KR101399663B1 - Heat treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 열처리 장치는, 챔버를 형성하는 본체와 도어 사이로 누설되는 가스를 감지하는 수단을 마련하고, 가스 누설이 감지되면, 열처리 장치를 정지시킨 다음 수리한다. 따라서, 가스 누설로 인한 안전사고를 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.A heat treatment apparatus is disclosed. The heat treatment apparatus according to the present invention includes a body forming a chamber and a means for detecting gas leaked between the door and the door. When the gas leakage is detected, the heat treatment apparatus is stopped and then repaired. Therefore, there is an effect that a safety accident due to gas leakage can be prevented in advance.
Description
본 발명은 셀렌화 공정으로 CIGS층을 형성하기 위한 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus for forming a CIGS layer by a selenization process.
오늘날, 고갈되어 가는 화석 연료에 대한 의존도를 줄이기 위해, 고갈될 염려가 없을 뿐만 아니라 친환경적인 태양에너지를 활용하는 태양전지(Solar Cell)에 관한 연구 개발이 활발히 진행 중이다.Today, in order to reduce dependence on depleted fossil fuels, research and development on solar cells utilizing environmentally friendly solar energy as well as exhaustion of concern are underway.
이러한 연구 개발의 일환으로, 태양광의 흡수율이 높고, 태양광 또는 방사선에 대한 열화 현상이 적으며, 박막화가 가능하고, 제작상 재료비를 절감할 수 있는 CIGS{Cu(In1-xGax)Se2}층이 형성된 박막형 태양전지가 개발되었다.As a part of this research and development, CIGS {Cu (In 1-x Ga x ) Se (Ce)), which has high absorption rate of sunlight, less deterioration of sunlight or radiation, 2 } layer formed on the surface of the substrate.
박막형 태양전지는 유리 등의 기판, 기판 상에 형성된 금속층으로 이루어진 (+)극인 전극층, 전극층 상에 형성되며 광을 흡수하는 p형의 CIGS층, CIGS층 상에 형성된 n형의 버퍼층 및 버퍼층 상에 형성된 (-)극인 투명 전극층을 포함하는 다층 적층 구조이다.The thin film solar cell includes a substrate such as a glass substrate, a (+) electrode layer formed of a metal layer formed on the substrate, a p-type CIGS layer formed on the electrode layer and absorbing light, an n-type buffer layer formed on the CIGS layer, Layered structure including a transparent electrode layer having a negative (-) polarity.
그리하여, 수광부인 투명 전극층을 통하여 태양광이 입사되면, p-n 접합 부근에서는 대략 1.04 eV 의 밴드갭 에너지를 갖는 여기된 한 쌍의 전자 및 정공이 생성된다. 그리고, 여기된 전자와 정공은 확산에 의해 p-n 접합부에 도달하고, 접합부의 내부 전계에 의해 전자가 n 영역에, 정공이 p 영역에 집합하여 분리된다.Thus, when sunlight is incident through the transparent electrode layer, which is a light receiving portion, a pair of excited electrons and holes having a band gap energy of about 1.04 eV are generated near the p-n junction. Then, the excited electrons and holes reach the p-n junction by diffusion, and electrons are collected in the n region and the holes are collected in the p region by the internal electric field of the junction.
그러면, n 영역은 마이너스로 대전되고, p 영역은 플러스로 대전되며, 각 영역에 형성된 전극 간에는 전위차가 생긴다. 그리고, 전위차를 기전력으로 하여 각 전극 사이를 도선으로 연결하면 광전류가 얻어진다.Then, the n region is negatively charged, the p region is positively charged, and a potential difference is generated between the electrodes formed in the respective regions. A photocurrent is obtained when the potential difference is used as an electromotive force and the respective electrodes are connected by a lead wire.
박막형 태양전지의 CIGS층을 형성하는 방법은, 기판에 형성된 전극층 상에 구리, 인듐, 갈륨의 원소를 적정 비율로 진공 스퍼터링하여 전구체막을 형성하는 전구체막 형성 공정과, 이와 같이 증착된 전구체막에 셀렌화 수소(H2Se) 기체를 흘려주면서 기판에 온도를 가하게 되는 셀렌화(selenization) 공정을 거친다. 이러한 일련의 공정에 따라, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 원소가 적정 조성 비율을 갖는 CIGS{Cu(In1 - xGax)Se2}층을 형성할 수 있게 된다.A method for forming a CIGS layer of a thin film solar cell includes a precursor film forming step of forming a precursor film by vacuum sputtering an element of copper, indium and gallium at an appropriate ratio on an electrode layer formed on a substrate, And a selenization process is performed in which hydrogen (H 2 Se) gas is flowed and a temperature is applied to the substrate. Cu (Cu), indium (In), gallium (Ga) and selenium (Se) elements are formed in accordance with such a series of steps to form a CIGS {Cu (In 1 - x Ga x ) Se 2 } .
이러한 셀렌화 공정은 전구체막이 형성된 기판을 밀폐된 챔버에 로딩시키고, 챔버를 불활성가스로 치환한 다음, 챔버에 셀렌화 수소(H2Se)을 도입한 후, 챔버를 일정 온도로 승온시켜 일정 시간 유지함으로써 셀렌화된 CIGS층을 형성하는 공정이다.In this selenization process, the substrate on which the precursor film is formed is loaded into a closed chamber, the chamber is replaced with an inert gas, hydrogen selenide (H 2 Se) is introduced into the chamber, the temperature of the chamber is raised to a predetermined temperature, Thereby forming a selenized CIGS layer.
CIGS층을 형성하기 위한 종래의 열처리 장치는 기판이 로딩되어 처리되는 공간인 챔버를 형성하는 본체, 상기 본체에 설치되어 상기 챔버를 개폐하는 도어를 포함한다. 그리고, 상기 본체와 상기 도어 사이에는 상기 본체와 상기 도어 사이를 실링하는 실링부재가 개재된다.Conventional heat treatment apparatuses for forming a CIGS layer include a body forming a chamber which is a space in which a substrate is loaded and processed, and a door installed in the body to open and close the chamber. A sealing member for sealing between the main body and the door is interposed between the main body and the door.
그러나, 상기와 같은 종래의 열처리 장치는 상기 본체와 상기 도어 사이로 누설되는 가스를 감지하는 아무런 수단이 없다. 이로 인해, 가스 중 인체에 유해한 가스가 상기 본체의 외부로 누설됨으로 인하여 안전사고가 발생할 우려가 있었다.However, the conventional heat treatment apparatus does not have any means for detecting the gas leaked between the main body and the door. As a result, a gas which is harmful to the human body in the gas leaks to the outside of the main body, thereby causing a safety accident.
열처리 장치와 관련된 선행기술은 한국등록특허공보 제1157201호 등에 개시되어 있다.The prior art relating to the heat treatment apparatus is disclosed in Korean Patent Registration No. 1157201. [
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 가스 누설에 의한 안전사고를 방지할 수 있는 열처리 장치를 제공함에 있다.It is an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus capable of preventing safety accidents due to gas leakage.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 열처리 장치는, 내부에는 기판이 로딩되어 처리되는 공간인 챔버가 형성되고, 전면에는 상기 챔버와 연통된 출입구가 형성된 본체; 상기 본체의 전면에 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 도어; 상기 도어의 후면에 설치되며, 상기 출입구 외측의 상기 본체의 전면과 접촉하여 상기 도어와 상기 본체 사이를 실링하는 제 1 실링부재; 상기 챔버의 가스가 상기 제 1 실링부재 외측으로 누설되는 것을 감지하는 수단을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thermal processing apparatus including: a chamber having a chamber in which a substrate is loaded and processed, the chamber having a front surface communicating with the chamber; A door installed on a front surface of the main body and opening / closing the door; A first sealing member installed on a rear surface of the door, the first sealing member being in contact with a front surface of the body outside the doorway to seal between the door and the body; And means for sensing that the gas in the chamber leaks out of the first sealing member.
본 발명에 따른 열처리 장치는, 챔버를 형성하는 본체와 도어 사이로 누설되는 가스를 감지하는 수단을 마련하고, 가스 누설이 감지되면, 열처리 장치를 정지시킨 다음 수리한다. 따라서, 가스 누설로 인한 안전사고를 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.The heat treatment apparatus according to the present invention includes a body forming a chamber and a means for detecting gas leaked between the door and the door. When the gas leakage is detected, the heat treatment apparatus is stopped and then repaired. Therefore, there is an effect that a safety accident due to gas leakage can be prevented in advance.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 열처리 장치의 일부 분해 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 도어의 "A-A"선 단면도.1 is a perspective view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a partially exploded perspective view of the heat treatment apparatus shown in FIG. 1; FIG.
3 is a cross-sectional view taken along the line "AA" of the door shown in Fig.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are mutually exclusive, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, specific structures, and features described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. The length, area, thickness, and shape of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치를 설명함에 있어서, CIGS{Cu(In1-xGax)Se2}층 형성장치를 예로 들어 설명한다.In the following description of the heat treatment system according to an embodiment of the present invention will be described, for CIGS {Cu (In1-xGax) Se 2} layer forming apparatus as an example.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 열처리 장치의 일부 분해 사시도이다.FIG. 1 is a perspective view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially exploded perspective view of the heat treatment apparatus shown in FIG.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 열처리 장치는 외관을 형성하는 본체(110)를 포함한다. 본체(110)의 내부에는 유리 등의 기판(50)이 로딩되어 처리되는 공간인 챔버(110a)가 형성되고, 전면에는 기판(50)이 출입하는 출입구(110b)가 형성된다. 기판(50)은 보트(60)에 복수개 적재 보관된 상태로 챔버(110a)에 로딩된다.As shown, the heat treatment apparatus according to the present embodiment includes a
본체(110)는 챔버(110a)가 형성된 내부본체(111)와 내부본체(111)를 감싸는 외부본체(115)로 포함할 수 있으며, 출입구(110b)는 내부본체(111)의 전면 및 외부본체(115)의 전면에 대응되게 각각 형성된다.The
본체(110)의 전면에는 본체(110)의 전후방향 및 좌우방향으로 슬라이딩가능하게 설치되어 출입구(110b)를 개폐하는 도어(120)가 설치된다. 도어(120)에 의하여 출입구(110b)가 폐쇄되면 챔버(110a)가 밀폐되고, 개방되면 챔버(110a)가 개방됨은 당연하다.A
본체(110)의 내부 측면, 전후면 및 상하면에는 기판(50)을 가열하기 위한 판 형상의 히터(미도시)가 설치될 수 있다.A plate heater (not shown) for heating the
전극층과 적정 원소 비율로 형성된 구리, 인듐, 갈륨으로 이루어진 전구체막이 형성된 기판(50)을 보트(60)에 지지시킨 다음, 보트(60)를 챔버(110a)에 로딩하여 챔버(110a)를 밀폐시킨다. 이러한 상태에서, 챔버(110a)에 질소 가스를 유입한 다음, 셀렌화 가스(H2Se)를 주입하여 소정 온도에서 CIGS층을 형성하고, CIGS층 형성한 다음에는 또 다른 소정 온도에서 황화 가스(H2S)를 주입하여 기판(50)에 형성된 CIGS층을 처리한다.A
위와 같은 기판(50)의 처리시 투입되는 가스에는 인체에 유해한 가스가 있으므로, 챔버(110a)에 투입된 가스가 본체(110)의 외부로 누설되면 안전사고가 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 도어(120)의 후면에는 출입구(110b) 외측의 본체(110)의 전면과 접촉하여 본체(110)와 도어(120) 사이를 실링하는 제 1 실링부재(131)가 설치된다.Since the gas introduced during the processing of the
그리고, 본체(110)와 도어(120) 사이를 더욱 안전하게 실링하기 위하여 제 1 실링부재(131) 외측의 도어(120)의 후면 부위에는 본체(110)의 전면과 접촉하는 제 2 실링부재(135)가 더 설치될 수 있다.In order to more securely seal between the
본 실시예에 따른 열처리 장치에는, 가스 누설로 인한 안전사고를 미연에 방지하기 위하여, 챔버(110a)의 가스가 제 1 실링부재(131) 외측으로 누설되는 것을 감지하는 수단이 마련된다. 상기 수단에 대하여 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 도어의 "A-A"선 단면도이다.In the heat treatment apparatus according to the present embodiment, means for detecting that gas in the
도시된 바와 같이, 상기 수단은 제 1 실링부재(131)와 제 2 실링부재(135) 사이의 도어(120)의 후면에 형성된 복수의 유입공(121), 도어(120)의 내부에 형성되어 유입공(121)과 연통된 연통로(123) 및 도어(120)의 일측면에 설치되어 연통로(123)의 가스를 감지하는 센서(125)를 포함한다.The means is formed in the interior of the
그리하여, 챔버(110a)의 가스가 제 1 실링부재(131)의 외측으로 누설되면, 유입공(121)을 통하여 연통로(123)로 유입된다. 그러면, 센서(125)가 가스를 감지하여 신호를 제어부(미도시) 등으로 송신하고, 상기 제어부는 센서(125)로부터 신호를 전달받아 열처리 장치를 정지시킨다. 그 후, 열처리 장치를 수리하면 된다.Thus, when the gas in the
제 1 실링부재(131)의 외측으로 누설된 가스는 제 2 실링부재(135)에 의하여 제 2 실링부재(135)의 외측으로 누설되는 것이 방지된다.The gas leaked to the outside of the first sealing
제 1 실링부재(131)의 외측으로 누설된 가스가 유입공(121)을 통하여 연통로(123)로 용이하게 유입될 수 있도록 연통로(123)의 일측은 흡입펌프(140)와 연통될 수 있다. 그리고, 유입공(121)이 형성된 도어(120)의 후면 부위는 도어(120)의 전면측으로 함몰(120a) 형성되는 것이 바람직하다.One side of the
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 예로 들어 도시하여 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, Various variations and modifications are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.
110: 본체
120: 도어
121: 유입공
123: 연통로
125: 센서
131, 135: 제 1, 제 2 실링부재110:
120: Door
121: Inflow hole
123: communicating path
125: Sensor
131, 135: first and second sealing members
Claims (5)
상기 본체의 전면에 설치되어 상기 출입구를 개폐하는 도어;
상기 도어의 후면에 설치되며, 상기 출입구 외측의 상기 본체의 전면과 접촉하여 상기 도어와 상기 본체 사이를 실링하는 제 1 실링부재;
상기 챔버의 가스가 상기 본체와 상기 도어 사이를 통해 상기 제 1 실링부재 외측으로 누설되는 것을 감지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.A chamber is formed in a space in which a substrate is loaded and processed, and a front surface is formed with an entrance communicating with the chamber;
A door installed on a front surface of the main body and opening / closing the door;
A first sealing member installed on a rear surface of the door, the first sealing member being in contact with a front surface of the body outside the doorway to seal between the door and the body;
And means for detecting that gas in the chamber leaks out of the first sealing member through the space between the body and the door.
상기 제 1 실링부재 외측의 상기 도어의 후면 부위에는 상기 본체의 전면과 접촉하여 상기 도어와 상기 본체 사이를 실링하는 제 2 실링부재가 더 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein a second sealing member is further provided on a rear surface portion of the door outside the first sealing member, the second sealing member contacting the front surface of the main body and sealing the door and the main body.
상기 수단은,
상기 제 1 실링부재와 상기 제 2 실링부재 사이의 상기 도어의 후면에 형성된 복수의 유입공;
상기 도어의 내부에 형성되어 상기 유입공과 연통된 연통로;
상기 도어에 설치되어 상기 연통로의 가스를 감지하는 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.3. The method of claim 2,
Said means comprising:
A plurality of inflow holes formed on a rear surface of the door between the first sealing member and the second sealing member;
A communication passage formed inside the door and communicating with the inflow hole;
And a sensor installed in the door for sensing gas in the communication path.
상기 연통로의 일측은 흡입펌프와 연통된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 3,
And one side of the communication path communicates with the suction pump.
상기 유입공이 형성된 상기 도어의 후면 부위는 상기 도어의 전면측으로 함몰된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 3,
Wherein a rear portion of the door formed with the inflow hole is recessed toward the front side of the door.
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