KR101384419B1 - 형광체를 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

형광체를 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

형광체를 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다. 태양전지는 투명기판, 상기 투명기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 형광체층 및 상기 형광체층 상에 배치되는 광흡수층을 포함하는 음극부, 상기 음극부과 대향 배치되며, 제2 전극을 포함하는 양극부, 상기 음극부와 상기 양극부 사이에 개재되는 전해질층을 포함하여 태양전지에 입사되어 흡수되지 못하는 특정 파장 대역의 광을 흡수한 후, 약 500nm ∼ 800nm의 가시광선 파장 대역의 광으로 파장 변환시켜 공급함으로써, 태양전지의 광전류 밀도를 증가시킬 수 있다.

Description

형광체를 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법{Dye sensitized solar cell including phosphors and method for manufacturing the same}
본 발명은 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 염료 감응 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 심각한 환경오염과 화석 에너지 고갈 등의 문제로, 차세대 청정에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 이중에서도 태양전지는 친환경적이고, 자원이 무한하며, 반영구적인 사용이 가능하여, 이러한 문제를 해결할 수 있는 차세대 에너지원으로서 각광받고 있다.
태양전지는 광기전력 효과(Photovoltaic effect)를 이용하여 광 에너지를 직접 전기 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다. 이러한 태양전지는, 구성물질에 따라, 실리콘 기반 태양전지, 박막형 태양전지 등을 포함하는 무기 태양전지(inorganic solar cell), 염료감응 태양전지(dye sensitized solar cell) 및 유기 태양전지(organic solar cell)로 크게 구분된다.
이중에서도, 염료감응 태양전지는 가시광선 태양광을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성할 수 있는 감광성 염료분자와, 생성된 전자를 전달하는 나노입자로 이루어진 산화물 반도체 나노입자 전극을 이용한 광전기화학적 태양전지이다. 이러한 염료감응 태양전지는 다른 태양전지에 비해 제조공정이 간단하고, 제조비용이 저렴한 이점이 있다.
현재 염료감응 태양전지의 최대 광전변환 효율은 100 mW/cm에서 약 11% 내외로서, 다른 태양전지에 비해 낮은 효율을 나타낸다. 염료감응 태양전지의 상용화를 위해서는 광전변환 효율의 향상이 매우 중요한 과제이다.
그 일환으로, 염료감응 태양전지의 광전변환 효율을 향상시키기 위해 태양전지에 조사되는 태양광을 최대한 이용하는 방안이 연구되고 있다.
현재 염료감응 태양전지에 사용되는 염료는, 태양전지에 조사되는 태양광 중 주로 가시광선 파장 대역의 태양광(약 400 ∼ 700nm)을 흡수할 수 있다. 따라서, 가시광선 이외 파장 대역의 태양광을 활용하여, 염료감응 태양전지의 광전변환 효율을 향상시키고자 하는 연구가 진행되고 있는 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 입사되는 태양광을 최대한 활용하여 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 염료감응 태양전지를 제공한다. 상기 태양전지는 투명기판, 상기 투명기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 형광체층 및 상기 형광체층 상에 배치되는 광흡수층을 포함하는 음극부, 상기 음극부과 대향 배치되며, 제2 전극을 포함하는 양극부, 상기 음극부와 상기 양극부 사이에 개재되는 전해질층을 포함한다.
상기 형광체층은 상기 제1 전극의 일부를 덮도록 배치되는 패턴 형광체층일 수 있다. 상기 광흡수층은 상기 형광체층의 전면을 덮도록 배치될 수 있다.
상기 형광체층에 함유된 형광체는 350nm 이하의 파장 대역의 광 또는 1000nm 이상의 파장 대역의 광을 흡수하여, 500nm ∼ 800nm의 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 상기 형광체층에 함유된 형광체는 무기 형광체일 수 있다.
상기 양극부는, 상기 제2 전극 하부에 배치되는 투명기판 및 상기 제2 전극 상에 배치되는 촉매층을 포함할 수 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 염료감응 태양전지의 제조방법을 제공한다. 상기 태양전지의 제조방법은 투명기판 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제1 전극 상에 형광체층을 형성한 후, 상기 형광체층의 전면을 덮도록 광흡수층을 형성하여 음극부를 제조하는 단계, 양극부를 제조하는 단계 및 상기 음극부와 상기 양극부 사이에 전해질층을 도입하는 단계를 포함한다.
상기 형광체층은, 상기 제1 전극 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 마스크 패턴 사이로 노출된 제1 전극 상에 형광체를 도입시키는 단계 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 제조될 수 있다.
상기 형광체층에 함유되는 형광체는 350nm 이하의 파장 대역의 광 또는 1000nm 이상의 파장 대역의 광을 흡수하여, 500nm ∼ 800nm의 파장 대역의 광을 방출할 수 있다.
본 발명에 따르면, 태양전지에 입사되어 흡수되지 못하는 특정 파장 대역의 광을 흡수한 후, 약 500nm ∼ 800nm의 가시광선 파장 대역의 광으로 파장 변환시켜 공급함으로써, 태양전지의 광전류 밀도를 증가시킬 수 있다. 이로써, 태양전지의 광전 변환효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 형광체를 전극 상에 패턴 형태로 배치하여 음극부와 양극부에서의 전하 수집이 용이하므로, 광전류의 흐름이 원활한 이점이 있다.
본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 염료감응 태양전지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 염료감응 태양전지의 동작을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 염료감응 태양전지의 제조방법을 나타내는 공정 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나, 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 위쪽, 상(부), 상면 등의 방향적인 표현은 그 기준에 따라 아래쪽, 하(부), 하면 등의 의미로 이해될 수 있다. 즉, 공간적인 방향의 표현은 상대적인 방향으로 이해되어야 하며 절대적인 방향을 의미하는 것으로 한정 해석되어서는 안 된다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장 또는 생략된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 염료감응 태양전지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 염료감응 태양전지는 음극부(100), 양극부(200) 및 상기 음극부(100)와 양극부(200) 사이에 개재되는 전해질층(300)을 포함한다.
상기 음극부(100)는 투명기판(110), 상기 투명기판(110) 상에 배치되는 제1 전극(120), 상기 제1 전극(120) 상에 배치되는 형광체층(130) 및 상기 형광체층(130) 상에 배치되는 광흡수층(140)을 포함한다.
먼저, 투명기판(110)이 배치된다. 상기 투명기판(110)은 광을 투과할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 일 예로, 상기 투명기판(110)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 이 때, 상기 플라스틱 기판은 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 및 폴리이미드 중에서 선택되는 적어도 하나를 함유할 수 있다.
상기 투명기판(110)의 상부에 제1 전극(120)이 배치된다. 상기 제1 전극(120)은 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 이루어질 수 있다. 일 예로, 상기 제1 전극(120)은 ITO, 도핑된 ZnO(AZO: Al 도핑, GZO: Ga 도핑, IZO: In 도핑, IGZO: In 및 Ga 도핑, MZO: Mg 도핑), Al 또는 Ga가 도핑된 MgO, Sn이 도핑된 In2O3, F가 도핑된 SnO2 또는 Nb가 도핑된 TiO2 등으로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극(120)과 광흡수층(140) 사이에 형광체층(130)이 배치된다. 상기 형광체층(130)은 패턴 형광체층일 수 있다. 즉, 상기 형광체층(130)은 상기 제1 전극(120)의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 광흡수층(140)은 상기 형광체층(130)의 전면을 덮도록 배치될 수 있다. 상기 형광체층(130)은 상기 제1 전극(120) 상에 패턴 형태로 배치되기 때문에, 음극부(100)와 양극부(200)에서의 전하 수집이 용이하므로, 광전류의 흐름이 원활하게 되는 이점이 있다.
상기 형광체층(130)은 파장 변환이 가능한 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는, 사용되는 염료에 의해 흡수될 수 있는 파장을 발광하도록 적절하게 선택될 수 있다. 일 예로, 상기 형광체는 상향 변환(up-conversion) 형광체 및/또는 하향 변환(down-conversion) 형광체일 수 있다.
따라서, 상기 형광체층(130)은 자외선 파장 대역의 광을 흡수하거나, 적외선 파장 대역의 광을 흡수한 후, 상기 광흡수층(140)으로 가시광선 파장 대역의 광을 방출할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 형광체층(130)은 350nm 이하의 파장 대역의 광을 흡수하고, 이를 여기하여 500m ∼ 800nm의 파장 대역의 광을 상기 광흡수층(140)으로 방출할 수 있다. 또한, 상기 형광체층(130)은 1000nm 이상의 파장 대역의 광을 흡수하고, 이를 여기하여 500m ∼ 800nm의 파장 대역의 광을 상기 광흡수층(140)으로 방출할 수 있다.
이로써, 상기 광흡수층(140)은 가장 흡수가 잘 되는 500m ∼ 800nm의 파장 대역의 광을 보다 많이 흡수할 수 있다. 따라서, 전자-정공 쌍, 즉, 엑시톤(exiton)의 양이 증가하여 전지 내부를 흐르는 전류 밀도가 향상될 수 있다.
상기 패턴 형광체층(130)이 함유하는 형광체는 무기 형광체일 수 있다. 상기 형광체는 발광 또는 인광을 나타내는 무기 물질을 함유할 수 있다. 상기 형광체는 수 nm ∼ 수 μm의 범위에서 다양한 크기를 가질 수 있다.
일 예로, 상기 형광체는 (Y,Tb)3Al5O12:Ce3 +, (Sr,Ba,Ca)2Si5N8:Eu2 +, CaAlSiN3:Eu2+, BaMgAl10O17:Eu2 +, BaMgAl10O17:Eu2 +,Mn2 +, Ca-alpha-SiAlON:Eu2 +, Beta-SiAlON:Eu2+, (Ca,Sr,Ba)2P2O7:Eu2 +, (Ca,Sr,Ba)2P2O7:Eu2 +,Mn2 +, (Ca,Sr,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, Lu2SiO5:Ce3 +, (Ca,Sr,Ba)3SiO5:Eu2 +, (Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu2 +, Zn2SiO4:Mn2+, BaAl12O19:Mn2 +, BaMgAl14O23:Mn2 +, SrAl12O19:Mn2 +, CaAl12O19:Mn2 +, YBO3:Tb3+, LuBO3:Tb3 +, Y2O3:Eu3 +, Y2SiO5:Eu3 +, Y3Al5O12:Eu3 +, YBO3:Eu3 +, Y0.65Gd0.35BO3:Eu3+, GdBO3:Eu3 +, YVO4:Eu3 + 및 (Y, Gd)3(Al, Ga)5O12:Ce3 +로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나의 하향 변환 형광체일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 형광체는 YF3:(Yb3 +,Er3 +), NaYF4:(Yb3 +,Er3 +), NaLaF4:(Yb3 +,Er3 +), LaF4:(Yb3+,Er3+) 및 BaY2F8:(Yb3 +,Er3 +)중에서 선택되는 적어도 어느 하나의 상향 변환 형광체일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 패턴 형광체층(130) 상에 광흡수층(140)이 배치된다. 상기 광흡수층(140)은 감광성 염료 및 상기 감광성 염료가 흡착되어 있는 금속 산화물막을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물막은 나노 크기의 평균 직경을 가지는 미립자들이 균일하게 분포하고 있는 막일 수 있다. 상기 금속 산화물막은 표면에 흡착된 감광성 염료가 보다 많은 태양광을 흡수하도록 하기 위해 표면적을 최대화하는 것이 바람직하다.
상기 금속 산화물막은 n형 반도체로 이루어질 수 있다. 일 예로, 상기 금속 산화물막은 TiO2, SnO2, WO3, Nb2O5, ZnO, TiSrO3 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 금속 산화물막은 5 ∼ 50㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 감광성 염료는 상기 금속 산화물막의 표면에 흡착될 수 있다. 상기 감광성 염료는 금속 복합체를 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 감광성 염료는 Al, Pt, Pd, Eu, Pb, Ir 또는 Ru 등을 포함할 수 있다. 이중에서도, 루테늄(Ru) 복합체인 것이 바람직하다.
또한, 상기 감광성 염료는 유기 색소 등을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 감광성 염료는 쿠마린, 포피린, 키산틴, 리보플라빈, 트리페닐메탄 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 루테늄 복합체와 혼합 사용될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 당업계에서 일반적으로 사용하는 염료라면 어떠한 것이든 가능하다.
상기 양극부(200)는 투명기판(210), 상기 투명기판(210) 상에 배치되는 제2 전극(220) 및 상기 제2 전극(220) 상에 배치되는 촉매층(230)을 포함한다.
먼저, 투명기판(210)이 배치된다. 상기 투명기판(210)은 광을 투과할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 일 예로, 상기 투명기판(210)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 이 때, 상기 플라스틱 기판은 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 및 폴리이미드 중에서 선택되는 적어도 하나를 함유할 수 있다. 상기 투명기판(210)은 상기 음극부(100)의 투명기판(110)과 동일하거나, 서로 다른 재질로 이루어질 수 있다.
상기 투명기판(210) 상에 제2 전극(220)이 배치된다. 상기 제2 전극(220)은 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 이루어질 수 있다. 일 예로, 상기 제2 전극(220)은 ITO, 도핑된 ZnO(AZO: Al 도핑, GZO: Ga 도핑, IZO: In 도핑, IGZO: In 및 Ga 도핑, MZO: Mg 도핑), Al 또는 Ga가 도핑된 MgO, Sn이 도핑된 In2O3, F가 도핑된 SnO2 또는 Nb가 도핑된 TiO2 등으로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 전극(220)은 상기 음극부(100)의 투명기판(210)과 동일하거나, 서로 다른 재질로 이루어질 수 있다.
상기 제2 전극(220) 상에 촉매층(230)이 배치될 수 있다. 상기 촉매층(230)은 전해질의 환원반응을 촉진시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 촉매층(230)은 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 일 예로, 상기 촉매층(230)은 Pt 또는 Au 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 음극부(100)와 상기 양극부(200) 사이에 개재되는 전해질층(300)은 액체 전해질 또는 고체 고분자 전해질일 수 있다.
상기 전해질층(300)은 산화-환원 유도체와 유기용매를 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 산화-환원 유도체는 요오드화 리튬, 요오드화 나트륨, 요오드화 칼륨, 브롬화 리튬, 브롬화 나트륨, 브롬화 칼륨, 4급 암모늄염, 이미다졸륨염 또는 피리디늄염 등일 수 있다.
상기 유기용매는 아세토니트릴, 3-메톡시프로피오니트릴, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 에틸메틸카보네이트, 테트라하이드로퓨란 또는 감마-부티로락톤 등일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 염료감응 태양전지의 동작을 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 태양광이 조사되면, 상기 태양광은 음극부(100) 광흡수층(140)의 감광성 염료(142)에 흡수될 수 있다. 이후, 상기 감광성 염료(142)는 기저 상태에서 여기 상태로 전자 전이하여 전자-정공 쌍을 생성할 수 있다. 이중, 전자는 금속 산화물막(141)을 이루는 나노입자 계면의 전도띠(conduction band)로 주입될 수 있다.
상기 주입된 전자는 상기 계면을 통해 제1 전극(110)으로 전달되고, 상기 제1 전극(110)에 연결된 외부 회로를 통하여 양극부(200)로 이동할 수 있다.
한편, 전자 전이의 결과로 산화된 감광성 염료(142)는 전해질층(30) 내의 산화-환원쌍 일 예로, I3 -/I-에 의해 환원되고, 산화된 상기 산화-환원쌍은 전하 중성을 이루기 위해 양극부(200)의 계면에 도달한 전자와 반응할 수 있다.
이 때, 상기 광흡수층(140)에서 흡수되지 못하고 형광체층(130)에 입사된 적외선 파장 대역 또는 자외선 파장 대역의 태양광은, 상기 형광체층(130)이 함유하고 있는 형광체에 의해 파장 변환되어, 상기 감광성 염료(142)가 흡수 가능한 가시광선 파장 대역의 광을 상기 광흡수층(140)으로 방출할 수 있다. 상기 가시광선 파장 대역은 500m ∼ 800nm의 파장 대역일 수 있다. 따라서, 상기 광흡수층(140)의 감광성 염료(142)는 보다 많은 태양광을 흡수할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 염료감응 태양전지의 제조방법을 나타내는 공정 흐름도이다.
도 3을 참조하면, 형광체층을 구비하는 음극부를 제조한다(S100). 일 예로, 상기 음극부를 제조하는 단계는 투명기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 형광체층을 형성하는 단계 및 상기 형광체층의 전면을 덮도록 광흡수층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저, 투명기판을 준비하고, 상기 투명기판 상에 제1 전극을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극은 투명 전도성 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 제1 전극은 일 예로, 열기상 증착, 전자빔 증착, RF 스퍼터링 또는 마그네트론 스퍼터 등을 이용하여 형성할 수 있다.
이후, 상기 제1 전극 상에 형광체층을 형성할 수 있다. 상기 형광체층은 형광체가 일정한 형태를 가지는 패턴 내에 포함된 층일 수 있다. 이 경우, 형광체가 일정한 패턴 내에 형성되므로, 상기 형광체층에 의해 차폐되지 않은 제1 전극의 상부는 노출될 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극이 노출된 영역에서는 상기 광흡수층이 상기 제1 전극과 직접 접촉할 수 있다.
일 예로, 상기 형광체층을 제조하기 위해 먼저, 제1 전극 상에 마스크 패턴을 형성할 수 있다. 상기 마스크 패턴은 마스크막의 패터닝을 통해 형성될 수 있다. 이 때, 상기 패터닝은 통상의 리소그래피를 이용하여 수행할 수 있다. 이후, 마스크 패턴 사이의 제1 전극이 노출된 영역에 형광체를 도입할 수 있다. 일 예로, 상기 형광체는 스퍼터링 또는 펄스 레이저 증착을 이용하여 도입할 수 있다. 이후, 상기 마스크 패턴을 제거하여 일정한 패턴을 가지는 형광체층을 형성할 수 있다.
이후, 형광체층 상에 광흡수층을 형성할 수 있다. 상기 광흡수층은 금속 산화물막과, 상기 금속 산화물막의 표면에 흡착된 감광성 염료를 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 금속 산화물막은 먼저, 금속 산화물을 포함하는 조성물을 제조하고, 상기 조성물을 상기 제1 전극 상에 도포한 후, 열처리하여 형성할 수 있다. 이후, 염료 용액을 제조하고, 상기 염료 용액에 금속 산화물막이 형성된 투명기판을 담지시킨 후, 건조하여 상기 금속 산화물막의 표면에 감광성 염료를 흡착시킬 수 있다.
한편, 양극부를 제조한다(S200). 일 예로, 상기 양극부를 제조하는 단계는 투명기판을 준비하는 단계, 상기 투명기판 상에 제2 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 전극 상에 촉매층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저, 투명기판을 준비하고, 상기 투명기판 상에 제2 전극을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극은 투명 전도성 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 제2 전극은 일 예로, 열기상 증착, 전자빔 증착, RF 스퍼터링 또는 마그네트론 스퍼터 등을 이용하여 형성할 수 있다. 이후, 상기 제2 전극 상에 촉매층을 형성할 수 있다. 일 예로, 상기 촉매층은 촉매가 포함된 용액을 제조하고, 상기 용액을 제2 전극 상에 도포하여 형성할 수 있다. 이 때, 상기 도포는 스퍼터링법, 화학기상증착법 또는 열산화법 등을 이용하여 수행할 수 있다.
이후, 음극부와 양극부 사이에 전해질층을 도입한다(S300). 먼저, 상기 음극부와 양극부를 마주보도록 배치시킬 수 있다. 이 때, 상기 음극부의 광흡수층과, 상기 양극부의 촉매층이 서로 마주보도록 배치시킬 수 있다. 이후, 상기 음극부와 양극부 사이에 전해액을 매립시키고, 밀봉할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
100: 음극부 110: 투명기판
120: 제1 전극 130: 형광체층
140: 광흡수층 200: 양극부
210: 투명기판 220: 제2 전극
230: 촉매층 300: 전해질층

Claims (9)

  1. 투명기판, 상기 투명기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 형광체층 및 상기 형광체층 상에 배치되는 광흡수층을 포함하는 음극부;
    상기 음극부과 대향 배치되며, 제2 전극을 포함하는 양극부;
    상기 음극부와 상기 양극부 사이에 개재되는 전해질층을 포함하며,
    상기 형광체층은 상기 제1 전극의 일부를 덮도록 배치되는 패턴 형광체층인 염료감응 태양전지.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 상기 형광체층의 전면을 덮도록 배치되는 염료감응 태양전지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 양극부는, 상기 제2 전극 하부에 배치되는 투명기판 및 상기 제2 전극 상에 배치되는 촉매층을 포함하는 염료감응 태양전지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 형광체층에 함유된 형광체는 350nm 이하의 파장 대역의 광 또는 1000nm 이상의 파장 대역의 광을 흡수하여, 500nm ∼ 800nm의 파장 대역의 광을 방출하는 염료감응 태양전지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 형광체층에 함유된 형광체는 무기 형광체인 염료감응 태양전지.
  7. 투명기판 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제1 전극 상에 형광체층을 형성한 후, 상기 형광체층의 전면을 덮도록 광흡수층을 형성하여 음극부를 제조하는 단계;
    양극부를 제조하는 단계; 및
    상기 음극부와 상기 양극부 사이에 전해질층을 도입하는 단계를 포함하며,
    상기 형광체층은,
    상기 제1 전극 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 마스크 패턴 사이로 노출된 제1 전극 상에 형광체를 도입시키는 단계; 및
    상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 제조되는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    상기 형광체층에 함유되는 형광체는 350nm 이하의 파장 대역의 광 또는 1000nm 이상의 파장 대역의 광을 흡수하여, 500nm ∼ 800nm의 파장 대역의 광을 방출하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
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