KR101385698B1 - Heat treatment apparatus and heat treatment system having the same - Google Patents
Heat treatment apparatus and heat treatment system having the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101385698B1 KR101385698B1 KR1020120095198A KR20120095198A KR101385698B1 KR 101385698 B1 KR101385698 B1 KR 101385698B1 KR 1020120095198 A KR1020120095198 A KR 1020120095198A KR 20120095198 A KR20120095198 A KR 20120095198A KR 101385698 B1 KR101385698 B1 KR 101385698B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat treatment
- heater
- inner body
- chamber
- main body
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
열처리 장치 및 열처리 시스템이 개시된다. 본 발명에 따른 열처리 시스템은, 본체가 상대적으로 저가인 금속재로 형성되므로 원가가 절감되는 효과가 있다. 그리고, 챔버를 형성하는 내부본체가 금속재로 형성되므로, 내부본체가 파손될 우려가 없고, 내부본체를 감싸는 형태로 외부본체가 설치되므로, 챔버의 가스가 외부로 누설되는 것이 방지되는 효과가 있다. 그리고, 챔버를 형성하는 내부본체의 내부에 제 1 히터가 설치되어 기판을 가열하므로, 챔버의 온도에 비하여 내부본체의 온도가 상대적으로 낮다. 이로 인해, 고온에서 가스에 의하여 내부본체가 부식되는 것이 방지되는 효과가 있다. 또한, 내부본체의 내부에 제 1 히터가 설치되어 기판을 가열하므로, 가열 성능이 향상되는 효과가 있다. 그리고, 내부본체의 외면에는 내부본체를 가열하기 위한 제 2 히터 및 내부본체를 냉각시키기 위한 냉각관이 설치되므로, 내부본체의 내면에 가스가 응착되는 것을 방지할 수 있음과 동시에 내부본체가 고온에서 가스에 의하여 부식되는 것을 더욱 방지할 수 있는 효과가 있다. 그리고, 기판은 보트에 복수개 적재 보관되고, 복수의 보트가 챔버에 로딩되므로, 한번에 많은 수의 기판을 처리할 수 있다. 따라서, 생산성이 향상되는 효과가 있다.A heat treatment apparatus and a heat treatment system are disclosed. In the heat treatment system according to the present invention, since the main body is formed of a relatively inexpensive metal material, the cost is reduced. In addition, since the inner body forming the chamber is formed of a metal material, there is no fear that the inner body is damaged, and since the outer body is installed in a form surrounding the inner body, the gas of the chamber is prevented from leaking to the outside. In addition, since the first heater is installed inside the inner body forming the chamber to heat the substrate, the temperature of the inner body is relatively low compared to the temperature of the chamber. This has the effect of preventing the internal body from being corroded by gas at high temperatures. Further, since the first heater is provided inside the inner body to heat the substrate, the heating performance is improved. In addition, since a second heater for heating the inner body and a cooling tube for cooling the inner body are installed on the outer surface of the inner body, it is possible to prevent the gas from adhering to the inner surface of the inner body and at the same time the inner body at high temperature. There is an effect that can be further prevented from being corroded by the gas. Since a plurality of substrates are stored in a boat and a plurality of boats are loaded in a chamber, a large number of substrates can be processed at one time. Therefore, there is an effect that productivity is improved.
Description
본 발명은 셀렌화 공정으로 CIGS층을 형성하기 위한 열처리 장치 및 이를 구비한 열처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for forming a CIGS layer by a selenization process and a heat treatment system having the same.
오늘날, 고갈되어 가는 화석 연료에 대한 의존도를 줄이기 위해, 고갈될 염려가 없을 뿐만 아니라 친환경적인 태양에너지를 활용하는 태양전지(Solar Cell)에 관한 연구 개발이 활발히 진행 중이다.Today, in order to reduce dependence on depleted fossil fuels, research and development on solar cells utilizing environmentally friendly solar energy as well as exhaustion of concern are underway.
이러한 연구 개발의 일환으로, 태양광의 흡수율이 높고, 태양광 또는 방사선에 대한 열화 현상이 적으며, 박막화가 가능하고, 제작상 재료비를 절감할 수 있는 CIGS{Cu(In1-xGax)Se2}층이 형성된 박막형 태양전지가 개발되었다.As a part of this research and development, CIGS {Cu (In 1-x Ga x ) Se (Ce)), which has high absorption rate of sunlight, less deterioration of sunlight or radiation, 2 } layer formed on the surface of the substrate.
박막형 태양전지는 유리 등의 기판, 기판 상에 형성된 금속층으로 이루어진 (+)극인 전극층, 전극층 상에 형성되며 광을 흡수하는 p형의 CIGS층, CIGS층 상에 형성된 n형의 버퍼층 및 버퍼층 상에 형성된 (-)극인 투명 전극층을 포함하는 다층 적층 구조이다.The thin film solar cell includes a substrate such as a glass substrate, a (+) electrode layer formed of a metal layer formed on the substrate, a p-type CIGS layer formed on the electrode layer and absorbing light, an n-type buffer layer formed on the CIGS layer, Layered structure including a transparent electrode layer having a negative (-) polarity.
그리하여, 수광부인 투명 전극층을 통하여 태양광이 입사되면, p-n 접합 부근에서는 대략 1.04 eV 의 밴드갭 에너지를 갖는 여기된 한 쌍의 전자 및 정공이 생성된다. 그리고, 여기된 전자와 정공은 확산에 의해 p-n 접합부에 도달하고, 접합부의 내부 전계에 의해 전자가 n 영역에, 정공이 p 영역에 집합하여 분리된다.Thus, when sunlight is incident through the transparent electrode layer, which is a light receiving portion, a pair of excited electrons and holes having a band gap energy of about 1.04 eV are generated near the p-n junction. Then, the excited electrons and holes reach the p-n junction by diffusion, and electrons are collected in the n region and the holes are collected in the p region by the internal electric field of the junction.
그러면, n 영역은 마이너스로 대전되고, p 영역은 플러스로 대전되며, 각 영역에 형성된 전극 간에는 전위차가 생긴다. 그리고, 전위차를 기전력으로 하여 각 전극 사이를 도선으로 연결하면 광전류가 얻어진다.Then, the n region is negatively charged, the p region is positively charged, and a potential difference is generated between the electrodes formed in the respective regions. A photocurrent is obtained when the potential difference is used as an electromotive force and the respective electrodes are connected by a lead wire.
박막형 태양전지의 CIGS층을 형성하는 방법은, 기판에 형성된 전극층 상에 구리, 인듐, 갈륨의 원소를 적정 비율로 진공 스퍼터링하여 전구체막을 형성하는 전구체막 형성 공정과, 이와 같이 증착된 전구체막에 셀렌화 수소(H2Se) 기체를 흘려주면서 기판에 온도를 가하게 되는 셀렌화(selenization) 공정을 거친다. 이러한 일련의 공정에 따라, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 원소가 적정 조성 비율을 갖는 CIGS{Cu(In1 - xGax)Se2}층을 형성할 수 있게 된다.A method for forming a CIGS layer of a thin film solar cell includes a precursor film forming step of forming a precursor film by vacuum sputtering an element of copper, indium and gallium at an appropriate ratio on an electrode layer formed on a substrate, And a selenization process is performed in which hydrogen (H 2 Se) gas is flowed and a temperature is applied to the substrate. Cu (Cu), indium (In), gallium (Ga) and selenium (Se) elements are formed in accordance with such a series of steps to form a CIGS {Cu (In 1 - x Ga x ) Se 2 } .
이러한 셀렌화 공정은 전구체막이 형성된 기판을 밀폐된 챔버에 로딩시키고, 챔버를 불활성가스로 치환한 다음, 챔버에 처리가스인 셀렌화 수소(H2Se)을 도입한 후, 챔버를 일정 온도로 승온시켜 일정 시간 유지함으로써 셀렌화된 CIGS층을 형성하는 공정이다.In this selenization process, the substrate on which the precursor film is formed is loaded into a closed chamber, the chamber is replaced with an inert gas, hydrogen selenide (H 2 Se) as a process gas is introduced into the chamber, For a predetermined time to form a selenized CIGS layer.
CIGS층을 형성하기 위한 종래의 열처리 장치는 쿼츠나 세라믹으로 대면적의 기판을 처리하기 위한 챔버를 제조할 때, 원가가 상승하는 단점이 있었다.The conventional heat treatment apparatus for forming the CIGS layer has a disadvantage in that the cost increases when manufacturing a chamber for processing a large area substrate with quartz or ceramic.
그리고, 쿼츠 또는 세라믹으로 형성된 본체는 파손될 수 있으므로, 본체의 파손으로 인하여 가스가 외부로 누설될 우려가 있었다. 또한, 단일의 본체 내부에 챔버가 형성되므로, 챔버로 투입된 가스가 더욱 외부로 누설될 우려가 있었다.In addition, since the main body formed of quartz or ceramic may be damaged, gas may leak to the outside due to breakage of the main body. Further, since the chamber is formed inside the single body, there is a possibility that the gas introduced into the chamber is further leaked to the outside.
그리고, 기판을 가열하는 히터가 본체의 외부에 설치되므로, 가열 성능이 저하되는 단점이 있었다.Further, since the heater for heating the substrate is provided outside the main body, the heating performance is deteriorated.
그리고, 복수의 기판이 적재 보관된 하나의 보트만 챔버에 로딩되어 처리되므로, 생산성이 저하되는 단점이 있었다.In addition, since only one boat in which a plurality of substrates are loaded and stored is loaded and processed in the chamber, there is a disadvantage in that productivity is reduced.
열처리 장치와 관련된 선행기술은 한국등록특허공보 제1097718호 등에 개시되어 있다.The prior art related to the heat treatment apparatus is disclosed in Korean Patent Registration No. 1097718 and the like.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점들을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 원가를 절감할 수 있는 열처리 장치 및 열처리 시스템을 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus and a heat treatment system that can reduce the cost.
본 발명의 다른 목적은 가스가 누설되는 것을 방지할 수 있는 열처리 장치 및 열처리 시스템을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus and a heat treatment system that can prevent the leakage of gas.
본 발명의 또 다른 목적은 가열 성능 및 생산성을 향상시킬 수 있는 열처리 장치 및 열처리 시스템을 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus and a heat treatment system that can improve heating performance and productivity.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 열처리 장치는, 복수의 기판이 각각 적재 보관된 복수의 보트가 로딩되는 공간인 챔버가 형성되고 전면에는 출입구가 형성된 본체; 상기 본체의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩가능하게 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 도어; 및 상기 본체의 내부에 설치되어 상기 기판을 가열하는 제 1 히터를 포함한다.The heat treatment apparatus according to the present invention for achieving the above object, the chamber is a space that is loaded with a plurality of boats each of which is stored a plurality of substrates are formed and the main body is formed with an entrance; A door slidably installed in front, rear, left, and right directions of the main body to open and close the door; And a first heater installed inside the main body to heat the substrate.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 열처리 시스템은, 복수의 기판이 각각 적재 보관된 복수의 보트가 로딩되는 공간인 챔버가 형성되고 전면에는 출입구가 형성된 본체, 상기 본체의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩가능하게 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 도어, 상기 본체의 내부에 설치되어 상기 기판을 가열하는 제 1 히터를 가지는 열처리 장치; 상기 도어를 상기 본체의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩시키는 제 1 이송장치; 상기 보트를 이송시켜 상기 챔버에 로딩하거나 상기 챔버로부터 언로딩하는 제 2 이송장치; 및 상기 열처리 장치의 일측에 설치되며 상기 제 2 이송장치로부터 상기 보트를 전달받아 열처리된 상기 기판을 냉각시키는 냉각장치를 포함한다.In addition, the heat treatment system according to the present invention for achieving the above object is a chamber in which a plurality of substrates each of which is loaded with a plurality of boats are stored in the loading chamber is formed, the front and rear of the main body, the front and rear and left and right of the main body is formed A heat treatment apparatus slidably installed in a direction, the door configured to open and close the entrance and exit, and a first heater installed inside the main body to heat the substrate; A first conveying device for sliding the door in the front-rear direction and the left-right direction of the main body; A second transfer device for transferring the boat to load or unload the chamber; And a cooling device installed at one side of the heat treatment device to cool the heat treated substrate by receiving the boat from the second transfer device.
본 발명에 따른 열처리 장치 및 열처리 시스템은 본체가 상대적으로 저가인 금속재로 형성되므로 원가가 절감되는 효과가 있다.The heat treatment apparatus and the heat treatment system according to the present invention has an effect of reducing the cost because the body is formed of a relatively low-cost metal material.
그리고, 챔버를 형성하는 내부본체가 금속재로 형성되므로 파손될 우려가 없고, 내부본체를 감싸는 형태로 외부본체가 설치되므로 챔버의 가스가 외부로 누설되는 것이 방지되는 효과가 있다.In addition, since the inner body forming the chamber is formed of a metal material, there is no fear of damage, and since the outer body is installed in a form surrounding the inner body, the gas of the chamber is prevented from leaking to the outside.
그리고, 챔버를 형성하는 내부본체의 내부에 제 1 히터가 설치되어 기판을 가열하므로, 챔버의 온도에 비하여 내부본체의 온도가 상대적으로 낮다. 이로 인해, 고온에서 가스에 의하여 내부본체가 부식되는 것이 방지되는 효과가 있다. 또한, 내부본체의 내부에 제 1 히터가 설치되어 기판을 가열하므로, 가열 성능이 향상되는 효과가 있다.In addition, since the first heater is installed inside the inner body forming the chamber to heat the substrate, the temperature of the inner body is relatively low compared to the temperature of the chamber. This has the effect of preventing the internal body from being corroded by gas at high temperatures. Further, since the first heater is provided inside the inner body to heat the substrate, the heating performance is improved.
그리고, 내부본체의 외면에는 내부본체를 가열하기 위한 제 2 히터 및 내부본체를 냉각시키기 위한 냉각관이 설치되므로, 내부본체의 내면에 가스가 응착되는 것을 방지할 수 있음과 동시에 내부본체가 고온에서 가스에 의하여 부식되는 것을 더욱 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, since a second heater for heating the inner body and a cooling tube for cooling the inner body are installed on the outer surface of the inner body, it is possible to prevent the gas from adhering to the inner surface of the inner body and at the same time the inner body at a high temperature. There is an effect that can be further prevented from being corroded by the gas.
그리고, 기판은 보트에 복수개 적재 보관되고, 복수의 보트가 챔버에 로딩되므로, 한번에 많은 개수의 기판을 처리할 수 있다. 따라서, 생산성이 향상되는 효과가 있다.Since a plurality of substrates are stored in a boat and a plurality of boats are loaded in a chamber, a large number of substrates can be processed at one time. Therefore, there is an effect that productivity is improved.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 열처리 장치의 일부 절개 분해 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 내부본체의 측단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 시스템의 사시도.
도 5는 도 4에 도시된 제 1 이송장치의 확대 분해 사시도.
도 6은 도 4에 도시된 제 2 이송장치의 확대 사시도.1 is a perspective view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a partially exploded perspective view of the heat treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.
Figure 3 is a side cross-sectional view of the inner body shown in FIG.
4 is a perspective view of a heat treatment system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an enlarged exploded perspective view of the first transport apparatus shown in FIG. 4. FIG.
FIG. 6 is an enlarged perspective view of the second transfer device shown in FIG. 4. FIG.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are mutually exclusive, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, specific structures, and features described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. The length, area, thickness, and shape of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치를 설명함에 있어서, CIGS{Cu(In1-xGax)Se2}층 형성장치를 예로 들어 설명한다.In the following description of the heat treatment system according to an embodiment of the present invention will be described, for CIGS {Cu (In1-xGax) Se 2} layer forming apparatus as an example.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 열처리 장치의 일부 절개 분해 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 내부본체의 측단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway exploded perspective view of the heat treatment apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a side sectional view of the inner body shown in FIG.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 열처리 장치(100)는 외관을 형성하는 본체(110)를 포함한다. 본체(110)의 내부에는 유리 등의 기판(50)(도 4 참조)이 로딩되어 처리되는 공간인 챔버(110a)가 형성되고, 전면에는 기판(50)이 출입하는 출입구(110b)가 형성된다.As shown, the
본체(110)는 내부에 챔버(110a)가 형성된 내부본체(111)와 내부본체(110)를 감싸는 외부본체(115)를 포함하며, 출입구(110b)는 내부본체(111)의 전면에 형성된 내부출입구(110ba)와 내부출입구(110ba)와 대향되게 외부본체(115)의 전면에 형성된 외부출입구(110bb)를 포함한다.The
본체(110)는 금속재로 형성된다. 이로 인해, 많은 양의 기판(50)을 한번에 로딩하여 처리할 수 있는 대용량으로 용이하게 제작할 수 있고, 본체(110)가 파손되지 않으므로 가스의 누설이 방지되며, 상대적으로 저렴하므로 원가가 절감된다.The
더 구체적으로 설명하면, 내부본체(111)는 내부함체(112), 내부함체(112)의 외면에 접촉 결합된 외부함체(113) 및 외부함체(113)의 외면에 형성된 복수의 강성 보강용 지지리브(114)를 가진다. 그리고, 내부함체(112)는 내부식성을 가진 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈늄(Ta), 니오브(Nb), 니켈합금, 티타늄합금 또는 Si-DLC(Silicon-Diamondlike Carbon) 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있고, 외부함체(113)는 스테인리스 스틸(SUS) 또는 스틸(Steel)로 형성될 수 있다. 지지리브(114)도 스테인리스 스틸(SUS) 또는 스틸(steel)로 형성되는 것이 바람직하다.More specifically, the
외부본체(115)는 스테인리스 스틸(SUS) 또는 스틸(Steel)로 형성될 수 있다.The
외부본체(115)의 전면에는 본체(110)의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩가능하게 설치되어 외부출입구(110bb)를 개폐하는 도어(120)가 설치된다. 도어(120)에 의하여 외부출입구(110bb)가 폐쇄되면 챔버(110a)가 밀폐되고, 개방되면 챔버(110a)가 개방됨은 당연하다. 도어(120)에 의하여 외부출입구(110bb)가 완전하게 실링되도록 도어(120)와 외부본체(115)의 전면 사이에는 실링부재(미도시)가 개재될 수 있다.A
내부본체(111)의 내부에는 기판(50)을 가열하는 제 1 히터(130)가 설치된다. 더 구체적으로 설명하면, 제 1 히터(130)는 판형으로 형성되어 내부본체(111)의 내부 측면, 전후면 및 상하면에 각각 설치된다.Inside the
예를 들어, 500℃에서 기판(50)을 가열한다고 가정한다. 그런데, 기판(50)을 가열하기 위한 제 1 히터(130)가 내부본체(111)의 외부에 설치되어 있다면, 내부본체(111)를 500℃ 이상으로 가열하여야 챔버(110a)의 온도가 500℃가 되며, 금속으로 된 내부본체(111)는 소정 이상의 온도에서는 부식성 공정 가스에 의하여 부식된다.For example, suppose that the
이를 방지하기 위하여, 본 실시예에 따른 열처리 장치(100)는 제 1 히터(130)가 내부본체(111)의 내부에 설치되어 챔버(110a)를 직접 가열한다. 즉, 기판(50)의 가열에 필요한 온도로 챔버(110a)를 가열하면 되므로, 내부본체(111)가 기판(50)의 가열에 필요한 온도 이상으로 가열되지 않는다. 따라서, 내부본체(111)가 고온에서 가스에 의하여 부식되는 것이 상대적으로 방지된다.In order to prevent this, in the
이때, 내부함체(112)와 제 1 히터(130) 사이에 단열재(135)를 개재하여 내부본체(111)가 챔버(110a)의 열에 의하여 온도가 상승하는 것을 방지할 수도 있다.At this time, it is also possible to prevent the temperature of the
본 실시예에 따른 열처리 장치(100)는 내부본체(111)의 내부에 챔버(110a)가 형성되고, 내부본체(111)를 감싸는 형태로 외부본체(115)가 설치되므로, 챔버(110a)로 유입된 가스가 외부로 누설되는 것이 방지된다. 그리고, 제 1 히터(130)가 내부본체(111)의 내부에 설치되어 기판(50)을 가열하므로, 가열 성능이 향상된다.In the
내부본체(111)의 외면, 더 구체적으로 설명하면, 지지리브(114)와 지지리브(114) 사이의 외부함체(113)의 외면에는 제 2 히터(141)가 설치된다. 제 2 히터(141)는 내부본체(111)를 가열하여 내부본체(111)가 소정 이하의 온도로 하강하는 것을 방지한다. 즉, 내부본체(111)가 소정 이하의 온도로 하강하면, 내부본체(111)의 내부함체(112)의 내면에 공정 가스가 응착될 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 제 2 히터(141)는 내부본체(111)를 가열한다.The outer surface of the
그리고, 제 2 히터(141)의 외면에는 냉각관(144)이 설치된다. 냉각관(144)은 내부본체(111)를 냉각시켜, 내부본체(111)가 고온에서 가스에 의하여 부식되는 것을 방지한다. 제 2 히터(141)와 냉각관(144) 사이에는 단열판(147)이 개재될 수 있다.The cooling
기판(50)은 복수개가 보트(500)에 적재 보관되며, 복수의 보트(500)가 챔버(110a)에 로딩된다. 즉, 기판(50)은 보트(500)에 적재 보관된 상태로 챔버(110a)에 로딩되어 처리된다.A plurality of
내부본체(111)의 내면에는 팬(151)이 설치될 수 있다. 팬(151)은 각 기판(50)으로 균일한 기류가 공급되게 한다. 그리고, 팬(151)에 의하여 강제로 흐르는 기류가 기판(50)측으로 공급될 수 있도록, 팬(151)을 감싸는 형태로 차단테(155)가 내부본체(111)에 지지 설치될 수 있다.A
본 실시예에 따른 열처리 장치(100)가 사용된 열처리 시스템을 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 시스템의 사시도이고, 도 5는 도 4에 도시된 제 1 이송장치의 확대 사시도이며, 도 6은 도 4에 도시된 제 2 이송장치의 확대 사시도이다.A heat treatment system using the
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 열처리 시스템은 열처리 장치(100), 제 1 이송장치(200), 제 2 이송장치(300) 및 냉각장치(400)를 포함한다.As shown, the heat treatment system according to the present embodiment includes a
제 1 이송장치(200)는 열처리 장치(100)의 본체(110)의 전면 일측에 설치되어 도어(120)를 본체(110)의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩시킨다. 제 1 이송장치(200)는 지지프레임(210), 모터(미도시) 및 실린더(미도시) 등을 포함할 수 있다.The
제 2 이송장치(300)는 본체(110)의 전방측에 설치되어 기판(50)이 적재 저장된 보트(500)를 이송시켜 챔버(110a)(도 2 참조)에 로딩하거나 챔버(110a)로부터 언로딩한다. 제 2 이송장치(300)는 본체(110)의 좌우방향과 평행하게 설치된 안내레일(310)(도 6 참조), 안내레일(310)에 설치되어 안내레일(310)을 따라 이동하며 보트(500)가 탑재 지지되는 지지프레임(320)을 포함할 수 있다.The
이때, 보트(500)가 탑재된 지지프레임(320)의 부위는 본체(110)의 전후방향으로 신축되면서 보트(500)를 챔버(110a)에 로딩하거나, 챔버(110a)로부터 언로딩할 수 있다.At this time, the portion of the
보트(500)가 탑재된 지지프레임(320)의 부위는 내측프레임(321), 내측프레임(321)을 감싸는 중간프레임(323), 중간프레임(323)을 감싸는 외측프레임(325)으로 마련되어, 중간프레임(323)이 내측프레임(321)의 외측으로 돌출되고, 외측프레임(325)이 중간프레임(323)의 외측으로 돌출되면서 신장된다.The portion of the
그리고, 중간프레임(323)이 내측프레임(321)의 내측으로 삽입되고, 외측프레임(325)이 중간프레임(323)의 내측으로 삽입되면서 수축된다. 즉, 중간프레임(323)은 모터(미도시) 또는 실린더(미도시) 등에 의하여 내측프레임(321)을 출입하고, 외측프레임(325)은 모터(미도시) 또는 실린더(미도시) 등에 의하여 중간프레임(323)을 출입하므로, 보트(500)가 탑재된 지지프레임(320)의 부위는 신축되는 것이다.The
보트(500)를 이송하는 제 2 이송장치(300)는 본 출원인이 출원한 한국특허출원 10-2012-0053970호 또는 한국특허출원 10-2012-0053971호에 개시된 "보트 이송장치"로 대체될 수 있다.The
보트(500)는 복수개가 챔버(110a)에 로딩된다. 즉, 복수의 기판(50)이 각각 적재 보관된 복수의 보트(500)가 챔버(110a)에 로딩되어 처리되므로, 한번에 많은 개수의 기판(50)을 처리할 수 있다.A plurality of
냉각장치(400)는 본체(110)의 전면 일측에 설치되어 처리된 기판(50)이 적재 저장된 보트(500)를 제 2 이송장치(300)로부터 전달받아 기판(50)을 냉각시킨다. 냉각장치(400)는 공지의 냉각장치를 사용할 수 있다.The
전극층과 적정 원소 비율로 형성된 구리, 인듐, 갈륨으로 이루어진 전구체막이 형성된 기판(50)을 보트(500)에 지지시킨 다음, 보트(500)를 챔버(110a)에 로딩한 다음 챔버(110a)를 밀폐시킨다. 이러한 상태에서, 챔버(110a)에 질소 가스를 유입한 다음, 셀렌화 가스(H2Se)를 주입하여 소정 온도에서 CIGS층을 형성하고, CIGS층 형성한 다음에는 또 다른 소정 온도에서 황화 가스(H2S)를 주입하여 기판(50)에 형성된 CIGS층을 처리한다.The
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 예로 들어 도시하여 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, Various variations and modifications are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.
100: 열처리 장치
110: 본체
111: 내부본체
115: 외부본체
200: 제 1 이송장치
300: 제 2 이송장치
400: 냉각장치100: Heat treatment apparatus
110:
111: inner body
115: external body
200: first conveying device
300: Second conveying device
400: cooling device
Claims (18)
상기 본체의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩가능하게 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 도어; 및
상기 본체의 내부에 설치되어 상기 기판을 가열하는 제 1 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.A main body in which a chamber, which is a space in which a plurality of boats in which a plurality of substrates are loaded and stored, is formed and a front door is formed;
A door slidably installed in front, rear, left, and right directions of the main body to open and close the door; And
And a first heater installed inside the main body to heat the substrate.
상기 본체는 금속재로 형성되며 상기 챔버가 형성된 내부본체와 상기 내부본체를 감싸는 외부본체를 포함하고,
상기 출입구는 상기 내부본체의 전면에 형성된 내부출입구와 상기 내부출입구와 대향되게 상기 외부본체의 전면에 형성된 외부출입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 1,
The main body includes an inner body formed of a metal material and formed with the chamber and an outer body surrounding the inner body,
The doorway may include an internal entrance formed on the front surface of the inner body and an external entrance formed on the front surface of the outer body to face the inner entrance.
상기 내부본체는 내부함체, 상기 내부함체의 외면에 접촉 결합된 외부함체 및 상기 외부함체의 외면에 형성된 복수의 지지리브를 가지고,
상기 내부함체는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈늄(Ta), 니오브(Nb), 니켈합금, 티타늄합금 또는 Si-DLC(Silicon-Diamondlike Carbon) 중에서 선택된 어느 하나로 형성되고,
상기 외부함체 및 상기 지지리브는 스테인리스 스틸(SUS) 또는 스틸(steel) 중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the inner body has an inner housing, an outer housing connected to the outer surface of the inner housing and a plurality of support ribs formed on the outer surface of the outer housing,
The inner housing is formed of any one selected from aluminum (Al), titanium (Ti), zirconium (Zr), tantalum (Ta), niobium (Nb), nickel alloy, titanium alloy or Si-DLC And,
The outer case and the support rib is a heat treatment apparatus, characterized in that formed of any one selected from stainless steel (SUS) or steel (steel).
상기 제 1 히터는 판형으로 형성되어 상기 내부함체의 내부 측면, 전후면 및 상하면에 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 3,
The first heater is formed in a plate shape heat treatment apparatus, characterized in that installed on the inner side, front and rear and upper and lower surfaces of the inner enclosure.
상기 내부함체와 상기 제 1 히터 사이에는 단열재가 개재된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.5. The method of claim 4,
Heat treatment device, characterized in that the insulating material is interposed between the inner enclosure and the first heater.
상기 외부함체의 외면에는 상기 내부본체를 가열하는 제 2 히터가 설치되고,
상기 제 2 히터의 외면에는 복수의 냉각관이 설치되며,
상기 제 2 히터와 상기 냉각관 사이에는 단열판이 개재된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.6. The method of claim 5,
A second heater for heating the inner body is installed on an outer surface of the outer housing,
A plurality of cooling pipes are provided on an outer surface of the second heater,
And a heat insulation plate is interposed between the second heater and the cooling tube.
상기 내부본체의 내부에는 균일한 기류를 형성하기 위한 팬이 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 6,
Heat treatment apparatus, characterized in that the fan is installed inside the inner body to form a uniform air flow.
상기 내부본체에는 상기 팬에 의하여 강제로 흐르는 기류가 상기 기판측으로 공급되도록 안내하는 차단테가 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.8. The method of claim 7,
The inner body is a heat treatment apparatus characterized in that the blocking frame is formed so as to guide the air flow flowing by the fan to the substrate side.
상기 도어를 상기 본체의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩시키는 제 1 이송장치;
상기 보트를 이송시켜 상기 챔버에 로딩하거나 상기 챔버로부터 언로딩하는 제 2 이송장치; 및
상기 열처리 장치의 일측에 설치되며 상기 제 2 이송장치로부터 상기 보트를 전달받아 열처리된 상기 기판을 냉각시키는 냉각장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.A chamber, which is a space in which a plurality of boats are loaded and loaded with a plurality of substrates, is formed, and a main body having an entrance is formed on a front surface thereof. A heat treatment apparatus having a first heater installed inside the substrate to heat the substrate;
A first conveying device for sliding the door in the front-rear direction and the left-right direction of the main body;
A second transfer device for transferring the boat to load or unload the chamber; And
And a cooling device installed at one side of the heat treatment device and cooling the substrate which is heat-treated by receiving the boat from the second transfer device.
상기 본체는 금속재로 형성되며 상기 챔버가 형성된 내부본체와 상기 내부본체를 감싸는 외부본체를 포함하고,
상기 출입구는 상기 내부본체의 전면에 형성된 내부출입구와 상기 내부출입구와 대향되게 상기 외부본체의 전면에 형성된 외부출입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.10. The method of claim 9,
The main body includes an inner body formed of a metal material and formed with the chamber and an outer body surrounding the inner body,
Wherein the entrance includes an inner entrance formed in a front surface of the inner body and an outer entrance formed in a front surface of the outer body so as to face the inner entrance.
상기 내부본체는 내부함체, 상기 내부함체의 외면에 접촉 결합된 외부함체 및 상기 외부함체의 외면에 형성된 복수의 지지리브를 가지고,
상기 내부함체는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈늄(Ta), 니오브(Nb), 니켈합금, 티타늄합금 또는 Si-DLC(Silicon-Diamondlike Carbon) 중에서 선택된 어느 하나로 형성되고,
상기 외부함체 및 상기 지지리브는 스테인리스 스틸(SUS) 또는 스틸(steel) 중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.11. The method of claim 10,
Wherein the inner body has an inner housing, an outer housing connected to the outer surface of the inner housing and a plurality of support ribs formed on the outer surface of the outer housing,
The inner housing is formed of any one selected from aluminum (Al), titanium (Ti), zirconium (Zr), tantalum (Ta), niobium (Nb), nickel alloy, titanium alloy or Si-DLC And,
Wherein the outer housing and the supporting rib are formed of one selected from stainless steel (SUS) or steel.
상기 제 1 히터는 판형으로 형성되어 상기 내부함체의 내부 측면, 전후면 및 상하면에 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.12. The method of claim 11,
Wherein the first heater is formed in a plate shape and is installed on an inner side surface, front and rear surfaces, and upper and lower surfaces of the inner housing.
상기 내부함체와 상기 제 1 히터 사이에는 단열재가 개재된 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.The method of claim 12,
Wherein a heat insulating material is interposed between the inner housing and the first heater.
상기 외부함체의 외면에는 상기 내부본체를 가열하는 제 2 히터가 설치되고,
상기 제 2 히터의 외면에는 복수의 냉각관이 설치되며,
상기 제 2 히터와 상기 냉각관 사이에는 단열판이 개재된 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.14. The method of claim 13,
A second heater for heating the inner body is installed on an outer surface of the outer housing,
A plurality of cooling pipes are provided on an outer surface of the second heater,
And a heat insulating plate is interposed between the second heater and the cooling tube.
상기 내부본체의 내부에는 균일한 기류를 형성하기 위한 팬이 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.15. The method of claim 14,
Wherein a fan for forming a uniform airflow is installed inside the inner body.
상기 내부본체에는 상기 팬에 의하여 강제로 흐르는 기류가 상기 기판측으로 공급되도록 안내하는 차단테가 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.15. The method of claim 14,
Wherein the inner main body is formed with a shielding frame for guiding the air flow forced by the fan to be supplied to the substrate side.
상기 제 2 이송장치는 상기 본체의 좌우방향과 평행하게 설치된 안내레일;
상기 안내레일에 설치되어 상기 안내레일을 따라 이동하며 상기 보트가 탑재 지지되는 지지프레임을 포함하고,
상기 보트가 탑재된 상기 지지프레임의 부위는 상기 본체의 전후방향으로 신축되는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.10. The method of claim 9,
The second conveying device includes a guide rail installed parallel to the left and right direction of the main body;
And a support frame installed on the guide rail and moving along the guide rail and on which the boat is mounted and supported,
Wherein a portion of the support frame on which the boat is mounted is expanded and contracted in the front-rear direction of the main body.
상기 보트가 탑재된 상기 지지프레임의 부위는 내측프레임, 상기 내측프레임을감싸는 형태로 설치되어 상기 내측프레임을 출입하는 중간프레임, 상기 중간프레임을 감싸는 형태로 설치되어 상기 중간프레임을 출입하는 외측프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 시스템.18. The method of claim 17,
The portion of the support frame on which the boat is mounted may be an inner frame, an intermediate frame installed to enclose the inner frame to access the inner frame, and an outer frame installed to enclose the intermediate frame to access the intermediate frame. Heat treatment system comprising a.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120095198A KR101385698B1 (en) | 2012-08-29 | 2012-08-29 | Heat treatment apparatus and heat treatment system having the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120095198A KR101385698B1 (en) | 2012-08-29 | 2012-08-29 | Heat treatment apparatus and heat treatment system having the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140030457A KR20140030457A (en) | 2014-03-12 |
| KR101385698B1 true KR101385698B1 (en) | 2014-04-18 |
Family
ID=50642891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120095198A KR101385698B1 (en) | 2012-08-29 | 2012-08-29 | Heat treatment apparatus and heat treatment system having the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101385698B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170000044A (en) | 2015-06-22 | 2017-01-02 | 박지훈 | Substrate transfer device of the apparatus for manufacturing solar cell |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101667752B1 (en) * | 2014-04-23 | 2016-10-21 | (주) 예스티 | Heat treatment apparatus comprising sliding door to direction of right and left |
| KR102175349B1 (en) * | 2014-11-24 | 2020-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Heat Treatment Apparatus for Manufacturing Display Panel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120020958A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 주식회사 테라세미콘 | Batch type appartus for processing a substrate |
| KR101120029B1 (en) * | 2009-05-29 | 2012-03-23 | 주식회사 테라세미콘 | Batch Type Substrate Treatment Apparatus |
-
2012
- 2012-08-29 KR KR1020120095198A patent/KR101385698B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101120029B1 (en) * | 2009-05-29 | 2012-03-23 | 주식회사 테라세미콘 | Batch Type Substrate Treatment Apparatus |
| KR20120020958A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 주식회사 테라세미콘 | Batch type appartus for processing a substrate |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170000044A (en) | 2015-06-22 | 2017-01-02 | 박지훈 | Substrate transfer device of the apparatus for manufacturing solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140030457A (en) | 2014-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101157201B1 (en) | Apparatus for forming a cigs layer | |
| JP2016535459A (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment system including the same | |
| US20140073082A1 (en) | Method of manufacturing light - absorbtion layer of solar cell through selenization process under elemental selenium vapor atmosphere and thermal processing apparatus for manufacturing light - absorbing layer | |
| KR101385698B1 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment system having the same | |
| KR101129038B1 (en) | In line type substrate processing apparatus | |
| US20100132791A1 (en) | High efficiency solar cell, method of fabricating the same and apparatus for fabricating the same | |
| TWI583810B (en) | Systems and methods for thermally managing high-temperature processes on temperature sensitive substrates | |
| KR101484552B1 (en) | Heat treatment system | |
| ES2858471T3 (en) | Prevention of glass deformation in thermal procedures | |
| KR101274095B1 (en) | Apparatus for forming cigs layer | |
| KR101452341B1 (en) | Apparatus for processing substrate | |
| KR101274130B1 (en) | Apparatus for forming cigs layer | |
| KR101445688B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
| KR101452332B1 (en) | Apparatus for processing substreat | |
| KR101473176B1 (en) | Thermal treatment apparatus | |
| US20220158022A1 (en) | Arrangement, device, and method for heat treating a multilayer body | |
| KR101554199B1 (en) | Apparatus for processing substrate | |
| KR101365048B1 (en) | Boat transferring system | |
| KR101399663B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
| US20130252367A1 (en) | System and process for forming thin film photovoltaic device | |
| KR101317299B1 (en) | Heater and apparatus for forming cigs layer using the same | |
| KR101423515B1 (en) | Chamber and mothod for producing the same | |
| KR20130055752A (en) | Apparatus for forming cigs layer | |
| KR20130130287A (en) | Apparatus for forming cigs layer | |
| KR101442225B1 (en) | Thermal treatment system and Method of performing thermal treatment and Method of manufacturing CIGS solar cell using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180410 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200309 Year of fee payment: 7 |