KR101251775B1 - Optical member, display device having the same and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이를 제조하는 방법이 개시된다. 광학 부재는 중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위에 배치되는 외곽 영역을 포함하는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 상기 중앙 영역에 배치되는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 및 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 2 기판을 포함하고, 상기 제 1 기판은 상기 제 2 기판에 직접 접합된다.Disclosed are an optical member, a display device including the same, and a method of manufacturing the same. The optical member includes a first substrate including a central region and an outer region disposed around the central region; A wavelength conversion layer disposed on the central region on the first substrate; And a second substrate disposed on the wavelength conversion layer and the first substrate, wherein the first substrate is directly bonded to the second substrate.

Description

광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법{OPTICAL MEMBER, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Optical member, display device including same, and manufacturing method therefor {OPTICAL MEMBER, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

실시예는 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법이 개시된다.Embodiments disclose an optical member, a display device including the same, and a manufacturing method thereof.

발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor devices that convert electricity into ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays by using the characteristics of compound semiconductors. They are mainly used in home appliances, remote controllers, and large electric sign boards.

고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.The high-intensity LED light source is used as an illumination light. It has high energy efficiency, long life and low replacement cost. It is resistant to vibration and shock, and it does not require the use of toxic substances such as mercury. It is replacing incandescent lamps and fluorescent lamps.

또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.Also, the LED is very advantageous as a light source such as a medium and large-sized LCD TV and a monitor. Compared to CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp), which is mainly used in LCD (Liquid Crystal Display), it has excellent color purity, low power consumption, and easy miniaturization, Is in progress.

실시예는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지는 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide an optical member having improved reliability and durability, a display device including the same, and a manufacturing method thereof.

일 실시예에 따른 광학 부재는 중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위에 배치되는 외곽 영역을 포함하는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 상기 중앙 영역에 배치되는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 및 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 2 기판을 포함하고, 상기 제 1 기판은 상기 제 2 기판에 직접 접합된다.In one embodiment, an optical member includes: a first substrate including a central area and an outer area disposed around the central area; A wavelength conversion layer disposed on the central region on the first substrate; And a second substrate disposed on the wavelength conversion layer and the first substrate, wherein the first substrate is directly bonded to the second substrate.

일 실시예에 따른 표시장치는 광원, 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광학 부재 및 상기 광학 부재에 의해서 변환된 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 광학 부재는 중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위에 배치되는 외곽 영역을 포함하는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 상기 중앙 영역에 배치되는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 및 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 2 기판을 포함하고, 상기 제 1 기판은 상기 제 2 기판에 직접 접합된다.According to an exemplary embodiment, a display device includes a light source, an optical member for converting a wavelength of light emitted from the light source, and a display panel to which light converted by the optical member is incident, wherein the optical member includes a central region and the central region. A first substrate comprising an outer region disposed around the first substrate; A wavelength conversion layer disposed on the central region on the first substrate; And a second substrate disposed on the wavelength conversion layer and the first substrate, wherein the first substrate is directly bonded to the second substrate.

일 실시예에 따른 광학 부재의 제조방법은 중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위에 배치되는 외곽 영역을 포함하는 제 1 기판을 제공하는 단계; 상기 중앙 영역 상에 파장 변환층을 형성하는 단계; 상기 파장 변환층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 서로 접합시키는 단계를 포함한다.According to one or more exemplary embodiments, a method of manufacturing an optical member includes: providing a first substrate including a central area and an outer area disposed around the central area; Forming a wavelength conversion layer on the central region; Forming a second substrate on the wavelength conversion layer; And bonding the first substrate and the second substrate to each other.

실시예에 따른 광학 부재는 제 1 기판 및 제 2 기판이 서로 접합되어, 파장 변환층을 밀봉할 수 있다. 즉, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 상기 파장 변환층을 샌드위치하고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판의 외곽 영역이 서로 접합될 수 있다.In the optical member according to the exemplary embodiment, the first substrate and the second substrate may be bonded to each other to seal the wavelength conversion layer. That is, the first substrate and the second substrate may sandwich the wavelength conversion layer, and outer regions of the first substrate and the second substrate may be bonded to each other.

이에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재는 상기 파장 변환층의 파장 변환 입자들을 효과적으로 보호할 수 있다. 즉, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 서로 접합에 의해서 상기 파장 변환 입자들을 밀봉하므로, 상기 파장 변환 입자들은 외부의 습기 및/또는 산소로부터 효과적으로 보호될 수 있다.Accordingly, the optical member according to the embodiment can effectively protect the wavelength conversion particles of the wavelength conversion layer. That is, since the first substrate and the second substrate seal the wavelength converting particles by bonding to each other, the wavelength converting particles can be effectively protected from external moisture and / or oxygen.

또한, 실시예에 따른 광학 부재는 간단한 열 압착 등에 의해서, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 접합시키므로, 간단한 공정으로 제조될 수 있다.In addition, the optical member according to the embodiment is bonded by the first substrate and the second substrate by a simple thermal compression, etc., it can be manufactured in a simple process.

따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치는 향상된 신뢰성을 가지고, 용이하게 제조될 수 있다.Therefore, the optical member and the display device including the same according to the embodiment can be easily manufactured with improved reliability.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 파장 변환 시트를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2에서 B 부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 제 1 실시예에 따른 파장 변환 시트를 제조하는 과정을 도시한 도면이다.
도 8은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 시트를 도시한 평면도이다.
도 9는 도 8에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment.
2 is a perspective view showing a wavelength conversion sheet.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.
4 is an enlarged view illustrating a portion B of FIG. 2.
5 to 7 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion sheet according to the first embodiment.
8 is a plan view of the wavelength conversion sheet according to the second embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along CC ′ in FIG. 8.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 파장 변환 시트를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4는 도 2에서 B 부분을 확대하여 도시한 도면이다. 도 5 내지 도 7은 제 1 실시예에 따른 파장 변환 시트를 제조하는 과정을 도시한 도면이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment. 2 is a perspective view showing a wavelength conversion sheet. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 2. 4 is an enlarged view illustrating a portion B of FIG. 2. 5 to 7 are views illustrating a process of manufacturing the wavelength conversion sheet according to the first embodiment.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정 패널(20)을 포함한다.1 to 7, the liquid crystal display according to the embodiment includes a backlight unit 10 and a liquid crystal panel 20.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정 패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정 패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.The backlight unit 10 emits light to the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 may irradiate light uniformly to the bottom surface of the liquid crystal panel 20 with a surface light source.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정 패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.The backlight unit 10 is disposed below the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 includes a bottom cover 100, a light guide plate 200, a reflective sheet 300, a light source, for example, a plurality of light emitting diodes 400, a printed circuit board 401, and a plurality of optical sheets. Field 500.

상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.The bottom cover 100 has a shape in which an upper portion thereof is opened. The bottom cover 100 accommodates the light guide plate 200, the light emitting diodes 400, the printed circuit board 401, the reflective sheet 300, and the optical sheets 500.

상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.The light guide plate 200 is disposed in the bottom cover 100. The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 300. The light guide plate 200 emits light incident from the light emitting diodes 400 upward through total reflection, refraction, and scattering.

상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 300 is disposed below the light guide plate 200. In more detail, the reflective sheet 300 is disposed between the light guide plate 200 and the bottom surface of the bottom cover 100. The reflective sheet 300 reflects the light emitted from the lower surface of the light guide plate 200 upward.

상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.The light emitting diodes 400 are light sources for generating light. The light emitting diodes 400 are disposed on one side of the light guide plate 200. The light emitting diodes 400 generate light and enter the light guide plate 200 through a side surface of the light guide plate 200.

상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 400 may be blue light emitting diodes generating blue light or UV light emitting diodes generating ultraviolet light. That is, the light emitting diodes 400 may generate blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm or ultraviolet rays having a wavelength band between about 300 nm and about 400 nm.

상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diodes 400 are mounted on the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are disposed under the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are driven by receiving a driving signal through the printed circuit board 401.

상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.The printed circuit board 401 is electrically connected to the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 may mount the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 is disposed inside the bottom cover 100.

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정 패널(20)에 공급한다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 change or improve characteristics of light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 to supply the light to the liquid crystal panel 20.

상기 광학 시트들(500)은 파장 변환 시트(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.The optical sheets 500 may be a wavelength conversion sheet 501, a diffusion sheet 502, a first prism sheet 503, and a second prism sheet 504.

상기 파장 변환 시트(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 시트(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 파장 변환 시트(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.The wavelength conversion sheet 501 is disposed on the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion sheet 501 may be interposed between the light guide plate 200 and the diffusion sheet 502. The wavelength conversion sheet 501 may convert the wavelength of incident light and exit upward.

예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 시트(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 시트(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.For example, when the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes, the wavelength conversion sheet 501 may convert blue light emitted upward from the light guide plate 200 into green light and red light. That is, the wavelength conversion sheet 501 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the blue light having a wavelength band of about 630 nm to about 660 nm. Can be converted to red light.

또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 시트(501)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 시트(501)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.In addition, when the light emitting diodes 400 are UV light emitting diodes, the wavelength conversion sheet 501 may convert ultraviolet light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 into blue light, green light, and red light. That is, the wavelength conversion sheet 501 converts a part of the ultraviolet light into blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm, and another part of the ultraviolet light having a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm. Green light, and another portion of the ultraviolet light to red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

이에 따라서, 변환되지 않고 상기 파장 변환 시트(501)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 시트(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정 패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light that is not converted and passes through the wavelength conversion sheet 501 and the light converted by the wavelength conversion sheet 501 may form white light. That is, blue light, green light, and red light may be combined to allow white light to enter the liquid crystal panel 20.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 시트(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 파장 변환층(530), 제 1 무기 보호막(540) 및 제 2 무기 보호막(550)을 포함한다.As illustrated in FIGS. 2 and 3, the wavelength conversion sheet 501 may include a lower substrate 510, an upper substrate 520, a wavelength conversion layer 530, a first inorganic protective layer 540, and a second inorganic protective layer. 550.

상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.The lower substrate 510 is disposed under the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 is transparent and flexible. The lower substrate 510 may be in close contact with the lower surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the lower substrate 510 include transparent polymers such as polyethylene terephthalate (PET) and the like.

상기 하부 기판(510)은 중앙 영역(CR) 및 외곽 영역(OR)을 포함할 수 있다. 상기 중앙 영역(CR)은 상기 하부 기판(510)의 중앙 부분에 배치된다. 상기 중앙 영역(CR)은 상기 파장 변환층(530)에 대응될 수 있다. 상기 중앙 영역(CR)의 외곽은 상기 파장 변환층(530)의 외곽과 대응될 수 있다. 즉, 상기 중앙 영역(CR)은 상기 파장 변환층(530)에 의해서 정의될 수 있다.The lower substrate 510 may include a central region CR and an outer region OR. The central region CR is disposed in the central portion of the lower substrate 510. The central region CR may correspond to the wavelength conversion layer 530. The outer periphery of the central region CR may correspond to the outer periphery of the wavelength conversion layer 530. That is, the center region CR may be defined by the wavelength conversion layer 530.

또한, 상기 중앙 영역(CR)은 상기 액정 패널(20)에서 실제로 영상이 표시되는 영역에 대응될 수 있다.In addition, the center area CR may correspond to an area in which an image is actually displayed on the liquid crystal panel 20.

상기 외곽 영역(OR)은 상기 중앙 영역(CR) 주위에 배치된다. 즉, 상기 외곽 영역(OR)은 상기 중앙 영역(CR)의 주위를 둘러쌀 수 있다. 상기 외곽 영역(OR)은 상기 하부 기판(510)의 외곽 부분에 정의된다. 상기 외곽 영역(OR)은 탑측에서 보았을 때, 폐루프 형상을 가질 수 있다. 상기 외곽 영역(OR)의 폭은 약 1㎜ 내지 약 10㎜일 수 있다.The outer region OR is disposed around the central region CR. That is, the outer region OR may surround the center region CR. The outer region OR is defined at an outer portion of the lower substrate 510. The outer region OR may have a closed loop shape when viewed from the top side. The width of the outer area OR may be about 1 mm to about 10 mm.

상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 520 is disposed on the wavelength conversion layer 530. The upper substrate 520 is transparent and flexible. The upper substrate 520 may be in close contact with the upper surface of the wavelength conversion layer 530.

상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the upper substrate 520 may include a transparent polymer such as polyethyleneterephthalate (PET).

또한, 상기 상부 기판(520)에도, 상기 하부 기판(510)과 마찬가지로, 중앙 영역(CR) 및 외곽 영역(OR)이 정의될 수 있다.In addition, the upper substrate 520, like the lower substrate 510, may have a central region CR and an outer region OR defined therein.

상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The wavelength conversion layer 530 is interposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The wavelength conversion layer 530 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 510 and may be in close contact with the lower surface of the upper substrate 520.

상기 파장 변환층(530)은 다수 개의 파장 변환 입자들(531) 및 호스트층(532)을 포함한다.The wavelength conversion layer 530 includes a plurality of wavelength conversion particles 531 and a host layer 532.

상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 호스트층(532)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다.The wavelength conversion particles 531 are disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. More specifically, the wavelength converting particles 531 are uniformly dispersed in the host layer 532, and the host layer 532 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520.

상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength conversion particles 531 convert wavelengths of light emitted from the light emitting diodes 400. The wavelength conversion particles 531 receive light emitted from the light emitting diodes 400 to convert wavelengths. For example, the wavelength conversion particles 531 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light and red light. That is, some of the wavelength converting particles 531 convert the blue light into green light having a wavelength range of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the wavelength converting particles 531 converts the blue light to about 630 And can be converted into red light having a wavelength band of from about nm to about 660 nm.

이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.Alternatively, the wavelength conversion particles 531 may convert ultraviolet light emitted from the light emitting diodes 400 into blue light, green light, and red light. That is, a part of the wavelength converting particles 531 converts the ultraviolet ray into blue light having a wavelength range of about 430 nm to about 470 nm, and another part of the wavelength converting particles 531 converts the ultraviolet ray to about 520 Can be converted into green light having a wavelength band between nm and 560 nm. Further, another part of the wavelength converting particles 531 may convert the ultraviolet ray into red light having a wavelength range of about 630 nm to about 660 nm.

즉, 상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다.That is, when the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes generating blue light, wavelength converting particles 531 for converting blue light into green light and red light may be used. Alternatively, when the light emitting diodes 400 are UV light emitting diodes that generate ultraviolet light, wavelength converting particles 531 which convert ultraviolet light into blue light, green light, and red light may be used.

상기 파장 변환 입자들(531)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion particles 531 may be a plurality of quantum dots (QDs). The quantum dot may include a core nanocrystal and a shell nanocrystal surrounding the core nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 10 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of light emitted from the quantum dots can be controlled by the size of the quantum dots or the molar ratio of the molecular cluster compound and the nanoparticle precursor in the synthesis process. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, it produces very high fluorescence.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

상기 호스트층(532)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(532)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(532)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(532)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(532)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.The host layer 532 surrounds the wavelength converting particles 531. That is, the host layer 532 uniformly disperses the wavelength converting particles 531 therein. The host layer 532 may be comprised of a polymer. The host layer 532 is transparent. That is, the host layer 532 may be formed of a transparent polymer.

상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The host layer 532 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The host layer 532 may be in close contact with an upper surface of the lower substrate 510 and a lower surface of the upper substrate 520.

상기 제 1 무기 보호막(540)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 무기 보호막(540)은 상기 하부 기판(510) 아래에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 무기 보호막(540)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅될 수 있다.The first inorganic passivation layer 540 is disposed under the wavelength conversion layer 530. In more detail, the first inorganic passivation layer 540 may be disposed under the lower substrate 510. In more detail, the first inorganic protective layer 540 may be coated on the bottom surface of the lower substrate 510.

상기 제 1 무기 보호막(540)은 상기 하부 기판(510)과 함께, 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다. 즉, 상기 제 1 무기 보호막(540)은 상기 파장 변환층(530)을 외부의 물리적인 충격으로부터 보호할 수 있다. 또한, 상기 제 1 무기 보호막(540)은 상기 파장 변환층(530)에 산소 및/또는 습기 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.The first inorganic protective layer 540 may protect the wavelength conversion layer 530 together with the lower substrate 510. That is, the first inorganic protective layer 540 may protect the wavelength conversion layer 530 from external physical shocks. In addition, the first inorganic protective layer 540 may prevent oxygen and / or moisture from penetrating into the wavelength conversion layer 530.

또한, 상기 제 1 무기 보호막(540)은 상기 하부 기판(510)보다 더 낮은 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 무기 보호막(540)의 굴절율은 약 1.3 내지 1.6일 수 있다.In addition, the first inorganic protective layer 540 may have a lower refractive index than the lower substrate 510. For example, the refractive index of the first inorganic protective layer 540 may be about 1.3 to 1.6.

이에 따라서, 상기 제 1 무기 보호막(540)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 캡핑부(560) 사이에서 광학적인 완충 기능을 수행하여, 상기 하부 기판(510)의 하면에서의 반사를 감소시킬 수 있다.Accordingly, the first inorganic passivation layer 540 may perform an optical buffer function between the lower substrate 510 and the capping unit 560 to reduce reflection on the lower surface of the lower substrate 510. have.

상기 제 1 무기 보호막(540)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드(SiXOY) 또는 실리콘 나이트라이드(SiXNY) 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the first inorganic protective layer 540 include silicon oxide (Si X O Y ), silicon nitride (Si X N Y ), and the like.

상기 제 2 무기 보호막(550)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 무기 보호막(550)은 상기 상부 기판(520) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 무기 보호막(550)은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다.The second inorganic protective film 550 is disposed on the wavelength conversion layer 530. In more detail, the second inorganic passivation layer 550 may be disposed on the upper substrate 520. In more detail, the second inorganic protective layer 550 may be coated on the upper surface of the upper substrate 520.

상기 제 2 무기 보호막(550)은 상기 상부 기판(520)과 함께, 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다. 즉, 상기 제 2 무기 보호막(550)은 상기 파장 변환층(530)을 외부의 물리적인 충격으로부터 보호할 수 있다. 또한, 상기 제 2 무기 보호막(550)은 상기 파장 변환층(530)에 산소 및/또는 습기 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.The second inorganic protective layer 550 may protect the wavelength conversion layer 530 together with the upper substrate 520. That is, the second inorganic protective layer 550 may protect the wavelength conversion layer 530 from external physical shocks. In addition, the second inorganic protective layer 550 may prevent oxygen and / or moisture from penetrating into the wavelength conversion layer 530.

상기 제 2 무기 보호막(550)은 상기 상부 기판(520)보다 더 낮은 굴절율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 무기 보호막(550)의 굴절율은 약 1.3 내지 1.6일 수 있다.The second inorganic protective layer 550 may have a lower refractive index than the upper substrate 520. For example, the refractive index of the second inorganic protective layer 550 may be about 1.3 to 1.6.

이에 따라서, 상기 제 2 무기 보호막(550)은 상기 상부 기판(520) 및 캡핑부(560) 사이에서 광학적인 완충 기능을 수행하여, 상기 상부 기판(520)의 상면에서의 반사를 감소시킬 수 있다.Accordingly, the second inorganic passivation layer 550 may perform an optical buffer function between the upper substrate 520 and the capping unit 560 to reduce reflection on the upper surface of the upper substrate 520. .

상기 제 2 무기 보호막(550)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the second inorganic protective layer 550 include silicon oxide or silicon nitride.

상기 제 1 무기 보호막(540) 및 상기 제 2 무기 보호막(550)은 반사 방지 기능과 같은 광학적인 기능을 수행할 뿐 아니라, 상기 파장 변환층(530)을 밀봉하여, 외부의 물리적 및 화학적인 충격으로부터 보호할 수 있다.The first inorganic passivation layer 540 and the second inorganic passivation layer 550 not only perform an optical function such as an antireflection function, but also seal the wavelength conversion layer 530 so that external physical and chemical impacts To protect against

상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호한다.The lower substrate 510 and the upper substrate 520 sandwich the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 support the wavelength conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 protect the wavelength conversion layer 530 from external physical impacts.

또한, 상기 하부 기판(510)의 일부 및 상기 상부 기판(520)의 일부는 서로 접합되어 일체화될 수 있다. 더 자세하게, 상기 하부 기판(510)의 외곽 영역(OR) 및 상기 상부 기판(520)의 외곽 영역(OR)은 서로 일체화될 수 있다.In addition, a portion of the lower substrate 510 and a portion of the upper substrate 520 may be bonded to each other and integrated. In more detail, the outer region OR of the lower substrate 510 and the outer region OR of the upper substrate 520 may be integrated with each other.

더 자세하게, 상기 하부 기판(510)의 외곽 영역(OR)은 접합 영역(CP)을 포함한다. 상기 접합 영역(CP)은 상기 외곽 영역(OR) 전체에 형성될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 접합 영역(CP)은 상기 외곽 영역(OR)의 일부에 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 외곽 영역(OR)은 상기 접합 영역(CP)에 인접하는 비접합 영역(NCP)을 포함할 수 있다.In more detail, the outer region OR of the lower substrate 510 includes a junction region CP. The junction region CP may be formed in the entire outer region OR. Alternatively, the junction region CP may be formed in a portion of the outer region OR. Accordingly, the outer region OR may include a non-joint region NCP adjacent to the junction region CP.

상기 접합 영역(CP)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)이 서로 일체화되어, 접합되는 부분이다. 상기 접합 영역(CP)은 상기 중앙 영역(CR)의 주위를 따라서 연장된다. 더 자세하게, 상기 접합 영역(CP)은 탑측에서 보았을 때, 상기 중앙 영역(CR)의 주위를 둘러쌀 수 있다.The bonding region CP is a portion in which the lower substrate 510 and the upper substrate 520 are integrated with each other and bonded to each other. The junction region CP extends along the circumference of the central region CR. In more detail, the junction region CP may surround the center region CR when viewed from the top side.

상기 접합 영역(CP)은 상기 외곽 영역(OR)을 따라서 연장되고, 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 접합 영역(CP)에 대응하여, 상기 하부 기판(510)의 하면에는 홈(511)이 형성된다. 또한, 상기 접합 영역(CP)에 대응하여, 상기 상부 기판(520)의 상면에는 홈(521)이 형성된다.The junction region CP may extend along the outer region OR and may have a closed loop shape. In addition, a groove 511 is formed on a lower surface of the lower substrate 510 corresponding to the bonding region CP. In addition, a groove 521 is formed on an upper surface of the upper substrate 520 to correspond to the bonding region CP.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 접합 영역(CP)은 반복되는 형상으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 접합 영역(CP)은 지그 재그(zig zag) 형상으로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 접합 영역(CP)은 제 1 방향으로 연장되는 제 1 연장 영역(E1) 및 제 2 방향으로 연장되는 제 2 연장 영역(E2)을 포함한다. 이때, 상기 제 2 연장 영역(E2)은 상기 제 1 연장 영역(E1)의 끝단으로부터 연장되고, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 서로 교차하는 방향이다.As shown in FIG. 4, the junction region CP may extend in a repeating shape. For example, the bonding region CP may extend in the shape of a zig zag. For example, the bonding region CP includes a first extension region E1 extending in a first direction and a second extension region E2 extending in a second direction. In this case, the second extension area E2 extends from an end of the first extension area E1, and the first direction and the second direction cross each other.

또한, 상기 접합 영역(CP)은 제 3 방향으로 연장되는 제 3 연장 영역(E3) 및 제 4 방향으로 연장되는 제 4 연장 영역(E4)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 3 연장 영역(E3)은 상기 제 2 연장 영역(E2)의 끝단으로부터 연장되고, 상기 제 3 방향은 상기 제 2 방향에 대해서 교차하는 방향이다. 또한, 상기 제 4 연장 영역(E4)은 상기 제 3 연장 영역(E3)의 끝단으로부터 연장되고, 상기 제 4 방향은 상기 제 3 방향에 대하여 교차하는 방향이다.In addition, the junction region CP may include a third extension region E3 extending in the third direction and a fourth extension region E4 extending in the fourth direction. In this case, the third extension area E3 extends from an end of the second extension area E2, and the third direction is a direction crossing with respect to the second direction. In addition, the fourth extension area E4 extends from an end of the third extension area E3, and the fourth direction is a direction crossing with respect to the third direction.

이와 같이, 상기 제 1 연장 영역(E1), 상기 제 2 연장 영역(E2), 상기 제 3 연장 영역(E3) 및 상기 제 4 연장 영역(E4)은 주기적으로 반복되어, 상기 접합 영역(CP)이 구성될 수 있다.As described above, the first extension region E1, the second extension region E2, the third extension region E3, and the fourth extension region E4 are periodically repeated, so that the junction region CP is extended. This can be configured.

이와 같이, 상기 접합 영역(CP)은 일정하게 반복되는 형상으로 연장되므로, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 향상된 접합력으로 서로 접합될 수 있다. 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 효과적으로 보호할 수 있다.As such, since the bonding region CP extends in a shape that is constantly repeated, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 may be bonded to each other with improved bonding force. Therefore, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 may effectively protect the wavelength conversion particles 531.

또한, 상기 하부 기판(510)의 하면에는 상기 접합 영역(CP)에 대응하여 홈이 형성되 수 있다. 또한, 상기 상부 기판(520)의 상면에도 상기 접합 영역(CP)에 대응하여 홈이 형성될 수 있다.In addition, a groove may be formed on the bottom surface of the lower substrate 510 corresponding to the bonding area CP. In addition, grooves may be formed on the upper surface of the upper substrate 520 to correspond to the bonding region CP.

또한, 상기 하부 기판(510), 상기 상부 기판(520), 상기 제 1 무기 보호막(540) 및 상기 제 2 무기 보호막(550)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510), 상기 상부 기판(520), 상기 제 1 무기 보호막(540) 및 상기 제 2 무기 보호막(550)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다.In addition, the lower substrate 510, the upper substrate 520, the first inorganic protective layer 540, and the second inorganic protective layer 550 have low oxygen permeability and moisture permeability. Accordingly, the lower substrate 510, the upper substrate 520, the first inorganic passivation layer 540, and the second inorganic passivation layer 550 may have the wavelength from an external chemical shock such as moisture and / or oxygen. The conversion layer 530 may be protected.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 상기 파장 변환 시트(501)는 다음과 과정에 의해서 형성될 수 있다.5 to 7, the wavelength conversion sheet 501 may be formed by the following process.

도 5를 참조하면, 제 1 무기 보호막(540)이 하면에 코팅된 하부 기판(510) 상에 파장 변환 입자들(531)을 포함하는 수지 조성물이 코팅된다. 이후, 상기 수지 조성물은 자외선 등에 의해서 경화되고, 파장 변환층(530)이 형성된다. 상기 파장 변환층(530)에 의해서, 상기 하부 기판(510)은 중앙 영역(CR) 및 외곽 영역(OR)으로 구분될 수 있다.Referring to FIG. 5, a resin composition including wavelength converting particles 531 is coated on a lower substrate 510 on which a first inorganic protective layer 540 is coated on a bottom surface thereof. Thereafter, the resin composition is cured by ultraviolet rays or the like, and the wavelength conversion layer 530 is formed. The lower substrate 510 may be divided into a central region CR and an outer region OR by the wavelength conversion layer 530.

도 6을 참조하면, 상기 하부 기판(510) 및 상기 파장 변환층(530) 상에 상부 기판(520)이 라미네이팅된다. 상기 상부 기판(520)의 상면에는 제 2 무기 보호막(550)이 형성될 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.Referring to FIG. 6, an upper substrate 520 is laminated on the lower substrate 510 and the wavelength conversion layer 530. The second inorganic passivation layer 550 may be formed on the upper surface of the upper substrate 520. The upper substrate 520 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 510 and the wavelength conversion layer 530.

도 7을 참조하면, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 서로 접합된다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)에 접합 영역(CP)이 형성된다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)을 접합시키기 위해서, 열 접합 장치(30, 40)가 사용될 수 있다. 상기 열 접합 장치(30, 40)는 제 1 열 접합 장치(30) 및 제 2 열 접합 장치(40)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 are bonded to each other. Accordingly, a junction region CP is formed in the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In order to bond the lower substrate 510 and the upper substrate 520, thermal bonding apparatuses 30 and 40 may be used. The thermal bonding apparatuses 30 and 40 may include a first thermal bonding apparatus 30 and a second thermal bonding apparatus 40.

상기 제 1 열 접합 장치(30)는 상기 하부 기판(510) 아래에 배치되고, 상기 제 2 열 접합 장치(40)는 상기 상부 기판(520) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 열 접합 장치(30) 및 상기 제 2 열 접합 장치(40)는 서로 대응될 수 있다.The first thermal bonding apparatus 30 may be disposed under the lower substrate 510, and the second thermal bonding apparatus 40 may be disposed on the upper substrate 520. The first thermal bonding apparatus 30 and the second thermal bonding apparatus 40 may correspond to each other.

또한, 상기 제 1 열 접합 장치(30) 및 상기 제 2 열 접합 장치(40)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)에 국부적으로 열 및 압력을 가하여, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)을 접합시킬 수 있다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)에 접합 영역(CP)이 형성된다. 또한, 상기 하부 기판(510)의 하면 및 상기 상부 기판(520)의 상면에 홈들(511, 521)이 각각 형성될 수 있다.In addition, the first thermal bonding apparatus 30 and the second thermal bonding apparatus 40 apply heat and pressure to the lower substrate 510 and the upper substrate 520 locally, thereby providing the lower substrate 510. And the upper substrate 520 may be bonded. Accordingly, a junction region CP is formed in the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In addition, grooves 511 and 521 may be formed on a lower surface of the lower substrate 510 and an upper surface of the upper substrate 520, respectively.

또한, 상기 제 1 열 접합 장치(30) 및 상기 제 2 열 접합 장치(40)는 탑측에서 보았을 때 폐루프 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 열 접합 장치(30) 및 상기 제 2 열 접합 장치(40)는 상기 파장 변환층(530)의 주위를 둘러싸도록 배치될 수 있다.In addition, the first thermal bonding apparatus 30 and the second thermal bonding apparatus 40 may have a closed loop shape when viewed from the top side. In addition, the first thermal bonding apparatus 30 and the second thermal bonding apparatus 40 may be disposed to surround the wavelength conversion layer 530.

상기 확산 시트(502)는 상기 파장 변환 시트(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.The diffusion sheet 502 is disposed on the wavelength conversion sheet 501. The diffusion sheet 502 improves the uniformity of light passing therethrough. The diffusion sheet 502 may include a plurality of beads.

상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.The first prism sheet 503 is disposed on the diffusion sheet 502. The second prism sheet 504 is disposed on the first prism sheet 503. The first prism sheet 503 and the second prism sheet 504 increase the straightness of light passing therethrough.

상기 액정 패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정 패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정 패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.The liquid crystal panel 20 is disposed on the optical sheets 500. In addition, the liquid crystal panel 20 is disposed on the panel guide 23. The liquid crystal panel 20 may be guided by the panel guide 23.

상기 액정 패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정 패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정 패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정 패널(20)은 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 20 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 20. That is, the liquid crystal panel 20 is a display panel that displays an image by using light emitted from the backlight unit 10. The liquid crystal panel 20 includes a TFT substrate 21, a color filter substrate 22, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In addition, the liquid crystal panel 20 includes polarization filters.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawings, the TFT substrate 21 and the color filter substrate 22 will be described in detail. In the TFT substrate 21, a plurality of gate lines and data lines cross each other to define pixels, and respective intersections are performed. A thin flim transistor (TFT) is provided in each region and is connected in one-to-one correspondence with the pixel electrode mounted in each pixel. The color filter substrate 22 includes a color filter of R, G, and B colors corresponding to each pixel, a black matrix bordering each of them, covering a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like, and a common electrode covering all of them. Include.

액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.A driving PCB 25 is provided at the edge of the liquid crystal display panel 210 to supply driving signals to the gate line and the data line.

상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정 패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The driving PCB 25 is electrically connected to the liquid crystal panel 20 by a chip on film (COF) 24. Here, the COF 24 may be changed to a tape carrier package (TCP).

앞서 살펴본 바와 같이, 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)이 서로 접합되어, 외부에 대해서 밀봉될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 파장 변환 시트(501)는 산소 및/또는 습기 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터, 상기 파장 변환층(530)을 효과적으로 보호할 수 있다.As described above, in the wavelength conversion layer 530, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 are bonded to each other and sealed to the outside. Accordingly, the wavelength conversion sheet 501 according to the embodiment may effectively protect the wavelength conversion layer 530 from external chemical impact such as oxygen and / or moisture.

따라서, 상기 파장 변환 시트(501)는 상기 파장 변환 입자들(531)이 산소 및/또는 습기 등에 의해서 변성되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the wavelength conversion sheet 501 may prevent the wavelength conversion particles 531 from being denatured by oxygen and / or moisture.

따라서, 상기 파장 변환 시트(501)는 향상된 내구성 및 신뢰성을 가질 수 있고, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 화질을 가질 수 있다.Accordingly, the wavelength conversion sheet 501 may have improved durability and reliability, and the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability and image quality.

또한, 실시예에 따른 액정표시장치는 간단한 열 압착 공정에 의해서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)을 접합시킨다. 즉, 실시예에 따른 액정표시장치는 간단한 공정에 의해서, 측면으로 침투되는 습기 및/또는 산소를 차단할 수 있다.In the liquid crystal display according to the embodiment, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 are bonded to each other by a simple thermocompression bonding process. That is, the liquid crystal display according to the embodiment may block moisture and / or oxygen penetrating into the side surface by a simple process.

따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 간단한 공정에 의해서 용이하게 제조될 수 있다.
Therefore, the liquid crystal display device according to the embodiment can be easily manufactured by a simple process.

도 8은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 시트를 도시한 평면도이다. 도 9는 도 8에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예들에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 파장 변환 부재에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 파장 변환 부재들에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.8 is a plan view of the wavelength conversion sheet according to the second embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 8. In the description of the embodiments, reference is made to the description of the foregoing embodiment. That is, the foregoing description of the wavelength converting member may be essentially combined with the description of the present wavelength converting members, except for the changed part.

도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 하부 기판(510)의 외곽 영역(OR)은 제 1 접합 영역(CP1) 및 제 2 접합 영역(CP2)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 접합 영역(CP1) 및 상기 제 2 접합 영역(CP2)은 서로 이격될 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 접합 영역(CP1) 및 상기 제 2 접합 영역(CP2) 사이에 비접합 영역(NCP)이 개재될 수 있다.8 and 9, an outer region OR of the lower substrate 510 may include a first bonding region CP1 and a second bonding region CP2. The first junction region CP1 and the second junction region CP2 may be spaced apart from each other. Accordingly, the non-junction region NCP may be interposed between the first junction region CP1 and the second junction region CP2.

또한, 상기 제 1 접합 영역(CP1)은 파장 변환층(530)의 주위를 둘러쌀 수 있다. 상기 제 1 접합 영역(CP1)은 폐루프 형상을 가질 수 있다.In addition, the first junction region CP1 may surround the wavelength conversion layer 530. The first junction region CP1 may have a closed loop shape.

상기 제 2 접합 영역(CP2)은 상기 제 1 접합 영역(CP1)을 둘러쌀 수 있다. 상기 제 2 접합 영역(CP2)은 상기 제 1 접합 영역(CP1)보다 더 바깥쪽에 배치된다. 상기 제 2 접합 영역(CP2)은 폐루프 형상을 가질 수 있다.The second junction region CP2 may surround the first junction region CP1. The second junction region CP2 is disposed outside the first junction region CP1. The second junction region CP2 may have a closed loop shape.

상기 하부 기판(510)에는 상기 제 1 접합 영역(CP1)에 대응하여, 하면에 제 1 홈(512)이 형성될 수 있다. 또한, 상부 기판(520)에는 상기 제 1 접합 영역(CP1)에 대응하여, 상면에 제 2 홈(522)이 형성될 수 있다.A first groove 512 may be formed on a lower surface of the lower substrate 510 to correspond to the first bonding region CP1. In addition, a second groove 522 may be formed on an upper surface of the upper substrate 520 to correspond to the first bonding region CP1.

또한, 상기 하부 기판(510)에는 상기 제 2 접합 영역(CP2)에 대응하여, 하면에 제 3 홈(513)이 형성될 수 있다. 또한, 상부 기판(520)에는 상기 제 2 접합 영역(CP2)에 대응하여, 상면에 제 4 홈(523)이 형성될 수 있다.In addition, a third groove 513 may be formed on a lower surface of the lower substrate 510 to correspond to the second bonding region CP2. In addition, a fourth groove 523 may be formed on an upper surface of the upper substrate 520 to correspond to the second bonding region CP2.

본 실시예에 따른 파장 변환 시트(501)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)을 이중으로 접합시킨다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 더 효율적으로 밀봉할 수 있다.The wavelength conversion sheet 501 according to the present embodiment double bonds the lower substrate 510 and the upper substrate 520. Accordingly, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 may seal the wavelength conversion layer 530 more efficiently.

따라서, 본 실시예에 따른 파장 변환 시트(501)는 파장 변환층(530)의 파장 변환 입자들(531)을 외부의 산소 및/또는 습기로부터 효과적으로 보호할 수 있다.Accordingly, the wavelength conversion sheet 501 according to the present embodiment may effectively protect the wavelength conversion particles 531 of the wavelength conversion layer 530 from external oxygen and / or moisture.

실시예들에서 설명한 파장 변환 시트(501)는 넓게는 파장 변환 부재, 더 넓게는 광학 부재에 해당한다. 따라서, 실시예들에서의 접합 구조는 다양한 광학 부재들에 변형되어 적용될 수 있다.The wavelength conversion sheet 501 described in the embodiments broadly corresponds to the wavelength conversion member, more broadly the optical member. Thus, the bonding structure in the embodiments can be modified and applied to various optical members.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (11)

중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위에 배치되는 외곽 영역을 포함하는 제 1 기판;
상기 제 1 기판 상에 상기 중앙 영역에 배치되는 파장 변환층; 및
상기 파장 변환층 및 상기 제 1 기판 상에 배치되며, 상기 외곽 영역에서 상기 제 1 기판에 직접 접합되는 제 2 기판을 포함하고,
상기 외곽 영역은,
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판이 서로 일체로 접합되며, 지그 재그(zig zag) 형상으로 연장되는 접합 영역을 포함하는 광학 부재.
A first substrate comprising a central region and an outer region disposed around the central region;
A wavelength conversion layer disposed on the central region on the first substrate; And
A second substrate disposed on the wavelength conversion layer and the first substrate and directly bonded to the first substrate in the outer region;
The outer region is,
And the joining region in which the first substrate and the second substrate are integrally bonded to each other and extend in a zig zag shape.
제 1 항에 있어서, 상기 외곽 영역은
상기 접합 영역에 인접하며, 상기 제 2 기판과 분리되는 비접합 영역을 더 포함하는 광학 부재.
The method of claim 1, wherein the outer region is
And an unbonded region adjacent the junction region and separated from the second substrate.
제 1 항에 있어서, 상기 접합 영역은 상기 파장 변환층의 주위를 둘러싸는 광학 부재.The optical member according to claim 1, wherein the junction region surrounds the wavelength conversion layer. 제 1 항에 있어서, 상기 접합 영역은 폐루프 형상을 가지는 광학 부재.The optical member according to claim 1, wherein the joining region has a closed loop shape. 제 1 항에 있어서, 상기 접합 영역은
제 1 방향으로 연장되는 제 1 연장 영역;
상기 제 1 연장 영역으로부터 제 2 방향으로 연장되는 제 2 연장 영역을 포함하는 광학 부재.
The method of claim 1, wherein the junction region is
A first extension region extending in a first direction;
And a second extension region extending in the second direction from the first extension region.
제 2 항에 있어서, 상기 접합 영역은
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판이 서로 일체로 접합되는 제 1 접합 영역; 및
상기 제 1 접합 영역과 이격되고, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판이 서로 일체로 접합되는 제 2 접합 영역;을 포함하고,
상기 제 1 접합 영역 및 상기 제 2 접합 영역 사이에 상기 비접합 영역이 배치되는 광학 부재.
The method of claim 2, wherein the junction region is
A first bonding region in which the first substrate and the second substrate are integrally bonded to each other; And
And a second bonding region spaced apart from the first bonding region, wherein the first substrate and the second substrate are integrally bonded to each other.
And the non-bonded region is disposed between the first bonded region and the second bonded region.
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 접합 영역은 상기 파장 변환층을 둘러싸고,
상기 제 2 접합 영역은 상기 제 1 접합 영역을 둘러싸는 광학 부재.
The method of claim 6, wherein the first junction region surrounds the wavelength conversion layer,
And the second bonding region surrounds the first bonding region.
광원;
상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광학 부재; 및
상기 광학 부재에 의해서 변환된 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
상기 광학 부재는,
중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위에 배치되는 외곽 영역을 포함하는 제 1 기판;
상기 제 1 기판 상에 상기 중앙 영역에 배치되는 파장 변환층; 및
상기 파장 변환층 및 상기 제 1 기판 상에 배치되며, 상기 외곽 영역에서 상기 제 1 기판에 직접 접합되는 제 2 기판을 포함하고,
상기 외곽 영역은,
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판이 서로 일체로 접합되며, 지그 재그(zig zag) 형상으로 연장되는 접합 영역을 포함하는 표시장치.
Light source;
An optical member for converting a wavelength of light emitted from the light source; And
A display panel to which light converted by the optical member is incident;
Wherein the optical member comprises:
A first substrate comprising a central region and an outer region disposed around the central region;
A wavelength conversion layer disposed on the central region on the first substrate; And
A second substrate disposed on the wavelength conversion layer and the first substrate and directly bonded to the first substrate in the outer region;
The outer region is,
And a bonding region in which the first substrate and the second substrate are integrally bonded to each other and extend in a zig zag shape.
중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위에 배치되는 외곽 영역을 포함하는 제 1 기판을 제공하는 단계;
상기 중앙 영역 상에 파장 변환층을 형성하는 단계;
상기 파장 변환층 상에 제 2 기판을 형성하는 단계; 및
상기 외곽 영역에서 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 서로 접합시키는 단계를 포함하며,
상기 외곽 영역은,
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판이 서로 일체로 접합되며, 지그 재그(zig zag) 형상으로 연장되는 접합 영역을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
Providing a first substrate comprising a central region and an outer region disposed around the central region;
Forming a wavelength conversion layer on the central region;
Forming a second substrate on the wavelength conversion layer; And
Bonding the first substrate and the second substrate to each other in the outer region;
The outer region is,
And a joining region in which the first substrate and the second substrate are integrally bonded to each other and extend in a zig zag shape.
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 접합시키는 단계는
상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판에 열 및 압력을 가하는 단계를 포함하는 광학 부재의 제조방법.
The method of claim 9, wherein the bonding of the first substrate and the second substrate is performed.
And applying heat and pressure to the first substrate and the second substrate.
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판에 열 및 압력을 가하는 단계에서,
상기 파장 변환층의 주위를 둘러싸도록, 상기 접합 영역이 형성되는 광학 부재의 제조방법.
The method of claim 10, wherein applying heat and pressure to the first substrate and the second substrate comprises:
The said joining area | region is formed so that the circumference | surroundings of the said wavelength conversion layer may be formed.
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