KR101393748B1 - Light conversion member and method of fabricating light conversion member - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 주입부를 포함하는 하부 기판 및 상부 기판을 준비하는 단계; 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판을 합지하는 단계; 상기 주입부를 통해 파장 변환 물질을 주입하는 단계; 상기 주입부에 밀봉 물질을 주입하는 단계; 및 상기 주입부를 제거하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 형성되는 파장 변환층; 상기 파장 변환층 상에 형성되는 상부 기판; 및 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판을 합지하고, 상기 파장 변환층의 적어도 일면을 밀봉하는 밀봉 부재를 포함하고, 상기 밀봉 부재는 수지 및 비드를 포함한다.
A method of manufacturing a light conversion member according to an embodiment of the present invention includes: preparing a lower substrate and an upper substrate including an injection portion; Joining the lower substrate and the upper substrate; Injecting a wavelength conversion material through the injection unit; Injecting a sealing material into the injection unit; And removing the injection section.
The light conversion member according to an embodiment includes: a lower substrate; A wavelength conversion layer formed on the lower substrate; An upper substrate formed on the wavelength conversion layer; And a sealing member for bonding the lower substrate and the upper substrate and sealing at least one surface of the wavelength conversion layer, wherein the sealing member includes a resin and a bead.

Description

광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법{LIGHT CONVERSION MEMBER AND METHOD OF FABRICATING LIGHT CONVERSION MEMBER}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light conversion member and a method for manufacturing the same,

실시예는 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a photo-conversion member and a method of manufacturing a photo-conversion member.

표시장치들 중에는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 하는 장치가 있다. 백라이트 유닛은 액정 등을 포함하는 표시패널에 광을 공급하는 장치로서, 발광장치와 발광장치에서 출력된 광을 액정 측에 효과적으로 전달하기 위한 수단들을 포함한다.Among display devices, there is a device that requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image. The backlight unit is a device for supplying light to a display panel including a liquid crystal or the like and includes a light emitting device and means for effectively transmitting the light output from the light emitting device to the liquid crystal side.

이러한 표시장치의 광원으로서, LED(Light Emitted Diode)등이 적용될 수 있다. 또한, 광원으로부터 출력된 광이 표시패널 측에 효과적으로 전달되기 위해, 도광판과 광학시트 등이 적층되어, 사용될 수 있다.As a light source of such a display device, an LED (Light Emitted Diode) or the like can be applied. Further, in order that the light output from the light source is effectively transmitted to the display panel side, a light guide plate and an optical sheet may be laminated and used.

이때, 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변화시켜서, 상기 도광판 또는 상기 표시패널에 백색광을 입사시키는 광학 부재 등이 이러한 표시장치에 적용될 수 있다. 특히, 광의 파장을 변화시키기 위해서, 양자점 등이 사용될 수 있다.At this time, an optical member that changes the wavelength of light generated from the light source and causes white light to enter the light guide plate or the display panel can be applied to such a display device. Particularly, in order to change the wavelength of light, a quantum dot or the like can be used.

양자점은 10nm 이하의 입자 크기를 가지며, 그 크기에 따라 독특한 전기적 광학적 특성을 갖는다. 예컨대, 대략적인 크기가 55 ~ 65Å인 경우 적색계열, 40 ~ 50Å은 녹색계열, 20 ~ 35Å은 청색계열의 색을 발할 수 있으며, 황색은 적색과 녹색을 발하는 양자점의 중간 크기를 갖는다. 빛의 파장에 따른 스펙트럼이 적색에서 청색으로 변하는 추세에 따라 양자점의 크기는 65Å 정도에서 20Å 정도로 순차적으로 변하는 것으로 파악할 수 있으며, 이 수치는 약간의 차이가 있을 수 있다.The quantum dot has a particle size of 10 nm or less and has unique electrical and optical characteristics depending on its size. For example, when the approximate size is 55 to 65 Å, it can emit red, 40 to 50 Å to green, and 20 to 35 Å to blue. Yellow has medium size of red and green quantum dots. As the spectrum of light changes from red to blue, the size of the quantum dots varies from 65 Å to 20 Å, which may be slightly different.

양자점을 포함하는 광학 부재를 형성하기 위해서는, 빛의 삼원색인 RGB 혹은, RYGB를 발하는 양자점을 글래스(glass) 등의 투명 기판에 스핀코팅 하거나 프린팅하여 형성할 수 있다. 여기서, 황색(Y)을 발하는 양자점을 더 포함하는 경우 좀 더 천연광에 가까운 백색광을 얻을 수 있다. 양자점을 분산 담채하는 매트릭스(매질)은 가시광 및 자외선 영역(Far UV 포함)의 빛을 발하거나 또는 가시광 영역의 빛에 관하여 투과성이 뛰어난 무기물이나 고분자를 적용할 수 있다. 예컨대, 무기질 실리카, PMMA(polymethylmethacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane), PLA(poly lactic acid), 실리콘 고분자 또는 YAG 등이 될 수 있다.In order to form the optical member including the quantum dots, the quantum dots emitting RGB or RYGB, which are three primary colors of light, can be formed by spin coating or printing on a transparent substrate such as glass. Here, when a quantum dot emitting yellow (Y) is further included, white light closer to natural light can be obtained. The matrix (medium) in which the quantum dots are dispersed can apply an inorganic substance or a polymer having excellent transmittance with respect to light in the visible light region and the ultraviolet region (including Far UV) or in the visible light region. For example, it may be inorganic silica, polymethylmethacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), poly lactic acid (PLA), silicon polymer or YAG.

이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0012246 등에 개시되어 있다.A display device to which such a quantum dot is applied is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2011-0012246.

실시예는 향상된 성능을 가지는 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법을 제공하고자 한다.The embodiments are directed to a photo-conversion member and a method of manufacturing a photo-conversion member having improved performance.

실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 주입부를 포함하는 하부 기판 및 상부 기판을 준비하는 단계; 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판을 합지하는 단계; 상기 주입부를 통해 파장 변환 물질을 주입하는 단계; 상기 주입부에 밀봉 물질을 주입하는 단계; 및 상기 주입부를 제거하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a light conversion member according to an embodiment of the present invention includes: preparing a lower substrate and an upper substrate including an injection portion; Joining the lower substrate and the upper substrate; Injecting a wavelength conversion material through the injection unit; Injecting a sealing material into the injection unit; And removing the injection section.

실시예에 따른 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 형성되는 파장 변환층; 상기 파장 변환층 상에 형성되는 상부 기판; 및 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판을 합지하고, 상기 파장 변환층의 적어도 일면을 밀봉하는 밀봉 부재를 포함하고, 상기 밀봉 부재는 수지 및 비드를 포함한다.The light conversion member according to an embodiment includes: a lower substrate; A wavelength conversion layer formed on the lower substrate; An upper substrate formed on the wavelength conversion layer; And a sealing member for bonding the lower substrate and the upper substrate and sealing at least one surface of the wavelength conversion layer, wherein the sealing member includes a resin and a bead.

실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 하부 기판 및 상부 기판을 먼저 합지한 이후에, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 파장 변환 물질을 주입하여 제조된다.A method of manufacturing a light conversion member according to an embodiment of the present invention is manufactured by first laminating a lower substrate and an upper substrate, and then injecting a wavelength conversion material between the lower substrate and the upper substrate.

즉, 상기 수지 및/또는 비드를 포함하는 접착 물질을 통해 하부 기판 및 상부 기판을 합지한 이후에, 상기 기판들의 적어도 일면에 형성되는 주입부를 통해 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 파장 변환 물질을 주입한다. 이후, 상기 주입부에 수지 및/또는 비드를 포함하는 밀봉 물질을 주입한 후, 상기 주입부를 제거하여 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 주입되는 파장 변환 물질의 외부면을 밀봉 물질로 밀봉할 수 있다.That is, after joining the lower substrate and the upper substrate through the adhesive material including the resin and / or the beads, a wavelength conversion material is formed between the lower substrate and the upper substrate through an injection part formed on at least one side of the substrates Inject. Thereafter, a sealing material containing resin and / or beads is injected into the injection unit, and then the injection unit is removed to seal the outer surface of the wavelength conversion material injected between the lower substrate and the upper substrate with a sealing material have.

이에 따라, 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 파장 변환층을 외부의 수분 및 산소 등의 불순물로부터 효과적으로 보호할 수 있다. 즉, 밀봉 역할을 하는 상기 접착 물질을 이용해 하부 기판 및 상부 기판을 합지하고, 이후, 상기 밀봉 물질을 주입하여 주입부를 제거하는 공정으로 상기 파장 변환 물질을 밀봉하므로, 상기 밀봉면이 중간중간 노출되는 면이 없이 매끄럽게 형성될 수 있다.Thus, the method for manufacturing a light conversion member according to the embodiment can effectively protect the wavelength conversion layer from impurities such as moisture and oxygen outside. That is, since the wavelength conversion material is sealed by laminating the lower substrate and the upper substrate using the adhesive material serving as a sealant, and then injecting the sealing material to remove the injection portion, Can be formed smoothly without a surface.

따라서, 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은 신뢰성 및 내구성이 향상된 광 변환 부재를 제조할 수 있다.Therefore, the method for manufacturing a light conversion member according to the embodiment can manufacture a light conversion member with improved reliability and durability.

또한, 실시예에 따른 광 변환 부재는, 상기 밀봉 부재에 의해 상기 하부 기판 및 상부 기판이 합지되는 것과 함께 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 형성되는 파장 변환층을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 상기 파장 변환층을 외부의 수분 및 산소로부터 보호할 수 있으므로, 신뢰성 및 내구성이 향상된 광 변환 부재를 제공할 수 있다.The light conversion member according to the embodiment can seal the wavelength conversion layer formed between the lower substrate and the upper substrate while the lower substrate and the upper substrate are laminated together by the sealing member. Thus, the wavelength conversion layer can be protected from external moisture and oxygen, thereby providing a light conversion member with improved reliability and durability.

도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 광학 부재를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 5 내지 도 10은 실시예에 따른 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to an embodiment.
2 is a perspective view showing an optical member according to an embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a section cut along AA 'in FIG. 2. FIG.
4 is a process flow chart for explaining the method of manufacturing the light conversion member according to the embodiment.
5 to 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light conversion member and a light conversion member according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 광학 부재를 도시한 사시도이며, 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이고, 도 4는 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이며, 도 5 내지 도 10은 실시예에 따른 광 변환 부재 및 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to an embodiment, FIG. 2 is a perspective view showing an optical member according to an embodiment, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ' FIGS. 5 to 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light conversion member and a light conversion member according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.

이하, 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 전에, 상기 광 변환 부재 제조 방법에 적용되는 광 변환 부재 및 액정표시장치에 대해 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.Hereinafter, before describing the method of manufacturing the light conversion member according to the embodiment, the light conversion member and the liquid crystal display device applied to the method of manufacturing the light conversion member will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는, 백라이트 유닛(10) 및 액정 패널(20)을 포함한다.1 to 3, a liquid crystal display device according to an embodiment includes a backlight unit 10 and a liquid crystal panel 20.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정 패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정 패널(20)의 하면에 균일하게 광을 조사할 수 있다.The backlight unit 10 emits light to the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 is a surface light source and can uniformly irradiate the bottom surface of the liquid crystal panel 20 with light.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정 패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사 시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광 다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.The backlight unit 10 is disposed under the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 includes a bottom cover 100, a light guide plate 200, a reflective sheet 300, a light source such as a plurality of light emitting diodes 400, a printed circuit board 401, (500).

상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광 다이오들들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사 시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.The bottom cover 100 has a top opened shape. The bottom cover 100 accommodates the light guide plate 200, the light emitting diodes 400, the printed circuit board 401, the reflective sheet 300, and the optical sheets 500.

상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사 시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.The light guide plate 200 is disposed in the bottom cover 100. The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 300. The light guide plate 200 emits light upward from the light emitting diodes 400 through total reflection, refraction and scattering.

상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 300 is disposed under the light guide plate 200. More specifically, the reflective sheet 300 is disposed between the light guide plate 200 and the bottom surface of the bottom cover 100. The reflective sheet 300 reflects light emitted from the lower surface of the light guide plate 200 upward.

상기 발광 다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.The light emitting diodes 400 are light sources for generating light. The light emitting diodes 400 are disposed on one side of the light guide plate 200. The light emitting diodes 400 generate light and enter the light guide plate 200 through the side surface of the light guide plate 200.

상기 발광 다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광 다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광 다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광 다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 400 may be a blue light emitting diode for generating blue light or a UV light emitting diode for generating ultraviolet light. That is, the light emitting diodes 400 may emit blue light having a wavelength range of about 430 nm to about 470 nm or ultraviolet light having a wavelength band of about 300 nm to about 400 nm.

상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diodes 400 are mounted on the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are disposed under the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are driven by receiving a drive signal through the printed circuit board 401.

상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광 다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광 다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.The printed circuit board 401 is electrically connected to the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 may mount the light emitting diodes 400. The printed circuit board (401) is disposed inside the bottom cover (100).

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 change or enhance the characteristics of light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 and supply the light to the liquid crystal panel 20. [

상기 광학 시트들(500)은 광 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.The optical sheets 500 may be a light conversion member 501, a diffusion sheet 502, a first prism sheet 503, and a second prism sheet 504. [

상기 광 변환 부재(501)는 상기 광원 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(520) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.The light-converting member 501 may be disposed on the light path between the light source and the liquid crystal panel 20. For example, the light conversion member 501 may be disposed on the light guide plate 200. More specifically, the light conversion member 501 may be interposed between the light guide plate 200 and the diffusion sheet 520. The light conversion member 501 can convert the wavelength of the incident light and emit the light upward.

예를 들어, 상기 발광 다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.For example, when the light emitting diodes 400 are a blue light emitting diode, the light converting member 501 may convert blue light emitted upward from the light guide plate 200 into green light and red light. That is, the photo-conversion member 501 converts part of the blue light into green light having a wavelength range of about 520 nm to about 560 nm, and converts the other part of the blue light to a light having a wavelength range of about 630 nm to about 660 nm It can be converted into red light.

또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.When the light emitting diodes 400 are UV light emitting diodes, the light converting member 501 may convert ultraviolet light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 into blue light, green light, and red light. That is, the photo-conversion member 501 converts a part of the ultraviolet ray into blue light having a wavelength band of about 430 nm to about 470 nm, and another part of the ultraviolet ray has a wavelength band of about 520 nm to about 560 nm Green light, and another part of the ultraviolet light into red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, light passing through the light conversion member 501 without conversion and light converted by the light conversion member 501 can form white light. That is, the blue light, the green light, and the red light may be combined, and the white light may be incident on the liquid crystal panel 20.

즉, 상기 광 변환 부재(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 광 변환 부재(501)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 광학 시트일 수 있다.That is, the photo-conversion member 501 is an optical member that converts the characteristics of the incident light. The photo-conversion member 501 has a sheet shape. That is, the photo-conversion member 501 may be an optical sheet.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 파장 변환층(513) 및 실링부(540)를 포함한다.2 and 3, the light conversion member 501 includes a lower substrate 510, an upper substrate 520, a wavelength conversion layer 513, and a sealing portion 540.

상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.The lower substrate 510 is disposed under the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 is transparent and flexible. The lower substrate 510 may be in close contact with the lower surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다. Examples of the material used for the lower substrate 510 include transparent polymers such as polyethylene terephthalate (PET) and the like.

상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 520 is disposed on the wavelength conversion layer 530. The upper substrate 520 is transparent and flexible. The upper substrate 520 may be in close contact with the upper surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of materials used for the upper substrate 520 include transparent polymers such as polyethylene terephthalate.

상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다.The lower substrate 510 and the upper substrate 520 sandwich the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 support the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 protect the wavelength conversion layer 530 from external physical impacts. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 may be in direct contact with the wavelength conversion layer 530.

또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다.In addition, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 have low oxygen permeability and moisture permeability. Accordingly, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 can protect the wavelength conversion layer 530 from external chemical impacts such as moisture and / or oxygen.

상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 바람직하게는, 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)에 대해 중앙 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The wavelength conversion layer 530 is interposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. Preferably, the wavelength conversion layer 530 may be disposed on the central region with respect to the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The wavelength conversion layer 530 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 510 and may be in close contact with the lower surface of the upper substrate 520.

상기 파장 변환층(530)은 다수 개의 파장 변환 입자들(531) 및 호스트층(532)을 포함한다.The wavelength conversion layer 530 includes a plurality of wavelength conversion particles 531 and a host layer 532.

상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 호스트층(532)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다.The wavelength conversion particles 531 are disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. More specifically, the wavelength converting particles 531 are uniformly dispersed in the host layer 532, and the host layer 532 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520.

상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength converting particles 531 convert the wavelength of the light emitted from the light emitting diodes 400. The wavelength conversion particles 531 receive the light emitted from the light emitting diodes 400 and convert wavelengths. For example, the wavelength conversion particles 531 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light and red light. That is, some of the wavelength converting particles 531 convert the blue light into green light having a wavelength range of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the wavelength converting particles 531 converts the blue light to about 630 And can be converted into red light having a wavelength band of from about nm to about 660 nm.

이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.Alternatively, the wavelength converting particles 531 may convert ultraviolet rays emitted from the light emitting diodes 400 into blue light, green light, and red light. That is, a part of the wavelength converting particles 531 converts the ultraviolet ray into blue light having a wavelength range of about 430 nm to about 470 nm, and another part of the wavelength converting particles 531 converts the ultraviolet ray to about 520 Can be converted into green light having a wavelength band between nm and 560 nm. Further, another part of the wavelength converting particles 531 may convert the ultraviolet ray into red light having a wavelength range of about 630 nm to about 660 nm.

즉, 상기 발광 다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광 다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광 다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광 다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다.That is, when the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes that generate blue light, wavelength conversion particles 531 that convert blue light into green light and red light, respectively, may be used. Alternatively, when the light emitting diodes 400 are UV light emitting diodes that generate ultraviolet rays, the wavelength conversion particles 531 that convert ultraviolet light into blue light, green light, and red light, respectively, may be used.

상기 파장 변환 입자들(531)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion particles 531 may be a plurality of quantum dots (QDs). The quantum dot may include core nanocrystals and shell nanocrystals surrounding the core nanocrystals. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1nm 내지 10nm일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 10 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화시킬 수 있다.The wavelength of the light emitted from the quantum dot can be adjusted according to the size of the quantum dot. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기 되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄 한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100배 내지 1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, highly fluorescent light is generated.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

상기 호스트층(532)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(532)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(532)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(532)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(532)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.The host layer 532 surrounds the wavelength converting particles 531. That is, the host layer 532 uniformly disperses the wavelength converting particles 531 therein. The host layer 532 may be comprised of a polymer. The host layer 532 is transparent. That is, the host layer 532 may be formed of a transparent polymer.

상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 바람직하게는, 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)에 대해 중앙 영역 상에 배치된다. 또한, 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The host layer 532 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. Preferably, the host layer 532 is disposed on the central region with respect to the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The host layer 532 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 510 and the lower surface of the upper substrate 520.

상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 위치하는 상기 파장 변환층(530)을 실링할 수 있다. 즉, 상기 하부 기판(510) 및 상부 기판(520)에 의해 덮여 있는 부분이 아닌 외부로 노출되는 상기 파장 변환층(530) 부분을 상기 실링부에 의해 실링할 수 있다.The sealing portion 540 may seal the wavelength conversion layer 530 located between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. That is, the portion of the wavelength conversion layer 530 exposed to the outside, rather than the portion covered by the lower substrate 510 and the upper substrate 520, can be sealed by the sealing portion.

상기 실링부(540)는 수지(resin)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 실링부는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 제한되지는 않으며, 상기 실링부는 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 다양한 종류의 수지를 포함할 수 있다.The sealing portion 540 may include a resin. In detail, the sealing portion may include an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a silicone resin. However, the embodiment is not limited thereto, and the sealing portion may include various kinds of resins that can prevent the penetration of oxygen or moisture.

상기 확산 시트(502)는 상기 광 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.The diffusion sheet 502 is disposed on the light conversion member 501. The diffusion sheet 502 improves the uniformity of light passing therethrough. The diffusion sheet 502 may include a plurality of beads.

상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.The first prism sheet 503 is disposed on the diffusion sheet 502. The second prism sheet 504 is disposed on the first prism sheet 503. The first prism sheet 503 and the second prism sheet 504 increase the straightness of light passing therethrough.

상기 액정패널(20)은 상기 광학 시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.The liquid crystal panel 20 is disposed on the optical sheets 500. Further, the liquid crystal panel 20 is disposed on the panel guide 23. The liquid crystal panel 20 may be guided by the panel guide 23.

상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 20 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 20. That is, the liquid crystal panel 20 is a display panel for displaying an image using light emitted from the backlight unit 10. [ The liquid crystal panel 20 includes a TFT substrate 21, a color filter substrate 22, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In addition, the liquid crystal panel 20 includes polarizing filters.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawings, the TFT substrate 21 and the color filter substrate 22 will be described in detail. The TFT substrate 21 defines pixels by intersecting a plurality of gate lines and data lines, A thin film transistor (TFT) is provided for each region and is connected in a one-to-one correspondence with the pixel electrodes mounted on the respective pixels. The color filter substrate 22 includes color filters of R, G and B colors corresponding to the respective pixels, a black matrix for covering the gate lines, the data lines, the thin film transistors, etc., .

액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.And a driving PCB 25 for supplying a driving signal to the gate line and the data line is provided at an edge of the liquid crystal display panel 210.

상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The drive PCB 25 is electrically connected to the liquid crystal panel 20 by a chip on film (COF) 24. Here, the COF 24 may be changed to a TCP (Tape Carrier Package).

앞서 설명한, 광 변환 부재의 경우, 상기 파장 변환층(530)이 외부의 공기 또는 수분에 노출되어 효율이 떨어질 수 있다. 이를 위해, 상기 파장 변환층(530)의 외부를 실링부를 이용하여 밀봉할 수 있다. 이러한 실링부를 형성하기 위해, 상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판에 초음파를 가하여 접착하거나, 접착제를 이용하여 상기 파장 변환층을 외부로부터 밀봉할 수 있다.In the case of the light conversion member described above, the wavelength conversion layer 530 may be exposed to external air or moisture, which may reduce efficiency. For this purpose, the outside of the wavelength conversion layer 530 can be sealed using a sealing part. In order to form such a sealing portion, ultrasonic waves may be applied to the lower substrate or the upper substrate, or the wavelength conversion layer may be sealed from the outside using an adhesive.

그러나, 상기 초음파 또는 접착제를 이용하는 공정의 경우, 상기 실링부가 완전히 밀봉되지 않아 상기 파장 변환층이 외부의 수분 또는 공기로부터 노출될 수 있어 신뢰성 및 내구성에 문제가 있을 수 있다.However, in the case of the process using the ultrasonic wave or the adhesive, the sealing portion is not completely sealed, so that the wavelength conversion layer may be exposed to external moisture or air, which may cause reliability and durability.

또한, 상기 밀봉부를 통한 빛샘 현상으로 인하여 휘도 감소 및 광 변화 효율이 감소하는 문제점이 있다. In addition, there is a problem that the luminance reduction and the light change efficiency are reduced due to the light leakage phenomenon through the sealing portion.

따라서, 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은 이러한 밀봉 공정상의 문제점을 해결할 수 있는 새로운 방식의 광 변환 부재 제조 방법을 제공한다.
Therefore, the method of manufacturing the light conversion member according to the embodiment provides a novel method of manufacturing the light conversion member that can solve the problems in the sealing process.

이하, 도 4 내지 도 9를 참조하여, 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명한다. 도 4는 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법의 공정흐름도이고, 도 5 내지 도 10은 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 순차적으로 도시한 도면이다.Hereinafter, a method of manufacturing a light conversion member according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 9. FIG. FIG. 4 is a process flow diagram of a method for manufacturing a light conversion member according to an exemplary embodiment, and FIGS. 5 to 10 sequentially illustrate a method for manufacturing a light conversion member according to an exemplary embodiment.

도 4 내지 도 10을 참조하면, 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 하부 기판 및 상부 기판을 준비하는 단계(ST10); 하부 기판 및 상부 기판을 합지하는 단계(ST20); 주입부를 통해 파장 변환 물질을 주입하는 단계(ST30); 주입부에 밀봉 물질을 주입하는 단계(ST40); 및 주입부를 제거하는 단계(ST50)를 포함한다.4 to 10, a method of manufacturing a light conversion member according to an embodiment of the present invention includes: preparing a lower substrate and an upper substrate (ST10); Joining the lower substrate and the upper substrate (ST20); (ST30) of injecting the wavelength converting material through the injecting portion; Injecting a sealing material into the injection part (ST40); And removing the injection part (ST50).

상기 하부 기판 및 상부 기판을 준비하는 단계(ST10)에서는, 광 변환 부재를 제조하기 위한 하부 기판(510) 및 상부 기판(520)을 준비한다.In the step of preparing the lower substrate and the upper substrate (ST10), a lower substrate 510 and an upper substrate 520 for preparing a light conversion member are prepared.

상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판은 폴리머를 포함하고, 상기 폴리머는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET)를 포함한다.The lower substrate or the upper substrate includes a polymer, and the polymer includes polyethyleneterephthalate (PET).

또한, 상기 하부 기판(510)은 제 1 주입부(551)을 포함하고, 상기 상부 기판(520)은 제 2 주입부(552)를 포함한다. 상기 제 1 주입부(551)는 상기 하부 기판의 일면에 형성되고, 상기 제 2 주입부(552)는 상기 상부 기판의 일면에 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 주입부(551) 및 상기 제 2 주입부(552)는 각각 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 사이드 면에 형성될 수 있다.In addition, the lower substrate 510 includes a first injection portion 551, and the upper substrate 520 includes a second injection portion 552. The first injection portion 551 may be formed on one surface of the lower substrate and the second injection portion 552 may be formed on a surface of the upper substrate. In detail, the first injection portion 551 and the second injection portion 552 may be formed on the side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520, respectively.

상기 하부 기판(510)의 제 1 주입부(551)와 상기 상부 기판(520)의 제 2 주입부(552)는 서로 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 즉, 상기 하부 기판(510)과 상기 상부 기판(520)이 서로 합지되었을 때, 상기 하부 기판(510)과 상기 상부 기판(520)의 주입부(550)가 서로 중첩되어 주입 통로(550)가 형성될 수 있다.The first injection portion 551 of the lower substrate 510 and the second injection portion 552 of the upper substrate 520 may be formed at positions corresponding to each other. That is, when the lower substrate 510 and the upper substrate 520 are connected to each other, the lower substrate 510 and the injection unit 550 of the upper substrate 520 are overlapped with each other, .

이어서 설명하겠지만, 상기 주입 통로(550)에는 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 파장 변환 물질을 주입할 수 있다.As described below, the wavelength conversion material may be injected into the injection channel 550 between the lower substrate and the upper substrate.

이어서, 상기 하부 기판 및 상부 기판을 합지하여 주입 통로를 형성하는 단계(ST20)에서는, 상기 하부 기판(510) 상에 상기 상부 기판(520)을 적층하여 상기 하부 기판(510)과 상기 상부 기판(520)을 합지하여 상기 주입 통로(550)를 형성할 수 있다.The upper substrate 520 is stacked on the lower substrate 510 to form the upper substrate 520 and the upper substrate 520. In this case, 520 may be joined together to form the injection channel 550.

상기 하부 기판 및 상부 기판을 합지하는 단계는, 상기 하부 기판에 접착 물질을 도포하는 단계; 및 상기 하부 기판 상에 상기 상부 기판을 적층하는 단계를 포함한다. 자세하게, 상기 하부 기판(510)의 사이드 영역 즉, 외곽 영역에 접착 물질을 도포한다. 상기 접착 물질은 수지를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 접착 물질은 수지 및 복수의 비드를 포함할 수 있다. The step of laminating the lower substrate and the upper substrate includes: applying an adhesive material to the lower substrate; And laminating the upper substrate on the lower substrate. In detail, an adhesive material is applied to a side region, that is, an outer region, of the lower substrate 510. The adhesive material may comprise a resin. Preferably, the adhesive material may comprise a resin and a plurality of beads.

또한, 상기 수지는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 수지는 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.The resin may include an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a silicone resin. Preferably, the resin may include an epoxy resin.

또한, 상기 복수의 비드는 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광을 산란시킬 수 있다. 상기 비드들은 투명할 수 있다. 상기 비드들은 알루미늄 옥사이드 또는 티타늄 옥사이드를 포함할 수 있다. 그러나, 실시예가 이에 제한되지는 않고, 광을 산란시킬 수 있는 다양한 종류의 비드를 포함할 수 있다.In addition, the plurality of beads may scatter light emitted from the light emitting diodes 300. The beads may be transparent. The beads may comprise aluminum oxide or titanium oxide. However, the embodiment is not limited thereto, and may include various kinds of beads capable of scattering light.

이어서, 상기 상부 기판(520)을 상기 하부 기판(510) 상에 적층한다. 이에 따라, 상기 하부 기판(510)과 상기 상부 기판(520)은 상기 하부 기판(510) 상에 도포되는 접착 물질에 의해 서로 합지될 수 있다. 또한, 상기 하부 기판(510)과 상기 상부 기판(520)이 합지됨에 따라, 상기 하부 기판(510)의 제 1 주입부(551)와 상기 상부 기판(520)의 제 2 주입부(552)는 서로 중첩되어, 상기 하부 기판(510)과 상기 상부 기판(520)의 사이에 물질을 주입할 수 있는 주입 통로(550)가 형성될 수 있다.Subsequently, the upper substrate 520 is laminated on the lower substrate 510. Accordingly, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 may be bonded to each other by an adhesive material applied on the lower substrate 510. The first injection portion 551 of the lower substrate 510 and the second injection portion 552 of the upper substrate 520 are coupled to each other by the coupling of the lower substrate 510 and the upper substrate 520, An injection passageway 550 may be formed to overlap the upper substrate 520 and the lower substrate 510 to inject a substance therebetween.

상기 주입 통로를 통해 파장 변환 물질을 주입하는 단계(ST30)에서는, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 사이에 형성되는 주입 통로(550)를 통해 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 사이에 파장 변환 물질(533)을 주입한다.In the step ST30 of injecting the wavelength converting material through the injection path, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 are connected to each other through the injection passages 550 formed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520, And the wavelength conversion material 533 is injected between the upper substrate 520.

상기 파장 변환 물질은 호스트 및 상기 호스트에 수용되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함한다. 자세하게, 상기 파장 변환 물질(533)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 형성되는 파장 변환층(530)일 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환층(530)은 호스트층(532); 및 상기 호스트층(532)에 수용되는 다수 개의 파장 변환 입자들(531)을 포함한다.The wavelength converting material includes a host and a plurality of wavelength converting particles accommodated in the host. In detail, the wavelength conversion material 533 may be a wavelength conversion layer 530 formed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. More specifically, the wavelength conversion layer 530 includes a host layer 532; And a plurality of wavelength conversion particles 531 accommodated in the host layer 532.

상기 주입 통로(550)를 통해 상기 파장 변환 물질을 주입하는 단계는, 상기 파장 변환 물질을 수용하는 배스(bath)를 준비하는 단계; 및 상기 배스에 상기 주입부를 침지하는 단계를 포함한다. The step of injecting the wavelength converting material through the injection path 550 may include preparing a bath containing the wavelength converting material, And immersing the injection unit in the bath.

자세하게, 상기 파장 변환 물질(533) 즉, 상기 호스트 및 상기 호스트에 수용되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 수용하는 배스(600)를 준비한다. 이어서, 상기 배스(600)에 상기 파장 변환 입자들이 포함된 상기 호스트를 충진한다. 이어서, 상기 주입 통로(550)를 상기 배스(600)에 침지하여, 상기 배스(600)에서 상기 주입 통로(550)를 통해 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 상기 파장 변환 물질을 주입한다. 상기 파장 변환 물질을 주입하는 단계는, 삼투압 원리를 이용하여 주입할 수 있으며, 분위기 가스로는 질소(N2) 가스를 이용할 수 있다.In detail, a bath 600 for accommodating the wavelength conversion material 533, that is, a plurality of wavelength conversion particles accommodated in the host and the host, is prepared. Then, the host containing the wavelength converting particles is filled in the bath 600. Subsequently, the injection channel 550 is immersed in the bath 600 to inject the wavelength conversion material from the bath 600 through the injection channel 550 between the lower substrate and the upper substrate. The step of injecting the wavelength converting material may be performed using an osmotic pressure principle, and nitrogen (N 2 ) gas may be used as an atmospheric gas.

상기 공정을 통하여, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에는 파장 변환층이 형성될 수 있다.Through the above process, a wavelength conversion layer may be formed between the lower substrate and the upper substrate.

이어서, 상기 주입 통로에 밀봉 물질을 주입하는 단계(ST40)에서는, 상기 주입 통로(550)를 통해 상기 밀봉물질을 주입할 수 있다.Next, in step ST40 of injecting the sealing material into the injection path, the sealing material may be injected through the injection path 550. [

상기 밀봉 물질을 주입하기 전에, 상기 주입 통로(550)를 통해 먼저 주입된 상기 파장 변환 물질을 세정하는 단계 및 상기 파장 변환 물질을 경화하는 단계를 거칠 수 있다.Cleaning the wavelength conversion material injected first through the injection channel 550 and curing the wavelength conversion material before implanting the sealing material.

상기 세정하는 단계는, 버핑(burping) 공정 및 세정 공정으로 세분화될 수 있다. 상기 버핑 공정은 열팽창을 이용하여 진행될 수 있다. 즉, 약 1400℃ 내지 1500℃의 온도로 열을 가하여여 약 5분 내지 10분 동안 열팽창을 하여 상기 주입 통로(550)와 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판의 경계면에 존재하는 상기 파장 변환 물질을 10㎜ 내지 20㎜ 만큼 밀어낼 수 있다. 이어서, 톨루엔 등의 세정 물질을 이용하여, 밀려진 상기 파장 변환 물질을 제거할 수 있다. 이러한 세정 공정을 이용하여, 상기 주입 통로(550)에 잔존하는 파장 변환 물질 등의 불순물 등을 모두 제거할 수 있다.The cleaning step may be subdivided into a burping process and a cleaning process. The buffing process may be performed using thermal expansion. That is, heat is applied at a temperature of about 1400 ° C to 1500 ° C, thermal expansion is performed for about 5 minutes to 10 minutes, and the wavelength conversion material existing at the interface between the injection channel 550 and the lower substrate and the upper substrate is doped with 10 Mm to 20 mm. Subsequently, the pushed wavelength conversion material can be removed using a cleaning material such as toluene. By using such a cleaning process, impurities such as the wavelength conversion material remaining in the injection path 550 can be removed.

이어서, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 주입된 파장 변환 물질을 UV 경화법 등의 방법으로 경화시킨다.Subsequently, the wavelength conversion material injected between the lower substrate and the upper substrate is cured by UV curing or the like.

이어서, 상기 주입 통로(550)에 밀봉 물질(541)을 주입할 수 있다. 상기 주입 통로(550)에 밀봉 물질을 주입하는 단계는, 앞서 설명한 상기 파장 변환 물질을 주입하는 방법과 동일할 수 있다. 즉, 배스(600) 상에 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실리콘계 수지를 포함하는 수지와 비드를 포함하는 밀봉 물질을 충진한 후, 상기 주입 통로(550)를 상기 배스(600)에 침지하여 질소 분위기 하에서 삼투압 원리를 이용하여 상기 밀봉 물질을 상기 주입 통로(550)에 주입할 수 있다.Then, a sealing material 541 may be injected into the injection path 550. The step of injecting the sealing material into the injection path 550 may be the same as the method of injecting the wavelength conversion material described above. That is, a filling material containing a resin including an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin or a silicone resin and a bead is filled on the bath 600, and then the filling passage 550 is immersed in the bath 600 The sealing material may be injected into the injection path 550 using an osmotic pressure principle under a nitrogen atmosphere.

이어서, 상기 주입부를 제거하는 단계(ST50)에서는, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판에 연결되는 상기 제 1 주입부 및 상기 제 2 주입부를 제거할 수 있다.Subsequently, in the step of removing the injection part (ST50), the first injection part and the second injection part connected to the lower substrate and the upper substrate may be removed.

상기 제 1 주입부 및 상기 제 2 주입부를 제거하는 단계 이전에, 상기 주입 통로로 주입된 밀봉 물질을 경화하는 단계를 거칠 수 있다. 즉, 상기 주입 통로(550)로 주입된 밀봉 물질을 UV 경화법 등의 방법으로 경화시킬 수 있다.Prior to the step of removing the first injection portion and the second injection portion, curing the sealing material injected into the injection passage. That is, the sealing material injected into the injection path 550 may be cured by UV curing or the like.

이어서, 상기 제 1 주입부 및 상기 제 2 주입부를 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판으로부터 제거할 수 있다. 상기 주입부는 레이저 또는 절단 부재 등을 이용한 기계적 방법 또는 화학적 방법을 이용하여 제거할 수 있다.Subsequently, the first injection portion and the second injection portion may be removed from the lower substrate and the upper substrate. The injection unit may be removed by a mechanical method or a chemical method using a laser or a cutting member.

상기 제 1 주입부 및 상기 제 2 주입부를 제거하는 단계에 의해, 상기 주입 통로와 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판이 연결되는 부분은 상기 밀봉 물질에 의해 밀봉될 수 있다. 즉, 상기 주입 통로에 수용되고 경화된 밀봉 물질은 상기 주입 통로와 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판이 연결되는 부분을 밀봉하고, 나머지 부분의 주입 통로 들은 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판으로부터 제거될 수 있다.The step of removing the first injection portion and the second injection portion may seal the portion where the injection path and the lower substrate and the upper substrate are connected by the sealing material. That is, the sealing material accommodated in the injection path and cured may seal portions of the injection path where the lower substrate and the upper substrate are connected, and the remaining portions of the injection paths may be removed from the lower substrate and the upper substrate .

실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 하부 기판 및 상부 기판을 먼저 합지한 이후에, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 파장 변환 물질을 주입하여 제조된다.A method of manufacturing a light conversion member according to an embodiment of the present invention is manufactured by first laminating a lower substrate and an upper substrate, and then injecting a wavelength conversion material between the lower substrate and the upper substrate.

즉, 상기 수지 및/또는 비드를 포함하는 접착 물질을 통해 하부 기판 및 상부 기판을 합지한 이후에, 상기 기판들의 일면에 형성되는 제 1 주입부 및 제 2 주입부에 의해 형성되는 주입 통로를 통해 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 파장 변환 물질을 주입한다. 이후, 상기 주입 통로에 수지 및/또는 비드를 포함하는 밀봉 물질을 주입한 후, 상기 주입 통로를 제거하여 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 주입되는 파장 변환 물질의 외부면을 밀봉 물질로 밀봉할 수 있다.That is, after joining the lower substrate and the upper substrate through the adhesive material including the resin and / or the bead, the first and second injection parts formed on one surface of the substrates, And a wavelength conversion material is injected between the lower substrate and the upper substrate. Thereafter, a sealing material containing resin and / or beads is injected into the injection path, and then the injection path is removed to seal the outer surface of the wavelength conversion material injected between the lower substrate and the upper substrate with a sealing material .

이에 따라, 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 파장 변환층을 외부의 수분 및 산소 등의 불순물로부터 효과적으로 보호할 수 있다. 즉, 밀봉 역할을 하는 상기 접착 물질을 이용해 하부 기판 및 상부 기판을 합지하고, 이후, 상기 밀봉 물질을 주입하여 주입부를 제거하는 공정으로 상기 파장 변환 물질을 밀봉하므로, 상기 밀봉면이 중간중간 노출되는 면이 없이 매끄럽게 형성될 수 있다.Thus, the method for manufacturing a light conversion member according to the embodiment can effectively protect the wavelength conversion layer from impurities such as moisture and oxygen outside. That is, since the wavelength conversion material is sealed by laminating the lower substrate and the upper substrate using the adhesive material serving as a sealant, and then injecting the sealing material to remove the injection portion, Can be formed smoothly without a surface.

따라서, 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은 신뢰성 및 내구성이 향상된 광 변환 부재를 제조할 수 있다.
Therefore, the method for manufacturing a light conversion member according to the embodiment can manufacture a light conversion member with improved reliability and durability.

이하, 실시예에 따른 광 변환 부재를 설명한다. 실시예에 따른 광 변환 부재의 설명에서는 앞서 설명한 광 변환 부재 제조 방법의 설명과 본질적으로 결합된다.Hereinafter, the light conversion member according to the embodiment will be described. The description of the light conversion member according to the embodiment is essentially combined with the description of the light conversion member manufacturing method described above.

실시예에 따른 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 형성되는 파장 변환층; 상기 파장 변환층 상에 형성되는 상부 기판; 및 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판을 합지하고, 상기 파장 변환층의 적어도 일면을 밀봉하는 밀봉 부재를 포함하고, 상기 밀봉 부재는 수지 및 비드를 포함한다.The light conversion member according to an embodiment includes: a lower substrate; A wavelength conversion layer formed on the lower substrate; An upper substrate formed on the wavelength conversion layer; And a sealing member for bonding the lower substrate and the upper substrate and sealing at least one surface of the wavelength conversion layer, wherein the sealing member includes a resin and a bead.

상기 밀봉 부재는 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 형성되며, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판의 사이드 영역에 형성된다. 또한, 상기 밀봉 부재는 상기 파장 변환층의 적어도 일면을 밀봉한다.The sealing member is formed between the lower substrate and the upper substrate, and is formed on the lower substrate and the side regions of the upper substrate. Further, the sealing member seals at least one surface of the wavelength conversion layer.

또한, 상기 밀봉 부재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실리콘계 수지를 포함하며, 상기 수지와 함께 비드를 더 포함한다.The sealing member may include an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a silicone resin, and may further include beads together with the resin.

실시예에 따른 광 변환 부재는, 상기 파장 변환 부재의 외면을 수지 및 비드를 포함하는 밀봉 부재에 의해 밀봉할 수 있다.The light conversion member according to the embodiment can seal the outer surface of the wavelength conversion member with a sealing member including resin and bead.

이에 따라, 실시예에 따른 광 변환 부재는, 상기 파장 변환층을 상기 밀봉 부재에 의해 외부의 수분 및 산소 침투로부터 보호할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광 변환 부재는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
Accordingly, the light conversion member according to the embodiment can protect the wavelength conversion layer from external moisture and oxygen penetration by the sealing member. Thus, the light conversion member according to the embodiment can have improved reliability and durability.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (20)

제 1 주입부를 포함하는 하부 기판 및 상기 제 1 주입부와 대응되는 위치에 형성되는 제 2 주입부를 포함하는 상부 기판을 준비하는 단계;
상기 하부 기판 및 상기 상부 기판을 합지하여 주입 통로를 형성하는 단계;
상기 주입 통로를 통해 파장 변환 물질을 주입하는 단계;
상기 주입 통로에 밀봉 물질을 주입하는 단계; 및
상기 제 1 주입부 및 상기 제 2 주입부를 제거하는 단계를 포함하고,
상기 하부 기판 및 상기 상부 기판을 합지하여 주입 통로를 형성하는 단계는,
상기 하부 기판에 접착 물질을 도포하는 단계;
상기 하부 기판 상에 상기 상부 기판을 적층하여 상기 하부 기판과 상기 상부 기판을 접착하는 단계; 및
상기 제 1 주입부 및 상기 제 2 주입부 사이에 상기 주입 통로가 형성되는 단계 를 포함하고,
상기 하부 기판 또는 상기 상부 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET)를 포함하고,
상기 밀봉 물질은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실리콘계 수지를 포함하고,
상기 접착 물질은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실리콘계 수지를 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
Preparing an upper substrate including a lower substrate including a first injection portion and a second injection portion formed at a position corresponding to the first injection portion;
Forming an injection path by laminating the lower substrate and the upper substrate;
Injecting a wavelength converting material through the injection path;
Injecting a sealing material into the injection path; And
Removing the first injection portion and the second injection portion,
Forming an injection path by laminating the lower substrate and the upper substrate,
Applying an adhesive material to the lower substrate;
Stacking the upper substrate on the lower substrate and bonding the lower substrate and the upper substrate; And
And forming the injection channel between the first injection unit and the second injection unit,
Wherein the lower substrate or the upper substrate includes polyethyleneterephthalate (PET)
Wherein the sealing material comprises an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin or a silicone resin,
Wherein the adhesive material comprises an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin or a silicone resin.
제 1항에 있어서,
상기 제 1 주입부는 상기 하부 기판의 일면에 형성되고,
상기 제 2 주입부는 상기 상부 기판의 일면에 형성되는 광 변환 부재 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first injection portion is formed on one surface of the lower substrate,
Wherein the second injection portion is formed on one surface of the upper substrate.
삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 접착 물질은 비드를 더 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive material further comprises a bead.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 주입 통로를 통해 파장 변환 물질을 주입하는 단계 이후에, 상기 주입 통로의 파장 변환 물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising: after the step of injecting the wavelength converting material through the injection path, removing the wavelength converting material of the injection path.
제 7항에 있어서,
상기 주입 통로의 파장 변환 물질을 제거하는 단계 이후에, 상기 주입 통로를 세정하는 단계를 더 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Further comprising the step of cleaning the injection pass after the step of removing the wavelength converting material of the injection pass.
제 8항에 있어서,
상기 주입 통로를 세정하는 단계 이후에, 상기 파장 변환 물질을 경화하는 단계를 더 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
9. The method of claim 8,
Further comprising the step of curing the wavelength converting material after cleaning the injection passages.
제 1항에 있어서,
상기 주입 통로를 통해 밀봉 물질을 주입하는 단계 이후에, 상기 밀봉 물질을 경화하는 단계를 더 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising: after the step of injecting the sealing material through the injection passage, curing the sealing material.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 파장 변환 물질은,
호스트; 및
상기 호스트 내에 수용되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
The method according to claim 1,
The wavelength conversion material may include,
Host; And
And a plurality of wavelength converting particles contained in the host.
삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 밀봉 물질은 비드를 더 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the sealing material further comprises a bead.
제 1항에 있어서,
상기 주입 통로를 통해 파장 변환 물질을 주입하는 단계는,
상기 파장 변환 물질을 수용하는 배스(bath)를 준비하는 단계; 및
상기 배스에 상기 주입 통로를 침지하는 단계를 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of injecting the wavelength converting material through the injection path comprises:
Preparing a bath containing the wavelength converting material; And
And immersing the injection passage in the bath.
제 1항에 있어서,
상기 주입 통로에 밀봉 물질을 주입하는 단계는,
상기 밀봉 물질을 수용하는 배스를 준비하는 단계; 및
상기 배스에 상기 주입 통로를 침지하는 단계를 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of injecting the sealing material into the injection path comprises:
Preparing a bath containing the sealing material; And
And immersing the injection passage in the bath.
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