KR101399266B1 - 표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

표시장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 표시장치의 제조방법은 제 1 기판의 유효 디스플레이 영역에 컬러필터를 형성하는 단계, 예비 평탄화막을 형성하는 단계, 예비 평탄화막 상에 예비 컬럼 스페이서를 형성하는 단계, 예비 평탄화막 및 예비 컬럼 스페이서를 경화시켜 평탄막 및 컬럼 스페이서를 함께 형성하는 단계, 제 2 기판 상에 표시 소자를 형성하는 단계 및 밀봉부재를 이용하여 제 1기판 및 제 2기판을 결합하는 단계를 포함한다. 예비 평탄화막과 예비 컬럼스페이서이 한번의 공정으로 경화되기 때문에 공정에 소모되는 시간과 비용이 절감되는 효과가 있다.
Figure R1020070031650
표시장치, 평탄화막, 열경화, 반응성 메소겐

Description

표시장치 및 이의 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계형 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
도 2은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 횡전계형 액정표시장치의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 제 1 기판 110 : 블랙매트릭스 패턴
120 : 컬러필터 패턴 130a : 예비 평탄화막
130 : 평탄화막 140a : 예비 컬럼스페이서
140 : 컬럼스페이서 200 : 제 2 기판
300 : 액정층 400 : 밀봉부재
본 발명은 표시장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 제조 공정수를 감소시킨 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 정보 통신의 발달로 인하여 고휘도, 대화면, 저소비전력 및 저가격화 를 실현할 수 있는 액정표시장치가 주목을 받고 있다.
상기 액정표시장치는 컬러필터 기판, 액정층, TFT 기판 및 컬러필터 기판과 TFT 기판을 결합하는 실 접착제를 포함한다.
상기 컬러필터 기판은 블랙 매트릭스, 컬러필터, 평탄화막 및 컬럼 스페이서를 포함한다.
상기 블랙매트릭스는 평면 상에서 보았을 때, 격자 구조를 갖고, 격자 구조를 갖는 블랙매트릭스에 의하여 컬러필터 기판들에는 개구들이 형성된다.
상기 컬러필터는 상기 개구에 배치된다. 상기 컬러필터는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터를 포함한다. 상기 각각의 컬러필터는 백색광을 필터링하여 적색광, 녹색광 및 청색광을 발생한다.
상기 평탄화막은 상기 블랙매트릭스 및 상기 컬러필터를 덮는다. 상기 평탄화막은 상기 컬러필터 기판을 평탄하게 한다.
상기 컬럼 스페이서는 상기 평탄화막 상에 배치되며, 상기 컬러필터 기판과 상기 TFT 기판 사이의 셀 갭(cell gap)을 일정하게 유지한다.
상기 컬러필터 기판의 상기 평탄화막을 형성하기 위해서는 먼저 컬러필터 기판에 평탄화 물질을 도포한 후 열경화 공정에 의해서 평탄화 물질을 경화시켜 평탄화 막을 형성한다.
상기 컬러필터 기판의 컬럼 스페이서를 형성하기 위해서, 상기 평탄화막 상에 컬럼 스페이서를 형성하기 위한 유기물로 이루어진 유기막을 형성한 후 유기막을 패터닝한 후 경화시켜 컬러스페이서를 형성한다. 이와 같이, 컬러필터 기판의 상기 평탄화막 및 컬럼 스페이서를 형서하기 위해서는 두번의 패터닝 공정 및 두번의 열경화 공정을 필요로 하기 때문에 컬러필터 기판을 제조하는데 많은 시간이 소요되는 문제점을 갖는다.
본 발명의 하나의 목적은 제조 공정을 감소시킨 표시장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시장치의 제조 방법에 의하여 제조된 표시장치를 제공함에 있다.
본 발명은 하나의 목적을 구현하기 위한 표시장치의 제조 방법은 영상이 표시되는 제 1 기판의 유효 디스플레이 영역에 컬러필터를 형성하는 단계, 상기 제 1 기판에 예비 평탄화막을 형성하는 단계, 상기 예비 평탄화막 상에 예비 컬럼 스페이서를 형성하는 단계, 상기 예비 평탄화막 및 상기 예비 컬럼 스페이서를 경화시켜 평탄막 및 컬럼 스페이서를 함께 형성하는 단계, 제 2 기판상에 표시 소자를 형성하는 단계, 및 밀봉부재를 이용하여 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 결합하는 단계를 포함한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 표시장치를 제공한다. 상기 표시장치는 영상이 표시되는 유효 디스플레이 영역과 상기 유효 디스플레이 영역의 주변에 형성된 실패턴 영역을 가진 제 1 기판, 상기 유효 디스플레이 영역에 형성된 컬러 필터, 상기 실패턴 영역을 노출하며 상기 컬러 필터를 덮는 평탄화막, 상 기 평탄화막 상에 형성된 컬럼 스페이서, 상기 실패턴 영역에 형성된 밀봉부재, 및 상기 밀봉부재에 의하여 상기 제 1 기판에 합착되는 제 2 기판을 포함한다.
이하, 본 발명에 의한 표시장치의 제조 방법 및 표시장치가 도면에 의해서 상세하게 설명된다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께들은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
실시예 1
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 횡전계형 액정표시장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 제 1 기판(100) 상에는 컬러필터(11)가 형성된다. 상기 컬러필터(11)는 블랙매트릭스 패턴(110) 및 컬러필터 패턴(120)을 포함한다.
상기 블랙매트릭스 패턴(110)은 상기 제 1 기판(100) 중 영상이 표시되는 유효 디스플레이 영역(effective display region;EDR) 상에 형성된다. 상기 블랙매트릭스 패턴(110)을 형성하기 위해서는 먼저 상기 제 1 기판(100) 상에 감광물질을 포함하는 차광막을 형성하고, 상기 차광막을 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정을 이용하여 패터닝한다. 이후 평면상에서 보았을 때 격자 형상으로 패터 닝된 상기 블랙매트릭스 패턴(110)은 열 및/또는 광에 의하여 경화될 수 있다. 상기 차광 물질은 감광물질을 포함하는 블랙 레진(black resin)이다.
한편, 상기 블랙매트릭스 패턴(110)을 형성하기 위한 다른 방법은 다음과 같다.
상기 블랙매트릭스 패턴(110)을 형성하기 위해서는 먼저 상기 제 1 기판(100) 상에 불투명 금속막을 형성하고, 상기 불투명 금속막 상에 포토레지스트 필름을 형성한다. 상기 포토레지스트 필름은 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝되어 상기 불투명 금속막 상에는 포토레지스트 패턴이 형성된다. 이후 상기 불투명 금속막은 상기 포토레지스트 패턴이 식각 마스크로 이용되어 패터닝되고, 상기 제 1 기판(100) 상에는 격자 형상을 갖는 상기 블랙매트릭스 패턴(110)이 형성된다. 상기 블랙매트릭스 패턴(110)이 형성된 후, 상기 블랙매트릭스 패턴(110)을 덮는 상기 포토레지스트 패턴은 애싱 공정 및/또는 스트립 공정에 의하여 제거된다.
상기 컬러필터 패턴(120)은 상기 블랙매트릭스 패턴(110)에 의해서 형성된 각 개구마다 형성된다.
도 1b를 참조하면, 상기 컬러필터(11)가 형성된 상기 제 1 기판(100) 상에는 전면적에 걸쳐 예비 평탄화막(130a)이 형성된다. 상기 예비 평탄화막(130a)은 광학 특정을 개선하기 위한 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함한다.
예비 평탄화막(130a)를 형성하기 위해서는 유기물 및 상기 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 혼합한 평탄화 물질을 상기 제 1 기판(100) 상에 도포한 후, 상기 평탄화 물질에 자외선을 조사하여 1 차적으로 경화시킨다.
도 1c를 참조하면, 상기 제 1 기판(100) 상에 상기 예비 평탄화막(130a)를 형성한 후, 상기 예비 평탄화막(130a) 상에 예비 컬럼 스페이서(140a)를 형성하기 위해 감광물질을 포함하는 유기막을 도포한다.
상기 예비 평탄화막(130a) 상에 상기 유기막을 도포한 후 감광물질을 포함하는 상기 유기막은 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝 되어, 상기 예비 평탄화막(130a) 상에는 상기 예비 컬럼 스페이서(140a)가 형성된다. 상기 예비 컬럼 스페이서(140a)는 상기 블랙매트릭스(110)패턴 상에 형성된다.
도 1d를 참조하면, 상기 예비 평탄화막(130a) 상에 상기 예비 컬럼 스페이서(140a)를 형성한 후, 상기 유효 디스플레이 영역(EDR)의 주변에 형성된 실패턴 영역(seal pattern region;SPR) 상에 배치된 예비 평탄화막(130b)은 제 1 기판(100)으로부터 제거된다. 상기 실패턴 영역(SPR) 상에 배치된 상기 예비 평탄화막(130b)은 상기 실패턴(SPR) 영역에 상기 예비 평탄화막(130b)을 식각하기 위해 분사된 식각액에 의하여 제거될 수 있다.
도 1e를 참조하면, 상기 실패턴 영역(SPR)에 대응하는 상기 예비 평탄화막(130b)이 상기 제 1 기판(100)으로부터 제거된 후, 상기 예비 평탄화막(130a) 및 상기 예비 컬럼 스페이서(140a)는 약 220℃ 내지 약 230℃의 온도에서 함께 열경화 되어, 상기 제 1 기판(100) 상에는 평탄화막(130) 및 컬럼 스페이서(140)가 함께 형성된다.
상기 평탄화막(130)은 상기 컬러필터(11)가 형성된 상기 제 1 기판(100)을 평탄하게 한다. 또한, 상기 평탄화막(130)에 상기 반응성 메소겐(reactive mesogen)이 포함되어 있기 때문에, 상기 평탄화막(130)은 상기 컬러필터 패턴(120)을 통과하는 광의 위상차를 보상해준다.
상기 컬럼스페이서(140)는 상기 제 1 기판(100) 및 표시소자(21)가 형성된 제 2 기판(200) 사이의 셀 갭(cell gap)을 유지시킨다.
상기 제 2 기판(200)에 상기 표시소자(21)를 형성하기 위해서, 상기 제 2 기판(200) 상에는 게이트 전극(211)을 갖는 게이트 배선(미도시) 및 상기 게이트 배선에 평행되도록 배치되며 빗(comb) 형상을 갖는 공통 전극(214)을 포함하는 공통배선(미도시)이 함께 형성된다.
상기 제 2 기판(200) 상에 상기 게이트 배선 및 상기 공통 배선을 형성하기 위해서, 상기 제 2 기판(200) 상에는 전면적에 걸쳐 게이트 금속막이 형성된다. 상기 게이트 금속막을 이루는 물질의 예로서는 알루미늄, 알루미늄 합금 등을 들 수 있다. 상기 게이트 금속막은 화학 기상 증착 공정(CVD) 또는 스퍼터링 공정에 의하여 형성될 수 있다.
상기 게이트 금속막이 형성된 후, 상기 게이트 금속막 상에는 포토레지스트 필름이 형성된다. 상기 포토레지스트 필름은 스핀 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정 등에 의하여 형성될 수 있다.
상기 포토레지스트 필름이 상기 게이트 금속막 상에 형성된 후, 상기 포토레지스트 필름은 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 패터닝 되어, 상기 제 2 기판(200) 상에는 상기 게이트 배선 및 상기 공통 배선과 동일한 형 상을 갖는 포토레지스트 패턴이 형성된다.
이후, 상기 포토레지스트 패턴이 식각 마스크로 사용되어, 상기 게이트 금속막은 패터닝 되고, 상기 제 2 기판(200) 상에는 상기 게이트 전극(211)을 갖는 상기 게이트 배선 및 상기 공통 전극(214)을 갖는 상기 공통 배선이 형성된다.
상기 제 2 기판(200) 상에는 게이트 절연막(217)이 형성되고, 상기 게이트 배선 및 상기 공통 배선은 상기 게이트 절연막(217)에 의하여 덮인다.
상기 게이트 절연막(217) 상에는 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon) 패턴(212a) 및 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b)으로 이루어진 채널 패턴(212)이 형성된다. 상기 채널 패턴(212)를 형성하기 위해서, 상기 게이트 절연막(217) 상에는 아몰퍼스 실리콘 박막(미도시) 및 불순물이 고농도 이온주입된 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막(미도시)이 순차적으로 증착된다. 이후, 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막 상에는 전면적에 걸쳐 포토레지스트 필름이 형성되고, 상기 포토레지스트 필름은 포토 공정에 의하여 패터닝되어 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막 상에는 포토레지스트 패턴이 형성된다.
이후, 상기 포토레지스트 패턴이 식각 마스크로 사용되어, 상기 아몰퍼스 실리콘 박막 및 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막은 패터닝 되고, 상기 게이트 절연막(217) 상에는 상기 채널 패턴(212)이 형성된다. 상기 채널 패넌(212)의 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b)은 상기 아몰포스 실리콘 패턴(212a) 상에 한 쌍이 상호 소정의 간격으로 이격 되어 배치된다.
상기 게이트 절연막(217) 상에는 소오스 전극(213a)을 갖는 데이터 배선(미 도시) 및 드레인 전극(213b)이 형성된다. 상기 데이터 배선 및 상기 드레인 전극(213a)을 형성하기 위해서, 상기 게이트 절연막(217) 상에는 전면적에 걸쳐 소오스/드레인 금속막이 형성되고, 상기 소오스/드레인 금속막 상에는 포토레지스트 필름이 형성된다. 상기 포토레지스트 필름은 포토 공정에 의하여 패터닝 되어 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴이 식각 마스크로 사용되어, 상기 소오스/드레인 금속막은 패터닝 되고, 상기 게이트 절연막(217) 상에는 상기 데이터 배선 및 상기 드레인 전극(213b)이 각각 형성된다. 상기 데이터 배선의 상기 소오스 전극(213a)은 어느 하나의 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b)과 전기적으로 접속되고, 나머지 하나의 상기 n+ 아몰포스 실리콘 패턴(212b)은 상기 드레인 전극(213b)과 전기적으로 접속된다.
상기 데이터 배선 및 상기 드레인 전극(213b)이 형성된 후, 상기 데이터 배선 및 상기 드레인 전극(212b)을 덮는 보호막(216)이 형성된다. 상기 보호막(216)은 산화막 또는 질화막일 수 있고, 상기 보호막(216)은 상기 드레인 전극(213b)의 일부를 노출하는 콘택홀을 포함한다.
상기 보호막(216)이 형성된 후, 상기 보호막(216) 상에는 전면적에 걸쳐 투명하면서 도전성을 갖는 투명 도전막(미도시)이 형성된다. 상기 투명 도전막 상에는 포토레지스트 필름이 형성되고, 상기 포토레지스트 필름은 포토 공정에 의하여 패터닝되어 상기 투명 도전막 상에는 포토레지스트 패턴이 형성된다.
상기 포토레지스트 패턴이 식각 마스크로 이용되어, 상기 투명 도전막은 패터닝 되고, 상기 보호막(216) 상에는 화소 전극(215)이 형성되고, 상기 화소전 극(215)의 일부는 노출된 상기 드레인 전극(213b)과 전기적으로 연결된다.
상기 화소전극(215)은 평면상에서 보았을 때, 빗 형상을 갖고, 상기 화소 전극(215) 및 상기 공통 전극(214)은 교대로 형성된다. 한편, 상기 화소전극(215) 및 상기 공통 전극(214)은 시야각을 개선하기 위해, 평면상에서 보았을 때, 지그재그 형상을 가질 수 있다.
밀봉부재(400)는 상기 실패턴 영역(SPR)을 따라 형성되고, 상기 제 1 기판(100) 및 상기 제 2 기판(200)은 상기 밀봉부재(400)에 의해서 결합된다. 이와는 다르게 상기 실패턴 영역(SPR)에 대향하는 상기 제 2 기판(200)의 영역에 상기 밀봉부재(400)가 형성되고 상기 제 1 기판(100) 및 상기 제 2 기판(200)이 상기 밀봉부재(400)에 의해서 결합될 수 있다.
상기 실패턴 영역(SPR)이 노출되어 있기 때문에 상기 제 1 기판(100) 및 상기 밀봉부재(400)의 결합력이 증대된다.
실시예 2
도 2은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 횡전계형 액정표시장치의 단면도이다.
도 2을 참조하면, 상기 횡전계형 액정표시장치는 제 1 기판(100), 제 2 기판(200), 액정층(300) 및 밀봉부재(400)을 포함한다. 상기 제 1 기판(100) 및 상기 제 2 기판(200)은 일정한 간격으로 이격되어 마주보며 배치된다. 상기 액정층(300)은 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 개재된다. 상기 밀봉부재(400)는 상기 1기판 및 상기 제 2 기판을 합착시킨다.
상기 제 1 기판(100)은 영상이 표시되는 유효디스플레이 영역(effective display region;EDR) 및 상기 유효디스플레이 영역(EDR)의 주변에 형성된 실패턴 영역(seal pattern region;SPR)을 포함한다.
상기 제 1 기판의 내측면의 상기 유효디스플레이 영역(EDR)에 컬러필터(11)가 배치된다. 상기 컬러필터(11)는 블랙매트릭스 패턴(110) 및 컬러필터 패턴(120)을 포함한다.
상기 블랙매트릭스 패턴(110)은 평면 상에서 보았을 때, 격자 구조를 갖고, 격자 구조를 갖는 상기 블랙매트릭스 패턴(110)에 의하여 상기 컬러필터(11)에는 개구들이 형성된다. 상기 블랙매트릭스 패턴(110)의 재료는 크롬, 산화 크롬, 크롬/산화크롬 이중막 및 블랙 레진(black resin)일 수 있다.
상기 컬러필터 패턴(120)은 상기 개구에 배치된다. 상기 컬러필터 패턴(120)의 에지는 상기 블랙매트릭스 패턴(110)의 에지에 오버랩된다. 상기 컬러필터 패턴(120)은 적색 컬러필터 패턴(미도시), 녹색 컬러필터 패턴(미도시) 및 청색 컬러필터 패턴(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 적색 컬러필터 패턴은 백색광을 필터링 하여 적생광을 발생시키고, 상기 녹색 컬러필터 패턴은 백색광을 필터링하여 녹색광을 발생시키고, 상기 청색 컬러필터 패턴은 백색광을 필터링하여 청색광을 발생시킨다.
평탄화막(130)은 상기 컬러 필터(11)가 배치된 상기 제 1 기판의 내측면 상에 상기 실패턴 영역(SPR)이 노출되어 배치된다. 상기 평탄화막(130)은 상기 컬러필터(11)에 의해 발생된 단차를 제거한다. 상기 평탄화막(130)은 광학적 특성을 개 선하기 위한 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함한다. 상기 평탄화막(130)은 상기 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함하기 때문에 상기 컬러필터(11)를 통과하는 광의 위상차를 보상해준다.
컬럼 스페이서(140)가 상기 평탄화막(130) 상에 배치된다. 상기 컬럼 스페이서는 상기 제 1 기판(100) 및 상기 제 2 기판(200) 사이의 셀 갭(cell gap)을 유지 시킨다.
밀봉부재(400)는 상기 평탄화막(130)이 노출된 상기 실패턴 영역(SPR)을 따라 배치된다. 이는 상기 밀봉부재(400)와 상기 제 1 기판(100)의 접착력이 상기 밀봉부재(400)와 상기 평탄화막(130)의 접착력보다 크기 때문이다. 상기 밀봉부재(400)는 상기 제 1기판(200)과 상기 제 2 기판을 결합시킨다.
상기 제 2 기판(200)의 내측면에 표시소자(21)가 배치된다. 상기 표시소자(21)는 상기 컬러필터(11)를 통과하는 빛의 양을 조절한다. 상기 표시소자(21)는 게이트 배선(미도시), 공통 배선(미도시), 공통 전극(214), 게이트 절연막(217), 데이터 배선(도면 미도시), 박막트랜지스터(Tr), 화소 전극(215) 및 보호막(216)을 포함한다.
상기 게이트 배선은 상기 제 2 기판(200)의 내측면에 일 방향으로 상기 블랙매트릭스 패턴(110)에 대향되는 영역에 배치된다. 상기 게이트 배선을 이루는 물질의 예로서는 알루미늄, 알루미늄 합금 등을 들 수 있다.
상기 공통 배선은 상기 게이트 배선에 평행하게 상기 제 2 기판의 내측면에 배치된다. 상기 공통 배선을 이루는 물질의 예로서는 알루미늄, 알루미늄 합금, 구 리 등의 전기 저항이 낮은 금속을 들 수 있다.
상기 공통 전극(214)은 상기 공통 배선에서 분기되어 배치되며, 상기 공통 전극(214)을 이루는 물질은 상기 공통 배선을 이루는 물질과 같다.
상기 게이트 절연막(217)은 상기 게이트 배선, 상기 게이트 배선에서 분기된 게이트 전극(211), 상기 공통 배선 및 상기 공통전극(214)을 덮는다. 상기 게이트 절연막(217)을 이루는 물질의 예로서는 실리콘 질화물(SiNx) 등을 들 수 있다.
상기 데이터 배선은 상기 게이트 배선에 수직한 방향으로 상기 블랙매트릭스 패턴(110)에 대향되는 영역에 게이트 절연막(217) 상에 배치된다. 상기 게이트 배선을 이루는 물질은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리 등의 전기 저항이 낮은 금속일 수 있다.
상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차되는 부위에 배치된다. 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 전극(211), 채널 패턴(212), 소오스 전극(213a), 드레인 전극(213b)을 포함한다.
상기 게이트 전극(211)은 상기 게이트 배선에서 분기된다. 상기 게이트 전극(211)은 상기 박막트랜지스터(Tr)에 게이트 신호를 인가한다.
상기 채널 패턴(212)은 아몰퍼스 실리콘 패턴(212a) 및 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b)를 포함한다.
상기 아몰퍼스 실리콘 패턴(212a)은 상기 게이트 절연막(217) 상에 배치되며, 상기 아몰퍼스 실리콘 패턴(212a)을 이루는 물질은 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon)이다.
상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b)은 상기 아몰퍼스 실리콘 패턴(212a) 상에 한 쌍이 소정 간격으로 이격되어 배치되며, 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b)은 비정질 실리콘 및 고농도의 불순물을 포함한다.
상기 소오스 전극(213a)은 상기 데이터 배선에서 분기되어 배치된다. 또한 상기 소오스 전극(213a)은 한 쌍 중 어느 하나의 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b) 상에 배치되며, 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b)에 전기적으로 접속된다.
상기 드레인 전극(213b)은 한 쌍 중 나머지 하나의 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b) 상에 배치되며, 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘 패턴(212b)에 전기적으로 접속된다.
상기 보호막(216)은 상기 데이터 배선, 소오스 전극(213a) 및 드레인 전극(213b) 상에 배치되며, 상기 보호막(216)은 상기 드레인 전극(213b)의 일부가 노출되는 콘택홀을 포함한다. 상기 보호막(216)을 이루는 물질은 실리콘 질화막(SiNx) 및 실리콘 산화막(SiOx) 등의 절연체일 수 있다.
상기 화소 전극(215)은 평면상에서 보았을 때 빗(comb) 형상을 갖는다. 상기 화소 전극(215)의 일부는 노출된 상기 드레인 전극(215)과 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(215)은 상기 보호막(216) 상에 배치되며, 상기 화소 전극(215) 및 상기 공통 전극(214)이 교대로 배치된다. 한편, 상기 화소 전극(215) 및 상기 공통 전극(214)은 시야각을 개선하기 위해, 평면상에서 보았을 때 지그재그 형상으로 배치될 수 있다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 평탄화막과 컬럼 스페이서를 함께 경화하여 형성함으로서 공정에 소모되는 시간 및 공정에서 발생하는 불량률을 줄일 수 있는 표시장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 제 1 기판의 실패턴 영역을 노출하고 실패턴 영역에 밀봉부재를 부착하여 제 1 기판과 제 2 기판을 결합함으로서 실 터짐 불량을 개선한 표시장치를 제공한다.
상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 영상이 표시되는 제 1 기판의 유효 디스플레이 영역에 컬러필터를 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판에 평탄화 물질을 도포하고, 상기 평탄화 물질에 자외선을 조사하는 공정만으로 예비 평탄화막을 형성하는 단계;
    상기 예비 평탄화막 상에 유기막을 형성하고, 상기 유기막을 패터닝하여 예비 컬럼 스페이서를 형성하는 단계;
    상기 예비 평탄화막 및 상기 예비 컬럼 스페이서를 동시에 열경화시켜 한 번의 열경화 공정으로 평탄화막 및 컬럼 스페이서를 함께 형성하는 단계;
    제 2 기판상에 표시 소자를 형성하는 단계; 및
    밀봉부재를 이용하여 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화막은 광의 위상차를 조절하기 위한 반응성 메소젠(reactive mesogen)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러필터를 형성하는 단계는
    상기 유효 디스플레이 영역에 개구를 갖는 격자 형상의 블랙매트릭스 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 개구에 컬러필터 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 유효 디스플레이 영역의 주변에 형성된 실패턴 영역의 예비 평탄화막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 예비 평탄화막을 선택적으로 제거하는 단계는 상기 평탄화막을 식각하는 식각액을 상기 예비 평탄화막 중 상기 실패턴 영역에 대응하는 부분에 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 예비 평탄화막 및 상기 예비 컬럼 스페이서를 경화시키는 단계에서, 상기 예비 평탄화막 및 상기 예비 컬럼 스페이서는 220℃내지 230℃의 온도에서 경화되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 상에 표시 소자를 형성하는 단계는
    상기 제 2 기판 상에 게이트 전극을 갖는 게이트 배선 및 공통 전극을 갖는 공통 배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선 및 상기 공통 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막 상에 채널 패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선과 교차하여 배치되며 상기 채널패턴과 전기적으로 접속된 소오스 전극을 갖는 데이터 배선 및 상기 채널 패턴과 전기적으로 접속된 드레인 전극을 형성하는 단계 및
    상기 드레인 전극과 전기적으로 접속된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
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