KR101377273B1 - 레이저를 이용한 연성 회로 기판의 제조 시스템 및 그 제조 방법 - Google Patents

레이저를 이용한 연성 회로 기판의 제조 시스템 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 시스템은 모재 내에 금속 화합물이 분산된 기판을 공급하는 공급롤을 포함하는 롤투롤 장치, 상기 공급롤에서 공급되는 기판에 레이저를 조사하여 상기 금속 화합물을 분해하여 상기 기판에 시드 패턴을 형성하는 레이저 장치, 상기 레이저 장치에 의해 상기 시드 패턴이 형성된 기판을 침지시켜 무전해 도금하여 상기 시드 패턴 위에 회로 패턴을 형성하는 도금 장치를 포함하고, 상기 금속 화합물은 티탄(Ti), 철(Fe), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 스트론튬(Sr), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co) 중에서 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합을 포함하는 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물일 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 화합물은 모재 내에 균일하게 분산되므로 레이저를 이용하여 기판에 미세 패턴을 형성하기 용이하다.

Description

레이저를 이용한 연성 회로 기판의 제조 시스템 및 그 제조 방법{MANUFACTURING SYSTEM OF FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD USING LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 연성 회로 기판의 제조 시스템 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저를 이용한 연성 회로 기판의 제조 시스템 및 그 제조 방법 에 관한 것이다.
일반적으로 여러 전자기기에서 굴곡이 많은 부위에 전기적으로 두 구간을 연결시키는 위하여 연성 회로 기판(FPCB, Flexible Printed Cirucit Board)이 이용된다.
상기 연성 회로 기판이 갖는 굴곡성에 의해 반복적인 절첩이 이루어지는 핸드폰이나 노트북에 적용되어 디스플레이측 PCB와 본체측 PCB를 연결하는 연결수단으로 사용되는 등 다양한 형태의 전자기기에 적용되고 있다.
이러한 연성 회로 기판의 제조방법으로는 리소그래피(lithography)와 같이 노광과 화학용액을 이용한 에칭으로 패턴을 형성시키는 식각방법과, 프린팅에 의해 패턴틀을 형성한 후 에칭 및 도금공정을 수행하는 프린팅 방법 등 다수의 제조방법이 공지되어 있다.
일예로 비교적 간단한 공정을 갖는 프린팅에 의한 연성회로기판의 제조방법을 개략적으로 설명하면, 금속지그의 상측에 세라믹소재를 적재하고, 적재된 세라믹소재를 에칭하여 패턴을 형성하며, 형성된 패턴의 홈에 무전해도금 방법으로 니켈을 도금하고, 니켈도금층 상부에 접착제를 도포한 후 플렉시블필름을 부착하며, 금속기판과 도금패턴이 부착되 플렉시블 필름을 분리하는 단계를 통해 연성 회로 기판을 제조한다.
이와같이 종래 방법은 다수의 작업공정으로 제조되기 때문에 생산비와 설비비가 증가되고 생산성이 저하되며, 에칭공정시 폐수가 다량 발생하여 이를 정화하기 위한 처리비용이 증가되는 단점이 있다.
본 발명은 상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 레이저를 이용하여 간단하게 기판 상에 회로 패턴을 형성하는 연성 회로 기판의 제조 시스템 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 기판에 미세 패턴을 형성하기 용이한 연성 회로 기판의 제조 시스템 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 시스템은 모재 내에 금속 화합물이 분산된 기판을 공급하는 공급롤을 포함하는 롤투롤 장치, 상기 공급롤에서 공급되는 기판에 레이저를 조사하여 상기 금속 화합물을 분해하여 상기 기판에 시드 패턴을 형성하는 레이저 장치, 상기 레이저 장치에 의해 상기 시드 패턴이 형성된 기판을 침지시켜 무전해 도금하여 상기 시드 패턴 위에 회로 패턴을 형성하는 도금 장치를 포함하고, 상기 금속 화합물은 티탄(Ti), 철(Fe), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 스트론튬(Sr), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co) 중에서 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합을 포함하는 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물일 수 있다.
상기 금속 화합물은 무채색 계열의 CuCr2O4, (CuFe)(CrFe)2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCO3과 유채색 계열의 Al2O3, AlN, (Ti,Sb,Ni)O2, (Ti,Sb,Ni,Co)O2, (Ti,Nb,Ni)O2, (Ti,Nb,Ni,Co)O2, (Ti,Ni,W)O2, (Ti,Fe,W)O2, 2NiO,3BaO,17TiO2, (Zn,Fe)Fe2O4, (Ti,Sb,Cr)O2, (Zn,Fe)(Fe,Cr)2O4, CoAl2O4, Co2SiO4, CoAl2O4:TiO2:Li2O, Co(Al,Cr) 2O4, (Co,Zn) 2SiO4, C32H16CuN8, Co2TiO4:NiO:Li2O, (Co,Ni,Zn) 2TiO4, Cr2O3:Fe2O2, C55H72O5N4Mg, C55H70O6N4Mg, CoLiPO4 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 시드 패턴이 형성된 기판을 담궈 상기 시드 패턴이 형성된 기판 위에 부착된 파티클을 제거하는 세정 장치를 더 포함할 수 있다.
상기 세정 장치에는 나노 버블 또는 마이크로 버블을 제조하는 초음파 세정기가 부착되어 있을 수 있다.
상기 세정 장치에는 오존 또는 수소가 용해된 초순수를 포함하는 세정액이 채워져있을 수 있다.
상기 세정액을 제조하고, 상기 세정 장치로 상기 세정액을 공급하는 반응조를 더 포함할 수 있다.
상기 기판을 세정한 상기 세정액을 상기 세정조에서 유출하여 상기 반응조로 다시 유입하는 경로 상에 설치되어 상기 세정액을 정제하는 필터를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법은 모재 내에 금속 화합물이 분산된 기판을 제조하는 단계, 상기 기판을 롤투롤 장치의 공급롤에 설치하는 단계, 상기 공급롤에서 공급되는 기판에 레이저를 조사하여 상기 금속 화합물을 분해하여 상기 기판에 시드 패턴을 형성하는 단계, 상기 시드 패턴이 형성된 기판을 도금조에 침지시켜 무전해 도금하여 상기 시드 패턴 위에 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속 화합물은 티탄(Ti), 철(Fe), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 스트론튬(Sr), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co) 중에서 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합을 포함하는 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물일 수 있다.
상기 금속 화합물은 무채색 계열의 CuCr2O4, (CuFe)(CrFe)2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCO3과 유채색 계열의 Al2O3, AlN, (Ti,Sb,Ni)O2, (Ti,Sb,Ni,Co)O2, (Ti,Nb,Ni)O2, (Ti,Nb,Ni,Co)O2, (Ti,Ni,W)O2, (Ti,Fe,W)O2, 2NiO,3BaO,17TiO2, (Zn,Fe)Fe2O4, (Ti,Sb,Cr)O2, (Zn,Fe)(Fe,Cr)2O4, CoAl2O4, Co2SiO4, CoAl2O4:TiO2:Li2O, Co(Al,Cr) 2O4, (Co,Zn) 2SiO4, C32H16CuN8, Co2TiO4:NiO:Li2O, (Co,Ni,Zn) 2TiO4, Cr2O3:Fe2O2, C55H72O5N4Mg, C55H70O6N4Mg, CoLiPO4 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 시드 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 시드 패턴이 형성된 기판을 초음파 세정기를 포함하는 세정 장치에 침지시켜 상기 기판 위에 부착된 파티클을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 세정 장치는 오존 또는 수소가 용해된 초순수를 포함하는 세정액을 이용하여 상기 기판 위에 부착된 파티클을 제거할 수 있다.
상기 세정액은 초순수와 오존 또는 수소가 용해되는 반응조에서 상기 세정 장치로 공급될 수 있다.
상기 기판을 세정한 상기 세정액은 상기 세정 장치에서 유출되어 필터에서 정제되어 상기 반응조로 다시 유입될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 화합물은 모재 내에 균일하게 분산되므로 레이저를 이용하여 기판에 미세 패턴을 형성하기 용이하며, 모재 내에 금속 화합물이 분산된 기판은 휘거나 구부릴 경우 비도전성 입자가 내부에서 한 지점으로 몰리거나 외부로 이탈되는 문제가 발생하지 않는다.
또한, 오존(O3) 또는 수소(H2)가 용해된 초순수를 포함하는 세정액(310)이 채워지고, 나노 버블 또는 마이크로 버블을 제조하는 초음파 세정기(340)가 부착된 세정 장치에 시드 패턴이 형성된 기판을 침지시켜 기판을 세정함으로써 기판에 부착된 파티클을 제거하여 회로 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 시스템의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3은 기판에 설계한 레이저 조사 패턴을 도시한 사시도이다.
도 4는 기판에 레이저를 조사하는 단계를 도시한 단면도이다.
도 5는 기판에 레이저를 조사하여 형성한 시드 패턴을 도시한 사시도이다.
도 6은 기판에 레이저를 조사하여 형성한 금속 시드와 파티클을 확대 도시한 단면도이다.
도 7은 기판에 무전해 도금을 진행하여 회로 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도이다.
도 8은 기판에 무전해 도금을 진행하여 형성한 회로 패턴을 도시한 사시도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명한다. 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 도면에서 나타낸 각 구성의 크기 등은 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 시스템의 개략도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 시스템은 모재(母材)(11) 내에 금속 화합물(Metalic Complex)(12)이 분산된 기판(10)을 공급하는 공급롤(110)을 포함하는 롤투롤 장치(100), 공급롤(110)에서 공급되는 기판(10)의 표면에 레이저(210)를 조사하여 기판(10)에 시드 패턴(2)을 형성하는 레이저 장치(200), 시드 패턴(2)이 형성된 기판(10)을 담궈 시드 패턴(2)이 형성된 기판(10) 위에 부착된 파티클(11b)을 제거하는 세정 장치(300), 세정 장치(300)를 통과한 기판(10)을 침지(沈漬)시켜 무전해 도금하여 시드 패턴(2) 위에 회로 패턴(3)을 형성하는 도금 장치(400)를 포함한다.
롤투롤 장치(100)는 모재(11) 내에 금속 화합물(12)이 균일하게 분산된 기판(10)을 일정한 속도로 레이저 장치의 아래로 공급하는 공급롤(110), 기판(10)을 지지하며 기판(10)을 이송시키는 이송부(120), 세정 장치(300)의 유입부 및 유출부에 위치하여 기판(10)을 휘어 기판(10)이 세정 장치(300)에 침지되도록 하는 침지 롤러(130), 도금 장치(400)의 유입부 및 유출부에 위치하여 기판(10)을 휘어 기판(10)이 도금 장치(400)에 침지되도록 하는 도금 롤러(140)를 포함한다.
모재(11)는 칩(chip)과 같은 전자 소자들이 납접될 수 있도록 열적 안정성이 우수한 물질을 사용할 수 있다. 이러한 모재(11)로는 FR-4(Flame Retardant composition 4)의 유리 에폭시(Glass Epoxy, GE), 비스말레이미드 트리아진(Bismaleimide Triazine, BT), 폴레에스테르이미드(Polyesterimide), 테프론(Teflon), 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리아미드(Polyamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate, PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(Polybutylene Terephthalate, PBT) 및 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC)를 사용할 수 있고, 이들을 조합하여 사용할 수도 있다.
금속 화합물(12)은 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물로서, 레이저(210)가 금속 화합물(12)에 조사될 경우 비도전성 입자인 금속 화합물(12)은 분해되어 금속 시드(seed)(13)를 발생시킨다. 금속 화합물(12)은 티탄(Ti), 철(Fe), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 스트론튬(Sr), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co) 중에서 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합을 포함하는 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물일 수 있다. 금속 화합물(12)의 구체적인 예로서 무채색 계열의 CuCr2O4, (CuFe)(CrFe)2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCO3 등과 유채색 계열의 Al2O3, AlN 등과 같은 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물이 대표적이나, 본 발명이 이들 금속 화합물(12)의 종류에 한정되는 것은 아니다. 유채색 계열의 금속 화합물로는 노란색의 (Ti,Sb,Ni)O2, (Ti,Sb,Ni,Co)O2, (Ti,Nb,Ni)O2, (Ti,Nb,Ni,Co)O2, (Ti,Ni,W)O2, (Ti,Fe,W)O2, 2NiO,3BaO,17TiO2, (Zn,Fe)Fe2O4, 갈색의 (Ti,Sb,Cr)O2, (Zn,Fe)(Fe,Cr)2O4, 파란색의 CoAl2O4, Co2SiO4, CoAl2O4:TiO2:Li2O, Co(Al,Cr) 2O4, (Co,Zn) 2SiO4, C32H16CuN8, 녹색의 Co2TiO4:NiO:Li2O, (Co,Ni,Zn) 2TiO4, Cr2O3:Fe2O2, C55H72O5N4Mg, C55H70O6N4Mg, 보라색의 CoLiPO4 등이 있다.
이러한 금속 화합물(12)은 모재 내에 균일하게 분산되므로 기판(10)에 미세 패턴을 형성하기 용이하다. 또한, 금속 화합물(12)은 레이저(210)에 조사되기 전에는 비도전성 입자이므로 별도의 절연부재로 코팅할 필요가 없어 금속 화합물(12)의 크기는 작게 유지될 수 있다. 따라서, 모재(11) 내에 금속 화합물(12)이 분산된 기판(10)은 휘거나 구부릴 경우 비도전성 입자가 내부에서 한 지점으로 몰리거나 외부로 이탈되는 문제가 발생하지 않는다.
레이저 장치(200)는 레이저(210)를 기판(10)에 조사하여 기판(10) 내에 분산된 금속 화합물(12)을 분해하여 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 등의 도금을 위한 금속 시드를 발생시킨다. 레이저(210)가 조사되기 전의 기판(10)에 분산된 금속 화합물(12)은 도전성이 없으나, 레이저(210)에 의해 분해된 금속 화합물(12)은 금속 시드를 발생시켜 비로소 도전성을 가지게 된다.
레이저(210)는 기판(10) 상에 시드 패턴(2)을 형성하기 위하여 조사하는 것으로서, 기판(10)의 모재(11)와 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물로 이루어진 금속 화합물(12) 모두에 흡수되는 파장을 가질 수 있다. 즉, 레이저(210)는 100nm대의 자외성 파장으로부터 10.6um의 적외선에 이르기까지의 파장을 가질 수 있으며 무채색 계열의 CuCr2O4, (CuFe)(CrFe)2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCO3의 금속 화합물인 경우 1060nm영역의 근적외선이 적합하며 유채색 계열의 Al2O3, AlN, (Ti,Sb,Ni)O2, (Ti,Sb,Ni,Co)O2, (Ti,Nb,Ni)O2, (Ti,Nb,Ni,Co)O2, (Ti,Ni,W)O2, (Ti,Fe,W)O2, 2NiO,3BaO,17TiO2, (Zn,Fe)Fe2O4, (Ti,Sb,Cr)O2, (Zn,Fe)(Fe,Cr)2O4, CoAl2O4, Co2SiO4, CoAl2O4:TiO2:Li2O, Co(Al,Cr) 2O4, (Co,Zn) 2SiO4, C32H16CuN8, Co2TiO4:NiO:Li2O, (Co,Ni,Zn) 2TiO4, Cr2O3:Fe2O2, C55H72O5N4Mg, C55H70O6N4Mg, CoLiPO4 의 경우에는 355nm 영역 이하의 자외선 레이저가 적합하다.
레이저(210)가 자외선 영역의 파장보다 큰 파장을 가지는 경우, 레이저(210)가 모재(11)와 금속 화합물(12) 모두에 흡수되기 어렵다.
이와 같이, 열선인 적외선 영역의 파장을 가지는 레이저(210)에 비해 자외선 영역의 파장을 가지는 레이저(210)를 사용함으로써 기판(10)에 미치는 열적 영향을 최소화할 수 있다.
세정 장치(300)에는 오존(O3) 또는 수소(H2)가 용해된 초순수를 포함하는 세정액(310)이 채워져있다. 이러한 세정액(310)은 가스 상태의 오존(O3) 또는 수소(H2)를 초순수에 용해시켜 제조한다. 따라서, 세정액(310)은 산화성 또는 환원성을 가져 세정 기능을 수행하게 된다.
이러한 세정액(310)을 제조하여 세정 장치(300)로 세정액(310)을 공급하는 반응조(320)가 세정 장치(300)와 연결되어 있다. 그리고, 기판(10)을 세정한 세정액(310)을 세정 장치(300)에서 유출하여 반응조(320)로 다시 유입하는 경로 상에는 세정액(310)을 정제하는 필터(330)가 설치되어있다.
세정 장치(300)에는 나노 버블 또는 마이크로 버블을 제조하는 초음파 세정기(340)가 부착되어 있다. 레이저 조사 시 모재(11)와 금속 화합물(12)이 분해되며 발생한 파티클(particle)(11b)은 기판(10) 및 시드 패턴(2) 위에 부착된다. 초음파 세정기(340)에서 발생한 나노 버블 또는 마이크로 버블은 이러한 파티클(11b)을 기판(10) 및 시드 패턴(2)으로부터 진동에 의해 이탈시켜 제거한다.
도금 장치(400)에는 기판(10)에 분산된 금속 화합물(12)의 일부 성분과 동일한 성분으로 형성된 도금액(410)이 채워져 있다.
도금액(410)은 예컨대, 14.98g(0.06M)의 CuSO4, 35.06g(0.12M)의 EDTA, 10g의 HCHO, 10mg의 2.2Bipylidine((C2H4N)2), pH 12.6의 NaOH를 포함하며, 약 70도 이상의 온도에서 10분 정도 기판(10)이 도금액(410)에 침지된다.
또한, 0.5 내지 3㎛ 두께의 박막용 도금액(410)은 황산동(CuSO4.5H2O) 및 2.5g/l의 Cu, 착화제로서 16g/l의 롯셀염 (KNaC4H4O6.4H2O), 환원제로서 10g/l의 37% HCHO, PH 조정제로서 pH가 13이 되는 농도의 NaOH, 안정제로서 10ml/g NaCN, 미량 첨가제로서 1mg/l의 티오사과산(HSCHCOOHCH2COOH)을 포함하며, 약 25도의 온도에서 기판(10)이 이러한 도금액(410)에 침지된다.
또한, 3 내지 50㎛ 두께의 두께용 도금액(410)은 산화동(CuO) 및 2.0g/l의 Cu, 착화제로서 74g/l의 EDTA((HOOCCH2)2NCH2CH2N(CH2COOH)2), 환원제로서 파라포름알데하이드((CH2O)n) 및 5g/l의 HCHO, PH 조정제로서 pH가 12.5가 되는 농도의 KOH, 안정제로서 10mg/l의 2.2Bipylidine((C2H4N)2), 미량 첨가제로서 100mg/l의 PEG 1000((CH2CH2O)n)을 포함하며, 약 60도의 온도에서 기판(10)이 이러한 도금액(410)에 침지된다.
이러한 도금액(410)은 시드 패턴(2)을 성장시켜 회로 패턴(3)을 형성하게 된다.
상기 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 시스템을 이용한 제조 방법에 대해 이하에서 도면을 참고로 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 나타낸 순서도이고, 도 3은 기판에 설계한 레이저 조사 패턴을 도시한 사시도이고, 도 4는 기판에 레이저를 조사하는 단계를 도시한 단면도이고, 도 5는 기판에 레이저를 조사하여 형성한 시드 패턴을 도시한 사시도이고, 도 6은 기판에 레이저를 조사하여 형성한 금속 시드와 파티클을 확대 도시한 단면도이고, 도 7은 기판에 무전해 도금을 진행하여 회로 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도이고, 도 8은 기판에 무전해 도금을 진행하여 형성한 회로 패턴을 도시한 사시도이다.
우선, 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법은 모재(11) 내에 금속 화합물(12)이 분산된 기판(10)을 제조한다(S10).
다음으로, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(10)을 롤투롤 장치(100)의 공급롤(110)에 설치한다(S20). 그리고, 공급롤(110)은 기판(10)을 일정한 속도로 레이저 장치(200)의 아래로 공급한다. 이 때, 롤투롤 장치(100)의 이송부(120)는 기판(10)을 지지하며 기판(10)을 이송시킨다.
다음으로, 도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 레이저(210)를 조사하여 기판(10) 위에 시드 패턴(2)을 형성한다(S30).
이하에서 도 2 내지 도 5를 참조하여 기판(10) 상에 시드 패턴(2)을 형성하는 단계를 구체적으로 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 기판(10) 상에 형성할 회로 패턴(3)에 따라 레이저 조사 패턴(1)를 미리 설계한다. 도 3에서는 기판(10) 상의 4 지점(A, B, C 및 D)을 연결하기 위하여 대략 H 형상의 선을 따라 레이저 조사 패턴(1)을 형성하는 경우를 예시하고 있다. 레이저 장치(200)의 제어부에 레이저 조사 패턴(1)에 관한 정보를 입력하여 레이저 조사 시 설계된 레이저 조사 패턴(1)대로 회로 패턴(3)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 레이저 조사 패턴(1)을 따라 레이저(210)를 조사하여 기판(10) 위에 시드 패턴(2)를 형성한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 기판(10)에 레이저(210)를 조사하는 경우, 기판(10)에 함유된 금속 화합물(12)은 레이저(210)를 흡수하여 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 등의 금속 시드(11a)를 발생시킨다. 따라서, 금속 시드(11a)가 노출된 시드 패턴(2)이 형성되며, 기판(10)의 시드 패턴(2)은 회로 패턴(3)을 형성할 수 있도록 무전해 도금이 가능한 상태가 된다.
시드 패턴(2)는 소정의 깊이를 갖는 홈 형태로 형성된다. 홈의 깊이는 5㎛ 내지 1㎜ 정도로 형성할 수 있는데, 홈의 깊이는 기판(10) 상의 레이저 조사 패턴(11)을 따라 조사되는 레이저(10)의 강도를 제어함으로써 조절할 수 있다.
레이저(210)의 조사 시 금속 화합물(12)뿐만 아니라 모재(11)도 레이저(210)를 흡수하여 금속 화합물(12)과 폴리이미드 등으로 이루어진 모재(11)가 모두 분해되므로 도금을 위한 구리(Cu), 크롬(Cr) 등의 금속 시드(11a)뿐만 아니라 탄소(C)와 탄화수소(CnHm)등에 의한 파티클(112)이 기판(10) 및 시드 패턴(2) 위에 형성된다. 이러한 파티클(11b)은 시드 패턴(2)에서 무전해 도금이 이루어지는 것을 방해하게 된다.
다음으로, 도 1에 도시한 바와 같이, 시드 패턴(2)이 형성된 기판(10)을 초음파 세정기(340)를 포함하는 세정 장치(300)에 침지시켜 기판(10) 위에 부착된 파티클(11b)을 제거한다(S40). 초음파 세정기(340)에서 발생한 나노 버블 또는 마이크로 버블은 이러한 파티클(11b)을 기판(10) 및 시드 패턴(2)으로부터 진동에 의해 이탈시켜 제거한다.
또한, 세정 장치(300)에는 오존(O3) 또는 수소(H2)가 용해된 초순수를 포함하여 산화성 또는 환원성을 가지는 세정액(310)이 채워져 있으므로, 세정액(310)은 세정 기능을 보다 더 잘 수행하게 된다.
그리고, 기판(10)을 세정한 세정액(310)을 세정 장치(300)에서 유출하여 반응조(320)로 다시 유입하는 경로 상에는 필터(330)가 설치되어있어 세정액(310)을 정제한다. 따라서, 세정액(310)의 세정 기능을 장기간 유지시킬 수 있다.
이와 같이, 세정 장치를 이용하여 기판(10)의 시드 패턴(2)에서 금속 시드(11a)만 남기고 파티클(11b)을 제거하므로 도금이 용이해진다.
다음으로, 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 시드 패턴(2)을 무전해 도금하여 기판(10) 상에 회로 패턴(3)을 형성한다(S50). 이 때, 무전해 도금의 재료로는 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au) 및 은(Ag) 등을 사용할 수 있다. 이와 같이, 기판(10)이 금속 화합물(12)을 포함함으로써 레이저 조사할 때 금속 화합물(12)이 분해되어 발생한 금속 시드(11a)가 노출된 시드 패턴(2)를 형성하고, 이를 도금하여 회로 패턴(3)을 형성함으로써, 노광 및 에칭 공정 등이 없이 간단한 방식으로 회로 패턴(3)을 형성할 수 있게 된다.
한편, 무전해 도금을 수행한 후 필요에 따라 시드 패턴(2)를 무전해 도금한 후, 추가로 전해 도금할 수도 있다. 전해 도금은 도금층을 보다 두껍게 형성하여 회로 패턴(3)을 두껍게 형성하기 위한 것으로서, 이는 필요한 회로 패턴(13)의 두께에 따라 선택적으로 수행될 수 있다.
이상에서, 본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 설명하였지만, 본 발명이 이들 실시예들에 한정되지는 않는다. 이와 같이 본 발명의 범위는 다음에 기재하는 특허청구범위의 기재에 의하여 결정되는 것으로, 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
1: 레이저 조사 패턴 2: 시드 패턴
3: 회로 패턴 10: 기판
11: 모재 11a: 금속 시드
11b: 파티클 12: 금속 화합물
100: 롤투롤 장치 110: 공급롤
120: 이송부 130: 침지 롤러
140: 도금 롤러 200: 레이저 장치
210: 레이저 300: 세정 장치
310: 세정액 320: 반응조
330: 필터 340: 초음파 세정기
400: 도금 장치 410: 도금액

Claims (13)

  1. 모재 내에 비도전성의 금속 화합물이 분산된 기판을 공급하는 공급롤을 포함하는 롤투롤 장치,
    상기 공급롤에서 공급되는 기판에 레이저를 조사하여 상기 금속 화합물을 분해하여 상기 기판에 시드 패턴을 형성하는 레이저 장치,
    상기 레이저 장치에 의해 상기 시드 패턴이 형성된 기판을 침지시켜 무전해 도금하여 상기 시드 패턴 위에 회로 패턴을 형성하는 도금 장치,
    상기 시드 패턴이 형성된 기판을 담궈 상기 시드 패턴이 형성된 기판 위에 부착된 파티클을 제거하는 세정 장치
    를 포함하고,
    상기 파티클은 상기 모재가 분해되어 형성되며,
    상기 금속 화합물은 티탄(Ti), 철(Fe), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 스트론튬(Sr), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co) 중에서 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합을 포함하는 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물이고,
    상기 금속 화합물은 무채색 계열의 금속 화합물과 유채색 계열의 금속 화합물을 포함하고, 상기 유채색 계열의 금속 화합물에는 100nm 이상 355nm 이하의 자외선 파장을 가지는 상기 레이저를 조사하고, 상기 무채색 계열의 금속 화합물에는 근적외선 파장을 가지는 상기 레이저를 조사하고,
    상기 세정 장치에는 나노 버블 또는 마이크로 버블을 제조하는 초음파 세정기가 부착되어 있는 연성 회로 기판의 제조 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무채색 계열의 금속 화합물은 CuCr2O4, (CuFe)(CrFe)2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCO3중에서 선택된 어느 하나이고, 상기 유채색 계열의 금속 화합물은 Al2O3, AlN, (Ti,Sb,Ni)O2, (Ti,Sb,Ni,Co)O2, (Ti,Nb,Ni)O2, (Ti,Nb,Ni,Co)O2, (Ti,Ni,W)O2, (Ti,Fe,W)O2, 2NiO,3BaO,17TiO2, (Zn,Fe)Fe2O4, (Ti,Sb,Cr)O2, (Zn,Fe)(Fe,Cr)2O4, CoAl2O4, Co2SiO4, CoAl2O4:TiO2:Li2O, Co(Al,Cr) 2O4, (Co,Zn) 2SiO4, C32H16CuN8, Co2TiO4:NiO:Li2O, (Co,Ni,Zn) 2TiO4, Cr2O3:Fe2O2, C55H72O5N4Mg, C55H70O6N4Mg, CoLiPO4 중에서 선택된 어느 하나인 연성 회로 기판의 제조 시스템.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 세정 장치에는 오존 또는 수소가 용해된 초순수를 포함하는 세정액이 채워져있는 연성 회로 기판의 제조 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 세정액을 제조하고, 상기 세정 장치로 상기 세정액을 공급하는 반응조를 더 포함하는 연성 회로 기판의 제조 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기판을 세정한 상기 세정액을 상기 세정 장치에서 유출하여 상기 반응조로 다시 유입하는 경로 상에 설치되어 상기 세정액을 정제하는 필터를 더 포함하는 연성 회로 기판의 제조 시스템.
  8. 모재 내에 비도전성의 금속 화합물이 분산된 기판을 제조하는 단계,
    상기 기판을 롤투롤 장치의 공급롤에 설치하는 단계,
    상기 공급롤에서 공급되는 기판에 레이저를 조사하여 상기 금속 화합물을 분해하여 상기 기판에 시드 패턴을 형성하는 단계,
    상기 시드 패턴이 형성된 기판을 초음파 세정기를 포함하는 세정 장치에 침지시켜 상기 기판 위에 부착된 파티클을 제거하는 단계
    상기 시드 패턴이 형성된 기판을 도금조에 침지시켜 무전해 도금하여 상기 시드 패턴 위에 회로 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 금속 화합물은 티탄(Ti), 철(Fe), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 스트론튬(Sr), 크롬(Cr), 구리(Cu), 코발트(Co) 중에서 선택된 어느 하나 또는 그들의 조합을 포함하는 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 탄화물이고,
    상기 금속 화합물은 무채색 계열의 금속 화합물과 유채색 계열의 금속 화합물을 포함하고, 상기 유채색 계열의 금속 화합물에는 100nm 이상 355nm 이하의 자외선 파장을 가지는 상기 레이저를 조사하고, 상기 무채색 계열의 금속 화합물에는 근적외선 파장을 가지는 상기 레이저를 조사하고,
    상기 파티클은 상기 모재가 분해되어 형성되고,
    상기 세정 장치는 오존 또는 수소가 용해된 초순수를 포함하는 세정액을 이용하여 상기 기판 위에 부착된 파티클을 제거하는 연성 회로 기판의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 무채색 계열의 금속 화합물은 CuCr2O4, (CuFe)(CrFe)2O4, (NiMn)(CrFe)2O4, NiCr2O4, CuCO3중에서 선택된 어느 하나이고, 상기 유채색 계열의 금속 화합물은 Al2O3, AlN, (Ti,Sb,Ni)O2, (Ti,Sb,Ni,Co)O2, (Ti,Nb,Ni)O2, (Ti,Nb,Ni,Co)O2, (Ti,Ni,W)O2, (Ti,Fe,W)O2, 2NiO,3BaO,17TiO2, (Zn,Fe)Fe2O4, (Ti,Sb,Cr)O2, (Zn,Fe)(Fe,Cr)2O4, CoAl2O4, Co2SiO4, CoAl2O4:TiO2:Li2O, Co(Al,Cr) 2O4, (Co,Zn) 2SiO4, C32H16CuN8, Co2TiO4:NiO:Li2O, (Co,Ni,Zn) 2TiO4, Cr2O3:Fe2O2, C55H72O5N4Mg, C55H70O6N4Mg, CoLiPO4 중에서 선택된 어느 하나인 연성 회로 기판의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제8항에 있어서,
    상기 세정액은 초순수와 오존 또는 수소가 용해되는 반응조에서 상기 세정 장치로 공급되는 연성 회로 기판의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판을 세정한 상기 세정액은 상기 세정 장치에서 유출되어 필터에서 정제되어 상기 반응조로 다시 유입되는 연성 회로 기판의 제조 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017062173A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 Laird Technologies, (Shenzhen) Ltd. Selectively plated rolls of materials and related methods
CN106575539A (zh) * 2014-08-04 2017-04-19 株式会社Lg化学 用于形成导电图案的组合物和具有导电图案的树脂结构
US9872386B2 (en) 2014-09-11 2018-01-16 Lg Chem, Ltd. Composition for forming conductive pattern, method for forming conductive pattern using same, and resin structure having conductive pattern
US10297363B2 (en) 2014-09-17 2019-05-21 Lg Chem, Ltd. Composition for forming conductive pattern and resin structure having conductive pattern

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101823660B1 (ko) 2013-08-09 2018-01-30 주식회사 엘지화학 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
WO2016021898A1 (ko) * 2014-08-04 2016-02-11 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005281766A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Osamu Takai 無電解めっき方法とその利用
JP2009088227A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
KR20090062890A (ko) * 2007-12-13 2009-06-17 한국기계연구원 레이져 직접묘화 방법으로 전도성회로패턴을 형성한연성회로기판과 그 제조시스템 및 제조방법
KR20110076496A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 한국기계연구원 레이저를 이용한 회로 형성 방법, 회로 연결 방법 및 그에 의하여 형성된 회로

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005281766A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Osamu Takai 無電解めっき方法とその利用
JP2009088227A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
KR20090062890A (ko) * 2007-12-13 2009-06-17 한국기계연구원 레이져 직접묘화 방법으로 전도성회로패턴을 형성한연성회로기판과 그 제조시스템 및 제조방법
KR20110076496A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 한국기계연구원 레이저를 이용한 회로 형성 방법, 회로 연결 방법 및 그에 의하여 형성된 회로

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106575539A (zh) * 2014-08-04 2017-04-19 株式会社Lg化学 用于形成导电图案的组合物和具有导电图案的树脂结构
CN106575539B (zh) * 2014-08-04 2018-04-24 株式会社Lg化学 用于形成导电图案的组合物和具有导电图案的树脂结构
US10354774B2 (en) 2014-08-04 2019-07-16 Lg Chem, Ltd. Composition for forming conductive pattern and resin structure having conductive pattern
US9872386B2 (en) 2014-09-11 2018-01-16 Lg Chem, Ltd. Composition for forming conductive pattern, method for forming conductive pattern using same, and resin structure having conductive pattern
US10297363B2 (en) 2014-09-17 2019-05-21 Lg Chem, Ltd. Composition for forming conductive pattern and resin structure having conductive pattern
WO2017062173A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 Laird Technologies, (Shenzhen) Ltd. Selectively plated rolls of materials and related methods
US10492348B2 (en) 2015-10-08 2019-11-26 Laird Technologies, Inc. Selectively plated rolls of materials and related methods

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