PL229752B1 - Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania - Google Patents

Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania

Info

Publication number
PL229752B1
PL229752B1 PL409931A PL40993114A PL229752B1 PL 229752 B1 PL229752 B1 PL 229752B1 PL 409931 A PL409931 A PL 409931A PL 40993114 A PL40993114 A PL 40993114A PL 229752 B1 PL229752 B1 PL 229752B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
dye
meh
hfp
ppv
Prior art date
Application number
PL409931A
Other languages
English (en)
Other versions
PL409931A1 (pl
Inventor
Jan Weszka
Magdalena Szindler
Marek Szindler
Original Assignee
Politechnika Slaska
Politechnika Slaska Im Wincent
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Slaska, Politechnika Slaska Im Wincent filed Critical Politechnika Slaska
Priority to PL409931A priority Critical patent/PL229752B1/pl
Publication of PL409931A1 publication Critical patent/PL409931A1/pl
Publication of PL229752B1 publication Critical patent/PL229752B1/pl

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/40Solar thermal energy, e.g. solar towers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

Ogniwo fotowoltaiczne charakteryzuje się tym, że materiał transportujący dziury stanowi wielowarstwowe pokrycie PVDF-HFP/MEH-PPV, natomiast półprzewodnikiem typu n oddalającym elektrony do zewnętrznego obwodu jest nanokrystaliczny tlenek cynku. Sposób wytworzenia ogniwa polega na tym, że nanosi się metodą atomowego osadzania warstw nanokrystaliczną warstwę ZnO o grubości 0,5 - 4µm na komercyjne podłoże szklane z warstwą TCO, przy czym warstwę ZnO wytwarza się przy użyciu prekursora dietylocynku oraz wody jako reagenta w temperaturze 200 - 400°C. Następnie nanosi się barwnik - komercyjny związek rutenu - przez zanurzenie płytki szklanej z naniesioną warstwą ZnO w ciekłym roztworze barwnika z alkoholem etylowym, po czym osadza się warstwy PVDF-HFP oraz MEH-PPV z roztworu metodą wirową z prędkością obrotową podłoża w zakresie 1000 - 5000 obr/min., a na tak przygotowaną strukturę wielowarstwową naparowuje się kontakty metaliczne.

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest wielowarstwowe ogniwo barwnikowe umożliwiające konwersję energii promieniowania słonecznego na energię elektryczną, stosowane w zintegrowanym budownictwie (BIPV) do produkcji półprzezroczystych szyb okiennych generujących prąd, a także sposób wytwarzania tego ogniwa.
III generacji ogniwa barwnikowe stanowią grupę ogniw, w której główną rolę odgrywa barwnik. Odkrywcami tego rodzaju ogniw są Brian O'Regan i Michael Gratzel. Ich zaletą jest niski koszt wytworzenia, a ich wysoka przezroczystość i różnorodne kolory sprawiają, że mogą pełnić rolę materiału budowlanego. Typowe ogniwo barwnikowe DSC lub DSSC (ang. Dye-sensitized Solar Cell) zbudowane jest z dwóch płytek szklanych, z warstwą przewodzącą ITO lub FTO, stanowiących elektrody. Na powierzchni katody znajduje się warstwa TiO2 pełniąca rolę półprzewodnika typu n, którego zadaniem jest przekazywanie elektronu do obwodu zewnętrznego. Szeroka przerwa energetyczna o wartości 3,2 eV, pozwala na absorbowanie jedynie promieniowania ultrafioletowego. Aby zwiększyć powierzchnię pochłaniania fotonów, warstwa TiO2 ma strukturę porowatą. Na ditlenek tytanu należy zaabsorbować barwnik, zwany inaczej sensybilizatorem, który pochłania fotony promieniowania elektromagnetycznego o energii 1,6-3,0 eV, czyli długości 400-800 nm. Typowymi materiałami stosowanymi jako barwniki organiczne w strukturze ogniw DSSC są związki rutenu. Zasadniczym problemem w funkcjonowaniu barwnikowych ogniw fotowoltaicznych jest konieczność stosowania w ich strukturze ciekłego elektrolitu. Odparowanie i wycieki ciekłego elektrolitu powodują obniżenie sprawności i stabilności pracy tych ogniw. Alternatywę w stosunku do ciekłego elektrolitu stanowią ciecze jonowe, elektrolity żelowe i polimerowe. Znane są próby zastosowania polimeru PVDF-HFP jako składnika polimerowego żelu zastępującego ciekły elektrolit zarówno z publikacji [1,2], jak i patentu [3]. Znane są również próby użycia polimeru MEH-PPV jako materiału transportującego dziury oraz składnika wielowarstwowych materiałów zastępujących ciekły elektrolit [4]. Udokumentowano próby wykorzystania tlenku cynku zarówno jako materiału półprzewodnikowego typu n [5, 6], jak i cienkiej transparentnej warstwy przewodzącej prąd elektryczny [7].
Wykonany przegląd zagadnienia (z ang. state of the art) wskazuje, że znane są przykłady zastosowania pojedynczo materiałów PVDF-HFP, MEH-PPV oraz ZnO w strukturze barwnikowych ogniw fotowoltaicznych, jednak nie opublikowano zastosowania tych materiałów jednocześnie i w przedstawionej poniżej konfiguracji.
Rozwiązanie według wynalazku pozwala na zwiększenie sprawności ogniwa dzięki wymuszeniu ruchu elektronu. Jest to możliwe przez odpowiednie dobranie materiałów do budowy ogniwa i ich poziomów energetycznych HOMO i LUMO. Zastąpienie ciekłego elektrolitu materiałem polimerowym przewodzącym prąd elektryczny powoduje wydłużenie stabilności pracy ogniwa.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony na rysunku, który przedstawia schemat ogniwa.
Promieniowanie słoneczne 1 oświetla fotoelektrodę 2, którą stanowi płytka szklana z osadzoną warstwą TCO 3, a rolę materiału transportującego dziury pełni wielowarstwowe pokrycie PVDFHFP/MEH-PPV 4, natomiast rolę półprzewodnika typu n 6 oddającego elektrony do zewnętrznego obwodu przy użyciu metalowych elektrod 5 pełni nanokrystaliczny tlenek cynku z zaadsorbowanym barwnikiem.
Sposób wytworzenia barwnikowego ogniwa fotowoltaicznego według wynalazku polega na tym, że nanosi się metodą atomowego osadzania warstw (z ang. atomic layer deposition - ALD) nanokrystaliczną warstwę ZnO o grubości 0,5-4 pm na komercyjne podłoże szklane z warstwą TCO, przy czym warstwę ZnO wytwarza się przy użyciu prekursora dietylocynku oraz wody jako reagenta w temperaturze 200-400°C, następnie nanosi się barwnik - komercyjny związek rutenu - przez zanurzenie płytki szklanej z naniesioną warstwą ZnO w ciekłym roztworze barwnika z alkoholem etylowym, po czym osadza się warstwy PVDF-HFP oraz MEH-PPV z roztworu metodą wirową z prędkością obrotową podłoża w zakresie 1000-5000 obr/min, a na tak przygotowaną strukturę wielowarstwową naparowuje się kontakty metaliczne
P r z y k ł a d
Na płytkę z warstwą ITO naniesiono metodą ALD, używając dietylocynku jako prekursora oraz wody jako reagenta, w temperaturze 300°C warstwę ZnO, ustawiając 1000 cykli, a następnie wygrzewano ją w temperaturze 400°C przez 20 min. Na płytkę szklaną z warstwą ZnO osadzono barwnik N3 przez zanurzenie jej w 3 χ 10-3M roztworze barwnika z alkoholem etylowym o temperaturze 40°C i w czasie 4 godzin. Metodą wirową z prędkością 3000 obr/min osadzono w pierwszej kolejności warstwę
PL 229 752 Β1
PVDF-HFP, a następnie MEH-PPV, przy zadanym czasie obracania 30 sekund. Na tak przygotowane ogniwo nałożono srebrne kontakty elektryczne metodą naparowania termicznego.

Claims (2)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne zawierające fotoelektrodę, elektrody, znamienne tym, że materiał transportujący dziury stanowi wielowarstwowe pokrycie PVDF-HFP/MEH-PPV 4, natomiast półprzewodnikiem typu n 6 oddalającym elektrony do zewnętrznego obwodu jest nanokrystaliczny tlenek cynku.
  2. 2. Sposób wytworzenia barwnikowego ogniwa fotowoltaicznego, znamienny tym, że nanosi się metodą atomowego osadzania warstw (z ang. atomie layerdeposition - ALD) nanokrystaliczną warstwę ZnO o grubości 0,5-4 pm na komercyjne podłoże szklane z warstwą TCO, przy czym warstwę ZnO wytwarza się przy użyciu prekursora dietylocynku oraz wody jako reagenta w temperaturze 200-400°C, następnie nanosi się barwnik - komercyjny związek rutenu - przez zanurzenie płytki szklanej z naniesioną warstwą ZnO w ciekłym roztworze barwnika z alkoholem etylowym, po czym osadza się warstwy PVDF-HFP oraz MEH-PPV z roztworu metodą wirową z prędkością obrotową podłoża w zakresie 1000-5000 obr/min, a na tak przygotowaną strukturę wielowarstwową naparowuje się kontakty metaliczne.
PL409931A 2014-10-27 2014-10-27 Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania PL229752B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL409931A PL229752B1 (pl) 2014-10-27 2014-10-27 Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL409931A PL229752B1 (pl) 2014-10-27 2014-10-27 Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL409931A1 PL409931A1 (pl) 2016-05-09
PL229752B1 true PL229752B1 (pl) 2018-08-31

Family

ID=55910472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL409931A PL229752B1 (pl) 2014-10-27 2014-10-27 Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL229752B1 (pl)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL428878A1 (pl) * 2019-02-11 2019-10-21 Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄
PL428877A1 (pl) * 2019-02-11 2019-10-21 Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL428878A1 (pl) * 2019-02-11 2019-10-21 Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄
PL428877A1 (pl) * 2019-02-11 2019-10-21 Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych

Also Published As

Publication number Publication date
PL409931A1 (pl) 2016-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhao et al. Mesoporous perovskite solar cells: material composition, charge-carrier dynamics, and device characteristics
Ye et al. Recent advances in quantum dot-sensitized solar cells: insights into photoanodes, sensitizers, electrolytes and counter electrodes
Xu et al. Highly efficient planar perovskite solar cells with a TiO 2/ZnO electron transport bilayer
Zhang et al. Effects of TiO2 film thickness on photovoltaic properties of dye-sensitized solar cell and its enhanced performance by graphene combination
CN103400697B (zh) 一种全固态柔性敏化太阳能电池及其制备方法
Fan et al. Delayed annealing treatment for high-quality CuSCN: Exploring its impact on bifacial semitransparent nip planar perovskite solar cells
JP2015119102A (ja) ハイブリッド型太陽電池
KR20140003998A (ko) 페로브스카이트 기반 메조다공 박막 태양전지 제조 기술
Peiris et al. Stacked rGO–TiO2 photoanode via electrophoretic deposition for highly efficient dye-sensitized solar cells
US8333877B2 (en) Method for manufacturing an electrode
Fan et al. Fabrication and photoelectrochemical properties of TiO2 films on Ti substrate for flexible dye-sensitized solar cells
Li et al. Room-temperature sputtered aluminum-doped zinc oxide for semitransparent perovskite solar cells
Yugis et al. Review on metallic and plastic flexible dye sensitized solar cell
Huang et al. Engineered platinum nanoparticles via pulse electrochemical deposition for bifacially transparent and efficient full-plastic dye-sensitized solar cells
Wu et al. Electrochemical formation of transparent nanostructured TiO 2 film as an effective bifunctional layer for dye-sensitized solar cells
KR101794988B1 (ko) 페로브스카이트 광흡수층 제조방법 및 이를 적용한 태양전지 제조방법
KR20090052696A (ko) p-n 접합 다이오드를 포함하는 기판을 구비한 염료감응태양전지
Manseki et al. Solid-state dye-sensitized solar cells fabricated by coupling photoelectrochemically deposited poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT) with silver-paint on cathode
PL229752B1 (pl) Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania
Sun et al. Efficiency enhanced rutile TiO 2 nanowire solar cells based on an Sb 2 S 3 absorber and a CuI hole conductor
Lee et al. Application of CBZ dimer, C343 and SQ dye as photosensitizers for pn-tandem DSCs
KR101044338B1 (ko) 염료 및 다원자음이온이 흡착된 나노 산화물층을 포함한 음극계 전극을 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법
KR101200698B1 (ko) 염료감응 태양전지의 작업전극 및 그의 제조방법
Thalluri et al. Morphological and opto-electrical properties of a solution deposited platinum counter electrode for low cost dye sensitized solar cells
CN108231944A (zh) 一种基于新型电子传输层的光电探测器及其制备方法