KR102027775B1 - Touch sensor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 터치 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴; 상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하며, 몸체부 및 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및 상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층;을 포함함으로써, 브릿지 전극의 면적을 좁게 하면서도 제2 메쉬 패턴에 대한 접촉은 용이하게 하여, 브릿지 전극이 시인되는 것은 줄이면서, 우수한 터치 감도도 동시에 구현할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor, and more particularly, a sensing pattern including a first mesh pattern formed in a first direction and a second mesh pattern formed in a second direction; A bridge electrode connecting spaced unit patterns of the second mesh pattern and having a body part and a tip part contacting the second mesh pattern; And an insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode, thereby narrowing the area of the bridge electrode and facilitating contact with the second mesh pattern, thereby reducing the visibility of the bridge electrode and providing excellent touch sensitivity. It relates to a touch sensor that can be implemented at the same time.
Description
본 발명은 터치 센서에 관한 것이다.
The present invention relates to a touch sensor.
디지털 기술을 이용하는 컴퓨터가 발달함에 따라 컴퓨터의 보조 장치들도 함께 개발되고 있으며, 개인용 컴퓨터, 휴대용 전송장치, 그 밖의 개인 전용 정보처리장치 등은 키보드, 마우스와 같은 다양한 입력장치(Input Device)를 이용하여 텍스트 및 그래픽 처리를 수행한다.As computers using digital technology are developed, auxiliary devices of computers are being developed together. Personal computers, portable transmission devices, and other personal information processing devices use various input devices such as a keyboard and a mouse. To perform text and graphics processing.
하지만, 정보화 사회의 급속한 진행에 따라 컴퓨터의 용도가 점점 확대되는 추세에 있는 바, 현재 입력장치 역할을 담당하는 키보드 및 마우스만으로는 효율적인 제품의 구동이 어려운 문제점이 있다. 따라서, 간단하고 오조작이 적을 뿐 아니라, 누구라도 쉽게 정보입력이 가능한 기기의 필요성이 높아지고 있다.However, with the rapid progress of the information society, the use of computers is gradually increasing, and there is a problem in that it is difficult to operate an efficient product only with a keyboard and a mouse, which play a role as an input device. Therefore, there is a growing need for a device that is not only simple and has less misoperation, but also anyone can easily input information.
또한, 입력장치에 관한 기술은 일반적 기능을 충족시키는 수준을 넘어서 고 신뢰성, 내구성, 혁신성, 설계 및 가공 관련기술 등으로 관심이 바뀌고 있으며, 이러한 목적을 달성하기 위해서 텍스트, 그래픽 등의 정보 입력이 가능한 입력장치로서 터치 센서(Touch Panel)이 개발되었다.In addition, the technology related to the input device is shifting to high reliability, durability, innovation, design and processing related technology beyond the level that meets the general function, and in order to achieve this purpose, information input such as text, graphics, etc. Touch panel has been developed as a possible input device.
이러한 터치 센서는 전자수첩, 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), El(Electroluminescence) 등의 평판 디스플레이 장치 및 CRT(Cathode Ray Tube)와 같은 화상표시장치의 표시면에 설치되어, 사용자가 화상표시장치를 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 이용되는 도구이다.The touch sensor is a display surface of an electronic organizer, a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), an electroluminescence (El), and an image display device such as a cathode ray tube (CRT). Is a tool used to allow a user to select desired information while viewing the image display apparatus.
한편, 터치 센서의 종류는 저항막방식(Resistive Type), 정전용량방식(Capacitive Type), 전기자기장방식(Electro-Magnetic Type), 소오방식(SAW Type, Surface Acoustic Wave Type) 및 인프라레드방식(Infrared Type)으로 구분된다. 이러한 다양한 방식의 터치 센서는 신호 증폭의 문제, 해상도의 차이, 설계 및 가공 기술의 난이도, 광학적 특성, 전기적 특성, 기계적 특성, 내환경 특성, 입력 특성, 내구성 및 경제성을 고려하여 전자제품에 채용되는데, 현재 가장 광범위한 분야에서 사용하는 방식은 저항막 방식 터치 센서와 정전용량방식 터치 센서가 있다.On the other hand, the types of touch sensors are resistive type, capacitive type, electro-magnetic type, SAW type, surface acoustic wave type, and infrared type. Type). These various types of touch sensors are adopted in electronic products in consideration of signal amplification problems, resolution differences, difficulty in design and processing technology, optical properties, electrical properties, mechanical properties, environmental properties, input properties, durability, and economics. Currently, the most widely used methods include resistive touch sensors and capacitive touch sensors.
이러한 터치 센서에서 두께를 줄이고 광 특성을 향상하기 위해 연결(bridge) 전극을 활용한 1층(1 layer) 터치 센서가 각광받고 있다. 그러나 X, Y 전극을 연결하는 브릿지 전극을 형성할 때, 브릿지 전극과 X 전극 또는 Y 전극과의 접촉 면적을 넓혀 터치 감도를 민감하기 위해 브릿지 전극의 면적을 넓게 하면 브릿지 전극이 시인되는 문제가 있다.In order to reduce thickness and improve optical characteristics of such a touch sensor, a one layer touch sensor using a bridge electrode has been in the spotlight. However, when forming a bridge electrode connecting the X and Y electrodes, there is a problem in that the bridge electrode is recognized when the area of the bridge electrode is widened in order to increase the contact area between the bridge electrode and the X electrode or the Y electrode to sense the touch sensitivity. .
한국공개특허 제2012-44268호에는 정전용량 터치 패널의 제조 방법이 개시되어 있으나, 상기 문제점에 대한 대안을 제시하지 못하였다.
Korean Patent Laid-Open No. 2012-44268 discloses a method of manufacturing a capacitive touch panel, but has not suggested an alternative to the problem.
본 발명은 우수한 터치 민감도를 가지면서도 시인성 저하는 줄일 수 있는 터치 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide a touch sensor which can reduce the visibility while having excellent touch sensitivity.
1. 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴;1. a sensing pattern comprising a first mesh pattern formed in a first direction and a second mesh pattern formed in a second direction;
상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하며, 몸체부 및 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및A bridge electrode connecting spaced unit patterns of the second mesh pattern and having a body part and a tip part contacting the second mesh pattern; And
상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층;을 포함하는, 터치 센서.And an insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode.
2. 위 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.2. In the above 1, the sensing pattern is molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two or more of these alloys; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly (3,4-, ethylenedioxythiophene)), carbon nanotubes (CNT) or graphene (graphene), a touch sensor.
3. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.3. In the above 1, the bridge electrode is molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two or more of these alloys; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly (3,4-, ethylenedioxythiophene)), carbon nanotubes (CNT) or graphene (graphene), a touch sensor.
4. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 서로 다른 방향으로 형성된 2개 이상의 첨단부를 가지며, 각 첨단부가 제2 메쉬 패턴과 접촉하는, 터치 센서.4. In the above 1, wherein the bridge electrode has two or more tips formed in different directions, each tip is in contact with the second mesh pattern, the touch sensor.
5. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 제1 방향 및 제2 방향으로 형성된 2개 이상의 첨단부를 가지며, 각 첨단부가 제2 메쉬 패턴과 접촉하는, 터치 센서.5. In the above 1, wherein the bridge electrode has two or more tips formed in the first direction and the second direction, each tip is in contact with the second mesh pattern, the touch sensor.
6. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 제1 메쉬 패턴과는 절연되는, 터치 센서.6. In the above 1, wherein the bridge electrode is insulated from the first mesh pattern, the touch sensor.
7. 위 1에 있어서, 상기 첨단부는 그 폭이 1 내지 100㎛인, 터치 센서.7. In the above 1, the tip portion is 1 to 100㎛ the width, the touch sensor.
8. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몸체부의 장변 길이가 30 내지 1000㎛인, 터치 센서.8. In the above 1, wherein the bridge electrode is a long side length of the
9. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몸체부가 메쉬 구조를 갖는, 터치 센서.9. In the above 1, wherein the bridge electrode has a body structure mesh structure, the touch sensor.
10. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몸체부가 2개 이상의 브릿지를 갖는, 터치 센서.10. In the above 1, wherein the bridge electrode has a body portion of two or more bridges, the touch sensor.
11. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 층 형태로 위치하고, 상기 첨단부는 절연층에 형성된 컨택홀을 통해 제2 메쉬 패턴과 연결된, 터치 센서.11. In the above 1, wherein the insulating layer is located in the form of a layer, the tip portion is connected to the second mesh pattern through a contact hole formed in the insulating layer, the touch sensor.
12. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차부에만 섬 형태로 위치하고, 상기 첨단부는 절연층에 형성된 컨택홀을 통해 제2 매쉬 패턴과 연결된, 터치 센서.12. In the above 1, wherein the insulating layer is located in the form of an island only at the intersection of the sensing pattern and the bridge electrode, the tip portion is connected to the second mesh pattern through a contact hole formed in the insulating layer, the touch sensor.
13. 위 1 내지 12중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치.
13. The image display device comprising the touch sensor of any one of 1 to 12 above.
본 발명의 터치 센서는 브릿지 전극이 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 가져, 브릿지 전극의 면적을 좁게 하면서도 제2 메쉬 패턴과 접촉할 수 있다. 이에, 브릿지 전극이 시인되는 것은 줄이면서, 우수한 터치 감도도 동시에 구현할 수 있다.The touch sensor of the present invention has a tip portion at which the bridge electrode contacts the second mesh pattern, thereby making it possible to make contact with the second mesh pattern while narrowing the area of the bridge electrode. Accordingly, while the bridge electrode is less visible, excellent touch sensitivity can be realized at the same time.
또한, 본 발명의 터치 센서는 브릿지 전극의 면적을 줄일 수 있어, 이에 따라 굴곡성을 개선할 수 있다.
In addition, the touch sensor of the present invention can reduce the area of the bridge electrode, thereby improving the bendability.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서에서 브릿지 전극을 확대하여 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서에서 브릿지 전극을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged perspective view illustrating a bridge electrode in the touch sensor according to the exemplary embodiment of the present invention.
3 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
5 is an enlarged cross-sectional view of a bridge electrode in the touch sensor according to the exemplary embodiment of the present invention.
6 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴; 상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하며, 몸체부 및 제2 메쉬 패턴과 접촉하는 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및 상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층;을 포함함으로써, 브릿지 전극의 면적을 좁게 하면서도 제2 메쉬 패턴에 대한 접촉은 용이하게 하여, 브릿지 전극이 시인되는 것은 줄이면서, 우수한 터치 감도도 동시에 구현할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.
The present invention provides a sensing pattern including a first mesh pattern formed in a first direction and a second mesh pattern formed in a second direction; A bridge electrode connecting spaced unit patterns of the second mesh pattern and having a body part and a tip part contacting the second mesh pattern; And an insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode, thereby narrowing the area of the bridge electrode and facilitating contact with the second mesh pattern, thereby reducing the visibility of the bridge electrode and providing excellent touch sensitivity. It relates to a touch sensor that can be implemented at the same time.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
감지 패턴은 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴(20)을 구비할 수 있다.The sensing pattern may include a
제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)은 서로 다른 방향으로 배치된다. 예를 들면, 상기 제1 방향은 X축 방향일 수 있고, 제2 방향은 이와 수직으로 교차하는 Y축 방향일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The
제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)은 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 커버 윈도우 기판에 접촉되면, 제1 메쉬 패턴(10), 제2 메쉬 패턴(20) 및 위치 검출라인을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.The
이와 관련하여, 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 메쉬 패턴(20)은 동일층에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각각의 패턴들이 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 메쉬 패턴(10)은 서로 연결된 형태이지만 제2 메쉬 패턴(20)은 단위 패턴들이 섬(island) 형태로 서로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 메쉬 패턴(20)을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 브릿지 전극(30)이 필요하다. 브릿지 전극(30)에 대해서는 후술하도록 한다.In this regard, the
본 발명에 있어서, 메쉬 구조의 구체적인 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 직각 사각형 메쉬 구조, 마름모 메쉬 구조, 육각형 메쉬 구조 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 각 구조에서 장변의 길이는 예를 들면 2 내지 500㎛일 수 있고, 상기 범위 내에서 전기 전도도, 투과율 등에 따라 적절히 조절될 수 있다.In the present invention, the specific form of the mesh structure is not particularly limited. For example, a rectangular rectangular mesh structure, a rhombus mesh structure, a hexagonal mesh structure, etc. may be mentioned, but it is not limited to this. In each structure, the length of the long side may be, for example, 2 to 500 µm, and may be appropriately adjusted according to electrical conductivity, transmittance, and the like within the above range.
메쉬 패턴의 폭은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 30㎛일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 20㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 금속 메쉬 패턴의 폭이 1 내지 30㎛일 경우에, 패턴의 시인성을 감소시키고 적정 전기 저항을 가질 수 있다.The width of the mesh pattern is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 30 μm, preferably 1 to 20 μm, but is not limited thereto. When the width of the metal mesh pattern is 1 to 30 mu m, the visibility of the pattern may be reduced and appropriate electrical resistance may be obtained.
감지 패턴의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 각각 10 내지 350nm 일 수 있다. 감지 패턴의 두께가 10nm 미만이면 전기저항이 커져 터치 민감도가 저하될 수 있고, 350nm 초과이면 반사율이 커져 시인성의 문제가 생길 수 있다.The thickness of the sensing pattern is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 350 nm. When the thickness of the sensing pattern is less than 10 nm, the electrical resistance may increase, and thus the touch sensitivity may be lowered. When the thickness of the sensing pattern is greater than 350 nm, the reflectance may increase, thereby causing a problem of visibility.
감지 패턴은 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속이 제한 없이 적용될 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 들 수 있다.The sensing pattern may be applied to metals having high electrical conductivity and low resistance without limitation, for example, molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium or two or more of these alloys. Can be.
이 외에도 당 분야에 공지된 투명 전극 소재가 더 사용될 수 있다. 예를 들면 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있다.In addition to this, a transparent electrode material known in the art may be further used. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)), carbon nanotubes (CNT), graphene (graphene) and the like.
감지 패턴의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical VaporDeposition, CVD) 등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 물리적 증착법의 한 예인 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의하여 형성될 수 있다. The method of forming the sensing pattern is not particularly limited, and for example, may be formed by various thin film deposition techniques such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (Chemical VaporDeposition, CVD). For example, it may be formed by reactive sputtering, which is an example of physical vapor deposition.
또한, 감지 패턴은 인쇄 공정으로 형성될 수 있다. 이러한 인쇄 공정 시, 그라비아 오프 셋(gravure off set), 리버스 오프 셋(reverse off set), 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄 및 그라비아(gravure) 인쇄 등 다양한 인쇄 방법이 이용될 수 있다. 상기 방법 외에 포토리소그래피에 의해서 형성될 수도 있다.In addition, the sensing pattern may be formed by a printing process. In this printing process, various printing methods such as gravure off set, reverse off set, inkjet printing, screen printing, and gravure printing may be used. In addition to the above method, it may be formed by photolithography.
브릿지 전극(30)은 제2 메쉬 패턴(20)의 이격된 단위 패턴을 연결한다. 이때, 브릿지 전극(30)은 감지 패턴 중 제1 메쉬 패턴(10)과는 절연되어야 하므로, 이를 위해 절연층(40)이 형성된다. 이에 대해서는 후술하도록 한다.The
브릿지 전극(30)은 몸체부(31) 및 첨단부(32)를 갖는다.The
통상 터치 센서에서 브릿지 전극(30)과 이에 의해 연결되는 감지 패턴 사이의 접촉 면적이 넓어야 터치 감도가 개선된다. 그러나, 이를 위해 브릿지 전극(30)의 면적을 넓게 하는 경우 브릿지 전극(30)이 사용자에게 시인되는 문제가 있고, 터치 센서의 굴곡성이 저하되는 문제가 있다.In general, the touch sensitivity is improved when the contact area between the
그러나, 본 발명에 따른 브릿지 전극(30)은 첨단부(32)가 제2 메쉬 패턴과 접촉하여, 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결할 수 있다.However, in the
즉, 첨단부(32)가 제2 메쉬 패턴과 접촉하므로, 제2 메쉬 패턴과 접촉을 위해 넓은 면적의 몸체부(31)를 요하지 않는다. 이에, 몸체부(31)의 면적을 좁게 하여, 브릿지 전극(30)이 시인되는 것을 줄일 수 있다.That is, since the
브릿지 전극(30)은 2개 이상의 첨단부(32)를 가질 수 있다. 각 첨단부(32)는 서로 다른 방향으로 형성된 것일 수 있다. 서로 다른 방향은 예를 들면 제1 방향 및 제2 방향일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 복수개의 첨단부(32)를 가지는 경우 각 첨단부(32)가 제2 메쉬 패턴과 접촉할 수 있다.The
첨단부(32)의 폭은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 100㎛일 수 있다. 첨단부(32)의 폭이 상기 범위 내인 경우 브릿지 전극(30)의 면적은 줄이면서 접촉 저항을 적정 수준으로 조절할 수 있다. 상기 범위 내에서 메쉬 패턴의 폭, 장변 길이 등에 따라 적절하게 조절될 수 있다.The width of the
추가로, 브릿지 전극(30)의 몸체부(31)도 제2 메쉬 패턴과 연결될 수 있다. 그러한 경우 제2 메쉬 패턴과의 접촉 면적이 더 넓어져 터치 감도를 더욱 개선할 수 있다.In addition, the
브릿지 전극(30)의 몸체부(31)는 예를 들면 바(bar) 구조를 가질 수 있다.The
브릿지 전극(30)의 몸체부(31)는 예를 들면 도 1 및 도 2에 예시된 것처럼 단일 브릿지를 가질 수도 있고, 도 3에 예시된 것처럼 2개 이상의 브릿지를 가질 수도 있다. 몸체부(31)가 2개 이상의 브릿지를 갖는 경우 저항 및 신뢰성 측면에서 유리하다.The
또한, 도 6에 예시된 바와 같이 몸체부(31)는 메쉬 구조를 가지는 것일 수도 있다. 그러한 경우, 브릿지 전극(30)의 면적을 더욱 줄여 터치 센서의 굴곡성을 개선할 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 6, the
브릿지 전극(30)은 몸체부(31)의 장변 길이가 30 내지 1000㎛일 수 있다. 몸체부(31)의 장변 길이가 상기 범위 내인 경우 브릿지 전극(30)의 면적은 줄이면서 이와 동시에 저저항을 구현할 수 있다. 상기 범위 내에서 메쉬 패턴의 장변 길이에 따라 적절하게 조절될 수 있다.The
브릿지 전극(30)은 당 분야에 알려진 투명 전극 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 사용될 수 있다.The
이 외에도 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속이 제한 없이 적용될 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 들 수 있다.In addition, metals with good electrical conductivity and low resistance can be applied without limitation, for example, molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two of them. And alloys of species or more.
본 발명의 터치 센서에 있어서, 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 적층 순서는 특별히 한정되지 않고, 도 1 내지 도 3에 예시된 바와 같이 감지 패턴 상측에 브릿지 전극(30)이 위치할 수도 있고, 도 4에 예시된 바와 같이 감지 패턴 하측에 브릿지 전극(30)이 위치할 수도 있다.In the touch sensor of the present invention, the stacking order of the sensing pattern and the
브릿지 전극(30)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 전술한 감지 패턴의 형성 방법으로 예시한 방법을 사용할 수 있다.The formation method of the
절연층(40)은 감지 패턴과 브릿지 전극(30) 사이에 개재되어 제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)을 절연시키는 기능을 한다.The insulating
절연층(40)은 도 1 내지 도 4에 예시된 것처럼 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 교차부에만 섬 형태로 위치할 수도 있고, 도 5에 예시된 것처럼 층 형태로 전체에 위치할 수도 있다.As illustrated in FIGS. 1 to 4, the insulating
절연층(40)이 섬 형태로 위치하는 경우 제2 메쉬 패턴(20)은 브릿지 전극(30)과 직접 연결되고, 절연층(40)이 층 형태로 위치하는 경우 제2 메쉬 패턴(20)은 절연층(40)에 형성된 컨택홀(50)(contact hole)을 통해 브릿지와 연결된다.When the insulating
컨택홀(50)의 개수, 위치는 특별히 한정되지 않고 터치 영역 전 영역에 걸쳐 다수 존재하는 것이 터치 감도 개선의 측면에서는 바람직하나, 컨택홀(50)이 사용자에게 시인되는 문제가 발생할 수도 있으므로, 컨택홀(50)은 전계가 집중되는 위치(예를 들면 제1 메쉬 패턴(10)과 브릿지 전극(30)의 교차점 주변)에 집중되어 형성되고, 그리고 전체 터치 영역에 분산되어 형성되는 것이 바람직하다.The number and positions of the contact holes 50 are not particularly limited, and a plurality of contact holes 50 are preferably present throughout the entire touch area. However, the
절연층(40)은 당분야에서 사용되는 재료 및 방법을 특별한 제한 없이 사용하여 형성될 수 있다.The insulating
본 발명의 터치 센서는 기판(100) 상에 형성될 수 있다.The touch sensor of the present invention may be formed on the
기판(100)은 당 분야에서 통상적으로 사용되는 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP) 등을 들 수 있다.
The
이상, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
Or more, to present a preferred embodiment to aid the understanding of the present invention, these examples are not intended to limit the appended claims to illustrate the present invention, but within the scope and spirit of the present invention It is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made to the present invention, and such modifications and changes belong to the appended claims.
10: 제1 메쉬 패턴 20: 제2 메쉬 패턴
30: 브릿지 전극 31: 몸체부
32: 첨단부 40: 절연층
50: 컨택홀 100: 기판10: first mesh pattern 20: second mesh pattern
30: bridge electrode 31: body portion
32: tip 40: insulating layer
50: contact hole 100: substrate
Claims (13)
상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하며, 상기 제2 방향으로 연장하는 바(bar) 형상의 몸체부 및 상기 제2 메쉬 패턴과 접촉하며 상기 몸체부보다 폭이 작은 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및
상기 감지 패턴과 상기 브릿지 전극의 몸체부 사이에 개재된 절연층;을 포함하는, 터치 센서.
A sensing pattern including a plurality of first mesh patterns arranged in a first direction and a plurality of second mesh patterns arranged in a second direction;
A bridge electrode connecting the unit patterns spaced apart from the second mesh pattern and having a bar-shaped body portion extending in the second direction and a tip portion contacting the second mesh pattern and having a smaller width than the body portion; ; And
And an insulating layer interposed between the sensing pattern and the body portion of the bridge electrode.
The method of claim 1, wherein the sensing pattern includes molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten, or an alloy of two or more thereof; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly (3,4-, ethylenedioxythiophene)), carbon nanotubes (CNT) or graphene (graphene), a touch sensor.
The method according to claim 1, wherein the bridge electrode is molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two or more of these alloys; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly (3,4-, ethylenedioxythiophene)), carbon nanotubes (CNT) or graphene (graphene), a touch sensor.
The touch sensor of claim 1, wherein the bridge electrode has two or more tips formed in different directions, and each tip contacts the second mesh pattern.
The touch sensor of claim 1, wherein the bridge electrode has two or more tips formed in a first direction and a second direction, and each tip contacts a second mesh pattern.
The touch sensor according to claim 1, wherein the tip portion has a width of 1 to 100 µm.
The touch sensor of claim 1, wherein the bridge electrode has a long side length of 30 to 1000 μm.
The touch sensor of claim 1, wherein the bridge electrode has two or more bridges.
The touch sensor of claim 1, wherein the insulating layer is positioned in a layer form, and the tip portion is connected to the second mesh pattern through a contact hole formed in the insulating layer.
The touch sensor of claim 1, wherein the insulating layer is disposed in an island form only at an intersection of the sensing pattern and the bridge electrode, and the tip portion is connected to the second mesh pattern through a contact hole formed in the insulating layer.
상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하며, 상기 제2 방향으로 연장하는 바(bar) 형상의 몸체부 및 제2 메쉬 패턴과 접촉하며 각각 상기 몸체부보다 폭이 작은 제1 및 제2 방향으로 형성된 2개 이상의 첨단부를 갖는 브릿지 전극; 및
상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층;을 포함하는, 터치 센서.
A sensing pattern including a plurality of first mesh patterns arranged in a first direction and a plurality of second mesh patterns arranged in a second direction;
Connecting the unit patterns spaced apart from the second mesh pattern and contacting the bar-shaped body portion and the second mesh pattern extending in the second direction, respectively, the first and second widths being smaller than the body portion; A bridge electrode having two or more tips formed in a direction; And
And an insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20150330 |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
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Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20171012 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20150330 Comment text: Patent Application |
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| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20181121 Patent event code: PE09021S01D |
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| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20190727 |
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| PA0107 | Divisional application |
Comment text: Divisional Application of Patent Patent event date: 20190925 Patent event code: PA01071R01D |
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Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20190926 Patent event code: PR07011E01D |
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