KR101390274B1 - 집적된 시간 및／또는 캐패시턴스 측정 시스템, 방법 및 장치 - Google Patents

집적된 시간 및／또는 캐패시턴스 측정 시스템, 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

이벤트의 시간 주기는 이벤트 동안 정전류원으로부터의 기지의 값 캐패시터를 바꿈으로써 결정된다. 캐패시터의 결과적인 전압은 이벤트 시간 주기에 비례하고 결과적인 전압과 기지의 캐패시턴스값으로부터 계산될 수 있다. 캐패시턴스는 기지의 시간 주기동안 정전류원으로부터의 캐패시터를 바꿈으로써 측정된다. 캐패시터의 결과적인 전압은 캐패시턴스와 비례하고 결과적인 전압과 기지의 시간 주기로부터 계산될 수 있다. 긴 시간주기는 클록 시간들을 카운트하면서 이벤트의 시작에서의 제1 캐패시터와 이벤트의 종료에서의 제2 캐패시터를 바꿈으로써 측정될 수 있다. 이벤트의 지연은 전압들을 기준전압과 비교하면서 이벤트의 시작과 종료에서의 제1 및 제2 캐패시터의 전압을 바꿈으로써 행해진다.

Description

집적된 시간 및／또는 캐패시턴스 측정 시스템, 방법 및 장치{INTEGRATED TIME AND/OR CAPACITANCE MEASUREMENT SYSTEM, METHOD AND APPARATUS}
본 발명은 시간 및/또는 캐패시턴스 측정에 관한 것으로, 특히 기지의 시간 주기동안 정밀하게 발생된 아날로그 전압을 측정함으로써 시간 및/또는 캐패시턴스를 매우 정밀하고 높은 분해능으로 측정하는 것에 관한 것이다.
디지털 로직에 의한 시간 측정기들은 매우 짧은 시간 주기, 예를 들어 100 피코세컨즈를 갖는 이벤트들의 시간을 정밀하게 측정하기 위해 극초단파로 구동하는 클록장치들을 필요로 한다. 극초단파(예를 들면 1-10㎓)로 구동하는 클록장치 및 약 1㎓로 구동할 수 있는 구동 로직은 클록 및 로직 회로들을 구동시키기 위해 상당한 전력을 필요로 하며, 또한 이러한 클록 속도들로 동작하는 클록 및 디지털 로직 회로들은 상당한 회로 노이즈를 발생시킬 수 있다.
따라서, 극초단파 클록장치 및 고전력 소모 디지털 로직에 의존하지 않고 이벤트의 시간주기 및/또는 캐패시턴스값을 매우 정밀하게 측정하는 방법이 요구된다. 본 발명의 교시에 따르면, 매우 높은 분해능의 시간 및/또는 캐패시턴스 측정을 제공하기 위한 시스템, 방법, 및 장치가 제공된다. 시간 측정은 시간 베이스 기준의 주파수 정밀도 및 아날로그-디지털 변환기(ADC)의 분해능, 예를 들어 8, 10 또는 12 비트에만 의존하여 시간 대 피코세컨즈 분해능을 해결할 수 있다. 예를 들면, 100 나노세컨드 범위는 0.1 나노세컨드의 분해능을 가지고, 1000 나노세컨드 범위는 1 나노세컨드의 분해능을 가지고, 10,000 나노세컨드 범위는 10 나노세컨드의 분해능을 가지고, 50,000 나노세컨드 범위는 50 나노세컨드의 분해능 등을 가질 수 있다. 두개의 시간 측정 유닛에 의해, 동적 시간 측정 범위는 ppm 당 1 파트까지 미칠 수 있다. 바람직하게는, 캐패시턴스 측정 특징은 캐패시터들의 캐패시턴스값의 측정에 더하여 캐패시티브 스위치 센서로 사용될 수 있다. 또한, 이것은 낮은 클록 속도(적은 디지털 노이즈) 및 낮은 전력(연장된 배터리 동작) 회로 구현으로 달성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 시간 주기를 측정하기 위한 장치는 정전류원; 상기 정전류원에 연결된 전류 스티어링 스위치; 상기 전류 스티어링 스위치에 연결된 캐패시터로서, 상기 캐패시터는 기지의 캐패시턴스값을 가지며, 상기 캐패시터의 전압은 상기 전류 스티어링 스위치가 상기 정전류원을 상기 캐패시터에 연결할 때에 선형적으로 증가되는 캐패시터; 상기 전류 스티어링 스위치를 제어하기 위한 회로로서, 상기 전류 스티어링 스위치는 상기 회로가 이벤트의 시작을 검출하면 상기 캐패시터를 상기 정전류원에 연결하고 상기 회로가 상기 이벤트의 종료를 검출하면 상기 캐패시터를 상기 정전류원에서 분리시키는 회로; 상기 캐패시터의 전압을 디지털 표현으로 변환시키는 아날로그-디지털 변환기(ADC); 및 상기 캐패시터 전압의 디지털 표현을 상기 이벤트의 시작 및 종료 사이의 시간 주기를 대표하는 시간값으로 변환시키는 디지털 프로세서를 포함할 수 있다. 디지털 프로세서는 기지의 캐패시턴스값과 전압의 디지털 표현으로부터 이벤트의 시간 주기를 계산할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 시간 주기를 측정하기 위한 방법은 정전류원을 제공하는 단계; 기지의 캐패시턴스값을 갖는 캐패시터를 제공하는 단계; 이벤트의 시작이 검출되면 상기 기지의 캐패시턴스값을 갖는 캐패시터를 상기 정전류원으로부터 충전시키는 단계; 상기 이벤트의 종료가 검출되면 상기 캐패시터의 전압을 디지털 표현으로 변환시키는 단계; 및 상기 전압의 디지털 표현을 상기 이벤트의 시작과 종료 사이의 시간 주기를 대표하는 시간값으로 변환시키는 단계를 포함할 수 있다. 전압의 디지털 표현의 시간값으로의 변환 단계는 기지의 캐패시턴스값과 이벤트의 종료시의 캐패시터 전압의 디지털 표현으로부터 이벤트의 시간 주기를 계산하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시예에 따르면, 캐패시턴스를 측정하기 위한 장치는 정전류원; 상기 정전류원에 연결된 전류 스티어링 스위치; 상기 전류 스티어링 스위치에 연결된 캐패시터로서, 상기 캐패시터는 미지의 캐패시턴스값을 가지며, 상기 캐패시터의 전압은 상기 전류 스티어링 스위치가 상기 정전류원을 상기 캐패시터에 연결할 때에 선형적으로 증가되는 캐패시터; 상기 전류 스티어링 스위치를 제어하기 위한 회로로서, 상기 전류 스티어링 스위치는 상기 회로가 기지의 클록 시간주기의 시작을 검출하면 상기 캐패시터를 상기 정전류원에 연결하고 상기 회로가 상기 기지의 클록 시간주기의 종료를 검출하면 상기 캐패시터를 상기 정전류원에서 분리시키는 회로; 상기 캐패시터의 전압을 디지털 표현으로 변환시키는 아날로그-디지털 변환기(ADC); 및 상기 전압의 디지털 표현을 캐패시턴스값으로 변환시키는 디지털 프로세서를 포함할 수 있다. 디지털 프로세서는 전압의 디지털 표현과 기지의 클록 시간주기로부터 미지의 값 캐패시터의 캐패시턴스를 계산할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시예에 따르면, 캐패시턴스값을 측정하기 위한 방법은 정전류원을 제공하는 단계; 미지의 캐패시턴스값을 갖는 캐패시터를 제공하는 단계; 기지의 클록 시간주기의 시작이 검출되면 상기 전류 스티어링 스위치를 닫는 단계; 기지의 시간 주기를 갖는 클록의 시작이 검출되면 상기 미지의 캐패시턴스값을 갖는 캐패시터를 상기 정전류원으로부터 충전시키는 단계; 상기 기지의 시간주기를 갖는 클록의 종료가 검출되면 상기 캐패시터의 전압을 디지털 표현으로 변환시키는 단계; 및 상기 전압의 디지털 표현을 캐패시턴스 값으로 변환시키는 단계를 포함할 수 있다. 전압의 디지털 표현의 캐패시턴스값으로의 변환 단계는 전압의 디지털 표현과 기지의 클록 시간 주기로부터 캐패시턴스값을 계산하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 긴 시간주기를 측정하기 위한 장치는 시스템 클록에 연결된 클록 입력을 가지며, 이벤트의 시작 후에 시스템 클록 사이클의 카운트를 시작하고 상기 이벤트의 종료 후에 시스템 클록 사이클의 카운트를 중지하는 클록 인터벌 카운터; 제1 정전류원과, 상기 제1 정전류원에 연결된 제1 전류 스티어링 스위치와, 상기 제1 전류 스티어링 스위치에 연결된 제1 캐패시터로서, 상기 제1 캐패시터는 기지의 캐패시턴스값을 가지며, 상기 제1 캐패시터의 제1 전압은 상기 제1 전류 스티어링 스위치가 상기 제1 정전류원을 상기 제1 캐패시터에 연결할 때에 선형적으로 증가되는 제1 캐패시터와, 상기 제1 전류 스티어링 스위치를 제어하기 위한 제1 회로로서, 상기 제1 전류 스티어링 스위치는 상기 제1 회로가 이벤트의 시작을 검출하면 상기 제1 캐패시터를 상기 제1 정전류원에 연결하고 상기 제1 회로가 상기 이벤트의 시작 후에 일어나는 시스템 클록 사이클을 검출하면 상기 제1 캐패시터를 상기 제1 정전류원에서 분리시키는 제1 회로를 포함하는 제1 시간 측정 유닛; 제2 정전류원과, 상기 제2 정전류원에 연결된 제2 전류 스티어링 스위치와, 상기 제2 전류 스티어링 스위치에 연결된 제2 캐패시터로서, 상기 제2 캐패시터는 기지의 캐패시턴스값을 가지며, 상기 제2 캐패시터의 제2 전압은 상기 제2 전류 스티어링 스위치가 상기 제2 정전류원을 상기 제2 캐패시터에 연결할 때에 선형적으로 증가되는 제2 캐패시터와, 상기 제2 전류 스티어링 스위치를 제어하기 위한 제2 회로로서, 상기 제2 전류 스티어링 스위치는 상기 제2 회로가 이벤트의 종료를 검출하면 상기 제2 캐패시터를 상기 제2 정전류원에 연결하고 상기 제2 회로가 상기 이벤트의 종료 후에 일어나는 시스템 클록 사이클을 검출하면 상기 제2 캐패시터를 상기 제2 정전류원에서 분리시키는 제2 회로를 포함하는 제2 시간 측정 유닛; 상기 제1 및 제2 전압을 각각 제1 및 제2 디지털 표현으로 변환시키는 ADC; 및 각각 상기 제1 및 제2 전압의 상기 제1 및 제2 디지털 표현을 제1 및 제2 시간값으로 각각 변환시키고, 상기 클록 인터벌 카운터로부터 상기 시스템 클록 사이클의 카운트를 읽고, 상기 시스템 클록 사이클의 카운트를 제3 시간값으로 변환시키고, 상기 이벤트의 시간 주기 판정시 상기 제3 시간값에 상기 제1 시간값을 가산하고, 상기 제1 및 제3 시간값의 합계에서 상기 제2 시간값을 감산하는 디지털 프로세서를 포함할 수 있다. 디지털 프로세서는 제1 및 제2 캐패시터의 기지의 캐패시턴스값과 제1 및 제2 전압의 제1 및 제2 디지털 표현으로부터 제1 및 제2 시간값을 각각 계산할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 긴 시간 주기를 측정하기 위한 방법은 이벤트의 시작 후부터 상기 이벤트의 종료까지 시스템 클록 사이클들을 카운트하는 단계와, 제3 시간값을 판정하기 위해 카운트된 다수의 시스템 클록 사이클들을 상기 시스템 클록의 시간 인터벌에 곱하는 단계를 포함하는 제3 시간값 판정단계; 제1 정전류원을 제공하는 단계와, 기지의 캐패시턴스값을 갖는 제1 캐패시터를 제공하는 단계와, 상기 이벤트의 시작이 검출되면 상기 기지의 캐패시턴스값을 갖는 제1 캐패시터를 상기 제1 정전류원으로부터 충전시키는 단계와, 상기 이벤트의 시작 후에 일어나는 시스템 클록 사이클이 검출되면 상기 제1 캐패시터의 제1 전압을 제1 디지털 표현으로 변환시키는 단계와, 상기 이벤트의 시작과 상기 이벤트의 시작 후에 일어나는 시스템 클록 사이클 사이의 제1 시간 주기를 대표하는 제1 시간값으로 상기 제1 전압의 제1 디지털 표현을 변환시키는 단계를 포함하는 제1 시간값 판정단계; 제2 정전류원을 제공하는 단계와, 기지의 캐패시턴스값을 갖는 제2 캐패시터를 제공하는 단계와, 상기 이벤트의 종료가 검출되면 상기 기지의 캐패시턴스값을 갖는 제2 캐패시터를 상기 제2 정전류원으로부터 충전시키는 단계와, 상기 이벤트의 종료 후에 일어나는 시스템 클록 사이클이 검출되면 상기 제2 캐패시터의 제2 전압을 제2 디지털 표현으로 변환시키는 단계와, 상기 이벤트의 종료와 상기 이벤트의 종료 후에 일어나는 시스템 클록 사이클 사이의 제2 시간 주기를 대표하는 제2 시간값으로 상기 샘플링된 제2 전압의 제2 디지털 표현을 변환시키는 단계를 포함하는 제2 시간값 판정단계; 및 상기 제1 및 제3 시간값들을 가산하는 단계와, 상기 제1 및 제3 시간값들의 합계에서 상기 제2 시간값을 감산하는 단계를 포함하는 상기 이벤트의 시간 주기 판정 단계를 포함할 수 있다. 샘플링된 제1 및 제2 전압의 디지털 표현의 제1 및 제2 시간값으로의 변환 단계는 기지의 캐패시턴스값과 제1 및 제2 전압의 제1 및 제2 디지털 표현으로부터 제1 및 제2 시간값을 각각 계산하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 시간 지연 이벤트를 발생시키기 위한 장치는 제1 정전류원과, 상기 제1 정전류원에 연결된 제1 전류 스티어링 스위치와, 상기 제1 전류 스티어링 스위치에 연결된 제1 캐패시터로서, 상기 제1 캐패시터는 기지의 캐패시턴스값을 가지며, 상기 제1 캐패시터의 제1 전압은 상기 제1 전류 스티어링 스위치가 상기 제1 정전류원을 상기 제1 캐패시터에 연결할 때에 선형적으로 증가되는 제1 캐패시터와, 상기 제1 전류 스티어링 스위치를 제어하기 위한 제1 회로로서, 상기 제1 전류 스티어링 스위치는 상기 제1 회로가 이벤트의 시작을 검출하면 상기 제1 캐패시터를 상기 제1 정전류원에 연결시키는 제1 회로를 포함하는 제1 시간 측정 유닛; 제2 정전류원과, 상기 제2 정전류원에 연결된 제2 전류 스티어링 스위치와, 상기 제2 전류 스티어링 스위치에 연결된 제2 캐패시터로서, 상기 제2 캐패시터는 기지의 캐패시턴스값을 가지며, 상기 제2 캐패시터의 제2 전압은 상기 제2 전류 스티어링 스위치가 상기 제2 정전류원을 상기 제2 캐패시터에 연결할 때에 선형적으로 증가되는 제2 캐패시터와, 상기 제2 전류 스티어링 스위치를 제어하기 위한 제2 회로로서, 상기 제2 전류 스티어링 스위치는 상기 제2 회로가 상기 이벤트의 종료를 검출하면 상기 제2 캐패시터를 상기 제2 정전류원에 연결시키는 제2 회로를 포함하는 제2 시간 측정 유닛; 상기 제1 전압을 수신하기 위한 양의 입력과 제1 기준 전압을 수신하기 위한 음의 입력을 갖는 제1 아날로그 비교기; 및 상기 제2 전압을 수신하기 위한 음의 입력과 제2 기준 전압을 수신하기 위한 양의 입력을 갖는 제2 아날로그 비교기를 포함하고, 상기 제1 전압이 상기 제1 기준 전압 이상일 때 지연 이벤트의 시작이 일어나고, 상기 제2 전압이 상기 제2 기준 전압 이상일 때 상기 지연 이벤트의 종료가 일어난다.
본 발명의 또 하나의 실시예에 따르면, 시간 지연 이벤트를 발생시키기 위한 방법은 제1 정전류원을 제공하는 단계와, 기지의 캐패시턴스값을 갖는 제1 캐패시터를 제공하는 단계와, 제1 전류 스티어링 스위치를 닫는 단계와, 이벤트의 시작이 검출되면 상기 제1 캐패시터를 상기 제1 정전류원으로부터 충전시키는 단계와, 상기 제1 캐패시터의 제1 전압을 제1 기준 전압과 비교하는 단계와, 상기 제1 전압이 상기 제1 기준전압 이상일 때 상기 시간 지연 이벤트를 시작하는 단계를 포함하는 시간 지연 이벤트 시작 단계; 및 제2 정전류원을 제공하는 단계와, 기지의 캐패시턴스값을 갖는 제2 캐패시터를 제공하는 단계와, 상기 이벤트의 종료가 검출되면 상기 제2 캐패시터를 상기 제2 정전류원으로부터 충전시키는 단계와, 상기 제2 캐패시터의 제2 전압을 제2 기준 전압과 비교하는 단계와, 상기 제2 전압이 상기 제2 기준전압 이상일 때 상기 시간 지연 이벤트를 종료하는 단계를 포함하는 상기 시간 지연 이벤트 종료 단계를 포함할 수 있다.
본 발명이 특정 실시예를 참조하여 특별히 도시되고 설명되었지만, 이러한 참조는 본 발명을 한정하지 않고 그러한 한정을 암시하지도 않는다. 개시된 본 발명은 이 기술분야의 당업자에 의해 형태와 기능에 있어 변형물, 대체물, 및 등가물이 고려될 수 있다. 본 발명의 도시되고 설명된 실시예들은 단지 예로서 본 발명의 범위를 한정하지 않는다.
첨부한 도면과 관련된 다음의 설명을 참조하면 본 발명을 보다 완전히 이해할 수 있다.
도 1은 정전류원으로부터 충전되는 캐패시터의 시간-전압 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 고분해능 시간 주기 측정회로를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고분해능 캐패시턴스 측정회로를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 하나의 실시예에 따른 고분해능 긴 시간주기 측정회로의 블록도이다.
도 5는 도 4의 고분해능 긴 시간주기 측정회로의 타이밍도이다.
도 6은 본 발명의 또 하나의 실시예에 따른 고분해능 시간 지연회로의 블록도이다.
도 7은 도 6의 고분해능 시간 지연회로의 타이밍도이다.
본 발명은 다양한 변형물 및 대체 형태가 가능하지만, 특정 실시예가 도면에 도시되고 여기에 상세히 설명되었다. 하지만, 특정 실시예의 설명은 본 발명을 여기에 개시된 특정 형태로 한정하지 않고, 반대로, 본 발명은 첨부한 청구범위에 의해 한정된 모든 변형물 및 등가물을 포함한다는 것이 이해되어야 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 구성요소들은 동일한 부호로 나타내고, 유사한 구성요소들은 아래첨자를 달리하여 동일한 부호로 나타낸다.
도 1은 정전류원으로부터 충전되는 캐패시터의 시간-전압 그래프이다. 방정식(1)에 따르면, 캐패시터(118)가 정전류원(104)을 통해 충전되면, 캐패시터(118) 양단의 전압 V은 시간에 따라 선형적으로 증가된다.
I = C * dV/dT 방정식 (1)
여기서, C는 캐패시터(118)의 캐패시턴스값이고, I는 정전류원(104)으로부터의 전류이고, V는 시간 T에서의 캐패시터(118)의 전압이다. 전류 I, 시간 T, 및 전압 V 중 어떤 두 값이 기지이면, 나머지 미지의 값은 기지의 두 값으로부터 계산될 수 있다. 예를 들면, 캐패시터(118)의 캐패시턴스와 정전류원(104)으로부터의 충전 전류가 기지이면, 전압 V1에서의 시간 T1과 전압 V2에서의 시간 T2가 결정될 수 있다. 유사한 방식으로, 전압 V1 및 V2(예를 들면, V1과 V2 사이의 전압차) 및 시간 T1과 T2 사이의 경과 시간이 기지이면, 캐패시턴스 C가 결정될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 고분해능 시간 주기 측정회로를 개략적으로 나타낸 도면이다. 전체적으로 참조부호(200)로 나타낸 고분해능 시간 측정 회로는 정전류원(104), 전류 스티어링 스위치(112 및 114), 캐패시터(118), 선택적인 전압 샘플 스위치(116), 및 전하 드레인 스위치(120)를 포함할 수 있다. 캐패시터(118)는 전하 드레인 스위치(120)를 닫음으로써 실질적으로 제로 전하로 초기화되어 캐패시터(118)의 어떠한 전하(전압)도 제거된다(접지 또는 공통단자 Vss로 쇼트됨). 캐패시터(118)의 초기 전하(전압)는 전압 샘플 스위치(116)를 닫음으로써 아날로그-디지털 변환기(ADC)(108), 예를 들어 시그마-델타로 전압을 샘플링함으로써 결정될 수 있다. 캐패시터(118)는 스위치드 캐패시터 연속 근사화 아날로그-디지털 변환기의 일부일 수 있으며, 여기서 전압 샘플 스위치(116)는 불필요하다.
전류 스티어링 스위치(112 및 114)는 전계 효과 트랜지스터 등일 수 있으며, 여기에서 보다 상세히 기재된 다른 디지털 로직 및 아날로그 회로들을 포함할 수 있는 집적회로 기판(도시하지 않음)에 집적된다. 전류 스티어링 스위치(112 및 114)는 정전류원(104)이 언제나 부하를 보도록, 즉 스위치(114)가 닫히고 스위치(112)가 열리면 정전류원(104)이 공통단자 Vss에 연결되고, 스위치(112)가 닫히고 스위치(114)가 열리면 정전류원(104)이 캐패시터(118)에 연결되도록 구성된다. 전류 스티어링 스위치(112 및 114)는 제어 시작/중지 신호(132)로부터 제어될 수 있다. 예를 들면, 제어 시작/중지 신호(132)가 로직 "0"(로우)에 있으면 스위치(114)는 닫히고 스위치(112)는 열리고, 또는 제어 시작/중지 신호(132)가 로직 "1"(하이)에 있으면 스위치(114)는 열리고 스위치(112)는 닫힌다. 정전류원(104)은 상기 방정식 1에 의해 결정된 것과 같이 전류 스티어링 스위치(112)가 닫히는 시간 길이에 직접 의존하는 전압값으로 캐패시터(118)를 충전한다.
제어 시작/정지 신호(132)는 시간 주기가 결정된 이벤트의 시작에서 양의(예를 들면, 로직 0에서 로직 1로) 천이(예를 들면, ↑이벤트 에지 1)의 발생시 로직 1이 될 수 있다. 시간 주기가 결정될 이벤트의 종료에서 음의(예를 들면, 로직 1에서 로직 0으로) 천이(예를 들면, ↓이벤트 에지 2)의 발생시 다시 로직 0이 되는 제어 시작/중지 신호(132)에 의해 전류 스티어링 스위치(112)가 열릴 때까지 캐패시터(118)는 정전류원(104)에 의해 충전될 것이다.
제어 시작/중지 신호(132)는 제1 플립-플롭(126), 제2 플립-플롭(128), AND 게이트(124) 및 NAND 게이트(130)를 포함하는 로직 회로로 발생될 수 있다. 이벤트 발생에 앞서, 제1 및 제2 플립-플롭(126 및 128)은 리셋되어 Q-출력들은 로직 0에 있다(제1 및 제2 플립-플롭(126 및 128)은 NAND 게이트(130)의 출력이 로직 0이 되거나 또는 다른 외부 리셋을 통해, 예를 들어 디지털 프로세서(106)에 의해 로직 0이 되면 리셋된다). 로직 0에서 시작되는 이들 Q-출력들은 AND 게이트(124) 출력이 로직 0이 되도록 한다. AND 게이트(124) 출력은 제어 시작/중지 신호(132)를 발생시킨다. 제1 플립-플롭(126)의 클록 입력에서 ↑이벤트 에지 1이 일어나면, Q-출력은 로직 1이 된다. 제2 플립-플롭(128)의 Q-not 출력이 로직 1에 있기 때문에, AND 게이트(124)의 출력이 로직 1이 되고, 따라서 제어 시작/중지 신호(132)를 위해 로직 1을 발생시킨다.
제어 시작/중지 신호(132)가 로직 1에 있으면, 전류 스티어링 스위치(112)는 닫히고(온) 정전류원(104)은 캐패시터(118) 충전을 시작한다. 정전류원(104)은 제어 시작/중지 신호(132)가 다시 로직 0이 되어 전류 스티어링 스위치(112)를 열기(오프)까지 캐패시터(118) 충전을 지속한다. 이 특정 예에서, AND 게이트(124)의 출력(즉, 제어 시작/중지 신호(132))은 그 입력들 중 하나 이상이 로직 0에 있으면 로직 0이 될 것이다. AND 게이트(124)의 입력에서의 로직 0은 ↓이벤트 에지 2가 제2 플립-플롭(128)의 클록 입력에서 일어날 때 일어난다. 따라서, 캐패시터(118)는 ↑이벤트 에지 1과 ↓이벤트 에지 2의 발생 사이에서만 충전된다.
↓이벤트 에지 2 후에 캐패시터(118)의 전압을 아날로그-디지털 변환기(ADC)(108)로 측정함으로써, ↑이벤트 에지 1과 ↓이벤트 에지 2 사이의 시간 인터벌(주기)을 대표하는 전압은 캐패시터(118)의 기지의 캐패시턴스값과 공동으로 사용되어 시간 인터벌을 매우 정밀한 분해능으로 계산할 수 있다. 예를 들면, 이벤트 시간 주기의 계산은 캐패시터(118)의 측정 전압과 기지의 캐패시턴스값을 사용함으로써 상기 방정식(1)의 계산을 수행하는 디지털 프로세서(106)로 결정될 수 있다. 따라서, 시간 주기 측정 정밀도는 ADC(108) 분해능(예를 들면, 10 또는 12 비트) 및 캐패시터(118)의 측정 캐패시턴스의 정확도의 함수이다.
전하 드레인 스위치(120) 및 전압 샘플 스위치(116)는 단지 표준 샘플 및 홀드 동작을 위한 것으로, 여기서 캐패시터(118)는 ADC(108)의 아날로그 입력에 샘플링된 아날로그 전압을 공급하는 샘플 및 홀드 회로의 일부이거나 또는 연속 근사화 ADC의 일부일 수 있다. 고분해능 시간 주기 측정회로(200), ADC(108) 및 디지털 프로세서(106)는 집적회로 다이(250)상에 제조될 수 있고, 집적회로 다이(250)는 집적회로 패키지(도시하지 않음)에 포함될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고분해능 캐패시턴스 측정회로를 개략적으로 나타낸 도면이다. 전체적으로 참조부호(300)로 나타낸 고분해능 캐패시턴스 측정회로는 정전류원(104), 전류 스티어링 스위치(112 및 114), 선택적인 전압 샘플 스위치(116), 전하 드레인 스위치(120), 및 측정될 외부 캐패시터(318)에 연결하기 위한 연결 단자(326 및 324)를 포함할 수 있다. 외부 캐패시터(318)의 전하는 전하 드레인 스위치(120)를 닫음으로써 실질적으로 제로로 초기화되어 외부 캐패시터(318)의 어떠한 전하(전압)도 제거된다(접지 또는 공통단자 Vss로 쇼트됨). 외부 캐패시터(318)의 초기 전하(전압)는 전압 샘플 스위치(116)를 닫음으로써 아날로그-디지털 변환기(ADC)(108), 예를 들어 시그마-델타로 전압을 샘플링함으로써 결정될 수 있다. 캐패시터(328)는 고해상도 캐패시턴스 측정 회로(300)의 스트레이 회로 캐패시턴스를 나타내며, 그 캐패시턴스 기여는 외부 캐패시터(318)의 캐패시턴스값을 계산할 때 결정 및 제외될 수 있다. 캐패시터(328)는 스위치드 캐패시터 연속 근사화 아날로그-디지털 변환기의 일부일 수 있으며, 여기서 전압 샘플 스위치(116)는 불필요하다.
전류 스티어링 스위치(112 및 114)는 전계 효과 트랜지스터 등일 수 있으며, 여기에서 보다 상세히 기재된 다른 디지털 로직 및 아날로그 회로들을 포함할 수 있는 집적회로 기판(도시하지 않음)에 집적된다. 전류 스티어링 스위치(112 및 114)는 정전류원(104)이 언제나 부하를 보도록, 즉 스위치(114)가 닫히고 스위치(112)가 열리면 정전류원(104)이 공통단자 Vss에 연결되고, 스위치(112)가 닫히고 스위치(114)가 열리면 정전류원(104)이 캐패시터(118)에 연결되도록 구성된다. 전류 스티어링 스위치(112 및 114)는 제어 시작/중지 신호(132)로부터 제어될 수 있다. 예를 들면, 제어 시작/중지 신호(132)가 로직 "0"(로우)에 있으면 스위치(114)는 닫히고 스위치(112)는 열리고, 또는 제어 시작/중지 신호(132)가 로직 "1"(하이)에 있으면 스위치(114)는 열리고 스위치(112)는 닫힌다. 정전류원(104)은 상기 방정식 1에 의해 결정된 것과 같이 전류 스티어링 스위치(112)가 닫히는 시간 길이에 직접 의존하는 전압값으로 캐패시터(318 및 328)를 충전한다.
제어 시작/중지 신호(132)는 양의(예를 들면, 로직 0에서 로직 1로) 천이(예를 들면, ↑시스템 클록)의 발생시 로직 1이 될 수 있다. 음의(예를 들면, 로직 1에서 로직 0으로) 천이(예를 들면, ↓시스템 클록)의 발생시 다시 로직 0이 되는 제어 시작/중지 신호(132)에 의해 전류 스티어링 스위치(112)가 열릴 때까지 캐패시터(318 및 328)는 정전류원(104)에 의해 충전될 것이다.
제어 시작/중지 신호(132)는 제1 플립-플롭(126), 제2 플립-플롭(128), AND 게이트(124) 및 NAND 게이트(130)를 포함하는 로직 회로로 발생될 수 있다. ↑시스템 클록에 앞서, 제1 및 제2 플립-플롭(126 및 128)은 리셋되어 Q-출력들은 로직 0에 있다(제1 및 제2 플립-플롭(126 및 128)은 NAND 게이트(130)의 출력이 로직 0이 되거나 또는 다른 외부 리셋을 통해, 예를 들어 디지털 프로세서(106)에 의해 로직 0이 되면 리셋된다). 로직 0에서 시작되는 이들 Q-출력들은 AND 게이트(124) 출력이 로직 0이 되도록 한다. AND 게이트(124) 출력은 제어 시작/중지 신호(132)를 발생시킨다. 제1 플립-플롭(126)의 클록 입력에서 ↑시스템 클록이 일어나면, Q-출력은 로직 1이 된다. 제2 플립-플롭(128)의 Q-not 출력이 로직 1에 있기 때문에, AND 게이트(124)의 출력이 로직 1이 되고, 따라서 제어 시작/중지 신호(132)를 위해 로직 1을 발생시킨다.
제어 시작/중지 신호(132)가 로직 1에 있으면, 전류 스티어링 스위치(112)는 닫히고(온) 정전류원(104)은 캐패시터(318 및 328) 충전을 시작한다. 정전류원(104)은 제어 시작/중지 신호(132)가 다시 로직 0이 되어 전류 스티어링 스위치(112)를 열기(오프)까지 캐패시터(118) 충전을 지속한다. 이 특정 예에서, AND 게이트(124)의 출력(즉, 제어 시작/중지 신호(132))은 그 입력들 중 하나 이상이 로직 0에 있으면 로직 0이 될 것이다. AND 게이트(124)의 입력에서의 로직 0은 ↓시스템 클록이 제2 플립-플롭(128)의 클록 입력에서 일어날 때 일어난다. 따라서, 캐패시터(318 및 328)는 ↑시스템 클록과 ↓시스템 클록 사이의 시간 주기동안만 충전된다. 시스템 클록 주파수(즉, ↑시스템 클록과 ↓시스템 클록 사이의 주기)는 매우 안정적이고 정확한 수정 발진기로부터 발생될 수 있다.
↓시스템 클록 후에 캐패시터(318 및 328)의 전압을 아날로그-디지털 변환기(ADC)(108)로 측정함으로써, ↑시스템 클록과 ↓시스템 클록 사이의 시간 인터벌(주기)을 대표하는 전압은 시스템 클록의 기지의 주기(시간 인터벌)와 공동으로 사용되어 병렬 연결된 캐패시터(318 및 328)의 캐패시턴스값을 계산할 수 있고, 캐패시터(328)의 기지의 캐패시턴스값은 미지의 캐패시터(318)의 캐패시턴스값을 위해 이 결과로부터 차감될 수 있다. 예를 들면, 미지의 캐패시터(318)의 캐패시턴스값의 계산은 캐패시터(318 및 328)의 측정 전압과 기지의 클록 주기(예를 들면, ↑시스템 클록과 ↓시스템 클록 사이의 시간 인터벌)를 사용함으로써 상기 방정식(1)의 계산을 수행하는 디지털 프로세서(106)로 결정될 수 있다. 따라서, 캐패시턴스 측정 정밀도는 ADC(108) 분해능(예를 들면, 10 또는 12 비트) 및 시스템 클록 주파수의 정확도(해상도)의 함수이다.
전하 드레인 스위치(120) 및 전압 샘플 스위치(116)는 단지 표준 샘플 및 홀드 동작을 위한 것으로, 여기서 캐패시터(328)는 ADC(108)의 아날로그 입력에 샘플링된 아날로그 전압을 공급하는 샘플 및 홀드 회로의 일부이거나 또는 연속 근사화 ADC의 일부일 수 있다. 고분해능 캐패시턴스 측정회로(300), ADC(108) 및 디지털 프로세서(106)는 집적회로 다이(350)상에 제조될 수 있고, 집적회로 다이(350)는 집적회로 패키지(도시하지 않음)에 포함될 수 있다.
캐패시턴스 터치 센서가 언제 활성화되었는 지의 판정시 고분해능 캐패시턴스 측정 회로(300)가 캐패시턴스 터치 센서의 캐패시턴스를 측정할 수 있다는 것은 본 발명의 범위내에 있다.
도 4는 본 발명의 또 하나의 실시예에 따른 고분해능 긴 시간주기 측정회로의 블록도이고, 도 5는 도 4의 고분해능 긴 시간주기 측정회로의 타이밍도이다. 전체적으로 참조부호(400)로 나타낸 고분해능 긴 시간주기 측정회로는 클록 인터벌 카운터(402), 제1 시간 측정 유닛(404), 제2 시간 측정 유닛(406), 아날로그 멀티플렉서(408), 및 플립-플롭(410,412,418)과 인버터(414 및 420)(모두 하나의 인버터에 결합될 수 있음)와 NAND 게이트(416)를 포함할 수 있는 로직 회로들을 포함할 수 있다. 또한, 아날로그-디지털 변환기(ADC)(108) 및 디지털 프로세서(106)는 긴 시간주기 측정의 시간 주기 판정에 사용될 수 있다. 고분해능 긴 시간주기 측정회로(400), ADC(108) 및 디지털 프로세서(106)는 집적회로 다이(450)상에 제조될 수 있고, 집적회로 다이(450)는 직접회로 패키지(도시하지 않음)에 포함될 수 있다.
제1 및 제2 측정 유닛(404 및 406)은 상술한 고분해능 시간 측정 회로(200)와 실질적으로 동일한 방식으로 동작할 수 있다. 본 발명의 교시에 따르면 ↑이벤트 에지1가 플립-플롭(412)의 클록 입력에 가해지면, Q-출력은 로직 1이 되고 제1 시간 측정 유닛(404)의 시작/중지 입력에서 로직 1 신호(426)를 발생시킴으로써 제1 타이밍 캐패시터(도시하지 않음)는 ↑시스템 클록 사이클의 발생까지 충전을 시작하고, 그로써 플립-플롭(412)이 리셋되고 신호(426)는 다시 로직 0이 된다. 이는 도 5에 도시한 바와 같이 시작 주기 Ta의 측정을 제공한다. 플립-플롭(410) Q-출력이 로직 1이 될 때 ↑이벤트 에지 1이 클록 인터벌 카운터(402)를 인에이블시키고, 이로써 클록 인터벌 카운터(402)의 인에이블 입력에서 인에이블 신호(424)를 발생시킨다. 클록 인터벌 카운터(402)의 인에이블 입력이 인에이블되면, 도 5에 도시한 바와 같이 ↑시스템 클록 사이클이 카운트된다. ↓이벤트 엔지 2가 일어나면, 플립-플롭(418) Q-출력은 로직 1이 되고 제2 시간 측정 유닛(406)은 ↑시스템 클록 사이클의 발생까지 제2 타이밍 캐패시터(도시하지 않음) 충전을 시작한다. 이는 도 5에 도시한 바와 같이 시간 주기 Tb의 측정을 제공한다. ↑시스템 클록 사이클의 발생시, 제2 시간 측정 유닛(406)은 제2 타이밍 캐패시터(도시하지 않음) 충전을 중지하고, 클록 인터벌 카운터(402)는 더 이상 인에이블되지 않아 ↑시스템 클록 사이클들의 카운트를 중지할 것이다.
인버터(424 및 420)(동일한 인버터 일수 있음 - 도시하지 않음)는 각 ↑시스템 클록 사이클의 발생시 각각 플립-플롭(412 및 418)을 클리어(리셋)한다. 따라서, 제1 및 제2 시간 측정 유닛(402 및 406)에 의해 측정된 시간 주기들은 언제나 하나의 시스템 클록 사이클보다 적다. 하지만, 계산된 결과적인 고분해능 시간 주기 Ta 및 Tb를 클록 인터벌 카운터(402)로부터의 경과 시스템 클록 사이클 카운트와 결합하면, 매우 긴 시간주기 이벤트들이 매우 미세한 분해능으로 측정될 수 있으며, 제1 및 제2 타이밍 캐패시터(도시하지 않음)의 타이밍 전압을 읽을 시 일반적으로 수정 제어되는 시스템 클록 발진기의 주파수 안정도 및 정확도와, ADC(108)의 분해능에만 의존한다.
클록 인터벌 카운터 출력은 디지털 데이터 버스(430)를 통해 디지털 프로세서(106)에 연결될 수 있다. 제1 및 제2 타이밍 캐패시터(도시하지 않음)의 전압은 각각 아날로그 신호(434 및 436)를 통해 멀티플렉서(408)에 연결될 수 있다. 교대로, 멀티플렉서(408)는 아날로그 신호(432)를 통해 이들 아날로그 전압 각각을 ADC(108)에 연결할 것이다. ADC(108)의 출력은 디지털 데이터 버스(438)를 통해 디지털 프로세서(106)에 연결될 수 있다.
고분해능 긴 시간주기 측정회로(400), ADC(108), 아날로그 멀티플렉서(498) 및 디지털 프로세서(106)는 집적회로 다이(도시하지 않음)상에 제조될 수 있고, 집적회로 다이는 집적회로 패키지(도시하지 않음)에 포함될 수 있다.
도 5를 참조하면, 이벤트 시간 주기는 클록 인터벌 카운터(402)에 의해 카운트된 시스템 클록 사이클 Tsc의 개수(여섯개의 시스템 클록 사이클이 도시됨)의 누적 시간에 Ta를 가산하고 Tb를 감산함으로써 계산될 수 있다. 따라서, 클록 인터벌 카운터(402)가 후속 ↑시스템 클록 사이클을 수신하기까지 제1 이벤트 발생은 제1 측정 유닛(404)에 의해 시간 주기 Ta로서 캡쳐되고, 제2 측정 유닛(406)은 이벤트의 종료와 후속 ↑시스템 클록 사이클 사이의 시간 주기를 나타내는 시간 주기 Tb를 판정한다. 본 발명의 교시에 따르면, 이는 긴 시간 주기 이벤트들의 매우 높은 분해능 측정을 가능하게 한다.
도 6은 본 발명의 또 하나의 실시예에 따른 고분해능 시간 지연회로의 블록도이이고, 도 7은 도 6의 고분해능 시간 지연회로의 타이밍도이다. 전체적으로 참조부호(600)로 나타낸 고분해능 시간 지연회로는 제1 시간 측정유닛(602), 제2 시간 측정유닛(604), 제1 아날로그 비교기(610), 제2 아날로그 비교기(612), AND 게이트(614), 제1 디지털-아날로그 변환기(DAC)(616), 제2 디지털-아날로그 변환기(DAC)(618), 및 제1 및 제2 플립-플롭(606 및 608)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 교시에 따르면, 디지털 프로세서(102)는 디지털 지연 세트 포인트들을 DAC(616 및 618)로 전달할 수 있다. 고분해능 시간 지연 회로(600), DAC(616 및 618), 및 디지털 프로세서(106)는 집적회로 다이(650)상에 제조될 수 있고, 집적회로 다이(650)는 집적회로 패키지(도시하지 않음)에 포함될 수 있다.
제1 및 제2 시간 측정 유닛(602 및 604)은 상술한 고분해능 시간 측정회로(200)와 실질적으로 동일한 방식으로 동작할 수 있다. 본 발명의 교시에 따르면 ↑이벤트 에지 1이 플립-플롭(606)의 클록 입력에 가해지면, Q-출력은 로직 1이 되고 제1 시간 측정 유닛(602)의 시작/중지 입력에서 로직 1 신호를 발생시키고 이로써 제1 타이밍 캐패시터(도시하지 않음)는 충전을 시작한다. 아날로그 입력 비교기(610)는 제1 타이밍 캐패시터의 전압을 제1 기준 전압 VREF1 과 비교하고, 여기서 제1 타이밍 캐패시터의 전압이 제1 기준전압 VREF1 이상이면 비교기(610)의 출력은 로직 1이 되고, 이로써 AND 게이트(614)의 출력은 로직 1이 된다. AND 게이트(614)의 출력은 지연된 이벤트이고 지연된 이벤트는 TVREF1과 같은 시간에 의해 이벤트로부터 제시간에 지연될 수 있다(도 7 참조). TVREF1은 제1 기준전압 VREF1과 직접 비례하고, 기준전압 VREF1의 값을 바꿈으로써 제시간에 변할 수 있다.
본 발명의 교시에 따르면 ↓이벤트 에지 2가 일어나면, 플립-플롭(608) Q-출력은 로직 1이 되고 제2 시간 측정 유닛(406)은 제2 타이밍 캐패시터(도시하지 않음) 충전을 시작한다. 아날로그 입력 비교기(612)는 제2 타이밍 캐패시터의 전압을 제2 기준 전압 VREF2 과 비교하고, 여기서 제2 타이밍 캐패시터의 전압이 제2 기준전압 VREF2 이상이면 비교기(612)의 출력은 로직 0이 되고, 이로써 AND 게이트(614)의 출력은 로직 0이 된다. AND 게이트(614)의 출력은 지연된 이벤트이고 지연된 이벤트의 터미네이션은 TVREF2과 같은 시간에 의해 이벤트의 종료로부터 제시간에 지연될 수 있다(도 7 참조). TVREF2은 제2 기준전압 VREF2과 직접 비례하고, 제2 기준전압 VREF2의 값을 바꿈으로써 제시간에 변할 수 있다. 제1 및 제2 기준 전압 VREF1 및 VREF2는 예를 들어 동일한 소스로부터 동일할 수 있으며, 이로써 원래의 이벤트와 실질적으로 동일한 시간 주기를 갖지만 지연 시간 TVREF에 의해 제시간에 지연된 지연 이벤트를 만들 수 있다.

Claims (10)

  1. 캐패시턴스를 측정하기 위한 장치로서,
    정전류원;
    제어 입력을 가지며, 상기 정전류원에 연결된 전류 스티어링 스위치;
    상기 전류 스티어링 스위치에 연결된 캐패시터로서, 상기 캐패시터는 미지의 캐패시턴스값을 가지며, 상기 캐패시터의 전압은 상기 전류 스티어링 스위치가 상기 정전류원을 상기 캐패시터에 연결할 때에 선형적으로 증가되는 캐패시터;
    기지의 정밀한 시간 주기를 갖는 클록에 연결된 클록 입력을 가지며, 상기 정밀한 시간 주기의 시작을 결정하는 제1 플립-플롭;
    상기 클록에 연결된 클록 입력을 가지며, 상기 정밀한 시간 주기의 종료를 결정하는 제2 플립-플롭;
    상기 제1 플립-플롭의 Q-출력에 연결된 제1 입력, 상기 제2 플립-플롭의 Q-not 출력에 연결된 제2 입력, 및 상기 전류 스티어링 스위치의 상기 제어 입력에 연결된 출력을 갖는 AND 게이트로서, 상기 캐패시터는 상기 기지의 정밀한 시간 주기의 상기 시작에서 상기 정전류원에 연결되고 상기 기지의 정밀한 시간 주기의 상기 종료에서 상기 정전류원으로부터 분리되는 AND 게이트;
    상기 캐패시터의 상기 전압을 디지털 표현으로 변환시키는 아날로그-디지털 변환기(ADC); 및
    상기 전압의 상기 디지털 표현을 캐패시턴스값으로 변환시키는 디지털 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 ADC는 연속 근사화 ADC인 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 ADC는 시그마-델타 ADC인 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 캐패시터의 상기 전압을 샘플링하고 상기 샘플링된 전압을 상기 시그마-델타 ADC에 연결하기 위한 전압 샘플링 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 디지털 프로세서는 상기 전압의 상기 디지털 표현과 상기 클록의 상기 기지의 시간 주기로부터 상기 미지의 캐패시턴스값을 계산하는 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 디지털 프로세서는 마이크로컨트롤러인 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플립-플롭의 상기 Q-출력에 연결된 제1 입력, 상기 제2 플립-플롭의 Q-출력에 연결된 제2 입력, 및 상기 제1 및 제2 플립-플롭들의 리셋 입력들에 연결된 출력을 갖는 NAND 게이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 정전류원, 상기 전류 스티어링 스위치, 상기 전류 스티어링 스위치를 제어하기 위한 회로, 상기 ADC, 및 상기 디지털 프로세서는 집적회로 다이상에 제조되는 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 집적회로 다이는 집적회로 패키지내에 포함되는 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 캐패시터는 캐패시턴스 터치 센서이고 상기 캐패시턴스는 상기 캐패시턴스 터치 센서가 활성화되면 변하는 것을 특징으로 하는 캐패시턴스 측정 장치.
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Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2904463A1 (fr) * 2006-07-27 2008-02-01 St Microelectronics Sa Programmation d'un circuit de retention de charges pour mesure temporelle
FR2904464A1 (fr) * 2006-07-27 2008-02-01 St Microelectronics Sa Circuit eeprom de retention de charges pour mesure temporelle
EP2047476B1 (fr) * 2006-07-27 2010-12-22 STMicroelectronics SA Circuit de retention de charges pour mesure temporelle
US7843771B2 (en) * 2007-12-14 2010-11-30 Guide Technology, Inc. High resolution time interpolator
US8497690B2 (en) 2008-10-27 2013-07-30 Microchip Technology Incorporated Automated capacitive touch scan
TWI381173B (zh) * 2008-10-29 2013-01-01 Raydium Semiconductor Corp 電容量測電路及其電容量測方法
TWI381302B (zh) * 2008-11-12 2013-01-01 Tpo Displays Corp 影像顯示系統、電容觸控面板及其電容量測裝置與方法
CN101504681B (zh) * 2009-03-20 2010-09-08 东南大学 基于链式电路的asic片上去耦电容估算方法
US8854026B2 (en) 2009-06-25 2014-10-07 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Capacitance determination in a switched mode power supply
US8237851B2 (en) 2009-07-02 2012-08-07 Summit Microelectronics, Inc Circuits and methods for calibrating lens displacement
TWI386656B (zh) * 2009-07-02 2013-02-21 Novatek Microelectronics Corp 電容值測量電路與方法
US8866499B2 (en) * 2009-08-27 2014-10-21 Analog Devices, Inc. System and method for measuring capacitance
FR2949864B1 (fr) * 2009-09-09 2011-08-19 Peugeot Citroen Automobiles Sa Procede de determination d'un etat de fonctionnement de moyens de stockage d'energie electrique constitues d'au moins un supercondensateur
US8599155B2 (en) * 2010-04-30 2013-12-03 Microchip Technology Incorporated Touch sense using time domain reflectometry
US8688393B2 (en) * 2010-07-29 2014-04-01 Medtronic, Inc. Techniques for approximating a difference between two capacitances
US8710853B2 (en) * 2010-08-31 2014-04-29 Infineon Technologies Ag Capacitance sensing
CN103339498B (zh) 2011-01-05 2015-02-18 密克罗奇普技术公司 使用电流源的葡萄糖测量
US8972214B2 (en) * 2011-04-21 2015-03-03 Microchip Technology Incorporated Touch sense determined by characterizing impedance changes in a transmission line
EP2533423B1 (en) * 2011-06-06 2015-03-04 Thales Italia S.p.A. Method for detecting with a high temporal accuracy a threshold crossing instant by a signal
US9083322B2 (en) * 2011-07-12 2015-07-14 Fairchild Semiconductor Corporation Subsonic test signal generation technique
EP2753988B1 (en) * 2011-09-08 2019-10-30 Fastree 3D Bv Time-to-digital converter and method therefor
US9904646B2 (en) 2011-09-27 2018-02-27 Microchip Technology Incorporated Virtual general purpose input/output for a microcontroller
US9252769B2 (en) 2011-10-07 2016-02-02 Microchip Technology Incorporated Microcontroller with optimized ADC controller
US9467141B2 (en) * 2011-10-07 2016-10-11 Microchip Technology Incorporated Measuring capacitance of a capacitive sensor with a microcontroller having an analog output for driving a guard ring
US9257980B2 (en) 2011-10-06 2016-02-09 Microchip Technology Incorporated Measuring capacitance of a capacitive sensor with a microcontroller having digital outputs for driving a guard ring
US8847802B2 (en) 2011-10-06 2014-09-30 Microchip Technology Incorporated Microcontroller ADC with a variable sample and hold capacitor
US9071264B2 (en) 2011-10-06 2015-06-30 Microchip Technology Incorporated Microcontroller with sequencer driven analog-to-digital converter
US9437093B2 (en) 2011-10-06 2016-09-06 Microchip Technology Incorporated Differential current measurements to determine ION current in the presence of leakage current
US8874395B2 (en) * 2011-10-31 2014-10-28 Echostar Technologies L.L.C. Pre-charging filters to reduce settling time
US8985849B2 (en) 2011-11-11 2015-03-24 Microchip Technology Incorporated High resolution temperature measurement
US8390384B1 (en) * 2011-11-21 2013-03-05 Microchip Technology Incorporated Precision on-board tuning of embedded microcontroller oscillator using charge time measurement unit
US20130155010A1 (en) 2011-12-14 2013-06-20 Microchip Technology Incorporated Capacitive Proximity Based Gesture Input System
US9144041B2 (en) 2011-12-14 2015-09-22 Microchip Technology Incorporated Capacitive/inductive proximity detection for Wi-Fi protection
US9176088B2 (en) 2011-12-14 2015-11-03 Microchip Technology Incorporated Method and apparatus for detecting smoke in an ion chamber
US9189940B2 (en) 2011-12-14 2015-11-17 Microchip Technology Incorporated Method and apparatus for detecting smoke in an ion chamber
US9207209B2 (en) 2011-12-14 2015-12-08 Microchip Technology Incorporated Method and apparatus for detecting smoke in an ion chamber
US9823280B2 (en) 2011-12-21 2017-11-21 Microchip Technology Incorporated Current sensing with internal ADC capacitor
CN103176020B (zh) * 2011-12-22 2015-04-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电压检测电路
US8659360B2 (en) 2011-12-28 2014-02-25 St-Ericsson Sa Charge-to-digital timer
US8618965B2 (en) 2011-12-28 2013-12-31 St-Ericsson Sa Calibration of a charge-to-digital timer
US9379729B2 (en) 2011-12-28 2016-06-28 St-Ericsson Sa Resistive/residue charge-to-digital timer
US8933712B2 (en) 2012-01-31 2015-01-13 Medtronic, Inc. Servo techniques for approximation of differential capacitance of a sensor
US9236852B2 (en) * 2012-02-01 2016-01-12 Microchip Technology Incorporated Input capture peripheral with gating logic
US9144051B2 (en) * 2012-02-15 2015-09-22 Microchip Technology Incorporated Proximity detection using an antenna and directional coupler switch
US9430107B2 (en) 2012-03-30 2016-08-30 Microchip Technology Incorporated Determining touch locations and forces thereto on a touch and force sensing surface
US20140267152A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Mircrochip Technology Incorporated Force Sensing X-Y Touch Sensor
US9207820B2 (en) 2012-03-30 2015-12-08 Microchip Technology Incorporated Method and system for multi-touch decoding
EP2657713B1 (de) * 2012-04-24 2018-08-01 VEGA Grieshaber KG Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung einer Messkapazität
WO2013177760A1 (en) * 2012-05-30 2013-12-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module and capacitance detecting method
US8884771B2 (en) 2012-08-01 2014-11-11 Microchip Technology Incorporated Smoke detection using change in permittivity of capacitor air dielectric
CN103034117B (zh) * 2012-12-31 2014-07-23 邵礼斌 高精度时间测量器
US9525372B2 (en) * 2013-02-20 2016-12-20 Microchip Technology Incorporated Method and system for determining the position of a synchronous motor's rotor
US10254815B2 (en) 2013-03-08 2019-04-09 Microchip Technology Incorporated Using capacitive proximity detection with resistive touch screens for wake-up
US8957712B2 (en) * 2013-03-15 2015-02-17 Qualcomm Incorporated Mixed signal TDC with embedded T2V ADC
CN104716814B (zh) * 2013-12-13 2018-10-26 光宝电子(广州)有限公司 电源供应系统及其控制方法
CN103675468A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 天津市松正电动汽车技术股份有限公司 一种动态检测超级电容容值的方法
US9306498B2 (en) 2014-02-13 2016-04-05 Nxp B.V. Current driven floating driver circuit
US9354743B2 (en) 2014-04-16 2016-05-31 Microchip Technology Incorporated Apparatus for improving signal-to-noise performance of projected capacitance touch screens and panels
WO2015160948A1 (en) 2014-04-16 2015-10-22 Microchip Technology Incorporated Determining touch locations and forces thereto on a touch and force sensing surface
US9904417B2 (en) 2014-04-16 2018-02-27 Microchip Technology Incorporated Projected capacitive touch detection with touch force detection using self-capacitance and mutual capacitance detection
DE102014007236A1 (de) * 2014-05-16 2015-11-19 Leopold Kostal Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Messen eines Kapazitätswertes
US9778289B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Microchip Technology Incorporated Measuring output current in a buck SMPS
US9590649B2 (en) 2014-10-17 2017-03-07 Microchip Technology Incorporated Analog-to-digital conversion with micro-coded sequencer
DE102015008485A1 (de) * 2015-07-01 2017-01-05 Leopold Kostal Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Messen eines Kapazitätswertes
CN106407486A (zh) * 2015-07-27 2017-02-15 深圳市中兴微电子技术有限公司 工艺偏差检测电路及方法
US10444892B2 (en) * 2015-10-07 2019-10-15 Microchip Technology Incorporated Capacitance measurement device with reduced noise
TWI563441B (en) 2015-11-11 2016-12-21 Focaltech Electronics Ltd Touch apparatus, capacitive touch detecting circuit thereof and touch detecting method using the same
US10158372B1 (en) * 2017-06-20 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufcturing Company, Ltd. Analog to digital converter
CN107422193B (zh) * 2017-06-30 2023-09-15 成都信息工程大学 一种测量单粒子翻转瞬态脉冲长度的电路及方法
US10637494B2 (en) * 2017-11-02 2020-04-28 Microchip Technology Incorporated ADC self-test using time base and current source
US10461771B2 (en) * 2018-03-20 2019-10-29 Texas Instruments Incorporated Sigma-delta analog-to-digital converter with multiple counters
US10871404B2 (en) * 2018-05-16 2020-12-22 Birad—Research & Development Company Ltd. Miniaturized thermistor based thermal sensor
CN108614161B (zh) * 2018-07-27 2024-04-16 青岛澳科仪器有限责任公司 一种电容测量系统
US10879922B2 (en) * 2018-08-16 2020-12-29 Microchip Technology Incorporated Time-based, current-controlled paired oscillator analog-to-digital converter with selectable resolution
FR3085540B1 (fr) * 2018-08-31 2020-09-25 St Microelectronics Rousset Dispositif integre de mesure temporelle a constante de temps ultra longue et procede de fabrication
CN111308232B (zh) * 2018-12-12 2022-08-19 中车株洲电力机车研究所有限公司 用于大功率变流模块电流回路杂散参数的测取系统及方法
US11302387B2 (en) * 2020-07-13 2022-04-12 Micron Technology, Inc. Input/output capacitance measurement, and related methods, devices, and systems
CN112485640B (zh) * 2020-11-18 2023-06-27 苏州华兴源创科技股份有限公司 内置电容器的检测方法、装置、检测设备和存储介质
TWI778745B (zh) * 2021-08-12 2022-09-21 京元電子股份有限公司 電容量測系統、量測電路及計算裝置
CN116973650A (zh) * 2022-04-22 2023-10-31 深圳英集芯科技股份有限公司 高检测准确性的电容检测电路和相关装置及设备
US11979676B2 (en) * 2022-04-26 2024-05-07 Tower Semiconductor Ltd. Robust analog counter

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4908784A (en) * 1987-08-04 1990-03-13 Wave Technologies, Inc. Method and apparatus for asynchronous time measurement
US5589802A (en) * 1995-06-07 1996-12-31 American Microsystems, Inc. Circuit for detecting the absence of an external component
WO1998040693A2 (en) * 1997-03-13 1998-09-17 Wavecrest Corporation Time interval measurement system incorporating a linear ramp generation circuit
US20020140438A1 (en) 2001-02-07 2002-10-03 Lund John M. Capacitance measurement

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3663885A (en) * 1971-04-16 1972-05-16 Nasa Family of frequency to amplitude converters
US4301360A (en) * 1979-10-25 1981-11-17 Tektronix, Inc. Time interval meter
US4505411A (en) * 1983-09-16 1985-03-19 Munn Laurie P Motorcycle firearm carrier
US4504155A (en) * 1984-03-01 1985-03-12 Chip Supply Time-to-voltage converter
US4772843A (en) * 1986-06-06 1988-09-20 Yokogawa Electric Corporation Time measuring apparatus
US4870629A (en) * 1987-01-30 1989-09-26 Hewlett-Packard Company Method for electronic calibration of a voltage-to-time converter
IT1217773B (it) * 1988-06-02 1990-03-30 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di ammutolimento per amplificatori audio
US5091771A (en) * 1989-05-15 1992-02-25 Dallas Semiconductor Corporation Compact package for electronic module
US5073724A (en) * 1990-07-18 1991-12-17 Westinghouse Electric Corp. Programmable inverse time delay circuit
US5200933A (en) * 1992-05-28 1993-04-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High resolution data acquisition
DE69623683T2 (de) * 1995-04-27 2003-08-07 Fluke Corp Delta-T-Messschaltung
WO1997039360A2 (en) * 1996-04-02 1997-10-23 Lecroy Corporation Apparatus and method for measuring time intervals with very high resolution
US6327223B1 (en) * 1996-06-14 2001-12-04 Brian P. Elfman Subnanosecond timekeeper system
US6621767B1 (en) * 1999-07-14 2003-09-16 Guide Technology, Inc. Time interval analyzer having real time counter
US6654898B1 (en) * 1999-07-15 2003-11-25 Apple Computer, Inc. Stable clock generation internal to a functional integrated circuit chip
CN1131436C (zh) * 1999-09-21 2003-12-17 容云 一种电容、电阻、电感－数字转换电路
JP2001326562A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Nec Corp 可変遅延回路
TW464764B (en) * 2000-06-14 2001-11-21 Faraday Tech Corp Measurement circuit of chip capacitance
US7058827B2 (en) * 2001-07-18 2006-06-06 Intel Corporation Power saving circuit has an input line coupled to an external host and a keeper to hold the line in a weakly held state
TWI240078B (en) * 2001-11-09 2005-09-21 Macronix Int Co Ltd Circuit for measuring capacitance and measuring method using the same
TW538248B (en) * 2001-12-21 2003-06-21 Ind Tech Res Inst Method and device to dynamically increase the DC measurement precision, and readable medium of processor to store program
US7349680B2 (en) 2002-04-29 2008-03-25 Broadcom Corporation Method and system for using PSK sync word for fine tuning frequency adjustment
KR100521360B1 (ko) * 2002-04-12 2005-10-12 삼성전자주식회사 전원 전압에 가변되지 않는 지연 회로 및 이를 포함하는반도체 메모리 장치
US6909672B2 (en) * 2002-09-24 2005-06-21 General Electric Company Time-to-voltage converter
WO2004102805A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Fujitsu Limited 遅延回路
US6924760B1 (en) * 2004-02-27 2005-08-02 Standard Microsystems Corporation Highly accurate switched capacitor DAC
US7215146B2 (en) * 2004-10-29 2007-05-08 Intel Corporation High speed buffered level-up shifters
DE102004059447A1 (de) * 2004-12-09 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung
TWM275413U (en) * 2004-12-24 2005-09-11 Quitewin Technology Corp Automatic DC power detection device
EP1793551B1 (en) 2005-12-02 2009-06-17 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method for estimating and compensating carrier frequency offset and I/Q imbalance
US7312616B2 (en) * 2006-01-20 2007-12-25 Cypress Semiconductor Corporation Successive approximate capacitance measurement circuit
US8223820B2 (en) * 2007-12-31 2012-07-17 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for symbol synchronization for an 802.15.4 radio platform

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4908784A (en) * 1987-08-04 1990-03-13 Wave Technologies, Inc. Method and apparatus for asynchronous time measurement
US5589802A (en) * 1995-06-07 1996-12-31 American Microsystems, Inc. Circuit for detecting the absence of an external component
WO1998040693A2 (en) * 1997-03-13 1998-09-17 Wavecrest Corporation Time interval measurement system incorporating a linear ramp generation circuit
US20020140438A1 (en) 2001-02-07 2002-10-03 Lund John M. Capacitance measurement

Also Published As

Publication number Publication date
EP2100156A2 (en) 2009-09-16
TW200839253A (en) 2008-10-01
TWI485408B (zh) 2015-05-21
WO2008088986A3 (en) 2008-09-04
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