KR101389876B1 - Touch sensing electrode and touch screen panel - Google Patents

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하경수
박동필
김상수
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a touch detection electrode with high electrical conductivity and a touch screen including the same. The touch detection electrode includes: a first detection pattern formed in a first direction and a second detection pattern formed in a second direction; a bridge electrode which electrically connects a unit pattern spaced apart from the second detection pattern to the upper part of the first detection pattern; an insulating layer interposed between the first detection pattern and the bridge electrode in an area where the first detection pattern and the bridge electrode intersect; and a metal plating layer formed on the upper surface of the bridge electrode.

Description

터치 감지 전극 및 이를 구비하는 터치 스크린 패널{TOUCH SENSING ELECTRODE AND TOUCH SCREEN PANEL}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a touch sensing electrode and a touch screen panel having the touch sensing electrode.

본 발명은 터치 감지 전극 및 이를 구비하는 터치 스크린 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기 전도성이 우수한 터치 감지 전극 및 이를 구비하는 터치 스크린 패널에 관한 것이다.
The present invention relates to a touch sensing electrode and a touch screen panel having the same, and more particularly, to a touch sensing electrode having excellent electrical conductivity and a touch screen panel having the same.

통상적으로 터치스크린 패널은 손으로 접촉(touch)하면 그 위치를 입력 받도록 하는 특수한 입력장치를 장착한 스크린 패널이다. 이러한 터치스크린 패널은 키보드를 사용하지 않고 스크린에 나타난 문자나 특정 위치에 사람의 손 또는 물체가 닿으면, 그 위치를 파악하여 저장된 소프트웨어에 의해 특정 처리를 할 수 있도록, 화면에서 직접 입력자료를 받을 수 있게 한 것으로 다층으로 적층되어 구성된다.Typically, the touch screen panel is a screen panel equipped with a special input device for inputting its position when touching by hand. Such a touch screen panel can receive input data directly from the screen so that the user can grasp the position of the touch screen or touch a specific position of the displayed character on the screen without using a keyboard, Which are stacked in layers.

스크린에 표시되는 영상의 시인성을 저하시키지 않으면서 터치된 부분을 인식하기 위해서는 투명한 터치 감지 전극의 사용이 필수적이며, 통상적으로 소정의 패턴으로 형성된 감지 패턴이 사용된다.In order to recognize the touched portion without lowering the visibility of the image displayed on the screen, it is necessary to use a transparent touch sensing electrode. Normally, a sensing pattern formed in a predetermined pattern is used.

터치 스크린 패널에 사용되는 투명 감지 전극 구조에는 여러가지가 소개되어 있으며, 예를 들면, GFF(Glass-ITO film-ITO film), G1F(Glass-ITO film), G2(Glass only) 구조 등을 들 수 있다.There are various kinds of transparent electrode structures used for touch screen panels. For example, GFF (Glass-ITO film-ITO film), G1F (Glass-ITO film) have.

예를 들면, 종래 투명 감지 전극 구조로 도 1에 도시된 구조를 들 수 있다.For example, the structure shown in FIG. 1 is a conventional transparent sensing electrode structure.

투명 감지 전극은 제1 감지 패턴(10)과 제2 감지 패턴(20)으로 형성될 수 있다. 제1 감지 패턴(10)과 제2 감지 패턴(20)은 서로 다른 방향으로 배치되어, 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 투명 기판에 접촉되면, 제1 감지 패턴(10), 제2 감지 패턴(20) 및 위치 검출라인인 금속 배선을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.The transparent sensing electrode may be formed of a first sensing pattern 10 and a second sensing pattern 20. The first sensing pattern 10 and the second sensing pattern 20 are arranged in different directions to provide information on the X and Y coordinates of the touched point. Specifically, when a human hand or an object touches the transparent substrate, the first sensing pattern 10, the second sensing pattern 20, and the metal wiring, which is the position detecting line, Is transmitted. Then, the contact position is grasped by the change of the electrostatic capacitance by the X and Y input processing circuit (not shown) or the like and converted into an electrical signal.

이와 관련하여, 제1 감지 패턴(10) 및 제2 감지 패턴(20)은 동일한 기판 상에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각 패턴들은 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 감지 패턴(10)은 서로 연결된 형태이지만 제2 감지 패턴(20)은 섬(island) 형태로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 감지 패턴(20)을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 연결 전극(브릿지 전극)(50)이 필요하다. In this regard, the first sensing pattern 10 and the second sensing pattern 20 are formed on the same substrate, and the respective patterns must be electrically connected to detect a touched point. Since the first sensing patterns 10 are connected to each other but the second sensing patterns 20 are separated into island shapes, in order to electrically connect the second sensing patterns 20, An electrode (bridge electrode) 50 is required.

하지만, 상기 브릿지 전극(50)은 제1 감지 패턴(10)과 전기적으로 연결되어서는 안되므로, 제1 감지 패턴(10)과는 다른 층에 형성되어야 한다. 이러한 구조를 나타내기 위해, 도 1의 A-A' 단면 중 브릿지 전극(50)이 형성된 부분의 확대도를 도 2에 도시하였다.However, since the bridge electrode 50 should not be electrically connected to the first sensing pattern 10, it should be formed in a different layer from the first sensing pattern 10. In order to show such a structure, FIG. 2 shows an enlarged view of a portion where the bridge electrode 50 is formed in the section A-A 'of FIG.

도 2를 참고하면, 기판(100) 상에 감지 패턴(10, 20)이 형성되어 있고, 그 위에 절연층(30) 및 브릿지 전극(50)이 형성되어 있다. 제1 감지 패턴(10)과 제2 감지 패턴(20)은 서로 이격되어 있으며, 그 상부에 형성된 절연층(30)에 의해 브릿지 전극(50)과 구분되어 있다. 그 중 제1 감지 패턴(10)은 브릿지 전극(50)과 서로 전기적으로 절연되어 있는 상태이며, 전술한 바와 같이 제2 감지 패턴(20)은 전기적으로 연결될 필요가 있으므로 브릿지 전극(50)을 사용하여 전기적으로 연결된다. 섬 형태로 분리된 제2 감지 패턴(20)을 제1 감지 패턴(10)과는 전기적으로 차단되면서도 브릿지 전극(50)으로 연결하기 위해서는, 절연막(30) 상에 컨택홀(40)을 형성할 필요가 있다.2, sensing patterns 10 and 20 are formed on a substrate 100, and an insulating layer 30 and a bridge electrode 50 are formed thereon. The first sensing pattern 10 and the second sensing pattern 20 are spaced apart from each other and are separated from the bridge electrode 50 by the insulating layer 30 formed thereon. Since the first sensing pattern 10 is electrically insulated from the bridge electrode 50 and the second sensing pattern 20 needs to be electrically connected as described above, the bridge electrode 50 is used And are electrically connected. In order to connect the second sensing pattern 20 separated in island shape to the bridge electrode 50 while being electrically disconnected from the first sensing pattern 10, a contact hole 40 is formed on the insulating film 30 There is a need.

그런데, 브릿지 전극(50)은 전기 전도도를 높이기 위해 통상적으로 금속으로 형성되는데, 감지 패턴과의 반사율 차이로 인해 패턴이 시인될 수 있는 문제가 있다.However, the bridge electrode 50 is typically formed of metal in order to increase the electrical conductivity. However, there is a problem that the pattern can be visually recognized due to the difference in reflectivity with the sensing pattern.

이러한 시인성 문제를 해결하기 위해, 브릿지 전극(50)을 금속으로 매우 좁은 폭으로 형성하는 경우 시인성을 개선할 수 있고 금속 배선과 함께 형성하여 공정을 단순화 할 수 있다는 장점이 있으나, 좁은 폭으로 형성하기 위한 고정밀도의 공정 설비를 요하고, 정교한 패턴 형성을 위해 시간이 소요되는 문제 외에도 전기 저항이 증가하여 전기 전도도가 저하되므로 감지 속도가 느려지는 문제가 발생하여, 시인성과 전기 전도도는 동시에 달성하기 어려운 문제가 있다.In order to solve this visibility problem, when the bridge electrode 50 is formed with a very narrow width of metal, the visibility can be improved and the process can be simplified by forming the bridge electrode 50 together with the metal wiring. However, It is difficult to attain visibility and electrical conductivity at the same time because of the problem of slowing the detection speed because the electric conductivity is lowered due to the increase of the electric resistance in addition to the time-consuming problem to form a precise pattern. there is a problem.

또한, 최근 베젤의 폭을 좁힌 디스플레이에 대한 생산 및 연구가 진행되고 있는데, 베젤의 폭을 좁힐수록 베젤 부분에 숨겨진 금속 배선의 전기 저항이 증가하는 문제가 있다.In addition, production and research on a display having a narrow width of a bezel have been progressing recently. As the width of the bezel is narrowed, there is a problem that the electric resistance of the metal wiring hidden in the bezel portion increases.

일본공개특허 제2008-98169호에는 투명 기재와 투명 도전층 사이에 굴절률이 상이한 2 개의 층으로 이루어지는 언더코트층을 형성한 투명 도전성 필름이 제안되어 있다.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-98169 proposes a transparent conductive film in which an undercoat layer composed of two layers having different refractive indices is formed between a transparent substrate and a transparent conductive layer.

특허문헌 1: 일본공개특허 제2008-98169호Patent Document 1: JP-A-2008-98169

본 발명은 높은 전기 전도도를 나타내면서도 시인성은 저하되지 않는 터치 감지 전극 및 이를 구비한 터치 스크린 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a touch sensing electrode and a touch screen panel having the same, which shows high electrical conductivity but does not degrade visibility.

또한, 본 발명은 좁은 폭의 베젤을 구비할 수 있는 터치 감지 전극 및 이를 구비한 터치 스크린 패널을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
It is another object of the present invention to provide a touch sensing electrode having a narrow bezel and a touch screen panel having the touch sensing electrode.

1. 제1 방향으로 형성된 제1 감지 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 감지 패턴; 상기 제2 감지 패턴의 이격된 단위 패턴을 상기 제1 감지 패턴의 상부로 전기적으로 연결하는 브릿지 전극; 상기 제1 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차 지점에서 상기 제1 감지 패턴과 상기 브릿지 전극 사이에 개재되는 절연층; 및 상기 브릿지 전극의 상면에 형성된 금속 도금층;을 구비하는 터치 감지 전극.1. a first sensing pattern formed in a first direction and a second sensing pattern formed in a second direction; A bridge electrode electrically connecting the spaced unit pattern of the second sensing pattern to an upper portion of the first sensing pattern; An insulating layer interposed between the first sensing pattern and the bridge electrode at an intersection point of the first sensing pattern and the bridge electrode; And a metal plating layer formed on an upper surface of the bridge electrode.

2. 위 1에 있어서, 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴을 구동 회로와 연결하는 금속배선이 그 상면에 금속 도금층을 더 구비하는, 터치 감지 전극.2. In the above 1, wherein the metal wiring connecting the first sensing pattern and the second sensing pattern with a driving circuit further comprises a metal plating layer on the upper surface, the touch sensing electrode.

3. 위 1에 있어서, 상기 제1 감지 패턴 및 제2 감지 패턴은 그 상부 또는 하부에 금속 메쉬를 포함하는, 터치 감지 전극.3. The touch sensing electrode of claim 1, wherein the first sensing pattern and the second sensing pattern include a metal mesh on the top or bottom thereof.

4. 위 3에 있어서, 상기 제1 감지 패턴 및 제2 감지 패턴의 상부에 형성되는 금속 메쉬는 그 상면에 금속 도금층을 더 구비하는, 터치 감지 전극.4. In the above 3, wherein the metal mesh formed on the first sensing pattern and the second sensing pattern further comprises a metal plating layer on the upper surface, the touch sensing electrode.

5. 위 1에 있어서, 상기 금속 도금층은 전기 도금으로 형성된 것인, 터치 감지 전극.5. In the above 1, wherein the metal plating layer is formed by electroplating, touch sensing electrode.

6. 위 1에 있어서, 상기 금속 도금층은 구리로 형성된 것인, 터치 감지 전극.6. In the above 1, wherein the metal plating layer is formed of copper, touch sensing electrode.

7. 위 1에 있어서, 상기 금속 도금층의 두께는 500 내지 1,000nm인, 터치 감지 전극.7. In the above 1, wherein the thickness of the metal plating layer is 500 to 1,000nm, the touch sensing electrode.

8. 위 1에 있어서, 터치스크린 패널의 커버 윈도우 기판 또는 디스플레이 패널의 일면 상에 형성되는, 터치 감지 전극.8. The touch sensing electrode of 1 above, which is formed on one surface of the cover window substrate or the display panel of the touch screen panel.

9. 기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 감지 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 감지 패턴을 형성하고, 상기 제1 감지 패턴과 브릿지 전극이 교차할 지점의 제1 감지 패턴의 상부에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상부에 상기 제2 감지 패턴을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극을 형성하는 단계; 및 상기 브릿지 전극 상에 금속 도금층을 형성하는 단계;를 포함하는 터치 감지 전극의 제조방법.9. A first sensing pattern formed in a first direction and a second sensing pattern formed in a second direction are formed on a substrate, and an insulating layer is formed on the first sensing pattern at a point where the first sensing pattern and the bridge electrode intersect. Forming a; Forming a bridge electrode on the insulating layer to electrically connect the second sensing pattern; And forming a metal plating layer on the bridge electrode.

10. 위 9에 있어서, 상기 브릿지 전극을 형성하는 단계는, 상기 절연층까지 형성된 기판의 상부에 브릿지 전극 형성용 금속층을 형성하는 단계; 상기 브릿지 전극 형성용 금속층의 상면에 금속 도금층이 형성될 부위만 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 부위에 금속 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴 및 금속 도금층이 형성되지 않은 브릿지 전극 형성용 금속층을 제거하는 단계;를 포함하는 터치 감지 전극의 제조방법.10. The method of 9 above, wherein the forming of the bridge electrode includes: forming a bridge electrode forming metal layer on the substrate formed up to the insulating layer; Forming a photoresist pattern on the upper surface of the metal layer for forming bridge electrodes to expose only a portion where a metal plating layer is to be formed; Forming a metal plating layer on the exposed portion; And removing the metal layer for forming bridge electrodes on which the photoresist pattern and the metal plating layer are not formed.

11. 위 10에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 제1 감지 패턴 또는 상기 제2 감지 패턴의 상부에 금속 메쉬 패턴이 형성되도록 노출 부위를 더 구비하고, 상기 금속 도금층은 상기 금속 메쉬 패턴 상부에도 형성되는, 터치 감지 전극의 제조방법.11. In the above 10, wherein the photoresist pattern further comprises an exposed portion to form a metal mesh pattern on the first sensing pattern or the second sensing pattern, the metal plating layer is also formed on the metal mesh pattern That is, the manufacturing method of the touch sensing electrode.

12. 위 10에 있어서, 상기 브릿지 전극 형성용 금속층은 금속 배선 부위까지 형성되고, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 금속 배선 부위를 포함하도록 노출 부위를 더 구비하고, 상기 금속 도금층은 상기 금속 배선 상부에도 형성되는, 터치 감지 전극의 제조방법.12. In the above 10, the bridge electrode forming metal layer is formed to a metal wiring portion, the photoresist pattern further includes an exposed portion to include the metal wiring portion, the metal plating layer is also formed on the upper metal wiring That is, the manufacturing method of the touch sensing electrode.

13. 위 1 내지 8 중 어느 한 항의 터치 감지 전극을 포함하는 터치 스크린 패널.13. The touch screen panel including the touch sensing electrode of any one of the above 1 to 8.

14. 위 13의 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 장치.
14. Display device including the touch screen panel of 13 above.

본 발명의 터치 감지 전극은 브릿지 전극의 상부에 금속 도금층을 구비하여 브릿지 전극의 전기 전도도를 높임으로써 우수한 감지 속도를 나타낸다.The touch sensing electrode of the present invention has a metal plating layer on the bridge electrode to increase the electrical conductivity of the bridge electrode, thereby exhibiting an excellent sensing speed.

또한, 본 발명의 터치 감지 전극은 금속 도금층을 반사율이 낮은 소재로 사용하는 경우 브릿지 전극의 시인성을 종래와 유사하게 유지하거나 보다 더 낮출 수도 있다.In addition, the touch sensing electrode of the present invention may maintain the visibility of the bridge electrode similar to the conventional or even lower when the metal plating layer is used as a material having a low reflectance.

또한, 본 발명의 터치 감지 전극은 감지 패턴을 회로에 연결하는 금속 배선에 금속 도금층을 구비함으로써, 금속 배선의 폭을 좁히더라도 높은 전기 전도도를 유지함으로써, 좁은 베젤의 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.Further, the touch sensing electrode of the present invention includes a metal plating layer for connecting a sensing pattern to a circuit, thereby maintaining a high electrical conductivity even if the width of the metal wiring is narrowed, thereby realizing a narrow bezel display device.

또한, 본 발명의 터치 감지 전극은 감지 패턴에 금속 메쉬를 포함함으로써, 감지 패턴의 전기 전도도를 향상시켜 감지 속도를 더욱 개선할 수 있다.
In addition, since the touch sensing electrode of the present invention includes the metal mesh in the sensing pattern, the sensing speed can be further improved by improving the electrical conductivity of the sensing pattern.

도 1은 종래 터치 감지 전극의 개략적인 평면도이다.
도 2는 종래 터치 감지 전극의 개략적인 수직 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 터치 감지 전극의 일 실시예에 따른 개략적인 수직 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 터치 감지 전극 제조방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
1 is a schematic plan view of a conventional touch sensing electrode.
2 is a schematic vertical cross-sectional view of a conventional touch sensing electrode.
3 is a schematic vertical cross-sectional view of a touch sensing electrode according to an embodiment of the present invention.
4 is a view schematically showing a touch sensing electrode manufacturing method according to the present invention.

본 발명은, 제1 방향으로 형성된 제1 감지 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 감지 패턴; 상기 제2 감지 패턴의 이격된 단위 패턴을 상기 제1 감지 패턴의 상부로 전기적으로 연결하는 브릿지 전극; 상기 제1 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차 지점에서 상기 제1 감지 패턴과 상기 브릿지 전극 사이에 개재되는 절연층; 및 상기 브릿지 전극의 상면에 형성된 금속 도금층;을 구비함으로써, 전기 전도도가 우수한 터치 감지 전극 및 이를 구비하는 터치 스크린 패널에 관한 것이다.
The present invention includes a first sensing pattern formed in a first direction and a second sensing pattern formed in a second direction; A bridge electrode electrically connecting the spaced unit pattern of the second sensing pattern to an upper portion of the first sensing pattern; An insulating layer interposed between the first sensing pattern and the bridge electrode at an intersection point of the first sensing pattern and the bridge electrode; And a metal plating layer formed on an upper surface of the bridge electrode, and relates to a touch sensing electrode having excellent electrical conductivity and a touch screen panel having the same.

이하, 도면을 참고하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. And shall not be construed as limited to such matters.

도 3에는 본 발명의 터치 감지 전극의 일 실시예가 개략적으로 도시되어 있다.FIG. 3 schematically shows an embodiment of the touch sensing electrode of the present invention.

본 발명의 터치 감지 전극은 제1 감지 패턴(10)과 브릿지 전극(50)의 교차 지점에 상기 제1 감지 패턴(10)과 브릿지 전극(50) 사이에 개재되는 절연층(30)을 구비하며, 상기 브릿지 전극(50)은 상부에 금속 도금층(200)을 구비한다.The touch sensing electrode of the present invention includes an insulating layer 30 interposed between the first sensing pattern 10 and the bridge electrode 50 at the intersection of the first sensing pattern 10 and the bridge electrode 50. The bridge electrode 50 has a metal plating layer 200 thereon.

브릿지 전극(50)은 단위 패턴이 이격되어 형성되는 제2 감지 패턴(20)을 전기적으로 연결하는 역할을 하는데, 패턴의 시인성 문제로 인해 넓은 폭으로 형성되지는 않는다. 전기 저항은 전하의 이동 경로의 단면적에 반비례하므로, 브릿지 전극(50)이 좁은 폭은 전하 이동 경로의 단면적을 작게 하는 원인이 되어 결국 전기 전도도에 제한이 생기게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 단순히 브릿지 전극(50)을 높은 높이를 갖도록 형성하게 되면, 패턴의 정밀도가 저하되고 기판(100)이 휘게 되는 문제가 발생하게 된다.The bridge electrode 50 electrically connects the second sensing patterns 20 formed by separating the unit patterns, but the bridge electrodes 50 are not formed to have a wide width due to the visibility of the patterns. Since the electrical resistance is inversely proportional to the cross-sectional area of the movement path of the electric charge, the narrow width of the bridge electrode 50 causes a decrease in the cross-sectional area of the electric charge transfer path, resulting in a restriction on the electric conductivity. In order to solve such a problem, if the bridge electrode 50 is simply formed to have a high height, the accuracy of the pattern is lowered and the substrate 100 is bent.

이에 본 발명은 브릿지 전극(50) 상에 별도의 금속 도금층(200)을 구비하여 전술한 문제를 해결한다. 금속 도금층(200)은 브릿지 전극(50) 위에 형성되어 전하의 이동 경로의 단면적을 넓힘으로써 브릿지 전극(50)의 전기 전도도를 대폭적으로 향상시킨다. Accordingly, the present invention solves the above-mentioned problem by providing a separate metal plating layer 200 on the bridge electrode 50. [ The metal plating layer 200 is formed on the bridge electrode 50 to widen the cross-sectional area of the path of the electric charge, thereby greatly improving the electrical conductivity of the bridge electrode 50.

금속 도금층(200)은 전기 전도성이 있으며, 브릿지 전극(50) 상에 도금이 가능한 재료라면 특별히 제한되지 않고 사용될 수 있다. 예를 들어, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The metal plating layer 200 is electrically conductive and can be used without any particular limitation as long as it is a material that can be plated on the bridge electrode 50. For example, silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), and the like can be cited.

바람직하게는, 금속 도금층(200)은 브릿지 전극(50) 상부에 형성되므로 반사율이 낮은 재료를 사용하는 것이 시인성 측면에서 좋다. 그러한 측면에서는 구리(Cu)를 사용하는 것이 바람직하다.Preferably, since the metal plating layer 200 is formed on the bridge electrode 50, it is preferable to use a material having a low reflectance in terms of visibility. In this respect, it is preferable to use copper (Cu).

금속 도금층(200)의 두께는 특별히 제한되지는 않으나, 500 내지 1,000 nm인 것이 전기 전도성을 향상시키면서도 터치 감지 전극의 전체 구조에 영향을 미치지 않는 측면에서 바람직하다. The thickness of the metal plating layer 200 is not particularly limited, but it is preferable that the thickness of the metal plating layer 200 is 500 to 1,000 nm from the viewpoint of improving the electrical conductivity and not affecting the overall structure of the touch sensing electrode.

브릿지 전극(50)은 제2 감지 패턴(20)의 이격된 단위 패턴을 제1 감지 패턴(10)의 상부로 전기적으로 연결한다.The bridge electrode 50 electrically connects the spaced unit pattern of the second sensing pattern 20 to the upper portion of the first sensing pattern 10.

본 발명에 따른 브릿지 전극(50)은 금속 소재로 형성되고, 바람직하게는 금속 배선(70)과 동일 소재로 형성될 수 있다. 그러한 경우에 금속 배선(70)의 형성 시에 브릿지 전극(50)을 함께 형성할 수 있어 공정을 보다 단순화 할 수 있다.The bridge electrode 50 according to the present invention may be formed of a metal material, and preferably, the bridge electrode 50 may be formed of the same material as the metal wire 70. In such a case, the bridge electrodes 50 may be formed together at the time of forming the metal wiring 70, thereby simplifying the process.

상기 금속은 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 몰리브덴을 사용할 수 있다.The metal is not particularly limited as long as it has excellent electrical conductivity and low resistance. Examples of the metal include molybdenum, silver and aluminum, and molybdenum is preferably used.

브릿지 전극(50)의 두께(높이)는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 10 내지 300nm일 수 있다. 브릿지 전극(30)의 두께가 10nm 미만이면 전기저항이 커져 터치 민감도가 저하될 수 있고, 300nm 초과인 경우는 제조가 용이하지 않다.The thickness (height) of the bridge electrode 50 is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 300 nm. If the thickness of the bridge electrode 30 is less than 10 nm, the electrical resistance may increase and the touch sensitivity may be deteriorated.

브릿지 전극(50)의 폭은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 2 내지 30㎛일 수 있고, 바람직하게는 2 내지 20㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 브릿지 전극(50)의 폭이 2 내지 30㎛일 경우에, 패턴의 시인성을 감소시키고 적정 전기 저항을 가질 수 있다.The width of the bridge electrode 50 is not particularly limited, for example, may be 2 to 30㎛, preferably 2 to 20㎛, but is not limited thereto. When the width of the bridge electrode 50 is 2 to 30 占 퐉, the visibility of the pattern can be reduced and an appropriate electrical resistance can be obtained.

절연층(30)은 제1 감지 패턴(10)과 브릿지 전극(50)을 전기적으로 절연시키는 기능을 한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 절연층은 감지 패턴의 상부에 전체적으로 형성되나, 본 발명에 따른 절연층(30)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 감지 패턴(10)과 브릿지 전극(50)의 교차 지점에서 제1 감지 패턴과 상기 브릿지 전극 사이에 개재된다.The insulating layer 30 functions to electrically insulate the first sensing pattern 10 from the bridge electrode 50. As shown in FIG. 2, the conventional insulating layer is formed entirely on top of the sensing pattern, but the insulating layer 30 according to the present invention has a first sensing pattern 10 and a bridge electrode as shown in FIG. 3. It is interposed between the first sensing pattern and the bridge electrode at the intersection of 50.

본 발명에 따른 절연층(30)은 제1 감지 패턴(10)과 브릿지 전극(50)만을 절연하면 되므로 기판(100) 상부에 전체적으로 형성될 필요는 없고, 컨택홀(40)의 형성 공정도 필요 없다.Since the insulating layer 30 according to the present invention only needs to insulate the first sensing pattern 10 and the bridge electrode 50, the insulating layer 30 does not need to be formed entirely on the substrate 100, and also requires a process of forming the contact hole 40. none.

절연층(30)은 당분야에서 사용되는 재료 및 방법을 특별한 제한 없이 사용하여 형성될 수 있다.The insulating layer 30 can be formed using materials and methods used in the art without any particular limitation.

제1 감지 패턴(10)과 제2 감지 패턴(20)은 서로 다른 방향으로 배치되어, 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 투명 기판에 접촉되면, 제1 감지 패턴(10), 제2 감지 패턴(20) 및 금속 배선(70)을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.The first sensing pattern 10 and the second sensing pattern 20 are arranged in different directions to provide information on the X and Y coordinates of the touched point. Specifically, when a human hand or an object touches the transparent substrate, the first sensing pattern 10, the second sensing pattern 20, and the metal wiring 70 are electrically connected to the driving circuit Change is delivered. Then, the contact position is grasped by the change of the electrostatic capacitance by the X and Y input processing circuit (not shown) or the like and converted into an electrical signal.

이와 관련하여, 제1 감지 패턴(10) 및 제2 감지 패턴(20)은 기판(100) 상에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각 패턴들은 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 감지 패턴(10)은 서로 연결된 형태이지만 제2 감지 패턴(20)은 단위 패턴이 섬(island) 형태로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 감지 패턴(20)을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 브릿지 전극(50)이 필요하다. In this regard, the first sensing pattern 10 and the second sensing pattern 20 are formed on the substrate 100, and the respective patterns must be electrically connected to detect a touched point. Since the first sensing patterns 10 are connected to each other but the second sensing patterns 20 have a structure in which the unit patterns are separated into island shapes, in order to electrically connect the second sensing patterns 20 A separate bridge electrode 50 is required.

감지 패턴의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 각각 20 내지 200nm일 수 있다. 감지 패턴의 두께가 20nm 미만이면 전기저항이 커져 터치 민감도가 저하될 수 있고, 200nm 초과이면 반사율이 커져 시인성의 문제가 생길 수 있다.The thickness of the detection pattern is not particularly limited, and may be, for example, 20 to 200 nm, respectively. When the thickness of the sensing pattern is less than 20 nm, the electrical resistance increases and the touch sensitivity may be deteriorated. When the sensing pattern has a thickness exceeding 200 nm, the reflectance increases and visibility may be a problem.

터치 감지 전극의 제1 감지 패턴(10) 및 제2 감지 패턴(20)은 당분야에서 사용되는 재료가 제한 없이 사용될 수 있으며, 스크린에 표시되는 영상의 시인성을 저해하지 않기 위해서는, 투명 소재를 사용하거나 또는 미세 패턴으로 형성되는 것이 바람직하다. 구체적인 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 금속와이어 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 사용될 수 있다. 금속와이어에 사용되는 금속은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 은(Ag), 금, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 크롬 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The first sensing pattern 10 and the second sensing pattern 20 of the touch sensing electrode can be used without limitation in materials used in the art. In order not to impair the visibility of the image displayed on the screen, Or formed in a fine pattern. Specific examples thereof include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), poly (3,4-ethylenedioxythiophene) ), Carbon nanotubes (CNTs), metal wires, and the like. These may be used singly or in combination of two or more, preferably indium tin oxide (ITO). The metal used for the metal wire is not particularly limited, and examples thereof include silver (Ag), gold, aluminum, copper, iron, nickel, titanium, tellurium, chromium and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

선택적으로, 본 발명의 터치 감지 전극은 필요에 따라 제1 감지 패턴(10) 및 제2 감지 패턴(20)의 상부 또는 하부에 금속 메쉬(80)를 추가적으로 구비할 수 있다. 예를 들어, 제1 감지 패턴(10) 및 제2 감지 패턴(20)의 마름모 형태(도 1 참조)의 단위 패턴 상부 또는 하부에 적절한 형태로 구비되어 감지 패턴의 전기 전도도를 향상시킴으로써 감지 속도를 상승시킬 수 있다. 이 경우 추가적으로 구비되는 금속 메쉬(80)는 단위 패턴 간을 전기적으로 연결할 필요는 없으며, 각 단위 패턴 영역 내에서 격자 형태 등으로 형성될 수 있다.Optionally, the touch sensing electrode of the present invention may further include a metal mesh 80 above or below the first sensing pattern 10 and the second sensing pattern 20, as necessary. For example, an appropriate shape may be provided above or below a unit pattern of a rhombus shape (see FIG. 1) of the first sensing pattern 10 and the second sensing pattern 20 to improve the electrical conductivity of the sensing pattern, thereby improving the sensing speed. Can be raised. In this case, the additionally provided metal mesh 80 does not need to be electrically connected between the unit patterns, and may be formed in a grid shape or the like within each unit pattern region.

바람직하게는, 상기 금속 메쉬(80)도 그 상부에 금속 도전층(200)을 더 구비할 수 있다. 이 경우 금속 메쉬(80)는 감지 패턴(10, 20)의 상부에 구비되는 것이 바람직하다. 금속 메쉬(80)는 금속 도전층(200)을 구비함으로써 전기 전도도가 현저하게 상승될 수 있다.Preferably, the metal mesh 80 may further include a metal conductive layer 200 thereon. In this case, the metal mesh 80 is preferably provided on the sensing patterns 10 and 20. The metal mesh 80 may include a metal conductive layer 200, whereby electrical conductivity may be significantly increased.

금속 배선(70)은 감지 패턴(10, 20)에서 감지된 용량의 변화를 구동 회로 측에 전달하는 기능을 한다. 금속 배선(70)은 브릿지 전극(50)과 동일한 소재로 형성될 수 있으며, 그에 따라 브릿지 전극(50) 형성 시 동시에 형성되는 것이 바람직하다.The metal wiring 70 has a function of transmitting a change in the capacitance sensed by the sensing patterns 10 and 20 to the driving circuit side. The metal wiring 70 may be formed of the same material as the bridge electrode 50 and is preferably formed at the same time when the bridge electrode 50 is formed.

한편, 금속 배선(70)은 디스플레이 장치의 베젤부에 배치되게 되는데, 전술한 바와 같이 베젤이 좁게 형성되는 경우에는, 가능한 최소한의 폭으로 형성되는 것이 바람직하다. 하지만, 금속 배선(70)이 좁게 형성되면 전기 전도도가 저하될 수 있으며, 단선의 위험까지 있을 수 있다. 따라서, 필요에 따라, 본 발명의 금속 배선(70)은 그 상부에 금속 도금층(200)을 더 구비할 수 있다.Meanwhile, the metal wiring 70 is disposed on the bezel portion of the display device. When the bezel is narrow as described above, the metal wiring 70 is preferably formed to have a minimum width. However, if the metal wiring 70 is formed to be narrow, the electrical conductivity may be lowered, and there is a risk of disconnection. Therefore, if necessary, the metal wiring 70 of the present invention may further include a metal plating layer 200 on the upper portion thereof.

금속 배선 상부의 금속 도금층(200)은 브릿지 전극(50) 상부에 형성된 금속 도금층(200)과 동일한 재료로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 동시에 형성될 수 있다.The metal plating layer 200 on the metal wiring may be formed of the same material as the metal plating layer 200 formed on the bridge electrode 50, and preferably may be formed at the same time.

본 발명의 터치 감지 전극은 기판(100) 상에 형성된다. A touch sensing electrode of the present invention is formed on a substrate (100).

기판(100)은 당 분야에서 통상적으로 사용되는 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP) 등을 들 수 있다.The substrate 100 may be formed of any material that is commonly used in the art without limitation, and examples thereof include glass, polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyether imide (PEI, polyetherimide, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetheretherketone, polyetherimide, polyethylene naphthalate, PC, polycarbonate), cellulose triacetate (TAC), and cellulose acetate propionate (CAP).

상기 기판(100)은 터치스크린 패널의 최외면을 형성하는 커버 윈도우 기판 또는 디스플레이 패널의 일면일 수 있다.The substrate 100 may be a cover window substrate that forms the outermost surface of the touch screen panel, or a surface of the display panel.

상기 기판(100)이 커버 윈도우 기판인 경우에는, 본 발명의 터치 감지 전극은 필요에 따라 기판(100)과 감지 패턴 사이에 투명 유전층을 더 포함할 수 있다. 투명 유전층은 감지 패턴 구조에 따른 위치별 구조적 차이에 의한 광학적 특성의 차이를 감소시켜 터치스크린 패널의 광학적 균일도를 개선한다. If the substrate 100 is a cover window substrate, the touch sensing electrode of the present invention may further include a transparent dielectric layer between the substrate 100 and the sensing pattern, if necessary. The transparent dielectric layer improves the optical uniformity of the touch screen panel by reducing the difference in optical properties due to structural differences in position according to the detection pattern structure.

투명 유전층은 산화 니오븀, 산화 규소, 산화 세륨, 산화 인듐 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 형성할 수 있다. 형성 방법은 진공증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅 법 등을 사용할 수 있으며, 상기와 같은 방법을 통해 박막 형태로 용이하게 제조될 수 있다.The transparent dielectric layer may be formed of niobium oxide, silicon oxide, cerium oxide, indium oxide or the like, either singly or in combination. A vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be used as the forming method, and they can be easily manufactured in the form of a thin film through the above-described method.

본 발명에 있어서, 필요에 따라, 투명 유전층은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 이 경우 각 층은 서로 다른 소재로 형성될 수 있으며, 서로 다른 굴절률 및 두께를 가질 수 있다.
In the present invention, if necessary, the transparent dielectric layer may be formed of a plurality of layers. In this case, the respective layers may be formed of different materials and may have different refractive indices and thicknesses.

이하에서는, 본 발명의 터치 감지 전극의 제조방법에 대하여 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the touch sensing electrode of the present invention will be described in detail.

먼저, 기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 감지 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 감지 패턴을 형성하고, 상기 제1 감지 패턴과 브릿지 전극이 교차할 지점의 제1 감지 패턴의 상부에 절연층을 형성한다.First, a first sensing pattern formed in a first direction and a second sensing pattern formed in a second direction are formed on a substrate, and an insulating layer is formed on the first sensing pattern at a point where the first sensing pattern and the bridge electrode intersect. To form.

감지 패턴(10, 20)은 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical VaporDeposition, CVD)등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 물리적 증착법의 한 예인 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의하여 형성될 수 있다. The sensing patterns 10 and 20 may be formed by various thin film deposition techniques such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD). For example, it can be formed by reactive sputtering, which is an example of physical vapor deposition.

또한, 감지 패턴은 인쇄 공정으로 형성될 수 있다. 이러한 인쇄 공정 시, 그라비아 오프 셋(gravure off set), 리버스 오프 셋(reverse off set), 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄 및 그라비아(gravure) 인쇄 등 다양한 인쇄 방법이 이용될 수 있다. 특히, 인쇄 공정으로 감지 패턴을 형성할 경우 인쇄 가능한 페이스트 물질로 형성할 수 있다. 일례로, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 전도성 폴리머 및 은 나노 와이어 잉크(Ag nano wire ink)로 형성할 수 있다.Further, the sensing pattern may be formed by a printing process. In such a printing process, various printing methods such as gravure off set, reverse off set, inkjet printing, screen printing and gravure printing can be used. In particular, when a sensing pattern is formed by a printing process, it can be formed of a printable paste material. For example, a carbon nano tube (CNT), a conductive polymer, and a silver nano wire ink (Ag nano wire ink) can be formed.

또한, 감지 패턴은 상기 방법 외에 포토리소그래피에 의해서 형성될 수도 있다.In addition, the sensing pattern may be formed by photolithography in addition to the above method.

감지 패턴(10, 20)이 형성된 후에는 제1 감지 패턴(10)과 추후 형성될 브릿지 전극(50)이 교차할 지점의 제1 감지 패턴(10)의 상부에 절연층(30)을 형성한다. 절연층(30)은 당분야에서 사용되는 재료 및 방법을 특별한 제한 없이 사용하여 형성될 수 있다.After the sensing patterns 10 and 20 are formed, the insulating layer 30 is formed on the first sensing pattern 10 at the point where the first sensing pattern 10 and the bridge electrode 50 to be formed later intersect. . The insulating layer 30 can be formed using materials and methods used in the art without any particular limitation.

다음으로, 상기 절연층(30) 상부에 상기 제2 감지 패턴(20)을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극(50)을 형성한다.Next, a bridge electrode 50 is formed on the insulating layer 30 to electrically connect the second sensing pattern 20.

브릿지 전극(50)을 형성하는 단계를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the step of forming the bridge electrode 50 will be described in more detail.

먼저, 상기 절연층(30)까지 형성된 기판의 상부에 브릿지 전극 형성용 금속층을 형성한다. 상기 금속층은 기판 상부면 전체에 형성될 수 있다.First, a metal layer for forming bridge electrodes is formed on the substrate formed up to the insulating layer 30. The metal layer may be formed on the entire upper surface of the substrate.

브릿지 전극 형성용 금속층은 브릿지 전극으로 사용될 금속으로 형성되며, 그 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 물리적 증착법의 한 예인 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 예로는 금속 입자를 포함하는 코팅액을 도공하는 방식도 적용이 가능하다.The metal layer for forming the bridge electrode is formed of a metal to be used as the bridge electrode, and the forming method is not particularly limited. For example, various thin films such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) are used. It may be formed by a deposition technique. For example, it may be formed by reactive sputtering, which is an example of physical vapor deposition, but is not limited thereto. As another example, a method of coating a coating solution containing metal particles may be applied.

브릿지 전극 형성용 금속층이 형성된 후에는, 상기 브릿지 전극 형성용 금속층의 상면에 금속 도금층이 형성될 부위만 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.After the bridge electrode forming metal layer is formed, a photoresist pattern is formed on the top surface of the bridge electrode forming metal layer to expose only a portion where the metal plating layer is to be formed.

포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 부위는 브릿지 전극(50)이 될 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이 필요에 따라, 금속 메쉬(80) 부위, 금속 배선(70) 부위 등도 노출될 수 있다. 이 경우에는 브릿지 전극(50)과 함께 금속 메쉬(80)나 금속 배선(70)이 동시에 형성된다.The portion exposed by the photoresist pattern may be the bridge electrode 50. In addition, as described above, a portion of the metal mesh 80, a portion of the metal wiring 70, and the like may also be exposed. In this case, the metal mesh 80 and the metal wiring 70 are formed simultaneously with the bridge electrode 50.

만약, 금속 메쉬(80)를 감지 패턴(10, 20)의 하부에 형성하는 경우에는 금속 메쉬(80)를 기판(100) 상에 먼저 형성한 후에 그 위에 감지 패턴(10, 20)을 형성하면 된다.If the metal mesh 80 is formed below the sensing patterns 10 and 20, the metal mesh 80 is first formed on the substrate 100 and then the sensing patterns 10 and 20 are formed thereon. do.

또한, 금속 메쉬(80)를 감지 패턴(10, 20)의 상부에 형성하는 경우에 금속 도금층(200)을 구비하지 않기 위해서는 포토레지스트 패턴이 금속 메쉬(80)를 덮도록 형성하면 된다.In addition, when the metal mesh 80 is formed on the sensing patterns 10 and 20, the photoresist pattern may be formed to cover the metal mesh 80 so as not to include the metal plating layer 200.

다음으로는, 상기 노출된 부위에 금속 도금층을 형성한다.Next, a metal plating layer is formed on the exposed portion.

금속 도금층(200)은 통상적인 금속 도금법에 의해 형성될 수 있다. 도금법에 특별한 제한은 없으나, 브릿지 전극(50) 상에만 형성해야 하는 정밀성 측면에서 전기 도금법이 바람직하다.The metal plating layer 200 may be formed by a conventional metal plating method. Although there is no particular limitation on the plating method, an electroplating method is preferable from the viewpoint of precision that should be formed only on the bridge electrode 50.

보다 구체적으로 설명하면, 브릿지 전극 형성용 금속층을 캐소드 전극으로 하고 도금층을 형성할 금속을 애노드 전극으로 한 후, 기판을 애노드 전극의 금속 이온이 존재하는 전해질 용액에 침지시킨 후 전원을 연결하여 전기를 흐르게 하면, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 부위에 금속 도금층(200)이 형성되게 된다.More specifically, the bridge electrode forming metal layer is used as the cathode electrode and the metal to form the plating layer is used as the anode electrode, the substrate is immersed in an electrolyte solution in which the metal ions of the anode electrode are present, and then a power source is connected. When flowing, the metal plating layer 200 is formed on a portion exposed by the photoresist pattern.

다음으로는 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 금속 도금층이 형성되지 않은 부분의 브릿지 전극 형성용 금속층을 제거하면, 본 발명의 터치 감지 전극을 얻을 수 있다. 금속 도금층이 형성되지 않은 부분의 브릿지 전극 형성용 금속층을 제거는 금속 도금층은 식각하지 않으면서 브릿지 전극 형성용 금속층은 식각할 수 있는 식각액을 사용하면 용이하게 수행될 수 있다.
Next, after removing the photoresist pattern, if the metal layer for bridge electrode formation of the portion where the metal plating layer is not formed is removed, the touch sensing electrode of the present invention can be obtained. Removing the metal layer for forming the bridge electrode in the portion where the metal plating layer is not formed may be easily performed by using an etchant capable of etching the bridge electrode forming metal layer without etching the metal plating layer.

본 발명의 터치 감지 전극은 당분야에 공지된 추가 공정을 통해 터치 스크린 패널을 형성할 수 있다. 이 경우 사용되는 디스플레이 장치로는 액정 디스플레이, OLED, 플렉서블 디스플레이 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
The touch sensing electrode of the present invention may form a touch screen panel through additional processes known in the art. In this case, the display device may be a liquid crystal display, an OLED, a flexible display, or the like, but is not limited thereto.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the claims. It will be apparent to those skilled in the art that such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

실시예Example 1 One

유리 기판(굴절률: 1.51) 상에 두께 20nm의 제1 및 제2 감지 패턴을 인듐주석산화물(ITO)(굴절률: 1.8)로 형성하였다.First and second sensing patterns having a thickness of 20 nm were formed of indium tin oxide (ITO) (refractive index: 1.8) on a glass substrate (refractive index: 1.51).

이후 브릿지 패턴이 형성될 부분의 제1 감지 패턴 상부에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층이 형성된 기판의 상면에 두께 10nm의 몰리브덴 금속층을 스퍼터링으로 형성하였다.Thereafter, an insulating layer was formed on the first sensing pattern of the portion where the bridge pattern was to be formed, and then a molybdenum metal layer having a thickness of 10 nm was formed on the upper surface of the substrate on which the insulating layer was formed by sputtering.

다음으로, 브릿지 전극이 형성될 부분 및 금속 배선 부분만 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 몰리브덴 금속층에 전원을 연결하고, 상기 전원의 다른 편은 구리 전극에 연결한 후, 상기 기판 및 구리 전극을 구리 전해질 용액에 침지하고 전기 도금을 수행하여, 상기 노출된 몰리브덴 금속층 상에 구리 도금층을 형성하였다.Next, after the photoresist pattern is formed to expose only the portion where the bridge electrode is to be formed and the metal wiring portion, a power source is connected to the molybdenum metal layer, and the other side of the power source is connected to a copper electrode, and then the substrate and copper The electrode was immersed in a copper electrolyte solution and electroplated to form a copper plating layer on the exposed molybdenum metal layer.

다음으로, 포토레지스트 패턴을 제거하고, 구리 도금층이 형성되지 않은 몰리브덴 금속층을 제거하여, 터치 감지 전극을 제조하였다.Next, the photoresist pattern was removed, and the molybdenum metal layer on which the copper plating layer was not formed was removed to manufacture a touch sensing electrode.

참고로, 상기 굴절률은 550nm 파장의 광을 기준으로 기재하였다.
For reference, the refractive index is described based on light of 550 nm wavelength.

실시예Example 2 2

제1 감지 패턴 및 제2 감지 패턴의 상부에 금속 메쉬 및 상기 금속 메쉬 상부에 금속 도금층을 더 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 터치 감지 전극을 제조하였다.
A touch sensing electrode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the metal mesh and the metal plating layer were further formed on the first sensing pattern and the second sensing pattern.

실시예Example 3 3

제1 감지 패턴 및 제2 감지 패턴의 하부에 금속 메쉬를 더 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 터치 감지 전극을 제조하였다.
A touch sensing electrode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a metal mesh was further formed below the first sensing pattern and the second sensing pattern.

비교예Comparative Example 1 One

구리 도금층을 형성하지 않은 것과 몰리브덴을 300nm 두께로 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 터치 감지 전극을 제조하였다.
A touch sensing electrode was prepared in the same manner as in Example 1, except that a copper plating layer was not formed and molybdenum was formed to a thickness of 300 nm.

실험예Experimental Example

상기 제조된 터치 감지 전극의 반사율 및 전기 저항을 측정하여, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다. 반사율은 400nm~700nm에서의 반사율의 평균을 의미한다.The reflectance and electrical resistance of the manufactured touch sensing electrode were measured, and the results are shown in Table 2 below. The reflectance means an average of the reflectance at 400 nm to 700 nm.

평균 반사율 Average reflectance 제2 감지 패턴(브릿지 전극으로 연결된 패턴) 저항2nd sensing pattern (pattern connected by bridge electrode) resistance 실시예1Example 1 12.2%12.2% 1.6 kΩ1.6 kΩ 실시예2Example 2 12.8%12.8% 0.4 kΩ0.4 kΩ 실시예3Example 3 12.8%12.8% 0.4 kΩ0.4 kΩ 비교예1Comparative Example 1 12.0%12.0% 2.1 kΩ2.1 kΩ

상기 표 1을 참고하면, 실시예들의 경우 비교예와 반사율 차이는 거의 유사하면서도 금속 도금층을 형성하지 않은 비교예보다 전기 저항이 현저하게 작은 것을 알 수 있다.
Referring to Table 1, it can be seen that in the case of the embodiments, the electrical resistance is significantly smaller than that of the comparative example and the difference between the reflectivity and the comparative example without forming the metal plating layer.

100: 기판
10: 제1 감지 패턴 20: 제2 감지 패턴
30: 절연층 40: 컨택홀
50: 브릿지 전극 200: 금속 도금층
80: 금속 메쉬 70: 금속 배선
100: substrate
10: first detection pattern 20: second detection pattern
30: insulating layer 40: contact hole
50: bridge electrode 200: metal plating layer
80: metal mesh 70: metal wiring

Claims (14)

제1 방향으로 형성된 제1 감지 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 감지 패턴;
상기 제2 감지 패턴의 이격된 단위 패턴을 상기 제1 감지 패턴의 상부로 전기적으로 연결하는 브릿지 전극;
상기 제1 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차 지점에서 상기 제1 감지 패턴과 상기 브릿지 전극 사이에 개재되는 절연층; 및
상기 브릿지 전극의 상면에 500 내지 1,000nm 두께로 형성된 금속 도금층;을 구비하는 터치 감지 전극.
A first sensing pattern formed in a first direction and a second sensing pattern formed in a second direction;
A bridge electrode electrically connecting the spaced unit pattern of the second sensing pattern to an upper portion of the first sensing pattern;
An insulating layer interposed between the first sensing pattern and the bridge electrode at an intersection point of the first sensing pattern and the bridge electrode; And
And a metal plating layer formed on the upper surface of the bridge electrode to a thickness of 500 to 1,000 nm.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴을 구동 회로와 연결하는 금속배선이 그 상면에 금속 도금층을 더 구비하는, 터치 감지 전극.
The touch sensing electrode of claim 1, wherein the metal wiring connecting the first sensing pattern and the second sensing pattern to a driving circuit further comprises a metal plating layer on an upper surface thereof.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 감지 패턴 및 제2 감지 패턴은 그 상부 또는 하부에 금속 메쉬를 포함하는, 터치 감지 전극.
The touch sensing electrode of claim 1, wherein the first sensing pattern and the second sensing pattern include a metal mesh on the top or bottom thereof.
청구항 3에 있어서, 상기 제1 감지 패턴 및 제2 감지 패턴의 상부에 형성되는 금속 메쉬는 그 상면에 금속 도금층을 더 구비하는, 터치 감지 전극.
The touch sensing electrode of claim 3, wherein the metal mesh formed on the first sensing pattern and the second sensing pattern further includes a metal plating layer on an upper surface thereof.
청구항 1에 있어서, 상기 금속 도금층은 전기 도금으로 형성된 것인, 터치 감지 전극.
The touch sensing electrode according to claim 1, wherein the metal plating layer is formed by electroplating.
청구항 1에 있어서, 상기 금속 도금층은 구리로 형성된 것인, 터치 감지 전극.
The touch sensing electrode according to claim 1, wherein the metal plating layer is formed of copper.
삭제delete 청구항 1에 있어서, 터치스크린 패널의 커버 윈도우 기판 또는 디스플레이 패널의 일면 상에 형성되는, 터치 감지 전극.
The touch sensing electrode of claim 1, formed on one side of a cover window substrate or display panel of a touch screen panel.
기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 감지 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 감지 패턴을 형성하고, 상기 제1 감지 패턴과 브릿지 전극이 교차할 지점의 제1 감지 패턴의 상부에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상부에 상기 제2 감지 패턴을 전기적으로 연결하는 브릿지 전극을 형성하는 단계; 및
상기 브릿지 전극 상에 금속 도금층을 형성하는 단계;
를 포함하는 터치 감지 전극의 제조방법.
A first sensing pattern formed in a first direction and a second sensing pattern formed in a second direction are formed on the substrate, and an insulating layer is formed on the first sensing pattern at the point where the first sensing pattern and the bridge electrode intersect. Making;
Forming a bridge electrode on the insulating layer to electrically connect the second sensing pattern; And
Forming a metal plating layer on the bridge electrode;
Method of manufacturing a touch sensing electrode comprising a.
청구항 9에 있어서, 상기 브릿지 전극을 형성하는 단계는,
상기 절연층까지 형성된 기판의 상부에 브릿지 전극 형성용 금속층을 형성하는 단계;
상기 브릿지 전극 형성용 금속층의 상면에 금속 도금층이 형성될 부위만 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 노출된 부위에 금속 도금층을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴 및 금속 도금층이 형성되지 않은 브릿지 전극 형성용 금속층을 제거하는 단계;
를 포함하는 터치 감지 전극의 제조방법.
The method of claim 9, wherein forming the bridge electrode,
Forming a metal layer for forming bridge electrodes on the substrate formed up to the insulating layer;
Forming a photoresist pattern on the top surface of the bridge electrode forming metal layer to expose only a portion where a metal plating layer is to be formed;
Forming a metal plating layer on the exposed portion; And
Removing the metal layer for forming bridge electrodes on which the photoresist pattern and the metal plating layer are not formed;
Method of manufacturing a touch sensing electrode comprising a.
청구항 10에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 제1 감지 패턴 또는 상기 제2 감지 패턴의 상부에 금속 메쉬 패턴이 형성되도록 노출 부위를 더 구비하고, 상기 금속 도금층은 상기 금속 메쉬 패턴 상부에도 형성되는, 터치 감지 전극의 제조방법.
The method of claim 10, wherein the photoresist pattern further comprises an exposed portion to form a metal mesh pattern on the first sensing pattern or the second sensing pattern, the metal plating layer is also formed on the metal mesh pattern, Method of manufacturing a touch sensing electrode.
청구항 10에 있어서, 상기 브릿지 전극 형성용 금속층은 금속 배선 부위까지 형성되고, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 금속 배선 부위를 포함하도록 노출 부위를 더 구비하고, 상기 금속 도금층은 상기 금속 배선 상부에도 형성되는, 터치 감지 전극의 제조방법.
The metal layer of claim 10, wherein the metal layer for forming bridge electrodes is formed to a metal wiring portion, the photoresist pattern further includes an exposed portion to include the metal wiring portion, and the metal plating layer is also formed on the metal wiring. Method of manufacturing a touch sensing electrode.
청구항 1 내지 6 및 8 중 어느 한 항의 터치 감지 전극을 포함하는 터치 스크린 패널.
A touch screen panel comprising the touch sensing electrode of any one of claims 1 to 6 and 8.
청구항 13의 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 장치.Display device comprising the touch screen panel of claim 13.
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