일측면 및 일측면과 대향하는 타측면이 정사각형인 직육면체이고, 일측면과 타측면의 서로 평행한 대각선을 잇는 평면에 반사면(331)이 형성되어 있어, 빔스플리터(330)로 입사되는 광의 50%는 투과시키고, 입사되는 광의 50%는 입사된 각과 동일한 각도로 반사시킨다.
이때 빔스플리터(330)에 의해 반사된 광은 빔스플리터(330) 하단에 위치하는 기판(360)에 입사된다.
또한 빔스플리터(330)는 기판(360)에 의해 반사되어온 광의 50%는 투과시키고, 기판(360)으로부터 반사되어온 광의 50%는 반사시킨다.
초점 광원 차단 스크린(340)은 일부 영역에 차단막이 형성된 투명한 판으로 빔스플리터(330) 상단에 설치되며, 기판(360)에 의해 반사되어 빔스플리터(330)를 투과한 광이 입사된다.
이때 초점 광원 차단 스크린(340)의 차단막은 기판(360)의 결함부가 존재하는 않는 평탄한 영역에 의해 반사된 광의 초점이 모이는 영역에 형성된다.
때문에 기판(360)의 결함부가 존재하지 않는 평탄한 영역에 의해 반사된 광은 초점 광원 차단 스크린(340)을 투과하지 못한다.
한편, 기판(360)의 결함부가 존재하는 영역에 입사되는 광은 산란되거나, 반사된다. 이 경우 산란되거나 반사되는 광은 기판(360)의 평탄한 경우에 반사되는 광의 방향과는 다른 방향으로 진행하게 된다.
따라서, 기판(360)의 결함부에 의해 산란되거나 반사된 광은 초점 차단 스크린(340)의 차단막을 벗어나서, 초점 차단 스크린(340)을 투과하기 때문에 카메라(350)에 입사된다.
때문에 카메라(350)를 통해 초점 광원 차단 스크린(340)의 영상 데이터를 획득하면 기판(360)의 결함부가 존재하지 않는 영역은 차단막에 의해 어둡게 보이고, 기판(360)의 결함부가 존재하는 영역은 기판(360)에서 반사된 광이 차단막이 형성된 부분을 벗어나서 투과되어 밝게 보이게 된다.
카메라(350)는 CCD 라인 센서와 같은 이미지 센서(미도시)와 렌즈(미도시)를 갖는 CCD 카메라로써, 초점 광원 차단 스크린(340) 상부에 구비되어, 초점 광원 차단 스크린(340)의 영상 데이터를 촬영한다.
이때 카메라(350)를 통해 촬영되는 초점 광원 차단 스크린(340)의 영상 데이터는 기판(360)의 결함부가 존재하는 영역은 밝게 촬영되고, 기판(360)의 결함부가 존재하지 않는 영역은 어둡게 촬영된다.
때문에 영상 데이터를 통해 기판(360)의 결함을 정확히 검출할 수 있다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 검사 장치를 나타낸 사시도이고, 도 4b는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 검사 장치의 상면도이며, 도 4c는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 검사 장치의 측면도이다.
도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 검사 장치는 라인 광원(410)을 이용하여 기판(470)에 형성된 패턴의 결함 여부를 검사하기 위한 것으로, 라인광원(410), 집광렌즈(420), 실린더렌즈(430), 빔스플리터(440), 초점 광원 차단 스크린(450), 라인 카메라(460)를 포함한다.
라인광원(410)은 라인 형상의 광을 방출한다.
이러한 라인 형상의 광은 예를 들면 가로 방향의 길이가 세로 방향의 길이보다 상대적으로 긴 형태로 형성된 광을 나타낸다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 라인광원(410)은 복수개의 발광다이오드(LED) 또는 복수개의 광섬유를 라인 형상으로 배치하여 형성할 수 있다.
또한 도 4a에 도시된 바와 같이 라인 형상의 슬릿이 일면에 형성된 하우징 내부에 복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 배치하여 가로 방향의 길이가 세로 방향의 길이보다 상대적으로 긴 형상의 광이 방출되도록 형성할 수도 있다.
집광렌즈(420)는 볼록렌즈로 라인광원(410)으로부터 광이 방출되는 방향에 배치되며, 라인광원(410)으로부터 방출되는 광이 도 4a에 도시된 바와 같이 한 곳으로 모이도록 한다.
실린더렌즈(430)는 도 4a에 도시된 바와 같이 한쪽만 볼록한 형태의 렌즈로 집광렌즈(420)로부터 광이 방출되는 방향에 구비된다.
이러한 실린더렌즈(430)는 집광렌즈(420)로부터 입사된 광이 도 4b에 도시된 바와 같이 평행 광으로 방출되도록 변환시킨다.
빔스플리터(440)는 반사력과 투과력이 동일하며, 실린더렌즈(430)로부터 광이 방출되는 방향에 배치된다.
이러한 빔스플리터(440)는 도 4a에 도시된 바와 같이 일측면 및 일측면과 대향하는 타측면이 정사각형인 직육면체이고, 일측면과 타측면의 서로 평행한 대각선을 잇는 평면에 반사면(441)이 형성되어 있어, 빔스플리터(440)로 입사되는 광의 50%는 투과시키고, 입사되는 광의 50%는 입사된 각과 동일한 각도로 반사시킨다.
이때 빔스플리터(440)에 의해 반사된 광은 빔스플리터(440) 하단에 위치하는 기판(470)에 입사된다.
또한 빔스플리터(440)는 기판(470)에 의해 반사된 광이 입사된다.
그러면 빔스플리터(440)는 기판(470)에 의해 반사되어온 광의 50%는 투과시키고, 기판(470)으로부터 반사되어온 광의 50%는 반사시킨다.
초점 광원 차단 스크린(450)은 일부 영역에 라인 형상의 차단막이 형성된 투명한 판으로 빔스플리터(440) 상부에 설치되며, 기판(470)에 의해 반사되어 빔스플리터(440)를 투과한 광이 입사된다.
이때 초점 광원 차단 스크린(450)의 차단막은 기판(470)의 결함부가 존재하지 않는 평탄한 영역에 의해 반사된 광의 초점이 모이는 영역에 형성된다.
때문에 기판(470)의 결함부가 존재하지 않는 평탄한 영역에 의해 반사된 광은 초점 광원 차단 스크린(450)을 투과하지 못한다.
한편, 기판(470)의 결함부가 존재하는 영역에 입사된 광은 산란되거나, 반사된다. 이 경우 산란되거나 반사되는 광은 기판(470)의 평탄한 경우에 반산되는 광의 방향과는 다른 방향으로 진행하게 된다.
따라서, 기판(470)의 결함부에 의해 산란되거나 반사된 광은 초점 차단 스크린(450)의 차단막을 벗어나서, 초점 차단 스크린(450)을 투과하기 때문에 라인 카메라(460)에 입사된다.
때문에 카메라(460)를 통해 초점 광원 차단 스크린(450)의 영상 데이터를 획득하면 기판(470)의 결함부가 존재하지 않는 영역은 차단막에 의해 어둡게 보이고, 기판(470)의 결함부가 존재하는 영역은 기판(470)에서 반사된 광이 차단막이 형성된 부분을 벗어나서 밝게 보이게 된다.
라인 카메라(460)는 복수개의 CCD가 나열된 CCD 라인 센서와 같은 이미지 센서(미도시)와 렌즈(미도시)를 갖는 CCD 카메라로써, 초점 광원 차단 스크린(450) 상부에 구비되어, 초점 광원 차단 스크린(450)의 영상 데이터를 촬영한다.
이때 라인 카메라(460)를 통해 촬영되는 초점 광원 차단 스크린(450)의 영상 데이터는 기판(470)의 결함부가 존재하는 영역은 밝게 촬영되고, 기판(470)의 결함부가 존재하지 않는 기판 영역은 어둡게 촬영된다.
때문에 영상 데이터를 통해 기판(470)의 결함을 정확하게 검출할 수 있다.
또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 검사 장치는 기판(470)의 일부 라인으로 조사된 영역에 결함이 존재하는지 여부를 한번에 검사할 수 있어, 기판(470)에 결함이 있는지 빠르게 검출할 수 있다.
이상의 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 제시하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경할 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
310: 원광원 320, 420: 집광렌즈
330, 440: 빔스플리터 331, 441: 반사면
340, 450: 초점 광원 차단 스크린 350: 카메라
360, 470: 기판 410: 라인 광원
430: 실린더렌즈 460: 라인 카메라

Claims (9)

  1. 기판 검사 장치에 있어서,
    광을 방출하는 광원;
    상기 광원 앞단에 설치되어 상기 광원으로부터 방출된 광을 한 곳으로 모으는 집광렌즈;
    상기 집광렌즈 앞단에 설치되어 상기 집광렌즈에 의해 집광된 광을 하단에 놓여진 판상의 기판으로 반사시키고, 상기 기판에 의해 반사된 광을 직접 투과시키는 빔스플리터;
    상기 빔스플리터 상단에 설치되고, 상기 기판의 평탄한 영역에 의해 반사된 광의 초점 영역에 차단막이 형성된 투명한 판 형태의 초점 광원 차단 스크린; 및
    상기 초점 광원 차단 스크린의 영상을 촬영하는 CCD 카메라를 포함하고, 상기 초점 영역은 상기 집광렌즈에 의해서 결정되는 기판 검사 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 광원은,
    원 형상의 광을 방출하는 원광원인 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 원광원은,
    복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 원형으로 배치한 것임을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 원광원은,
    원 형상의 슬릿이 일면에 형성된 하우징 내부에 복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 배치한 것임을 특징으로 하는 기판 검사 장치
  5. 기판 검사 장치에 있어서,
    라인 형상의 광을 방출하는 라인광원;
    상기 라인광원 앞단에 설치되어 상기 라인광원으로부터 방출된 광을 한 곳으로 모으는 집광렌즈;
    상기 집광렌즈 앞단에 설치되어 상기 집광렌즈에 의해 집광된 광을 평행광으로 변환시키는 실린더 렌즈;
    상기 실린더 렌즈 앞단에 설치되어 상기 실린더 렌즈에 의해 변환된 광을 하단에 놓여진 판상의 기판으로 반사시키고, 상기 기판에 의해 반사된 광을 직접 투과시키는 빔스플리터;
    상기 빔스플리터 상단에 설치되고, 상기 기판의 평탄한 영역에 의해 반사된 광의 초점 영역에 라인 형상의 차단막이 형성된 투명한 판 형태의 초점 광원 차단 스크린; 및
    상기 초점 광원 차단 스크린의 영상을 촬영하는 라인 CCD카메라를 포함하고,상기 초점 영역은 상기 집광렌즈에 의해서 결정되는 기판 검사 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 라인광원은,
    복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 라인 형상으로 배치한 것임을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 라인 광원은,
    라인 형상의 슬릿이 일면에 형성된 하우징 내부에 복수개의 발광다이오드 또는 복수개의 광섬유를 배치한 것임을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
  8. 제1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 빔스플리터는,
    일측면 및 상기 일측면과 대향하는 타측면이 정사각형인 직육면체이고, 상기 일측면과 상기 타측면의 서로 평행한 대각선을 잇는 평면이 반사면인 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
  9. 제6 항에 있어서, 상기 빔스플리터는,
    입사된 광의 50%는 투과시키고, 나머지 50%는 반사시키는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
KR1020120099485A 2012-09-07 2012-09-07 기판 검사 장치 KR101442770B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120099485A KR101442770B1 (ko) 2012-09-07 2012-09-07 기판 검사 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120099485A KR101442770B1 (ko) 2012-09-07 2012-09-07 기판 검사 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140032778A KR20140032778A (ko) 2014-03-17
KR101442770B1 true KR101442770B1 (ko) 2014-09-23

Family

ID=50644194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120099485A KR101442770B1 (ko) 2012-09-07 2012-09-07 기판 검사 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101442770B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05322694A (ja) * 1992-05-22 1993-12-07 Olympus Optical Co Ltd レンズ検査装置
JP2004086148A (ja) * 2002-07-01 2004-03-18 Fuji Photo Optical Co Ltd ミロー型顕微干渉計用照明光学系およびこれを備えたミロー型顕微干渉計装置
JP2010019657A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Rozefu Technol:Kk カラー照明を用いた検査装置
JP2010085255A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Toray Ind Inc 欠陥検査装置および欠陥検査方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05322694A (ja) * 1992-05-22 1993-12-07 Olympus Optical Co Ltd レンズ検査装置
JP2004086148A (ja) * 2002-07-01 2004-03-18 Fuji Photo Optical Co Ltd ミロー型顕微干渉計用照明光学系およびこれを備えたミロー型顕微干渉計装置
JP2010019657A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Rozefu Technol:Kk カラー照明を用いた検査装置
JP2010085255A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Toray Ind Inc 欠陥検査装置および欠陥検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140032778A (ko) 2014-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5909751B2 (ja) 平板ガラスの異物検査装置及び検査方法
TWI408360B (zh) 玻璃表面的異物檢查裝置及檢查方法
TW201009324A (en) Defect inspecting system, and defect inspecting method
TW201310023A (zh) 用於檢測玻璃基板的表面缺陷的設備和方法
US8396281B2 (en) Apparatus and method for inspecting substrate internal defects
TW200842347A (en) Pattern checking device and pattern checking mehtod
JP6487617B2 (ja) マイクロレンズアレイの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP2002062267A (ja) 欠点検査装置
KR20160004099A (ko) 결함 검사 장치
US20100245560A1 (en) Method and device for imaging a fragmentation pattern formed in a ply of toughened glass
JP2007333563A (ja) 光透過性シートの検査装置および検査方法
US11249032B2 (en) Methods and apparatus for detecting surface defects on glass sheets
KR101658700B1 (ko) 표면 검사 광학장치 및 표면 검사방법
JP2009162492A (ja) 検査装置
KR101208573B1 (ko) 집광 부재와 조명 유닛, 그리고 이를 이용한 광학 검사 장치
KR101447857B1 (ko) 렌즈 모듈 이물 검사 시스템
KR101442770B1 (ko) 기판 검사 장치
JP2020134174A (ja) 検査装置
JP2011106912A (ja) 撮像照明手段およびパターン検査装置
KR20110125906A (ko) 레티클 검사장치
KR20020093507A (ko) 부품 검사 장치
JP2001124538A (ja) 物体表面の欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP4746218B2 (ja) パターン検査装置および検査方法
KR20160032576A (ko) 고속 카메라 및 적외선 광학계를 이용한 이미지 분석 시스템 및 방법
KR101185076B1 (ko) 반사체용 반사형 광센서

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190916

Year of fee payment: 6