KR101380766B1

KR101380766B1 - 상호셀렌화를 이용한 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조방법

Info

Publication number: KR101380766B1
Application number: KR1020120086672A
Authority: KR
Inventors: 김원배; 손형진
Original assignee: 광주과학기술원
Priority date: 2012-08-08
Filing date: 2012-08-08
Publication date: 2014-04-03
Also published as: KR20140020416A

Abstract

본 발명은 상호-셀렌화를 이용하여 CIGS 광흡수층을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 제1 기판 및 제2 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 박막층을 각각 형성하는 단계; 상기 각각의 박막층이 서로 대향하도록, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상접시키는 단계; 상기 상접된 제1 기판 및 제2 기판을 가열 및 압착하는 단계; 및 상기 가열 및 압착된 제1 기판 및 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조방법을 제공한다. 본 발명의 CIGS 광흡수층 제조방법에 의하면, 셀렌화 공정 시 외부에서 셀레늄 소스를 공급해 줄 필요가 없고, 종래의 셀렌화 공정에 비하여 셀레늄이 기화되어 손실되는 비율이 감소하는 효과가 있는 바, 보다 안전하고 저렴하면서도 보다 효율적으로 CIGS 광흡수층을 제조할 수 있는 장점이 있다.

Description

상호셀렌화를 이용한 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조방법{Method for fabricating the photovoltaic CIGS absorber using mutual-selenization}

본 발명은 CIGS 광흡수층 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상호-셀렌화를 이용하여 CIGS 광흡수층을 제조하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로 CuInSe₂로 대표되는 I-III-VI₂족 황동석(Chalcopyrite)계 화합물반도체는 직접천이형 에너지 밴드갭을 가지고 있고, 광흡수계수가 1×10⁵ ㎝^-1로서 반도체 중에서 가장 높아 두께 1 ㎛ 내지 2 ㎛의 박막으로도 고효율의 태양전지 제조가 가능하고, 장기적으로 전기광학적 안정성이 매우 우수한 특성을 지니고 있다. 그 때문에, 황동석계 화합물 반도체는 현재 사용되고 있는 고가의 결정질 실리콘 태양전지를 대체하여 태양광 발전의 경제성을 획기적으로 향상시킬 수 있는 저가, 고효율의 태양전지 재료로 부각되고 있다. 또한, CuInSe₂는 밴드갭이 1.04 eV로서 이상적인 밴드갭 1.4 eV를 맞추기 위해 인듐(In)의 일부를 갈륨(Ga)으로, 셀레늄(Se)의 일부를 황(S)으로 치환하기도 하는데, 이러한 CuGaSe₂ 및 CuGaS₂의 밴드갭은 각각 1.6 eV 및 2.5 eV이다. 상기와 같은 사원화합물은 CuIn_xGa_(1-x)Se₂(0≤x≤1)로 표기되는데, 대표적으로 이들을 CIS 또는 CIGS로 표기하기도 하나, 이하에서는 이러한 화합물을 CIGS로 통일하여 칭한다.

태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CIGS 박막층은 여러 가지 물리·화학적인 박막 제조방법을 통해 수 마이크론 두께의 박막으로 제조된다. 대표적으로, 동시증발법(co-evaporation)과 2단계 공정법(two-step process)의 두 가지 공정이 알려져 있다.

상기 동시증발법은 단위 원소인 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 열 증발원(thermal evaporator)을 이용하여 동시에 증발시켜 고온 기판에 박막을 형성하는 방법으로서, 고효율의 CIGS 박막층을 제조할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 증발원은 주로 점원(point source)이기 때문에 넓은 대면적 기판에 박막을 형성하는 경우 균일성이 떨어지고, 진공공정이기 때문에 값비싼 진공장비가 필요한 문제점이 있다.

상기 2단계 공정법은 스퍼터링에 의한 전구체 증착과 화학조성을 완성하기 위한 급속 열처리 공정을 이용하는 것으로서, 단위 원소인 구리, 인듐, 갈륨 또는 셀레늄을 기판 상에 순차적으로 스퍼터링 증착하여 전구체 박막층을 형성한 다음, 외부에서 공급된 셀레늄 소스로 셀렌화(Selenization)하여 CIGS 박막층을 제조하는 방법이다. 상기 2단계 공정법은 대면적의 CIGS 박막층을 균일하게 제조할 수 있는 장점이 있으나, 공정시간이 매우 길어서 실질적으로 대량 생산에 적용하기 어렵고, 제조공정이 복잡하여 제조원가 측면에서 불리한 단점이 있다.

최근, 나노입자를 용매와 혼합하여 프린팅함으로써 CIGS 박막층을 제조하는 방법이 소개되었다. 그러나, 상기 프린팅법 역시, 전구체를 사용하여 구리인듐산화물(Copper Indium oxide)의 박막층을 먼저 형성한 다음, 셀렌화(Selenization)하기 때문에 CIGS 박막층의 표면 균일성이 떨어지는 문제점이 있다.

특히, CIGS 광흡수층은 그 특성상 조성비에 의해 그 성능이 좌우되기 때문에, 상기 2단계 공정법이나 프린팅법을 이용하여 제조하는 경우, 최종적으로 CIGS 박막층의 조성비 보정을 위하여 셀렌화(Selenization)라는 공정을 반드시 거쳐야 한다. 상기 셀렌화 공정은 외부에서 RTA(Rapid Thermal Annealing) 장비의 챔버 내부로 공급된 셀레늄(Se power, H₂Se) 분위기 하에서 CIGS 박막층을 400 ℃ 내지 600 ℃로 열처리함으로써 수행된다. 그러나, 이러한 셀렌화 공정은 셀레늄 소스(source)의 지나친 남용과 셀레늄에 의한 챔버벽의 심각한 오염을 야기한다. 또한, 셀레늄의 공급량 조절이 용이하여 많이 이용되는 H₂Se는 그 유독성과 부식성으로 인해 사용상 주의가 요구되며, 특수한 폐가스 처리장치를 추가로 설치해야 하는 문제점이 있다.

상기와 같은 H₂Se를 대체할 수 있는 셀레늄 소스로는 순수한 셀레늄 증기, 다이에틸셀레나이드(diethylselenide, DESe)를 사용할 수도 있으나, 셀레늄 증기는 매우 낮은 반응성으로 인해 높은 셀렌화 온도를 필요로 하는 단점을 지니고 있고, DESe는 H₂Se보다 우수한 반응성을 가지고 있으나, 아직까지는 연구개발용에 한정되어 있으며, 인체유해성에 대한 논란이 아직 검증되지 않고 있다.

따라서 보다 안전하면서도, 효율적인 CIGS 광흡수층의 제조방법이 개발될 필요가 있다.

본 발명의 목적은 셀레늄 소스의 사용량을 줄여 보다 안전하면서도 효율적인 CIGS 광흡수층을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제1 기판 및 제2 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 박막층을 각각 형성하는 단계; 상기 각각의 박막층이 서로 대향하도록, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상접시키는 단계; 상기 상접된 제1 기판 및 제2 기판을 가열 및 압착하는 단계; 및 상기 가열 및 압착된 제1 기판 및 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조방법을 제공한다.

본 발명의 CIGS 광흡수층 제조방법에 의하면, 셀렌화 공정 시 외부에서 셀레늄 소스를 공급해 줄 필요가 없고, 종래의 셀렌화 공정에 비하여 셀레늄이 기화되어 손실되는 비율이 감소하는 효과가 있는 바, 보다 안전하고 저렴하면서도 보다 효율적으로 CIGS 광흡수층을 제조할 수 있다.

다만, 본 발명의 효과는 상기에서 언급한 효과로 제한되지 아니하며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 따른 CIGS 광흡수층의 제조 과정을 나타낸 순서도이다.
도 2는 상호-셀렌화(mutual-selenization)의 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 실험예 <1-1> 및 실험예 <1-2>에서 각각 제조된 CIGS 광흡수층에서 셀레늄의 함량을 분석한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 실험예 2에서 제조된 CIGS 광흡수층에서 셀레늄의 함량을 분석한 결과를 나타낸 그래프이다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 한정되지 아니하고, 다른 균등물 또는 대체물을 포함하는 다른 형태로 구체화될 수도 있다.

본 명세서에서 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 위쪽, 상(부), 상면 등의 방향적인 표현은 아래쪽, 하(부), 하면 등의 의미로 이해될 수 있다. 즉, 공간적인 방향의 표현은 상대적인 방향으로 이해되어야 하며, 절대적인 방향을 의미하는 것처럼 한정적으로 이해되어서는 안 된다.

본 명세서에서 "제1", "제2", 또는 "제3"는 구성요소들에 어떠한 한정을 가하려는 것은 아니며, 다만 구성요소들을 구별하기 위한 용어로서 이해되어야 할 것이다.

또한, 본 명세서에서 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하여 위하여 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타내며, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.

먼저, 본 발명의 명세서에서 이용된 용어를 설명한다.

본 발명에서 일컫는 'CIGS(copper-indium-gallium-(di)selenium)'는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)의 4가지 원소가 순차적으로 적층되어 CuIn_xGa_(1-x)Se₂(0≤x≤1)의 화학식을 갖도록 형성된 칼코게나이드 계 화합물 반도체를 의미하며, x 값에 따라 순수 셀렌화 구리 인듐(pure copper indium selenide, CIS) 또는 순수 셀렌화 구리 갈륨(pure copper gallium selenide, CGS)를 포함하는 의미이다.

또한, 본 발명에서 일컫는 '전구체 박막층'는 셀렌화 공정을 거치지 않아, 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄 간의 조성비가 보정되지 않은 상태의 CIGS 박막층을 의미한다.

또한, 본 발명에서 일컫는 '상호-셀렌화(mutual selenization)'는 최상부면의 셀레늄층이 서로 상접하도록 복수 개의 전구체 박막층을 서로 맞대고, 가열 및 압착함으로써 복수 개의 전구체 박막층을 동시에 셀렌화하는 공정을 의미한다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명은 제1 기판 및 제2 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 박막층을 각각 형성하는 단계, 상기 각각의 박막층이 서로 대향하도록, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상접시키는 단계, 상기 상접된 제1 기판 및 제2 기판을 가열 및 압착하는 단계 및 상기 가열 및 압착된 제1 기판 및 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조방법을 제공한다.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 따른 CIGS 광흡수층의 제조 과정을 나타낸 순서도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 CIGS 광흡수층 제조방법은 1) 제1 기판 및 제2 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 박막층을 각각 형성하는 단계, 2) 상기 단계 1)의 기판들을 상접시키는 단계, 3) 상기 단계 3)에서 상접된 기판들을 가열 및 압착하는 단계 및 4) 상기 단계 3)에서 가열 및 압착된 기판들을 분리하는 단계를 포함한다.

도 1a를 참조하면, 1) 복수 개의 기판, 즉 제1 기판(110) 및 제2 기판(150) 상에 동일 또는 상이한 제1 전구체 박막층(210) 및 제2 전구체 박막층(250)을 각각 형성한다.

상기 단계 1)의 제1 기판(110) 및 제2 기판(150)은 CIGS 광흡수층의 지지체가 되는 것으로, 종래의 반도체 공정이 이루어지는 다양한 상용의 웨이퍼일 수 있다. 특히, 상기 두 기판(110, 150)은 유리 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 또는 폴리머 기판일 수 있으나 이에 한정되지 아니하고, 경우에 따라 폴리머 소재의 유연한 기판이 이용될 수도 있다. 상기 두 기판(110, 150)은 동종 또는 이종의 기판이 모두 이용될 수 있다.

상기 단계 1)의 제1 전구체 박막층(210) 및 제2 전구체 박막층(250)은 최종적으로 CIGS 광흡수층으로 형성되는 것으로서, 상기 제1 기판(110) 및 제2 기판(150) 상에 각각 형성된 구리층(211, 251) 상에 인듐층(213, 253) 또는 갈륨층(215, 255)을 적층한 다음, 셀레늄층(217, 257)을 적층하여 형성된다. 따라서, 상기 두 전구체 박막층(210, 250)은 구리층(211, 251), 인듐층(213, 253) 및 셀레늄층(217, 257)이 순차적층되거나, 구리층(211, 251), 갈륨층(215, 255) 및 셀레늄층(217, 257)이 순차적층된 구조로 형성될 수도 있고, 또는 구리층(211, 251), 인듐층(213, 253), 갈륨층(215, 255) 및 셀레늄층(217, 257)이 순차적층된 구조로 형성될 수도 있다.

상기 두 전구체 박막층(210, 250)은 동시증발법(co-evaporation), 스퍼터링법(sputtering) 등과 같은 진공법에 의하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 전구체 박막층(210, 250)은 전기도금법(electrodeposition), 나노입자를 이용한 잉크프린팅법(ink-printing) 등과 같은 비진공법에 의하여 형성될 수 있다.

상기 두 전구체 박막층(210, 250)은 서로 독립적으로 형성된다. 따라서, 상기 두 전구체 박막층(210, 250)이 동일한 구조로 형성될 수도 있고, 상이한 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 두 전구체 박막층(210, 250)은 동일한 방법으로 형성될 수도 있고, 상이한 방법으로 형성될 수도 있다.

도 1b를 참조하면, 2) 상기 단계 1)에서 형성된 두 전구체 박막층(210, 250)이 서로 대면하도록 상기 제1 기판(110) 및 제2 기판(150)을 맞대어 상접시킨다.

상기 단계 2)의 상접에 의하여, 상기 제1 기판(110) 상에 형성된 제1 전구체 박막층(210)의 최상층인 셀레늄층(217)과, 상기 제2 기판(150) 상에 형성된 제2 전구체 박막층(250)의 최상층인 셀레늄층(257)이 서로 맞닿아 상접된다.

상기 상접된 두 셀레늄층(217, 257)은 후술되는 상호-셀렌화(mutual-selenization) 과정에서 서로 셀레늄의 소스(source)가 된다. 따라서, 상호-셀렌화 과정이 진행되는 동안 별도의 셀레늄을 공급해 줄 필요가 없고, 두 셀레늄 소스가 서로 맞닿아 접하고 있기 때문에 셀레늄의 손실 또한 최소화된다.

도 1c 및 도 1d를 참조하면, 3) 상기 단계 2)에서 상접된 제1 기판(110) 및 제2 기판(150)에 열과 압력을 가하여, 상기 제1 전구체 박막층(210)과 제2 전구체 박막층(250)을 상호-셀렌화(mutual-selenization)시킨다.

상기 단계 3)의 가열은 상기 단계 2)의 상접에 의하여 서로 맞닿은 두 셀레늄층(217, 257)의 셀레늄이 기화될 수 있는 온도, 바람직하게는 250 ℃ 내지 700 ℃, 더욱 바람직하게는 350 ℃ 내지 550 ℃ 까지 열을 가함으로써 수행된다. 또한, 상기 단계 3)의 압착은 상기 제1 기판(110) 및 제2 기판(150)이 대면하여 상접한 방향으로 10 ㎏f/㎠ 내지 50 ㎏f/㎠의 압력을 가함으로써 수행된다.

상기 단계 3)의 가열 및 압착에 의해, 상기 제1 전구체 박막층(210) 및 상기 제2 전구체 박막층(250)이 서로 셀렌화되고, 이로써 CIGS 광흡수층이 된다.

도 1d를 참조하면, 4) 상기 단계 3)에서 전구체 박막층(210, 250)이 셀렌화되어 제조된 CIGS 광흡수층이 분리되도록, 상기 제1 기판(110) 및 제2 기판(150)을 분리한다.

상기 단계 4)에서 분리된 제1 기판(110) 및 제2 기판(150) 상의 셀렌화된 박막층은 모두 CIGS 광흡수층으로 이용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 CIGS 광흡수층 제조방법은 한 번의 공정으로 두 전구체 박막층을 동시에 셀렌화시켜 두 개의 CIGS 광흡수층을 제조할 수 있다.

도 2는 상호-셀렌화(mutual-selenization)의 원리를 설명하기 위한 도면이다.

도 2를 참조하면, 상기 단계 3)의 가열에 의하여 셀레늄층(217 또는 257)의 셀레늄(230)이 기화되고, 상기 셀레늄(230) 기체 분자는 상접하고 있는 다른 셀레늄층(257 또는 217)의 빈 공간으로 상호 확산되어 들어가게 된다. 상기와 같은 상호 확산은 상기 두 셀레늄층(217, 257) 간의 셀레늄(230) 농도가 동일해 질 때 까지 계속되고, 최종적으로 서로 대면하고 있는 셀레늄층(217, 257)의 셀레늄(230) 농도가 동일하게 맞추어 진다. 상기와 같은 셀레늄(230) 농도의 보정을 통해 최종적으로 제조되는 CIGS 광흡수층의 셀렌 조성비를 일정하게 유지할 수 있게 된다. 또한, 상기 단계 3)의 압착에 의하여 상기 셀레늄층(217, 257) 내 셀레늄(230)의 결정성이 향상되고, 상기 단계 3)의 가열에 의한 셀레늄(230)의 손실이 더욱 최소화된다.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실험예를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의하여 한정되는 것은 아니다.

<실험예 1> 온도별 열처리에 따른 CIGS 광흡수층 내 셀레늄 함유량

<1-1> 상호-셀렌화에 의한 CIGS 광흡수층의 제조

전기도금법을 이용하여 두 개의 실리콘 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 전구체 박막층을 각각 형성하였다. 상기와 같이 제조된 두 박막층을 상접시키고, 25 ㎏f/㎠의 압력으로 압착시키면서 25 ℃, 250 ℃, 350 ℃, 450 ℃ 및 550 ℃의 열을 각각 가하여 두 박막층을 상호-셀렌화시켰다. 그런 다음, 상기 박막층을 분리하여 CIGS 광흡수층을 제조하였다.

<1-2> 어닐링(annealing)에 의한 CIGS 광흡수층의 제조

전기도금법을 이용하여 한 개의 실리콘 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 전구체 박막층을 형성하였다. 상기와 같이, 전구체 박막층이 형성된 실리콘 기판을 RTA(Rapid Thermal Annealing) 장비의 챔버 내에 넣고, 셀레늄 분말을 공급하면서 25 ℃, 250 ℃, 350 ℃, 450 ℃ 및 550 ℃의 열을 가하여 박막층을 셀렌화시켜 CIGS 광흡수층을 제조하였다.

<1-3> CIGS 광흡수층 내의 셀레늄 함유량 분석

상기 실험예 <1-1> 및 실험예 <1-2>에서 각각 제조된 CIGS 광흡수층에서 셀레늄의 함량을 분석하였고, 그 결과를 하기 표 1 및 도 3에 나타내었다.

상기 결과로부터, 가열 및 압착에 의한 상호-셀렌화 과정을 통해 제조된 CIGS 광흡수층이 종래의 RTA로 셀렌화시켜 제조된 CIGS 광흡수층보다 셀레늄을 높은 비율로 함유하고 있음을 알 수 있다. 상호-셀렌화 과정에서 가해지는 온도가 높을수록, 상호-셀렌화 과정을 통해 제조된 CIGS 광흡수층과 종래의 RTA로 셀렌화시켜 제조된 CIGS 광흡수층 간의 셀레늄 함량 차이는 더욱 커진다. 즉, 상호-셀렌화 과정에서 가해지는 열의 온도가 높을수록 셀레늄의 손실이 감소한다. 특히, 온도가 250 ℃를 넘어서면서 부터는 종래의 RTA로 셀렌화시켜 제조된 CIGS 광흡수층에 비해 상호-셀렌화 과정을 통해 제조된 CIGS 광흡수층에서 셀레늄의 손실이 4% 정도 감소하였음을 확인하였다.

<실험예 2> 압력별 압착에 따른 CIGS 광흡수층 내 셀레늄 함유량

전기도금법을 이용하여 두 개의 실리콘 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 전구체 박막층을 각각 형성하였다. 상기와 같이 제조된 두 박막층을 상접시키고, 550 ℃의 열을 가하면서 5 ㎏f/㎠, 10 ㎏f/㎠, 15 ㎏f/㎠, 20 ㎏f/㎠, 25 ㎏f/㎠ 및 30 ㎏f/㎠의 압력으로 각각 압착시켜 두 박막층을 상호-셀렌화시켰다. 그런 다음, 상기 박막층을 분리하여 CIGS 광흡수층을 제조하였다.

상기와 같이 제조된 CIGS 광흡수층에서 셀레늄의 함량을 분석하였고, 그 결과를 하기 표 2 및 도 4에 나타내었다.

상기 결과로부터, 가열 및 압착에 의한 상호-셀렌화 과정을 통해 제조된 CIGS 광흡수층의 경우, 상호-셀렌화 과정에서 가해지는 압력이 클수록 셀레늄의 함유량이 더욱 증가하고, 특히, 압력이 25 ㎏f/㎠를 넘어서면서 부터는 셀레늄의 함유량이 50%를 초과함을 확인하였다. 즉, 상호-셀렌화 과정에서 가해지는 압력이 클수록 셀레늄의 손실이 감소함을 알 수 있다. 이는 압착에 의해, 셀레늄이 기화되어 날아갈 수 있는 공간이 줄어들었기 때문인 것으로 판단된다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 상기와 같은 특정 실시예에만 한정되지 아니하며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경이 가능할 것이다.

Claims

제1 기판 및 제2 기판 상에 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄이 순차적으로 적층된 박막층을 각각 형성하는 단계;
상기 각각의 박막층이 서로 대향하도록, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 상접시키는 단계;
상기 상접된 제1 기판 및 제2 기판을 가열 및 압착하는 단계; 및
상기 가열 및 압착된 제1 기판 및 제2 기판을 분리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 박막층은 진공법 또는 비진공법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 진공법은 동시증발법(co-evaporation) 또는 스퍼터링법(sputtering)인 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 비진공법은 전기도금법(electrodeposition)인 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 상접시키는 단계에 의하여 상기 박막층의 셀레늄이 상접되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 가열은 셀레늄의 기화가 가능한 온도까지 열을 가함으로서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법.
제6항에 있어서, 상기 셀레늄의 기화가 가능한 온도는 250 ℃ 내지 700 ℃인 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 압착은 10 ㎏f/㎠ 내지 50 ㎏f/㎠의 압력을 가함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 분리에 의하여 두 개의 셀렌화된 CIGS 광흡수층이 수득되는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층 제조방법.