KR101368998B1 - Selective filling method of insulating material on circuit board by surface treatment - Google Patents

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Abstract

도전성 원소재의 한 면에 하프 에칭을 실시하고 에칭 부위에 절연성 물질을 충진하는 방법에 있어, 정면 작업에 따른 비효율성을 최소화하면서 간편한 방법으로 높은 신뢰성을 갖도록 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법이 개시된다. 본 발명은 도전성 원소재에 1 이상의 요홈 및 범프를 형성하고 표면 처리하여 상기 요홈에만 선택적으로 절연성 물질을 충진하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법으로, 상기 표면 처리는 상기 요홈의 노출된 면에 소수성 처리 및 상기 범프의 노출된 면에 친수성 처리하여 수행되고, 상기 표면 처리 후 소수성인 절연성 물질을 도포하여 절연성 물질이 상기 요홈에만 선택적으로 충진되도록 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In the method of half-etching one side of the conductive raw material and filling the insulating material in the etching site, the method of filling the insulating material in the circuit board to minimize the inefficiency according to the front work and to have high reliability in a simple manner Is initiated. The present invention provides a method of filling an insulating material in a circuit board in which at least one groove and a bump are formed on a conductive raw material and is surface treated to selectively fill an insulating material only in the groove. A method of filling an insulating material in a circuit board, which is carried out by treatment and hydrophilic treatment on the exposed side of the bump, and after the surface treatment is applied a hydrophobic insulating material to selectively fill the insulating material only in the grooves.

Description

표면 처리를 통한 회로 기판에서의 선택적 절연성 물질 충진 방법{SELECTIVE FILLING METHOD OF INSULATING MATERIAL ON CIRCUIT BOARD BY SURFACE TREATMENT}Selective FILLING METHOD OF INSULATING MATERIAL ON CIRCUIT BOARD BY SURFACE TREATMENT

본 발명은 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 인쇄회로기판 등 회로 기판의 충진 요소에 절연성 물질을 충진 시 충진 요소를 포함하는 기판 면에 전면 도포하는 방식을 배제하고 충진 요소에만 선택적으로 충진하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of filling an insulating material in a circuit board, and more particularly, to the filling, excluding the method of applying the entire surface to the substrate surface including the filling element when filling the insulating material to the filling element of the circuit board, such as a printed circuit board. A method of selectively filling only elements.

일반적으로 반도체 장치 기술은 저가격으로 초소형화, 고밀도화 등을 추구하는 경향으로 발전하고 있으며, 이에 따라 다양한 형태의 반도체 장치들이 개발되어 사용되고 있다. 특히, 최근에는 노트북 컴퓨터, 디지털 비디오 카메라, 휴대전화 등 휴대용 기기 보급의 급증으로 각 반도체 장치의 소형화 및 경량화 정도가 중요시 되고 있다.In general, semiconductor device technology has been developed in pursuit of miniaturization and high density at low cost, and various types of semiconductor devices have been developed and used accordingly. In particular, in recent years, the proliferation of portable devices such as notebook computers, digital video cameras, mobile phones, and the like, has made importance of miniaturization and light weight of each semiconductor device.

이러한 경향에 맞추어, 반도체 장치들 중 이른바 칩 스케일 패키지(chip scale package; CSP)는 리드 온 칩(lead on chip; LOC) 기술 또는 BGA(ball grid array) 기술의 연장선상에 있는 제품들을 중심으로 다양하게 개발되고 있으며, 기존 BGA 기판을 보다 저가격으로 구현하기 위한 여러 가지의 솔루션이 소개되고 있다. 이 중 도전성 원소재의 한 면에 하프 에칭을 실시하고 에칭 부위에 절연물을 채우고 경화시킨 후 다른 한 면에 다시 하프 에칭을 실시하여 재 배선된 회로를 구현하는 방법이 있다. 예를 들면, 한국공개특허 제2011-0021407호에서는 도 1에 도시된 바와 같이, 도전성의 베이스 기판(10)을 준비(도 1(a))하여 적어도 일면을 정해진 패턴에 따라 식각하여 베이스 패턴층(11)을 형성(도 1(b))하고, 베이스 패턴층(11)의 일면의 식각된 부분(12)을 절연성 물질(13)로 충진(도 1(c))하고, 패턴층(11)에 형성된 절연성 물질(13)을 제거하여 지지부(14)를 형성(도 1(d))하는 과정을 포함하는 반도체 패키지 제조방법을 개시하고 있다. 이러한 공법은 BGA의 형태를 그대로 유지하는 저가 솔루션으로 기존 유기물 베이스의 BGA 기판보다 열적, 전기적 특성에서 유리한 점이 있다.In line with this trend, so-called chip scale packages (CSPs) among semiconductor devices are centered around products that are an extension of lead on chip (LOC) technology or ball grid array (BGA) technology. In addition, various solutions are introduced to implement existing BGA substrates at lower cost. Among them, there is a method of half-etching one side of the conductive element material, filling an insulator in the etching portion, curing the half, and half-etching the other side again to implement a rewired circuit. For example, in Korean Patent Laid-Open No. 2011-0021407, as shown in FIG. 1, a conductive base substrate 10 is prepared (FIG. 1A) and at least one surface is etched according to a predetermined pattern to form a base pattern layer. (11) is formed (FIG. 1 (b)), the etched portion 12 of one surface of the base pattern layer 11 is filled with the insulating material 13 (FIG. 1 (c)), and the pattern layer 11 Disclosed is a method of fabricating a semiconductor package including removing the insulating material 13 formed on the substrate) to form the support 14 (FIG. 1D). This method is an inexpensive solution that maintains the shape of BGA, and has advantages in thermal and electrical properties than conventional organic-based BGA substrate.

이와 같은 공정은 종래 BGA 기판 제조에서 고려되지 않는 기술적 제약으로, 특히 절연성 물질을 충진하고 브러쉬와 같은 연마 목적의 장비를 통하여 원소재 두께 이상으로 높게 도포된 절연성 물질을 연마하는 정면 처리 공정을 수반하게 된다. 도 2는 현재까지 알려진 도전성 원소재의 한 면에 하프 에칭을 실시하고 에칭 부위에 절연성 물질을 충진시키는 방식을 설명하는 단면도이다. 먼저 도 2(a)는 일반적인 절연성 물질 도포 방식을 나타내고 있으며, 절연성 물질(13)이 하프 에칭된 원소재(10)의 빈 공간에 원소재보다 두껍게 도포되면서 하프 에칭이 실시되지 않은 원소재 표면에도 도포되어 정면 브러쉬 작업에 어려움이 발생한다. 또한, 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 일반적인 방식으로 절연성 물질(13)을 도포 후 닥터 블레이드(doctor blade)나 나이프(knife)와 같은 추가적인 장비를 통하여 원소재 표면 위의 수지 두께를 줄일 수 있으나, 하프 에칭이 실시되지 않은 원소재(10) 표면 뿐 아니라 하프 에칭된 공간에 채워진 절연성 물질(13)의 두께까지 줄어드는 단점이 있다. 또한, 도 2(c)는 스크린 마스크를 이용한 절연성 물질 충진 방식을 나타내고 있으며, 이 방식은 전면 도포 방식보다는 절연성 물질(13) 충진 속도가 느린 단점이 있으나, 마스크 내에 패턴을 형성하여 절연성 물질 충진 부분과 미충진 부분을 제어할 수 있다. 그러나, 완벽하게 원소재(10) 상의 절연성 물질을 미도포되게 하기 위해서는 도포 방법, 마스크 조건에 따라 최적화가 필요하다. 한편, 스크린 마스크와 같이 부분적인 절연성 물질(13) 도포가 가능한 경우, 전면 도포 방식에 비해 원소재(10) 상으로 도포된 절연성 물질(13)의 두께의 단차가 형성될 수 있는데, 이 경우 전면 도포된 경우보다는 보다 용이한 정면 작업이 이루어질 수 있다.This process is a technical constraint that is not considered in conventional BGA substrate manufacturing, and particularly involves a frontal treatment process of filling insulating material and polishing the coated insulating material higher than the thickness of the raw material through polishing equipment such as a brush. do. 2 is a cross-sectional view illustrating a method of half-etching one side of a conductive element material known to date and filling an insulating material in an etching site. First, FIG. 2 (a) shows a general method of applying an insulating material, and the insulating material 13 is applied to the empty space of the half-etched raw material 10 to be thicker than the raw material, and also on the surface of the raw material not subjected to half etching. Difficulties arise in the application of the frontal brush. In addition, as shown in Fig. 2 (b), after the insulating material 13 is applied in a general manner, the thickness of the resin on the surface of the raw material can be reduced through additional equipment such as a doctor blade or a knife. However, there is a disadvantage in that the thickness of the insulating material 13 filled in the half-etched space as well as the surface of the raw material 10 that is not half-etched is reduced. In addition, Figure 2 (c) shows an insulating material filling method using a screen mask, this method has a disadvantage in that the filling speed of the insulating material 13 is slower than the front coating method, but by forming a pattern in the mask to fill the insulating material Overfilled parts can be controlled. However, in order to completely unapply the insulating material on the raw material 10, optimization is required depending on the application method and mask conditions. On the other hand, when the partial insulating material 13 may be applied, such as a screen mask, a step of the thickness of the insulating material 13 applied onto the raw material 10 may be formed as compared to the front coating method. Easier frontal work can be achieved than if applied.

이와 같이, 도전성 원소재의 한 면에 하프 에칭을 실시하고 에칭 부위에 절연성 물질을 충진하는 방법에 있어, 정면 작업에 따른 비효율성을 최소화하면서 간편한 방법으로 높은 신뢰성을 갖는 충진 방법의 개발이 요구되고 있다.As described above, in the method of half-etching one side of the conductive raw material and filling an insulating material in the etching site, it is required to develop a filling method having a high reliability in a simple manner while minimizing the inefficiency according to the front work. have.

따라서, 본 발명은 도전성 원소재의 한 면에 하프 에칭을 실시하고 에칭 부위에 절연성 물질을 충진하는 방법에 있어, 정면 작업에 따른 비효율성을 최소화하면서 간편한 방법으로 높은 신뢰성을 갖도록 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention provides a method for half-etching one side of a conductive raw material and filling an insulating material in an etching site, and in a circuit board that has high reliability in a simple manner while minimizing inefficiency due to frontal operation. An object of the present invention is to provide an insulating material filling method.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 양태에 따르면, 도전성 원소재에 1 이상의 요홈 및 범프를 형성하고 표면 처리하여 상기 요홈에만 선택적으로 절연성 물질을 충진하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법으로, 상기 표면 처리는 상기 요홈의 노출된 면에 소수성 처리 및 상기 범프의 노출된 면에 친수성 처리하여 수행되고, 상기 표면 처리 후 소수성인 절연성 물질을 도포하여 절연성 물질이 상기 요홈에만 선택적으로 충진되도록 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention for solving the above problems, by forming an at least one groove and bump in the conductive raw material and surface-treated by filling the insulating material only in the groove, the insulating material filling method in the circuit board, Surface treatment is performed by hydrophobic treatment on the exposed surface of the groove and hydrophilic treatment on the exposed surface of the bump, and after the surface treatment, a hydrophobic insulating material is applied so that the insulating material is selectively filled only in the groove. The present invention provides a method for filling insulating materials.

또한, 상기 방법은, (a) 상기 도전성 원소재 일면에 포토 솔더 레지스트층을 형성하고 정해진 패턴에 따라 노광, 현상 및 하프 에칭하여 상기 요홈 및 범프를 형성하는 단계; (b) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 소수성 물질을 이용하여 소수성 처리하는 단계; (c) 상기 포토 솔더 레지스트층을 제거하는 단계; (d) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 제1 친수성 물질을 이용하여 친수성 처리하는 단계; 및 (e) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 소수성인 절연성 물질을 도포하여 상기 요홈에만 절연성 물질을 충진하는 단계;를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the method comprises the steps of: (a) forming a photo solder resist layer on one surface of the conductive element material and forming the grooves and bumps by exposure, development and half etching according to a predetermined pattern; (b) hydrophobic treatment using a hydrophobic material on one surface of the grooves and bumps; (c) removing the photo solder resist layer; (d) hydrophilic treatment using a first hydrophilic material on one surface of the grooves and bumps; And (e) applying a hydrophobic insulating material to one surface of the grooves and bumps to fill the insulating material only with the grooves.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 양태에 따르면, 상기 (a) 단계 이전에 상기 도전성 원소재 표면의 친수성을 증가시키도록 제2 친수성 물질을 이용하여 친수성 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention for solving the above problems, a step of hydrophilic treatment using a second hydrophilic material to increase the hydrophilicity of the surface of the conductive raw material material before the step (a); An insulating material filling method in a circuit board is provided.

또한, 상기 제2 친수성 물질은 실란 커플링제(silane coupling agent), 머캅토알카논산(mercaptoalkanoic acid), 시스테인(cysteine), 알칸디티올(alcanedithiol) 및 아미노티오페놀(aminothiophenol)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the second hydrophilic material is a silane coupling agent (silane coupling agent) (mercaptoalkanoic acid) (mercaptoalkanoic acid), cysteine (cysteine), alcandithiol (alcanedithiol) and aminothiophenol (aminothiophenol) selected from the group consisting of Provided is an insulating material filling method in a circuit board characterized in that the species or more.

또한, 상기 (c) 단계에서 비알칼리성의 유기 용제를 이용하는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, in the step (c) it provides a method for filling an insulating material in a circuit board, characterized in that using a non-alkaline organic solvent.

또한, 상기 (b) 단계의 소수성 물질은 알칸티올(alkanethiol), 알킬실란(alkyl silane), 할로겐화알킬실란(halogenated alkyl silane) 및 음이온계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the hydrophobic material of step (b) is a circuit board, characterized in that at least one selected from the group consisting of alkanethiol (alkanethiol), alkyl silane (alkyl silane), halogenated alkyl silane (halogenated alkyl silane) and anionic surfactant The present invention provides a method for filling insulating materials.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 상기 방법은, (A) 상기 도전성 원소재 일면에 포토 솔더 레지스트층을 형성하고 정해진 패턴에 따라 노광, 현상 및 하프 에칭하여 상기 요홈 및 범프를 형성하는 단계; (B) 상기 포토 솔더 레지스트층을 제거하는 단계; (C) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 광반응에 의해 친수성으로 변할 수 있는 소수성 물질을 이용하여 소수성 처리하는 단계; (D) 상기 범프에만 노광될 수 있도록 준비된 마스크 패턴을 이용하여 노광하는 단계; (E) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 제1 친수성 물질을 이용하여 친수성 처리하는 단계; 및 (F) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 소수성인 절연성 물질을 도포하여 상기 요홈에만 절연성 물질을 충진하는 단계;를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention for solving the above problems, the method, (A) forming a photo solder resist layer on one surface of the conductive raw material and exposed, developed and half-etched according to a predetermined pattern to the grooves and bumps Forming a; (B) removing the photo solder resist layer; (C) hydrophobic treatment using a hydrophobic material that can be changed to hydrophilic by a photoreaction on one surface of the groove and bump; (D) exposing using a mask pattern prepared to be exposed only to the bumps; (E) hydrophilic treatment using a first hydrophilic material on one surface of the groove and bump; And (F) filling an insulating material with only the groove by applying a hydrophobic insulating material to one surface of the groove and the bump, thereby providing an insulating material filling method in a circuit board.

또한, 상기 (C) 단계의 소수성 물질은 아조벤젠 유도체(azobenzene derivatives)인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the hydrophobic material of the step (C) provides an insulating material filling method in a circuit board, characterized in that the azobenzene derivatives (azobenzene derivatives).

또한, 상기 포토 솔더 레지스트층 형성은 드라이 필름 포토레지스트를 라미네이트하여 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the photo solder resist layer is formed by laminating a dry film photoresist provides an insulating material filling method in a circuit board.

또한, 상기 제1 친수성 물질은 수분인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the first hydrophilic material provides a method for filling an insulating material in a circuit board, characterized in that the moisture.

또한, 상기 소수성인 절연성 물질 도포는 상기 범프 상의 제1 친수성 물질이 증발되지 않도록 하는 세기의 에어블로잉과 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.The hydrophobic insulating material application also provides a method for filling insulating material in a circuit board, characterized in that the first hydrophilic material on the bump is carried out simultaneously with the air blowing of the strength to prevent evaporation.

또한, 상기 소수성 처리 전에 상기 요홈의 노출된 면에 거칠기를 부여하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the step of imparting a roughness to the exposed surface of the groove prior to the hydrophobic treatment provides a method for filling an insulating material in a circuit board.

또한, 상기 거칠기가 부여된 상기 요홈의 노출된 면의 표면조도(Ra)는 500~5000Å인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the surface roughness (Ra) of the exposed surface of the groove to which the roughness is provided provides an insulating material filling method in a circuit board, characterized in that 500 ~ 5000Å.

또한, 상기 거칠기 부여는 상기 도전성 원소재와 동일한 물질로 도금하거나 마이크로 에칭하여 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 제공한다.In addition, the roughening is provided with a method of filling an insulating material in a circuit board, characterized in that the plating is carried out by the same material as the conductive material or micro-etched.

본 발명에 따르면, 도전성 원소재에 형성된 요홈 및 범프를 각각 소수성 처리 및 친수성 처리 후 절연성 물질을 도포함으로써 간편하게 요홈에만 절연성 물질이 충진되도록 할 수 있다.According to the present invention, the insulating material may be simply filled in only the grooves by applying the insulating material after the hydrophobic treatment and the hydrophilicity treatment of the grooves and the bumps formed in the conductive element material, respectively.

또한, 범프 상에 절연성 물질이 도포되는 것을 방지하여, 브러쉬 등 정면 설비의 마모량을 현저히 줄여 원가 절감 내지 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, by preventing the application of the insulating material on the bumps, it is possible to significantly reduce the amount of wear of the front equipment such as brushes to reduce the cost or improve productivity.

또한, 정면 횟수 감소에 따라 노출 면을 보다 균질하고 평탄하게 형성시켜 신뢰성이 우수한 회로 기판을 제공할 수 있다.In addition, as the number of front faces decreases, the exposed surface may be formed more homogeneously and flatly, thereby providing a circuit board having excellent reliability.

도 1은 종래 도전성 원소재를 이용하여 회로 기판을 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 단면도,
도 2는 종래 도전성 원소재의 한 면에 하프 에칭을 실시하고 에칭 부위에 절연성 물질을 충진시키는 방식을 설명하는 단면도,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 설명하는 흐름도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따라 제조되는 회로 기판을 순차적으로 나타낸 단면도,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 설명하는 흐름도,
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따라 제조되는 회로 기판을 순차적으로 나타낸 단면도,
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 설명하는 흐름도이고,
도 8은 본 발명의 제3실시예에 따라 제조되는 회로 기판을 순차적으로 나타낸 단면도.
1 is a cross-sectional view sequentially showing a method of manufacturing a circuit board using a conventional conductive raw material;
2 is a cross-sectional view illustrating a method of half-etching one side of a conventional conductive element material and filling an insulating material in an etching site;
3 is a flowchart for explaining a method of filling an insulating material in a circuit board according to a first embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view sequentially showing a circuit board manufactured according to the first embodiment of the present invention;
5 is a flowchart illustrating a method of filling an insulating material in a circuit board according to a second embodiment of the present invention;
6 is a cross-sectional view sequentially showing a circuit board manufactured according to a second embodiment of the present invention;
7 is a flowchart illustrating an insulating material filling method in a circuit board according to a third embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view sequentially showing a circuit board manufactured according to the third embodiment of the present invention.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략하였고, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였으며, 기판의 상하 방향은 도면을 기준으로 하여 설명한다. 또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted for clarity, and like reference numerals refer to like parts throughout the specification, and the up and down directions of the substrate will be described with reference to the drawings. Also, throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements, unless specifically stated otherwise.

제1실시예First Embodiment

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 설명하는 흐름도이고, 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따라 제조되는 회로 기판을 순차적으로 나타낸 단면도이다.3 is a flowchart illustrating a method of filling an insulating material in a circuit board according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view sequentially illustrating a circuit board manufactured according to the first embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 회로 기판(100)에서의 절연성 물질 충진 방법은 (a) 도전성 원소재(110) 일면에 포토 솔더 레지스트층(120) 형성 후 요홈(111) 및 범프(112) 형성(S101), 소수성 표면(130) 처리(S102), 포토 솔더 레지스트층(120) 제거(S103), 친수성 표면(140) 처리(S104) 및 절연성 물질(150) 충진(S105) 단계를 포함한다. 이하, 각 단계별로 상세히 설명한다.3 and 4, in the insulating material filling method of the circuit board 100 according to the first embodiment of the present invention, (a) a photo solder resist layer 120 is formed on one surface of the conductive raw material 110. Indentation 111 and bump 112 formation (S101), hydrophobic surface 130 treatment (S102), photo solder resist layer 120 removal (S103), hydrophilic surface 140 treatment (S104) and insulating material 150 ) Filling (S105). Hereinafter, each step will be described in detail.

먼저, 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 도전성 원소재(110) 일면에 포토 솔더 레지스트층(120)을 형성하고 정해진 패턴에 따라 노광, 현상 및 하프 에칭하여 요홈(111) 및 범프(112)를 형성(S101)한다. 상기 도전성 원소재(110)는 금속 재질로서 전기적 도통을 구현하는 소재라면 특히 한정되는 것은 아니나, 본질적으로 구리 재질이거나 니켈, 규소, 인 등이 혼합되어 제조되는 구리 합금으로 이루어진 소재일 수 있다.First, as shown in FIGS. 4A and 4B, the photo solder resist layer 120 is formed on one surface of the conductive raw material 110 and exposed, developed, and half-etched according to a predetermined pattern to form a groove ( 111 and bumps 112 are formed (S101). The conductive raw material 110 is not particularly limited as long as it is a material that realizes electrical conduction as a metal material, but may be essentially a material made of copper or a copper alloy prepared by mixing nickel, silicon, phosphorus, and the like.

상기 포토 솔더 레지스트층(120)은 액상의 포토레지스트(liquid photo resist; LPR)를 도포 및 건조시키거나 드라이 필름 형태의 포토레지스트(dry film photoresist; DFR)를 일정 압력으로 라미네이트하여 형성될 수 있으며, 형성되는 레지스트층(120)의 두께 균일성과 노광시 해상도를 고려할 때 DFR을 이용하는 것이 바람직하다.The photo solder resist layer 120 may be formed by applying and drying a liquid photo resist (LPR) or laminating a dry film photoresist (DFR) at a predetermined pressure. In consideration of the thickness uniformity of the formed resist layer 120 and the resolution during exposure, it is preferable to use DFR.

상기 DFR(120)을 이용하여 라미네이트할 경우에는 상기 절연성 물질(150)의 도포 두께 5~100㎛를 기준으로 할 때, 10~100㎛, 바람직하게는 20~50㎛ 두께로 라미네이트할 수 있다.When laminating using the DFR 120, when the coating thickness of the insulating material 150 is based on 5 ~ 100㎛, it may be laminated to a thickness of 10 ~ 100㎛, preferably 20 ~ 50㎛.

상기 노광 및 현상은 감광 특성을 구비한 포토 솔더 레지스트층(120)에 대하여 정해진 패턴의 마스크를 형성하기 위한 것으로, 도 4(a)에서는 도전성 원소재(110) 일면에 대하여 노광 및 현상을 수행한 예를 나타내고 있으나, 도전성 원소재(110) 양면에 대하여 수행할 수도 있음은 물론이다.The exposure and development are to form a mask having a predetermined pattern on the photo solder resist layer 120 having photosensitive characteristics. In FIG. 4A, exposure and development are performed on one surface of the conductive raw material 110. Although an example is shown, the conductive material material 110 may be performed on both surfaces.

상기 노광은 UV 등을 조사하여 수행될 수 있고, 노광 강도는 상기 DFR(120)을 상기 바람직한 두께로 라미네이트할 경우 50~300mJ/㎠, 바람직하게는 70~200mJ/㎠의 광량으로 수행될 수 있다.The exposure may be performed by irradiating UV or the like, and the exposure intensity may be performed at a light amount of 50 to 300 mJ / cm 2, preferably 70 to 200 mJ / cm 2 when the DFR 120 is laminated to the desired thickness. .

상기 하프 에칭은 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 상기 현상 공정으로 노출된 도전성 원소재 면(113)에 대하여 하프 에칭하여 요홈(111) 및 범프(112)를 형성시키는 단계이다. 상기 범프(112)는 회로 기판의 전면과 배면에 형성되는 회로 패턴 사이의 전기적 도통 역할을 하게 된다.As shown in FIG. 4B, the half etching is a step of half etching the conductive raw material surface 113 exposed by the developing process to form the recess 111 and the bump 112. The bumps 112 serve as electrical conduction between circuit patterns formed on the front and rear surfaces of the circuit board.

한편, 상기 하프 에칭으로 포토 솔더 레지스트층(120)은 상기 요홈(111) 상에는 존재하지 않게 된다.Meanwhile, the photo solder resist layer 120 does not exist on the recess 111 by the half etching.

다음으로, 소수성 표면 처리 단계(S102)는 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 상기 요홈(111) 및 상기 포토 솔더 레지스트층(120) 상에 소수성 물질(130)을 이용하여 소수성 처리를 수행하는 단계이다. 소수성 처리는 소수성 특성을 갖는 약품 등을 이용하여 코팅하는 방식으로 수행될 수 있으나, 스프레이, 침지 등 상기 요홈(111) 및 범프(112) 상의 포토 솔더 레지스트층(120)의 노출된 면을 소수성의 표면 특성을 나타내도록 할 수 있는 방식이라면 특별히 제한되는 것은 아니다.Next, the hydrophobic surface treatment step S102 is performed on the groove 111 and the photo solder resist layer 120 using a hydrophobic material 130 as shown in FIG. 4C. It's a step. The hydrophobic treatment may be performed by coating using a chemical agent having hydrophobic property, etc., but the exposed surface of the photo solder resist layer 120 on the grooves 111 and the bumps 112 may be hydrophobic. There is no particular limitation as long as it is possible to exhibit surface properties.

상기 소수성 물질(130)로는 예를 들어, 알칸티올(alkanethiol), 알킬실란(alkyl silane), 할로겐화알킬실란(halogenated alkyl silane), 음이온계면활성제 등이 사용될 수 있다. 구체적으로 상기 알칸티올은 탄소수 7~21의 알칸티올이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 헥사데칸티올(hexadecanethiol), 옥타데칸티올(octadecanethiol)이 사용될 수 있다. 또한, 상기 알킬실란은 테트라에틸실란(tetraethylsilane), 트리에틸실란(triethylsilane), 트리이소프로필실란(triisopropylsilane), 테트라메틸실란(tetramethylsilane) 등이 사용될 수 있다. 또한, 상기 할로겐화알킬실란은 플루오로트리메틸실란(fluorotrimethylsilane), 브로모트리메틸실란(bromotrimethylsilane) 등이 사용될 수 있다. 또한, 상기 음이온계면활성제는 포스페이트(phosphate)계 계면활성제, 술포네이트(sulfonate)계 계면활성제 등이 사용될 수 있다. 다만, 후술하는 초발수 표면 처리의 정도, 상기 요홈(111)에 충진되는 절연성 물질(150)의 경화 조건에 따른 소수성 물질(130)의 제거 정도, 포토 솔더 레지스트층(120) 제거 용액에 대한 저항성 등을 고려하여 처리되는 소수성 물질(130)을 선택해야 할 것이다.As the hydrophobic material 130, for example, alkanethiol, alkyl silane, halogenated alkyl silane, anionic surfactant, and the like may be used. Specifically, the alkane thiol may be used alkane thiol having 7 to 21 carbon atoms, preferably hexadecanethiol, octadecanethiol (octadecanethiol) may be used. In addition, the alkylsilane may be tetraethylsilane (triethylsilane), triethylsilane (triethylsilane), triisopropylsilane (triisopropylsilane), tetramethylsilane (tetramethylsilane) and the like. In addition, as the halogenated alkyl silane, fluorotrimethylsilane, bromotrimethylsilane, or the like may be used. In addition, as the anionic surfactant, a phosphate-based surfactant, a sulfonate-based surfactant, or the like may be used. However, the degree of super water-repellent surface treatment to be described later, the degree of removal of the hydrophobic material 130 according to the curing conditions of the insulating material 150 filled in the groove 111, the resistance to the photosolder resist layer 120 removal solution It will be necessary to select the hydrophobic material 130 to be treated in consideration of such.

한편, 상기 요홈(111)의 노출된 면에 대한 소수성 표면 처리의 보다 강한 효과와 후속 공정에서 충진되는 절연성 물질(150)과 원소재(110) 사이의 강한 앵커(anchor) 효과를 부여하기 위해, 상기 소수성 처리 전에 상기 요홈(111)이 노출된 면에 거칠기(roughness)를 강제적으로 형성(미도시)시킬 수 있다. 이때, 거칠기가 형성된 상기 요홈(111)의 노출된 면의 표면조도(Ra)는 500~5000Å 정도가 바람직한데, 상기 표면조도 범위에서 소수성 표면 처리 시 사용되는 소수성 물질(130)에 의해 표면 에너지가 낮아져서, 이후 수분 등 친수성 물질(140)을 도포하여도 친수성 물질(140)에 젖지 않는 초발수 처리된 표면을 형성할 수 있다. 이러한 초발수 처리된 표면은 후속하는 포토 솔더 레지스트층(120) 제거 공정에 영향을 받지 않는다.On the other hand, in order to give a stronger effect of the hydrophobic surface treatment on the exposed surface of the groove 111 and a strong anchor effect between the insulating material 150 and the raw material 110 to be filled in a subsequent process, Roughness may be forcibly formed (not shown) on the surface where the recess 111 is exposed before the hydrophobic treatment. At this time, the surface roughness (Ra) of the exposed surface of the groove 111 formed with roughness is preferably about 500 ~ 5000Å, the surface energy by the hydrophobic material 130 used in the hydrophobic surface treatment in the surface roughness range Since it is lowered, even after applying the hydrophilic material 140, such as water, it is possible to form a super water-repellent surface that does not wet the hydrophilic material 140. This super water-repellent surface is not affected by the subsequent photo solder resist layer 120 removal process.

이러한 거칠기 표면 형성 방법으로 특별히 제한되는 것을 아니나, 마이크로 에칭(micro ething) 공정을 적용할 수 있고, 신뢰성 향상을 위해 바람직하게는 원소재(110)의 재질과 같은 소재의 거칠기 도금 공정을 적용할 수 있다. 예컨대, 도전성 원소재(110)로 구리를 사용할 경우 거칠기 구리 도금 처리를 수행하고, 도전성 원소재(110)로 니켈을 사용할 경우 거칠기 니켈 도금 처리를 수행할 수 있다.Although not particularly limited to the method of forming the roughness surface, a micro etching process may be applied, and a roughness plating process of a material such as a material of the raw material 110 may be preferably applied to improve reliability. have. For example, when copper is used as the conductive element material 110, the rough copper plating process may be performed, and when nickel is used as the conductive element material 110, the rough nickel plating process may be performed.

상기 소수성 처리 이후 도 4(d)에 도시한 바와 같이, 상기 포토 솔더 레지스트층(120)을 제거(S103)하여, 상기 범프(112)의 도전성 원소재 면을 외부로 노출시킨다. 이때, 상기 요홈(111) 표면에만 소수성 처리가 되어 있고, 범프(112)의 노출된 면은 소수성 처리가 되지 않은 상태가 된다.As shown in FIG. 4 (d) after the hydrophobic treatment, the photo solder resist layer 120 is removed (S103) to expose the conductive element surface of the bump 112 to the outside. At this time, the hydrophobic treatment is performed only on the groove 111 surface, and the exposed surface of the bump 112 is not in a hydrophobic treatment.

다음으로, 친수성 표면 처리 단계(S104)는 도 4(e)에 도시된 바와 같이, 상기 요홈(111) 및 범프(112)가 형성된 일면에 제1 친수성 물질(140)을 이용하여 친수성 처리를 수행하는 단계이다. 여기서, 구리, 니켈 등 도전성 원소재(110) 표면은 자연적인 상태에서 친수성 특성을 나타내므로, 상기 친수성 처리 시 상기 제1 친수성 물질(140)은 상기 범프(112)가 노출된 면에는 존재하게 되나, 상기 요홈(111)이 노출된 면은 앞서 소수성 처리(130)가 되어 있으므로 상기 제1 친수성 물질(140)이 존재하기 어렵다. 이러한 친수성 처리는 친수성 특성을 갖는 물질을 이용하여 도포하는 방식으로 수행될 수 있으며, 코팅, 스프레이, 침지 등 상기 범프의 노출된 면을 친수성의 표면 특성을 나타내도록 할 수 있는 방식이라면 특별히 제한되는 것은 아니다.Next, the hydrophilic surface treatment step (S104), as shown in FIG. 4E, is performed by using a first hydrophilic material 140 on one surface of the groove 111 and the bump 112. It's a step. Here, since the surface of the conductive element 110 such as copper and nickel exhibits hydrophilic properties in a natural state, the first hydrophilic material 140 is present on the surface where the bump 112 is exposed during the hydrophilic treatment. The first hydrophilic material 140 is hardly present because the groove 111 is exposed to the hydrophobic treatment 130. The hydrophilic treatment may be performed by applying a material having hydrophilic properties, and the method may be particularly limited as long as the exposed surface of the bump may exhibit hydrophilic surface properties such as coating, spraying, and dipping. no.

상기 제1 친수성 물질(140)로는 소수성 처리된 요홈(111)과 구별되는 특성을 부여하는 것으로 족하므로, 입수가 용이한 수분을 사용하는 것이 바람직하다.Since the first hydrophilic material 140 is sufficient to impart a characteristic distinguished from the hydrophobic groove 111, it is preferable to use water that is easily available.

다음으로, 절연성 물질 충진 단계(S105)는 도 4(f)에 도시된 바와 같이, 상기 요홈(111) 및 친수성 표면 처리된 범프(112) 상에 절연성 물질(150)을 도포하여 상기 요홈(111)에만 절연성 물질(150)을 충진하는 단계이다. 즉, 본 발명에서 상기 절연성 물질(150)은 소수성 특성을 구비하여 상기 범프(112) 상에는 도포되지 않고 비슷한 표면 특성을 갖는 상기 요홈(111)에만 충진된다. 구체적으로, 상기 소수성인 절연성 물질(150) 도포는 상기 범프(112) 상의 제1 친수성 물질(140)이 증발되지 않도록 하는 세기의 에어블로잉과 동시에 수행하여 절연성 물질(150)이 상기 요홈(111)에만 충진되도록 할 수 있다. 즉, 상기 요홈(111)에 존재할 수도 있는 친수성 물질(140)은 블로잉시키면서, 친수성인 상기 범프(112) 표면에 존재하는 친수성 물질(140)은 증발되지 않는 조건으로 에어 나이프(air knife) 등을 이용하여 에어를 블로잉하면서 충진함으로써, 친수성인 상기 범프(112) 표면에는 절연성 물질(150)이 도포되지 않으면서 상기 요홈(111)에만 절연성 물질(150)이 충진되도록 할 수 있다.Next, the insulating material filling step (S105), as shown in Figure 4 (f), by applying the insulating material 150 on the groove 111 and the hydrophilic surface-treated bump 112, the groove 111 ) Only filling the insulating material 150. That is, in the present invention, the insulating material 150 has a hydrophobic property and is not applied on the bump 112 but is filled only in the groove 111 having similar surface properties. Specifically, the application of the hydrophobic insulating material 150 is performed simultaneously with the air blowing of the strength so that the first hydrophilic material 140 on the bump 112 is not evaporated, so that the insulating material 150 is formed in the groove 111. Can only be filled. That is, while the hydrophilic material 140 that may be present in the groove 111 is blown, the hydrophilic material 140 present on the surface of the bump 112 that is hydrophilic may be subjected to an air knife or the like under conditions that do not evaporate. By filling the air while blowing, the insulating material 150 may be filled only in the recess 111 without the insulating material 150 being applied to the surface of the bump 112 that is hydrophilic.

이와 같이, 상기 절연성 물질(150)은 상기 요홈(111)에만 충진 및 경화되어 충진부(150)를 형성하게 되며, 상기 충진부(150)는 예를 들어, 도전성 원소재(110)를 전체적으로 지지하여 종래 동박적층판의 FR-4(flame retardant composition 4), BT(bisaleimide triazine) 등 코어 재질을 대체하는 역할을 할 수 있다. 여기서, 충진된 절연성 물질(150)의 경화는 150~250℃의 온도에서 30~100분간 수행될 수 있는데, 절연성 물질(150)을 경화하는 동안 표면 처리된 소수성 물질(130)은 열에 의해 휘발되므로 하프 에칭된 상기 요홈(111) 표면과 절연성 물질(150)이 결합 내지 접착됨에 있어서는 전혀 문제되지 않게 된다.As such, the insulating material 150 is filled and cured only in the recess 111 to form the filling part 150, and the filling part 150 supports the conductive raw material 110 as a whole. By replacing the core material such as FR-4 (flame retardant composition 4), BT (bisaleimide triazine) of the conventional copper clad laminate. Here, the curing of the filled insulating material 150 may be performed for 30 to 100 minutes at a temperature of 150 ~ 250 ℃, because the hydrophobic material 130 surface-treated during curing the insulating material 150 is volatilized by heat When the half-etched groove 111 surface and the insulating material 150 are bonded or bonded to each other, there is no problem.

한편, 상기 경화 후 형성된 상기 충진부(150) 높이는 원소재(110) 면(범프 면)과 동일한 높이 또는 더 높게 형성될 수 있으나, 경화 시 체적 수축(volume shrinkage)이 심할 경우 원소재(110) 면보다 낮게 형성될 수도 있다. 체적 수축에 의해 충진된 절연성 물질(150)이 원소재(110) 면보다 낮게 형성될 경우나 원소재(110) 면과 동일한 높이로 형성될 경우에는 별도의 정면 브러쉬 처리가 필요 없게 되며, 절연성 물질(150) 충진 높이가 원소재(110) 면보다 높게 형성되더라도, 충진된 형태가 스크린 마스크를 통해 충진된 경우와 동일하기 때문에 전면에 걸쳐 절연성 물질(150)이 도포된 경우와 달리 보다 용이한 정면 처리로 평탄화 작업이 가능하다.On the other hand, the height of the filling portion 150 formed after the curing may be formed at the same height or higher than the surface (bump surface) of the raw material 110, but when the volume shrinkage (hard volume shrinkage) during hardening raw material 110 It may be formed lower than the face. When the insulating material 150 filled by the volume shrinkage is formed lower than the surface of the raw material 110 or the same height as the surface of the raw material 110, a separate front brush treatment is not required. 150) Although the filling height is formed higher than the surface of the raw material 110, since the filled form is the same as the case filled with the screen mask, it is easier to face the surface than the case where the insulating material 150 is applied over the entire surface. Flattening operation is possible.

상기 절연성 물질(150)로 특별히 한정되는 것은 아니나, 통상적으로 소수성 특성을 갖는 고분자 수지로서, 절연 특성 및 도전성 원소재(110)와의 접착력을 가지고, 경화된 경우 강성 및 핸들링 특성이 양호한 소재의 것이 사용될 수 있다. 예를 들면, EMC(epoxy mold compound)와 같은 몰딩 수지, 포토 솔더 레지스트와 같은 감광성 고분자 수지가 사용될 수 있다.Although not particularly limited to the insulating material 150, a polymer resin having hydrophobic properties is generally used, and a material having good insulating properties and adhesion to the conductive element 110 and having a good rigidity and handling properties when cured is used. Can be. For example, a molding resin such as an epoxy mold compound (EMC), or a photosensitive polymer resin such as a photo solder resist may be used.

이러한 상기 절연성 물질(150)은 공지의 코팅 방법을 이용하여 도포될 수 있다. 예를 들어, 코마 코터(comma coater), 스크린 프린팅(screen printing), 스퀴지 코터(squeeze coater), 슬릿 코터(slit coater), 사출 등의 도포 기술을 이용하여 박막 도포를 구현할 수 있다.The insulating material 150 may be applied using a known coating method. For example, thin film coating may be implemented using a coating technique such as comma coater, screen printing, squeeze coater, slit coater, or injection.

상기 충진 및 경화 후 상기 충진부(150)가 상기 범프(112)의 면보다 높게 형성될 경우 상기 요홈(111) 상에 경화된 절연성 물질(150)을 정면시켜 상기 범프(112) 면과 충진부(150) 면이 균일하도록 평탄화시키는 단계를 더 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 상기 정면 처리는 2회의 정면 처리 공정, 바람직하게는 1회의 공정 만으로도 매우 균일한 면정도(面精度) 내지 평탄도를 얻도록 할 수 있다. 상기 정면 처리는 공지의 방법, 예를 들어, 버퍼 브러쉬, 세라믹 브러쉬 등을 이용한 기계적 정면 공정이나, 약품을 이용한 식각 공정을 통하여 수행될 수 있다.
When the filling part 150 is formed higher than the surface of the bump 112 after the filling and curing, the surface of the bump 112 and the filling part are formed by fronting the cured insulating material 150 on the groove 111. 150) planarizing the surface may be further performed. According to the present invention, the face treatment may be such that even two face treatment steps, and preferably only one step, achieve very uniform surface accuracy to flatness. The front treatment may be performed by a known method, for example, a mechanical front process using a buffer brush, a ceramic brush, or the like, or an etching process using a chemical agent.

제2실시예Second Embodiment

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 설명하는 흐름도이고, 도 6은 본 발명의 제2실시예에 따라 제조되는 회로 기판을 순차적으로 나타낸 단면도이다.5 is a flowchart illustrating a method of filling an insulating material in a circuit board according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view sequentially illustrating a circuit board manufactured according to the second embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 회로 기판(200)에서의 절연성 물질 충진 방법은 (a1) 친수성 표면(260) 처리(S200) (a2) 도전성 원소재(210) 일면에 포토 솔더 레지스트층(220) 형성 후 요홈(211) 및 범프(212) 형성(S201), (b) 소수성 표면(230) 처리(S202), (c) 포토 솔더 레지스트층(220) 제거(S203), (d) 친수성 표면(240) 처리(S204) 및 (e) 절연성 물질(250) 충진(S205) 단계를 포함한다. 본 발명의 제2실시예에 따른 방법에서 (a1) 단계를 제외한 나머지 공정은 모두 제1실시예와 동일하게 적용되며, 이하, 제1실시예와 상이한 구성을 중심으로 설명한다.5 and 6, a method of filling an insulating material in a circuit board 200 according to a second embodiment of the present invention may include (a1) hydrophilic surface 260 treatment (S200) and (a2) conductive raw material 210. ) After forming the photo solder resist layer 220 on one surface, the grooves 211 and the bumps 212 are formed (S201), (b) the hydrophobic surface 230 treatment (S202), and (c) the photo solder resist layer 220 is removed. (S203), (d) hydrophilic surface 240 treatment (S204) and (e) insulating material 250 filling (S205). In the method according to the second embodiment of the present invention, all steps except for step (a1) are applied in the same manner as in the first embodiment, and will be described below with a different configuration from the first embodiment.

제2실시예에 따른 회로 기판(200)에서의 절연성 물질(250) 충진 방법은 제1실시예와 달리 포토 솔더 레지스트층(220) 형성(S201) 전에 도 6(a)에 도시된 바와 같이, 상기 도전성 원소재(210) 표면의 친수성을 증가시키도록 제2 친수성 물질(260)을 이용하여 친수성 처리하는 단계(S200)를 더 포함하고 있다. 전술한 바와 같이, 본 발명에서 순수한 원소재(210) 표면도 친수성 특성을 가지나, 원소재(210)에 보다 강한 친수성 특성을 갖도록 처리하기 위한 것으로, 후속하는 (d) 제1 친수성 물질(240)을 이용한 친수성 처리(S204, 도 6(f) 참조) 시 상기 범프(212)가 노출된 면에만 친수성 물질(240)이 존재하도록 하는 것이 보다 용이해지고, 제2 친수성 물질(260)이 도포된 범프(212) 면과 제1 친수성 물질(240) 간의 접착력이 보다 향상되어, 후속하는 절연성 물질(250) 충진 공정(S205)에서 블로잉 시 제1 친수성 물질(240)이 증발되는 것을 더욱 방지하여, 보다 용이한 충진이 가능하도록 한다.Unlike the first embodiment, the method of filling the insulating material 250 in the circuit board 200 according to the second embodiment is as shown in FIG. 6A before the formation of the photo solder resist layer 220 (S201). The method may further include performing a hydrophilic treatment using the second hydrophilic material 260 to increase the hydrophilicity of the surface of the conductive raw material 210 (S200). As described above, in the present invention, the surface of the pure raw material 210 also has hydrophilic properties, but the raw material 210 is treated to have a stronger hydrophilic property, which is subsequently followed by (d) the first hydrophilic material 240. During the hydrophilic treatment (S204, see FIG. 6 (f)), it becomes easier to have the hydrophilic material 240 exist only on the surface where the bump 212 is exposed, and the bump to which the second hydrophilic material 260 is coated is applied. (212) The adhesion between the surface and the first hydrophilic material 240 is further improved, further preventing the first hydrophilic material 240 from evaporating during blowing in the subsequent insulating material 250 filling process (S205), Allow easy filling.

이러한 친수성 처리(S200)는 친수성 특성을 갖는 물질(260)을 이용하여 도포하는 방식으로 수행될 수 있으며, 코팅, 스프레이, 침지 등 도전성 원소재(210) 면의 친수성 특성을 보다 강하게 나타내도록 할 수 있는 방식이라면 특별히 제한되는 것은 아니다.The hydrophilic treatment (S200) may be performed by applying a material using the material 260 having hydrophilic properties, and may make the hydrophilic property of the surface of the conductive element 210 such as coating, spray, or immersion stronger. If so, it is not particularly limited.

상기 제2 친수성 물질(260)로는 예를 들어, 실란 커플링제(silane coupling agent), 머캅토알카논산(mercaptoalkanoic acid), 시스테인(cysteine), 알칸디티올(alcanedithiol), 아미노티오페놀(aminothiophenol) 등이 사용될 수 있으며, 상기 실란 커플링제로는 시아노알킬실란(cyanoalkylsilane), 아세톡시알킬실란(acetoxyalkylsilane), 히드록시알킬실란(hydroxyalkylsilane), 카복시알킬실란트리올소듐염(carboxyalkylsilanetriol sodium salt), 이미다졸린알킬실란(imidazolinalkylsilane), 트리히드록시실릴-1-프로판술폰산(trihydroxysilyl-1-propanesulfonic acid), 트리히드록시실릴프로필메틸포스포네이트(trihydroxysilylpropylmethylphosphonate), 에폭시 기능성 실란(epoxy functional silane) 등이 사용될 수 있다.As the second hydrophilic material 260, for example, a silane coupling agent, a mercaptoalkanoic acid, cysteine, alcanedithiol, aminothiophenol, etc. As the silane coupling agent, cyanoalkylsilane, acetoxyalkylsilane, hydroxyalkylsilane, carboxyalkylsilanetriol sodium salt, imida Imidazolinalkylsilane, trihydroxysilyl-1-propanesulfonic acid, trihydroxysilylpropylmethylphosphonate, epoxy functional silane and the like can be used. have.

한편, 상기 (a) 단계에서 포토 솔더 레지스트층(220) 형성 후 현상 시 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 현상되는 포토 솔더 레지스트층(220) 사이의 제2 친수성 물질(260)은 친수성 특성으로 현상 용액에 의해 쉽게 제거될 수 있다.Meanwhile, when the photo solder resist layer 220 is formed after the photo solder resist layer 220 is formed in FIG. 6B, the second hydrophilic material 260 between the photo solder resist layers 220 to be developed is hydrophilic. By nature it can be easily removed by the developing solution.

또한, 상기 (c) 단계에서 포토 솔더 레지스트층(220) 제거(S203, 도 6(e) 참조) 시 사용되는 박리 용액으로 일반적인 알칼리성 용액을 사용할 경우, 포토 솔더 레지스트층(220)을 박리하면서 제2 친수성 물질에 의한 코팅 막(260)도 제거될 수 있으므로, 비알칼리성 유기 용제를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 비알칼리성 유기 용제는 비극성을 갖기 때문에 친수성 코팅 막(260)과 반발력을 발생시켜 친수성 코팅 막(260)의 제거가 방지되도록 할 수 있다.
In addition, when the general alkaline solution is used as the peeling solution used to remove the photo solder resist layer 220 in step (c) (S203, see FIG. 6 (e)), the photo solder resist layer 220 may be peeled off. 2 Since the coating film 260 by the hydrophilic material can also be removed, it is preferable to use a non-alkaline organic solvent. Since the non-alkaline organic solvent has a non-polarity, repelling force may be generated with the hydrophilic coating film 260 to prevent the removal of the hydrophilic coating film 260.

제3실시예Third Embodiment

도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법을 설명하는 흐름도이고, 도 8은 본 발명의 제3실시예에 따라 제조되는 회로 기판을 순차적으로 나타낸 단면도이다.7 is a flowchart illustrating a method of filling an insulating material in a circuit board according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view sequentially illustrating a circuit board manufactured according to a third embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 회로 기판(300)에서의 절연성 물질 충진 방법은 (A) 도전성 원소재(310) 일면에 포토 솔더 레지스트층(320) 형성 후 요홈(311) 및 범프(312) 형성(S301), (B) 포토 솔더 레지스트층(320) 제거(S302), (C) 소수성 표면(330) 처리(S303), (D) 마스크 패턴(370)을 이용하여 노광(S304), (E) 친수성 표면(340) 처리(S305) 및 (F) 절연성 물질(350) 충진(S306) 단계를 포함한다. 이하, 제1실시예와 상이한 구성을 중심으로 설명한다.7 and 8, in the insulating material filling method of the circuit board 300 according to the third embodiment of the present invention, (A) after the photo solder resist layer 320 is formed on one surface of the conductive raw material 310. Formation of grooves 311 and bumps 312 (S301), (B) photo solder resist layer 320 removal (S302), (C) hydrophobic surface 330 treatment (S303), (D) mask pattern 370 Exposure (S304), (E) hydrophilic surface 340 treatment (S305), and (F) insulating material 350 filling (S306) using the following steps. Hereinafter, a configuration different from the first embodiment will be mainly described.

제3실시예에 따른 회로 기판(300)에서의 절연성 물질(350) 충진 방법은 제1실시예와 비교할 때 상기 요홈(311)에 소수성 표면(330) 처리를 수행하는 공정이 상이하다. 즉, 제1실시예에서는 도전성 원소재(110)에 요홈(111) 및 범프(112)를 형성(S101)하고 소수성 처리(130)를 수행(S102)한 후 포토 솔더 레지스트층(120)을 제거하나, 제3실시예에서는 포토 솔더 레지스트층(320)을 제거(S302)한 후 소수성 처리를 수행(S302)한다. 이때, 소수성 표면 처리 방식(S303 및 S304)이 제1실시예 및 제2실시예와 상이하며, 이하 구체적으로 설명한다.In the method of filling the insulating material 350 in the circuit board 300 according to the third embodiment, the process of performing the hydrophobic surface 330 treatment on the groove 311 is different from that of the first embodiment. That is, in the first embodiment, the recess 111 and the bump 112 are formed in the conductive raw material 110 (S101), the hydrophobic treatment 130 is performed (S102), and then the photo solder resist layer 120 is removed. However, in the third embodiment, the photo solder resist layer 320 is removed (S302) and then hydrophobic treatment is performed (S302). At this time, the hydrophobic surface treatment methods S303 and S304 are different from the first embodiment and the second embodiment, and will be described in detail below.

상기 (B) 단계에서 도 8(b)에 도시된 바와 같이, 포토 솔더 레지스트층(320)을 제거(S302)하여 요홈(311) 및 범프(312)의 노출된 원소재(310) 면이 드러난 이후, 도 8(c)에 도시된 바와 같이, 상기 요홈(311) 및 범프(312)가 형성된 면에 광반응에 의해 친수성으로 변할 수 있는 소수성 물질(switchable surface treatment, 이하 '광변환성 물질'이라 함)(380)을 처리(S303)한다. 상기 광변환성 물질(380)은 UV 등의 광을 받으면 화학 구조가 변화되어 소수성 특성이 친수성 특성으로 변화되는 물질이며, 먼저 상기 광변환성 물질(380) 처리로 상기 요홈(311) 및 범프(312) 상에는 소수성의 광변환성 물질(380)이 층을 형성하게 되며, 후속하는 광반응(S304)에 의해 광변환성 물질층(380)에서 광을 받은 부분만이 친수성으로 변하게 된다.In step (B), as shown in FIG. 8B, the photo solder resist layer 320 is removed (S302) to expose the surface of the exposed raw material 310 of the grooves 311 and the bumps 312. Subsequently, as shown in FIG. 8 (c), a hydrophobic material that can be changed to hydrophilicity by photoreaction on the surface on which the grooves 311 and the bumps 312 are formed is referred to as 'photoconductive material' 380) (S303). The photoconductive material 380 is a material whose chemical structure is changed when hydrophobic property is changed to hydrophilic property when it receives light such as UV. First, the grooves 311 and bumps are treated by the photoconductive material 380. The hydrophobic photoconductive material 380 is formed on the layer 312, and only a portion of the photoconductive material layer 380 that receives light by the subsequent photoreaction S304 is changed to hydrophilic.

이러한 광변환성 물질층(380) 중 일부를 친수성으로 변화시키도록 하는 노광 공정(S304)은 도 8(d)에 도시된 바와 같이, 상기 범프(312)에만 노광될 수 있도록 준비된 마스크 패턴(370)을 이용하여 수행될 수 있으며, 이로써 상기 범프(312) 면은 친수성 특성을 갖는 표면(360, 제2실시예의 제2 친수성 물질(260)에 대응)으로 변환되며, 상기 요홈(311) 면은 소수성 특성을 갖는 표면(330)을 그대로 유지하게 된다.An exposure process S304 for changing a portion of the photoconductive material layer 380 into hydrophilicity is performed by using a mask pattern 370 prepared to be exposed only to the bumps 312, as shown in FIG. 8D. The bump 312 surface is converted into a surface having hydrophilic properties (corresponding to the second hydrophilic material 260 of the second embodiment), and the groove 311 surface is The surface 330 having hydrophobic properties is maintained as it is.

상기 광변환성 물질(380)에 의한 소수성 처리는 광변환성 물질(380)을 이용하여 코팅하는 방식으로 수행될 수 있으나, 스프레이, 침지 등 상기 요홈(311) 및 범프(312)의 노출된 면을 소수성의 표면 특성을 나타내도록 할 수 있는 방식이라면 특별히 제한되는 것은 아니다.The hydrophobic treatment by the photoconductive material 380 may be performed by coating using the photoconductive material 380, but the exposed surfaces of the grooves 311 and the bumps 312, such as spraying and dipping, are exposed. It is not particularly limited as long as it is a way that it can exhibit the surface properties of the hydrophobic.

상기 광변환성 물질(380)로는 예를 들어, 아조벤젠 유도체(azobenzene derivatives)가 사용될 수 있으며, 구체적으로 7-[(트리플루오로메톡시페닐아조)페녹시]펜타논산(7-[(trifluoromethoxyphenylazo)phenoxy]pentanoic acid)가 사용될 수 있다.For example, azobenzene derivatives may be used as the photoconductive material 380, and specifically 7-[(trifluoromethoxyphenylazo) phenoxy] pentanoic acid (7-[(trifluoromethoxyphenylazo) phenoxy pentanoic acid) can be used.

이후, 상기 (E) 단계(S305) 및 (F) 단계(S306)는 제1실시예의 (d) 단계(S104) 및 (e) 단계(S105)와 동일한 방법으로 수행되어 절연성 물질(350)을 상기 요홈(311)에만 충진되도록 할 수 있다.Thereafter, the steps (E) (S305) and (F) (S306) are performed in the same manner as the steps (d) (S104) and (e) (S105) of the first embodiment to obtain the insulating material 350. Only the groove 311 may be filled.

한편, 이와 같은 본 발명의 제3실시예에 따른 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법은 제1실시예 및 제2실시예에 따른 방법과 비교할 때, 선택적인 영역에만 소수성 표면 처리를 함에 있어, 보다 정교하게 선택적 영역을 구분할 수 있는 장점이 있다. 다만, 광변환성 물질 처리 후 마스크 패턴을 별도 준비하여 노광시키는 공정이 추가되고 UV 등 광에 반응하는 고가의 특수 약품 사용이 요구되어 제1실시예에 따른 방법에 비해 공정 비용이 상승하게 되므로, 공정 비용 대비 효과를 고려하면 제1실시예에 따른 방법이 보다 유리하다고 할 것이다.
On the other hand, the method of filling the insulating material in the circuit board according to the third embodiment of the present invention, in comparison with the method according to the first and second embodiments, in the hydrophobic surface treatment only in the selective region, It has the advantage of distinguishing the selective areas with precision. However, a process of separately preparing and exposing a mask pattern after the photoconversion material is added and the use of expensive special chemicals that react to light such as UV increases, thereby increasing the process cost compared to the method according to the first embodiment. Considering the process cost-effectiveness, the method according to the first embodiment will be more advantageous.

이상으로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참고하여 상세하게 설명하였다. 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.The preferred embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings. It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.

따라서, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미, 범위 및 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Accordingly, the scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the foregoing detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning, range, and equivalence of the claims are included in the scope of the present invention Should be interpreted.

100, 200, 300: 회로 기판 110, 210, 310: 도전성 원소재
111, 211, 311: 요홈 112, 212, 312: 범프
120, 220, 320: 포토 솔더 레지스트층 130, 230, 330: 소수성 물질(표면)
140, 240, 340: 제1친수성 물질(표면) 150, 250, 350: 절연성 물질, 충진부
260, 360: 제2친수성 물질(표면) 370: 마스크 패턴
380: 광변환성 물질
100, 200, 300: circuit board 110, 210, 310: conductive raw material
111, 211, 311: Groove 112, 212, 312: Bump
120, 220, 320: photo solder resist layer 130, 230, 330: hydrophobic material (surface)
140, 240, 340: first hydrophilic material (surface) 150, 250, 350: insulating material, filling part
260, 360: second hydrophilic material (surface) 370: mask pattern
380: photoconductive material

Claims (14)

삭제delete 도전성 원소재에 1 이상의 요홈 및 범프를 형성하고 표면 처리하여 상기 요홈에만 선택적으로 절연성 물질을 충진하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법으로, 상기 표면 처리는 상기 요홈의 노출된 면에 소수성 처리 및 상기 범프의 노출된 면에 친수성 처리하여 수행되고, 상기 표면 처리 후 소수성인 절연성 물질을 도포하여 절연성 물질이 상기 요홈에만 선택적으로 충진되도록 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법이고, 상기 방법은,
(a) 상기 도전성 원소재 일면에 포토 솔더 레지스트층을 형성하고 정해진 패턴에 따라 노광, 현상 및 하프 에칭하여 상기 요홈 및 범프를 형성하는 단계;
(b) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 소수성 물질을 이용하여 소수성 처리하는 단계;
(c) 상기 포토 솔더 레지스트층을 제거하는 단계;
(d) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 제1 친수성 물질을 이용하여 친수성 처리하는 단계; 및
(e) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 소수성인 절연성 물질을 도포하여 상기 요홈에만 절연성 물질을 충진하는 단계;
를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
An insulating material filling method in a circuit board in which at least one groove and a bump are formed on a conductive raw material and the surface is treated to selectively fill an insulating material only in the groove, wherein the surface treatment is performed by hydrophobic treatment on the exposed surface of the groove and the A method of filling an insulating material in a circuit board which is carried out by hydrophilic treatment on the exposed surface of the bump, and after applying the hydrophobic insulating material after the surface treatment, so that the insulating material is selectively filled only in the grooves, the method includes:
(a) forming a photo solder resist layer on one surface of the conductive raw material and exposing, developing and half etching the grooves and bumps according to a predetermined pattern;
(b) hydrophobic treatment using a hydrophobic material on one surface of the grooves and bumps;
(c) removing the photo solder resist layer;
(d) hydrophilic treatment using a first hydrophilic material on one surface of the grooves and bumps; And
(e) filling the insulating material with only the groove by applying a hydrophobic insulating material to one surface of the groove and the bump;
Method for filling an insulating material in a circuit board comprising a.
제2항에 있어서,
상기 (a) 단계 이전에 상기 도전성 원소재 표면의 친수성을 증가시키도록 제2 친수성 물질을 이용하여 친수성 처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
3. The method of claim 2,
And hydrophilic treatment using a second hydrophilic material to increase the hydrophilicity of the surface of the conductive element material prior to the step (a).
제3항에 있어서,
상기 제2 친수성 물질은 실란 커플링제(silane coupling agent), 머캅토알카논산(mercaptoalkanoic acid), 시스테인(cysteine), 알칸디티올(alcanedithiol) 및 아미노티오페놀(aminothiophenol)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
The method of claim 3,
The second hydrophilic material is at least one selected from the group consisting of a silane coupling agent, a mercaptoalkanoic acid, a cysteine, an alcanedithiol, and an aminothiophenol. A method for filling insulating materials in a circuit board, characterized in that.
제3항에 있어서,
상기 (c) 단계에서 비알칼리성의 유기 용제를 이용하는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
The method of claim 3,
Method for filling an insulating material in a circuit board, characterized in that using the non-alkaline organic solvent in the step (c).
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 (b) 단계의 소수성 물질은 알칸티올(alkanethiol), 알킬실란(alkyl silane), 할로겐화알킬실란(halogenated alkyl silane) 및 음이온계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
The method according to claim 2 or 3,
The hydrophobic material of step (b) is at least one member selected from the group consisting of alkanethiol, alkyl silane, halogenated alkyl silane and anionic surfactant. How to fill insulating material.
도전성 원소재에 1 이상의 요홈 및 범프를 형성하고 표면 처리하여 상기 요홈에만 선택적으로 절연성 물질을 충진하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법으로, 상기 표면 처리는 상기 요홈의 노출된 면에 소수성 처리 및 상기 범프의 노출된 면에 친수성 처리하여 수행되고, 상기 표면 처리 후 소수성인 절연성 물질을 도포하여 절연성 물질이 상기 요홈에만 선택적으로 충진되도록 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법이고, 상기 방법은,
(A) 상기 도전성 원소재 일면에 포토 솔더 레지스트층을 형성하고 정해진 패턴에 따라 노광, 현상 및 하프 에칭하여 상기 요홈 및 범프를 형성하는 단계;
(B) 상기 포토 솔더 레지스트층을 제거하는 단계;
(C) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 광반응에 의해 친수성으로 변할 수 있는 소수성 물질을 이용하여 소수성 처리하는 단계;
(D) 상기 범프에만 노광될 수 있도록 준비된 마스크 패턴을 이용하여 노광하는 단계;
(E) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 제1 친수성 물질을 이용하여 친수성 처리하는 단계; 및
(F) 상기 요홈 및 범프가 형성된 일면에 소수성인 절연성 물질을 도포하여 상기 요홈에만 절연성 물질을 충진하는 단계;
를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
An insulating material filling method in a circuit board in which at least one groove and a bump are formed on a conductive raw material and the surface is treated to selectively fill an insulating material only in the groove, wherein the surface treatment is performed by hydrophobic treatment on the exposed surface of the groove and the A method of filling an insulating material in a circuit board which is carried out by hydrophilic treatment on the exposed surface of the bump, and after applying the hydrophobic insulating material after the surface treatment, so that the insulating material is selectively filled only in the grooves, the method includes:
(A) forming a photo solder resist layer on one surface of the conductive raw material and forming the grooves and bumps by exposure, development and half etching according to a predetermined pattern;
(B) removing the photo solder resist layer;
(C) hydrophobic treatment using a hydrophobic material that can be changed to hydrophilic by a photoreaction on one surface of the groove and bump;
(D) exposing using a mask pattern prepared to be exposed only to the bumps;
(E) hydrophilic treatment using a first hydrophilic material on one surface of the groove and bump; And
(F) filling the insulating material with only the grooves by applying a hydrophobic insulating material to one surface of the grooves and bumps;
Method for filling an insulating material in a circuit board comprising a.
제7항에 있어서,
상기 (C) 단계의 소수성 물질은 아조벤젠 유도체(azobenzene derivatives)인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
8. The method of claim 7,
The hydrophobic material of step (C) is azobenzene derivatives (azobenzene derivatives) characterized in that the filling method for insulating material on a circuit board.
제2항, 제3항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 포토 솔더 레지스트층 형성은 드라이 필름 포토레지스트를 라미네이트하여 수행되는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
The method according to any one of claims 2, 3 and 7,
Forming the photo solder resist layer is performed by laminating a dry film photoresist.
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 10 has been abandoned due to the setting registration fee. 제2항, 제3항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 친수성 물질은 수분인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
The method according to any one of claims 2, 3 and 7,
And the first hydrophilic material is moisture.
삭제delete 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 12 is abandoned in setting registration fee. 제2항, 제3항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 소수성 처리 전에 상기 요홈의 노출된 면에 거칠기를 부여하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
The method according to any one of claims 2, 3 and 7,
And imparting roughness to the exposed surface of the groove prior to the hydrophobic treatment.
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 13 has been abandoned due to the set registration fee. 제12항에 있어서,
상기 거칠기가 부여된 상기 요홈의 노출된 면의 표면조도(Ra)는 500~5000Å인 것을 특징으로 하는 회로 기판에서의 절연성 물질 충진 방법.
The method of claim 12,
Surface roughness (Ra) of the exposed surface of the groove given the roughness is 500 ~ 5000Å method for filling an insulating material in a circuit board.
삭제delete
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