KR101438267B1 - 액체 토출 헤드 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본원 발명은, 액체를 토출하는 복수의 토출구가 배열 방향을 따라서 설치되어 있는 토출구 부재를 포함하는 액체 토출 헤드를 제조하는 방법으로서, 광경화성 수지를 함유하는 수지층이 설치된 기판을 준비하는 단계, 각각 수지층을 노광하는 노광 처리인, 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리를 행하는 단계, 및 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리가 행해진 수지층에 토출구를 형성하는 단계를 포함하는 액체 토출 헤드의 제조 방법이 제공된다. 제1 노광 처리에 의해 형성되는 토출구의 측벽의 기판에 대한 경사각과, 제2 노광 처리에 의해 형성되는 토출구의 측벽의 기판에 대한 경사각은 상이하다.

Description

액체 토출 헤드 및 그 제조 방법{LIQUID EJECTION HEAD AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 액체를 토출하는 액체 토출 헤드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
잉크를 기록 매체 위에 토출해서 기록을 행하는 잉크젯 기록 방식에 적용되는 잉크젯 기록 헤드(ink jet recording head)는 액체를 토출하는 액체 토출 헤드의 대표적인 예이다. 그러한 잉크젯 기록 헤드는, 일반적으로, 잉크 유로, 유로의 일부에 설치된 토출 에너지 발생부, 및 토출 에너지 발생부에서 발생되는 에너지를 이용하여 잉크를 토출하는 잉크 토출구를 포함한다.
잉크젯 기록 헤드에 적용가능한 액체 토출 헤드의 예로서, 일본 공개 특허 H09-234871호 공보에는, 토출되는 액체의 출구에 대하여 액체의 유입구가 넓은 형상의 토출구를 갖는 토출구 부재(ejection orifice member)를 포함하는 액체 토출 헤드가 개시되어 있다.
US 2005/0130075호에는, 토출되는 액체의 출구에 대하여 액체의 유입구가 넓은 형상의 토출구를 갖는 토출구 부재의 제조 방법으로서, 복수의 토출 에너지 발생부를 갖는 기판에 있어서, 결상 위치를 조정해서 광경화성 수지에 노광을 행하는 방법이 개시되어 있다.
액체의 출구를 미세화한 경우에도, 토출구를, 액체의 출구에 대하여 액체의 유입구가 넓은 형상으로 함으로써, 유체 저항이 감소될 수 있고, 리필 특성의 저하를 억제할 수 있는 등, 토출 특성에 관한 문제에 대응할 수 있다.
기록 장치의 대형화를 억제하면서 고화질의 화상을 고속으로 기록하기 위해, 액체 토출 헤드에 있어서, 각각이 미세한 액체 출구를 갖는 토출구들, 및 그들과 연통하는 유로들을 고밀도로 배치하는 것이 요구되어 왔다.
그러나, US 2005/0130075호에 개시된 방법에서는, 각각이 액체의 출구에 대하여 액체의 유입구가 넓은 형상인 토출구들을 고밀도로 배치한 토출구 부재를 형성할 경우, 토출구들의 액체의 유입구 측에서, 인접한 토출구들을 이격시키는 벽이 얇아져서, 토출구 부재의 강도가 저하될 수 있다.
본 발명은 전술한 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 본 발명은, 유체 저항이 감소된 토출구를 갖고 충분한 강도를 갖는 토출구 부재를 포함하는 액체 토출 헤드를 높은 수율로 제조할 수 있는 액체 토출 헤드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
따라서, 본 발명은, 액체를 토출하는 복수의 토출구가 배열 방향을 따라서 설치되어 있는 토출구 부재를 포함하는 액체 토출 헤드의 제조 방법으로서, 광경화성 수지를 함유하는 수지층이 설치된 기판을 준비하는 단계와, 각각 상기 수지층을 노광하는 노광 처리인, 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리를 수행하는 단계와, 상기 제1 노광 처리 및 상기 제2 노광 처리가 행해진 상기 수지층에 상기 토출구를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 노광 처리에 의해 형성되는 토출구의 측벽의 상기 기판에 대한 경사각과, 상기 제2 노광 처리에 의해 형성되는 토출구의 측벽의 상기 기판에 대한 경사각이 상이한, 액체 토출 헤드의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 특징들은 첨부 도면을 참조하여 하기의 실시예들의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1a, 도 1b, 및 도 1c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제조 방법에 의해 얻어지는 액체 토출 헤드의 구성 예를 도시한다.
도 2는 제1 실시예에 따른 제조 방법에 의해 얻어지는 액체 토출 헤드의 구성의 예를 도시하는 모식적인 사시도이다.
도 3a, 도 3b, 도 3c, 도 3d, 도 3e, 및 도 3f는 제1 실시예에 따른 제조 방법을 도시하는 공정 단면도이다.
도 4a, 도 4b, 도 4c, 도 4d, 도 4e, 및 도 4f는 제1 실시예에 따른 제조 방법을 도시하는 공정 단면도이다.
도 5a, 도 5b, 도 5c, 및 도 5d는 제2 노광 처리를 행한 후의 상태를 도시하는 모식도이다.
도 6은 제2 노광 처리의 노광의 개념도이다.
도 7a, 도 7b, 도 7c, 및 도 7d는 제2 노광 처리를 행한 후에 제1 노광 처리를 행한 상태를 도시하는 모식도이다.
도 8은 제1 노광 처리의 노광의 개념도이다.
도 9a, 도 9b, 및 도 9c는 제1 실시예에 따른 현상 처리를 행한 후의 상태를 도시하는 모식도이다.
도 10a, 도 10b, 도 10c, 도 10d, 및 도 10e는 본 발명의 제2 실시예의 노광 조건 하에서 얻어지는 토출구의 부근을 도시하는 모식도이다.
본 발명의 실시예들에 대해서 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
제1 실시예
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조되는 잉크젯 기록 헤드의 구성의 예를 도시하는 모식적인 사시도이다. 잉크젯 기록 헤드(액체 토출 헤드)는, 토출 에너지 발생 소자(4)의 2개의 열이 소정의 피치에서 배열 방향으로 형성되어 있는 실리콘 기판(6)을 포함한다. 실리콘 기판(6)에는, 잉크 공급구(액체 공급구)(7)가 토출 에너지 발생 소자(4)의 2개의 열들 사이에 개방되어 있다. 실리콘 기판(6) 위에는, 유로 형성 부재(2)에 의해, 잉크를 토출하는 잉크 토출구(액체 토출구)(1), 잉크 공급구(7) 및 잉크 토출구(1)와 연통하는 잉크 유로(액체 유로)(5)가 각각 형성되어 있다. 잉크 토출구(1)는 토출 에너지 발생 소자(4)의 상방으로 각각 개방되고, 배열 방향으로 2열로 설치된다.
잉크젯 기록 헤드는, 잉크 토출구(1)가 형성되어 있는 면이 기록 매체의 기록 면에 대향하도록 배치된다. 공통 잉크 공급구(7)로부터 잉크 유로(5) 내에 공급된 잉크(액체)에, 토출 에너지 발생 소자(4)에 의해 발생되는 압력을 인가함으로써, 잉크 토출구(1)로부터 잉크 액적을 토출시키고, 기록 매체에 부착시켜 기록을 행한다.
이하, 본 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 잉크젯 기록 헤드의 구성의 예에 대해서 보다 구체적으로 설명한다. 도 1a는 도 2에 도시된 토출구들의 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 1B-1B 선을 따라 절개한 단면도이고, 도 1c는 도 1a의 1C-1C 선을 따라 절개한 단면도이다. 1B-1B 선은 배열 방향을 나타내고, 1C-1C 선은 배열 방향에 직교하는 직교 방향을 나타낸다. 그러므로, 도 1b는 직교 방향에 수직인 면을 따라 절개한 토출구들의 단면의 형상을 도시하고, 도 1c는 배열 방향에 수직인 면을 따라 절개한 토출구의 단면의 형상을 도시한다.
본 실시예에 따라 형성되는 토출구들 각각은, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 직교 방향을 따른 측벽을 갖는다. 또한, 도 1b에 도시된 바와 같이, 직교 방향에 수직인 면을 따라 절개한 토출구들 각각의 단면의 형상은 테이퍼 형상(tapered shape) 또는 사각 형상(quadrangular shape)이다. 또한, 도 1c에 도시된 바와 같이, 배열 방향에 수직인 면을 따라 절개한 토출구들 각각의 단면의 형상은 테이퍼 형상이다. 토출구들이 테이퍼 형상을 갖도록 형성함으로써, 유체 저항이 작고, 우수한 토출 성능을 갖는 액체 토출 헤드를 얻을 수 있다.
여기에서, 본 실시예에 따른 제조 방법은 다음의 단계들을 포함한다.
(1) 광경화성 수지를 함유하는 수지층이 설치된 기판을 준비하는 단계.
(2) 수지층을 노광하는 노광 처리인 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리를 행하는 노광 단계.
(3) 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리 후에 수지층에 토출구들을 형성하는 단계.
본 발명에서는, 제1 노광 처리에 의해 형성되는 토출구들의 측벽의 기판에 대한 경사각이, 상기 제2 노광 처리에 의해 형성되는 토출구들의 측벽의 기판에 대한 경사각과는 상이한 것을 특징으로 한다. 제1 노광 처리는, 토출구의 표면측 개구의 배열 방향의 폭을 'a'라고 하고, 토출구의 이면측 개구의 배열 방향의 폭을 'b'라고 할 경우, 비율 b/a가 1 이상이 되도록, 직교 방향을 따른 측벽에 대응하는 수지층의 부분을 노광하는 처리인 것이 바람직하다.
또한, 제2 노광 처리는, 토출구의 표면측 개구의 직교 방향의 폭을 'c'라고 하고, 토출구의 이면측 개구의 직교 방향의 폭을 'd'라고 할 경우, 비율 d/c가 1보다 크게 되도록, 직교 방향을 따른 측벽 이외의 측벽들에 대응하는 수지층의 부분을 노광하는 처리인 것이 바람직하다.
또한, 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리는, 비율 d/c가 비율 b/a보다 커지도록 행하는 것이 바람직하다.
토출구들의 직교 방향에 수직인 면을 따라 절개한 단면의 형상은 테이퍼 형상 또는 사각 형상인 것이 바람직하다. 또한, 토출구들의 배열 방향에 수직인 면을 따라 절개한 단면의 형상은 테이퍼 형상인 것이 바람직하다. 이들 양자의 단면의 형상이 모두 테이퍼 형상들이라도, 기판에 대한 그들의 경사각들은 서로 상이하다는 것을 유의한다.
또한, 폭 a와 폭 b는, 각각, 배열 방향에 수직이고, 토출구의 중심을 통과하는 면을 따라 절개한 토출구의 단면의 형상에 있어서의 윗변의 폭과 아랫변의 폭인 것이 바람직하다. 또한, 폭 c와 폭 d는, 각각, 직교 방향에 수직이고, 토출구의 중심을 통과하는 면을 따라 절개한 토출구의 단면의 형상에 있어서의 윗변의 폭과 아랫변의 폭인 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 기판, 및 기판 위에 액체를 토출하는 복수의 토출구가 배열 방향을 따라 설치된 토출구 부재를 포함하고, 복수의 토출구의 배열 방향에 직교하는 직교 방향을 따른 측벽은 기판에 대하여 수직이고, 복수의 토출구의 배열 방향을 따른 측벽은 기판에 대하여 예각을 형성하는, 액체 토출 헤드를 제조할 수 있다.
하기에서는, 본 실시예에 따른 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 발명은 하기의 실시예에 한정되지 않는다는 것을 유의한다.
하기의 설명에서는, 본 발명이 적용될 수 있는 예로서 잉크젯 기록 헤드를 설명하지만, 본 발명의 적용 범위는 이것에 한정되지 않는다는 것을 유의한다. 또한, 본 발명은 잉크젯 기록 헤드를 제조하는 방법뿐만 아니라, 바이오칩을 제조하기 위해 또는 전자 회로를 인쇄하기 위해 이용되는 액체 토출 헤드를 제조하는 방법에도 적용할 수 있다. 그러한 액체 토출 헤드로서는, 잉크젯 기록 헤드 및 컬러 필터(color filter) 제조용 헤드 등을 포함한다.
또한, 본 실시예에서 사용되는 노즐 밀도란, 도 1a의 1B-1B 선의 방향의 단위 길이당 노즐의 개수를 일컫는다. 본 실시예에서 노즐 밀도는, 예를 들면, 1,200DPI(dots/inch)일 수 있다.
도 3a 내지 도 3f는 본 실시예에 따른 제조 방법의 단계들의 예를 도시한다. 도 3a 내지 도 3f는 배열 방향에 수직인 면을 따라 절개한 단면에 있어서의 단계들을 도시한다.
우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 토출 에너지 발생 소자(4)가 배치되어 있는 실리콘 기판(6)을 준비한다.
실리콘 기판(6)은, 예를 들면, 결정 방위가 (100)면이다. 본 실시예에서는, (100)면을 이용하는 경우에 대해서 설명하지만, 본 발명에서 이용될 수 있는 면 방위는 이것에 한정되지 않는다.
이 실리콘 기판(6) 위에는 열산화막(301) 및 희생층(302)이 형성되어 있다. 열산화막(301) 위에는 절연층인 실리콘 산화막(303)이 형성되어 있다. 실리콘 산화막(303) 위에는, 발열 저항체들 등의 복수의 토출 에너지 발생 소자(4)가 배치되어 있다. 실리콘 산화막(303) 및 토출 에너지 발생 소자(4) 위에는 보호막으로서 실리콘 질화막(304)이 형성되어 있다.
희생층(302)을 형성함으로써, 잉크 공급구(액체 공급구)의 표면 개구를 양호한 정밀도로 형성할 수 있다. 희생층은 알루미늄을 함유하고, 실리콘 기판의 에칭제(알칼리 용액)에 의해 에칭될 수 있다. 희생층의 재료로서는, 예를 들면, 알루미늄(Al), 알루미늄 실리콘(AlSi), 알루미늄 구리(AlCu), 또는 알루미늄 실리콘 구리(AlSiCu) 등이 이용될 수 있다. 이들 중, 알루미늄 또는 알루미늄 구리가 바람직하다. AlSi는 Al과 Si를 함유하는 화합물이며, AlCu는 Al과 Cu를 함유하는 화합물이며, AlSiCu는 Al, Si, 및 Cu를 함유하는 화합물이다.
또한, 실리콘 질화막(304) 위에는 밀착 향상층(3)이 형성되어 있다. 밀착 향상층(3)으로서는, 예를 들면, 폴리에테르아미드 수지가 이용될 수 있다. 또한, 밀착 향상층(3)은 스핀 코팅 등에 의해 도포되어 배치될 수 있다. 폴리에테르아미드 수지로서는, 예를 들면, 구체적으로는, 히따찌 케미컬 주식회사(Hitachi Chemical Co., Ltd.)제의 상품명 HIMAL-1200이라는 재료가 이용될 수 있다. 밀착 향상층(3)의 두께는, 예를 들면, 2㎛이다.
다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 토출 에너지 발생 소자(4)를 포함하는 실리콘 기판(6) 위에, 용해가능한 수지를 이용해서 잉크 유로의 형(form)이 되는 유로형재(flow path form material)(307)를 형성한다.
유로형재(307)는, 예를 들면, 포지티브형 레지스트를 스핀 코팅 등에 의해 도포한 후, 자외선이나 deep UV 광 등에 의해 노광 및 현상을 행함으로써 형성할 수 있다. 그러한 포지티브형 레지스트로서는, 예를 들면, ODUR[상품명, 도꾜 오오까 고교 주식회사(TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.)제] 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 밀착 향상층(3) 및 유로형재(307) 위에 네거티브형 감광성 수지(308)를 스핀 코팅 등에 의해 배치한다.
본 실시예에 있어서, 유로 형성 부재로서는, 네거티브형 감광성 수지를 이용한다. 네거티브형 감광성 수지는 노광에 의해 경화된다. 그러한 네거티브형 감광성 수지로서는, i선에 대한 감도를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 네거티브형 감광성 수지의 두께는, 예를 들면, 30㎛이다.
노광에는, i선 스테퍼(i-line stepper)를 이용할 수 있지만, 본 발명은 그것에 한정되지 않는다. 그러한 i선 스테퍼로서는, 예를 들면, 캐논 인코포레이티드(Canon Inc.)제의 스테퍼 FPA-3000I5+를 이용할 수 있다.
네거티브형 감광성 수지(308)를 노광 및 현상함으로써 패터닝하여, 잉크 토출구(1)를 갖는 유로 형성 부재(2)를 형성한다. 본 실시예에서는, 적어도 2회 노광, 즉, 제1 노광 처리와 제2 노광 처리를 행한다. 유로 형성 부재는, 토출구들을 형성하는 부재이기도 하므로, 토출구 부재라고도 칭할 수 있다는 것을 유의한다.
여기에서, 제1 노광 처리와 제2 노광 처리에 대해서 도 5a 내지 도 9c를 참조하여 상세하게 설명한다. 하기의 설명에서는, 제2 노광 처리를 먼저 설명하지만, 제1 노광 처리와 제2 노광 처리 중 임의의 것을 먼저 행해도 되고, 본 발명에 있어서 그 순서는 특별히 한정되지 않는다.
도 5a는 제2 노광 처리가 행해진 후의 토출구들 부근의 상태를 설명하기 위한 모식적인 평면도이다. 도 5b는 도 5a의 5B-5B 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 5c는 도 5a의 5C-5C 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 5d는 제2 노광 처리에 이용하는 제2 마스크의 모식도이다. 도 5a 내지 도 5c는 미노광부(501), 노광부(경화부)(502), 및 유로형재(507)를 도시한다. 또한, 도 5d는 제2 마스크의 광불투과부(511) 및 광투과부(512)를 도시한다.
제2 노광 처리는, 전술한 바와 같이, 토출구의 표면측 개구의 직교 방향의 폭을 c라고 하고, 토출구의 이면측 개구의 직교 방향의 폭을 d라고 할 경우, 비율 d/c가 1보다 크게 되도록, 상기 직교 방향을 따른 측벽 이외의 측벽들에 대응하는 수지층의 부분을 노광하는 처리이다.
제2 노광은, 예를 들면, 캐논 인코포레이티드제의 스테퍼 FPA-3000I5+를 이용하여, 다음의 노광 조건, 즉, 개구율(NA)이 0.45이고, 코히런스 팩터(σ)가 0.5이고, 노광량이 4,000J이고, 포커스 오프셋(포커스)이 -50㎛인 조건 하에서 행할 수 있다. 노광량은, 막 두께가 30㎛인 경우를 가정해서 선택된다.
도 6은 제2 노광 처리에 있어서의 상기의 노광 조건의 개념을 나타낸다. 스테퍼는 노광 대상물의 최상면을 기준 레벨로서 간주하므로, 노광시의 포커스 위치는 기판 표면 아래인 -50㎛이다. 도 6에 있어서, 점선 E는 포커스 기준 레벨을 나타내고, 점선 F는 포커스 위치를 나타낸다는 것을 유의한다.
노광에 있어서, 초점 심도를 얕게 하고 포커스 오프셋을 기준 레벨로부터 크게 함으로써, 테이퍼 형상이 얻어질 수 있다. 한편, 초점 심도를 깊게 하고 포커스 오프셋을 기준 레벨로부터 막 두께의 반 정도가 되게 함으로써, 실질적으로 스트레이트(straight)의 형상이 얻어질 수 있다는 것이 확인되었다. 이들은, 재료의 감광 특성과 노광기의 적절한 조합에 의해 실현될 수 있기 때문에, 본 실시예에서는, 주로 노광기의 노광 조건과 포커스 오프셋량에 의해 형상의 선택이 실현된다.
노광기로서 캐논 인코포레이티드제의 스테퍼 FPA-3000I5+를 이용하고, 막 두께가 30㎛인 경우, 다음의 관계가 확인되었다. 결과적인 직경이 18㎛에 상당하는 토출구 면적에 대해, 막 두께가 30㎛인 경우, 형상은, 다음의 노광 조건, 즉, NA가 0.45이고, σ가 0.3이고, 포커스가 -15㎛인 조건에서, 스트레이트 형상이 된다. NA가 0.45이고, σ가 0.5인 경우, 포커스가 -50㎛이면, 테이퍼 각은 7도가 된다. 여기에서 이용되는 테이퍼 각은, 도 1c에 도시된 바와 같이, 토출구의 표면측 개구의 단부로부터 수직으로 내린 가상선과 토출구의 벽 사이에 형성되는 각도 θ라는 것을 유의한다.
도 7a는 제1 노광 처리를 행한 후의 토출구 부근의 상태를 도시하는 모식적인 평면도이다. 도 7b는 도 7a의 7B-7B 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 7c는 도 7a의 7C-7C 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 7d는 제1 노광 처리에 이용하는 제1 마스크의 모식도이다. 도 7a 내지 도 7c는 미노광부(701), 노광부(경화부)(702), 및 유로형재(707)를 나타낸다. 또한, 도 7d는 제1 마스크의 광불투과부(711) 및 광투과부(712)를 나타낸다.
제1 노광 처리에서는 수직성을 확보하는 것이 바람직하다. 제1 노광 처리의 노광 조건은, 예를 들면, NA가 0.45이고, σ가 0.30이고, 노광량이 4,000J이고, 포커스가 -15㎛이다.
도 8은 제1 노광 처리에 있어서의 상기의 노광 조건의 개념을 도시한다. 스테퍼는 노광 대상물의 최상면을 기준 레벨로서 간주하므로, 노광시의 포커스 위치는 구조물의 중심에 있는 -15㎛이다.
도 9a는 제2 노광 처리, 제1 노광 처리, 및 후노광 베이크[post exposure bake(PEB)]가 종료된 후의 토출구들의 부근을 도시하는 모식적인 평면도이다. 도 9b는 도 9a의 9B-9B 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 9c는 도 9a의 9C-9C 선을 따라 절개한 단면도이다.
제1 노광 처리 및 제2 노광 처리 후, PEB 및 현상을 행하여, 토출구(1)를 갖는 유로 형성 부재가 얻어진다. 제1 노광 처리와 제2 노광 처리의 순서를 바꾸어도, 노즐 형성에 문제가 발생하지 않는다.
또한, 도면들에 도시된 마스크는 예일 뿐이며, 본 발명에 따른 형상을 형성하는 유일한 하나의 조합은 아니다. 다른 디자인의 마스크들도 본 발명에 따른 형상을 형성할 수 있다.
다음에, 도 3a 내지 도 3f를 다시 참조하여, 나머지 제조 단계들에 대해서 설명한다.
도 3d는 전술한 바와 같이 토출구(1)가 형성된 상태를 도시하는 모식적인 단면도이다.
다음으로, 도 3e에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(6)의 이면에 있는 열산화막(305)을 패터닝하여, 이방성 에칭의 개시면이 되는 실리콘면을 노출시킨다. 그 후, 실리콘 이방성 에칭을 행하여 잉크 공급구(7)를 형성한다. 잉크 공급구(7)는, 예를 들면, TMAH 또는 KOH 등의 강 알칼리 용액에 의한 이방성 에칭에 의해 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3f에 도시된 바와 같이, 실리콘 산화막(303)을 불산액에 의해 습식 에칭을 행함으로써 제거한다. 그 후, 드라이 에칭 등에 의해 실리콘 질화막(304)을 제거한다. 또한, 용해가능한 수지로 형성된 유로형재(307)를 잉크 토출구(1) 및 잉크 공급구(7)로부터 용출시킴으로써, 잉크 유로(5)가 형성된다. 유로형재(307)를 제거할 때, 필요에 따라서, 초음파 침지를 조합하여 이용하면, 유로형재(307)를 용이하게 제거할 수 있다.
전술한 단계들에 의해 노즐부를 형성하는 유로 형성 부재가 형성된 실리콘 기판(6)을 다이싱 소(dicing saw) 등에 의해 절단 및 분리하여 칩을 형성한다. 그런 다음, 토출 에너지 발생 소자(4)를 구동시키기 위한 전기적 접합을 행한 후, 잉크 공급을 위한 칩 탱크 부재를 접속하여, 잉크젯 기록 헤드가 얻어진다.
전술한 제1 실시예는 도 3a 내지 도 3f에 도시된 제조 단계들을 참조하여 설명했다. 본 발명은 다른 제조 단계들에도 적용할 수 있다는 것을 유의한다. 다른 제조 단계들의 예를 하기에서 도 4a 내지 도 4f를 참조하여 간단히 설명한다.
제2 실시예
도 4a 내지 도 4f는, 본 실시예에 따른 제조 방법의 예의 단계들을 도시하는 모식도이다. 또한, 도 4a 내지 도 4f는 도 2의 4A-4A 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 4a는 도 3a와 마찬가지이다.
다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 노즐재(nozzle material)에 의해, 잉크 유로의 측벽을 형성하는 유로벽(401)을, 감광성 수지 재료를 도포하고, 노광, PEB, 및 현상을 행함으로써 형성한다.
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 유로벽(401) 위에 감광성 드라이 필름(402)을 배치한다.
그런 다음, 전술한 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리를 행한다.
다음으로, 도 4d에 도시된 바와 같이, 현상을 행하여, 토출구(1)를 갖는 토출구 부재(403)를 형성한다.
다음으로, 전술한 도 3e에 도시된 제조 단계와 마찬가지로, 도 4e에 도시된 바와 같이 잉크 공급구(7)를 형성한다. 또한, 도 4f에 도시된 바와 같이, 잉크 유로를 형성한다.
이하, 본 발명의 제2 실시예에 따른 노광 조건에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 10a는, 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리를 행한 후의 토출구들의 부근을 도시하는 모식적인 평면도이다. 도 10b는 도 10a의 10B-10B 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 10c는 도 10a의 10C-10C 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 10d와 도 10e는 본 실시예의 노광에 이용하는 마스크의 모식도이다. 도 10d는 제2 노광 처리에 이용하는 마스크이며, 도 10e는 제1 노광 처리에 이용하는 마스크이다.
노광 조건은, 네거티브형 수지 재료의 막 두께가 80㎛인 경우를 가정하고 설정된다. 또한, 제1 실시예와 마찬가지로 스테퍼를 노광에 이용한다. 제2 노광 처리의 노광 조건은, NA가 0.63이고, σ가 0.30이고, 노광량이 5,500J이고, 포커스가 -75㎛이다. 제1 노광의 노광 조건은, NA가 0.45이고, σ가 0.30이고, 노광량이 5,500J이고, 포커스가 -40㎛이다.
막 두께가 80㎛인 경우, 막 두께를 감안해서 노광량은 5,000J이다.
본 실시예의 막 두께의 경우, 토출구의 직경 24㎛에 대하여, NA가 0.63이고, σ가 0.3이고, 포커스가 -75㎛인 노광 조건에서, 테이퍼 각은 7도가 된다. 또한, NA가 0.45이고, σ가 0.30이고, 포커스가 -40㎛인 노광 조건에서, 스트레이트 형상으로 된다. 전술한 제1 실시예의 테이퍼 각과 본 실시예의 테이퍼 각이 동일해도 노광 조건을 바꾸는 이유는, 막 두께에 따라 토출구의 단부의 형상이 변화하기 때문이다.
임의의 실시예들에 있어서도, 토출구들이 수직인 경우에 비해, 토출 특성의 향상이 관측된다. 본 발명에 따르면, 유체 저항이 감소된 토출구를 갖고, 또한 충분한 강도를 갖는 토출구 부재를 포함하는 액체 토출 헤드를 높은 수율로 제조할 수 있다.
본 발명은 실시예들을 참조하여 설명했지만, 본 발명은 개시된 실시예들로 한정되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 하기의 청구항들의 범위는 그러한 변형과, 등가의 구조 및 기능을 모두 포괄하도록 최광의의 해석에 따라야 한다.
1: 잉크 토출구
2: 유로 형성 부재
3: 밀착 향상층
4: 토출 에너지 발생 소자
7: 잉크 공급구

Claims (6)

  1. 액체를 토출하는 복수의 토출구가 배열 방향을 따라서 설치되어 있는 토출구 부재를 포함하는 액체 토출 헤드의 제조 방법이며,
    광경화성 수지를 함유하는 수지층이 설치된 기판을 준비하는 단계와,
    각각 상기 수지층을 노광하는 노광 처리인, 제1 노광 처리 및 제2 노광 처리를 수행하는 단계와,
    상기 제1 노광 처리 및 상기 제2 노광 처리가 행해진 상기 수지층에 상기 복수의 토출구를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 노광 처리에 의해 형성되는 토출구의 측벽의 상기 기판에 대한 경사각과, 상기 제2 노광 처리에 의해 형성되는 토출구의 측벽의 상기 기판에 대한 경사각이 상이하고,
    상기 토출구는 상기 배열 방향에 직교하는 직교 방향을 따른 측벽을 갖고,
    상기 제1 노광 처리는, 상기 토출구의 표면측 개구의 상기 배열 방향의 폭을 'a'로 나타내고, 상기 토출구의 이면측 개구의 상기 배열 방향의 폭을 'b'로 나타낼 경우, 비율 b/a가 1 이상이 되도록, 상기 직교 방향을 따른 측벽에 대응하는 상기 수지층의 부분을 노광하는 처리이며,
    상기 제2 노광 처리는, 상기 토출구의 표면측 개구의 상기 직교 방향의 폭을 'c'로 나타내고, 상기 토출구의 이면측 개구의 상기 직교 방향의 폭을 'd'로 나타낼 경우, 비율 d/c가 1보다 크게 되도록, 상기 직교 방향을 따른 측벽 이외의 측벽에 대응하는 상기 수지층의 부분을 노광하는 처리이며,
    상기 비율 d/c는 상기 비율 b/a보다 크고,
    상기 제1 노광 처리에 의해 형성되는 상기 직교 방향을 따른 측벽과, 상기 제2 노광 처리에 의해 형성되는 상기 직교 방향을 따른 측벽 이외의 측벽으로, 상기 복수의 토출구를 구성하는 1개의 토출구가 형성되는, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배열 방향에 수직인 면을 따라 절개한 상기 토출구의 단면의 형상은 테이퍼 형상인, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 직교 방향에 수직인 면을 따라 절개한 상기 토출구의 단면의 형상은 테이퍼 형상 및 사각 형상 중 하나인, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 폭 a와 상기 폭 b는, 각각, 상기 배열 방향에 수직이며 상기 토출구의 중심을 관통하는 면을 따라 절개한 상기 토출구의 단면의 형상에 있어서의 윗변의 폭과 아랫변의 폭이며,
    상기 폭 c와 상기 폭 d는, 각각, 상기 직교 방향에 수직이며 상기 토출구의 중심을 관통하는 면을 따라 절개한 상기 토출구의 단면의 형상에 있어서의 윗변의 폭과 아랫변의 폭인, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층은 네거티브형 감광성 수지로 형성되는, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 노광 처리에서는, 상기 직교 방향에 따른 측벽에 대응한 직선을 포함하는 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 상기 수지층의 노광을 행하고, 상기 제2 노광 처리에서는, 상기 직교 방향에 따른 측벽 이외의 측벽에 대응한 곡선을 포함하는 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 상기 수지층의 노광을 행하는, 액체 토출 헤드의 제조 방법.
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