KR101431595B1 - 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 - Google Patents
금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101431595B1 KR101431595B1 KR1020120048247A KR20120048247A KR101431595B1 KR 101431595 B1 KR101431595 B1 KR 101431595B1 KR 1020120048247 A KR1020120048247 A KR 1020120048247A KR 20120048247 A KR20120048247 A KR 20120048247A KR 101431595 B1 KR101431595 B1 KR 101431595B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- metal
- substrate
- nitride
- transfer sheet
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 26
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 42
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 7
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 4
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical group S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 2
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B9/041—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
- C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
- C23C16/0281—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating of metallic sub-layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.
Description
본 발명은 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 원하는 기재에 전사하는 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트에 관한 것이다.
최근의 액정 디스플레이(LCD)와 유기전자발광 디스플레이(OLED)를 비롯한 유연성(flexibilty) 및 투명성(transparency)을 갖춘 다양한 전자소자의 제조에는, 고분자 필름(polymer film), 유리(glass), 그래핀(graphene) 등을 주요 기질로 사용하여 절연층, 채널층, 전극층, 배선층, 보호층 등 다양한 기능의 박막층을 성장시켜 원하는 소자를 제조하고 있다.
그러나 기질이 고분자, 유리, 그래핀 등일 경우에는 낮은 내열성 때문에, 보다 향상된 소자 특성을 얻기 위한 고온 열처리나 도핑 등의 후속 공정을 수행하기가 어려운 문제가 있다.
따라서, 고분자, 유리, 그래핀 등과 같이 내열성이 낮은 기질에서 보다 향상된 소자 특성을 구현하기 위하여 새로운 방식의 소자 제조 방식이 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은 다양한 기재에 대해 원하는 두께를 갖는 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사하는 방법, 및 이에 사용되는 전사용 시트를 제공하는 것이다.
상기 목적에 따라, 본 발명은 (a) 제 1 기재 상에 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 황화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 금속계 박막을 형성하는 단계; (b) 형성된 금속계 박막 위에 고분자 지지층을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 기재를 제거하여 고분자 지지층과 금속계 박막이 적층된 전사용 시트를 수득하는 단계; (d) 상기 전사용 시트를 금속계 박막 면이 접하도록 제 2 기재에 접착시키는 단계; 및 (e) 상기 전사용 시트의 고분자 지지층을 제거하는 단계를 포함하는, 금속계 박막의 전사 방법을 제공한다.
상기 다른 목적에 따라, 본 발명은 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 황화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 금속계 박막, 및 상기 금속계 박막 위에 형성된 고분자 지지층을 포함하는, 금속계 박막의 전사용 시트를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 방법에 의해 전사된 금속계 박막을 포함하는, 전자 소자를 제공한다.
본 발명의 방법에 따르면, 금속 산화물/질화물/황화물 박막 형성이 어려운 기판 상에, 전사를 통해 용이하게 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 원하는 두께로 형성할 수 있으므로, 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 포함하는 그래핀 소자와 같은 다양한 전자 소자를 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법에 사용되는 전사용 시트를 제조하는 공정의 일례를 나타낸 것이다 (10: 금속 산화물/질화물/황화물 박막, 20: 고분자 지지층, 30: 기재).
도 2는 본 발명에 따라 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사하여 전극 소자를 제조하는 공정의 일례를 나타낸 것이다 (10: 금속 산화물/질화물/황화물 박막, 20: 고분자 지지층, 50: 하부 전극, 60: 지지체, 70: 상부 전극).
도 3은 본 발명에 따라 제조된 전사용 시트의 표면에 대해 전자현미경으로 얻은 이미지이다.
도 2는 본 발명에 따라 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사하여 전극 소자를 제조하는 공정의 일례를 나타낸 것이다 (10: 금속 산화물/질화물/황화물 박막, 20: 고분자 지지층, 50: 하부 전극, 60: 지지체, 70: 상부 전극).
도 3은 본 발명에 따라 제조된 전사용 시트의 표면에 대해 전자현미경으로 얻은 이미지이다.
이하, 본 발명에 따라 원하는 기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사시키는 방법을 보다 구체적으로 설명한다. 본 발명에서 전사의 대상으로 하는 "금속 산화물/질화물/황화물 박막"은 구체적으로는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 황화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 박막을 의미하는 것으로서, 이하 명세서에서는 이를 "금속계 박막"이라 간략히 칭한다.
전사용 시트의 제조
본 발명에 따르는 전사용 시트는, (a) 제 1 기재 상에 금속계 박막을 형성하는 단계; (b) 상기 금속계 박막 위에 고분자 지지층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 제 1 기재를 제거하여 금속계 박막 상에 고분자 지지층이 적층된 전사용 시트를 수득하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
상기 단계 (a)에 있어서, 금속계 박막이 형성되는 기재(제 1 기재)는 제거가 용이한 기재라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 금속 기재, 반도체 기재, 고분자 기재, 또는 이들이 조합된 기재가 가능하다.
예를 들어, 제 1 기재는, 사파이어(sapphire), 실리콘 등의 기질 상에, 구리, 니켈, 코발트, 스텐레스스틸 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 박막이, 스퍼터링법, 열증착법(thermal evaporation), 전자빔증착법(e-beam evaporation) 등의 방법에 의해 적절한 두께로 형성된 것일 수 있다.
또한, 금속계 박막은, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 황화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 박막이 가능하다.
구체적으로, 금속 산화물로는 산화알루미늄(Al2O3), 산화실리콘(SiO2), 산화아연(ZnO), 산화하프늄(HfO2), 산화지르코늄(ZrO2), 산화티타늄(TiO2), 산화주석 (SnO2), 또는 이들의 혼합물이 가능하다.
또한, 금속 질화물로는 질화갈륨(GaN), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN), 질화티타늄(TiN), 질화인듐(InN), 또는 이들의 혼합물이 가능하다.
또한, 금속 황화물로는 이황화몰리브덴(MoS2), 황화카드뮴(CdS), 황화아연(ZnS), 이황화텅스텐(WS2), 또는 이들의 혼합물이 가능하다.
또한, 상기 금속 박막 상에 금속계 박막을 형성하는 방법으로는 원자층증착법(ALD), 화학기상증착법(CVD), 화학적용액성장법(CBD), 잉크젯, 스핀코팅, 졸겔법, 인쇄공정(화학적 증착법), 스퍼터링법(물리적 증착법), 열 증착법 등이 가능하며, 예를 들어 원자층증착법(ALD)을 이용할 경우 균일하고 얇은 두께의 박막을 증착할 수 있다. 이때 증착되는 금속계 박막의 두께는 필요에 따라 조절할 수 있으며, 예를 들어 0.5nm 내지 5㎛ 범위가 가능하며, 보다 바람직하게는 10nm 내지 30nm 범위인 것이 좋다.
상기 단계 (b)에 있어서, 상기 금속계 박막 위에 형성되는 고분자 지지층은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 및 열박리성테이프(thermal release tape)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 예를 들어 PMMA 지지층을 형성할 경우 잔여 불순물이 적고 금속계 박막을 변형시키지 않아 유리하며, 이와 같이 PMMA의 경우 아세톤과 같은 유기 용매에 의해 쉽게 제거될 수 있도록 분자량(Mw)이 100,000 내지 500,000, 보다 바람직하게는 120,000 내지 350,000인 것이 좋다.
고분자 지지층의 형성 방법으로는, PMMA 지지층 또는 PDMS 지지층을 형성할 경우 스핀 코팅법(spin coating), 딥 코팅법(dip coating) 등이 가능하다. 예를 들어, 스핀 코팅법을 이용하여 500rpm으로 10초간 코팅 후 2000rpm으로 20초간 코팅하는 것에 의해, 수 ㎛의 균일한 두께의 고분자막을 형성할 수 있다. 또한, 코팅법을 이용할 경우 500 내지 3000 nm의 두께 범위로 코팅하는 것이 바람직하다.
이와 같이 형성된 고분자 지지층은 추후 금속계 박막과 함께 전사용 시트를 형성하며, 금속계 박막의 지지체 역할을 수행한다.
상기 단계 (c)에 있어서, 제 1 기재의 제거는 에칭 용액, 유기 용매 등에 의해 이루어질 수 있다.
예를 들어, 제 1 기재가 금속 소재일 경우에 에칭 용액을 사용할 수 있으며 , 구체적으로 염화철(III)(FeCl3) 수용액, 염산 수용액, 또는 이들의 혼합 용액이 가능하고, 특히 제 1 기재가 구리일 경우 0.5~1.5M 농도의 염화철(III) 수용액을 사용할 수 있다. 에칭 용액을 사용하는 경우 침지법을 적용할 수 있으며, 예를 들어 산이 섞여 있지 않은 염화철(III) 수용액으로 농도를 최대한 묽혀서 에칭 속도를 낮추면 금속계 박막에 영향을 주지 않고 에칭을 할 수 있다.
또한, 제 1 기재가 고분자 소재일 경우에 적절한 유기 용매를 사용하여 제거시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 전사용 시트를 제조하는 공정의 일례를 나타낸 것으로서, 이를 참조하여 설명하면, 먼저 기재(30, 제 1 기재) 상에 금속계 박막(10)을 증착하고(A1), 상기 금속계 박막(10) 상에 고분자 지지층(20)을 형성한 뒤(A2), 기재(30)를 제거함으로써(A3), 전사용 시트를 얻을 수 있다.
이로써 제조된 전사용 시트 중의 금속계 박막은 두께를 매우 얇게 제조하는 것이 가능하며, 예를 들어 금속계 박막은 10nm 내지 30nm의 두께를 가질 수 있다. 또한, 동시에 미세 구조상으로 매우 편평한(atomic-flat) 표면을 가질 수 있으며, 예를 들어 0.3nm 내지 1.5nm의 표면 거칠기(roughness), 보다 바람직하게는 0.5nm 내지 1nm 범위의 최소화된 표면 거칠기를 가질 수 있다.
제조된 전사용 시트는 이하의 단계에서 금속계 박막의 전사에 사용될 수 있으며, 기타 전자 소자의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사
앞서의 단계에서 제조된 전사용 시트를 이용하여, (d) 전사용 시트의 금속계 박막을 원하는 기재(제 2 기재)에 접착시키는 단계; 및 (e) 전사용 시트의 고분자 지지층을 제거하는 단계를 통해, 금속계 박막을 원하는 기재에 전사시킬 수 있다.
상기 단계 (d)에 있어서, 접착 공정은 특별히 한정되지는 않으나, 반데르발스 힘에 의한 접착이 가능하다. 예를 들어, 전사용 시트의 금속계 박막에 물을 적시고 기재에 접합시킨 뒤 건조를 통해 물을 증발시키면서 반데르발스 힘에 의해 접착되도록 하거나, 또는 약간의 물리적 힘을 가함으로써 접합시킬 수 있다.
또한 상기 단계 (e)에 있어서, 고분자 지지층을 제거하는 방법으로는 고분자 지지층의 종류에 따라 적절한 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들어, PMMA 지지층의 경우 아세톤과 같은 유기 용매로 녹여 제거할 수 있고, 지지층으로서 열박리성테이프를 사용하였을 경우에는 열을 가함으로써 제거할 수 있다.
상기 단계 (e) 이후에 추가로 상기 단계 (a) 내지 (e)를 1회 이상 반복하여, 상기 제 2 기재 상에 상기 금속계 박막을 복수개 전사할 수 있다.
상기 단계 (e) 이후에 추가로 상기 단계 (a) 내지 (e)를 1회 이상 반복하여, 상기 제 2 기재 상에 상기 금속계 박막을 복수개 전사할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 방법에 의하면, 종래에는 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 부가하기가 어려웠던 부분에도 용이하고 간단한 절차로 부가할 수 있으며, 박막의 표면 거칠기가 매우 낮아서 그래핀 등의 전극 상에 부가하는 것이 가능하므로, 박막트랜지스터(TFT)나 가요성(flexible) 기판과 같은 전자 소재를 효율적으로 제조할 수 있다.
도 2는 본 발명의 전사 방법을 이용하여 전자 소자를 제조하는 공정의 일례를 나타낸 것으로서, 이를 참조하여 설명하면, 먼저 지지체(60) 상에 전극(50, 하부전극)이 형성된 기재(제 2 기재)를 준비하고(B1), 상기 기재(제 2 기재)의 전극(50) 상에 고분자 지지층(20)과 금속계 박막(10)이 적층된 전사용 시트를 접착한 뒤(B2), 고분자 지지층(20)을 제거함으로써 금속계 박막(10)의 전사를 완료할 수 있다(B3).
또한 필요한 경우, 상기 전사된 금속계 박막(10) 상에 추가적인 전극(70, 상부 전극)을 전사하여 다양한 전자 소자를 제조할 수 있다(B4).
따라서, 본 발명은 상기 전사용 시트를 사용하는 전사 방법에 의해 전사된 금속계 박막(금속 산화물/질화물/황화물 박막)을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
예를 들어, 지지체 위에 형성된 전극 상에 금속계 박막을 전사하고 그 위에 추가적인 패턴 등을 형성하거나 추가적인 기판, 필름 등을 적층함으로써 전자 소자를 완성할 수 있다.
이 때 상기 전자 소자는 그래핀(graphene), 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전극 또는 채널층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 전자 소자를 구성하는 지지체, 기판, 및 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리이미드(polyimide) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함할 수 있다.
특히, 본 발명은 전극으로서 그래핀(graphene)을 사용하는 그래핀 전자 소자를 제공하며, 이 때 전극의 지지체로서 PET와 같은 가요성 필름을 사용할 경우 유연한(flexible) 그래핀 전자 소자의 제조가 가능하다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 보다 상세히 설명한다. 단 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1: 전사용 시트의 제조
사파이어(sapphire) 기재 상에 구리 박막을 스퍼터링법에 의해 500nm의 두께로 증착하였다(증착 조건 - 전원: 2W, 시간: 3시간, 증착 속도: 4nm/분). 이후, 상기 구리 박막 상에 산화알루미늄(Al2O3) 박막을 원자층증착법(ALD; atomic layer deposition)에 의해 30nm의 두께로 증착하였다 (증착 조건 - Al source: TMA, O(산소) source: 물, 증착 기판 온도: 200℃, 1 cycle: Ar-TMA-Ar-H2O).
증착된 산화 알루미늄 박막 위에 PMMA(Mw:350,000)를 스핀코팅법에 의해 2,000nm의 두께로 코팅하였다.
수득한 PMMA 지지층이 형성된 기판을 에칭 용액(1M FeCl3 수용액)에 담가 구리를 완전히 녹여냄으로써, PMMA 지지층과 산화알루미늄 박막이 적층된 전사용 시트를 분리해 내었다.
도 3은 실시예 1에서 얻은 전사용 시트의 산화알루미늄 박막 표면에 대해 얻은 전자현미경 이미지로서, RMS 거칠기값(root-mean-square roughenss)이 1.176 nm으로 측정되었다.
실시예 2: 산화알루미늄 박막이 전사된 전자 소자의 제조
(1) 하부 전극의 전사
구리 호일 위에 그래핀 박막을 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 형성하였다. 상기 형성된 그래핀 박막 상에 PMMA 지지층을 스핀코팅법에 의해 형성하였다. 이를 에칭 용액인 1M FeCl3 수용액에 담가 구리를 녹여낸 후, 그래핀 박막 상에 잔류하는 에칭 용액을 증류수로 씻어내었다.
이로써 제조된 그래핀 박막을 포함하는 시트를 PET 필름 상에 접착시킨 뒤, 아세톤으로 PMMA 지지층을 녹여 제거하였다. 그 결과, PET 필름 상에 하부 전극으로서 PET 필름과 거의 유사한 대면적(large-area)의 그래핀이 전사된 기판을 얻었다.
(2) 산화알루미늄 박막의 전사
실시예 1에서 제조한 전사용 시트를 물에 적신 뒤, 앞서 얻은 기판의 그래핀 위에 접합시켰다. 이를 기울인 상태로 자연 건조시켜, 물이 증발되면서 그래핀과 산화알루미늄 박막이 반데르발스 힘에 의해 접착되도록 하였다. 건조가 끝나면 100℃의 온도로 20분간 열을 가하여 물기를 완전히 제거하면서 접착력을 높였다. 이후, 아세톤을 이용하여 PMMA 지지층을 제거함으로써 산화알루미늄 박막의 전사를 완료하였다.
(3) 상부 전극의 전사
전사된 산화알루미늄 박막 상에 상부 전극으로서 다수의 소면적(small-area) 그래핀을 전사함으로써, 그래핀 전자 소자를 완성하였다.
이상, 본 발명을 상기 실시예를 중심으로 하여 설명하였으나 이는 예시에 지나지 아니하며, 본 발명은 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 다양한 변형 및 균등한 기타의 실시예를 이하에 첨부한 청구범위 내에서 수행할 수 있다는 사실을 이해하여야 한다.
10: 금속계(금속 산화물/질화물/황화물) 박막 20: 고분자 지지층
30: 기재(제 1 기재) 50: 하부 전극
60: 지지체 70: 상부 전극
30: 기재(제 1 기재) 50: 하부 전극
60: 지지체 70: 상부 전극
Claims (15)
- (a) 제 1 기재 상에 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 황화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 금속계 박막을 형성하는 단계;
(b) 상기 금속계 박막 위에 고분자 지지층을 형성하는 단계;
(c) 상기 제 1 기재를 제거하여 고분자 지지층과 금속계 박막이 적층된 전사용 시트를 수득하는 단계;
(d) 상기 전사용 시트를 금속계 박막 면이 접하도록 제 2 기재에 접착시키는 단계; 및
(e) 상기 전사용 시트의 고분자 지지층을 제거하는 단계를 포함하며,
이때 상기 단계 (d)의 접착이, 접착층의 사용없이, 상기 전사용 시트의 금속계 박막 면에 물을 적시고 금속계 박막을 제 2 기재에 접합시킨 뒤 건조를 통해 물을 증발시키면서 반데르발스 힘에 의해 접착시킨 후 가열하여 물기를 제거하는 것임을 특징으로 하는, 금속계 박막의 전사 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 (e) 이후에 추가로 단계 (a) 내지 (e)를 1회 이상 반복하여,
상기 제 2 기재 상에 상기 금속계 박막을 복수개 전사하는 것을 특징으로 하는, 금속계 박막의 전사 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 (a)에서
상기 금속 산화물이 산화알루미늄(Al2O3), 산화실리콘(SiO2), 산화아연(ZnO), 산화하프늄(HfO2), 산화지르코늄(ZrO2), 산화티타늄(TiO2), 산화주석 (SnO2) 및 이들의 혼합물로부터 선택되고;
상기 금속 질화물이 질화갈륨(GaN), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN), 질화티타늄(TiN), 질화인듐(InN), 및 이들의 혼합물로부터 선택되고;
상기 금속 황화물이 이황화몰리브덴(MoS2), 황화카드뮴(CdS), 황화아연(ZnS), 이황화텅스텐(WS2), 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 금속계 박막의 전사 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 (a)에서 금속계 박막의 형성이 원자층증착법(ALD), 화학기상증착법(CVD), 화학적용액성장법(CBD), 잉크젯, 스핀코팅, 졸겔법, 인쇄공정, 스퍼터링법, 또는 열 증착법에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는, 금속계 박막의 전사 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 (b)에서 고분자 지지층이 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 및 열박리성테이프(thermal release tape)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 금속계 박막의 전사 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 (c)에서 제 1 기재의 제거가 에칭 용액 또는 유기 용매에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는, 금속계 박막의 전사 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 단계 (b)에서 고분자 지지층이 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)이고,
상기 단계 (e)에서 유기 용매에 의해 고분자 지지층을 제거하는 것을 특징으로 하는, 금속계 박막의 전사 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항 내지 제 6 항 및 제 8 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 전사된 금속계 박막을 포함하는, 전자 소자.
- 제 14 항에 있어서,
상기 전자 소자가 그래핀(graphene) 소재의 전극 또는 채널층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전자 소자.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120048247A KR101431595B1 (ko) | 2012-05-07 | 2012-05-07 | 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 |
| PCT/KR2013/003961 WO2013168968A1 (ko) | 2012-05-07 | 2013-05-07 | 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120048247A KR101431595B1 (ko) | 2012-05-07 | 2012-05-07 | 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130124820A KR20130124820A (ko) | 2013-11-15 |
| KR101431595B1 true KR101431595B1 (ko) | 2014-08-22 |
Family
ID=49550941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120048247A KR101431595B1 (ko) | 2012-05-07 | 2012-05-07 | 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101431595B1 (ko) |
| WO (1) | WO2013168968A1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200041064A (ko) * | 2018-10-11 | 2020-04-21 | 성균관대학교산학협력단 | 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법 |
| KR102265089B1 (ko) * | 2019-12-17 | 2021-06-14 | 순천대학교 산학협력단 | 전도성 제어가 가능한 그래핀 합성방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102338593B1 (ko) * | 2017-03-24 | 2021-12-14 | 서울대학교산학협력단 | 기능성 콘택트 렌즈 및 이의 제조방법 |
| US10867768B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-12-15 | Uchicago Argonne, Llc | Enhanced electron amplifier structure and method of fabricating the enhanced electron amplifier structure |
| CN111933650B (zh) * | 2020-07-22 | 2022-10-14 | 华中科技大学 | 一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184959A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Sharp Corp | 機能素子の転写方法および機能性パネル |
| KR20060020427A (ko) * | 2004-08-31 | 2006-03-06 | 한국과학기술원 | 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의전이방법 |
| JP2008243831A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Nippon Denki Kagaku Co Ltd | 薄膜素子の転写方法及び転写体 |
| KR20090129176A (ko) * | 2008-06-12 | 2009-12-16 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트로부터 탄소화 촉매를 제거하는 방법, 탄소화촉매가 제거된 그라펜 시트를 소자에 전사하는 방법, 이에따른 그라펜 시트 및 소자 |
-
2012
- 2012-05-07 KR KR1020120048247A patent/KR101431595B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-05-07 WO PCT/KR2013/003961 patent/WO2013168968A1/ko active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184959A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Sharp Corp | 機能素子の転写方法および機能性パネル |
| KR20060020427A (ko) * | 2004-08-31 | 2006-03-06 | 한국과학기술원 | 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의전이방법 |
| JP2008243831A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Nippon Denki Kagaku Co Ltd | 薄膜素子の転写方法及び転写体 |
| KR20090129176A (ko) * | 2008-06-12 | 2009-12-16 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트로부터 탄소화 촉매를 제거하는 방법, 탄소화촉매가 제거된 그라펜 시트를 소자에 전사하는 방법, 이에따른 그라펜 시트 및 소자 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200041064A (ko) * | 2018-10-11 | 2020-04-21 | 성균관대학교산학협력단 | 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법 |
| KR102253452B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2021-05-18 | 성균관대학교산학협력단 | 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법 |
| KR102265089B1 (ko) * | 2019-12-17 | 2021-06-14 | 순천대학교 산학협력단 | 전도성 제어가 가능한 그래핀 합성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013168968A1 (ko) | 2013-11-14 |
| KR20130124820A (ko) | 2013-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102513763B1 (ko) | 그래핀의 제조 및 전사 방법 | |
| KR101431595B1 (ko) | 금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 | |
| Li et al. | High-resolution organic light-emitting diodes patterned via contact printing | |
| KR101295664B1 (ko) | 안정한 그래핀 필름 및 그의 제조 방법 | |
| US20160137507A1 (en) | Large-area graphene transfer method | |
| KR101063361B1 (ko) | 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 | |
| CN102386329B (zh) | 一种柔性电子器件的制作方法 | |
| US20120261167A1 (en) | Transparent Electrodes, Electrode Devices, and Associated Methods | |
| KR20120006844A (ko) | 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 | |
| KR100951946B1 (ko) | 투명하고 플렉서블한 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 및이의 제조방법 | |
| CN107635918B (zh) | 石墨烯掺杂方法、石墨烯复合电极制造方法和包含其的石墨烯结构 | |
| KR101712003B1 (ko) | 2d 적층형 복합구조 쌍안정성 비휘발성 메모리 소자 및 그 제작 방법 | |
| Kim et al. | Organic thin-film transistors with short channel length fabricated by reverse offset printing | |
| TWI712175B (zh) | 薄膜電晶體及其製造方法 | |
| Sun et al. | Electrochemical bubbling transfer of graphene using a polymer support with encapsulated air gap as permeation stopping layer | |
| TW201626872A (zh) | 可撓基板製備方法 | |
| Na et al. | Plasma polymerization enabled polymer/metal–oxide hybrid semiconductors for wearable electronics | |
| KR101299597B1 (ko) | 유기 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| WO2010137664A1 (ja) | アルキルシラン積層体及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ | |
| KR20160130017A (ko) | 투명전극의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명전극 | |
| Ko et al. | Ultrathin, Flexible, and Transparent Oxide Thin‐Film Transistors by Delamination and Transfer Methods for Deformable Displays | |
| JP5807738B2 (ja) | 有機トランジスタの製造方法、有機トランジスタ、半導体装置の製造方法、半導体装置および電子機器 | |
| KR102072888B1 (ko) | 산화 그래핀을 적용한 그래핀의 도핑 방법 및 그 도핑된 그래핀 | |
| KR102183047B1 (ko) | 산화 그래핀을 적용한 그래핀의 도핑 방법 및 그 도핑된 그래핀 | |
| WO2017112932A1 (en) | Patterning and inverted deposition engineering for solution-processed electrodes and semiconducting films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170801 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180627 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190711 Year of fee payment: 6 |